特開 2024-113263 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024113263

(43)【公開日】2024-08-22

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240815BHJP

   H05K 3/38 20060101ALI20240815BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 E

H05K3/46 N

H05K3/38 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023018118

(22)【出願日】2023-02-09

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001542

【氏名又は名称】弁理士法人銀座マロニエ特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】古谷 俊樹

(72)【発明者】

【氏名】桑原 雅

(72)【発明者】

【氏名】籠橋 進

(72)【発明者】

【氏名】酒井 純

(72)【発明者】

【氏名】吉川 恭平

【テーマコード（参考）】

5E316

5E343

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA32

5E316AA35

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC32

5E316CC34

5E316DD17

5E316DD24

5E316DD33

5E316EE33

5E316FF03

5E316GG15

5E316GG16

5E316GG17

5E316GG22

5E316HH26

5E343AA12

5E343AA37

5E343BB24

5E343BB28

5E343DD25

5E343DD43

5E343EE36

5E343ER49

5E343GG08

(57)【要約】

【課題】第３絶縁層の上面に連続した薄いシード層を形成する。
【解決手段】コア基板ＣＳと、第１ビルドアップ部ＢＵ１と、第２ビルドアップ部ＢＵ２と、第３ビルドアップ部ＢＵ３と、第４ビルドアップ部ＢＵ４と、を有する配線基板であって、前記第３絶縁層は、上面と、前記上面から下層の第３導体層に至るビア開口と、前記ビア開口内に形成され、前記上面に形成される上層の第３導体層と前記下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、前記第３絶縁層は、無機粒子と樹脂を含み、前記無機粒子は前記樹脂に部分的に埋まっている第１無機粒子と前記樹脂に完全に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子は前記樹脂から突出する第１部分と前記樹脂に埋まっている第２部分で形成され、前記第３絶縁層の上面は前記樹脂の上面と前記樹脂の上面から露出する前記第１部分の露出面で形成されている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、前記第１面上に形成され、交互に積層される複数の第１絶縁層及び複数の第１導体層を含む第１ビルドアップ部と、前記第２面上に形成され、交互に積層される複数の第２絶縁層及び複数の第２導体層を含む第２ビルドアップ部と、前記第１ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される複数の第３絶縁層及び複数の第３導体層を含む第３ビルドアップ部と、前記第２ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される少なくとも１層の第４絶縁層及び少なくとも１層の第４導体層を含む第４ビルドアップ部と、を有する配線基板であって、
前記配線基板の最も外側の面は、前記第３ビルドアップ部の最外面、及び、前記第４ビルドアップ部の最外面で構成されており、
前記第３導体層に含まれる配線における配線幅の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線幅の最小値よりも小さく、
前記第３導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値よりも小さく、
前記第３絶縁層は、上面と、前記上面から下層の第３導体層に至るビア開口と、前記ビア開口内に形成され、前記上面に形成される上層の第３導体層と前記下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、
前記第３絶縁層は、無機粒子と樹脂を含み、
前記無機粒子は前記樹脂に部分的に埋まっている第１無機粒子と前記樹脂に完全に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子は前記樹脂から突出する第１部分と前記樹脂に埋まっている第２部分で形成され、前記第３絶縁層の上面は前記樹脂の上面と前記樹脂の上面から露出する前記第１部分の露出面で形成されている。

【請求項2】

請求項１に記載の配線基板において、前記コア基板がガラスコアである。

【請求項3】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層に含まれる配線の最小の配線幅が３μｍ以下、最小の配線間隔が３μｍ以下である。

【請求項4】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層に含まれる配線のアスペクト比は２以上４以下である。

【請求項5】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層に含まれる配線の上面は研磨面である。

【請求項6】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３絶縁層に含まれる無機粒子の最大粒径が、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に含まれる無機粒子の最大粒径よりも小さい。

【請求項7】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３ビルドアップ部を構成する第３絶縁層の体積と前記第４ビルドアップ部を構成する第４絶縁層の体積とは、略等しい。

【請求項8】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３ビルドアップ部における導体が占める体積と前記第４ビルドアップ部における導体が占める体積とは、略等しい。

【請求項9】

請求項１に記載の配線基板において、前記第１部分の体積と前記第１無機粒子の体積との比は０より大きく０．４以下である。

【請求項10】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３絶縁層の上面の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０８μｍ未満である。

【請求項11】

請求項１に記載の配線基板において、前記無機粒子は前記開口の内壁面を形成する第３無機粒子をさらに含み、前記内壁面は前記第３無機粒子と前記樹脂によって形成されており、前記第３無機粒子は平坦部を有し、前記平坦部が前記内壁面を形成する。

【請求項12】

請求項１１に記載の配線基板において、前記内壁面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１，０μｍ以下である。

【請求項13】

請求項１１に記載の配線基板において、前記第３無機粒子の形状は球を平面で切断することで得られる。

【請求項14】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されており、前記シード層の厚みは０．５μｍ未満である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、複数のビルドアップ部を有する配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、層間絶縁層として熱硬化性樹脂と無機フィラーとの混合物を用いるプリント配線板の一例を開示している。特許文献１では、図４に示すように、第１導体層５１と、第１導体層５１上に形成されている絶縁層５２と、絶縁層５２に形成されている、第１導体層５１の一部を露出するビア開口５３と、を有する。絶縁層５２は樹脂５４と無機粒子５５とを含む。図４に示す中間体において、絶縁層５２の上面５２ａおよびビア開口５３の内壁面５３ａに対し、ＣＦ３を含む反応性エッチング（ＲＩＥ）でデスミアし、絶縁層５２中の無機粒子５５を選択的にエッチングすることで、絶縁層５２の上面５２ａとビア開口５３の内壁面５３ａに凹部５６を形成する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－１９０６１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

この場合、絶縁層５２の上面５２ａが凹部５６を有するため、絶縁層５２の上面５２ａ上にスパッタで連続したシード層を形成するには、スパッタ膜（シード層）を厚くする必要がある。そのため、シード層上に配線を形成する場合、微細な配線形成が困難となる場合があった。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明に係る配線基板は、第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、前記第１面上に形成され、交互に積層される複数の第１絶縁層及び複数の第１導体層を含む第１ビルドアップ部と、前記第２面上に形成され、交互に積層される複数の第２絶縁層及び複数の第２導体層を含む第２ビルドアップ部と、前記第１ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される複数の第３絶縁層及び複数の第３導体層を含む第３ビルドアップ部と、前記第２ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される少なくとも１層の第４絶縁層及び少なくとも１層の第４導体層を含む第４ビルドアップ部と、を有する配線基板であって、前記配線基板の最も外側の面は、前記第３ビルドアップ部の最外面、及び、前記第４ビルドアップ部の最外面で構成されており、前記第３導体層に含まれる配線における配線幅の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線幅の最小値よりも小さく、前記第３導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値よりも小さく、前記第３絶縁層は、上面と、前記上面から下層の第３導体層に至るビア開口と、前記ビア開口内に形成され、前記上面に形成される上層の第３導体層と前記下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、前記第３絶縁層は、無機粒子と樹脂を含み、前記無機粒子は前記樹脂に部分的に埋まっている第１無機粒子と前記樹脂に完全に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子は前記樹脂から突出する第１部分と前記樹脂に埋まっている第２部分で形成され、前記第３絶縁層の上面は前記樹脂の上面と前記樹脂の上面から露出する前記第１部分の露出面で形成されている。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】本発明に係る配線基板におけるビルドアップ部の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図2】本発明に係る配線基板における第３ビルドアップ部の各層の一実施形態における特徴部分を模式的に示す断面図である。

【図3A】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3B】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3C】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3D】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3E】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3F】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3G】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3H】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3I】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3J】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図4】従来のプリント配線板の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

＜本発明の配線基板について＞
本発明の配線基板の一実施形態が、図面を参照して説明される。なお、図１～図４に示す例において、各部材の寸法、特に高さ方向の寸法については、本発明の特徴をより良く理解できるようにするために、実際の寸法とは異なる寸法で記載している。

【0008】

図１は、本発明に係る配線基板におけるビルドアップ部の一実施形態を説明するための断面図である。図１において、ＣＳは、例えば図中上側の第１面ＣＳ１および下側の第２面ＣＳ２を有するコア基板である。ＢＵ１は、コア基板ＣＳの第１面ＣＳ１上に形成され、交互に積層される複数の第１絶縁層１２及び複数の第１導体層１１を含む第１ビルドアップ部である。ＢＵ２は、コア基板ＣＳの第２面ＣＳ２上に形成され、交互に積層される複数の第２絶縁層２２及び複数の第２導体層２１を含む第２ビルドアップ部である。ＢＵ３は、第１ビルドアップ部ＢＵ１上に形成され、交互に積層される複数の第３絶縁層３２及び複数の第３導体層３１を含む第３ビルドアップ部である。ＢＵ４は、第２ビルドアップ部ＢＵ２上に形成され、交互に積層される少なくとも１層の第４絶縁層４２及び少なくとも１層の第４導体層４１を含む第４ビルドアップ部である。本実施形態では、上記構成の配線基板１の第３ビルドアップ部ＢＵ３上に、チップ１およびチップ２が搭載されている。

【0009】

図１に示す本発明に係る配線基板においては、コア基板ＣＳとしてガラスコアを用いることが好ましい。コア基板としてガラスコアを用いると、他の材料のコア基板を用いた配線基板と比べて、高密度配線が形成し易くなる。ガラスコアとしては、従来から知られているいずれの材料をも使用できる。例えば、耐熱性と耐衝撃性に優れ、熱膨張係数がシリコンに近い、ホウ珪酸ガラスを用いることができる。

【0010】

本実施形態に係る配線基板の特徴は、第３ビルドアップ部ＢＵ３の構造にある。すなわち、第３導体層に含まれる配線における配線幅の最小値は、第１導体層、第２導体層、及び、第４導体層に含まれる配線における配線幅の最小値よりも小さく、第３導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値は、第１導体層、第２導体層、及び、第４導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値よりも小さく、前記第３絶縁層は、上面と、前記上面から下層の第３導体層に至るビア開口と、前記ビア開口内に形成され、前記上面に形成される上層の第３導体層と前記下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、前記第３絶縁層は、無機粒子と樹脂を含み、前記無機粒子は前記樹脂に部分的に埋まっている第１無機粒子と前記樹脂に完全に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子は前記樹脂から突出する第１部分と前記樹脂に埋まっている第２部分で形成され、前記第３絶縁層の上面は前記樹脂の上面と前記樹脂の上面から露出する前記第１部分の露出面で形成されている。

【0011】

本実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３が、上記構成を備えることで、第３ビルドアップ部ＢＵ３において、第３絶縁層の上面に連続した薄いシード層が形成でき、微細配線が形成可能となる。

【0012】

図２は、本実施形態に係る配線基板における第３ビルドアップ部ＢＵ３の各層の一実施形態における特徴部分を説明するための模式図である。図２において、説明の対象となる層Ｌ１の下層Ｌ２は、層Ｌ１と同じ構成となっている。説明の対象となる層Ｌ１は下層Ｌ２上に連続して形成されている。

【0013】

本実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における各層が、図２に示す構成を含んでいる。図２において、下層Ｌ２の第３導体層３１と、この第３導体層３１上に形成されている層Ｌ１の第３絶縁層３２と、第３絶縁層３２に形成されている、下層Ｌ２の第３導体層３１の一部を導体パッド３１ａとして露出するビア開口３７を示している。第３絶縁層３２は樹脂３３と無機粒子３４とを含む。

【0014】

本実施形態に係る配線基板では、無機粒子３４は、樹脂３３に部分的に埋まっている第１無機粒子３４－１と樹脂３３に完全に埋まっている第２無機粒子３４－２とを含む。第１無機粒子３４－１と第２無機粒子３４－２との形状は球である。第１無機粒子３４－１は、樹脂３３から突出する第１部分３４－１ａと樹脂３３に埋まっている第２部分３４－１ｂとで形成されている。第３絶縁層３２の上面３２ａは、樹脂３３の上面と樹脂３３の上面から露出する第１部分３４－１ａの露出面とで形成されており、第３絶縁層３２の上面３２ａには凹部がほとんど形成されない。

【0015】

図２に示す中間体において、第３絶縁層３２の上面３２ａには、第１無機粒子３４－１の第１部分３４－１ａが露出しているが凹部がほとんど形成されていない。そのため、第３絶縁層３２の上面３２ａにスパッタでシード層を形成する場合、厚みが薄くても連続するシード層を形成することができる。その結果、シード層上に微細な配線を形成することができる。一方、第３絶縁層３２の上面３２ａに第１無機粒子３４－１の第１部分３４－１ａが露出しているため、第３絶縁層３２の上面３２ａとシード層との接触面積を増大することができ、第３絶縁層３２の上面３２ａとシード層とのより強固な密着を可能とする。

【0016】

図２に示す例において、好ましい実施形態として、無機粒子３４は、ビア開口３７の内壁面３７ａを形成する第３無機粒子３４－３をさらに含む。ビア開口３７の内壁面３７ａは、第３無機粒子３４－３と樹脂３３とによって形成されており、第３無機粒子３４－３の平坦部と樹脂３３とにより、平坦な面となっている。この場合、ビア開口３７の内壁面３７ａおよび下層Ｌ２の第３導体層３１の露出する導体パッド３１ａに対し、スパッタでシード層を形成しても、ビア開口３７の内壁面３７ａが平坦面であるため、垂直方向に噴射されるスパッタ粒子に対する障害がなく、ビア開口３７の内壁面３７ａに均一で薄いシード層を形成することができる。

【0017】

＜本発明の配線基板の特徴となる第３ビルドアップ部ＢＵ３の製造方法について＞
第１ビルドアップ部ＢＵ１、第２ビルドアップ部ＢＵ２、および、第４ビルドアップ部ＢＵ４については、交互に積層される複数の第１絶縁層１２及び複数の第１導体層１１の形成、交互に積層される複数の第２絶縁層２２及び複数の第２導体層２１の形成、および、交互に積層される少なくとも１層の第４絶縁層４２及び少なくとも１層の第４導体層４１の形成を、従来から公知の方法で行うことができる。ここでは、それらの詳細については説明を省いている。

【0018】

図３Ａ～図３Ｊを参照にして、本発明の配線基板の特徴となる第３ビルドアップ部ＢＵ３の製造方法について説明する。

【0019】

まず、図３Ａに示すように、下層Ｌ２上に、対象となる層Ｌ１の樹脂３３と無機粒子３４とからなる第３絶縁層３２および保護膜３６を形成する。第３絶縁層３２の上面３２ａは樹脂３３のみで形成されており、無機粒子３４は露出していない。そのため、第３絶縁層３２の上面３２ａには凹凸が形成されていない。保護膜３６は第３絶縁層３２の上面３２ａを完全に覆っている。保護膜３６の例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜３６と第３絶縁層３２の上面３２ａとの間に離型剤が形成されている。

【0020】

次に、図３Ｂに示されるように、保護膜３６の上からレーザ光が照射される。レーザ光は保護膜３６と第３絶縁層３２とを同時に貫通する。これにより、下層Ｌ２の第３導体層３１上にビア導体形成用のビア開口３７が形成される。ビア開口３７において、第３無機粒子３４－３は内壁面３７ａから突出している。レーザ光は、例えばＵＶレーザ光、ＣＯ_２レーザ光である。ビア開口３７により下層の第３導体層３１が露出される。ビア開口３７が形成される時、第３絶縁層３２の上面３２ａは保護膜３６で覆われている。そのため、ビア開口３７が形成される時、樹脂３３が飛散しても、第３絶縁層３２の上面３２ａへの樹脂３３の付着が抑制される。

【0021】

次に、図３Ｃに示されるように、第３絶縁層３２の上面３２ａを保護膜３６で覆った状態で、ビア開口３７内に対しドライプロセス（プラズマ）でデスミア処理を行う。これにより、ビア開口３７の内壁面３７ａは粗化されるが、第３絶縁層３２の上面３２ａは粗化されない。第３絶縁層３２の上面３２ａは粗化されないため、第３絶縁層３２の上面３２ａは樹脂３３のみで形成される。デスミア処理は、例えばフルオロカーボン系ガスを含む反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、第３絶縁層３２内において樹脂３３より無機粒子３４を優先的にエッチングする条件で行うことができる。これにより、ビア開口３７の内壁面３７ａから突出している第３無機粒子３４－３の部分をエッチングして、平坦化することができる。その結果、ビア開口３７の内壁面３７ａを、第３無機粒子３４－３の平坦部と樹脂３３とからなる平面とすることができる。

【0022】

次に、図３Ｄに示されるように、第３絶縁層３２の上面３２ａから保護膜３６が除去される。保護膜３６の除去後、第３絶縁層３２の上面３２ａを荒らすことは行われない。

【0023】

次に、図３Ｅに示されるように、保護膜３６の除去後、第３絶縁層３２の上面３２ａが、Ａｒスパッタリングによるドライエッチングにより、クリーニングされる。Ａｒスパッタリングによって、樹脂３３が選択的にエッチングされ、第３絶縁層３２の上面３２ａが後退する。これによって、第１無機粒子３４－１に、樹脂３３から突出する第１部分３４－１ａと樹脂３３に埋まっている第２部分３４－１ｂとが形成される。

【0024】

次に、図３Ｆに示されるように、第３絶縁層３２の上面３２ａ上にシード層３１ｃが形成される。シード層３１ｃはスパッタによって形成される。シード層３１ｃの形成はドライプロセスで行われる。シード層３１ｃはビア開口３７から露出する下層の第３導体層３１の上面とビア開口３７の内壁面３７ａにも形成される。本実施形態では、シード層３１ｃは、銅とケイ素とアルミニウムを含む合金をスパッタすることにより形成される第１層３１ｃ－１と、その上に銅をスパッタすることで形成される第２層３１ｃ－２とで、構成されている。

【0025】

次に、図３Ｇに示されるように、シード層３１ｃ上にめっきレジスト３８が形成される。めっきレジスト３８は、第３絶縁層３２の上面３２ａに形成される導体パッド３１ａと配線３１ｂとからなる上層の第３導体層３１を形成するための開口を有する。

【0026】

次に、図３Ｈに示されるように、めっきレジスト３８から露出するシード層３１ｃ上に電解めっき膜３１ｄが形成される。電解めっき膜３１ｄはビア開口３７を充填する。電解めっき膜３１ｄは、めっきレジスト３８の高さより高く形成される。すなわち、例えば、図３Ｈに示されるように、電解めっき膜３１ｄが、めっきレジスト３８の上面よりも外側に、上面が凸球面状を有するように形成される。

【0027】

次に、図３Ｉに示されるように、電解めっき膜３１ｄ、及び、めっきレジスト３８の上側の一部が、研磨によって除去される。研磨は、電解めっき膜３１ｄの厚さが求められる所望の厚さとなるまで行われる。研磨は、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により実施される。この研磨によって、電解めっき膜３１ｄの上面は、算術平均粗さＲａで０．３μｍ以下の値を有するように形成される。

【0028】

その後、めっきレジスト３８およびその下層のシード層３１ｃが除去される。これにより、図３Ｊに示されるように、第３絶縁層３２の上面３２ａ上のシード層３１ｃと電解めっき膜３１ｄによって、配線３１ｂが形成される。ビア開口３７内のシード層３１ｃと電解めっき膜３１ｄによって、ビア開口３７内にビア導体と、その上に導体パッド３１ａが形成される。以上のようにして、図３Ｉに示されるように、本発明の一実施形態に係る配線基板が得られる。

【0029】

本発明の一実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３において、ビア開口３７の内壁面３７ａから第１無機粒子３４－１が突出せず、ビア開口３７の内壁面３７ａを第１無機粒子３４－１の平坦部と樹脂３３とからなる平面としている。そのため、ビア開口３７の内壁面３７ａに均一で薄いシード層３１ｃを形成することができる。その結果、第３絶縁層３２の上面３２ａ上のシード層３１ｃを均一で薄く形成することができる。シード層３１ｃ上に、導体パッド３１ａおよび配線３１ｂからなる第３導体層３１を精度よく確実に形成することができる。これにより、高い品質を有する配線板を提供することができる。

【0030】

以下、本発明に係る配線基板において、好適な実施形態について説明する。

【0031】

本発明の一実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における好適例として、第３導体層３１の配線３１ｂの最小の配線幅が３μｍ以下、最小の配線間隔が３μｍ以下であることが好ましい。さらに、第３導体層３１に含まれる配線３１ｂは、アスペクト比が２以上４以下となるように形成されていることが好ましい。このように、第３ビルドアップ部ＢＵ３が、配線幅及び配線間距離が比較的小さく、且つ、比較的高いアスペクト比を有する配線３１ｂを有していることにより、表層部に比較的高密度の配線３１ｂを有する配線基板が実現され得る。配線基板の表層部において搬送される電気信号に対応した、より適切な配線が提供される。

【0032】

本発明の一実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における好適例として、第３導体層に含まれる配線の上面は研磨面であることが好ましい。第３導体層に含まれる配線の上面を研磨面とすることで、第３導体層３１の上面は粗さが比較的小さく平坦であり、よって、第３導体層３１は比較的均一な厚さとされている。

【0033】

本発明の一実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における好適例として、第３絶縁層３２に含まれる無機粒子３４の最大粒径が、第１絶縁層１２及び第２絶縁層２２に含まれる無機粒子の最大粒径よりも小さいことが好ましい。比較的高密度に形成される配線３１ｂに接する第３絶縁層３２に無機粒子３４が含まれる場合に、隣り合う配線３１ｂ、３１ｂ間に粒径の比較的大きい無機粒子３４が位置すると、無機粒子３４の表面を介するマイグレーションにより配線３１ｂ、３１ｂ間の短絡が発生する場合がある。従って、第３絶縁層３２に含まれ得る無機粒子３４の最大の粒径が比較的小さいことで、配線３１ｂ、３１ｂにおける短絡の虞が低減することができる。

【0034】

本発明の一実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における好適例として、第３ビルドアップ部ＢＵ３を構成する第３絶縁層３２の体積と第４ビルドアップ部ＢＵ４を構成する第４絶縁層４２の体積とは、略等しいことが好ましい。また、第３ビルドアップ部ＢＵ３における導体が占める体積と第４ビルドアップ部ＢＵ４における導体が占める体積とは、略等しいことが好ましい。これらの条件を満たすことで、配線基板１の反りを低減させることができる。

【0035】

本発明の一実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における好適例として、第１部分３４－１ａの体積と第１無機粒子３４－１の体積との比は０より大きく０．４以下であることが好ましい。また、第３絶縁層３２の上面３２ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０８μｍ未満であることが好ましい。さらに、ビア開口３７の内壁面３７ａの算術平均粗さは１．０μｍ以下であることが好ましい。さらにまた、第３無機粒子３４－３の形状は球を平面で切断することで得られることが好ましい。また、第３導体層３１とビア導体は、シード層３１ｃとシード層上の電解めっき層３１ｄで形成されており、シード層３１ｃの厚みは０．５μｍ未満であることが好ましい。いずれの構成も、第３絶縁層３２の上面３２ａ上に連絡した薄いシード層３１ｃを形成するために好適な実施形態となる。

【符号の説明】

【0036】

１ 配線基板
１１ 第１導体層
１２ 第１絶縁層
２１ 第２導体層
２２ 第２絶縁層
３１ 第３導体層
３１ａ 導体パッド
３１ｂ 配線
３１ｃ シード層
３１ｃ－１ 第１層
３１ｃ－２ 第２層
３１ｄ 電解めっき膜
３２ 第３絶縁層
３２ａ 上面
３３ 樹脂
３４ 無機粒子
３４－１ 第１無機粒子
３４－１ａ 第１部分
３４－１ｂ 第２部分
３４－２ 第２無機粒子
３４－３ 第３無機粒子
３６ 保護膜
３７ ビア開口
３７ａ 内壁面
３８ めっきレジスト
４１ 第４導体層
４２ 第４絶縁層
ＢＵ１ 第１ビルドアップ部
ＢＵ２ 第２ビルドアップ部
ＢＵ３ 第３ビルドアップ部
ＢＵ４ 第４ビルドアップ部
ＣＳ コア基板
ＣＳ１ 第１面
ＣＳ２ 第２面
Ｌ１ 対象となる層
Ｌ２ 下層

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】

【図3H】

【図3I】

【図3J】

【図4】