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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024111999
(43)【公開日】2024-08-20
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 23/50 20060101AFI20240813BHJP
H01L 29/12 20060101ALI20240813BHJP
H01L 29/739 20060101ALI20240813BHJP
H01L 29/78 20060101ALI20240813BHJP
H01L 25/07 20060101ALI20240813BHJP
【ＦＩ】
H01L23/50 H
H01L29/78 652T
H01L29/78 655A
H01L29/78 652Q
H01L23/50 L
H01L25/04 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023016798
(22)【出願日】2023-02-07
(71)【出願人】
【識別番号】000005234
【氏名又は名称】富士電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003177
【氏名又は名称】弁理士法人旺知国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】齊藤 まい
(72)【発明者】
【氏名】金井 直之
【テーマコード（参考）】
5F067
【Ｆターム（参考）】
5F067AA04
5F067BB04
(57)【要約】
【課題】端子におけるワイヤの接合部への封止体の剥離の進展を抑えることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本開示の１つの態様に係る半導体装置は、半導体素子と、ワイヤ２２が接合された端子２０と、半導体素子、及び、端子におけるワイヤ２２の接合部を包囲するケース１２と、ケース１２によって包囲された内部空間Ｓを封止する封止体１４と、を備え、端子２０におけるワイヤ２２が接合される接合領域２００Ｔが凹形状、又は凸形状である。
【選択図】図３
【解決手段】本開示の１つの態様に係る半導体装置は、半導体素子と、ワイヤ２２が接合された端子２０と、半導体素子、及び、端子におけるワイヤ２２の接合部を包囲するケース１２と、ケース１２によって包囲された内部空間Ｓを封止する封止体１４と、を備え、端子２０におけるワイヤ２２が接合される接合領域２００Ｔが凹形状、又は凸形状である。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体素子と、
ワイヤが接合された端子と、
前記半導体素子、及び、前記端子における前記ワイヤの接合部を包囲するケースと、
前記ケースによって包囲された内部空間を封止する封止体と、
を備え、
前記端子における前記ワイヤが接合される接合領域が凹形状、又は凸形状である、
半導体装置。
ワイヤが接合された端子と、
前記半導体素子、及び、前記端子における前記ワイヤの接合部を包囲するケースと、
前記ケースによって包囲された内部空間を封止する封止体と、
を備え、
前記端子における前記ワイヤが接合される接合領域が凹形状、又は凸形状である、
半導体装置。
【請求項2】
前記端子は、
前記ケースに埋設された埋設部と、
前記埋設部に繋がり、前記内部空間を延びる延出部と、
を含み、
前記延出部に、前記凹形状、又は前記凸形状の前記接合領域が設けられる
請求項１に記載の半導体装置。
前記ケースに埋設された埋設部と、
前記埋設部に繋がり、前記内部空間を延びる延出部と、
を含み、
前記延出部に、前記凹形状、又は前記凸形状の前記接合領域が設けられる
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記ケースは、前記端子の一部が埋設されたインサート成形品である
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記凹形状、又は前記凸形状の接合領域は、前記端子の先端部に繋がる
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記ケースは筒状であり、
前記ケースの軸方向から視た平面視において、前記接合領域は角丸矩形状である
請求項１に記載の半導体装置。
前記ケースの軸方向から視た平面視において、前記接合領域は角丸矩形状である
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記凹形状、又は前記凸形状の前記接合領域と、前記端子の表面との間の段差の大きさが前記ワイヤの径に対応する
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記凹形状、又は前記凸形状の前記接合領域と前記端子の表面との間の段差面と、前記端子の表面と、が成す角度が鋭角である
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１は、半導体装置において、ダイパッドとモールド樹脂との界面における剥離の進展を抑制する技術を開示する。具体的には、特許文献１には、ダイパッドの一面のうち半導体チップが搭載された部分をチップ搭載部とし、ワイヤが接合された部分をワイヤ接合部とし、ダイパッドには、チップ搭載部とワイヤ接合部とを隔てる剥離伸展防止溝が形成されることが示されている。
【0003】
特許文献２は、半導体装置において、ワイヤが接合された接合部をモールド樹脂以外の被膜で覆わずとも、ワイヤの断線を抑制する技術を開示する。具体的には、特許文献２は、リードフレームのリード部のうちの一部と電気的に接続されたワイヤと、ワイヤとリード部のうちワイヤと接合された接合部を含む一部の領域を封止するモールド樹脂と、を備えた半導体装置において、リード部のうち、モールド樹脂に封止される領域、かつ接合部と異なる領域であって、接合部から離れつつ、当該接合部を囲む領域にマイクロオーダーの凹凸を有する粗化領域を形成する技術を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１９‐１１４６１８号公報
【特許文献2】特開２０１８‐１５７０２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ケースに囲まれた内部空間に、半導体素子、及び端子が収められ、端子にワイヤが接合された状態で当該内部空間が封止体によって封止された半導体装置がある。しかしながら、この構成の半導体装置において、端子とワイヤの接合部への剥離の進展対策を上記特許文献１、及び特許文献２によって図ることには問題がある。
すなわち、特許文献１の技術を用いる場合、ダイパッドよりも面積が限られた端子の表面に剥離伸展防止溝を形成する必要があるため当該形成が困難である。
特許文献２の技術を用いる場合、粗化のためのレーザ光を、ケースの内部空間の端子のみにピンポイントで当てることは困難であり、端子周囲の半導体素子などにもレーザ光が照射されてしまう。また、マイクロオーダーの粗化は一般にコストが高い。さらに、ワイヤの接合部が粗化されるとワイヤの接合性が悪くなる、という欠点がある。このため、粗化の手段に湿式粗化を用いる場合、ワイヤの接合部の粗化を防止するためにマスキング等を施す必要があり加工が難しくなる。一方、粗化の手段にレーザー光を用いる場合、ワイヤの接合部へのレーザ照射を防止するために照射位置を高精度に制御する必要があり、また、レーザ光の照射によってワイヤの接合部にスパッタ付着や酸化が生じ、ワイヤの接合性を悪化させることもある。
すなわち、特許文献１の技術を用いる場合、ダイパッドよりも面積が限られた端子の表面に剥離伸展防止溝を形成する必要があるため当該形成が困難である。
特許文献２の技術を用いる場合、粗化のためのレーザ光を、ケースの内部空間の端子のみにピンポイントで当てることは困難であり、端子周囲の半導体素子などにもレーザ光が照射されてしまう。また、マイクロオーダーの粗化は一般にコストが高い。さらに、ワイヤの接合部が粗化されるとワイヤの接合性が悪くなる、という欠点がある。このため、粗化の手段に湿式粗化を用いる場合、ワイヤの接合部の粗化を防止するためにマスキング等を施す必要があり加工が難しくなる。一方、粗化の手段にレーザー光を用いる場合、ワイヤの接合部へのレーザ照射を防止するために照射位置を高精度に制御する必要があり、また、レーザ光の照射によってワイヤの接合部にスパッタ付着や酸化が生じ、ワイヤの接合性を悪化させることもある。
【0006】
本開示は、端子におけるワイヤの接合部への封止体の剥離の進展を抑えることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の１つの態様に係る半導体装置は、半導体素子と、ワイヤが接合された端子と、前記半導体素子、及び、前記端子における前記ワイヤの接合部を包囲するケースと、前記ケースによって包囲された内部空間を封止する封止体と、を備え、前記端子における前記ワイヤが接合される接合領域が凹形状、又は凸形状である。
【発明の効果】
【0008】
本開示の1つの態様によれば、端子におけるワイヤの接合部への封止体の剥離の進展が抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】第１実施形態に係るパワー半導体モジュールの断面構成の一例を模式的に示す図である。
【図4】端子における延出部の平面視構成の一例を示す図である。
【図5】ケースのインサート成形に用いられる金型のうち、端子の延出部を覆う金型部分の一例を模式的に示す図である。
【図6】第２実施形態に係るパワー半導体モジュールにおける延出部の断面構成の一例を拡大して示す模式図である。
【図7】ケースのインサート成形に用いられる金型のうち、第２実施形態の端子の延出部を覆う金型部分の一例を模式的に示す図である。
【図8】変形例１に係る接合領域の平面視形状の一例を示す図である。
【図9】変形例２に係る段差部の断面形状についての一例を示す図である。
【図10】変形例２に係る段差部の断面形状についての他の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、各図面においては、各要素の寸法及び縮尺が実際の製品とは相違する場合がある。また、以下に説明する形態は、本開示を実施する場合に想定される例示的な一形態である。したがって、本開示の範囲は、以下に例示する形態に限定されない。
【0011】
１．第１実施形態
図１は、第１実施形態に係るパワー半導体モジュール１の断面構成の一例を模式的に示す図である。
パワー半導体モジュール１は、本開示における半導体装置の一例である。
パワー半導体モジュール１は、図１に示すように、１以上のパワー半導体素子１０と、金属製のワイヤ２２がそれぞれ接合された複数の端子２０と、当該１以上のパワー半導体素子１０、及び、複数の端子２０のそれぞれのワイヤ２２の接合部を包囲するケース１２と、を備え、当該ケース１２によって包囲された内部空間Ｓが封止体１４によって封止されたケース型のモジュールである。
図１は、第１実施形態に係るパワー半導体モジュール１の断面構成の一例を模式的に示す図である。
パワー半導体モジュール１は、本開示における半導体装置の一例である。
パワー半導体モジュール１は、図１に示すように、１以上のパワー半導体素子１０と、金属製のワイヤ２２がそれぞれ接合された複数の端子２０と、当該１以上のパワー半導体素子１０、及び、複数の端子２０のそれぞれのワイヤ２２の接合部を包囲するケース１２と、を備え、当該ケース１２によって包囲された内部空間Ｓが封止体１４によって封止されたケース型のモジュールである。
【0012】
より具体的には、パワー半導体モジュール１は、１以上のパワー半導体素子１０が接合される絶縁基板１６と、当該絶縁基板１６が搭載される冷却器１８と、を更に備え、これらがケース１２の中に収められる。各端子２０は、それぞれワイヤ２２によって、１以上のパワー半導体素子１０のいずれか１つ、又は絶縁基板１６に接続される。ケース１２は、１以上のパワー半導体素子１０、及び絶縁基板１６を包囲する姿勢で冷却器１８に搭載される。ケース１２は筒状を成しており、冷却器１８に搭載される側の端部１２Ａに開口部１２０を有し、当該開口部１２０が冷却器１８の基板搭載面１８Ａによって閉塞される。すなわち、ケース１２、及び冷却器１８が有底の容器体を形成し、この容器体の内部空間Ｓに液状の封止材が注入され、当該封止材が硬化することにより封止体１４が形成される。
【0013】
以下の説明において、筒状のケース１２の軸方向を「上下方向Ｄ」と称する。この上下方向において、パワー半導体素子１０から視て絶縁基板１６又は冷却器１８が位置する方向を「下方向Ｄ１」と称し、当該下方向Ｄ１と反対の方向を「上方向Ｄ２」と称する。また、パワー半導体モジュール１の断面視において上下方向Ｄに直交する方向を「横方向Ｅ１」と称する。上方Ｄ２からパワー半導体モジュール１を視る方向が「平面視」の方向に対応し、この平面視において、横方向Ｅ１に直交する方向を「奥行き方向Ｅ２」と称する。
【0014】
パワー半導体素子１０は、本開示における半導体素子の一例である。
パワー半導体素子１０は、例えば、ＩＧＢＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）、及びダイオードチップ等である。１以上のパワー半導体素子１０は、シリコン（Ｓｉ）デバイスであってもよい。また、パワー半導体素子１０は、炭化珪素（ＳｉＣ）デバイス、窒化ガリウム（ＧａＮ）デバイス、ダイヤモンドデバイス、酸化亜鉛（ＺｎＯ）デバイスなどのワイドギャップ半導体デバイスであってもよい。また、パワー半導体素子１０の個数が２以上である場合、各パワー半導体素子１０は、同じでもよいし、異なってもよい。互いに異なるパワー半導体素子１０の組合せにより、例えば、Ｓｉ－ＩＧＢＴとＳｉＣ－ＳＢＤ（ＳｃｈｏｔｔｋｙＢａｒｒｉｅｒＤｉｏｄｅ：ショットキーバリアダイオード）を含む、いわゆるハイブリッドモジュール形態のパワー半導体モジュール１が得られる。
パワー半導体素子１０は、例えば、ＩＧＢＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）、及びダイオードチップ等である。１以上のパワー半導体素子１０は、シリコン（Ｓｉ）デバイスであってもよい。また、パワー半導体素子１０は、炭化珪素（ＳｉＣ）デバイス、窒化ガリウム（ＧａＮ）デバイス、ダイヤモンドデバイス、酸化亜鉛（ＺｎＯ）デバイスなどのワイドギャップ半導体デバイスであってもよい。また、パワー半導体素子１０の個数が２以上である場合、各パワー半導体素子１０は、同じでもよいし、異なってもよい。互いに異なるパワー半導体素子１０の組合せにより、例えば、Ｓｉ－ＩＧＢＴとＳｉＣ－ＳＢＤ（ＳｃｈｏｔｔｋｙＢａｒｒｉｅｒＤｉｏｄｅ：ショットキーバリアダイオード）を含む、いわゆるハイブリッドモジュール形態のパワー半導体モジュール１が得られる。
【0015】
絶縁基板１６は、電気的絶縁性を有する板状の絶縁層１６０を含み、絶縁層１６０の一方の主面が半導体接合面１６Ａに用いられる部材である。本実施形態の絶縁基板１６は、板厚の方向に複数の層が積層した積層基板であり、絶縁層１６０に加え、第１導電層１６１と、第２導電層１６２とを含む。絶縁層１６０には、電気絶縁性、及び熱伝導性に優れた部材が用いられる。この部材の一例には、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などを主材とするセラミック板が挙げられる。第１導電層１６１、及び第２導電層１６２は、いずれも導電性を有する層であり、第１導電層１６１は絶縁層１６０の一方の主面に設けられ、第２導電層１６２は絶縁層１６０の他方の主面に設けられる。第１導電層１６１、及び第２導電層１６２には、導電性、及び加工性に優れた部材が用いられる。この部材の一例には、銅（Ｃｕ）、及びアルミニウム（Ａｌ）などの金属を主材とする部材が挙げられる。
【0016】
第１導電層１６１は、絶縁層１６０の２つの主面のうち、上記半導体接合面１６Ａに対応する主面に設けられる。第１導電層１６１は、平面視において絶縁層１６０の主面に所定の回路パターンを形成し、第１導電層１６１には、１以上のパワー半導体素子１０が、はんだ３０によって接合され、また、複数の端子２０の１以上がワイヤ２２を介して接続される。第２導電層１６２は、絶縁層１６０の２つの主面のうち、冷却器１８に接合される方の主面の略全領域に亘って設けられる。本実施形態の第２導電層１６２の部材には例えば金属箔が用いられる。
絶縁層１６０の主面への第１導電層１６１、及び第２導電層１６２の積層には、直接接合法（ＤｉｒｅｃｔＣｏｐｐｅｒＢｏｎｄｉｎｇ法）、及びろう材接合法（ＡｃｔｉｖｅＭｅｔａｌＢｒａｚｉｎｇ法）などの適宜の手法が用いられる。なお、第１導電層１６１、及び第２導電層１６２には、防錆などの目的でニッケル（Ｎｉ）めっきなどの表面処理が施されてもよい。
絶縁層１６０の主面への第１導電層１６１、及び第２導電層１６２の積層には、直接接合法（ＤｉｒｅｃｔＣｏｐｐｅｒＢｏｎｄｉｎｇ法）、及びろう材接合法（ＡｃｔｉｖｅＭｅｔａｌＢｒａｚｉｎｇ法）などの適宜の手法が用いられる。なお、第１導電層１６１、及び第２導電層１６２には、防錆などの目的でニッケル（Ｎｉ）めっきなどの表面処理が施されてもよい。
【0017】
冷却器１８は、パワー半導体素子１０を冷却する部材である。具体的には、冷却器１８は、水などの冷却媒体にパワー半導体素子１０の熱量を回収させることにより当該パワー半導体素子１０を冷却するものである。本実施形態の冷却器１８は、Ｃｕ、及びＡｌなどの金属を主材とする部材の内部に冷却媒体が流通する流路が形成されている。なお、冷却媒体の流路は冷却器１８の内部ではなく表面に接するように設けられてもよい。冷却器１８は、平面状の主面を有する板状であり、当該主面が基板搭載面１８Ａに用いられ、絶縁基板１６がはんだ３２によって当該主面に接合される。
【0018】
ケース１２は、熱可塑性樹脂、又は熱硬化性樹脂を主材とする樹脂成形品である。熱可塑性樹脂には、例えば、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、及びポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などが用いられる。熱硬化性樹脂にはフェノール樹脂などが用いられる。ケース１２の両端部のうちの下方Ｄ１に位置する端部１２Ａが接着剤４０によって冷却器１８の基板搭載面１８Ａに固定される。
【0019】
複数の端子２０は、それぞれ延出部２００を備える。延出部２００は、ケース１２によって囲まれた内部空間Ｓを、当該ケース１２の内周面１２Ｓを起点として横方向Ｅ１に直線状に延び、かつワイヤ２２が接合される部位である。さらに、複数の端子２０は、それぞれ上述の延出部２００に加え、埋設部２０１と、外部露出部２０２と、を含む。埋設部２０１は、ケース１２に埋め込まれ、上下方向Ｄに延びる直線状の部位であり、その一方の端部２０１Ａに延出部２００が繋がる。外部露出部２０２は、埋設部２０１の他方の端部２０１Ｂに繋がり、かつパワー半導体モジュール１の外部に露出する部位である。埋設部２０１と延出部２００とが略直角に繋がることにより、各端子２０が略Ｌ字状の断面形状を有している。なお、埋設部２０１と延出部２００とが成す角度は直角に限らず９０度を超えてもよい。各端子２０は、ケース１２のインサート成形によって埋設部２０１が埋設された状態で当該ケース１２に固定される。なお、パワー半導体モジュール１は、ケース１２の成形後に後付けされる端子、すなわち、ケース１２に埋設されない端子を別に備えてもよい。
【0020】
ワイヤ２２は、例えばＡｌなどの金属を主材とした細線であり、ワイヤ２２の一方の端部２２Ａと端子２０との接合には、超音波接合などのワイヤボンディングが用いられる。
なお、２以上の端子２０のうちの１以上には、ワイヤ２２に代えて、当該ワイヤ２２よりも幅広のリードと称される導電体が接合されてもよい。
なお、２以上の端子２０のうちの１以上には、ワイヤ２２に代えて、当該ワイヤ２２よりも幅広のリードと称される導電体が接合されてもよい。
【0021】
封止体１４は、内部空間Ｓに収められたパワー半導体素子１０、絶縁基板１６、端子２０の延出部２００、ワイヤ２２、当該ワイヤ２２の両端の接合部分などを環境的な影響から保護しつつ、これらの機械的強度を向上させ、また、電気的絶縁性を付与する。半導体装置の技術分野において、封止体の成形方法には、真空注型、トランスファー成形、液状トランスファー成形、ポッティングなどが知られている。本実施形態では、これらの成形方法のうち、成形金型が不要なポッティングによって封止体１４が成形される。ポッティングでは、上記パワー半導体素子１０などの各部材の内部空間Ｓへの組み込みと、ワイヤ２２による配線とが完了した状態で封止材が内部空間Ｓに注入される。
【0022】
本実施形態の封止材には、硬化性樹脂の一種である熱硬化性樹脂が用いられており、当該熱硬化性樹脂の中でも、シリコーンゲルではなくエポキシ樹脂が用いられる。エポキシ樹脂を主材料とする封止体１４は、シリコーンゲルを主材とする封止体に比べ、透湿しにくく内部部材の吸湿に伴う劣化を防ぐ効果が期待できる。また、熱サイクルに伴う内部部材の劣化を抑制し、信頼性の向上を実現できる。
【0023】
図２は、図１において矢印Ａで示す箇所の拡大図である。
以下の説明において、延出部２００と封止体１４との界面を「端子－封止体界面Ｈ」と称し、ケース１２の内周面１２Ｓと封止体１４との界面を「第１のケース－封止体界面Ｆ１」と称する。
同図に示すように、ケース１２の内部空間Ｓにおいて、端子２０の延出部２００がケース１２の内周面１２Ｓを起点に突出するため、端子－封止体界面Ｈと第１のケース－封止体界面Ｆ１とが、延出部２００の起点において連続する。したがって、ヒートサイクル試験（-４０℃～１２５℃）などにおいて、ケース１２と封止体１４の線膨張係数の差に起因する熱応力により、第１のケース－封止体界面Ｆ１に剥離Ｇが生じると、当該剥離Ｇが矢印Ｂに示すように端子２０に向けて進展し、端子－封止体界面Ｈに達することがある。その後、端子－封止体界面Ｈにおいて剥離Ｇが更に進展すると、何ら対策を施さなければ、ワイヤ２２の端部２２Ａが接合されている接合部まで剥離Ｇが進展し、当該ワイヤ２２の接合部でワイヤ２２の破断を招くことがある。
以下の説明において、延出部２００と封止体１４との界面を「端子－封止体界面Ｈ」と称し、ケース１２の内周面１２Ｓと封止体１４との界面を「第１のケース－封止体界面Ｆ１」と称する。
同図に示すように、ケース１２の内部空間Ｓにおいて、端子２０の延出部２００がケース１２の内周面１２Ｓを起点に突出するため、端子－封止体界面Ｈと第１のケース－封止体界面Ｆ１とが、延出部２００の起点において連続する。したがって、ヒートサイクル試験（-４０℃～１２５℃）などにおいて、ケース１２と封止体１４の線膨張係数の差に起因する熱応力により、第１のケース－封止体界面Ｆ１に剥離Ｇが生じると、当該剥離Ｇが矢印Ｂに示すように端子２０に向けて進展し、端子－封止体界面Ｈに達することがある。その後、端子－封止体界面Ｈにおいて剥離Ｇが更に進展すると、何ら対策を施さなければ、ワイヤ２２の端部２２Ａが接合されている接合部まで剥離Ｇが進展し、当該ワイヤ２２の接合部でワイヤ２２の破断を招くことがある。
【0024】
そこで、本実施形態では、ワイヤ２２の端部２２Ａの接合部への剥離Ｇの進展を遅らせ、又は抑える構造を延出部２００に設けることにより、ワイヤ２２の破断の抑制を図っている。以下、かかる構造について詳述する。
【0025】
図３は、図１及び図２における端子２０の延出部２００の周辺を拡大して示す図である。
同図に示すように、端子２０の延出部２００には、ワイヤ２２が接合される接合領域２００Ｔが設定されており、延出部２００の表面を押圧するプレス加工などによって接合領域２００Ｔの全域が凹形状に形成されている。したがって、断面視において、延出部２００には、接合領域２００Ｔの表面と、それ以外の延出部２００の表面との間に段差Ｑａの段差部２００Ｕが設けられる。この段差部２００Ｕに剥離Ｇが到達した場合には、次の２つの現象が複合的に発現する。第１の現象は、段差部２００Ｕによって剥離Ｇが進展する方向が接合領域２００Ｔ以外の方向へ偏向されることにより、接合領域２００Ｔにおけるワイヤ２２の接合部への剥離Ｇの進展が阻止、又は、遅延される、という現象である。第２の現象は、段差部２００Ｕが剥離Ｇの進展に対する抵抗となり、接合領域２００Ｔにおけるワイヤ２２の接合部への剥離Ｇの進展が阻止、又は、遅延される、という現象である。そして、第１の現象、及び第２の現象が発現することにより、剥離Ｇの進展に起因するワイヤ２２の破断が阻止、又は、破断までの時間が遅延されることとなる。
同図に示すように、端子２０の延出部２００には、ワイヤ２２が接合される接合領域２００Ｔが設定されており、延出部２００の表面を押圧するプレス加工などによって接合領域２００Ｔの全域が凹形状に形成されている。したがって、断面視において、延出部２００には、接合領域２００Ｔの表面と、それ以外の延出部２００の表面との間に段差Ｑａの段差部２００Ｕが設けられる。この段差部２００Ｕに剥離Ｇが到達した場合には、次の２つの現象が複合的に発現する。第１の現象は、段差部２００Ｕによって剥離Ｇが進展する方向が接合領域２００Ｔ以外の方向へ偏向されることにより、接合領域２００Ｔにおけるワイヤ２２の接合部への剥離Ｇの進展が阻止、又は、遅延される、という現象である。第２の現象は、段差部２００Ｕが剥離Ｇの進展に対する抵抗となり、接合領域２００Ｔにおけるワイヤ２２の接合部への剥離Ｇの進展が阻止、又は、遅延される、という現象である。そして、第１の現象、及び第２の現象が発現することにより、剥離Ｇの進展に起因するワイヤ２２の破断が阻止、又は、破断までの時間が遅延されることとなる。
【0026】
図４は、端子２０における延出部２００の平面視構成の一例を示す図である。
延出部２００に設けられた接合領域２００Ｔは、平面視において略矩形状を成している。
また、本実施形態のパワー半導体モジュール１は、平面視において奥行き方向Ｅ２に、２以上の端子２０が横並びに配置される。２以上の端子２０のそれぞれの間にはケース１２の隔離壁部１２２が介在し、各隔離壁部１２２によって、２以上の端子２０のそれぞれ物理的、及び電気的に隔離されている。この構成において、ケース１２と封止体１４との界面は上記第１のケース－封止体界面Ｆ１だけではなく、隔離壁部１２２と封止体１４との間の界面も存在し、この界面においても剥離Ｇが発生し得る。以下の説明では、隔離壁部１２２と封止体１４との間の界面を「第２のケース－封止体界面Ｆ２」と称する。
延出部２００に設けられた接合領域２００Ｔは、平面視において略矩形状を成している。
また、本実施形態のパワー半導体モジュール１は、平面視において奥行き方向Ｅ２に、２以上の端子２０が横並びに配置される。２以上の端子２０のそれぞれの間にはケース１２の隔離壁部１２２が介在し、各隔離壁部１２２によって、２以上の端子２０のそれぞれ物理的、及び電気的に隔離されている。この構成において、ケース１２と封止体１４との界面は上記第１のケース－封止体界面Ｆ１だけではなく、隔離壁部１２２と封止体１４との間の界面も存在し、この界面においても剥離Ｇが発生し得る。以下の説明では、隔離壁部１２２と封止体１４との間の界面を「第２のケース－封止体界面Ｆ２」と称する。
【0027】
一方、本実施形態の延出部２００において、接合領域２００Ｔの全域が凹形状を成しており、段差部２００Ｕは接合領域２００Ｔの縁に沿って、第１のケース－封止体界面Ｆ１、及び第２のケース－封止体界面Ｆ２のそれぞれと接合領域２００Ｔとの間を延びるように形成される。したがって、第２のケース－封止体界面Ｆ２において剥離Ｇが発生し、当該剥離Ｇが端子－封止体界面Ｈに向かって進展した場合でも、段差部２００Ｕによって剥離Ｇの進展が阻止、又は遅延させられることとなる。
【0028】
本実施形態の接合領域２００Ｔは、平面視において、角部２００ＴＣが曲線を描く角丸矩形状を成す。この形状により、角部２００ＴＣが平面視直角形状である場合に比べ、当該角部２００ＴＣへの上述した熱応力の集中が抑えられ、剥離Ｇを進展し難くできる。角部２００ＴＣの曲率は適宜である。
【0029】
接合領域２００Ｔにおける段差部２００Ｕは、段差Ｑａが大きいほど、剥離Ｇの進展を阻止又は遅延させる効果が高まる。しかしながら、段差Ｑａが大きいほど、ワイヤ２２をワイヤボンディングによって接合する際の作業性が悪くなる。そこで、本実施形態では、段差Ｑａがワイヤ２２の径と同じ値に設定されることにより、接合時の作業性が悪くなることを防止している。
より具体的には、本実施形態において、延出部２００の上下方向Ｄの厚みは５００μｍから１ｍｍであり、また接合領域２００Ｔは、平面視における横方向Ｅ１が約３ｍｍであり、当該横方向Ｅ１に直交する奥行き方向Ｅ２が約２ｍｍの寸法で形成されている。この寸法の接合領域２００Ｔに、約１００μｍから３００μｍの径のワイヤ２２が接合される。この場合、接合領域２００Ｔの段差Ｑａもワイヤ２２の径に合わせて約１００μｍから３００μｍに形成される。なお、段差Ｑａとワイヤ２２の径の値は完全に一致する必要はなく、数％から数十％の差を含んでもよい。
より具体的には、本実施形態において、延出部２００の上下方向Ｄの厚みは５００μｍから１ｍｍであり、また接合領域２００Ｔは、平面視における横方向Ｅ１が約３ｍｍであり、当該横方向Ｅ１に直交する奥行き方向Ｅ２が約２ｍｍの寸法で形成されている。この寸法の接合領域２００Ｔに、約１００μｍから３００μｍの径のワイヤ２２が接合される。この場合、接合領域２００Ｔの段差Ｑａもワイヤ２２の径に合わせて約１００μｍから３００μｍに形成される。なお、段差Ｑａとワイヤ２２の径の値は完全に一致する必要はなく、数％から数十％の差を含んでもよい。
【0030】
また、本実施形態の接合領域２００Ｔの凹形状は、図３、及び図４に示すように、延出部２００の先端部２００Ａに繋がる。すなわち、当該先端部２００Ａにおいて、凹形状の接合領域２００Ｔは内部空間Ｓに開放されるため、接合領域２００Ｔの先端部２００Ａの側には段差部２００Ｕが存在しない。したがって、ワイヤ２２を接合する際の作業性を向上させることができる。
【0031】
図５は、ケース１２のインサート成形に用いられる金型のうち、端子２０の延出部２００を覆う金型部分Ｖの一例を模式的に示す図である。
ケース１２は、インサート成形によって複数の端子２０が一体形成されたインサート成形品である。このインサート成形では、凹形状の接合領域２００Ｔが延出部２００に形成された端子２０を、金型に挿入した状態でケース１２が成形される。係るインサート成形工程において、図５に示すように、金型部分Ｖが端子２０の延出部２００の表面に当接することで、凹形状の接合領域２００Ｔにおける上方向Ｄ２の開開放部分が閉塞される。また、図示を省略するが、接合領域２００Ｔにおける延出部２００の先端部２００Ａの開放部分も金型の他の部分によって閉塞される。すなわち、本実施形態では、インサート成形の工程において、凹形状の接合領域２００Ｔの開放部分は、全て金型の部分によって閉塞されており、ケース１２の素材となる樹脂粉が接合領域２００Ｔに入り込み、接合領域２００Ｔに固着することが防止される。これにより、ケース１２のインサート成形において、接合領域２００Ｔから樹脂粉を除去するための後処理が不要となる。
ケース１２は、インサート成形によって複数の端子２０が一体形成されたインサート成形品である。このインサート成形では、凹形状の接合領域２００Ｔが延出部２００に形成された端子２０を、金型に挿入した状態でケース１２が成形される。係るインサート成形工程において、図５に示すように、金型部分Ｖが端子２０の延出部２００の表面に当接することで、凹形状の接合領域２００Ｔにおける上方向Ｄ２の開開放部分が閉塞される。また、図示を省略するが、接合領域２００Ｔにおける延出部２００の先端部２００Ａの開放部分も金型の他の部分によって閉塞される。すなわち、本実施形態では、インサート成形の工程において、凹形状の接合領域２００Ｔの開放部分は、全て金型の部分によって閉塞されており、ケース１２の素材となる樹脂粉が接合領域２００Ｔに入り込み、接合領域２００Ｔに固着することが防止される。これにより、ケース１２のインサート成形において、接合領域２００Ｔから樹脂粉を除去するための後処理が不要となる。
【0032】
以上説明したように、本実施形態のパワー半導体モジュール１は、パワー半導体素子１０と、ワイヤ２２が接合された端子２０と、パワー半導体素子１０と、及び、端子２０におけるワイヤ２２の接合部を包囲するケース１２と、ケース１２によって包囲された内部空間Ｓを封止する封止体１４と、を備える。そして、パワー半導体モジュール１は、端子２０におけるワイヤ２２が接合される接合領域２００Ｔが凹形状である。
この構成によれば、端子２０において、接合領域２００Ｔの表面と、延出部２００の表面との間に段差部２００Ｕが形成される。
したがって、延出部２００において剥離Ｇが進展した場合でも、この段差部２００Ｕによって、進展の方向が接合領域２００Ｔ以外の方向へ偏向され、或いは、段差部２００Ｕが進展の抵抗となることにより、ワイヤ２２の接合部への剥離Ｇの進展を阻止、又は、遅延させることができる。
この構成によれば、端子２０において、接合領域２００Ｔの表面と、延出部２００の表面との間に段差部２００Ｕが形成される。
したがって、延出部２００において剥離Ｇが進展した場合でも、この段差部２００Ｕによって、進展の方向が接合領域２００Ｔ以外の方向へ偏向され、或いは、段差部２００Ｕが進展の抵抗となることにより、ワイヤ２２の接合部への剥離Ｇの進展を阻止、又は、遅延させることができる。
【0033】
本実施形態において、端子２０は、ケース１２に埋設された埋設部２０１と、埋設部２０１に繋がり、内部空間Ｓを延びる延出部２００と、を含み、当該延出部２００に凹形状の接合領域２００Ｔが設けられる。
この構成においては、延出部２００と封止体１４の界面（端子－封止体界面Ｈ）がケース１２と封止体１４の界面（第１のケース－封止体界面Ｆ１）に繋がるため、当該第１のケース－封止体界面Ｆ１において剥離Ｇが生じ、端子－封止体界面Ｈに進展した場合でも、ワイヤ２２の接合部への剥離Ｇの進展を阻止、又は、遅延させることができる。
この構成においては、延出部２００と封止体１４の界面（端子－封止体界面Ｈ）がケース１２と封止体１４の界面（第１のケース－封止体界面Ｆ１）に繋がるため、当該第１のケース－封止体界面Ｆ１において剥離Ｇが生じ、端子－封止体界面Ｈに進展した場合でも、ワイヤ２２の接合部への剥離Ｇの進展を阻止、又は、遅延させることができる。
【0034】
本実施形態において、ケース１２は、端子２０の一部が埋設されたインサート成形品である。
この構成によれば、ケース１２のインサート成形時に、端子２０に予め形成された凹形状の接合領域２００Ｔを、インサート成形に用いる金型によって覆った状態で成形が可能である。したがって、インサート成形時にケース１２の樹脂粉などが接合領域２００Ｔに固着することを防止でき、当該接合領域２００Ｔから樹脂粉等を除去する後処理が不要となる。
この構成によれば、ケース１２のインサート成形時に、端子２０に予め形成された凹形状の接合領域２００Ｔを、インサート成形に用いる金型によって覆った状態で成形が可能である。したがって、インサート成形時にケース１２の樹脂粉などが接合領域２００Ｔに固着することを防止でき、当該接合領域２００Ｔから樹脂粉等を除去する後処理が不要となる。
【0035】
本実施形態において、凹形状の接合領域２００Ｔは端子２０の先端部２００Ａに繋がる。
この構成によれば、凹形状の接合領域２００Ｔが先端部２００Ａにおいて内部空間Ｓに開放されるため、接合領域２００Ｔの先端部２００Ａの側に段差部２００Ｕが存在しない。したがって、ワイヤ２２を接合する際の作業性を向上させることができる。
この構成によれば、凹形状の接合領域２００Ｔが先端部２００Ａにおいて内部空間Ｓに開放されるため、接合領域２００Ｔの先端部２００Ａの側に段差部２００Ｕが存在しない。したがって、ワイヤ２２を接合する際の作業性を向上させることができる。
【0036】
本実施形態において、ケース１２は筒状であり、当該ケース１２の軸方向から視た平面視において、接合領域２００Ｔは角丸矩形状である。
この構成によれば、接合領域２００Ｔが平面視直角形状である場合に比べ、ヒートサイクルに伴う熱応力の当該角部２００ＴＣへの集中が抑えられ、剥離Ｇを進展し難くできる。
この構成によれば、接合領域２００Ｔが平面視直角形状である場合に比べ、ヒートサイクルに伴う熱応力の当該角部２００ＴＣへの集中が抑えられ、剥離Ｇを進展し難くできる。
【0037】
本実施形態において、凹形状の接合領域２００Ｔと、端子２０の表面との間の段差Ｑａの大きさがワイヤ２２の径に対応する。
この構成によれば、ワイヤ２２の接合時の作業性が悪くなることが防止される。
この構成によれば、ワイヤ２２の接合時の作業性が悪くなることが防止される。
【0038】
２．第２実施形態
図６は、第２実施形態に係るパワー半導体モジュール１における延出部２００の断面構成の一例を拡大して示す模式図である。なお、同図において、第１実施形態で説明した構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。
第１実施形態では、延出部２００における接合領域２００Ｔが下方向Ｄ１に凹形状である場合を例示した。これに対し、本実施形態の接合領域２００Ｔは、その全域が上方向Ｄ２に凸形状である点で構成を異にする。本実施形態においても、接合領域２００Ｔと、それ以外の延出部２００の表面との間に上下方向Ｄに段差Ｑｂの段差部２００Ｕが設けられる。したがって、本実施形態においても、第１実施形態と同様に、剥離Ｇが端子－封止体界面Ｈに進展した場合でも、段差部２００Ｕによって、ワイヤ２２の端部２２Ａの接合部への剥離Ｇの進展が阻止、又は遅延させられる。
図６は、第２実施形態に係るパワー半導体モジュール１における延出部２００の断面構成の一例を拡大して示す模式図である。なお、同図において、第１実施形態で説明した構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。
第１実施形態では、延出部２００における接合領域２００Ｔが下方向Ｄ１に凹形状である場合を例示した。これに対し、本実施形態の接合領域２００Ｔは、その全域が上方向Ｄ２に凸形状である点で構成を異にする。本実施形態においても、接合領域２００Ｔと、それ以外の延出部２００の表面との間に上下方向Ｄに段差Ｑｂの段差部２００Ｕが設けられる。したがって、本実施形態においても、第１実施形態と同様に、剥離Ｇが端子－封止体界面Ｈに進展した場合でも、段差部２００Ｕによって、ワイヤ２２の端部２２Ａの接合部への剥離Ｇの進展が阻止、又は遅延させられる。
【0039】
また、凸形状の接合領域２００Ｔは、延出部２００の先端部２００Ａに繋がっている。この構成によれば、横方向Ｅ１において、先端部２００Ａと接合領域２００Ｔとの間に凹凸形状が存在しないため、ワイヤ２２を接合する際の作業性が損なわれることがない。
また、凸形状の接合領域２００Ｔは、平面視において、第1実施形態と同様に角丸矩形状を成しており、角部２００ＴＣへの熱応力の集中が抑えられている。
また、凸形状の接合領域２００Ｔは、平面視において、第1実施形態と同様に角丸矩形状を成しており、角部２００ＴＣへの熱応力の集中が抑えられている。
【0040】
凸形状の接合領域２００Ｔは、延出部２００の表面のうち、接合領域２００Ｔの周辺をプレス加工によって押し潰すことにより形成される。この場合において、段差部２００Ｕの段差Ｑｂは、第１実施形態の段差Ｑａと同様に、その値が大きいほど、剥離Ｇの進展を阻止又は抑制する効果が高まる。しかしながら、段差Ｑｂが大きくなるほど、接合領域２００Ｔの周囲の押し潰し量が大きくなり、延出部２００の加工が困難となる。そこで、段差Ｑｂは延出部２００の上下方向Ｄの厚みよりも小さい値に設定され、本実施形態では、段差Ｑｂはワイヤ２２の径と同じに設定されている。本実施形態において、延出部２００の上下方向Ｄの厚みは５００μｍから１ｍｍであり、また、ワイヤ２２の径は約１００μｍから３００μｍである。そして、接合領域２００Ｔの周りの段差部２００Ｕの段差Ｑｂはワイヤ２２の径に合わせて約１００μｍから３００μｍに形成される。なお、段差Ｑｂとワイヤ２２の径の値は完全に一致する必要はなく、数％から数十％の差を含んでもよい。
【0041】
図７は、ケース１２のインサート成形に用いられる金型のうち、本実施形態の端子２０の延出部２００を覆う金型部分Ｖの一例を模式的に示す図である。
同図に示すように、金型部分Ｖには、端子２０の延出部２００の表面に当接する箇所に凹み部Ｖ１が形成されており、ケース１２のインサート成形の工程において、この凹み部Ｖ１によって凸形状の接合領域２００Ｔが覆われる。したがって、本実施形態のインサート成形時においても、第１実施形態のインサート成形時と同様に、ケース１２の素材となる樹脂粉が接合領域２００Ｔに固着することが防止される。これにより、ケース１２のインサート成形において、接合領域２００Ｔから樹脂粉を除去するための後処理が不要となる。
同図に示すように、金型部分Ｖには、端子２０の延出部２００の表面に当接する箇所に凹み部Ｖ１が形成されており、ケース１２のインサート成形の工程において、この凹み部Ｖ１によって凸形状の接合領域２００Ｔが覆われる。したがって、本実施形態のインサート成形時においても、第１実施形態のインサート成形時と同様に、ケース１２の素材となる樹脂粉が接合領域２００Ｔに固着することが防止される。これにより、ケース１２のインサート成形において、接合領域２００Ｔから樹脂粉を除去するための後処理が不要となる。
【0042】
３．変形例
以上に例示した各形態に付加される具体的な変形の形態を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の形態を、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合してもよい。
以上に例示した各形態に付加される具体的な変形の形態を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の形態を、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合してもよい。
【0043】
（変形例１）
各実施形態において、延出部２００の先端部２００Ａまで接合領域２００Ｔが延びる形状を例示した。しかしながら、図８に示すように、接合領域２００Ｔは、平面視において、延出部２００の内に全体が収まるように形成されてもよい。
また、各実施形態において、接合領域２００Ｔの平面視の形状は矩形状に限らず適宜であり、例えば楕円形などでもよい。
各実施形態において、延出部２００の先端部２００Ａまで接合領域２００Ｔが延びる形状を例示した。しかしながら、図８に示すように、接合領域２００Ｔは、平面視において、延出部２００の内に全体が収まるように形成されてもよい。
また、各実施形態において、接合領域２００Ｔの平面視の形状は矩形状に限らず適宜であり、例えば楕円形などでもよい。
【0044】
（変形例２）
各実施形態において、接合領域２００Ｔを囲む段差部２００Ｕの段差面２００ＵＡは、図９、及び図１０に示すように、延出部２００の表面（端子-封止体界面Ｈを形成する面）との間で成す第１の角度αが鋭角となるように傾斜してもよい。換言すれば、段差面２００ＵＡは、接合領域２００Ｔの表面との間で成す第２の角度βが鋭角（９０度よりも小さく角度）となるように傾斜してもよい。
各実施形態において、接合領域２００Ｔを囲む段差部２００Ｕの段差面２００ＵＡは、図９、及び図１０に示すように、延出部２００の表面（端子-封止体界面Ｈを形成する面）との間で成す第１の角度αが鋭角となるように傾斜してもよい。換言すれば、段差面２００ＵＡは、接合領域２００Ｔの表面との間で成す第２の角度βが鋭角（９０度よりも小さく角度）となるように傾斜してもよい。
【0045】
例えば、図９に示すように、接合領域２００Ｔが凹形状である場合、第１の角度αが鋭角となることで、当該接合領域２００Ｔの凹形状は、断面視において、下方Ｄ１の底辺が上方Ｄ２の上辺よりも長い略台形状となる。係る凹形状においては、段差面２００ＵＡと接合領域２００Ｔとが交差する角部２００ＵＣ１が延出部２００の表面（端子-封止体界面Ｈを形成する面）の下に入り込む。したがって、接合領域２００Ｔの中の封止体１４は角部２００ＵＣ１の箇所で掛止された状態となり、当該接合領域２００Ｔとの密着性が大きく高められる。この結果、接合領域２００Ｔにおける剥離Ｇの進展を、より顕著に阻止、又は遅延させることができる。
【0046】
また例えば、図１０に示すように、接合領域２００Ｔが凸形状である場合、第１の角度αが鋭角となることで、段差面２００ＵＡと延出部２００の表面（端子-封止体界面Ｈを形成する面）とが交差する角部２００ＵＣ２が、断面視において、接合領域２００Ｔの下に入り込む。したがって、端子-封止体界面Ｈの付近の封止体１４は、角部２００ＵＣ２によって接合領域２００Ｔに掛止された状態となるため、端子-封止体界面Ｈとの密着性が大きく高められる。この結果、接合領域２００Ｔへの剥離Ｇの進展が、より顕著に阻止、又は遅延させられることとなる。
【0047】
なお、図９に示す凹形状の接合領域２００Ｔ、及び、図１０に示す凸形状の接合領域２００Ｔは、それぞれ、端子２０の延出部２００に対する複数回のプレス加工によって形成可能である。例えば、１回以上のプレス加工によって、第１の角度αが略９０度となる接合領域２００Ｔが形成され、その後、１回以上のプレス加工によって、第１の角度αを鋭角とする段差面２００ＵＡが形成される。
この場合において、凹形状の接合領域２００Ｔにおける段差部２００Ｕの段差Ｑａ、及び、凸形状の接合領域２００Ｔにおける段差部２００Ｕの段差Ｑｂは、端子２０に対する複数回のプレス加工によって、第１の角度αが鋭角となる段差面２００ＵＡを有した段差部２００Ｕを形成可能な大きさに設定される。例えば、端子２０の厚みが５００μｍから１ｍｍである場合、段差Ｑａ、Ｑｂは少なくとも１０μｍ以上、１００μｍ以下に設定される。
この場合において、凹形状の接合領域２００Ｔにおける段差部２００Ｕの段差Ｑａ、及び、凸形状の接合領域２００Ｔにおける段差部２００Ｕの段差Ｑｂは、端子２０に対する複数回のプレス加工によって、第１の角度αが鋭角となる段差面２００ＵＡを有した段差部２００Ｕを形成可能な大きさに設定される。例えば、端子２０の厚みが５００μｍから１ｍｍである場合、段差Ｑａ、Ｑｂは少なくとも１０μｍ以上、１００μｍ以下に設定される。
【0048】
（変形例３）
各実施形態において、ケース１２に一部が埋設されることにより当該ケース１２と一体となった端子２０の延出部２００に、凹形状、又は凸形状の接合領域２００Ｔを設ける構成を例示した。
しかしながら、端子２０は、ケース１２と別体、すなわちケース１２に埋設されていなくてもよい。この場合においても、端子２０においてワイヤ２２が接合される接合領域２００Ｔが凹形状、又は凸形状であることで、端子２０の表面を剥離Ｇが進展する場合でも、接合領域２００Ｔにおけるワイヤ２２の接合部への剥離Ｇの進展を阻止、又は遅延させることができる。
各実施形態において、ケース１２に一部が埋設されることにより当該ケース１２と一体となった端子２０の延出部２００に、凹形状、又は凸形状の接合領域２００Ｔを設ける構成を例示した。
しかしながら、端子２０は、ケース１２と別体、すなわちケース１２に埋設されていなくてもよい。この場合においても、端子２０においてワイヤ２２が接合される接合領域２００Ｔが凹形状、又は凸形状であることで、端子２０の表面を剥離Ｇが進展する場合でも、接合領域２００Ｔにおけるワイヤ２２の接合部への剥離Ｇの進展を阻止、又は遅延させることができる。
【符号の説明】
【0049】
１…パワー半導体モジュール、１０…パワー半導体素子、１２…ケース、１２Ｓ…内周面、１４…封止体、２０…端子、２２…ワイヤ、２００…延出部、２００Ａ…先端部、２００Ｔ…接合領域、２００ＴＣ…角部、２００Ｕ…段差部、２００ＵＡ…段差面、２０１…埋設部、Ｇ…剥離、Ｑａ、Ｑｂ…段差、Ｓ…内部空間、α…第１の角度。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】