特開 2024-113124 太陽電池構造及び太陽電池の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024113124

(43)【公開日】2024-08-21

(54)【発明の名称】太陽電池構造及び太陽電池の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 31/18 20060101AFI20240814BHJP

   H01L 31/0216 20140101ALI20240814BHJP

   H01L 31/0224 20060101ALI20240814BHJP

   H01L 31/0747 20120101ALI20240814BHJP

【ＦＩ】

H01L31/04 460

H01L31/04 240

H01L31/04 266

H01L31/06 455

【審査請求】有

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

【公開請求】

(21)【出願番号】P 2024092720

(22)【出願日】2024-06-07

(31)【優先権主張番号】202410301160.3

(32)【優先日】2024-03-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(71)【出願人】

【識別番号】523183389

【氏名又は名称】トリナ・ソーラー・カンパニー・リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＴＲＩＮＡ ＳＯＬＡＲ ＣＯ．， ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ． ２ Ｔｒｉｎａ Ｒｏａｄ， Ｔｒｉｎａ ＰＶ Ｐａｒｋ， Ｘｉｎｂｅｉ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ， Ｃｈａｎｇｚｈｏｕ， Ｊｉａｎｇｓｕ ２１３０３１， Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】110001210

【氏名又は名称】弁理士法人ＹＫＩ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】リ ホンウェイ

(72)【発明者】

【氏名】ヤン グアンタオ

(72)【発明者】

【氏名】チェン ダミン

(72)【発明者】

【氏名】チェン ホン

(57)【要約】      （修正有）

【課題】加工コストを低減し、かつ低い効率損失を実現し、その端末モジュールの製品パワーを向上させることができる太陽電池構造、太陽電池の製造方法及びマスクキャリアを提供する。
【解決手段】太陽電池構造は、基板１１０と、第１ドープ層２１０と、複数の第１透明導電層３１０とを含み、第１ドープ層２１０は、基板１１０の一方の表面に位置し、複数の第１透明導電層３１０は、第１ドープ層２１０の基板１１０から離れた表面に間隔をあけて配列され、太陽電池構造のスライス対象領域は、隣接する２つの第１透明導電層３１０の間に位置する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を提供し、前記基板の一方の表面に第１ドープ層を形成するステップと、
前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面に、間隔をあけて配列された複数の第１透明導電層を形成して太陽電池構造を得るステップと、
隣接する２つの前記第１透明導電層の間に位置するスライス対象領域に沿って前記太陽電池構造をスライスするステップと、を含む、ことを特徴とする太陽電池の製造方法。

【請求項2】

前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面に、間隔をあけて配列された複数の第１透明導電層を形成するステップは、
前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面に透明導電材料層を形成するステップと、
前記透明導電材料層に対してパターン化処理を行って、前記複数の第１透明導電層を形成するステップと、を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項3】

前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面に、間隔をあけて配列された複数の第１透明導電層を形成するステップは、
マスクキャリアを用いて前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面に前記複数の第１透明導電層を形成するステップを含み、
前記マスクキャリアは、前記第１ドープ層における、隣接する２つの前記第１透明導電層の間の間隔に対応する間隔領域を遮蔽して前記間隔領域を前記複数の第１透明導電層から露出させるように構成されたストッパバーを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項4】

前記マスクキャリアは、前記第１ドープ層のエッジ領域を遮蔽して前記エッジ領域を前記複数の第１透明導電層から露出させるように構成された第１フレームをさらに含む、ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項5】

前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面に第１非導電性反射防止層を形成するステップであって、前記第１非導電性反射防止層は、隣接する２つの前記第１透明導電層の間に位置することにより、隣接する２つの前記第１透明導電層の間を離間させるステップをさらに含み、
隣接する２つの前記第１透明導電層の間において、前記スライス対象領域の寸法は、前記第１非導電性反射防止層の寸法よりも小さい、ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項6】

前記第１非導電性反射防止層は、前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面における、前記第１透明導電層以外の領域を被覆する、ことを特徴とする請求項５に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項7】

前記複数の第１透明導電層は、アレイ状に配列され、前記スライス対象領域に沿って前記太陽電池構造をスライスするステップは、
それぞれアレイの行方向及び／又は列方向に沿って前記太陽電池構造をスライスするステップを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項8】

前記基板の前記第１ドープ層から離れた表面に第２ドープ層を形成するステップであって、前記第２ドープ層のドープタイプが前記第１ドープ層のドープタイプと逆であるステップと、
前記第２ドープ層の前記基板から離れた表面に少なくとも１つの第２透明導電層を形成するステップと、をさらに含む、ことを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項9】

前記第２ドープ層の前記基板から離れた表面に第２非導電性反射防止層を形成するステップであって、前記第２非導電性反射防止層は、隣接する２つの前記第２透明導電層の間に位置することにより、隣接する２つの前記第２透明導電層の間を離間させるステップをさらに含み、
隣接する２つの前記第２透明導電層の間において、前記スライス対象領域の寸法は、前記第２非導電性反射防止層の寸法よりも小さい、ことを特徴とする請求項８に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項10】

前記第２ドープ層と前記基板との間に第２パッシベーション層を形成するステップと、
前記第２透明導電層の前記第２ドープ層から離れた表面に少なくとも１つの第２電極を形成するステップと、をさらに含む、ことを特徴とする請求項８に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項11】

前記第１ドープ層と前記基板との間に第１パッシベーション層を形成するステップと、
前記第１透明導電層の前記第１ドープ層から離れた表面に第１電極を形成するステップと、をさらに含み、
各前記第１透明導電層の前記第１ドープ層から離れた表面には、少なくとも１つの前記第１電極が形成される、ことを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項12】

基板と、
前記基板の一方の表面に位置する第１ドープ層と、
前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面に間隔をあけて配列された複数の第１透明導電層と、を含む太陽電池構造であって、
前記太陽電池構造のスライス対象領域は、隣接する２つの前記第１透明導電層の間に位置する、ことを特徴とする太陽電池構造。

【請求項13】

前記第１ドープ層は、前記複数の第１透明導電層の外側に露出した間隔領域及びエッジ領域を含み、前記間隔領域は、隣接する２つの前記第１透明導電層の間の間隔に対応する、ことを特徴とする請求項１２に記載の太陽電池構造。

【請求項14】

前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面に位置し、かつ隣接する２つの前記第１透明導電層の間に位置することにより、隣接する２つの前記第１透明導電層の間を離間させる第１非導電性反射防止層をさらに含み、
隣接する２つの前記第１透明導電層の間において、前記スライス対象領域の寸法は、前記第１非導電性反射防止層の寸法よりも小さい、ことを特徴とする請求項１２に記載の太陽電池構造。

【請求項15】

前記第１非導電性反射防止層は、前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面における、前記第１透明導電層以外の領域を被覆する、ことを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池構造。

【請求項16】

前記複数の第１透明導電層は、アレイ状に配列され、前記スライス対象領域は、それぞれアレイの行方向及び／又は列方向に沿って延在する、ことを特徴とする請求項１２に記載の太陽電池構造。

【請求項17】

前記基板の前記第１ドープ層から離れた表面に位置し、ドープタイプが前記第１ドープ層のドープタイプと逆である第２ドープ層と、
前記第２ドープ層の前記基板から離れた表面に位置する少なくとも１つの第２透明導電層と、をさらに含み、ことを特徴とする請求項１２～１６のいずれか一項に記載の太陽電池構造。

【請求項18】

前記第２透明導電層の数は、複数であり、複数の前記第２透明導電層の前記基板への正投影は、前記複数の第１透明導電層の前記基板への正投影と重なり、
前記太陽電池構造は、前記第２ドープ層の前記基板から離れた表面に位置し、かつ隣接する２つの前記第２透明導電層の間に位置することにより、隣接する２つの前記第２透明導電層の間を離間させる第２非導電性反射防止層をさらに含み、
隣接する２つの前記第２透明導電層の間において、前記スライス対象領域の寸法は、前記第２非導電性反射防止層の寸法よりも小さい、ことを特徴とする請求項１７に記載の太陽電池構造。

【請求項19】

前記第２ドープ層と前記基板との間に位置する第２パッシベーション層と、
前記第２透明導電層の前記第２ドープ層から離れた表面に位置する少なくとも１つの第２電極と、をさらに含む、ことを特徴とする請求項１７に記載の太陽電池構造。

【請求項20】

前記第１ドープ層と前記基板との間に位置する第１パッシベーション層と、
前記第１透明導電層の前記第１ドープ層から離れた表面に位置する第１電極と、をさらに含み、
各前記第１透明導電層の前記第１ドープ層から離れた表面には、少なくとも１つの前記第１電極が形成される、ことを特徴とする請求項１２～１６のいずれか一項に記載の太陽電池構造。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、太陽光発電の技術分野に関し、特に太陽電池構造、太陽電池の製造方法及びマスクキャリアに関する。

【背景技術】

【0002】

太陽光発電技術の急速な発展に伴い、結晶シリコン太陽電池の変換効率は、年々向上しており、例えば、ヘテロ接合（Ｈｅｔｅｒｏ－Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ＨＪＴ）太陽電池の現在の最高変換効率は、２６．８１％に達し、ヘテロ接合構造に基づくヘテロ接合バックコンタクト電池（Ｈｅｔｅｒｏ ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｂａｃｋ Ｃｏｎｔａｃｔ、ＨＢＣ）は、２７．０９％という単結晶シリコン太陽電池の効率の新たな世界記録を創造し、ヘテロ接合電池がより注目されている。ヘテロ接合太陽電池は、Ｎ型両面電池であり、プロセスフローが簡単で、効率が高く、温度係数が低く、全体的に低温プロセスによりエネルギーを節約し、ＬＩＤやＬｅＴＩＤの減衰問題がなく、自然な両面電池で薄型化に適し、弱光応答が高いなどの多くの利点を有し、同時に、将来の超高効率のシリコン系ラミネート電池の理想的なボトムセル技術であるため、ヘテロ接合電池技術は、ＰＶ分野の研究及び企業の注目の焦点とされている。

【0003】

関連技術において、ますます増加しているモジュールのパワー需要を満たすために、ＨＪＴ電池をレーザーによって切断し、ハーフカットセルを形成した後、溶接して接続し、並列してモジュールを形成するが、レーザー切断過程において、セルにレーザー損傷領域と機械的破断領域が形成され、切断効率の損失を引き起こす。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本願の実施例は、ハーフカット損失を低減できる太陽電池構造、太陽電池の製造方法及びマスクキャリアを提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本願の第１態様に係る太陽電池構造は、基板と、前記基板の一方の表面に位置する第１ドープ層と、前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面に間隔をあけて配列された複数の第１透明導電層と、を含み、前記太陽電池構造のスライス対象領域（region to be cut）は、隣接する２つの前記第１透明導電層の間に位置する。

【0006】

一実施例において、前記第１ドープ層は、前記複数の第１透明導電層の外側に露出した間隔領域及びエッジ領域を含み、前記間隔領域は、隣接する２つの前記第１透明導電層の間の間隔に対応する。

【0007】

一実施例において、前記太陽電池構造は、前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面に位置し、かつ隣接する２つの前記第１透明導電層の間に位置することにより、隣接する２つの前記第１透明導電層の間を離間させる第１非導電性反射防止層をさらに含み、隣接する２つの前記第１透明導電層の間において、前記スライス対象領域の寸法は、前記第１非導電性反射防止層の寸法よりも小さい。

【0008】

一実施例において、前記第１非導電性反射防止層は、前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面における前記第１透明導電層以外の領域を被覆する。

【0009】

一実施例において、前記複数の第１透明導電層は、アレイ状に配列され、前記スライス対象領域は、それぞれアレイの行方向及び／又は列方向に沿って延在する。

【0010】

一実施例において、前記太陽電池構造は、前記基板の前記第１ドープ層から離れた表面に位置し、ドープタイプが前記第１ドープ層のドープタイプと逆である第２ドープ層と、前記第２ドープ層の前記基板から離れた表面に位置する少なくとも１つの第２透明導電層と、をさらに含む。

【0011】

一実施例において、前記第２透明導電層の数は、複数であり、複数の前記第２透明導電層の前記基板への正投影は、前記複数の第１透明導電層の前記基板への正投影と重なる。

【0012】

一実施例において、前記太陽電池構造は、前記第２ドープ層の前記基板から離れた表面に位置し、かつ隣接する２つの前記第２透明導電層の間に位置することにより、隣接する２つの前記第２透明導電層の間を離間させる第２非導電性反射防止層をさらに含み、隣接する２つの前記第２透明導電層の間において、前記スライス対象領域の寸法は、前記第２非導電性反射防止層の寸法よりも小さい。

【0013】

一実施例において、前記太陽電池構造は、前記第２ドープ層と前記基板との間に位置する第２パッシベーション層と、前記第２透明導電層の前記第２ドープ層から離れた表面に位置する少なくとも１つの第２電極と、をさらに含む。

【0014】

一実施例において、前記太陽電池構造は、前記第１ドープ層と前記基板との間に位置する第１パッシベーション層と、前記第１透明導電層の前記第１ドープ層から離れた表面に位置する第１電極と、をさらに含み、各前記第１透明導電層の前記第１ドープ層から離れた表面には、少なくとも１つの前記第１電極が形成される。

【0015】

本願の第２態様に係る太陽電池の製造方法は、基板を提供し、前記基板の一方の表面に第１ドープ層を形成するステップと、前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面に、間隔をあけて配列された複数の第１透明導電層を形成して太陽電池構造を得るステップと、隣接する２つの前記第１透明導電層の間に位置するスライス対象領域に沿って前記太陽電池構造をスライスするステップと、を含む。

【0016】

一実施例において、前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面に、間隔をあけて配列された複数の第１透明導電層を形成するステップは、第１ドープ層の前記基板から離れた表面に透明導電材料層を形成するステップと、前記透明導電材料層に対してパターン化処理を行って、前記複数の第１透明導電層を形成するステップと、を含む。

【0017】

一実施例において、前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面に、間隔をあけて配列された複数の第１透明導電層を形成するステップは、マスクキャリアを用いて第１ドープ層の前記基板から離れた表面に前記複数の第１透明導電層を形成するステップを含み、前記マスクキャリアは、前記第１ドープ層に当接して前記第１ドープ層における、隣接する２つの前記第１透明導電層の間の間隔に対応する間隔領域を遮蔽して前記間隔領域を前記複数の第１透明導電層から露出させるように構成されたストッパバーを含む。

【0018】

一実施例において、前記マスクキャリアは、前記第１ドープ層に当接して前記第１ドープ層のエッジ領域を遮蔽して前記エッジ領域を前記複数の第１透明導電層から露出させるように構成された第１フレームをさらに含む。

【0019】

一実施例において、前記太陽電池の製造方法は、前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面に第１非導電性反射防止層を形成するステップであって、前記第１非導電性反射防止層は、隣接する２つの前記第１透明導電層の間に位置することにより、隣接する２つの前記第１透明導電層の間を離間させるステップをさらに含み、隣接する２つの前記第１透明導電層の間において、前記スライス対象領域の寸法は、前記第１非導電性反射防止層の寸法よりも小さい。

【0020】

一実施例において、前記第１非導電性反射防止層は、前記第１ドープ層の前記基板から離れた表面における前記第１透明導電層以外の領域を被覆する。

【0021】

一実施例において、前記複数の第１透明導電層は、アレイ状に配列され、前記スライス対象領域に沿って前記太陽電池構造をスライスするステップは、それぞれアレイの行方向及び／又は列方向に沿って前記太陽電池構造をスライスするステップを含む。

【0022】

一実施例において、前記太陽電池の製造方法は、前記基板の前記第１ドープ層から離れた表面に第２ドープ層を形成するステップであって、前記第２ドープ層のドープタイプが前記第１ドープ層のドープタイプと逆であるステップと、前記第２ドープ層の前記基板から離れた表面に少なくとも１つの第２透明導電層を形成するステップと、をさらに含む。

【0023】

一実施例において、前記太陽電池の製造方法は、前記第２ドープ層の前記基板から離れた表面に第２非導電性反射防止層を形成するステップであって、前記第２非導電性反射防止層は、隣接する２つの前記第２透明導電層の間に位置することにより、隣接する２つの前記第２透明導電層の間を離間させるステップをさらに含み、隣接する２つの前記第２透明導電層の間において、前記スライス対象領域の寸法は、前記第２非導電性反射防止層の寸法よりも小さい。

【0024】

一実施例において、前記太陽電池の製造方法は、前記第２ドープ層と前記基板との間に第２パッシベーション層を形成するステップと、前記第２透明導電層の前記第２ドープ層から離れた表面に少なくとも１つの第２電極を形成するステップと、をさらに含む。

【0025】

一実施例において、前記太陽電池の製造方法は、前記第１ドープ層と前記基板との間に第１パッシベーション層を形成するステップと、前記第１透明導電層の前記第１ドープ層から離れた表面に第１電極を形成するステップと、をさらに含み、各前記第１透明導電層の前記第１ドープ層から離れた表面には、少なくとも１つの前記第１電極が形成される。

【0026】

本願の第３態様に係るマスクキャリアは、第１ドープ層上に複数の第１透明導電層を形成する過程において、太陽電池構造の前記第１ドープ層のエッジ領域を遮蔽して前記エッジ領域を前記複数の第１透明導電層から露出させるように構成された第１フレームと、前記複数の第１透明導電層を形成する過程において、前記第１ドープ層における、隣接する２つの前記第１透明導電層の間の間隔に対応する間隔領域を遮蔽して前記間隔領域を前記複数の第１透明導電層から露出させるように構成されたストッパバーとを、含み、前記太陽電池構造のスライス対象領域は、前記間隔領域に位置する。

【0027】

一実施例において、前記ストッパバーは、前記第１フレームの一側辺から対向する側辺まで延在し、前記ストッパバーの幅寸法は、前記間隔領域の幅寸法より大きく、幅方向は、前記ストッパバーの延在方向に垂直である。

【0028】

一実施例において、前記マスクキャリアは、前記第１フレームの外側を囲むように設けられた第２フレームをさらに含み、第２フレームの対向する２つの辺に孔又は溝が形成され、前記ストッパバーは、前記孔又は溝を介して前記第２フレームに固定される。

【0029】

本願の第４態様に係る太陽光発電モジュールは、上記太陽電池構造をスライスして形成された複数の太陽電池を含むか、又は、上記太陽電池の製造方法により製造された複数の太陽電池を含む電池ストリングを含む。

【0030】

本願の第５態様に係る太陽光発電システムは、上記太陽光発電モジュールを含む。

【発明の効果】

【0031】

上記太陽電池構造は、基板と、第１ドープ層と、間隔をあけた複数の第１透明導電層とを含む。スライス前に完全な１枚の太陽電池構造を形成することにより、プロセス装置の自動化の生産負荷を低減し、装置全体の有効生産能力を向上させることができ、同時に、スライス対象領域が隣接する２つの第１透明導電層の間の間隔領域に位置し、間隔領域が第１透明導電層によって被覆されないため、切断過程において導電性切り屑が発生せず、レーザーでカットした後にＰ／Ｎ領域の導電パスが形成されることを防止し、切断による効率損失を効果的に低減することができ、同時に、太陽電池のぞれぞれの金属化に比べて、全体金属化は、金属化装置の生産能力を効果的に増加させ、単一ｇｉｇａｗａｔｔ（ＧＷ）クラス装置の投資コストを低減する。これにより、上記太陽電池構造、太陽電池の製造方法及びマスクキャリア、太陽光発電モジュール及び太陽光発電システムは、ヘテロ接合電池プロセス装置の固定資産投資を低減し、その加工コストを低減し、かつ低い効率損失を実現し、その端末モジュールの製品パワーを向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0032】

本願の実施例における技術手段をより明確に説明するために、以下、実施例の説明に必要な図面を簡単に紹介する。明らかに、以下の説明における図面は、本願のいくつかの実施例に過ぎず、当業者にとって、創造的な労働をしない前提で、これらの図面に基づいて他の図面を得ることができる。

【0033】

【図1】一実施例に係る太陽電池構造の概略図である。

【図2】別の実施例に係る太陽電池構造の概略図である。

【図3】また別の実施例に係る太陽電池構造の概略図である。

【図4】さらに別の実施例に係る太陽電池構造の概略図である。

【図5】またさらに別の実施例に係る太陽電池構造の概略図である。

【図6】また別の実施例に係る太陽電池構造の概略図である。

【図7】さらに別の実施例に係る太陽電池構造の概略図である。

【図8】またさらに別の実施例に係る太陽電池構造の概略図である。

【図9】一実施例に係る太陽電池の製造方法のフローチャートである。

【図10】別の実施例に係る太陽電池の製造方法のフローチャートである。

【図11】また別の実施例に係る太陽電池の製造方法のフローチャートである。

【図12】さらに別の実施例に係る太陽電池の製造方法のフローチャートである。

【図13】またさらに別の実施例に係る太陽電池の製造方法のフローチャートである。

【図14】一実施例に係るマスクキャリアの構造概略図である。

【図15】別の実施例に係るマスクキャリアの構造概略図である。

【図16】また別の実施例に係るマスクキャリアの構造概略図である。

【図17】さらに別の実施例に係るマスクキャリアの構造概略図である。

【図18A】一実施例に係るストッパバーの概略断面図である。

【図18B】別の実施例に係るストッパバーの概略断面図である。

【図18C】また別の実施例に係るストッパバーの概略断面図である。

【図18D】さらに別の実施例に係るストッパバーの概略断面図である。

【図18E】またさらに別の実施例に係るストッパバーの概略断面図である。

【図19】一実施例に係る間隔領域の形成概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0034】

本願の目的、技術的手段及び利点をより明確にするために、以下、図面及び実施例を参照しながら、本願をさらに詳細に説明する。理解されるように、ここで説明された具体的な実施例は、本願を説明するためのものに過ぎず、本願を限定するものではない。

【0035】

なお、本願で使用される用語「第１」、「第２」などは、本明細書において様々な要素を説明するものであるが、これらの要素は、これらの用語に限定されない。これらの用語は、第１要素を他の要素と区別するために使用するものであり、比較的な重要性を指示又は暗示するか、或いは示された技術的特徴の数を黙示的に指示すると理解してはいけない。これにより、「第１」、「第２」に限定されている特徴は、少なくとも１つの該特徴を明示的又は暗示的に含んでもよい。本願の説明において、明確かつ具体的な限定がない限り、「複数」は、少なくとも２つ、例えば、２つ、３つなどを意味する。

【0036】

なお、素子が他の素子に「設けられる」、「位置する」と称される場合、当該素子は他の素子上に直接あってもよいが、それらの間に介在する素子が存在してもよい。素子が他の素子に「接続される」と考えられる場合、当該素子は他の素子に直接接続されてもよいが、それらの間に介在する素子が同時に存在してもよい。特に明確な規定及び限定しない限り、「取り付け」、「連結」、「接続」などの用語は、広義に理解すべきであり、例えば、固定接続であってもよく、着脱可能な接続であってもよく、或いは、一体的な接続であってもよく、機械的な接続であってもよく、電気的な接続であってもよく、直接的に接続してもよく、中間媒体を介して間接的に接続されてもよく、２つの部材の内部の連通又は２つの部材の相互作用関係であってもよい。当業者にとって、具体的な状況に応じて、上記用語の本発明での具体的な意味を理解することができる。

【0037】

なお、明確な規定と限定がない限り、第１特徴が第２特徴の「上」又は「下」にあることは、第１特徴と第２特徴とが直接接触することを含んでもよく、第１特徴と第２特徴とが中間媒体を介して間接的に接触することを含んでもよい。また、第１特徴が第２特徴の「上」、「上方」及び「上面」にあることは、第１特徴が第２特徴の真上又は斜め上にあることを含み、或いは、第１特徴の水平高さが第２特徴よりも高いことを表すだけである。第１特徴が第２特徴の「下」、「下方」及び「下面」にあることは、第１特徴が第２特徴の直下又は斜め下にあることを含み、或いは、第１特徴の水平高さが第２特徴よりも低いことを表すだけである。

【0038】

以下、図面を参照しながら本願の実施例に係る太陽電池構造、太陽電池の製造方法、マスクキャリア、太陽光発電モジュール及び太陽光発電システムを説明する。

【0039】

図１に示すように、本願の実施例は、太陽電池構造を提供する。本願の実施例において、説明の便宜上、太陽電池がＨＪＴ太陽電池であることを例として説明する。太陽電池構造は、基板１１０と、第１ドープ層２１０と、複数の第１透明導電層３１０とを含んでもよい。

【0040】

基板１１０は、入射光を受けて光生成キャリアを生成する。基板１１０は、対向する第１面及び第２面を有し、第１面及び第２面のうちの一方の面は、太陽光線に正対する表面であると理解されてもよく、受光面、正面とも呼ばれ、他方の面は、太陽光線に背向する表面であると理解されてもよく、逆光面、裏面とも呼ばれる。いくつかの実施例において、受光面は、テクスチャ構造であってもよく、逆光面は、一部が平面構造であってもよく、他の一部がテクスチャ構造であってもよい。

【0041】

基板１１０は、シリコン又はゲルマニウムなどを材料とするドープ半導体基板、又は炭化ケイ素、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、インジウムリン、酸化亜鉛又は酸化ガリウムなどのドープ化合物半導体基板を含むが、これらに限定されない。例示的には、本願の実施例において、基板１１０の材料は、ドープ単結晶シリコン材料を選択することができる。さらに、基板１１０のドープ元素タイプは、Ｎ型であってもよく、Ｎ型元素は、例えば、リン、ヒ素又はアンチモンのいずれか１種の元素であってもよく、基板１１０のドープ元素タイプは、Ｐ型であってもよく、Ｐ型元素は、例えば、ホウ素元素及びガリウム元素であってもよい。さらに、基板１１０は、Ｎ型単結晶シリコンウェハを選択することができ、基板１１０の厚さは、６０～１８０μｍの範囲にあってもよく、抵抗率は、０．２～３Ω・ｃｍである。

【0042】

第１ドープ層２１０が基板１１０の一方側の表面に位置するとは、例えば、第１ドープ層２１０が基板１１０の逆光面に位置すると理解されてもよい。第１ドープ層２１０の厚さは、５ｎｍ～３０ｎｍの範囲にあってもよい。第１ドープ層２１０の材料は、ドープアモルファスシリコン若しくはドープ微結晶シリコン、又は酸素、炭素、窒素元素のうちの少なくとも１種を含むドープアモルファスシリコン若しくはドープ微結晶シリコンを含んでもよい。

【0043】

複数の第１透明導電層３１０は、第１ドープ層１３０の基板１１０から離れた表面に間隔をあけて配列され、隣接する２つの第１透明導電層３１０の間に間隔領域が形成され、これにより、隣接する２つの第１透明導電層３１０の間の離間を実現する。好ましくは、第１透明導電層３１０は、透明導電性酸化物薄膜（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ、ＴＣＯ）であってもよく、さらに、例えば、ＩＴＯ、ＩＷＯ、ＩＣＯ、ＩＭＯ、ＳＣＯＴ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＧＡＺＯ、ＳｎＯ_２のうちの１種又は複数種の薄膜の積層であってもよい。好ましくは、間隔領域は、物理的方法によって実現してもよい。即ち、堆積により第１透明導電層３１０を形成する過程において、本願に係るマスクキャリア（後述参照）によって、幅が０．５～２ｍｍの間隔領域を形成することができる。なお、マスクキャリアによって遮蔽された領域は、間隔領域を形成することができ、該間隔領域は、後続のレーザー切断されるスライス対象領域以上である。間隔領域は、他の方法によって実現してもよい。例えば、まず、第１ドープ層を完全に被覆するＴＣＯ薄膜を形成し、その後、ＴＣＯ薄膜に対してパターン化処理を行って、間隔をおいた複数のＴＣＯサブ薄膜を形成し、例えば、間隔領域以外のＴＣＯ薄膜領域にインクＩＮＫをマスクとして印刷し、ＨＣＬなどの酸性溶液を利用して間隔領域のＴＣＯ薄膜をエッチングして除去してから、洗浄してインクを除去し、又は酸性エッチングペーストのスクリーン印刷によって間隔領域のＴＣＯ薄膜を除去する。なお、隣接する２つの第１透明導電層３１０の間に間隔領域が形成される方式では、第１透明導電層３１０が位置する層のプロセス及び構造を変更すればよく、他の機能層、例えば、第１ドープ層などの製造方式、コーティング構造を変更する必要がなく、プロセスフローが簡単であり、製造要求が相対的に低く、コストの低減に有利であるとともに、他の各層が後続にスライスステップによって対応するセル構造を形成すればよく、他の各層の切断精度の向上にも有利である。

【0044】

太陽電池構造のスライス対象領域は、隣接する２つの第１透明導電層３１０の間に位置する。スライス対象領域は、後続に太陽電池構造に対してレーザースライス操作を行う領域であってもよい。いくつかの実施例において、スライス対象領域は、太陽電池構造を横方向に貫通するストライプ構造であり、スライス対象領域に沿って太陽電池構造を２枚の太陽電池に切断することができる。他の実施例において、スライス対象領域は格子状構造であり、スライス対象領域に沿って太陽電池構造を３枚、４枚、ひいてはより多くの太陽電池に切断することができる。具体的なスライス数は、太陽電池構造の寸法及び所望の太陽電池寸法に基づいて制御されてもよく、本願では特に限定されない。

【0045】

いくつかの実施例において、隣接する２つの第１透明導電層３１０の間には、スライス対象領域の寸法が間隔領域の寸法以下であり、例えば、スライス対象領域のエッジと、最も隣接する第１透明導電層３１０のエッジとの距離が０．５ｍｍ以上であり、これにより、スライス過程において、第１透明導電層３１０と基板とが効果的に電気的に分離されることを保証すると理解されてもよい。スライス対象領域が隣接する２つの第１透明導電層３１０の間に位置するため、後続のレーザースクライブは、間隔領域におけるスライス対象領域で行われ、さらに、レーザーでカットした後にＰ／Ｎ領域の導電パスが形成されることを防止し、切断による効率損失を効果的に低減することができ、同時に、太陽電池のぞれぞれの金属化に比べて、全体金属化は、金属化装置の生産能力を効果的に増加させ、単一ＧＷクラス装置の投資コストを低減する。

【0046】

一般的には、電池の分野において、通常、レーザー切断により電池構造をスライスし、レーザー切断過程において、セルの切断エッジにレーザー損傷領域と機械的破断領域が形成されるため、セル中のケイ素原子が本来の規則的な配列状態を保持できず、ダングリングボンドが形成され、電池効率が大幅に低下し、通常の電池がハーフカットされた後、０．１５～０．２５％程度の効率損失が発生し、対応するハーフカットモジュールのパワーも大きく損失する。特に、ヘテロ接合電池は、その正面、裏面にいずれもＴＣＯ薄膜が形成されるため、レーザー切断によりスライスした後、発生したＴＣＯ薄膜の切り屑により、裏面ＴＣＯ薄膜と正面ＴＣＯ薄膜又は裏面ＰＮ接合との間に導電パスが発生し、切断エッジのキャリア再結合が激しくなり、ヘテロ接合電池のハーフカットによる効率損失が通常の電池よりも大きく、０．３～０．５％に達する。

【0047】

関連技術において、ヘテロ接合電池のハーフカットによる効率損失が大きいという問題を改善するために、通常、シリコンウェハ素片（即ち、基板）を予めハーフカットしてから、ヘテロ接合電池に関連する製造プロセスを行ってハーフカットセルを直接形成し、これにより、レーザー切断による効率損失を回避する。しかし、このような方式は、対応するプロセス装置の自動化の生産負荷を増加させ、装置全体の有効生産能力を低下させ、特に、金属化を実現するスクリーン印刷装置にとって、単一ＧＷ生産能力の要求を満たすために、完全な１枚のスクリーン印刷に比べて、ハーフカットスクリーン印刷の方式は、装置の配置を増加させることにより生産能力の不足を補う必要があり、これは、ヘテロ接合電池の産業化とコスト削減の大きなトレンドに反するものである。

【0048】

本実施例に係る太陽電池構造は、スライス前に第１ドープ層２１０及び第１透明導電層３１０の両方とも完全な１枚の太陽電池構造において形成されるため、プロセス装置の自動化の生産負荷を低減し、装置全体の有効生産能力を向上させることができ、同時に、第１ドープ層２１０の基板１１０から離れた表面の複数の第１透明導電層３１０が離間し、スライス対象領域が２つ又は全ての隣接する第１透明導電層３１０の間の間隔領域に位置し、間隔領域が第１透明導電層によって被覆されないため、切断過程において導電性切り屑が発生せず、レーザーでハーフカットした後にＰ／Ｎ領域の導電パスが形成されることを防止し、切断による効率損失を効果的に低減することができ、同時に、太陽電池のぞれぞれの金属化に比べて、全体金属化は、金属化装置の生産能力を効果的に増加させ、単一ＧＷ装置の投資コストを低減する。これにより、本実施例の太陽電池構造は、ヘテロ接合電池のプロセス装置の固定資産投資を低減し、その加工コストを低減し、かつ低い効率損失を実現し、その端末モジュール製品のパワーを向上させることができる。

【0049】

一実施例において、図２及び図１６に示すように、第１ドープ層２１０は、複数の第１透明導電層３１０の外側に露出した間隔領域（図におけるＪＧ領域）及びエッジ領域（図におけるＢＹ領域）を含み、間隔領域は、隣接する２つの第１透明導電層の間の間隔領域に対応する。

【0050】

間隔領域及びエッジ領域は、いずれも第１ドープ層２１０における第１透明導電層３１０で被覆されない領域であり、間隔領域は、隣接する２つの第１透明導電層３１０の間に位置し、レーザーでハーフカットした後にＰ／Ｎ領域の導電パスが形成されることを防止し、切断による効率損失を効果的に低減することができ、エッジ領域は、第１ドープ層２１０の外側エッジに位置し、複数の第１透明導電層３１０の周りに、電池構造の裏面と正面、即ちＰ／Ｎ領域の分離絶縁を形成することができ、エッジ領域の裏面と正面との間のＰ／Ｎ領域の導電パスの形成を効果的に回避することができる。なお、第１ドープ層２１０は、第１透明導電層３１０を形成する領域をさらに有し、該領域は、太陽電池構造が電子－正孔対の収集を実現して、光起電流を発生させることを保証する。これにより、第１ドープ層２１０の区画設定に基づいて、太陽電池構造が後続に光電変換を実現できることを保証することができ、切断による効率損失を効果的に低減することができ、Ｐ／Ｎ領域の導電パスの形成を効果的に回避することができる。

【0051】

好ましくは、隣接する２つの第１透明導電層３１０の間において、間隔領域の幅寸法は、０．５ｍｍ～２ｍｍの範囲内にあってもよく、スライス対象領域に十分な空間を提供することができる。エッジ領域の幅寸法は、０．２ｍｍ～１ｍｍの範囲内にあってもよい。この範囲内において、太陽電池の裏面と正面との間に導電パスの形成を効果的に回避することができる。

【0052】

一実施例において、図３に示すように、太陽電池構造は、第１非導電性反射防止層４１０をさらに含む。

【0053】

第１非導電性反射防止層４１０は、第１ドープ層２１０の基板１１０から離れた表面に位置し、かつ隣接する２つの第１透明導電層３１０の間に位置することにより、隣接する２つの第１透明導電層３１０の間を離間させる。

【0054】

隣接する２つの第１透明導電層３１０の間において、スライス対象領域の寸法（例えば幅）は、第１非導電性反射防止層４１０の寸法（例えば幅）よりも小さい。第１非導電性反射防止層４１０は、裏面反射機能を有する非導電誘電体薄膜、例えばＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２などの非導電誘電体薄膜であってもよく、好ましくは、第１非導電性反射防止層４１０は、単層構造又は多層構造を用いてもよい。好ましくは、第１非導電性反射防止層４１０の厚さは、６０ｎｍ～１５０ｎｍの範囲にあってもよい。

【0055】

スライス対象領域の寸法が第１非導電性反射防止層４１０の寸法よりも小さく、かつ第１非導電性反射防止層４１０が非導電性であるため、太陽電池構造のスライス過程において、レーザーでカットした後にＰ／Ｎ領域の導電パスが形成されることを防止し、切断による効率損失を効果的に低減することができ、同時に、スライス精度に対する要求を低減し、コストを低減することができる。また、第１非導電性反射防止層４１０の反射防止作用により、電池の短絡電流を向上させ、反射率を低減し（それに応じて、入射光を増加させる）、それにより、電流密度が向上した結晶シリコン太陽電池を取得し、さらに結晶シリコン太陽電池の効率を向上させることができる。これにより、第１ドープ層２１０の基板１１０から離れた表面に第１透明導電層３１０及び第１非導電性反射防止層４１０をそれぞれ形成することで、導電性と光学特性の両立を実現し、切断による効率損失及び製造コストを効果的に低減し、電池効率を向上させることができる。

【0056】

一実施例において、引き続き図３に示すように、第１非導電性反射防止層４１０は、第１ドープ層２１０の基板から離れた表面における、第１透明導電層３１０以外の領域を被覆する。第１透明導電層３１０以外の領域は、例えば、上記間隔領域及びエッジ領域を含んでもよく、これにより、第１ドープ層２１０における第１非導電性反射防止層４１０の被覆率を向上させて、電池効率をさらに向上させる。

【0057】

一実施例において、図４に示すように、複数の第１透明導電層３１０は、アレイ状に配列され（図では、４つを例とする）、スライス対象領域（図におけるＤ領域）は、それぞれアレイの行方向及び／又は列方向に沿って延在する。

【0058】

第１透明導電層３１０の数は、２つ以上であってもよく、複数の第１透明導電層３１０は、アレイ状に配列されてもよく、間隔領域は、アレイの行方向及び／又は列方向に沿って延在してもよく、それに対応して、スライス対象領域は、それぞれアレイの行方向及び／又は列方向に沿って延在してもよい。スライス対象領域の延在方向を第１透明導電層３１０の行列方向に対応させることにより、切断難度及びプロセス難度を大幅に低減し、製造歩留まりを向上させることができる。

【0059】

一実施例において、図５に示すように、太陽電池構造は、第２ドープ層２２０と、第２透明導電層３２０とをさらに含む。第２ドープ層２２０は、基板の第１ドープ層２１０から離れた表面に位置し、第２透明導電層３２０は、第２ドープ層２２０の基板１１０から離れた表面に位置する。

【0060】

第２ドープ層２２０のドープタイプは、第１ドープ層２１０のドープタイプと逆であり、例えば、第２ドープ層２２０のドープタイプは、Ｎ型ドープであってもよく、第１ドープ層２１０のドープタイプは、Ｐ型ドープであってもよい。第２ドープ層２２０が基板の第１ドープ層２１０から離れた表面に位置するとは、例えば、第２ドープ層２２０が基板１１０の正面に位置すると理解されてもよい。第２ドープ層２２０の厚さは、５～２０ｎｍの範囲にあってもよい。第２ドープ層２２０の材料は、ドープアモルファスシリコン若しくは微結晶シリコン、又は酸素、炭素、窒素元素のうちの少なくとも１種を含むドープアモルファスシリコン若しくは微結晶シリコンを含んでもよい。

【0061】

第２透明導電層３２０は、ＴＣＯ薄膜であってもよく、関連する説明は、第１透明導電層３１０を参照することができ、ここでは説明を省略する。第１透明導電層３１０の数が複数であり、かつ複数の第１透明導電層３１０が間隔をあけて設けられた上で、第２透明導電層３２０の数が１つであってもよく、即ち、第２透明導電層３２０全体は、第２ドープ層２２０の基板から離れた表面に堆積して形成されてもよい。好ましくは、第２透明導電層３２０の数が複数であってもよく、複数の第２透明導電層３２０が互いに離間して間隔領域を形成する。間隔領域の形成方式は、上記実施例を参照することができ、ここでは説明を省略する。

【0062】

さらに、図６に示すように、複数の第２透明導電層３２０の基板への正投影は、複数の第１透明導電層３１０の基板への正投影と重なる。

【0063】

複数の第２透明導電層３２０は、第２ドープ層２２０の基板から離れた表面に間隔をあけて配列され、隣接する２つの第２透明導電層３２０の間にも間隔領域が形成され、これにより、隣接する２つの第２透明導電層３２０の離間を実現する。複数の第２透明導電層３２０と複数の第１透明導電層３１０とが１対１で位置合わせされ、隣接する２つの第１透明導電層３１０の間の間隔領域と、隣接する２つの第２透明導電層３２０の間の間隔領域とが位置合わせされ、位置合わせされた間隔領域におけるスライス対象領域での後続のレーザースクライブをさらに保証し、レーザースクライブによるハーフカット後にＰ／Ｎ領域の導電パスが形成されることを防止し、切断による効率損失をさらに効果的に低減する。対応して、第２ドープ層２２０は、複数の第２透明導電層３２０の外側に露出した間隔領域及びエッジ領域を含み、間隔領域は、隣接する２つの第２透明導電層３２０の間の間隔領域に対応する。さらに、エッジ領域は第２ドープ層２２０の周辺に位置し、複数の第２透明導電層３２０の周りに、該エッジ領域が第１ドープ層２１０のエッジ領域と位置合わせされてもよく、これにより、第２ドープ層２２０のエッジ領域は、電池構造の裏面と正面、即ち、Ｐ／Ｎ領域の分離絶縁を形成してもよく、エッジ領域の裏面と正面との間のＰ／Ｎ領域の導電パスの形成を効果的に回避する。

【0064】

一実施例において、図７に示すように、太陽電池構造は、第２非導電性反射防止層４２０をさらに含む。

【0065】

第２非導電性反射防止層４２０は、第２ドープ層２２０の基板から離れた表面に位置し、かつ隣接する２つの第２透明導電層３２０の間に位置することにより、隣接する２つの第２透明導電層３２０の間を離間させる。一実施例において、第２非導電性反射防止層４２０は、第２ドープ層２２０の基板から離れた表面における、第２透明導電層３２０以外の領域、例えば、間隔領域及びエッジ領域を覆う。

【0066】

第２非導電性反射防止層４２０は、裏面反射機能を有する非導電誘電体薄膜、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２などの非導電誘電体薄膜であってもよく、好ましくは、第２非導電性反射防止層４２０は、単層構造又は多層構造を用いてもよい。好ましくは、第２非導電性反射防止層４２０の厚さは、６０ｎｍ～１５０ｎｍの範囲にあってもよい。

【0067】

隣接する２つの第２透明導電層３２０の間において、スライス対象領域の寸法は、第２非導電性反射防止層４２０の寸法よりも小さい。上記実施例の複数の第２透明導電層３２０が複数の第１透明導電層３１０に位置合わせされた上で、第２非導電性反射防止層４２０は、少なくとも第１非導電性反射防止層４１０の間隔領域に位置する部分に位置合わせされ、スライス対象領域は、基板の正面から裏面まで垂直に延びる領域であってもよい。これにより、間隔領域の二重反射防止効果を少なくとも実現することができる。さらに、第２非導電性反射防止層４２０及び第１非導電性反射防止層４１０がそれぞれエッジ領域で位置合わせされる場合、エッジ領域の二重反射防止効果を実現することもできる。これにより、第１ドープ層２１０の基板から離れた表面に第１透明導電層３１０及び第１非導電性反射防止層４１０をそれぞれ形成し、第２ドープ層２２０の基板から離れた表面に第２透明導電層３２０及び第２非導電性反射防止層４２０をそれぞれ形成することで、導電性と光学特性の両立をさらに実現し、切断による効率損失及び製造コストを効果的に低減し、電池効率を向上させることができる。

【0068】

一実施例において、図８に示すように、太陽電池構造は、第２パッシベーション層５２０と、第２電極６２０とをさらに含む。第２パッシベーション層５２０は、第２ドープ層２２０と基板との間に位置し、第２電極６２０は、第２透明導電層３２０の第２ドープ層２２０から離れた側に位置する。

【0069】

第２パッシベーション層５２０及び第２電極６２０は、基板の正面に位置し、第２ドープ層２２０、第２透明導電層３２０、第２非導電性反射防止層４２０などと正面構造を形成すると理解されたい。

【0070】

第２パッシベーション層５２０は、正面パッシベーション効果を実現するために、真性アモルファスシリコン、酸化ケイ素パッシベーション層又は両者の積層膜パッシベーション層を含んでもよい。好ましくは、第２パッシベーション層５２０の厚さは、２ｎｍ～１０ｎｍの範囲にあってもよい。第２電極６２０は、スクリーン印刷、レーザー転写又は電気めっきなどの方式によって形成された金属電極であってもよく、さらに、低温銀ペースト／低温銅ペースト／銀コート銅ペーストのスクリーン印刷、レーザー転写によって実現されてもよく、Ａｌ／Ｔｉ／Ｎｉ／Ｃｏ／Ａｇ／Ｃｕ／Ｓｎなどの１種又は複数種の合金の電気めっきによってパターン化電極を形成してもよい。本願の実施例において、第２電極６２０は、金属グリッド線であると理解されてもよく、金属グリッド線の幅厚さについては限定されない。なお、第２電極６２０の数が複数であるため、後続のスライス後、各セルは、いずれも対応する第２電極６２０を有する。

【0071】

一実施例において、図８に示すように、太陽電池構造は、第１パッシベーション層５１０と、第１電極６１０とをさらに含む。

【0072】

第１パッシベーション層５１０は、第１ドープ層２１０と基板との間に位置し、第１電極６１０は、第１透明導電層３１０の第１ドープ層２１０から離れた側に位置し、各第１透明導電層３１０の第１ドープ層２１０から離れた側には、少なくとも１つの第１電極６１０が形成される。

【0073】

第１パッシベーション層５１０及び第１電極６１０は、基板の裏面に位置し、第１ドープ層２１０、第１透明導電層３１０、第１非導電性反射防止層４１０などと裏面構造を形成すると理解されたい。

【0074】

第１パッシベーション層５１０は、裏面パッシベーション効果を実現するために、真性アモルファスシリコン、酸化ケイ素パッシベーション層又は両者の積層膜パッシベーション層を含んでもよい。好ましくは、第１パッシベーション層５１０の厚さは、２ｎｍ～１０ｎｍの範囲にあってもよい。第１電極６１０は、スクリーン印刷、レーザー転写又は電気めっきなどの方式によって形成された金属電極であってもよく、さらに、低温銀ペースト／低温銅ペースト／銀コート銅ペーストのスクリーン印刷、レーザー転写によって実現されてもよく、Ａｌ／Ｔｉ／Ｎｉ／Ｃｏ／Ａｇ／Ｃｕ／Ｓｎなどの１種又は複数種の合金の電気めっきによってパターン化電極を形成してもよい。本願の実施例において、第１電極６１０は、金属グリッド線であると理解されてもよく、金属グリッド線の幅厚さについては限定されない。なお、各第１透明導電層３１０の第１ドープ層２１０から離れた側には、少なくとも１つの第１電極６１０が形成され、これにより、各透明導電層に対応する領域の太陽電池構造をスライスして得られた各セルは、いずれも対応して第１電極６１０があり、完全な太陽電池を形成する。

【0075】

本願の実施例は、上記いずれかの実施例に係る太陽電池を製造するための太陽電池の製造方法をさらに提供する。太陽電池の構造、機能、動作原理などは、上記実施例において詳細に説明したので、ここでは説明を省略する。一実施例において、図９は、一実施例に係る太陽電池の製造方法のフローチャートである。太陽電池の製造方法は、ステップ９０２～ステップ９０６を含む。

【0076】

ステップ９０２では、基板を提供し、基板の一方の表面に第１ドープ層を形成する。

【0077】

ステップ９０４では、第１ドープ層の基板から離れた表面に、間隔をあけて配列された複数の第１透明導電層を形成する。

【0078】

ステップ９０６では、隣接する２つの第１透明導電層の間に位置するスライス対象領域に沿って太陽電池構造をスライスする。

【0079】

本実施例において、まず、基板に対してゲッタリング処理、研磨・テクスチャリング処理などを行うことができ、処理後、超高周波プラズマ強化化学気相成長装置（Ｖｅｒｙ Ｈｉｇｈ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＶＨＦ－ＰＥＣＶＤ）によって基板の一方の表面に、関連する導電性ドープ材料を堆積して、第１ドープ層を形成することができ、マグネトロンスパッタリング装置（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＶＤ）によって第１ドープ層の一方の表面に、関連する導電性透明材料を堆積して、間隔をあけて配列された複数の第１透明導電層を形成することができる。間隔領域の形成方法は、上記実施例を参照することができ、ここでは説明を省略する。好ましくは、第１ドープ層の成長温度は、１６０℃～２１０℃であってもよく、第１透明導電層の成長温度は、０～２００℃であってもよい。

【0080】

本実施例において、レーザーで予め設定されたパラメータに従ってスライス対象領域に沿って太陽電池構造をスライスし、電池の裏面が電池切断面であり、即ち、レーザー照射面である。レーザーパラメータは、レーザーパワー、レーザー走査速度、レーザースポット及びレーザー切断温度などを含んでもよい。

【0081】

本実施例に係る太陽電池の製造方法は、基板を提供し、基板の一方の表面に第１ドープ層を形成するステップと、第１ドープ層の基板から離れた表面に間隔をあけて配列された複数の第１透明導電層を形成して、完全な１枚の太陽電池構造を形成するステップと、スライス対象領域に沿って太陽電池構造をスライスするステップと、を含む。スライス対象領域が隣接する２つの第１透明導電層の間の間隔領域に位置し、間隔領域が第１透明導電層によって被覆されないため、切断過程において導電性切り屑が発生せず、レーザーでハーフカットした後にＰ／Ｎ領域の導電パスが形成されることを防止し、切断による効率損失を効果的に低減することができ、同時に、太陽電池のぞれぞれの金属化に比べて、全体金属化は、金属化装置の生産能力を効果的に増加させ、単一ＧＷ装置の投資コストを低減する。これにより、本実施例の太陽電池の製造方法は、ヘテロ接合電池プロセス装置の固定資産投資を低減し、その加工コストを低減し、かつ低い効率損失を実現し、その端末モジュールの製品パワーを向上させることができる。

【0082】

一実施例において、図１０に示すように、第１ドープ層の基板から離れた表面に、間隔をあけて配列された複数の第１透明導電層を形成するステップは、ステップ１０２～ステップ１０４を含む。

【0083】

ステップ１０２では、第１ドープ層の基板から離れた表面に透明導電材料層を形成する。

【0084】

ステップ１０４では、透明導電材料層に対してパターン化処理を行って、複数の第１透明導電層を形成する。

【0085】

本実施例において、ＰＶＤによって第１ドープ層の一方の表面に、関連する導電性透明材料を堆積して透明導電材料層を形成し、そして、透明導電材料層に対してパターン化処理を行い、例えば、間隔領域以外のＴＣＯ薄膜領域にインクＩＮＫをマスクとして印刷し、ＨＣＬなどの酸性溶液を利用して間隔領域のＴＣＯ薄膜をエッチングして除去してから、洗浄してインクを除去し、又は酸性エッチングペーストのスクリーン印刷によって間隔領域のＴＣＯ薄膜を除去する。このように、パターン化処理により複数の第１透明導電層を取得することができる。

【0086】

一実施例において、第１ドープ層の基板から離れた表面に、間隔をあけて配列された複数の第１透明導電層を形成するステップは、マスクキャリアを用いて第１ドープ層の基板から離れた表面に複数の第１透明導電層を形成するステップを含む。

【0087】

本実施例において、マスクキャリアによって間隔領域を遮蔽して透明導電材料の堆積を回避することができ、該間隔領域は、後続にレーザーで切断されるスライス対象領域以上である。マスクキャリアは、第１ドープ層における、隣接する２つの第１透明導電層の間の間隔に対応する間隔領域を遮蔽して間隔領域を複数の第１透明導電層から露出させるように構成されたストッパバーを含んでもよい。間隔領域については、上位の関連する説明を参照することができるため、ここでは説明を省略する。

【0088】

好ましくは、第１ドープ層が形成された基板は、マスクキャリアの一方側に配置されてもよく、第１ドープ層は、マスクキャリアに近接する側に位置し、コーティング源は、マスクキャリアの基板から離れた側に配置されてもよく、例えば、マスクキャリアは、基板の下方に位置し、コーティング源は、マスクキャリアの下方に位置し、底層コーティングにより第１ドープ層の基板から離れた下面に第１透明導電層を形成する。これにより、マスクキャリアを用いて第１ドープ層の基板から離れた表面に複数の第１透明導電層を形成することができる。

【0089】

好ましくは、マスクキャリアは、第１フレームをさらに含んでもよく、第１フレームは、太陽電池構造の第１ドープ層のエッジ領域を遮蔽してエッジ領域を複数の第１透明導電層から露出させるように構成される。エッジ領域の形成方法については、上記の関連する説明を参照することができるため、ここでは説明を省略する。

【0090】

一実施例において、太陽電池の製造方法は、第１ドープ層の基板から離れた表面に第１非導電性反射防止層を形成するステップであって、第１非導電性反射防止層は、隣接する２つの第１透明導電層の間に位置することにより、隣接する２つの第１透明導電層の間を離間させるステップをさらに含む。隣接する２つの第１透明導電層の間において、スライス対象領域の寸法は、第１非導電性反射防止層の寸法よりも小さい。

【0091】

本実施例において、低温ＰＥＣＶＤ装置（堆積温度≦２００℃）又は蒸着装置などによって間隔領域に、関連する非導電誘電体材料を堆積して、第１非導電性反射防止層を形成することができる。

【0092】

一実施例において、第１非導電性反射防止層は、第１ドープ層の基板から離れた表面における、第１透明導電層以外の領域を被覆し、これにより、第１ドープ層における第１非導電性反射防止層の被覆率を向上させ、電池効率をさらに向上させる。さらに、別のマスクキャリアと組み合わせて間隔領域及びエッジ領域に、関連する非導電誘電体材料を堆積して、第１ドープ層の基板から離れた表面における、第１透明導電層以外の領域を被覆する第１非導電性反射防止層を形成することができる。

【0093】

一実施例において、複数の第１透明導電層は、アレイ状に配列され、スライス対象領域に沿って太陽電池構造をスライスするステップは、それぞれアレイの行方向及び／又は列方向に沿って太陽電池構造をスライスするステップを含み、これにより、スライスによって複数枚の太陽電池を得る。スライス対象領域の延在方向を第１透明導電層の行列方向に対応させることにより、切断難度及びプロセス難度を大幅に低減し、製造歩留まりを向上させることができる。

【0094】

一実施例において、図１１に示すように、太陽電池の製造方法は、ステップ１１２～ステップ１１４をさらに含む。

【0095】

ステップ１１２では、基板の第１ドープ層から離れた表面に第２ドープ層を形成し、第２ドープ層のドープタイプが第１ドープ層のドープタイプと逆である。

【0096】

ステップ１１４では、第２ドープ層の基板から離れた表面に第２透明導電層を形成する。

【0097】

本実施例において、ＶＨＦ－ＰＥＣＶＤ装置によって基板の一方の表面に、関連する導電性ドープ材料を堆積して、第２ドープ層を形成することができ、ＰＶＤ装置によって第２ドープ層の一方の表面に、関連する導電性透明材料を堆積して、第２透明導電層を形成することができる。好ましくは、第２ドープ層の成長温度は、１６０℃～２１０℃であってもよく、第２透明導電層の成長温度は、０～２００℃であってもよい。

【0098】

好ましくは、第２ドープ層の基板から離れた表面に、間隔を隔てた複数の第２透明導電層を形成することができ、複数の第２透明導電層と複数の第１透明導電層とが１対１で位置合わせされ、隣接する２つの第１透明導電層の間の間隔領域と、隣接する２つの第２透明導電層の間の間隔領域とが位置合わせされ、位置合わせされた間隔領域におけるスライス対象領域でのレーザースクライブをさらに保証し、レーザースクライブによるハーフカット後にＰ／Ｎ領域の導電パスが形成されることをさらに防止し、切断による効率損失をさらに効果的に低減する。好ましくは、第２ドープ層のエッジ領域は複数の第２透明導電層の周辺から露出し、該エッジ領域は第１ドープ層のエッジ領域と位置合わせされてもよく、これにより、第２ドープ層のエッジ領域は、電池構造の裏面と正面、即ち、Ｐ／Ｎ領域の分離絶縁を形成してもよく、エッジ領域の裏面と正面との間のＰ／Ｎ領域の導電パスの形成を効果的に回避する。

【0099】

一実施例において、太陽電池の製造方法は、第２ドープ層の基板から離れた表面に第２非導電性反射防止層を形成し、第２非導電性反射防止層は、隣接する２つの第２透明導電層の間に位置することにより、隣接する２つの第２透明導電層の間を離間させるステップをさらに含む。ここで、隣接する２つの第２透明導電層の間において、スライス対象領域の寸法は、第１非導電性反射防止層の寸法よりも小さい。

【0100】

本実施例において、低温ＰＥＣＶＤ装置（堆積温度≦２００℃）又は蒸着装置などによって間隔領域に、関連する非導電誘電体材料を堆積して、第２非導電性反射防止層を形成することができる。

【0101】

一実施例において、第２非導電性反射防止層は、第２ドープ層の基板から離れた表面における、第２透明導電層以外の領域を被覆し、これにより、第２ドープ層における第２非導電性反射防止層の被覆率を向上させ、電池効率をさらに向上させる。さらに、別のマスクキャリアと組み合わせて間隔領域及びエッジ領域に、関連する非導電誘電体材料を堆積して、第２ドープ層の基板から離れた表面における、第２透明導電層以外の領域を被覆する第２非導電性反射防止層を形成することができる。

【0102】

一実施例において、図１２に示すように、太陽電池の製造方法は、ステップ１２２～ステップ１２４をさらに含む。

【0103】

ステップ１２２では、第２ドープ層と基板との間に第２パッシベーション層を形成する。

【0104】

ステップ１２４では、第２透明導電層の第２ドープ層から離れた表面に第２電極を形成する。

【0105】

本実施例において、無線周波数プラズマ強化化学気相成長システム（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＲＦ－ＰＥＣＶＤ）によって堆積して第２パッシベーション層を形成してもよく、例えば、ＲＦ－ＰＥＣＶＤによって堆積して第２パッシベーション層として真性アモルファスシリコン層を形成してもよく、スクリーン印刷、レーザー転写又は電気めっきなどの方式によって金属電極を形成してもよく、さらに、低温銀ペースト／低温銅ペースト／銀コート銅ペーストのスクリーン印刷、レーザー転写によって実現されてもよく、Ａｌ／Ｔｉ／Ｎｉ／Ｃｏ／Ａｇ／Ｃｕ／Ｓｎなどの１種又は複数種の合金の電気めっきによってパターン化電極を形成してもよい。

【0106】

一実施例において、図１３に示すように、太陽電池の製造方法は、ステップ１３２～ステップ１３４をさらに含む。

【0107】

ステップ１３２では、第１ドープ層と基板との間に第１パッシベーション層を形成する。

【0108】

ステップ１３４では、第１透明導電層の第１ドープ層から離れた表面に第１電極を形成する。各第１透明導電層の第１ドープ層から離れた表面には、少なくとも１つの第１電極が形成される。

【0109】

本実施例において、ＲＦ－ＰＥＣＶＤによって堆積して第１パッシベーション層を形成してもよく、例えば、ＲＦ－ＰＥＣＶＤによって堆積して第１パッシベーション層として真性アモルファスシリコン層を形成してもよく、スクリーン印刷、レーザー転写又は電気めっきなどの方式によって金属電極を形成してもよく、さらに、低温銀ペースト／低温銅ペースト／銀コート銅ペーストのスクリーン印刷、レーザー転写によって実現されてもよく、Ａｌ／Ｔｉ／Ｎｉ／Ｃｏ／Ａｇ／Ｃｕ／Ｓｎなどの１種又は複数種の合金の電気めっきによってパターン化電極を形成してもよい。

【0110】

以下、好ましい具体的な実施例により太陽電池の製造プロセスをさらに説明する。

【0111】

ステップ１では、厚さが６０ｕｍ～１８０ｕｍ、抵抗率が０．２～３Ω・ｃｍのＮ型単結晶シリコンウェハを提供し、高温炉チューブ又はチェーンゲッタリング装置を利用してシリコンウェハのゲッタリング処理を行い、シリコンウェハの品質を向上させ、ゲッタリング後のシート抵抗が２０～４０Ω／ｍであった。

【0112】

ステップ２では、ＨＦ／ＨＮＯ_３／ＨＣＬなどの湿式酸性溶液によってシリコンウェハ表面のリン珪酸ガラス（ＰＳＧ）層を除去し、その後、ＫＯＨ／ＮａＯＨ／水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）などのアルカリ性溶液を利用して、ＩＰＡイソプロパノールなどの添加剤を配合して、研磨とテクスチャリング処理を行って、表面がピラミッド形状を有する表面光閉じ込め構造を形成した。

【0113】

ステップ３では、Ｎ型シリコン基板の上下両面にＲＦ－ＰＥＣＶＤによって第１パッシベーション層５１０及び第２パッシベーション層５２０を堆積し、必要なプロセスガスは、ＳｉＨ_４、Ｈ_２、ＣＯ_２、ＣＨ_４、Ｎ_２Ｏなどのうちの１種又は複数種を含み、厚さは、２ｎｍ～１０ｎｍであり、堆積温度は、１６０～２１０℃であり、堆積圧力は、０．２～２ｍｂａｒであった。

【0114】

ステップ４では、ＶＨＦ－ＰＥＣＶＤによって第１パッシベーション層５１０の上面に第１ドープ層２１０を堆積し、必要なプロセスガスは、ＳｉＨ_４、Ｈ_２、ＣＯ_２、ＣＨ_４、Ｎ_２Ｏ、ＰＨ_３などのうちの１種又は複数種を含み、厚さは、５ｎｍ～２０ｎｍであり、堆積温度は、１６０℃～２１０℃であり、堆積圧力は、０．５ｍｂａｒ～５ｍｂａｒであった。

【0115】

ステップ５では、ＶＨＦ－ＰＥＣＶＤによって第２パッシベーション層５２０の上面に第２ドープ層２２０を堆積し、必要なプロセスガスは、ＳｉＨ_４、Ｈ_２、ＣＯ_２、ＣＨ_４、Ｎ_２Ｏ、Ｂ_２Ｈ_６、ＴＭＢ（トリメチルホウ素）などのうちの１種又は複数種を含み、厚さは、５ｎｍ～３０ｎｍであり、堆積温度は、１６０℃～２１０℃であり、堆積圧力は、０．５ｍｂａｒ～５ｍｂａｒであった。

【0116】

ステップ６では、ＰＶＤによって間隔領域を有する複数の第１透明導電層３１０及び第２透明導電層３２０を堆積形成し、堆積温度は、０℃～２００℃であり、パワーは、３ＫＷ～８ＫＷであり、キャビティ圧力は、０．３～１．０Ｐａであり、必要なプロセスガスは、Ａｒ、Ｏ_２、Ｈ_２、Ａｒ／Ｏ_２、Ａｒ／Ｈ_２、Ｈ_２０のうちの１種又は複数種であった。

【0117】

ステップ７では、各透明導電層上に金属電極を形成した。

【0118】

ステップ８では、レーザーで完成品ＨＪＴ電池をハーフカットし、電池の裏面は、電池切断面であるレーザー照射面であり、レーザー機器のパワーは、１０～１５０Ｗであり、レーザー走査速度は、１０００～８０００ｍｍ／ｓであり、レーザースポットは、１０～３００μｍであり、レーザー切断温度は、２００℃未満であり、切断方向は、電極の延在方向と平行であった。

【0119】

なお、上記実施例に係る太陽電池の製造方法に関連するステップに加えて、実際のニーズに応じて、対応するプロセス効果を得るために他の従来の製造ステップをさらに含んでもよく、ここでさらに限定しない。

【0120】

上記の各実施例に係るフローチャート中の各ステップは、矢印で示されるように連続して表示されるが、これらのステップは必ずしも矢印で示される順序で連続して実行されるわけではないことが理解されるべきである。本明細書で明示的に指定されていない限り、これらのステップの実行には厳密な順序制限はなく、別の順序で実行することができる。さらに、上記の各実施例に係るフローチャート中のステップの少なくとも一部は、必ずしも同じ時刻に完了するのではなく、異なる時刻に実行されることができる複数のステップ又は複数の段階を含むことができ、これらのステップ又は段階の実行順序は必ずしも連続的ではなく、他のステップ又は他のステップ中のステップ又は段階の少なくとも一部と交互に又は交互に実行されることができる。

【0121】

本願の実施例は、上記製造方法を組み合わせて上記いずれかの実施例に記載の太陽電池を製造するためのマスクキャリアをさらに提供する。太陽電池の構造、機能、動作原理、製造方法などは、上記実施例において詳細に説明したので、ここでは説明を省略する。一実施例において、図１４に示すように、マスクキャリアは、ストッパバー７１０と、第１フレーム７２０とを含む。

【0122】

第１フレーム７２０は、第１ドープ層上に複数の第１透明導電層を形成する過程において、太陽電池構造の第１ドープ層のエッジ領域を遮蔽してエッジ領域を複数の第１透明導電層から露出させるように構成される。ストッパバー７１０は、複数の第１透明導電層を形成する過程において、第１ドープ層における、隣接する２つの第１透明導電層の間の間隔に対応する間隔領域を遮蔽して間隔領域を複数の第１透明導電層から露出させるように構成される。太陽電池構造のスライス対象領域は、間隔領域に位置する。

【0123】

第１フレーム７２０は、マスクキャリアの内側フレームであると理解されてもよく、マスクキャリアは、第１フレーム７２０及びストッパバー７１０によって囲まれて少なくとも２つの開口を形成し、該開口により、コーティング源がコーティング材料を第１ドープ層の表面にスパッタリングして、少なくとも２つの第１透明導電層を形成する。第１フレーム７２０及びストッパバー７１０は、コーティング源がコーティング材料をスパッタリングすることを遮蔽して、隣接する２つの第１透明導電層の間の間隔領域、及び複数の第１透明導電層の外周のエッジ領域を含む遮蔽領域を形成する。間隔領域及びエッジ領域は、上記実施例の関連する説明を参照することができるため、ここでは説明を省略する。一実施例において、形成した第１透明導電層の数が２つより大きい場合、ストッパバー７１０の数は、１つより大きくするために、複数のストッパバー７１０は、実際のニーズに応じて等間隔に配列されてもよいか又は不等間隔に配列されてもよい。図１５に示すように、一実施例において、形成した第１透明導電層を行方向及び列方向にアレイ状に配列するために、複数のストッパバー７１０は、２組に分けることができ、２組のストッパバー７１０は互いに交差し、複数のストッパバー７１０と第１フレーム７２０との間、異なるストッパバー７１０の間にはアレイ状に配列された開口が囲まれて形成され、マスクキャリアの行方向及び列方向における開口の数は、限定されず、実際の使用ニーズに応じて設定される。

【0124】

一実施例において、ストッパバー７１０の数は、１つであり、ストッパバー７１０と第１フレーム７２０は、２つの開口を形成し、２つの第１透明導電層を形成することができる。図１６に示すように、電池のエッジが第１フレーム７２０によって遮蔽されるため、コーティング過程においてエッジ領域（）を形成し、このエッジ領域は、電池の裏面と正面との間の分離絶縁を形成し、ストッパバー７１０による遮蔽により、間隔領域を形成する。Ａは、セル全体の辺長であり、Ｂは、ストッパバー７１０により遮蔽された後に形成された間隔領域の幅であり、Ｃは、第１フレーム７２０により遮蔽された後に形成されたエッジ領域の幅であり、間隔領域の幅寸法は、２ｍｍ≧Ｂ≧０．５ｍｍであってもよく、エッジ領域の幅寸法は、１ｍｍ≧Ｃ≧０．２ｍｍであってもよい。

【0125】

好ましくは、ストッパバー７１０の材料は、タングステン、チタン、鉄などの一定の靭性を有し、かつ一定の高温（＜２００℃で明らかな変形がない）に耐える金属を含み、金属表面に耐高温絶縁保護膜、例えばアルミナセラミック膜、イットリアセラミック膜、ジルコニアセラミック膜などを有し、又はストッパバー７１０自体の材質は、このような耐高温絶縁セラミック材料である。なお、ストッパバー７１０の材料は、その他の材料、例えば、ステンレス、炭素繊維、アルミニウム、チタン合金、黒鉛、又は他の合金及び硬質材料、例えば、ステンレスと炭素繊維との複合物を含んでもよい。

【0126】

本実施例に係るマスクキャリアは、第１透明導電層を形成する過程において、太陽電池構造における基板の一方の表面に位置する第１ドープ層の一部の領域を遮蔽することができるため、第１ドープ層の基板から離れた表面に複数の第１透明導電層を形成した後に第１ドープ層のエッジ領域を露出させ、第１ドープ層における隣接する２つの第１透明導電層の間の間隔領域を露出させる、太陽電池構造のスライス対象領域は、間隔領域に位置する。スライス対象領域が隣接する２つの第１透明導電層の間の間隔領域に位置し、間隔領域が第１透明導電層によって被覆されないため、切断過程において導電性切り屑が発生せず、レーザーでハーフカットした後にＰ／Ｎ領域の導電パスが形成されることを防止し、切断による効率損失を効果的に低減することができる。エッジ領域が第１ドープ層の外側エッジに位置するため、複数の第１透明導電層の周りに、電池構造の裏面と正面、即ちＰ／Ｎ領域の分離絶縁を形成することができ、エッジ領域の裏面と正面との間のＰ／Ｎ領域の導電パスの形成を効果的に回避することができる。それと同時に、太陽電池のぞれぞれの金属化に比べて、全体金属化は、金属化装置の生産能力を効果的に増加させ、単一ＧＷ装置の投資コストを低減させる。これにより、太陽電池をスライスする過程において、本実施例のマスクキャリアを用いることにより、ヘテロ接合電池プロセス装置の固定資産投資を低減し、その加工コストを低減し、かつ低い効率損失を実現し、その端末モジュールの製品パワーを向上させることができる。

【0127】

一実施例において、ストッパバー７１０は、第１フレームの一側辺から対向する側辺まで延在し、ストッパバー７１０の幅寸法は、間隔領域の幅寸法より大きく、幅方向は、ストッパバー７１０の延在方向に垂直である。なお、ストッパバー７１０と第１ドープ層との間に距離が存在し、当該距離に基づいて、ストッパバー７１０の遮蔽により形成された間隔領域の幅寸法は、ストッパバー７１０の幅寸法よりも小さい。図１９を参照すると、ストッパバー７１０の最大幅寸法Ｗ、及びストッパバー７１０と第１ドープ層との間の距離Ｈは、共にコーティング過程における間隔領域Ｂの幅を決定する。したがって、実際のニーズに応じて、ストッパバー７１０の幅寸法を設定することができる。

【0128】

一実施例において、図１７に示すように、マスクキャリアは、第１フレーム７２０の外側を囲むように設けられた第２フレーム７３０をさらに含み、対向する２つの第２フレーム７３０に孔又は溝が形成され、ストッパバー７１０は、孔又は溝を介して第２フレーム７３０に固定される。

【0129】

第２フレーム７３０は、マスクキャリアの外側フレームであると理解されてもよく、第１フレーム７２０の外側を囲むように設けられる。ストッパバー７１０は、対向する２つの第２フレーム７３０における孔又は溝を介して第２フレーム７３０に固定される。例えば、ストッパバー７１０は、第２フレーム７３０に孔を開けて貫通することにより固定されてもよく、第２フレーム７３０に溝を開けてストッパバー７１０を嵌め込むことにより固定されてもよい。

【0130】

好ましくは、図１８Ａ～１８Ｅに示すように、ストッパバー７１０の断面形状は、円形、環形、三角形、矩形、Ｔ字型などの形状であってもよいが、これらの形状に限定されない。図１８Ａ、図１８Ｂのような規則的な円柱形のストッパバー７１０は、より孔開け貫通に適しており、図１８Ｃ、図１８Ｄのような角張ったストッパバー７１０は、より嵌め込みに適しており、図１８Ｅのような立方型のストッパバー７１０は、２つの方式のいずれにも適用可能である。

【0131】

さらに、図１９に示すように、図１８Ａにおけるストッパバー７１０の構造及び形状を例としてさらに説明する。中間は、タングステン線であり、外側は、セラミックスリーブであり、Ｄ１は、タングステン線の直径であり、Ｄ２は、セラミックスリーブの内径であり、Ｗは、セラミックスリーブの外径であり、Ｈは、ストッパバー７１０の最高点と第１ドープ層の下面との距離であり、Ｂは、ストッパバー７１０の遮蔽によって形成された間隔領域の幅であり、ストッパバー７１０の形状の最大幅寸法Ｗ、及びストッパバー７１０と第１ドープ層の下面との距離Ｈは、共にコーティング過程における間隔領域の幅Ｂを決定する。したがって、Ｗ＞Ｂであり、Ｈの設定範囲が０．１ｍｍ～２ｍｍであり、Ｗの設定範囲が１ｍｍ～３ｍｍであり、Ｄ１の設定範囲が０．５ｍｍ～２ｍｍであり、Ｄ１＜Ｄ２＜Ｗである。

【0132】

なお、本実施例に係るマスクキャリアは、第１透明導電層を形成する製造過程に適用されることに限定されず、同様に、第２透明導電層を形成する製造過程に適用されてもよく、具体的な操作は、第１透明導電層の形成過程を参照することができ、これについては、限定されない。本実施例に係るマスクキャリアは、他の機能層、他の製品を形成する製造過程に適用されてもよく、本実施例は、これについては、さらに限定されない。

【0133】

本願の実施例は、太陽光発電モジュールをさらに提供し、太陽光発電モジュールは、上記いずれかの実施例に係る太陽電池構造をスライスして形成された太陽電池が接続されてなるか、又は上記いずれかの実施例に係る太陽電池の製造方法により製造された複数の太陽電池が接続されてなる電池ストリングを含む。

【0134】

太陽光発電モジュールは、電池ストリングの表面を被覆する封止層と、封止層の電池ストリングから離れた表面を被覆するカバープレートとをさらに含む。太陽電池は、完全な１枚又は複数の個片の形態で電気的に接続されて複数の電池ストリングを形成し、複数の電池ストリングは、直列及び／又は並列に電気的に接続される。具体的には、いくつかの実施例において、複数の電池ストリングは、導電性テープによって電気的に接続されてもよい。封止層は、太陽電池の表面を被覆する。例として、封止層は、エチレン－酢酸ビニルコポリマー薄膜、ポリエチレンオクテン共エラストマー薄膜、又はポリエチレンテレフタレート薄膜などの有機封止薄膜であってもよい。カバープレートは、ガラスカバープレート、プラスチックカバープレートなどの光透過機能を有するカバープレートであってもよい。

【0135】

本願の実施例は、上記いずれかの実施例に係る太陽光発電モジュールを含む太陽光発電システムをさらに提供する。太陽光発電システムは、地上発電所、屋上発電所、水面発電所などの太陽光発電所に適用することができ、また、ユーザ太陽光電源、太陽光街路灯、太陽光カー、太陽光ビルディングなどのような太陽光を利用して発電する設備又は装置に適用することができる。理解されるように、太陽光発電システムの利用シーンはこれに限らない。つまり、太陽光発電システムは、太陽光による発電を必要とするあらゆる分野に適用可能である。太陽光発電システムネットワークを例とし、太陽光発電システムは、太陽光発電アレイと、集電ボックスと、インバータとを含んでもよく、太陽光発電アレイは、複数の太陽光発電モジュールのアレイの組み合わせとすることができ、例えば、複数の太陽光発電モジュールは、複数の太陽光発電アレイを構成することができ、太陽光発電アレイは、集電ボックスに接続され、集電ボックスは、太陽光発電アレイによって生成された電流を集電することができ、集電された電流は、インバータを介して商用電力網によって要求される交流に変換された後、商用電力網に接続され、太陽光電力供給を実現する。

【0136】

以上の実施例の各技術的特徴は任意に組み合わせることができ、説明を簡潔にするために、上記の実施例における各技術的特徴の全ての可能な組み合わせについては記述していないが、これらの技術的特徴の組み合わせに矛盾がない限り、全て本明細書に記載された範囲であると見なすべきである。

【0137】

上記実施例は、本願の幾つかの実施形態を示し、その記述は、より具体的且つ詳細であり、従って、本願の特許範囲を制限するものと理解することはできない。当業者にとって、本願の構想から逸脱することなく、いくつかの変形又は改善を加えることもでき、これらの変形又は改善は、両方とも、本願の保護範囲に属することに留意されたい。よって、本願の特許の保護範囲は、添付の特許請求の範囲を基準とするべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18A】

【図18B】

【図18C】

【図18D】

【図18E】

【図19】