特開 2024-114458 圧力センサ、及び圧力検出システム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024114458

(43)【公開日】2024-08-23

(54)【発明の名称】圧力センサ、及び圧力検出システム

(51)【国際特許分類】

   G01L 5/00 20060101AFI20240816BHJP

【ＦＩ】

G01L5/00 101Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023020249

(22)【出願日】2023-02-13

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】芳賀 祐太

【テーマコード（参考）】

2F051

【Ｆターム（参考）】

2F051AB07

2F051BA07

(57)【要約】

【課題】簡易な方法で補正データを取得できる圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサは、複数の検出電極、センサ層、共通電極、複数の信号線、複数のスイッチ素子、複数のゲート線、個別検出領域毎に配置された複数の補正用回路、及び補正用回路を駆動させる補正用ゲート線を備える。信号線から出力される電流値は入力される圧力の大きさに比例する。補正用回路は、一端が共通電極に接続し、他端が信号線に接続し、検出電極及びスイッチ素子と並列接続される第１配線及び第２配線を有する。第１配線は、第１抵抗値の第１抵抗部品と、第１配線用スイッチ素子と、を有する。第２配線は、第１抵抗値よりも大きい第２抵抗値の第２抵抗部品と、第２配線用スイッチ素子と、を有する。補正用ゲート線は、第１配線用スイッチ素子を制御する第１補正用ゲート線と、第２配線用スイッチ素子を制御する第２補正用ゲート線と、を有する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

個別検出領域毎に配置された複数の検出電極と、
複数の前記検出電極と対向するセンサ層と、
圧力の入力時、前記センサ層を介して前記検出電極に電流を流す共通電極と、
前記検出電極と接続し、前記検出電極に流れた電流を外部に出力する複数の信号線と、
前記信号線と前記検出電極との接続を開閉する複数のスイッチ素子と、
前記スイッチ素子の開閉を制御する複数のゲート線と、
前記個別検出領域毎に配置された複数の補正用回路と、
前記補正用回路を駆動させる補正用ゲート線と、
を備え、
前記信号線から出力される電流値は、前記個別検出領域に入力される圧力の大きさに比例し、
前記補正用回路は、一端が前記共通電極に接続し、他端が前記信号線に接続し、前記検出電極及び前記スイッチ素子と並列接続される第１配線及び第２配線を有し、
前記第１配線は、
第１抵抗値の第１抵抗部品と、
前記第１配線を開閉する第１配線用スイッチ素子と、
を有し、
前記第２配線は、
前記第１抵抗値よりも大きい第２抵抗値の第２抵抗部品と、
前記第２配線を開閉する第２配線用スイッチ素子と、
を有し、
前記補正用ゲート線は、
前記第１配線用スイッチ素子を制御する第１補正用ゲート線と、
前記第２配線用スイッチ素子を制御する第２補正用ゲート線と、
を有している
圧力センサ。

【請求項2】

個別検出領域毎に配置された複数の検出電極と、
複数の前記検出電極と対向するセンサ層と、
圧力の入力時、前記センサ層を介して前記検出電極に電流を流す共通電極と、
前記検出電極と接続し、前記検出電極に流れた電流を受け取る複数の信号線と、
前記信号線と前記検出電極との接続を開閉する複数のスイッチ素子と、
前記スイッチ素子の開閉を制御する複数のゲート線と、
前記個別検出領域の外部である被検出領域に配置された複数の補正用回路と、
前記補正用回路を駆動させる補正用ゲート線と、
前記補正用回路からの信号を出力する補正用信号線と、
を備え、
前記信号線から出力される電流値は、前記個別検出領域に入力される圧力の大きさに比例し、
複数の前記検出電極は、前記信号線が延在する第１方向と、前記第１方向に交差する第２方向と、に配列し、
前記補正用回路は、前記第２方向に配列する複数の前記検出電極に対し、１つずつ設けられ、
前記補正用回路は、一端が前記第２方向に配列する複数の前記検出電極と共通する前記共通電極に接続し、他端が前記補正用信号線と接続する、第１配線及び第２配線を有し、
前記第１配線は、
第１抵抗値の第１抵抗部品と、
前記第１配線を開閉する第１配線用スイッチ素子と、
を有し、
前記第２配線は、
前記第１抵抗値よりも大きい第２抵抗値の第２抵抗部品と、
前記第２配線を開閉する第２配線用スイッチ素子と、
を有し、
前記補正用ゲート線は、
前記第１配線用スイッチ素子を制御する第１補正用ゲート線と、
前記第２配線用スイッチ素子を制御する第２補正用ゲート線と、
を有している
圧力センサ。

【請求項3】

個別検出領域毎に配置された複数の検出電極と、
複数の前記検出電極と対向するセンサ層と、
圧力の入力時、前記センサ層を介して前記検出電極に電流を流す共通電極と、
前記検出電極と接続し、前記検出電極に流れた電流を受け取る複数の信号線と、
前記信号線と前記検出電極との接続を開閉する複数のスイッチ素子と、
前記スイッチ素子の開閉を制御する複数のゲート線と、
前記個別検出領域の外部である被検出領域に配置された複数の補正用回路と、
前記補正用回路を駆動させる補正用ゲート線と、
を備え、
前記信号線から出力される電流値は、前記個別検出領域に入力される圧力の大きさに比例し、
複数の前記検出電極は、前記信号線が延在する第１方向と、前記第１方向に交差する第２方向と、に配列し、
前記補正用回路は、前記第１方向に配列する複数の前記検出電極に対し、１つずつ設けられ、
前記補正用回路は、一端が前記共通電極に接続し、他端が前記第１方向に配列する複数の前記検出電極と共通する前記信号線と接続する、第１配線及び第２配線を有し、
前記補正用回路は、他端が前記信号線と接続する第１配線及び第２配線を有し、
前記第１配線は、
第１抵抗値の第１抵抗部品と、
前記第１配線を開閉する第１配線用スイッチ素子と、
を有し、
前記第２配線は、
前記第１抵抗値よりも大きい第２抵抗値の第２抵抗部品と、
前記第２配線を開閉する第２配線用スイッチ素子と、
を有し、
前記補正用ゲート線は、
前記第１配線用スイッチ素子を制御する第１補正用ゲート線と、
前記第２配線用スイッチ素子を制御する第２補正用ゲート線と、
を有している
圧力センサ。

【請求項4】

請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の圧力センサと、
前記圧力センサの信号線の出力結果から圧力値を算出する制御装置と、
を有し、
前記制御装置は、
前記第１配線用スイッチ素子が閉じた場合の第１出力値と、前記第２配線用スイッチ素子が閉じた場合の第２出力値とから、個別検出領域における出力値特性直線を算出し、
前記出力値特性直線が所望の出力値を示す補正ターゲット直線と一致するための補正係数を算出し、
前記補正係数を用いて出力値を補正する
圧力検出システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、圧力センサ、及び圧力検出システムに関する。

【背景技術】

【0002】

圧力検出システムは、圧力が入力される圧力センサと、圧力センサから出力された出力値から圧力値を算出する制御装置と、を備えている。また、下記特許文献の圧力センサは、複数の検出電極が設けられたアレイ基板と、検出電極に対向する共通電極と、検出電極と共通電極との間に挟まれたセンサ層と、を備えている。圧力センサに圧力が入力されると、共通電極及びセンサ層がアレイ基板に向かって変形する。そして、センサ層が検出電極と接触すると、センサ層を介して、共通電極から検出電極に電流が流れる。また、センサ層は、絶縁性の樹脂の内部に導電性粒子が分散している。樹脂が変形すると、導電性粒子同士が接触し、センサ層の抵抗値が低くなる。樹脂の変形量が大きくなると、互いに接触する導電性粒子の数が増加し、センサ層の抵抗値の低減量も大きくなる。よって、圧力センサに入力された圧力が大きくなると、検出電極に流れる電流値も大きくなる。以上から、圧力センサは、検出電極毎に圧力を検出することができる。言い換えると、圧力センサの検出領域は、複数の個別検出領域に区分けされている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１８－１４６４８９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、例えばＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などのスイッチ素子毎の特性は、個別検出領域毎に異なる場合がある。また、検出電極で検出された検出信号（電流）が制御装置に送られるまでの経路、つまり、アナログ・フロント・エンド（以下、ＡＦＥと称する）の経路毎に、特性のバラつきがある場合がある。このような理由から、複数の個別検出領域に入力された圧力が同じ大きさであっても、制御装置が受け取る出力値が異なる場合がある。このため、制御装置では、個別検出領域毎の出力値が補正される。

【0005】

一方で、個別検出領域の補正データを取得するため、個別検出領域に一様な圧力を加え、個別検出領域の出力値を取得する必要がある。ここで、各個別検出領域に一様な圧力を加える方法として、検出領域の全域と当接可能な治具を準備し、この治具を検出領域に押し付ける方法が挙げられる。しかしながら、検出領域を構成する検出面に微小な凹凸や歪みがある場合、治具を押し付けても各個別検出領域に一様な圧力が作用しない。以上から、検出面に一様な圧力を加える以外の方法であって、かつ簡易な方法で補正データを取得できることが望まれている。

【0006】

本発明は、簡易な方法で補正データを取得できる圧力センサ及び圧力検出システムを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示の第１態様に係る圧力センサは、個別検出領域毎に配置された複数の検出電極と、複数の前記検出電極と対向するセンサ層と、圧力の入力時、前記センサ層を介して前記検出電極に電流を流す共通電極と、前記検出電極と接続し、前記検出電極に流れた電流を外部に出力する複数の信号線と、前記信号線と前記検出電極との接続を開閉する複数のスイッチ素子と、前記スイッチ素子の開閉を制御する複数のゲート線と、前記個別検出領域毎に配置された複数の補正用回路と、前記補正用回路を駆動させる補正用ゲート線と、を備える。前記信号線から出力される電流値は、前記個別検出領域に入力される圧力の大きさに比例している。前記補正用回路は、一端が前記共通電極に接続し、他端が前記信号線に接続し、前記検出電極及び前記スイッチ素子と並列接続される第１配線及び第２配線を有している。前記第１配線は、第１抵抗値の第１抵抗部品と、前記第１配線を開閉する第１配線用スイッチ素子と、を有している。前記第２配線は、前記第１抵抗値よりも大きい第２抵抗値の第２抵抗部品と、前記第２配線を開閉する第２配線用スイッチ素子と、を有している。前記補正用ゲート線は、前記第１配線用スイッチ素子を制御する第１補正用ゲート線と、前記第２配線用スイッチ素子を制御する第２補正用ゲート線と、を有している。

【0008】

本開示の第２態様に係る圧力センサは、個別検出領域毎に配置された複数の検出電極と、複数の前記検出電極と対向するセンサ層と、圧力の入力時、前記センサ層を介して前記検出電極に電流を流す共通電極と、前記検出電極と接続し、前記検出電極に流れた電流を受け取る複数の信号線と、前記信号線と前記検出電極との接続を開閉する複数のスイッチ素子と、前記スイッチ素子の開閉を制御する複数のゲート線と、前記個別検出領域の外部である被検出領域に配置された複数の補正用回路と、前記補正用回路を駆動させる補正用ゲート線と、前記補正用回路からの信号を出力する補正用信号線と、を備える。前記信号線から出力される電流値は、前記個別検出領域に入力される圧力の大きさに比例している。複数の前記検出電極は、前記信号線が延在する第１方向と、前記第１方向に交差する第２方向と、に配列している。前記補正用回路は、前記第２方向に配列する複数の前記検出電極に対し、１つずつ設けられている。前記補正用回路は、一端が前記第２方向に配列する複数の前記検出電極と共通する前記共通電極に接続し、他端が前記補正用信号線と接続する、第１配線及び第２配線を有している。前記第１配線は、第１抵抗値の第１抵抗部品と、前記第１配線を開閉する第１配線用スイッチ素子と、を有している。前記第２配線は、前記第１抵抗値よりも大きい第２抵抗値の第２抵抗部品と、前記第２配線を開閉する第２配線用スイッチ素子と、を有している。前記補正用ゲート線は、前記第１配線用スイッチ素子を制御する第１補正用ゲート線と、前記第２配線用スイッチ素子を制御する第２補正用ゲート線と、を有している。

【0009】

本開示の第３態様に係る圧力センサは、個別検出領域毎に配置された複数の検出電極と、複数の前記検出電極と対向するセンサ層と、圧力の入力時、前記センサ層を介して前記検出電極に電流を流す共通電極と、前記検出電極と接続し、前記検出電極に流れた電流を受け取る複数の信号線と、前記信号線と前記検出電極との接続を開閉する複数のスイッチ素子と、前記スイッチ素子の開閉を制御する複数のゲート線と、前記個別検出領域の外部である被検出領域に配置された複数の補正用回路と、前記補正用回路を駆動させる補正用ゲート線と、を備える。前記信号線から出力される電流値は、前記個別検出領域に入力される圧力の大きさに比例している。複数の前記検出電極は、前記信号線が延在する第１方向と、前記第１方向に交差する第２方向と、に配列している。前記補正用回路は、前記第１方向に配列する複数の前記検出電極に対し、１つずつ設けられている。前記補正用回路は、一端が前記共通電極に接続し、他端が前記第１方向に配列する複数の前記検出電極と共通する前記信号線と接続する、第１配線及び第２配線を有している。前記補正用回路は、他端が前記信号線と接続する第１配線及び第２配線を有している。前記第１配線は、第１抵抗値の第１抵抗部品と、前記第１配線を開閉する第１配線用スイッチ素子と、を有している。前記第２配線は、前記第１抵抗値よりも大きい第２抵抗値の第２抵抗部品と、前記第２配線を開閉する第２配線用スイッチ素子と、を有している。前記補正用ゲート線は、前記第１配線用スイッチ素子を制御する第１補正用ゲート線と、前記第２配線用スイッチ素子を制御する第２補正用ゲート線と、を有している。

【0010】

本開示の一態様に係る圧力検出システムは、前記した圧力センサと、前記圧力センサの信号線の出力結果から圧力値を算出する制御装置と、を有している。前記制御装置は、前記第１配線用スイッチ素子が閉じた場合の第１出力値と、前記第２配線用スイッチ素子が閉じた場合の第２出力値とから、個別検出領域における出力値特性直線を算出している。前記出力値特性直線が所望の出力値を示す補正ターゲット直線と一致するための補正係数を算出している。前記補正係数を用いて出力値を補正する。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、実施形態１に係る圧力検出システムを模式的に示す斜視図である。

【図2】図２は、図１に示すＩＩ－ＩＩ線で切った断面を矢印方向から視た断面図である。

【図3】図３は、実施形態１の圧力センサの回路構成を示す回路図である。

【図4】図４は、実施形態１の圧力センサの検出面に圧力が入力された状態を示す図である。

【図5】図５は、圧力センサ（個別検出領域）に作用した圧力値と信号線から出力された出力値（電流値）との関係を示す図（グラフ）である。

【図6】図６は、センサ層の抵抗値の低減量と信号線から出力された出力値（電流値）との関係を示す図（グラフ）である。

【図7】図７は、実施形態１における補正データの算出処理のフローを示す図である。

【図8】図８は、補正データの算出方法の第１工程で得られた出力値と抵抗値の低減量との関係を示す図（グラフ）である。

【図9】図９は、センサ層の抵抗値の低減量と信号線から出力された出力値（電流値）との関係を示す図（グラフ）であり、出力値特性直線を補正ターゲット直線に重ねることを説明するためのイメージ図である。

【図10】図１０は、制御装置の記憶部に記憶される補正係数Ａ、Ｂを示す図である。

【図11】図１１は、実施形態１の圧力値の算出処理のフローを示す図である。

【図12】図１２は、実施形態２に係る圧力値の算出処理のフローを示す図である。

【図13】図１３は、実施形態３の圧力センサの回路構成を示す回路図である。

【図14】図１４は、実施形態４の圧力センサの回路構成を示す回路図である。

【図15】図１５は、変形例１の圧力センサの断面を示す断面図である。

【図16】図１６は、変形例２の圧力センサの断面を示す断面図である。

【図17】図１７は、変形例２の圧力センサにおいて圧力が入力された場合の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本開示の圧力センサを実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示の発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の構成要素には、同一の符号を付し、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0013】

また、本明細書及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

【0014】

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る圧力検出システムを模式的に示す斜視図である。図１に示すように、圧力検出システム１００は、圧力センサ１と、制御装置１０１と、を備えている。圧力センサ１は、平板状に形成されており、圧力を検出する検出面１ａを有している。検出面１ａの法線方向から視て、圧力センサ１は、長方形状（矩形状）に形成されている。圧力センサ１の検出面１ａは、圧力を検出可能な検出領域２と、検出領域２の外側を囲む周辺領域３と、に区分けされる。また、検出領域２は、複数の個別検出領域４に区分けされている。なお、図１においては、検出領域２と周辺領域３との境界線を見やすくするため、仮想線Ｌを引いている。

【0015】

複数の個別検出領域４は、第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙに配列している。第１方向Ｄｘは、検出面１ａと平行な方向である。第２方向Ｄｙは、検出面１ａと平行であり、かつ第１方向Ｄｘと交差する方向である。なお、本実施形態において、第１方向Ｄｘは、圧力センサ１の長辺と平行な方向である。また、第２方向Ｄｙは、圧力センサ１の短辺と平行な方向である。つまり、第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとは、互いに直交している。また、検出面１ａの法線方向は、第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとのそれぞれに直交する方向であり、第３方向Ｄｚを称する場合がある。

【0016】

図２は、図１に示すＩＩ－ＩＩ線で切った断面を矢印方向から視た断面図である。図２に示すように、圧力センサ１は、基板５と、回路形成層１０と、検出電極２０と、共通電極３０と、センサ層６０と、保護層７０と、を備えている。

【0017】

基板５は、絶縁性を有する板材である。基板５には、例えば、ガラス基板、樹脂基板、又は樹脂フィルム等が用いられる。基板５は、回路形成層１０と一体化してアレイ基板６を成す。以下の説明において、上側とは、第３方向Ｄｚの一方向であり、基板５から視て、回路形成層１０が配置されている方を指す。

【0018】

回路形成層１０のうち検出領域２と重なる領域には、複数の駆動用トランジスタ（スイッチ素子）１３が設けられている。また、複数の駆動用トランジスタ１３は、個別検出領域４の配列に対応しており、第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙに配列している。つまり、駆動用トランジスタ１３は、個別検出領域４に対し１つずつが設けられている。また、回路形成層１０には、複数の補正用回路４０と、補正用ゲート線５０（図３参照）と、が設けられている。複数の補正用回路４０と補正用ゲート線５０については後述する。

【0019】

回路形成層１０は、駆動用トランジスタ１３を駆動するための各種構成を含んでいる。具体的に、図１に示すように、回路形成層１０は、接続部７、ゲート線駆動回路８、信号線選択回路９、ゲート線１１（図３参照）、及び信号線１２（図３参照）を有している。

【0020】

接続部７、ゲート線駆動回路８、及び信号線選択回路９は、周辺領域３に配置されている。接続部７は、圧力センサ１の外部に配置された駆動ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）と接続するためのものである。本実施形態では、制御装置１０１が駆動ＩＣの機能を有し、接続部７は制御装置１０１と接続している。なお、本開示においての駆動ＩＣは、接続部７に接続されたフレキシブルプリント基板や、リジット基板の上にＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）として実装されてもよい。または、駆動ＩＣは、周辺領域３にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）として実装されてもよい。

【0021】

ゲート線駆動回路８は、制御装置１０１からの各種制御信号に基づいて複数のゲート線１１（図３参照）を駆動する回路である。ゲート線駆動回路８は、複数のゲート線１１を順次又は同時に選択し、選択されたゲート線１１にゲート駆動信号を供給する。信号線選択回路９は、複数の信号線１２（図３参照）を順次又は同時に選択するスイッチ回路である。信号線選択回路９は、例えばマルチプレクサである。信号線選択回路９は、制御装置１０１から供給される選択信号に基づき、選択された信号線１２と制御装置１０１とを接続する。

【0022】

図３は、実施形態１の圧力センサの回路構成を示す回路図である。図３に示すように、ゲート線１１は、第２方向Ｄｙに延在している。また、第１方向Ｄｘに、複数のゲート線１１が配列している。信号線１２は、第１方向Ｄｘに延在している。また、第２方向Ｄｙに、複数の信号線１２が配列している。そのほか、特に図示しないが、回路形成層１０は、周辺領域３に沿って延在する共通配線を有している。共通配線は、共通電極３０に電流を供給するための配線である。共通配線は、接続部７を介して制御装置１０１に接続し、制御装置１０１から一定量の電流が供給されている。

【0023】

図２に示すように、駆動用トランジスタ１３は、半導体層１３ａと、ゲート絶縁膜１３ｂと、ゲート電極１３ｃと、ドレイン電極１３ｄと、ソース電極１３ｅと、を備えている。ソース電極１３ｅは、検出電極２０と接続している。ゲート電極１３ｃは、ゲート線１１と接続している。ドレイン電極１３ｄは、信号線１２と接続している。これにより、ゲート線１１を走査すると、検出電極２０が閉じる。これにより、検出電極２０に入力された電気信号（電流値）は、信号線１２に出力される。

【0024】

アレイ基板６においてセンサ層６０の方を向く第１面６ａは、駆動用トランジスタ１３等を被覆する絶縁層１４により平坦化している。

【0025】

検出電極２０と共通電極３０は、アレイ基板６の第１面６ａに設けられている。検出電極２０と共通電極３０は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの金属材料で製造されている。なお、本開示においては、検出電極２０と共通電極３０は、互いに異なる金属材料で製造されていてもよく、特に限定されない。

【0026】

共通電極３０は、回路形成層１０の絶縁層１４に埋設された図示しない配線により、共通配線（不図示）と接続している。よって、共通電極３０には、制御装置１０１から一定量の電流が供給されている。また、共通電極３０は、検出電極２０に対し、離隔している。

【0027】

センサ層６０は、絶縁性が高い樹脂層の内部に導電性の微粒子が含まれている。微粒子は、樹脂層の内部で互いに離隔している。よって、樹脂層が変形していない状態でセンサ層６０の抵抗値が大きい。一方、樹脂層が変形すると微粒子が接触又は近接し、センサ層６０の抵抗値が小さくなる。また、樹脂層の変形量が大きくなると、微粒子の接触する量が増加し、センサ層６０の抵抗値が大きく低減する。なお、センサ層６０は、感圧層と呼ばれることがある。

【0028】

図２に示すように、センサ層６０は、アレイ基板６の上側に配置されている。よって、センサ層６０は、検出電極２０と共通電極３０に対向している。また、センサ層６０は、アレイ基板６に設けられたスペーサ（不図示）により支持されている。よって、センサ層６０の下側には、空間Ｓが設けられ、センサ層６０は、検出電極２０と共通電極３０のそれぞれと離隔している。なお、スペーサ（不図示）は、アレイ基板６の第１面６ａのうち周辺領域３に設けられていたり、若しくは、個別検出領域４同士の間に設けられていたりしてもよく、本開示において特に限定されない。

【0029】

保護層７０は、センサ層６０の上側に配置され、センサ層６０に沿って延在する絶縁層である。保護層７０は、図示しない接着層によりセンサ層６０と一体化されている。保護層７０の上側の面は、検出面１ａとなっている。

【0030】

図４は、実施形態１の圧力センサの検出面に圧力が入力された状態を示す図である。図５は、圧力センサ（個別検出領域）に作用した圧力値と信号線から出力された出力値（電流値）との関係を示す図（グラフ）である。図６は、センサ層の抵抗値の低減量と信号線から出力された出力値（電流値）との関係を示す図（グラフ）である。図４に示すように、検出面１ａに圧力Ｆが入力されると、保護層７０とセンサ層６０の一部がアレイ基板６の方に窪む。これにより、センサ層６０は、検出電極２０及び共通電極３０に接触する。また、センサ層６０は、押圧による変形により抵抗値が小さくなる。これにより、検出電極２０と共通電極３０は、センサ層６０を介して電気的に接続する。つまり、共通電極３０から検出電極２０に電流（矢印Ｉ参照）が流れる。そして、検出電極２０に流れた電流は、信号線１２から圧力センサ１の外部（制御装置１０１）に出力される。以上から、信号線１２から出力される信号の有無により、検出面１ａに圧力が加えられたか否かを検出できる。

【0031】

また、圧力Ｆが大きくなると、センサ層６０の変形量が大きくなり、センサ層６０の抵抗値が小さくなる。そのほかに、圧力が大きくなると、検出電極２０と共通電極３０に接触するセンサ層６０の接触面積が大きくなり、検出電極２０に流れる電流も大きくなる。つまり、検出面１ａに加えられた圧力が大きくなるほど、信号線１２から出力される出力値（電流値）が大きくなる。よって、検出電極２０に入力された電流値の大きさを測定することにより、検出面１ａに加えられた圧力の大きさを検出することができる。

【0032】

また、図５に示すように、本実施形態では、圧力センサ１に入力された圧力値の大きさと、信号線１２とから出力される出力値の大きさは、比例関係となっている。

【0033】

本実施形態において、センサ層６０の抵抗値は、不負荷状態で１０００Ωである。一方で、可能な限り大きな圧力が入力されると、センサ層６０の抵抗値は０Ωとなる。つまり、入力された圧力が大きくなるほど、センサ層６０の抵抗値の低減量が大きくなる、という比例関係となっている。よって、本実施形態では、図５に示す圧力値と出力値との比例関係は、図６に示すように、センサ層６０の抵抗値の低減量と信号線１２からの出力値との関係（比例関係）に置き換えることができる。

【0034】

以上、上記した圧力センサ１によれば、第１方向Ｄｘに配列する複数の検出電極２０は、信号線１２に対して接続する第１方向Ｄｘの位置がそれぞれ異なる。よって、制御装置１０１までの経路長は、それぞれ異なる。または、信号線１２は、第２方向Ｄｙに複数配置され、信号線１２毎の特性が異なる。このため、複数の個別検出領域４に入力された圧力が同じ大きさであっても、制御装置１０１が受け取った出力値が異なることがある。次に、このような個別検出領域４毎の出力値の特性（いわゆるムラ）を調べるための補正用回路４０と補正用ゲート線５０を説明する。

【0035】

図３に示すように、補正用回路４０は、個別検出領域４毎に１つずつ設けられている。
また、補正用回路４０は、第１配線４１と第２配線４２を有している。第１配線４１及び第２配線４２は、それぞれ、一端が共通電極３０に接続し、他端が信号線１２に接続している。よって、第１配線４１及び第２配線４２は、検出電極２０及び駆動用トランジスタ１３と並列接続している。

【0036】

第１配線４１には、第１抵抗値を有する第１抵抗部品４３と、第１配線４１を開閉する第１配線用スイッチ素子４４が設けられている。また、第２配線４２には、第１抵抗値よりも大きい第２抵抗値を有する第２抵抗部品４５と、第２配線４２を開閉する第２配線用スイッチ素子４６と、を有している。

【0037】

第１抵抗部品４３の第１抵抗値は、２００Ωである。第１抵抗値は、センサ層６０において想定される抵抗値の変化範囲（０Ωから１０００Ω）のうち、比較的低い抵抗値となっている。第２抵抗部品４５は、第１抵抗値よりも大きい値であり、８００Ωである。第２抵抗値は、センサ層６０において想定される抵抗値の変化範囲（０Ωから１０００Ω）のうち、比較的高い抵抗値となっている。

【0038】

図２に示すように、第１配線用スイッチ素子４４及び第２配線用スイッチ素子４６は、トランジスタである。第１配線用スイッチ素子４４及び第２配線用スイッチ素子４６は、それぞれ、半導体層４４ａ、４６ａと、ゲート絶縁膜４４ｂ、４６ｂと、ゲート電極４４ｃ、４６ｃと、ドレイン電極４４ｄ、４６ｄと、ソース電極４４ｅ、４６ｅと、を備えている。ドレイン電極４４ｄ、４６ｄ側は、信号線１２（図３参照）と接続している。また、ソース電極４４ｅ、４６ｅ側は、第１抵抗部品４３又は第２抵抗部品４５と接続している。

【0039】

図３に示すように、補正用ゲート線５０は、第１配線用スイッチ素子４４を制御する第１補正用ゲート線５１と、第２配線用スイッチ素子４６を制御する第２補正用ゲート線５２と、を備えている。第１補正用ゲート線５１と、第２補正用ゲート線５２とは、それぞれ第２方向Ｄｙに延在している。そして、第１補正用ゲート線５１は、第１配線用スイッチ素子４４のゲート電極４４ｃと接続している。第２補正用ゲート線５２は、第２配線用スイッチ素子４６のゲート電極４６ｃと接続している。また、第１補正用ゲート線５１と、第２補正用ゲート線５２は、第１方向Ｄｘに複数配置されている。第１補正用ゲート線５１と、第２補正用ゲート線５２は、ゲート線駆動回路８に接続している。

【0040】

次に制御装置１０１について説明する。制御装置１０１は、いわゆるコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）と、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ：Ｈａｒｄ Ｄｉｓｃ Ｄｒｉｖｅ）などの記憶部１０２と、を備えている。ＣＰＵは、ＲＡＭに格納されたプログラムを読み出して実行し（演算を行い）、その演算結果を記憶装置に出力する。ＲＡＭは、プログラム及びデータの記録及び読み出しができるメインメモリである。ＲＯＭには、ＢＩＯＳ（Ｂａｓｉｃ Ｉｎｐｕｔ Ｏｕｔｐｕｔ Ｓｙｓｔｅｍ）などのプログラムが記憶されている。

【0041】

図７は、実施形態１における補正データの算出処理のフローを示す図である。制御装置１０１は、圧力センサ１から受け取った出力値を補正するための補正データの算出処理を実行する。図７に示すように、補正データの算出処理Ｓ１は、個別検出領域４の出力値を取得する第１工程Ｓ１１と、個別検出領域４の出力値の特性を示す出力値特性直線を算出する第２工程Ｓ１２と、全ての個別検出領域４で出力値特性直線を算出したか否かを判断する第３工程Ｓ１３と、出力値特性直線から補正係数（補正データ）を算出する第４工程Ｓ１４と、を含む。

【0042】

以下の説明において、本実施形態の個別検出領域４の総数をＮ個とする。また、各個別検出領域４を識別するため、個別検出領域４毎に識別番号ｉ（ｉ＝１，２，３、・・・・Ｎ）が振り分けられている。また、第１工程Ｓ１１及び第２工程Ｓ１２は、複数の個別検出領域４のうち１つの個別検出領域４を特定し、その特定した個別検出領域４に対し、第１工程Ｓ１１及び第２工程Ｓ１２を連続して行うようになっている。また、複数の個別検出領域４のうち１つの個別検出領域４を特定する方法は、識別番号ｉの数値が小さい順となっている。

【0043】

図８は、補正データの算出処理の第１工程で得られた出力値と抵抗値の低減量との関係を示す図（グラフ）である。第１工程Ｓ１１は、第１配線用スイッチ素子４４が閉じた場合の第１出力値と、第２配線用スイッチ素子４６が閉じた場合の第２出力値と、を取得する工程である。

【0044】

具体的に、第１工程Ｓ１１において、例えば識別番号ｉに対応する個別検出領域４の第１補正用ゲート線５１を走査し、第１配線用スイッチ素子４４を閉じる。これにより、共通電極３０から第１配線４１に電流が流れる。また、電流は、第１抵抗部品４３及び第１配線用スイッチ素子４４を経由し、信号線１２から制御装置１０１に送られる。このとき制御装置１０１が受け取った出力値が第１出力値である。これによれば、センサ層６０の抵抗値が２００Ωの場合、言い換えると、図８に示すように、センサ層６０の抵抗値の低減量が８００Ωの場合の出力値の特性（点Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３・・・を参照）が得られる。

【0045】

続いて識別番号ｉに対応する個別検出領域４の第２補正用ゲート線５２を走査し、第２配線用スイッチ素子４６を閉じる。これにより、共通電極３０から第２配線４２に電流が流れる。電流は、第２抵抗部品４５及び第２配線用スイッチ素子４６を経由し、信号線１２から制御装置１０１に送られる。このとき制御装置１０１が受け取った出力値が第２出力値である。これによれば、センサ層６０の抵抗値が８００Ωの場合、言い換えると、図８に示すように、センサ層６０の抵抗値の低減量が２００Ωの場合の出力値の特性（点Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３・・・を参照）が得られる。

【0046】

以上、第１工程によれば、図８に示すように、識別番号ｉが個別検出領域４において、第１抵抗部品４３（抵抗値の低減量が８００Ωの場合）を経由した第１出力値と、第２抵抗部品４５（抵抗値の低減量が２００Ωの場合）を経由した第２出力値と、の２点が得られる。

【0047】

第２工程Ｓ１２は、識別番号ｉに対応する個別検出領域４の出力値特性直線を算出する。この出力値特性直線は、図８に示すように、第１出力値（点Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３・・・参照）と、第２出力値（点Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３・・・参照）と、を結ぶ直線である。また、出力値特性直線を式に表すと、下記に示す式（１）となる。

【0048】

【数1】

【0049】

式（１）のうち、Ｏ_{ｒａｗ＿Ｎ}は、識別番号がＮ番目における個別検出領域４の出力値を示す。ｒは、センサ層６０の抵抗値の低減量（Ω）である。ａ_Ｎとｂ_Ｎは係数であり、詳細には、ａ_Ｎは、図８における直線の傾きであり、ｂ_Ｎは、直線の切片である。また、図５、図６に示すように、出力値と圧力センサ１に入力された圧力値（センサ層６０の抵抗値の低減量）は、比例関係となっている。よって、式（１）に示すように、抵抗値ｒを関数とした１次式を立てることができる。

【0050】

そして、第２工程Ｓ１２において、出力値特性直線の係数ａ_Ｎとｂ_Ｎを算出するため、第１配線用スイッチ素子４４を閉じた場合に得られた第１出力値をＯ_{ｒａｗ＿Ｎ}に代入し、センサ層６０の抵抗値の低減量である８００Ωをｒに代入し、第１式を立てる。同様に、第２配線用スイッチ素子４６を閉じた場合に得られた第２出力値をＯ_{ｒａｗ＿Ｎ}に代入するとともに、センサ層６０の抵抗値の低減量である２００Ωをｒに代入し、第２式を立てる。そして、第１式と第２式とから、係数ａ_Ｎとｂ_Ｎを算出する。これにより、個別検出領域４の出力値特性直線を表す式（１）が算出される。

【0051】

次に、第３工程Ｓ１３で、個別検出領域４の全ての出力値特性直線を算出したかを判定する。なお、本実施形態では、個別検出領域４の識別番号ｉの数字が小さい順から第１工程Ｓ１１と第２工程Ｓ１２を行うようになっている。よって、第３工程Ｓ１３では、第２工程Ｓ１２が終了した個別検出領域４の識別番号ｉが「Ｎ」であるか否かを判定する。識別番号ｉが「Ｎ」の場合、最後の個別検出領域４であり、個別検出領域４の全ての出力値特性直線が算出されたと判断され、第４工程Ｓ１４に進む。一方で、識別番号ｉが「Ｎ」でないと判定された場合には、第１工程Ｓ１１に戻り、識別番号「ｉ＋１」が当てられた個別検出領域４の第１出力値と第２出力値を得る。なお、本開示は、第１工程Ｓ１１と第２工程Ｓ１２は、識別番号ｉが大きいものから順に行ってもよく、特に順番は関係ない。

【0052】

第４工程Ｓ１４は、個別検出領域４毎の補正式を算出する工程である。ここで、補正式とは、信号線１２から受け取った出力値を補正して適正な出力値にするための式である。具体的には、制御装置１０１は、補正式として下記の式（２）を記憶している。

【0053】

【数2】

【0054】

Ｏ_ｎは、適正な（補正後の）出力値であり、ＡとＢは補正係数（補正データ）である。Ｏ_{ｒａｗ＿Ｎ}は、実際に信号線１２から受け取った出力値であり、式（１）にも示されている。また、制御装置１０１は、個別検出領域４毎の補正式（２）を記憶している。次に、出力値特性直線から補正係数Ａ、Ｂを算出する工程を説明する。

【0055】

制御装置１０１は、下記式（３）の補正ターゲット直線を記憶している。

【0056】

【数3】

【0057】

図９は、センサ層の抵抗値の低減量と信号線から出力された出力値（電流値）との関係を示す図（グラフ）であり、出力値特性直線を補正ターゲット直線に重ねることを説明するためのイメージ図である。図９に示すように、補正ターゲット直線Ｔ（図９の符号Ｔが指す直線を参照）は、所定量の圧力が入力された場合の出力値を予め定めた直線式である。第２工程Ｓ１２で得られた出力値特性直線（図９の破線Ｐ１、Ｐ２を参照）は、本来ならば、全ての個別検出領域４で特性が一致するべきものであるが、信号線１２の経路長等の違いから、各個別検出領域４ごとに異なる特性となっている。よって、全ての個別検出領域４において出力値特性直線（図９の破線Ｐ１、Ｐ２を参照）が一致するようにするため、出力値特性直線を補正ターゲット直線Ｔに重なるように演算する（図９の矢印参照）。なお、演算は、出力値特性直線の式（１）に対し、傾きを変える係数をかけたり、切片を変える係数を足したりする。具体的に下記の式（４）となる。

【0058】

【数4】

【0059】

式（４）のうち、「ａ_{ｔａｒｇｅｔ}／ａ_Ｎ」は、式（１）の傾きを補正する係数であり、式（２）の補正係数Ａに相当する。また、「ｂ_{ｔａｒｇｅｔ}－（（ａ_{ｔａｒｇｅｔ}×ｂ_ｎ）／ａ_Ｎ）」は、式（１）の切片を補正する係数であり、式（２）の補正係数Ｂに相当する。以上から、出力値特性直線から式（２）の補正係数Ａ、Ｂが算出される。

【0060】

図１０は、制御装置の記憶部に記憶される補正係数Ａ、Ｂを示す図である。個別検出領域４の補正係数Ａ、Ｂを算出した場合、制御装置１０１は、図１０に示すように、記憶部１０２に個別検出領域４の補正係数Ａ（Ａ_１、Ａ_１、・・・Ａ_ｎ）、Ｂ（Ｂ_１、Ｂ_１、・・・Ｂ_ｎ）を記憶し、補正データ（補正係数Ａ、Ｂ）の算出処理Ｓ１を終了する（エンド）。

【0061】

以上の処理によれば、補正データ（補正係数Ａ、Ｂ）が取得できる。また、検出領域２の全域と当接可能な治具を準備したり、治具を検出領域２に押し付けたりする手間を省ける。よって、本実施形態によれば、簡易に補正データ（補正係数Ａ、Ｂ）が取得できる。次に、制御装置１０１の圧力値の算出処理Ｓ２を説明する。

【0062】

図１１は、実施形態１の圧力値の算出処理のフローを示す図である。図１１に示すように、圧力値の算出処理Ｓ２は、各個別検出領域４の出力値を取得する工程Ｓ２１と、出力値から補正後の出力値を算出する工程Ｓ２２と、補正後の出力値から圧力値を算出する工程Ｓ２３と、を含む。

【0063】

各個別検出領域４の出力値を取得する工程Ｓ２１において、制御装置１０１は、ゲート線駆動回路８、及び信号線選択回路９に駆動信号を送る。そして、制御装置１０１は、個別検出領域４のそれぞれから出力値を信号線１２経由で取得する。

【0064】

出力値を補正する工程Ｓ２２では、受け取った出力値を式（２）に代入する。また、出力値に対応する個別検出領域４毎の補正係数Ａ、Ｂを記憶部１０２から読み出し、上記した式（２）に代入する。これにより、補正後の出力値Ｏ_ｎが得られる。当該工程により、個別検出領域４毎の出力値の特性（いわゆるムラ）が解消される。つまり、同じ圧力が作用している場合、補正後の出力値は同じ値を示す。

【0065】

圧力値を算出する工程Ｓ２３は、補正後の出力値Ｏ_ｎに対応する圧力値を算出する工程である。制御装置１０１は、補正ターゲット直線Ｔから補正後の出力値Ｏ_ｎに対応する圧力値を算出し、算出処理Ｓ２が終了する（エンド）。

【0066】

以上、実施形態１について説明したが、本開示は上記した例に限定されない。例えば、実施形態１の制御装置１０１は、算出した補正係数Ａ、Ｂを記憶部１０２に記憶しているが、本開示は、ＲＡＭに一時的に保持してもよい。若しくは、下記の実施形態２で示すように、補正係数Ａ、Ｂを一時的に保持しなくてもよい。以下、実施形態２を説明する。

【0067】

（実施形態２）
図１２は、実施形態２に係る算出処理のフローを示す図である。図１２に示すように、制御装置１０１の算出処理Ｓ３は、補正データ（補正係数Ａ、Ｂ）を算出する工程Ｓ１Ａと、圧力値を算出する工程Ｓ２と、個別検出領域４の全ての圧力値を算出したかを判定する工程Ｓ３１と、を含む。なお、圧力値を算出する工程Ｓ２は、実施形態１で示した圧力値の算出処理Ｓ２と同一処理を行う（図１１参照）。また、個別検出領域４の全ての圧力値を算出したかを判定する工程Ｓ３１は、実施形態１の補正データの算出処理Ｓ１に含まれる第３工程Ｓ１３と同一処理を行う。よって、工程Ｓ２と工程Ｓ３１の説明を省略する。

【0068】

補正データを算出する工程Ｓ１Ａは、第１工程Ｓ１１、第２工程Ｓ１２、第４工程Ｓ１４（図７参照）を含んでいる点で、実施形態１の補正データの算出処理Ｓ１と共通している。ただし、補正データを算出する工程Ｓ１Ａは、第３工程Ｓ１３を含んでいない点で、実施形態１と相違する。また、補正データを算出する工程Ｓ１Ａは、第４工程Ｓ１４で補正係数Ａ、Ｂを算出した後、補正係数Ａ、Ｂを記憶することなく、圧力値を算出する工程Ｓ２に移行している点で、実施形態１と相違する。つまり、実施形態２においては、補正データを算出する工程Ｓ１Ａの終了後、中断することなく、引き続き圧力値を算出している。すなわち、本実施形態においては、全ての個別検出領域４における圧力検出を完了する期間を１フレームとする場合、当該フレーム単位（各フレーム単位）で補正係数を演算している。これにより、検出精度がより向上する。

【0069】

また、実施形態１では、個別検出領域４毎に補正用回路４０が設けられているが、本開示はこれに限定されない。個別検出領域４毎に補正用回路４０が配置されていない実施形態３と実施形態４について説明する。

【0070】

（実施形態３）
図１３は、実施形態３の圧力センサの回路構成を示す回路図である。実施形態３の圧力センサ１Ｂの補正用回路４０Ｂは、第２方向Ｄｙに配列する複数の検出電極２０に対し、１つずつ設けられている点（検出電極２０行ごとに１つずつ設けられている点）で実施形態１と相違する。また、実施形態３の圧力センサ１Ｂは、第１方向Ｄｘに延在する補正用信号線４７、４８を２つ備えている点で、実施形態１と相違する。

【0071】

補正用回路４０Ｂの第１配線４１Ｂ及び第２配線４２Ｂは、周辺領域３に配置されている。同様に、補正用信号線４７、４８は、周辺領域３に配置されている。補正用信号線４７，４８は、信号線選択回路９に接続している。第１配線４１Ｂ及び第２配線４２Ｂの一端は、第２方向Ｄｙに配列する複数の検出電極２０と共通する共通電極３０に接続している。第１配線４１Ｂ及び第２配線４２Ｂの他端は、補正用信号線４７、４８と接続している。

【0072】

この実施形態３によれば、補正用回路４０Ｂで得られた補正係数Ａ、Ｂは、その補正用回路４０Ｂに対し第２方向Ｄｙに配列する個別検出領域４で検出された出力値を補正するために使用される。つまり、第２方向Ｄｙに配列した個別検出領域４で検出された各出力値は、共通する補正係数Ａ、Ｂにより補正される。以上、実施形態３によれば、算出する補正係数Ａ、Ｂの数が低減する。また、第２方向Ｄｙに配列した個別検出領域４同士の出力値の特性（いわゆるムラ）が解消される。

【0073】

（実施形態４）
図１４は、実施形態４の圧力センサの回路構成を示す回路図である。実施形態４の圧力センサ１Ｃの補正用回路４０Ｃは、第１方向Ｄｘに配列する複数の検出電極２０に対し、１つずつ設けられている点で、実施形態１と相違する。補正用回路４０Ｃの第１配線４１Ｃ及び第２配線４２Ｃは、周辺領域３に配置されている。また、補正用ゲート線５０Ｃ（第１補正用ゲート線５１Ｃ及び第２補正用ゲート線５２Ｃ）と、共通電極３０とが周辺領域３に配置されている。そして、第１配線４１Ｃ及び第２配線４２Ｃの一端は、共通電極３０に接続している。第１配線４１Ｃ及び第２配線４２Ｃの他端は、第１方向Ｄｘに配列する複数の検出電極２０と共通する信号線１２と接続している。

【0074】

この実施形態４によれば、補正用回路４０Ｃで得られた補正係数Ａ、Ｂは、その補正用回路４０Ｃに対し第１方向Ｄｘに配列する個別検出領域４で検出された出力値を補正するために使用される。つまり、第１方向Ｄｘに配列した個別検出領域４で検出された各出力値は、共通する補正係数Ａ、Ｂにより補正される。以上、実施形態３によれば、算出する補正係数Ａ、Ｂの数が低減する。また、第１方向Ｄｘに配列した個別検出領域４同士の出力値の特性（いわゆるムラ）が解消される。

【0075】

以上、各実施形態について説明したが、本開示は、個別検出領域４に入力された圧力と信号線１２からの出力値とが比例関係となっていればよく、センサ層６０は上記したものに限定されない。例えば、上記第１実施形態の構成に第３実施形態と第４実施形態のいずれか一方又は両方をさらに加えた構成も採用可能である。次に、センサ層６０の変形例について説明する。

【0076】

（変形例１）
図１５は、変形例１の圧力センサの断面を示す断面図である。変形例１の圧力センサ１Ｄのセンサ層６０Ｄは、アレイ基板６の第１面６ａと保護層７０との間に設けられており、空間Ｓ（図２参照）がなくなっている。センサ層６０Ｄは、変形前から検出電極２０と共通電極３０と当接している。このセンサ層６０Ｄは、実施形態１で説明したように絶縁性の樹脂の内部に導電性の微粒子が含まれている。このセンサ層６０によれば、圧力が作用していない状態、つまり変形していない状態では絶縁状態となっている。そして、圧力が作用して変形すると、抵抗値が小さくなり、共通電極３０と検出電極２０が電気的に接続する。また、圧力が大きくなるとセンサ層６０Ｄの変形量が増加し、検出電極２０に流れる電流量が大きくなる。一方で、圧力が大きくなってもセンサ層６０Ｄと共通電極３０及び検出電極２０の接触面積が変化しない。つまり、接触面積の増減により検出電極２０に流れる電流量が変わる、という機能を有していない点で実施形態１のセンサ層６０と異なっている。

【0077】

（変形例２）
図１６は、変形例２の圧力センサの断面を示す断面図である。図１７は、変形例２の圧力センサにおいて圧力が入力された場合の断面図である。変形例４の圧力センサ１Ｅのセンサ層６０Ｅは、検出電極２０と共通電極３０とに向かって突出する２つの凸部６１を有している。凸部６１の先端部は検出電極２０又は共通電極３０に当接している。センサ層６０Ｅは、ＩＴＯや半導体材料で製造され、絶縁性が高い材料で製造されている。このような状態においては、凸部６１の先端部は、検出電極２０と共通電極３０との接触面積が小さい。よって、検出電極２０と共通電極３０は電気的に接続していない。

【0078】

一方で、図１７に示すように、検出面１ａが押圧されると、センサ層６０Ｅが第３方向Ｄｚに潰れ、凸部６１は検出電極２０及び共通電極３０との接触面積が増加する。これにより、センサ層６０Ｅは、検出電極２０と共通電極３０を電気的に接続するようになり、検出電極２０に電流が流れる。また、センサ層６０Ｅに作用する圧力が大きくなるにつれて、凸部６１と検出電極２０及び共通電極３０の接触面積が増加すると、センサ層６０Ｅを流れる電流量も大きくなる。よって、センサ層６０Ｅは、接触面積の増加に比例して検出電極２０に入力する電流量が大きくなる。これにより、検出面１ａに入力された圧力の大きさを検出することができる。

【0079】

なお、接触面積の増減によりセンサ層の抵抗値が変化する例として、変形例２のセンサ層６０Ｅを挙げているが、本開示の圧力センサは、センサ層６０Ｅ以外の形状や配置のセンサ層を適用してもよく、特に限定されない。

【0080】

また、共通電極３０に関し、実施形態では、アレイ基板６の第１面６ａに配置した例を挙げているが、センサ層６０と保護層７０との間に設けられたベタ膜であってもよく、特に限定されない。

【符号の説明】

【0081】

１、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ 圧力センサ
２ 検出領域
３ 周辺領域
４ 個別検出領域
１０ 回路形成層
２０ 検出電極
３０ 共通電極
１１ ゲート線
１２ 信号線
１３ 駆動用トランジスタ
４０、４０Ｂ、４０Ｃ 補正用回路
４１、４１Ｂ、４１Ｃ 第１配線
４２、４２Ｂ、４２Ｃ 第２配線
４３ 第１抵抗部品
４４ 第１配線用スイッチ素子
４５ 第２抵抗部品
４６ 第２配線用スイッチ素子
４７、４８ 補正用信号線
５０、５０Ｃ 補正用ゲート線
５１、５１Ｃ 第１補正用ゲート線
５２、５２Ｃ 第２補正用ゲート線
６０、６０Ｄ、６０Ｅ センサ層
６１ 凸部
７０ 保護層
１００ 圧力検出システム
１０１ 制御装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】