特開 2024-112364 複合電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024112364

(43)【公開日】2024-08-21

(54)【発明の名称】複合電子部品

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240814BHJP

   H05K 1/16 20060101ALI20240814BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 Q

H05K1/16 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023017292

(22)【出願日】2023-02-08

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100115738

【弁理士】

【氏名又は名称】鷲頭 光宏

(74)【代理人】

【識別番号】100121681

【弁理士】

【氏名又は名称】緒方 和文

(72)【発明者】

【氏名】露谷 和俊

(72)【発明者】

【氏名】石川 直之

【テーマコード（参考）】

4E351

5E316

【Ｆターム（参考）】

4E351AA01

4E351BB09

4E351BB15

4E351BB24

4E351BB26

4E351BB33

4E351BB35

4E351BB49

4E351CC06

4E351CC07

4E351DD04

4E351GG20

5E316AA04

5E316AA12

5E316AA16

5E316AA32

5E316AA43

5E316BB02

5E316BB04

5E316CC01

5E316CC32

5E316DD24

5E316DD33

5E316DD47

5E316EE33

5E316FF07

5E316FF13

5E316FF45

5E316GG17

5E316GG23

5E316GG28

5E316HH11

5E316JJ27

(57)【要約】

【課題】絶縁層に電子部品が埋め込まれた構造を有する複合電子部品において、電子部品と絶縁層の密着性を高める。
【解決手段】第１の配線構造体と第２の配線構造体の間に位置する絶縁層１２と、絶縁層１２に埋め込まれたＥＳＤ保護部品２とを備える。絶縁層１２は、絶縁層１２Ａ，１２Ｂを含む。絶縁層１２Ｂはバインダー樹脂とフィラーの混合物からなる。ＥＳＤ保護部品２は、絶縁層１２Ｂの表面Ｓ２と接する主面２Ｂと、絶縁層１２Ａの表面Ｓ１と接する裏面２Ａと、側面２Ｃとを有する。表面Ｓ１と側面２Ｃによって構成される角部Ｃには、バインダー樹脂と同じ樹脂材料からなる密着層１５のフィレットが形成されている。これにより、ＥＳＤ保護部品２と絶縁層１２の密着性が高められる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１及び第２の配線構造体と、
前記第１の配線構造体と前記第２の配線構造体の間に位置する絶縁層と、
前記絶縁層に埋め込まれた電子部品と、を備え、
前記絶縁層は、第１の表面を有する第１の絶縁層と、一部が前記第１の表面と接する第２の表面を有する第２の絶縁層とを含み、
前記第２の絶縁層は、少なくともバインダー樹脂とフィラーを含む混合物により形成され、
前記電子部品は、前記第２の絶縁層により覆われる主面と、前記主面の反対側に位置し、前記第１の絶縁層の前記第１の表面と接する裏面と、前記主面と前記裏面の間を連接する側面とを有し、
前記第１の絶縁層の前記第１の表面と前記電子部品の前記側面によって構成される角部には、前記第２の絶縁層に含まれる前記バインダー樹脂と同じ樹脂材料からなる密着層のフィレットが形成されている、複合電子部品。

【請求項2】

前記密着層は、前記第２の絶縁層に含まれる前記バインダー樹脂と同じ樹脂材料と、前記第２の絶縁層に含まれる前記フィラーとを含む混合物からなり、
前記第２の絶縁層における前記フィラーの含有密度は、前記密着層における前記フィラーの含有密度よりも高く、前記第２の絶縁層は前記密着層よりも熱膨張係数が低い、
請求項１に記載の複合電子部品。

【請求項3】

前記第１の絶縁層は、少なくともバインダー樹脂とフィラーを含む混合物により形成され、
前記第１の絶縁層における前記フィラーの含有密度は、前記密着層における前記フィラーの含有密度よりも高く、前記第１の絶縁層は前記密着層よりも熱膨張係数が低い、
請求項２に記載の複合電子部品。

【請求項4】

前記第１の絶縁層に含まれる前記バインダー樹脂と、前記第２の絶縁層に含まれる前記バインダー樹脂と、前記密着層に含まれる前記バインダー樹脂とが、互いに同じ樹脂材料である、
請求項３に記載の複合電子部品。

【請求項5】

前記第１の絶縁層に含まれる前記フィラーと、前記第２の絶縁層に含まれる前記フィラーと、前記密着層に含まれる前記フィラーとが、互いに同じ無機材料である、
請求項４に記載の複合電子部品。

【請求項6】

前記第２の絶縁層は前記第１の絶縁層よりも熱膨張係数が低い、請求項３に記載の複合電子部品。

【請求項7】

前記第２の絶縁層と接する前記密着層の表面は、凹面形状を有する、請求項１に記載の複合電子部品。

【請求項8】

前記密着層は、前記電子部品の前記側面の全体を覆う、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の複合電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は複合電子部品に関し、特に、電子部品が埋め込まれた絶縁層を備える複合電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、絶縁層に電子部品が埋め込まれた構造を有するプリント配線板が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５－２２６０１３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載されたプリント配線板おいては、電子部品と絶縁層の密着性が不足するおそれがあった。

【0005】

本開示においては、絶縁層に電子部品が埋め込まれた構造を有する複合電子部品において、電子部品と絶縁層の密着性を高める技術について説明される。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一側面による複合電子部品は、第１及び第２の配線構造体と、第１の配線構造体と第２の配線構造体の間に位置する絶縁層と、絶縁層に埋め込まれた電子部品とを備え、絶縁層は、第１の表面を有する第１の絶縁層と、一部が第１の表面と接する第２の表面を有する第２の絶縁層とを含み、第２の絶縁層は、少なくともバインダー樹脂とフィラーを含む混合物により形成され、電子部品は、第２の絶縁層により覆われる主面と、主面の反対側に位置し、第１の絶縁層の第１の表面と接する裏面と、主面と裏面の間を連接する側面とを有し、第１の絶縁層の第１の表面と電子部品の側面によって構成される角部には、第２の絶縁層に含まれるバインダー樹脂と同じ樹脂材料からなる密着層のフィレットが形成されている。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、絶縁層に電子部品が埋め込まれた構造を有する複合電子部品において、電子部品と絶縁層の密着性が高められる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、本開示に係る技術の一実施形態による複合電子部品１の外観を示す略斜視図である。

【図2】図２は、複合電子部品１の略断面図である。

【図3】図３は、複合電子部品１の略分解斜視図である。

【図4】図４は、導体層Ｃ４に設けられた導体パターンの形状を示す略平面図である。

【図5】図５は、導体層Ｃ３に設けられた導体パターンの形状を示す略平面図である。

【図6】図６は、導体層Ｃ２に設けられた導体パターンの形状を示す略平面図である。

【図7】図７は、ＥＳＤ保護部品２が埋め込まれた層の略平面図である。

【図8】図８は、導体層Ｃ１に設けられた導体パターンの形状を示す略平面図である。

【図9】図９は、導体層Ｃ０に設けられた導体パターンの形状を示す略平面図である。

【図10】図１０は、複合電子部品１の等価回路図である。

【図11】図１１は、複合電子部品１の製造方法を説明するためのプロセス図である。

【図12】図１２は、複合電子部品１の製造方法を説明するためのプロセス図である。

【図13】図１３は、複合電子部品１の製造方法を説明するためのプロセス図である。

【図14】図１４は、複合電子部品１の製造方法を説明するためのプロセス図である。

【図15】図１５は、複合電子部品１の製造方法を説明するためのプロセス図である。

【図16】図１６は、複合電子部品１の製造方法を説明するためのプロセス図である。

【図17】図１７は、複合電子部品１の製造方法を説明するためのプロセス図である。

【図18】図１８は、複合電子部品１の製造方法を説明するためのプロセス図である。

【図19】図１９は、複合電子部品１の製造方法を説明するためのプロセス図である。

【図20】図２０は、複合電子部品１の製造方法を説明するためのプロセス図である。

【図21】図２１は、複合電子部品１の製造方法を説明するためのプロセス図である。

【図22】図２２は、複合電子部品１の製造方法を説明するためのプロセス図である。

【図23】図２３は、複合電子部品１の製造方法を説明するためのプロセス図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、添付図面を参照しながら、本開示に係る技術の実施形態について詳細に説明する。

【0010】

図１は、本開示に係る技術の一実施形態による複合電子部品１の外観を示す略斜視図である。

【0011】

本実施形態による複合電子部品１は表面実装型のチップ部品であり、図１に示すように、素体１０と、素体１０の表面にアレイ状に配列された複数の外部端子とを備えている。複数の外部端子は、８つの信号端子２０～２７及び２つのグランド端子２８，２９からなる。

【0012】

図２は、複合電子部品１の略断面図である。

【0013】

図２に示すように、素体１０は、樹脂などからなる絶縁層１１～１４がこの順に積層された構造を有している。このうち、絶縁層１１は絶縁層１２の一方の表面１２ａ側に設けられ、絶縁層１３，１４は絶縁層１２の他方の表面１２ｂ側に設けられている。絶縁層１２の一方の表面１２ａと絶縁層１１の間には、導体層Ｃ１が形成される。絶縁層１１の表面には、導体層Ｃ０が形成される。導体層Ｃ０はソルダーレジスト３１によって覆われる。絶縁層１１及びその両面に配置された導体層Ｃ０，Ｃ１は、第１の配線構造体を構成する。導体層Ｃ０，Ｃ１は、それぞれ絶縁層１１，１２に埋め込まれている。これにより、導体層Ｃ０が絶縁層１１の表面から突出するように設けられている場合と比べて、第１の配線構造体の最表面の平坦性が高められることから、ソルダーレジスト３１の厚さを薄くしても、十分な絶縁特性を確保することが可能となる。図２に示す例では、第１の配線構造体に１層の絶縁層１１が含まれているが、第１の配線構造体に含まれる絶縁層の層数については特に限定されない。

【0014】

絶縁層１２の他方の表面１２ｂと絶縁層１３の間には、導体層Ｃ２が形成される。導体層Ｃ２は絶縁層１３によって覆われる。絶縁層１３の表面には、導体層Ｃ３が形成される。導体層Ｃ３は絶縁層１４によって覆われる。絶縁層１４の表面には、導体層Ｃ４が形成される。導体層Ｃ４はソルダーレジスト３２によって覆われる。絶縁層１３，１４及びこれらの両面に配置された導体層Ｃ２～Ｃ４は、第２の配線構造体を構成する。導体層Ｃ２，Ｃ３は、それぞれ絶縁層１３，１４に埋め込まれている。これに対し、導体層Ｃ４は、絶縁層１４の表面から突出している。図２に示す例では、第２の配線構造体に２層の絶縁層１３，１４が含まれているが、第２の配線構造体に含まれる絶縁層の層数については特に限定されない。

【0015】

絶縁層１１～１４は、いずれも表裏に導体層が存在する層間膜であり、その意味においてソルダーレジスト３１，３２は絶縁層に該当しない。したがって、最表層に位置する絶縁層は、絶縁層１１，１４である。図２に示す例では、ソルダーレジスト３１は、絶縁層１１の最表層の全面を覆っている。これにより、図２に示す例では、導体層Ｃ０は、露出することなくソルダーレジスト３１で覆われる。これに対し、ソルダーレジスト３２には部分的に開口が設けられており、開口から露出する導体層Ｃ４の一部が外部端子として用いられる。

【0016】

絶縁層１２にはＥＳＤ保護部品２が埋め込まれている。ＥＳＤ保護部品２は半導体基板によって構成されるため、絶縁層１１～１４とは熱膨張係数が異なっている。図２に示す例においては、ＥＳＤ保護部品２が積層方向における略中央部に埋め込まれ、その両側に絶縁層１１，１３，１４が設けられていることから、積層方向における対称性を厚みの調整により調整する自由度が高く、温度変化に起因する複合電子部品１全体の反りが発生しにくい。

【0017】

絶縁層１２は、絶縁層１２Ａ，１２Ｂが積層された構造を有している。絶縁層１２Ａは、絶縁層１２の一方の表面１２ａの反対側に位置する表面Ｓ１を有し、絶縁層１２Ｂは絶縁層１２の他方の表面１２ｂの反対側に位置する表面Ｓ２を有している。そして、絶縁層１２Ａと絶縁層１２Ｂは、表面Ｓ１，Ｓ２が互いに向かい合い、一部が接するように積層されている。絶縁層１２Ａと絶縁層１２Ｂの間には、ＥＳＤ保護部品２が埋め込まれている。これにより、絶縁層１２Ｂの表面Ｓ２は、ＥＳＤ保護部品２の形状に沿った段差形状を有している。絶縁層１２Ａ，１２Ｂは、少なくともバインダー樹脂とフィラーを含む混合物により形成される。絶縁層１２Ａと絶縁層１２Ｂは、互いに同じ材料からなるものであっても構わない。フィラーの種類については特に限定されないが、シリカなど熱膨張係数の小さい無機材料を用いることができる。

【0018】

ＥＳＤ保護部品２は、端子電極８０～８３を含む複数の端子電極が設けられた主面２Ｂと、主面２Ｂの反対側に位置する裏面２Ａと、主面２Ｂと裏面２Ａを連接する側面２Ｃを有している。図２に示す例の場合、側面２Ｃは、主面２Ｂ及び裏面２Ａに対して垂直に形成されている。なお、ＥＳＤ保護部品２の形状はこれに限定されず、例えば、図２の略断面図において略台形形状であってもよく、若干角が丸められた長方形（ｒｏｕｎｄｅｄ ｒｅｃｔａｎｇｌｅ）でもよい。そして、ＥＳＤ保護部品２は、裏面２Ａが絶縁層１２Ａの表面Ｓ１と接し、主面２Ｂが絶縁層１２Ｂの表面Ｓ２と接するよう、絶縁層１２に埋め込まれている。ＥＳＤ保護部品２の側面２Ｃの少なくとも一部と絶縁層１２Ｂの間には、密着層１５が形成されている。密着層１５は、絶縁層１２Ａに含まれるバインダー樹脂と絶縁層１２Ｂに含まれるバインダー樹脂の少なくとも一方と同じ樹脂材料を含む。密着層１５に含まれるバインダー樹脂は、絶縁層１２Ａに含まれるバインダー樹脂及び絶縁層１２Ｂに含まれるバインダー樹脂の両方と同じ樹脂材料であっても構わない。

【0019】

密着層１５は、ＥＳＤ保護部品２と絶縁層１２の密着性を高める役割を果たし、絶縁層１２Ａの表面Ｓ１とＥＳＤ保護部品２の側面２Ｃによって構成される角部Ｃには、密着層１５のフィレットが形成されている。これにより、ボイドが生じやすい角部Ｃが密着層１５によって充填される。また、絶縁層１２Ｂと接する密着層１５の表面が凹面形状であることから、適切なボリュームの絶縁層１２Ｂを確保しつつ、絶縁層１２Ｂと密着層１５の接触面積を拡大することができる。

【0020】

密着層１５には、フィラーが含まれていても構わないし、フィラーが含まれていなくても構わない。密着層１５にフィラーが含まれている場合、密着層１５に含まれるフィラーは、絶縁層１２Ａに含まれるフィラー及び絶縁層１２Ｂに含まれるフィラーの両方と同じ材料であっても構わない。また、密着層１５にフィラーが含まれている場合、密着層１５におけるフィラーの含有密度を絶縁層１２Ａ，１２Ｂにおけるフィラーの含有密度よりも低くすることにより、密着層１５の密着性を確保することができる。密着層１５の密着性は、フィラーの含有密度が低いほど高められる。これに対し、絶縁層１２Ａ，１２Ｂは密着層１５よりもフィラーの含有密度が高いことから、密着層１５よりも熱膨張係数が低く、これにより反りの発生を抑制することができる。絶縁層１２Ａの熱膨張係数と絶縁層１２Ｂの熱膨張係数は同じであっても構わないが、よりボリュームの大きい絶縁層１２Ｂの熱膨張係数を絶縁層１２Ａの熱膨張係数よりも低くすれば、反りの発生をより効果的に抑制することが可能となる。

【0021】

また、図２に示す例では、ＥＳＤ保護部品２の側面２Ｃの全面が密着層１５で覆われており、これによってＥＳＤ保護部品２と絶縁層１２の密着性がより高められている。しかしながら、本開示に係る技術はこれに限定されるものではない。例えば、ＥＳＤ保護部品２の側面２Ｃの少なくとも一部が密着層１５で覆われていればよい。ＥＳＤ保護部品２と絶縁層１２の十分な密着性を確保するためには、例えば、ＥＳＤ保護部品２の側面２Ｃの面積の半分以上を密着層１５で覆っても構わない。

【0022】

なお、ＥＳＤ保護部品２の水平方向における幅（複合電子部品１の各層に平行な方向の長さ）は、厚み（複合電子部品１の積層方向における高さ）よりも大きい。場合によっては、ＥＳＤ保護部品２の幅は、厚みよりも１０倍程度大きいこともある。このため、熱膨張による影響は、積層方向よりも、水平方向（複合電子部品１の各層に平行な方向）の方が大きい。密着層１５をＥＳＤ保護部品２の側面２Ｃに設ける場合、例えば、密着層１５をＥＳＤ保護部品２の主面２Ｂや裏面２Ａに設ける場合よりも効果的に熱膨張による影響を低減できる。また、図２に例示するように、絶縁層１２Ａ，１２Ｂ及びＥＳＤ保護部品２の三つの部材が接する角部Ｃに密着層１５を設けることで、より効果的に密着性を改善し、熱膨張による影響を低減できる。

【0023】

また、絶縁層１２Ｂに比してフィラーが比較的少ない密着層１５によりＥＳＤ保護部品２の全体を覆うと、密着層１５を介さず絶縁層によりＥＳＤ保護部品２の全体を覆う場合よりも、機械強度が低下する可能性がある。例えば、ＥＳＤ保護部品２の主面２Ｂや裏面２Ａには密着層１５を設けず、角部Ｃまたは角部Ｃを含む側面２Ｃに密着層１５を形成することで、適切な機械強度と、密着性と実現することができる。

【0024】

図３は、複合電子部品１の略分解斜視図である。

【0025】

図３に示すように、複合電子部品１にはコイルパターン４１～４８が埋め込まれている。このうち、コイルパターン４１，４２は導体層Ｃ３に配置され、コイルパターン４３，４４は導体層Ｃ２に配置され、コイルパターン４５，４６は導体層Ｃ１に配置され、コイルパターン４７，４８は導体層Ｃ０に配置される。コイルパターン４１，４３は絶縁層１３を介して平面視で互いに重なっており、コイルパターン４２，４４は絶縁層１３を介して平面視で互いに重なっている。また、コイルパターン４５，４７は絶縁層１１を介して平面視で互いに重なっており、コイルパターン４６，４８は絶縁層１１を介して平面視で互いに重なっている。

【0026】

図４～図６、図８及び図９は、それぞれ導体層Ｃ４、Ｃ３、Ｃ２、Ｃ１及びＣ０に設けられた導体パターンの形状を示す略平面図である。また、図７は、ＥＳＤ保護部品２が埋め込まれた層の略平面図である。

【0027】

図４に示すように、導体層Ｃ４には、導体パターン５０～５９及びグランドパターンＧＰが設けられている。導体パターン５０～５７のうちソルダーレジスト３２から露出する部分は表面処理され、それぞれ信号端子２０～２７として用いられる。導体パターン５８，５９のうちソルダーレジスト３２から露出する部分は表面処理され、それぞれグランド端子２８，２９として用いられる。また、導体パターン５８，５９は、グランドパターンＧＰを介して互いに接続されている。グランドパターンＧＰは直線的に延在する導体パターンであり、その幅は導体パターン５８，５９の幅よりも狭い。このように、グランドパターンＧＰと信号端子２０～２７及び導体パターン５８，５９は、互いに同じ導体層Ｃ４に配置されていることから、グランドパターンＧＰを設けるための専用の導体層を追加する必要はない。

【0028】

図５に示すように、導体層Ｃ３には、コイルパターン４１，４２と導体パターン６０，６１，６３～６６が設けられている。コイルパターン４１の外周端は、ビア導体１０２を介して導体パターン５２に接続されている。コイルパターン４２の外周端は、ビア導体１０７を介して導体パターン５７に接続されている。また、導体パターン６０，６１，６３～６６は、絶縁層１４に設けられたビア導体１００，１０１，１０３～１０６を介して、それぞれ導体パターン５０，５１，５３～５６に接続されている。コイルパターン４１とコイルパターン４２は、ギャップＧ１を介して隣り合っている。導体層Ｃ３においては、ギャップＧ１にグランドパターンなどが設けられておらず、コイルパターン４１とコイルパターン４２は、絶縁層１４を介して直接隣り合っている。

【0029】

図６に示すように、導体層Ｃ２には、コイルパターン４３，４４と導体パターン７０～７６が設けられている。コイルパターン４３の外周端は、ビア導体１１３を介して導体パターン６３に接続されている。コイルパターン４４の外周端は、ビア導体１１６を介して導体パターン６６に接続されている。また、導体パターン７０～７４は、ビア導体１１０，１１１，１１４，１１５，１１８を介して、それぞれ導体パターン６０，６１，６４，６５，６８に接続されている。導体パターン７５，７６は、ビア導体１１２，１１７を介して、それぞれコイルパターン４１，４２の内周端に接続されている。コイルパターン４３とコイルパターン４４は、ギャップＧ１を介して隣り合っている。導体層Ｃ２においては、ギャップＧ１にグランドパターンなどが設けられておらず、コイルパターン４３とコイルパターン４４は、絶縁層１３を介して直接隣り合っている。

【0030】

コイルパターン４１～４４は、いずれも導体パターンが約４ターン巻回された構成を有している。そして、コイルパターン４１とコイルパターン４３は積層方向に重なり、そのパターン形状は外周端及び内周端の位置を除いてほぼ一致している。同様に、コイルパターン４２とコイルパターン４４は積層方向に重なり、そのパターン形状は外周端及び内周端の位置を除いてほぼ一致している。さらに、コイルパターン４１とコイルパターン４２のパターン形状は平面視で対称形であり、コイルパターン４３とコイルパターン４４のパターン形状は平面視で対称形である。

【0031】

図７に示すように、ＥＳＤ保護部品２の表面には、端子電極８０～８７が設けられている。端子電極８０～８３は、絶縁層１２に設けられたビア導体１２０～１２３を介して、それぞれ導体パターン７０～７３に接続される。また、端子電極８４～８７は、絶縁層１２に設けられたビア導体１２４～１２７を介して、導体パターン７４に共通に接続される。

【0032】

図８に示すように、導体層Ｃ１には、コイルパターン４５，４６と導体パターン９１，９３，９４，９７が設けられている。コイルパターン４５の外周端は、ビア導体１３０を介して導体パターン７０に接続される。コイルパターン４６の外周端は、ビア導体１３５を介して導体パターン７３に接続される。コイルパターン４５の内周端は、ビア導体１３２を介して導体パターン７５に接続される。コイルパターン４６の内周端は、ビア導体１３６を介して導体パターン７６に接続される。また、導体パターン９１，９４は、ビア導体１３１，１３４を介して、それぞれ導体パターン７１，７２に接続される。さらに、導体パターン９３，９７は、ビア導体１３３，１３７を介して、それぞれコイルパターン４３，４４の内周端に接続される。コイルパターン４５とコイルパターン４６は、ギャップＧ２を介して隣り合っている。導体層Ｃ１においては、ギャップＧ２にグランドパターンなどが設けられておらず、コイルパターン４５とコイルパターン４６は、絶縁層１２を介して直接隣り合っている。

【0033】

図９に示すように、導体層Ｃ０には、コイルパターン４７，４８が設けられている。コイルパターン４７の外周端及び内周端は、ビア導体１４１，１４３を介して、それぞれ導体パターン９１，９３に接続されている。コイルパターン４８の外周端及び内周端は、ビア導体１４４，１４７を介して、それぞれ導体パターン９４，９７に接続されている。コイルパターン４７とコイルパターン４８は、ギャップＧ２を介して隣り合っている。導体層Ｃ０においては、ギャップＧ２にグランドパターンなどが設けられておらず、コイルパターン４７とコイルパターン４８は、絶縁層１１を介して直接隣り合っている。

【0034】

コイルパターン４５～４８は、いずれも導体パターンが約５ターン巻回された構成を有している。そして、コイルパターン４５とコイルパターン４７は積層方向に重なり、そのパターン形状は外周端及び内周端の位置を除いてほぼ一致している。同様に、コイルパターン４６とコイルパターン４８は積層方向に重なり、そのパターン形状は外周端及び内周端の位置を除いてほぼ一致している。さらに、コイルパターン４５とコイルパターン４６のパターン形状は平面視で対称形であり、コイルパターン４７とコイルパターン４８のパターン形状は平面視で対称形である。

【0035】

図１０は、本実施形態による複合電子部品１の等価回路図である。

【0036】

図１０に示す複合電子部品１においては、信号端子２０，２２間にコイルパターン４５，４１が直列に接続され、信号端子２１，２３間にコイルパターン４７，４３が直列に接続され、信号端子２４，２６間にコイルパターン４８，４４が直列に接続され、信号端子２５，２７間にコイルパターン４６，４２が直列に接続される。そして、コイルパターン４１，４３が磁気結合することによってコモンモードフィルタＣＭＦ１が構成され、コイルパターン４２，４４が磁気結合することによってコモンモードフィルタＣＭＦ２が構成され、コイルパターン４５，４７が磁気結合することによってコモンモードフィルタＣＭＦ３が構成され、コイルパターン４６，４８が磁気結合することによってコモンモードフィルタＣＭＦ４が構成される。さらに、信号端子２０，２１，２４，２５とグランド端子２８，２９の間には、ＥＳＤ保護部品２に集積された保護素子が挿入される。これにより、図１０に示す複合電子部品１は、ＥＳＤ保護機能付きのコモンモードフィルタのアレイを構成する。グランド端子２９は、グランドパターンＧＰを介してＥＳＤ保護部品２に接続される。

【0037】

このように、本実施形態による複合電子部品１は、絶縁層１２内にＥＳＤ保護部品２が単に埋め込まれているのではなく、絶縁層１２Ａの表面Ｓ１とＥＳＤ保護部品２の側面２Ｃによって構成される角部Ｃに密着層１５のフィレットが形成されていることから、ＥＳＤ保護部品２と絶縁層１２の密着性が高められ、角部Ｃにおけるボイドの発生を抑制することが可能となる。このため、ボイドやＥＳＤ保護部品２の剥離などに起因して、第１の配線構造体に含まれるコモンモードフィルタＣＭＦ３，ＣＭＦ４の特性や、第２の配線構造体に含まれるコモンモードフィルタＣＭＦ１，ＣＭＦ２の特性が変化することがなく、製品の信頼性が高められる。

【0038】

次に、本実施形態による複合電子部品１の製造方法について説明する。

【0039】

図１１～図２３は、本実施形態による複合電子部品１の製造方法を説明するためのプロセス図である。

【0040】

まず、キャリア付き銅箔２００を用意し、その表面にレジストパターン２０１を形成する（図１１）。キャリア付き銅箔２００は、２層の銅箔の間に剥離層が設けられた構造を有している。レジストパターン２０１は、導体層Ｃ０のネガパターンである。この状態で、電解メッキを行い、レジストパターン２０１を除去することによって導体層Ｃ０を形成する（図１２）。次に、導体層Ｃ０が埋め込まれるよう、キャリア付き銅箔２００の表面に絶縁層１１を形成する（図１３）。これにより、導体層Ｃ０に位置する導体パターンは、側面及び上面が絶縁層１１によって覆われた状態となる。

【0041】

次に、ビア導体を形成すべき箇所にビア２０２を形成することによって導体層Ｃ０の一部を露出させた後、無電解メッキによって絶縁層１１の表面にシード層２０３を形成する（図１４）。次に、シード層２０３の表面にレジストパターン２０４を形成した後、電解メッキを行うことによって導体層Ｃ１を形成する（図１５）。次に、レジストパターン２０４を除去した後（図１６）、導体層Ｃ１が埋め込まれるよう、絶縁層１１の表面に絶縁層１２Ａを形成し、その表面にＥＳＤ保護部品２を搭載する（図１７）。これにより、導体層Ｃ１に位置する導体パターンは、側面及び上面が絶縁層１２Ａによって覆われた状態となる。

【0042】

次に、半硬化状態であるシート状の絶縁層１２Ｂを用意し、ＥＳＤ保護部品２を覆うよう、絶縁層１２Ａの表面Ｓ１上に絶縁層１２Ｂを載置する（図１８）。この時点では、ＥＳＤ保護部品２の側面２Ｃと絶縁層１２Ｂの間には隙間１６が生じる。このように隙間１６が生じている状態で絶縁層１２Ｂを直ちに硬化させると、隙間１６が完全には埋まらないか、或いは、隙間１６が完全に埋まった場合であっても、ＥＳＤ保護部品２の側面２Ｃと絶縁層１２Ｂが直接接するため、絶縁層１２Ｂに含まれるフィラーによって両者間の密着性が不足するおそれがある。このため、密着層１５のフィラーが形成されるよう、絶縁層１２Ｂの硬化条件を調整する。

【0043】

具体的には、シート状の絶縁層１２Ｂをラミネートした後、減圧条件下で徐々に加熱温度を高めることによって、隙間１６を縮小させるとともに、絶縁層１２Ｂに含まれるバインダー樹脂を隙間１６に滲出させる。滲出したバインダー樹脂は、密着層１５を構成する。この時、隙間１６が密着層１５によって完全に埋まる前にバインダー樹脂が硬化しないよう、硬化温度未満の状態を保つ必要がある。そして、密着層１５によって隙間１６が埋め込まれるのに十分な時間が経過した後、絶縁層１２Ｂを加圧しながら熱硬化させる。これにより、ＥＳＤ保護部品２が絶縁層１２Ａ，１２Ｂからなる絶縁層１２に埋め込まれるとともに、絶縁層１２Ａの表面Ｓ１とＥＳＤ保護部品２の側面２Ｃによって構成される角部Ｃには、密着層１５のフィレットが形成される（図１９）。

【0044】

絶縁層１２Ｂから隙間１６にバインダー樹脂が滲出すると、初期状態に比べ、絶縁層１２Ｂにおけるフィラーの含有密度が僅かに高まり、熱膨張係数がより低くなる。これに対し、絶縁層１２Ａについては、ＥＳＤ保護部品２を埋め込む前後においてフィラーの含有密度は実質的に変化しない。このため、絶縁層１２Ａと絶縁層１２Ｂが互いに同じ材料からなるものである場合、最終的な熱膨張係数は、絶縁層１２Ａよりも絶縁層１２Ｂの方が僅かに低くなる。

【0045】

次に、図１４～図１６を用いて説明したプロセスを繰り返すことにより、絶縁層１２の表面に導体層Ｃ２を形成した後、導体層Ｃ２が埋め込まれるよう、絶縁層１２の表面に絶縁層１３を形成する（図２０）。このプロセスを繰り返すことにより、絶縁層１３の表面に導体層Ｃ３を形成した後、導体層Ｃ３が埋め込まれるよう、絶縁層１３の表面に絶縁層１４を形成する（図２１）。次に、絶縁層１４の表面に導体層Ｃ４を形成した後、キャリア付き銅箔２００に設けられた剥離層を介して銅箔の１層を剥離し（図２２）、キャリア付き銅箔２００の残った銅箔をエッチングにより除去する（図２３）。このエッチングにより、導体層Ｃ４の形成に用いたシード層も除去される。そして、絶縁層１１，１４の最表面にそれぞれソルダーレジスト３１，３２を形成した後、表面処理により信号端子２１～２７及びグランド端子２８，２９を形成すれば、複合電子部品１が完成する。

【0046】

このように、複合電子部品１の製造プロセスにおいては、シート状の絶縁層１２Ｂをラミネートした後、絶縁層１２Ｂに含まれるバインダー樹脂が隙間１６に滲出するよう、減圧条件下でゆるやかに加熱していることから、密着層１５によって隙間１６を埋めることが可能となる。

【0047】

以上、本開示に係る技術の実施形態について説明したが、本開示に係る技術は、上記の実施形態に限定されることなく、その主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本開示に係る技術の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

【0048】

例えば、上記実施形態では、絶縁層１２にＥＳＤ保護部品２を埋め込んでいるが、絶縁層１２に埋め込む電子部品がこれに限定されるものではない。

【0049】

本開示に係る技術には、以下の構成例が含まれるが、これに限定されるものではない。

【0050】

本開示の一側面による複合電子部品は、第１及び第２の配線構造体と、第１の配線構造体と第２の配線構造体の間に位置する絶縁層と、絶縁層に埋め込まれた電子部品とを備え、絶縁層は、第１の表面を有する第１の絶縁層と、一部が第１の表面と接する第２の表面を有する第２の絶縁層とを含み、第２の絶縁層は、少なくともバインダー樹脂とフィラーを含む混合物により形成され、電子部品は、第２の絶縁層により覆われる主面と、主面の反対側に位置し、第１の絶縁層の第１の表面と接する裏面と、主面と裏面の間を連接する側面とを有し、第１の絶縁層の第１の表面と電子部品の側面によって構成される角部には、第２の絶縁層に含まれるバインダー樹脂と同じ樹脂材料からなる密着層のフィレットが形成されている。これによれば、電子部品と絶縁層の密着性が高められる。

【0051】

上記の複合電子部品において、密着層は、第２の絶縁層に含まれるバインダー樹脂と同じ樹脂材料と、第２の絶縁層に含まれるフィラーとを含む混合物からなり、第２の絶縁層におけるフィラーの含有密度は、密着層におけるフィラーの含有密度よりも高く、第２の絶縁層は密着層よりも熱膨張係数が低くても構わない。これによれば、密着層の密着性が高められるとともに、基板全体の反りを抑制することが可能となる。

【0052】

上記の複合電子部品において、第１の絶縁層は少なくともバインダー樹脂とフィラーを含む混合物により形成され、第１の絶縁層におけるフィラーの含有密度は、密着層におけるフィラーの含有密度よりも高く、第１の絶縁層は密着層よりも熱膨張係数が低くても構わない。これによれば、密着層の密着性が高められるとともに、基板全体の反りをいっそう抑制することが可能となる。

【0053】

上記の複合電子部品において、第１の絶縁層に含まれるバインダー樹脂と、第２の絶縁層に含まれるバインダー樹脂と、密着層に含まれるバインダー樹脂とが、互いに同じ樹脂材料であっても構わない。これによれば、第１及び第２の絶縁層と密着層の密着性が高められる。

【0054】

上記の複合電子部品において、第１の絶縁層に含まれるフィラーと、第２の絶縁層に含まれるフィラーと、密着層に含まれるフィラーとが、互いに同じ無機材料であっても構わない。これによれば、材料コストが低減される。

【0055】

上記の複合電子部品において、第２の絶縁層は第１の絶縁層よりも熱膨張係数が低くても構わない。これによれば、第２の絶縁層が第１の絶縁層よりも厚い場合において、基板全体の反りをよりいっそう抑制することが可能となる。

【0056】

上記の複合電子部品において、第２の絶縁層と接する密着層の表面は、凹面形状を有していても構わない。これによれば、第２の絶縁層のボリュームを十分に確保しつつ、第２の絶縁層と密着層の接触面積を拡大することができる。

【0057】

上記の複合電子部品において、密着層は、電子部品の側面の全体を覆っても構わない。これによれば、電子部品と絶縁層の密着性がよりいっそう高められる。

【符号の説明】

【0058】

１ 複合電子部品
２ ＥＳＤ保護部品（電子部品）
２Ａ 裏面
２Ｂ 主面
２Ｃ 側面
１０ 素体
１１～１４，１２Ａ，１２Ｂ 絶縁層
１２ａ，１２ｂ 絶縁層の表面
２０～２７ 信号端子
２８，２９ グランド端子
３１，３２ ソルダーレジスト
４１～４８ コイルパターン
５０～５９ 導体パターン
６０，６１，６３～６６，６８ 導体パターン
７０～７６ 導体パターン
８０～８７ 端子電極
９１，９３，９４，９７ 導体パターン
１００～１０７，１１０～１１８，１２０～１２７，１３０～１３７，１４１，１４３，１４４，１４７ ビア導体
２００ キャリア付き銅箔
２０１ レジストパターン
２０２ ビア
２０３ シード層
２０４ レジストパターン
Ｃ 角部
Ｃ０～Ｃ４ 導体層
ＣＭＦ１～ＣＭＦ４ コモンモードフィルタ
Ｇ１，Ｇ２ ギャップ
ＧＰ グランドパターン
Ｓ１，Ｓ２ 表面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】