特開 2024-11472 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024011472

(43)【公開日】2024-01-25

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240118BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20240118BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 E

H05K3/46 N

H05K1/02 J

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022113452

(22)【出願日】2022-07-14

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】古谷 俊樹

(72)【発明者】

【氏名】桑原 雅

【テーマコード（参考）】

5E316

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E316AA04

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC12

5E316CC13

5E316CC14

5E316CC32

5E316CC33

5E316CC37

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316DD33

5E316DD47

5E316DD48

5E316EE33

5E316FF07

5E316FF08

5E316FF09

5E316FF10

5E316FF13

5E316FF14

5E316FF15

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG22

5E316GG23

5E316HH02

5E316HH06

5E338AA03

5E338AA16

5E338BB13

5E338BB25

5E338BB75

5E338CC08

5E338EE02

5E338EE60

(57)【要約】

【課題】配線基板における良好な伝送特性を有する微細な信号伝送路の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板１は、交互に積層されている複数の導体層２１～２５及び複数の絶縁層３１～３５を含んでいる。導体層２１～２５のうちの配線基板１の第１面１ｆ側の最も外側の導体層２５は、第１部品Ｅ１が搭載される第１導体パッド７１、及び、第２部品Ｅ２が搭載される第２導体パッド７２を含み、導体層２１～２５は、第１導体パッド７１と第２導体パッド７２とを接続する第１配線パターン１４を含む第１導体層２４を含み、第１導体層２４における第１面１ｆ側の表面２４ａは研磨面であり、第１導体層２４に含まれる配線パターンの最小の配線幅は３μｍ以下であり、第１導体層２４に含まれる配線パターン同士の最小の間隔は３μｍ以下であり、第１配線パターン１４のアスペクト比は２．０以上、４．０以下である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有していて、
交互に積層されている複数の導体層及び複数の絶縁層と、
前記複数の絶縁層のいずれかを貫いて前記複数の導体層の各導体層同士を接続するビア導体と、
を含んでいる配線基板であって、
前記複数の導体層のうちの前記第１面側の最も外側の導体層は、第１部品が搭載される第１導体パッド、及び、第２部品が搭載される第２導体パッドを含み、
前記複数の導体層は、前記第１導体パッドと前記第２導体パッドとを接続する第１配線パターンを含む第１導体層を含み、
前記第１導体層における前記第１面側の表面は研磨面であり、
前記第１導体層に含まれる配線パターンの最小の配線幅は３μｍ以下であり、
前記第１導体層に含まれる配線パターン同士の最小の間隔は３μｍ以下であり、
前記第１配線パターンのアスペクト比は２．０以上、４．０以下である。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、
前記第１配線パターンの配線幅は３μｍ以下であり、
前記第１配線パターン同士の間隔は３μｍ以下である。

【請求項3】

請求項２記載の配線基板であって、前記第１配線パターンの厚さは７μｍ以下である。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記ビア導体のアスペクト比は、０．５以上、１．０以下である。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、
前記複数の導体層は、スパッタ膜からなる第１層と、前記第１層上に形成されている金属膜からなる第２層と、を含む導体層を含んでいる。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、
前記複数の絶縁層は、前記第１面側の表面に凹部を有する絶縁層を含み、
前記複数の導体層は、前記凹部内を充填する導電体によって構成されていて研磨面である前記第１面側の表面を前記複数の絶縁層それぞれの前記表面に露出させている導体層を含んでいる。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板であって、
前記複数の導体層のうちの前記第２面側の最も外側の導体層を除く全てにおいて前記第１面側の表面が研磨面であり、
前記複数の導体層のうちの前記第２面側の最も外側の導体層を除く全てが、３μｍ以下の配線幅及び２．０以上、４．０以下のアスペクト比を有すると共に、隣接する配線パターンとの間に３μｍ以下の間隔を有する配線パターンを含んでいる。

【請求項8】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第２面に付着している支持体を含んでいる。

【請求項9】

請求項１記載の配線基板であって、前記研磨面は０．３μｍ以下の算術平均粗さを有している。

【請求項10】

請求項１記載の配線基板であって、
前記複数の導体層のうちの前記第２面側の最も外側の導体層は、外部の導電体に接続される第３導体パッドを含み、
前記第１導体パッド及び前記第２導体パッドのいずれか一方又は両方と前記第３導体パッドとが、積層されている複数の前記ビア導体を介して接続されている。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、積層された複数の樹脂絶縁層と、その複数の樹脂絶縁層それぞれの上に形成されている導体層と、各導体層同士を接続するビア導体とを含むプリント配線板が開示されている。最も上側の導体層の露出面や最も下側の導体層の露出面からなる複数のパッドは、集積回路（ＩＣ）チップやマザーボードと接続される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－７８６３４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示のプリント配線板では、プリント配線板に接続されるＩＣチップのような電子部品の電極に応じた微細な配線や、電子部品同士の間で伝送される高周波信号に対して十分な伝送特性を有する信号線路を提供できないことがある。また、パッドにおいて適切な表面状態が得られずに、電子部品のような外部要素とプリント配線板との間で十分な接続品質が得られなかったり、伝送品質がさらに低下したりすることがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有していて、交互に積層されている複数の導体層及び複数の絶縁層と、前記複数の絶縁層のいずれかを貫いて前記複数の導体層の各導体層同士を接続するビア導体と、を含んでいる。前記複数の導体層のうちの前記第１面側の最も外側の導体層は、第１部品が搭載される第１導体パッド、及び、第２部品が搭載される第２導体パッドを含み、前記複数の導体層は、前記第１導体パッドと前記第２導体パッドとを接続する第１配線パターンを含む第１導体層を含み、前記第１導体層における前記第１面側の表面は研磨面であり、前記第１導体層に含まれる配線パターンの最小の配線幅は３μｍ以下であり、前記第１導体層に含まれる配線パターン同士の最小の間隔は３μｍ以下であり、前記第１配線パターンのアスペクト比は２．０以上、４．０以下である。

【0006】

本発明の実施形態によれば、部品と接続される配線基板において優れた信号伝送特性を有する微細な伝送路を提供することができると共に、部品との接続に関する品質を高め得ることがある。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】図１の配線基板の平面図。

【図3】図１のIII部の拡大図。

【図4】一実施形態の配線基板の変形例を示す断面図。

【図5A】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5B】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5C】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5D】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5E】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5F】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5G】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5H】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5I】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5J】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5K】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図6】一実施形態の配線基板を用いた電子部品の製法の一例を示す断面図。

【図7】本発明の他の実施形態の配線基板を示す断面図。

【図8】図７のVIII部の拡大図。

【図9A】他の実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図9B】他の実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図9C】他の実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図9D】他の実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、本実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。図２には、配線基板１の平面視での一例が示され、図３には図１のIII部の拡大図が示されている。なお「平面視」は、配線基板１の厚さ方向に沿う視線で対象物を見ることを意味している。なお、配線基板１は実施形態の配線基板の一例に過ぎない。例えば、実施形態の配線基板の積層構造、並びに、実施形態の配線基板に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１の積層構造、及び配線基板１に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。また、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さに関して、各構成要素が互いの間の正確な比率で描かれていない場合がある。

【0009】

図１に示されるように、配線基板１は、配線基板１の厚さ方向と直交する２つの表面（主面）のうちの一方である第１面１ｆ及び第１面１ｆの反対面である第２面１ｓを有している。配線基板１は、交互に積層されている複数の導体層及び複数の絶縁層を含んでいる。具体的には、図１に例示の配線基板１は、交互に積層されている導体層２１～２５及び絶縁層３１～３５を含んでいる。図１の例において配線基板１は、導体層２１～２５及び絶縁層３１～３５を逐次形成することによって製造される、所謂ビルドアップ配線基板である。

【0010】

導体層２１～２５のうちで導体層２１が、配線基板１の第２面１ｓ側の最も外側に形成されている。導体層２１における第２面１ｓ側の表面以外の表面は絶縁層３１に覆われている。そして、絶縁層３１における第１面１ｆ側の表面上に、第１面１ｆに向かって順に、導体層２２、絶縁層３２、導体層２３、絶縁層３３、導体層２４、絶縁層３４、導体層２５、及び絶縁層３５が形成されている。導体層２５は、配線基板１における第１面１ｆ側の最も外側の導体層である。配線基板１の第１面１ｆは、主に、導体層２５を覆っている絶縁層３５における導体層２５と反対方向を向く表面によって構成されている。一方、配線基板１の第２面１ｓは、導体層２１及び絶縁層３１それぞれにおける導体層２２と反対方向を向く表面によって構成されている。

【0011】

なお、実施形態の説明では、配線基板１の厚さ方向（積層方向）において第１面１ｆ側は、「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、第２面１ｓ側は、「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、第１面１ｆ側を向く表面は「上面」とも称され、第２面１ｓ側を向く表面は「下面」とも称される。なお、実施形態の配線基板の厚さ方向は「Ｚ方向」とも称される。

【0012】

実施形態の配線基板１は、さらに、絶縁層３１～３４のいずれかを貫いて導体層２１～２５の各導体層同士を接続するビア導体４を含んでいる。図１の配線基板１は、絶縁層３１～３４それぞれを貫く複数のビア導体４を含んでいる。絶縁層３１を貫くビア導体４は導体層２１と導体層２２とを接続し、絶縁層３２を貫くビア導体４は導体層２２と導体層２３とを接続し、絶縁層３３を貫くビア導体４は導体層２３と導体層２４とを接続し、絶縁層３４を貫くビア導体４は導体層２４と導体層２５とを接続している。各ビア導体４は、自身の上側に形成される導体層と一体的に形成されている。各ビア導体４は、配線基板１の第１面１ｆ側から第２面１ｓ側に向かって幅が細くなるテーパー形状を有している。なおビア導体４の「幅」は、ビア導体４におけるＺ方向と直交する断面（又は端面）の外周上の２点間の最長距離である。

【0013】

導体層２１～２５は、それぞれ、所定の導体パターンを含んでいる。図１の例において第１面１ｆ側の最も外側の導体層である導体層２５は、配線基板１の使用時に配線基板１に搭載される部品（図１及び図２の例において第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２）と接続される複数の導体パッド７１及び複数の導体パッド７２を含んでいる。導体パッド７１は、第１部品Ｅ１が搭載される導体パッド（第１導体パッド）であり、導体パッド７２は、第１部品Ｅ１とは別の部品である第２部品Ｅ２が搭載される導体パッド（第２導体パッド）である。なお「別の部品」は、単に第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２とが別個の部品であることを意味し、必ずしも異種の部品であることを意味しない。第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２とは、同種の部品であってもよく、互いに異なる機能を有する部品であってもよい。配線基板１に搭載される第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２は、例えば、マイコンやメモリなどの半導体集積回路装置のような電子部品であり得る。

【0014】

第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が搭載される配線基板１の第１面１ｆは、第１部品Ｅ１が配置される領域である部品搭載領域Ａ１、及び、第２部品Ｅ２が配置される領域である部品搭載領域Ａ２を有している。図１及び図２の例では、複数の導体パッド７１は、全て、部品搭載領域Ａ１に設けられており、複数の導体パッド７２は、全て、部品搭載領域Ａ２に設けられている。なお、図２では、絶縁層３４よりも上側の構成要素の描画は省略されて導体パッド７１及び導体パッド７２だけが示されている。

【0015】

図１の配線基板１は、さらに、導体パッド７１又は導体パッド７２の表面上に形成されている複数の導体ポスト５を含んでいる。導体ポスト５は、絶縁層３５を貫通して、配線基板１の第１面１ｆを構成する絶縁層３５の上面から突出している。絶縁層３５の上面には、導体層は形成されておらず、導体ポスト５以外の導電体は存在しない。導体ポスト５によって、配線基板１に搭載される部品（図１の例では第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２）と導体パッド７１又は導体パッド７２とが接続される。導体ポスト５を介して第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が配線基板１に接続されるので、各部品の搭載が容易になることや、導体パッド７１同士の短絡や導体パッド７２同士の短絡が防がれることがある。

【0016】

導体ポスト５における導体層２５と反対側の端面には、導体ポスト５の端面の保護層として、及び／又は、第１部品Ｅ１若しくは第２部品Ｅ２と導体ポスト５との接合層として、機能し得る機能層６が形成されている。機能層６は、例えばニッケル、すず、パラジウム、又は金などのめっき膜によって形成されている。

【0017】

導体層２５は、導体パッド７１及び導体パッド７２以外にも、導体パターン１７及び複数の配線パターン１５を含んでいる。図１に示されるように導体パターン１７は、導体パッド７１と導体パッド７２とを接続している。配線パターン１５は、図示されていないが、導体層２１～２５のいずれかが含む任意の導体パッド同士を接続して電気信号を伝播させる信号線路である。

【0018】

導体層２４は複数の配線パターン１４を含み、導体層２３は導体パターン１６及び複数の配線パターン１３を含み、そして導体層２２は複数の配線パターン１２を含んでいる。導体層２３が含む導体パターン１６の両端は、それぞれ、ビア導体４を介して１つの導体パッド７１及び１つの導体パッド７２に接続されている。これら導体パッド７１と導体パッド７２とは、導体パターン１６を介して互いに接続されている。導体層２４が含む複数の配線パターン１４、導体層２３が含む複数の配線パターン１３、及び、導体層２２が含む複数の配線パターン１２は、それぞれ、配線パターン１５と同様に、任意の導体パッド同士を接続して電気信号を伝播させる信号線路である。

【0019】

一方、図１の例において配線基板１の第２面１ｓ側の最も外側の導体層である導体層２１は、導体パッド７３を含んでいる。導体パッド７３は、配線基板１の外部の導電体（図示せず）に接続される導体パッド（第３導体パッド）である。導体パッド７３と接続される外部の導電体は、例えば、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２と同様に半導体集積回路装置のような電子部品の電極であり得る。導体パッド７３は、半導体集積回路装置に限らず、任意の電子部品の電極や、電子機器のマザーボードのような配線基板１以外の配線基板のパッド、又は任意の導電性の機構部品などと、接続され得る。

【0020】

図１の例では、導体層２５の導体パッド７１と導体層２１の導体パッド７３とが、積層されている複数のビア導体４（所謂スタックビア導体）を介して接続されている。同様に、導体パッド７２と導体パッド７３とが、積層されている複数のビア導体４を介して接続されている。そのため、導体パッド７１及び導体パッド７２と、導体パッド７３とが、略最短距離で接続されている。従って、配線基板１の使用時には、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２と、例えばマザーボードのような導体パッド７３と接続される部材とが、短い経路で接続され得る。そのため意図通りの電気的特性が得られ易いと考えられる。なお、図１の例と異なり、導体パッド７１及び導体パッド７２のいずれか一方だけが、所謂スタックビア導体を介して導体パッド７３と接続されていることもあり、導体パッド７１、７２のいずれもが導体パッド７３と接続されていないこともある。

【0021】

図２には、導体層２４が含む複数の配線パターン１４が破線で示されている。図２に示されるように、複数の配線パターン１４は、それぞれ、複数の導体パッド７１の１つの真下と、複数の導体パッド７２の１つの真下との間に延びている。そして、各配線パターン１４の両端は、それぞれ、ビア導体４を介して、導体パッド７１又は導体パッド７２に接続されている。すなわち、複数の導体パッド７１のいずれかと、複数の導体パッド７２のいずれかとは、配線パターン１４を介して接続されている。

【0022】

このように、実施形態の配線基板１が含む複数の導体層（図１の例では導体層２１～２５）は、導体パッド７１と導体パッド７２とを接続する配線パターンを含む導体層（図１及び図２の例では配線パターン１４を含む導体層２４）を含んでいる。なお、実施形態の説明では、第１部品Ｅ１が搭載される導体パッド７１のような第１導体パッドと、第２部品Ｅ２が搭載される導体パッド７２のような第２導体パッドとを接続する、配線パターン１４のような配線パターンは、他の配線パターンとの区別のために適宜「第１配線パターン」とも称される。また、「第１配線パターン」を含む導体層２４のような導体層は、他の導体層との区別のために適宜「第１導体層」とも称される。

【0023】

前述したように、導体パターン１６及び導体パターン１７も、導体パッド７１と導体パッド７２とを接続している。導体パターン１６、１７は、所謂グランドプレーンや電源プレーンとして機能する、又は配線パターン１４のシールドとして機能する、所謂ベタパターンであり得る。しかし、導体パターン１６、１７は、配線パターン１４のように電気信号を伝播させる配線パターンであってもよい。導体パターン１６、１７が配線パターンである場合、導体パターン１６、１７も、それぞれ「第１配線パターン」であり得る。配線パターン１２、配線パターン１３、及び、配線パターン１５も、それぞれが導体パッド７１と導体パッド７２とを接続していてもよく、その場合は、配線パターン１２、１３、１５も「第１配線パターン」であり得る。従って、導体層２２、２３、２５も、それぞれ「第１導体層」であり得る。すなわち、実施形態の配線基板は「第１配線パターン」を含む１以上の任意の数の「第１導体層」を含み得る。また「第１導体層」は１以上の任意の数の「第１配線パターン」を含み得る。

【0024】

そして実施形態の配線基板において、配線基板１の導体層２４のような「第１導体層」における第１面１ｆ側の表面２４ａは、研磨で仕上げられた状態を有する研磨面である。そのため表面２４ａは、例えば、金属の析出によって形成されたままのめっき膜の面粗度よりも低い面粗度を有し得る。そのため、導体層２４が含む配線パターン１４などでは、高周波信号の伝送において見られる表皮効果による実質的な導体抵抗の増大による信号伝送特性の低下や電圧降下の増大が生じ難いと考えられる。例えば、導体層２４のような「第１導体層」が第１面１ｆ側の表面として有する研磨面は、０．３μｍ以下の算術平均粗さを有し得る。そのような面粗度が得られていると、上記のような伝送特性に関する好ましい効果が得られることがある。

【0025】

また、研磨面である表面２４ａは、導体層２４全体に渡って均一な高さ（例えば第２面１ｓからの距離）を有し易い。そのため、導体層２４上に形成されるビア導体４の高さも揃いやすく、さらにその上に形成される導体ポスト５の高さも揃い易い。結果として、第１部品Ｅ１及び／又は第２部品Ｅ２が安定して配線基板１に搭載されると考えられる。また、表面２４ａが研磨面であると、配線パターン１４などの厚さが、その全長に渡って略一定になり易く、もって、配線パターン１４の特性インピーダンスに変動が生じ難い。そのため、配線パターン１４における反射損失が抑制されることがある。

【0026】

図３に示されるように、配線基板１の導体層２４が含む配線パターン１４は、配線幅Ｗ１、及び隣接する配線パターン１４との間に間隔Ｇを有している。本実施形態では、配線パターン１４のような導体パッド７１と導体パッド７２とを接続する配線パターンを含む導体層２４のような「第１導体層」は、実施形態の配線基板が含む配線パターンの中で、比較的微細なピッチで配置される配線パターンを含んでいる。本実施形態の配線基板において「第１導体層」が含む配線パターンの配線幅Ｗ１の最小値は１μｍ以上、３μｍ以下であり、その配線パターン同士の間隔Ｇの最小値は１μｍ以上、３μｍ以下である。すなわち、「第１導体層」は、３μｍ以下の配線幅を有し、且つ、隣接する配線パターンとの間に３μｍ以下の間隔を有する配線パターンを含んでいる。図１～図３の例では、第１配線パターンである配線パターン１４の配線幅Ｗ１が１μｍ以上、３μｍ以下であり、配線パターン１４同士の間隔Ｇが１μｍ以上、３μｍ以下である。

【0027】

本実施形態では、導体層２４のような「第１導体層」が、このように微細な最小配線幅及び微細な最小配線間隔を有する配線パターンを含み、特に、配線パターン１４のような「第１配線パターン」が微細な最小配線幅及び微細な最小配線間隔を有している。そのため、第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２とが、占有面積の小さい複数の信号線路で接続されると考えられる。従って、実施形態の配線基板１は、従来の配線基板と比べて小さく実現され得ることがある。また、部品と接続される導体パッド間に、このように微細な配線幅及び配線間隔の配線パターンを有する実施形態の配線基板の設計では、２つの部品の配置に関する自由度が高いことがある。

【0028】

加えて、本実施形態では、このように微細な配線幅を有し得る配線パターン１４のような「第１配線パターン」は、配線幅Ｗ１よりも大きな厚さＴを有している。そのため、本実施形態において第１配線パターンは、比較的大きなアスペクト比（第１配線パターンの厚さＴ／第１配線パターンの幅Ｗ１）を有している。具体的には、配線パターン１４のような「第１配線パターン」のアスペクト比は２．０以上、４．０以下である。このようなアスペクト比を有する第１配線パターンは、小さな配線幅の割に低い導体抵抗を有し得る。そのため、導体パッド７１と導体パッド７２とを接続する配線パターン１４の挿入損失が低いと考えられる。そのため、第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２との間で、少ない伝送損失で信号を伝播させることができ、すなわち良好な伝送効率が得られることがある。また、第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２とを接続する信号線路において所望の特性インピーダンスがされ易く、さらに挿入損失を低減し得ることがある。

【0029】

図１～図３の例において第１配線パターンである配線パターン１４の厚さＴ、すなわち、第１導体層である導体層２４の厚さは、４μｍ以上、７μｍ以下であり得る。このような厚さが得られていると、実施形態の配線基板の厚さを顕著に増大させずに、前述したような挿入損失の低減などの効果が得られることがある。

【0030】

前述したように、本実施形態では、導体層２２～２５のいずれもが、比較的微細なピッチで配置される配線パターン１４のような配線パターンを含み得る。そのため、小さなピッチで並ぶビア導体４、すなわち、小さな幅を有するビア導体４が好ましいことがあり、その観点から、大きなアスペクト比を有するビア導体４が好ましいことがある。実施形態の配線基板１では、ビア導体４のアスペクト比は、例えば、０．５以上、１．０以下であり得る。微細なピッチで並ぶ配線パターン１４のような配線パターンが、その配線パターンを含む導体層と異なる導体層の配線パターンと、導体層間の接続部においても比較的微細なピッチを保って接続され得ることがある。なお、ビア導体４のアスペクト比は、図３に示される、（ビア導体４によって接続される２つの導体層のＺ方向における間隔Ｄ）／（第１面１ｆ側の導体層との界面におけるビア導体４の幅Ｗ２）である。

【0031】

前述したように、配線基板１では、導体層２２、２３、２５も「第１導体層」であり得る。従って、実施形態の配線基板１が含む複数の導体層のうちの第２面１ｓ側の最も外側の導体層（図１～図３の例における導体層２１）を除く全てにおいて、第１面１ｆ側の表面が研磨面であってもよい。各導体層において、前述したような良好な伝送特性などの効果が得られることがある。また、前述したように、導体層２２、２３、２５も、導体層２４の配線パターン１４のような「第１配線パターン」を含み得る。従って、実施形態の配線基板１が含む複数の導体層のうちの第２面１ｓ側の最も外側の導体層を除く全てが、１μｍ以上、３μｍ以下の配線幅及び２．０以上、４．０以下のアスペクト比を有する配線パターンを含んでいてもよい。さらに、第２面１ｓ側の最も外側の導体層を除く全ての導体層が、隣接する配線パターンとの間に１μｍ以上、３μｍ以下の間隔を有する配線パターンを含んでいてもよい。各導体層において挿入損失の小さい配線パターンが得られ、加えて、実施形態の配線基板が、一層高い自由度の下で設計され、そして従来の配線基板と比べて一層小さく実現され得ることがある。

【0032】

絶縁層３１～３４は、２つの導体層の間に介在する層間絶縁層であり、それぞれ、絶縁性樹脂を用いて形成され得る。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、又はフェノール樹脂のような熱硬化性樹脂、及び、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ポリエステル（ＰＥ）樹脂、及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）樹脂のような熱可塑性樹脂が例示される。絶縁層３１～３４は、シリカ、アルミナなどの無機フィラー（図示せず）を含み得る。絶縁層３１～３４は、図示されないガラス繊維などの補強材（芯材）を含んでいてもよい。しかし、補強材を含まない方が、微細なピッチで並ぶ配線パターンの形成の容易性の面で、好ましいことがある。

【0033】

絶縁層３１～３４が無機フィラーを含む場合、含まれる無機フィラーとしては、粒径（無機フィラーの表面上の２点間の最長距離）の小さな無機フィラーが好ましいと考えられる。例えば、絶縁層３１～３４は、最大でも１μｍ以下の粒径を有する複数の無機フィラーを含み得る。各絶縁層に含まれる無機フィラーの粒径が小さいと、例えば、配線パターン１４のように、微細なピッチで並ぶ配線パターン間においても、無機フィラーに沿ったリーク経路などによる短絡不良が生じ難いことがある。また、微小なビア導体４の形成や、後に参照される図７などに例示の形態の配線パターンの形成が容易なことがある。

【0034】

また、配線基板１に含まれる導体層２１～２５それぞれが含む配線パターンにおいて良好な高周波信号の伝送特性を得るべく、低い誘電率及び誘電損失を有している絶縁層３１～３４が好ましい。例えば、５．８ＧＨｚの周波数において絶縁層３１～３４それぞれの比誘電率は、３．０以上、４．０以下程度であり、誘電正接は、０．００１以上、０．００５以下程度である。

【0035】

導体層２５を覆う絶縁層３５も、絶縁層３１～３４と同様の絶縁性樹脂を用いて形成され得る。しかし、配線基板１の第１面１ｆを構成する絶縁層３５は、ソルダーレジストとして機能する絶縁層であってもよい。その場合、絶縁層３５は、絶縁層３１～３４と主成分又は添加剤が異なる材料で形成されていてもよい。例えば絶縁層３５は、感光剤を含むエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成されていてもよい。

【0036】

導体層２１～２５、ビア導体４、及び導体ポスト５は、例えば銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成されている。導体層２１～２５、ビア導体４及び導体ポスト５は、図１では、簡略化されて１つの層だけを有するように描かれているが、拡大図である図３に示されるように、それぞれめっきもしくはスパッタリングなどで形成される２つ以上の金属膜を含む多層構造を有していてもよい。

【0037】

図３の例において、導体層２１は、例えば電解めっき膜からなる１層の金属膜で形成されている。導体層２１は絶縁層３１に埋め込まれて第２面１ｓ側の表面だけを露出させている。一方、導体層２２～２５、及び導体ポスト５は、それぞれ、第１層２０ａと、第１層２０ａ上に形成されている第２層２０ｂとを含んでおり、これら２層の金属膜によって構成される２層構造を有している。第２層２０ｂは、全面的に、第１層２０ａの上に、すなわち、配線基板１の第１面１ｆ側に形成されている。第２層２０ｂにおける第１面１ｆ側の表面が、前述した導体層２２～２５それぞれが有し得る研磨面である。

【0038】

第１層２０ａは、例えば無電解めっき膜又はスパッタ膜のような金属膜からなる。第２層２０ｂは、例えばめっきなどによって形成される金属膜からなる。第２層２０ｂは、第１層２０ａを給電層として用いる電解めっきによって形成された金属膜であってもよい。第１層２０ａは、第２層２０ｂと、各導体層の下側の各絶縁層との間に介在している。第１層２０ａがスパッタ膜からなる場合、導体層２２～２５及び導体ポスト５それぞれと絶縁層３１～３５それぞれとの強固な密着性が得られていることがある。また、導体層２２～２５及び導体ポスト５それぞれの上面の平坦性が高いことがある。

【0039】

図３に示されるように、機能層６も多層構造を有し得る。図３の例において機能層６は、導体ポスト５における導体層２５と反対側の端面（上面）上に直接形成されている下層６１と、下層６１上に形成されている上層６２とを有している。上層６２は、例えば、すず、パラジウム、金、又はこれらの合金によって形成されている。上層６２は、導体ポスト５の保護膜、及び／又は、導体ポスト５と第１部品Ｅ１又は第２部品Ｅ２（図１参照）との接合材として機能する。下層６１は、例えばニッケルなどの適切な性状を有する金属で形成されており、上層６２と導体ポスト５との間のバリア膜及び／又は両者の密着性の強化膜として機能し得る。

【0040】

図４には、本実施形態の配線基板１の変形例である配線基板１ａが示されている。図４は、配線基板１ａにおける、図１に示される配線基板１の断面図と同様の箇所での断面図である。図４に示されるように、配線基板１ａは、図１の例の配線基板１に加えて、支持体８を含んでいる。図４の例の配線基板１ａは、支持体８を備えている点を除いて、図１の例の配線基板１と同様の構造を有している。従って、既に説明された図１の配線基板１の各構成要素と共通の構成要素には、図４において、図１に付されている符号と同じ符号が付されるか適宜省略され、それらの構成要素についての説明は省略される。

【0041】

図４に示されるように、支持体８は、図１の例の配線基板１の第２面１ｓに付着している。換言すると、支持体８の一面上に配線基板１が形成されている。図４の例の支持体８は、基材８１と、基材８１の両面それぞれに積層されている第１金属膜層８２と、第１金属膜層８２上に形成されている剥離層８３と、剥離層８３上に積層されている第２金属膜層８４と、を含んでいる。

【0042】

基材８１は、例えば、適切な剛性を有するガラス、シリコンなどの無機素材、又は、ガラス繊維などの補強材に含侵されたエポキシ樹脂などの有機素材からなる。第１及び第２の金属膜層８２、８４は、例えば、銅、又は銅／チタン合金、などの任意の金属で構成され得る。剥離層８３は、第１金属膜層８２と第２金属膜層８４同士を、所定の状況下で付着させることができ、そして、特定の処理を受けることによって、付着している第１金属膜層８２と第２金属膜層８４とを分離させることが可能な任意の材料で形成されている。例えば、特定の処理によって、軟化又は脆弱化したり、粘着性を喪失したりする材料が、剥離層８３に用いられる。剥離層８３は、例えば加熱によって軟化する熱可塑性の接着剤や、紫外線の照射によって変質する感光性の接着剤などで形成され得る。なお、絶縁層３１と第２金属膜層８４とは、例えば絶縁層３１の形成時の絶縁層３１自身の粘着性によって付着しており、導体層２１と第２金属膜層８４とは、例えばめっきによる導体層２１の形成時の金属間結合によって付着している。

【0043】

支持体８は、配線基板１よりも高い剛性を有している。そのため支持体８によって配線基板１が支持される。従って、図４の例の配線基板１ａには、安定して、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２（図１参照）のような部品が実装され得る。さらに、実装された部品の樹脂などによる封止も容易に行われ得る。配線基板１を含む、例えばマルチチップパッケージデバイスのような、高集積度且つ小型の半導体集積回路装置が容易に製造されると考えられる。なお、部品実装後又は封止後に、例えば前述した加熱や紫外線照射などの適切な処理を経て第１金属膜層８２と第２金属膜層８４とが剥離層８３を境に分離される。配線基板１側に残る第２金属膜層８４は、例えばエッチングなどによって除去され得る。図４に例示の支持体８は、本実施形態の配線基板１ａが含み得る支持体の一例に過ぎない。配線基板１を支持し得る、任意の材料、構造、及び形体の部材が、支持体８として用いられ得る。

【0044】

つぎに、図５Ａ～図５Ｋを参照して、図１に例示の配線基板１が製造される場合を例に、本実施形態の配線基板を製造する方法の一例が説明される。なお、先に為された配線基板１の各構成要素の材料の説明と異なる説明がない限り、各構成要素は、各構成要素について先に説明された材料のいずれかを用いて形成され得る。

【0045】

図５Ａに示されるように、支持体８が用意され、その一面８ａに導体層２１が形成される。図５Ａに示される例では、先に参照された図４に例示の支持体８が用意されている。すなわち、図５Ａの例では、先に説明されたように、基材８１と、第１金属膜層８２と、剥離層８３と、第２金属膜層８４と、を含む支持体８が用意されている。

【0046】

導体層２１は、例えば、電解めっきを用いるパターンめっきによって形成される。支持体８の一面８ａを構成する第２金属膜層８４上に、導体層２１に含まれるべき導体パッド７３などの導体パターンの形成位置に応じた開口を有するめっきレジスト（図示せず）が設けられる。そして、第２金属膜層８４を給電層として用いる電解めっきによって、めっきレジストの開口内に銅などの金属が析出され、その析出される金属からなる導体パターンを含む導体層２１が形成される。その後めっきレジストが除去される。なお、めっきレジストの除去の前に導体層２１の上面（支持体８と反対側の表面）が、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）などの任意の方法により研磨されてもよい。導体層２１においても、前述したように良好な伝送特性が得られることがある。この研磨の際には、除去される前のめっきレジストの上面付近が、導体層２１の上面と共に研磨されてもよい。

【0047】

図５Ｂに示されるように、導体層２１を覆う絶縁層３１が、第２金属膜層８４上に形成される。絶縁層３１は、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂を第２金属膜層８４及び導体層２１上に積層し、熱圧着することによって形成される。前述したように、絶縁層３１（及び後工程で形成される絶縁層３２～３４（図５Ｆ参照））は、エポキシ樹脂以外にも、ＢＴ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、又はフッ素樹脂やＬＣＰなどの熱可塑性樹脂を用いて形成され得る。なお、図５Ｂ、及び、以下で参照される図５Ｃ～図５Ｋでは、支持体８の一面８ａ側と反対側の描写は省略されている。しかし、支持体８の一面８ａ側と反対側においても、図５Ａに示される工程で導体層２１が形成され、さらに、図５Ｂ～図５Ｋを参照して説明される処理や各構成要素の形成が行われてもよい。

【0048】

絶縁層３１には、ビア導体４（図１参照）の形成位置に、炭酸ガスレーザー光などの照射によって貫通孔４ａが形成される。貫通孔４ａの形成後、好ましくは、貫通孔４ａ内に残る樹脂屑（スミア）を除去するデスミア処理が行われる。デスミア処理は、過マンガン酸塩溶液などの薬液への浸漬を含むウェット処理であってもよいが、例えば、アルゴン、四フッ化メタン、四フッ化メタンと酸素との混合気、又は、六フッ化硫黄などのプラズマガスを用いるプラズマ処理のようなドライ処理であってもよい。例えばプラズマ処理によるデスミア処理では、ウェット処理と比べて絶縁層３１の表面の浸食が抑制されることがある。

【0049】

そして、貫通孔４ａ内及び絶縁層３１の表面の全面に、例えば、スパッタリングや無電解めっきによって、例えば銅やニッケルなどからなる金属膜２０ａａが形成される。スパッタリングで金属膜２０ａａが形成されると、絶縁層３１との間で高い密着性を示す金属膜２０ａａが形成されることがある。金属膜２０ａａの一部は、絶縁層３１上に形成される導体層２２の第１層２０ａ（図３参照）となり得る。

【0050】

図５Ｃに示されるように、金属膜２０ａａ上に、開口Ｒ１１を有するめっきレジストＲ１が設けられる。めっきレジストＲ１は、例えば金属膜２０ａａ上へのドライフィルムレジストのラミネートにより形成され、開口Ｒ１１は、例えばフォトリソグラフィ技術により形成される。開口Ｒ１１は、絶縁層３１上に形成される導体層２２（図３参照）が含むべき導体パターンに対応するパターンで形成される。

【0051】

導体層２２に含まれる配線パターン１２（図３参照）などの各導体パターンは、前述したように、３μｍ以下の配線幅を有することがある。各開口Ｒ１１は、各開口Ｒ１１内に形成される配線パターン１２などの各導体パターンが有するべき配線幅に応じた開口幅で形成される。また、前述したように、導体層２２の配線パターンは、２．０以上、４．０以下のアスペクト比を有することがある。従って、図５Ｃに例示の方法では、好ましくは、形成される配線パターンが有するべきアスペクト比を満たす配線パターンの厚さ（高さ）以上の厚さ（高さ）を有するめっきレジストＲ１が形成される。

【0052】

金属膜２０ａａを給電層として用いる電解めっきによって、例えば銅やニッケルなどからなる金属膜２０ｂａがめっきレジストＲ１の開口Ｒ１１内に形成される。金属膜２０ｂａの一部は、絶縁層３１上に形成される導体層２２の第１層２０ｂ（図３参照）となり得る。絶縁層３１の開口４ａ内にはビア導体４が形成される。金属膜２０ｂａは、図５Ｃの例のように、開口Ｒ１１内を全て充填し、さらにめっきレジストＲ１の上面よりも上側に向かって突出する湾曲した上面を有するように形成されてもよい。所望の厚さ及びアスペクト比を有する導体パターンをより確実に形成し得ることがある。

【0053】

図５Ｄに示されるように、金属膜２０ｂａの上面側の一部が研磨によって除去される。少なくともめっきレジストＲ１の上面からの金属膜２０ｂａの突出部分は除去される。金属膜２０ｂａは、金属膜２０ａａとの合計の厚さが、絶縁層３１上に形成される導体層２２（図５Ｅ参照）に求められる厚さに達するまで、例えば、７μｍ以下となるように研磨される。図５Ｄの例のように、めっきレジストＲ１の上面側の一部も金属膜２０ｂａの一部と共に除去されてもよい。金属膜２０ｂａの研磨は、例えばＣＭＰなどの任意の方法により行われる。研磨の結果、金属膜２０ｂａの上面は、０．３μｍ以下の算術平均粗さを有し得る。

【0054】

金属膜２０ｂａの研磨後、めっきレジストＲ１が除去される。さらに、金属膜２０ａａのうちの金属膜２０ｂａに覆われていない部分が、例えばクイックエッチングなどによって除去される。

【0055】

その結果、図５Ｅに示されるように、配線パターン１２などの互いに分離された所定の導体パターンを含む導体層２２が得られる。図５Ｅでは、図１と同様に、導体層２２が１つの層だけを有するように示されているが、導体層２２は、図５Ｄに示される金属膜２０ｂａ、及び、前述されたように図５Ｄの状態から一部が除去された後の金属膜２０ａａによって構成されている。

【0056】

図５Ｆに示されるように、絶縁層３１及び導体層２２の上に、絶縁層３２～３４及び導体層２３～２５が交互に形成される。絶縁層３２～３４は、例えば絶縁層３１の形成方法と同様の方法で形成され得る。また、導体層２３～２５は、例えば導体層２２の形成方法と同様の方法で形成され得る。導体層２３～２５は、それぞれ、導体層２２に対するめっきレジストＲ１（図５Ｃ参照）のような、配線パターン１３～１５などの各導体層が含むべき導体パターンに対応する開口を有するめっきレジストを用いて形成される。

【0057】

図５Ｇ～図５Ｉに示されるように、導体ポスト５（図５Ｉ参照）が形成される。導体ポスト５は、例えばセミアディティブ法などの一般的な導体層の形成方法によって形成され得るが、図５Ｇ～図５Ｉには、先に説明された導体層２２の形成方法と同様の研磨を含む方法が示されている。すなわち、まず図５Ｇに示されるように、導体層２５及び絶縁層３４の上に絶縁層３５が形成される。絶縁層３５は、例えば、絶縁層３１の形成と同様にフィルム状のエポキシ樹脂の熱圧着によって形成される。絶縁層３５は、前述したように、ソルダーレジストとして機能する絶縁層である場合、絶縁層３１～３４とは異なる方法で、例えば、感光剤を含むエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いたスプレーイングやカーテンコーティングなどの方法で形成されてもよい。

【0058】

形成された絶縁層３５に、例えば炭酸ガスレーザー光の照射や、フォトリソグラフィによって貫通孔５ａが形成される。貫通孔５ａは、導体ポスト５（図５Ｉ参照）が形成されるべき位置に形成される。貫通孔５ａの形成後、プラズマ処理などによるデスミア処理が行われてもよい。そして、貫通孔５ａ内、及び絶縁層３５の表面の全面に、例えば銅やニッケルなどからなる金属膜２０ａｂがスパッタリングや無電解めっきによって形成される。

【0059】

図５Ｈに示されるように、金属膜２０ａｂ上にめっきレジストＲ２が、例えばドライフィルムレジストのラミネートなどによって形成される。めっきレジストＲ２には、導体ポスト５に対応する開口Ｒ２１がフォトリソグラフィなどによって形成される。そして、開口Ｒ２１内、及び開口Ｒ２１内に露出する貫通孔５ａ内に、金属膜２０ａｂを給電層として用いる電解めっきによって銅やニッケルなどの金属が析出され、析出される金属からなる金属膜２０ｂｂが形成される。開口Ｒ２１及び貫通孔５ａの内部が金属膜２０ｂｂで充填される。金属膜２０ｂｂは、図５Ｈの例のように、めっきレジストＲ２の上面よりも上側に向かって突出する湾曲した上面を有するように形成されてもよい。

【0060】

図５Ｉに示されるように、金属膜２０ｂｂの上面側の一部が、例えば、ＣＭＰによって除去される。めっきレジストＲ２の上面側の一部も金属膜２０ｂｂの一部と共に除去されてもよい。金属膜２０ｂｂは、導体層２５の上面から金属膜２０ｂｂの上面までの高さが、導体ポスト５に求められる所定の高さになるまで研磨される。その結果、金属膜２０ａｂの一部と研磨後の金属膜２０ｂｂとで構成され、所定の高さを有する導体ポスト５が形成される。金属膜２０ａｂ、２０ｂｂは、それぞれ、導体ポスト５を構成する第１層２０ａ、第２層２０ｂ（図３参照）となり得る。

【0061】

図５Ｊに示されるように、機能層６が、例えば金属膜２０ａｂを給電層として用いる電解めっきによって導体ポスト５の上に形成される。例えば、ニッケル、すず、パラジウム、又は金などからなる１層又は２層以上の金属膜が、機能層６として形成される。その後、めっきレジストＲ２が除去され、さらに、金属膜２０ａｂのうちの金属膜２０ｂｂに覆われていない部分が例えばクイックエッチングによって除去される。電気的に分離された個々の導体ポスト５が得られる。

【0062】

図５Ｋに示されるように、支持体８が除去される。例えば、加熱や紫外線の照射などによって、支持体８に備えられている剥離層８３の粘着性が喪失されたり、剥離層８３自体が軟化したりしている状態で、基材８１及び第１金属膜層８２が、第２金属膜層８４から引き離される。その後、第２金属膜層８４が、エッチングなどによって除去される。導体層２１及び絶縁層３１における導体層２２と反対側の表面が露出する。以上の工程を経ることによって図１の例の配線基板１が完成する。

【0063】

なお、図４に例示の配線基板１ａが製造される場合は、図５Ｊに示される状態から、めっきレジストＲ２が除去され、その後、金属膜２０ａｂのうちの金属膜２０ｂｂに覆われていない部分が除去される工程までを経ることによって、配線基板１ａが完成する。

【0064】

図６には、図４に例示の配線基板１ａを用いた電子部品（マルチチップパッケージデバイス）の製造工程内の状態の一例が示されている。図６に示されるように、マルチチップパッケージデバイスＥＭの製造工程では、配線基板１ａに、例えばマイコンやメモリなどである第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が、リフロー処理やフリップチップボンディングなどによって実装される。すなわち、支持体８を備えたままの配線基板１ａに第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が実装される。導体層２５などの各導体層及び絶縁層３５などの各導体層が支持体８に支持されているので、安定した状態で第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２を実装することができる。従って、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２と配線基板１ａとが良好な品質と高い信頼性を備えて接続され得ると考えられる。

【0065】

図６の例では、さらに、エポキシ樹脂などを含むモールド樹脂Ｍによって第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が封止されている。第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２は例えばトランスファモールドやコンプレッションモールドによって封止される。この封止工程も、配線基板１ａが支持体８を備えた状態で行われ得る。そのため、封止時の部品実装済み配線基板１ａの取り扱いが容易であり、成型機内での配線基板１ａの挙動も少なく安定した状態で第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が封止されると考えられる。従って、樹脂封止に関する不具合の発生が少ないと考えられる。

【0066】

＜第２実施形態＞
つぎに、第２実施形態の配線基板が図７及び図８を参照して説明される。図７には、第２実施形態の配線基板の一例である配線基板１０の断面図が示されており、図８には、図７のVIII部の拡大図が示されている。なお、配線基板１０は、主に、導体層２２～２５の構造に関して、図１などに例示の第１実施形態の配線基板１と異なっている。以下では、配線基板１０における配線基板１との相違点が主に説明され、配線基板１と同様の構造や使用材料についての説明は省略される。

【0067】

図７に示されるように、配線基板１０では、導体層２２～２５は、いずれも、下側（すなわち配線基板１０の第２面１ｓ側）で接している絶縁層３１～３４内に埋設されている。導体層２２は、絶縁層３１の上面（配線基板１０の第１面１ｆ側の表面）付近に埋め込まれていてその上面に導体層２２の上面（第１面１ｆ側の表面）を露出させている。同様に、導体層２３～２５は、それぞれ、絶縁層３２～３４それぞれの上面（第１面１ｆ側の表面）付近に埋め込まれており、その上面に各導体層の上面（第１面１ｆ側の表面）を露出させている。

【0068】

本実施形態の配線基板１０においても、図１及び図２に示される配線基板１と同様に、第１面１ｆ側の最も外側の導体層である導体層２５は、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２（図１参照）がそれぞれ搭載される導体パッド７１及び導体パッド７２を含んでいる。図示されていないが、配線基板１０においても、図１などに示される配線基板１と同様に、導体層２４が含む配線パターン１４は、導体パッド７１と導体パッド７２とをビア導体４を介して接続している。すなわち、配線基板１０においても配線パターン１４は、前述された「第１配線パターン」であり、導体層２４は、前述された「第１導体層」である。

【0069】

そして、配線基板１０においても、「第１導体層」である導体層２４に含まれる配線パターンの最小の配線幅（例えば「第１配線パターン」である配線パターン１４の配線幅）は１μｍ以上、３μｍ以下である。また、導体層２４に含まれる配線パターン同士の最小の間隔（例えば配線パターン１４同士の間隔）は、１μｍ以上、３μｍ以下であり、配線パターン１４のアスペクト比は２．０以上、４．０以下である。さらに、本実施形態では、導体層２４の表面２４ａを含めて、導体層２２～２５全てにおける配線基板１０の第１面１ｆ側の表面は研磨面である。なお、配線基板１０において、導体層２２、２３、２５それぞれが含む配線パターン１２、１３、１５が、導体パッド７１と導体パッド７２とを接続していてもよい。従って、導体層２２、２３、２５それぞれが「第１導体層」であってもよく、配線パターン１２、１３、１５それぞれが「第１配線パターン」であってもよい。

【0070】

図８に示されるように、絶縁層３１～３４は、それぞれ、配線基板１０の第１面１ｆ側の表面に凹部１１を有している。例えば絶縁層３１は表面３１ａに凹部１１を有し、絶縁層３３は表面３３ａに凹部１１を有している。ビア導体４は、各絶縁層を貫いて凹部１１と連通する貫通孔４ｂ内に形成されている。一方、導体層２２～２５は、それぞれ、各絶縁層が有する凹部１１内を充填する導電体によって構成されている。すなわち、導体層２２は、絶縁層３１の凹部１１内に形成されており、同様に、導体層２３～２５は、それぞれ絶縁層３２～３４の凹部１１内に形成されている。このような構造を有する各導体層では、配線パターン１４のような各導体パターン間に導電体の残渣が存在し難く、そのため短絡不良が生じ難いと考えられる。そして、一層微細なピッチで並ぶ配線パターンの実現が可能なことがある。

【0071】

図１～図３の配線基板１と同様に、導体層２２～２５は、例えばスパッタ膜である第１層２０ａと、第１層２０ａ上に形成されている例えば電解めっき膜である第２層２０ｂとによって構成されている。そして配線基板１０において第１層２０ａは、凹部１１の底面及び壁面に沿って形成されている。すなわち導体層２２～２５それぞれが有する例えば配線パターン１４のような導体パターンにおいて第１層２０ａは第２層２０ｂの下面及び側面を覆っている。第１層２０ａは、第２層２０ｂと、各導体層が埋設されている絶縁層との間に介在している。

【0072】

前述したように、導体層２２～２５における配線基板１０の第１面１ｆ側の表面（上面）は研磨面である。絶縁層３１～３４の第１面１ｆ側の表面も研磨面であってもよい。導体層２２～２５は、それぞれ、研磨面である第１面１ｆ側の表面を絶縁層３１～３５における第１面１ｆ側の表面に露出させている。また、導体層２２～２５における第１面１ｆ側の表面は、それぞれ、絶縁層３１～３４における第１面１ｆ側の表面と略面一である。例えば導体層２２は表面２２ａを絶縁層３１の表面３１ａに露出させていて表面２２ａと表面３１ａとは略面一であり、導体層２４は表面２４ａを絶縁層３３の表面３３ａに露出させて表面２４ａと表面３３ａとは略面一である。このように、導体層２２～２５それぞれの露出面（研磨面）が、各導体層が埋設されている絶縁層の表面と面一なので、これら導体層と絶縁層との積層体である配線基板１０の第１面１ｆにおいて高い平坦性が得られると考えられる。配線基板１０に安定して第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２（図１参照）などの部品が搭載され得ると考えられる。

【0073】

図７では省略されているが、本実施形態において絶縁層３１～３４は、図８に示されるようにバリア層３０ａを含むことがある。バリア層３０ａにおける配線基板１０の第１面１ｆ側の表面は凹部１１の底面、すなわち、導体層２２～２５それぞれにおける配線基板１０の第２面１ｓ側の表面に接している。図８の例の絶縁層３１～３４は、バリア層３０ａと、バリア層３０ａよりも上側及び下側の部分を構成する本体層３０ｂとによって構成されている。本体層３０ｂは、図１の配線基板１の各絶縁層の材料として例示されたエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂や各種の熱可塑性樹脂によって形成されている。

【0074】

一方、バリア層３０ａは、各絶縁層への凹部１１の形成に用いられる加工手段への耐性が本体層３０ｂの構成材料よりも高い材料で形成される。例えばエキシマレーザー光が照射されるレーザー加工で凹部１１が形成される場合、バリア層３０ａは、シリコン酸化物、又は、シリコン窒化物で形成され得る。そのようなバリア層３０ａを絶縁層３１～３５が含んでいると、所望の深さを有する凹部１１の形成が容易なことがある。なお、バリア層３０ａは本実施形態において各絶縁層に含まれていなくてもよい。例えば、凹部１１の形成における加工条件、例えばレーザー光のパワーなどを調整することによって、所望の深さの凹部１１が形成され得る。

【0075】

なお、図８に例示のバリア層３０ａを含む絶縁層３１～３４が形成される場合は、先に説明された絶縁層３１などの形成においてフィルム状の樹脂の積層及び熱圧着が２回行われ、その間にバリア層３０ａが形成される。すなわち、１回目のフィルム状樹脂の積層及び熱圧着によって、絶縁層３１～３４におけるバリア層１０ａよりも下側の本体層３０ｂが形成される。その後、その本体層３０ｂ上に、例えばスパッタリングによって、バリア層３０ａとしてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜が形成される。そのバリア層３０ａ上に２回目のフィルム状樹脂の積層及び熱圧着を行うことによって、バリア層３０ａよりも上側の本体層３０ｂが形成される。

【0076】

図９Ａ～図９Ｄを参照して、図７及び図８の配線基板１０が製造される場合を例に、第２実施形態の配線基板を製造する方法が説明される。なお、前述したように、第２実施形態の配線基板は、主に導体層２２～２５の構造だけが図１などに例示の第１実施形態の配線基板と異なるので、導体層２２～２５の形成方法（それらを代表して導体層２２の形成方法）が主に説明される。

【0077】

図９Ａに示されるように、先に参照された図５Ａに示される状態から、絶縁層３１が形成され、絶縁層３１に貫通孔４ｂが形成され、さらに凹部１１が形成される。図９Ａに示される段階では、絶縁層３１は、配線基板１０の完成時に絶縁層３１が有すべき厚さよりも厚く形成されていてもよい。絶縁層３１の形成において、前述されたような方法でバリア層３０ａ（図８参照）が形成されてもよい。貫通孔４ｂは、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによってビア導体４（図７参照）の形成位置に形成される。貫通孔４ｂは、バリア層３０ａが形成されている場合には、バリア層３０ａを貫いて導体層２１に達するように形成される。

【0078】

貫通孔４ｂの形成後、導体層２２（図７参照）の各導体パターンの形成位置に凹部１１が形成される。例えばエキシマレーザー光の照射によって、所定の深さの凹部１１が形成される。図８に例示のバリア層３０ａが形成されている場合は、バリア層３０ａでレーザー光の透過が防がれるため、容易に、所望の深さの凹部１１を形成し得ることがある。バリア層３０ａが形成されていなくても、前述したように、例えばエキシマレーザー光の条件の調整などにより、所望の深さの凹部１１を形成することができる。凹部１１の形成後、好ましくはプラズマ処理などによるデスミア処理が行われる。

【0079】

図９Ｂに示されるように、金属膜２０ａａが、貫通孔４ｂ及び凹部１１の内部を含む絶縁層３１の露出する表面の全面に形成される。図９Ｂは、金属膜２０ａａの形成後の図９Ａに示されるIXＢ部の拡大図である。二点鎖線で図９Ｂに示されているバリア層３０ａが形成されている場合は、バリア層３０ａの露出面上にも金属膜２０ａａが形成される。金属膜２０ａａは、例えばスパッタリングや無電解めっきによって形成される。

【0080】

図９Ｃに示されるように、貫通孔４ｂの内部、凹部１１の内部、及び絶縁層３１における導体層２１と反対側の表面（上面）の全面に、金属膜２０ｂａが形成される。金属膜２０ｂａは、好ましくは、絶縁層３１の上面における凹部１１が形成されていない領域の上に所望の厚みを有するように形成される。金属膜２０ｂａは、例えば、金属膜２０ａａ（図９Ｂ参照）を給電層として用いる電解めっきによって形成される。凹部１１が金属膜２０ｂａで充填される。貫通孔４ｂ内も金属膜２０ｂａで充填されてビア導体４が形成される。

【0081】

図９Ｄに示されるように、絶縁層３１の上面上の金属膜２０ｂａ及び金属膜２０ａａ（図９Ｂ参照）が、例えばＣＭＰなどの任意の方法を用いる研磨によって除去される。金属膜２０ｂａは、凹部１１の底面上の金属膜２０ａａとの合計の厚さが、導体層２２に求められる厚さに達するまで研磨される。金属膜２０ｂａの研磨の際、絶縁層３１の上面付近も金属膜２０ｂａと共に研磨によって除去されてもよい。導体層２２の表面２２ａと面一な絶縁層３１の表面３１ａが得られる。

【0082】

絶縁層３１の上面上の金属膜２０ｂａ及び金属膜２０ａａ（図９Ｂ参照）の除去により、導体層２２の各導体パターン同士が分離される。所望の導体パターンを含み、そして所望の厚さを有する導体層２２が得られる。図９Ａ～図９Ｄを参照して説明された方法では、導体層２２に含まれる各導体パターンの間に形成されていた金属膜２０ａａのような導電体は、エッチングなどではなく研磨によってより確実に除去される。そのため、導体パターン間での短絡不良が生じ難いと考えられる。また、そのように短絡不良が生じ難いので、配線パターン同士が一層微細なピッチで配置され得ることがある。

【0083】

その後、図９Ａ～図９Ｄを参照して説明された方法と同様の方法で、絶縁層３２～３４及び導体層２３～２５（図７参照）が交互に形成される。その後、先に図５Ｇ～図５Ｊを参照して説明された方法で、絶縁層３５、導体ポスト５、及び機能層６が形成される。さらに、図５Ｋを参照して説明された方法で、支持板８及び第２金属膜層８４が除去される。以上の工程を経ることによって、図７の例の配線基板１０が完成する。

【0084】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。実装部品が搭載される導体パッド同士を接続する配線パターン（第１配線パターン）は、１以上の任意の数の導体層に形成され得る。図１や図７に例示の配線基板１及び配線基板１０が備える導体ポスト５及び機能層６は、実施形態の配線基板に必ずしも備えられない。図４などに例示の支持体８は、図４などに示される構造を必ずしも有しない。支持体８は、実施形態の配線基板に含まれる導体層及び絶縁層を少なくとも製造工程において求められる安定性で支持することができ、且つ、所望の時期に意図的に除去できるものであれば、その構造や材料について特に限定されない。

【符号の説明】

【0085】

１、１ａ、１０ 配線基板
１ｆ 第１面
１ｓ 第２面
１１ 絶縁層の表面の凹部
１２～１５ 配線パターン
２０ａ 導体層の第１層
２０ｂ 導体層の第２層
２１～２５ 導体層
２２ａ、２４ａ 導体層の表面
３１～３５ 絶縁層
３１ａ、３３ａ 絶縁層の表面
４ ビア導体
７１ 導体パッド（第１導体パッド）
７２ 導体パッド（第２導体パッド）
７３ 導体パッド（第３導体パッド）
８ 支持体
Ｅ１ 第１部品
Ｅ２ 第２部品
Ｇ 配線パターン同士の間隔
Ｗ１ 配線パターンの幅

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図5E】

【図5F】

【図5G】

【図5H】

【図5I】

【図5J】

【図5K】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9A】

【図9B】

【図9C】

【図9D】