▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024113671
(43)【公開日】2024-08-22
(54)【発明の名称】回路基板及び回路基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20240815BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20240815BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 C
H05K3/46 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024014343
(22)【出願日】2024-02-01
(31)【優先権主張番号】10-2023-0017563
(32)【優先日】2023-02-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】全 起 洙
(72)【発明者】
【氏名】趙 基 殷
(72)【発明者】
【氏名】鄭 明 熙
(72)【発明者】
【氏名】成 ミン 宰
(72)【発明者】
【氏名】金 相 勳
【テーマコード（参考）】
5E316
5E338
【Ｆターム（参考）】
5E316AA12
5E316AA15
5E316AA43
5E316CC04
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC31
5E316CC32
5E316CC33
5E316CC34
5E316CC37
5E316CC38
5E316CC39
5E316DD12
5E316DD22
5E316EE33
5E316FF05
5E316FF07
5E316FF08
5E316FF10
5E316FF12
5E316GG15
5E316GG17
5E316HH11
5E338AA03
5E338AA16
5E338BB19
5E338BB63
5E338EE60
(57)【要約】
【課題】キャビティ形成工程以外には別途の追加工程がなくても全体パッケージの信頼性及び剛性が増加できる回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による回路基板は、第１絶縁層と、第１絶縁層に埋め込まれる第１配線層と、第１絶縁層に配置される第１ビア層と、第１絶縁層の上に配置され、第１絶縁層と接触する第１面と、第１面に対向する第２面と、を含む第２絶縁層と、を有し、第２絶縁層の第２面から第２絶縁層の少なくとも一部にキャビティが配置され、第２絶縁層は、キャビティと重畳する部分である第１部分と、第１部分より厚さが厚い部分である第２部分と、を含み、第２絶縁層の第１部分は、複数の第１凸部及び複数の第１凹部を含む。
【選択図】図１
【解決手段】本発明による回路基板は、第１絶縁層と、第１絶縁層に埋め込まれる第１配線層と、第１絶縁層に配置される第１ビア層と、第１絶縁層の上に配置され、第１絶縁層と接触する第１面と、第１面に対向する第２面と、を含む第２絶縁層と、を有し、第２絶縁層の第２面から第２絶縁層の少なくとも一部にキャビティが配置され、第２絶縁層は、キャビティと重畳する部分である第１部分と、第１部分より厚さが厚い部分である第２部分と、を含み、第２絶縁層の第１部分は、複数の第１凸部及び複数の第１凹部を含む。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
回路基板であって、
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層に埋め込まれる第１配線層と、
前記第１絶縁層に配置される第１ビア層と、
前記第１絶縁層の上に配置され、前記第１絶縁層と接触する第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を含む第２絶縁層と、を有し、
前記第２絶縁層の前記第２面から前記第２絶縁層の少なくとも一部にキャビティが配置され、
前記第２絶縁層は、前記キャビティと重畳する部分である第１部分と、前記第１部分より厚さが厚い部分である第２部分と、を含み、
前記第２絶縁層の前記第１部分は、複数の第１凸部及び複数の第１凹部を含むことを特徴とする回路基板。
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層に埋め込まれる第１配線層と、
前記第１絶縁層に配置される第１ビア層と、
前記第１絶縁層の上に配置され、前記第１絶縁層と接触する第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を含む第２絶縁層と、を有し、
前記第２絶縁層の前記第２面から前記第２絶縁層の少なくとも一部にキャビティが配置され、
前記第２絶縁層は、前記キャビティと重畳する部分である第１部分と、前記第１部分より厚さが厚い部分である第２部分と、を含み、
前記第２絶縁層の前記第１部分は、複数の第１凸部及び複数の第１凹部を含むことを特徴とする回路基板。
【請求項2】
前記第２絶縁層の第１部分によって一部分露出される第１パッド層と、
前記第２絶縁層の第２部分によって埋め込まれる第２配線層と、
前記第２絶縁層の前記第２部分に配置され前記第２配線層と接続される第２ビア層と、
前記第２絶縁層の前記第２面に配置され前記第２ビア層と接続される第２パッド層と、
前記第２絶縁層の上に配置され前記第２パッド層の一部を露出する第１ソルダーレジスト層と、をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
前記第２絶縁層の第２部分によって埋め込まれる第２配線層と、
前記第２絶縁層の前記第２部分に配置され前記第２配線層と接続される第２ビア層と、
前記第２絶縁層の前記第２面に配置され前記第２ビア層と接続される第２パッド層と、
前記第２絶縁層の上に配置され前記第２パッド層の一部を露出する第１ソルダーレジスト層と、をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項3】
前記複数の第１凸部は、第１高点部を有し、
前記複数の第１凹部は、第１底点部を有し、
前記複数の第１凸部の前記第１高点部と前記複数の第１凹部の前記第１底点部は、凹み曲線に沿って互いに接続されることを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
前記複数の第１凹部は、第１底点部を有し、
前記複数の第１凸部の前記第１高点部と前記複数の第１凹部の前記第１底点部は、凹み曲線に沿って互いに接続されることを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項4】
前記第２絶縁層の前記第１部分の上面全体に、前記複数の第１凸部と前記複数の第１凹部が配置されることを特徴とする請求項３に記載の回路基板。
【請求項5】
前記複数の第１凸部の前記第１高点部と前記複数の第１凹部の前記第１底点部との高さの差は、１μｍより大きく前記第１パッド層の厚さより小さいことを特徴とする請求項３に記載の回路基板。
【請求項6】
前記キャビティと接する前記第２絶縁層の前記第２部分の側面には、複数の第２凸部及び複数の第２凹部が配置されることを特徴とする請求項４に記載の回路基板。
【請求項7】
前記第２絶縁層の前記第２部分の側面全体には、前記複数の第２凸部と前記複数の第２凹部が配置されることを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項8】
前記複数の第２凸部は、第２高点部を有し、
前記複数の第２凹部は、第２底点部を有し、
前記複数の第２凸部の前記第２高点部と前記複数の第２凹部の前記第２底点部は、凹み曲線に沿って互いに接続されることを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
前記複数の第２凹部は、第２底点部を有し、
前記複数の第２凸部の前記第２高点部と前記複数の第２凹部の前記第２底点部は、凹み曲線に沿って互いに接続されることを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項9】
互いに隣接する前記複数の第１凸部の前記第１高点部間の距離である第１間隔と、
互いに隣接する前記複数の第２凸部の前記第２高点部間の距離である第２間隔と、において、下記に示す数式１の関係が成立することを特徴とする請求項８に記載の回路基板。
互いに隣接する前記複数の第２凸部の前記第２高点部間の距離である第２間隔と、において、下記に示す数式１の関係が成立することを特徴とする請求項８に記載の回路基板。
【数1】
【請求項10】
前記第２絶縁層の前記第１部分の厚さは、前記第１パッド層の厚さより同じか、さらに薄いことを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項11】
前記キャビティは、基板の厚さ方向を基準にして、下から上に行くほど幅が広くなる部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項12】
前記第２絶縁層の前記第１部分の厚さは、２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項13】
前記第１絶縁層の下に配置される第３絶縁層と、
前記第１絶縁層の下に配置され前記第３絶縁層によって埋め込まれる第３配線層と、
前記第３絶縁層の下に配置される第３パッド層と、
前記第３絶縁層に配置され前記第３配線層と前記第３パッド層とを接続する第３ビア層と、
前記第３絶縁層の下に配置され前記第３パッド層の一部を露出する第２ソルダーレジスト層と、をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
前記第１絶縁層の下に配置され前記第３絶縁層によって埋め込まれる第３配線層と、
前記第３絶縁層の下に配置される第３パッド層と、
前記第３絶縁層に配置され前記第３配線層と前記第３パッド層とを接続する第３ビア層と、
前記第３絶縁層の下に配置され前記第３パッド層の一部を露出する第２ソルダーレジスト層と、をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項14】
回路基板の製造方法であって、
配線層が埋め込まれるように前記配線層を挟む複数の第１絶縁層を形成する段階と、
前記第１絶縁層内に配置され前記配線層の内の少なくとも一部と接続される複数のビア層を形成する段階と、
前記第１絶縁層上に前記複数のビア層の内の少なくとも一部と接続される第１導電層を形成する段階と、
前記第１導電層を埋める第２絶縁層を積層する段階と、
前記第２絶縁層の一部にキャビティを形成する段階と、を有し、
前記キャビティを形成する段階は、ＣＯ２レーザを用いることを特徴とする回路基板の製造方法。
配線層が埋め込まれるように前記配線層を挟む複数の第１絶縁層を形成する段階と、
前記第１絶縁層内に配置され前記配線層の内の少なくとも一部と接続される複数のビア層を形成する段階と、
前記第１絶縁層上に前記複数のビア層の内の少なくとも一部と接続される第１導電層を形成する段階と、
前記第１導電層を埋める第２絶縁層を積層する段階と、
前記第２絶縁層の一部にキャビティを形成する段階と、を有し、
前記キャビティを形成する段階は、ＣＯ２レーザを用いることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項15】
前記配線層が埋め込まれるように前記配線層を挟む複数の第１絶縁層を形成する段階は、
キャリア基板上に第１メッキ層を形成する段階と、
前記第１メッキ層上に前記第１絶縁層を積層する段階と、
前記第１絶縁層上に前記配線層を形成する段階と、
前記配線層が埋め込まれるように他の前記第１絶縁層を積層する段階と、
前記他の第１絶縁層上に第２メッキ層を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１４に記載の回路基板の製造方法。
キャリア基板上に第１メッキ層を形成する段階と、
前記第１メッキ層上に前記第１絶縁層を積層する段階と、
前記第１絶縁層上に前記配線層を形成する段階と、
前記配線層が埋め込まれるように他の前記第１絶縁層を積層する段階と、
前記他の第１絶縁層上に第２メッキ層を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１４に記載の回路基板の製造方法。
【請求項16】
前記第２絶縁層形成後に、
前記第２絶縁層に前記第１導電層一部と接続される第２ビア層を形成する段階と、
前記第２絶縁層上に前記第２ビア層と接続される第２パッド層を形成する段階と、
前記第２パッド層の一部と前記第２絶縁層の一部が露出されるように前記第２絶縁層の上にソルダーレジスト層を形成する段階と、をさらに有し、
前記キャビティは、前記第２絶縁層が前記ソルダーレジスト層から露出された部分に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の回路基板の製造方法。
前記第２絶縁層に前記第１導電層一部と接続される第２ビア層を形成する段階と、
前記第２絶縁層上に前記第２ビア層と接続される第２パッド層を形成する段階と、
前記第２パッド層の一部と前記第２絶縁層の一部が露出されるように前記第２絶縁層の上にソルダーレジスト層を形成する段階と、をさらに有し、
前記キャビティは、前記第２絶縁層が前記ソルダーレジスト層から露出された部分に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、回路基板及び回路基板の製造方法に関し、特に、キャビティ形成工程以外には別途の追加工程がなくても全体パッケージの信頼性及び剛性が増加できる回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
回路基板は、絶縁材に銅のような導電性材料で回路パターンを形成したものであって、携帯電話機をはじめとするＩＴ分野の電子機器が小型化されるにつれて、回路基板にキャビティを形成し、キャビティ内にＩＣ、能動素子又は受動素子などの電子部品を実装する方法が提案された。
電子部品が実装される回路基板のキャビティの深さによって電子部品中の回路基板内に実装される部分の高さも変化し得る。
電子部品が実装される回路基板のキャビティの深さによって電子部品中の回路基板内に実装される部分の高さも変化し得る。
【0003】
回路基板のキャビティの深さが深いほど電子部品の多くの部分がキャビティ内に実装可能であり、電子部品と回路基板をパッケージングした製品の全体厚さが減少できる。
しかし、回路基板にキャビティを形成する時、キャビティの深さを調節しにくく、キャビティの深さを形成するために周辺の回路パターンが損傷する可能性があるという、問題があった。
しかし、回路基板にキャビティを形成する時、キャビティの深さを調節しにくく、キャビティの深さを形成するために周辺の回路パターンが損傷する可能性があるという、問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００６－１９０９０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は上記従来の回路基板における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、キャビティ形成工程以外には別途の追加工程がなくても全体パッケージの信頼性及び剛性が増加できる回路基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するためになされた本発明による回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層に埋め込まれる第１配線層と、前記第１絶縁層に配置される第１ビア層と、前記第１絶縁層の上に配置され、前記第１絶縁層と接触する第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を含む第２絶縁層と、を有し、前記第２絶縁層の前記第２面から前記第２絶縁層の少なくとも一部にキャビティが配置され、前記第２絶縁層は、前記キャビティと重畳する部分である第１部分と、前記第１部分より厚さが厚い部分である第２部分と、を含み、前記第２絶縁層の前記第１部分は、複数の第１凸部及び複数の第１凹部を含むことを特徴とする。
【0007】
前記第２絶縁層の第１部分によって一部分露出される第１パッド層と、前記第２絶縁層の第２部分によって埋め込まれる第２配線層と、前記第２絶縁層の前記第２部分に配置され前記第２配線層と接続される第２ビア層と、前記第２絶縁層の前記第２面に配置され前記第２ビア層と接続される第２パッド層と、前記第２絶縁層の上に配置され前記第２パッド層の一部を露出する第１ソルダーレジスト層と、をさらに有することが好ましい。
前記複数の第１凸部は、第１高点部を有し、前記複数の第１凹部は、第１底点部を有し、前記複数の第１凸部の前記第１高点部と前記複数の第１凹部の前記第１底点部は、凹み曲線に沿って互いに接続されることが好ましい。
前記第２絶縁層の前記第１部分の上面全体に、前記複数の第１凸部と前記複数の第１凹部が配置されることが好ましい。
前記複数の第１凸部の前記第１高点部と前記複数の第１凹部の前記第１底点部との高さの差は、１μｍより大きく前記第１パッド層の厚さより小さいことが好ましい。
前記キャビティと接する前記第２絶縁層の前記第２部分の側面には、複数の第２凸部及び複数の第２凹部が配置されることが好ましい。
前記第２絶縁層の前記第２部分の側面全体には、前記複数の第２凸部と前記複数の第２凹部が配置されることが好ましい。
前記複数の第１凸部は、第１高点部を有し、前記複数の第１凹部は、第１底点部を有し、前記複数の第１凸部の前記第１高点部と前記複数の第１凹部の前記第１底点部は、凹み曲線に沿って互いに接続されることが好ましい。
前記第２絶縁層の前記第１部分の上面全体に、前記複数の第１凸部と前記複数の第１凹部が配置されることが好ましい。
前記複数の第１凸部の前記第１高点部と前記複数の第１凹部の前記第１底点部との高さの差は、１μｍより大きく前記第１パッド層の厚さより小さいことが好ましい。
前記キャビティと接する前記第２絶縁層の前記第２部分の側面には、複数の第２凸部及び複数の第２凹部が配置されることが好ましい。
前記第２絶縁層の前記第２部分の側面全体には、前記複数の第２凸部と前記複数の第２凹部が配置されることが好ましい。
【0008】
前記複数の第２凸部は、第２高点部を有し、前記複数の第２凹部は、第２底点部を有し、前記複数の第２凸部の前記第２高点部と前記複数の第２凹部の前記第２底点部は、凹み曲線に沿って互いに接続されることが好ましい。
互いに隣接する前記複数の第１凸部の前記第１高点部間の距離である第１間隔と、互いに隣接する前記複数の第２凸部の前記第２高点部間の距離である第２間隔と、において、下記に示す数式１の関係が成立することが好ましい。
前記第２絶縁層の前記第１部分の厚さは、前記第１パッド層の厚さより同じか、さらに薄いことが好ましい。
前記キャビティは、基板の厚さ方向を基準にして、下から上に行くほど幅が広くなる部分を含むことが好ましい。
前記第２絶縁層の前記第１部分の厚さは、２０μｍ以下であることが好ましい。
前記第１絶縁層の下に配置される第３絶縁層と、前記第１絶縁層の下に配置され前記第３絶縁層によって埋め込まれる第３配線層と、前記第３絶縁層の下に配置される第３パッド層と、前記第３絶縁層に配置され前記第３配線層と前記第３パッド層とを接続する第３ビア層と、前記第３絶縁層の下に配置され前記第３パッド層の一部を露出する第２ソルダーレジスト層と、をさらに有することが好ましい。
互いに隣接する前記複数の第１凸部の前記第１高点部間の距離である第１間隔と、互いに隣接する前記複数の第２凸部の前記第２高点部間の距離である第２間隔と、において、下記に示す数式１の関係が成立することが好ましい。
【数1】
前記キャビティは、基板の厚さ方向を基準にして、下から上に行くほど幅が広くなる部分を含むことが好ましい。
前記第２絶縁層の前記第１部分の厚さは、２０μｍ以下であることが好ましい。
前記第１絶縁層の下に配置される第３絶縁層と、前記第１絶縁層の下に配置され前記第３絶縁層によって埋め込まれる第３配線層と、前記第３絶縁層の下に配置される第３パッド層と、前記第３絶縁層に配置され前記第３配線層と前記第３パッド層とを接続する第３ビア層と、前記第３絶縁層の下に配置され前記第３パッド層の一部を露出する第２ソルダーレジスト層と、をさらに有することが好ましい。
【0009】
上記目的を達成するためになされた本発明による回路基板の製造方法は、配線層が埋め込まれるように前記配線層を挟む複数の第１絶縁層を形成する段階と、前記第１絶縁層内に配置され前記配線層の内の少なくとも一部と接続される複数のビア層を形成する段階と、前記第１絶縁層上に前記複数のビア層の内の少なくとも一部と接続される第１導電層を形成する段階と、前記第１導電層を埋める第２絶縁層を積層する段階と、前記第２絶縁層の一部にキャビティを形成する段階と、を有し、前記キャビティを形成する段階は、ＣＯ２レーザを用いることを特徴とする。
【0010】
前記配線層が埋め込まれるように前記配線層を挟む複数の第１絶縁層を形成する段階は、キャリア基板上に第１メッキ層を形成する段階と、前記第１メッキ層上に前記第１絶縁層を積層する段階と、前記第１絶縁層上に前記配線層を形成する段階と、前記配線層が埋め込まれるように他の前記第１絶縁層を積層する段階と、前記他の第１絶縁層上に第２メッキ層を形成する段階と、を含むことが好ましい。
前記第２絶縁層形成後に、前記第２絶縁層に前記第１導電層一部と接続される第２ビア層を形成する段階と、前記第２絶縁層上に前記第２ビア層と接続される第２パッド層を形成する段階と、前記第２パッド層の一部と前記第２絶縁層の一部が露出されるように前記第２絶縁層の上にソルダーレジスト層を形成する段階と、をさらに有し、前記キャビティは、前記第２絶縁層が前記ソルダーレジスト層から露出された部分に形成されることが好ましい。
前記第２絶縁層形成後に、前記第２絶縁層に前記第１導電層一部と接続される第２ビア層を形成する段階と、前記第２絶縁層上に前記第２ビア層と接続される第２パッド層を形成する段階と、前記第２パッド層の一部と前記第２絶縁層の一部が露出されるように前記第２絶縁層の上にソルダーレジスト層を形成する段階と、をさらに有し、前記キャビティは、前記第２絶縁層が前記ソルダーレジスト層から露出された部分に形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【0011】
本発明に係る回路基板及びその製造方法によれば、キャビティ形成工程以外には別途の追加工程がなくても全体パッケージの信頼性及び剛性が増加できる回路基板及びその製造方法を提供することができる。
しかし、実施形態の効果が上述の効果に限定されるのではなく、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で多様に拡張できるのが自明である。
しかし、実施形態の効果が上述の効果に限定されるのではなく、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で多様に拡張できるのが自明である。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の一実施形態による回路基板の概略構成を示す断面図である。
【図3】第２絶縁層の一部を示した断面図である。
【図7】本発明の一実施形態による回路基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図8】本発明の一実施形態による回路基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図9】本発明の一実施形態による回路基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図10】本発明の一実施形態による回路基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図11】本発明の一実施形態による回路基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図12】本発明の一実施形態による回路基板の製造方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
次に、本発明に係る回路基板及びその製造方法を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【0014】
本発明は、様々の異なる形態に実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面で本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一又は類似の構成要素については同一の参照符号を付けるようにする。
また、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のために任意に示したので、本発明が必ずしも図示されたところに限定されない。
図面において様々の層及び領域を明確に表現するために大きさ、厚さを拡大して示した。
そして図面において、説明の便宜のために、一部層及び領域の厚さを誇張して示した。
添付した図面は、本明細書に開示した実施形態を容易に理解することができるようにするためのものに過ぎず、添付された図面によって本明細書に開示した技術的思想が制限されず、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むと理解されなければならない。
図面で本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一又は類似の構成要素については同一の参照符号を付けるようにする。
また、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のために任意に示したので、本発明が必ずしも図示されたところに限定されない。
図面において様々の層及び領域を明確に表現するために大きさ、厚さを拡大して示した。
そして図面において、説明の便宜のために、一部層及び領域の厚さを誇張して示した。
添付した図面は、本明細書に開示した実施形態を容易に理解することができるようにするためのものに過ぎず、添付された図面によって本明細書に開示した技術的思想が制限されず、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むと理解されなければならない。
【0015】
第１、第２などのように序数を含む用語は多様な構成要素を説明するのに使用することができるが、前記構成要素は前記用語によって限定されない。
前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみで使用される。
また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分“の上に”または“上に”あるという時、これは他の部分“の直上に”ある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。 逆に、ある部分が他の部分“の直上に”あるという時には中間に他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分“の上に”又は“上に”あるというのは基準となる部分の上又は下に位置することであり、必ずしも重力反対方向に向かって“の上に”又は“上に”位置することを意味するのではない。
前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみで使用される。
また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分“の上に”または“上に”あるという時、これは他の部分“の直上に”ある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。 逆に、ある部分が他の部分“の直上に”あるという時には中間に他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分“の上に”又は“上に”あるというのは基準となる部分の上又は下に位置することであり、必ずしも重力反対方向に向かって“の上に”又は“上に”位置することを意味するのではない。
【0016】
明細書全体で、“含む”又は“有する”などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであり、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないものと理解されなければならない。
したがって、ある部分がある構成要素を“含む”という時、これは特に反対になる記載がない限り他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに含むことができるのを意味する。
また、明細書全体で、“平面上”という時、これは対象部分を上から見た時を意味し、“断面上”という時、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。
また、明細書全体で、“接続される”という時、これは二つ以上の構成要素が直接的に接続されることのみを意味するのではなく、二つ以上の構成要素が他の構成要素を通じて間接的に接続されること、物理的に接続されることだけでなく電気的に接続されること、又は位置や機能によって異なる名称で称されたが、一体であるのを意味する。
明細書全体で、基板は平面上に広く断面上に薄い構造を有し、‘基板の平面方向’は基板の広くて平らな面に平行な方向であり、‘基板の厚さ方向’は基板の広くて平らな面に垂直な方向を意味する。
したがって、ある部分がある構成要素を“含む”という時、これは特に反対になる記載がない限り他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに含むことができるのを意味する。
また、明細書全体で、“平面上”という時、これは対象部分を上から見た時を意味し、“断面上”という時、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。
また、明細書全体で、“接続される”という時、これは二つ以上の構成要素が直接的に接続されることのみを意味するのではなく、二つ以上の構成要素が他の構成要素を通じて間接的に接続されること、物理的に接続されることだけでなく電気的に接続されること、又は位置や機能によって異なる名称で称されたが、一体であるのを意味する。
明細書全体で、基板は平面上に広く断面上に薄い構造を有し、‘基板の平面方向’は基板の広くて平らな面に平行な方向であり、‘基板の厚さ方向’は基板の広くて平らな面に垂直な方向を意味する。
【0017】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態と変形例を詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態による回路基板の概略構成を示す断面図であり、図２は、図１のＡ部分を拡大した断面図である。
以下で記述する平面方向ＤＲＷは、第１絶縁層ＩＬ１の表面と平行な方向を意味し、高さ方向ＤＲＨは、第１絶縁層ＩＬ１の表面と垂直を成す方向を意味する。
図１は、本発明の一実施形態による回路基板の概略構成を示す断面図であり、図２は、図１のＡ部分を拡大した断面図である。
以下で記述する平面方向ＤＲＷは、第１絶縁層ＩＬ１の表面と平行な方向を意味し、高さ方向ＤＲＨは、第１絶縁層ＩＬ１の表面と垂直を成す方向を意味する。
【0018】
図１及び図２を参照すると、本発明の実施形態による回路基板１０００は、複数の絶縁層ＩＬ、複数の絶縁層ＩＬ内に埋め込まれた複数の配線層ＭＬ、複数の絶縁層ＩＬ内に位置する複数のビア層ＭＶ、複数のパッド層ＨＬ、複数のソルダーレジスト層ＳＬ、キャビティＣＶを含む。
絶縁層ＩＬは、第１絶縁層ＩＬ１、第１絶縁層ＩＬ１の上に配置される第２絶縁層ＩＬ２、第１絶縁層ＩＬ１の下に配置される第３絶縁層ＩＬ３を含む。
複数の配線層（ＭＬ（ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３））は、第１絶縁層ＩＬ１に埋め込まれた第１配線層ＭＬ１、第２絶縁層ＩＬ２に配置される第２配線層ＭＬ２、第３絶縁層ＩＬ３に配置される第３配線層ＭＬ３を含む。
複数の配線層ＭＬは、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの導電性物質を含み得る。
絶縁層ＩＬは、第１絶縁層ＩＬ１、第１絶縁層ＩＬ１の上に配置される第２絶縁層ＩＬ２、第１絶縁層ＩＬ１の下に配置される第３絶縁層ＩＬ３を含む。
複数の配線層（ＭＬ（ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３））は、第１絶縁層ＩＬ１に埋め込まれた第１配線層ＭＬ１、第２絶縁層ＩＬ２に配置される第２配線層ＭＬ２、第３絶縁層ＩＬ３に配置される第３配線層ＭＬ３を含む。
複数の配線層ＭＬは、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの導電性物質を含み得る。
【0019】
複数のビア層（ＭＶ（ＭＶ１、ＭＶ２、ＭＶ３））は、第１絶縁層ＩＬ１に配置される第１ビア層ＭＶ１、第２絶縁層ＩＬ２内に配置される第２ビア層ＭＶ２、そして第３絶縁層ＩＬ３内に配置される第３ビア層ＭＶ３を含む。
複数のビア層ＭＶは、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの導電性物質を含み得る。
複数のパッド層（ＨＬ（ＨＬ１、ＨＬ２、ＨＬ３））は、第２絶縁層ＩＬ２に配置される第１パッド層ＨＬ１、第２絶縁層ＩＬ２の上に配置される第２パッド層ＨＬ２、そして第３絶縁層ＩＬ３の下に配置される第３パッド層ＨＬ３を含む。
複数のパッド層ＨＬは、外部配線と接続され、回路基板の電気的信号を外部電子部品（図示せず）と取り交わす。
複数のパッド層ＨＬは、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などの導電性物質を含み得る。
複数のビア層ＭＶは、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの導電性物質を含み得る。
複数のパッド層（ＨＬ（ＨＬ１、ＨＬ２、ＨＬ３））は、第２絶縁層ＩＬ２に配置される第１パッド層ＨＬ１、第２絶縁層ＩＬ２の上に配置される第２パッド層ＨＬ２、そして第３絶縁層ＩＬ３の下に配置される第３パッド層ＨＬ３を含む。
複数のパッド層ＨＬは、外部配線と接続され、回路基板の電気的信号を外部電子部品（図示せず）と取り交わす。
複数のパッド層ＨＬは、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などの導電性物質を含み得る。
【0020】
第１絶縁層ＩＬ１は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のような熱可塑性樹脂、又はこれらにガラス繊維又は無機フィラーのような補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグが使用でき、また熱硬化性樹脂及び／又は光硬化性樹脂などを含み得るが、これに限定されない。
第１絶縁層ＩＬ１は、ガラス繊維を含む。
第１絶縁層ＩＬ１は、製造過程で複数の絶縁層が積層されたものであり得る。
第１配線層ＭＬ１は、第１絶縁層ＩＬ１によって埋め込まれる。
第１配線層ＭＬ１は、複層構造の配線層として形成される。
実施形態では４つの層の第１配線層（ＭＬ１（ＭＬ１ａ、ＭＬ１ｂ、ＭＬ１ｃ、ＭＬ１ｄ））が図に示しているが、これに限定されるのではなく、多様な層数の第１配線層ＭＬ１が形成され得る。
第１絶縁層ＩＬ１は、ガラス繊維を含む。
第１絶縁層ＩＬ１は、製造過程で複数の絶縁層が積層されたものであり得る。
第１配線層ＭＬ１は、第１絶縁層ＩＬ１によって埋め込まれる。
第１配線層ＭＬ１は、複層構造の配線層として形成される。
実施形態では４つの層の第１配線層（ＭＬ１（ＭＬ１ａ、ＭＬ１ｂ、ＭＬ１ｃ、ＭＬ１ｄ））が図に示しているが、これに限定されるのではなく、多様な層数の第１配線層ＭＬ１が形成され得る。
【0021】
第１ビア層ＭＶ１は、第１絶縁層ＩＬ１内に配置され第１配線層ＭＬ１と接続される。
第１ビア層ＭＶ１は、多層として形成される。
第１ビア層ＭＶ１の内の最外層は、第２配線層ＭＬ２と第３配線層ＭＬ３に接続される。
また、第１パッド層ＨＬ１とも接続される。
実施形態では５つの層の第１ビア層ＭＶ１が図に示しているが、これに限定されるのではなく、多様な層数の第１ビア層ＭＶ１が形成され得る。
第２絶縁層ＩＬ２は、第１絶縁層ＩＬ１の上に配置される。
第２絶縁層ＩＬ２は、第１絶縁層ＩＬ１と接触する第１面ＬＳ１、第１面ＬＳ１と対向する第２面ＬＳ２を有する。
第１ビア層ＭＶ１は、多層として形成される。
第１ビア層ＭＶ１の内の最外層は、第２配線層ＭＬ２と第３配線層ＭＬ３に接続される。
また、第１パッド層ＨＬ１とも接続される。
実施形態では５つの層の第１ビア層ＭＶ１が図に示しているが、これに限定されるのではなく、多様な層数の第１ビア層ＭＶ１が形成され得る。
第２絶縁層ＩＬ２は、第１絶縁層ＩＬ１の上に配置される。
第２絶縁層ＩＬ２は、第１絶縁層ＩＬ１と接触する第１面ＬＳ１、第１面ＬＳ１と対向する第２面ＬＳ２を有する。
【0022】
第２絶縁層ＩＬ２の材料としては絶縁物質が使用される。
第２絶縁層ＩＬ２の材料として使用される絶縁物質は、有機レジンと無機フィラーを含む。
そして、絶縁物質は、ガラス繊維を含まなくてもよい。
一例として、有機レジンは、エポキシ、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの内の少なくとも一つを含み得る。
また一例として、無機フィラーは、ユークリプタイト（ＬｉＡｌＳｉＯ４）、等方性（Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）ジルコニウムバナデート（ＺｒＶ２Ｏ７）、及び等方性（Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）ジルコニウムタングステート（ＺｒＷ２Ｏ８）からなるグループより選択された１種以上であり得るが、これに限定されるのではない。
第２絶縁層ＩＬ２の材料として使用される絶縁物質は、熱硬化性及び／又は光硬化性であり得るが、これに限定されない。
第２絶縁層ＩＬ２の材料として使用される絶縁物質は、有機レジンと無機フィラーを含む。
そして、絶縁物質は、ガラス繊維を含まなくてもよい。
一例として、有機レジンは、エポキシ、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの内の少なくとも一つを含み得る。
また一例として、無機フィラーは、ユークリプタイト（ＬｉＡｌＳｉＯ４）、等方性（Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）ジルコニウムバナデート（ＺｒＶ２Ｏ７）、及び等方性（Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）ジルコニウムタングステート（ＺｒＷ２Ｏ８）からなるグループより選択された１種以上であり得るが、これに限定されるのではない。
第２絶縁層ＩＬ２の材料として使用される絶縁物質は、熱硬化性及び／又は光硬化性であり得るが、これに限定されない。
【0023】
キャビティＣＶは、第２絶縁層ＩＬ２の一部に配置される。
具体的には、キャビティＣＶは、第２絶縁層ＩＬ２の第２面ＬＳ２から下側に延長される。
また、キャビティＣＶは、第２絶縁層ＩＬ２を貫通しないように形成される。
第２絶縁層ＩＬ２は、第１部分ＬＰ１と第２部分ＬＰ２を含む。
第１部分ＬＰ１は、キャビティＣＶと重畳する。
即ち、第１部分ＬＰ１は、キャビティＣＶの下に配置される。
第２部分ＬＰ２は、第１部分ＬＰ１とキャビティＣＶの側面に配置される。
第２部分ＬＰ２は、第１部分ＬＰ１より厚さが厚い部分である。
したがって、第１部分ＬＰ１の厚さＤ２は、第２部分ＬＰ２の厚さＤ１より小さい。
第１部分ＬＰ１の厚さＤ２は、２０μｍ以下である。
具体的には、キャビティＣＶは、第２絶縁層ＩＬ２の第２面ＬＳ２から下側に延長される。
また、キャビティＣＶは、第２絶縁層ＩＬ２を貫通しないように形成される。
第２絶縁層ＩＬ２は、第１部分ＬＰ１と第２部分ＬＰ２を含む。
第１部分ＬＰ１は、キャビティＣＶと重畳する。
即ち、第１部分ＬＰ１は、キャビティＣＶの下に配置される。
第２部分ＬＰ２は、第１部分ＬＰ１とキャビティＣＶの側面に配置される。
第２部分ＬＰ２は、第１部分ＬＰ１より厚さが厚い部分である。
したがって、第１部分ＬＰ１の厚さＤ２は、第２部分ＬＰ２の厚さＤ１より小さい。
第１部分ＬＰ１の厚さＤ２は、２０μｍ以下である。
【0024】
以下で記述する第３面ＬＳ３は、キャビティＣＶと重畳する第２絶縁層ＩＬ２の第１部分ＬＰ１の上面を意味する。
即ち、第３面ＬＳ３は、第１部分ＬＰ１において、第１面ＬＳ１に対向する面である。
キャビティＣＶは、上部分が下部分よりさらに広い構造を有する。
即ち、キャビティＣＶは、第２絶縁層ＩＬ２の第２面ＬＳ２と平行な部分が第３面ＬＳ３と重畳する部分よりさらに広い。
キャビティＣＶは、基板の厚さ方向ＤＲＨを基準にして下から上に行くほど漸進的に幅が広くなる部分を有する。
実施形態ではキャビティＣＶが下から上に行くほど連続的に次第に広くなるものとして図に示したが、これに限定されず、第２絶縁層ＩＬ２の第２部分ＬＰ２の側壁が一部突出した部分を含むこともできる。
これにより、キャビティＣＶは、下側より上側の幅がさらに狭い部分を一部含む。
即ち、第３面ＬＳ３は、第１部分ＬＰ１において、第１面ＬＳ１に対向する面である。
キャビティＣＶは、上部分が下部分よりさらに広い構造を有する。
即ち、キャビティＣＶは、第２絶縁層ＩＬ２の第２面ＬＳ２と平行な部分が第３面ＬＳ３と重畳する部分よりさらに広い。
キャビティＣＶは、基板の厚さ方向ＤＲＨを基準にして下から上に行くほど漸進的に幅が広くなる部分を有する。
実施形態ではキャビティＣＶが下から上に行くほど連続的に次第に広くなるものとして図に示したが、これに限定されず、第２絶縁層ＩＬ２の第２部分ＬＰ２の側壁が一部突出した部分を含むこともできる。
これにより、キャビティＣＶは、下側より上側の幅がさらに狭い部分を一部含む。
【0025】
第１パッド層ＨＬ１は、第１絶縁層ＩＬ１の上に配置される。
第１パッド層ＨＬ１は、第２絶縁層ＩＬ２の第１部分ＬＰ１によって一部分埋め込まれ、一部分露出される。
一例として、第１パッド層ＨＬ１は、第２絶縁層ＩＬ２の第１部分ＬＰ１によって表面が露出される。
また、第１パッド層ＨＬ１は、その側面中の一部も露出される。
したがって、第１部分ＬＰ１の厚さＤ２は、第１パッド層ＨＬ１の厚さＤ３と同じか、これよりさらに薄い。
第２パッド層ＨＬ２は、第２絶縁層ＩＬ２の第２部分ＬＰ２の上に配置される。
即ち、第２パッド層ＨＬ２は、第２絶縁層ＩＬ２の第２面ＬＳ２上に配置される。
第１パッド層ＨＬ１は、第２絶縁層ＩＬ２の第１部分ＬＰ１によって一部分埋め込まれ、一部分露出される。
一例として、第１パッド層ＨＬ１は、第２絶縁層ＩＬ２の第１部分ＬＰ１によって表面が露出される。
また、第１パッド層ＨＬ１は、その側面中の一部も露出される。
したがって、第１部分ＬＰ１の厚さＤ２は、第１パッド層ＨＬ１の厚さＤ３と同じか、これよりさらに薄い。
第２パッド層ＨＬ２は、第２絶縁層ＩＬ２の第２部分ＬＰ２の上に配置される。
即ち、第２パッド層ＨＬ２は、第２絶縁層ＩＬ２の第２面ＬＳ２上に配置される。
【0026】
第２配線層ＭＬ２は、第１絶縁層ＩＬ１上に配置される。
第２配線層ＭＬ２は、第２絶縁層ＩＬ２の第２部分ＬＰ２によって埋め込まれる。
第２ビア層ＭＶ２は、第２絶縁層ＩＬ２に配置される。
第２ビア層ＭＶ２は、第２絶縁層ＩＬ２の第２部分ＬＰ２を貫通して第２配線層ＭＬ２と第２パッド層ＨＬ２を接続する。
第２配線層ＭＬ２は、第２絶縁層ＩＬ２の第２部分ＬＰ２によって埋め込まれる。
第２ビア層ＭＶ２は、第２絶縁層ＩＬ２に配置される。
第２ビア層ＭＶ２は、第２絶縁層ＩＬ２の第２部分ＬＰ２を貫通して第２配線層ＭＬ２と第２パッド層ＨＬ２を接続する。
【0027】
第３絶縁層ＩＬ３が第１絶縁層ＩＬ１の下に配置される。
第３絶縁層ＩＬ３は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のような熱可塑性樹脂、又はこれらにガラス繊維又は無機フィラーのような補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグが使用でき、また、熱硬化性樹脂及び／又は光硬化性樹脂などを含み得るが、これに限定されない。
第３絶縁層ＩＬ３は、ガラス繊維を含み得る。
第３絶縁層ＩＬ３は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のような熱可塑性樹脂、又はこれらにガラス繊維又は無機フィラーのような補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグが使用でき、また、熱硬化性樹脂及び／又は光硬化性樹脂などを含み得るが、これに限定されない。
第３絶縁層ＩＬ３は、ガラス繊維を含み得る。
【0028】
他の例として、第３絶縁層ＩＬ３は、材料として、有機レジンと無機フィラーを含む。
そして、第３絶縁層ＩＬ３の材料である絶縁物質は、ガラス繊維を含まなくてもよい。
一例として、有機レジンは、エポキシ、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの内の少なくとも一つを含み得る。
また一例として、無機フィラーは、ユークリプタイト（ＬｉＡｌＳｉＯ４）、等方性（Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）ジルコニウムバナデート（ＺｒＶ２Ｏ７）、及び等方性（Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）ジルコニウムタングステート（ＺｒＷ２Ｏ８）からなるグループより選択された１種以上であり得るが、これに限定されるのではない。
第３絶縁層ＩＬ３の材料として使用される絶縁物質は、熱硬化性及び／又は光硬化性であり得るが、これに限定されない。
そして、第３絶縁層ＩＬ３の材料である絶縁物質は、ガラス繊維を含まなくてもよい。
一例として、有機レジンは、エポキシ、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの内の少なくとも一つを含み得る。
また一例として、無機フィラーは、ユークリプタイト（ＬｉＡｌＳｉＯ４）、等方性（Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）ジルコニウムバナデート（ＺｒＶ２Ｏ７）、及び等方性（Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）ジルコニウムタングステート（ＺｒＷ２Ｏ８）からなるグループより選択された１種以上であり得るが、これに限定されるのではない。
第３絶縁層ＩＬ３の材料として使用される絶縁物質は、熱硬化性及び／又は光硬化性であり得るが、これに限定されない。
【0029】
第３絶縁層ＩＬ３の一部に第１キャビティＣＶ１が形成される。
第３配線層ＭＬ３が第１絶縁層ＩＬ１の下に配置される。
第３配線層ＭＬ３は、第３絶縁層ＩＬ３によって埋め込まれる。
第３パッド層ＨＬ３が第３絶縁層ＩＬ３の下に配置される。
第３ビア層ＭＶ３が第３絶縁層ＩＬ３に配置される。
第３ビア層ＭＶ３は、第３絶縁層ＩＬ３を貫通して第３配線層ＭＬ３と第３パッド層ＨＬ３を接続する。
ソルダーレジスト層ＳＬは、第２絶縁層ＩＬ２の上に配置され、第２パッド層ＨＬ２の一部を露出する第１ソルダーレジスト層ＳＬａと、第３絶縁層ＩＬ３の下に配置され、第３パッド層ＨＬ３の一部を露出する第２ソルダーレジスト層ＳＬｂとを含む。
第３配線層ＭＬ３が第１絶縁層ＩＬ１の下に配置される。
第３配線層ＭＬ３は、第３絶縁層ＩＬ３によって埋め込まれる。
第３パッド層ＨＬ３が第３絶縁層ＩＬ３の下に配置される。
第３ビア層ＭＶ３が第３絶縁層ＩＬ３に配置される。
第３ビア層ＭＶ３は、第３絶縁層ＩＬ３を貫通して第３配線層ＭＬ３と第３パッド層ＨＬ３を接続する。
ソルダーレジスト層ＳＬは、第２絶縁層ＩＬ２の上に配置され、第２パッド層ＨＬ２の一部を露出する第１ソルダーレジスト層ＳＬａと、第３絶縁層ＩＬ３の下に配置され、第３パッド層ＨＬ３の一部を露出する第２ソルダーレジスト層ＳＬｂとを含む。
【0030】
以下では、図３～図６を参照して、キャビティＣＶが配置される第２絶縁層ＩＬ２について詳しく説明する。
図３は、第２絶縁層ＩＬ２の一部を示した断面図であり、図４は、図３のＢ部分を拡大した断面図であり、図５は、図３で示した部分の平面図であり、図６は、図５のＣ部分を拡大した平面図である。
図３及び図４を参照すると、第２絶縁層ＩＬ２の第１部分ＬＰ１は、第１凸部ＶＸ１と第１凹部ＣＣ１を含む。
図３は、第２絶縁層ＩＬ２の一部を示した断面図であり、図４は、図３のＢ部分を拡大した断面図であり、図５は、図３で示した部分の平面図であり、図６は、図５のＣ部分を拡大した平面図である。
図３及び図４を参照すると、第２絶縁層ＩＬ２の第１部分ＬＰ１は、第１凸部ＶＸ１と第１凹部ＣＣ１を含む。
【0031】
第２絶縁層ＩＬ２の第１部分ＬＰ１に形成される凸部ＶＸ１と第１凹部ＣＣ１は、複数個である。
第１凸部ＶＸ１は、第３面ＬＳ３の平均高さＭＨより高い。
第１凹部ＣＣ１は、第３面ＬＳ３の平均高さＭＨより低い。
第１凸部ＶＸ１は、第１高点部ＶＰ１を有し、第１凹部ＣＣ１は、第１底点部ＣＰ１を有する。
第１高点部ＶＰ１は、周辺より高い部分である。
第１底点部ＣＰ１は、周辺より低い部分である。
第１凸部ＶＸ１は、第３面ＬＳ３の平均高さＭＨより高い。
第１凹部ＣＣ１は、第３面ＬＳ３の平均高さＭＨより低い。
第１凸部ＶＸ１は、第１高点部ＶＰ１を有し、第１凹部ＣＣ１は、第１底点部ＣＰ１を有する。
第１高点部ＶＰ１は、周辺より高い部分である。
第１底点部ＣＰ１は、周辺より低い部分である。
【0032】
第１高点部ＶＰ１と第１底点部ＣＰ１は、凹み曲線に沿って互いに接続される。
即ち、第１凸部ＶＸ１と第１凹部ＣＣ１は、波形をなしながら互いに接続される。
第２絶縁層の第１部分ＬＰ１の第３面ＬＳ３全体に、複数の第１凸部ＶＸ１と複数の第１凹部ＣＣ１が配置される。
即ち、第１凸部ＶＸ１と第１凹部ＣＣ１は、第３面ＬＳ３全体に反復的なパターンをなしながら形成される。
第１凸部ＶＸ１の第１高点部ＶＰ１と第１凹部ＣＣ１の第１底点部ＣＰ１との高さの差ＤＨ１は、１μｍより大きく、第１パッド層ＨＬ１の厚さより小さい。
即ち、第１凸部ＶＸ１と第１凹部ＣＣ１は、波形をなしながら互いに接続される。
第２絶縁層の第１部分ＬＰ１の第３面ＬＳ３全体に、複数の第１凸部ＶＸ１と複数の第１凹部ＣＣ１が配置される。
即ち、第１凸部ＶＸ１と第１凹部ＣＣ１は、第３面ＬＳ３全体に反復的なパターンをなしながら形成される。
第１凸部ＶＸ１の第１高点部ＶＰ１と第１凹部ＣＣ１の第１底点部ＣＰ１との高さの差ＤＨ１は、１μｍより大きく、第１パッド層ＨＬ１の厚さより小さい。
【0033】
図５及び図６を参照すると、第２絶縁層ＩＬ２の第２部分ＬＰ２の側面には第２凸部ＶＸ２及び第２凹部ＣＣ２が形成される。
第２絶縁層ＩＬ２の第２部分ＬＰ２の側面に形成される第２凸部ＶＸ２及び第２凹部ＣＣ２は、複数個である。
第２凸部ＶＸ２は、回路基板１０００の同一高さを基準にして第２部分ＬＰ２の側面の平均線ＭＷよりキャビティＣＶ方向に突出される。
第２凹部ＣＣ２は、第２部分ＬＰ２の側面の平均線ＭＷよりキャビティＣＶの反対方向に陥没している。
第２凸部ＶＸ２は、第２高点部ＶＰ２を有し、第２凹部ＣＣ２は、第２底点部ＣＰ２を有する。
第２高点部ＶＰ２は、周辺よりキャビティＣＶ方向にさらに突出している。
第２底点部ＣＰ２は、周辺よりキャビティＣＶの反対方向にさらに陥没している。
第２絶縁層ＩＬ２の第２部分ＬＰ２の側面に形成される第２凸部ＶＸ２及び第２凹部ＣＣ２は、複数個である。
第２凸部ＶＸ２は、回路基板１０００の同一高さを基準にして第２部分ＬＰ２の側面の平均線ＭＷよりキャビティＣＶ方向に突出される。
第２凹部ＣＣ２は、第２部分ＬＰ２の側面の平均線ＭＷよりキャビティＣＶの反対方向に陥没している。
第２凸部ＶＸ２は、第２高点部ＶＰ２を有し、第２凹部ＣＣ２は、第２底点部ＣＰ２を有する。
第２高点部ＶＰ２は、周辺よりキャビティＣＶ方向にさらに突出している。
第２底点部ＣＰ２は、周辺よりキャビティＣＶの反対方向にさらに陥没している。
【0034】
第２高点部ＶＰ２と第２底点部ＣＰ２は、凹み曲線に沿って互いに接続される。
即ち、第２凸部ＶＸ２と第２凹部ＣＣ２は、波形をなしながら互いに接続される。
第２絶縁層ＩＬ２の第２部分ＬＰ２の側面全体に複数の第２凸部ＶＸ２と複数の第２凹部ＣＣ２が配置される。
即ち、第２部分ＬＰ２の側面全体に第１凸部ＶＸ１と第１凹部ＣＣ１が波形の反復的なパターンをなしながら形成される。
第２絶縁層ＩＬ２の第１部分ＬＰ１の第３面ＬＳ３に形成された波形の大きさと第２部分ＬＰ２の側面に形成された波形の大きさは差が小さい。
即ち、互いに隣接する第１凸部ＶＸ１の第１高点ＶＰ１間の距離である第１間隔ＤＷ１と、互いに隣接する第２凸部ＶＸ２の第２高点ＶＰ２間の距離ＰＴである第２間隔ＤＷ２の差が小さい。
即ち、第２凸部ＶＸ２と第２凹部ＣＣ２は、波形をなしながら互いに接続される。
第２絶縁層ＩＬ２の第２部分ＬＰ２の側面全体に複数の第２凸部ＶＸ２と複数の第２凹部ＣＣ２が配置される。
即ち、第２部分ＬＰ２の側面全体に第１凸部ＶＸ１と第１凹部ＣＣ１が波形の反復的なパターンをなしながら形成される。
第２絶縁層ＩＬ２の第１部分ＬＰ１の第３面ＬＳ３に形成された波形の大きさと第２部分ＬＰ２の側面に形成された波形の大きさは差が小さい。
即ち、互いに隣接する第１凸部ＶＸ１の第１高点ＶＰ１間の距離である第１間隔ＤＷ１と、互いに隣接する第２凸部ＶＸ２の第２高点ＶＰ２間の距離ＰＴである第２間隔ＤＷ２の差が小さい。
【0035】
具体的に、第１間隔ＤＷ１の平均と第２間隔ＤＷ２の平均との差は、第１間隔ＤＷ１の平均と第２間隔ＤＷ２の平均との内の大きい値の１０％以下である。
即ち、下記に示す数式１の関係が成立する。
即ち、下記に示す数式１の関係が成立する。
【数1】
【0036】
以下では、図１～図６と共に図７～図１２を参照して、本発明の一実施形態による回路基板の製造方法について説明する。
図７～図１２は、本発明の一実施形態による回路基板の製造方法を説明するための断面図である。
図７～図１２は、本発明の一実施形態による回路基板の製造方法を説明するための断面図である。
【0037】
図７を参照すると、キャリア基板ＢＳの両側に第１配線層（ＭＬ１ａ（ＭＬ１））を挟む複数の第１絶縁層（ＩＬ１ａ、ＩＬ１ｂ（ＩＬ１））を形成する。
キャリア基板ＢＳは、コア部ＣＳと、コア部ＣＳの両側に積層された薄膜金属層ＭＳを含む。
一例として、キャリア基板ＢＳの薄膜金属層ＭＳ上に第１メッキ層ＰＬ１を形成し、第１メッキ層ＰＬ１上に第１絶縁層ＩＬ１ａを積層し、積層された第１絶縁層ＩＬ１ａ上に第１配線層ＭＬ１ａを形成し、第１配線層ＭＬ１ａが埋め込まれるように他の第１絶縁層ＩＬ１ｂを積層し、他の第１絶縁層ＩＬ１ｂ上に第２メッキ層ＰＬ２を形成する。
キャリア基板ＢＳは、コア部ＣＳと、コア部ＣＳの両側に積層された薄膜金属層ＭＳを含む。
一例として、キャリア基板ＢＳの薄膜金属層ＭＳ上に第１メッキ層ＰＬ１を形成し、第１メッキ層ＰＬ１上に第１絶縁層ＩＬ１ａを積層し、積層された第１絶縁層ＩＬ１ａ上に第１配線層ＭＬ１ａを形成し、第１配線層ＭＬ１ａが埋め込まれるように他の第１絶縁層ＩＬ１ｂを積層し、他の第１絶縁層ＩＬ１ｂ上に第２メッキ層ＰＬ２を形成する。
【0038】
その次に、図８に示しているように、キャリア基板ＢＳの両側から積層された第１配線層（ＭＬ１ａ（ＭＬ１））を挟む複数の第１絶縁層（ＩＬ１ａ、ＩＬ１ｂ（ＩＬ１））を剥離する。
この時、第１メッキ層ＰＬ１及び第２メッキ層ＰＬ２も共に剥離する。
以下では、上記のようにキャリア基板ＢＳの両側から剥離された両部分の内の一つの部分について説明する。
この時、第１メッキ層ＰＬ１及び第２メッキ層ＰＬ２も共に剥離する。
以下では、上記のようにキャリア基板ＢＳの両側から剥離された両部分の内の一つの部分について説明する。
【0039】
図９と図１０を参照すると、第１配線層ＭＬ１ａの少なくとも一部と接続されるように第１配線層ＭＬ１ａのいずれか一側又は両側に第１ビア層（ＭＶ１ａ、ＭＶ１ｂ（ＭＶ１））を形成する。
複数の第１絶縁層（ＩＬ１ａ、ＩＬ１ｂ）のいずれか一面又は両面上に第１配線層（ＭＬ１ｃ（ＭＬ１））を追加形成して他の第１絶縁層ＩＬ１ｃで埋め、第１配線層ＭＬ１ｃと接続される第１ビア層（ＭＶ１ｄ（ＭＶ１））を形成する。
図１０に示しているように、すでに形成された第１絶縁層ＩＬ１ｃ上に再び第１配線層（ＭＬ１ｅ（ＭＶ１））を形成して、また他の第１絶縁層（ＩＬ１ｄ（ＩＬ１））で埋め第１ビア層（ＭＶ１ｆ（ＭＶ１））を追加形成する工程を繰り返す。
複数の第１絶縁層（ＩＬ１ａ、ＩＬ１ｂ）のいずれか一面又は両面上に第１配線層（ＭＬ１ｃ（ＭＬ１））を追加形成して他の第１絶縁層ＩＬ１ｃで埋め、第１配線層ＭＬ１ｃと接続される第１ビア層（ＭＶ１ｄ（ＭＶ１））を形成する。
図１０に示しているように、すでに形成された第１絶縁層ＩＬ１ｃ上に再び第１配線層（ＭＬ１ｅ（ＭＶ１））を形成して、また他の第１絶縁層（ＩＬ１ｄ（ＩＬ１））で埋め第１ビア層（ＭＶ１ｆ（ＭＶ１））を追加形成する工程を繰り返す。
【0040】
その次に、第１絶縁層ＩＬ１の上に第１導電層ＥＣ１を形成し、第１導電層ＥＣ１を第２絶縁層ＩＬ２で埋める。
第１導電層ＥＣ１は、第１パッド層ＨＬ１と第２配線層ＭＬ２を形成する。
第２絶縁層ＩＬ２は、有機レジンと無機フィラーを含む。
また、第２絶縁層ＩＬ２は、ガラス繊維を含まない素材から形成される。
第２絶縁層ＩＬ２内に第２ビア層ＭＶ２を形成し、第２絶縁層ＩＬ２上に第２パッド層ＨＬ２を形成する。
また、第１絶縁層ＩＬ１の下に第３配線層ＭＬ３を形成し、第３配線層ＭＬ３を第３絶縁層ＩＬ３で埋める。
第３絶縁層ＩＬ３内に第３ビア層ＭＶ３を形成し、第３絶縁層ＩＬ３の下に第３パッド層ＨＬ３を形成する。
第１導電層ＥＣ１は、第１パッド層ＨＬ１と第２配線層ＭＬ２を形成する。
第２絶縁層ＩＬ２は、有機レジンと無機フィラーを含む。
また、第２絶縁層ＩＬ２は、ガラス繊維を含まない素材から形成される。
第２絶縁層ＩＬ２内に第２ビア層ＭＶ２を形成し、第２絶縁層ＩＬ２上に第２パッド層ＨＬ２を形成する。
また、第１絶縁層ＩＬ１の下に第３配線層ＭＬ３を形成し、第３配線層ＭＬ３を第３絶縁層ＩＬ３で埋める。
第３絶縁層ＩＬ３内に第３ビア層ＭＶ３を形成し、第３絶縁層ＩＬ３の下に第３パッド層ＨＬ３を形成する。
【0041】
図１１を参照すると、第２絶縁層ＩＬ２の上に第２パッド層ＨＬ２の一部を露出する第１ソルダーレジスト層ＳＬａを形成する。
第１ソルダーレジスト層ＳＬａをエッチングして開口部ＯＨを形成する。
開口部ＯＨによって第２絶縁層ＩＬ２の一部が露出される。
第１絶縁層ＩＬ１の下に第３配線層ＭＬ３を形成し、第３配線層ＭＬ３を第３絶縁層ＩＬ３で埋める。
第３絶縁層ＩＬ３の下に第３パッド層ＨＬ３の一部を露出する第２ソルダーレジスト層ＳＬｂを形成する。
第１ソルダーレジスト層ＳＬａをエッチングして開口部ＯＨを形成する。
開口部ＯＨによって第２絶縁層ＩＬ２の一部が露出される。
第１絶縁層ＩＬ１の下に第３配線層ＭＬ３を形成し、第３配線層ＭＬ３を第３絶縁層ＩＬ３で埋める。
第３絶縁層ＩＬ３の下に第３パッド層ＨＬ３の一部を露出する第２ソルダーレジスト層ＳＬｂを形成する。
【0042】
図１２を参照すると、開口部ＯＨによって露出された第２絶縁層ＩＬ２にキャビティＣＶを形成する。
キャビティＣＶを形成するには、ＣＯ２レーザを用いることができる。
キャビティＣＶが形成されると、第２絶縁層ＩＬ２の第３面ＬＳ３と第２部分ＬＰ２の側面には波形の反復的なパターンが形成され、第３面ＬＳ３に第１伝導層ＥＣ１の一部が露出されて第１パッド層ＨＬ１になる。
第２部分ＬＰ２によって埋め込まれた第１伝導層ＥＣ１は、第２配線層ＭＬ２になる。
図１を参照すると、第２ソルダーレジスト層ＳＬｂをエッチングして第１開口部ＯＨ１を形成する。
その次に、第１開口部ＯＨ１によって露出された第３絶縁層ＩＬ３に第１キャビティＣＶ１を形成する。
キャビティＣＶを形成するには、ＣＯ２レーザを用いることができる。
キャビティＣＶが形成されると、第２絶縁層ＩＬ２の第３面ＬＳ３と第２部分ＬＰ２の側面には波形の反復的なパターンが形成され、第３面ＬＳ３に第１伝導層ＥＣ１の一部が露出されて第１パッド層ＨＬ１になる。
第２部分ＬＰ２によって埋め込まれた第１伝導層ＥＣ１は、第２配線層ＭＬ２になる。
図１を参照すると、第２ソルダーレジスト層ＳＬｂをエッチングして第１開口部ＯＨ１を形成する。
その次に、第１開口部ＯＨ１によって露出された第３絶縁層ＩＬ３に第１キャビティＣＶ１を形成する。
【0043】
本発明の実施形態による回路基板及びその製造方法によれば、電子素子をキャビティＣＶ内に実装することができるので、回路基板を含むパッケージ全体の厚さを減少させることができる。
また、キャビティＣＶ表面に波模様パターンが繰り返されて全体表面積が増加するので、電子素子実装後モールディング時に密着力が増加する。
したがって、パッケージ全体の信頼性と剛性が向上する。
また、ＣＯ２レーザを用いる以外に追加的な加工工程が必要でないので経済性を向上させることができる。
それだけでなく、波模様パターンが絶縁物質自体に形成されるので、パターンを別途に形成することによって発生することがある不良を防止することができる。
また、キャビティＣＶ表面に波模様パターンが繰り返されて全体表面積が増加するので、電子素子実装後モールディング時に密着力が増加する。
したがって、パッケージ全体の信頼性と剛性が向上する。
また、ＣＯ２レーザを用いる以外に追加的な加工工程が必要でないので経済性を向上させることができる。
それだけでなく、波模様パターンが絶縁物質自体に形成されるので、パターンを別途に形成することによって発生することがある不良を防止することができる。
【0044】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【0045】
１０００ 回路基板
ＢＳ キャリア基板
ＣＣ１ 第１凹部
ＣＣ２ 第２凹部
ＣＶ キャビティ
ＨＬ パッド層
ＨＬ１、ＨＬ２、ＨＬ３ （第１～第３）パッド層
ＩＬ 絶縁層
ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３ （第１～第３）絶縁層
ＩＵ 内部層ユニット
ＭＬ 配線層
ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３ （第１～第３）配線層
ＭＰ パッド層
ＭＶ ビア層
ＭＶ１、ＭＶ２、ＭＶ３ （第１～第３）ビア層
ＳＬ ソルダーレジスト層
ＳＬａ 第１ソルダーレジスト層
ＳＬｂ 第２ソルダーレジスト層
ＶＸ１ 第１凸部
ＶＸ２ 第２凸部
ＢＳ キャリア基板
ＣＣ１ 第１凹部
ＣＣ２ 第２凹部
ＣＶ キャビティ
ＨＬ パッド層
ＨＬ１、ＨＬ２、ＨＬ３ （第１～第３）パッド層
ＩＬ 絶縁層
ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３ （第１～第３）絶縁層
ＩＵ 内部層ユニット
ＭＬ 配線層
ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３ （第１～第３）配線層
ＭＰ パッド層
ＭＶ ビア層
ＭＶ１、ＭＶ２、ＭＶ３ （第１～第３）ビア層
ＳＬ ソルダーレジスト層
ＳＬａ 第１ソルダーレジスト層
ＳＬｂ 第２ソルダーレジスト層
ＶＸ１ 第１凸部
ＶＸ２ 第２凸部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】