特開 2024-114609 磁気記憶装置用の多層ロードビームフレキシャ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024114609

(43)【公開日】2024-08-23

(54)【発明の名称】磁気記憶装置用の多層ロードビームフレキシャ

(51)【国際特許分類】

   G11B 21/21 20060101AFI20240816BHJP

   G11B 5/60 20060101ALI20240816BHJP

【ＦＩ】

G11B21/21 C

G11B5/60

【審査請求】有

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2023217798

(22)【出願日】2023-12-25

(31)【優先権主張番号】63/445,219

(32)【優先日】2023-02-13

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】18/359,753

(32)【優先日】2023-07-26

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】504056130

【氏名又は名称】ウェスタン デジタル テクノロジーズ インコーポレーテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110000110

【氏名又は名称】弁理士法人 快友国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】村木 拓磨

(72)【発明者】

【氏名】野口 宜伸

(72)【発明者】

【氏名】曽我 英司

(72)【発明者】

【氏名】土田 裕康

(57)【要約】      （修正有）

【課題】磁気記憶装置のサスペンションアセンブリの読取り／書込みヘッドと、データを読み書きするディスクとの間の離間距離の変動を低減させる。
【解決手段】磁気記憶装置用のサスペンションアセンブリ１３５は、ベースプレート１９２と、ロードビーム１９６と、フレキシャ１４０と、を備える。ロードビームのヒンジ１４１が、ロードビームの先端部をベースプレートに対して移動させるために撓むように構成される。フレキシャは、ヒンジ部１４０Ｂ及びヒンジ部に隣接する固定部を含む。フレキシャの固定部の各々は、第１層１１９及び第２層１１０を含み、第１層が第２層とロードビームの間に挟まれる。フレキシャのヒンジ部は、第２層を含むが、第１層を含まない。フレキシャのヒンジ部の第２層の厚さは、フレキシャの固定部の第２層の厚さより薄い。
【選択図】図４Ｏ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ベースプレートと、
前記ベースプレートに取り付けられ、先端部及びヒンジを含むロードビームであって、前記ヒンジが前記先端部と前記ベースプレートの間に挟まれ、前記先端部を前記ベースプレートに対して移動させるために撓むように構成されるロードビームと、
前記ベースプレート及び前記ロードビームに取り付けられたフレキシャと、を備え、
前記フレキシャは、前記ロードビームのヒンジの少なくとも一部に重なるヒンジ部、及び前記ヒンジ部に隣接する固定部を含み、
前記フレキシャの固定部の各々は第１層及び第２層を含み、
前記第１層が前記第２層と前記ロードビームの間に挟まれ、
前記フレキシャの前記ヒンジ部は、前記フレキシャの前記固定部の前記第１層間にギャップを画定するように、前記第２層を含むが、前記第１層を含まず、
前記フレキシャの前記ヒンジ部の前記第２層の厚さ（ｔ４）が前記フレキシャの前記固定部の前記第２層の厚さ（ｔ３）より薄い、磁気記憶装置用のサスペンションアセンブリ。

【請求項2】

前記ヒンジ部の第２層の厚さに対する前記固定部の第２層の厚さの比率が１より大きく２．４以下である、請求項１に記載のサスペンションアセンブリ。

【請求項3】

前記ロードビームが金属材料で製作される、請求項１に記載のサスペンションアセンブリ。

【請求項4】

前記第１層が金属材料で製作される、請求項１に記載のサスペンションアセンブリ。

【請求項5】

前記第１層が前記ロードビームに直接隣接する、請求項１に記載のサスペンションアセンブリ。

【請求項6】

前記フレキシャの前記固定部の各々が第３層を更に含む、請求項１に記載のサスペンションアセンブリ。

【請求項7】

前記第２層が前記第１層と前記第３層の間に挟まれる、請求項６に記載のサスペンションアセンブリ。

【請求項8】

前記第３層が実質的に均一な厚さを有する、請求項６に記載のサスペンションアセンブリ。

【請求項9】

前記第３層が銅で製作される、請求項６に記載のサスペンションアセンブリ。

【請求項10】

前記第１層、第２層、及び第３層が積み重ねられた形態で配置される、請求項６に記載のサスペンションアセンブリ。

【請求項11】

前記第２層が感光性ポリイミド材料で製作される、請求項１に記載のサスペンションアセンブリ。

【請求項12】

前記第２層が誘電体材料で製作される、請求項１に記載のサスペンションアセンブリ。

【請求項13】

ベースプレートと、
大量のディスクと、
キャリッジアームと、を備え、前記キャリッジアームは、
前記ベースプレートに取り付けられたロードビームを含み、前記ロードビームは、
先端部と、
前記先端部と前記ベースプレートの間に挟まれ、前記先端部を前記ベースプレートに対して移動させるために撓むように構成されたヒンジと、
前記ベースプレート及び前記ロードビームに取り付けられたフレキシャと、を含み、
前記フレキシャは、前記ロードビームのヒンジにまたがるヒンジ部、及び前記ヒンジ部に隣接する固定部を含み、
前記フレキシャの前記固定部の各々は第１層及び第２層を含み、
前記第１層が前記第２層と前記ロードビームの間に挟まれ、
前記フレキシャのヒンジ部は、前記ヒンジにまたがるギャップを前記フレキシャの前記固定部の前記第１層間に画定するように、前記第２層を含むが、前記第１層を含まず、
前記フレキシャの前記ヒンジ部の前記第２層の厚さ（ｔ４）が前記フレキシャの前記固定部の前記第２層の厚さ（ｔ３）より薄い、磁気記憶システム。

【請求項14】

前記ヒンジ部の前記第２層の厚さに対する前記固定部の厚さの比率が１より大きく２．４以下である、請求項１３に記載の磁気記憶システム。

【請求項15】

前記ヒンジが前記大量のディスクのうち少なくとも１つのディスクの表面へ付勢し、前記先端部のヘッドが前記少なくとも１つのディスクにデータを読み書きすることができるようにする、請求項１３に記載の磁気記憶システム。

【請求項16】

第１層上に第２層を形成するステップと、
前記第２層上にマスクを塗布するステップであって、前記マスクの第１部分の透光性が前記マスクの第２部分の透光性と異なるステップと、
前記マスクの前記第１部分及び第２部分を介して光を照射するステップと、
前記マスクを前記第２層から除去するステップと、
前記マスクの前記第１部分が塗布された前記第２層の第１部分が第１厚さとなり、前記マスクの前記第２部分が塗布された前記第２層の第２部分が第２厚さとなるように、前記第２層をエッチングするステップであって、前記第２厚さが前記第１厚さより薄いステップと、を含む、磁気記憶装置のサスペンションアセンブリの製造方法。

【請求項17】

前記第２層の上に第４層を形成し、前記第１層の下に第５層を形成した後、前記第４層の少なくとも一部をエッチングすることにより前記第２層上に第３層を形成するステップと、
化学洗浄によって前記第４層及び前記第５層を除去するステップと、
前記第３層上に第６層を形成するステップと、
前記第１層の下に第７層を形成するステップと、
前記第１層の一部及び前記第７層の一部を除去するステップであって、除去された各部分が前記マスクの前記第２部分に位置合わせられるステップと、
前記第６層及び前記第７層を除去するステップと、を更に含む、請求項１６に記載の方法。

【請求項18】

前記マスクの一部がハーフトーンガラスマスクを含む、請求項１６に記載の方法。

【請求項19】

前記第１層がステンレス鋼で製作され、
前記第２層がポリイミド材料で製作され、
前記第３層が銅で製作され、
前記第４、第５、第６、及び第７層がそれぞれドライフィルムフォトレジストで製作される、請求項１６に記載の方法。

【請求項20】

前記第２層の前記第２部分が前記ロードビームのヒンジ部にまたがるように、前記フレキシャをベースプレート及びロードビームに貼り付けるステップを更に含む、請求項１６に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、概して磁気記憶装置に関し、より具体的には磁気記憶装置用の多層ロードビームフレキシャに関する。

【背景技術】

【0002】

磁気記憶装置、例えばハードディスクドライブ（「ＨＤＤ」）は、企業のデータ処理システム、コンピュータワークステーション、携帯型計算装置、デジタルオーディオプレーヤ、デジタルビデオプレーヤ等におけるデジタルデータ又は電子情報の記憶に広く用いられている。一般的には、ＨＤＤは磁気ディスクへのデータ記憶を容易にする読み書きヘッドを含む。各読み書きヘッドは、サスペンションアセンブリ上で支持される。一部のＨＤＤは、フレキシャを有するサスペンションアセンブリを含む。

【発明の概要】

【0003】

磁気記憶装置、及び該磁気記憶装置のサスペンションアセンブリの読取り／書込みヘッドと、データを読み書きするディスクとの間の離間距離の変動を低減させる製造方法が求められている。本出願の主題は磁気記憶装置の現状に応じて開発されたものであり、具体的には、上述したような、現在利用可能な磁気記憶装置によっては完全に解決されていない当分野の問題及び需要に応じて開発されたものである。従って、本開示の実施例は少なくとも従来技術の欠点の一部を解消する。

【0004】

以下は、本明細書に開示された主題の、特許請求される場合もされない場合もある実施例の非網羅的なリストである。

【0005】

本明細書は磁気記憶装置用のサスペンションアセンブリを開示する。前記サスペンションアセンブリは、ベースプレートと、前記ベースプレートに取り付けられたロードビームと、を備える。前記ロードビームが先端部及びヒンジを含む。前記ヒンジが前記先端部と前記ベースプレートの間に挟まれ、前記先端部を前記ベースプレートに対して移動させるために撓むように構成される。前記サスペンションアセンブリは、前記ベースプレート及び前記ロードビームに取り付けられそれらと共に移動可能なフレキシャを備える。前記フレキシャが、前記ロードビームのヒンジにまたがるヒンジ部、及び前記ヒンジ部に隣接する固定部を有する。前記フレキシャの固定部の各々が第１層及び第２層を有する。前記第１層が前記第２層と前記ロードビームの間に挟まれる。前記フレキシャのヒンジ部が、前記ヒンジにまたがるギャップを前記フレキシャの固定部の第１層間に画定するために、前記第２層を含むが、前記第１層を含まない。前記フレキシャのヒンジ部の第２層の厚さが前記フレキシャの固定部の第２層の厚さより薄い。この段落の前述の主題は本開示の実施例１を特徴付けるものである。

【0006】

前記第２層の第２部分の厚さに対する前記第２層の第１部分の厚さの比率が１より大きく２．４以下である。この段落の前述の主題は本開示の実施例２を特徴付けるものであり、ここで実施例２は上記実施例１に記載の主題をも含む。

【0007】

前記ロードビームが金属材料で製作される。この段落の前述の主題は本開示の実施例３を特徴付けるものであり、ここで実施例３は上記実施例１～２のいずれかに記載の主題をも含む。

【0008】

前記第１層が金属材料で製作される。この段落の前述の主題は本開示の実施例４を特徴付けるものであり、ここで実施例４は上記実施例１～３のいずれかに記載の主題をも含む。

【0009】

前記第１層が前記ロードビームの上に直接位置する。この段落の前述の主題は本開示の実施例４を特徴付けるものであり、ここで実施例５は上記実施例１～４のいずれかに記載の主題をも含む。

【0010】

前記フレキシャの固定部の各々が第３層を有する。この段落の前述の主題は本開示の実施例４を特徴付けるものであり、ここで実施例６は上記実施例１～５のいずれかに記載の主題をも含む。

【0011】

前記第２層が前記第１層と前記第３層の間に挟まれる。この段落の前述の主題は本開示の実施例７を特徴付けるものであり、ここで実施例７は上記実施例６に記載の主題をも含む。

【0012】

前記第３層が実質的に均一な厚さを有する。この段落の前述の主題は本開示の実施例８を特徴付けるものであり、ここで実施例８は上記実施例６～７のいずれかに記載の主題をも含む。

【0013】

前記第３層が銅で製作される。この段落の前述の主題は本開示の実施例９を特徴付けるものであり、ここで実施例９は上記実施例６～８のいずれかに記載の主題をも含む。

【0014】

前記第１層、第２層、及び第３層が積み重ねられた形態で配置される。この段落の前述の主題は本開示の実施例１０を特徴付けるものであり、ここで実施例１０は上記実施例６～９のいずれかに記載の主題をも含む。

【0015】

前記第２層が感光性ポリイミド材料で製作される。この段落の前述の主題は本開示の実施例１１を特徴付けるものであり、ここで実施例１１は上記実施例１～１０のいずれかに記載の主題をも含む。

【0016】

前記第２層が誘電体材料で製作される。この段落の前述の主題は本開示の実施例１２を特徴付けるものであり、ここで実施例１２は上記実施例１～１１のいずれかに記載の主題をも含む。

【0017】

本明細書は磁気記憶システムを開示する。前記磁気記憶システムは、ベースプレートと、大量のディスクと、キャリッジアームと、を備える。前記キャリッジアームが、前記ベースプレートに取り付けられたロードビームを含む。前記ロードビームが、先端部、ヒンジ、及びフレキシャを含む。前記ヒンジが、前記先端部と前記ベースプレートの間に挟まれ、前記先端部を前記ベースプレートに対して移動させるために撓むように構成される。前記フレキシャが前記ベースプレート及び前記ロードビームに取り付けられ、それらと共に移動可能である。前記フレキシャが、前記ロードビームのヒンジにまたがるヒンジ部、及び前記ヒンジ部に隣接する固定部を含む。前記フレキシャの固定部の各々が第１層及び第２層を含む。前記第１層が前記第２層と前記ロードビームの間に挟まれる。前記フレキシャのヒンジ部が、前記ヒンジにまたがる前記ギャップを前記フレキシャの固定部の第１層間に画定するために、前記第２層を含むが、前記第１層を含まない。前記フレキシャのヒンジ部の第２層の厚さが前記フレキシャの固定部の第２層の厚さより薄い。この段落の前述の主題は本開示の実施例１３を特徴付けるものである。

【0018】

前記第２層の第２部分の厚さに対する前記第２層の第１部分の厚さの比率が１より大きく２．４以下である。この段落の前述の主題は本開示の実施例１４を特徴付けるものであり、ここで実施例１４は上記実施例１３に記載の主題をも含む。

【0019】

前記ヒンジが前記大量のディスクのうち少なくとも１つのディスクの表面へ付勢し、前記先端部のヘッドが前記少なくとも１つのディスクにデータを読み書きすることができるようにする。この段落の前述の主題は本開示の実施例１５を特徴付けるものであり、ここで実施例１５は上記実施例１３～１４のいずれかに記載の主題をも含む。

【0020】

本明細書は磁気記憶装置のサスペンションアセンブリの製造方法をも開示する。前記方法は第１層上に第２層を形成するステップを含む。前記方法は前記第２層上にマスクを塗布するステップをも含む。前記マスクの第１部分の透光性が前記マスクの第２部分の透光性と異なる。前記方法は前記マスクの前記第１部分及び第２部分を介して光を照射するステップをも含む。前記方法は、前記第２層から前記マスクを除去するステップと、前記マスクの前記第１部分が塗布された前記第２層の第１部分が第１厚さとなり、前記マスクの前記第２部分が塗布された前記第２層の第２部分が第２厚さとなるように、前記第２層をエッチングするステップであって、前記第２厚さが前記第１厚さより薄いステップと、をも含む。この段落の前述の主題は本開示の実施例１６を特徴付けるものである。

【0021】

本明細書は磁気記憶装置のサスペンションアセンブリの製造方法を開示する。前記方法は、前記第２層の上に第４層を形成し、前記第１層の下に第５層を形成した後、前記第４層の少なくとも一部をエッチングすることにより前記第２層上に第３層を形成するステップを含む。前記方法は、化学洗浄によって前記第４層及び前記第５層を除去するステップと、前記第３層上に第６層を形成するステップと、前記第１層の下に第７層を形成するステップと、前記第１層の一部及び前記第７層の一部を除去するステップと、をも含む。除去された各部分が前記マスクの前記第２部分に位置合わせられる。前記方法は前記第６層及び前記第７層を除去するステップをも含む。この段落の前述の主題は本開示の実施例１７を特徴付けるものであり、ここで実施例１７は上記実施例１６に記載の主題をも含む。

【0022】

前記マスクの一部がハーフトーンガラスマスクを含む。この段落の前述の主題は本開示の実施例１８を特徴付けるものであり、ここで実施例１８は上記実施例１６～１７のいずれかに記載の主題をも含む。

【0023】

前記第１層がステンレス鋼で製作される。前記第２層がポリイミド材料で製作される。前記第３層が銅で製作される。前記第４、第５、第６、及び第７層がそれぞれドライフィルムフォトレジストで製作される。この段落の前述の主題は本開示の実施例１９を特徴付けるものであり、ここで実施例１９は上記実施例１６～１８に記載の主題をも含む。

【0024】

磁気記憶装置のサスペンションアセンブリの製造方法は、前記第２層の前記第２部分が前記ロードビームのヒンジ部にまたがるように、前記フレキシャをベースプレート及びロードビームに貼り付けるステップを含む。この段落の前述の主題は本開示の実施例２０を特徴付けるものであり、ここで実施例２０は上記実施例１６～１９のいずれかに記載の主題をも含む。

【0025】

本開示の主題の記載された特徴、構造、利点、及び／又は特性は１つ又は複数の実施例及び／又は実装例において任意の適切な形で組み合わせることができる。以下の説明において、本開示の主題の実施例を包括的に理解するために多数の具体的な詳細を提供する。当業者であれば、本開示の主題は特定の実施例又は実装例の詳細な特徴、詳細、コンポーネント、材料、及び／又は方法の１つ又は複数がなくても実施できることを認識するであろう。他の例では、更なる特徴及び利点は特定の実施例及び／又は実装例において認識され得るが、全ての実施例又は実装例に存在しないことがある。更に、幾つかの例では、本開示の主題の態様を曖昧にしないように、周知の構造、材料、又は動作は詳細に図示又は記載しない。本開示の主題の特徴及び利点は、以下の説明及び添付の特許請求の範囲からより完全に明らかになるか、又は以下に説明する主題の実施によって理解され得るであろう。

【図面の簡単な説明】

【0026】

本開示の利点を容易に理解できるように、添付の図面に示された特定の実施例を参照して、上記で概説した本開示のより具体的な説明を提供する。これらの図面は本開示の典型的な実施例を示すものに過ぎないことから、本開示の範囲を限定するものと見なされるべきではないことを理解すべきであり、添付の図面の使用により、本出願の主題は更に具体的に且つ詳細に説明及び解釈される。図面の説明を次に記載する。

【0027】

【図1】本開示の１つ又は複数の実施例に係る、磁気記憶装置の概略斜視図である。

【0028】

【図2】本開示の１つ又は複数の実施例に係る、磁気記憶装置のサスペンションアセンブリの概略下面図である。

【0029】

【図3】本開示の１つ又は複数の実施例に係る、磁気記憶装置のサスペンションアセンブリの製造方法のフローチャートである。

【0030】

【図4A-O】本開示の１つ又は複数の実施例に係る、磁気記憶装置のサスペンションアセンブリの多層フレキシャを製造する様々な段階での、磁気記憶装置のサスペンションアセンブリの概略断面側面図である。

【0031】

【図5A】本開示の１つ又は複数の実施例に係る、磁気記憶装置のサスペンションアセンブリの概略断面側面図である。

【0032】

【図5B】ロードビーム及びフレキシャがヒンジ周りに折り曲げられている、図５Ａのサスペンションアセンブリの概略断面側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0033】

本明細書全体を通じて「１つの実施例」、「実施例」又は同様の表現への言及は、該実施例と関連して説明された特定の特徴、構造、又は特性が本開示の少なくとも１つの実施例に含まれることを意味する。本明細書全体を通じて出てくる「１つの実施例において」、「実施例において」及び同様の表現は、必ずしも全て同一の実施例を指すわけではない。同様に、使用された用語「実装例」は、本開示の１つ又は複数の実施例と関連して説明された特定の特徴、構造、又は特性を有する実装例を意味するが、そうでないことを示す明らかな相関性がない限り、実装例は１つ又は複数の実施例と関連付けられてもよい。

【0034】

図１を参照し、１つの実施例に係る磁気記憶装置１００は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）として記載される。しかし、別の実施例において、磁気記憶装置１００は本開示の主題の本質から逸脱することなく様々な磁気記憶装置のいずれであってもよい。磁気記憶装置１００は、その中で画定された内部キャビティ１１４を密封又は囲むハウジング１０２を含む。ハウジング１０２はベース１３０及びカバー１３２（磁気記憶装置１００のハウジング１０２の内部キャビティ１１４における内部機構を曖昧にしないように、破線で示されている）を含む。カバー１３２はハウジング１０２の外部環境から内部キャビティ１１４を囲むためにベース１３０に結合される。幾つかの実装例において、ベース１３０とカバー１３２の間の密封を促進するために、ベース１３０とカバー１３２の間にシール又はガスケットが配置される。幾つかの実施例において、ベース１３０が金属材料、例えばステンレス鋼で製作される。

【0035】

磁気記憶装置１００はハウジング１０２の内部キャビティ１１４内に位置する様々な機構を含む。幾つかの実施例において、磁気記憶装置１００は、内部キャビティ１１４内のキャリッジ１０３、ディスク１１５、スピンドルモータ１２１、及びボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１２５を含む。キャリッジ１０３は、複数のキャリッジアーム１０５と該複数のキャリッジアーム１０５の各キャリッジアームの先端チップに結合された少なくとも１つのヘッドジンバルアセンブリ１０９（例えば、サスペンション）とを含むヘッドスタックアセンブリ１０７を含む。各ヘッドジンバルアセンブリ１０９はサスペンションアセンブリ１３５及びスライダ１４２を含む。スライダ１４２は該スライダ１４２に結合された（例えば、埋め込まれた）少なくとも１つの読み書きヘッドを含む。図１の磁気記憶装置１００は５つのキャリッジアーム１０５及び４つのディスク１１５を有すると示されているが、別の実施例において、磁気記憶装置１００は、５つ以上又は以下のキャリッジアーム１０５、又は４つ以上又は以下のディスク１１５を有してもよい。１つの実施例において、ディスク１１５に面するキャリッジアーム１０５の各側はヘッドジンバルアセンブリ１０９を有する（例えば、上部と下部キャリッジアーム１０５のそれぞれはヘッドジンバルアセンブリ１０９を１つ有し、前記上部と下部キャリッジアーム１０５間の中部キャリッジアーム１０５はヘッドジンバルアセンブリ１０９を２つ有してもよい）。同様に、磁気記憶装置１００は１つのスピンドルモータ１２１及び１つのＶＣＭ１２５を有すると示されているが、別の実施例において、磁気記憶装置１００は任意数のスピンドルモータ１２１及びＶＣＭ１２５を有してもよい。

【0036】

スピンドルモータ１２１はベース１３０に結合される。一般的には、スピンドルモータ１２１は、ベース１３０に対して移動不能に固定された据え置き部、及び該据え置き部及びベース１３０に対して回転可能なスピンドルを含む。従って、スピンドルモータ１２１のスピンドルはスピンドルモータの一部又はそれと一体であると考えることができる。一般的には、スピンドルモータ１２１はスピンドルをベース１３０に対して回転させるように動作可能である。ディスク１１５又はプラッタは、各ハブ１２２を介してスピンドルモータ１２１のスピンドルに共回転可能に固定され、これらのハブ１２２は各ディスク１１５及びスピンドルに共回転可能に固着される。スピンドルモータ１２１のスピンドルが回転すると、ディスク１１５は対応して回転する。このように、スピンドルモータ１２１のスピンドルは各ディスク１１５の回転軸を画定する。スピンドルモータ１２１は、回転方向１９０において、制御された量及び制御された速度でディスク１１５を回転させるように動作可能に制御され得る。

【0037】

ディスク１１５の各々は様々なタイプの磁気記録媒体のいずれであってもよい。一般的には、１つの実施例において、各ディスク１１５は、基板、及び該基板上に直接又は間接的に塗布された磁性材料を含む。例えば、ディスク１１５の磁性材料は各ビット上に複数の磁性粒子がある磁性層ビットを有する従来のグラニュラ磁気記録ディスク又はウェハであってもよい。グラニュラ磁気媒体において、ビットは全て同一平面上にあり、ディスクの表面１１６は実質的に滑らかで連続的である。１つの実施例において、各ビットは、面内（縦）配向又は面外（垂直）配向のいずれかを持ち得る磁気双極子モーメントを有する。

【0038】

ディスク１１５が読み書きモードで回転すると、ＶＣＭ１２５はキャリッジアーム１０５のボイスコイルに電磁的に係合して、ディスク１１５の読み書き面１５５に平行な平面に沿う回転方向にディスク１１５に対してキャリッジアーム１０５及び該キャリッジアーム１０５に結合されたヘッドジンバルアセンブリ１０９を回転させる。キャリッジアーム１０５は、読取り及び／又は書込み動作を行うために、ヘッドジンバルアセンブリ１０９の読み書きヘッドを対応するディスク１１５の読み書き面１５５の指定された半径方向領域上に位置決めするように回転され得る。ＶＣＭ１２５はキャリッジアーム１０５のボイスコイルと係合してベース１３０に固定され、該キャリッジアーム１０５はキャリッジ１０３を貫通するスピンドル１２７を介してベース１３０に回転可能に結合される。一般的には、スピンドル１２７は、ＶＣＭ１２５によって作動された時にキャリッジアーム１０５がその周りを回転する回転軸を画定する。

【0039】

キャリッジアーム１０５は、キャリッジ１０３のベースに移動不能に固定され（例えば、一体型モノリシックボディとして一体化）、互いに間隔をあけてキャリッジ１０３のベースから離れて延在する。幾つかの実装例において、キャリッジアーム１０５は、互いに等距離で離れ、互いに平行に延在する。ディスク１１５のそれぞれは隣接するキャリッジアーム１０５の間に位置する。アイドルモードで（例えば、読み書き動作が行われていない場合）、ＶＣＭ１２５は、ディスク１５に対して半径方向外側の方向にキャリッジアーム１０５を回転させるように作動され、それによってヘッドジンバルアセンブリ１０９はベース１３０に固着されたランプサポート１１７上に止められ又は降ろされる。

【0040】

スライダ１４２の各読み書きヘッドは、少なくとも１つの読取りトランスジューサ及び少なくとも１つの書込みトランスジューサを含む。読取りトランスジューサは、ディスク１１５の磁気特性（例えば、磁気ビットパターン）を検出し該磁気特性を電気信号に変換するように構成される。それに対して、書込みトランスジューサは電気信号に応答してディスク１１５の磁気特性を変更する。各ヘッドジンバルアセンブリ１０９について、電気信号は、スライダ１４２及びフレキシャ１４０内に形成され又はそれらに結合された電気トレース又は電気線１９８を介して読み書きヘッドとの間で伝送される（例えば、図５～７を参照）。スライダ１４２の電気トレース及びフレキシャ１４０は、読み書きヘッドと、磁気記憶装置１００の制御モジュールと通信する磁気記憶装置１００のフレックスコネクタ１０４との間の電気信号の伝送を容易にするために、電気的に相互接続される（例えば、図１を参照）。制御モジュールは、電気信号を処理し、磁気記憶装置１００と１つ又は複数の外部計算装置との間の電気信号の通信を容易にするように構成される。一般的には、制御モジュールは、磁気記憶装置１００の様々なコンポーネントの動作を制御するためのソフトウェア、ファームウェア、及び／又はハードウェアを含む。制御モジュールは、ハードウェアがその上に又はその中に装着されたプリント回路基板を含んでもよい。はんだ溶接部はスライダ１４２の対応する電気接触パッド（及び対応する電気トレース）とフレキシャ１４０とを電気的に接続するために利用される。

【0041】

図示されていないが、幾つかの実装例において、ヘッドジンバルアセンブリ１０９は、読み書きヘッドをフレキシャ１４０のヒンジ部１４０Ｂに対して移動させるように選択的に動作可能なヘッドアクチュエータをも含む。

【0042】

図２は、本開示の１つ又は複数の実施例に係る磁気記憶装置１００のサスペンションアセンブリ１３５の下面図である。本開示の幾つかの実施例において、サスペンションアセンブリ１３５は、図２で下面として示されるように、ベースプレート１９２と、先端１３３を有するロードビーム１９６と、を備える。ベースプレート１９２はキャリッジアーム１０５の先端１３３とロードビーム１９６との間にまたがりそれらを結合する。ロードビーム１９６は、ロードビーム１９６のヒンジ１４１を介してサスペンションアセンブリ１３５のベースプレート１９２に結合され、それに対して曲がる。幾つかの実施例において、ヒンジ１４１は、ロードビーム１９６内のギャップ１９９両側における２つのヒンジを含む。ヒンジ１４１は、大量のディスク１１５のうち少なくとも１つのディスクからデータを読み取り及び／又はそこにデータを書き込むことができるように、ロードビーム１９６を大量のディスク１１５のうち少なくとも１つのディスク１１５の表面１１６に偏らせる。幾つかの実施例において、読み書きヘッド１３４は表面１１６から浮上する。

【0043】

幾つかの実施例において、ロードビーム１９６が金属材料で製作される。曲げられると、ヒンジ１４１は、ばねとして機能して力（本明細書では「グラムロード」と呼ばれる）を生成して、表面１１６に向かって表面１１６と読取り／書込みヘッド１３４との間の浮上量が最小な位置内にロードビーム１９６のヘッド１３４を移動させる。これは、例えば、押し込み空気によって実現される。読み書きヘッド１３４とディスク１１５の間のギャップは本明細書で「浮上量（ｆｌｙｉｎｇ ｈｅｉｇｈｔ）」又は「浮動量（ｆｌｏａｔｉｎｇ ｈｅｉｇｈｔ）」と呼ばれる場合がある。多くの場合、ディスク１１５と読み書きヘッド１３４との間で伝送されたデータの信号品質を最大化するためにこのギャップを最小化し及び／又は安定化することが好ましい。幾つかの実施例において、浮上量は約５ナノメートル（「ｎｍ」）以下である。しかし、本開示の実施例はそれに限定されない。

【0044】

サスペンションアセンブリ１３５は、ベースプレート１９２及びロードビーム１９６の下面に沿って延在するフレキシャ１４０をも含む。フレキシャ１４０は、ヒンジ１４１の上を延在する（例えば、横切る）部分１４０Ｂを含む。本開示の実施例において、フレキシャ１４０の厚さはフレキシャ１４０のヒンジ部１４０Ｂで低減する。本明細書で使用されるように、ある機構の「ヒンジ部」とは、ヒンジ１４０と交差し及び／又は重なる任意の部分を指す。よって、フレキシャ１４０のヒンジ部１４０Ｂは、ほぼ図２において破線で示された領域内のフレキシャ１４０の部分である。それに対応して、フレキシャ１４０の第２層１１０のヒンジ部１１０Ｂは、図５Ａ及び５Ｂに示すように、ヒンジ部１４０Ｂ内の第２層１１０の部分である。

【0045】

ヒンジ１４１の剛性（即ち、フレキシャ１４０のヒンジ部１４０Ｂの剛性）は、浮上量に影響する。ヒンジ部１４０Ｂの剛性が比較的高いと、ロードビーム１９６は、ヒンジ１４１周りの回転が制限されるため、浮上量を最小化するようにそれ自体を位置決めすることができなくなる。従って、ヒンジ１４１周りの剛性を最小化するシステム及び方法は有利である。加えて、ヒンジ部１４０Ｂにかかる応力は浮上量の変動をもたらす。ヘッド１３４を所要の浮上量で表面１１６上にロードするためのグラムロード又は反動力は、ヒンジ領域１４０Ｂにおける応力（例えば、後方屈曲応力又は熱応力）により変化する。これは、浮上量の不要な変動を引き起こし、最終的に信号品質に影響する。幾つかの例では、これらの変動は熱浮上量制御（「ＴＦＣ」）によって補償され得る。例えば、スライダ１４２のようなＴＦＣスライダは浮上量を制御できる。しかし、変動が大きくなりすぎると、ＴＦＣによる補償はできなくなる。従って、幾つかの実施例において、ヒンジ部１４０Ｂにおける応力を低減させることにより浮上量制御を改善することが好ましい。

【0046】

図３は、本開示の１つ又は複数の実施例に係る、磁気記憶装置１００のサスペンションアセンブリ１３５を製造する方法３００のフローチャートである。具体的には、前記方法３００は磁気記憶装置１００のサスペンションアセンブリ１３５のフレキシャ１４０を製造するステップを含む。本開示の１つ又は複数の実施例に係る、前記方法３００の一部のステップ、及び多層フレキシャ１４０を形成する方法の追加のステップは、磁気記憶装置１００のサスペンションアセンブリ１３５の断面である図４Ａ～Ｏに示される。よって、図４Ａ～Ｏに図示されたステップの一部は、図３に示された方法３００のステップを含む。しかし、図３に挙げられたステップ以外に、追加のステップは図４Ａ～Ｏに図示されている。当業者であれば、図３及び４Ａ～Ｏに示され、及び／又は本明細書に記載されたステップのいかなる組合せも採用され得ることを理解するであろう。

【0047】

図４Ａ及び４Ｏに示すように、サスペンションアセンブリ１３５は、ヒンジ部１４０Ｂ又はヒンジ１４１に重なる部分における応力を低減させるように設計されたフレキシャ１４０を含む。フレキシャ１４０は、例えば第１層１１９、第２層１１０、及び第３層１２４を含む多層フレキシャである。本明細書で説明するように、異なる層１１９、１１０、及び／又は１２４の部分はヒンジ部１４０Ｂにおける応力を低減させるために異なる厚さを有する。

【0048】

前記方法３００は、フレキシャ１４０の第１層（即ち、図４Ａ～Ｍにおける層１１９）を形成する第１ステップ３４０を含む。幾つかの実施例において、第１層１１９はロードビーム１９６の上に直接形成される。ロードビーム１９６と同様に、第１層１１９は、ステンレス鋼又は他の類似材料で製作されることが多く、多層フレキシャ１４０の他の層より厚い厚さを有する。幾つかの実施例において、第１層１１９が金属材料で製作される。幾つかの実施例において、例えば、第１層１１９はステンレス鋼シートである。幾つかの実施例によれば、第１層１１９は約２０マイクロメートル（「μｍ」）の厚さ（図５Ａでｔ２と示される）を有する。幾つかの実施例において、多層フレキシャ１４０が形成された後、第１層１１９は、フレキシャ１４０全体をロードビームに取り付けるためにロードビーム１９６に取り付けられる。言い換えれば、第１層１１９はロードビーム１９６に直接隣接する。

【0049】

第１層１１９は、比較的厚い厚さでステンレス鋼又は他の金属材料で製作されることが多いため、好ましくは、幾つかの実施例において、キャリッジアーム１０５（及びそれゆえにロードビーム１９６）がディスク１１５の上に浮いている位置にある時、キャリッジアーム１０５の上（例えば、ヘッド１３４の上）に下向きの増大する圧力を加えるのを回避するために第１層１１９がヒンジ１４１の上を延在しない。増大する圧力の印加を回避することは、浮上量の変動を防止するのに役立つ。このため、図５Ａに示すように、第１層１１９にギャップ１４４が存在する。ギャップ１４４は実質的にヒンジ領域１４０Ｂに位置合わせられるため、ヒンジ１４１に実質的に位置合わせられる。加えて、ギャップは、図５Ｂに示すように、ヒンジ１４１周りの曲がりに適応するために第２層１１０の非ヒンジ部分１１０Ａの厚さｔ３に比べて低減した厚さｔ４を有する第２層１１０のヒンジ部１１０Ｂに実質的に位置合わせられる。

【0050】

フレキシャ１４０の第２層１１０は第１層１１９上に形成される（例えば塗布される）（即ち、図３のステップ３４２）。幾つかの実施例において、第２層１１０は誘電体材料及び／又は液体ポリイミドのような感光性材料で製造される。図５Ａに示すように、第２フレキシャ層１１０は第１層１１９と第３層１２４の間にバリアを形成する。これは信号品質の維持に重要である。第２層１１０の厚さは信号品質と正の相関がある。しかし、ヒンジ領域１４０Ｂにおける第２層１１０が厚くなりすぎると、ヒンジ領域１４０Ｂに張力が生じ得る。この張力はキャリッジアーム１０５に対するヒンジ１４１のばね力を助長するため、読取り／書込みヘッド１３４とディスク１１５の上面１１６との間の浮上量の変動をもたらす。従って、第１層１１９をヒンジ部１４０Ｂから除去することではヒンジ部１４０Ｂにおける応力を低減できるが、第２層１１０のヒンジ部１１０Ｂの厚さｔ４を低減させることではこの応力を更に低減させることができる。このように、本開示の実施例はヒンジ領域１４０Ｂにおける張力を低減させることによって、浮上量の変動を低減させる。

【0051】

第２層１１０が第１層１１９上に形成された後、第２層１１０の上にマスク（例えば、図４Ａのマスク１２０）が配置される（図３のステップ３４４）。本明細書で「の上に配置される」という表現を使用したが、本開示の実施例はそれに限定されない。例えば、マスク１２０は第２層１１０上に形成されてもよい。このマスク１２０はフレキシャ１４０のヒンジ部１４０Ｂの上に位置する部分１２０Ｂを含む。この部分１２０Ｂはマスク１２０の残留部１２０Ａと透光性が異なる。部分１２０Ｂは実質的にヒンジ部１４０Ｂに位置合わせられる。幾つかの実施例において、部分１２０Ｂは部分１２０Ａより透光性が高い。幾つかの実施例において、マスク１２０はグラスフォトマスク及び／又はハーフトーンマスクである。例えば、マスク１２０のヒンジ部１２０Ｂはハーフトーンガラスマスクであり、マスク１２０の残留部１２０Ａは全面グラスマスクである。

【0052】

幾つかの実施例において、マスク１２０は、１つ又は複数の開口又は透明もしくは半透明部分を有する不透明なプレートである。従って、光はマスク１２０を透過し得る。幾つかの実施例において、ヒンジ部１４０Ｂに位置合わせられた部分１２０Ｂは残留部１２０Ａより透光性が高い。言い換えれば、部分１２０Ｂは、より薄い厚さ（例えば、図５Ａのｔ４）が望まれる第２層１１０の部分１１０Ｂに位置合わせられる。幾つかの実施例において、部分１２０Ｂにおけるマスク１２０のより高い透光性は、部分１２０Ｂの形成に使用された材料の透光性が残留部１２０Ａの形成に使用された材料の透光性より高いことによるものである。幾つかの実施例において、より高い透光性は、部分１２０Ｂにおける開口及び／又は透明部分のより大きな数及び／又は濃度に少なくとも部分的に起因する。

【0053】

図３のステップ３４６で示すように、光はマスク１２０を介して照射される。光はマスク１２０のヒンジ部１２０Ｂ及び固定部１２０Ａの両方を介して照射される。幾つかの実施例において、これはレンズによって完了される。部分１２０Ｂの透光性が残留部１２０Ａより高いが、光は依然としてマスク１２０全体を介して照射される。

【0054】

次いでマスク１２０は第２層１１０から除去される。次のステップ３４８は、第２層のヒンジ部１１０Ｂが第２層１１０の残留の非ヒンジ部１１０Ａの厚さｔ３より薄い厚さｔ４を有するように、第２層１１０から残留物をエッチング除去するか又は除去することを含む。非ヒンジ部１１０Ａは本明細書において「固定部」と呼ばれてもよい。

【0055】

図４Ｂはこのような実施例を示す。マスク１２０を介して光を照射することで、後でヒンジ部１１０Ｂの一部を除去することが容易になる。従って、マスク１２０の使用により、ヒンジ部１１０Ｂの厚さをより負荷の低いプロセスで低減させることが可能になる。

【0056】

幾つかの実施例において、厚さｔ３は厚さｔ４の約２倍である。例えば、非ヒンジ部分１１０Ａは１０マイクロメートル（「μｍ」）の厚さｔ３を有し、エッチングされたヒンジ部１１０Ｂは５μｍの厚さｔ４を有する。しかし、本開示の実施例はそれに限定されない。幾つかの実施例において、エッチングされた部分１１０Ｂの厚さｔ３は残留の非ヒンジ部分１１０Ａの厚さｔ４の３０％～７０％の間にある。厚さｔ３とｔ４の間の差により、第２層１１０における凹み１９７が形成される。

【0057】

幾つかの実施例において、異なる透光性により、ヒンジ部１１０Ｂは、より高い透光性を有するマスク１２０の部分１２０Ｂに位置合わせられ、非ヒンジ部１１０Ａは、より低い透光性を有するマスク１２０の残留部１２０Ａに位置合わせられるようになる。

【0058】

図４Ｃに示すように、幾つかの実施例において、第２層１１０上にフォトレジスト材料１１３が形成される。例えば、フォトレジスト材料１１３はドライフィルムフォトレジストである。幾つかの実施例において、フォトレジスト材料１１３は、まずフォトレジスト材料１１３の層を第２層１１０に取り付け、次にマスクを介してそのフォトレジスト材料１１３の層を形成することによって、第２層１１０上に形成される。幾つかの実施例において、マスクは、図４Ａに示すように、第２層１１０の異なる厚さｔ３及びｔ４を形成するために使用されたマスク１２０と同様である。

【0059】

フォトレジスト材料１１３も、第２層１１０に接触しない側において第１層１１９上に形成される。フォトレジスト材料１１３は、フォトレジスト材料１１３を最初に取り付けることでフレキシャの層１１０及び１１９上に形成される。図４Ｃには示していないが、幾つかの実施例において、フォトレジスト材料１１３は次いでパターン形成されたガラスマスクを介して紫外線（「ＵＶ」）光を照射することで層１１９及び１１０上に形成される。フォトレジスト材料１１３の層は本明細書でフレキシャ１４０の「第４層」、「第５層」、「第６層」、及び／又は「第７層」と呼ばれる場合がある。しかし、本明細書で説明するように、幾つかの実施例において、多層フレキシャ１４０を形成するプロセスは、フォトレジスト材料１１３の１層又は複数層を、その目的を果たした後（即ち、フレキシャの対応する層１１０、１１９が除去された後）に除去することを含む。

【0060】

図４Ｄに示すように、１つ又は複数の開口１１１がフォトレジスト材料１１３中にエッチングされる。図４Ｄは図４Ｃに示す断面の平面に垂直な平面におけるサスペンションアセンブリ１３５の断面を示す。図４Ｄに示すように、１つ又は複数の開口１１１は、エッチングされたフォトレジスト材料１１３がその上に形成された層である最初の第２層１１０を露出させ得る。

【0061】

図４Ｅに示すように、幾つかの実施例において、追加の第３層がフレキシャ１４０に追加される。図４Ｊに示すように、フレキシャ１４０の固定部１４０Ａの各々は第３層１２４を含む。幾つかの実施例において、固定部１４０Ａのみが第３層１２４を含む。別の実施例において、固定部１４０Ａ及びヒンジ部１４０Ｂの両方とも第３層を含む。これらの実施例において、第３層１２４は、比較的柔軟で第１層１１９の材料（例えば、ステンレス鋼）のようにヒンジ１４１内に過剰な張力を発生させない材料で製作される。このため、第３層１２４は、読取り／書込みヘッド１３４の浮上量に変動をもたらすことなくヒンジ部１４０Ｂに含まれ得る。

【0062】

幾つかの実施例において、第３層（例えば、図４Ｅ～４Ｍ及び５Ａ～Ｂに示す層）が銅で製作される。幾つかの実施例において、第３層１２４の銅は高純度であるため、剛性が低くなり、可撓性が高くなる。例えば、第３層１２４は、９９％超の純度又は電子級銅箔と同様の純度を有する銅を含む。

【0063】

図４Ｅに示すように、幾つかの実施例において、第３層１２４は、第３層１２４を形成しようとした材料をフォトレジスト１１３の開口１１１内に堆積することで第２層１１０上に形成される。例えば、材料は、約６マイクロメートル（「μｍ」）の厚さｔ５（図４Ｅ）を有する第３層１２４を形成するのに十分な材料が堆積されるまで、開口１１１内に堆積される。図４Ａ～５Ｂに示すように、第２層１１０は第１層１１９と第３層１２４の間に挟まれる。幾つかの実施例において、第３層１２４の厚さｔ５は第２層１１０のヒンジ部１１０Ｂの厚さｔ４より厚いが、第１層１１９の厚さｔ２より薄い。別の実施例において、第３層１２４の厚さｔ５は実質的に第２層１１０の非ヒンジ部１１０Ａの厚さｔ３に等しいが、依然として第１層１１９の厚さｔ２より薄い。別の実施例において、厚さｔ２、ｔ３、及びｔ５はそれぞれほぼ等しく、厚さｔ４は厚さｔ２、ｔ３、及びｔ５のいずれよりも薄い。

【0064】

幾つかの実施例において、第３層１２４は、フレキシャ１４０のための１つ又は複数の信号トレースの部分である。幾つかの実施例において、フレキシャ１４０は、信号を読取り／書込みヘッド１３４から装置１００の他のコンポーネントに伝えるために、信号トレース（「回路トレース」と呼ばれる場合がある）を含む。このトレースは銅及び／又は銅箔で製作されることが多いが、本開示の実施例はそれに限定されない。例えば、幾つかの実施例において、トレースは、アルミニウム、金、又はそれらの任意の組合せで製作される。開口１１１の幅ｗはフレキシャ１４０のトレースの所要の幅ｗに等しい。開口１１１の数はフレキシャ１４０用の銅トレースの所要の数である。例えば、２つの開口１１１は、図４Ｄ及び４Ｅに示すように、フレキシャ１４０上に２つのトレースを形成するためのものである。

【0065】

本明細書では示していないが、幾つかの実施例において、図４Ｅに示す断面に垂直なサスペンションアセンブリ１３５の断面は、フォトレジスト材料１１３の最下層、フレキシャの第１層１１９、異なる厚さを有するフレキシャの第２層１１０、及びフォトレジスト材料１１３の最上層を含む図４Ｃに示す断面と同様に見える場合がある。幾つかの実施例において、フォトレジスト材料１１３の最上層は実質的に均一な厚さであるが、より薄い厚さｔ４を有する第２層１１０のヒンジ部１１０Ｂとより厚い厚さｔ３を有する部分１１０Ａとの間の厚さの差を埋める凹み１３６を含む。

【0066】

フォトレジスト材料１１３はフレキシャ１４０から除去される。幾つかの実施例において、これは化学洗浄によって完了される。図４Ｆに示すように、フォトレジスト材料１１３が除去された後、フレキシャは第１層１１９、第２層１１０、及び第３層１２４を含む。第２層１１０は、非ヒンジ部１１０Ａの厚さより薄く、第１層１１９の厚さよりも薄い厚さを有するヒンジ部１１０Ｂを含む。第３層１２４は実質的に均一な厚さであり、第２層１１０に隣接するため凹み１３８を含む。

【0067】

図４Ｇは図４Ｆに示す段階でのサスペンションアセンブリ１３５の断面図であり、ここで図４Ｇの平面は図４Ｆの平面に垂直である。図４Ｆに示すように、幾つかの実施例において、サスペンションアセンブリ１３５は２つの銅トレース１２４を含む。

【0068】

この段階で、第１層１１９の部分は、フレキシャ１４０のヒンジ部１４０Ｂが第１層１１９の剛性材料のいずれも含まないことを確保するために、依然として除去する必要がある。従って、図４Ｈに示すように、より多くのフォトレジスト材料１１３がフレキシャ１４０に取り付けられて第１層１１９の部分の除去を可能にする。幾つかの実施例において、フォトレジスト材料１１３は第３層１２４の上に堆積される。しかし、本開示の実施例はそれに限定されない。例えば、フォトレジスト材料１１３は第１層１１９の特定の部分上にのみ形成される。

【0069】

図４Ｈに示すように、フォトレジスト材料１１３は、ヒンジ領域１４０Ｂを収容するために除去される部分ではない第１層１１９の部分に形成される。言い換えれば、フォトレジスト材料１１３は、フレキシャ１４０がロードビーム１９６上に置かれた時にヒンジ部１４０Ｂに交差しない又は重ならない第１層１１９の部分に取り付けられる。

【0070】

図４Ｉは、図４Ｈに示す段階でのサスペンションアセンブリ１３５の断面である。しかし、図４Ｉの断面は図４Ｈに示す断面に垂直である。図４Ｉの断面はフレキシャ１４０のヒンジ部１４０Ｂに実質的に位置合わせられる第２層１１０の部分１１０Ｂ内にある。このように、層１２４（幾つかの実施例ではトレースである）を覆うフォトレジスト１１３のみが図４Ｉに示される。

【0071】

図４Ｊに示すように、第１層１１９の部分は、ヒンジ部１４０Ｂが第１層１１９のいずれも含まないよう、除去される。言い換えれば、ヒンジ部１４０Ｂの第１層１１９の全ては除去される。フォトレジスト１１３は、他の部分が除去されると同時に第２層１１０の幾つかの部分を所定の位置に保持するように機能する。幾つかの実施例において、除去はエッチングによって実現される。

【0072】

図４Ｋはフレキシャ１４０のヒンジ領域１４０Ｂ内のサスペンションアセンブリ１３５の断面図を示す。図４Ｋに示す断面は図４Ｊに示す断面に垂直である。図４Ｋに示すように、ヒンジ部１４０Ｂに含まれるフレキシャ１４０の部分は、第２層１１０の部分１１０Ｂ及び第３層１２４（又はトレース）のみである。第１層１１９の部分が除去されていると同時にフォトレジスト材料１１３が第２層１１０の上部にも塗布される実施例を示すために、フォトレジスト材料１１３は図４Ｋにも示される。

【0073】

図４Ｌに示すように、フォトレジスト材料１１３は次いで除去される。幾つかの実施例において、これは、図４Ｆと関連して説明されたように、化学洗浄によって完了される。

【0074】

図４Ｍはフレキシャ１４０のヒンジ領域１４０Ｂ内のサスペンションアセンブリ１３５の断面を示す。図４Ｍに示す断面は図４Ｌに示す第１層１１９のギャップ１４４における断面に垂直である。

【0075】

図４Ｎは、図２に示すロードビーム１９６のギャップ１９９におけるヒンジ部１４０Ｂと交差するアセンブリ１３５を示す。図４Ｎに示すように、前記方法の最終ステップは、第２層の部分１１０Ｂがロードビーム１９６のヒンジ部１４１にまたがるよう、フレキシャ１４０をベースプレート１９２及びロードビーム１９６に貼り付けることを含む。例えば、ロードビーム１９６は第１層１１９の第２層１１０とは反対の側に貼り付けられる。

【0076】

図４Ｎに示す実施例において、アセンブリ１３５は一直線で曲がっていない位置にある。ヒンジ１４１は図４Ｎに示す。幾つかの実施例において、ヒンジ１４１は図２に示すロードビーム１９６におけるギャップ１９９の１つ又は複数の側に位置する。

【0077】

フレキシャ１４０はベースプレート１９２及びロードビーム１９６に取り付けられ、それらと共に移動可能である。フレキシャ１４０の第１層１１９、第２層１１０、及び第３層１２４は積み重ねられた形態で配置される。第２層１１０は第１層１１９と第３層１２４の間に挟まれる。フレキシャ１４０は、ロードビームのヒンジ１４１に重なるヒンジ部１４０Ｂを含む。フレキシャ１４０は、ヒンジ部１４０Ｂに隣接する固定部１４０Ａをも含む。フレキシャ１４０の固定部１４０Ａの各々は、第１層１１９及び第２層１１０を含む。第１層１１９は第２層１１０とロードビーム１９６の間に挟まれる。

【0078】

第２層１１０が、液体ポリイミドのような、ヒンジ１４１周りの湾曲を可能にする材料から形成されるため、フレキシャのヒンジ部１４０Ｂは第２層１１０のヒンジ部１１０Ｂを含む。しかし、ヒンジ部１４０Ｂは、第１層１１９を含まないため、第１層１１９をより高い剛性を有する材料から形成することができる。第２層１１０の材料における、第１層１１９の材料と比較してより低い剛性に加えて、第２層１１０の非ヒンジ部１１０Ａの厚さｔ３と比較して低減したヒンジ部１１０Ｂの厚さｔ４も、ヒンジ領域１４０Ｂにおける張力を低減させ、浮上量の変動を最小化する。幾つかの実施例において、ｔ４に対するｔ３の比率は１より大きく２．４以下である。例えば、ｔ４が５μｍであり、ｔ３が約１０μｍである場合、ｔ４に対するｔ３の比率は２となる。

【0079】

第１層１１９はヒンジ部１４０Ｂ全体にわたって均一な厚さｔ２及びギャップ１４４を有する。よって、ヒンジ部１４０Ｂは、第２層１１０（例えば、第２層の部分１１０Ｂ）を含むが、第１層１１９を含まない。幾つかの実施例において、ヒンジ部１４０Ｂは第３層１２４の少なくとも一部をも含む。ロードビーム１９６も、少なくともヒンジ１４１に沿って、実質的に均一な厚さｔ１を有する。フレキシャ１４０の第２層１１０は、それぞれ異なる厚さを有する１１０Ａと１１０Ｂの２部分を有する。ギャップ１４４及びヒンジ１４１に重なる（フレキシャ１４０のヒンジ部１４０Ｂの一部である）部分１１０Ｂは、それに重ならない部分１１０Ａの厚さｔ３より薄い厚さｔ４を有する。第３層１２４は均一な厚さｔ５を有する。

【0080】

図４Ｏにおいて、図４Ｎのフレキシャ１４０及びロードビーム１９６は、ベースプレート１９２に対して移動するためにヒンジ１４１周りに曲げられる。このように、ロードビーム１９６の先端部（例えば、図２に示す部分１３３）はベースプレート１９２に対して移動する。ロードビーム１９６が図４Ｏに示すように曲げられる際に、少なくとも１つのディスク（例えば、図１に示すディスク１１５）の表面１１６に向かって曲げられ、それによって先端部１３３の読取り／書込みヘッド１３４と表面１１６の間の浮上量が最小化される。例えば、ディスク１１５がロードビーム１９６の下に位置する場合、ヒンジ１４１周りにロードビーム１９６及びフレキシャ１４０を曲げることによって、先端部１３３はディスク１１５の表面１１６により近くなる。

【0081】

図４Ｎ及び４Ｏは、固定部１４０Ａ及びヒンジ部１４０Ｂの両方の一部である（即ち、第２層１１０全体に沿って延在する）第３層１２４を示しているが、本開示の実施例はそれに限定されない。幾つかの実施例は、第１層１１９におけるギャップ１４４と同様に、第３層１２４におけるギャップを含む。このような実施例において、固定部１４０Ａのみは第３層１２４を含み、ヒンジ部１４０Ｂはそれを含まない。

【0082】

図４Ｎ及び４Ｏは、第１層１１９におけるギャップ１４４、及び第２層１１０と第３層１２４における凹み１９７を示す。凹み１９７は、（１）第２層の非ヒンジ部１１０Ａとヒンジ部１１０Ｂの間のそれぞれの厚さｔ３とｔ４の差と、（２）第２層１１０の第１層１１９に接触する側とは反対の側において第２層１１０の材料を除去することで形成されたヒンジ部１１０Ｂ（図４Ｂに示される通り）と、（３）第２層１１０の凹み１９７（例えば、図４Ｂに示す凹み１９７）上に直接形成された第３層１２４と、に起因するものである。言い換えれば、第２部分１１０Ｂは第３層１２４に向かって開口される。

【0083】

しかし、本開示の実施例はそれに限定されない。図５Ａ及び５Ｂは、本開示の１つ又は複数の実施例に係る、ロードビーム１９６のギャップ（例えば、図２中のギャップ１９９）におけるヒンジ１４１に垂直な、磁気記憶装置１００のサスペンションアセンブリ１３５の断面図である。図５Ａ～Ｂに示すように、第２層１１０の材料は第２層の第１層１１９に面する側から除去されてもよい。このように、第２層１１０の第３層１２４が形成された側が比較的平らになるため、第２層１００のその側又は第３層１２４において凹み１９７はない。第２部分１１０Ｂは、第３層１２４ではなくギャップ１４４に向かって開口された凹みを画定する。

【0084】

図５Ａは、一直線で曲がっていない位置にあるサスペンションアセンブリ１３５を示す。図５Ｂは、フレキシャ１４０及びロードビーム１９６がヒンジ１４１周りに軽く曲げられている図５Ａのサスペンションアセンブリ１３５の断面図であり、ここでヒンジ１４１は先端部（例えば、図２に示す先端部１３３）とベースプレート１９２の間に挟まれる。

【0085】

部分１１０Ｂは本明細書で「ヒンジ部１４０Ｂの第２層」と呼ばれてもよい。図５Ｂにおいて厚さｔ３を有する部分１１０Ａは、「固定部１４０Ａの第２層」と呼ばれてもよい。

【0086】

本明細書で使用されるように、用語「層」は複数の連続又は非連続の層を説明するために用いられ得る。ただし、それは材料層の複数の部分を説明するためにも用いられ得る。例えば、図５Ａに示すように、第２層１１０は、部分１１０Ａ及び１１０Ｂを含む様々な厚さを有する複数の部分を含む。部分１１０Ａ及び１１０Ｂは「第２層１１０」及び／又は「該第２層１１０」と総称されてもよい。加えて、部分１１０Ａは「フレキシャの固定部１４０Ａの第２層」と呼ばれてもよい。

【0087】

以上の説明において、「上」、「下」、「上部の」、「下部の」「水平」、「鉛直」、「左」、「右」、「の上」、「の下」等のような特定の用語を使用する場合がある。これらの用語は、相対関係を扱う際に説明を明確にするために、該当する場合に使用される。しかし、これらの用語は、絶対的な関係、位置、及び／又は方向を暗示することを意図したものではない。例えば、ある物体について、物体をひっくり返すだけで「上部」の表面が「下部の」表面となり得る。それにも関わらず、該物体は依然として同じものである。更に、用語「含む」、「備える」、「有する」及びそれらの変形は、特に明記しない限り、「…を含むが、…に限定されない」を意味する。項目の列挙リストは、特に明記しない限り、項目のいずれか又は全てが相互排他的及び／又は相互包含的であることを暗示するものではない。用語「一」、「一つ」及び「該」は、特に明記しない限り、「１つ又は複数」をも指す。更に、用語「複数」は「少なくとも２つ」と定義してもよい。

【0088】

本明細書で使用されるように、指定された機能を実行する「ように構成された」システム、装置、構造、物品、要素、コンポーネント、又はハードウェアは、単に更なる修正後に該指定された機能を実行する可能性を有するものに過ぎないものではなく、実際に何ら変更を加えることなく該指定された機能を実行することができる。言い換えれば、指定された機能を実行する「ように構成された」システム、装置、構造、物品、要素、コンポーネント、又はハードウェアは、該指定された機能を実行する目的で特に選択、作成、実装、利用、プログラム、及び／又は設計されたものである。本明細書で使用されるように、「ように構成された」とは、システム、装置、構造、物品、要素、コンポーネント、又はハードウェアが更なる変更を加えることなく指定された機能を実行できるようにする、該システム、装置、構造、物品、要素、コンポーネント、又はハードウェアの既存の特性を示す。本開示の目的上、特定の機能を実行する「ように構成された」と記載されたシステム、装置、構造、物品、要素、コンポーネント、又はハードウェアは、その機能を実行する「ように適合された」及び／又はその「ように動作する」と追加的に又は代替的に記載されてもよい。

【0089】

加えて、１つの要素が別の要素に「結合された」本明細書における例は、直接又は間接的結合を含んでもよい。直接結合は、１つの要素が別の要素に結合され且つ何らかの接触をしていると定義してもよい。間接的結合は、互いに直接接触していないが、結合された要素間に１つ又は複数の追加要素がある２つの要素間の結合と定義してもよい。更に、本明細書で使用されるように、１つの要素を別の要素に固着することは直接固着及び間接的固着を含んでもよい。また、本明細書で使用されるように、「隣接」とは、必ずしも接触を示すわけではない。例えば、１つの要素は、別の要素と接触せずにそれに隣接してもよい。

【0090】

本明細書で使用されるように、語句「の少なくとも１つ」は、項目のリストで使用される場合、１つ又は複数の列挙された項目の異なる組合せが使用され得ること、及び該リストにおける項目のうち１つのみが必要とされ得ることを意味する。項目は、特定の物体、物、又はカテゴリであってもよい。言い換えれば、「の少なくとも１つ」とは、任意の組合せ又は数の項目がリストから使用され得るが、リストにおける全ての項目が必要とされ得るわけではないことを意味する。例えば、「項目Ａ、項目Ｂ、及び項目Ｃの少なくとも１つ」は、項目Ａ、項目Ａと項目Ｂの組合せ、項目Ｂ、項目Ａと、項目Ｂと、項目Ｃとの組合せ、又は項目Ｂと項目Ｃの組合せを意味してもよい。何らかの場合において、「項目Ａ、項目Ｂ、項目Ｃの少なくとも１つ」は、例えば、項目Ａの２つと、項目Ｂの１つと、項目Ｃの１０個との組合せ、項目Ｂの４つと項目Ｃの７つとの組合せ、又は他の適切な組合せを意味してもよいが、それらに限定されない。

【0091】

特に断らない限り、用語「第１」、「第２」等は、本明細書において単にラベルとして使用され、これらの用語で言及した項目に対して順序的、位置的、又は階層的な要件を課す意図はない。また、例えば、「第２」項目への言及は、例えば、「第１」又はそれ以下の番号の項目、及び／又は、例えば、「第３」又はそれ以上の番号の項目の存在を要求したり排除したりしない。

【0092】

本明細書に含まれる概略フローチャート図は、一般に論理フローチャート図と記載されている。このように、記述された順序及びラベル付けされたステップは提示された方法の一例を示す。図示された方法の１つ又は複数のステップ又はその一部と機能、論理、又は効果において同等な他のステップ及び方法は考慮してもよい。加えて、採用されたフォーマット及びシンボルは、方法の論理ステップを解釈するために提供され、方法の範囲を限定するものではないと理解される。フローチャート図において様々な矢印タイプ及び線分タイプが使用され得るが、それらは対応する方法の範囲を限定するものではないと理解される。実際に、幾つかの矢印又は他のコネクタは方法の論理フローのみを示すために使用されてもよい。例えば、矢印は、記述された方法の列挙されたステップ間の未指定の期間における待機期間又は監視期間を示してもよい。加えて、具体的な方法が実行される順序は、示された対応するステップの順序に厳密に準拠してもしなくてもよい。

【0093】

本発明の主題は、その精神又は本質的な特徴から逸脱することなく他の特定の形態で具現化することができる。記載された実施例は、あらゆる点で、限定的なものではなく、単に例示的なものであると考慮されるべきである。特許請求の範囲の均等の意味及び範囲内にある全ての変更は、その範囲内に包含されるものとする。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図4H】

【図4I】

【図4J】

【図4K】

【図4L】

【図4M】

【図4N】

【図4O】

【図5A】

【図5B】

【外国語明細書】