特開 2024-111806 回路基板およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024111806

(43)【公開日】2024-08-19

(54)【発明の名称】回路基板およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240809BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20240809BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 Q

H05K3/46 B

H05K3/00 K

H05K3/00 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023208424

(22)【出願日】2023-12-11

(31)【優先権主張番号】10-2023-0015439

(32)【優先日】2023-02-06

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000051

【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】朴 帝 相

(72)【発明者】

【氏名】呉 昌 建

(72)【発明者】

【氏名】李 亮 制

(72)【発明者】

【氏名】朴 賢 耕

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA32

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC32

5E316CC33

5E316CC34

5E316CC37

5E316CC38

5E316CC39

5E316CC58

5E316EE31

5E316GG15

5E316GG22

5E316GG24

5E316GG28

5E316HH32

5E316JJ03

(57)【要約】      （修正有）

【課題】容易に絶縁層にキャビティを形成できる回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による回路基板は、第１絶縁層１００と、第１絶縁層１００上に位置する第１回路配線２００と、第１絶縁層１００および第１回路配線２００を覆い、第１絶縁層１００と異なる材質を含む第２絶縁層３００と、第２絶縁層３００上に位置し、キャビティＣＡを有する第３絶縁層４００とを含み、キャビティＣＡの底面は、第２絶縁層３００の上部面である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に位置する第１回路配線と、
前記第１絶縁層および前記第１回路配線を覆い、前記第１絶縁層とは異なる材質を含む第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に位置し、キャビティを有する第３絶縁層と、
を含み、
前記キャビティの底面は、前記第２絶縁層の上部面であることを特徴とする回路基板。

【請求項2】

複数の前記第３絶縁層の間に位置する第２回路配線をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項3】

前記キャビティは、
前記第２絶縁層に隣接した第１キャビティ部分と、
前記第１キャビティ部分と連通し、前記第１キャビティ部分上に位置する第２キャビティ部分と、を含み、
前記第１キャビティ部分の幅は、前記第２キャビティ部分の幅よりも広いことを特徴とする請求項２に記載の回路基板。

【請求項4】

前記第３絶縁層は、
前記第２絶縁層と接触し、前記第１キャビティ部分を有する下部絶縁層と、
前記下部絶縁層上に位置し、前記第２キャビティ部分を有する少なくとも１つの上部絶縁層と、を含むことを特徴とする請求項３に記載の回路基板。

【請求項5】

前記下部絶縁層は、内部に前記第２回路配線を含まないことを特徴とする請求項４に記載の回路基板。

【請求項6】

前記第３絶縁層上に位置するソルダレジスト層をさらに含み、
前記ソルダレジスト層は、前記第２回路配線と重なる第１開口部と、前記キャビティと重なる第２開口部とを有することを特徴とする請求項４に記載の回路基板。

【請求項7】

前記第２開口部の幅は、前記第２キャビティ部分の幅よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の回路基板。

【請求項8】

複数の前記第３絶縁層は、前記第１絶縁層と同一の材質を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項9】

前記第１絶縁層および前記第３絶縁層は、プリプレグを含み、
前記第２絶縁層は、ガラス繊維を含まない樹脂を含むことを特徴とする請求項８に記載の回路基板。

【請求項10】

第１絶縁層上に第１回路配線を形成する段階と、
前記第１回路配線を覆う第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に位置する導電層とを含む、マスク層を形成する段階と、
前記マスク層の一部をエッチングして、エッチング防止層を形成する段階と、
前記エッチング防止層を覆う第３絶縁層を形成する段階と、
前記第３絶縁層上に第２回路配線と、前記エッチング防止層と重なるダミー配線とを形成する段階と、
前記第３絶縁層において前記エッチング防止層および前記ダミー配線を含む部分を除去してキャビティを形成する段階と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。

【請求項11】

前記導電層は、
前記第２絶縁層上に位置する第１導電層と、前記第１導電層上に位置する第２導電層と、前記第１導電層と前記第２導電層との間に位置する剥離層とを含み、
前記エッチング防止層を形成する段階は、
前記第１導電層、前記第２導電層、および前記剥離層をそれぞれエッチングして、第１導電部材、第２導電部材、および剥離部材を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１０に記載の回路基板の製造方法。

【請求項12】

前記第２導電層の厚さは、前記第１導電層の厚さよりも厚く形成することを特徴とする請求項１１に記載の回路基板の製造方法。

【請求項13】

前記キャビティを形成する段階は、
レーザ加工工程を用いて、前記第３絶縁層を貫通する切開部を形成する段階と、
エッチング工程を用いて、前記切開部を通して第１エッチング液を流入して前記第３絶縁層と分離されるキャビティブロックを形成する段階と、
前記キャビティブロックを除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１１に記載の回路基板の製造方法。

【請求項14】

前記キャビティブロックを形成する段階は、
前記第１エッチング液を流入して前記剥離部材を除去して、前記第１導電部材と前記第２導電部材とを分離する段階を含むことを特徴とする請求項１３に記載の回路基板の製造方法。

【請求項15】

第２エッチング液を用いて前記第２絶縁層を覆う前記第１導電部材を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の回路基板の製造方法。

【請求項16】

前記キャビティブロックを形成する段階は、
前記エッチング液を流入して前記エッチング防止層を除去する段階を含むことを特徴とする請求項１３に記載の回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、回路基板およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

最近、５Ｇ時代の到来に伴い、アンテナの大きさを縮小し、アンテナの性能向上のために回路基板を含むアンテナ基板が用いられている。アンテナ基板の性能を向上させるためには、パッチアンテナと接地（Ｇｒｏｕｎｄ）との間の絶縁層の厚さが重要な役割を果たす。アンテナ基板で用いられる絶縁層の誘電率は約３～４の水準であるため、良好な性能を確保するためには絶縁層の層数が１４～１６層にならなければならないので、一般的なＩＣパッケージ用回路基板に比べて絶縁層の厚さが大きくなる。したがって、アンテナ基板の製造時間が長くかかるので、最近は２つのアンテナ基板をソルダボールで接合するアンテナモジュールが開発されている。

【0003】

しかし、２つのアンテナ基板をソルダボールで接合したアンテナモジュールの厚さは大きくなるため、１つのアンテナ基板にキャビティ（Ｃａｖｉｔｙ）を形成し、キャビティの内部に積層セラミックコンデンサ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、ＭＬＣＣ）などの受動素子を配置することができる。

【0004】

このようなキャビティ（Ｃａｖｉｔｙ）は、レーザドリリング（ｌａｓｅｒ ｄｒｉｌｌｉｎｇ）方法を用いてアンテナ基板に直接形成するか、メッキレジスト（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ Ｒｅｓｉｓｔ、ＤＦＲ）を剥離層（Ｒｅｌｅａｓｅ ｌａｙｅｒ）として活用してレーザドリルトリミング（ｌａｓｅｒ ｄｒｉｌｌ ｔｒｉｍｍｉｎｇ）方法で形成される。しかし、レーザドリリング（ｌａｓｅｒ ｄｒｉｌｌｉｎｇ）方法は、レーザビームを用いてアンテナ基板の絶縁層の全面にキャビティを形成しなければならないので、製造時間が長くかかって生産性が低くなる。さらに、レーザドリルトリミング方法は、剥離層として用いられるメッキレジスト（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ Ｒｅｓｉｓｔ、ＤＦＲ）がレーザビームの加工時にエッチング防止層の役割を果たしにくく、トリミングされた絶縁層の一部がきれいに分離されにくく、残留メッキレジストをきれいに除去することも難しい。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０２０－１４５３９５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、容易に絶縁層にキャビティを形成できる回路基板およびその製造方法を提供することにある。

【0007】

しかし、本発明が解決しようとする課題は上述した課題に限定されず、本発明に含まれている技術的思想の範囲で多様に拡張可能である。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に位置する第１回路配線と、前記第１絶縁層および前記第１回路配線を覆い、前記第１絶縁層とは異なる材質を含む第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に位置し、キャビティを有する第３絶縁層と、を含み、前記キャビティの底面は、前記第２絶縁層の上部面であることを特徴とする。

【0009】

本発明による回路基板は、複数の前記第３絶縁層の間に位置する第２回路配線をさらに含むことができる。
前記キャビティは、前記第２絶縁層に隣接した第１キャビティ部分と、前記第１キャビティ部分と連通し、前記第１キャビティ部分上に位置する第２キャビティ部分とを含み、前記第１キャビティ部分の幅は、前記第２キャビティ部分の幅よりも広い。
前記複数の第３絶縁層は、前記第２絶縁層と接触し、前記第１キャビティ部分を有する下部絶縁層と、前記下部絶縁層上に位置し、前記第２キャビティ部分を有する少なくとも１つの上部絶縁層とを含むことができる。
前記下部絶縁層は、内部に前記第２回路配線を含まなくてもよい。
前記第３絶縁層上に位置するソルダレジスト層をさらに含み、前記ソルダレジスト層は、前記第２回路配線と重なる第１開口部と、前記キャビティと重なる第２開口部とを有することができる。
前記第２開口部の幅は、前記第２キャビティ部分の幅よりも大きい。
前記複数の第３絶縁層は、前記第１絶縁層と同一の材質を含むことができる。
前記第１絶縁層および前記第３絶縁層は、プリプレグを含み、前記第２絶縁層は、ガラス繊維を含まない樹脂を含むことができる。

【0010】

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による回路基板の製造方法は、第１絶縁層上に第１回路配線を形成する段階と、前記第１回路配線を覆う第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に位置する導電層とを含む、マスク層を形成する段階と、前記マスク層の一部をエッチングして、エッチング防止層を形成する段階と、前記エッチング防止層を覆う第３絶縁層を形成する段階と、前記第３絶縁層上に第２回路配線と、前記エッチング防止層と重なるダミー配線とを形成する段階と、前記第３絶縁層において前記エッチング防止層および前記ダミー配線を含む部分を除去してキャビティを形成する段階と、を含むことを特徴とする。

【0011】

前記導電層は、前記第２絶縁層上に位置する第１導電層と、前記第１導電層上に位置する第２導電層と、前記第１導電層と前記第２導電層との間に位置する剥離層とを含み、前記エッチング防止層を形成する段階は、前記第１導電層、前記第２導電層、および前記剥離層をそれぞれエッチングして、第１導電部材、第２導電部材、および剥離部材を形成する段階を含むことができる。
前記第２導電層の厚さは、前記第１導電層の厚さよりも厚く形成することができる。
前記キャビティを形成する段階は、レーザ加工工程を用いて、前記第３絶縁層を貫通する切開部を形成する段階と、エッチング工程を用いて、前記切開部を通して第１エッチング液を流入して前記第３絶縁層と分離されるキャビティブロックを形成する段階と、前記キャビティブロックを除去する段階と、を含むことができる。
前記キャビティブロックを形成する段階は、前記第１エッチング液を流入して前記剥離部材を除去して、前記第１導電部材と前記第２導電部材とを分離する段階を含むことができる。

【0012】

前記回路基板の製造方法は、第２エッチング液を用いて前記第２絶縁層を覆う前記第１導電部材を除去する段階をさらに含むことができる。
前記キャビティブロックを形成する段階は、前記エッチング液を流入して前記エッチング防止層を除去する段階を含むことができる。

【発明の効果】

【0013】

本発明によれば、レーザビームによる絶縁層の過度な加工を防止するためのエッチング防止層を形成し、レーザビームを用いて絶縁層に形成した切開部を用いてキャビティを形成することによって、レーザビームだけで絶縁層にキャビティを形成することより生産性を向上させることができる。
また、エッチング防止層をエッチング液を用いてすべて除去することによって、残留物が残らず、容易にきれいなキャビティを形成することができる。

【0014】

しかし、本発明の効果は上述した効果に限定されるものではなく、本発明の思想および領域を逸脱しない範囲で多様に拡張できることは自明である。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】一実施例による回路基板の断面図である。

【図2】一実施例による回路基板の製造方法を順に示す断面図である。

【図3】一実施例による回路基板の製造方法を順に示す断面図である。

【図4】一実施例による回路基板の製造方法を順に示す断面図である。

【図5】一実施例による回路基板の製造方法を順に示す断面図である。

【図6】一実施例による回路基板の製造方法を順に示す断面図である。

【図7】一実施例による回路基板の製造方法を順に示す断面図である。

【図8】一実施例による回路基板の製造方法を順に示す断面図である。

【図9】他の実施例による回路基板の製造方法の一段階を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、図面を参照して、本発明の様々な実施例について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は種々の異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施例に限定されない。

【0017】

本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付す。

【0018】

また、図面は本明細書に開示された実施例を容易に理解できるようにするためのものに過ぎず、図面によって本明細書に開示された技術的思想が限定されず、本発明の思想および技術範囲に含まれるすべての変更、均等物乃至代替物を含むことが理解されなければならない。

【0019】

さらに、図面に示された各構成の大きさおよび厚さは説明の便宜のために任意に示したもので、本発明は必ずしも図示のものに限定されない。図面において、様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして、図面において、説明の便宜のために、一部の層および領域の厚さを誇張して示した。

【0020】

また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとする時、これは、他の部分の「直上に」ある場合のみならず、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上に」あるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。なお、基準となる部分の「上に」あるというのは、基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力の反対方向側に「上に」位置することを意味するものではない。

【0021】

また、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含し得ることを意味する。

【0022】

さらに、明細書全体において、「平面上」とする時、これは対象部分を上から見た時を意味し、「断面上」とする時、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。

【0023】

また、明細書全体において、「連結される」とする時、これは２以上の構成要素が直接的に連結されることだけを意味するものではなく、２以上の構成要素が他の構成要素を介して間接的に連結されること、物理的に連結されることだけでなく、電気的に連結されること、または位置や機能により異なる名称で称されたものの一切を意味する。

【0024】

以下、図面を参照して、多様な実施例と変形例を詳細に説明する。

【0025】

図１を参照して、一実施例による回路基板について説明する。

【0026】

図１は、一実施例による回路基板の断面図である。

【0027】

図１に示すように、一実施例による回路基板は、第１絶縁層１００と、第１回路配線２００と、第２絶縁層３００と、複数の第３絶縁層４００と、複数の第２回路配線５００と、ソルダレジスト層６００とを含む。

【0028】

第１絶縁層１００は、エポキシ樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などのような熱硬化性樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）などのような熱可塑性樹脂などを含む。例えば、第１絶縁層１１０は、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）を含む。

【0029】

第１回路配線２００は、第１絶縁層１００上に位置する。第１回路配線２００は、電気的信号を伝達する。第１回路配線２００は、多様なパターンで配置される。第１回路配線２００は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの導電性物質を含む。

【0030】

第２絶縁層３００は、第１絶縁層１００および第１回路配線２００を覆い、第１絶縁層１００とは異なる材質を含む。例えば、第２絶縁層３００は、ガラス繊維を含まない樹脂（ｒｅｓｉｎ）などからなる。

【0031】

第３絶縁層４００は、第２絶縁層３００上に位置し、キャビティ（ｃａｖｉｔｙ）ＣＡを有する。キャビティＣＡは、第１キャビティ部分ＣＡ１と、第２キャビティ部分ＣＡ２とを含む。第３絶縁層４００は、第１絶縁層１００と同一の材質を含む。例えば、第３絶縁層４００は、プリプレグを含む。

【0032】

第３絶縁層４００は、下部絶縁層４１０と、少なくとも１つの上部絶縁層４２０とを含む。

【0033】

下部絶縁層４１０は、第２絶縁層３００と接触し、第１キャビティ部分ＣＡ１と第２キャビティ部分ＣＡ２の一部を有する。下部絶縁層４１０は、第２回路配線５００を覆わない。つまり、下部絶縁層４１０は、その内部に第２回路配線５００を含まない。

【0034】

上部絶縁層４２０は、下部絶縁層４１０上に位置し、第２キャビティ部分ＣＡ２を有する。第１キャビティ部分ＣＡ１は、第２絶縁層３００に隣接して形成される。つまり、第１キャビティ部分ＣＡ１の底面は、第２絶縁層３００の上部面である。

【0035】

第２キャビティ部分ＣＡ２は、第１キャビティ部分ＣＡ１と連通し、第１キャビティ部分ＣＡ１上に位置する。

【0036】

ここで、第１キャビティ部分ＣＡ１の幅Ｗ１は、第２キャビティ部分ＣＡ２の幅Ｗ２よりも広い。

【0037】

本実施例では、２つの上部絶縁層４２０が積層されているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な層数の上部絶縁層４２０が積層可能である。

【0038】

このように、一実施例による回路基板は、キャビティを有することによって、キャビティの内部に積層セラミックコンデンサ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、ＭＬＣＣ）などの受動素子を配置して、アンテナモジュール全体の厚さを減少させることができる。また、キャビティ内に受動素子を配置することによって、受動素子とＩＣチップを同一の平面上に配置させず、回路基板の上下にそれぞれ配置可能なため、アンテナモジュール全体の平面サイズを最小化することができる。

【0039】

複数の第２回路配線５００は、複数の第３絶縁層４１０、４２０の間または最上部の第３絶縁層４２０上に位置する。つまり、一部の第２回路配線５１０、５２０は、上下に隣接する第３絶縁層４１０、４２０の間に位置し、最上部の第２回路配線５３０は、最上部の第３絶縁層４２０上に位置する。

【0040】

第２回路配線５００は、電気的信号を伝達し、多様なパターンで配置される。第２回路配線５００は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの導電性物質を含む。

【0041】

ソルダレジスト層６００は、第３絶縁層４００上に位置する。ソルダレジスト層６００は、ソルダレジスト（Ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）などの絶縁物質を含む。

【0042】

ソルダレジスト層６００は、第２回路配線５００と重なる第１開口部ＯＨ１と、キャビティＣＡと重なる第２開口部ＯＨ２とを有する。

【0043】

ここで、第２開口部ＯＨ２の幅Ｗ３は、第２キャビティ部分ＣＡ２の幅Ｗ１よりも大きい。

【0044】

最上部の第２回路配線５３０は、第１開口部によって外部に露出してソルダボール（図示せず）と接触する導電パッド５３０として用いられる。このような導電パッド５３０上には、表面処理工程のメッキ工程によって形成される補助パッド５０が位置する。補助パッド５０は、下部補助層５１と、上部補助層５２とを含む。上部補助層５２は、下部補助層５１上に位置する。下部補助層５１は、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）などを含み、第１上部補助層５２は、金（Ａｕ）を含む。

【0045】

以下、図１と共に、図２～図８を参照して、一実施例による回路基板の製造方法について詳しく説明する。

【0046】

図２～図８は、一実施例による回路基板の製造方法を順に示す断面図である。

【0047】

図２に示すように、第１絶縁層１００上に第１回路配線２００を形成する。

【0048】

そして、第１回路配線２００を覆うマスク層ＭＬを形成する。マスク層ＭＬは、第１回路配線２００を覆う第２絶縁層３００と、第２絶縁層３００上に位置する導電層３０とを含む。導電層３０は、第２絶縁層３００上に位置する第１導電層３１と、第１導電層３１上に位置する第２導電層３２と、第１導電層３１と第２導電層３２との間に位置する剥離層３３とを含む。

【0049】

例えば、マスク層ＭＬは、レジンコーティング銅箔（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｉｎｇ Ｃｏｐｐｅｒ、ＲＣＣ）であり、ガラス繊維を含まない樹脂（ｒｅｓｉｎ）で形成された第２絶縁層３００上に、約１８ｕｍの厚さを有し、キャリアの役割を果たす第２導電層３２上に剥離層３３を形成し、剥離層３３上に約１．５ｕｍの厚さを有する超薄型の第１導電層３１を形成して製造される。ここで、第２導電層３２の厚さは、第１導電層３１の厚さよりも厚く形成され、第１導電層３１および第２導電層３２は、銅などを含む。

【0050】

図３に示すように、マスク層ＭＬの一部をエッチングして、エッチング防止層４０を形成する。

【0051】

エッチング防止層４０は、第１導電層３１をエッチングして形成した第１導電部材４１と、第１導電部材４１上に位置し、第２導電層３２をエッチングして形成した第２導電部材４２と、第１導電部材４１と第２導電部材４２との間に位置する剥離部材４３とを含む。このようなエッチング防止層４０は、後のレーザ加工工程でレーザビームＬによる第２絶縁層３００のエッチングを防止する。

【0052】

図４に示すように、第２絶縁層３００上にエッチング防止層４０を覆う下部絶縁層４１０を形成する。そして、下部絶縁層４１０上に第２回路配線５１０とダミー配線ＤＬとを形成する。ダミー配線ＤＬは、第２回路配線５１０と同一の材質を含む。

【0053】

ダミー配線ＤＬは、エッチング防止層４０と重なる。このようなダミー配線ＤＬの幅ｄ１は、エッチング防止層４０の幅ｄ２よりも小さい。したがって、後の工程で、レーザビームＬで第３絶縁層４００に切開部４００ａを形成する場合、レーザビームＬでダミー配線ＤＬを加工しなくても良いので、レーザ加工工程が容易になる。

【0054】

そして、下部絶縁層４１０上に少なくとも１つの上部絶縁層４２０と第２回路配線５２０、５３０およびダミー配線ＤＬを繰り返し積層する。本実施例では、２つの上部絶縁層４２０を形成したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な層数の上部絶縁層４２０を形成することができる。

【0055】

このような上部絶縁層４２０の層数を調整することによって、キャビティＣＡの深さを調整することができる。つまり、上部絶縁層４２０の層数を増加することによって、キャビティＣＡの深さを増加させることができる。

【0056】

図５に示すように、上部絶縁層４２０上に第１開口部ＯＨ１および第２開口部ＯＨ２を有するソルダレジスト層６００を形成する。第１開口部ＯＨ１は、第２回路配線５００と重なり、第２開口部ＯＨ２は、ダミー配線ＤＬと重なる。特に、ダミー配線ＤＬは、第２開口部ＯＨ２内に位置して重なる。第１開口部ＯＨ１および第２開口部ＯＨ２は、マスクを用いてソルダレジスト層６００に露光、硬化、現像などの工程を進行させて形成される。この時、第２開口部ＯＨ２の幅Ｗ３は、エッチング防止層４０の幅ｄ２よりも大きく形成される。そして、最上部の第２回路配線５３０である導電パッド５３０上に表面処理工程のメッキ工程を進行させて、下部補助層５１および上部補助層５２を含む補助パッド５０を形成する。

【0057】

図６に示すように、レーザ加工工程を用いて、第２開口部ＯＨ２と重なる位置に第３絶縁層４００を貫通する切開部４００ａを形成する。つまり、レーザビームＬを用いて第３絶縁層４００を加工して切開部４００ａを形成し、エッチング防止層４０の第２導電部材４２の上部面が露出するまで下部絶縁層４１０を切断する。このようなエッチング防止層４０は、レーザビームＬによって第２絶縁層３００まで過度に切断されることを遮断する役割を果たす。

【0058】

図７に示すように、エッチング工程を用いて、切開部４００ａを通して第１エッチング液を流入させてエッチング防止層４０の剥離部材４３を除去する。したがって、除去された剥離部材４３の位置には空き空間ＨＯが発生し、第１導電部材４１と第２導電部材４２とは分離される。この場合、第３絶縁層４００から分離されるキャビティブロックＣＢが形成される。

【0059】

このようなキャビティブロックＣＢは、第２導電部材４２と、第２導電部材４２上に位置し、切開部４００ａによって第３絶縁層４００から分離された絶縁ブロック４１０ａと、絶縁ブロック４１０ａ内に位置するダミー配線ＤＬとを含む。

【0060】

図８に示すように、真空吸着、接着剤などを用いてキャビティブロックＣＢを上部へ引っ張って除去する。したがって、キャビティブロックＣＢのあった位置に第２キャビティ部分ＣＡ２および第１キャビティ部分ＣＡ１の一部が形成される。

【0061】

図１に示すように、第２エッチング液を用いて第２絶縁層３００上にあった第１導電部材４１と第２導電部材４２の残りを除去することによって、第１キャビティ部分ＣＡ１および第２キャビティ部分ＣＡ２をすべて形成する。

【0062】

このように、一実施例による回路基板の製造方法は、レーザビームによる絶縁層の過度な加工を防止するためのエッチング防止層を形成し、レーザビームを用いて絶縁層に形成した切開部を用いてキャビティを形成することによって、レーザビームだけで絶縁層にキャビティを形成することより生産性を向上させることができる。

【0063】

また、エッチング防止層をエッチング液を用いてすべて除去することによって、残留物が残らず、容易にきれいなキャビティを形成することができる。

【0064】

一方、上記の実施例では、第２エッチング液を用いて第１導電部材と第２導電部材の残りを除去する工程を追加的に必要とするが、第１エッチング液のみで第１導電部材と第２導電部材をすべて除去する他の実施例も可能である。

【0065】

以下、図１～図６と共に、図９を参照して、他の実施例による回路基板の製造方法について詳しく説明する。

【0066】

図９は、他の実施例による回路基板の製造方法の一段階を示す断面図である。

【0067】

図９に示す他の実施例は、図２～図８に示された一実施例の製造方法と比較して、第１エッチング液のみでエッチング防止層を除去することだけを除いて実質的に同一であるので、繰り返しの説明は省略する。

【0068】

図２～図６に示すように、他の実施例による回路基板の製造方法は、第１絶縁層１００上に第１回路配線２００を形成する。そして、第１回路配線２００を覆うマスク層ＭＬを形成し、マスク層ＭＬの一部をエッチングして、エッチング防止層４０を形成する。そして、第２絶縁層３００上にエッチング防止層４０を覆う下部絶縁層４１０を形成し、下部絶縁層４１０上に第２回路配線５１０とダミー配線ＤＬとを形成する。そして、下部絶縁層４１０上に少なくとも１つの上部絶縁層４２０と第２回路配線５２０、５３０およびダミー配線ＤＬを繰り返し積層する。そして、上部絶縁層４２０上に第１開口部ＯＨ１および第２開口部ＯＨ２を有するソルダレジスト層６００を形成する。そして、最上部の第２回路配線５３０である導電パッド５３０上に表面処理工程のメッキ工程を進行させて、下部補助層５１および上部補助層５２を含む補助パッド５０を形成する。そして、レーザ加工工程を用いて、第２開口部ＯＨ２と重なる位置に複数の第３絶縁層４００を貫通する切開部４００ａを形成する。

【0069】

図９に示すように、エッチング工程を用いて、切開部４００ａを通して第１エッチング液を流入してエッチング防止層４０を除去する。つまり、第１エッチング液を十分に流入させてエッチング防止層４０をなす第１導電部材４１、第２導電部材４２、および剥離部材４３をすべて除去する。

【0070】

したがって、除去されたエッチング防止層４０の位置には空き空間ＨＯが発生し、第３絶縁層４００および第２絶縁層３００から分離されるキャビティブロックＣＢが形成される。このようなキャビティブロックＣＢは、切開部４００ａによって第３絶縁層４００から分離された絶縁ブロック４１０ａと、絶縁ブロック４１０ａ内に位置するダミー配線ＤＬとを含む。

【0071】

図１に示すように、キャビティブロックＣＢを除去することによって、キャビティブロックＣＢのあった位置にキャビティＣＡを形成する。

【0072】

このように、第１エッチング液のみでエッチング防止層４０をすべて除去することによって、第２エッチング液を用いて第１導電部材４１と第２導電部材４２の残りを除去する工程を追加的に必要としないので、製造工程を単純化することができる。

【0073】

また、真空吸着、接着剤などを用いなくてもキャビティブロックＣＢを容易に除去することができる。

【0074】

以上、本発明の好ましい一実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の詳細な説明および図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも本発明の範囲に属することは当然である。

【符号の説明】

【0075】

３０：導電層
４０：エッチング防止層
５０：補助パッド
１００：第１絶縁層
２００：第１回路配線
３００：第２絶縁層
４００：複数の第３絶縁層
４１０：下部絶縁層
４２０：上部絶縁層
５００：複数の第２回路配線
５３０：導電パッド
６００：ソルダレジスト層
ＣＡ：キャビティ
ＣＡ１：第１キャビティ部分
ＣＡ２：第２キャビティ部分

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】