特開 2024-111964 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えたモジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024111964

(43)【公開日】2024-08-20

(54)【発明の名称】弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えたモジュール

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/72 20060101AFI20240813BHJP

   H03H 9/64 20060101ALI20240813BHJP

【ＦＩ】

H03H9/72

H03H9/64 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023016741

(22)【出願日】2023-02-07

(71)【出願人】

【識別番号】518453730

【氏名又は名称】三安ジャパンテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100161827

【弁理士】

【氏名又は名称】竹田 淳

(72)【発明者】

【氏名】廉 京日

【テーマコード（参考）】

5J097

【Ｆターム（参考）】

5J097AA10

5J097AA12

5J097AA17

5J097BB14

5J097BB15

5J097CC05

5J097KK03

5J097KK04

(57)【要約】

【課題】より簡素な構成でアイソレーション特性を向上することができる弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】弾性波デバイスは、減衰量の絶対値が予め設定された第１基準量以下の第１周波数帯域を有した第１多重モード型共振器と、前記第１多重モード型共振器と並列に接続され、減衰量の絶対値が前記第１基準量以下の第２周波数帯域を有した第２多重モード型共振器と、を備え、前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域は、通過帯域よりも広く、前記通過帯域外、かつ、前記第１周波数帯域内および前記第２周波数帯域内において、前記第１多重モード型共振器と前記第２多重モード型共振器との出力の位相が逆符号となる周波数が存在する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

減衰量の絶対値が予め設定された第１基準量以下の第１周波数帯域を有した第１多重モード型共振器と、
前記第１多重モード型共振器と並列に接続され、減衰量の絶対値が前記第１基準量以下の第２周波数帯域を有した第２多重モード型共振器と、
を備え、
前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域は、通過帯域よりも広く、
前記通過帯域外、かつ、前記第１周波数帯域内および前記第２周波数帯域内において、前記第１多重モード型共振器と前記第２多重モード型共振器との出力の位相が逆符号となる周波数が存在する弾性波デバイス。

【請求項2】

前記通過帯域外、かつ、前記第１周波数帯域内および前記第２周波数帯域内において、前記第１多重モード型共振器と前記第２多重モード型共振器との出力の位相が逆符号となり、前記位相の絶対値が同等となる周波数が存在する請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項3】

前記通過帯域よりも高く、かつ、前記第１周波数帯域内および前記第２周波数帯域内において、前記第１多重モード型共振器と前記第２多重モード型共振器との出力の位相が逆符号となる周波数が存在する請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項4】

前記通過帯域よりも低く、かつ、前記第１周波数帯域内および前記第２周波数帯域内において、前記第１多重モード型共振器と前記第２多重モード型共振器との出力の位相が逆符号となる周波数が存在する請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項5】

所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成された受信フィルタと、
所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成された送信フィルタと、
を備え、
前記第１多重モード型共振器と前記第２多重モード型共振器とは、前記受信フィルタに設けられた請求項３または請求項４に記載の弾性波デバイス。

【請求項6】

前記第１周波数帯域と前記第２周波数帯域とは互いに異なる請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項7】

請求項１に記載の弾性波デバイスを備えたモジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えたモジュールに関連する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、弾性波デバイスを開示する。当該弾性波デバイスは、複数のフィルタを備える。当該弾性波デバイスは、付加回路を備える。当該付加回路により、当該弾性波デバイスのアイソレーション特性を向上し得る。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－１２０８４１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載の弾性波デバイスにおいては、フィルタの他に付加回路が必要となる。このため、弾性波デバイスの構成が複雑になり得る。

【0005】

本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、より簡素な構成でアイソレーション特性を向上することができる弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示に係る弾性波デバイスは、
減衰量の絶対値が予め設定された第１基準量以下の第１周波数帯域を有した第１多重モード型共振器と、
前記第１多重モード型共振器と並列に接続され、減衰量の絶対値が前記第１基準量以下の第２周波数帯域を有した第２多重モード型共振器と、
を備え、
前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域は、通過帯域よりも広く、
前記通過帯域外、かつ、前記第１周波数帯域内および前記第２周波数帯域内において、前記第１多重モード型共振器と前記第２多重モード型共振器との出力の位相が逆符号となる周波数が存在する。

【0007】

前記通過帯域外、かつ、前記第１周波数帯域内および前記第２周波数帯域内において、前記第１多重モード型共振器と前記第２多重モード型共振器との出力の位相が逆符号となり、前記位相の絶対値が同等となる周波数が存在することが、本開示の一形態とされる。

【0008】

前記通過帯域よりも高く、かつ、前記第１周波数帯域内および前記第２周波数帯域内において、前記第１多重モード型共振器と前記第２多重モード型共振器との出力の位相が逆符号となる周波数が存在することが、本開示の一形態とされる。

【0009】

前記通過帯域よりも低く、かつ、前記第１周波数帯域内および前記第２周波数帯域内において、前記第１多重モード型共振器と前記第２多重モード型共振器との出力の位相が逆符号となる周波数が存在することが、本開示の一形態とされる。

【0010】

所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成された受信フィルタと、
所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成された送信フィルタと、
を備え、
前記第１多重モード型共振器と前記第２多重モード型共振器とは、前記受信フィルタに設けられたことが、本開示の一形態とされる。

【0011】

前記第１周波数帯域と前記第２周波数帯域とは互いに異なることが、本開示の一形態とされる。

【0012】

前記弾性波デバイスを備えたモジュールが、本開示の一形態とされる。

【発明の効果】

【0013】

本開示によれば、より簡素な構成でアイソレーション特性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】実施の形態１における弾性波デバイスの断面図である。

【図2】実施の形態１における弾性波デバイスにおいて配線基板を除いた後にチップ基板を下方から見た図である。

【図3】実施の形態１における弾性波デバイスに用いられる多重モード型共振器の例を示す図である。

【図4】実施の形態１における弾性波デバイスに用いられる多重モード型共振器を用いた回路図である。

【図5】実施の形態１における弾性波デバイスに用いられる多重モード型共振器の減衰特性を示す図である。

【図6】実施の形態１における弾性波デバイスに用いられる多重モード型共振器の位相を示す図である。

【図7】実施の形態１における弾性波デバイスのチップ基板の回路図である。

【図8】実施の形態１における弾性波デバイスの受信フィルタの挿入損失を示す図である。

【図9】実施の形態１における弾性波デバイスの受信フィルタの広帯域での減衰量を示す図である。

【図10】実施の形態１における弾性波デバイスの受信フィルタの狭帯域での減衰量を示す図である。

【図11】実施の形態１における弾性波デバイスとしてのデュプレクサのアイソレーション特性を示す図である。

【図12】実施の形態２における弾性波デバイスが適用されるモジュールの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

実施の形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略される。

【0016】

実施の形態１．
図１は実施の形態１における弾性波デバイスの断面図である。

【0017】

図１に示されるように、弾性波デバイス１は、配線基板２とチップ基板３と複数のバンプ４と封止部５とを備える。

【0018】

例えば、配線基板２は、樹脂を含む多層基板である。例えば、配線基板２は、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）多層基板である。例えば、配線基板２は、コンデンサまたはインダクタ等の受動素子（図示されず）を内蔵する。配線基板２は、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）であることもある。配線基板２は、複数の誘電体層からなる高温同時焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＨＴＣＣ）多層基板であることもある。

【0019】

図１において、配線基板２の上面は、部品実装面である。複数の導電性パッド２Ａは、配線基板２の上面に形成される。例えば、複数の導電性パッド２Ａは、銅で形成される。配線基板２の下面は、マザー基板等への取付面である。複数の導電性パッド２Ｂは、配線基板２の下面に形成される。例えば、複数の導電性パッド２Ｂは、銅で形成される。複数の内部導体２Ｃは、配線基板２に内蔵される。例えば、複数の内部導体２Ｃは、銅で形成される。内部導体２Ｃの各々は、互いに対応した導電性パッド２Ａと導電性パッド２Ｂとを電気的に接続する。

【0020】

チップ基板３は、配線基板２と対向する。例えば、チップ基板３は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶等の圧電単結晶で形成される。例えば、チップ基板３は、圧電セラミックスで形成される。例えば、チップ基板３は、圧電基板と支持基板とが接合されることにより形成される。例えば、支持基板は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスで形成される。

【0021】

例えば、チップ基板３の主面（図１においては下面）において、受信フィルタと送信フィルタとが形成される。

【0022】

受信フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、受信フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタを含む。

【0023】

送信フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、送信フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタを含む。

【0024】

例えば、チップ基板３は、配線パターン３Ａと複数の電極３Ｂとを備える。例えば、複数の電極３Ｂは、櫛歯状の電極指であるＩｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ（ＩＤＴ）電極である。ＩＤＴ電極は、給電側のリード端子から配線パターン３Ａを介して高周波電界を受けることで弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電作用によって高周波電界に変換することで所望のフィルタ特性を得る。

【0025】

複数のバンプ４の各々は、金、導電接着剤、半田等である。例えば、バンプ４の高さは、１０μｍから５０μｍである。複数のバンプ４の各々は、対応した位置において導電性パッド２Ａと配線パターン３Ａとを電気的に接続する。

【0026】

封止部５は、配線基板２とチップ基板３との間に空間６を残しつつ、配線基板２とともにチップ基板３を気密封止する。例えば、封止部５は、合成樹脂等の絶縁体で形成される。当該合成樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。

【0027】

例えば、チップ基板３が配線基板２に実装された後、樹脂シートがチップ基板３にまたがるように載せられることで仮固定される。例えば、樹脂シートは、液状のエポキシ樹脂からシート化される。例えば、樹脂シートは、エポキシ樹脂とは異なるポリイミド等などの合成樹脂で形成される。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を材料とする保護フィルムが樹脂シートの上面に設けられる。例えば、ポリエステルを材料とするベースフィルムが樹脂シートの下面に設けられる。その後、樹脂シートが軟化温度まで加熱される。その結果、樹脂シートがチップ基板３の側面と配線基板２の上面とに充填される。この際、樹脂は、チップ基板３と配線基板２との間にチップ基板３の外縁部からある程度の量だけ回り込む。その後、樹脂シートは、硬化温度まで加熱されることで完全に硬化する。

【0028】

次に、図２を用いて、チップ基板３の構成を説明する。
図２は実施の形態１における弾性波デバイスにおいて配線基板を除いた後にチップ基板を下方から見た図である。

【0029】

図２に示されるように、配線パターン３Ａと複数の弾性波素子８とは、チップ基板３の主面に形成される。

【0030】

例えば、配線パターン３Ａは、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウム等の金属または合金で形成される。例えば、配線パターン３Ａは、複数の金属層を積層して形成される。例えば、配線パターン３Ａの厚みは、１５０ｎｍから４００ｎｍである。

【0031】

配線パターン３Ａは、アンテナ用バンプパッドＡＮＴと送信用バンプパッドＴｘと受信用バンプパッドＲｘと４つのグランド用バンプパッドＧＮＤとを含む。これらのバンプパッドは、バンプ４（図２においては図示されず）と電気的に接続する部分である。

【0032】

複数の弾性波素子８は、複数の直列共振器ＲＳ１、ＲＳ２と複数の並列共振器ＲＰ１、ＲＰ２と第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２とを含む。複数の直列共振器ＲＳ１、ＲＳ２と複数の並列共振器ＲＰ１、ＲＰ２と第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２とは、配線パターン３Ａを介して電気的に接続される。複数の直列共振器ＲＳ１、ＲＳ２は、いずれのグランド用バンプパッドＧＮＤとも直接的に電気的に接続されない。複数の並列共振器ＲＰ１、ＲＰ２と第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２とは、いずれかのグランド用バンプパッドＧＮＤと直接的に電気的に接続される。

【0033】

複数の直列共振器ＲＳ１、ＲＳ２と複数の並列共振器ＲＰ１、ＲＰ２と第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２とは、受信フィルタとして機能する。具体的には、電気信号がアンテナ用バンプパッドＡＮＴに入力されると、当該電気信号は、複数の直列共振器ＲＳ１、ＲＳ２と複数の並列共振器ＲＰ１、ＲＰ２と第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２とを通過する。この際、所望の周波数帯域の電気信号のみが受信用バンプパッドＲｘに到達する。その結果、所望の周波数帯域の電気信号のみが受信用バンプパッドＲｘから出力される。

【0034】

複数の直列共振器ＴＳ１－１、ＴＳ１－２、ＴＳ２、ＴＳ３、ＴＳ４と複数の並列共振器ＴＰ１、ＴＰ２、ＴＰ３とは、送信フィルタを構成し、前記の受信フィルタと合わせてデュプレクサを構成する。

【0035】

次に、図３を用いて、多重モード型共振器の例を説明する。
図３は実施の形態１における弾性波デバイスに用いられる多重モード型共振器の例を示す図である。

【0036】

図３の上段は、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１の概略を示す。図３の下段は、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１の記号を示す。図３の上段に示されるように、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１は、複数組のＩＤＴ電極８Ａと一対の反射器８Ｂとを備える。複数組のＩＤＴ電極８Ａと一対の反射器８Ｂとは、チップ基板３（図３においては図示されず）の主面に形成される。図３の上段においては、３組のＩＤＴ電極８Ａが形成される。複数組のＩＤＴ電極８Ａと一対の反射器８Ｂとは、弾性表面波を励振し得るように設けられる。

【0037】

例えば、複数組のＩＤＴ電極８Ａと一対の反射器８Ｂとは、アルミニウムと銅の合金で形成される。例えば、複数組のＩＤＴ電極８Ａと一対の反射器８Ｂとは、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金で形成される。例えば、複数組のＩＤＴ電極８Ａと一対の反射器８Ｂとは、複数の金属層が積層した積層金属膜で形成される。例えば、複数組のＩＤＴ電極８Ａと一対の反射器８Ｂとの厚みは、１５０ｎｍから４００ｎｍである。

【0038】

各組において、ＩＤＴ電極８Ａは、複数の電極指８Ｄとバスバー８Ｅとを備える。複数の電極指８Ｄは、長手方向を合わせて配置される。バスバー８Ｅは、複数の電極指８Ｄを互いに対向するように接続する。一対の反射器８Ｂの一方は、複数組のＩＤＴ電極８Ａの一側（図３においては上側）に隣接する。一対の反射器８Ｂの他方は、複数組のＩＤＴ電極８Ａの他側（図３においては下側）に隣接する。例えば、複数組のＩＤＴ電極８Ａと一対の反射器８Ｂは、配線パターン３Ａ（図３においては図示されず）と同じプロセスで成膜およびパターニングされる。

【0039】

図３においては、上下のＩＤＴ電極８Ａが入力側の電極である。中央のＩＤＴ電極８Ａが出力側の電極である。第１多重モード型共振器ＤＭＳ１の特性の調整は、ＩＤＴ電極８Ａの対数、ＩＤＴ電極８Ａ同士の間隔等の調整により行われる。

【0040】

なお、第２多重モード型共振器ＤＭＳ２も、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と同様に形成される。

【0041】

次に、図４から図６を用いて、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２との特性を説明する。
図４は実施の形態１における弾性波デバイスに用いられる多重モード型共振器を用いた回路図である。図５は実施の形態１における弾性波デバイスに用いられる多重モード型共振器の減衰特性を示す図である。図６は実施の形態１における弾性波デバイスに用いられる多重モード型共振器の位相を示す図である。

【0042】

図４の上段は、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１単体を示す。ｐｏｒｔ１は、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１の入力端子である。ｐｏｒｔ２は、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１の出力端子である。図４の中段は、第２多重モード型共振器ＤＭＳ２単体を示す。ｐｏｒｔ３は、第２多重モード型共振器ＤＭＳ２の入力端子である。ｐｏｒｔ４は、第２多重モード型共振器ＤＭＳ２の出力端子である。図４の下段は、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２とが並列に接続された回路を示す。ｐｏｒｔ５は、当該回路の入力端子である。ｐｏｒｔ６は、当該回路の出力端子である。

【0043】

図５において、実線Ａは、電気信号が図４のｐｏｒｔ１からｐｏｒｔ２に流れた際の減衰特性である。破線Ｂは、電気信号が図４のｐｏｒｔ３からｐｏｒｔ４に流れた際の減衰特性である。一点鎖線Ｃは、電気信号が図４のｐｏｒｔ５からｐｏｒｔ６に流れた際の減衰特性である。

【0044】

実線Ａにおいて、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１は、第１周波数帯域を有する。第１周波数帯域は、減衰量の絶対値が予め設定された第１基準量以下の帯域である。例えば、第１周波数帯域は、減衰量の絶対値が１０ｄＢ以下の帯域である。破線Ｂにおいて、第２多重モード型共振器ＤＭＳ２は、第２周波数帯域を有する。第２周波数帯域は、減衰量の絶対値が予め設定された第１基準量以下の帯域である。例えば、第２周波数帯域は、減衰量の絶対値が１０ｄＢ以下の帯域である。第１周波数帯域と第２周波数帯域とは互いに異なる。図５においては、第１周波数帯域は、第２周波数帯域よりも広い。一点鎖線Ｃに示されるように、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２とが並列に接続された回路においては、通過帯域が設定される。通過帯域は、各種仕様によって設定される。例えば、図５においては、通過帯域として、バンド１２に対応した受信帯域（７２９ＭＨｚから７４６ＭＨｚ）が設定される。この際、第１周波数帯域および第２周波数帯域は、通過帯域よりも広く設定される。

【0045】

図５において、ｍ１は、通過帯域外、かつ、第１周波数帯域内および第２周波数帯域内における一点鎖線Ｃの減衰量を示す。図５に示されるように、ｍ１において、反共振的に鋭いディップが形成される。この際、一点鎖線Ｃの減衰量の絶対値が極端に大きくなる。具体的には、ｍ１は、周波数が７５３．５ＭＨｚにおける一点鎖線Ｃの減衰量が－１２．２９１ｄＢであることを示す。

【0046】

図６において、実線Ｄは、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１の出力の位相を示す。破線Ｅは、第２多重モード型共振器ＤＭＳ２の出力の位相を示す。ｍ２は、周波数が７５３．５ＭＨｚにおける第１多重モード型共振器ＤＭＳ１の出力の位相を示す。具体的には、ｍ２における位相は、３０．６８２度である。ｍ３は、周波数が７５３．５ＭＨｚにおける第２多重モード型共振器ＤＭＳ２の出力の位相を示す。具体的には、ｍ３における位相は、－３０．８３２度である。

【0047】

このように、ｍ１に対応した周波数において、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２との出力の位相が逆符号となる。さらに、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２との出力の位相の絶対値はほぼ同等となる。例えば、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２との出力の位相の絶対値の差は１度以内に収まる。

【0048】

次に、図７を用いて、チップ基板３の回路構成を説明する。
図７は実施の形態１における弾性波デバイスのチップ基板の回路図である。

【0049】

図７に示されるように、デュプレクサの受信側において、直列共振器ＲＳ１の入力側は、配線パターン３Ａを介してアンテナ用バンプパッドＡＮＴと電気的に接続される。直列共振器ＲＳ２の入力側は、配線パターン３Ａを介して直列共振器ＲＳ１の出力側と電気的に接続される。第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２とが並列に接続された回路の入力側は、配線パターン３Ａを介して直列共振器ＲＳ２の出力側と電気的に接続される。第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２とが並列に接続された回路の出力側は、配線パターン３Ａを介して受信用バンプパッドＲｘと電気的に接続される。

【0050】

並列共振器ＲＰ１の一側は、直列共振器ＲＳ１の出力側と直列共振器ＲＳ２の入力側との間の配線パターン３Ａと電気的に接続される。並列共振器ＲＰ１の他側は、配線パターン３Ａを介してグランド用バンプパッドＧＮＤと電気的に接続される。並列共振器ＲＰ２の一側は、直列共振器ＲＳ２の出力側と、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２とが並列に接続された回路の入力側との間の配線パターン３Ａと電気的に接続される。並列共振器ＲＰ２の他側は、配線パターン３Ａを介してグランド用バンプパッドＧＮＤと電気的に接続される。

【0051】

デュプレクサの送信側において、複数の直列共振器ＴＳ１－１、ＴＳ１－２、ＴＳ２、ＴＳ３、ＴＳ４は、送信用バンプパッドＴｘとアンテナ用バンプパッドＡＮＴとの間でこの順で電気的に接続される。複数の並列共振器ＴＰ１、ＴＰ２、ＴＰ３は、設定された領域において配線パターン３Ａおよびグランド用バンプパッドＧＮＤと電気的に接続される。

【0052】

次に、図８から図１１を用いて、弾性波デバイス１の特性を説明する。
図８は実施の形態１における弾性波デバイスの受信フィルタの挿入損失を示す図である。図９は実施の形態１における弾性波デバイスの受信フィルタの広帯域での減衰量を示す図である。図１０は実施の形態１における弾性波デバイスの受信フィルタの狭帯域での減衰量を示す図である。図１１は実施の形態１における弾性波デバイスとしてのデュプレクサのアイソレーション特性を示す図である。

【0053】

図８に示されるように、バンド１２の受信帯域（７２９ＭＨｚから７４６ＭＨｚ）において、挿入損失は十分に小さい。図９に示されるように、広帯域での減衰特性は良好である。図１０に示されるように、狭帯域での減衰特性も良好である。図１１に示されるように、アイソレーション特性も良好である。特に、破線で囲まれた領域に示されるように、周波数が７５３．５ＭＨｚ近傍でのアイソレーション特性が改善される。

【0054】

以上で説明された実施の形態１の弾性波デバイス１によれば、通過帯域外、かつ、第１周波数帯域内および第２周波数帯域内において、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２との出力の位相が逆符号となる周波数が存在する。当該周波数において、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２とが並列に接続された回路の減衰量の絶対値が大きくなる。このため、より簡素な構成で弾性波デバイス１のアイソレーション特性を向上することができる。

【0055】

なお、当該周波数において、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２との減衰量が同等である必要はない。第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２との減衰量が十分に小さい領域であれば、当該周波数において、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２とが並列に接続された回路の減衰量の絶対値を大きくすることができる。

【0056】

さらに、当該周波数において、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２との出力の位相の絶対値はほぼ同等となる。この場合、当該周波数において、減衰量の絶対値が確実に大きくなる。このため、弾性波デバイス１のアイソレーション特性をより確実に向上させることができる。

【0057】

また、実施の形態１の弾性波デバイス１においては、通過帯域よりも高く、かつ、第１周波数帯域内および第２周波数帯域内において、当該周波数が存在する。このため、バンド１２に対応した受信帯域（７２９ＭＨｚから７４６ＭＨｚ）よりも高い周波数の側において、弾性波デバイス１のアイソレーション特性を向上させることができる。

【0058】

なお、通過帯域よりも低く、かつ、第１周波数帯域内および第２周波数帯域内において、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２との出力の位相が逆符号となる周波数が存在するように、第１多重モード型共振器ＤＭＳ１と第２多重モード型共振器ＤＭＳ２とを形成してもよい。この場合、通過帯域よりも低い周波数の側において、弾性波デバイス１のアイソレーション特性を向上させることができる。特に、実施の形態１においては、バンド１２に対し、送信フィルタと受信フィルタとの間の干渉を抑制することができる。

【0059】

また、第１周波数帯域と第２周波数帯域とは互いに異なる。このため、所望の通過帯域において挿入損失が十分小さい弾性波デバイス１を容易に形成することができる。

【0060】

実施の形態２．
図１２は実施の形態２における弾性波デバイスが適用されるモジュールの断面図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。

【0061】

図１２において、モジュール１００は、配線基板１０１と集積回路部品１０２と弾性波デバイス１とインダクタ１０３と封止部１０４とを備える。

【0062】

配線基板１０１は、実施の形態１の配線基板２と同等である。集積回路部品１０２は、配線基板１０１の内部に実装される。集積回路部品１０２は、スイッチング回路とローノイズアンプとを含む。弾性波デバイス１は、配線基板１０１の主面に実装される。インダクタ１０３は、配線基板１０１の主面に実装される。インダクタ１０３は、インピーダンスマッチングのために実装される。例えば、インダクタ１０３は、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐａｓｓｉｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ（ＩＰＤ）である。封止部１０４は、弾性波デバイス１を含む複数の電子部品を封止する。

【0063】

以上で説明された実施の形態２によれば、モジュール１００は、弾性波デバイス１を備える。このため、アイソレーション特性が向上した弾性波デバイス１を備えたモジュール１００を得ることができる。

【0064】

少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が説明されたが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本開示の範囲内にあることが意図される。

【0065】

理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。

【0066】

特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。

【0067】

本開示で使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。

【0068】

「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。

【0069】

前後左右、頂底上下、横縦、表裏への言及は、いずれも、記載の便宜を意図する。当該言及は、本開示の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は、例示にすぎない。

【符号の説明】

【0070】

１ 弾性波デバイス、 ２ 配線基板、 ２Ａ 導電性パッド、 ２Ｂ 導電性パッド、 ２Ｃ 内部導体、 ３ チップ基板、 ３Ａ 配線パターン、 ３Ｂ 電極、 ４ バンプ、 ５ 封止部、 ６ 空間、 ８ 弾性波素子、 ８Ａ ＩＤＴ電極、 ８Ｂ 反射器、 ８Ｄ 電極指、 ８Ｅ バスバー、 ８Ｆ 圧電膜、 ８Ｇ 下部電極、 ８Ｈ 上部電極、 ８Ｊ 空隙、 １００ モジュール、 １０１ 配線基板、 １０２ 集積回路部品、 １０３ インダクタ、 １０４ 封止部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】