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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024113485
(43)【公開日】2024-08-22
(54)【発明の名称】表示装置の製造方法および表示装置用マザー基板
(51)【国際特許分類】
H10K 50/84 20230101AFI20240815BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240815BHJP
H10K 59/173 20230101ALI20240815BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20240815BHJP
H10K 50/858 20230101ALI20240815BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240815BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240815BHJP
H10K 71/16 20230101ALI20240815BHJP
【ＦＩ】
H10K50/84
H10K59/122
H10K59/173
H10K50/844
H10K50/858
G09F9/00 338
G09F9/30 338
G09F9/30 349Z
H10K71/16
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023018506
(22)【出願日】2023-02-09
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】福田 加一
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC45
3K107DD89
3K107DD92
3K107EE21
3K107EE48
3K107FF06
3K107GG11
3K107GG52
5C094AA42
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA13
5C094DA14
5C094FA01
5C094FA02
5C094FB01
5C094FB02
5C094FB15
5C094HA05
5C094HA08
5G435AA17
5G435BB05
5G435CC09
5G435HH14
5G435KK05
5G435LL04
5G435LL07
5G435LL08
5G435LL17
(57)【要約】
【課題】 歩留まりを改善することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 実施形態に係る表示装置の製造方法は、複数のパネル部と余白領域を含む基板を用意し、表示領域に第１下電極を含む複数の下電極を形成し、第１下電極と重なる第１画素開口を含む複数の画素開口を有するリブを形成し、第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部とを含む第１隔壁を余白領域に形成し、第１有機層および第１上電極を含む第１積層膜を形成し、第１積層膜を覆う第１封止層を形成することを含む。第１積層膜は、基板の全体に形成されるとともに第１隔壁により複数の部分に分断され、第１封止層はこれら部分を連続的に覆っている。平面視において、基板の端部と第１封止層の端部とが離れており、基板の端部と第１封止層の端部の間の領域において第１積層膜が第１封止層から露出している。
【選択図】 図５
【解決手段】 実施形態に係る表示装置の製造方法は、複数のパネル部と余白領域を含む基板を用意し、表示領域に第１下電極を含む複数の下電極を形成し、第１下電極と重なる第１画素開口を含む複数の画素開口を有するリブを形成し、第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部とを含む第１隔壁を余白領域に形成し、第１有機層および第１上電極を含む第１積層膜を形成し、第１積層膜を覆う第１封止層を形成することを含む。第１積層膜は、基板の全体に形成されるとともに第１隔壁により複数の部分に分断され、第１封止層はこれら部分を連続的に覆っている。平面視において、基板の端部と第１封止層の端部とが離れており、基板の端部と第１封止層の端部の間の領域において第１積層膜が第１封止層から露出している。
【選択図】 図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示領域をそれぞれ含む複数のパネル部と、前記複数のパネル部の周囲の余白領域とを含む基板を用意し、
前記表示領域に第１下電極を含む複数の下電極を形成し、
前記第１下電極と重なる第１画素開口を含む複数の画素開口を有するリブを形成し、
第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部とを含む第１隔壁を前記余白領域に形成し、
前記複数の画素開口を通じて前記複数の下電極にそれぞれ接触する第１有機層と、前記第１有機層を覆う第１上電極とを含む第１積層膜を形成し、
前記第１積層膜を覆う無機絶縁材料からなる第１封止層を形成する、
ことを含み、
前記第１積層膜は、前記基板の全体に形成されるとともに前記第１隔壁により複数の部分に分断され、
前記第１封止層は、前記複数の部分を連続的に覆い、
平面視において、前記基板の端部と前記第１封止層の端部とが離れており、
前記基板の端部と前記第１封止層の端部の間の領域において、前記第１積層膜が前記第１封止層から露出している、
表示装置の製造方法。
前記表示領域に第１下電極を含む複数の下電極を形成し、
前記第１下電極と重なる第１画素開口を含む複数の画素開口を有するリブを形成し、
第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部とを含む第１隔壁を前記余白領域に形成し、
前記複数の画素開口を通じて前記複数の下電極にそれぞれ接触する第１有機層と、前記第１有機層を覆う第１上電極とを含む第１積層膜を形成し、
前記第１積層膜を覆う無機絶縁材料からなる第１封止層を形成する、
ことを含み、
前記第１積層膜は、前記基板の全体に形成されるとともに前記第１隔壁により複数の部分に分断され、
前記第１封止層は、前記複数の部分を連続的に覆い、
平面視において、前記基板の端部と前記第１封止層の端部とが離れており、
前記基板の端部と前記第１封止層の端部の間の領域において、前記第１積層膜が前記第１封止層から露出している、
表示装置の製造方法。
【請求項2】
前記第１隔壁は、前記余白領域に並ぶ複数の線状部を有し、
前記第１封止層の端部は、前記複数の線状部のうち前記基板の端部に最も近い線状部よりも前記基板の中心側に位置している、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
前記第１封止層の端部は、前記複数の線状部のうち前記基板の端部に最も近い線状部よりも前記基板の中心側に位置している、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項3】
前記第１隔壁は、前記余白領域に並ぶ複数の線状部を有し、
前記第１封止層の端部は、前記複数の線状部のうち前記基板の端部に最も近い線状部と前記基板の端部の間に位置している、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
前記第１封止層の端部は、前記複数の線状部のうち前記基板の端部に最も近い線状部と前記基板の端部の間に位置している、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項4】
前記第１封止層をマスクとして用いて、前記第１積層膜のうち前記基板の端部と前記第１封止層の端部の間に位置する部分から、前記第１積層膜を構成する複数の層の少なくとも１つを除去する、
ことをさらに含む請求項１に記載の表示装置の製造方法。
ことをさらに含む請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項5】
前記第１積層膜は、前記第１封止層と異なる屈折率を有し前記第１上電極を覆う第１キャップ層をさらに含む、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項6】
前記第１積層膜を形成する前に、前記リブの上に位置する第２下部と、前記第２下部の側面から突出した端部を有する第２上部とを含む第２隔壁を前記表示領域に形成する、
ことをさらに含む請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
ことをさらに含む請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項7】
前記第１積層膜および前記第１封止層をパターニングして、前記第１積層膜および前記第１封止層のうち前記第１下電極と重なる部分を残し、他の部分を除去する、
ことをさらに含む請求項１に記載の表示装置の製造方法。
ことをさらに含む請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項8】
前記複数の下電極は、第２下電極を含み、
前記複数の画素開口は、第２画素開口を含み、
前記第１積層膜および前記第１封止層のパターニングの後に、前記第２画素開口を通じて前記第２下電極に接触する第２有機層と、前記第２有機層を覆う第２上電極とを含む第２積層膜を形成し、
前記第２積層膜を覆う無機絶縁材料からなる第２封止層を形成する、
ことをさらに含む請求項７に記載の表示装置の製造方法。
前記複数の画素開口は、第２画素開口を含み、
前記第１積層膜および前記第１封止層のパターニングの後に、前記第２画素開口を通じて前記第２下電極に接触する第２有機層と、前記第２有機層を覆う第２上電極とを含む第２積層膜を形成し、
前記第２積層膜を覆う無機絶縁材料からなる第２封止層を形成する、
ことをさらに含む請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項9】
前記第２積層膜および前記第２封止層をパターニングして、前記第２積層膜および前記第２封止層のうち前記第２下電極と重なる部分を残し、他の部分を除去する、
ことをさらに含む請求項８に記載の表示装置の製造方法。
ことをさらに含む請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項10】
前記複数の下電極は、第３下電極を含み、
前記複数の画素開口は、第３画素開口を含み、
前記第２積層膜および前記第２封止層のパターニングの後に、前記第３画素開口を通じて前記第３下電極に接触する第３有機層と、前記第３有機層を覆う第３上電極とを含む第３積層膜を形成し、
前記第３積層膜を覆う無機絶縁材料からなる第３封止層を形成する、
ことをさらに含む請求項９に記載の表示装置の製造方法。
前記複数の画素開口は、第３画素開口を含み、
前記第２積層膜および前記第２封止層のパターニングの後に、前記第３画素開口を通じて前記第３下電極に接触する第３有機層と、前記第３有機層を覆う第３上電極とを含む第３積層膜を形成し、
前記第３積層膜を覆う無機絶縁材料からなる第３封止層を形成する、
ことをさらに含む請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項11】
表示領域をそれぞれ含む複数のパネル部と、前記複数のパネル部の周囲の余白領域とを含む基板と、
前記表示領域に配置された下電極と、
前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、
第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部とを含み、前記余白領域に形成された第１隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極に接触する有機層と、前記有機層を覆う上電極とを含む積層膜と、
前記積層膜を覆う無機絶縁材料からなる封止層と、
を備え、
前記積層膜は、前記複数のパネル部および前記余白領域に形成されるとともに前記第１隔壁により複数の部分に分断され、
前記封止層は、前記複数の部分を連続的に覆い、
平面視において、前記基板の端部と前記封止層の端部とが離れており、
前記基板の端部と前記封止層の端部の間の領域において、前記積層膜が前記封止層から露出している、
表示装置用マザー基板。
前記表示領域に配置された下電極と、
前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、
第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部とを含み、前記余白領域に形成された第１隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極に接触する有機層と、前記有機層を覆う上電極とを含む積層膜と、
前記積層膜を覆う無機絶縁材料からなる封止層と、
を備え、
前記積層膜は、前記複数のパネル部および前記余白領域に形成されるとともに前記第１隔壁により複数の部分に分断され、
前記封止層は、前記複数の部分を連続的に覆い、
平面視において、前記基板の端部と前記封止層の端部とが離れており、
前記基板の端部と前記封止層の端部の間の領域において、前記積層膜が前記封止層から露出している、
表示装置用マザー基板。
【請求項12】
前記第１隔壁は、前記余白領域に並ぶ複数の線状部を有し、
前記封止層の端部は、前記複数の線状部のうち前記基板の端部に最も近い線状部よりも前記基板の中心側に位置している、
請求項１１に記載の表示装置用マザー基板。
前記封止層の端部は、前記複数の線状部のうち前記基板の端部に最も近い線状部よりも前記基板の中心側に位置している、
請求項１１に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項13】
前記第１隔壁は、前記余白領域に並ぶ複数の線状部を有し、
前記封止層の端部は、前記複数の線状部のうち前記基板の端部に最も近い線状部と前記基板の端部の間に位置している、
請求項１１に記載の表示装置用マザー基板。
前記封止層の端部は、前記複数の線状部のうち前記基板の端部に最も近い線状部と前記基板の端部の間に位置している、
請求項１１に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項14】
前記積層膜は、前記封止層と異なる屈折率を有し前記上電極を覆うキャップ層をさらに含む、
請求項１１に記載の表示装置用マザー基板。
請求項１１に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項15】
前記リブの上に位置する第２下部と、前記第２下部の側面から突出した端部を有する第２上部とを含み、前記表示領域に配置された第２隔壁をさらに備え、
前記積層膜は、前記表示領域において前記第２隔壁により複数の部分に分断されている、
請求項１１乃至１４のうちいずれか１項に記載の表示装置用マザー基板。
前記積層膜は、前記表示領域において前記第２隔壁により複数の部分に分断されている、
請求項１１乃至１４のうちいずれか１項に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項16】
表示領域をそれぞれ含む複数のパネル部と、前記複数のパネル部の周囲の余白領域とを含む基板と、
前記表示領域に配置された下電極と、
前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、
第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部とを含み、前記余白領域に形成された第１隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極に接触する有機層と、前記有機層を覆う上電極とを含む積層膜と、
前記積層膜を覆う無機絶縁材料からなる封止層と、
を備え、
前記積層膜は、前記複数のパネル部および前記余白領域に形成されるとともに前記第１隔壁により複数の部分に分断され、
前記封止層は、前記複数の部分を連続的に覆い、
平面視において、前記積層膜の端部と前記封止層の端部が揃っており、
平面視において、前記積層膜の端部および前記封止層の端部の各々が、前記基板の端部と離れている、
表示装置用マザー基板。
前記表示領域に配置された下電極と、
前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、
第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部とを含み、前記余白領域に形成された第１隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極に接触する有機層と、前記有機層を覆う上電極とを含む積層膜と、
前記積層膜を覆う無機絶縁材料からなる封止層と、
を備え、
前記積層膜は、前記複数のパネル部および前記余白領域に形成されるとともに前記第１隔壁により複数の部分に分断され、
前記封止層は、前記複数の部分を連続的に覆い、
平面視において、前記積層膜の端部と前記封止層の端部が揃っており、
平面視において、前記積層膜の端部および前記封止層の端部の各々が、前記基板の端部と離れている、
表示装置用マザー基板。
【請求項17】
前記第１隔壁は、前記余白領域に並ぶ複数の線状部を有し、
前記積層膜の端部および前記封止層の端部は、前記複数の線状部のうち前記基板の端部に最も近い線状部よりも前記基板の中心側に位置している、
請求項１６に記載の表示装置用マザー基板。
前記積層膜の端部および前記封止層の端部は、前記複数の線状部のうち前記基板の端部に最も近い線状部よりも前記基板の中心側に位置している、
請求項１６に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項18】
前記第１隔壁は、前記余白領域に並ぶ複数の線状部を有し、
前記積層膜の端部および前記封止層の端部は、前記複数の線状部のうち前記基板の端部に最も近い線状部と前記基板の端部の間に位置している、
請求項１６に記載の表示装置用マザー基板。
前記積層膜の端部および前記封止層の端部は、前記複数の線状部のうち前記基板の端部に最も近い線状部と前記基板の端部の間に位置している、
請求項１６に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項19】
前記積層膜は、前記封止層と異なる屈折率を有し前記上電極を覆うキャップ層をさらに含む、
請求項１６に記載の表示装置用マザー基板。
請求項１６に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項20】
前記リブの上に位置する第２下部と、前記第２下部の側面から突出した端部を有する第２上部とを含み、前記表示領域に配置された第２隔壁をさらに備え、
前記積層膜は、前記表示領域において前記第２隔壁により複数の部分に分断されている、
請求項１６乃至１９のうちいずれか１項に記載の表示装置用マザー基板。
前記積層膜は、前記表示領域において前記第２隔壁により複数の部分に分断されている、
請求項１６乃至１９のうちいずれか１項に記載の表示装置用マザー基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置の製造方法および表示装置用マザー基板に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。
【0003】
表示装置の製造にあたっては、多数の表示素子が配置された表示領域をそれぞれ含む複数のパネル部が大型のマザー基板に形成される。さらに、各パネル部を切り出すことにより、表示装置の主要な要素である表示パネルが製造される。このような製造工程において、歩留まりを改善するための技術が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、歩留まりを改善することが可能な表示装置の製造方法および表示装置用マザー基板を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
実施形態に係る表示装置の製造方法は、表示領域をそれぞれ含む複数のパネル部と、前記複数のパネル部の周囲の余白領域とを含む基板を用意し、前記表示領域に第１下電極を含む複数の下電極を形成し、前記第１下電極と重なる第１画素開口を含む複数の画素開口を有するリブを形成し、第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部とを含む第１隔壁を前記余白領域に形成し、前記複数の画素開口を通じて前記複数の下電極にそれぞれ接触する第１有機層と、前記第１有機層を覆う第１上電極とを含む第１積層膜を形成し、前記第１積層膜を覆う無機絶縁材料からなる第１封止層を形成する、ことを含む。前記第１積層膜は、前記基板の全体に形成されるとともに前記第１隔壁により複数の部分に分断されている。前記第１封止層は、前記複数の部分を連続的に覆っている。平面視において、前記基板の端部と前記第１封止層の端部とが離れている。さらに、前記基板の端部と前記第１封止層の端部の間の領域において、前記第１積層膜が前記第１封止層から露出している。
【0007】
実施形態に係るマザー基板は、表示領域をそれぞれ含む複数のパネル部と前記複数のパネル部の周囲の余白領域とを含む基板と、前記表示領域に配置された下電極と、前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、第１下部と前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部とを含み、前記余白領域に形成された第１隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極に接触する有機層と前記有機層を覆う上電極とを含む積層膜と、前記積層膜を覆う無機絶縁材料からなる封止層と、を備えている。前記積層膜は、前記複数のパネル部および前記余白領域に形成されるとともに前記第１隔壁により複数の部分に分断されている。前記封止層は、前記複数の部分を連続的に覆っている。
【0008】
実施形態の一つの観点によれば、平面視において、前記基板の端部と前記封止層の端部とが離れている。さらに、前記基板の端部と前記封止層の端部の間の領域において、前記積層膜が前記封止層から露出している。
【0009】
実施形態の他の観点によれば、平面視において、前記積層膜の端部と前記封止層の端部が揃っている。さらに、平面視において、前記積層膜の端部および前記封止層の端部の各々が、前記基板の端部と離れている、
【図面の簡単な説明】
【0010】
【発明を実施するための形態】
【0011】
いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0012】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚは、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に対して法線方向である。また、第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0013】
各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。
【0014】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を含む表示パネルＰＮＬを備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を含む表示パネルＰＮＬを備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0015】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限られず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0016】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、青色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および赤色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0017】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0018】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。
【0019】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限られない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。
【0020】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。図２の例においては、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。
【0021】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。
【0022】
表示領域ＤＡには、リブ５が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３（第１乃至第３画素開口）を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ１が画素開口ＡＰ２よりも大きく、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ３よりも大きい。
【0023】
副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１（第１下電極）、上電極ＵＥ１（第１上電極）および有機層ＯＲ１（第１有機層）を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２（第２下電極）、上電極ＵＥ２（第２上電極）および有機層ＯＲ２（第２有機層）を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３（第３下電極）、上電極ＵＥ３（第３上電極）および有機層ＯＲ３（第３有機層）を備えている。
【0024】
下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１（第１表示素子）を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２（第２表示素子）を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３（第３表示素子）を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。リブ５は、これら表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を囲っている。
【0025】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0026】
リブ５の上には、隔壁６が配置されている。隔壁６は、全体的にリブ５と重なっており、リブ５と同様の平面形状を有している。すなわち、隔壁６は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ６１，ＡＰ６２，ＡＰ６３を有している。他の観点からいうと、リブ５および隔壁６は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の間に配置されており、平面視において格子状である。
【0027】
図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示パネルＰＮＬの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。
【0028】
回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３は有機絶縁層１２に設けられている。
【0029】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。
【0030】
隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0031】
有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、隔壁６の下部６１の側面に接触している。
【0032】
図３の例においては、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１（第１キャップ層）が配置され、上電極ＵＥ２の上にキャップ層ＣＰ２（第２キャップ層）が配置され、上電極ＵＥ３の上にキャップ層ＣＰ３（第３キャップ層）が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0033】
以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む多層体を積層膜ＦＬ１（第１積層膜）と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む多層体を積層膜ＦＬ２（第２積層膜）と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む多層体を積層膜ＦＬ３（第３積層膜）と呼ぶ。
【0034】
積層膜ＦＬ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、積層膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、積層膜ＦＬ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、積層膜ＦＬ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。
【0035】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３（第１乃至第３封止層）がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、積層膜ＦＬ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、積層膜ＦＬ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、積層膜ＦＬ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。
【0036】
図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２と離間している。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３と離間している。
【0037】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。樹脂層１３，１５および封止層１４は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。
【0038】
偏光板、タッチパネル、保護フィルムまたはカバーガラスなどのカバー部材が樹脂層１５の上方にさらに配置されてもよい。このようなカバー部材は、例えばＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などの接着層を介して樹脂層１５に接着されてもよい。
【0039】
有機絶縁層１２は、ポリイミドなどの有機絶縁材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成されている。一例では、リブ５がシリコン酸窒化物で形成され、封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がシリコン窒化物で形成されている。樹脂層１３，１５は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。
【0040】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された反射層と、この反射層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。
【0041】
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。
【0042】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。
【0043】
キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば透明な複数の薄膜が重ねられた積層構造を有している。当該複数の薄膜は、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、当該複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。例えば、これら薄膜の屈折率は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の屈折率および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の屈折率と異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３の少なくとも１つが省略されてもよい。
【0044】
隔壁６の下部６１は、例えばアルミニウムによって形成されている。下部６１は、アルミニウム－ネオジム合金（ＡｌＮｄ）、アルミニウム－イットリウム合金（ＡｌＹ）およびアルミニウム－シリコン合金（ＡｌＳｉ）などのアルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウム層とアルミニウム合金層の積層構造を有してもよい。さらに、下部６１は、アルミニウム層またはアルミニウム合金層の下に、アルミニウムやアルミニウム合金とは異なる金属材料で形成されたボトム層を有してもよい。このようなボトム層を形成する金属材料としては、例えばモリブデン（Ｍｏ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）またはモリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）を用いることができる。
【0045】
例えば、隔壁６の上部６２は、金属材料で形成された下層と、導電性酸化物で形成された上層との積層構造を有している。下層を形成する金属材料としては、例えばチタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金またはモリブデン－ニオブ合金を用いることができる。上層を形成する導電性酸化物としては、例えばＩＴＯまたはＩＺＯを用いることができる。なお、上部６２は、金属材料の単層構造を有してもよい。
【0046】
隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。
【0047】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。
【0048】
他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。
【0049】
表示装置ＤＳＰの製造時には、それぞれ表示パネルＰＮＬに相当する複数の領域（パネル部）が形成された大型のマザー基板が作製される。このマザー基板に適用し得る構成について以下に説明する。
【0050】
図４は、本実施形態に係るマザー基板ＭＢ（表示装置用マザー基板）の概略的な平面図である。マザー基板ＭＢは、ベースとなる絶縁性の基板１０ａを備えている。図４の例において、基板１０ａは、第２方向Ｙと平行な直線状の端部Ｅａ１，Ｅａ２と、第１方向Ｘと平行な直線状の端部Ｅａ３，Ｅａ４とを有する矩形状である。ただし、マザー基板ＭＢの形状は矩形状に限られない。
【0051】
基板１０ａは、マトリクス状に配置された複数のパネル部ＰＰと、これらパネル部ＰＰの周囲の余白領域ＢＡとを有している。余白領域ＢＡは、端部Ｅａ１，Ｅａ２，Ｅａ３，Ｅａ４に沿う外周領域ＦＡを含む。外周用域ＦＡは、例えば端部Ｅａ１，Ｅａ２，Ｅａ３，Ｅａ４から所定距離までの領域であり、後述する隔壁７を含んでいない。外周領域ＦＡの幅Ｗｆは、例えば全周にわたり一定であるが、この例に限られない。一例では、幅Ｗｆは５ｍｍ以上であり、具体的には１０ｍｍ程度とすることができる。
【0052】
図５は、マザー基板ＭＢの一部の概略的な平面図である。各パネル部ＰＰの外形は、マザー基板ＭＢからパネル部ＰＰを切り出すためのカットラインＣＬに相当する。各パネル部ＰＰは、上述の表示領域ＤＡおよび周辺領域ＳＡを有している。
【0053】
図５において拡大して示すように、余白領域ＢＡには隔壁７（ドット模様を付した部分）が配置されている。隔壁７は、互いに平行に配置された複数の第１線状部７ｘと、互いに平行に配置された複数の第２線状部７ｙとを有している。
【0054】
複数の第１線状部７ｘは、第２方向Ｙに延びるとともに、第１方向Ｘに並んでいる。複数の第２線状部７ｙは、第１方向Ｘに延びるとともに、第２方向Ｙに並んでいる。図５の例においては、各第１線状部７ｘと各第２線状部７ｙが交差している。これにより、隔壁７は、全体として格子状である。
【0055】
他の観点からいうと、隔壁７は、複数の閉領域ＣＡを形成している。閉領域ＣＡは、隣り合う２本の第１線状部７ｘと、隣り合う２本の第２線状部７ｙとで囲われた正方形または長方形の領域である。
【0056】
第１線状部７ｘは、第１方向Ｘにおいて幅Ｗｘ１を有している。第２線状部７ｙは、第２方向Ｙにおいて幅Ｗｙ１を有している。閉領域ＣＡは、第１方向Ｘにおいて幅Ｗｘ２を有し、第２方向Ｙにおいて幅Ｗｙ２を有している。幅Ｗｘ２は、複数の第１線状部７ｘの配置間隔に相当する。幅Ｗｙ２は、複数の第２線状部７ｙの配置間隔に相当する。
【0057】
例えば、幅Ｗｘ２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３それぞれの第１方向Ｘにおける幅よりも大きい。また、幅Ｗｙ２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３それぞれの第２方向Ｙにおける幅よりも大きい。図５の例においては、幅Ｗｘ２，Ｗｙ２がそれぞれ幅Ｗｘ１，Ｗｙ１よりも大きい（Ｗｘ２＞Ｗｘ１，Ｗｙ２＞Ｗｙ１）。詳しくは後述するが、幅Ｗｘ２，Ｗｙ２の少なくとも一方は２００μｍ以下であることが好ましい（Ｗｘ２，Ｗｙ２≦２００μｍ）。
【0058】
図５のマザー基板ＭＢにおける格子状の模様は、隔壁７が設けられる領域を示している。すなわち、図５の例においては、余白領域ＢＡに加え、周辺領域ＳＡにも隔壁７が設けられている。周辺領域ＳＡに設けられた隔壁７は、カットラインＣＬに沿ってパネル部ＰＰが切り出された後にも、パネル部ＰＰ（表示パネルＰＮＬ）に残る。表示領域ＤＡには隔壁７が設けられていない。また、余白領域ＢＡのうち外周領域ＦＡにも隔壁７が設けられていない。
【0059】
パネル部ＰＰを効率よく切り出す観点からは、カットラインＣＬに隔壁７が設けられていないことが好ましい。この場合においては、周辺領域ＳＡに設けられた隔壁７と、余白領域ＢＡに設けられた隔壁７とが、周辺領域ＳＡおよび余白領域ＢＡの境界において分断される。
【0060】
なお、隔壁７は、周辺領域ＳＡの全体に設けられる必要はない。また、余白領域ＢＡは、外周領域ＦＡ以外にも隔壁７が設けられていない領域を含んでもよい。
【0061】
図６は、図５におけるＶＩ－ＶＩ線に沿う余白領域ＢＡの概略的な断面図である。マザー基板ＭＢは、上述の基板１０ａを備えている。マザー基板ＭＢからパネル部ＰＰを切り出す際には、基板１０ａがカットラインＣＬに沿って切断される。切り出されたパネル部ＰＰの基板１０ａは、図３等に示した基板１０に相当する。
【0062】
マザー基板ＭＢは、余白領域ＢＡにおいて基板１０ａの上方に配置された無機絶縁層１００を備えている。無機絶縁層１００は、例えばリブ５と同じ材料で形成されている。無機絶縁層１００およびリブ５は、一体的に形成されていてもよい。また、無機絶縁層１００およびリブ５は、カットラインＣＬに沿って分断されていてもよい。図６の例においては、基板１０ａと無機絶縁層１００の間に有機絶縁層１２が配置されている。
【0063】
隔壁７は、無機絶縁層１００の上に配置された下部７１と、下部７１の上に配置された上部７２とを含む。上部７２は、下部７１よりも大きい幅を有している。これにより、上部７２の両端部が下部７１の側面よりも突出している。このように、隔壁７は、図３に示した隔壁６と同じくオーバーハング状である。例えば、隔壁７の下部７１および上部７２は、それぞれ隔壁６の下部６１および上部６２と同じ材料で形成されている。
【0064】
なお、余白領域ＢＡの構造は図６の例に限られない。基板１０ａと有機絶縁層１２の間に他の絶縁層や導電層が介在してもよい。また、余白領域ＢＡの少なくとも一部において有機絶縁層１２が除去されていてもよい。さらに、無機絶縁層１００および隔壁７は、他の絶縁層または導電層によって覆われていてもよい。
【0065】
図７は、図５におけるＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う余白領域ＢＡの概略的な断面図である。図７の例においては、基板１０ａと無機絶縁層１００の間に有機絶縁層１２が配置されていないが、図６の例と同様に有機絶縁層１２が配置されていてもよい。また、図７の例においては無機絶縁層１００が基板１０ａの全体を覆っているが、端部Ｅａ１の近傍において基板１０ａが無機絶縁層１００により覆われていない領域を有してもよい。
【0066】
基板１０ａの他の端部Ｅａ２，Ｅａ３，Ｅａ４の近傍にも、図７と同様の断面構造を適用できる。図７の断面において、外周領域ＦＡは、隔壁７の複数の第１線状部７ｘのうち、端部Ｅａ１に最も近い第１線状部７ｘと端部Ｅａ１の間の領域に相当する。外周領域ＦＡの他の部分も同様に、端部Ｅａ２，Ｅａ３，Ｅａ４に最も近い第１線状部７ｘまたは第２線状部７ｙとこれら端部Ｅａ２，Ｅａ３，Ｅａ４との間の領域に相当する。
【0067】
続いて、マザー基板ＭＢおよび表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図８は、マザー基板ＭＢおよび表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図９Ａ乃至図１６Ａは、それぞれ製造途中のマザー基板ＭＢにおける表示領域ＤＡの概略的な断面図である。図９Ｂ乃至図１６Ｂは、それぞれ製造途中のマザー基板ＭＢにおける余白領域ＢＡの概略的な断面図である。周辺領域ＳＡにも図９Ｂ乃至図１６Ｂと同様の製造工程を適用できる。なお、図９Ａ乃至図１６Ａおよび図９Ｂ乃至図１６Ｂにおいては基板１０ａおよび回路層１１を省略している。
図８は、マザー基板ＭＢおよび表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図９Ａ乃至図１６Ａは、それぞれ製造途中のマザー基板ＭＢにおける表示領域ＤＡの概略的な断面図である。図９Ｂ乃至図１６Ｂは、それぞれ製造途中のマザー基板ＭＢにおける余白領域ＢＡの概略的な断面図である。周辺領域ＳＡにも図９Ｂ乃至図１６Ｂと同様の製造工程を適用できる。なお、図９Ａ乃至図１６Ａおよび図９Ｂ乃至図１６Ｂにおいては基板１０ａおよび回路層１１を省略している。
【0068】
表示装置ＤＳＰの製造においては、先ず複数のパネル部ＰＰおよび余白領域ＢＡに相当する領域を含む大型の基板１０ａが用意される（工程ＰＲ１）。次に、基板１０ａの上に回路層１１および有機絶縁層１２が形成される（工程ＰＲ２）。
【0069】
【0070】
すなわち、先ず図９Ａおよび図９Ｂに示すように、リブ５に加工するための無機絶縁層１００がマザー基板ＭＢの全体に形成される。さらに、下部６１，７１に加工するための第１層１０１が無機絶縁層１００の上に形成され、上部６２，７２に加工するための第２層１０２が第１層１０１の上に形成される。
【0071】
続いて、図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、第１層１０１および第２層１０２がパターニングされる。このパターニングは、第２層１０２を上部６２，７２の形状に加工するエッチングと、第１層１０１を下部６１，７１の形状に加工するエッチングとを含む。これらのエッチングにより、下部７１（第１下部）および上部７２（第１上部）を含む隔壁７（第１隔壁）が余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに形成されるとともに、下部６１（第２下部）および上部６２（第２上部）を含む隔壁６（第２隔壁）が表示領域ＤＡに形成される。
【0072】
隔壁６，７の形成の後、図１０Ａに示すように、無機絶縁層１００に画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成される。これにより、表示領域ＤＡにおいてリブ５が形成される。なお、図９Ａおよび図１０Ａにおいては、隔壁６が形成された後に画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成される場合を示した。他の例として、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成された後に隔壁６が形成されてもよい。
【0073】
リブ５、隔壁６および隔壁７の形成の後、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程が実施される。本実施形態においては、表示素子ＤＥ１が最初に形成され、表示素子ＤＥ２が次に形成され、表示素子ＤＥ３が最後に形成される場合を想定する。ただし、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順はこの例に限られない。
【0074】
表示素子ＤＥ１の形成にあたっては、先ず図１１Ａおよび図１１Ｂに示すように、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が各パネル部ＰＰおよび余白領域ＢＡに形成される（工程ＰＲ４）。積層膜ＦＬ１は、図３に示したように、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触する有機層ＯＲ１、有機層ＯＲ１を覆う上電極ＵＥ１、および、上電極ＵＥ１を覆うキャップ層ＣＰ１を含む。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１は、蒸着によって形成される。また、封止層ＳＥ１は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。
【0075】
積層膜ＦＬ１は、オーバーハング状の隔壁６，７によって複数の部分に分断される。図１１Ａに示すように、表示領域ＤＡにおける積層膜ＦＬ１は、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を通じて露出した下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３、リブ５および隔壁６を覆う。また、図１１Ｂに示すように、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡにおける積層膜ＦＬ１は、無機絶縁層１００および隔壁７を覆う。封止層ＳＥ１は、積層膜ＦＬ１の分割された各部分および隔壁６，７を連続的に覆う。
【0076】
工程ＰＲ４の後、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１がパターニングされる（工程ＰＲ５）。このパターニングにおいては、図１１Ａに示すように、封止層ＳＥ１の上にレジストＲ１が配置される。レジストＲ１は、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。余白領域ＢＡや周辺領域ＳＡにはレジストＲ１が配置されない。
【0077】
その後、レジストＲ１をマスクとしたエッチングにより、図１２Ａに示すように積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１のうちレジストＲ１から露出した部分が除去される。言い換えると、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１のうち、下電極ＬＥ１と重なる部分が残され、他の部分が除去される。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１が形成される。例えば、当該エッチングは、封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１に対して順に実施されるウェットエッチングやドライエッチングを含む。
【0078】
余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡも当該エッチングに晒される。したがって、図１２Ｂに示すように、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに配置された積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が除去される。当該エッチングの後、レジストＲ１が除去される。
【0079】
表示素子ＤＥ２は、表示素子ＤＥ１と同様の手順で形成される。すなわち、表示素子ＤＥ２の形成にあたっては、先ず図１３Ａおよび図１３Ｂに示すように、積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２が各パネル部ＰＰおよび余白領域ＢＡに形成される（工程ＰＲ６）。積層膜ＦＬ２は、図３に示したように、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触する有機層ＯＲ２、有機層ＯＲ２を覆う上電極ＵＥ２、および、上電極ＵＥ２を覆うキャップ層ＣＰ２を含む。有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２は、蒸着によって形成される。また、封止層ＳＥ２は、ＣＶＤによって形成される。
【0080】
積層膜ＦＬ２は、オーバーハング状の隔壁６，７によって複数の部分に分断される。封止層ＳＥ２は、積層膜ＦＬ２の分断された各部分および隔壁６，７を連続的に覆う。
【0081】
工程ＰＲ６の後、積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２がパターニングされる（工程ＰＲ７）。このパターニングにおいては、図１３Ａに示すように、封止層ＳＥ２の上にレジストＲ２が配置される。レジストＲ２は、副画素ＳＰ２とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。余白領域ＢＡや周辺領域ＳＡにはレジストＲ２が配置されない。
【0082】
その後、レジストＲ２をマスクとしたエッチングにより、図１４Ａに示すように積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２のうちレジストＲ２から露出した部分が除去される。言い換えると、積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２のうち、下電極ＬＥ２と重なる部分が残され、他の部分が除去される。これにより、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２が形成される。例えば、当該エッチングは、封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２に対して順に実施されるウェットエッチングやドライエッチングを含む。
【0083】
余白領域ＢＡも当該エッチングに晒される。したがって、図１４Ｂに示すように、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに配置された積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２が除去される。当該エッチングの後、レジストＲ２が除去される。
【0084】
表示素子ＤＥ３は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２と同様の手順で形成される。すなわち、表示素子ＤＥ３の形成にあたっては、先ず図１５Ａおよび図１５Ｂに示すように、積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３が各パネル部ＰＰおよび余白領域ＢＡに形成される（工程ＰＲ８）。積層膜ＦＬ３は、図３に示したように、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触する有機層ＯＲ３、有機層ＯＲ３を覆う上電極ＵＥ３、および、上電極ＵＥ３を覆うキャップ層ＣＰ３を含む。有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３は、蒸着によって形成される。また、封止層ＳＥ３は、ＣＶＤによって形成される。
【0085】
積層膜ＦＬ３は、オーバーハング状の隔壁６，７によって複数の部分に分断される。封止層ＳＥ３は、積層膜ＦＬ３の分断された各部分および隔壁６，７を連続的に覆う。
【0086】
工程ＰＲ８の後、積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３がパターニングされる（工程ＰＲ９）。このパターニングにおいては、図１５Ａに示すように、封止層ＳＥ３の上にレジストＲ３が配置される。レジストＲ３は、副画素ＳＰ３とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。余白領域ＢＡや周辺領域ＳＡにはレジストＲ３が配置されない。
【0087】
その後、レジストＲ３をマスクとしたエッチングにより、図１６Ａに示すように積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３のうちレジストＲ３から露出した部分が除去される。言い換えると、積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３のうち、下電極ＬＥ３と重なる部分が残され、他の部分が除去される。これにより、副画素ＳＰ３に表示素子ＤＥ３が形成される。例えば、当該エッチングは、封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３に対して順に実施されるウェットエッチングやドライエッチングを含む。
【0088】
余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡも当該エッチングに晒される。したがって、図１６Ｂに示すように、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに配置された積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３が除去される。当該エッチングの後、レジストＲ３が除去される。
【0089】
表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３が形成された後、各パネル部ＰＰに対し、図３に示した樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５が順に形成される（工程ＰＲ１０）。さらに、マザー基板ＭＢから各パネル部ＰＰが切り出される（工程ＰＲ１１）。切り出されたパネル部ＰＰは、表示パネルＰＮＬに相当する。
【0090】
【0091】
図１７（ａ）は、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が形成される前の状態に相当し、外周領域ＦＡと、外周領域ＦＡの近傍に配置された隔壁７（第１線状部７ｘ）とを示している。
【0092】
図１７（ｂ）は、積層膜ＦＬ１を蒸着により形成する工程を示している。積層膜ＦＬ１は、外周領域ＦＡを含む基板１０ａの全体に形成される。したがって、積層膜ＦＬ１の端部Ｅｂは、平面視において基板１０ａの端部Ｅａ１と揃う。
【0093】
図１７（ｃ）は、封止層ＳＥ１をＣＶＤにより形成する工程を示している。この工程においては、マザー基板ＭＢがＣＶＤ装置の真空チャンバに配置されるとともに、マザー基板ＭＢの周縁部が外周フレームＦＭによって押さえられる。例えば、外周フレームＦＭは、図示した端部Ｅａ１の近傍の周縁部だけでなく、端部Ｅａ２，Ｅａ３，Ｅａ４の近傍の周縁部も押さえる。
【0094】
このように外周フレームＦＭが配置された状態でＣＶＤを実施すると、外周フレームＦＭと重なるマスク領域ＭＡには封止層ＳＥ１が形成されない。図１７の例において、マスク領域ＭＡは、外周領域ＦＡの全体と重なっている。さらに、マスク領域ＭＡは、端部Ｅａ１に近いいくつかの第１線状部７ｘとも重なっている。
【0095】
このような工程にて積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が形成されると、基板１０ａの端部Ｅａ１と封止層ＳＥ１の端部Ｅｃとが平面視において離れる。これら端部Ｅａ１，Ｅｃの間の領域、すなわちマスク領域ＭＡにおいては、積層膜ＦＬ１が封止層ＳＥ１から露出する。さらに、封止層ＳＥ１の端部Ｅｃは、基板１０ａの端部Ｅａ１に最も近い第１線状部７ｘよりも基板１０ａの中心側（図１７中の右側）に位置している。封止層ＳＥ１は、基板１０ａの端部Ｅａ１に近いいくつかの第１線状部７ｘを覆っていない。
【0096】
図１８は、基板１０ａの端部Ｅａ１，Ｅａ２の近傍の構成の一例を示す概略的な断面図である。図中の上段に示す端部Ｅａ１の近傍の構成は、図１７（ｃ）と同様である。また、図中の下段に示す端部Ｅａ２の近傍の構成は、図１７（ｃ）と実質的に対称である。
【0097】
すなわち、端部Ｅａ２の近傍においても、積層膜ＦＬ１の端部Ｅｂが端部Ｅａ２と揃っている。また、封止層ＳＥ１の端部Ｅｃが端部Ｅａ２から離れており、端部Ｅｃ，Ｅａ２の間の領域（マスク領域ＭＡ）において積層膜ＦＬ１が封止層ＳＥ１から露出している。
【0098】
図１９は、基板１０ａの端部Ｅａ１，Ｅａ２の近傍の構成の他の例を示す概略的な断面図である。図１８に示したように端部Ｅａ１の近傍のマスク領域ＭＡと端部Ｅａ２の近傍のマスク領域ＭＡが同じ幅となるように外周フレームＦＭを配置すべき場合であっても、外周フレームＦＭと基板１０ａの位置関係がずれることもあり得る。
【0099】
図１９の例においては、外周フレームＦＭと基板１０ａの位置関係がずれたことにより、端部Ｅａ１の近傍のマスク領域ＭＡが小さくなり、端部Ｅａ２の近傍のマスク領域ＭＡが大きくなっている。この場合には、基板１０ａに対する封止層ＳＥ１の位置もずれる。図１９の例においては、上段に示すように、端部Ｅａ１に最も近い第１線状部７ｘを封止層ＳＥ１が覆っており、封止層ＳＥ１の端部Ｅｃが当該第１線状部７ｘと端部Ｅａ１の間に位置している。一方、図１９の下段に示すように、端部Ｅａ２の近傍においては、封止層ＳＥ１により覆われない第１線状部７ｘが図１８の例よりも増えている。
【0100】
【0101】
図１７乃至図１９においては、主に基板１０ａの端部Ｅａ１，Ｅａ２の近傍の構成に着目したが、端部Ｅａ３，Ｅａ４の近傍においても同様の工程で積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が形成される。すなわち、封止層ＳＥ１の端部Ｅｃは、基板１０ａの端部Ｅａ３，Ｅａ４と平面視において離れている。さらに、端部Ｅｃと端部Ｅａ３，Ｅａ４との間の領域（マスク領域ＭＡ）において、積層膜ＦＬ１が封止層ＳＥ１から露出している。端部Ｅａ３，Ｅａ４の近傍に複数の第２線状部７ｙが配置され、封止層ＳＥ２がこれら第２線状部７ｙのうち端部Ｅａ３，Ｅａ４にそれぞれ最も近いものを覆っていなくてもよい。また、封止層ＳＥ１は、端部Ｅａ３に最も近い第２線状部７ｙと、端部Ｅａ４に最も近い第２線状部７ｙの少なくとも一方を覆っていてもよい。
【0102】
積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２を形成する工程ＰＲ６、および、積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３を形成する工程ＰＲ８は、図１７に示した工程ＰＲ４と同じ流れで実施される。したがって、工程ＰＲ６において形成される積層膜ＦＬ２の端部は基板１０ａの端部Ｅａ１，Ｅａ２，Ｅａ３，Ｅａ４と揃っており、封止層ＳＥ２の端部はこれら端部Ｅａ１，Ｅａ２，Ｅａ３，Ｅａ４から離れている。また、工程ＰＲ８において形成される積層膜ＦＬ３の端部は基板１０ａの端部Ｅａ１，Ｅａ２，Ｅａ３，Ｅａ４と揃っており、封止層ＳＥ３の端部はこれら端部Ｅａ１，Ｅａ２，Ｅａ３，Ｅａ４から離れている。
【0103】
【0104】
図２０は、比較例に係るマザー基板ＭＢｃの余白領域ＢＡ（あるいは周辺領域ＳＡ）の概略的な断面図である。マザー基板ＭＢｃは、隔壁７を備えていない点で本実施形態に係るマザー基板ＭＢと相違する。図２０（ａ）の断面は、図１１Ｂと同様の工程に相当するものであり、余白領域ＢＡに積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が形成されている。
【0105】
積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１のパターニング（図８の工程ＰＲ５）においては、マザー基板ＭＢが大気中での水洗などの洗浄処理やレジストの現像処理に晒される。また、無機絶縁材料で形成された封止層ＳＥ１には、微小なピンホールが生じることがある。洗浄処理等において水分が当該ピンホールから積層膜ＦＬ１に浸入し、有機層ＯＲ１と無機絶縁層１００の界面に到達すると、有機層ＯＲ１が無機絶縁層１００の表面から浮き上がった剥離部Ｇが生じ得る。
【0106】
水分が有機層ＯＲ１を伝わると、図２０（ｂ）に示すように剥離部Ｇが拡大し、積層膜ＦＬ１と無機絶縁層１００の密着力が弱まる。これにより、図２０（ｃ）に示すように、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１の一部が剥落する可能性がある。剥落した積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１は、製造ラインのチャンバ等を汚染する一因となる。そのため、汚染部分の清掃が必要となり、製造ラインを停止しなければならない。
【0107】
図２１は、本実施形態に係るマザー基板ＭＢの余白領域ＢＡ（あるいは周辺領域ＳＡ）の概略的な断面図である。図２１（ａ）においては、図２０（ａ）と同じく余白領域ＢＡに積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が形成されている。また、水分が積層膜ＦＬ１に浸入し、剥離部Ｇが生じている。
【0108】
さらに、図２１（ｂ）においては剥離部Ｇが拡大している。しかしながら、本実施形態においては余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに隔壁７が配置され、この隔壁７によって積層膜ＦＬ１が分断されている。そのため、剥離部Ｇの拡大が抑制される。
【0109】
具体的には、図２１に示すように積層膜ＦＬ１と無機絶縁層１００の間に剥離部Ｇが生じた場合、この剥離部Ｇの拡がりは閉領域ＣＡ内に抑制される。また、隔壁７の上に位置する積層膜ＦＬ１に剥離部Ｇが生じた場合には、この剥離部Ｇの拡がりが隔壁７上に抑制される。
【0110】
なお、図２１（ｂ）のように剥離部Ｇが生じた箇所において、積層膜ＦＬ１は、封止層ＳＥ１によって抑えられる。そのため、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が剥落しにくい。
【0111】
図５に示したように隔壁７が複数の第１線状部７ｘおよび複数の第２線状部７ｙで構成される場合には、隣り合う第１線状部７ｘの間隔（閉領域ＣＡの幅Ｗｘ２）や隣り合う第２線状部７ｙの間隔（閉領域ＣＡの幅Ｗｙ２）がそれぞれ２００μｍ以下であることが好ましい。これにより、閉領域ＣＡにおける剥離部Ｇの幅が２００μｍ以下の狭い範囲に抑えられ、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が剥落に至りにくい。
【0112】
例えば、隔壁７にパターニングされる第１層１０１および第２層１０２の形成（図９Ｂ参照）には、スパッタリングが用いられる。スパッタリングを行う際には、通常は処理対象の基板の端部から５ｍｍ程度の領域がマスクされており、当該端部から８ｍｍ程度までの領域においては膜厚が安定しない。また、フォトリソグラフィによるパターニングにおいて用いられるレジストは、基板の端部の近傍において厚くなることがある。そのため、基板の端部の近傍においては正常なパターニングが困難であり、一般的には基板の端部の近傍におけるレジストが除去される。
【0113】
これらのことから、基板１０ａの端部Ｅａ１，Ｅａ２，Ｅａ３，Ｅａ４の近傍には隔壁７を形成することができず、図４および図５に示した外周領域ＦＡが生じる。仮に、外周領域ＦＡに対しても封止層ＳＥ１を形成する場合において、外周領域ＦＡに剥離部Ｇが生じると、剥離部Ｇが図２０の例のように広範囲に広がり、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が剥落し得る。
【0114】
これに対し、本実施形態においては、外周領域ＦＡの封止層ＳＥ１が除去されている。積層膜ＦＬ１に比べて厚く、かつ硬い封止層ＳＥ１が存在しなければ、剥離部Ｇが生じても周囲に拡がりにくい。また、封止層ＳＥ１が存在しなければ、封止層ＳＥ１自体の剥落は生じない。そのため、本実施形態の構成によれば、基板１０ａの端部Ｅａ１，Ｅａ２，Ｅａ３，Ｅａ４の近傍における積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１の剥落を良好に抑制することができる。
【0115】
また、図１８に示したように封止層ＳＥ１が端部Ｅａ１，Ｅａ２にそれぞれ最も近い第１線状部７ｘを覆わない構成であれば、仮に図１９に示すように封止層ＳＥ１の位置がずれた場合であっても、外周領域ＦＡに形成される封止層ＳＥ１の面積を小さく止めることができる。これにより、上述の剥落が生じるリスクを低減することができる。端部Ｅａ３，Ｅａ４の近傍においても、封止層ＳＥ１が正常な位置に形成された場合に最外周の第２線状部７ｙが封止層ＳＥ１で覆われないように設計することで、同様の効果を得ることができる。
【0116】
なお、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１に着目して説明した以上の効果は、積層膜ＦＬ２，ＦＬ３および封止層ＳＥ２，ＳＥ３についても同様に生じる。すなわち、本実施形態によれば、積層膜ＦＬ２，ＦＬ３および封止層ＳＥ２，ＳＥ３の剥落も抑制し、歩留まりを改善することができる。
【0117】
［第２実施形態］
第２実施形態においては、積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３を形成する工程ＰＲ４，ＰＲ６，ＰＲ８に適用可能な他の例を開示する。特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。
第２実施形態においては、積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３を形成する工程ＰＲ４，ＰＲ６，ＰＲ８に適用可能な他の例を開示する。特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。
【0118】
図２２は、第２実施形態に係る積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１を形成する工程ＰＲ４の詳細を説明するための図である。図２２中の（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、いずれも基板１０ａの端部Ｅａ１の近傍におけるマザー基板ＭＢの断面である。図２２（ａ）（ｂ）（ｃ）の工程は、図１７（ａ）（ｂ）（ｃ）の工程と同様である。本実施形態においては、封止層ＳＥ１を形成した後に図２２（ｄ）の工程が実施される。
【0119】
図２２（ｄ）の工程においては、封止層ＳＥ１をマスクとして用いて積層膜ＦＬ１がエッチングされる。このエッチングにより、積層膜ＦＬ１のうち基板１０ａの端部Ｅａ１と封止層ＳＥ１の端部Ｅｃの間に位置する部分が除去される。これにより、積層膜ＦＬ１の端部Ｅｂと封止層ＳＥ１の端部Ｅｃの位置が平面視において揃う。
【0120】
他の観点からいうと、積層膜ＦＬ１の端部Ｅｂおよび封止層ＳＥ１の端部Ｅｃの各々が平面視において基板１０ａの端部Ｅａ１と離れる。端部Ｅｂ，Ｅｃは、端部Ｅａ１に最も近い第１線状部７ｘよりも基板１０ａの中心側（図２２中の右側）に位置している。なお、図２２（ｄ）のエッチングは、工程ＰＲ５（図８参照）のパターニングの前に実施される。
【0121】
図２３は、基板１０ａの端部Ｅａ１の近傍の構成の他の例を示す概略的な断面図である。図２３においては、図１９の例と同様に、端部Ｅａ１に最も近い第１線状部７ｘを封止層ＳＥ１が覆っている。封止層ＳＥ１の端部Ｅｃは、端部Ｅａ１に最も近い第１線状部７ｘと端部Ｅａ１の間に位置している。
【0122】
このような封止層ＳＥ１をマスクとして積層膜ＦＬ１がエッチングされると、積層膜ＦＬ１の端部Ｅｂは、端部Ｅｃと同じく端部Ｅａ１に最も近い第１線状部７ｘと端部Ｅａ１の間に位置する。
【0123】
なお、図２２および図２３においては基板１０ａの端部Ｅａ１の近傍に着目したが、端部Ｅａ２，Ｅａ３，Ｅａ４の近傍にも同様の構成を適用できる。すなわち、積層膜ＦＬ１の端部Ｅｂは、全周にわたり封止層ＳＥ１の端部Ｅｃと揃うとともに、基板１０ａの端部Ｅａ１，Ｅａ２，Ｅａ３，Ｅａ４から離れていてもよい。
【0124】
本実施形態のように、基板１０ａの周縁部において封止層ＳＥ１から露出した積層膜ＦＬ１を除去することにより、隔壁７が形成されていない外周領域ＦＡにおける積層膜ＦＬ１の剥落を確実に抑制することが可能となる。積層膜ＦＬ２，ＦＬ３についても、図２２（ｄ）と同様の工程を施せば、積層膜ＦＬ１と同様の効果を奏する。
【0125】
なお、図２２および図２３においては、封止層ＳＥ１から露出した積層膜ＦＬ１が全て除去される例を示した。他の例として、封止層ＳＥ１から露出した積層膜ＦＬ１を構成する複数の層（キャップ層ＣＰ１を構成する各層、上電極ＵＥ１、有機層ＯＲ１）の少なくとも１つが除去されてもよい。この場合であっても、積層膜ＦＬ１の剥落のリスクを低減することができる。
【0126】
例えば、封止層ＳＥ１の形成の後に、マザー基板ＭＢの周囲の真空状態を維持したままキャップ層ＣＰ１がエッチングされてもよい。この場合において、キャップ層ＣＰ１から露出した有機層ＯＲ１および上電極ＵＥ１が工程ＰＲ５（図８参照）のパターニングまで除去されずに残されてもよい。
【0127】
積層膜ＦＬ２についても同様に、封止層ＳＥ２から露出したキャップ層ＣＰ２が除去され、キャップ層ＣＰ２から露出した有機層ＯＲ２および上電極ＵＥ２がそれぞれ工程ＰＲ７のパターニングまで除去されずに残されてもよい。さらに、積層膜ＦＬ３についても同様に、封止層ＳＥ３から露出したキャップ層ＣＰ３が除去され、キャップ層ＣＰ３から露出した有機層ＯＲ３および上電極ＵＥ３がそれぞれ工程ＰＲ９のパターニングまで除去されずに残されてもよい。
【0128】
［第３実施形態］
第３実施形態においては、隔壁７に適用し得る構成の他の一例を開示する。特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。
第３実施形態においては、隔壁７に適用し得る構成の他の一例を開示する。特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。
【0129】
図２４は、第３実施形態に係る隔壁７の概略的な平面図である。この図の例において、隔壁７は、図２に示した隔壁６と実質的に同じパターンを有している。具体的には、隔壁７は、図２に示した隔壁６の開口ＡＰ６１，ＡＰ６２，ＡＰ６３と同一または類似した形状の開口ＡＰ７１，ＡＰ７２，ＡＰ７３を有している。開口ＡＰ７１，ＡＰ７２，ＡＰ７３の内側の領域は、第１実施形態と同様の閉領域ＣＡに相当する。
【0130】
開口ＡＰ７１，ＡＰ７２，ＡＰ７３の位置関係は、開口ＡＰ６１，ＡＰ６２，ＡＰ６３の位置関係と同様である。開口ＡＰ７１，ＡＰ７２，ＡＰ７３の大きさは、例えば開口ＡＰ６１，ＡＰ６２，ＡＰ６３と同様であるが、この例に限られない。
【0131】
隔壁６，７の形状が大きく異なる場合、マザー基板ＭＢの面内において、図９Ａおよび図９Ｂに示した第１層１０１および第２層１０２をパターニングする際のエッチングにむらが生じる可能性がある。これに対し、本実施形態のように隔壁７が隔壁６と実質的に同じパターンを有する場合、第１層１０１および第２層１０２をパターニングする際のエッチングの均一性を改善することができる。
【0132】
なお、隔壁７の形状は、第１および第３実施形態にて開示したものに限られない。例えば、隔壁７は、必ずしも閉領域ＣＡを形成する必要はない。他の例として、隔壁７は、互いに平行に配置された複数の線状部により構成され、これら線状部が互いに接続されていなくてもよい。このような構成であっても、線状部の配列方向への剥離部Ｇの拡がりが抑制される。
【0133】
また、余白領域ＢＡに配置された隔壁７と、周辺領域ＳＡに配置された隔壁７とが異なる形状を有してもよい。一例として、余白領域ＢＡには図５に示した形状の隔壁７が配置され、周辺領域ＳＡには図２４に示した形状の隔壁７が配置されてもよい。さらに他の例として、周辺領域ＳＡに隔壁７が配置されていなくてもよい。
【0134】
隔壁６，７は、必ずしも同じ工程によって同時に形成される必要はなく、別々の工程によって形成されてもよい。この場合において、隔壁６，７を構成する材料が異なってもよい。
【0135】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0136】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0137】
また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0138】
ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３…表示素子、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、ＣＡ…閉領域、５…リブ、６，７…隔壁、６１，７１…下部、６２，７２…上部、１００…無機絶縁層。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図10A】
【図10B】
【図11A】
【図11B】
【図12A】
【図12B】
【図13A】
【図13B】
【図14A】
【図14B】
【図15A】
【図15B】
【図16A】
【図16B】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】