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特開2024-113119太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュール及び光起電力システム
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024113119
(43)【公開日】2024-08-21
(54)【発明の名称】太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュール及び光起電力システム
(51)【国際特許分類】
H01L 31/0747 20120101AFI20240814BHJP
【ＦＩ】
H01L31/06 455
【審査請求】有
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
【公開請求】
(21)【出願番号】P 2024092432
(22)【出願日】2024-06-06
(31)【優先権主張番号】202311078019.3
(32)【優先日】2023-08-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(71)【出願人】
【識別番号】523183389
【氏名又は名称】トリナ・ソーラー・カンパニー・リミテッド
【氏名又は名称原語表記】ＴＲＩＮＡ ＳＯＬＡＲ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ． ２ Ｔｒｉｎａ Ｒｏａｄ， Ｔｒｉｎａ ＰＶ Ｐａｒｋ， Ｘｉｎｂｅｉ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ， Ｃｈａｎｇｚｈｏｕ， Ｊｉａｎｇｓｕ ２１３０３１， Ｃｈｉｎａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000291
【氏名又は名称】弁理士法人コスモス国際特許商標事務所
(72)【発明者】
【氏名】韓 秉倫
(72)【発明者】
【氏名】陳 達明
(72)【発明者】
【氏名】楊 广涛
(57)【要約】 （修正有）
【課題】電池の製造プロセスステップを減少し、製造コストを低減することができる、太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の第２の面の第２の領域に位置する第２の真性アモルファスシリコン層及び第２のトンネリング酸化物層を除去することと、第１の領域に位置する第１の真性アモルファスシリコン層及び第２の真性アモルファスシリコン層に第１の元素をドーピングし、第１の、第２のドーピング層を得ることと、第２の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層に第２の元素をドーピングし、第３のドーピング層を得ることと、分離領域に分離構造を形成することにより、第１の領域に位置する第１のトンネリング酸化物層と第２の領域に位置する第１のトンネリング酸化物層とを分離し、且つ第１の領域に位置する第１のドーピング層及び第２のドーピング層両者と第２の領域に位置する第３のドーピング層とを分離することと、を含む。
【選択図】図１
【解決手段】基板の第２の面の第２の領域に位置する第２の真性アモルファスシリコン層及び第２のトンネリング酸化物層を除去することと、第１の領域に位置する第１の真性アモルファスシリコン層及び第２の真性アモルファスシリコン層に第１の元素をドーピングし、第１の、第２のドーピング層を得ることと、第２の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層に第２の元素をドーピングし、第３のドーピング層を得ることと、分離領域に分離構造を形成することにより、第１の領域に位置する第１のトンネリング酸化物層と第２の領域に位置する第１のトンネリング酸化物層とを分離し、且つ第１の領域に位置する第１のドーピング層及び第２のドーピング層両者と第２の領域に位置する第３のドーピング層とを分離することと、を含む。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
太陽電池の製造方法であって、
対向して設けられた第１の面及び第２の面を有する基板を提供し、前記第２の面を第１の領域、第２の領域及び両者の間に位置する分離領域に分割するＳ１と、
前記基板の前記第２の面であって基板から離れる方向に沿って第１のトンネリング酸化物層、第１の真性アモルファスシリコン層、第２のトンネリング酸化物層及び第２の真性アモルファスシリコン層を順次積層して形成するＳ２と、
前記第２の領域に位置する前記第２の真性アモルファスシリコン層及び前記第２のトンネリング酸化物層を除去するＳ３と、
前記第１の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層及び前記第２の真性アモルファスシリコン層に第１の元素をドーピングし、第１のドーピング層及び第２のドーピング層をそれぞれ得て、前記第２の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層に第２の元素をドーピングし、第３のドーピング層を得るＳ４と、
前記分離領域に分離構造を形成することにより、前記第１の領域に位置する前記第１のトンネリング酸化物層と前記第２の領域に位置する前記第１のトンネリング酸化物層とを分離し、且つ前記第１の領域に位置する前記第１のドーピング層及び前記第２のドーピング層の両者と前記第２の領域に位置する前記第３のドーピング層とを分離するＳ５と、を含む、
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。
対向して設けられた第１の面及び第２の面を有する基板を提供し、前記第２の面を第１の領域、第２の領域及び両者の間に位置する分離領域に分割するＳ１と、
前記基板の前記第２の面であって基板から離れる方向に沿って第１のトンネリング酸化物層、第１の真性アモルファスシリコン層、第２のトンネリング酸化物層及び第２の真性アモルファスシリコン層を順次積層して形成するＳ２と、
前記第２の領域に位置する前記第２の真性アモルファスシリコン層及び前記第２のトンネリング酸化物層を除去するＳ３と、
前記第１の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層及び前記第２の真性アモルファスシリコン層に第１の元素をドーピングし、第１のドーピング層及び第２のドーピング層をそれぞれ得て、前記第２の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層に第２の元素をドーピングし、第３のドーピング層を得るＳ４と、
前記分離領域に分離構造を形成することにより、前記第１の領域に位置する前記第１のトンネリング酸化物層と前記第２の領域に位置する前記第１のトンネリング酸化物層とを分離し、且つ前記第１の領域に位置する前記第１のドーピング層及び前記第２のドーピング層の両者と前記第２の領域に位置する前記第３のドーピング層とを分離するＳ５と、を含む、
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項2】
前記Ｓ３の前に、さらに、
前記第２の真性アモルファスシリコン層の前記基板から離反する側にドーピング源層及び第１の保護層を順次積層して形成するＳ３ａであって、前記ドーピング源層は、ドーピングに必要な前記第１の元素を提供するために用いられるＳ３ａを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
前記第２の真性アモルファスシリコン層の前記基板から離反する側にドーピング源層及び第１の保護層を順次積層して形成するＳ３ａであって、前記ドーピング源層は、ドーピングに必要な前記第１の元素を提供するために用いられるＳ３ａを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項3】
前記Ｓ３は、具体的に、
前記第２の領域に位置する前記第１の保護層、前記ドーピング源層及び前記第２のトンネリング酸化物層から離反する一部の前記第２の真性アモルファスシリコン層をレーザーにより除去するＳ３１０ａと、
前記第２の領域に位置し且つ前記第２のトンネリング酸化物層に隣接する残りの前記第２の真性アモルファスシリコン層、及び前記第２の領域に位置する前記第２のトンネリング酸化物層を湿式で除去するＳ３２０ａと、を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載の太陽電池の製造方法。
前記第２の領域に位置する前記第１の保護層、前記ドーピング源層及び前記第２のトンネリング酸化物層から離反する一部の前記第２の真性アモルファスシリコン層をレーザーにより除去するＳ３１０ａと、
前記第２の領域に位置し且つ前記第２のトンネリング酸化物層に隣接する残りの前記第２の真性アモルファスシリコン層、及び前記第２の領域に位置する前記第２のトンネリング酸化物層を湿式で除去するＳ３２０ａと、を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項4】
前記Ｓ３２０ａは、具体的に、
前記第２の領域に位置し且つ前記第２のトンネリング酸化物層に隣接する残りの前記第２の真性アモルファスシリコン層を湿式で除去するＳ３２１ａと、
前記第１の領域に位置する前記第１の保護層の基板から離反する側にマスク層を形成するＳ３２２ａと、
前記第２の領域に位置する前記第２のトンネリング酸化物層を湿式で除去するＳ３２３ａと、
前記マスク層を除去するＳ３２４ａと、を含む、
ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池の製造方法。
前記第２の領域に位置し且つ前記第２のトンネリング酸化物層に隣接する残りの前記第２の真性アモルファスシリコン層を湿式で除去するＳ３２１ａと、
前記第１の領域に位置する前記第１の保護層の基板から離反する側にマスク層を形成するＳ３２２ａと、
前記第２の領域に位置する前記第２のトンネリング酸化物層を湿式で除去するＳ３２３ａと、
前記マスク層を除去するＳ３２４ａと、を含む、
ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項5】
前記Ｓ４は、具体的に、
予め設定された温度で、前記ドーピング源層が前記第１の真性アモルファスシリコン層及び前記第２の真性アモルファスシリコン層に前記第１の元素をドーピングし、且つ予め設定された時間にわたって、前記第１のドーピング層及び前記第２のドーピング層をそれぞれ得ることと、
前記第２の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層に前記第２の元素をドーピングし、前記第３のドーピング層を得ることと、を含む、
ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池の製造方法。
予め設定された温度で、前記ドーピング源層が前記第１の真性アモルファスシリコン層及び前記第２の真性アモルファスシリコン層に前記第１の元素をドーピングし、且つ予め設定された時間にわたって、前記第１のドーピング層及び前記第２のドーピング層をそれぞれ得ることと、
前記第２の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層に前記第２の元素をドーピングし、前記第３のドーピング層を得ることと、を含む、
ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項6】
前記Ｓ４の後に、さらに、
前記ドーピング源層及び前記第１の保護層を除去することを含む、
ことを特徴とする請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
前記ドーピング源層及び前記第１の保護層を除去することを含む、
ことを特徴とする請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項7】
前記Ｓ３の前に、さらに、
前記第２の真性アモルファスシリコン層の前記基板から離反する側に第２の保護層を形成するＳ３ｂを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
前記第２の真性アモルファスシリコン層の前記基板から離反する側に第２の保護層を形成するＳ３ｂを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項8】
前記Ｓ３は、具体的に、
前記第２の領域に位置する前記第２の保護層及び前記第２のトンネリング酸化物層から離反する一部の前記第２の真性アモルファスシリコン層をレーザーにより除去するＳ３１０ｂと、
前記第２の領域に位置し且つ前記第２のトンネリング酸化物層に隣接する残りの前記第２の真性アモルファスシリコン層、及び前記第２の領域に位置する前記第２のトンネリング酸化物層を湿式で除去するＳ３２０ｂと、を含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の太陽電池の製造方法。
前記第２の領域に位置する前記第２の保護層及び前記第２のトンネリング酸化物層から離反する一部の前記第２の真性アモルファスシリコン層をレーザーにより除去するＳ３１０ｂと、
前記第２の領域に位置し且つ前記第２のトンネリング酸化物層に隣接する残りの前記第２の真性アモルファスシリコン層、及び前記第２の領域に位置する前記第２のトンネリング酸化物層を湿式で除去するＳ３２０ｂと、を含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項9】
前記Ｓ３２０ｂは、具体的に、
前記第２の領域に位置し且つ前記第２のトンネリング酸化物層に隣接する残りの前記第２の真性アモルファスシリコン層を湿式で除去するＳ３２１ｂと、
前記第１の領域に位置する前記第２の保護層の基板から離反する側にマスク層を形成するＳ３２２ｂと、
前記第２の領域に位置する前記第２のトンネリング酸化物層を湿式で除去するＳ３２３ｂと、
前記マスク層を除去するＳ３２４ｂと、を含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
前記第２の領域に位置し且つ前記第２のトンネリング酸化物層に隣接する残りの前記第２の真性アモルファスシリコン層を湿式で除去するＳ３２１ｂと、
前記第１の領域に位置する前記第２の保護層の基板から離反する側にマスク層を形成するＳ３２２ｂと、
前記第２の領域に位置する前記第２のトンネリング酸化物層を湿式で除去するＳ３２３ｂと、
前記マスク層を除去するＳ３２４ｂと、を含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項10】
前記Ｓ４は、具体的に、
前記第２の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層に前記第２の元素をドーピングし、前記第３のドーピング層を得ることと、
前記第３のドーピング層の前記基板から離反する側に第３の保護層を形成することと、
前記第１の領域に位置する前記第２の保護層を除去し、且つ前記第１の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層及び前記第２の真性アモルファスシリコン層に前記第１の元素をドーピングし、前記第１のドーピング層及び前記第２のドーピング層を得ることと、を含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
前記第２の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層に前記第２の元素をドーピングし、前記第３のドーピング層を得ることと、
前記第３のドーピング層の前記基板から離反する側に第３の保護層を形成することと、
前記第１の領域に位置する前記第２の保護層を除去し、且つ前記第１の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層及び前記第２の真性アモルファスシリコン層に前記第１の元素をドーピングし、前記第１のドーピング層及び前記第２のドーピング層を得ることと、を含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項11】
前記Ｓ４の後に、さらに、
前記第３の保護層を除去することを含む、
ことを特徴とする請求項１０に記載の太陽電池の製造方法。
前記第３の保護層を除去することを含む、
ことを特徴とする請求項１０に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項12】
前記Ｓ５の後に、さらに、
前記第２のドーピング層及び前記第３のドーピング層の前記基板から離反する側に、前記第２のドーピング層及び前記第３のドーピング層の基板から離反する側の表面を少なくとも覆う第１のパッシベーション反射低減層を形成し、前記基板の前記第１の面に第２のパッシベーション反射低減層を形成することを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
前記第２のドーピング層及び前記第３のドーピング層の前記基板から離反する側に、前記第２のドーピング層及び前記第３のドーピング層の基板から離反する側の表面を少なくとも覆う第１のパッシベーション反射低減層を形成し、前記基板の前記第１の面に第２のパッシベーション反射低減層を形成することを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項13】
さらに、
前記第１の領域に位置する前記第１のパッシベーション反射低減層の基板から離反する側に、前記第２のドーピング層に接続される第１の電極を形成することと、
前記第２の領域に位置する前記第１のパッシベーション反射低減層の基板から離反する側に、前記第３のドーピング層に接続される第２の電極を形成することと、を含む、
ことを特徴とする請求項１２に記載の太陽電池の製造方法。
前記第１の領域に位置する前記第１のパッシベーション反射低減層の基板から離反する側に、前記第２のドーピング層に接続される第１の電極を形成することと、
前記第２の領域に位置する前記第１のパッシベーション反射低減層の基板から離反する側に、前記第３のドーピング層に接続される第２の電極を形成することと、を含む、
ことを特徴とする請求項１２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項14】
前記第１のトンネリング酸化物層及び前記第２のトンネリング酸化物層の厚さは、いずれも１～２ｎｍであり、前記第１のドーピング層、前記第２のドーピング層及び前記第３のドーピング層の厚さは、いずれも５０～５００ｎｍである、
ことを特徴とする請求項１～１３のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
ことを特徴とする請求項１～１３のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項15】
太陽電池であって、請求項１～１３のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法に基づいて製造され、前記太陽電池は、
対向して設けられた第１の面及び第２の面を有する基板であって、前記第２の面は、第１の領域、第２の領域、及び両者の間に位置する分離領域を含む基板と、
前記第１の領域内に位置し、且つ前記基板から離反する方向に沿って順次積層して設けられた第１のトンネリング酸化物層、第１のドーピング層、第２のトンネリング酸化物層及び第２のドーピング層と、
前記第２の領域内に位置し、且つ前記基板から離反する方向に沿って順次積層して設けられた第１のトンネリング酸化物層及び第３のドーピング層と、
分離構造であって、前記分離領域に位置し、前記分離構造は、前記第１の領域に位置する前記第１のトンネリング酸化物層と前記第２の領域に位置する前記第１のトンネリング酸化物層とを分離するために用いられ、前記分離構造は、さらに、前記第１の領域に位置する前記第１のドーピング層及び前記第２のドーピング層の両者と前記第２の領域に位置する前記第３のドーピング層とを分離するために用いられる分離構造と、を含む、
ことを特徴とする太陽電池。
対向して設けられた第１の面及び第２の面を有する基板であって、前記第２の面は、第１の領域、第２の領域、及び両者の間に位置する分離領域を含む基板と、
前記第１の領域内に位置し、且つ前記基板から離反する方向に沿って順次積層して設けられた第１のトンネリング酸化物層、第１のドーピング層、第２のトンネリング酸化物層及び第２のドーピング層と、
前記第２の領域内に位置し、且つ前記基板から離反する方向に沿って順次積層して設けられた第１のトンネリング酸化物層及び第３のドーピング層と、
分離構造であって、前記分離領域に位置し、前記分離構造は、前記第１の領域に位置する前記第１のトンネリング酸化物層と前記第２の領域に位置する前記第１のトンネリング酸化物層とを分離するために用いられ、前記分離構造は、さらに、前記第１の領域に位置する前記第１のドーピング層及び前記第２のドーピング層の両者と前記第２の領域に位置する前記第３のドーピング層とを分離するために用いられる分離構造と、を含む、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項16】
前記分離構造は、分離溝を含み、前記分離溝は、第１の方向に沿って前記第１のトンネリング酸化物層、前記第１のドーピング層、前記第２のトンネリング酸化物層、前記第２のドーピング層及び前記第３のドーピング層を貫通し、前記第１の方向は、前記基板が位置する平面に垂直である、ことを特徴とする請求項１５に記載の太陽電池。
【請求項17】
請求項１５に記載の太陽電池を含む、光起電力モジュール。
【請求項18】
請求項１７に記載の光起電力モジュールを含む、光起電力システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、太陽電池の技術分野に関し、特に、太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュール及び光起電力システムに関する。
【背景技術】
【0002】
太陽電池は、光電池とも呼ばれ、太陽の光エネルギーを直接電気エネルギーに変換する半導体デバイスである。環境に優しい製品であり、環境汚染を起こさず、太陽エネルギーは再生可能な資源であるため、太陽電池は幅広い開発の可能性がある新しい電池である。
【0003】
バックコンタクト電池（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅｄ ｂａｃｋ ｃｏｎｔａｃｔ、略称ＩＢＣ）の電極は、電池の裏面に位置するため、電池の受光面に対する遮蔽を小さくして電池の変換効率を向上させることができ、次第に産業化された高効率電池の主な研究開発方向になった。ＴＯＰＣｏｎ（Ｔｕｎｎｅｌ Ｏｘｉｄｅ ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ ｃｏｎｔａｃｔ）電池におけるトンネリング酸化物層及びドープポリシリコン層のパッシベーションコンタクト構造は、シリコンウェーハ表面と金属との接触の再結合速度を効果的に低減することができ、ＴＯＰＣｏｎ電池とＩＢＣ電池技術とを重ね合わせたＴＢＣ電池の効率が高く、研究のホットスポットとなっている。
【0004】
関連技術では、ＴＢＣ電池の製造過程において、シリコン基板の背光面のＰ領域とＮ領域にそれぞれパッシベーションコンタクト構造を製造する場合、必要な工程ステップが多く、電池の製造コストが高くなり、電池の量産コストが高くなり、電池の量産に不利である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
これに基づいて、本願は、電池の製造プロセスステップを減少し、電池の製造コストを低減し、さらに電池の量産に有利であり、電池の量産コストを低減することができる、太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュール及び光起電力システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本願の第１の態様の実施例は、
対向して設けられた第１の面及び第２の面を有する基板を提供し、前記第２の面を第１の領域、第２の領域及び両者の間に位置する分離領域に分割するＳ１と、
前記基板の前記第２の面であって基板から離れる方向に沿って第１のトンネリング酸化物層、第１の真性アモルファスシリコン層、第２のトンネリング酸化物層及び第２の真性アモルファスシリコン層を順次積層して形成するＳ２と、
前記第２の領域に位置する前記第２の真性アモルファスシリコン層及び前記第２のトンネリング酸化物層を除去するＳ３と、
前記第１の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層及び前記第２の真性アモルファスシリコン層に第１の元素をドーピングし、第１のドーピング層及び第２のドーピング層をそれぞれ得て、前記第２の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層に第２の元素をドーピングし、第３のドーピング層を得るＳ４と、
前記分離領域に分離構造を形成することにより、前記第１の領域に位置する前記第１のトンネリング酸化物層と前記第２の領域に位置する前記第１のトンネリング酸化物層とを分離し、且つ前記第１の領域に位置する前記第１のドーピング層及び前記第２のドーピング層の両者と前記第２の領域に位置する前記第３のドーピング層とを分離するＳ５と、を含む、
太陽電池の製造方法を提供する。
対向して設けられた第１の面及び第２の面を有する基板を提供し、前記第２の面を第１の領域、第２の領域及び両者の間に位置する分離領域に分割するＳ１と、
前記基板の前記第２の面であって基板から離れる方向に沿って第１のトンネリング酸化物層、第１の真性アモルファスシリコン層、第２のトンネリング酸化物層及び第２の真性アモルファスシリコン層を順次積層して形成するＳ２と、
前記第２の領域に位置する前記第２の真性アモルファスシリコン層及び前記第２のトンネリング酸化物層を除去するＳ３と、
前記第１の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層及び前記第２の真性アモルファスシリコン層に第１の元素をドーピングし、第１のドーピング層及び第２のドーピング層をそれぞれ得て、前記第２の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層に第２の元素をドーピングし、第３のドーピング層を得るＳ４と、
前記分離領域に分離構造を形成することにより、前記第１の領域に位置する前記第１のトンネリング酸化物層と前記第２の領域に位置する前記第１のトンネリング酸化物層とを分離し、且つ前記第１の領域に位置する前記第１のドーピング層及び前記第２のドーピング層の両者と前記第２の領域に位置する前記第３のドーピング層とを分離するＳ５と、を含む、
太陽電池の製造方法を提供する。
【0007】
そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ３の前に、当該方法は、さらに、
前記第２の真性アモルファスシリコン層の前記基板から離反する側にドーピング源層及び第１の保護層を順次積層して形成するＳ３ａであって、前記ドーピング源層は、ドーピングに必要な前記第１の元素を提供するために用いられるＳ３ａを含む。
前記第２の真性アモルファスシリコン層の前記基板から離反する側にドーピング源層及び第１の保護層を順次積層して形成するＳ３ａであって、前記ドーピング源層は、ドーピングに必要な前記第１の元素を提供するために用いられるＳ３ａを含む。
【0008】
そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ３は、具体的に、
前記第２の領域に位置する第１の保護層、ドーピング源層及び前記第２のトンネリング酸化物層から離反する一部の前記第２の真性アモルファスシリコン層をレーザーにより除去するＳ３１０ａと、
前記第２の領域に位置し且つ前記第２のトンネリング酸化物層に隣接する残りの前記第２の真性アモルファスシリコン層、及び前記第２の領域に位置する前記第２のトンネリング酸化物層を湿式で除去するＳ３２０ａと、を含む。
前記第２の領域に位置する第１の保護層、ドーピング源層及び前記第２のトンネリング酸化物層から離反する一部の前記第２の真性アモルファスシリコン層をレーザーにより除去するＳ３１０ａと、
前記第２の領域に位置し且つ前記第２のトンネリング酸化物層に隣接する残りの前記第２の真性アモルファスシリコン層、及び前記第２の領域に位置する前記第２のトンネリング酸化物層を湿式で除去するＳ３２０ａと、を含む。
【0009】
そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ３２０ａは、具体的に、
前記第２の領域に位置し且つ前記第２のトンネリング酸化物層に隣接する残りの前記第２の真性アモルファスシリコン層を湿式で除去することと、
前記第１の領域に位置する前記第１の保護層の基板から離反する側にマスク層を形成することと、
前記第２の領域に位置する前記第２のトンネリング酸化物層を湿式で除去することと、
前記マスク層を除去することと、を含む。
前記第２の領域に位置し且つ前記第２のトンネリング酸化物層に隣接する残りの前記第２の真性アモルファスシリコン層を湿式で除去することと、
前記第１の領域に位置する前記第１の保護層の基板から離反する側にマスク層を形成することと、
前記第２の領域に位置する前記第２のトンネリング酸化物層を湿式で除去することと、
前記マスク層を除去することと、を含む。
【0010】
そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ４は、具体的に、
予め設定された温度で、前記ドーピング源層が前記第１の真性アモルファスシリコン層及び前記第２の真性アモルファスシリコン層に前記第１の元素をドーピングし、且つ予め設定された時間にわたって、前記第１のドーピング層及び前記第２のドーピング層をそれぞれ得ることと、
前記第２の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層に前記第２の元素をドーピングし、前記第３のドーピング層を得ることと、を含む。
予め設定された温度で、前記ドーピング源層が前記第１の真性アモルファスシリコン層及び前記第２の真性アモルファスシリコン層に前記第１の元素をドーピングし、且つ予め設定された時間にわたって、前記第１のドーピング層及び前記第２のドーピング層をそれぞれ得ることと、
前記第２の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層に前記第２の元素をドーピングし、前記第３のドーピング層を得ることと、を含む。
【0011】
そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ４の後に、当該方法は、さらに、
前記ドーピング源層及び前記第１の保護層を除去することを含む。
前記ドーピング源層及び前記第１の保護層を除去することを含む。
【0012】
そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ３の前に、当該方法は、さらに、
前記第２の真性アモルファスシリコン層の前記基板から離反する側に第２の保護層を形成するＳ３ｂを含む。
前記第２の真性アモルファスシリコン層の前記基板から離反する側に第２の保護層を形成するＳ３ｂを含む。
【0013】
そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ３は、具体的に、
前記第２の領域に位置する前記第２の保護層及び前記第２のトンネリング酸化物層から離反する一部の前記第２の真性アモルファスシリコン層をレーザーにより除去するＳ３１０ｂと、
第２の領域に位置し且つ前記第２のトンネリング酸化物層に隣接する残りの前記第２の真性アモルファスシリコン層、及び前記第２の領域に位置する前記第２のトンネリング酸化物層を湿式で除去するＳ３２０ｂと、を含む。
前記第２の領域に位置する前記第２の保護層及び前記第２のトンネリング酸化物層から離反する一部の前記第２の真性アモルファスシリコン層をレーザーにより除去するＳ３１０ｂと、
第２の領域に位置し且つ前記第２のトンネリング酸化物層に隣接する残りの前記第２の真性アモルファスシリコン層、及び前記第２の領域に位置する前記第２のトンネリング酸化物層を湿式で除去するＳ３２０ｂと、を含む。
【0014】
そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ３２０ｂは、具体的に、
前記第２の領域に位置し且つ前記第２のトンネリング酸化物層に隣接する残りの前記第２の真性アモルファスシリコン層を湿式で除去することと、
前記第１の領域に位置する前記第２の保護層の基板から離反する側にマスク層を形成することと、
前記第２の領域に位置する前記第２のトンネリング酸化物層を湿式で除去することと、
前記マスク層を除去することと、を含む。
前記第２の領域に位置し且つ前記第２のトンネリング酸化物層に隣接する残りの前記第２の真性アモルファスシリコン層を湿式で除去することと、
前記第１の領域に位置する前記第２の保護層の基板から離反する側にマスク層を形成することと、
前記第２の領域に位置する前記第２のトンネリング酸化物層を湿式で除去することと、
前記マスク層を除去することと、を含む。
【0015】
そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ４は、具体的に、
前記第２の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層に前記第２の元素をドーピングし、前記第３のドーピング層を得ることと、
前記第３のドーピング層の前記基板から離反する側に第３の保護層を形成することと、
前記第１の領域に位置する前記第２の保護層を除去し、且つ前記第１の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層及び前記第２の真性アモルファスシリコン層に前記第１の元素をドーピングし、前記第１のドーピング層及び前記第２のドーピング層を得ることと、を含む。
前記第２の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層に前記第２の元素をドーピングし、前記第３のドーピング層を得ることと、
前記第３のドーピング層の前記基板から離反する側に第３の保護層を形成することと、
前記第１の領域に位置する前記第２の保護層を除去し、且つ前記第１の領域に位置する前記第１の真性アモルファスシリコン層及び前記第２の真性アモルファスシリコン層に前記第１の元素をドーピングし、前記第１のドーピング層及び前記第２のドーピング層を得ることと、を含む。
【0016】
そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ４の後に、当該方法は、さらに、
前記第３の保護層を除去することを含む。
前記第３の保護層を除去することを含む。
【0017】
そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ５の後に、当該方法は、さらに、
前記第２のドーピング層及び前記第３のドーピング層の前記基板から離反する側に、前記第２のドーピング層及び前記第３のドーピング層の基板から離反する側の表面を少なくとも覆う第１のパッシベーション反射低減層を形成し、前記基板の前記第１の面に第２のパッシベーション反射低減層を形成することを含む。
前記第２のドーピング層及び前記第３のドーピング層の前記基板から離反する側に、前記第２のドーピング層及び前記第３のドーピング層の基板から離反する側の表面を少なくとも覆う第１のパッシベーション反射低減層を形成し、前記基板の前記第１の面に第２のパッシベーション反射低減層を形成することを含む。
【0018】
そのうちのいくつかの実施例では、当該方法は、さらに、
前記第１の領域に位置する前記第１のパッシベーション反射低減層の基板から離反する側に、前記第２のドーピング層に接続される第１の電極を形成することと、
前記第２の領域に位置する前記第１のパッシベーション反射低減層の基板から離反する側に、前記第３のドーピング層に接続される第２の電極を形成することと、を含む。
前記第１の領域に位置する前記第１のパッシベーション反射低減層の基板から離反する側に、前記第２のドーピング層に接続される第１の電極を形成することと、
前記第２の領域に位置する前記第１のパッシベーション反射低減層の基板から離反する側に、前記第３のドーピング層に接続される第２の電極を形成することと、を含む。
【0019】
そのうちのいくつかの実施例では、前記第１のトンネリング酸化物層及び前記第２のトンネリング酸化物層の厚さは、いずれも１～２ｎｍであり、前記第１のドーピング層、前記第２のドーピング層及び前記第３のドーピング層の厚さは、いずれも５０～５００ｎｍである。
【0020】
本願の第２の態様の実施例は、
対向して設けられた第１の面及び第２の面を有する基板であって、前記第２の面は、第１の領域、第２の領域、及び両者の間に位置する分離領域を含む基板と、
前記第１の領域内に位置し、且つ前記基板から離反する方向に沿って順次積層して設けられた第１のトンネリング酸化物層、第１のドーピング層、第２のトンネリング酸化物層及び第２のドーピング層と、
前記第２の領域内に位置し、且つ前記基板から離反する方向に沿って順次積層して設けられた第１のトンネリング酸化物層及び第３のドーピング層と、
分離構造であって、前記分離領域に位置し、前記分離構造は、前記第１の領域に位置する前記第１のトンネリング酸化物層と前記第２の領域に位置する前記第１のトンネリング酸化物層とを分離するために用いられ、前記分離構造は、さらに、前記第１の領域に位置する前記第１のドーピング層及び前記第２のドーピング層の両者と前記第２の領域に位置する前記第３のドーピング層とを分離するために用いられる分離構造と、を含む、
太陽電池を提供する。
対向して設けられた第１の面及び第２の面を有する基板であって、前記第２の面は、第１の領域、第２の領域、及び両者の間に位置する分離領域を含む基板と、
前記第１の領域内に位置し、且つ前記基板から離反する方向に沿って順次積層して設けられた第１のトンネリング酸化物層、第１のドーピング層、第２のトンネリング酸化物層及び第２のドーピング層と、
前記第２の領域内に位置し、且つ前記基板から離反する方向に沿って順次積層して設けられた第１のトンネリング酸化物層及び第３のドーピング層と、
分離構造であって、前記分離領域に位置し、前記分離構造は、前記第１の領域に位置する前記第１のトンネリング酸化物層と前記第２の領域に位置する前記第１のトンネリング酸化物層とを分離するために用いられ、前記分離構造は、さらに、前記第１の領域に位置する前記第１のドーピング層及び前記第２のドーピング層の両者と前記第２の領域に位置する前記第３のドーピング層とを分離するために用いられる分離構造と、を含む、
太陽電池を提供する。
【0021】
そのうちのいくつかの実施例では、前記分離構造は、分離溝を含み、前記分離溝は、第１の方向に沿って前記第１のトンネリング酸化物層、前記第１のドーピング層、前記第２のトンネリング酸化物層、前記第２のドーピング層及び前記第３のドーピング層を貫通し、前記第１の方向は、前記基板が位置する平面に垂直である。
【0022】
本願の第３の態様の実施例は、第２の態様のいずれか一項に記載の太陽電池を含む、光起電力モジュールを提供する。
【0023】
本願の第４の態様の実施例は、第３の態様に記載の光起電力モジュールを含む、光起電力システムを提供する。
【発明の効果】
【0024】
上記太陽電池の製造方法は、基板に第１のトンネリング酸化物層、第１の真性アモルファスシリコン層、第２のトンネリング酸化物層及び第２の真性アモルファスシリコン層を順次積層して形成し、第２の領域に位置する第２の真性アモルファスシリコン層及び第２のトンネリング酸化物層を除去した後、第１の領域に位置する第１の真性アモルファスシリコン層及び第２の真性アモルファスシリコン層に第１の元素をドーピングし、第１のドーピング層及び第２のドーピング層を得て、第２の領域に位置する第１の真性アモルファスシリコン層に第２の元素をドーピングし、第３のドーピング層を得て、且つ分離領域に分離構造を形成することにより、基板の第２の面において、第１の領域及び第２の領域にそれぞれ位置するパッシベーションコンタクト構造を形成し、基板の第１の領域及び第２の領域にそれぞれパッシベーションコンタクト構造を作製するときに必要な工程ステップを減少し、さらに電池の製造プロセスステップを減少し、電池の製造コストを低減し、電池の量産に有利であり、電池の量産コストを低減することができる。
【0025】
また、第１の領域に位置する第１の真性アモルファスシリコン層及び第２の真性アモルファスシリコン層に第１の元素をドーピングする時、第１の元素は第２のトンネリング酸化物層によって第１の真性ポリシリコン層に拡散する必要があり、第２のトンネリング酸化物層は一定のバリア作用を有するため、過剰の第１の元素が第１の真性ポリシリコン層に拡散することを回避することができ、これにより第１のドーピング層のドーピング濃度を第２のドーピング層のドーピング濃度よりも小さくすることができ、それによって第１のドーピング層の光に対する寄生吸収を低減し、電池の効率を向上させることができ、後に電極を製造する時、第２のドーピング層と電極とのオーミックコンタクト効果を向上させ、電池の効率及び信頼性を向上させることができ、また、第２のトンネリング酸化物層が光に対して一定の反射作用を有し、それによって光利用率を向上させ、電池の効率をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】本願のいくつかの実施例にて提供される太陽電池の製造方法のフローチャートである。
【図2】本願のいくつかの実施例にて提供される太陽電池の製造方法の第１のフローチャートである。
【図4】本願のいくつかの実施例にて提供される太陽電池の製造方法において第２の領域に位置する第２の真性アモルファスシリコン層及び第２のトンネリング酸化物層を除去する第１の概略フローチャートである。
【図5】本願のいくつかの実施例にて提供される太陽電池の製造方法の第２のフローチャートである。
【図7】本願のいくつかの実施例にて提供される太陽電池の製造方法において第２の領域に位置する第２の真性アモルファスシリコン層及び第２のトンネリング酸化物層を除去する第２の概略フローチャートである。
【図8】本願のいくつかの実施例にて提供される太陽電池の構造概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
本願の上記目的、特徴及び利点をより明らかにしてわかりやすくするために、以下、図面を参照して本願の具体的な実施形態について詳細に説明する。本願の十分な理解を容易にするために、以下の説明で多くの具体的な詳細が記載されている。しかしながら、本願は、本明細書に記載された方法とは異なる多くの他の方法で実施することができ、当業者は、本願の内容に反せずに同様の改善を行うことができるので、本願は、以下に開示される具体的な実施例によって限定されない。
【0028】
本願の説明において、「中心」、「縦」、「横」、「長さ」、「幅」、「厚さ」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「垂直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」、「時計回り」、「反時計回り」、「軸方向」、「径方向」、「周方向」などの用語が現われる場合、これらの用語が示す方位又は位置関係は、図面に示される方位又は位置関係に基づくものであり、本願の説明の便宜及び簡略化のためのものであり、示される装置又は素子が特定の方位を有し、特定の方位で構築及び操作されなければならないことを示し又は暗示するものではなく、したがって、本願を限定するものとは理解できないことを理解されたい。
【0029】
なお、「第１の」、「第２の」という用語が現われる場合、これらの用語は、単に説明のためのものであり、相対的な重要性を示すか又は暗示するか、又は示される技術的特徴の数を暗黙的に示すものと理解すべきではない。したがって、「第１の」、「第２の」と定義された特徴は、少なくとも１つのその特徴を明示的又は暗黙的に含んでもよい。本願の説明において、「複数」は、特に断りのない限り、少なくとも２つ、例えば２つ、３つなどを意味する。
【0030】
本願において、「取り付け」、「連結」、「接続」、「固定」などの用語が現われる場合、これらの用語は、別段の明示的な規定及び限定がない限り、広義に理解されるべきであり、例えば、特に明示的に限定されない限り、固定的な接続、取り外し可能な接続、又は一体的なものであってもよく、機械的接続でも電気的接続でもよく、直接的な連結でも介在媒体を介する間接的な連結でもよく、２つの要素の内部の連通、又は２つの要素の相互作用の関係であってもよい。本願における上記用語の具体的な意味は、当業者にとっては、具体的な状況に応じて理解することができる。
【0031】
本願において、別段の明示的な規定及び限定がない限り、第１の特徴が第２の特徴の「上」又は「下」にあるなどの類似の記述がある場合、その意味は、第１の特徴及び第２の特徴が直接接触していること、又は第１の特徴及び第２の特徴が介在媒体を介して間接的に接触していることであってもよい。さらに、第１の特徴が第２の特徴「の上」、「上方」及び「上面」にあることは、第１の特徴が第２の特徴の真上又は斜め上にあるか、又は単に第１の特徴が第２の特徴よりも水平高さが高いことを示す。第１の特徴が第２の特徴「の下」、「下方」及び「下面」にあることは、第１の特徴が第２の特徴の直下又は斜め下にあるか、又は単に第１の特徴が第２の特徴よりも水平高さが低いことを示す。
【0032】
なお、要素が別の要素に「固定されている」又は「設けられている」と称される場合、別の要素の上に直接あってもよく、又は介在する要素が存在してもよい。ある要素が別の要素に「接続されている」と見なされる場合、別の要素に直接接続されてもよく、又は介在する要素が同時に存在してもよい。存在する場合、本願で用いられている用語「垂直」、「水平」、「上」、「下」、「左」、「右」、及び類似の表現は、単に説明のためであり、唯一の実施形態であることを示すものではない。
【0033】
【0034】
Ｓ１、対向して設けられた第１の面１１１及び第２の面１１２を有する基板１１０を提供し、第２の面１１２を第１の領域１１２ａ、第２の領域１１２ｂ及び両者の間に位置する分離領域１１２ｃに分割する。
【0035】
具体的には、基板１１０は、Ｐ型シリコン基板１１０であってもよいし、Ｎ型シリコン基板１１０であってもよく、第１の面１１１は、受光面であってもよく、第２の面１１２は、背光面であってもよく、
【0036】
脱イオン水、ＫＯＨ及び研磨添加剤で調合された薬液によって基板１１０の第１の面１１１及び第２の面１１２を研磨することができ、後の手順における基板１１０上のトンネリング酸化物層（第１のトンネリング酸化物層１２０及び第２のトンネリング酸化物層１４０）に接触する領域の平坦度を保証することができ、後に製造される第１のトンネリング酸化物層１２０、第２のトンネリング酸化物層１４０、第１の真性ポリシリコン層及び第２の真性対結晶シリコン層の平坦度及び均一性を向上させることに有利であり、それによって基板１１０に形成されたパッシベーションコンタクト構造のパッシベーション効果を向上させることができる。
【0037】
Ｓ２、基板１１０の第２の面１１２であって基板１１０から離れる方向に沿って第１のトンネリング酸化物層１２０、第１の真性アモルファスシリコン層１３０、第２のトンネリング酸化物層１４０及び第２の真性アモルファスシリコン層１５０を順次積層して形成する。
【0038】
具体的には、低圧化学気相堆積法によって基板１１０の第２の面１１２に第１のトンネリング酸化物層１２０、第１の真性アモルファスシリコン層１３０、第２のトンネリング酸化物層１４０及び第２の真性アモルファスシリコン層１５０を順次積層して形成してもよいが、もちろん、他の堆積方法で形成してもよく、本願では特に限定されない。
【0039】
Ｓ３、第２の領域１１２ｂに位置する第２の真性アモルファスシリコン層１５０及び第２のトンネリング酸化物層１４０を除去する。
【0040】
具体的には、レーザー、化学的腐食、フォトリソグラフィーなどの方法のうちの１つ以上の方法で第２の領域１１２ｂに位置する第２の真性アモルファスシリコン層１５０及び第２のトンネリング酸化物層１４０を除去してもよく、好ましくは、レーザーと化学的腐食の２つの方法を組み合わせて第２の領域１１２ｂに位置する第２の真性アモルファスシリコン層１５０及び第２のトンネリング酸化物層１４０を除去し、除去過程での第１の真性アモルファスシリコン層１３０への損傷を低減し、それによってドーピングによって得られた第３のドーピング層１５０ａの性能を向上させ、電池の効率を向上させることに有利である。
【0041】
Ｓ４、第１の領域１１２ａに位置する第１の真性アモルファスシリコン層１３０及び第２の真性アモルファスシリコン層１５０に第１の元素をドーピングし、第１のドーピング層１３０ａ及び第２のドーピング層１３０ｂをそれぞれ得て、第２の領域１１２ｂに位置する第１の真性アモルファスシリコン層１３０に第２の元素をドーピングし、第３のドーピング層１５０ａを得る。
【0042】
第１の元素は、ボロン元素であってもよく、第２の元素は、リン元素であってもよく、第１の領域１１２ａに位置する第１の真性アモルファスシリコン層１３０及び第２の真性アモルファスシリコン層１５０にボロン元素をドーピングすることにより、ドーピングによって得られた第１のドーピング層１３０ａ及び第２のドーピング層１３０ｂのドーピングタイプを一致させることができ、ボロン元素の真性アモルファスシリコン層（第１の真性アモルファスシリコン層及び第２の真性アモルファスシリコン層）における拡散係数がリン元素の拡散係数よりも遥かに小さいとともに、第２のトンネリング酸化物層は、一定のバリア作用を有するので、ドーピング濃度の低い第１のドーピング層１３０ａ及びドーピング濃度の高い第２のドーピング層１３０ｂを得ることができ、それによって第１のドーピング層１３０ａの光に対する寄生吸収を低減し、電池の効率を向上させることができ、後に電極を製造する時、第２のドーピング層１３０ｂと電極とのオーミックコンタクト効果を向上させ、さらに電池の効率及び信頼性を向上させることができる。
【0043】
Ｓ５、分離領域１１２ｃに分離構造１９０を形成することにより、第１の領域１１２ａに位置する第１のトンネリング酸化物層１２０と第２の領域１１２ｂに位置する第１のトンネリング酸化物層１２０とを分離し、且つ第１の領域１１２ａに位置する第１のドーピング層１３０ａ及び第２のドーピング層１３０ｂの両者と第２の領域１１２ｂに位置する第３のドーピング層１５０ａとを分離し、それによって再結合の発生を回避し、電池の効率を向上させることができる。
【0044】
上記態様における太陽電池の製造方法は、基板１１０に第１のトンネリング酸化物層１２０、第１の真性アモルファスシリコン層１３０、第２のトンネリング酸化物層１４０及び第２の真性アモルファスシリコン層１５０を順次積層して形成し、第２の領域１１２ｂに位置する第２の真性アモルファスシリコン層１５０及び第２のトンネリング酸化物層１４０を除去した後、第１の領域１１２ａに位置する第１の真性アモルファスシリコン層１３０及び第２の真性アモルファスシリコン層１５０に第１の元素をドーピングし、第１のドーピング層１３０ａ及び第２のドーピング層１３０ｂを得て、第２の領域１１２ｂに位置する第１の真性アモルファスシリコン層１３０に第２の元素をドーピングし、第３のドーピング層１５０ａを得て、且つ分離領域１１２ｃに分離構造１９０を形成することにより、基板１１０の第２の面１１２において、第１の領域１１２ａ及び第２の領域１１２ｂにそれぞれ位置するパッシベーションコンタクト構造を形成し、基板１１０の第１の領域１１２ａ及び第２の領域１１２ｂにそれぞれパッシベーションコンタクト構造を作製するときに必要な工程ステップを減少し、さらに電池の製造プロセスステップを減少し、電池の製造コストを低減し、電池の量産に有利であり、電池の量産コストを低減することができる。
【0045】
また、第１の領域１１２ａに位置する第１の真性アモルファスシリコン層１３０及び第２の真性アモルファスシリコン層１５０に第１の元素をドーピングする時、第１の元素は第２のトンネリング酸化物層１４０によって第１の真性ポリシリコン層に拡散する必要があり、第２のトンネリング酸化物層１４０は一定のバリア作用を有するため、過剰の第１の元素が第１の真性ポリシリコン層に拡散することを回避することができ、これにより第１のドーピング層１３０ａのドーピング濃度を第２のドーピング層１３０ｂのドーピング濃度よりも小さくすることができ、それによって第１のドーピング層１３０ａの光に対する寄生吸収を低減し、電池の効率を向上させることができ、後に電極を製造する時、第２のドーピング層１３０ｂと電極とのオーミックコンタクト効果を向上させ、電池の効率及び信頼性を向上させることができ、また、第２のトンネリング酸化物層１４０が光に対して一定の反射作用を有し、それによって光利用率を向上させ、電池の効率をさらに向上させることができる。
【0046】
図２及び図３に関連して示されるように、そのうちのいくつかの実施例では、ステップＳ３の前に、当該方法は、さらに、
第２の真性アモルファスシリコン層１５０の基板１１０から離反する側にドーピング源層１６０及び第１の保護層１７０を順次積層して形成するＳ３ａであって、ドーピング源層１６０は、ドーピングに必要な第１の元素を提供するために用いられるＳ３ａを含む。
第２の真性アモルファスシリコン層１５０の基板１１０から離反する側にドーピング源層１６０及び第１の保護層１７０を順次積層して形成するＳ３ａであって、ドーピング源層１６０は、ドーピングに必要な第１の元素を提供するために用いられるＳ３ａを含む。
【0047】
ドーピング源層１６０は、ボロン源層であってもよく、例えば、常圧化学気相堆積法（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＰＣＶＤ）によって第２の真性アモルファスシリコン層１５０の基板１１０から離反する側にホウ珪酸ガラス層を形成し、また、例えばボロン拡散管によって第２の真性アモルファスシリコン層１５０の基板１１０から離反する側に純ボロン層を形成する。第１の保護層１７０は、酸化ケイ素層、酸窒化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくとも１つであってもよく、第１の保護層１７０は、常圧化学気相堆積法によって作製されてもよいし、プラズマ強化化学気相堆積法（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）によって作製されてもよく、第１の保護層１７０の厚さは、５０ｎｍ～１００ｎｍである。
【0048】
本実施例では、第２の真性アモルファスシリコン層１５０の基板１１０から離反する側にドーピング源層１６０及び第１の保護層１７０を順次積層して形成することにより、後にドーピング源層１６０によって第２の真性アモルファスシリコン層１５０及び第１の真性アモルファスシリコン層１３０に第１の元素をドーピングすることが容易になり、同じドーピングタイプの第１のドーピング層１３０ａ及び第２のドーピング層１３０ｂを得て、第１の保護層１７０は後に保護及びバリアの役割を果たすことができる。
【0049】
図２及び図３に関連して示されるように、そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ３は、具体的には、
第２の領域１１２ｂに位置する第１の保護層１７０、ドーピング源層１６０及び第２のトンネリング酸化物層１４０から離反する一部の第２の真性アモルファスシリコン層１５０をレーザーにより除去するＳ３１０ａと、
第２の領域１１２ｂに位置し且つ第２のトンネリング酸化物層１４０に隣接する残りの第２の真性アモルファスシリコン層１５０、及び第２の領域１１２ｂに位置する前記第２のトンネリング酸化物層１４０を湿式で除去するＳ３２０ａと、を含む。
第２の領域１１２ｂに位置する第１の保護層１７０、ドーピング源層１６０及び第２のトンネリング酸化物層１４０から離反する一部の第２の真性アモルファスシリコン層１５０をレーザーにより除去するＳ３１０ａと、
第２の領域１１２ｂに位置し且つ第２のトンネリング酸化物層１４０に隣接する残りの第２の真性アモルファスシリコン層１５０、及び第２の領域１１２ｂに位置する前記第２のトンネリング酸化物層１４０を湿式で除去するＳ３２０ａと、を含む。
【0050】
本実施例では、第２の領域１１２ｂに位置する第１の保護層１７０、ドーピング源層１６０及び第２のトンネリング酸化物層１４０から離反する一部の第２の真性アモルファスシリコン層１５０をレーザーにより除去し、第２の領域１１２ｂに位置し且つ第２のトンネリング酸化物層１４０に隣接する残りの第２の真性アモルファスシリコン層１５０、及び第２の領域１１２ｂに位置する第２のトンネリング酸化物層１４０を湿式で除去し、レーザー除去過程において、第２の真性アモルファスシリコン層１５０は犠牲層として、レーザーエネルギーを吸収することができ、第２のトンネリング酸化物層１４０はバリア層として、レーザーエネルギーの伝導を遮断し、レーザーによる第１の真性アモルファスシリコン層１３０への損傷を低減することができ、残りの第２の真性アモルファスシリコン層１５０及び第２のトンネリング酸化物層１４０を湿式で除去することにより、第１の真性アモルファスシリコン層１３０への損傷を回避することができ、それによってドーピングによって得られた第３のドーピング層１５０ａの性能を確保し、電池の効率を向上させることができる。
【0051】
図４に示すように、そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ３２０ａは、具体的には、以下を含む。
【0052】
Ｓ３２１ａ、第２の領域１１２ｂに位置し且つ第２のトンネリング酸化物層１４０に隣接する残りの第２の真性アモルファスシリコン層１５０を湿式で除去する。
【0053】
具体的には、研磨添加剤によって第２の領域１１２ｂに位置し且つ第２のトンネリング酸化物層１４０に隣接する残りの第２の真性アモルファスシリコン層１５０を除去することができ、当該研磨添加剤は第１の保護層１７０及び第２のトンネリング酸化物層１４０に損傷を与えず、それによって研磨添加剤による第１の真性アモルファスシリコン層１３０及びドーピング源層１６０への損傷を回避することができる。
【0054】
Ｓ３２２ａ、第１の領域１１２ａに位置する第１の保護層１７０の基板１１０から離反する側にマスク層を形成する。
【0055】
具体的には、マスク層は、フォトレジスト層であってもよく、マスク層は、第２の領域１１２ｂに位置する第２のトンネリング酸化物層１４０を除去するときに第１の保護層１７０に対して保護の役割を果たすことができ、第１の保護層１７０が損傷を受けないことを保証し、その後の拡散に有利である。
【0056】
Ｓ３２３ａ、第２の領域１１２ｂに位置する第２のトンネリング酸化物層１４０を湿式で除去する。
【0057】
具体的には、酸液によって第２のトンネリング酸化物層１４０を除去してもよく、例えばフッ化水素溶液によって第２のトンネリング酸化物層１４０を除去してもよい。
【0058】
Ｓ３２４ａ、マスク層を除去する。
【0059】
なお、第１の保護層１７０の厚さは、５０ｎｍ～１００ｎｍであってもよく、第２のトンネリング酸化物層１４０の厚さは、１～２ｎｍであり、第１の保護層１７０の厚さは、第２のトンネリング酸化物層１４０の厚さよりも大きく、エッチングプロセスによって許容される条件では、第１の領域１１２ａに位置する第１の保護層１７０の基板から離反する側にマスク層を形成する必要がなく、エッチングプロセスパラメータを制御することによって、第２の領域１１２ｂに位置する第２のトンネリング酸化物層１４０を除去する時、第１の保護層１７０への損傷を可能な限り低減する。
【0060】
そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ４は、具体的には、
予め設定された温度で、ドーピング源層１６０が第１の真性アモルファスシリコン層１３０及び第２の真性アモルファスシリコン層１５０に第１の元素をドーピングし、且つ予め設定された時間にわたって、第１のドーピング層１３０ａ及び第２のドーピング層１３０ｂをそれぞれ得ることを含む。
予め設定された温度で、ドーピング源層１６０が第１の真性アモルファスシリコン層１３０及び第２の真性アモルファスシリコン層１５０に第１の元素をドーピングし、且つ予め設定された時間にわたって、第１のドーピング層１３０ａ及び第２のドーピング層１３０ｂをそれぞれ得ることを含む。
【0061】
具体的には、予め設定された温度は、８５０℃～１０００℃であってもよく、予め設定された時間は、５ｍｉｎ～２５ｍｉｎであってもよく、第１の真性アモルファスシリコン層１３０及び第２の真性アモルファスシリコン層１５０の厚さに応じて決定することができ、例えば、第１の真性アモルファスシリコン層１３０の厚さが５０ｎｍであり、第２の真性アモルファスシリコン層１５０の厚さが１００ｎｍである場合、予め設定された温度は、８９０℃～９２０℃であってもよく、予め設定された時間は、８ｍｉｎ～１０ｍｉｎであってもよい。
【0062】
第２の領域に位置する第１の真性アモルファスシリコン層１３０に第２の元素をドーピングし、第３のドーピング層１５０ａを得る。
【0063】
本実施例では、ドーピング拡散過程全体を同一の拡散管内で行うことができ、管を交換する必要がなく、拡散効率を向上させ、拡散工程を簡略化することができる。第１の保護層１７０のバリア作用により、ドーピング源層１６０における第１の元素による拡散管の汚染が回避され、拡散管によって第２の領域１１２ｂに位置する第１の真性アモルファスシリコン層１３０に第２の元素をドーピングする時、第１の保護層１７０は第２の元素が第１の領域１１２ａに位置する第１の真性アモルファスシリコン層１３０及び第２の真性アモルファスシリコン層１５０に入ることを防止することができ、それによって得られた第１のドーピング層１３０ａ及び第２のドーピング層１３０ｂの両者のドーピングタイプが同じであり、第１のドーピング層１３０ａ及び第２のドーピング層１３０ｂの両者のドーピングタイプが第３のドーピング層１５０ａのドーピングタイプと異なることを保証し、基板１１０に形成されたパッシベーションコンタクト構造のパッシベーション効果を保証することができる。
【0064】
そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ４の後に、当該方法は、ドーピング源層１６０及び第１の保護層１７０を除去することをさらに含む。
【0065】
具体的には、ドーピング源層１６０及び第１の保護層１７０を湿式で除去し、酸液（例えばＨＦ酸）によってドーピング源層１６０及び第１の保護層１７０を除去してもよい。
【0066】
図５及び図６に関連して示されるように、そのうちのいくつかの実施例では、ステップＳ３の前に、当該方法は、さらに、
第２の真性アモルファスシリコン層１５０の基板１１０から離反する側に第２の保護層１８０を形成するＳ３ｂを含む。
第２の真性アモルファスシリコン層１５０の基板１１０から離反する側に第２の保護層１８０を形成するＳ３ｂを含む。
【0067】
具体的には、第２の保護層１８０は、酸化ケイ素層、酸窒化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくとも１つであってもよく、第２の保護層１８０は、常圧化学気相堆積法、プラズマ強化化学気相堆積法などの堆積方法により作製されてもよい。第２の真性アモルファスシリコン層１５０の基板１１０から離反する側に第２の保護層１８０を形成することにより、後の製造工程において保護及びバリアの役割を果たすことができる。第２の保護層１８０の厚さは、５０ｎｍ～１００ｎｍである。
【0068】
図５及び図６に関連して示されるように、そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ３は、具体的には、
第２の領域１１２ｂに位置する第２の保護層１８０及び第２のトンネリング酸化物層１４０から離反する一部の前記第２の真性アモルファスシリコン層１５０をレーザーにより除去するＳ３１０ｂと、
第２の領域１１２ｂに位置し且つ第２のトンネリング酸化物層１４０に隣接する残りの第２の真性アモルファスシリコン層１５０、及び第２の領域１１２ｂに位置する前記第２のトンネリング酸化物層１４０を湿式で除去するＳ３２０ｂと、を含む。
第２の領域１１２ｂに位置する第２の保護層１８０及び第２のトンネリング酸化物層１４０から離反する一部の前記第２の真性アモルファスシリコン層１５０をレーザーにより除去するＳ３１０ｂと、
第２の領域１１２ｂに位置し且つ第２のトンネリング酸化物層１４０に隣接する残りの第２の真性アモルファスシリコン層１５０、及び第２の領域１１２ｂに位置する前記第２のトンネリング酸化物層１４０を湿式で除去するＳ３２０ｂと、を含む。
【0069】
本実施例では、第２の領域１１２ｂに位置する第２の保護層１８０及び第２のトンネリング酸化物層１４０から離反する一部の第２の真性アモルファスシリコン層１５０をレーザーにより除去し、残りの第２の真性アモルファスシリコン層１５０、及び第２の領域１１２ｂに位置する第２のトンネリング酸化物層１４０を湿式で除去し、レーザー除去過程において、第２の真性アモルファスシリコン層１５０は犠牲層として、レーザーエネルギーを吸収することができ、第２のトンネリング酸化物層１４０はバリア層として、レーザーエネルギーの伝導を遮断し、レーザーによる第１の真性アモルファスシリコン層１３０への損傷を低減することができ、残りの第２の真性アモルファスシリコン層１５０及び第２のトンネリング酸化物層１４０を湿式で除去することにより、第１の真性アモルファスシリコン層１３０への損傷を回避することができ、それによってドーピングによって得られた第３のドーピング層１５０ａの性能を確保し、電池の効率を向上させることができる。
【0070】
図７に示すように、そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ３２０ｂは、具体的には、以下を含む。
【0071】
Ｓ３２１ｂ、第２の領域１１２ｂに位置し且つ第２のトンネリング酸化物層１４０に隣接する残りの第２の真性アモルファスシリコン層１５０を湿式で除去する。
【0072】
具体的には、研磨添加剤によって第２の領域１１２ｂに位置し且つ第２のトンネリング酸化物層１４０に隣接する残りの第２の真性アモルファスシリコン層１５０を除去することができ、当該研磨添加剤は第２の保護層１８０及び第２のトンネリング酸化物層１４０に損傷を与えず、それによって研磨添加剤による第１の真性アモルファスシリコン層１３０への損傷を回避することができる。
【0073】
Ｓ３２２ｂ、第１の領域１１２ａに位置する第２の保護層１８０の基板１１０から離反する側にマスク層を形成する。
【0074】
具体的には、マスク層は、フォトレジスト層であってもよく、マスク層は、第２の領域１１２ｂに位置する第２のトンネリング酸化物層１４０を除去するときに第２の保護層１８０に対して保護の役割を果たすことができ、第２の保護層１８０が損傷を受けないことを保証し、その後の拡散に有利である。
【0075】
Ｓ３２３ｂ、第２の領域１１２ｂに位置する第２のトンネリング酸化物層１４０を湿式で除去する。
【0076】
具体的には、酸液によって第２のトンネリング酸化物層１４０を除去してもよく、例えばフッ化水素溶液によって第２のトンネリング酸化物層１４０を除去してもよい。
【0077】
Ｓ３２４ｂ、マスク層を除去する。
【0078】
なお、第２の保護層１８０の厚さは、５０ｎｍ～１００ｎｍであってもよく、第２のトンネリング酸化物層１４０の厚さは、１～２ｎｍであり、第２の保護層１８０の厚さは、第２のトンネリング酸化物層１４０の厚さよりも大きく、エッチングプロセスによって許容される条件では、第１の領域に位置する第２の保護層１８０の基板から離反する側にマスク層を形成する必要がなく、エッチングプロセスパラメータを制御することによって、第２の領域に位置する第２のトンネリング酸化物層１４０を除去する時、第２の保護層１８０への損傷を可能な限り低減する。
【0079】
そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ４は、具体的には、
第２の領域１１２ｂに位置する第１の真性アモルファスシリコン層１３０に第２の元素をドーピングし、第３のドーピング層１５０ａを得ることと、
第３のドーピング層１５０ａの基板１１０から離反する側に第３の保護層を形成することと、
第１の領域１１２ａに位置する第２の保護層１８０を除去し、且つ第１の領域１１２ａに位置する第１の真性アモルファスシリコン層１３０及び前記第２の真性アモルファスシリコン層１５０に第１の元素をドーピングし、第１のドーピング層１３０ａ及び第２のドーピング層１３０ｂを得ることと、を含む。
第２の領域１１２ｂに位置する第１の真性アモルファスシリコン層１３０に第２の元素をドーピングし、第３のドーピング層１５０ａを得ることと、
第３のドーピング層１５０ａの基板１１０から離反する側に第３の保護層を形成することと、
第１の領域１１２ａに位置する第２の保護層１８０を除去し、且つ第１の領域１１２ａに位置する第１の真性アモルファスシリコン層１３０及び前記第２の真性アモルファスシリコン層１５０に第１の元素をドーピングし、第１のドーピング層１３０ａ及び第２のドーピング層１３０ｂを得ることと、を含む。
【0080】
本実施例では、第２の領域１１２ｂに位置する第１の真性アモルファスシリコン層１３０に第２の元素をドーピングする過程で、第２の保護層１８０がバリアの役割を果たし、第２の元素が第１の領域１１２ａに位置する第１の真性アモルファスシリコン層１３０及び前記第２の真性アモルファスシリコン層１５０に拡散することを回避することができ、第３のドーピング層１５０ａの基板１１０から離反する側に第３の保護層を形成し、第３の保護層がバリアの役割を果たし、第１の元素が第３のドーピング層１５０ａに拡散することを回避することができ、それによって得られた第１のドーピング層１３０ａ及び第２のドーピング層１３０ｂの両者のドーピングタイプが同じであり、第１のドーピング層１３０ａ及び第２のドーピング層１３０ｂの両者のドーピングタイプが第３のドーピング層１５０ａのドーピングタイプと異なることを保証し、基板１１０に形成されたパッシベーションコンタクト構造のパッシベーション効果を保証することができる。
【0081】
さらに、第３の保護層は、酸化ケイ素層、酸窒化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくとも１つであってよく、第２の保護層１８０は、常圧化学気相堆積法、プラズマ強化化学気相堆積法などの堆積方法によって作製されてもよい。
【0082】
そのうちのいくつかの実施例では、前記ステップＳ４の後に、当該方法は、第３の保護層を除去することをさらに含む。
【0083】
具体的には、第３の保護層を湿式で除去することができる。
【0084】
図８に示すように、そのうちのいくつかの実施例では、ステップＳ５の後に、当該方法は、さらに、
第２のドーピング層１３０ｂ及び第３のドーピング層１５０ａの基板１１０から離反する側に、第２のドーピング層１３０ｂ及び第３のドーピング層１５０ａの基板１１０から離反する側の表面を少なくとも覆う第１のパッシベーション反射低減層２００ａを形成し、基板１１０の前記第１の面に第２のパッシベーション反射低減層２００ｂを形成することを含む。
第２のドーピング層１３０ｂ及び第３のドーピング層１５０ａの基板１１０から離反する側に、第２のドーピング層１３０ｂ及び第３のドーピング層１５０ａの基板１１０から離反する側の表面を少なくとも覆う第１のパッシベーション反射低減層２００ａを形成し、基板１１０の前記第１の面に第２のパッシベーション反射低減層２００ｂを形成することを含む。
【0085】
さらに、第１のパッシベーション反射低減層２００ａ及び第２のパッシベーション反射低減層２００ｂは、いずれも酸化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化ガリウム、窒化アルミニウム、酸窒化ケイ素のうちの少なくとも１つであってもよい。第１のパッシベーション反射低減層２００ａ及び第２のパッシベーション反射低減層２００ｂは、同期して形成されてもよい。
【0086】
そのうちのいくつかの実施例では、当該方法は、さらに、
第１の領域に位置する第１のパッシベーション反射低減層２００ａの基板１１０から離反する側に、第２のドーピング層１３０ｂに接続される第１の電極２１０を形成することと、
第２の領域に位置する第１のパッシベーション反射低減層２００ａの基板１１０から離反する側に、第３のドーピング層１５０ａに接続される第２の電極２２０を形成することと、を含む。
第１の領域に位置する第１のパッシベーション反射低減層２００ａの基板１１０から離反する側に、第２のドーピング層１３０ｂに接続される第１の電極２１０を形成することと、
第２の領域に位置する第１のパッシベーション反射低減層２００ａの基板１１０から離反する側に、第３のドーピング層１５０ａに接続される第２の電極２２０を形成することと、を含む。
【0087】
そのうちのいくつかの実施例では、第１のトンネリング酸化物層１２０及び第２のトンネリング酸化物層１４０の厚さは、いずれも１～２ｎｍであり、第１のドーピング層１３０ａ、第２のドーピング層１３０ｂ及び第３のドーピング層１５０ａの厚さは、いずれも５０～５００ｎｍである。
【0088】
図８に示すように、本願の第２の態様の実施例は、
対向して設けられた第１の面１１１及び第２の面１１２を有する基板１１０であって、第２の面１１２は、第１の領域１１２ａ、第２の領域１１２ｂ、及び両者の間に位置する分離領域１１２ｃを含む基板１１０と、
第１の領域１１２ａ内に位置し、且つ基板１１０から離反する方向に沿って順次積層して設けられた第１のトンネリング酸化物層１２０、第１のドーピング層１３０ａ、第２のトンネリング酸化物層１４０及び第２のドーピング層１３０ｂと、
第２の領域１１２ｂ内に位置し、且つ基板１１０から離反する方向に沿って順次積層して設けられた第１のトンネリング酸化物層１２０及び第３のドーピング層１５０ａと、
分離構造１９０であって、分離領域１１２ｃに位置し、分離構造１９０は、第１の領域１１２ａに位置する第１のトンネリング酸化物層１２０と第２の領域１１２ｂに位置する前記第１のトンネリング酸化物層１２０とを分離するために用いられ、分離構造は、さらに、第１の領域１１２ａに位置する第１のドーピング層１３０ａ及び第２のドーピング層１３０ｂの両者と第２の領域１１２ｂに位置する第３のドーピング層１５０ａとを分離するために用いられる分離構造１９０と、を含む、
太陽電池を提供する。
対向して設けられた第１の面１１１及び第２の面１１２を有する基板１１０であって、第２の面１１２は、第１の領域１１２ａ、第２の領域１１２ｂ、及び両者の間に位置する分離領域１１２ｃを含む基板１１０と、
第１の領域１１２ａ内に位置し、且つ基板１１０から離反する方向に沿って順次積層して設けられた第１のトンネリング酸化物層１２０、第１のドーピング層１３０ａ、第２のトンネリング酸化物層１４０及び第２のドーピング層１３０ｂと、
第２の領域１１２ｂ内に位置し、且つ基板１１０から離反する方向に沿って順次積層して設けられた第１のトンネリング酸化物層１２０及び第３のドーピング層１５０ａと、
分離構造１９０であって、分離領域１１２ｃに位置し、分離構造１９０は、第１の領域１１２ａに位置する第１のトンネリング酸化物層１２０と第２の領域１１２ｂに位置する前記第１のトンネリング酸化物層１２０とを分離するために用いられ、分離構造は、さらに、第１の領域１１２ａに位置する第１のドーピング層１３０ａ及び第２のドーピング層１３０ｂの両者と第２の領域１１２ｂに位置する第３のドーピング層１５０ａとを分離するために用いられる分離構造１９０と、を含む、
太陽電池を提供する。
【0089】
本願の実施例における太陽電池は、第１の態様における製造方法により製造されることができ、電池の製造コストを低減し、電池の量産に有利であり、電池の量産コストを低減し、また、第１のドーピング層１３０ａのドーピング濃度を第２のドーピング層１３０ｂのドーピング濃度よりも小さくすることができ、それによって第１のドーピング層１３０ａの光に対する寄生吸収を低減し、電池の効率を向上させることができ、第２のドーピング層１３０ｂと電極とのオーミックコンタクト効果を向上させ、電池の効率及び信頼性を向上させることができ、また、第２のトンネリング酸化物層１４０が再結合を低減でき、同時に第２のトンネリング酸化物層１４０が光に対して一定の反射作用を有し、それによって光利用効率を向上させ、電池の効率をさらに向上させることができる。
【0090】
そのうちのいくつかの実施例では、分離構造１９０は、分離溝を含み、分離溝は、第１の方向Ｘに沿って第１のトンネリング酸化物層１２０、第１のドーピング層１３０ａ、第２のトンネリング酸化物層１４０、第２のドーピング層１３０ｂ及び第３のドーピング層１５０ａを貫通し、第１の方向Ｘは、基板１１０が位置する平面に垂直である。このように、第１の領域１１２ａに位置する第１のトンネリング酸化物層１２０と第２の領域１１２ｂに位置する第１のトンネリング酸化物層１２０とを分離し、且つ第１の領域１１２ａに位置する第１のドーピング層１３０ａ及び第２のドーピング層１３０ｂの両者と第２の領域１１２ｂに位置する第３のドーピング層１５０ａとを分離することができ、それによって再結合の発生を回避し、電池の効率を向上させることができる。
【0091】
本願の第３の態様の実施例は、第２の態様のいずれか一項に記載の太陽電池を含み、さらに光起電力モジュールの効率を向上させる、光起電力モジュールを提供する。
【0092】
本願の第４の態様の実施例は、第３の態様に記載の光起電力モジュールを含み、さらに光起電力モジュールの効率を向上させる、光起電力システムを提供する。
【0093】
以上に述べた実施例の各技術的特徴は任意の組合せが可能であり、説明を簡潔にするために、上記実施例における各技術的特徴の可能な全ての組合せについて説明していないが、これらの技術的特徴の組合せに矛盾がない限り、全て本明細書に記載された範囲であると考えるべきである。
【0094】
以上に述べた実施例は、本願のいくつかの実施形態を表現しただけで、その説明が具体的かつ詳細であるが、それによって出願特許の範囲を制限するものと理解することはできない。指摘すべきことは、当業者にとっては、本願の構想を逸脱しないことを前提に、いくつかの変形及び改良を加えることができ、これらは本願の保護範囲に属するということである。したがって、本願発明の保護範囲は添付の特許請求の範囲の内容を基準とすべきである。
【符号の説明】
【0095】
１１０ 基板、１１１ 第１の面、１１２ 第２の面、１１２ａ 第１の領域、１１２ｂ 第２の領域、１１２ｃ 分離領域、１２０ 第１のトンネリング酸化物層、１３０ 第１の真性アモルファスシリコン層、１３０ａ 第１のドーピング層、１３０ｂ 第２のドーピング層、１４０ 第２のトンネリング酸化物層、１５０ 第２の真性アモルファスシリコン層、１５０ａ 第３のドーピング層、１６０ ドーピング源層、１７０ 第１の保護層、１８０ 第２の保護層、１９０ 分離構造、２００ａ 第１のパッシベーション反射低減層、２００ｂ 第２のパッシベーション反射低減層、２１０ 第１の電極、２２０ 第２の電極、Ｘ 第１の方向。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
