特開 2024-115352 半導体デバイスの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024115352

(43)【公開日】2024-08-26

(54)【発明の名称】半導体デバイスの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/02 20060101AFI20240819BHJP

   H01L 21/301 20060101ALI20240819BHJP

   G01C 19/5684 20120101ALI20240819BHJP

   B81C 1/00 20060101ALI20240819BHJP

   B81B 3/00 20060101ALI20240819BHJP

   B81C 3/00 20060101ALI20240819BHJP

【ＦＩ】

H01L21/02 C

H01L21/78 Q

G01C19/5684

B81C1/00

B81B3/00

B81C3/00

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023020997

(22)【出願日】2023-02-14

(71)【出願人】

【識別番号】000183369

【氏名又は名称】住友精密工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100104433

【弁理士】

【氏名又は名称】宮園 博一

(72)【発明者】

【氏名】荒木 隆太

(72)【発明者】

【氏名】上木 壮大

【テーマコード（参考）】

2F105

3C081

5F063

【Ｆターム（参考）】

2F105BB07

2F105BB15

2F105CC04

2F105CD01

2F105CD07

3C081AA17

3C081BA03

3C081BA22

3C081BA32

3C081BA41

3C081BA48

3C081BA75

3C081CA02

3C081CA05

3C081CA13

3C081CA23

3C081CA32

3C081CA33

3C081CA42

3C081CA44

3C081DA03

3C081DA06

3C081EA02

5F063AA15

5F063AA36

5F063BA15

5F063BA32

5F063CA01

5F063CA04

5F063DG03

5F063EE02

5F063EE42

5F063EE43

5F063EE44

(57)【要約】

【課題】基板に樹脂テープを貼り付けたままでデバイス部の検査を行う場合にも、デバイス部の検査結果が、樹脂テープの不可逆的な物性変化に起因する影響を受けるのを回避することが可能な半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体デバイスの製造方法は、基板Ｗに第１樹脂テープ５０を貼り合わせる工程Ｓ１と、第１樹脂テープ５０が貼り合わされた基板Ｗに対して、第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程Ｓ２と、不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程の後、第１樹脂テープ５０を基板Ｗから除去して、第２樹脂テープ６０を基板Ｗに貼り合わせる工程Ｓ３と、不可逆的な物性変化を伴う処理が施されていない第２樹脂テープ６０が貼り合わされた基板において、基板上に設けられた複数のデバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５と、を備える。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上にデバイス部を形成した半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法であって、
前記基板に第１樹脂テープを貼り合わせる工程と、
前記第１樹脂テープが貼り合わされた前記基板に対して、前記第１樹脂テープの不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程と、
前記不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程の後、前記第１樹脂テープを前記基板から除去して、第２樹脂テープを前記基板に貼り合わせる工程と、
前記不可逆的な物性変化を伴う処理が施されていない前記第２樹脂テープが貼り合わされた前記基板において、前記基板上に設けられた複数の前記デバイス部の検査を行う工程と、を備える、半導体デバイスの製造方法。

【請求項2】

前記第１樹脂テープの前記不可逆的な物性変化を伴う処理は、前記第１樹脂テープを変形させる温度変化を伴う処理、前記第１樹脂テープを変質させる光の照射を伴う処理、前記第１樹脂テープを変形させる物質への曝露を伴う処理、のいずれかを含む、請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。

【請求項3】

前記不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程は、前記基板上に接着材を介して部品を設置する工程と、前記不可逆的な物性変化を伴う処理により前記接着材を硬化させる工程と、を含む、請求項２に記載の半導体デバイスの製造方法。

【請求項4】

前記第１樹脂テープの前記不可逆的な物性変化を伴う処理は、前記接着材を硬化させる熱処理または前記接着材を硬化させる光照射処理の少なくとも一方を含み、
前記第１樹脂テープの前記不可逆的な物性変化は、前記第１樹脂テープの収縮を引き起こす物性変化である、請求項３に記載の半導体デバイスの製造方法。

【請求項5】

前記デバイス部の検査を行う工程の前または後に、前記第２樹脂テープが貼り合わされた前記基板をダイシングする工程と、
前記デバイス部の検査を行う工程の後、ダイシングされた複数の個片基板をそれぞれ前記第２樹脂テープから剥離して前記半導体デバイスを組み立てる工程と、をさらに備える、請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体デバイスの製造方法。

【請求項6】

前記デバイス部の検査を行う工程の前に、前記基板をダイシングする工程を実施し、
前記デバイス部の検査を行う工程において、前記第２樹脂テープが貼り合わされた状態の前記複数の個片基板の前記デバイス部に対して、それぞれ検査を行う、請求項５に記載の半導体デバイスの製造方法。

【請求項7】

前記デバイス部の検査を行う工程における検査結果に応じて、前記デバイス部を補正加工する工程をさらに備える、請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体デバイスの製造方法。

【請求項8】

前記デバイス部は、可動構造を有するＭＥＭＳデバイスを含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体デバイスの製造方法。

【請求項9】

前記第２樹脂テープを前記基板に貼り合わせる工程において、前記第１樹脂テープと同一品種の樹脂テープであって、未使用の前記第２樹脂テープを前記基板に貼付する、請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、半導体デバイスの製造方法に関し、特に、製造工程においてデバイス部の検査を行う半導体デバイスの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体デバイスの製造工程においてデバイス部の検査を行うことが知られている（たとえば、特許文献１参照）。

【0003】

上記特許文献１には、リング型振動ジャイロを構成する半導体振動子の製造工程において、磁場中で振動子（デバイス部）に電流を印加して強制振動を起こし、誘導起電力をモニターすることで振動子の共振周波数と振動モードの位置とを測定すること（振動特性の検査）が開示されている。そして、特許文献１では、測定結果と基準値とのずれがある場合に、レーザー照射により振動子の一部を除去することにより、振動子の質量および剛性を変化させて、振動数および振動モードの位置を調整することが開示されている。上記特許文献１では、この作業は、シリコン基板から形成した振動子のみの状態、チップの状態又はパッケージングされた状態のいずれでも実施できると記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開平１１－８３４９８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ところで、半導体デバイスの製造工程では、ダイシングテープなどの各種の樹脂テープに基板を貼り付けて、樹脂テープが貼り付けられた状態の基板に対して、製造工程のいくつかの処理を実行することがある。樹脂テープの使用には、基板を損傷や汚染から保護することができ、基板のハンドリングが容易になるという利点がある。

【0006】

ところが、本願発明者らは、基板に対する処理が、基板への本来意図した作用を生じるだけでなく、基板に貼り付けられた樹脂テープの不可逆的な物性変化を付随的に引き起こしてしまう場合があることを発見した。樹脂テープの不可逆的な物性変化とは、基板に対する処理の終了後にも樹脂テープに生じた物性変化が残留し続けることを意味する。基板に貼り付けられた樹脂テープの不可逆的な物性変化の結果として、たとえば樹脂テープが不可逆的に収縮または膨張することがある。

【0007】

そして、本願発明者らは、樹脂テープが貼り付けられた状態の基板に対して、デバイス部の検査が実施される場合、その検査結果が、樹脂テープの不可逆的な物性変化に起因する影響を受けることを発見した。たとえば樹脂テープが収縮した状態で、上記特許文献１のようなデバイス部（振動子）の振動特性の測定が行われる場合、測定結果には、樹脂テープの収縮に起因して基板に生じる応力の影響が含まれる。その結果、検査後に基板を樹脂テープから剥離すると、樹脂テープに起因する応力が基板から除去されることによって、振動子の振動特性が検査時の測定結果から変化してしまう可能性が生じる。

【0008】

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、基板に樹脂テープを貼り付けたままでデバイス部の検査を行う場合にも、デバイス部の検査結果が、樹脂テープの不可逆的な物性変化に起因する影響を受けるのを回避することが可能な半導体デバイスの製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

上記目的を達成するために、この発明の半導体デバイスの製造方法は、基板上にデバイス部を形成した半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法であって、基板に第１樹脂テープを貼り合わせる工程と、第１樹脂テープが貼り合わされた基板に対して、第１樹脂テープの不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程と、不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程の後、第１樹脂テープを基板から除去して、第２樹脂テープを基板に貼り合わせる工程と、不可逆的な物性変化を伴う処理が施されていない第２樹脂テープが貼り合わされた基板において、基板上に設けられた複数のデバイス部の検査を行う工程と、を備える。

【0010】

この発明の半導体デバイスの製造方法では、上記のように、不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程の後、第１樹脂テープを基板から除去して、第２樹脂テープを基板に貼り合わせる工程と、不可逆的な物性変化を伴う処理が施されていない第２樹脂テープが貼り合わされた基板において、基板上に設けられた複数のデバイス部の検査を行う工程と、を設ける。これにより、基板に対して、第１樹脂テープの不可逆的な物性変化を伴う処理が実施された後、デバイス部の検査を行う工程の前に、物性変化した第１樹脂テープが、不可逆的な物性変化が発生していない第２樹脂テープに交換される。そのため、デバイス部の検査を行う工程では、基板に対する樹脂テープの不可逆的な物性変化に起因する影響を排除することができる。これらにより、樹脂テープの使用による利点（基板の損傷や汚染からの保護および基板のハンドリングの容易化）を享受しつつ、基板に樹脂テープを貼り付けたままでデバイス部の検査を行う場合にも、デバイス部の検査結果が、樹脂テープの不可逆的な物性変化に起因する影響を受けるのを回避することができる。

【0011】

上記発明による半導体デバイスの製造方法において、好ましくは、第１樹脂テープの不可逆的な物性変化を伴う処理は、第１樹脂テープを変形させる温度変化を伴う処理、第１樹脂テープを変質させる光の照射を伴う処理、第１樹脂テープを変形させる物質への曝露を伴う処理、のいずれかを含む。このように構成すれば、第１樹脂テープの変形（変質）に起因して基板に発生する応力の影響を、第１樹脂テープから第２樹脂テープへの貼り替えによって取り除くことができる。

【0012】

この場合、好ましくは、第１樹脂テープの不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程は、基板上に接着材を介して部品を設置する工程と、上記不可逆的な物性変化を伴う処理により接着材を硬化させる工程と、を含む。このように構成すれば、基板への部品の設置および接着を、基板に第１樹脂テープが貼り合わされた状態で実施することによって、基板を損傷や汚染から効果的に保護することができる。そして、この過程で第１樹脂テープの不可逆的な物性変化が生じる場合でも、第１樹脂テープから第２樹脂テープへの貼り替えによって、デバイス部の検査を行う工程への不可逆的な物性変化の影響を排除できる。

【0013】

上記第１樹脂テープの不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程が不可逆的な物性変化を伴う処理により接着材を硬化させる工程を含む構成において、好ましくは、第１樹脂テープの不可逆的な物性変化を伴う処理は、接着材を硬化させる熱処理または接着材を硬化させる光照射処理の少なくとも一方を含み、第１樹脂テープの不可逆的な物性変化は、第１樹脂テープの収縮を引き起こす物性変化である。このように構成すれば、接着材を硬化させる熱処理または光照射処理が、第１樹脂テープを不可逆的に収縮させる場合にも、第１樹脂テープの収縮に起因して基板に発生する応力の影響を、第１樹脂テープから第２樹脂テープへの貼り替えによって取り除くことができる。特にデバイス部が振動子などの可動構造を備える場合、基板における応力発生は、デバイス部の機械的特性に直接的に影響を与えることから、第１樹脂テープの収縮に起因する影響を排除することで、適正な検査結果を得ることができる。

【0014】

上記発明による半導体デバイスの製造方法において、好ましくは、デバイス部の検査を行う工程の前または後に、第２樹脂テープが貼り合わされた基板をダイシングする工程と、デバイス部の検査を行う工程の後、ダイシングされた複数の個片基板をそれぞれ第２樹脂テープから剥離して半導体デバイスを組み立てる工程と、をさらに備える。つまり、第２樹脂テープは、ダイシングの際に基板に貼付されるダイシングテープである。このように構成すれば、基板に第１樹脂テープが貼られた状態で樹脂テープの不可逆的な物性変化を伴う処理を完了させておき、その後、第１樹脂テープから第２樹脂テープに貼り替えた状態で、ダイシング、検査および組み立てまでの工程を行うことができる。そのため、たとえば第１樹脂テープから第２樹脂テープに貼り替えた後、さらに第２樹脂テープから別のダイシングテープに貼り替えるような場合と比較して、貼り替え工程数を低減できる。

【0015】

この場合、好ましくは、デバイス部の検査を行う工程の前に、基板をダイシングする工程を実施し、デバイス部の検査を行う工程において、第２樹脂テープが貼り合わされた状態の複数の個片基板のデバイス部に対して、それぞれ検査を行う。このように構成すれば、第２樹脂テープ上で個片化された状態で、デバイス部の検査を行うことができる。つまり、基板が分割されていない状態よりも、半導体デバイスの最終形態に近い状態（個片基板の状態）で、デバイス部を検査できる。そのため、デバイス部の検査を行う工程における検査結果と、最終製品におけるデバイス部の特性との乖離を、より一層小さくすることができる。

【0016】

上記発明による半導体デバイスの製造方法において、好ましくは、デバイス部の検査を行う工程における検査結果に応じて、デバイス部を補正加工する工程をさらに備える。このように構成すれば、樹脂テープの不可逆的な物性変化に起因するバイアスを含まない検査結果に応じて、デバイス部の補正加工を行うことができる。その結果、基板を第２樹脂テープから剥離してもデバイス部の意図しない特性変動が生じることのない、高精度な補正加工ができる。

【0017】

上記発明による半導体デバイスの製造方法において、好ましくは、デバイス部は、可動構造を有するＭＥＭＳデバイスを含む。このように、デバイス部が、可動構造を有するＭＥＭＳデバイスを含む場合、樹脂テープの不可逆的な物性変化の影響が、可動構造の機械的特性に直接的に作用しうる。そのため、第１樹脂テープから第２樹脂テープへの貼り替えによって、検査結果における第１樹脂テープの不可逆的な物性変化の影響を排除できる本発明が、このようなデバイス部を備えた半導体デバイスの製造に特に効果的である。

【0018】

上記発明による半導体デバイスの製造方法において、好ましくは、第２樹脂テープを基板に貼り合わせる工程において、第１樹脂テープと同一品種の樹脂テープであって、未使用の第２樹脂テープを基板に貼付する。このように構成すれば、基板に第１樹脂テープを貼り合わせる工程と基板に第２樹脂テープを貼り合わせる工程とで、同じ樹脂テープロールからそれぞれの樹脂テープを供給することができる。そのため、半導体デバイスの製造工程において使用する樹脂テープの品種が増大しないとともに、製造工程が複雑化することを抑制できる。

【発明の効果】

【0019】

本発明によれば、上記のように、基板に樹脂テープを貼り付けたままでデバイス部の検査を行う場合にも、デバイス部の検査結果が、樹脂テープの不可逆的な物性変化に起因する影響を受けるのを回避することができる。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】半導体デバイスを示す模式的な縦断面図である。

【図2】半導体デバイスの構造を示す模式的な分解斜視図である。

【図3】半導体デバイスのデバイス部を説明するための斜視説明図である。

【図4】デバイス部の動作を説明するための模式的な部分断面図である。

【図5】リング部の振動モードを説明するための図である。

【図6】本実施形態の半導体デバイスの製造方法を示したフロー図である。

【図7】第１樹脂テープを貼り合わせた状態の基板を示す工程断面図である。

【図8】基板への部品の設置工程を説明するための工程断面図である。

【図9】基板上に接着材を介して部品が配置された状態を示す工程断面図である。

【図10】接着材を硬化させる工程を説明するための工程断面図である。

【図11】第１樹脂テープへの紫外線照射を説明するための工程断面図である。

【図12】基板から第１樹脂テープを剥離した状態を説明するための工程断面図である。

【図13】第２樹脂テープを貼り合わせた状態の基板を示す工程断面図である。

【図14】基板をダイシングする工程を説明するための工程断面図である。

【図15】デバイス部の補正加工を説明するための工程断面図である。

【図16】残りの部品の組み立ての工程を説明するための工程断面図である。

【図17】第１樹脂テープを貼り合わせた状態の基板を示す平面模式図である。

【図18】第２樹脂テープを貼り合わせた状態の基板を示す平面模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0021】

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

【0022】

本実施形態の半導体デバイス１００の製造方法は、基板上にデバイス部を形成した半導体デバイス１００を製造する半導体デバイス１００の製造方法である。製造される半導体デバイス１００の構成は、特に限られないが、以下では、具体的な半導体デバイス１００の一例とともに、その半導体デバイス１００の製造方法を説明する。

【0023】

（半導体デバイスの構成）
図１に示すように、半導体デバイス１００は、フォトリソグラフィおよびエッチングなどの半導体製造技術によって形成されたデバイス部１３を含む。本実施形態では、デバイス部１３は、可動構造を有するＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）デバイスを含む。具体例として、本実施形態の半導体デバイス１００は、ＭＥＭＳジャイロ素子であり、半導体デバイス１００が備えるデバイス部１３は、ジャイロ素子の振動子である。

【0024】

半導体デバイス１００は、素子本体１を、パッケージ２内に収容したものである。素子本体１は、下部基板１１、支持基板１２、デバイス部１３、および磁界印加部１４を主として含む。パッケージ２は、ベース部材２１とカバー２２とを含む。

【0025】

下部基板１１は、素子本体１の全体が設置される平板状のガラス基板である。下部基板１１の上面上に、支持基板１２および磁界印加部１４が設けられている。

【0026】

支持基板１２は、デバイス部１３の振動部（リング部３１）を下部基板１１から離した状態で支持する平板状のガラス基板である。支持基板１２には、デバイス部１３のリング部３１およびレッグ部３２（図３参照）の直下となる領域に貫通孔１２ａが形成されている。

【0027】

デバイス部１３は、シリコン基板（シリコン製の平板部材）からなる。図３に示すように、デバイス部１３には、リング部３１、レッグ部３２およびフレーム３３が一体的に形成されている。リング部３１は、特許請求の範囲の「可動構造」の一例である。フレーム３３は、デバイス部１３の外周部を構成する枠状部分である。デバイス部１３は、フレーム３３の下面部分において支持基板１２（図１参照）と接触し、支持基板１２と接合されている。リング部３１は、フレーム３３の内周側に配置されており、円環状形状を有する。レッグ部３２は、フレーム３３の内周縁とリング部３１の外周縁とを接続する梁状部分である。リング部３１は、レッグ部３２を介してフレーム３３に支持されている。特に限定されないが、図３の例では、２本一対のレッグ部３２が、リング部３１の周方向に等角度間隔で８組、合計１６本設けられている。

【0028】

デバイス部１３の上面上には、フレーム３３からレッグ部３２を通ってリング部３１の周方向に沿うように、導体の配線部３４が形成されている。配線部３４は、８組のレッグ部３２に対してそれぞれ１つずつ設けられている。各配線部３４は、一方のレッグ部３２からそれぞれリング部３１上を周方向に延び、他方のレッグ部３２上を通ってフレーム３３に戻るように設けられている。８組のレッグ部３２に対応した８個の配線部３４が、リング部３１の略全周に亘って設けられている。リング部３１の内周側部分と、隣り合うレッグ部３２の隙間の部分とは、デバイス部１３を厚み方向に貫通する貫通孔となっている。

【0029】

図１に示すように、磁界印加部１４は、円柱状のマグネット４１と、マグネット４１の上下にそれぞれ設けられた上部ポール４２および下部ポール４３とが設けられている。マグネット４１は、リング部３１の内周側を上下（厚み方向）に通過するようにリング部３１の中心位置に配置されており、上下両端面が磁極面となっている永久磁石である。

【0030】

上部ポール４２および下部ポール４３は、それぞれ、マグネット４１の上面および下面に接続されたヨークであり、いずれもパーマロイからなる。上部ポール４２は、円形のキャップ形状（図２参照）を有する。つまり、上部ポール４２は、マグネット４１の上面からリング部３１の直上まで半径方向外側に延びた後、リング部３１と対向するように下向きに延びている。下部ポール４３は、円板形状（図２参照）を有し、マグネット４１の下面からリング部３１の直下まで半径方向外側に延びている。そのため、リング部３１は、上部ポール４２の下面と、下部ポール４３の上面とに、それぞれ全周にわたって上下に対向している。リング部３１を介して上下に対向し合う上部ポール４２の下面と下部ポール４３の上面とが、それぞれ磁界印加部１４における一方磁極（たとえばＮ極）と他方磁極（たとえばＳ極）とを構成している。

【0031】

パッケージ２のベース部材２１は、平板形状を有し、素子本体１が上面上に配置される支持板である。ベース部材２１には、素子本体１の配線部３４（図３参照）とそれぞれ接続された複数の端子部２１ａが設けられている。図示しないが、配線部３４と端子部２１ａとは、ワイヤーボンディングなどの接続処理によって電気的に接続されている。カバー２２は、上面および周側面を有するとともに、下面側が開放された構造を有する。カバー２２は、ベース部材２１上に設けられ、ベース部材２１とともに素子本体１を密閉状態で収容する収容空間を形成する。パッケージ２内は、真空（減圧）状態で封止されている。

【0032】

図４に示すように、上部ポール４２および下部ポール４３の一方から他方（図４では、上部ポール４２から下部ポール４３）に向けて磁界が発生し、リング部３１を磁束が通過する。リング部３１上の配線部３４に電流を供給すると、リング部３１に対して半径方向にローレンツ力Ｆが作用する。たとえば図５に示すように、リング部３１の半径方向のうち互いに直交する２方向を横軸、縦軸とし、縦軸の一方側を０度とする。配線部３４には、所定の周波数の交流電流が供給されることにより、上記のローレンツ力Ｆによってリング部３１が縦長の楕円形状と横長の楕円形状とを交互に繰り返すように変形する一次振動モード（０度から９０度毎に振幅の腹が生じるモード）の振動が、リング部３１の面内（半径方向）に生じる。

【0033】

この状態で、リング部３１に角速度ωが加わると、一次振動モードに対してコリオリ力が働き、新たに４５度傾いた二次振動モード（４５度から９０度毎に振動の腹が生じるモード）の振動が、リング部３１の面内（半径方向）に生じる。二次振動モードの振動に伴って配線部３４が磁界を横切ることにより、誘導起電力が発生する。発生した誘導起電力が配線部３４から検出されることにより、角速度ωに応じた信号が検出される。ジャイロ素子（半導体デバイス１００）は、このようにして角速度ωを検出することが可能に構成されている。

【0034】

（半導体デバイスの製造方法）
次に、半導体デバイス１００の製造方法を説明する。

【0035】

図６を参照して、本実施形態では、半導体デバイス１００の製造方法は、少なくとも以下の工程を備える。
基板Ｗに第１樹脂テープ５０を貼り合わせる工程（Ｓ１）、
第１樹脂テープ５０が貼り合わされた基板Ｗに対して、第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程（Ｓ２）、
不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程の後、第１樹脂テープ５０を基板Ｗから除去して、第２樹脂テープ６０を基板Ｗに貼り合わせる工程（Ｓ３）、
不可逆的な物性変化を伴う処理が施されていない第２樹脂テープ６０が貼り合わされた基板Ｗにおいて、基板Ｗ上に設けられた複数のデバイス部１３の検査を行う工程（Ｓ５）。

【0036】

また、本実施形態では、半導体デバイス１００の製造方法は、
デバイス部１３の検査を行う工程の前または後に、第２樹脂テープ６０が貼り合わされた基板Ｗをダイシングする工程（Ｓ４）と、
デバイス部１３の検査を行う工程における検査結果に応じて、デバイス部１３を補正加工する工程（Ｓ６）と、
デバイス部１３の検査を行う工程の後、ダイシングされた複数の個片基板ＷＰをそれぞれ第２樹脂テープ６０から剥離して半導体デバイス１００を組み立てる工程（Ｓ７）と、をさらに備える。

【0037】

以下、各工程について説明する。図６のフローチャートでは、半導体デバイス１００の製造工程のうち、個々の部品を形成する工程は、予め図示しないプロセスによって実施済みであるものとする。図６のフローチャートは、半導体デバイス１００の各部品が準備された後、それぞれの部品をパッケージ部品として組み立てる段階を示している。

【0038】

本実施形態では、１枚の円板形状の基板Ｗ（ウェハ）に対して、素子本体１を構成する各部品を複数組配置した後、ダイシングによって素子本体１毎に基板Ｗを個片化することにより、１枚の基板Ｗから複数の半導体デバイス１００を製造する。基板Ｗが個片化された後の個々のピースを、個片基板ＷＰと呼ぶ。以下では、基板Ｗは、基板に部品が組み付けられた場合、それらの部品を含めた全体を指す。個片基板ＷＰについても、基板上に組み付けられた部品を含めた全体を指す。個片基板ＷＰは、図６のフローチャートの最終段階では、素子本体１とほぼ同義となる。

【0039】

〈基板に第１樹脂テープを貼り合わせる工程〉
図６の工程Ｓ１において、基板Ｗに第１樹脂テープ５０を貼り合わされる。具合的には、図７に示すように、第１樹脂テープ５０に、基板Ｗが載置されることによって、基板Ｗの下面に第１樹脂テープ５０が貼り合わされる。工程Ｓ１における基板Ｗは、図１に示したように下部基板１１として個片化される前の、円板状のガラスウェハの状態の下部基板１１Ｗである。そのため、基板Ｗ（下部基板１１Ｗ）は、複数の素子本体１を包含する直径を有する。基板Ｗの下面は、支持基板１２および磁界印加部１４が設置される面（上面とする）とは反対側の面である。

【0040】

第１樹脂テープ５０は、基板Ｗの直径よりも大きく形成された粘着フィルムからなる。図７に示す例では、第１樹脂テープ５０の図中の上面側が粘着面であり、第１樹脂テープ５０の外周部が保持治具ＴＦに貼り付けられ、第１樹脂テープ５０の中央部が基板Ｗと貼り合わされる。つまり、図１７に示すように、環状の保持治具ＴＦに第１樹脂テープ５０の外周縁が固定された状態で、保持治具ＴＦの内側となる第１樹脂テープ５０の中央部に、基板Ｗが貼り付けられる。図１７では、便宜上、第１樹脂テープ５０にハッチングを付して図示している。

【0041】

第１樹脂テープ５０は、基板Ｗ（下部基板１１Ｗ）を固定可能な接着力を有し、製造工程における基板Ｗを保護できる程度の機械的強度を備え、かつ、基板Ｗから剥離する際には基板Ｗを損傷することなく容易に剥離できる、といった性質を有することが望ましい。第１樹脂テープ５０は、たとえば、フィルム状の基材と、基材の表面に形成された粘着剤層と、から主として構成されている。基材は、樹脂材料から構成されており、その樹脂材料は、たとえば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）などのポリエステル、または、ＰＥ（ポリエチレン）やＰＰ（ポリプロピレン）などのポリオレフィンである。粘着剤層は、たとえば、光硬化性の粘着剤からなる。この場合、第１樹脂テープ５０は、透光性を有する。光硬化性の粘着剤は、たとえば紫外線照射によって硬化することにより粘着力が低下する。そのため、第１樹脂テープ５０は、紫外線照射前は高い粘着力により基板Ｗを固定する一方で、紫外線照射後には粘着剤層の硬化により基板Ｗから容易に剥離できる。

【0042】

〈基板に対して、第１樹脂テープの不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程〉
図６の工程Ｓ２において、第１樹脂テープ５０が貼り合わされた基板Ｗに対して、第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化を伴う処理が実施される。本実施形態では、不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程Ｓ２は、基板Ｗ（下部基板１１Ｗ）上に接着材ＡＤ（図９参照）を介して部品ＣＰを設置する工程Ｓ２Ａと、接着材ＡＤを硬化させる工程Ｓ２Ｂと、を含む。

【0043】

まず、工程Ｓ２Ａにおいて、下部基板１１Ｗにおける素子本体１の各形成位置に、各部品ＣＰ（図８参照）が配置される。図８に示すように、配置される部品ＣＰは、支持基板１２Ｗおよびデバイス部１３Ｗの接合体と、磁界印加部１４の下部ポール４３と、である。工程Ｓ２Ａの段階では、支持基板１２Ｗは、図２に示したように個片化される前の、複数の貫通孔１２ａ（図２参照）が形成された状態のガラスウェハであり、デバイス部１３Ｗは、図２に示したように個片化される前の、複数のリング部３１を含んだ状態のシリコンウェハである。支持基板１２Ｗとデバイス部１３Ｗとは、陽極接合により一体化（接合）されている。

【0044】

図９に示すように、各部品ＣＰは、基板Ｗ上の、素子本体１が形成される各形成位置と対応させて、それぞれ配置される。各部品ＣＰは、接着材ＡＤを介して、基板Ｗ上に載置される。接着材ＡＤは、熱硬化性材料を含む。

【0045】

次に、工程Ｓ２Ｂ（図６参照）において、基板Ｗ（下部基板１１Ｗ）と各部品ＣＰとの間の接着材ＡＤを硬化させる処理が行われる。この接着材ＡＤを硬化させる処理が、本実施形態における第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化を伴う処理である。すなわち、第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化を伴う処理は、接着材ＡＤを硬化させる熱処理を含む。

【0046】

具体的には、図１０に示すように、第１樹脂テープ５０が貼り合わされ、かつ、各部品ＣＰが配置された状態の基板Ｗが、オーブン９０内で加熱される。加熱条件は、接着材ＡＤの仕様に応じて適宜設定されるが、一例として、１００℃で、約３０分である。熱処理によって、接着材ＡＤが硬化し、各部品ＣＰが基板Ｗ（下部基板１１Ｗ）の上面に接合される。なお、説明の便宜上、図１や図１１～図１６では、硬化した接着材ＡＤの図示を省略している。

【0047】

ここで、本願発明者らは、熱処理によって接着材ＡＤが硬化される過程で、基板Ｗに貼り付けられている第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化が発生することを見出した。具体的には、第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化は、第１樹脂テープ５０の収縮ＳＲを引き起こす物性変化である。言い換えると、第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化を伴う処理は、第１樹脂テープ５０を変形させる温度変化を伴う処理である。第１樹脂テープ５０には、熱履歴として、収縮変形（ＳＲ）が残る。

【0048】

このように、第１樹脂テープ５０は、熱処理の過程で生じた不可逆的な物性変化に起因して収縮し、処理後に温度を戻した後も、収縮状態が維持される。さらに、第１樹脂テープ５０の収縮は、第１樹脂テープ５０の面内で等方的ではなく、特にテープのロール方向（延伸方向、マシン方向ともいう）において強く生じる。図１７の矢印ＭＤがロール方向であると仮定する。第１樹脂テープ５０のＭＤ方向の収縮量が、ＭＤ方向と交差するＴＤ方向の収縮量よりも大きくなる。第１樹脂テープ５０の収縮に起因して、基板Ｗには、ＭＤ方向に向けて相対的に大きい圧縮応力が発生する。基板Ｗに応力が生じると、基板Ｗ上の各デバイス部１３のリング部３１の振動特性が、応力によって変化してしまう。特にジャイロ素子では、図５に示したように振動のバランスが素子性能に大きく影響する。基板Ｗ上の各デバイス部１３は、それぞれ基板Ｗの面方向の異なる位置に配置されているため、配置位置毎に、各デバイス部１３の中心（リング部３１の中心）から見て異なる方向の応力を受けることになる。そのため、方向および強さの異なる応力の発生は、基板Ｗ上の個々のデバイス部１３（リング部３１）の振動特性に対して、不均一で、かつ無視できない影響を与えることがある。

【0049】

〈第１樹脂テープを基板から除去して、第２樹脂テープを基板に貼り合わせる工程〉
そこで、本実施形態では、図６に示すように、不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程Ｓ２の後、第１樹脂テープ５０を基板Ｗから除去して、第２樹脂テープ６０を基板Ｗに貼り合わせる工程Ｓ３が実施される。

【0050】

まず、工程Ｓ３Ａにおいて、基板Ｗ（下部基板１１Ｗ）から第１樹脂テープ５０が除去される。図１１に示すように、第１樹脂テープ５０が貼り合わされた基板Ｗ（下部基板１１Ｗ）の下面側から、第１樹脂テープ５０の貼り付け箇所に対して紫外光ＵＶが照射される。これにより、第１樹脂テープ５０の粘着剤層が硬化して粘着力が低下する。その後、図１２に示すように、第１樹脂テープ５０が基板Ｗ（下部基板１１Ｗ）から剥離される。第１樹脂テープ５０の剥離によって、第１樹脂テープ５０の収縮に起因する応力は、基板Ｗから除去される。

【0051】

次に、工程Ｓ３Ｂにおいて、図１３に示すように、基板Ｗ（下部基板１１Ｗ）に第２樹脂テープ６０が貼り合わされる。第２樹脂テープ６０は、基板Ｗ（下部基板１１Ｗ）において、第１樹脂テープ５０が貼られていた面と同一の面に貼り合わされる。ここで、第２樹脂テープ６０を基板Ｗに貼り合わせる工程Ｓ３Ｂでは、第１樹脂テープ５０と同一品種の樹脂テープであって、未使用の第２樹脂テープ６０を基板Ｗに貼付する。言い換えると、工程Ｓ２によって不可逆的に収縮した第１樹脂テープ５０が、収縮していない新たな樹脂テープ（第２樹脂テープ６０）に貼り替えられる。したがって、第２樹脂テープ６０の詳細については、上記第１樹脂テープ５０の説明を参照するものとする。

【0052】

第２樹脂テープ６０の貼り合わせは、第１樹脂テープ５０の貼り合わせ（工程Ｓ１）と同様にして行われる。つまり、図１８に示すように、第２樹脂テープ６０の上面（粘着面）の外周部が保持治具ＴＦに貼り付けられ、中央部が基板Ｗの下面に貼り付けられる。これにより、各部品ＣＰが接合済みの基板Ｗに、第２樹脂テープ６０が貼り合わされる。新たに貼り合わされた第２樹脂テープ６０には、熱履歴が存在しないため、不可逆的な収縮ＳＲが発生していない。なお、図１８では、便宜的に、第２樹脂テープ６０にハッチングを付して示している。

【0053】

〈第２樹脂テープが貼り合わされた基板をダイシングする工程〉
次に、図６の工程Ｓ４において、第２樹脂テープ６０が貼り合わされた基板Ｗがダイシングされる。すなわち、第２樹脂テープ６０を介して保持治具ＴＦによって保持された基板Ｗが、上面側から第２樹脂テープ６０の上面側の一部までにかけて、ダイシングブレード（図示せず）によって切断される。基板Ｗは、図１４に示すように、素子本体１を構成する領域毎の、複数の個片基板ＷＰに分割される。この結果、基板Ｗを構成していたウェハ状の下部基板１１Ｗ、支持基板１２Ｗ、デバイス部１３Ｗが、個片基板ＷＰ毎に、別々の下部基板１１、支持基板１２、デバイス部１３としてそれぞれ分割される。

【0054】

複数の個片基板ＷＰの各々は第２樹脂テープ６０に貼り合わされているため、全体としてはダイシング前のウェハ形態のままで第２樹脂テープ６０に並んで保持される。なお、ダイシングは、基板Ｗを機械的に切削する処理であるため、第２樹脂テープ６０に対して不可逆的な物性変化（収縮ＳＲ）をもたらすものではない。

【0055】

〈基板上に設けられた複数のデバイス部の検査を行う工程〉
次に、図６の工程Ｓ５において、不可逆的な物性変化を伴う処理が施されていない第２樹脂テープ６０が貼り合わされた基板Ｗにおいて、基板Ｗ上に設けられた複数のデバイス部１３の検査が行われる。

【0056】

具体的には、個々の個片基板ＷＰのリング部３１に対して一様な磁界を印加する。そして、磁界印加状態で、リング部３１の配線部３４に対して交流電流を印加し、図５に示した強制振動をリング部３１に生じさせる。そして、リング部３１の振動に伴って生じる誘導起電力を配線部３４から検出し、検出された信号に基づいてリング部３１の振動特性を測定する。リング部３１の振動特性は、リング部３１の共振周波数および振動モードの位置を含む。振動モードの位置とは、図５に示した一次振動モードのピークの位置（角度）である。測定した振動特性が、予め設定された許容範囲に含まれるか否かが検査される。

【0057】

工程Ｓ５の検査は、第２樹脂テープ６０が貼り合わされたままの各個片基板ＷＰのデバイス部１３に対して実行される。第２樹脂テープ６０は収縮変形を生じていないため、第２樹脂テープ６０に起因する応力が各個片基板ＷＰに生じていない状態で、検査が行われる。

【0058】

〈検査結果に応じて、デバイス部を補正加工する工程〉
次に、図６の工程Ｓ６において、デバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５における検査結果に応じて、デバイス部１３の補正加工が行われる。すなわち、測定した振動特性が、予め設定された許容範囲に含まれなかったデバイス部１３について、リング部３１の振動特性が許容範囲内に含まれるようにリング部３１の形状を補正する加工が行われる。

【0059】

補正加工は、具体的にはレーザー照射による除去加工である。まず、デバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５で得られたリング部３１の振動特性（共振周波数および振動モードの位置）に基づいて、振動特性を修正するためのリング部３１の加工位置および加工量が算出される。つまり、測定された共振周波数と基準値とのずれ、および、測定された振動モードの位置と基準位置（図５の０度、９０度、１８０度、２７０度）とのずれに基づいて、各ずれを修正するための加工位置と加工量（除去量）とが算出される。そして、算出した加工位置に対して、算出した加工量に応じたレーザー光ＬＳ（図１５参照）が照射されることにより、リング部３１の一部が除去される。リング部３１の一部が除去される結果、リング部３１の質量の変化および剛性の変化が生じて、リング部３１の振動特性（共振周波数および振動モードの位置）が補正される。補正加工は、測定した振動特性が予め設定された許容範囲に含まれなかったデバイス部１３のそれぞれに対して、別個に行われる。

【0060】

なお、工程Ｓ６では、補正加工と、加工結果を確認するための再検査（工程Ｓ５と同様の検査）とを、実施してもよい。この場合、補正加工後のリング部３１の振動特性を再測定し、リング部３１の振動特性が予め設定された許容範囲に含まれるか否かを再度確認する。そして、振動特性が許容範囲に含まれる場合には、そのデバイス部１３についての補正加工の工程Ｓ６を終了し、振動特性が許容範囲に含まれない場合には、補正加工を追加で行ってもよい。なお、補正加工の後、加工結果を確認するための再検査を行うことなく、次の工程Ｓ７に進んでもよい。

【0061】

〈半導体デバイスを組み立てる工程〉
図６の工程Ｓ７では、ダイシングされた複数の個片基板ＷＰがそれぞれ第２樹脂テープ６０から剥離されて取り出され、パッケージ２に収納されることにより、半導体デバイス１００が組み立てられる。

【0062】

まず、第２樹脂テープ６０が貼り合わされた状態の各個片基板ＷＰについて、半導体デバイス１００を構成する残りの部品の組み立てが行われる。すなわち、図１６に示すように、リング部３１の内側を通って、下部ポール４３上にマグネット４１および上部ポール４２が設置される。この際、たとえば、マグネット４１は、接着剤を介して下部ポール４３上に載置され、接着材を硬化させる処理（加熱処理）が行われることにより、マグネット４１および上部ポール４２が個片基板ＷＰに固定される。この接着材を硬化させる処理によって、第２樹脂テープ６０に不可逆的な物性変化（熱処理による収縮）が生じても、検査を行う工程Ｓ５の後であるので、第２樹脂テープ６０の収縮は問題がない。

【0063】

その後、第２樹脂テープ６０が貼り合わされた各個片基板ＷＰの下面側から、第２樹脂テープ６０の貼り付け箇所に対して紫外光ＵＶが照射され、第２樹脂テープ６０の粘着剤層が硬化して粘着力が低下する。そして、第２樹脂テープ６０から、個片基板ＷＰが１つずつ取り出されて、取り出された個片基板ＷＰがそれぞれベース部材２１（図１参照）上の搭載位置に配置される。そして、個片基板ＷＰのデバイス部１３の各配線部３４（図３参照）が、ベース部材２１の対応する各端子部２１ａと電気接続が施される。その後、ベース部材２１にカバー２２が取り付けられることにより、個片基板ＷＰがパッケージ２内に封止される。

【0064】

以上により、半導体デバイス１００が製造される。

【0065】

（本実施形態の効果）
本実施形態では、以下のような効果を得ることができる。

【0066】

本実施形態では、上記のように、不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程Ｓ２の後、第１樹脂テープ５０を基板Ｗから除去して、第２樹脂テープ６０を基板Ｗに貼り合わせる工程Ｓ３と、不可逆的な物性変化を伴う処理が施されていない第２樹脂テープ６０が貼り合わされた基板Ｗにおいて、基板Ｗ上に設けられた複数のデバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５と、を設けたので、基板Ｗに対して、第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化を伴う処理（工程Ｓ２）が実施された後、デバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５の前に、物性変化した第１樹脂テープ５０が、不可逆的な物性変化が発生していない第２樹脂テープ６０に交換される。そのため、デバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５では、基板Ｗに対する樹脂テープの不可逆的な物性変化に起因する影響を排除することができる。これらにより、樹脂テープの使用による利点（基板Ｗの損傷や汚染からの保護および基板Ｗのハンドリングの容易化）を享受しつつ、半導体デバイス１００の製造工程において基板Ｗに樹脂テープを貼り付けたままで処理を行う場合にも、デバイス部１３の検査結果が、樹脂テープの不可逆的な物性変化に起因する影響を受けるのを回避することができる。

【0067】

また、本実施形態では、上記のように、第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化を伴う処理は、第１樹脂テープ５０を変形（収縮ＳＲ）させる温度変化を伴う処理を含むので、第１樹脂テープ５０の変形（収縮ＳＲ）に起因して基板Ｗに発生する応力の影響を、第１樹脂テープ５０から第２樹脂テープ６０への貼り替えによって取り除くことができる。

【0068】

また、本実施形態では、上記のように、第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化を伴う処理を実施する工程Ｓ２は、基板Ｗ上に接着材ＡＤを介して部品ＣＰを設置する工程Ｓ２Ａと、接着材ＡＤを硬化させる工程Ｓ２Ｂと、を含むので、基板Ｗへの部品ＣＰの設置および接着を、基板Ｗに第１樹脂テープ５０が貼り合わされた状態で実施することによって、基板Ｗを損傷や汚染から効果的に保護することができる。そして、この過程で第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化が生じる場合でも、第１樹脂テープ５０から第２樹脂テープ６０への貼り替えによって、デバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５への不可逆的な物性変化の影響を排除できる。

【0069】

また、本実施形態では、上記のように、第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化を伴う処理は、接着材ＡＤを硬化させる熱処理を含み、第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化は、第１樹脂テープ５０の収縮ＳＲを引き起こす物性変化である。そのため、接着材ＡＤを硬化させる熱処理が、第１樹脂テープ５０を不可逆的に収縮させる場合にも、第１樹脂テープ５０の収縮ＳＲに起因して基板Ｗに発生する応力の影響を、第１樹脂テープ５０から第２樹脂テープ６０への貼り替え（工程Ｓ３）によって取り除くことができる。特にデバイス部１３が振動子（リング部３１）を備える本実施形態では、基板Ｗにおける応力発生は、デバイス部１３の機械的特性（つまり、リング部３１の振動特性）に直接的に影響を与えることから、第１樹脂テープ５０の収縮ＳＲに起因する影響を排除することで、適正な検査結果を得ることができる。

【0070】

また、本実施形態では、上記のように、デバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５の前に、第２樹脂テープ６０が貼り合わされた基板Ｗをダイシングする工程Ｓ４と、デバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５の後、ダイシングされた複数の個片基板ＷＰをそれぞれ第２樹脂テープ６０から剥離して半導体デバイス１００を組み立てる工程Ｓ６と、をさらに備えるので、基板Ｗに第１樹脂テープ５０が貼られた状態で樹脂テープの不可逆的な物性変化を伴う処理（工程Ｓ２Ｂ）を完了させておき、その後、第１樹脂テープ５０から第２樹脂テープ６０に貼り替えた状態で、ダイシング、検査および組み立てまでの工程（Ｓ４、Ｓ５およびＳ７）を行うことができる。そのため、たとえば第１樹脂テープ５０から第２樹脂テープ６０に貼り替えた後、さらに第２樹脂テープ６０から別のダイシングテープに貼り替えるような場合と比較して、貼り替え工程数を低減できる。

【0071】

また、本実施形態では、上記のように、デバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５の前に、基板Ｗをダイシングする工程Ｓ４を実施し、デバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５において、第２樹脂テープ６０が貼り合わされた状態の複数の個片基板ＷＰのデバイス部１３に対して、それぞれ検査を行うので、第２樹脂テープ６０上で個片化された状態で、デバイス部１３の検査を行うことができる。つまり、基板Ｗが分割されていない状態よりも、半導体デバイス１００の最終形態に近い状態（個片基板ＷＰの状態）で、デバイス部１３を検査できる。ここで、基板Ｗが分割されておらず一枚の板になっている状態と、個片基板ＷＰに分割された状態とでは、デバイス部１３の剛性が僅かに異なるため、リング部３１の振動特性が僅かに変化する。そのため、個片基板ＷＰの状態で検査を行うことにより、デバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５における検査結果と、最終製品におけるデバイス部１３の特性との乖離を、より一層小さくすることができる。

【0072】

また、本実施形態では、上記のように、デバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５における検査結果に応じて、デバイス部１３を補正加工する工程Ｓ６を備えるので、樹脂テープの不可逆的な物性変化に起因するバイアスを含まない検査結果に応じて、デバイス部１３の補正加工を行うことができる。そのため、個片基板ＷＰを第２樹脂テープ６０から剥離しても、デバイス部１３の意図しない特性変動が生じることのない、高精度な補正加工ができる。

【0073】

また、本実施形態では、上記のように、デバイス部１３は、可動構造（リング部３１）を有するＭＥＭＳデバイスであるので、樹脂テープの不可逆的な物性変化の影響が、リング部３１の機械的特性（振動特性）に直接的に作用しうる。そのため、第１樹脂テープ５０から第２樹脂テープ６０への貼り替えによって、デバイス部１３の検査を行う工程での第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化の影響を排除できることが、本実施形態の半導体デバイス１００では特に効果的である。

【0074】

また、本実施形態では、上記のように、第２樹脂テープ６０を基板Ｗに貼り合わせる工程Ｓ３において、第１樹脂テープ５０と同一品種の樹脂テープであって、未使用の第２樹脂テープ６０を基板Ｗに貼付するので、基板Ｗに第１樹脂テープ５０を貼り合わせる工程と基板Ｗに第２樹脂テープ６０を貼り合わせる工程とで、同じ樹脂テープロールからそれぞれの樹脂テープを供給することができる。そのため、半導体デバイス１００の製造工程において使用する樹脂テープの品種が増大しないとともに、製造工程が複雑化することを抑制できる。

【0075】

（変形例）
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更（変形例）が含まれる。

【0076】

たとえば、上記実施形態では、半導体デバイス１００が、ＭＥＭＳジャイロ素子である例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、半導体デバイスが、ジャイロ素子でなくてもよい。半導体デバイスは、たとえば、発信回路（クロック回路）に用いられる振動子、加速度センサ、圧力センサ、マイクロフォン、スピーカー、超音波振動子、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｐｕｅｎｃｙ）フィルタ、などでもよい。超音波振動子は、たとえば圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ）または容量式マイクロメカニカル超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ）でありうる。これらのデバイスは、可動構造を備えたＭＥＭＳデバイスとして構成されうる。半導体デバイスは、上記の通り、樹脂テープの不可逆的な物性変化が可動構造の振動特性または他の動特性に与える影響を抑制できるので、上記の可動構造を備えたデバイスであって、かつ、基板の小さな応力の変化によっても影響を受けやすいＭＥＭＳデバイスの製造に好適である。ただし、本発明では、半導体デバイスは、可動構造を備えたＭＥＭＳデバイスでなくてもよい。たとえば樹脂テープの不可逆的な物性変化が、デバイス部の電気的特性に影響を与える場合に、半導体デバイスは、可動構造を有しない半導体素子であってもよい。

【0077】

また、上記実施形態では、第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化を伴う処理が、第１樹脂テープ５０を変形させる温度変化を伴う処理である例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化を伴う処理は、第１樹脂テープ５０を変質させる光の照射を伴う処理、または、第１樹脂テープ５０を変形させる物質への曝露を伴う処理、のいずれかまたはこれらの組み合わせであってもよい。

【0078】

第１樹脂テープ５０を変質させる光の照射を伴う処理は、たとえば、基板Ｗに部品ＣＰを固定するための接着材ＡＤを硬化させる光（たとえば紫外線）を接合部に照射する処理である。光の一部は、第１樹脂テープ５０にも照射されるので、この光によって第１樹脂テープ５０が変質を生じる。また、第１樹脂テープ５０を変形させる物質への曝露を伴う処理は、たとえば、基板Ｗに部品ＣＰを固定するための接着材ＡＤを化学反応により硬化させる液剤を接合部に供給する処理である。液剤の一部は、第１樹脂テープ５０にも付着すると、この液剤との化学反応によって第１樹脂テープ５０が変形を生じる。これらの場合でも、変形（変質）が生じた第１樹脂テープ５０から第２樹脂テープ６０への貼り替えによって、第１樹脂テープ５０の変形（変質）に起因して基板Ｗに発生する応力の影響を取り除くことができる。

【0079】

また、上記実施形態では、第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化を伴う処理が、接着材ＡＤを硬化させる処理である例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化を伴う処理が、接着材ＡＤを硬化させる処理以外の他の処理であってもよい。

【0080】

また、上記実施形態では、接着材ＡＤを硬化させる処理が熱処理である例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、接着材ＡＤを硬化させる処理が接着材ＡＤを硬化させる光照射処理であってもよい。この場合、接着材ＡＤは、光硬化性材料を含む。たとえば工程Ｓ２Ａにおいて光（紫外線）照射処理によって接着材ＡＤを硬化させて基板Ｗに部品ＣＰを接合する場合に、第１樹脂テープ５０の粘着剤が紫外線照射によって硬化する。第１樹脂テープ５０の粘着剤の硬化によって、基板Ｗに応力が発生すると、デバイス部１３の検査結果に影響する可能性があるため、第１樹脂テープ５０から第２樹脂テープ６０への貼り替えを行うことが有効である。なお、接着材ＡＤを硬化させる処理は、熱処理および光照射処理の併用であってもよい。

【0081】

また、上記実施形態では、第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化が、第１樹脂テープ５０の収縮である例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、第１樹脂テープ５０に生じる不可逆的な物性変化は、その物性変化に起因してデバイス部１３の検査結果が影響を受けるものであれば、どのような種類の物性変化であってもよい。第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化は、収縮以外の、第１樹脂テープ５０の膨張、反り、その他の変形を生じるものであってもよい。第１樹脂テープ５０の不可逆的な物性変化は、弾性係数、誘電率、電気伝導度、透磁率、線膨張率、屈折率、などの変化であってもよい。たとえばデバイス部の電気的特性の検査において、樹脂テープの誘電率や電気伝導度の変化が検査結果に影響する場合、この物性変化の影響を排除できる。

【0082】

また、上記実施形態では、第２樹脂テープ６０が貼り合わされた基板Ｗをダイシングする工程Ｓ４を設けた例を示したが、本発明はこれに限られない。第２樹脂テープ６０を別の樹脂テープ（ダイシングテープ）に貼り替えてから基板Ｗをダイシングする工程Ｓ４を実行してもよい。

【0083】

また、上記実施形態では、基板Ｗをダイシングする工程Ｓ４を、デバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５の前に実行する例を示したが、本発明はこれに限られない。デバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５の後に、基板Ｗをダイシングする工程Ｓ４を実行してもよい。言い換えると、個片化されていない基板Ｗの状態で、デバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５を実行してもよい。この場合でも、第１樹脂テープ５０から第２樹脂テープ６０に貼り替えた状態で、ダイシング、検査および組み立てまでの工程（Ｓ４、Ｓ５およびＳ７）を行うことができるため、たとえば第１樹脂テープ５０から第２樹脂テープ６０に貼り替えた後、さらに第２樹脂テープ６０から別のダイシングテープに貼り替えるような場合と比較して、貼り替え工程数を低減できる。

【0084】

また、上記実施形態では、デバイス部１３の検査を行う工程Ｓ５における検査結果に応じて、デバイス部１３を補正加工する工程Ｓ６を備える例を示したが、本発明はこれに限られない。デバイス部１３を補正加工する工程Ｓ６を備えなくてもよい。この場合、検査を行う工程Ｓ５における検査結果が許容範囲外であったデバイス部１３については、たとえば製造不良として以降の工程を実施しないようにしてもよい。

【0085】

また、上記実施形態では、第２樹脂テープ６０を基板Ｗに貼り合わせる工程Ｓ３において、第１樹脂テープ５０と同一品種の樹脂テープであって、未使用の第２樹脂テープ６０を基板Ｗに貼付する例を示したが、本発明はこれに限られない。第２樹脂テープ６０が、第１樹脂テープ５０とは別品種の樹脂テープであってもよい。つまり、第２樹脂テープ６０が、その物性、寸法（厚み等）、構造（何層構造か、等）、粘着剤層の組成または硬化（粘着力低下）の原理、などに関して、第１樹脂テープ５０とは異なる樹脂テープであってもよい。

【符号の説明】

【0086】

１３：デバイス部（ＭＥＭＳデバイス）
３１：リング部（可動構造）
５０：第１樹脂テープ
６０：第２樹脂テープ
１００：半導体デバイス
ＡＤ：接着材
ＣＰ：部品
ＳＲ：第１樹脂テープの収縮
Ｗ：基板
ＷＰ：個片基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】