特開 2024-11500 半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024011500

(43)【公開日】2024-01-25

(54)【発明の名称】半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/336 20060101AFI20240118BHJP

   H01L 29/78 20060101ALI20240118BHJP

   H01L 29/12 20060101ALI20240118BHJP

   H01L 21/318 20060101ALI20240118BHJP

【ＦＩ】

H01L29/78 658F

H01L29/78 652K

H01L29/78 652T

H01L21/318 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022113511

(22)【出願日】2022-07-14

(71)【出願人】

【識別番号】000004260

【氏名又は名称】株式会社デンソー

(71)【出願人】

【識別番号】000003207

【氏名又は名称】トヨタ自動車株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】520124752

【氏名又は名称】株式会社ミライズテクノロジーズ

(71)【出願人】

【識別番号】504139662

【氏名又は名称】国立大学法人東海国立大学機構

(74)【代理人】

【識別番号】110000110

【氏名又は名称】弁理士法人 快友国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】牛島 隆志

(72)【発明者】

【氏名】近藤 健

(72)【発明者】

【氏名】石田 崇

(72)【発明者】

【氏名】上杉 勉

【テーマコード（参考）】

5F058

【Ｆターム（参考）】

5F058BA01

5F058BB10

5F058BC08

5F058BF02

5F058BH20

(57)【要約】

【課題】電気的特性の変動が抑えられる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１主面１ａと第２主面１ｂを有するＧａＮ系基板１の前記第１主面上に分離膜２２ａと酸化膜２２ｂを有するゲート絶縁膜２２を形成する工程であって、前記分離膜が前記ＧａＮ系基板の前記第１主面に接するように成膜されるとともに酸素を含まない材料であり、前記酸化膜が前記分離膜を介して前記ＧａＮ系基板の前記第１主面に対向するように成膜される、ゲート絶縁膜形成工程と、前記ゲート絶縁膜形成工程の後に、前記ＧａＮ系基板の前記第２主面から前記ＧａＮ系基板内に向けてレーザ３２を照射するレーザ照射工程と、を備える。
【選択図】図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体装置の製造方法であって、
第１主面（１ａ）と第２主面（１ｂ）を有するＧａＮ系基板（１）の前記第１主面上に分離膜（２２ａ）と酸化膜（２２ｂ）を有するゲート絶縁膜（２２）を形成する工程であって、前記分離膜が前記ＧａＮ系基板の前記第１主面に接するように成膜されるとともに酸素を含まない材料であり、前記酸化膜が前記分離膜を介して前記ＧａＮ系基板の前記第１主面に対向するように成膜される、ゲート絶縁膜形成工程と、
前記ゲート絶縁膜形成工程の後に、前記ＧａＮ系基板の前記第２主面から前記ＧａＮ系基板内に向けてレーザ（３２）を照射するレーザ照射工程と、を備える、半導体装置の製造方法。

【請求項2】

前記ＧａＮ系基板のうちの前記ゲート絶縁膜が形成されたデバイス層（２）を前記ＧａＮ系基板の残りの層から剥離する剥離工程、をさらに備えており、
前記レーザ照射工程では、前記ＧａＮ系基板の前記第２主面から前記ＧａＮ系基板の所定深さを延びる面（３）に前記レーザが照射され、
前記剥離工程では、前記レーザが照射された面に沿って前記デバイス層が前記ＧａＮ系基板の残りの層から剥離される、請求項１に記載の製造方法。

【請求項3】

前記ＧａＮ系基板は、前記ゲート絶縁膜が接する部分にｐ型のチャネル領域（ＣＨ）を有しており、
前記チャネル領域のｐ型不純物の濃度が、６×１０¹⁶～９×１０¹⁷ｃｍ^-3である、請求項１に記載の製造方法。

【請求項4】

前記分離膜が、窒化物と金属膜とＳｉとからなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１に記載の製造方法。

【請求項5】

前記分離膜が、ＡｌＮ又はＳｉＮである、請求項４に記載の製造方法。

【請求項6】

前記酸化膜が、ＳｉＯ₂である、請求項１に記載の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書が開示する技術は、半導体装置の製造方法に関する。

【0002】

ＧａＮ系基板を用いて製造される半導体装置の開発が進められており、その一例が特許文献１に開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２２－１４６４５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

この種の半導体装置では、製造工程中にＧａＮ系基板とゲート絶縁膜の界面に酸化ガリウムが生成してしまうことがある。ＧａＮ系基板とゲート絶縁膜の界面に酸化ガリウムが存在すると、例えば閾値電圧がシフトするといった電気的特性の変動が懸念される。本明細書は、電気的特性の変動が抑えられる半導体装置の製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、第１主面（１ａ）と第２主面（１ｂ）を有するＧａＮ系基板（１）の前記第１主面上に分離膜（２２ａ）と酸化膜（２２ｂ）を有するゲート絶縁膜（２２）を形成する工程であって、前記分離膜が前記ＧａＮ系基板の前記第１主面に接するように成膜されるとともに酸素を含まない材料であり、前記酸化膜が前記分離膜を介して前記ＧａＮ系基板の前記第１主面に対向するように成膜される、ゲート絶縁膜形成工程と、前記ゲート絶縁膜形成工程の後に、前記ＧａＮ系基板の前記第２主面から前記ＧａＮ系基板内に向けてレーザ（３２）を照射するレーザ照射工程と、を備えることができる。ここで、前記ＧａＮ系基板とは、結晶の構成元素にガリウムと窒素を含む窒化物半導体であり、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮであってもよい。前記半導体装置の種類は、特に限定されるものではないが、例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）又はＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）であってもよい。

【0006】

上記製造方法では、前記ＧａＮ系基板と前記酸化膜の間に、酸素を含まない材料の前記分離膜が成膜されている。このため、前記ＧａＮ系基板と前記酸化膜が直接的に接していないので、前記ＧａＮ系基板に含まれるガリウムの酸化が抑えられる。さらに、上記製造方法では、前記ゲート絶縁膜形成工程の後に前記レーザ照射工程が実施される。前記レーザ照射工程が実施されると、前記分離膜の少なくとも一部が前記酸化膜側に向けて移動するとともに、前記酸化膜の少なくとも一部が前記分離膜側に移動する。これにより、前記ＧａＮ系基板と前記ゲート絶縁膜の界面のうちの少なくとも一部は、前記ＧａＮ系基板と前記酸化膜の界面によって構成される。上記製造方法によると、前記ＧａＮ系基板と前記ゲート絶縁膜の界面における酸化ガリウムの生成が抑えられるとともに、前記ＧａＮ系基板と前記ゲート絶縁膜の界面に前記ＧａＮ系基板と前記酸化膜の良質な界面が形成される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】半導体装置の製造方法のうちのＭＯＳ構造形成工程、レーザ照射工程、剥離工程及びダイシング工程のフローを示す図である。

【図2】半導体装置の製造過程におけるＧａＮ系基板の断面図を模式的に示す図である。

【図3】ＧａＮ系基板の上面側に形成されているデバイス構造の単位セルの断面図を模式的に示す図である。

【図4】半導体装置の製造過程におけるＧａＮ系基板の断面図を模式的に示す図である。

【図5】半導体装置の製造過程におけるＧａＮ系基板の断面図を模式的に示す図である。

【図6】半導体装置の製造過程におけるＧａＮ系基板の断面図を模式的に示す図である。

【図7】レーザ照射工程において、ＧａＮ系基板内に照射されるレーザの様子を模式的に示す図である。

【図8】レーザ照射前のＧａＮ系基板とゲート絶縁膜の界面近傍の元素分布を示す図である。

【図9】レーザ照射後のＧａＮ系基板とゲート絶縁膜の界面近傍の元素分布を示す図である。

【図10】本明細書が開示する製造方法で製造された半導体装置のチャネル領域のｐ型不純物濃度と閾値電圧の関係を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、レーザ剥離技術を利用した半導体装置の製造方法について説明する。なお、本明細書が開示する技術は、レーザ剥離技術を利用した半導体装置の製造方法に限らず、他の様々な製造方法にも適用可能である。

【0009】

図１に示すように、本明細書が開示するレーザ剥離技術を利用した半導体装置の製造方法は、ＭＯＳ構造形成工程（ステップＳ１）、レーザ照射工程（ステップＳ２）、剥離工程（ステップＳ３）及びダイシング工程（ステップＳ４）を備えている。この製造方法は、図２に示すＧａＮ系基板１に対してこれら工程を実行することにより、複数の半導体装置（チップともいう）を製造することができる。なお、詳細な説明は省略するが、ＭＯＳ構造形成工程（ステップＳ１）よりも前に、ＧａＮ系基板１の内部にデバイス構造を構成する各種の半導体領域を形成する工程が実施される。デバイス構造を形成するための工程は、特に限定されるものではなく、既知の製造技術を利用することができる。

【0010】

図２に示されるように、ＧａＮ系基板１は、各々が平面で相互に平行に延びている上面１ａと下面１ｂを有している。これら上面１ａと下面１ｂは、主面とも称される。ＧａＮ系基板１は、特に限定されるものではないが、この例では窒化ガリウムの基板であってもよい。ＧａＮ系基板１の所定深さを延びる面３は、後述するように、レーザが照射される面、すなわち、レーザの複数の集光点が集まった面である。本明細書では、ＧａＮ系基板１のうちのレーザが照射される面３よりも上側の部分、すなわち、ＧａＮ系基板１から剥離される部分をデバイス層２という。ＧａＮ系基板１のデバイス層２内にデバイス構造が形成されている。

【0011】

図３に、ＭＯＳ構造形成工程（図１のステップＳ１）が実施された後の、ＧａＮ系基板１のデバイス層２内に形成されているデバイス構造１０の単位セルを示す。デバイス構造１０は、特に限定されるものではないが、例えば縦型のＭＯＳＦＥＴであってもよい。

【0012】

デバイス構造１０は、ｎ⁺型のドレイン領域１２と、ｎ型のドリフト領域１４と、ｐ型のボディ領域１６と、ｎ⁺型のソース領域１８と、プレーナ型のＭＯＳ構造２０と、を備えている。

【0013】

ドレイン領域１２は、ＧａＮ系基板１の下面１ｂに露出する位置に設けられている。ドリフト領域１４は、ドレイン領域１２とボディ領域１６の間に設けられている。ＧａＮ系基板１の上面１ａに露出する位置に配置されているドリフト領域１４の一部をＪＦＥＴ領域１４ａという。ボディ領域１６は、ＧａＮ系基板１の上面１ａに露出する位置に設けられており、ドリフト領域１４とソース領域１８を隔てるように配置されている。ドリフト領域１４のＪＦＥＴ領域１４ａとソース領域１８の間に位置するボディ領域１６の一部をチャネル領域ＣＨという。ＭＯＳ構造２０に印加されるゲート電圧に応じてボディ領域１６のチャネル領域ＣＨに生成される反転層の電子密度が制御され、デバイス構造のオンオフが制御される。このように、チャネル領域ＣＨとは、ＭＯＳ構造２０によってキャリア密度が制御される領域として定義される。ソース領域１８は、ＧａＮ系基板１の上面１ａに露出する位置に設けられている。

【0014】

ＭＯＳ構造２０は、ＧａＮ系基板１の上面１ａの一部を被覆するように設けられており、ゲート絶縁膜２２と、ゲート電極２４と、を備えている。ゲート電極２４は、ゲート絶縁膜２２を介してボディ領域１６のチャネル領域ＣＨに対向している。ゲート絶縁膜２２は、分離膜２２ａと、酸化膜２２ｂと、を備えている。分離膜２２ａは、ＧａＮ系基板１の上面１ａに接するように成膜されている。酸化膜２２ｂは、分離膜２２ａ上に積層しており、分離膜２２ａを介してＧａＮ系基板１の上面１ａに対向するように成膜されている。なお、分離膜２２ａと酸化膜２２ｂの間に他の膜が設けられていてもよい。

【0015】

ＭＯＳ構造形成工程（図１のステップＳ１）は、ＧａＮ系基板１の上面１ａ上に分離膜２２ａと酸化膜２２ｂを有するゲート絶縁膜２２を形成するゲート絶縁膜形成工程と、ゲート絶縁膜２２上にゲート電極２４を形成するゲート電極形成工程と、を有している。

【0016】

ゲート絶縁膜形成工程は、特に限定されるものではないが、例えば原子層堆積法（ＡＬＤ法）を利用して、ＧａＮ系基板１の上面１ａに分離膜２２ａを成膜する工程を有していてもよい。分離膜２２ａは、特に限定されるものではないが、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜であってもよい。

【0017】

ゲート絶縁膜形成工程はさらに、特に限定されるものではないが、例えば原子層堆積法（ＡＬＤ法）を利用して、分離膜２２ａの表面に酸化膜２２ｂを成膜する工程を有していてもよい。酸化膜２２ｂは、特に限定されるものではないが、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ₂）であってもよい。

【0018】

図４に示されるように、レーザ照射工程（図１のステップＳ２）では、ＧａＮ系基板１の所定深さを延びる面３にレーザが照射される。レーザは、デバイス構造が形成されていないＧａＮ系基板１の下面１ｂからＧａＮ系基板１の所定深さで集光するように照射される。レーザは、ＧａＮ系基板１（この例では窒化ガリウムの基板）に対して透過性を有する波長域のレーザである。レーザは、特に限定されるものではないが、可視光のレーザであってもよく、例えば緑色レーザであってもよい。集光点の位置では、ＧａＮ系基板１を構成する結晶（この例では、窒化ガリウムの単結晶）が加熱されて分解される。その結果、集光点の位置に、ＧａＮ系基板１を構成する結晶の構成原子の析出層等（この例では、ガリウムの析出層等）によって構成された改質層が形成される。改質層の強度は、ＧａＮ系基板１を構成する結晶よりも低い。したがって、改質層の強度は、その周囲の結晶よりも低くなる。

【0019】

図５に示されるように、剥離工程（図１のステップＳ３）では、デバイス構造１０が形成されているデバイス層２が、レーザが照射された面３に沿って残りのＧａＮ系基板１から剥離される。レーザが照射された面３は改質層の形成によって強度が低下しているので、デバイス層２は残りのＧａＮ系基板１から良好に剥離される。なお、デバイス層２が剥離された後のＧａＮ系基板１は、半導体装置の製造に再利用される。例えば、ＧａＮ系基板１の剥離面に対して研磨及びエッチング等を実施した後に、エピタキシャル結晶成長技術を利用して剥離面上にデバイス層を成膜することにより、成膜したデバイス層にデバイス構造を形成することができる。

【0020】

図６に示されるように、ダイシング工程（図１のステップＳ４）では、ＧａＮ系基板１から剥離されたデバイス層２に対して研磨工程及び電極形成工程等を実施した後、デバイス層２から複数のデバイス（ダイともいう）が切り出され、半導体装置が完成する。

【0021】

次に、上記したレーザ照射工程（図１のステップＳ２）について詳細する。図７に、ＧａＮ系基板１の下面１ｂからＧａＮ系基板１内にレーザ３２が照射される様子を示す。レーザ３２は、ＧａＮ系基板１の所定深さを延びる面３で集光するように照射される。レーザ３２の一部は、集光点を越えてＧａＮ系基板１の上面１ａ側に到達する。このようなレーザ３２の抜け光は、ゲート絶縁膜２２に照射される。

【0022】

レーザ３２の抜け光は、ゲート絶縁膜２２のうちの分離膜２２ａで吸収される。ここで、分離膜２２ａが設けられていない場合を仮定する。この場合、ＧａＮ系基板１と酸化膜２２ｂが直接的に接している。このような例では、レーザ３２の抜け光のエネルギーにより、酸化膜２２ｂに含まれる酸素によってＧａＮ系基板１に含まれるガリウムの酸化が促進され、ＧａＮ系基板１とゲート絶縁膜２２の界面に酸化ガリウムが生成してしまう。このような酸化ガリウムの生成は、例えば閾値電圧をシフトさせるといった電気的特性の変動を引き起こす。一方、本明細書が開示する半導体装置の製造方法では、ＧａＮ系基板１と酸化膜２２ｂの間に酸素を含まない分離膜２２ａが設けられているので、ＧａＮ系基板１に含まれるガリウムの酸化が抑えられる。このように、ＧａＮ系基板１と酸化膜２２ｂの間に分離膜２２ａを設ける技術は、レーザ剥離技術を利用した半導体装置の製造方法において、レーザ３２の抜け光による電気的特性の変動を抑えることができる。

【0023】

さらに、レーザ３２の抜け光を吸収した分離膜２２ａ（ＡｌＮ膜）の少なくとも一部は、アルミニウムと窒素に分解する。分解して生成されたアルミニウムは、酸化アルミニウムとなりながら拡散し、酸化膜２２ｂ側に移動する。一方、酸化膜２２ｂの一部は、ＧａＮ系基板１とゲート絶縁膜２２の界面側に移動する。このように、分離膜２２ａにレーザ３２が照射されると、分離膜２２ａが分解して生成されたアルミニウムがレーザ３２の進行方向に沿って移動することにより、分離膜２２ａの少なくとも一部と酸化膜２２ｂの少なくとも一部の位置が入れ換わり、ＧａＮ系基板１とゲート絶縁膜２２の界面のうちの少なくとも一部がＧａＮ系基板１と酸化膜２２ｂの界面によって構成される。ＧａＮ系基板１と酸化膜２２ｂの良質な界面は、チャネル領域のキャリア移動度及びゲート絶縁膜２２の絶縁破壊強度を向上させる。

【0024】

図８及び図９に、電子エネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ法）を利用して得られたＧａＮ系基板１とゲート絶縁膜２２の界面近傍の元素分布を示す。図８はレーザ照射前の元素分布を示し、図９はレーザ照射後の元素分布を示す。横軸はＧａＮ系基板１とゲート絶縁膜２２の厚み方向に沿った距離を示しており、「５ｎｍ」の位置がＧａＮ系基板１とゲート絶縁膜２２の界面の位置に対応する。なお、この例では、レーザ照射前に成膜された分離膜２２ａ（図８中に「ＡｌＮ」で示す）の膜厚は５ｎｍであり、レーザ照射前に成膜された酸化膜２２ｂ（図８中に「ＳｉＯ₂」で示す）の膜厚は１００ｎｍであった。

【0025】

図８及び図９に示されるように、分離膜２２ａが分解して生成されたアルミニウムは、レーザが照射された後にレーザの進行方向に沿って酸化膜２２ｂ側に移動する。この例では、ＧａＮ系基板１とゲート絶縁膜２２の界面におけるアルミニウムは、レーザ照射後に検出限界以下にまで低下している。即ち、ＧａＮ系基板１とゲート絶縁膜２２の界面においては、分離膜２２ａから酸化膜２２ｂに完全に入れ換わっていることが確認された。

【0026】

このように、ＧａＮ系基板１と酸化膜２２ｂの間に分離膜２２ａを設ける技術は、レーザ照射と組み合わせることにより、分離膜２２ａの少なくとも一部を酸化膜２２ｂと入れ換えることができる。この結果、ＧａＮ系基板１とゲート絶縁膜２２の界面にＧａＮ系基板１と酸化膜２２ｂの良質な界面が形成され、チャネル領域のキャリア移動度及びゲート絶縁膜２２の絶縁破壊強度を向上させることができる。

【0027】

図１０に、上記の製造方法で製造された半導体装置の閾値電圧から換算されるチャネル領域のｐ型不純物濃度と閾値電圧の関係を示す。なお、上記の製造方法で製造された半導体装置の閾値電圧の測定値は６．５Ｖであり、チャネル領域のｐ型不純物濃度が５×１０¹⁷ｃｍ^-3であった。また、レーザ照射前に成膜された分離膜２２ａの膜厚は５ｎｍであり、レーザ照射前に成膜された酸化膜２２ｂの膜厚は１００ｎｍであった。

【0028】

図１０に示されるように、チャネル領域のｐ型不純物濃度が６×１０¹⁶ｃｍ^-3以上であれば、半導体装置はエンハンスモードで動作することができる。また、チャネル領域のｐ型不純物濃度が９×１０¹⁷ｃｍ^-3以下であれば、半導体装置の閾値電圧を１桁とすることができる。実用的な閾値電圧の２～３Ｖとするためには、チャネル領域のｐ型不純物濃度を１．４×１０¹⁷～２×１０¹⁷ｃｍ^-3とすればよい。

【0029】

このように、上記の製造方法で製造された半導体装置は、チャネル領域のｐ型不純物濃度が低くても、エンハンスモードで動作可能であることが示唆された。このため、上記の製造方法で製造された半導体装置は、エンハンスモードで動作可能であるとともに、低いチャネル抵抗を有することが示唆された。

【0030】

上記の製造方法では、レーザ剥離のためのレーザの抜け光の影響を抑えながら、ＧａＮ系基板とゲート絶縁膜の間に良質な界面を形成することができる。この例に代えて、レーザ剥離のためのレーザとは別の目的のレーザ又はその抜け光を利用してＧａＮ系基板とゲート絶縁膜の間に良質な界面を形成してもよい。例えば、ＧａＮ系基板とゲート絶縁膜の間に良質な界面を形成する目的のためだけにレーザを照射してもよい。本明細書が開示する技術は、レーザ剥離技術を利用した製造方法以外の製造方法にも適用可能である。

【0031】

分離膜の材料は、酸素を含まない材料であれば特に限定されるものではない。分離膜の材料は、レーザの波長域に応じてレーザを効率よく吸収できる材料が選択されてもよい。分離膜の材料は、例えば、窒化物と金属膜とＳｉとからなる群から選択される少なくとも１つを含んでもよい。窒化物としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は窒化シリコン（ＳｉＮ）であってもよい。これらの材料の分離膜は、可視光のレーザを吸収することができる。

【0032】

分離膜の厚みは、ＧａＮ系基板に含まれるガリウムの酸化が抑えられる限りにおいて特に限定されるものではない。分離膜の厚みは、レーザ照射によって分離膜と酸化膜が効果的に入れ換わるために薄い方が望ましい。分離膜の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば１０ｎｍ以下であってもよい。

【0033】

以下、本明細書で開示される技術の特徴を整理する。なお、以下に記載する技術要素は、それぞれ独立した技術要素であって、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。

【0034】

（特徴１）
半導体装置の製造方法であって、
第１主面と第２主面を有するＧａＮ系基板の前記第１主面上に分離膜と酸化膜を有するゲート絶縁膜を形成する工程であって、前記分離膜が前記ＧａＮ系基板の前記第１主面に接するように成膜されるとともに酸素を含まない材料であり、前記酸化膜が前記分離膜を介して前記ＧａＮ系基板の前記第１主面に対向するように成膜される、ゲート絶縁膜形成工程と、
前記ゲート絶縁膜形成工程の後に、前記ＧａＮ系基板の前記第２主面から前記ＧａＮ系基板内に向けてレーザを照射するレーザ照射工程と、を備える、半導体装置の製造方法。

【0035】

（特徴２）
前記ＧａＮ系基板のうちの前記ゲート絶縁膜が形成されたデバイス層を前記ＧａＮ系基板の残りの層から剥離する剥離工程、をさらに備えており、
前記レーザ照射工程では、前記ＧａＮ系基板の前記第２主面から前記ＧａＮ系基板の所定深さを延びる面に前記レーザが照射され、
前記剥離工程では、前記レーザが照射された面に沿って前記デバイス層が前記ＧａＮ系基板の残りの層から剥離される、特徴１に記載の製造方法。

【0036】

（特徴３）
前記ＧａＮ系基板は、前記ゲート絶縁膜が接する部分にｐ型のチャネル領域（ＣＨ）を有しており、
前記チャネル領域のｐ型不純物の濃度が、６×１０¹⁶～９×１０¹⁷ｃｍ^-3である、特徴１又は２に記載の製造方法。

【0037】

（特徴４）
前記分離膜が、窒化物と金属膜とＳｉとからなる群から選択される少なくとも１つを含む、特徴１～３のいずれかに記載の製造方法。

【0038】

（特徴５）
前記分離膜が、ＡｌＮ又はＳｉＮである、特徴４に記載の製造方法。

【0039】

（特徴６）
前記酸化膜が、ＳｉＯ₂である、特徴１～５のいずれかに記載の製造方法。

【0040】

以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの１つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。

【符号の説明】

【0041】

１：ＧａＮ系基板、 ２：デバイス層、 １０：デバイス構造、 １２：ドレイン領域、 １４：ドリフト領域、 １４ａ：ＪＦＥＴ領域、 １６：ボディ領域、 １８：ソース領域、 ２０：ＭＯＳ構造、 ２２：ゲート絶縁膜、 ２２ａ：分離膜、 ２２ｂ：酸化膜、 ２４：ゲート電極、 ３２：レーザ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】