特開 2024-114269 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024114269

(43)【公開日】2024-08-23

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   H10K 59/122 20230101AFI20240816BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20240816BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20240816BHJP

   H05B 33/22 20060101ALI20240816BHJP

   H10K 50/00 20230101ALI20240816BHJP

   H10K 59/00 20230101ALI20240816BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20240816BHJP

【ＦＩ】

H10K59/122

H05B33/12 B

H05B33/14 A

H05B33/22 Z

H10K50/00

H10K50/10

H10K59/00

H10K59/10

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023019930

(22)【出願日】2023-02-13

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】青木 逸

(72)【発明者】

【氏名】新田 淳

(72)【発明者】

【氏名】望月 真里奈

【テーマコード（参考）】

3K107

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC31

3K107DD21

3K107DD26

3K107DD50

3K107DD58

3K107DD89

3K107DD95

(57)【要約】

【課題】 表示品質が向上した表示装置を提供する。
【解決手段】 表示装置は、第１画素と、第２画素と、第３画素と、を含む複数の画素と、隣り合う前記画素の間に設けられる、バンクと、を備え、前記複数の画素それぞれは、基材上に、陽極と、前記陽極上に設けられる、有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層の側面を覆って設けられる、少なくとも１組の側壁組と、前記バンクの開口部に設けられ、前記有機ＥＬ層に接して設けられる、陰極と、を備え、前記少なくとも１組の側壁組は、酸化アルミニウムで形成される第１側壁と、窒化珪素で形成される第２側壁と、を備え、前記第１画素は、少なくとも２組の前記側壁組を有し、前記第２画素は、少なくとも１組の前記側壁組を有する。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１画素と、第２画素と、第３画素と、を含む複数の画素と、
隣り合う前記画素の間に設けられる、バンクと、
を備え、
前記複数の画素それぞれは、
基材上に、
陽極と、
前記陽極上に設けられる、有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層の側面を覆って設けられる、少なくとも１組の側壁組と、
前記バンクの開口部に設けられ、前記有機ＥＬ層に接して設けられる、陰極と、
を備え、
前記少なくとも１組の側壁組は、
酸化アルミニウムで形成される第１側壁と、
窒化珪素で形成される第２側壁と、
を備え、
前記第１画素は、少なくとも２組の前記側壁組を有し、
前記第２画素は、少なくとも１組の前記側壁組を有する、表示装置。

【請求項2】

前記第１画素は、３組の前記側壁組を有し、
前記第２画素は、２組の前記側壁組を有し、
前記第３画素は、１組の前記側壁組を有する、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第１画素は、２組の前記側壁組を有し、
前記第２画素は、１組の前記側壁組を有し、
前記第３画素は、酸化アルミニウムで形成された側壁を有する、請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記有機ＥＬ層上に、酸化アルミニウムで形成された上層を、さらに有する、請求項１に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子との再結合時のエネルギーを利用して、発光を得る有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示装置が開発されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－１１０８３号公報

【特許文献2】国際公開第２０２２／１４４６６６号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本実施形態の目的は、表示品質が向上した表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

一実施形態に係る表示装置は、
第１画素と、第２画素と、第３画素と、を含む複数の画素と、
隣り合う前記画素の間に設けられる、バンクと、
を備え、
前記複数の画素それぞれは、
基材上に、
陽極と、
前記陽極上に設けられる、有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層の側面を覆って設けられる、少なくとも１組の側壁組と、
前記バンクの開口部に設けられ、前記有機ＥＬ層に接して設けられる、陰極と、
を備え、
前記少なくとも１組の側壁組は、
酸化アルミニウムで形成される第１側壁と、
窒化珪素で形成される第２側壁と、
を備え、
前記第１画素は、少なくとも２組の前記側壁組を有し、
前記第２画素は、少なくとも１組の前記側壁組を有する。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】図１は、実施形態１の表示装置の全体斜視図である。

【図2】図２は、表示装置の概略的な構成の一例を示す部分平面図である。

【図3】図３は、図２に示す表示装置の線Ａ１－Ａ２に沿った断面図である。

【図4】図４は、実施形態１の表示装置の概略的な構成の一例を示す断面図である。

【図5】図５は、実施形態１の概略的な構成の一例を示す断面図である。

【図6】図６は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図7】図７は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図8】図８は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図9】図９は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図10】図１０は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図11】図１１は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図12】図１２は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図13】図１３は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図14】図１４は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図15】図１５は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図16】図１６は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図17】図１７は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図18】図１８は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図19】図１９は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図20】図２０は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図21】図２１は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図22】図２２は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図23】図２３は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図24】図２４は、比較例１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図25】図２５は、比較例１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図26】図２６は、比較例１の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図27】図２７は、比較例２の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図28】図２８は、実施形態２の表示装置の概略的な構成の一例を示す断面図である。

【図29】図２９は、実施形態２の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図30】図３０は、実施形態２の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図31】図３１は、実施形態２の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図32】図３２は、実施形態２の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図33】図３３は、実施形態２の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図34】図３４は、実施形態２の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図35】図３５は、実施形態２の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図36】図３６は、実施形態２の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図37】図３７は、実施形態２の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図38】図３８は、実施形態２の表示装置の製造方法を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0008】

本明細書で述べる実施形態は、一般的なものでなく、本発明の同一又は対応する特別な技術的特徴について説明する実施形態である。以下、図面を参照しながら一実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。

【0009】

本実施形態においては、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第３方向Ｚの矢印の先端に向かう方向を上又は上方と定義し、第３方向Ｚの矢印の先端に向かう方向とは反対側の方向を下又は下方と定義する。なお第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚを、それぞれ、Ｘ方向、Ｙ方向、及び、Ｚ方向と呼ぶこともある。

【0010】

また、「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。一方、「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は第１部材に接している。

【0011】

また、第３方向Ｚの矢印の先端側に表示装置を観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。第１方向Ｘ及び第３方向Ｚによって規定されるＸ－Ｚ平面、あるいは第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ－Ｚ平面における表示装置の断面を見ることを断面視という。

【0012】

［実施形態１］
図１は、実施形態１の表示装置の全体斜視図である。表示装置ＤＳＰは、基板ＳＵＢ１に表示領域ＤＡ及び表示領域ＤＡの周辺に設けられた周辺領域ＦＡが設けられている。表示装置ＤＳＰは、表示領域ＤＡ内に配置された、複数の画素ＰＸを有している。表示装置ＤＳＰでは、裏面からの光ＬＴが表面に透過し、逆もまた然りである。

【0013】

表示領域ＤＡの上面には封止材としての基板ＳＵＢ２が設けられている。基板ＳＵＢ２は表示領域ＤＡを囲むシール材（非表示）によって、基板ＳＵＢ１に固定されている。基板ＳＵＢ１に形成された表示領域ＤＡは、封止材である基板ＳＵＢ２とシール材によって大気に晒されないように封止されている。

【0014】

基板ＳＵＢ１の端部の領域ＥＡは、基板ＳＵＢ２の外側に配置されている。領域ＥＡには、配線基板ＰＣＳが設けられている。配線基板ＰＣＳには、映像信号や駆動信号を出力する駆動素子ＤＲＶが設けられている。駆動素子ＤＲＶからの信号は、配線基板ＰＣＳを介して、表示領域ＤＡの画素ＰＸに入力される。映像信号及び各種制御信号に基づいて、画素ＰＸが発光する。

【0015】

図２は、表示装置の概略的な構成の一例を示す部分平面図である。複数の画素ＰＸは、赤色を発光する画素ＰＸＲ、緑色を発光する画素ＰＸＧ、青色を発光する画素ＰＸＢを有している。画素ＰＸＲ、画素ＰＸＧ、画素ＰＸＢを、それぞれ、第１画素、第２画素、第３画素ともいう。画素ＰＸＲは、画素ＰＸＢと、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿って隣り合って配置される。画素ＰＸＧは、画素ＰＸＢと、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿って隣り合って配置される。画素ＰＸＢは、画素ＰＸＲと第１方向に沿って隣り合って配置され、画素ＰＸＧと第２方向Ｙに沿って隣り合って配置されている。

【0016】

図３は、図２に示す表示装置の線Ａ１－Ａ２に沿った断面図である。
基材ＢＡ１は、例えばガラスや、樹脂材料で構成される樹脂材料で構成される基材が挙げられる。樹脂材料としては、例えばアクリル、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等を用いればよく、いずれかの単層又は複数層の積層で形成してもよい。

【0017】

基材ＢＡ１上には、絶縁層ＵＣ１が設けられている。絶縁層ＵＣ１は、例えば酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜を単層又は積層して形成される。

【0018】

絶縁層ＵＣ１上に、トランジスタＴｒと重畳して、遮光層ＢＭが設けられてもよい。遮光層ＢＭは、トランジスタＴｒのチャネル裏面からの光の侵入等によるトランジスタ特性の変化を抑制する。遮光層ＢＭが導電層で形成される場合は、所定の電位を与えることで、トランジスタＴｒにバックゲート効果を与えることも可能である。

【0019】

絶縁層ＵＣ１及び遮光層ＢＭを覆って、絶縁層ＵＣ２が設けられている。絶縁層ＵＣ２の材料としては、絶縁層ＵＣ１と同様の材料を用いることができる。絶縁層ＵＣ２は、絶縁層ＵＣ１と異なる材料であってもよい。例えば、絶縁層ＵＣ１は酸化シリコン、絶縁層ＵＣ２は窒化シリコンを用いることができる。絶縁層ＵＣ１及びＵＣ２を併せて、絶縁層ＵＣとする。

【0020】

絶縁層ＵＣ上に、トランジスタＴｒが設けられる。トランジスタＴｒは、半導体層ＳＣ、絶縁層ＧＩ、ゲート電極ＧＥ（走査線）、絶縁層ＩＬＩ、ソース電極ＳＥ（信号線）、ドレイン電極ＤＥを有している。

【0021】

半導体層ＳＣとして、アモルファスシリコン、ポリシリコン、又は酸化物半導体を用いる。
絶縁層ＧＩとして、例えば、酸化シリコン又は窒化シリコンを単層又は積層して設ける。

【0022】

ゲート電極ＧＥとして、例えば、モリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）を用いる。ゲート電極ＧＥは、走査線ＧＬと一体形成されていてもよい。

【0023】

半導体層ＳＣ及びゲート電極ＧＥを覆って、絶縁層ＩＬＩが設けられている。絶縁層ＩＬＩは、例えば酸化シリコン層又は窒化シリコン層を単層又は積層して形成される。

【0024】

絶縁層ＩＬＩ上には、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが設けられている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、それぞれ、絶縁層ＩＬＩ及び絶縁層ＧＩに設けられたコンタクトホールを介して、半導体層ＳＣのソース領域及びドレイン領域に接続される。ソース電極ＳＥは、信号線と一体形成されていてもよい。

【0025】

ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及び絶縁層ＩＬＩを覆って、絶縁層ＰＡＳが設けられる。絶縁層ＰＡＳを覆って、絶縁層ＰＬＬが設けられる。

【0026】

絶縁層ＰＡＳは、無機絶縁材料を用いて形成する。無機絶縁材料は、例えば酸化シリコン又は窒化シリコンを単層又は積層してものが挙げられる。絶縁層ＰＬＬは、有機絶縁材料を用いて形成する。有機絶縁材料は、例えば、感光性アクリル、ポリイミド等の有機材料が挙げられる。絶縁層ＰＬＬを設けることにより、トランジスタＴｒによる段差を平坦化することができる。

【0027】

絶縁層ＰＬＬ上に、陽極ＡＤが設けられる。陽極ＡＤは、絶縁層ＰＡＳ及びＰＬＬに設けられたコンタクトホールを介して、ドレイン電極ＤＥに接続されている。画素ＰＸＲに設けられる陽極を陽極ＡＤＲ、画素ＰＸＢに設けられる陽極を陽極ＡＤＢ、画素ＰＸＧに設けられる陽極を陽極ＡＤＧとする。陽極ＡＤＲ、陽極ＡＤＧ、陽極ＡＤＢを区別する必要がない場合は、単に陽極ＡＤと呼ぶ。

【0028】

陽極ＡＤは、例えば、反射電極及び透明電極の積層体で形成されていればよい。反射電極は、反射率の高い導電材料、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）を用いて形成されている。透明電極は、例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ ＺＩｎｃ Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）を用いて形成されている。
本実施形態では、基材ＢＡ１から絶縁層ＰＬＬまでの構成を、バックプレインＢＰＳとする。

【0029】

隣り合う陽極ＡＤとの間に、バンクＢＫ（凸部、リブともいう）が設けられる。バンクＢＫの材料として、絶縁層ＰＬＬの材料と同様の有機材料が用いられる。バンクＢＫは、陽極ＡＤの一部を露出するように開口される。

【0030】

画素ＰＸＲに設けられる開口部を、開口部ＯＰＲ、画素ＰＸＢに設けられる開口部を、開口部ＯＰＢ、画素ＰＸＧに設けられる開口部を、開口部ＯＰＧ、とする。開口部ＯＰＲ、開口部ＯＰＢ、開口部ＯＰＧを区別する必要がない場合は、単に開口部ＯＰと呼ぶ。

【0031】

開口部ＯＰの端部は、断面視でなだらかなテーパ形状となることが好ましい。開口部ＯＰの端部が急峻な形状となっていると、後に形成される有機ＥＬ層ＥＬＹにカバレッジ不良が生じる。

【0032】

陽極ＡＤと重畳して、隣り合うバンクＢＫとの間に、有機ＥＬ層ＥＬＹが設けられている。詳細は後述するが、有機ＥＬ層ＥＬＹは、正孔注入層ＨＩＬと、正孔輸送層ＨＴＬと、発光層ＥＭＬと、電子輸送層ＥＴＬと、電子注入層ＥＩＬと、を含んでいる。有機ＥＬ層ＥＬＹは、必要であれば、電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層、をさらに含んでいてもよい。

【0033】

画素ＰＸＲに設けられる有機ＥＬ層を、有機ＥＬ層ＥＬＹＲ、画素ＰＸＢに設けられる有機ＥＬ層を、有機ＥＬ層ＥＬＹＢ、画素ＰＸＧに設けられる有機ＥＬ層を、有機ＥＬ層ＥＬＹＧとする。有機ＥＬ層ＥＬＹＲ、有機ＥＬ層ＥＬＹＧ、有機ＥＬ層ＥＬＹＢを区別する必要がない場合は、単に有機ＥＬ層ＥＬＹと呼ぶ。

【0034】

有機ＥＬ層ＥＬＹ上に、陰極ＣＤが設けられている。陰極ＣＤは、例えば、マグネシウム－銀合金（ＭｇＡｇ）膜や、銀（Ａｇ）の単層膜や、銀（Ａｇ）と透明導電材料の積層膜等を用いて形成する。当該透明導電材料は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）や、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等を用いればよい。

【0035】

陰極ＣＤを覆って、絶縁層ＳＥＹが設けられる。絶縁層ＳＥＹは、外部から水分が有機ＥＬ層ＥＬＹに侵入することを防止する機能を有している。絶縁層ＳＥＹとしてはガスバリア性の高いものが好適である。絶縁層ＳＥＹとして、例えば、有機絶縁層を、窒素を含む無機絶縁層２層で挟持した絶縁層が挙げられる。当該有機絶縁層の材料としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。当該窒素を含む無機絶縁層の材料としては、例えば、窒化シリコン、窒化アルミニウムが挙げられる。

【0036】

絶縁層ＳＥＹ上に、基材ＢＡ２が設けられている。基材ＢＡ２は、基材ＢＡ１と同様の材料で形成されている。基材ＢＡ２及び絶縁層ＳＥＹとの間に、透光性を有する無機絶縁層や有機絶縁層が設けられていてもよい。有機絶縁層が絶縁層ＳＥＹと基材ＢＡ２を接着する機能を有していてもよい。

【0037】

有機ＥＬ層ＥＬＹで生じた発光は、陰極ＣＤを介して、上方に取り出される。すなわち、本実施形態の表示装置ＤＳＰは、トップエミッション構造を有している。

【0038】

図４は、実施形態１の表示装置の概略的な構成の一例を示す断面図である。図４に示す表示装置ＤＳＰでは、有機ＥＬ層ＥＬＹの近傍の構成のみを示ししている。図４では、バックプレインＢＰＳ上に、陽極ＡＤ（陽極ＡＤＲ、陽極ＡＤＧ、陽極ＡＤＢ）が設けられている。

【0039】

陽極ＡＤ上には、有機ＥＬ層ＥＬＹが設けられている。陽極ＡＤＲ上には、有機ＥＬ層ＥＬＹＲが設けられている。陽極ＡＤＢ上には、有機ＥＬ層ＥＬＹＢが設けられている。陽極ＡＤＧ上には、有機ＥＬ層ＥＬＹＧが設けられている。

【0040】

有機ＥＬ層ＥＬＹＲ上には、上層ＡＯＵＲが設けられている。上層ＡＯＵＲ上には、上層ＳＮＵＲが設けられている。陽極ＡＤＲ、有機ＥＬ層ＥＬＹＲ、上層ＡＯＵＲ、及び上層ＳＮＵＲの側面を覆って、側壁ＡＯＳＲ１、側壁ＳＮＳＲ１、側壁ＡＯＳＲ２、側壁ＳＮＳＲ２、側壁ＡＯＳＲ３、及び側壁ＳＮＳＲ３が設けられている。側壁ＡＯＳＲ１、側壁ＳＮＳＲ１、側壁ＡＯＳＲ２、側壁ＳＮＳＲ２、側壁ＡＯＳＲ３、及び側壁ＳＮＳＲ３は、この順に内側から外側へ形成されている。すなわち、側壁ＡＯＳＲ１、側壁ＳＮＳＲ１、側壁ＡＯＳＲ２、側壁ＳＮＳＲ２、側壁ＡＯＳＲ３、及び側壁ＳＮＳＲ３のうち、側壁ＡＯＳＲ１が一番有機ＥＬ層ＥＬＹＲに近く、側壁ＳＮＳＲ３が一番有機ＥＬ層ＥＬＹＲから遠い。

【0041】

有機ＥＬ層ＥＬＹＧ上には、上層ＡＯＵＧが設けられている。上層ＡＯＵＧ上には、上層ＳＮＵＧが設けられている。陽極ＡＤＧ、有機ＥＬ層ＥＬＹＧ、上層ＡＯＵＧ、及び上層ＳＮＵＧの側面を覆って、側壁ＡＯＳＧ１、側壁ＳＮＳＧ１、側壁ＡＯＳＧ２、及び側壁ＳＮＳＧ２が設けられている。側壁ＡＯＳＧ１、側壁ＳＮＳＧ１、側壁ＡＯＳＧ２、及び側壁ＳＮＳＧ２は、この順に内側から外側へ形成されている。すなわち、側壁ＡＯＳＧ１、側壁ＳＮＳＧ１、側壁ＡＯＳＧ２、及び側壁ＳＮＳＧ２のうち、側壁ＡＯＳＧ１が一番有機ＥＬ層ＥＬＹＧに近く、側壁ＳＮＳＧ２が一番有機ＥＬ層ＥＬＹＧから遠い。

【0042】

有機ＥＬ層ＥＬＹＢ上には、上層ＡＯＵＢが設けられている。上層ＡＯＵＢ上には、上層ＳＮＵＢが設けられている。陽極ＡＤＢ、有機ＥＬ層ＥＬＹＢ、上層ＡＯＵＢ、及び上層ＳＮＵＢの側面を覆って、側壁ＡＯＳＢ１及び側壁ＳＮＳＢ１が設けられている。側壁ＡＯＳＢ１及び側壁ＳＮＳＢ１は、この順に内側から外側へ形成されている。すなわち、側壁ＡＯＳＢ１の方が有機ＥＬ層ＥＬＹＢに近く、側壁ＳＮＳＢ１の方が有機ＥＬ層ＥＬＹＧから遠い。

【0043】

画素ＰＸＲにおいて、上層ＡＯＵＲ及び側壁ＡＯＳＲ１は一体形成される。当該一体形成された層を犠牲層ＡＯＹＲとする。

【0044】

画素ＰＸＧにおいて、上層ＡＯＵＧ及び側壁ＡＯＳＧ１は一体形成される。当該一体形成された層を犠牲層ＡＯＹＧとする。

【0045】

画素ＰＸＢにおいて、上層ＡＯＵＢ及び側壁ＡＯＳＢ１は一体形成される。当該一体形成された層を犠牲層ＡＯＹＢとする。

【0046】

陽極ＡＤＲ、有機ＥＬ層ＥＬＹＲ、上層ＡＯＵＲ、上層ＳＮＵＲ、側壁ＡＯＳＲ１、側壁ＳＮＳＲ１、側壁ＡＯＳＲ２、側壁ＳＮＳＲ２、側壁ＡＯＳＲ３、及び側壁ＳＮＳＲ３の積層体ＳＫＴＲを覆って、保護層ＡＯＬが設けられている。

【0047】

また保護層ＡＯＬは、陽極ＡＤＧ、有機ＥＬ層ＥＬＹＧ、上層ＡＯＵＧ、上層ＳＮＵＧ、側壁ＡＯＳＧ１、側壁ＳＮＳＧ１、側壁ＡＯＳＧ２、及び側壁ＳＮＳＧ２の積層体ＳＫＴＧを覆っている。

【0048】

また保護層ＡＯＬは、陽極ＡＤＢ、有機ＥＬ層ＥＬＹＢ、上層ＡＯＵＢ、上層ＳＮＵＢ、側壁ＡＯＳＢ１、及び側壁ＳＮＳＢ１の積層体ＳＫＴＢを覆っている。

【0049】

保護層ＡＯＬ上に、また、隣り合う有機ＥＬ層ＥＬＹ間に、バンクＢＫが設けられている。バンクＢＫ、積層体ＳＫＴＲ、積層体ＳＫＴＧ、積層体ＳＫＴＢ、保護層ＡＯＬを覆って、陰極ＣＤが設けられる。

【0050】

陰極ＣＤを覆って、絶縁層ＩＮＳ及び絶縁層ＰＣＬを形成する。絶縁層ＰＣＬ上には、基材ＢＡ２が設けられている。

【0051】

画素ＰＸＲにおいて、上層ＡＯＵＲ、側壁ＡＯＳＲ１、側壁ＡＯＳＲ２、及び側壁ＡＯＳＲ３は、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）で形成されている。上層ＳＮＵＲ、側壁ＳＮＳＲ１、側壁ＳＮＳＲ２、及び側壁ＳＮＳＲ３は、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）で形成されている。

【0052】

画素ＰＸＧにおいて、上層ＡＯＵＧ、側壁ＡＯＳＧ１、及び側壁ＡＯＳＧ２は、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）で形成されている。上層ＳＮＵＧ、側壁ＳＮＳＧ１、側壁ＳＮＳＧ２は、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）で形成されている。

【0053】

画素ＰＸＢにおいて、上層ＡＯＵＢ及び側壁ＡＯＳＢ１は、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）で形成されている。上層ＳＮＵＢ及び側壁ＳＮＳＢ１は、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）で形成されている。

【0054】

保護層ＡＯＬは、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）で形成されている。絶縁層ＩＮＳ、絶縁層ＰＣＬ、基材ＢＡ２の材料については、後述する。

【0055】

図５は、実施形態１の概略的な構成の一例を示す断面図である。図５は、図４の部分拡大図である。図５に示すように、陽極ＡＤ及び陰極ＣＤの間には、第３方向Ｚに沿って、有機ＥＬ層ＥＬＹが設けられている。有機ＥＬ層ＥＬＹは、第３方向Ｚに沿って積層された、正孔注入層ＨＩＬと、正孔輸送層ＨＴＬと、発光層ＥＭＬと、電子輸送層ＥＴＬと、電子注入層ＥＩＬと、を含んでいる。

【0056】

なお本実施形態の表示装置ＤＳＰでは、陽極ＡＤ、有機ＥＬ層ＥＬＹ、陰極ＣＤの順に、第３方向Ｚに沿って積層されている。有機ＥＬ層ＥＬＹは、第３方向Ｚに沿って、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬが積層されている。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態の表示装置ＤＳＰでは、陰極ＣＤ、有機ＥＬ層ＥＬＹ、陽極ＡＤの順に、積層されていてもよい。また、有機ＥＬ層ＥＬＹは、電子注入層ＥＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ、発光層ＥＭＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、正孔注入層ＨＩＬの順で積層されていてもよい。

【0057】

図５には図示しないが、陰極ＣＤ上に、光取り出し層と、封止層と、が設けられていてもよい。例えば、図３に示す絶縁層ＳＥＹが、封止層として機能する。

【0058】

図６乃至図２３は、実施形態１の表示装置の製造方法を示す断面図である。図６乃至図２３では、画素ＰＸＲ、画素ＰＸＧ、及び画素ＰＸＢのうちの１つである第１画素を、画素ＰＸ１とし、別の１つである第２画素を、画素ＰＸ２とする。図６乃至図２３では、第１画素（画素ＰＸ１）、第２画素（画素ＰＸ２）の順番で形成される。図示しないが、画素ＰＸＲ、画素ＰＸＧ、及び画素ＰＸＢのうちの他の１つである第３画素（画素ＰＸ３とする）は、第１画素及び第２画素と同様に形成される。

【0059】

まず、基材ＢＡ１に、陽極ＡＤ１及び陽極ＡＤ２が形成される（図６参照）。陽極ＡＤ１は、画素ＰＸ１の陽極であり、陽極ＡＤ２は、画素ＰＸ２の陽極である。陽極ＡＤ１は、反射電極ＲＤ１及び透明電極ＴＤ１を有している。陽極ＡＤ２は、反射電極ＲＤ２及び透明電極ＴＤ２を有している。

【0060】

基材ＢＡ１、陽極ＡＤ１及び陽極ＡＤ２を覆って、有機ＥＬ層ＥＬＭ１、犠牲層ＡＯＭ１，保護層ＳＮＭ１、犠牲層ＭＷＭ１を形成する（図７参照）。有機ＥＬ層ＥＬＭ１は、画素ＰＸ１に対応する有機ＥＬ層である。ただし、有機ＥＬ層ＥＬＭ１は、図５に示す、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び電子注入層ＥＩＬのうち、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、及び電子輸送層ＥＴＬを含んでいるものとする。

【0061】

犠牲層ＡＯＭ１は、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）で形成されている。酸化アルミニウムは、原子堆積法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＡＬＤ）により成膜すればよい。

【0062】

保護層ＳＮＭ１は、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）で形成されている。窒化珪素は、低温ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により成膜すればよい。

【0063】

犠牲層ＭＷＭ１は、例えば、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）で形成されている。モリブデンタングステンは、スパッタ法により成膜すればよい。

【0064】

陽極ＡＤ１に対向し、犠牲層ＭＷＭ１上に、レジストマスクＲＥＳ１を形成する（図８参照）。陽極ＡＤ２上には、レジストマスクは形成されない。

【0065】

レジストマスクＲＥＳ１を用い、犠牲層ＭＷＭ１を、エッチングにより、部分的に除去する。これにより、陽極ＡＤ１に対向し、有機ＥＬ層ＥＬＭ１、犠牲層ＡＯＭ１、及び保護層ＳＮＭ１を挟んで、島状に犠牲層ＭＷＹ１が形成される（図９参照）。

【0066】

島状に形成された犠牲層ＭＷＹ１をマスクとして、有機ＥＬ層ＥＬＭ１、犠牲層ＡＯＭ１、及び保護層ＳＮＭ１を、エッチングにより、部分的に除去する。これにより、陽極ＡＤ１及び犠牲層ＭＷＹ１の間に、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、上層ＡＯＵ１、及び上層ＳＮＵ１が、島状に形成される（図１０参照）。陽極ＡＤ２上の有機ＥＬ層ＥＬＭ１、犠牲層ＡＯＭ１、及び保護層ＳＮＭ１は、除去される。

【0067】

陽極ＡＤ１、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、上層ＡＯＵ１、上層ＳＮＵ１、犠牲層ＭＷＹ１の積層体ＳＫＴ１１、並びに、陽極ＡＤ２を覆って、犠牲層ＡＯＫ１及び保護層ＳＮＫ１を形成する（図１１参照）。犠牲層ＡＯＫ１は、犠牲層ＡＯＭ１と同じ材料で形成される。保護層ＳＮＫ１は、保護層ＳＮＭ１と同じ材料で形成される。上層ＡＯＵ１及び犠牲層ＡＯＫ１は、一体化する。

【0068】

犠牲層ＡＯＫ１及び保護層ＳＮＫ１を異方性エッチングして、積層体ＳＫＴ１１の側面に接する領域のみを残し、その他の領域を除去する。これにより、犠牲層ＡＯＫ１から側壁ＡＯＳ１１、並びに、保護層ＳＮＫ１から側壁ＳＮＳ１１が形成される（図１２参照）。上層ＡＯＵ１及び側壁ＡＯＳ１１は、一体化しており、併せて犠牲層ＡＯＹ１とする。積層体ＳＫＴ１１、側壁ＡＯＳ１１、及び側壁ＳＮＳ１１を併せて、積層体ＳＫＴ１２とする。

【0069】

基材ＢＡ１、積層体ＳＫＴ１２、及び陽極ＡＤ２を覆って、有機ＥＬ層ＥＬＭ２、犠牲層ＡＯＭ２、保護層ＳＮＭ２、及び犠牲層ＭＷＭ２が形成される（図１３参照）。有機ＥＬ層ＥＬＭ２は、画素ＰＸ２に対応する有機ＥＬ層である。ただし、有機ＥＬ層ＥＬＭ２は、有機ＥＬ層ＥＬＭ１と同様に、図５に示す、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び電子注入層ＥＩＬのうち、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、及び電子輸送層ＥＴＬを含んでいるものとする。犠牲層ＡＯＭ２及び保護層ＳＮＭ２は、それぞれ、犠牲層ＡＯＭ１及び保護層ＳＮＭ１と同様の材料である。

【0070】

陽極ＡＤ２に対向し、犠牲層ＭＷＭ２上に、レジストマスクＲＥＳ２を形成する。レジストマスクＲＥＳ２を用い、犠牲層ＭＷＭ２を、エッチングにより、部分的に除去する。これにより、陽極ＡＤ２に対向し、有機ＥＬ層ＥＬＭ２、保護層ＳＮＭ２、及び犠牲層ＡＯＭ２を挟んで、島状に犠牲層ＭＷＹ２が形成される（図１４参照）。

【0071】

次いで、犠牲層ＭＷＹ２上のレジストマスクＲＥＳ２を除去する（図１５参照）。
島状に形成された犠牲層ＭＷＹ２をマスクとして、有機ＥＬ層ＥＬＭ２、保護層ＳＮＭ２、及び犠牲層ＡＯＭ２を、エッチングにより、部分的に除去する。これにより、陽極ＡＤ２及び犠牲層ＭＷＹ２の間に、有機ＥＬ層ＥＬＹ２、上層ＡＯＵ２、及び上層ＳＮＵ２が、島状に形成される（図１６参照）。陽極ＡＤ２、有機ＥＬ層ＥＬＹ２、上層ＡＯＵ２、上層ＳＮＵ２、犠牲層ＭＷＹ２を併せて、積層体ＳＫＴ２１とする。

【0072】

積層体ＳＫＴ１２及び積層体ＳＫＴ２１を覆って、犠牲層ＡＯＫ２及び保護層ＳＮＫ２を形成する（図１７参照）。犠牲層ＡＯＫ２は、犠牲層ＡＯＭ１と同じ材料で形成される。保護層ＳＮＫ２は、保護層ＳＮＭ１と同じ材料で形成される。

【0073】

犠牲層ＡＯＫ２及び保護層ＳＮＫ１を異方性エッチングして、積層体ＳＫＴ１２の側面及び積層体ＳＫＴ２１の側面に接する領域のみを残し、その他の領域を除去する。これにより、積層体ＳＫＴ１２の側面に、犠牲層ＡＯＫ２から側壁ＡＯＳ１２、並びに、保護層ＳＮＫ２から側壁ＳＮＳ１２が形成される。積層体ＳＫＴ２１の側面に、犠牲層ＡＯＫ２から側壁ＡＯＳ２１、並びに、保護層ＳＮＫ２から側壁ＳＮＳ２１が形成される（図１８参照）。

【0074】

積層体ＳＫＴ１２、側壁ＡＯＳ１２、及び側壁ＳＮＳ１２を併せて、積層体ＳＫＴ１３とする。上層ＡＯＵ２及び側壁ＡＯＳ２１は、一体化しており、併せて犠牲層ＡＯＹ２とする。積層体ＳＫＴ２１、側壁ＡＯＳ２１、及び側壁ＳＮＳ２１を併せて、積層体ＳＫＴ２２とする。

【0075】

積層体ＳＫＴ１３のうち犠牲層ＭＷＹ１、及び、積層体ＳＫＴ２２のうち犠牲層ＭＷＹ２を、エッチングにより除去する。この際、側壁ＡＯＳ１１、側壁ＳＮＳ１１、側壁ＡＯＳ１２、及び側壁ＳＮＳ２１それぞれの上部が、同時にエッチングされる。同様に、側壁ＡＯＳ２１及び側壁ＳＮＳ１１それぞれの上部が、同時にエッチングされる。これにより、積層体ＳＫＴ１３及び積層体ＳＫＴ２２それぞれから、上面が平坦化された積層体ＳＫＴ１４及び積層体ＳＫＴ２３が得られる（図１９参照）

【0076】

積層体ＳＫＴ１３及び積層体ＳＫＴ２２を覆って、保護層ＡＯＬが形成される。保護層ＡＯＬは、犠牲層ＡＯＭ１及び犠牲層ＡＯＭ２と同じ材料で形成される（図２０参照）。

【0077】

保護層ＡＯＬに接して、積層体ＳＫＴ１３及び積層体ＳＫＴ２２の間、換言すると、有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２の間に、バンクＢＫを形成する。有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２それぞれの上方には、バンクＢＫが形成されていない。すなわち、有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２の上方には、それぞれ、開口部ＯＰ１及び開口部ＯＰ２が設けられている（図２１参照）。

【0078】

開口部ＯＰ１中の上層ＡＯＵ１、上層ＳＮＵ１、及び保護層ＡＯＬを、エッチングにより除去する。同様に、開口部ＯＰ２中の上層ＡＯＵ２、上層ＳＮＵ２、及び保護層ＡＯＬを、エッチングにより除去する。これにより、開口部ＯＰ１及び開口部ＯＰ２内で、有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２が露出する（図２２参照）。

【0079】

露出した有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２、並びに、バンクＢＫを覆って、陰極ＣＤ、絶縁層ＩＮＳ、絶縁層ＰＣＬを形成する。絶縁層ＰＣＬ上には、基材ＢＡ２を設ける（図２３参照）。

【0080】

開口部ＯＰ１及び開口部ＯＰ２において、それぞれ、有機ＥＬ層ＥＬＹ１及び有機ＥＬ層ＥＬＹ２上に、陰極ＣＤが設けられている。以上により、実施形態１の表示装置ＤＳＰが形成される。

【0081】

絶縁層ＩＮＳは、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）により形成する。絶縁層ＩＮＳは、外部から水分が有機ＥＬ層に侵入するのを防ぐ。絶縁層ＰＣＬは、例えば、樹脂絶縁材料により形成する。絶縁層ＰＣＬは、表面を平坦化する機能を有する。基材ＢＡ２は、基材ＢＡ１と同様の材料を用いればよい。

【0082】

第３画素である画素ＰＸ３の陽極及び有機ＥＬ層を形成するには、図１８に示す工程終了後に、図１３と同様に、画素ＰＸ３の陽極を覆って、画素ＰＸ３に対応する有機ＥＬ層、犠牲層ＡＯＭ１と同様の材料、例えば、酸化アルミニウム（ＡＬＯｘ）の犠牲層、保護層ＳＮＭ１と同様の材料、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）の保護層を形成すればよい。図１８と同様に、画素ＰＸ３においても、当該犠牲層及び当該保護層から、それぞれ、側壁を形成すればよい。その後に、図１９に示す工程に進めばよい。

【0083】

画素ＰＸ３の側壁を形成するのに伴い、画素ＰＸ１及び画素ＰＸ２にも、さらに側壁が形成される。すなわち、画素ＰＸ１では、側壁ＳＮＳ１３に接して、犠牲層ＡＯＭ１と同様の材料で側壁（図示しないが、側壁ＡＯＳ１３とする）が形成される。側壁ＡＯＳ１３に接して、保護層ＳＮＭ１と同様の材料で側壁（図示しないが、側壁ＳＮＳ１３とする）が形成される。

【0084】

画素ＰＸ２には、側壁ＳＮＳ２２に接して、犠牲層ＡＯＭ１と同様の材料で側壁（図示しないが、側壁ＡＯＳ２２とする）が形成される、側壁ＡＯＳ２２に接して、保護層ＳＮＭ１と同様の材料で側壁（図示しないが、側壁ＳＮＳ２２とする）が形成される。

【0085】

本実施形態において、画素ＰＸ１、画素ＰＸ２、及び画素ＰＸ３は、それぞれ、画素ＰＸＲ、画素ＰＸＧ、及び画素ＰＸＢであればよい。

【0086】

本実施形態において、異方性エッチングされる積層体では、有機ＥＬ層ＥＬＹの側面に、例えば、酸化アルミニウム（ＡＬＯｘ）の側壁、及び、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）の側壁が形成されている。また、有機ＥＬ層ＥＬＹの上面に、例えば、酸化アルミニウム（ＡＬＯｘ）の層、及び、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）の層が形成されている。sこれにより、異方性エッチングの際に、当該有機ＥＬ層を保護することが可能である。

【0087】

図２４乃至図２６は、比較例１の表示装置の製造方法を示す断面図である。比較例１の表示装置ＤＳＰｒを製造するには、まず、基材ＢＡ１上に、陽極ＡＤ１及び陽極ＡＤ２を形成する（図２４参照）。比較例における陽極ＡＤ１及び陽極ＡＤ２は、金属酸化物で形成される透明電極であるとする。このような金属酸化物としては、上述のインジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物が挙げられる。図２４に示す工程は、図６に示す工程に対応している。

【0088】

図７乃至図９に示す工程を経て、陽極ＡＤ１上に、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、犠牲層の上層ＡＯＵ１、犠牲層ＭＷＹ１が形成される。陽極ＡＤ２上には、犠牲層が除去されている（図２５参照）。図２５に示す工程は、図１０に示す工程に対応している。

【0089】

次いで、陽極ＡＤ１、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、上層ＡＯＵ１、犠牲層ＭＷＹ１の側面に接して、側壁ＡＯＳ１を形成する。まず、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、上層ＡＯＵ１、犠牲層ＭＷＹ１の積層体を覆って、側壁ＡＯＳ１となる材料膜を形成する。その後、当該材料膜を異方性エッチングして、当該積層体の側面接する領域のみを残し、その他の領域を除去することにより、側壁ＡＯＳ１が形成される。

【0090】

側壁ＡＯＳ１の材料は、犠牲層ＡＯＭ１と同じ材料であり、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）である。一方、陽極ＡＤ１及び陽極ＡＤ２は、例えば、上述のように、金属酸化物で形成される。

【0091】

すなわち、側壁ＡＯＳ１、並びに、陽極ＡＤ１及び陽極ＡＤ２は、金属酸化物を含む材料で形成されている。このような金属酸化物をエッチングする際に、選択比が取れないエッチングガスを使用する必要がある場合がある。

【0092】

この場合、側壁ＡＯＳ１を形成するためのエッチングで、陽極ＡＤ２が一緒に除去される恐れがある（図２６参照）。陽極が除去されてしまうと、その画素は正常に発光しない。このような表示装置では、表示品質が低下してしまう。

【0093】

図２７は、比較例２の表示装置の製造方法を示す断面図である。比較例１と同様に、図２５に示す製造工程において、異方性エッチングが行われる。その際に、画素ＰＸ１の犠牲層ＭＷＹ１の一部、側壁ＡＯＳ１の一部、及び有機ＥＬ層ＥＬＹ１の一部までエッチングされてしまう恐れがある。有機ＥＬ層ＥＬＹ１の一部がエッチングされてしまうと、画素ＰＸ１の発光領域が減少してしまう。

【0094】

本実施形態では、有機ＥＬ層ＥＬＹ上に、上層ＡＯＵ（上層ＡＯＵ１及び上層ＡＯＵ２）、並びに、上層ＳＮＵ（上層ＳＮＵ１及び上層ＳＮＵ２）を設ける。有機ＥＬ層ＥＬＹの側面には、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）の側壁（側壁ＡＯＳ１１、側壁ＡＯＳ１２、側壁ＡＯＳ２１）、及び、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）の側壁（側壁ＳＮＳ１１、側壁ＳＮＳ１２、側壁ＳＮＳ２１）が、それぞれ１つずつ以上設けられている。すなわち、酸化アルミニウムの側壁の１つ及び窒化珪素の側壁の１つを、１組の側壁組とすると、すくなくとも１組以上の側壁組が設けられている。これにより、有機ＥＬ層ＥＬＹがエッチングされることがなく、画素ＰＸの発光領域を減少させることがない。よって、表示装置ＤＳＰの表示品質を向上させることができる。

【0095】

［実施形態２］
図２８は、実施形態２の表示装置の概略的な構成の一例を示す断面図である。図２８に示す表示装置ＤＳＰは、図４に示す表示装置ＤＳＰと比較して、画素ＰＸＢには、側壁を設けない、という点で異なっている。

【0096】

図２８に示す表示装置ＤＳＰでは、画素ＰＸＢにおいて、有機ＥＬ層ＥＬＹＢ上には、上層ＡＯＵＢが設けられている。陽極ＡＤＢ、有機ＥＬ層ＥＬＹＢ、上層ＡＯＵＢの側面を覆って、側壁ＡＯＳＢ１が設けられている。上層ＡＯＵＢ及び側壁ＡＯＳＢ１は一体化され、保護層ＡＯＬの一部を構成している。

【0097】

画素ＰＸＲにおいて、有機ＥＬ層ＥＬＹＲ上には、上層ＡＯＵＲが設けられている。上層ＡＯＵＲ上には、上層ＳＮＵＲが設けられている。陽極ＡＤＲ、有機ＥＬ層ＥＬＹＲ、上層ＡＯＵＲ、及び上層ＳＮＵＲの側面を覆って、側壁ＡＯＳＲ１、側壁ＳＮＳＲ１、側壁ＡＯＳＲ２、及び側壁ＳＮＳＲ２が設けられている。側壁ＡＯＳＲ１、側壁ＳＮＳＲ１、側壁ＡＯＳＲ２、及び側壁ＳＮＳＲ２は、この順に内側から外側へ形成されている。すなわち、側壁ＡＯＳＲ１、側壁ＳＮＳＲ１、側壁ＡＯＳＲ２、及び側壁ＳＮＳＲ２のうち、側壁ＡＯＳＲ１が一番有機ＥＬ層ＥＬＹＲに近く、側壁ＳＮＳＲ２が一番有機ＥＬ層ＥＬＹＲから遠い。

【0098】

画素ＰＸＧにおいて、有機ＥＬ層ＥＬＹＧ上には、上層ＡＯＵＧが設けられている。上層ＡＯＵＧ上には、上層ＳＮＵＧが設けられている。陽極ＡＤＧ、有機ＥＬ層ＥＬＹＧ、上層ＡＯＵＧ、及び上層ＳＮＵＧの側面を覆って、側壁ＡＯＳＧ１及び側壁ＳＮＳＧ１が設けられている。側壁ＡＯＳＧ１及び側壁ＳＮＳＧ１は、この順に内側から外側へ形成されている。すなわち、側壁ＡＯＳＧ１の方が有機ＥＬ層ＥＬＹＧに近く、側壁ＳＮＳＧ２の方が有機ＥＬ層ＥＬＹＧから遠い。

【0099】

図２９乃至図３８は、実施形態２の表示装置の製造方法を示す断面図である。図２９乃至図３８では、画素ＰＸ１、画素ＰＸ２、及び画素ＰＸ３は、それぞれ、図２８に示す画素ＰＸＲ、画素ＰＸＧ、及び画素ＰＸＢに対応している。しかしながら、本実施形態において、画素ＰＸ１、画素ＰＸ２、及び画素ＰＸ３、並びに、画素ＰＸＲ、画素ＰＸＧ、及び画素ＰＸＢの対応は、これに限定されない。

【0100】

図６乃至図１６に示す製造工程により、側壁ＳＮＳ１１形成までの工程を行う（図２９参照）。図１７乃至図１９に示す製造工程により、側壁ＳＮＳ１２及び側壁ＳＮＳ２１形成までの工程を行う（図３０参照）。

【0101】

基材ＢＡ１、画素ＰＸ１の積層体ＳＫＴ１４、画素ＰＸ２の積層体ＳＫＴ２３、及び、画素ＰＸ３の陽極ＡＤ３を覆って、有機ＥＬ層ＥＬＭ３、犠牲層ＡＯＭ３、及び犠牲層ＭＷＭ３が形成される（図３１参照）。有機ＥＬ層ＥＬＭ３は、画素ＰＸ３に対応する有機ＥＬ層である。犠牲層ＡＯＭ３及び犠牲層ＭＷＭ３は、それぞれ、犠牲層ＡＯＭ１及び犠牲層ＭＷＭ１と同じ材料である。

【0102】

レジストマスクを用い、犠牲層ＭＷＭ３を、エッチングにより、部分的に除去する。これにより、陽極ＡＤ３に対向し、有機ＥＬ層ＥＬＭ３及び犠牲層ＡＯＭ３を挟んで、島状に犠牲層ＭＷＹ３が形成される（図３２参照）。

【0103】

島状に形成された犠牲層ＭＷＹ３をマスクとして、有機ＥＬ層ＥＬＭ３及び犠牲層ＡＯＭ３を、エッチングにより、部分的に除去する。これにより、陽極ＡＤ３及び犠牲層ＭＷＹ３の間に、有機ＥＬ層ＥＬＹ３及び上層ＡＯＵ３が、島状に形成される（図３３参照）。陽極ＡＤ３、有機ＥＬ層ＥＬＹ３、及び犠牲層ＭＷＹ３の積層体を積層体ＳＫＴ３１とする。

【0104】

積層体ＳＫＴ１４、積層体ＳＫＴ２３、及び積層体ＳＫＴ３１を覆って、犠牲層ＡＯＫ１を形成する（図３４参照）。犠牲層ＡＯＫ３は、犠牲層ＡＯＭ１と同じ材料で形成される。上層ＡＯＵ３及び犠牲層ＡＯＫ３は、一体化する。

【0105】

犠牲層ＡＯＫ３を異方性エッチングして、積層体ＳＫＴ３１の側面に接する領域のみを残し、その他の領域を除去する。これにより、犠牲層ＡＯＫ１から側壁ＡＯＳ３が形成される（図３５参照）。上層ＡＯＵ３及び側壁ＡＯＳ３１は、一体化しており、併せて犠牲層ＡＯＹ３とする。積層体ＳＫＴ３１及び側壁ＡＯＳ３１を併せて、積層体ＳＫＴ３２とする。

【0106】

図１９と同様に、積層体ＳＫＴ１５のうち犠牲層ＭＷＹ１、積層体ＳＫＴ２４のうち犠牲層ＭＷＹ２、及び、積層体ＳＫＴ３２のうち犠牲層ＭＷＹ３を、エッチングにより除去する。この際、側壁ＡＯＳ１１、側壁ＳＮＳ１１、側壁ＡＯＳ１２、側壁ＳＮＳ１２、側壁ＡＯＳ２１、側壁ＳＮＳ２１、及び側壁ＡＯＳ３１それぞれの上部が、同時にエッチングされる。これにより、積層体ＳＫＴ１５、積層体ＳＫＴ２４、及び積層体ＳＫＴ３２それぞれから、上面が平坦化された積層体ＳＫＴ１６、積層体ＳＫＴ２５、及び積層体ＳＫＴ３３が得られる（図３６参照）

【0107】

積層体ＳＫＴ１６、積層体ＳＫＴ２５、及び積層体ＳＫＴ３３を覆って、保護層ＡＯＬが形成される。保護層ＡＯＬは、犠牲層ＡＯＭ１、犠牲層ＡＯＭ２、及び犠牲層ＡＯＭ３と同じ材料で形成される（図３７参照）。上層ＡＯＵ３及び保護層ＡＯＬは一体化し、上層ＡＯＵ３の膜厚が増加する。

【0108】

保護層ＡＯＬに接して、積層体ＳＫＴ１６、積層体ＳＫＴ２５、及び積層体ＳＫＴ３３それぞれの間、換言すると、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、有機ＥＬ層ＥＬＹ２、及び有機ＥＬ層ＥＬＹ３の間に、バンクＢＫを形成する。有機ＥＬ層ＥＬＹ１、有機ＥＬ層ＥＬＹ２、及び有機ＥＬ層ＥＬＹ３それぞれの上方には、バンクＢＫが形成されていない。すなわち、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、有機ＥＬ層ＥＬＹ２、及び有機ＥＬ層ＥＬＹ３の上方には、それぞれ、開口部ＯＰ１、開口部ＯＰ２、及び開口部ＯＰ３が設けられている。

【0109】

開口部ＯＰ１中の上層ＡＯＵ１、上層ＳＮＵ１、及び保護層ＡＯＬ、開口部ＯＰ２中の上層ＡＯＵ２、上層ＳＮＵ２、及び保護層ＡＯＬ、並びに、開口部ＯＰ３中の上層ＡＯＵ３をエッチングにより除去する。これにより、開口部ＯＰ１、開口部ＯＰ２、及び開口部ＯＰ３内で、有機ＥＬ層ＥＬＹ１、有機ＥＬ層ＥＬＹ２、及び有機ＥＬ層ＥＬＹ３が露出する（図３８参照）。

【0110】

図２３と同様に、露出した有機ＥＬ層ＥＬＹ１、有機ＥＬ層ＥＬＹ２、有機ＥＬ層ＥＬＹ３、及び、バンクＢＫを覆って、陰極ＣＤ、絶縁層ＩＮＳ、絶縁層ＰＣＬを形成する。絶縁層ＰＣＬ上には、基材ＢＡ２を設ける。以上により、実施形態２の表示装置ＤＳＰが形成される。

【0111】

実施形態２では、画素ＰＸ３の側壁は側壁ＡＯＳ３１だけである。これにより、実施形態２の表示装置ＤＳＰの製造工程において、設計マージンを増加させることが可能である。

【0112】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0113】

ＡＤ…陽極、ＡＯＬ…保護層、ＡＯＳ１１…側壁、ＡＯＳ１２…側壁、ＡＯＳ１３…側壁、ＡＯＳ２１…側壁、ＡＯＳ２２…側壁、ＡＯＳ３１…側壁、ＡＯＵ１…上層、ＡＯＵ２…上層、ＡＯＵ３…上層、ＤＳＰ…表示装置、ＥＬＹ１…有機ＥＬ層、ＥＬＹ２…有機ＥＬ層、ＥＬＹ３…有機ＥＬ層、ＭＷＹ１…犠牲層、ＭＷＹ２…犠牲層、ＭＷＹ３…犠牲層、ＰＸ…画素、ＳＫＴ１１…積層体、ＳＫＴ２１…積層体、ＳＫＴ３１…積層体、ＳＮＳ１１…側壁、ＳＮＳ２１…側壁、ＳＮＵ１…上層、ＳＮＵ２…上層。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】

【図36】

【図37】

【図38】