特開 2024-112293 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024112293

(43)【公開日】2024-08-20

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20240813BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024011051

(22)【出願日】2024-01-29

(31)【優先権主張番号】10-2023-0016410

(32)【優先日】2023-02-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】510223380

【氏名又は名称】エーピー システムズ インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110001427

【氏名又は名称】弁理士法人前田特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】キム ソンジン

(72)【発明者】

【氏名】チャ ウンヒ

(72)【発明者】

【氏名】キム ビョンス

(72)【発明者】

【氏名】キム デユ

(72)【発明者】

【氏名】イ ヒョンジン

【テーマコード（参考）】

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F131AA03

5F131AA32

5F131BB03

5F131BB23

5F131CA38

5F131DA05

5F131DA22

5F131DA32

5F131DA33

5F131DA42

5F131DB88

5F131DC12

5F131KA14

5F131KA73

5F131KB32

5F131KB58

(57)【要約】

【課題】複数のチャンバーの間に基板を搬送しながら基板に対する処理工程を行う基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１の方向に基板を搬送する第１の搬送部を備え、前記基板を前記第１の方向の一方の側から他方の側へと搬送しながら前記基板に対する処理が行われる第１のチャンバー部と、前記第１のチャンバー部と並ぶように配置されて、前記第１の方向と並ぶ方向に前記基板を搬送する第２の搬送部を備え、前記第１のチャンバー部の前記第１の方向の他方の側から受け渡される前記基板を前記第１の方向と並ぶ方向に搬送して前記第１のチャンバー部の前記第１の方向の一方の側に受け渡す第２のチャンバー部と、を備える基板処理装置。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の方向に基板を搬送する第１の搬送部を備え、前記基板を前記第１の方向の一方の側から他方の側へと搬送しながら前記基板に対する処理が行われる第１のチャンバー部と、
前記第１のチャンバー部と並ぶように配置されて、前記第１の方向と並ぶ方向に前記基板を搬送する第２の搬送部を備え、前記第１のチャンバー部の前記第１の方向の他方の側から受け渡される前記基板を前記第１の方向と並ぶ方向に搬送して前記第１のチャンバー部の前記第１の方向の一方の側に受け渡す第２のチャンバー部と、
を備える、基板処理装置。

【請求項2】

前記第１のチャンバー部には、第１の雰囲気が形成され、
前記第２のチャンバー部には、前記第１の雰囲気とは異なる第２の雰囲気が形成される、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記第１の雰囲気は、窒素（Ｎ_２）雰囲気であり、
前記第１のチャンバー部は、前記第１の搬送部を介して搬送される前記基板の上にレーザービームを照射するレーザー部をさらに備える、請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記基板を昇降させる昇降部をさらに備え、
前記第１のチャンバー部は、前記第２のチャンバー部の上部に配置され、
前記昇降部は、前記第１のチャンバー部と前記第２のチャンバー部との間に前記基板を昇降させる、請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記昇降部は、
圧縮空気を噴射して前記基板を浮揚させる昇降テーブルと、
前記昇降テーブルに配設され、前記昇降テーブルの上に浮揚された状態で前記基板を固定支持する基板ガイド部材と、
を備える、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記基板ガイド部材は、
前記昇降テーブルが前記第１のチャンバー部に対応して配設される場合に、前記基板を浮揚された状態で前記第１の搬送部に受け渡したり受け渡されたりし、
前記昇降テーブルが前記第２のチャンバー部に対応して配設される場合に、前記基板を浮揚された状態で前記第２の搬送部に受け渡したり受け渡されたりする、請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記第１のチャンバー部と前記第２のチャンバー部との間に配設されるゲート部をさらに備え、
前記第１のチャンバー部と前記第２のチャンバー部は、側壁同士が相対向するように配置され、
前記ゲート部は、前記第１のチャンバー部と前記第２のチャンバー部との間に出入り通路を提供する、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記第１の搬送部は、
窒素（Ｎ_２）を噴射する第１のパージ孔を備え、前記第１のパージ孔を介して前記基板を浮揚させる浮上ステージと、
前記浮上ステージの上に浮揚された状態で前記基板を固定支持して前記浮上ステージに沿って前記基板を移動させるグリッパーと、
を備える、請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記浮上ステージは、窒素（Ｎ_２）を吸い込んで排気する第１の吸込孔をさらに備える、請求項８に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記第１のチャンバー部は、前記基板の浮揚を保持しながら前記基板の回転角度を調整する角度調整部をさらに備える、請求項８に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記角度調整部は、
第２のパージ孔を介して窒素（Ｎ_２）を噴射して前記基板を浮揚させながら第２の吸込孔を介して吸込力を提供して前記基板を浮揚された状態で固定支持するサブ浮上テーブルと、
前記サブ浮上テーブルを回転させて前記基板の回転角度を調整する第１のテーブル回転部と、
を備える、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記第１のチャンバー部は、前記第１のチャンバー部内に搬入された前記基板の整列状態を確認する整列感知部をさらに備え、
前記角度調整部は、前記基板の回転角度を調整して前記基板を整列する、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記第１のチャンバー部は、前記基板を前記第１の方向の一方の側から他方の側へと１回搬送しながら前記基板の一部を処理し、
前記第２のチャンバー部は、前記第１のチャンバー部の前記第１の方向の他方の側から受け渡される前記基板を回転させて前記第１のチャンバー部の前記第１の方向の一方の側に搬入する、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項14】

前記第２の搬送部は、
第３のパージ孔を介して圧縮空気を噴射して前記基板を浮揚させながら第３の吸込孔を介して吸込力を提供して前記基板を浮揚された状態で固定支持する回転テーブルと、
前記基板とともに前記回転テーブルを回転させる第２のテーブル回転部と、
を備える、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項15】

前記第２の搬送部は、
圧縮空気を噴射する噴射孔を備え、前記噴射孔を介して前記基板を浮揚させるエア浮上プレートと、
前記エア浮上プレートに配設されて、前記エア浮上プレートの上に浮揚された状態で前記基板を固定支持する固定支持部材と、
前記固定支持部材を介して前記基板がリンクされた前記エア浮上プレートを移動させるプレート駆動部と、
を備える、請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項16】

前記第２のチャンバー部は、前記基板とリンクされた前記エア浮上プレートを回転させるプレート回転部をさらに備える、請求項１５に記載の基板処理装置。

【請求項17】

前記第２のチャンバー部は、前記エア浮上プレートの下部の中央に接続されて前記エア浮上プレートの噴射孔に前記圧縮空気を供給する軟性ガスライン部をさらに備える、請求項１６に記載の基板処理装置。

【請求項18】

前記レーザー部は、前記第１の方向と交差する第２の方向の長さが前記基板の前記第２の方向の長さよりもさらに短いレーザービームを照射する、請求項３に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理装置に関し、より詳細には、複数のチャンバーの間に基板を搬送しながら基板に対する処理工程を行う基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

有機発光ディスプレイなどのディスプレイ装置の場合、各画素の発光有無や発光の度合いを当該画素に電気的に接続された薄膜トランジスターを用いて制御することになり、このような薄膜トランジスターは多種多様な構成をとり得るが、高い移動度などの長所をもった多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ－Ｓｉｌｉｃｏｎ）膜を活性層として用いることが好ましい。このとき、非晶質シリコン（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ； α－Ｓｉ膜）を多結晶シリコン膜に結晶化させる工程が必要であり、このために、基板のアニーリング（焼き鈍し）工程が行われる。

【0003】

アニーリング工程とは、金属やガラスを熱処理することにより、物質に蓄積されている歪み、水気、応力などを取り除き、内部の組織を一様にして電気的又は機械的な性質を改善するための工程のことを意味し、一般に、有機発光ディスプレイ装置などのフラットパネルディスプレイのレーザーアニーリング工程とは、シリコンウェーハの上にレーザービームを照射して非晶質シリコン膜を結晶化させることにより、多結晶シリコン膜を形成する工程のことを意味する。

【0004】

このようなレーザーアニーリング工程において、基板の打痕キズ（へこみ傷）及び引っ掻きキズを防ぐために基板を浮揚させて基板を搬送することがあり、レーザーアニーリング工程が行われるチャンバーは、基板への酸素（Ｏ_２）の影響をなくせるように内部雰囲気を窒素（Ｎ_２）雰囲気に保持するために窒素（Ｎ_２）を噴射して基板を浮揚させることがある。

【0005】

最近には、基板の大型化が進むことに伴い、窒素（Ｎ_２）の使用量が過剰に増えてしまうという問題があるため、窒素（Ｎ_２）の使用量を減らし、このために、窒素（Ｎ_２）雰囲気が形成されるチャンバーのサイズをも最小限に抑えられる技術が求められる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】韓国登録特許第１０－０７６９４７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明は、複数のチャンバー部のうち、基板に対する処理が行われるチャンバー部のサイズを減らすことのできる基板処理装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一実施形態に係る基板処理装置は、第１の方向に基板を搬送する第１の搬送部を備え、前記基板を前記第１の方向の一方の側から他方の側へと搬送しながら前記基板に対する処理が行われる第１のチャンバー部と、前記第１のチャンバー部と並ぶように配置されて、前記第１の方向と並ぶ方向に前記基板を搬送する第２の搬送部を備え、前記第１のチャンバー部の前記第１の方向の他方の側から受け渡される前記基板を前記第１の方向と並ぶ方向に搬送して前記第１のチャンバー部の前記第１の方向の一方の側に受け渡す第２のチャンバー部と、を備えていてもよい。

【0009】

前記第１のチャンバー部には、第１の雰囲気が形成され、前記第２のチャンバー部には、前記第１の雰囲気とは異なる第２の雰囲気が形成されてもよい。

【0010】

前記第１の雰囲気は、窒素（Ｎ_２）雰囲気であり、前記第１のチャンバー部は、前記第１の搬送部を介して搬送される前記基板の上にレーザービームを照射するレーザー部をさらに備えていてもよい。

【0011】

前記基板処理装置は、前記基板を昇降させる昇降部をさらに備え、前記第１のチャンバー部は、前記第２のチャンバー部の上部に配置され、前記昇降部は、前記第１のチャンバー部と前記第２のチャンバー部との間に前記基板を昇降させてもよい。

【0012】

前記昇降部は、圧縮空気を噴射して前記基板を浮揚させる昇降テーブルと、前記昇降テーブルに配設され、前記昇降テーブルの上に浮揚された状態で前記基板を固定支持する基板ガイド部材と、を備えていてもよい。

【0013】

前記基板ガイド部材は、前記昇降テーブルが前記第１のチャンバー部に対応して配設される場合に、前記基板を浮揚された状態で前記第１の搬送部に受け渡したり受け渡されたりし、前記昇降テーブルが前記第２のチャンバー部に対応して配設される場合に、前記基板を浮揚された状態で前記第２の搬送部に受け渡したり受け渡されたりしてもよい。

【0014】

前記基板処理装置は、前記第１のチャンバー部と前記第２のチャンバー部との間に配設されるゲート部をさらに備え、前記第１のチャンバー部と前記第２のチャンバー部は、側壁同士が相対向するように配置され、前記ゲート部は、前記第１のチャンバー部と前記第２のチャンバー部との間に出入り通路を提供してもよい。

【0015】

前記第１の搬送部は、窒素（Ｎ_２）を噴射する第１のパージ孔を備え、前記第１のパージ孔を介して前記基板を浮揚させる浮上ステージと、前記浮上ステージの上に浮揚された状態で前記基板を固定支持して前記浮上ステージに沿って前記基板を移動させるグリッパーと、を備えていてもよい。

【0016】

前記浮上ステージは、窒素（Ｎ_２）を吸い込んで排気する第１の吸込孔をさらに備えていてもよい。

【0017】

前記第１のチャンバー部は、前記基板の浮揚を保持しながら前記基板の回転角度を調整する角度調整部をさらに備えていてもよい。

【0018】

前記角度調整部は、第２のパージ孔を介して窒素（Ｎ_２）を噴射して前記基板を浮揚させながら第２の吸込孔を介して吸込力を提供して前記基板を浮揚された状態で固定支持するサブ浮上テーブルと、前記サブ浮上テーブルを回転させて前記基板の回転角度を調整する第１のテーブル回転部と、を備えていてもよい。

【0019】

前記第１のチャンバー部は、前記第１のチャンバー部内に搬入された前記基板の整列状態を確認する整列感知部をさらに備え、前記角度調整部は、前記基板の回転角度を調整して前記基板を整列してもよい。

【0020】

前記第１のチャンバー部は、前記基板を前記第１の方向の一方の側から他方の側へと１回搬送しながら前記基板の一部を処理し、前記第２のチャンバー部は、前記第１のチャンバー部の前記第１の方向の他方の側から受け渡される前記基板を回転させて前記第１のチャンバー部の前記第１の方向の一方の側に搬入してもよい。

【0021】

前記第２の搬送部は、第３のパージ孔を介して圧縮空気を噴射して前記基板を浮揚させながら第３の吸込孔を介して吸込力を提供して前記基板を浮揚された状態で固定支持する回転テーブルと、前記基板とともに前記回転テーブルを回転させる第２のテーブル回転部と、を備えていてもよい。

【0022】

前記第２の搬送部は、圧縮空気を噴射する噴射孔を備え、前記噴射孔を介して前記基板を浮揚させるエア浮上プレートと、前記エア浮上プレートに配設されて、前記エア浮上プレートの上に浮揚された状態で前記基板を固定支持する固定支持部材と、前記固定支持部材を介して前記基板がリンクされた前記エア浮上プレートを移動させるプレート駆動部と、を備えていてもよい。

【0023】

前記第２のチャンバー部は、前記基板とリンクされた前記エア浮上プレートを回転させるプレート回転部をさらに備えていてもよい。

【0024】

前記第２のチャンバー部は、前記エア浮上プレートの下部の中央に接続されて前記エア浮上プレートの噴射孔に前記圧縮空気を供給する軟性ガスライン部をさらに備えていてもよい。

【0025】

前記レーザー部は、前記第１の方向と交差する第２の方向の長さが前記基板の前記第２の方向の長さよりもさらに短いレーザービームを照射してもよい。

【発明の効果】

【0026】

本発明の実施形態に係る基板処理装置は、互いに並ぶように配置される第１及び第２のチャンバー部にそれぞれ互いに異なる（ガス）雰囲気を形成することにより、窒素（Ｎ_２）などの工程雰囲気を形成すべき第１のチャンバー部のサイズ（例えば、体積、面積など）を最小限に抑えることができ、工程雰囲気のための窒素（Ｎ_２）など雰囲気ガスの使用量を減らすことができる。また、基板を浮揚させるためのガスとして窒素（Ｎ_２）などの雰囲気ガスを用いなければならない区間（又は、空間）が狭まる結果、雰囲気ガスの使用量をさらに減らすことができ、雰囲気ガス使用量を最小限に抑えることができる。

【0027】

そして、第１のチャンバー部に配設された第１の搬送部の浮上ステージは、雰囲気ガスを噴射する第１のパージ孔のみならず、排気が行われる第１の吸込孔をも備えることにより、浮上ステージと基板との間に全体的に均一なガス密度の勾配が形成されて基板の撓み現象を抑止もしくは防止することができる。また、第１の吸込孔の本数に応じて相対的に第１のパージ孔の本数が減る結果、雰囲気ガスの使用量がさらに減るという効果もある。

【0028】

一方、第２のチャンバー部には第２の搬送部の回転テーブルと第２のテーブル回転部又はプレート回転部が配設されることにより、基板を回転させることで、レーザービームにより基板の一部ずつスキャン（ｓｃａｎ）することができ、これにより、たとえ基板の大型化が進むとしても、レーザービームのサイズ（ｓｉｚｅ）を（ほとんど）変更せずとも、基板のサイズ（ｓｉｚｅ）に合わせて好適に対応することができる。

【図面の簡単な説明】

【0029】

【図1】本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す概略断面図。

【図2】本発明の一実施形態に係る第１の搬送部を説明するための概念図。

【図3】本発明の一実施形態に係る第２の搬送部を説明するための概念図。

【図4】本発明の一実施形態に係る基板の分割処理を順番に示す図。

【発明を実施するための形態】

【0030】

以下では、添付図面に基づいて、本発明の実施形態についてさらに詳しく説明する。しかしながら、本発明は以下に開示される実施形態に何ら限定されるものではなく、互いに異なる様々な形態に具体化される筈であり、以下の実施形態は、単に本発明の開示を完全たるものにし、通常の知識を有する者に発明の範ちゅうを完全に知らせるために提供されるものである。本発明を説明するに当たって、同じ構成要素に対しては同じ参照符号を付し、図面は、本発明の実施形態を正確に説明するために大きさが部分的に誇張されてもよく、図中、同じ符号は、同じ構成要素を指し示す。

【0031】

図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す概略断面図であって、図１の（ａ）は、第１のチャンバー部と第２のチャンバー部が積層されて配置された積層型の側断面図であり、図１の（ｂ）は、第１のチャンバー部と第２のチャンバー部が同一平面の上に並ぶように配置された水平型の水平断面図である。

【0032】

図１を参照すると、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１００は、第１の方向に基板１０を搬送する第１の搬送部１１１を備え、前記基板１０を前記第１の方向の一方の側から他方の側へと搬送しながら前記基板１０に対する処理が行われる第１のチャンバー部１１０と、前記第１のチャンバー部１１０と並ぶように配置されて、前記第１の方向と並ぶ方向に前記基板１０を搬送する第２の搬送部１２１を備え、前記第１のチャンバー部１１０の前記第１の方向の他方の側から受け渡される前記基板１０を前記第１の方向と並ぶ方向に搬送して前記第１のチャンバー部１１０の前記第１の方向の一方の側に受け渡す第２のチャンバー部１２０と、を備えていてもよい。

【0033】

第１のチャンバー部１１０は、第１の方向に延びてもよく、前記第１の方向に基板１０を搬送する第１の搬送部１１１を備えていてもよい。第１の搬送部１１１は、第１のチャンバー部１１０の延在方向に沿って前記第１の方向に基板１０を搬送することができる。このとき、第１の搬送部１１１は、基板１０の打痕キズ（へこみ傷）及び／又は引っ掻きキズ（ｓｃｒａｔｃｈ）を防ぐために基板１０を浮揚（ｆｌｏａｔｉｎｇ）させて搬送してもよい。第１のチャンバー部１１０においては、第１の搬送部１１１を介して基板１０を前記第１の方向の一方の側から他方の側へと搬送しながら基板１０に対する処理が行われてもよく、第１のチャンバー部１１０の前記第１の方向の一方の側から搬入された基板１０が前記第１の方向に搬送されながら処理されて第１のチャンバー部１１０の前記第１の方向の他方の側に搬出されてもよい。

【0034】

ここで、第１のチャンバー部１１０は、内部に第１の雰囲気が形成されてもよく、前記第１の雰囲気は、第１のガスが供給されて形成されたガス雰囲気であってもよく、第１のガス雰囲気であってもよい。

【0035】

例えば、第１のチャンバー部１１０は、直接的に基板１０に対する処理工程が行われてもよく、前記第１の雰囲気は、工程雰囲気であってもよく、窒素（Ｎ_２）などの雰囲気ガスにより形成されてもよい。このとき、第１のチャンバー部１１０は、内部空間を形成するハウジングを有していてもよく、前記内部空間に前記雰囲気ガスが満たされることにより、前記第１の雰囲気が形成されてもよい。

【0036】

第２のチャンバー部１２０は、第１のチャンバー部１１０と並ぶように配置されてもよく、前記第１の方向と並ぶ方向に延びてもよく、前記第１の方向と並ぶ方向に基板１０を搬送する第２の搬送部１２１を備えていてもよい。第２の搬送部１２１は、第２のチャンバー部１２０の延在方向に沿って前記第１の方向と並ぶ方向に基板１０を搬送することができる。このとき、第２の搬送部１２１もまた、基板１０の打痕キズ（へこみ傷）及び／又は引っ掻きキズを防ぐために、基板１０を浮揚（又は、浮上）させて搬送してもよい。第２のチャンバー部１２０は、第１のチャンバー部１１０の前記第１の方向の他方の側から受け渡される基板１０を前記第１の方向と並ぶ方向に搬送して第１のチャンバー部１１０の前記第１の方向の一方の側に（再び）受け渡してもよく、第２のチャンバー部１２０の（前記第１の方向と並ぶ方向の）他方の側から、第１のチャンバー部１１０の前記第１の方向の他方の側から基板１０を直間接的に受け渡されて第２のチャンバー部１２０の（前記第１の方向と並ぶ方向の）一方の側へと搬送して第１のチャンバー部１１０の前記第１の方向の一方の側に直間接的に受け渡してもよい。これにより、大面積の基板１０を（一部分ずつ）分割して処理することができる。

【0037】

ここで、第２のチャンバー部１２０には、前記第１の雰囲気とは異なる第２の雰囲気が形成されてもよく、前記第２の雰囲気は、前記第１のガスとは異なる第２のガスが供給されて形成されたガス雰囲気であってもよく、第２のガス雰囲気であってもよい。このとき、前記第２のガスは、前記第１のガスと種類、流量、濃度、温度及びガス分圧のうちの少なくともいずれか一つが異なっていてもよい。

【0038】

例えば、第２のチャンバー部１２０は、基板１０に対する処理工程が行われず、基板１０の搬送（又は、移動）、回転及び整列（のみ）が行われてもよく、前記第２の雰囲気は、大気（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ；ＡＴＭ）雰囲気であってもよく、大気中の空気などにより形成されてもよい。このとき、第２のチャンバー部１２０は、内部空間を形成するハウジングを有していてもよく、ハウジングなしに第２の搬送部１２１が配設（又は、配置）される空間（又は、区間や領域）を指す場合もあり、大気（圧）（ＡＴＭ）雰囲気などの前記第２の雰囲気が形成可能であればよい。

【0039】

ここで、前記第１の雰囲気は、窒素（Ｎ_２）雰囲気であってもよく、第１のチャンバー部１１０は、第１の搬送部１１１を介して搬送される基板１０の上にレーザービーム２０を照射するレーザー部１１２をさらに備えていてもよい。レーザー部１１２は、第１の搬送部１１１を介して搬送される基板１０の上にレーザービーム２０を照射することができ、基板１０が搬送されながらレーザービーム２０によりスキャン（ｓｃａｎ）されて基板１０に対する処理工程が行われてもよい。

【0040】

例えば、レーザー部１１２は、基板１０の上にレーザービーム２０を照射して基板１０上の薄膜及び／又は基板１０の表面を結晶化させることができる。このとき、レーザービーム２０が照射される基板１０の領域が酸素（Ｏ_２）に曝露されれば、基板１０の上部面に蒸着されている薄膜及び／又は基板１０の表面が結晶化される過程において結晶質シリコンになれず、酸化物となる虞がある。

【0041】

このため、前記第１の雰囲気は、窒素（Ｎ_２）雰囲気であってもよく、第１のチャンバー部１１０の内部に窒素（Ｎ_２）雰囲気を形成してレーザービーム２０が照射される基板１０の領域が酸素（Ｏ_２）に曝露されることを防ぐことができる。

【0042】

このとき、基板１０は、ガラス（ｇｌａｓｓ）又はシリコン（Ｓｉ）基板などであってもよく、非晶質シリコン（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ；α－Ｓｉ）膜などの薄膜が形成された基板であってもよい。

【0043】

したがって、本発明に係る基板処理装置１００は、互いに並ぶように配置される第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０とを仕切ってそれぞれ互いに異なる（ガス）雰囲気を形成することにより、直接的に基板１０に対する処理工程が行われる第１のチャンバー部１１０に（のみ）窒素（Ｎ_２）雰囲気（すなわち、工程雰囲気）を形成することができ、窒素（Ｎ_２）雰囲気を形成しなければならない空間（例えば、前記第１のチャンバー部の体積）を最小限に抑えることができ、これにより、窒素（Ｎ_２）雰囲気のための窒素（Ｎ_２）の使用量を減らすことができる。

【0044】

一方、第１のチャンバー部１１０は、基板１０を前記第１の方向の一方の側から他方の側へと１回（又は、１次）搬送しながら基板１０の一部を処理することができ、第２のチャンバー部１２０は、第１のチャンバー部１１０の前記第１の方向の他方の側から受け渡される基板１０を回転させて第１のチャンバー部１１０の前記第１の方向の一方の側に（再）搬入することができる。第１のチャンバー部１１０においては、基板１０に対する前記第１の方向の一方の側から他方の側への１回の搬送につき基板１０の一部のみを処理することができ、第２のチャンバー部１２０は、一部が処理されて第１のチャンバー部１１０の前記第１の方向の他方の側から受け渡される基板１０を回転させて第１のチャンバー部１１０の前記第１の方向の一方の側に再び搬入（又は、再搬入）することができ、第１のチャンバー部１１０は回転して（再び）搬入された基板１０を前記第１の方向の一方の側から他方の側へと１回（又は、２次）搬送しながら基板１０の残りの一部を処理することができる。このため、大面積の基板１０もまた、小さな照射面積のレーザービーム２０にて（一部分ずつ）分割して処理することができ、レーザービーム２０が照射される基板１０の領域（又は、面積）を減らすことができ、これにより、（必須的に）窒素（Ｎ_２）雰囲気を形成しなければならない空間が減るという効果が奏される。

【0045】

本発明に係る基板処理装置１００は、基板１０を昇降させる昇降部１３０をさらに備えていてもよい。

【0046】

昇降部１３０は、基板１０を昇降させることができ、第１のチャンバー部１１０及び／又は第２のチャンバー部１２０に基板１０を搬入したり、第１のチャンバー部１１０及び／又は第２のチャンバー部１２０から基板１０を搬出したりするために基板１０を昇降させることができる。ここで、昇降部１３０は、基板１０の打痕キズ（へこみ傷）及び／又は引っ掻きキズを防ぐために基板１０を浮揚させた状態で昇降させてもよい。

【0047】

このとき、第１のチャンバー部１１０は、第２のチャンバー部１２０の上部に配置されてもよく、昇降部１３０は、第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０との間に基板１０を昇降させることができる。第１のチャンバー部１１０は、第２のチャンバー部１２０の上部に積層されて配置されてもよく、第１のチャンバー部１１０の上部面には石英（Ｑｕａｒｔｚ）などから作製されたウィンドウ１１５が配設されてレーザービーム２０が透過可能であり、これにより、第１のチャンバー部１１０内において第１の搬送部１１１を介して搬送される基板１０の上にレーザービーム２０が照射されることが可能になる。ここで、昇降部１３０は、第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０との間に基板１０を昇降させることができ、第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０とが直ちに接して積層可能であるため、昇降部１３０が基板１０を昇降させる高さ（すなわち、昇降テーブルの移動距離）が減る。一方、第１のチャンバー部１１０が第２のチャンバー部１２０の上部に配置される場合には、第２のチャンバー部１２０の第２の搬送部１２１により搬送される基板１０がレーザービーム２０の干渉を受けないことから、それぞれ独立して第１のチャンバー部１１０においてレーザービーム２０により基板１０を処理しながら第２のチャンバー部１２０において他の基板１０を搬送するのみならず、回転及び／又は整列することができる。

【0048】

第１のチャンバー部１１０が第２のチャンバー部１２０の下部に配置されれば、第１のチャンバー部１１０内にレーザービーム２０を提供する（又は、到達させる）ために第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０との間にレーザー部１１２が配設（又は、配置）されて第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０との間の（離隔）距離が増えたり、辛うじてレーザービーム２０が第２のチャンバー部１２０をも透過するように構成しなければならないだけではなく、第２のチャンバー部１２０を透過したレーザービーム２０が第２の搬送部１２１により搬送される基板１０に干渉されてしまう虞がある。

【0049】

しかしながら、第１のチャンバー部１１０を第２のチャンバー部１２０の上部に配置することにより、このような問題を解決することができる。

【0050】

ここで、昇降部１３０は、圧縮空気を噴射して基板１０を浮揚させる昇降テーブル１３１と、昇降テーブル１３１に配設され、昇降テーブル１３１の上に浮揚された状態で基板１０を固定支持する基板ガイド部材１３２と、を備えていてもよい。昇降テーブル１３１は、圧縮空気を噴射して基板１０を浮揚させることができ、その表面から基板１０を離隔させて非接触（ｎｏｎ－ｃｏｎｔａｃｔ）方式により基板１０を支持することができる。例えば、昇降テーブル１３１は、前記圧縮空気を基板１０の下面に噴射して基板１０を浮上（又は、浮揚）させることができる。これにより、従来に昇降テーブルの表面と基板１０との接触により基板１０の昇降（又は、搬送）中に必然的に生じることを余儀なくされていた基板１０の表面（又は、前記薄膜）の打痕キズ（へこみ傷）及び引っ掻きキズなどを防ぐことができ、基板１０の表面の打痕キズ（へこみ傷）及び／又は引っ掻きキズを防ぐことにより、工程不良率が減少することができ、工程安定性が確保されることが可能になる。

【0051】

基板ガイド部材１３２は、昇降テーブル１３１に配設されてもよく、昇降テーブル１３１の上に浮揚された状態で基板１０を固定支持することができる。例えば、基板ガイド部材１３２は、昇降テーブル１３１に接続（又は、結合）されて昇降テーブル１３１につれて昇降しながら基板１０を昇降テーブル１３１の上に浮揚された状態で固定支持することができる。このとき、基板ガイド部材１３２は、基板１０の周縁（部）を固定支持することができ、未使用の（又は、廃棄される）基板１０のダミー（ｄｕｍｍｙ）部分又は領域を固定支持することができる。

【0052】

そして、基板ガイド部材１３２は、昇降テーブル１３１が第１のチャンバー部１１０に対応して配設される場合に、基板１０を浮揚された状態で第１の搬送部１１１に受け渡したり、第１の搬送部１１１から受け渡されたりすることができ、昇降テーブル１３１が第２のチャンバー部１２０に対応して配設される場合に、基板１０を浮揚された状態で第２の搬送部１２１に受け渡したり、第２の搬送部１２１から受け渡されたりすることができる。すなわち、基板ガイド部材１３２は、昇降テーブル１３１の昇降位置（又は、高さ）に応じて、第１のチャンバー部１１０及び／又は第２のチャンバー部１２０に基板１０を搬入及び／又は搬出することができる。例えば、基板ガイド部材１３２は、基板１０を浮揚された状態で固定支持して第１のチャンバー部１１０の第１の搬送部１１１に基板１０を受け渡したり、第１の搬送部１１１から基板１０を受け渡されたりすることができ、第２のチャンバー部１２０の第２の搬送部１２１に基板１０を受け渡したり、第２の搬送部１２１から基板１０を受け渡されたりすることができる。このとき、基板ガイド部材１３２が第１のチャンバー部１１０又は第２のチャンバー部１２０内に進入して基板１０を受け渡したり受け渡されたりすることもできれば、グリッパー１１１ｂ又は固定支持部材１２１ｃなどの第１の搬送部１１１又は第２の搬送部１２１の一部が第１のチャンバー部１１０又は第２のチャンバー部１２０の外に基板１０を受け渡したり、第１のチャンバー部１１０又は第２のチャンバー部１２０の外から基板１０を受け渡されたりすることもできる。

【0053】

ここで、昇降部１３０は、図１の（ａ）に示すように、第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０の前記第１の方向の両側にそれぞれ配置されてもよく、各昇降部１３０には、昇降テーブル１３１と基板ガイド部材１３２がそれぞれ配設されてもよい。例えば、前記第１の方向の両側のうちの一方の側に配置された昇降部１３０は、搬送チャンバー５０又は第２のチャンバー部１２０から基板１０を受け渡されて第１のチャンバー部１１０に基板１０を受け渡してもよく、前記第１の方向の両側のうちの他方の側に配置された昇降部１３０は、第１のチャンバー部１１０から基板１０を受け渡されて第２のチャンバー部１２０又は搬送チャンバー５０に基板１０を受け渡してもよい。このとき、前記第１の方向の両側のうちの一方の側に配置された昇降部１３０と第１のチャンバー部１１０との間には搬入ゲート１４１が配設されて、搬入ゲート１４１を介して第１のチャンバー部１１０内に基板１０を搬入することができ、前記第１の方向の両側のうちの他方の側に配置された昇降部１３０と第１のチャンバー部１１０との間には搬出ゲート１４２が配設されて、搬出ゲート１４２を介して第１のチャンバー部１１０から基板１０を搬出することができる。

【0054】

一方、昇降部１３０は、搬送チャンバー５０から受け渡された基板１０を第２のチャンバー部１２０から受け渡してもよいし、あるいは、第２のチャンバー部１２０から基板１０を受け渡されて搬送チャンバー５０に基板１０を受け渡してもよい。ここで、前記一方の側と前記他方の側は、第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０との互いに対応する（又は、隣り合う）側を意味し、第１のチャンバー部１１０の前記一方の側と第２のチャンバー部１２０の前記一方の側は、互いに並ぶように同じ方向を向く側であってもよく、第１のチャンバー部１１０の前記他方の側と第２のチャンバー部１２０の前記他方の側は、前記一方の側とは反対となって互いに並ぶように同じ方向を向く側であってもよい。

【0055】

本発明に係る基板処理装置１００は、第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０との間に配設されるゲート部１４０をさらに備えていてもよい。

【0056】

ゲート部１４０は、第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０との間に配設されてもよく、第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０との間に基板１０を互いに受け渡しできるようにすることができる。例えば、ゲート部１４０は、第２のチャンバー部１２０から基板１０を第１のチャンバー部１１０に搬入する搬入ゲート１４１と、第１のチャンバー部１１０から第２のチャンバー部１２０に基板１０を搬出する搬出ゲート１４２と、を備えていてもよい。搬入ゲート１４１は、レーザービーム２０により基板１０を処理するために、第１のチャンバー部１１０に基板１０を搬入可能な通路（ｐａｓｓａｇｅ）を提供することができる。

【0057】

そして、搬出ゲート１４２は、レーザービーム２０により少なくとも一部が処理された基板１０を第２のチャンバー部１２０に搬出可能な通路を提供することができる。

【0058】

このとき、第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０は、側壁同士が相対向するように配置されてもよく、ゲート部１４０は、第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０との間に出入り通路を提供することができる。第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０は、側壁同士が相対向するように同一平面の上に並ぶように配置されてもよく、水平型の配置構造を有していてもよく、第１のチャンバー部１１０の上部面には石英などから作製されたウィンドウ１１５が配設されてレーザービーム２０が透過可能であり、これにより、第１のチャンバー部１１０内において第１の搬送部１１１を介して搬送される基板１０の上にレーザービーム２０が照射されることが可能になる。ここで、ゲート部１４０は、第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０の側壁との間において第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０との間に出入り通路を提供することができ、基板１０の処理のために基板１０が搬送されながらレーザービーム２０によりスキャンされるように第１のチャンバー部１１０への搬入通路（すなわち、前記搬入ゲート）を提供することができ、レーザービーム２０によりスキャンされた基板１０が第１のチャンバー部１１０から搬出可能な搬出通路（すなわち、前記搬出ゲート）を提供することができる。

【0059】

図２は、本発明の一実施形態に係る第１の搬送部を説明するための概念図であって、図２の（ａ）は、第１の搬送部の平面図を示し、図２の（ｂ）は、第１の搬送部の側断面図を示す。

【0060】

図２を参照すると、第１の搬送部１１１は、窒素（Ｎ_２）を噴射する第１のパージ孔１ａを備え、第１のパージ孔１ａを介して基板１０を浮揚させる浮上ステージ１１１ａと、浮上ステージ１１１ａの上に浮揚された状態で基板１０を固定支持して浮上ステージ１１１ａに沿って基板１０を移動させるグリッパー（ｇｒｉｐｐｅｒ）１１１ｂと、を備えていてもよい。浮上ステージ１１１ａは、第１のチャンバー部１１０の延在方向に沿って延びてもよく、第１のパージ孔１ａを備えていてもよく、第１のパージ孔１ａを介して窒素（Ｎ_２）を噴射して基板１０を浮揚させることができ、これにより、従来に搬送ステージの表面と基板１０との接触により基板１０の搬送中に必然的に生じることを余儀なくされていた基板１０の表面の打痕キズ（へこみ傷）及び引っ掻きキズなどを防ぐことができる。第１のパージ孔１ａは、窒素（Ｎ_２）を噴射することができ、基板１０を浮揚させるとともに、基板１０の周りの酸素（Ｏ_２）又はパーティクル（Ｐａｒｔｉｃｌｅ）などの不純物をパージ（ｐｕｒｇｅ）して取り除くことができ、レーザービーム２０が照射される基板１０の領域が酸素（Ｏ_２）に曝露されることを防ぐことができる。

【0061】

すなわち、第１のチャンバー部１１０は、レーザービーム２０が照射される基板１０の領域が酸素（Ｏ_２）に曝露されることを防ぐために、内部に窒素（Ｎ_２）雰囲気が形成されるので、このような窒素（Ｎ_２）雰囲気を保持するために、第１のパージ孔１ａは、前記雰囲気ガスと同じ窒素（Ｎ_２）を噴射して基板１０を浮揚させることができる。

【0062】

例えば、第１のパージ孔１ａは、複数本で構成されてもよく、第１のガス供給ラインにより複数本の第１のパージ孔１ａ同士が互いに接続（又は、連通）可能であり、一つの窒素（Ｎ_２）供給部１１３ａから複数本の第１のパージ孔１ａに窒素（Ｎ_２）が振り分けられて供給されることが可能になる。

【0063】

グリッパー１１１ｂは、浮上ステージ１１１ａの上に浮揚された状態で基板１０を固定支持して浮上ステージ１１１ａに沿って基板１０を移動させることができ、グリッパー駆動部１１１ｄにより浮上ステージ１１１ａの延在方向に沿って（線状）移動可能であり、基板１０を固定支持してグリッパー駆動部１１１ｄによる移動につれて線状移動させることができる。

【0064】

例えば、グリッパー１１１ｂは、基板１０に接触して固定支持することができ、基板１０を吸着固定（又は、支持）することもでき、基板１０を把持して支持することもできる。グリッパー１１１ｂは、前記浮上ステージ１１１ａの延在方向と並ぶように延びるグリッパー駆動部１１１ｄのレールに沿って移動可能なグリッパー駆動部１１１ｄの可動体に接続されて前記可動体の移動につれて前記第１の方向に移動することができ、前記可動体の移動による前記第１の方向への移動につれて、固定支持している基板１０を浮上ステージ１１１ａの上に浮揚された状態で前記第１の方向に線状移動させることができる。

【0065】

このとき、グリッパー１１１ｂは、基板１０の周縁（部）を固定支持することができ、前記ダミー部分を固定支持することができ、前記ダミー部分にはレーザービーム２０が照射されないことから、グリッパー１１１ｂがレーザービーム２０に干渉されないながらも、基板１０を前記第１の方向に線状移動させることができる。

【0066】

そして、浮上ステージ１１１ａは、窒素（Ｎ_２）を吸い込んで排気する第１の吸込孔１ｂをさらに備えていてもよい。第１の吸込孔１ｂは、窒素（Ｎ_２）を吸い込んで排気することができ、排気を用いて吸込力を提供することもでき、真空（Ｖａｃｕｕｍ）が形成可能である。例えば、第１の吸込孔１ｂは、真空ポンプ（ｖａｃｕｕｍ ｐｕｍｐ）に接続されて真空引きが行われてもよく、複数本で構成されて第１の排気ライン（図示せず）により互いに接続（又は、連通）可能であり、一つの真空ポンプ（図示せず）により複数本の第１の吸込孔１ｂの真空引きが行われることが可能である。これにより、前記吸引力が生じて前記吸引力により基板１０を引き寄せる引力を生じさせることができ、基板１０を浮上ステージ１１１ａの表面から離隔させて一定の高さに保持することができ、（複数本の）第１のパージ孔１ａから噴射された窒素（Ｎ_２）が浮上ステージ１１１ａと基板１０との間に滞ることなく円滑に排気（又は、排出）されるようにすることもできる。

【0067】

第１の吸込孔１ｂがなく、第１のパージ孔１ａのみがある場合には、第１のパージ孔１ａから噴射された窒素（Ｎ_２）が浮上ステージ１１１ａと基板１０の外郭に排出（又は、排気）されることを余儀なくされるため、浮上ステージ１１１ａと基板１０との間から窒素（Ｎ_２）が円滑に排出できなくなり、前記外郭に近い浮上ステージ１１１ａと基板１０の周縁部の領域においては窒素（Ｎ_２）がそれでもある程度排出が行われるのに対し、前記外郭から遠い浮上ステージ１１１ａと基板１０の中央領域においては窒素（Ｎ_２）の排出が渋滞されてまるで風船（ｂａｌｌｏｏｎ）のように基板１０の中央領域が凸状になることにより、基板１０の撓み（ｗａｒｐａｇｅ）が生じる虞がある。すなわち、前記外郭からの距離に応じて窒素（Ｎ_２）の排出能力が異なってきて浮上ステージ１１１ａと基板１０との間に領域ごと（例えば、前記周縁部領域と前記中央領域）にガス密度の勾配が異なってき、相対的にガス密度が低めの領域（例えば、前記周縁部領域）においては凹状になり得、相対的にガス密度が高めの領域（例えば、前記中央領域）においては凸状になり得る。

【0068】

しかしながら、本発明に係る基板処理装置１００は、浮上ステージ１１１ａが窒素（Ｎ_２）を噴射する第１のパージ孔１ａのみならず、排気が行われる第１の吸込孔１ｂをも備えることにより、浮上ステージ１１１ａと基板１０との間に全体的に均一なガス密度の勾配が形成されて基板１０の撓み現象を抑止もしくは防止することができる。

【0069】

一方、第１のパージ孔１ａがなく、第１の吸込孔１ｂのみがある場合には、基板１０が吸着支持されて浮上ステージ１１１ａの表面に基板１０が接触されることを余儀なくされ、基板１０の表面（又は、前記薄膜）に打痕キズ（へこみ傷）及び引っ掻きキズなどの損傷が生じる虞がある。

【0070】

したがって、本発明に係る基板処理装置１００は、第１のチャンバー部１１０に配設された第１の搬送部１１１の浮上ステージ１１１ａが窒素（Ｎ_２）を噴射する第１のパージ孔１ａのみならず、排気が行われる第１の吸込孔１ｂをも備えることにより、浮上ステージ１１１ａと基板１０との間に全体的に均一なガス密度の勾配が形成されて基板１０の撓み現象を抑止もしくは防止することができる。また、第１の吸込孔１ｂの本数に応じて、相対的に第１のパージ孔１ａの本数が減って、窒素（Ｎ_２）の使用量が減るという効果も奏される。

【0071】

第１のチャンバー部１１０は、基板１０の浮揚を保持しながら基板１０の回転角度を調整する角度調整部１１１ｃをさらに備えていてもよい。角度調整部１１１ｃは、基板１０の浮揚を保持しながら基板１０の回転角度を調整することができ、グリッパー１１１ｂにより固定支持されていない状態で浮揚された基板１０を所定の角度だけ回転させて基板１０の回転角度を調整することができる。

【0072】

ここで、角度調整部１１１ｃは、第２のパージ孔２ａを介して窒素（Ｎ_２）を噴射して基板１０を浮揚させながら第２の吸込孔２ｂを介して吸込力を提供して基板１０を浮揚された状態で固定支持するサブ浮上テーブル１１ａと、サブ浮上テーブル１１ａを回転させて基板１０の回転角度を調整する第１のテーブル回転部１１ｂと、を備えていてもよい。サブ浮上テーブル１１ａは、第２のパージ孔２ａを介して窒素（Ｎ_２）を噴射して基板１０を浮揚させながら第２の吸込孔２ｂを介して吸込力を提供して基板１０を浮揚された状態で固定支持することができる。すなわち、サブ浮上テーブル１１ａは、窒素（Ｎ_２）を噴射して基板１０を浮揚させた状態で基板１０との接触なしに第２の吸込孔２ｂを介した吸込力のみを提供してサブ浮上テーブル１１ａの回転につれて基板１０が共回り（又は、一緒に回転）できるように基板１０を固定支持することができる。第２の吸込孔２ｂを介した吸込力だけでは基板１０への固定力が足りなくなる可能性があるが、サブ浮上テーブル１１ａは、９０°未満という小さな角度でのみ回転して基板１０の回転角度（のみ）を僅かに（又は、若干）調整するだけであるため、第２の吸込孔２ｂを介した吸込力だけでも基板１０がサブ浮上テーブル１１ａにリンク（又は、接続）されてサブ浮上テーブル１１ａの回転につれて基板１０の回転角度が調整されるようにすることができる。

【0073】

例えば、第２のパージ孔２ａは、複数本で構成されてもよく、第２のガス供給ラインにより複数本の第２のパージ孔２ａが互いに接続（又は、連通）可能であり、一つの窒素（Ｎ_２）供給部１１３ｂから複数本の第２のパージ孔２ａに窒素（Ｎ_２）が振り分けられて供給されることが可能になる。このとき、浮上ステージ１１１ａの窒素（Ｎ_２）供給部１１３ａとサブ浮上テーブル１１ａの窒素（Ｎ_２）供給部１１３ｂには一つの窒素（Ｎ_２）供給源（図示せず）から窒素（Ｎ_２）が振り分けられて供給されてもよいし、あるいは、それぞれの窒素（Ｎ_２）供給源（図示せず）から窒素（Ｎ_２）がそれぞれ供給されてもよい。また、第２の吸込孔２ｂもまた複数本で構成されて第２の排気ライン（図示せず）により互いに接続（又は、連通）可能であり、一つの真空ポンプ（図示せず）により複数本の第２の吸込孔２ｂの真空引きが行われることが可能になる。

【0074】

第１のテーブル回転部１１ｂは、サブ浮上テーブル１１ａを回転させて基板１０の回転角度を調整することができ、サブ浮上テーブル１１ａが窒素（Ｎ_２）を噴射して基板１０を浮揚支持した状態で第２の吸込孔２ｂを介した吸込力にて基板１０をサブ浮上テーブル１１ａの上に固定することにより、第１のテーブル回転部１１ｂがサブ浮上テーブル１１ａを回転させることにより、（リンクされた）基板１０もまた共回り（又は、一緒に回転）して基板１０の回転角度が調整されることが可能になる。

【0075】

そして、第１のチャンバー部１１０は、第１のチャンバー部１１０内に搬入された基板１０の整列状態を確認する整列感知部（図示せず）をさらに備えていてもよい。整列感知部（図示せず）は、第１のチャンバー部１１０内に搬入された基板１０の整列状態を確認することができ、浮上ステージ１１１ａに対して基板１０を整列して基板１０が整列された状態で第１の搬送部１１１を介して搬送されながらレーザービーム２０が照射されるようにすることができる。

【0076】

例えば、整列感知部（図示せず）は、整列センサー（ａｌｉｇｎ ｓｅｎｓｏｒ）又はカメラ（ｃａｍｅｒａ）などであってもよく、基板１０が浮上ステージ１１１ａに対して整列されたか否かの確認のみを行ってよいし、あるいは、ビジョン（ｖｉｓｉｏｎ）にて基板１０の整列状態を自ら目視（又は、確認）してもよい。

【0077】

このとき、角度調整部１１１ｃは、前記基板１０の回転角度を調整して基板１０を整列することができ、前記整列感知部（図示せず）において確認された基板１０の整列状態に応じて前記基板１０の回転角度を調整することができ、基板１０が浮揚された状態で固定支持されたサブ浮上テーブル１１ａを回転させて基板１０を浮上ステージ１１１ａに対して整列することができる。例えば、前記ビジョンにて基板１０の整列状態を自ら目視しながら（又は、確認しながら）浮上ステージ１１１ａに対して基板１０が整列されるまでサブ浮上テーブル１１ａを所定の角度にて回転させることができる。

【0078】

このように、浮上ステージ１１１ａ上において基板１０が浮上ステージ１１１ａに対して整列された後に（又は、状態で）グリッパー１１１ｂが基板１０に接触して固定支持することができ、グリッパー１１１ｂが浮上ステージ１１１ａの上に移動して浮上ステージ１１１ａに沿って基板１０を移動させることができる。

【0079】

一方、工程に応じて浮上ステージ１１１ａに対して前記基板１０の回転角度を（僅かに）傾くように（ｔｉｌｔｉｎｇ）してもよく、角度調整部１１１ｃは、浮上ステージ１１１ａに対して前記基板１０の回転角度を調整することもでき、浮上ステージ１１１ａに対して前記基板１０の回転角度が（僅かに）傾くように前記基板１０の回転角度を調整した後に（又は、状態で）、グリッパー１１１ｂが基板１０に接触して固定支持することができる。

【0080】

そして、第２の搬送部１２１は、第３のパージ孔（図示せず）を介して圧縮空気を噴射して基板１０を浮揚させながら第３の吸込孔（図示せず）を介して吸込力を提供して基板１０を浮揚された状態で固定支持する回転テーブル１２１ａと、基板１０とともに回転テーブル１２１ａを回転させる第２のテーブル回転部ｒと、を備えていてもよい。回転テーブル１２１ａは、第３のパージ孔（図示せず）を介して圧縮空気を噴射して基板１０を浮揚させながら第３の吸込孔（図示せず）を介して吸込力を提供して基板１０を浮揚された状態で固定支持することができ、サブ浮上テーブル１１ａと同様に、基板１０を浮揚させた状態で基板１０との接触なしに第３の吸込孔（図示せず）を介した吸込力のみを提供して回転テーブル１２１ａの回転につれて基板１０が共回り（又は、一緒に回転）できるように基板１０を固定支持することができる。

【0081】

しかしながら、回転テーブル１２１ａの第３のパージ孔（図示せず）は、サブ浮上テーブル１１ａの第２のパージ孔２ａから噴射するガスとは異なるガスを噴射して基板１０を浮揚させることができ、第１のチャンバー部１１０は、直接的に工程が行われて前記工程雰囲気が形成される個所（又は、空間）であるため、サブ浮上テーブル１１ａの第２のパージ孔２ａが前記雰囲気ガスと同じ窒素（Ｎ_２）を噴射して基板１０を浮揚させるのに対し、第２のチャンバー部１２０は、工程が行われなくて前記工程雰囲気が形成されなくても済む個所ではないため、回転テーブル１２１ａの第３のパージ孔（図示せず）が前記雰囲気ガスである窒素（Ｎ_２）の代わりに圧縮空気を噴射して基板１０を浮揚させることができる。

【0082】

また、回転テーブル１２１ａは、１８０°以上の大きな角度範囲を回転しなければならないため、回転テーブル１２１ａの第３の吸込孔（図示せず）は複数本で構成されて９０°未満という小さな角度だけで回転するサブ浮上テーブル１１ａの第２の吸込孔２ｂの本数よりも多くてもよく、複数本の第３の吸込孔（図示せず）を介して十分な吸込力を提供して第３の吸込孔（図示せず）を介した吸込力だけでも基板１０との接触なしに回転テーブル１２１ａの上に浮揚された基板１０を固定支持することができ、基板１０が回転テーブル１２１ａにリンク（又は、接続）されて回転テーブル１２１ａの回転につれて基板１０もまた共回り（又は、一緒に回転）することができる。このとき、サブ浮上テーブル１１ａの第２の吸込孔２ｂよりも多い複数本の第３の吸込孔（図示せず）を介した十分な吸込力を用いて基板１０に対して安定的な固定力を提供して回転テーブル１２１ａの回転の際に基板１０の揺動又は逸脱などなしに回転テーブル１２１ａの回転につれて安定的に基板１０が回転することが可能になる。

【0083】

一方、第３のパージ孔（図示せず）もまた複数本で構成されてもよく、複数本の第３のパージ孔（図示せず）は、圧縮空気を噴射して少ない数の第３のパージ孔（図示せず）でも十分な基板１０の浮揚力を提供することができるので、サブ浮上テーブル１１ａの第２のパージ孔２ａの本数よりも少ない数でも安定的に基板１０を浮揚させることができる。

【0084】

第２のテーブル回転部ｒは、基板１０とともに回転テーブル１２１ａを回転させることができ、回転テーブル１２１ａが圧縮空気を噴射して基板１０を浮揚支持した状態で第３の吸込孔（図示せず）を介した吸込力にて基板１０を回転テーブル１２１ａの上に固定することにより、第２のテーブル回転部ｒが回転テーブル１２１ａを回転させることにより、（リンクされた）基板１０もまた共回りすることができる。

【0085】

一方、第２のチャンバー部１２０における第２の搬送部１２１中の回転テーブル１２１ａ以外の区間（又は、空間）には第２の浮上ステージが配設されてもよく、前記第２の浮上ステージは、浮上ステージ１１１ａとは異なり、圧縮空気を噴射して基板１０を浮揚させることができ、グリッパー１１１ｂのように第２のグリッパーを介して基板１０を固定支持して前記第２の浮上ステージに沿って基板１０を移動させることができる。ここで、前記第２のグリッパーは、回転テーブル１２１ａの回転の際に基板１０に対する固定支持を解放していて、回転テーブル１２１ａの回転につれて基板１０が回転した後に（再び）基板１０を固定支持してもよい。

【0086】

図３は、本発明の一実施形態に係る第２の搬送部を説明するための概念図であって、図３の（ａ）は、第２の搬送部の概略斜視図を示し、図３の（ｂ）は、第２の搬送部の正面図を示す。

【0087】

図３を参照すると、第２の搬送部１２１は、圧縮空気を噴射する噴射孔１２ａを備え、噴射孔１２ａを介して基板１０を浮揚させるエア浮上プレート１２１ｂと、エア浮上プレート１２１ｂに配設されて、エア浮上プレート１２１ｂの上に浮揚された状態で基板１０を固定支持する固定支持部材１２１ｃと、固定支持部材１２１ｃを介して基板１０がリンク（ｌｉｎｋ）されたエア浮上プレート１２１ｂを移動させるプレート駆動部１２１ｄと、を備えていてもよい。エア浮上プレート１２１ｂは、噴射孔１２ａを備えていてもよく、噴射孔１２ａを介して圧縮空気を噴射して基板１０を浮揚させることができ、これにより、従来に搬送ステージの表面と基板１０との接触により基板１０の搬送中に必然的に生じることを余儀なくされていた基板１０の表面の打痕キズ（へこみ傷）及び引っ掻きキズなどを防ぐことができる。

【0088】

固定支持部材１２１ｃは、エア浮上プレート１２１ｂに配設されてエア浮上プレート１２１ｂの上に浮揚された状態で基板１０を固定支持することができ、エア浮上プレート１２１ｂに接続（又は、結合）可能であり、エア浮上プレート１２１ｂの上に浮揚された固定支持した状態でエア浮上プレート１２１ｂとともに移動することができる。

【0089】

例えば、固定支持部材１２１ｃは、基板１０に接触して固定支持することができ、基板１０を吸着固定（又は、支持）することもでき、基板１０を把持して支持するグリッパーの形態であってもよい。固定支持部材１２１ｃは、エア浮上プレート１２１ｂの上に浮揚された状態で基板１０を固定支持してエア浮上プレート１２１ｂの移動につれて一緒に（又は、併せて）移動しながら基板１０もまた一緒に移動するようにすることができる。このとき、固定支持部材１２１ｃもまた、基板１０の周縁（部）を固定支持することができ、前記ダミー部分を固定支持することができる。

【0090】

プレート駆動部１２１ｄは、固定支持部材１２１ｃを介して基板１０がリンク（又は、接続）されたエア浮上プレート１２１ｂを移動させることができ、少なくとも第２のチャンバー部１２０の延在方向に沿って前記第１の方向と並ぶ方向にエア浮上プレート１２１ｂを移動させることができ、基板１０が固定支持部材１２１ｃを介してエア浮上プレート１２１ｂとリンクされて、基板１０もまたエア浮上プレート１２１ｂの移動につれて少なくとも前記第１の方向と並ぶ方向に移動することができる。

【0091】

例えば、プレート駆動部１２１ｄは、前記第１の方向と並ぶ方向に延びる第１のレール２１ａと、第１のレール２１ａに沿って前記第１の方向と並ぶ方向に移動（又は、走行）可能な第１の走行部２１ｂと、第１の走行部２１ｂの上に配設されて前記第１の方向と交差する第２の方向に延びる第２のレール２１ｃ及び第２のレール２１ｃに沿って前記第２の方向に移動（又は、走行）可能な第２の走行部２１ｄを備えていてもよい。第１のレール２１ａは、前記第１の方向と並ぶ方向に延びてもよく、複数本が並ぶように配置されてもよい。

【0092】

第１の走行部２１ｂは、第１のレール２１ａに沿って前記第１の方向と並ぶ方向に走行（又は、移動）することができ、複数本の第１のレール２１ａにそれぞれ配設される複数の可動体と前記複数の可動体同士をつなぐ接続プレートとから構成されてもよい。

【0093】

第２のレール２１ｃは、第１の走行部２１ｂの上（例えば、前記接続プレートの上）に配設（又は、配置）されてもよく、第１の走行部２１ｂと接続（又は、リンク）されてもよく、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びてもよく、複数本が並ぶように配置されてもよい。

【0094】

第２の走行部２１ｄは、第２のレール２１ｃに沿って前記第２の方向に走行（又は、移動）することができ、複数本の第２のレール２１ｃにそれぞれ接続される複数の脚部を有する移動テーブルから構成されてもよい。

【0095】

第２の走行部２１ｄの上（例えば、前記移動テーブルの上）にエア浮上プレート１２１ｂが配設（又は、配置）されて第２の走行部２１ｄと接続（又は、リンク）されることにより、前記第２の方向への第２の走行部２１ｄの移動につれてエア浮上プレート１２１ｂが前記第２の方向に移動することができ、これにより、基板１０もまた前記第２の方向に移動することができる。また、第２のレール２１ｃが第１の走行部２１ｂと接続されて前記第１の方向と並ぶ方向への第１の走行部２１ｂの移動につれて第２のレール２１ｃと第２の走行部２１ｄが前記第１の方向と並ぶ方向に移動することができ、これにより、第２の走行部２１ｄと接続されたエア浮上プレート１２１ｂもまた基板１０とともに前記第１の方向と並ぶ方向に移動することができ、基板１０が前記第１の方向と並ぶ方向に搬送されることが可能になる。

【0096】

そして、第２のチャンバー部１２０は、基板１０とリンクされたエア浮上プレート１２１ｂを回転させるプレート回転部１２２をさらに備えていてもよい。プレート回転部１２２は、基板１０とリンクされたエア浮上プレート１２１ｂを回転させることができ、エア浮上プレート１２１ｂのみを回転させてもよいし、あるいは、第２の走行部２１ｄ、第２のレール２１ｃ、第１の走行部２１ｂ又は第１のレール２１ａなどの他の構成要素とともにエア浮上プレート１２１ｂを回転させてもよい。例えば、プレート回転部１２２は、エア浮上プレート１２１ｂと第２の走行部２１ｄとの間に配設されてエア浮上プレート１２１ｂを回転させることができ、エア浮上プレート１２１ｂが回転することにより、エア浮上プレート１２１ｂにリンクされた基板１０もまた共回り（又は、一緒に回転）することができる。ここで、プレート回転部１２２は、１８０°以上に基板１０が回転するようにエア浮上プレート１２１ｂを回転させてもよく、エア浮上プレート１２１ｂには固定支持部材１２１ｃが配設されて基板１０に対して安定的な固定力を提供することにより、たとえエア浮上プレート１２１ｂが１８０°以上に回転するとしても、エア浮上プレート１２１ｂの回転の際に基板１０の揺動又は逸脱などなしに、エア浮上プレート１２１ｂの回転につれて安定的に基板１０が回転することが可能になる。

【0097】

このとき、第２のチャンバー部１２０は、エア浮上プレート１２１ｂの下部の中央に接続されてエア浮上プレート１２１ｂの噴射孔１２１ａに前記圧縮空気を供給する軟性ガスライン部１２３をさらに備えていてもよい。軟性ガスライン部１２３は、エア浮上プレート１２１ｂの噴射孔１２１ａに前記圧縮空気を供給することができ、エア浮上プレート１２１ｂの移動に影響を与えたり影響を受けたりしないように可撓性（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有していてもよい。例えば、軟性ガスライン部１２３は、エア浮上プレート１２１ｂの移動につれて形状、長さ、両端間の距離のうちの少なくともいずれか一つが可変となるケーブルスリーブ（ｃａｂｌｅ ｓｌｅｅｖｅ）から構成されてもよい。

【0098】

また、エア浮上プレート１２１ｂは、回転もするため、軟性ガスライン部１２３は、エア浮上プレート１２１ｂの回転に影響を与えたり影響を受けたりしないようにエア浮上プレート１２１ｂの下部の中央に接続されてもよい。エア浮上プレート１２１ｂは、３６０°に近く（例えば、約２７０°まで）回転しなければならないため、エア浮上プレート１２１ｂのいずれか片側に偏って軟性ガスライン部１２３が接続される場合にはエア浮上プレート１２１ｂが回転しながら軟性ガスライン部１２３がもつれてしまうなどエア浮上プレート１２１ｂの回転に干渉されてしまう虞がある。しかしながら、エア浮上プレート１２１ｂの回転軸と同心軸にエア浮上プレート１２１ｂの下部の中央に軟性ガスライン部１２３を接続する場合には、たとえエア浮上プレート１２１ｂが３６０°回転するとしても、軟性ガスライン部１２３がもつれることがなくなり、エア浮上プレート１２１ｂの回転に干渉されなくなる。

【0099】

第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０は、前記第１の雰囲気と前記第２の雰囲気であって、（ガス）の雰囲気が互いに異なるため、第１の搬送部１１１と第２の搬送部１２１において基板１０を浮揚させるのに用いるガスが窒素（Ｎ_２）と圧縮空気であって、互いに異なる可能性があり、これにより、第１の搬送部１１１と第２の搬送部１２１は、基板１０の搬送のための構成及び／又はそれによる搬送方式が互いに異なる可能性がある。

【0100】

したがって、本発明に係る基板処理装置１００は、基板１０を浮揚させるためのガスとして窒素（Ｎ_２）などの雰囲気ガスを用いなければならない区間（又は、空間）が減って、窒素（Ｎ_２）の使用量をさらに減らすことができ、窒素（Ｎ_２）の使用量を最小限に抑えることができる。

【0101】

一方、第２のチャンバー部１２０は、基板１０を検査する基板検査部１２５をさらに備えていてもよい。基板検査部１２５は、基板１０を検査することができ、基板１０に異常がないか、あるいは、基板１０の処理が上手く施されたかなど基板１０の状態を確認することができる。このとき、第２の搬送部１２１を介して基板１０を搬送したり、プレート回転部１２２を介して基板を回転させながら基板１０を検査したりすることもできる。本発明はこれに特に限定されるものではなく、基板検査部１２５は、多種多様な方法により基板１０を検査することができる。

【0102】

そして、浮上ステージ１１１ａは、第１のパージ孔１ａと第１の吸込孔１ｂのうちの少なくともどちらか一方の数が互いに異なる第１及び第２の領域を備えていてもよい。第１及び第２の領域は、第１のパージ孔１ａと第１の吸込孔１ｂのうちの少なくともどちらか一方の数が互いに異なっていてもよく、レーザー部１１２からの距離（すなわち、前記レーザービームが照射される位置からの距離）に応じて仕切り可能である。

【0103】

例えば、レーザー部１１２から距離が近い個所を前記第１の領域とすることができ、実質的にレーザービーム２０が照射されて工程が行われる個所（すなわち、前記レーザービームが照射される位置）に近い個所であるため、精度よく基板１０を浮上させて基板１０がフラット（ｆｌａｔ）になるようにすることで、基板１０に対して精度良い（及び／又は、均一な）レーザー処理が施されるようにすることができる。また、レーザー部１１２から距離が遠い個所を前記第２の領域とすることができ、実質的にレーザービーム２０が照射されて工程が行われる個所（すなわち、前記レーザービームが照射される位置から遠い個所）であるため、レーザー工程の間に（ほとんど）影響を及ぼさないため、基板１０が浮上して速やかに前記第１の方向に搬送されるようにすることができる。

【0104】

ここで、前記第１の領域は、前記第２の領域よりもレーザー部１１２に隣接しており、第１の本数の第１のパージ孔１ａを有していてもよく、前記第２の領域は、前記第１の本数よりも少ない第２の本数の第１のパージ孔１ａを有していてもよい。前記第１の領域は、前記第２の領域よりもレーザービーム２０が照射される位置（又は、前記レーザー部）に隣接していてもよく、前記レーザービーム２０が照射される位置に接していてもよく、基板１０に対して精度良い（及び／又は、均一な）レーザー処理が行われるようにするために精度よく基板１０を浮上させる高精細の区間（又は、領域）又は工程領域（又は、区間）であってもよい。このとき、前記第１の領域は、第１の本数の第１のパージ孔１ａを有していてもよく、精度良い基板１０の浮上のために多い数（又は、多数）の第１のパージ孔１ａを有していてもよく、これにより、基板１０の浮上を精度よく制御することができる。

【0105】

前記第２の領域は、前記第１の本数よりも少ない第２の本数の第１のパージ孔１ａを有していてもよく、前記第１の領域よりも前記レーザービーム２０が照射される位置から離隔していてもよい。例えば、前記第２の領域は、基板１０を浮上させて速やかに前記第１の方向に（又は、前記第１の領域に）搬送する搬送区間（又は、領域）又は非工程領域（又は、区間）であってもよく、基板１０を浮上可能な程度であれば済むため、少ない数（又は、少数）の第１のパージ孔１ａを有していてもよい。このとき、前記第２の領域は、少ない数の第１のパージ孔１ａにより基板１０の浮揚（又は、浮上）を保持することができ、基板１０が浮揚された状態で速やかに前記第１の方向に移動するようにすることができる。

【0106】

ここで、前記第１の領域は、第１のパージ孔１ａと第１の吸込孔１ｂとが交互に配置されてもよい。例えば、前記第１の領域においては、第１のパージ孔１ａと第１の吸込孔１ｂとが前記第１の方向に交互に配置されてもよく、第１のパージ孔１ａと第１の吸込孔１ｂとが前記第２の方向に交互に配置されてもよく、第１のパージ孔１ａと第１の吸込孔１ｂとが前記第１の方向と前記第２の方向の両方ともに交互に配置されてもよい。このとき、高い基板１０の扁平度のためには、前記第１の方向と前記第２の方向の両方ともに第１のパージ孔１ａと第１の吸込孔１ｂとが交互に配置されることが好ましい。

【0107】

このため、前記第１の領域において（領域ごとに）第１のパージ孔１ａと第１の吸込孔１ｂとが一様に（又は、均一に）振り分けられて第１のパージ孔１ａから噴射される窒素（Ｎ_２）の流れが形成されることができ、浮上ステージ１１１ａと基板１０との間に領域ごとに（又は、全体的に）ガス密度の勾配が均一になり、これにより、基板１０の撓み現象をさらに有効に抑止もしくは防止することができる。

【0108】

そして、前記第２の領域は、第１の吸込孔１ｂの本数が第１のパージ孔１ａの本数よりも少数であってもよい。ここで、前記第２の領域は、第１の吸込孔１ｂの本数が前記第２の本数よりも少数であってもよく、第１の吸込孔１ｂがなくてもよい。前記第２の領域においては、実質的な工程が行われない非工程領域であるため、速やかに基板１０を前記第１の方向に搬送さえすれば済むため、第１のパージ孔１ａを介して基板１０を浮揚（又は、浮上）できればよい。このとき、第１の吸込孔１ｂが全くなければ、基板１０の撓み現象が生じて基板１０の損傷が生じる虞があるため、基板１０の損傷が生じないほどに基板１０の撓みを抑える（又は、最小限に抑える）ために、前記第２の領域は少なくとも１つ以上であり、前記第２の本数よりも少数の第１の吸込孔１ｂを有していてもよい。

【0109】

また、前記第１の領域は、第１のパージ孔１ａ又は第１の吸込孔１ｂが形成される凹部を備えていてもよい。前記凹部には第１のパージ孔１ａと第１の吸込孔１ｂのうちのどちらか一方が形成されてもよく、前記凹部は、底面と側壁とからなって前記底面に形成された第１のパージ孔１ａ又は第１の吸込孔１ｂと連通していてもよく、このことから、第１のパージ孔１ａと第１の吸込孔１ｂのうちの少なくともどちらか一方の周りに配設されることが可能になる。すなわち、第１のパージ孔１ａが前記凹部に形成されて前記凹部が前記第１の領域の第１のパージ孔１ａの周りに配設（又は、形成）されてもよく、第１の吸込孔１ｂが前記凹部に形成されて前記凹部が前記第１の領域の第１の吸込孔１ｂの周りに配設されてもよく、前記凹部が前記第１の領域の第１のパージ孔１ａと第１の吸込孔１ｂの周りの両方ともに配設されてもよい。このとき、第１の吸込孔１ｂが前記凹部に形成されて前記凹部が少なくとも前記第１の領域の第１の吸込孔１ｂの周りに配設されることが好ましい。

【0110】

前記第１の領域の第１の吸込孔１ｂの周りに配設される前記凹部は、前記吸込力が第１の吸込孔１ｂに対応する（又は、前記吸込孔に位置している）部分（又は、一ヵ所）に集中せず、前記凹部の広さ（又は、面積）に見合う広い領域（又は、部分）に分散させることができ、これにより、前記第１の吸込孔１ｂに対応する部分と他の（又は、前記第１の吸込孔１ｂに対応する部分ではない）部分との間の高さのばらつきを抑える（又は、最小限に抑える）ことができる。前記第１の領域の第１の吸込孔１ｂの周りに前記凹部がない場合には、前記吸込力が基板１０中の前記第１の吸込孔１ｂに対応する部分に集中することにつれて、前記第１の吸込孔１ｂに対応する部分の高さが前記他の部分よりも低くなり、前記第１の吸込孔１ｂに対応する部分と前記他の部分との間の高さのばらつきが生じてしまい、第１のパージ孔１ａに対応する（又は、前記パージ孔に位置している）部分とは高さのばらつきがさらに大きくなる。しかしながら、前記第１の領域の第１の吸込孔１ｂの周りに前記凹部が配設される場合には、前記吸込力が前記凹部に見合う広い部分（又は、領域）に分散可能であり、これにより、前記第１の吸込孔１ｂに対応する部分と前記他の部分との間の高さのばらつきが抑えられる（又は、最小限に抑えられる）。

【0111】

第１のパージ孔１ａは、狭い（断）面積の圧力の高い個所から広い（断）面積の圧力の低い個所へと窒素（Ｎ_２）が噴射されながら、広い領域（又は、部分）に行き渡っていくことができるので、前記第１の領域の第１のパージ孔１ａの周りに前記凹部が配設されなくてもよいが、窒素（Ｎ_２）が行き渡っていく広さ（又は、面積）を制御して第１のパージ孔１ａに対応する（又は、前記パージ孔に位置している）部分と他の部分との間の高さのばらつきを最小限に抑えることができる。また、前記第１の領域の第１のパージ孔１ａの周りに配設される前記凹部は、前記凹部に見合う部分（又は、領域）にできる限り（又は、最大限に）垂直な窒素（Ｎ_２）の流れ（又は、噴射方向）を形成することもできる。一般に、狭い個所から広い個所へと窒素（Ｎ_２）が噴射される場合には、位置ごとに窒素（Ｎ_２）の噴射方向（又は、流れ）又は噴射角度が異なってくる可能性があり、このような窒素（Ｎ_２）の噴射方向により垂直な窒素（Ｎ_２）の流れとの（噴射）角度の違いにより、基板１０の位置ごとの高さのばらつきが生じる虞がある。しかしながら、前記第１の領域の第１のパージ孔１ａの周りに前記凹部が配設される場合には、前記凹部において窒素（Ｎ_２）が前記凹部に見合うように広く行き渡っていくことができ、これにより、前記凹部に見合う広い部分（又は、領域）において垂直な窒素（Ｎ_２）の流れが形成されることが可能になる。

【0112】

前記第１の領域の第１の吸込孔１ｂの周りに配設される前記凹部及び／又は前記第１の領域の第１のパージ孔１ａの周りに配設される前記凹部を用いて、前記第１の吸込孔１ｂに対応する部分と前記他の部分、及び／又は前記第１のパージ孔１ａに対応する部分と前記他の部分との間の高さのばらつきを抑えて（又は、最小限に抑えて）より一層平らに基板１０を浮上させることができ、これにより、さらに精度良いレーザー処理が施されることが可能になる。

【0113】

前記第２の領域の第１の吸込孔１ｂ及び／又は第１のパージ孔１ａにも前記凹部が配設されてもよいが、前記第２の領域においては（非常に）平らな（又は、精度良い）基板１０の浮上が不要であるため、前記第２の領域の第１の吸込孔１ｂ及び／又は第１のパージ孔１ａには前記凹部を形成しなくてもよい。

【0114】

ここで、前記凹部は、前記第２の方向に延びてもよく、前記第２の方向の長さが前記第１の方向の幅（又は、長さ）よりもさらに長くてもよい。レーザービーム２０は、前記第２の方向に延びるラインビーム（ｌｉｎｅ ｂｅａｍ）であってもよく、このような場合には、ラインビームの形状のレーザービーム２０が同時に照射される部分（又は、領域）が均一にレーザー処理できるようにレーザービーム２０の延在方向に沿って基板１０を平らに支持することが肝要である。前記凹部が前記第２の方向に延びて前記第２の方向の長さが前記第１の方向の幅よりもさらに長い場合には、前記凹部の延在方向に沿って前記凹部において吸込力などが前記第２の方向に分散されて（又は、振り分けられて）前記第２の方向に前記第１の吸込孔１ｂに対応する部分と前記他の部分との間、及び／又は前記第１のパージ孔１ａに対応する部分と前記他の部分との間の高さのばらつきを抑える（又は、最小限に抑える）ことができ、基板１０中のラインビームの形状のレーザービーム２０が同時に照射されるべき（又は、照射される）部分を平らに支持することができる。これにより、ラインビームの形状のレーザービーム２０が同時に照射される部分が均一にレーザー処理されることが可能になる。

【0115】

したがって、本発明の基板処理装置１００は、浮上ステージ１１１ａを第１のパージ孔１ａの本数が相対的に多めの前記第１の領域と第１のパージ孔１ａの本数が相対的に少なめの前記第２の領域とに仕切ることにより、レーザービーム２０が照射される領域と隣り合う前記第１の領域においては浮上の高さ及び浮上の度合いを保持して精度良いレーザー工程を行うことができ、前記レーザービーム２０が照射される領域から遠い前記第２の領域においては基板１０の移動速度を向上させることができる。これにより、前記第１の領域における精度良いレーザー工程により安定性を確保しながら、前記第２の領域における向上した移動速度を用いて生産量を増大させることもできる。

【0116】

図４は、本発明の一実施形態に係る基板の分割処理を順番に示す図であって、図４の（ａ）は、第１のチャンバー部への基板の搬入を示し、図４の（ｂ）は、半分がレーザービームにより結晶化された基板の搬出を示し、図４の（ｃ）は、半分が結晶化された基板の回転を示し、図４の（ｄ）は、半分が結晶化されかつ回転して第１のチャンバー部に再搬入された基板の搬送を示し、図４の（ｅ）は、基板の残りの半分に対する結晶化を示す。

【0117】

図４を参照すると、レーザー部１１２は、前記第１の方向と交差する第２の方向の長さが基板１０の前記第２の方向の長さよりもさらに短いレーザービーム２０を照射することができる。レーザービーム２０は、ラインビームであってもよく、前記第２の方向に延びてもよく、前記第２の方向の長さが基板１０の前記第２の方向の長さよりもさらに短くてもよい。このような場合、基板１０の部分（又は、領域）を仕切ってレーザー処理（又は、前記レーザービームのスキャン）が行われることができ、基板１０を分割してレーザー処理を施すことができて、基板１０のサイズ（ｓｉｚｅ）に合わせて好適に対応することもできる。

【0118】

例えば、第１のチャンバー部１１０において（１次的に）基板１０の半分１０ａをレーザービーム２０により（第１）スキャンされるようにしてレーザー処理を施した後に、第２のチャンバー部１２０において回転テーブル１２１ａと第２のテーブル回転部ｒ又はエア浮上プレート１２１ｂとプレート回転部１２２を介して基板１０を回転させ、第１のチャンバー部１１０に（再び）搬入して基板１０の残りの半分１０ｂがレーザービーム２０により（第２）スキャンされるようにすることで、基板１０の残りの半分１０ｂをレーザー処理することができる。これにより、大型の基板１０の全体に対するレーザー処理がインライン（ｉｎ－ｌｉｎｅ）工程により行われることが可能になる。

【0119】

また、レーザービーム２０の前記第２の方向の長さが前記基板１０の前記第２の方向の長さよりもさらに短い場合には、グリッパー１１１ｂが支持（又は、固定）可能な部分（又は、領域）を確保することもでき、グリッパー１１１ｂがレーザービーム２０に干渉されないながらも、基板１０を前記第１の方向に線状移動させる（又は、搬送する）ことができる。

【0120】

したがって、本発明に係る基板処理装置１００は、第２のチャンバー部１２０に第２の搬送部１２１の回転テーブル１２１ａと第２のテーブル回転部ｒ又はプレート回転部１２２が配設されることにより、基板１０を回転させることで、レーザービーム２０により基板１０の一部ずつスキャンすることができる。これにより、たとえ基板１０の大型化が進むとしても、レーザービーム２０のサイズ（ｓｉｚｅ）を（ほとんど）変更せずとも、基板１０のサイズに合わせて好適に対応することができ、第１のチャンバー部１１０と第２のチャンバー部１２０とから拡張性よく基板処理装置１００を構成することもできる。

【0121】

一方、本発明の基板処理装置１００は、搬送ユニット５１が配設された搬送チャンバー５０をさらに備えていてもよく、搬送ユニット５１を介して第２のチャンバー部１２０、昇降部１３０又は第１のチャンバー部１１０に基板１０を搬入及び搬出することができ、第２のチャンバー部１２０、昇降部１３０又は第１のチャンバー部１１０と搬送チャンバー５０との間には搬送ゲート５５が配設されて搬送ゲート５５を介して基板１０が搬入及び搬出されることが可能になる。

【0122】

このように、本発明においては、互いに並ぶように配置される第１及び第２のチャンバー部にそれぞれ互いに異なる雰囲気を形成することにより、窒素などの工程雰囲気を形成しなければならない第１のチャンバー部のサイズを最小限に抑えることができ、工程雰囲気のための窒素など雰囲気ガスの使用量を減らすことができる。また、基板を浮揚させるためのガスとして窒素などの雰囲気ガスを用いなければならない区間が減って、雰囲気ガスの使用量をさらに減らすことができ、雰囲気ガスの使用量を最小限に抑えることができる。そして、第１のチャンバー部に配設された第１の搬送部の浮上ステージは、雰囲気ガスを噴射する第１のパージ孔のみならず、排気が行われる第１の吸込孔をも備えることにより、浮上ステージと基板との間に全体的に均一なガス密度の勾配が形成されて基板の撓み現象を抑止もしくは防止することができる。さらに、第１の吸込孔の本数に応じて、相対的に第１のパージ孔の本数が減って、雰囲気ガスの使用量がさらに減るという効果も奏される。一方、第２のチャンバー部には第２の搬送部の回転テーブルと第２のテーブル回転部又はプレート回転部が配設されることにより、基板を回転させることで、レーザービームにより基板の一部ずつスキャンすることができ、これにより、たとえ基板の大型化が進むとしても、レーザービームのサイズを変更せずとも、基板のサイズに合わせて好適に対応することができる。

【0123】

上記の説明の際に使われた「～上に」という言い回しの意味合いは、直接的に接触する場合と直接的に接触はしないものの、上部又は下部に対向して位置する場合を含み、上部面又は下部面の全体に対向して位置することも可能であれば、部分的に対向して位置することも可能であり、位置上に離れて対向したり、上部面又は下部面に直接的に接触したりするという意味合いとして使われている。

【0124】

以上、本発明に好適な実施形態について図示しかつ説明したが、本発明は、上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、特許請求の範囲において請求する本発明の要旨を逸脱することなく、当該本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、様々な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということは理解できる筈である。よって、本発明の技術的な保護範囲は、特許請求の範囲によって定められるべきである。

【符号の説明】

【0125】

１ａ：第１のパージ孔
１ｂ：第１の吸込孔
２ａ：第２のパージ孔
２ｂ：第２の吸込孔
１０：基板
１０ａ：基板の半分
１０ｂ：基板の残りの半分
１１ａ：サブ浮上テーブル
１１ｂ：第１のテーブル回転部
１２ａ：噴射孔
２０：レーザービーム
２１ａ：第１のレール
２１ｂ：第１の走行部
２１ｃ：第２のレール
２１ｄ：第２の走行部
５０：搬送チャンバー
５１：搬送ユニット
５５：搬送ゲート
１００：基板処理装置
１１０：第１のチャンバー部
１１１：第１の搬送部
１１１ａ：浮上ステージ
１１１ｂ：グリッパー
１１１ｃ：角度調整部
１１１ｄ：グリッパー駆動部
１１２：レーザー部
１１３ａ、１１３ｂ：窒素供給部
１１５：ウィンドウ
１２０：第２のチャンバー部
１２１：第２の搬送部
１２１ａ：回転テーブル
１２１ｂ：エア浮上プレート
１２１ｃ：固定支持部材
１２１ｄ：プレート駆動部
１２２：プレート回転部
１２３：軟性ガスライン部
１２５：基板検査部
１３０：昇降部
１３１：昇降テーブル
１３２：基板ガイド部材
１４０：ゲート部
１４１：搬入ゲート
１４２：搬出ゲート
ｒ：第２のテーブル回転部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】