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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024115815
(43)【公開日】2024-08-27
(54)【発明の名称】測定装置および測定方法
(51)【国際特許分類】
G01R 19/00 20060101AFI20240820BHJP
G01R 31/54 20200101ALI20240820BHJP
G01R 31/26 20200101ALI20240820BHJP
【ＦＩ】
G01R19/00 B
G01R31/54
G01R31/26 J
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023021665
(22)【出願日】2023-02-15
(71)【出願人】
【識別番号】000002037
【氏名又は名称】新電元工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100145861
【弁理士】
【氏名又は名称】木村 薫
(74)【代理人】
【識別番号】100172627
【弁理士】
【氏名又は名称】宮澤 亘
(72)【発明者】
【氏名】岡林 眞太朗
【テーマコード（参考）】
2G003
2G014
2G035
【Ｆターム（参考）】
2G003AA01
2G003AG03
2G003AH05
2G014AA13
2G014AB27
2G014AB55
2G035AB01
2G035AC01
2G035AC16
2G035AD28
2G035AD65
(57)【要約】 （修正有）
【課題】測定子のリード部に対する接触の不良を複数回検出することができる測定装置および測定方法を提供する。
【解決手段】被測定物Ｄと電気的に接続するリード部Ｌ１，Ｌ２に測定子１００，２００を接触させるとともに、接触させた測定子１００，２００を介して電流を供給しつつ被測定物Ｄに印加された電圧を測定し、測定子１００，２００のリード部Ｌ１，Ｌ２に対する接触状態を検出する測定装置１であって、電流供給器１０と、電圧測定器と、電圧の測定時間Ｔを設定する測定時間設定部と、閾値Ｘを設定する閾値設定部と、測定時間Ｔにおいて電圧測定器により測定された電圧と閾値Ｘとの大小関係を判断する判断部と、判断部による判断結果に基づいて測定子１００，２００の接触の不良を検出する接触状態検出部と、を有し、電圧測定器は、測定時間Ｔにおいて電圧を複数回測定する。
【選択図】図１
【解決手段】被測定物Ｄと電気的に接続するリード部Ｌ１，Ｌ２に測定子１００，２００を接触させるとともに、接触させた測定子１００，２００を介して電流を供給しつつ被測定物Ｄに印加された電圧を測定し、測定子１００，２００のリード部Ｌ１，Ｌ２に対する接触状態を検出する測定装置１であって、電流供給器１０と、電圧測定器と、電圧の測定時間Ｔを設定する測定時間設定部と、閾値Ｘを設定する閾値設定部と、測定時間Ｔにおいて電圧測定器により測定された電圧と閾値Ｘとの大小関係を判断する判断部と、判断部による判断結果に基づいて測定子１００，２００の接触の不良を検出する接触状態検出部と、を有し、電圧測定器は、測定時間Ｔにおいて電圧を複数回測定する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
被測定物と接続するリード部に測定子を接触させるとともに、前記接触させた測定子を介して電流を供給しつつ前記被測定物に印加された電圧を測定し、前記測定子の前記リード部に対する接触状態を検出する測定装置であって、
前記被測定物に電流を供給する電流供給器と、
前記被測定物に印加された電圧を測定する電圧測定器と、
前記電圧測定器における前記電圧の測定時間を設定する測定時間設定部と、
閾値を設定する閾値設定部と、
前記測定時間設定部により設定された測定時間において前記電圧測定器により測定された電圧と前記閾値設定部により設定された閾値との大小関係を判断する判断部と、
前記判断部による判断結果に基づいて前記測定子の前記リード部に対する接触状態を検出する接触状態検出部と、を有し、
前記測定時間において、
前記電圧測定器は、前記電圧を複数回測定し、
前記判断部は、前記電圧測定器により測定された電圧と前記閾値設定部により設定された閾値との大小関係を複数回判断し、
前記接触状態検出部は、前記判断部による判断結果に基づいて前記測定子の前記リード部に対する接触状態を複数回検出することを特徴とする測定装置。
前記被測定物に電流を供給する電流供給器と、
前記被測定物に印加された電圧を測定する電圧測定器と、
前記電圧測定器における前記電圧の測定時間を設定する測定時間設定部と、
閾値を設定する閾値設定部と、
前記測定時間設定部により設定された測定時間において前記電圧測定器により測定された電圧と前記閾値設定部により設定された閾値との大小関係を判断する判断部と、
前記判断部による判断結果に基づいて前記測定子の前記リード部に対する接触状態を検出する接触状態検出部と、を有し、
前記測定時間において、
前記電圧測定器は、前記電圧を複数回測定し、
前記判断部は、前記電圧測定器により測定された電圧と前記閾値設定部により設定された閾値との大小関係を複数回判断し、
前記接触状態検出部は、前記判断部による判断結果に基づいて前記測定子の前記リード部に対する接触状態を複数回検出することを特徴とする測定装置。
【請求項2】
前記測定時間において前記電圧検出器により検出された電圧間の変位を演算する変位演算部を有し、
前記判断部は、前記変位演算部により演算された電圧間の変位と前記閾値設定部により設定された閾値との大小関係を複数回判断することを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
前記判断部は、前記変位演算部により演算された電圧間の変位と前記閾値設定部により設定された閾値との大小関係を複数回判断することを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項3】
前記変位演算部は、前記測定時間において前記電圧検出器により連続して検出された電圧間の変位を演算し、
前記判断部は、前記変位演算部により演算された前記連続する前記電圧間の変位と前記閾値設定部により設定された閾値との大小関係を複数回判断することを特徴とする請求項２に記載の測定装置。
前記判断部は、前記変位演算部により演算された前記連続する前記電圧間の変位と前記閾値設定部により設定された閾値との大小関係を複数回判断することを特徴とする請求項２に記載の測定装置。
【請求項4】
前記測定子は、軸状をなして、先端を前記リード部に接触させて前記電圧を測定することを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項5】
前記測定子は、軸状の本体に軸状のプランジャーを弾発するように保持し、前記プランジャ―は、弾発力をもって前記先端が前記リード部に押圧されるように接触していることを特徴とする請求項５に記載の測定装置。
【請求項6】
被測定物と接続するリード部に測定子を接触させるとともに、前記接触させた測定子を介して電流を供給しつつ前記被測定物に印加された電圧を測定し、前記測定子の前記リード部に対する接触状態を検出する検出方法であって、
前記被測定物に電流を供給する電流供給ステップと、
前記被測定物に印加された電圧を測定する電圧測定ステップと、
前記電圧測定ステップにおける前記電圧の測定時間を設定する測定時間設定ステップと、
閾値を設定する閾値設定ステップと、
前記測定時間設定ステップにより設定された測定時間において前記電圧測定ステップにより測定された電圧と前記閾値設定ステップにより設定された閾値との大小関係を判断する判断ステップと、
前記判断ステップによる判断結果に基づいて前記測定子の前記リード部に対する接触状態を検出する接触状態検出ステップと、を有し、
前記電圧測定ステップは、前記電圧を複数回測定し、
前記判断ステップは、前記電圧測定ステップにより測定された電圧と前記閾値設定部により設定された閾値との大小関係を複数回判断し、
前記接触状態検出ステップは、前記判断ステップによる判断結果に基づいて前記測定子の前記リード部に対する接触状態を複数回検出することを特徴とする測定方法。
前記被測定物に電流を供給する電流供給ステップと、
前記被測定物に印加された電圧を測定する電圧測定ステップと、
前記電圧測定ステップにおける前記電圧の測定時間を設定する測定時間設定ステップと、
閾値を設定する閾値設定ステップと、
前記測定時間設定ステップにより設定された測定時間において前記電圧測定ステップにより測定された電圧と前記閾値設定ステップにより設定された閾値との大小関係を判断する判断ステップと、
前記判断ステップによる判断結果に基づいて前記測定子の前記リード部に対する接触状態を検出する接触状態検出ステップと、を有し、
前記電圧測定ステップは、前記電圧を複数回測定し、
前記判断ステップは、前記電圧測定ステップにより測定された電圧と前記閾値設定部により設定された閾値との大小関係を複数回判断し、
前記接触状態検出ステップは、前記判断ステップによる判断結果に基づいて前記測定子の前記リード部に対する接触状態を複数回検出することを特徴とする測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、測定装置および測定方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置等の被測定物の正確な電気特性を把握するために例えば４端子法による測定が行われている。このような測定では、被測定物と接続するリード部に測定子が接触していることの確認として、事前にコンタクトチェックが行われる。このコンタクトチェックは、被測定物のプラス極側およびマイナス極側のそれぞれにおいて、測定子を介して、リード部に定電流を供給するとともに、被測定物の印加電圧（被測定物のプラス極側とマイナス極側の電位差）を検出して行う。
【0003】
すなわち、被測定物のプラス極側およびマイナス極側のいずれの測定子もリード部に接触している正常な状態では、ショートするため微小な印加電圧（被測定物のプラス極側とマイナス極側の電位差）が検出され、測定子がリード部に接触していない異常な状態では、検出される印加電圧（被測定物のプラス極側とマイナス極側の電位差）は、定電流に対応する最大の電圧値となる。このような被測定物の電圧の測定は、例えば、特許文献１に開示された技術が参照される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１９－２１９３６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、上述のような従来の測定は、設定された測定時間内において１点のみで行っていた。このため、測定子とリード部との接触が悪く振動などで負荷変動が生じた場合には測定子がリード部に接触していない異常な状態があるにも関わらず微小な印加電圧（被測定物のプラス極側とマイナス極側の電位差）が検出されて正常な状態と判断されてしまうことがあった。
【0006】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、測定時間において測定子のリード部に対する接触状態を複数回検出することができる測定装置および測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上述目的を達成するため、本発明に係る測定装置は、被測定物と接続するリード部に測定子を接触させるとともに、接触させた測定子を介して電流を供給しつつ被測定物に印加された電圧を測定し、測定子のリード部に対する接触状態を検出する測定装置であって、被測定物に電流を供給する電流供給器と、被測定物に印加された電圧を測定する電圧測定器と、電圧測定器における電圧の測定時間を設定する測定時間設定部と、閾値を設定する閾値設定部と、測定時間設定部により設定された測定時間において電圧測定器により測定された電圧と閾値設定部により設定された閾値との大小関係を判断する判断部と、判断部による判断結果に基づいて測定子のリード部に対する接触状態を検出する接触状態検出部と、を有し、測定時間において、電圧測定器は、電圧を複数回測定し、判断部は、電圧測定器により測定された電圧と閾値設定部により設定された閾値との大小関係を複数回判断し、接触状態検出部は、判断部による判断結果に基づいて測定子のリード部に対する接触状態を複数回検出することを特徴とする。
【0008】
本発明によれば、測定時間において、電圧測定器は、電圧を複数回測定し、判断部は、電圧測定器により測定された電圧と閾値設定部により設定された閾値との大小関係を複数回判断し、接触状態検出部は、判断部による判断結果に基づいて測定子のリード部に対する接触状態を複数回検出することにより、測定時間において測定子のリード部に対する接触状態を複数回検出することができる。
【0009】
測定時間において電圧検出器により検出された電圧間の変位を演算する変位演算部を有し、判断部は、変位演算部により演算された電圧間の変位と閾値設定部により設定された閾値との大小関係を複数回判断することにより、検出された電圧間の変位に基づいて測定子の接触状態の変化を把握しながら接触の不良を検出することができる。
【0010】
変位演算部は、測定時間において電圧検出器により連続して検出された電圧間の変位を演算し、判断部は、変位演算部により演算された連続する電圧間の変位と閾値設定部により設定された閾値との大小関係を複数回判断することにより、連続する電圧間の変位に基づいて測定子の接触状態の直近の変化を把握することができる。
【0011】
測定子は、軸状をなして、先端をリード部に接触させて電圧を測定することができる。
【0012】
測定子は、軸状の本体に軸状のプランジャーを弾発するように保持し、プランジャ―は、弾発力をもって先端がリード部に押圧されるように接触していることにより、リード部に対する接触力を大きくすることができる。
【0013】
上述目的を達成するため、本発明に係る測定方法は、被測定物と接続するリード部に測定子を接触させるとともに、接触させた測定子を介して電流を供給しつつ被測定物に印加された電圧を測定し、測定子のリード部に対する接触状態を検出する検出方法であって、被測定物に電流を供給する電流供給ステップと、被測定物に印加された電圧を測定する電圧測定ステップと、電圧測定ステップにおける電圧の測定時間を設定する測定時間設定ステップと、閾値を設定する閾値設定ステップと、測定時間設定ステップにより設定された測定時間において電圧測定ステップにより測定された電圧と閾値設定ステップにより設定された閾値との大小関係を判断する判断ステップと、判断ステップによる判断結果に基づいて測定子のリード部に対する接触状態を複数回検出する接触状態検出ステップと、を有し、電圧測定ステップは、電圧を複数回測定し、判断ステップは、電圧測定ステップにより測定された電圧と閾値設定部により設定された閾値との大小関係を複数回判断し、接触状態検出ステップは、判断ステップによる判断結果に基づいて測定子のリード部に対する接触状態を複数回検出することを特徴とする。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、測定時間において測定子のリード部に対する接触状態を複数回検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】本発明の測定装置の構成を概念的に示す図である。
【図2】同測定装置の構成を示すブロック図である。
【図3】同測定装置におけるマイクロコンピュータの構成を示すブロック図である。
【図5】同測定装置における時間測定部による時間の測定方法を説明するための図である。
【図6】同測定装置における測定子の構成を示す斜視図である。
【図7】同測定装置における測定子の構成を示す正面図である。
【図8】同測定装置における測定方法を説明するためのフローチャートである。
【図9】本発明の変形例を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の測定装置の構成を概念的に示す図、図２は、同測定装置の構成を示すブロック図、図３は、同測定装置におけるマイクロコンピュータの構成を示すブロック図、図４は、同測定装置における電流の波形（図４（ａ））、電圧の波形（図４（ｂ））、電圧間の変位（図４（ｃ））を示す図、図５は、同測定装置における時間測定部による時間の測定方法を説明するための図、図６は、同測定装置における測定子の構成を示す斜視図、図７は、同測定装置における測定子の構成を示す正面図、図８は、同測定装置における測定方法を説明するためのフローチャートである。
【0017】
図１乃至図４を参照して本発明の測定装置１の構成の概要を説明すると、測定装置１は、被測定物Ｄ（被測定物Ｄは、測定（テスト）の対象となるデバイスや素子であり、Ｄｅｖｉｃｅ ｕｎｄｅｒ ｔｅｓｔと呼ばれる）と電気的に接続するリード部Ｌ１，Ｌ２に測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂを接触させている。測定装置１は、接触させた測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂを介して電流を供給しつつ被測定物Ｄに印加された電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎを測定することができる。測定装置１は、測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂのリード部Ｌ１，ｌ２に対する接触状態を検出することができる。被測定物Ｄは、本実施形態にあっては、例えば、ディスクリート半導体または半導体モジュールとすることができる。
【0018】
測定装置１は、電流供給器１０、電圧測定器２０、測定時間設定部３０、閾値設定部４０、変位演算部５０、判断部６０、接触状態検出部７０、および時間測定部８０を有している。測定時間設定部３０、閾値設定部４０、変位演算部５０、判断部６０、接触状態検出部７０、および時間測定部８０は、図２に示すように、マイクロコンピュータ１Ａに設定されている。
【0019】
マイクロコンピュータ１Ａは、図３に示すように、バス１Ａ１を介して相互に接続されるＣＰＵ１Ａ２およびメモリ１Ａ３等を搭載している。測定時間設定部３０、閾値設定部４０、変位演算部５０、判断部６０、接触状態検出部７０、および時間測定部８０は、マイクロコンピュータ１ＡのＣＰＵ１Ａ２およびメモリ１Ａ３がその機能を果たすことにより、諸機能を実行することができる。
【0020】
測定時間設定部３０、閾値設定部４０、変位演算部５０、判断部６０、接触状態検出部７０、および時間測定部８０は、相互に信号情報の入出力を行うことができる。マイクロコンピュータ１Ａは、例えば、パーソナルコンピュータとすることができる。
【0021】
電流供給器１０は、図４（ａ）に示すように、被測定物Ｄに電流を供給することができる。電流供給器１０は、所定の電源装置である。電流供給器１０は、定電流回路を有しており、被測定物Ｄに定電流を供給することができる。
【0022】
電流供給器１０は、プラス極１０Ａ側が入力側（プラス極側）のフォース線１１および入力側（プラス極側）の測定子１００Ａを介して入力側（プラス極側）のリード部Ｌ１に接続されている。リード部Ｌ１は、被測定物Ｄの入力側（プラス極側）Ｄ１に接続されている。
【0023】
また、電流供給器１０は、マイナス極１０Ｂ側が出力側（マイナス極側）のフォース線１２および出力側（マイナス極側）の測定子１００Ｂを介して出力側（マイナス極側）のリード部Ｌ２に接続されている。リード部Ｌ２は、被測定物Ｄの出力側（マイナス極側）Ｄ２に接続されている。なお、リード部Ｌ１，Ｌ２は、線状に形成されている。
【0024】
電圧測定器２０は、図４（ｂ）に示すように、被測定物Ｄに印加された電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎを測定することができる。より詳しくは、電圧測定器２０は、被測定物Ｄのプラス極側Ｄ１とマイナス極側Ｄ２の電位差Ｖ１，・・・，Ｖｎを測定することができる。
【0025】
電圧測定器２０は、プラス極２０Ａ側が入力側（プラス極側）のセンス線２１および入力側（プラス極側）の測定子２００Ａを介して入力側（プラス極側）のリード部Ｌ１に接続されている。
【0026】
また、電圧測定器２０は、マイナス極２０Ｂ側が出力側（マイナス極側）のセンス線２２および出力側（マイナス極側）の測定子２００Ｂを介して出力側（マイナス極側）のリード部Ｌ２に接続されている。なお、測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂは、弾発力を有する導体であり、リード部Ｌ１，Ｌ２と押圧するように接触している。
【0027】
測定時間設定部３０は、電圧測定器２０における電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎの測定時間Ｔを設定することができる。より詳しくは、測定時間設定部３０は、電圧測定器２０における電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎをサンプリングする時間Ｔを設定することができ、電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎをサンプリングする時間Ｔにおいては、電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎを測定するための電流が印加される（Ｔは、電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎの測定時間、Ｖ１，・・・，Ｖｎをサンプリングする時間、電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎを測定するための電流が印加される時間である）。電圧検出器２０は、測定時間設定部３０により設定された測定時間Ｔにおいて、被測定物Ｄに印加された電圧をＶ１，・・・，Ｖｎの如く複数回測定することができる。設定される測定時間Ｔはマイクロコンピュータ１Ａのメモリ１Ａ３に記憶されている。測定時間Ｔは、ＣＰＵ１Ａ２がメモリ１Ａ３から読み出して設定することができる。
【0028】
閾値設定部４０は、閾値Ｘを設定することができる。閾値Ｘはマイクロコンピュータ１Ａのメモリ１Ａ３に記憶されている。閾値Ｘは、ＣＰＵ１Ａ２がメモリ１Ａ３から読み出して設定することができる。
【0029】
変位演算部５０は、測定時間設定部３０により設定された測定時間Ｔにおいて電圧検出器２０により検出された電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位を演算することができる。より詳しくは、変位演算部５０は、測定時間設定部３０により設定された測定時間Ｔにおいて電圧検出器２０により連続して検出された電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位を演算することができる。
【0030】
変位は、数１および図４（ｃ）に示すように、連続する電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの差分ΔＶ２，・・・，ΔＶｎの絶対値とすることができる。
[数１]
ΔＶ2＝｜Ｖ2－Ｖ1｜
・・・
ΔＶn＝｜Ｖn－Ｖn-1｜
[数１]
ΔＶ2＝｜Ｖ2－Ｖ1｜
・・・
ΔＶn＝｜Ｖn－Ｖn-1｜
【0031】
変位演算部５０は、電圧測定器２０により測定された電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎをバッファ５０Ａ，Ａ／Ｄ変換器５０Ｂを介してデジタル化された信号として入力することができる。
【0032】
判断部６０は、測定時間設定部３０により設定された測定時間Ｔにおいて電圧測定器２０により測定された電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎと閾値設定部４０により設定された閾値Ｘとの大小関係を判断することができる。判断部６０は、測定時間設定部３０により設定された測定時間Ｔにおいて、電圧測定器２０により測定された電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎと閾値設定部４０により設定された閾値Ｘとの大小関係を複数回判断することができる。
【0033】
より詳しくは、判断部６０は、変位演算部５０により演算された電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎと閾値設定部４０により設定された閾値Ｘとの大小関係を判断することができる。
【0034】
更に詳しくは、判断部６０は、変位演算部５０により演算された連続する電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ，・・・，ΔＶｎと閾値設定部４０により設定された閾値Ｘとの大小関係を判断することができる。
【0035】
接触状態検出部７０は、判断部６０による判断結果に基づいて測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂのリード部Ｌ１，Ｌ２に対する接触状態を検出することができる。接触状態検出部７０は、判断部６０による判断結果をメモリ１Ａ３に記憶しつつ、判断部６０による判断結果に基づいて測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂのリード部Ｌ１，Ｌ２に対する接触状態を複数回検出することができる（接触状態検出部７０は、判断部６０による判断結果をメモリ１Ａ３に記憶しつつ、判断部６０による判断結果に基づいて測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂのリード部Ｌ１，Ｌ２に対する接触状態を総合的に判断する機能部である）。
【0036】
接触状態検出部７０は、判断部６０が測定された電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎが閾値Ｘよりも大きいと判断したときに接触の不良を検出することができる。
【0037】
より詳しくは、接触状態検出部７０は、判断部６０が電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎが閾値Ｘよりも大きいと判断したときに接触の不良を検出することができる。
【0038】
更に詳しくは、接触状態検出部７０は、判断部６０が連続する電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎが閾値Ｘよりも大きいと判断したときに接触の不良を検出することができる。
【0039】
一方、接触状態検出部７０は、判断部６０が測定された電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎが閾値Ｘ以下であると判断したときは接触が正常であると見做して不良検出は行わない。
【0040】
より詳しくは、接触状態検出部７０は、判断部６０が電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎが閾値Ｘ以下であると判断したときは接触が正常であると見做して不良検出は行わない。
【0041】
更に詳しくは、接触状態検出部７０は、判断部６０が連続する電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎが閾値Ｘ以下であると判断したときは、測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂのリード部Ｌ１，Ｌ２に対する接触は正常であると見做して不良検出は行わない。
【0042】
ここで、接触状態検出部７０による検出は、図５に示すように、第１検出Ｙ１と第２検出Ｙ２を含んでいる。第１検出は、変位演算部５０により演算された連続する電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎが閾値設定部４０により設定された閾値Ｘよりも大きく測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂのリード部Ｌ１，Ｌ２に対する接触が不良であるとする一つ目の検出である。第２検出は、第１検出に続く検出であって変位演算部５０により演算された連続する電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎが閾値設定部４０により設定された閾値Ｘよりも大きく測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂのリード部Ｌ１，Ｌ２に対する接触が不良であるとする二つ目の検出である。
【0043】
時間測定部８０は、図５に示すように、第１検出Ｙ１から第２検出Ｙ２に至る時間ΔＴを測定することができる。すなわち、時間測定部８０は、接触の不良が発生する時間間隔ΔＴを測定することができる。測定時間設定部３０は、時間測定部８０により測定された時間ΔＴに基づいて測定時間Ｔを設定することができる。測定時間設定部３０は、例えば、数２に示すように、時間測定部８０により測定された時間間隔ΔＴに対し余裕αを見た時間を測定時間Ｔとして設定することができる。
【0044】
[数２]
Ｔ＝ΔＴ＋α
Ｔ＝ΔＴ＋α
【0045】
ここで、リード部Ｌ１，Ｌ２と接触する測定装置１の測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂは、以下のように構成されている。
【0046】
【0047】
測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂは、軸状の本体１００Ａ１，１００Ｂ１，２００Ａ１，２００Ｂ１に先端１００Ａ２´，１００Ｂ２´，２００Ａ２´，２００Ｂ２´が尖がった軸状のプランジャー１００Ａ２，１００Ｂ２，２００Ａ２，２００Ｂ２を弾発するように保持し、プランジャ―１００Ａ２，１００Ｂ２，２００Ａ２，２００Ｂ２は、弾発力をもって尖がった先端１００Ａ２´，１００Ｂ２´，２００Ａ２´，２００Ｂ２´がリード部Ｌ１，Ｌ２に押圧されるように接触している。
【0048】
本体１００Ａ１，１００Ｂ１，２００Ａ２，２００Ｂ１の内部には、弾発部材（付勢部材）より詳しくは押しコイルバネ１００Ａ１´，１００Ｂ１´，２００Ａ１´，２００Ｂ１´が設けられており、押しコイルバネ１００Ａ１´，１００Ｂ１´，２００Ａ１´，２００Ｂ１´の先端にプランジャ―１００Ａ２，１００Ｂ２，２００Ａ２，２００Ｂ２が弾発するように保持されている。このため、プランジャー１００Ａ２，１００Ｂ２，２００Ａ２，２００Ｂ２は、リード部Ｌ１，Ｌ２に向かう方向に付勢されており、プランジャ―１００Ａ２，１００Ｂ２，２００Ａ２，２００Ｂ２の先端１００Ａ２´，１００Ｂ２´，２００Ａ２´，２００Ｂ２´がリード部Ｌ１，Ｌ２と押圧するように接触している。
【0049】
測定装置１は、更に、被測定物Ｄを載置する載置部１Ｂを有している。測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂのリード部Ｌ１，Ｌ２に対する接触は、測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂと載置部１Ｂとの間でリード部Ｌ１，Ｌ２を挟むように行うことができる。載置部１Ｂは、絶縁体により構成されている。
【0050】
本実施形態においては、被測定物Ｄをディスクリート半導体や半導体モジュールとしており、他の半導体素子等と比較して被測定物Ｄの寸法が大きいため、弾発性を有する測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂにより測定を行うことが有効となる。
【0051】
次に、本実施形態の測定装置１における測定方法を図８のフローチャートに基づいて説明する。
【0052】
まず、ステップＳ１０において、測定時間設定部３０が測定時間Ｔを設定するとともに、閾値設定部４０が閾値Ｘを設定する（測定時間設定ステップ、閾値設定ステップ）。測定時間設定部３０は、以前に時間測定部８０により測定された時間ΔＴに基づいて測定時間Ｔを設定する。閾値Ｘおよび測定時間Ｔは、マイクロコンピュータ１ＡのＣＰＵ１Ａ２がメモリ１Ａ３から読み出して設定する。
【0053】
次いで、ステップＳ２０において、電流供給器１０が被測定物Ｄに電流を供給し（電流供給ステップ）、電圧検出器２０が被測定物Ｄに印加された電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎを測定する（電圧測定ステップ）。電流供給器１０による電流の供給および電圧測定部２０による電圧の測定は測定時間Ｔにおいて行われる（電圧測定器２０は、被測定物Ｄに印加された電圧をＶ１，・・・，Ｖｎの如く複数回測定する）。
【0054】
続いて、ステップＳ３０において、変位演算部５０が、測定時間Ｔにおいて電圧検出器２０により連続して検出された電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位を演算する。変位は、数１に示すように、連続する電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの差分ΔＶ２，・・・，ΔＶｎの絶対値とすることができる。
【0055】
次に、ステップＳ４０において、判断部６０が、変位演算部５０により演算された連続する電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎと閾値設定部４０により設定された閾値Ｘとの大小関係を判断する。判断部６０は、電圧測定器２０により測定された電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎと閾値設定部４０により設定された閾値Ｘとの大小関係を複数回判断する（判断ステップ）。
【0056】
すなわち、ステップＳ４０において、判断部６０が連続する電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎが閾値Ｘ以下であると判断したときは、接触状態検出部７０は、測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂのリード部Ｌ１，Ｌ２に対する接触は正常であると見做して不良検出は行わない。
【0057】
一方、ステップＳ４０において、判断部６０が連続する電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎが閾値Ｘよりも大きいと判断した場合は、ステップＳ５０に進み、接触状態検出部７０は、測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂのリード部Ｌ１，Ｌ２に対する接触が不良であると見做して不良検出を行う（接触状態検出ステップ）。
【0058】
なお、接触状態検出部７０は、第１検出Ｙ１と第２検出Ｙ２を行い、この判断結果に基づいて、時間測定部８０が、第１検出Ｙ１から第２検出Ｙ２に至る時間ΔＴを測定することができる。測定時間設定部３０は、時間測定部８０により測定された時間ΔＴに基づいて以後の測定時間Ｔを設定することができる。時間測定部８０が測定した時間ΔＴは、マイクロコンピュータ１Ａのメモリ１Ａ３に記憶される。
【0059】
以上説明したように、本実施形態によれば、測定時間Ｔにおいて、電圧測定器２０は、電圧をＶ１，・・・，Ｖｎの如く複数回測定し、判断部６０は、電圧測定器２０により測定された電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎと閾値設定部４０により設定された閾値Ｘとの大小関係を複数回判断し、接触状態検出部７０は、判断部６０による判断結果に基づいて測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂのリード部Ｌ１，Ｌ２に対する接触状態を複数回検出することとしたので、測定時間Ｔにおいて測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂのリード部Ｌ１，Ｌ２に対する接触状態を複数回検出することができる。
【0060】
また、測定時間Ｔにおいて電圧検出器２０により検出された電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎを演算する変位演算部５０を有し、判断部６０は、変位演算部５０により演算された電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎと閾値設定部４０により設定された閾値Ｘとの大小関係を複数回判断することにより、検出された電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎに基づいて測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂの接触状態の変化を把握しながら接触の不良を検出することができる。
【0061】
更に、変位演算部５０は、測定時間Ｔにおいて電圧検出器２０により連続して検出された電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎを演算し、判断部６０は、変位演算部５０により演算された連続する電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎと閾値設定部４０により設定された閾値Ｘとの大小関係を複数回判断することにより、連続する電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎに基づいて測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂの接触状態の直近の変化を把握することができる。
【0062】
更にまた、時間測定部８０は、第１判断Ｙ１から第２判断Ｙ２に至る時間ΔＴを測定し、測定時間設定部３０は、時間測定部８０により測定された時間ΔＴに基づいて測定時間Ｔを設定することにより、測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂの接触の不良な状態が出現する時間間隔に基づいて、測定時間Ｔを設定することができる。
【0063】
また、変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎは、電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの差分とすることにより、電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎにおける接触状態の変化を把握することができる。
【0064】
更に、測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂは、軸状の本体１００Ａ１，１００Ｂ１，２００Ａ１，２００Ｂ１に先端１００Ａ２´，１００Ｂ２´，２００Ａ２´，２００Ｂ２´が尖がった軸状のプランジャー１００Ａ２，１００Ｂ２，２００Ａ２，２００Ｂ２を弾発するように保持し、プランジャ―１００Ａ２，１００Ｂ２，２００Ａ２，２００Ｂ２は、弾発力をもって尖がった先端１００Ａ２´，１００Ｂ２´，２００Ａ２´，２００Ｂ２´がリード部Ｌ１，Ｌ２に押圧されるように接触していることにより、リード部Ｌ１，Ｌ２に対する接触力を大きくすることができる。
【0065】
ここで、被測定物Ｄとするディスクリート半導体または半導体モジュールにおいて、先端１００Ａ２´，１００Ｂ２´，２００Ａ２´，２００Ｂ２´が尖がった軸状の測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂを採用した場合、被測定物Ｄと点接触となるため、誤検出を生じやすいが、本実施形態にあっては、連続する電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎと閾値Ｘとの大小関係に基づいて接触状態の不良を検出することとしているので、接触状態の直近の変化を把握することができる等、正確に接触の不良を検出することができる。
【0066】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されることなく発明の要旨を変更しない範囲において種々の変形実施、応用実施が可能であることは勿論である。
【0067】
例えば、上述した実施形態にあっては、変位演算部５０により演算される変位は、電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの差分ΔＶ２，・・・，ΔＶｎとすることとしているが、電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの電圧の変化速度等、電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位を特定する各種のものを含むことができる。
【0068】
また、上述した実施形態にあっては、接触状態検出部７０は、判断部６０が連続する電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎと閾値Ｘとの大小関係を判断することとしているが、例えば電圧Ｖ１とＶ３等、同一の測定時間Ｔにおける連続していない電圧間（Ｖ１とＶ３はＶ２が間に介在し連続していない）の変位に基づいて接触の不良を検出することとしたり、単に電圧測定器２０により測定された電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎと閾値Ｘとの大小関係に基づいて接触の不良を検出することとしても所要の効果を奏する（つまり、判断部６０は、電圧測定器２０により測定された電圧Ｖ１，・・・，Ｖｎと閾値設定部４０により設定された閾値Ｘとの大小関係を複数回判断し、接触状態検出部７０は、判断部６０による判断結果に基づいて測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂのリード部Ｌ１，Ｌ２に対する接触状態を複数回検出する構成とすることができる）。
【0069】
ただし、上述のように、接触状態検出部７０は、判断部６０が連続する電圧間Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎの変位ΔＶ２，・・・，ΔＶｎと閾値Ｘとの大小関係を判断したときに接触の不良を検出する構成とすることは、測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂの接触状態の直近の変化を把握することができ、より好ましい実施形態となる。
【0070】
更に、上述した実施形態にあっては、被測定物Ｄは、ディスクリート半導体または半導体モジュールとすることとしているが他の半導体素子や電子素子等を被測定物Ｄとして接触状態の検出を行うこととしてもよい。
【0071】
更にまた、上述した実施形態にあっては、測定子１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂは、軸状の本体１００Ａ１，１００Ｂ１，２００Ａ１，２００Ｂ１に先端１００Ａ２´，１００Ｂ２´，２００Ａ２´，２００Ｂ２´が尖がった軸状のプランジャー１００Ａ２，１００Ｂ２，２００Ａ２，２００Ｂ２を弾発するように保持しているが、図９（ａ）に示す側定子１０１Ａ，１０１Ｂ，２０１Ａ，２０１Ｂように、軸状の本体１０１Ａ１，１０１Ｂ１，２０１Ａ１，２０１Ｂ１に先端１０１Ａ２´，１０１Ｂ２´，２０１Ａ２´，２０１Ｂ２´が円弧状の丸みを帯びた軸状のプランジャー１０１Ａ２，１０１Ｂ２，２０１Ａ２，２０１Ｂ２を弾発するように保持し、図９（ｂ）に示す側定子１０２Ａ，１０２Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂように、軸状の本体１０２Ａ１，１０２Ｂ１，２０２Ａ１，２０２Ｂ１に先端１０２Ａ２´，１０２Ｂ２´，２０２Ａ２´，２０２Ｂ２´が平坦な軸状のプランジャー１０２Ａ２，１０２Ｂ２，２０２Ａ２，２０２Ｂ２を弾発するように保持し、図９（ｃ）に示す側定子１０３Ａ，１０３Ｂ，２０３Ａ，２０３Ｂように、軸状の本体１０３Ａ１，１０３Ｂ１，２０３Ａ１，２０３Ｂ１に尖がった先端１０３Ａ２´，１０３Ｂ２´，２０３Ａ２´，２０３Ｂ２´を複数有する軸状のプランジャー１０３Ａ２，１０３Ｂ２，２０３Ａ２，２０３Ｂ２を弾発するように保持する等、各種の構成を採用することができる。
【符号の説明】
【0072】
α：余裕
Ｄ：被測定物
Ｄ１：入力側
Ｄ２：出力側
Ｌ１，Ｌ２：リード部
Ｔ：測定時間
ΔＴ：時間間隔
Ｖ１，・・・Ｖｎ：電圧（電位差）
Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎ：電圧間
ΔＶ１，・・・，ΔＶｎ－１：差分
Ｘ：閾値
Ｙ１：第１検出
Ｙ２：第２検出
１：測定装置
１Ａ：マイクロコンピュータ
１Ａ１：バス
１Ａ２：ＣＰＵ
１Ａ３：メモリ
１Ｂ：載置部
１０：電流供給器
１０Ａ：プラス極
１０Ｂ：マイナス極
１１：フォース線
１２：フォース線
２０：電圧測定器
２０Ａ：プラス極
２０Ｂ：マイナス極
２１：センス線
２２：センス線
３０：測定時間設定部
４０：閾値設定部
５０：変位演算部
５０Ａ：バッファ
５０Ｂ：Ａ／Ｄ変換器
６０：判断部
７０：接触状態検出部
８０：時間測定部
１００，２００：測定子
１００Ａ：測定子
１００Ａ１：本体
１００Ａ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
１００Ａ２：プランジャ―
１００Ａ２´：先端
１０１Ａ：測定子
１０１Ａ１：本体
１０１Ａ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
１０１Ａ２：プランジャ―
１０１Ａ２´：先端
１０２Ａ：測定子
１０２Ａ１：本体
１０２Ａ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
１０２Ａ２：プランジャ―
１０２Ａ２´：先端
１０３Ａ：測定子
１０３Ａ１：本体
１０３Ａ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
１０３Ａ２：プランジャ―
１０３Ａ２´：先端
１００Ｂ：測定子
１００Ｂ１：本体
１００Ｂ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
１００Ｂ２：プランジャ―
１００Ｂ２´：先端
１０１Ｂ：測定子
１０１Ｂ１：本体
１０１Ｂ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
１０１Ｂ２：プランジャ―
１０１Ｂ２´：先端
１０２Ｂ：測定子
１０２Ｂ１：本体
１０２Ｂ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
１０２Ｂ２：プランジャ―
１０２Ｂ２´：先端
１０３Ｂ：測定子
１０３Ｂ１：本体
１０３Ｂ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
１０３Ｂ２：プランジャ―
１０３Ｂ２´：先端
２００Ａ：測定子
２００Ａ１：本体
２００Ａ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
２００Ａ２：プランジャ―
２００Ａ２´：先端
２０１Ａ：測定子
２０１Ａ１：本体
２０１Ａ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
２０１Ａ２：プランジャ―
２０１Ａ２´：先端
２０２Ａ：測定子
２０２Ａ１：本体
２０２Ａ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
２０２Ａ２：プランジャ―
２０２Ａ２´：先端
２０３Ａ：測定子
２０３Ａ１：本体
２０３Ａ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
２０３Ａ２：プランジャ―
２０３Ａ２´：先端
２００Ｂ：測定子
２００Ｂ１：本体
２００Ｂ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
２００Ｂ２：プランジャ―
２００Ｂ２´：先端
２０１Ｂ：測定子
２０１Ｂ１：本体
２０１Ｂ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
２０１Ｂ２：プランジャ―
２０１Ｂ２´：先端
２０２Ｂ：測定子
２０２Ｂ１：本体
２０２Ｂ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
２０２Ｂ２：プランジャ―
２０２Ｂ２´：先端
２０３Ｂ：測定子
２０３Ｂ１：本体
２０３Ｂ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
２０３Ｂ２：プランジャ―
２０３Ｂ２´：先端
Ｄ：被測定物
Ｄ１：入力側
Ｄ２：出力側
Ｌ１，Ｌ２：リード部
Ｔ：測定時間
ΔＴ：時間間隔
Ｖ１，・・・Ｖｎ：電圧（電位差）
Ｖ１～Ｖ２，・・・，Ｖｎ－１～Ｖｎ：電圧間
ΔＶ１，・・・，ΔＶｎ－１：差分
Ｘ：閾値
Ｙ１：第１検出
Ｙ２：第２検出
１：測定装置
１Ａ：マイクロコンピュータ
１Ａ１：バス
１Ａ２：ＣＰＵ
１Ａ３：メモリ
１Ｂ：載置部
１０：電流供給器
１０Ａ：プラス極
１０Ｂ：マイナス極
１１：フォース線
１２：フォース線
２０：電圧測定器
２０Ａ：プラス極
２０Ｂ：マイナス極
２１：センス線
２２：センス線
３０：測定時間設定部
４０：閾値設定部
５０：変位演算部
５０Ａ：バッファ
５０Ｂ：Ａ／Ｄ変換器
６０：判断部
７０：接触状態検出部
８０：時間測定部
１００，２００：測定子
１００Ａ：測定子
１００Ａ１：本体
１００Ａ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
１００Ａ２：プランジャ―
１００Ａ２´：先端
１０１Ａ：測定子
１０１Ａ１：本体
１０１Ａ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
１０１Ａ２：プランジャ―
１０１Ａ２´：先端
１０２Ａ：測定子
１０２Ａ１：本体
１０２Ａ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
１０２Ａ２：プランジャ―
１０２Ａ２´：先端
１０３Ａ：測定子
１０３Ａ１：本体
１０３Ａ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
１０３Ａ２：プランジャ―
１０３Ａ２´：先端
１００Ｂ：測定子
１００Ｂ１：本体
１００Ｂ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
１００Ｂ２：プランジャ―
１００Ｂ２´：先端
１０１Ｂ：測定子
１０１Ｂ１：本体
１０１Ｂ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
１０１Ｂ２：プランジャ―
１０１Ｂ２´：先端
１０２Ｂ：測定子
１０２Ｂ１：本体
１０２Ｂ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
１０２Ｂ２：プランジャ―
１０２Ｂ２´：先端
１０３Ｂ：測定子
１０３Ｂ１：本体
１０３Ｂ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
１０３Ｂ２：プランジャ―
１０３Ｂ２´：先端
２００Ａ：測定子
２００Ａ１：本体
２００Ａ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
２００Ａ２：プランジャ―
２００Ａ２´：先端
２０１Ａ：測定子
２０１Ａ１：本体
２０１Ａ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
２０１Ａ２：プランジャ―
２０１Ａ２´：先端
２０２Ａ：測定子
２０２Ａ１：本体
２０２Ａ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
２０２Ａ２：プランジャ―
２０２Ａ２´：先端
２０３Ａ：測定子
２０３Ａ１：本体
２０３Ａ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
２０３Ａ２：プランジャ―
２０３Ａ２´：先端
２００Ｂ：測定子
２００Ｂ１：本体
２００Ｂ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
２００Ｂ２：プランジャ―
２００Ｂ２´：先端
２０１Ｂ：測定子
２０１Ｂ１：本体
２０１Ｂ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
２０１Ｂ２：プランジャ―
２０１Ｂ２´：先端
２０２Ｂ：測定子
２０２Ｂ１：本体
２０２Ｂ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
２０２Ｂ２：プランジャ―
２０２Ｂ２´：先端
２０３Ｂ：測定子
２０３Ｂ１：本体
２０３Ｂ１´：押しコイルバネ（弾発部材、付勢部材）
２０３Ｂ２：プランジャ―
２０３Ｂ２´：先端
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
