特開 2024-113533 発光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024113533

(43)【公開日】2024-08-22

(54)【発明の名称】発光装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/58 20100101AFI20240815BHJP

   H01L 33/50 20100101ALI20240815BHJP

   H01L 33/54 20100101ALI20240815BHJP

【ＦＩ】

H01L33/58

H01L33/50

H01L33/54

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023018593

(22)【出願日】2023-02-09

(71)【出願人】

【識別番号】000131430

【氏名又は名称】シチズン電子株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】000001960

【氏名又は名称】シチズン時計株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100099759

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 篤

(74)【代理人】

【識別番号】100123582

【弁理士】

【氏名又は名称】三橋 真二

(74)【代理人】

【識別番号】100114018

【弁理士】

【氏名又は名称】南山 知広

(74)【代理人】

【識別番号】100180806

【弁理士】

【氏名又は名称】三浦 剛

(74)【代理人】

【識別番号】100160716

【弁理士】

【氏名又は名称】遠藤 力

(72)【発明者】

【氏名】瀬川 紘幹

(72)【発明者】

【氏名】勝俣 敏伸

【テーマコード（参考）】

5F142

【Ｆターム（参考）】

5F142AA13

5F142AA25

5F142AA26

5F142BA32

5F142CA02

5F142CB12

5F142CB17

5F142CD02

5F142CD13

5F142CD43

5F142CE16

5F142CE32

5F142CG05

5F142DA12

5F142DA22

5F142DA73

5F142DB16

(57)【要約】

【課題】蛍光色を視認させず、光束量の低下を抑制しつつ、色度指向性が均一な光を出射可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光装置１は、基板10上に円形に配置された枠樹脂12と、基板上に実装された複数の発光素子11と、複数の発光素子を覆うように基板上に配置された蛍光体含有樹脂層14と、蛍光体含有樹脂層の内側の基板表面を覆うように配置された透明樹脂層15と、蛍光体含有樹脂層及び透明樹脂層を覆うように配置された拡散層16とを有し、発光領域の中心部には発光素子は実装されず、拡散層は、０．１０〔ｗｔ％〕以上、０．６０〔ｗｔ％〕以下のＴｉＯ₂を含み、拡散層は、０．０５０〔ｗｔ％〕以上、６０．０〔ｗｔ％〕以下のＳｉＯ₂を含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に円形に配置された枠樹脂と、
前記基板上且つ前記枠樹脂の内側に実装された複数の発光素子と、
前記枠樹脂の内側であって、前記複数の発光素子を覆うように前記基板上に配置された蛍光体含有樹脂層と、
前記蛍光体含有樹脂層の内側の前記基板表面を覆うように配置された透明樹脂層と、
前記蛍光体含有樹脂層及び前記透明樹脂層を覆うように前記枠樹脂の内側に配置された拡散層と、を有し、
前記枠樹脂の内側を発光領域とした場合、前記発光領域の中心部には、前記発光素子は実装されず、
前記拡散層は、０．１０〔ｗｔ％〕以上、０．６０〔ｗｔ％〕以下のＴｉＯ₂を含み、
前記拡散層は、０．０５０〔ｗｔ％〕以上、６０．０〔ｗｔ％〕以下のＳｉＯ₂を含む、
ことを特徴とする発光装置。

【請求項2】

前記拡散層は、０．３０〔ｗｔ％〕以上、０．５０〔ｗｔ％〕以下のＴｉＯ₂を含む、請求項１に記載の発光装置。

【請求項3】

前記発光領域の中心部における前記透明樹脂層の前記基板表面から最上部までの高さは、前記透明樹脂層の周辺部が前記蛍光体含有樹脂層に接する部分における前記透明樹脂層の前記基板表面からの高さに比べて高い、請求項１に記載の発光装置。

【請求項4】

前記発光領域の中心部における前記拡散層の前記透明樹脂層の上面から最上部までの厚さは、前記拡散層の周辺部が前記枠樹脂に接する部分における前記拡散層の前記基板表面からの厚さに比べて薄い、請求項１に記載の発光装置。

【請求項5】

前記発光領域の直径Ｓ〔ｍｍ〕は、４．５〔ｍｍ〕以上、３２．８［ｍｍ〕以下である、請求項１に記載の発光装置。

【請求項6】

前記複数の発光素子は、前記枠樹脂の内側に沿って円形に配置されている、請求項１～５の何れか一項に記載の発光装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、発光装置に関する。

【背景技術】

【0002】

発光ダイオード（Light Emitting Diode、ＬＥＤ）チップ等の発光素子を搭載した発光装置において、発光特性を改善するための種々の技術が知られている。特許文献１には、第１領域に配置された導光材、第１領域の外縁に沿って配置されたＬＥＤチップ、蛍光体を含有し且つＬＥＤチップを覆う封止材、及び封止材の上方及び第１領域の反対側の側面を覆うように配置された反射材を有する発光措置が記載されている。特許文献１に記載される発光装置は、ＬＥＤチップ及び封止材が反射材で覆われるので、低輝度の発光において、ＬＥＤチップがホットスポットとも称される輝度ムラとして視認されるおそれがない。また、特許文献１に記載される発光装置は、輝度ムラの発生を防止するために拡散材を導光材に含有することはなく、拡散材を含有させることにより発光効率が低下することはない。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開ＷＯ２０２１／２６１５６７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載される発光装置では、ＬＥＤチップから出射された光は、第１領域に配置される導光材を伝搬しながら外部に放射されるので、発光装置の外部に放射される光は、第１領域の中心で第１領域の外縁よりも照度が低くなるおそれがある。特許文献１に記載される発光装置では、発光装置の外部に放射される光は、第１領域の外縁よりも第１領域の中心で照度が低くなり、光が出射される出射面の面内照度の均一性が低下するおそれがある。また、特許文献１に記載される発光装置では、拡散材を含有しない導光材から外部に光が出射されるので、出射される光が混色されずに、出射される光の色度指向性がばらつくおそれがある。

【0005】

本発明は、蛍光色を視認させず、光束量の低下を抑制しつつ、色度指向性が均一な光を出射可能な発光装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係る発光装置は、基板と、基板上に円形に配置された枠樹脂と、基板上且つ枠樹脂の内側に実装された複数の発光素子と、枠樹脂の内側であって、複数の発光素子を覆うように基板上に配置された蛍光体含有樹脂層と、蛍光体含有樹脂層の内側の基板表面を覆うように配置された透明樹脂層と、蛍光体含有樹脂層及び透明樹脂層を覆うように枠樹脂の内側に配置された拡散層と、を有し、枠樹脂の内側を発光領域とした場合、発光領域の中心部には、発光素子は実装されず、拡散層は、０．１０〔ｗｔ％〕以上、０．６０〔ｗｔ％〕以下のＴｉＯ₂を含み、拡散層は、０．０５０〔ｗｔ％〕以上、６０．０〔ｗｔ％〕以下のＳｉＯ₂を含む。

【0007】

本発明に係る発光装置では、拡散層は、０．３０〔ｗｔ％〕以上、０．５０〔ｗｔ％〕以下のＴｉＯ₂を含む、ことが好ましい。

【0008】

本発明に係る発光装置では、発光領域の中心部における透明樹脂層の基板表面から最上部までの高さは、透明樹脂層の周辺部が蛍光体含有樹脂層に接する部分における透明樹脂層の基板表面からの高さに比べて高い、ことが好ましい。

【0009】

本発明に係る発光装置では、発光領域の中心部における拡散層の透明樹脂層の上面から最上部までの厚さは、拡散層の周辺部が枠樹脂に接する部分における拡散層の基板表面からの厚さに比べて薄い、ことが好ましい。

【0010】

本発明に係る発光装置では、発光領域の直径Ｓ〔ｍｍ〕は、４．５〔ｍｍ〕以上、３２．８［ｍｍ〕以下である、ことが好ましい。

【0011】

本発明に係る発光装置では、複数の発光素子は、枠樹脂の内側に沿って円形に配置されている、ことが好ましい。

【発明の効果】

【0012】

本発明に係る発光装置は、蛍光色を視認させず、光束量の低下を抑制しつつ、色度指向性が均一な光を出射することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】（ａ）は実施形態に係る発光装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図である。

【図2】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図（その１）であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は図１（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図である。

【図3】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図（その２）であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は図１（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図である。

【図4】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図（その３）であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は図１（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図である。

【図5】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図（その４）であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は図１（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図である。

【図6】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図（その５）であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は図１（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図である。

【図7】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図（その６）であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は図１（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図である。

【図8】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図（その７）であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は図１（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図である。

【図9】第２実施形態に係る発光装置の平面図である。

【図10】第３実施形態に係る発光装置の平面図である。

【図11】発光装置１～発光装置３の構成をまとめた表を示す図である。

【図12】（ａ）～（ｆ）は、拡散層１６に含まれるＴｉＯ２濃度を変化させた場合の発光装置の光束量比又は色度指向性を測定した測定結果を示す図である。

【図13】（ａ）～（ｆ）は、拡散層１６に含まれるＳｉＯ２濃度を変化させた場合の発光装置の光束量比又は色度指向性を測定した測定結果を示す図である。

【図14】（ａ）～（ｂ）は、面内均一性のシミュレーションについて説明するための図である。

【図15】（ａ）～（ｃ）は拡散層１６に含まれるＴｉＯ２濃度を変化させた場合の発光装置の面内均一性を測定した測定結果を示す図であり、（ｄ）～（ｆ）は拡散層１６に含まれるＳｉＯ２濃度を変化させた場合の発光装置の面内均一性を測定した測定結果を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、図面を参照して、本発明に係る発光装置及び照明装置について説明する。ただし、本発明の技術的範囲はそれらの実施の形態には限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶ点に留意されたい。

【0015】

以下の説明において、「ＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップ」とは、基板上にＩｎＧａＮ系化合物、及び、ＧａＡＳＰ系化合物等の半導体を発光層として成長させることにより形成された半導体素子をいう。ＬＥＤチップは、上面、下面、又は上面及び下面に配置されたアノード及びカソード間に所定の順方向電圧が印加されることによって、所定の発光波長の光を出射する。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩ接合、ＰＮ接合などであるホモ構造、ヘテロ構造、ダブルヘテロ構造等が含まれる。ＬＥＤチップの材料、成長温度等により、発光波長を様々なものに選択可能である。ＬＥＤチップが出射する光の波長については、対応する実施形態において説明する。

【0016】

また、「ＬＥＤパッケージ」とは、基板上に「ＬＥＤチップ」を実装し、実装された「ＬＥＤチップ」を、樹脂又は蛍光材料を含有した樹脂で封止した部品、又は、「ＬＥＤチップ」の上面、又は、上面及び側面を蛍光材料含有の樹脂で被覆したのみの部品を言う。「ＬＥＤパッケージ」は、上面発光ＳＭＤ（Surface Mounted Device）、側面発光ＳＭＤ等を含む。蛍光材料とは、「ＬＥＤチップ」から出射された所定の波長の光を吸収して、異なる波長の光を出射する材料を言い、その結果、「ＬＥＤパッケージ」からは、「ＬＥＤチップ」から出射された光と蛍光材料から出射された光とが混色した光が出射されることとなる。なお、「ＬＥＤパッケージ」は、蛍光材料を含まず、含有する「ＬＥＤチップ」から出力された波長の光がそのまま出射するように構成されていても良い。

【0017】

さらに、「発光素子」とは、「ＬＥＤチップ」及び「ＬＥＤパッケージ」の両方の形態を含み、所定の波長の光を出射するものを言う。

【0018】

（第１実施形態）
図１（ａ）は第１実施形態に係る発光装置１の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図である。

【0019】

発光装置１は、第１領域１７及び第１領域１７の周辺に配置される第２領域１８を有する基板１０と、１８個の発光素子１１と、枠樹脂１２と、透明層１３と、蛍光体含有樹脂層１４と、透明樹脂層１５と、拡散層１６とを有する。蛍光体含有樹脂層１４は発光素子１１から出射された第１の色の光を吸収して第１の色と異なる第２の色の光を出射する蛍光材料３０を含有し、透明樹脂層１５は蛍光材料３０を含有しない。蛍光体含有樹脂層１４及び透明樹脂層１５は発光素子１１から出射された第１の色の光及び蛍光材料３０から出射された第２の色の光を透過し、枠樹脂１２は第１の色の光及び第２の色の光を反射する。

【0020】

基板１０は、実装基板２１と、回路基板２２と、アノード電極２３と、カソード電極２４と、アノード配線２５と、カソード配線２６とを有する。実装基板２１は、アルミニウム等の熱伝導率及び反射率が高い金属製の基板であり、略矩形状の平面形状を有する。実装基板２１は、円形の平面形状を有する第１領域１７を中心部に有すると共に、第１領域１７の外周に沿って第２領域１８を有する。基板１０は、第１領域１７及び第２領域１８を含めて表面及び裏面の双方は平坦な面である。実装基板２１は、対角に配置される一対の角が切り欠けている。

【0021】

回路基板２２は、エポキシ材等の絶縁材で形成され、実装基板２１と同一の平面形状を有すると共に、実装基板２１に接着される。回路基板２２は、第１領域１７及び１８個の発光素子１１が実装される第２領域１８を囲む開口部９０が形成される。

【0022】

アノード電極２３、カソード電極２４、アノード配線２５及びカソード配線２６は、回路基板２２の実装基板２１に対向する面の反対の面に銅等の導電性薄膜により形成された配線パターンである。アノード電極２３及びカソード電極２４は、切り欠けが形成されていない角の近傍に配置される。アノード電極２３及びカソード電極２４は、不図示の電源に接続され、アノード配線２５及びカソード配線２６を介して、発光素子１１のそれぞれに電力を供給する。

【0023】

アノード配線２５及びカソード配線２６の蛍光体含有樹脂層１４及び枠樹脂１２に覆われていない部分は、レジスト等の絶縁層に覆われる。アノード配線２５はアノード電極２３に接続されると共に、第１領域１７のそれぞれの辺に沿って配置される４つの発光素子の１つにボンディングワイヤ２７を介して接続される。カソード配線２６はカソード電極２４に接続されると共に、第１領域１７のそれぞれの辺に沿って配置される４つの発光素子の１つにボンディングワイヤ２７を介して接続される。

【0024】

１８個の発光素子１１は、例えば出射する光の波長域が４４０ｎｍ～４５５ｎｍのＩｎＧａＮ系化合物半導体等により形成される青色発光する半導体素子である。２４個の発光素子１１のそれぞれは、略矩形の平面形状を有し、順方向電圧（forward voltage、ＶＦ）、温度特性及び寿命等の発光特性が略同一の素子を使用することが好ましい。

【0025】

１８個の発光素子１１は、第１領域１７の外周に沿うように基板１０上の枠樹脂１２の内側の第２領域１８に実装される。発光素子１１は、発光領域１９の中心部には配置されない。第１領域１７の外縁に沿う第２領域１８に実装される１８個の発光素子１１は、９個ずつアノード電極２３とカソード電極２４との間に直列接続される。発光素子１１は、９個ずつ直列接続された２組の発光素子列を並列接続するように接続される。

【0026】

なお、発光装置１では、１８個の発光素子１１が配置されるが、搭載される発光素子１１の数は、任意の個数であって良いが、７個以上、且つ、７２個未満であることが好ましい。また、発光装置１では、９個の発光素子１１が直列接続されるが、直列接続される発光素子１１の数は、９個に限定されない。また、発光装置１では、２組の発光素子列が並列接続されるが、並列接続される組の数は、１組であってもよく、３組以上であってもよい。

【0027】

枠樹脂１２は、酸化チタン等の反射性の微粒子が分散されたシリコーン樹脂等の合成樹脂であり、基板１０上に円形に配置される。枠樹脂１２は、発光素子１１から出射される第１の色の光及び蛍光材料３０から出射される第２の色の光を反射する反射材である。枠樹脂１２は、第１領域１７及び第２領域１８を囲むように配置される。枠樹脂１２は、第１領域１７及び第２領域１８を囲むリング状の平面形状を有する。

【0028】

枠樹脂１２は、第２領域１８を囲むようにリング状に形成されるので、１８個の発光素子１１から出射された第１の色の光及び蛍光材料３０から出射される第２の色の光は、枠樹脂１２に反射する。

【0029】

発光装置１において、枠樹脂１２の内側の領域は、発光装置１から発光装置１の外部に光が出射される発光領域１９と称される。発光装置１において、枠樹脂１２は、略矩形の断面形状を有するので、発光領域１９は、枠樹脂１２の内壁に囲まれた領域である。

【0030】

枠樹脂１２はリング状の平面形状を有するので、発光領域１９は真円状の平面形状を有する。発光領域１９の直径Ｓ〔ｍｍ〕は、１４．５〔ｍｍ〕である。直径Ｓは、４．０〔ｍｍ〕以上、且つ、３４．０〔ｍｍ〕以下であることが好ましい。直径Ｓが４．０〔ｍｍ〕未満になると、現在の製造技術では製造ばらつきにより発光装置１の発光特性のばらつきが大きくなる。また、直径Ｓが３４．０〔ｍｍ〕より大きくなると、透明樹脂層１５及び拡散層１６の厚さが厚くなり製造コストが増加する。

【0031】

透明層１３は、アクリル樹脂、フッ素化合物及びシリコーン樹脂を含有し、基板１０と透明樹脂層１５との間、蛍光体含有樹脂層１４と拡散層１６との間、１８個の発光素子１１と蛍光体含有樹脂層１４との間に配置される。透明層１３の剛性は、蛍光体含有樹脂層１４、透明樹脂層１５及び拡散層１６の剛性よりも高く、基板１０、１８個の発光素子１１及びボンディングワイヤ２７を全面に亘ってコーティングする。透明層１３の膜厚は、１μｍ以上、且つ、２μｍ以下であることが好ましい。透明層１３は、透明層１３が基板１０、２４個の発光素子１１及びボンディングワイヤ２７をコーティングするので、信頼性を向上させることができる。

【0032】

発光装置１では、透明層１３は、透明層１３が基板１０、２４個の発光素子１１及びボンディングワイヤ２７を全体に亘ってコーティングする。しかしながら、実施形態に係る発光装置では、透明層１３は、基板１０、２４個の発光素子１１及びボンディングワイヤ２７のそれぞれの少なくとも一部をコーティングしていればよい。

【0033】

蛍光体含有樹脂層１４は、蛍光材料３０を含有するシリコーン樹脂等の合成樹脂である。蛍光体含有樹脂層１４は、枠樹脂１２の内側の基板１０上に第１領域１７の外周に沿って、発光素子１１及びボンディングワイヤ２７の一部を覆うように配置される。蛍光体含有樹脂層１４は、第１領域１７を囲むリング状の平面形状を有する。

【0034】

蛍光体含有樹脂層１４に含有される蛍光材料３０は、発光素子１１から出射される第１の色である青色の光を吸収して第１の色と異なる第２の色の光を出射する蛍光材料である。蛍光材料３０は、例えば５５０ｎｍ～５８０ｎｍである黄色の光を出射するセレンで付活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光材料である。また、蛍光材料３０は、黄色の光を出射するＹＡＧ系蛍光材料に加えて、ピーク波長の範囲が６００ｎｍ～６３０ｎｍである赤色の光を出射するＥｕ²⁺（ユーロピウム）固溶のＣａＡｌＳｉＮ₃（カルシウム・アルミニウム・シリコーン酸窒化物）蛍光材料を添加されたものであってもよい。また、蛍光材料３０は、ピーク波長の範囲が６００ｎｍ～６５０ｎｍの範囲に複数ある赤色の光を出射するＭｎ⁴⁺（マンガン）で賦活されたフッ素物錯体蛍光体であっても良い。また、蛍光材料３０は、例えばピーク波長の範囲が５３５ｎｍ～５７０ｎｍである緑色の光を出射するセリウムで付活されたＹＡＧ系蛍光材料を添加してもよい。

【0035】

なお、蛍光材料３０は、ピーク波長の範囲が４８０ｎｍ～５００ｎｍである青緑色の光を出射するＥｕ²⁺（ユーロピウム）で付活されたシリケイト系蛍光材料、又はバリウムシリコーン酸窒化物の蛍光材料であってもよい。また、蛍光材料３０は、ピーク波長の範囲が６００ｎｍ～６３０ｎｍである赤色の光を出射するＥｕ²⁺（ユーロピウム）固溶のＣａＡｌＳｉＮ₃（カルシウム・アルミニウム・シリコーン酸窒化物）蛍光材料であってもよい。さらに、蛍光材料３０は、複数種の蛍光材料を含んでもよい。蛍光材料３０に含まれる蛍光材料の比率を相違させることで、色温度が同一であり且つ演色性が相違する発光装置を提供することができる。

【0036】

例えば、蛍光材料３０は、ピーク波長が５５０ｎｍ～５８０ｎｍである黄色の光を出射するユーロピウムで付活されたオルソ珪酸塩蛍光材料であってもよい。また、蛍光材料３０は、黄色の光を出射するユーロピウムで付活されたオルソ珪酸塩蛍光材料、及びピーク波長が４８０ｎｍ～５００ｎｍである黄色の光を出射するユーロピウム付活ストロンチウムアルミン酸塩蛍光材料を含んでもよい。さらに、黄色の光を出射するユーロピウムで付活されたオルソ珪酸塩蛍光材料、及び赤色の光を出射するユーロピウム固溶のカルシウム・アルミニウム・シリコーン酸窒化物蛍光材料を含んでもよい。

【0037】

透明樹脂層１５は、蛍光材料３０が含有されず且つシリコーン樹脂等の合成樹脂であり、蛍光体含有樹脂層１４の内側の基板１０の表面を覆うように配置される。発光領域の中心部における透明樹脂層１５の基板１０の表面から最上部までの高さＤ２は、透明樹脂層１５の周辺部が蛍光体含有樹脂層１４に接する部分における透明樹脂層１５の基板１０の表面からの高さに比べて高い。透明樹脂層１５は、発光素子１１から出射される第１の色の光及び蛍光材料３０から出射される第２の色の光を導光する導光層である。透明樹脂層１５は、発光素子１１から出射される第１の色の光及び蛍光材料３０から出射される第２の色の光を第１領域１７に導く。第１領域１７に導光された光は、直接又は反射して、第１領域１７の全体の上面から拡散層１６に出射する。

【0038】

拡散層１６は、シリコーン樹脂等の透明な合成樹脂材で形成され、ＴｉＯ₂及びＳｉＯ₂を拡散材として含有し、蛍光体含有樹脂層１４及び透明樹脂層１５を覆うように枠樹脂１２の内側に配置される。発光領域１９の中心部における拡散層１６の透明樹脂層１５の上面から最上部までの厚さＤ１は、拡散層１６の周辺部が枠樹脂１２に接する部分における拡散層１６の基板１０の表面からの厚さに比べて薄い。拡散層１６には、ＴｉＯ₂は０．１０ｗｔ％以上且つ０．６０ｗｔ％以下の濃度で含有され、ＳｉＯ₂は０．０５０ｗｔ％以上且つ６０．０ｗｔ％以下の濃度で含有される。

【0039】

図１に示す様に、発光領域１９の直径をＳ〔ｍｍ〕、拡散層１６の中心部の厚さをＤ１〔ｍｍ〕、透明樹脂層１５の中心部の厚さをＤ２〔ｍｍ〕、蛍光体含有樹脂層１４の高さをＨｍ〔ｍｍ〕、樹脂枠１２の高さをＨ〔ｍｍ〕とする。発光装置１のサイズは、図１１に示す。

【0040】

（実施形態１の製造方法）
図２～図８を用いて、発光装置１の製造方法を説明する。図２は第１工程を示し、図３は第２工程を示し、図４は第３工程を示し、図５は第４工程を示し、図６は第５工程を示し、図７は第６工程を示し、図８は第７工程を示す。図２～図８において、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は図１（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図に対応する断面図である。

【0041】

第１工程において、図２に示す基板１０が提供される。次いで、図３に示す様に、第２工程において、１８個の発光素子１１が第１領域１７の外周に沿って第２領域１８に実装される。１８個の発光素子１１は、第１領域１７の外縁に沿って、ダイボンド（不図示）により実装される。

【0042】

次いで、図４に示す様に、第３工程において、１８個の発光素子１１がアノード配線２５とカソード配線２６との間に９個ずつボンディングワイヤ２７によって直列接続される。第１領域１７の外縁に沿って実装される９個の発光素子１１の一端に配置される発光素子１１は、アノード配線２５にボンディングワイヤ２７を介して接続される。また、第１領域１７の外縁に沿って実装される９個の発光素子１１の他端に配置される発光素子１１は、カソード配線２６にボンディングワイヤ２７を介して接続される。

【0043】

次いで、図５に示す様に、第４工程において、枠樹脂１２が第１領域１７及び第２領域１８を囲むように配置される。次いで、図６に示す様に、第５工程において、透明層１３が発光素子１１及びボンディングワイヤ２７を覆うように第１領域１７及び第２領域１８に配置される。

【0044】

次いで、図７に示す様に、第６工程において、蛍光体含有樹脂層１４が透明層１３を介して発光素子１１及びボンディングワイヤ２７を覆うように第２領域１８に配置される。次いで、図８に示す様に、第７工程において、透明樹脂層１５が第１領域１７に配置される。最後に、枠樹脂１２の内側で、透明樹脂層１５の上部に拡散層１６が配置されて、発光装置１の製造工程が終了する（図１参照）。

【0045】

蛍光体含有樹脂層１４、枠樹脂１２及び透明樹脂層１５は、チクソ性が高い樹脂材を使用してもよい。チクソ性が高い樹脂材を蛍光体含有樹脂層１４、枠樹脂１２及び透明樹脂層１５として使用するとき、第８工程の後に蛍光体含有樹脂層１４、枠樹脂１２及び透明樹脂層１５が一斉に固化されてもよい。また、チクソ性が低い樹脂材を蛍光体含有樹脂層１４、枠樹脂１２及び透明樹脂層１５として使用するときは、第５工程、第７工程及び第８工程のそれぞれにおいて、蛍光体含有樹脂層１４、枠樹脂１２及び透明樹脂層１５は、別個に固化される。

【0046】

（第２実施形態）
図９は、第２実施形態に係る発光装置２の平面図である。図９では、主に発光装置２における基板１０上の発光素子１１の配置状況のみを示している。図９において、図１（ａ）及び図１（ｂ）と同じ構成には同じ番号を付して説明を省略する。発光装置１と発光装置２との差異は、発光素子１１の配置個数が７個であることと、それに伴って装置のサイズが異なっている点のみである。発光装置２のサイズは、図１１に示す。

【0047】

（第３実施形態）
図１０は、第３実施形態に係る発光装置３の平面図である。図１０では、主に発光装置３における基板１０上の発光素子１１の配置状況のみを示している。図１０において、図１（ａ）及び図１（ｂ）と同じ構成には同じ番号を付して説明を省略する。発光装置１と発光装置３との差異は、発光素子１１の配置個数が７２個であることと、それに伴って装置のサイズが異なっている点のみである。発光装置３のサイズは、図１１に示す。

【0048】

図１１は、発光装置１～発光装置３の構成をまとめた表を示す図である。図１１に示す様に、発光装置１において、発光領域１９の直径Ｓは１４．５〔ｍｍ〕、拡散層１６（不図示）の中心部の厚さＤ１は０．３０〔ｍｍ〕、透明樹脂層１５の中心部の厚さＤ２は１．６５〔ｍｍ〕、蛍光体含有樹脂層１４の高さＨｍは０．７５〔ｍｍ〕、及び、樹脂枠１２の高さＨは１．９５〔ｍｍ〕である。発光装置２において、発光領域１９の直径Ｓは４．５〔ｍｍ〕、拡散層１６（不図示）の中心部の厚さＤ１は０．１５〔ｍｍ〕、透明樹脂層１５の中心部の厚さＤ２は１．０４〔ｍｍ〕、蛍光体含有樹脂層１４の高さＨｍは０．７５〔ｍｍ〕、及び、樹脂枠１２の高さＨは１．１９〔ｍｍ〕である。発光装置３において、発光領域１９の直径Ｓは３２．８〔ｍｍ〕、拡散層１６（不図示）の中心部の厚さＤ１は０．３０〔ｍｍ〕、透明樹脂層１５の中心部の厚さＤ２は２．５５〔ｍｍ〕、蛍光体含有樹脂層１４の高さＨｍは０．７５〔ｍｍ〕、及び、樹脂枠１２の高さＨは２．８５〔ｍｍ〕である。

【0049】

（比較の発光装置）
発光装置１と同じ発光領域の直径Ｓ、発光領域面積、発光素子数、樹脂枠１２の高さを有し、透明樹脂層及び拡散層を有さず、樹脂枠１２の内側に発光装置１と同数の発光素子が均等に配置された発光装置を比較の発光装置１´とする。発光装置１´では、蛍光体を含む蛍光体含有樹脂層が、発光素子を覆う様に、樹脂枠１２の内側に配置されているものとする。

【0050】

同様に、発光装置２と同じ発光領域の直径Ｓ、発光領域面積、発光素子数、樹脂枠１２の高さを有し、透明樹脂層及び拡散層を有さず、樹脂枠１２の内側に発光装置２と同数の発光素子が均等に配置された発光装置を比較の発光装置２´とする。発光装置２´では、蛍光体を含む蛍光体含有樹脂層が、発光素子を覆う様に、樹脂枠１２の内側に配置されているものとする。

【0051】

同様に、発光装置３と同じ発光領域の直径Ｓ、発光領域面積、発光素子数、樹脂枠１２の高さを有し、透明樹脂層及び拡散層を有さず、樹脂枠１２の内側に発光装置３と同数の発光素子が均等に配置された発光装置を比較の発光装置３´とする。発光装置３´では、蛍光体を含む蛍光体含有樹脂層が、発光素子を覆う様に、樹脂枠１２の内側に配置されているものとする。

【0052】

（発光装置の光学特性）
本発明の発光装置は、少なくとも以下の３つの光学特性を充足することが必要である。
（１）消灯時に蛍光体の色が外部から視認されるおそれがないこと。
（２）光束量比（光束量比の測定については後述する）が７０％以上であること。
（３）色度指向性（ΔＣＩＥｙ）（色度指向性の測定については後述する）の値が、０．０１５以下であること。

【0053】

上記の３つの光学特性を有することにより、外部から蛍光体の色が視認されないことから、発光装置を照明器具等に採用しても、非消灯時の配色に違和感を生じさせない。また、外部から蛍光体を視認させないようにしているにも拘わらず、発光装置の光束量比が７０％以上であれば、照明器具等として充分な光束量を確保することができる。さらに、発光装置の色度指向性の値が０．０１５以下であれば、発光装置から全方向へ出射する光の色度が均一であって、照明器具等として問題が生じない。

【0054】

光学装置１～３は、上記の光学特性（１）を満足するために、少なくとも以下の構成を備えている。
基板上に円形に配置された枠樹脂と、基板上且つ枠樹脂の内側に実装された複数の発光素子と、枠樹脂の内側であって複数の発光素子を覆うように基板上に配置された蛍光体含有樹脂層と、蛍光体含有樹脂層の内側の基板表面を覆うように配置された透明樹脂層と、蛍光体含有樹脂層及び透明樹脂層を覆うように枠樹脂の内側に配置された拡散層を有し、枠樹脂の内側を発光領域とした場合に発光領域の中心部には発光素子は実装されないこと（以下、「基本構成」という）。

【0055】

（光束量比の測定方法）
発光装置の光束量の測定は、全光束測定装置（大塚電子社製の全光束測定システム）を用いて行った。積分球は、ネムテック社製の１０００型を用いた。また、発光装置に含まれる発光素子には、１素子当たり９０ｍＡを印加して測定した。測定対象の発光装置に対応する比較の発光装置（例えば、発光装置１に対しては比較の発光装置１´）についても同様の方法で光束量を測定した。光束量比＝（測定対象の発光装置の光束量）／（対応する比較の発光装置の光束量）と定義した。

【0056】

（ΔＣＩＥｙの測定方法）
発光装置のΔＣＩＥｙの測定は、Ｒａｄｉａｎｔ Ｖｉｓｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍｓ社のニアフィールド配光用ゴニオメータシステム（ＳＩＧ－４００（登録商標））を用いて行った。発光装置を発光させた際の直上から８０°までの色度を測定し、色度の変化の度合いをΔＣＩＥｙとした。

【0057】

以下、「基本構成」を有する光学装置において、上記の２つの光学特性（２）及び（３）を有する条件について検討する。
図１２（ａ）は、拡散層１６に含まれるＴｉＯ２濃度を変化させた発光装置２を複数製造し、それぞれ光束量比を測定した測定結果を示す図である。発光装置２のサイズは、図１１に示した通りであり、光束量比の測定は、前述した方法による。図中のａ１～ａ８は、ＴｉＯ２濃度を、０．００、０．０５、０．１０、０．２０、０．３０、０．４０、０．５０、及び、０．６０（ｗｔ％）とした場合の光束量比を示している。図中のａ１～ａ８において、ＳｉＯ２濃度は０．５０（ｗｔ％）に統一している。

【0058】

図１２（ｂ）は、拡散層１６に含まれるＴｉＯ２濃度を変化させた発光装置２を複数製造し、それぞれのΔＣＩＥｙを測定した測定結果を示す図である。発光装置２のサイズは、図１１に示した通りであり、ΔＣＩＥｙの測定は、前述した方法による。図中のｂ１～ｂ８は、ＴｉＯ２濃度を、０．００、０．０５、０．１０、０．２０、０．３０、０．４０、０．５０、及び、０．６０（ｗｔ％）とした場合のΔＣＩＥｙを示している。図中のｂ１～ｂ８において、ＳｉＯ２濃度は０．５０（ｗｔ％）に統一している。

【0059】

図１２（ｃ）は、拡散層１６に含まれるＴｉＯ２濃度を変化させた発光装置１を複数製造し、それぞれ光束量比を測定した測定結果を示す図である。発光装置１のサイズは、図１１に示した通りであり、光束量比の測定は、前述した方法による。図中のｃ１～ｃ８は、ＴｉＯ２濃度を、０．００、０．０５、０．１０、０．２０、０．３０、０．４０、０．５０、及び、０．６０（ｗｔ％）とした場合の光束量比を示している。図中のｃ１～ｃ８において、ＳｉＯ２濃度は０．５０（ｗｔ％）に統一している。

【0060】

図１２（ｄ）は、拡散層１６に含まれるＴｉＯ２濃度を変化させた発光装置１を複数製造し、それぞれのΔＣＩＥｙを測定した測定結果を示す図である。発光装置１のサイズは、図１１に示した通りであり、ΔＣＩＥｙの測定は、前述した方法による。図中のｄ１～ｄ８は、ＴｉＯ２濃度を、０．００、０．０５、０．１０、０．２０、０．３０、０．４０、０．５０、及び、０．６０（ｗｔ％）とした場合のΔＣＩＥｙを示している。図中のｄ１～ｄ８において、ＳｉＯ２濃度は０．５０（ｗｔ％）に統一している。

【0061】

図１２（ｅ）は、拡散層１６に含まれるＴｉＯ２濃度を変化させた発光装置３を複数製造し、それぞれ光束量比を測定した測定結果を示す図である。発光装置３のサイズは、図１１に示した通りであり、光束量比の測定は、前述した方法による。図中のｅ１～ｅ８は、ＴｉＯ２濃度を、０．００、０．０５、０．１０、０．２０、０．３０、０．４０、０．５０、及び、０．６０（ｗｔ％）とした場合の光束量比を示している。図中のｅ１～ｅ８において、ＳｉＯ２濃度は０．５０（ｗｔ％）に統一している。

【0062】

図１２（ｆ）は、拡散層１６に含まれるＴｉＯ２濃度を変化させた発光装置３を複数製造し、それぞれのΔＣＩＥｙを測定した測定結果を示す図である。発光装置３のサイズは、図１１に示した通りであり、ΔＣＩＥｙの測定は、前述した方法による。図中のｆ１～ｆ８は、ＴｉＯ２濃度を、０．００、０．０５、０．１０、０．２０、０．３０、０．４０、０．５０、及び、０．６０（ｗｔ％）とした場合のΔＣＩＥｙを示している。図中のｆ１～ｆ８において、ＳｉＯ２濃度は０．５０（ｗｔ％）に統一している。

【0063】

図１３（ａ）は、拡散層１６に含まれるＳｉＯ２濃度を変化させた発光装置２を複数製造し、それぞれ光束量比を測定した測定結果を示す図である。発光装置２のサイズは、図１１に示した通りであり、光束量比の測定は、前述した方法による。図中のａ１～ａ７は、ＳｉＯ２濃度を、０．０５０、１０．０、２０．０、３０．０、４０．０、５０．０、及び、６０．０（ｗｔ％）とした場合の光束量比を示している。図中のａ１～ａ７において、ＴｉＯ２濃度は０．３０（ｗｔ％）に統一している。

【0064】

図１３（ｂ）は、拡散層１６に含まれるＳｉＯ２濃度を変化させた発光装置２を複数製造し、それぞれのΔＣＩＥｙを測定した測定結果を示す図である。発光装置２のサイズは、図１１に示した通りであり、ΔＣＩＥｙの測定は、前述した方法による。図中のｂ１～ｂ７は、ＳｉＯ２濃度を、０．０５０、１０．０、２０．０、３０．０、４０．０、５０．０、及び、６０．０（ｗｔ％）とした場合のΔＣＩＥｙを示している。図中のｂ１～ｂ７において、ＴｉＯ２濃度は０．３０（ｗｔ％）に統一している。

【0065】

図１３（ｃ）は、拡散層１６に含まれるＳｉＯ２濃度を変化させた発光装置１を複数製造し、それぞれ光束量比を測定した測定結果を示す図である。発光装置１のサイズは、図１１に示した通りであり、光束量比の測定は、前述した方法による。図中のｃ１～ｃ７は、ＳｉＯ２濃度を、０．０５０、１０．０、２０．０、３０．０、４０．０、５０．０、及び、６０．０（ｗｔ％）とした場合の光束量比を示している。図中のｃ１～ｃ７において、ＴｉＯ２濃度は０．３０（ｗｔ％）に統一している。

【0066】

図１３（ｄ）は、拡散層１６に含まれるＳｉＯ２濃度を変化させた発光装置１を複数製造し、それぞれのΔＣＩＥｙを測定した測定結果を示す図である。発光装置１のサイズは、図１１に示した通りであり、ΔＣＩＥｙの測定は、前述した方法による。図中のｄ１～ｄ７は、ＳｉＯ２濃度を、０．０５０、１０．０、２０．０、３０．０、４０．０、５０．０、及び、６０．０（ｗｔ％）とした場合のΔＣＩＥｙを示している。図中のｄ１～ｄ７において、ＴｉＯ２濃度は０．３０（ｗｔ％）に統一している。

【0067】

図１３（ｅ）は、拡散層１６に含まれるＳｉＯ２濃度を変化させた発光装置３を複数製造し、それぞれ光束量比を測定した測定結果を示す図である。発光装置３のサイズは、図１１に示した通りであり、光束量比の測定は、前述した方法による。図中のｅ１～ｅ７は、ＳｉＯ２濃度を、０．０５０、１０．０、２０．０、３０．０、４０．０、５０．０、及び、６０．０（ｗｔ％）とした場合の光束量比を示している。図中のｅ１～ｅ７において、ＴｉＯ２濃度は０．３０（ｗｔ％）に統一している。

【0068】

図１３（ｆ）は、拡散層１６に含まれるＳｉＯ２濃度を変化させた発光装置３を複数製造し、それぞれのΔＣＩＥｙを測定した測定結果を示す図である。発光装置３のサイズは、図１１に示した通りであり、ΔＣＩＥｙの測定は、前述した方法による。図中のｆ１～ｆ７は、ＳｉＯ２濃度を、０．０５０、１０．０、２０．０、３０．０、４０．０、５０．０、及び、６０．０（ｗｔ％）とした場合のΔＣＩＥｙを示している。図中のｆ１～ｆ７において、ＴｉＯ２濃度は０．３０（ｗｔ％）に統一している。

【0069】

図１２（ａ）～図１２（ｆ）を参照すると、ＴｉＯ２濃度は、０．１０以上且つ０．６０（ｗｔ％）以下であれば、光束量比は７０％以上、且つ、ΔＣＩＥｙが０．０１５以下となる。また、図１３（ａ）～図１３（ｆ）を参照すると、ＳｉＯ２濃度は、０．０５０以上且つ６０．０（ｗｔ％）以下であれば、光束量比は７０％以上、且つ、ΔＣＩＥｙが０．０１５以下となる。なお、図１２（ａ）～図１２（ｆ）及び図１３（ａ）～図１３（ｆ）で製造した全ての光学装置１～３において、蛍光体の色は視認されなかった。

【0070】

以上より、「基本構成」を有する光学装置１～３において、ＴｉＯ２濃度が０．１０以上且つ０．６０（ｗｔ％）以下、及び、ＳｉＯ２濃度が０．０５０以上且つ６０．０（ｗｔ％）以下であれば、以下の３つの光学特性を満足することが確認できた。
（１）消灯時に蛍光体の色が外部から視認されるおそれがないこと。
（２）光束量比が７０％以上であること。
（３）色度指向性（ΔＣＩＥｙ）の値が、０．０１５以下であること。

【0071】

光学装置１～３の発光領域Ｓは、４．５ｍｍから３２．８ｍｍであるが、少なくとも、その範囲であれば、発光領域Ｓの値が変化しても、ＴｉＯ２濃度が０．１０以上且つ０．６０（ｗｔ％）以下、及び、ＳｉＯ２濃度が０．０５０以上且つ６０．０（ｗｔ％）以下であれば、上記の３つの光学特性を満足すると考えられる。

【0072】

（発光装置の追加の光学特性）
光学装置では、更に以下の光学特性を有することが好ましい。
（４）面内均一性（面内均一性の測定方法については後述する）が７０％以上であること。
前述した３つの光学特性（１）～（３）に加えて、光学特性（４）を有することによって、発光装置の発光領域が均等に発光するので、照明器具等としてより好ましい。

【0073】

（面内均一性）
面内均一性の測定は、Ｒａｄｉａｎｔ Ｖｉｓｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍｓ社の２次元色彩輝度計（ＰｒоＭｅｔｒｉｃ）を用いて行い、照度値の変動率を面内均一性（％）と定義した。

【0074】

図１４は、面内均一性の測定について説明するための図である。図１４（ａ）は発光装置１の上面図を示し、図１４（ｂ）は照度値の測定結果の一例を示している。具体的には、図１４（ａ）に示すＢＢ線に沿って、照度値の測定を行った結果の一例を図１４（ｂ）に示す。図１４（ｂ）において、領域Ｓ内の最大値（ｍａｘ）と最小値（ｍｉｎ）を求めて、面内均一性（％）＝（ｍｉｎ／ｍａｘ）×１００と定義する。図１４では、発光装置１に関する面内均一性の測定について説明したが、発光装置２及び発光装置３についても同様である。

【0075】

以下、「基本構成」を有する光学装置において、更に光学特性（４）を有する条件について検討する。

【0076】

図１５（ａ）は、拡散層１６に含まれるＴｉＯ２濃度を変化させた発光装置２を複数製造し、それぞれ面内均一性を測定した測定結果を示す図である。発光装置２のサイズは、図１１に示した通りであり、面内均一性の測定は、前述した方法による。図中のａ１～ａ８は、ＴｉＯ２濃度を、０．００、０．０５、０．１０、０．２０、０．３０、０．４０、０．５０、及び、０．６０（ｗｔ％）とした場合の面内均一性を示している。図中のａ１～ａ８において、ＳｉＯ２濃度は０．５０（ｗｔ％）に統一している。

【0077】

図１５（ｂ）は、拡散層１６に含まれるＴｉＯ２濃度を変化させた発光装置１を複数製造し、それぞれ面内均一性を測定した測定結果を示す図である。発光装置１のサイズは、図１１に示した通りであり、面内均一性の測定は、前述した方法による。図中のｂ１～ｂ８は、ＴｉＯ２濃度を、０．００、０．０５、０．１０、０．２０、０．３０、０．４０、０．５０、及び、０．６０（ｗｔ％）とした場合の面内均一性を示している。図中のｂ１～ｂ８において、ＳｉＯ２濃度は０．５０（ｗｔ％）に統一している。

【0078】

図１５（ｃ）は、拡散層１６に含まれるＴｉＯ２濃度を変化させた発光装置３を複数製造し、それぞれ面内均一性を測定した測定結果を示す図である。発光装置３のサイズは、図１１に示した通りであり、面内均一性の測定は、前述した方法による。図中のｃ１～ｃ８は、ＴｉＯ２濃度を、０．００、０．０５、０．１０、０．２０、０．３０、０．４０、０．５０、及び、０．６０（ｗｔ％）とした場合の面内均一性を示している。図中のｃ１～ｃ８において、ＳｉＯ２濃度は０．５０（ｗｔ％）に統一している。

【0079】

図１５（ｄ）は、拡散層１６に含まれるＳｉＯ２濃度を変化させた発光装置２を複数製造し、それぞれ面内均一性を測定した測定結果を示す図である。発光装置２のサイズは、図１１に示した通りであり、面内均一性の測定は、前述した方法による。図中のｄ１～ｄ７は、ＳｉＯ２濃度を、０．０５０、１０．０、２０．０、３０．０、４０．０、５０．０、及び、６０．０（ｗｔ％）とした場合の面内均一性を示している。図中のｄ１～ｄ７において、ＴｉＯ２濃度は０．３０（ｗｔ％）に統一している。

【0080】

図１５（ｅ）は、拡散層１６に含まれるＳｉＯ２濃度を変化させた発光装置１を複数製造し、それぞれ面内均一性を測定した測定結果を示す図である。発光装置１のサイズは、図１１に示した通りであり、面内均一性の測定は、前述した方法による。図中のｅ１～ｅ７は、ＳｉＯ２濃度を、０．０５０、１０．０、２０．０、３０．０、４０．０、５０．０、及び、６０．０（ｗｔ％）とした場合の面内均一性を示している。図中のｅ１～ｅ７において、ＴｉＯ２濃度は０．３０（ｗｔ％）に統一している。

【0081】

図１５（ｆ）は、拡散層１６に含まれるＳｉＯ２濃度を変化させた発光装置３を複数製造し、それぞれ面内均一性を測定した測定結果を示す図である。発光装置３のサイズは、図１１に示した通りであり、面内均一性の測定は、前述した方法による。図中のｆ１～ｆ７は、ＳｉＯ２濃度を、０．０５０、１０．０、２０．０、３０．０、４０．０、５０．０、及び、６０．０（ｗｔ％）とした場合の面内均一性を示している。図中のｆ１～ｆ７において、ＴｉＯ２濃度は０．３０（ｗｔ％）に統一している。

【0082】

図１５（ａ）～図１５（ｃ）を参照すると、ＴｉＯ２濃度は、０．３０以上且つ０．５０（ｗｔ％）以下であれば、面内均一性は７０％以上となる。また、図１５（ｄ）～図１５（ｆ）を参照すると、ＳｉＯ２濃度は、０．０５０以上且つ６０．０（ｗｔ％）以下であれば、面内均一性は７０％以上となる。

【0083】

以上より、「基本構成」を有する光学装置１～３において、ＴｉＯ２濃度が０．３０以上且つ０．５０（ｗｔ％）以下、及び、ＳｉＯ２濃度が０．０５０以上且つ６０．０（ｗｔ％）以下であれば、以下の４つの光学特性を満足することが確認できた。
（１）消灯時に蛍光体の色が外部から視認されるおそれがないこと。
（２）光束量比が７０％以上であること。
（３）色度指向性（ΔＣＩＥｙ）の値が、０．０１５以下であること。
（４）面内均一性が７０％以上であること。

【0084】

光学装置１～３の発光領域Ｓは、４．５ｍｍから３２．８ｍｍであるが、少なくとも、その範囲であれば、発光領域Ｓの値が変化しても、ＴｉＯ２濃度が０．３０以上且つ０．５０（ｗｔ％）以下、及び、ＳｉＯ２濃度が０．０５０以上且つ６０．０（ｗｔ％）以下であれば、上記の４つの光学特性を満足すると考えられる。

【0085】

また、発光装置１～３では、更に以下の構成を備えることによって、前記の４つの光学特性を更に向上させることが可能となる。
（ａ）発光装置１～３では、発光領域の中心部における透明樹脂層の基板表面から最上部までの高さ（Ｄ２）は、透明樹脂層の周辺部が蛍光体含有樹脂層に接する部分における透明樹脂層の基板表面からの高さに比べて高い。
（ｂ）発光装置１～３では、発光領域の中心部における拡散層の透明樹脂層の上面から最上部までの厚さ（Ｄ１）は、拡散層の周辺部が枠樹脂に接する部分における拡散層の基板表面から最上部までの厚さに比べて薄い。
（ｃ）発光装置１～３では、複数の発光素子は枠樹脂の内側に沿って円形に単一の実装基板に実装される。このように構成されると、複数の発光素子の全ての温度変化が互いに連動し、温度特性に依存する発光特性が互いにばらつくおそれが低くなる。

【符号の説明】

【0086】

１ 発光装置
１０ 基板
１１ 発光素子
１２ 枠樹脂
１３ 透明層
１４ 蛍光体含有樹脂層
１５ 透明樹脂層
１６ 拡散層
１７ 第１領域
１８ 第２領域
１９ 発光領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】