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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024115856
(43)【公開日】2024-08-27
(54)【発明の名称】配線回路基板およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
C25D 21/12 20060101AFI20240820BHJP
C25D 5/02 20060101ALI20240820BHJP
C25D 7/00 20060101ALI20240820BHJP
C25D 17/06 20060101ALI20240820BHJP
C25D 21/00 20060101ALI20240820BHJP
H05K 3/18 20060101ALI20240820BHJP
【ＦＩ】
C25D21/12 L
C25D5/02 F
C25D7/00 J
C25D17/06 F
C25D21/00 B
C25D21/12 M
C25D5/02 B
H05K3/18 F
H05K3/18 N
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023021730
(22)【出願日】2023-02-15
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003812
【氏名又は名称】弁理士法人いくみ特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】花園 博行
(72)【発明者】
【氏名】相賀 拓郎
【テーマコード（参考）】
4K024
5E343
【Ｆターム（参考）】
4K024AA17
4K024AA21
4K024AA24
4K024AB01
4K024AB08
4K024BA15
4K024BB11
4K024BC01
4K024CB03
4K024CB19
4K024CB26
4K024EA02
4K024FA06
5E343AA02
5E343AA03
5E343AA05
5E343AA18
5E343BB23
5E343BB24
5E343BB25
5E343BB34
5E343BB44
5E343CC78
5E343DD43
5E343DD46
5E343DD48
5E343DD49
5E343EE02
5E343FF16
5E343FF23
5E343GG06
5E343GG20
(57)【要約】
【課題】めっき層における内部および表面近傍において、第１金属および第２金属のそれぞれの割合が同一または近似する配線回路基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】配線回路基板１の製造方法は、工程（１）と、工程（２）と、を備える。工程（１）では、準備基板１１は、ベース絶縁層２と、端子３１および配線３２を有する導体層３と、カバー絶縁層４と、合金めっき層５とを備える。端子３１は、ベース絶縁層２および／またはカバー絶縁層４から露出する。工程（２）では、準備基板１１を、めっき液７０に浸漬して、導体層３へ給電する電解めっきを用いて、第１金属および第１金属のイオン化傾向より小さいイオン傾向を有する第２金属を含む合金めっき層５を、厚み方向における端子３１の一方面および／または他方面に形成する。工程（２）では、導体層３への給電を維持しながら、配線回路基板１をめっき液７０から離す。
【選択図】図４
【解決手段】配線回路基板１の製造方法は、工程（１）と、工程（２）と、を備える。工程（１）では、準備基板１１は、ベース絶縁層２と、端子３１および配線３２を有する導体層３と、カバー絶縁層４と、合金めっき層５とを備える。端子３１は、ベース絶縁層２および／またはカバー絶縁層４から露出する。工程（２）では、準備基板１１を、めっき液７０に浸漬して、導体層３へ給電する電解めっきを用いて、第１金属および第１金属のイオン化傾向より小さいイオン傾向を有する第２金属を含む合金めっき層５を、厚み方向における端子３１の一方面および／または他方面に形成する。工程（２）では、導体層３への給電を維持しながら、配線回路基板１をめっき液７０から離す。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ベース絶縁層と、厚み方向における前記ベース絶縁層の一方面に配置される導体層であって、端子および配線を有する導体層と、厚み方向における前記ベース絶縁層の一方面に、前記配線を被覆するように配置されるカバー絶縁層とを備える準備基板であって、前記端子が前記ベース絶縁層および／または前記カバー絶縁層から露出する準備基板を準備する工程（１）と、
前記準備基板を、第１金属および前記第１金属のイオン化傾向より小さいイオン傾向を有する第２金属のそれぞれのカチオンを含むめっき液に浸漬して、前記導体層へ給電する電解めっきを用いて、前記第１金属および前記第２金属を含む合金めっき層を、厚み方向における前記端子の一方面および／または他方面に形成する工程（２）と、を備える配線回路基板の製造方法であり、
前記工程（２）では、前記導体層への給電を維持しながら、前記配線回路基板を前記めっき液から離す、配線回路基板の製造方法。
前記準備基板を、第１金属および前記第１金属のイオン化傾向より小さいイオン傾向を有する第２金属のそれぞれのカチオンを含むめっき液に浸漬して、前記導体層へ給電する電解めっきを用いて、前記第１金属および前記第２金属を含む合金めっき層を、厚み方向における前記端子の一方面および／または他方面に形成する工程（２）と、を備える配線回路基板の製造方法であり、
前記工程（２）では、前記導体層への給電を維持しながら、前記配線回路基板を前記めっき液から離す、配線回路基板の製造方法。
【請求項2】
前記第１金属および前記第２金属は、銀、銅、ビスマス、アンチモン、錫、および、亜鉛からなる群から選択される少なくとも２つの金属を含む、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項3】
前記第１金属または前記第２金属は、錫を含む、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項4】
枚葉式の電解めっきで、前記工程（２）を実施する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項5】
前記工程（２）では、前記導体層への給電を維持しながら、前記配線回路基板を前記めっき液から引き上げる、請求項４に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項6】
前記工程（２）では、前記導体層への給電を維持しながら、前記めっき液を、前記めっき液を収容する槽から抜き取る、請求項４に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項7】
ロール－トゥ－ロール式の電解めっきで、前記工程（２）を実施する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項8】
前記めっき液を収容する槽であって、長尺の前記準備基板と前記めっき液とが接触可能な槽と、
前記準備基板が搬送される搬送方向において、前記槽の上流側に配置される第１電極部と、
前記搬送方向において、前記槽の下流側に配置される第２電極部と、を備えるめっき装置を用いて、前記工程（２）を実施し、
前記めっき装置は、前記槽と前記第２電極部との間に配置される液除去部をさらに備え、
前記工程（２）では、前記導体層への給電を維持しながら、前記液除去部が、前記配線回路基板に付着する前記めっき液を除去する、請求項７に記載の配線回路基板の製造方法。
前記準備基板が搬送される搬送方向において、前記槽の上流側に配置される第１電極部と、
前記搬送方向において、前記槽の下流側に配置される第２電極部と、を備えるめっき装置を用いて、前記工程（２）を実施し、
前記めっき装置は、前記槽と前記第２電極部との間に配置される液除去部をさらに備え、
前記工程（２）では、前記導体層への給電を維持しながら、前記液除去部が、前記配線回路基板に付着する前記めっき液を除去する、請求項７に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項9】
前記液除去部は、前記めっき液が付着した前記配線回路基板と接触して、前記めっき液を除去する液切りロールを含む、請求項８に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項10】
前記液除去部は、前記めっき液が付着した前記配線回路基板に水をかける洗浄装置を含む、請求項８に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項11】
ベース絶縁層と、
厚み方向における前記ベース絶縁層の一方面に配置される導体層であって、端子および配線を有する導体層と、
厚み方向における前記ベース絶縁層の一方面に、前記配線を被覆するように配置されるカバー絶縁層と、
厚み方向における前記端子の一方面および／または他方面に配置される合金めっき層とを備え、
前記合金めっき層は、第１金属および前記第１金属のイオン化傾向より小さいイオン傾向を有する第２金属を含み、
前記合金めっき層の表面における前記第１金属および前記第２金属の総量に対する前記第１金属の質量比Ｒ１に対する、前記合金めっき層の内部における前記第１金属および前記第２金属の総量に対する前記第１金属の質量比Ｒ２の比（Ｒ２／Ｒ１）は、０．９以上、１．１以下である、配線回路基板。
厚み方向における前記ベース絶縁層の一方面に配置される導体層であって、端子および配線を有する導体層と、
厚み方向における前記ベース絶縁層の一方面に、前記配線を被覆するように配置されるカバー絶縁層と、
厚み方向における前記端子の一方面および／または他方面に配置される合金めっき層とを備え、
前記合金めっき層は、第１金属および前記第１金属のイオン化傾向より小さいイオン傾向を有する第２金属を含み、
前記合金めっき層の表面における前記第１金属および前記第２金属の総量に対する前記第１金属の質量比Ｒ１に対する、前記合金めっき層の内部における前記第１金属および前記第２金属の総量に対する前記第１金属の質量比Ｒ２の比（Ｒ２／Ｒ１）は、０．９以上、１．１以下である、配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、端子を備える準備基板の端子に、めっき層を形成して、配線回路基板を製造する方法が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。めっき層の形成では、準備基板をめっき液に浸漬しながら、端子に給電する。上記した給電により、めっき層が端子上に析出する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１６－１９２２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
めっき層の析出後は、給電を停止し、その後、配線回路基板をめっき液から引き上げる。これによって、配線回路基板は、めっき液から離れる。
【0005】
しかるに、配線回路基板の用途および目的によって、めっき層が合金である場合がある。この場合には、めっき液は、イオン化傾向が異なる複数の金属のカチオンを含む。そして、上記した方法では、めっき層における内部および表面近傍において、合金の組成が大きく相違するという不具合がある。
【0006】
本発明は、めっき層における内部および表面近傍において、第１金属および第２金属のそれぞれの割合が同一または近似する配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明［１］は、ベース絶縁層と、厚み方向における前記ベース絶縁層の一方面に配置される導体層であって、端子および配線を有する導体層と、厚み方向における前記ベース絶縁層の一方面に、前記配線を被覆するように配置されるカバー絶縁層とを備える準備基板であって、前記端子が前記ベース絶縁層および／または前記カバー絶縁層から露出する準備基板を準備する工程（１）と、前記準備基板を、第１金属および前記第１金属のイオン化傾向より小さいイオン傾向を有する第２金属のそれぞれのカチオンを含むめっき液に浸漬して、前記導体層へ給電する電解めっきを用いて、前記第１金属および前記第２金属を含む合金めっき層を、厚み方向における前記端子の一方面および／または他方面に形成する工程（２）と、を備える配線回路基板の製造方法であり、前記工程（２）では、前記導体層への給電を維持しながら、前記配線回路基板を前記めっき液から離す、配線回路基板の製造方法を含む。
【0008】
この製造方法における工程（２）では、電源からの導体層への給電を維持しながら、配線回路基板をめっき液から離す。また、第１金属のイオン化傾向は、第２金属のイオン化傾向より大きい。そうすると、配線回路基板をめっき液から離す際に、給電停止に起因する合金めっき層からの第１金属の脱離を起こしにくい。そのため、合金めっき層における内部および表面近傍において、第１金属および第２金属のそれぞれの質量比が同一または近似する。
【0009】
本発明［２］は、前記第１金属および前記第２金属は、銀、銅、ビスマス、アンチモン、錫、および、亜鉛からなる群から選択される少なくとも２つの金属を含む、［１］に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【0010】
本発明［３］は、前記第１金属または前記第２金属は、錫を含む、［１］または［２］に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【0011】
本発明［４］は、枚葉式の電解めっきで、前記工程（２）を実施する、［１］から［３］のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【0012】
本発明［５］は、前記工程（２）では、前記導体層への給電を維持しながら、前記配線回路基板を前記めっき液から引き上げる、［４］に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【0013】
この製造方法の工程（２）では、導体層への給電を維持しながら、配線回路基板をめっき液から引き上げるので、第１金属および第２金属のそれぞれの質量比を簡便に同一または近似にできる。
【0014】
本発明［６］は、前記工程（２）では、前記導体層への給電を維持しながら、前記めっき液を、前記めっき液を収容する槽から抜き取る、［４］に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【0015】
この製造方法の工程（２）では、めっき液を、槽から抜き取るので、第１金属および第２金属のそれぞれの質量比を簡便に同一または近似させることができる。
【0016】
本発明［７］は、ロール－トゥ－ロール式の電解めっきで、前記工程（２）を実施する、［１］から［３］のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【0017】
本発明［８］は、前記めっき液を収容する槽であって、長尺の前記準備基板と前記めっき液とが接触可能な槽と、前記準備基板が搬送される搬送方向において、前記槽の上流側に配置される第１電極部と、前記搬送方向において、前記槽の下流側に配置される第２電極部と、を備えるめっき装置を用いて、前記工程（２）を実施し、前記めっき装置は、前記槽と前記第２電極部との間に配置される液除去部をさらに備え、前記工程（２）では、前記導体層への給電を維持しながら、前記液除去部が、前記配線回路基板に付着する前記めっき液を除去する、［７］に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【0018】
この製造方法の工程（２）では、導体層への給電を維持しながら、液除去部が、配線回路基板に付着するめっき液を除去するので、導体層への給電を維持しながら、配線回路基板をめっき液から確実に離すことができる。
【0019】
本発明［９］は、前記液除去部は、前記めっき液が付着した前記配線回路基板と接触して、前記めっき液を除去する液切りロールを含む、［８］に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【0020】
本発明［１０］は、前記液除去部は、前記めっき液が付着した前記配線回路基板に水をかける洗浄装置を含む、［８］または［９］に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【0021】
本発明［１１］は、ベース絶縁層と、厚み方向における前記ベース絶縁層の一方面に配置される導体層であって、端子および配線を有する導体層と、厚み方向における前記ベース絶縁層の一方面に、前記配線を被覆するように配置されるカバー絶縁層と、厚み方向における前記端子の一方面および／または他方面に配置される合金めっき層とを備え、前記合金めっき層は、第１金属および前記第１金属のイオン化傾向より小さいイオン傾向を有する第２金属を含み、前記合金めっき層の表面における前記第１金属および前記第２金属の総量に対する前記第１金属の質量比Ｒ１に対する、前記合金めっき層の内部における前記第１金属および前記第２金属の総量に対する前記第１金属の質量比Ｒ２の比（Ｒ２／Ｒ１）は、０．９以上、１．１以下である、配線回路基板を含む。
【0022】
この配線回路基板では、合金めっき層の表面における第１金属の質量比Ｒ１に対する、合金めっき層の内部における第１金属の質量比Ｒ２の比（Ｒ２／Ｒ１）が０．９以上、１．１以下であるので、外部部品との接続信頼性に優れる。
【発明の効果】
【0023】
本発明の配線回路基板およびその製造方法は、めっき層における内部および表面近傍において、第１金属および第２金属のそれぞれの割合が同一または近似する。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】本発明の製造方法の第１実施形態により製造される配線回路基板の一部の平面図である。
【図3】図３Ａから図３Ｄは、製造方法の工程図である。図３Ａは、工程（１）である。図３Ｂは、工程（２）であって、レジストを形成する工程である。図３Ｃは、工程（２）であって、電解めっきを実施する工程である。図３Ｄは、レジストを除去する工程である。
【図4】工程（２）のフローチャートである。
【図5】図５Ａおよび図５Ｂは、工程（２）を説明する工程図である。図５Ａは、準備基板をめっき液に浸漬しながら、導体層へ給電する工程である。図５Ｂは、導体層への給電を維持しながら、配線回路基板をめっき液から引き上げる工程である。
【図6】導体層への給電を維持しながら、めっき液を槽から抜き取る工程である。
【図7】第２実施形態における第２めっき装置の概略図である。
【図8】別の第２めっき装置の概略図である。
【図9】配線回路基板の変形例の断面図である。
【図10】配線回路基板の変形例の断面図である。
【図11】配線回路基板の変形例の断面図である。
【図12】配線回路基板の変形例の断面図である。
【図13】従来例のフローチャートである。
【図14】従来例の第１金属および第２金属のカチオンの挙動を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【0025】
【0026】
１． 第１実施形態
１．１ 配線回路基板１
本発明の製造方法の第１実施形態で製造される配線回路基板１を説明する。
図１に示すように、配線回路基板１は、シート形状を有する。配線回路基板１は、面方向に延びる。面方向は、厚み方向に直交する。配線回路基板１は、ベース絶縁層２と、導体層３と、カバー絶縁層４と、合金めっき層５とを備える。
１．１ 配線回路基板１
本発明の製造方法の第１実施形態で製造される配線回路基板１を説明する。
図１に示すように、配線回路基板１は、シート形状を有する。配線回路基板１は、面方向に延びる。面方向は、厚み方向に直交する。配線回路基板１は、ベース絶縁層２と、導体層３と、カバー絶縁層４と、合金めっき層５とを備える。
【0027】
１．２ ベース絶縁層２
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、ベース絶縁層２は、厚み方向における配線回路基板１の他端部に配置される。ベース絶縁層２は、シート形状を有する。ベース絶縁層２は、面方向に延びる。ベース絶縁層２の厚みは、例えば、１μｍ以上であり、また、例えば、１５０μｍ以下である。ベース絶縁層２の材料は、例えば、絶縁性の樹脂である。樹脂としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、ベース絶縁層２は、厚み方向における配線回路基板１の他端部に配置される。ベース絶縁層２は、シート形状を有する。ベース絶縁層２は、面方向に延びる。ベース絶縁層２の厚みは、例えば、１μｍ以上であり、また、例えば、１５０μｍ以下である。ベース絶縁層２の材料は、例えば、絶縁性の樹脂である。樹脂としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。
【0028】
１．３ 導体層３
導体層３は、厚み方向におけるベース絶縁層２の一方面に配置される。導体層３は、厚み方向におけるベース絶縁層２の一方面に接触する。導体層３は、配線３２および端子３１を有する。
導体層３は、厚み方向におけるベース絶縁層２の一方面に配置される。導体層３は、厚み方向におけるベース絶縁層２の一方面に接触する。導体層３は、配線３２および端子３１を有する。
【0029】
配線３２は、互いに間隔を隔てて複数配置される。図１に示すように、複数の配線３２のそれぞれは、所定方向に沿って延びる。端子３１は、配線３２に対応して複数設けられる。複数の端子３１のそれぞれは、複数の配線３２のそれぞれに連続する。端子３１は、配線３２の端部からから延びる。複数の端子３１は、互いに間隔が隔てられる。導体層３の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。導体層３の材料としては、例えば、金属が挙げられる。金属としては、例えば、銅が挙げられる。
【0030】
なお、図３Ｄに示すように、端子３１は、表面層３１１を有してもよい。表面層３１１は、端子３１の表面に位置する。表面層３１１は、金属保護層である。表面層３１１の材料としては、例えば、金、および、ニッケルが挙げられる。表面層３１１は、単層または多層である。表面層３１１の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上、５μｍ以下である。
【0031】
１．４ カバー絶縁層４
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、カバー絶縁層４は、厚み方向におけるベース絶縁層２の一方面に、配線３２を被覆するように配置される。本実施形態では、端子３１は、カバー絶縁層４から露出する。カバー絶縁層４の材料は、上記したベース絶縁層２の材料と同じである。カバー絶縁層４の厚みは、限定されない。
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、カバー絶縁層４は、厚み方向におけるベース絶縁層２の一方面に、配線３２を被覆するように配置される。本実施形態では、端子３１は、カバー絶縁層４から露出する。カバー絶縁層４の材料は、上記したベース絶縁層２の材料と同じである。カバー絶縁層４の厚みは、限定されない。
【0032】
１．５ 合金めっき層５
本実施形態では、合金めっき層５は、厚み方向における端子３１の一方面に配置される。合金めっき層５は、図２Ａに示すように、仮想線で示す外部部品６と端子３１とを電気的に接続するための導電部材である。具体的には、合金めっき層５は、バンプである。本実施形態では、合金めっき層５は、略箱形状を有する。図１に示すように、合金めっき層５は、平面視略矩形状を有する。合金めっき層５は、平面視において、端子３１とともに延びる。合金めっき層５は、断面視略矩形状を有する。図２Ａおよび図２Ｂに示すように、合金めっき層５は、厚み方向における端子３１の一方面３１から一方側に向かって延びる。
本実施形態では、合金めっき層５は、厚み方向における端子３１の一方面に配置される。合金めっき層５は、図２Ａに示すように、仮想線で示す外部部品６と端子３１とを電気的に接続するための導電部材である。具体的には、合金めっき層５は、バンプである。本実施形態では、合金めっき層５は、略箱形状を有する。図１に示すように、合金めっき層５は、平面視略矩形状を有する。合金めっき層５は、平面視において、端子３１とともに延びる。合金めっき層５は、断面視略矩形状を有する。図２Ａおよび図２Ｂに示すように、合金めっき層５は、厚み方向における端子３１の一方面３１から一方側に向かって延びる。
【0033】
合金めっき層５は、第１金属および第２金属を含む。第１金属のイオン化傾向は、第２金属のイオン化傾向より大きい。換言すれば、第２金属は、第１金属のイオン化傾向より小さいイオン傾向を有する。第１金属および第２金属は、銀、銅、ビスマス、アンチモン、錫、および、亜鉛からなる群から選択される少なくとも２つの金属を含む。融点が比較的低く、低温で接合できる観点から、第１金属または第２金属は、好ましくは、錫を含む。
【0034】
本実施形態では、イオン化傾向が大きいことは、標準電極電位が低いことと同義である。換言すれば、第１金属の標準電極電位は、第２金属の標準電極電位より低い。上記で例示した金属の標準電極電位を下記表１に示す。
【0035】
【表1】
【0036】
第１金属および第２金属の組合せとして、例えば、第１金属が亜鉛であり、第２金属が銀、銅、ビスマス、アンチモンまたは錫である組合せ、例えば、第１金属が錫であり、第２金属が銀、銅、ビスマスまたはアンチモンである組合せ、例えば、第１金属がアンチモンであり、第２金属が銀、銅またはビスマスである組合せ、例えば、第１金属がビスマスであり、第２金属が銀または銅である組合せ、例えば、第１金属が銅であり、第２金属が銀である組合せが挙げられる。好ましくは、第１金属が錫であり、第２金属が銀である組合せが挙げられる。
【0037】
合金めっき層５における第１金属および第２金属のそれぞれの含有割合は、配線回路基板１の用途および目的に応じて、適宜設定される。合金めっき層５における第１金属の含有割合は、例えば、５０質量％以上、好ましくは、７５質量％以上、より好ましくは、９０質量％以上であり、また、例えば、９９．９質量％以下、好ましくは、９９質量％以下、より好ましくは、９８質量％以下である。合金めっき層５における第２金属の含有割合は、上記した第１金属の残部である。
【0038】
合金めっき層５の厚みＴは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下である。合金めっき層５の厚みは、厚み方向におけるベース絶縁層２の一方面から、厚み方向における合金めっき層５の一方面までの距離である。
【0039】
１．６ 配線回路基板１の製造方法
次に、配線回路基板１の製造方法を説明する。この配線回路基板１の製造方法は、工程（１）と、工程（２）と、を備える。この製造方法では、工程（１）と、工程（２）とが、順に実施される。
次に、配線回路基板１の製造方法を説明する。この配線回路基板１の製造方法は、工程（１）と、工程（２）と、を備える。この製造方法では、工程（１）と、工程（２）とが、順に実施される。
【0040】
１．６．１ 工程（１）
図３Ａに示すように、工程（１）では、準備基板１１を準備する。準備基板１１は、合金めっき層５をまだ備えない、製造途中の配線回路基板１である。具体的には、準備基板１１は、上記したベース絶縁層２と、導体層３と、カバー絶縁層４とを備える。
図３Ａに示すように、工程（１）では、準備基板１１を準備する。準備基板１１は、合金めっき層５をまだ備えない、製造途中の配線回路基板１である。具体的には、準備基板１１は、上記したベース絶縁層２と、導体層３と、カバー絶縁層４とを備える。
【0041】
準備基板１１を準備するには、まず、導体層３を、厚み方向におけるベース絶縁層２の一方面に、公知のめっき法によって形成する。続いて、感光性の樹脂組成物を、厚み方向におけるベース絶縁層２および導体層３の一方面に塗布して塗膜を形成し、その後、フォトリソグラフィーを用いて、カバー絶縁層４を形成する。その後、必要により、めっきにより、表面層３１１を端子３１に形成する。
【0042】
続いて、工程（２）では、図３Ｂに示すように、レジスト８を、厚み方向における準備基板１１の一方面に形成する。レジスト８は、合金めっき層５の逆パターンを有する。
【0043】
工程（２）では、電解めっきを用いて、合金めっき層５を、厚み方向における端子３１の一方面に形成する。図５Ａに示すように、電解めっきでは、準備基板１１を、めっき液７０に浸漬して、導体層３へ給電する。
【0044】
めっき液７０は、第１金属および第１金属のイオン化傾向より小さいイオン傾向を有する第２金属のそれぞれのカチオンを含む。めっき液７０の組成は、上記した第１金属および第２金属のそれぞれのカチオンを含めば、限定されない。
【0045】
本実施形態では、枚葉式の電解めっきで、工程（２）を実施する。具体的には、電解めっきでは、図５Ａに示す第１めっき装置７１が用いられる。
【0046】
第１めっき装置７１は、槽７１１と、電源７１２と、電極７１３と、図示しない移動装置と、を備える。
【0047】
槽７１１は、めっき液７０を収容する。
【0048】
電源７１２は、例えば、整流器を含む。整流器は、直流電流を電極７１３および導体層３に供給可能である。
【0049】
本実施形態では、電極７１３は、アノードである。電解めっきにおいて、電極７１３は、めっき液７０におけるアニオンから電子を受け取る。電極７１３は、板形状を有してもよい。電極７１３は、ライン７１０を介して電源７１２と電気的に接続される。電極７１３は、めっき液７０と接触している。具体的には、電極７１３は、めっき液７０に浸漬されている。
【0050】
図示しない移動装置は、準備基板１１および配線回路基板１を上下に移動可能（引き上げおよび引き下げ可能）である。
【0051】
工程（２）では、まず、準備基板１１を第１めっき装置７１にセットする。具体的には、槽７１１におけるめっき液７０に、準備基板１１を浸漬させる（Ｓ１、図４参照）。なお、複数の準備基板１１が集合した集合体シート１１１をめっき液７０に浸漬させてもよい。
【0052】
続いて、電源７１２からの給電を開始する（Ｓ２、図４参照）。具体的、電源７１２からの電子を導体層３に流す。すると、端子３１は、カソードとして作用する。端子３１の表面（一方面）から電子が供給されることによって、端子３１の表面に接触するめっき液７０における第１金属および第２金属のそれぞれのカチオンは、電子を受け取り、第１金属および第２金属を析出する。図３Ｃに示すように、すると、第１金属および第２金属を含む合金めっき層５が形成される。本実施形態では、合金めっき層５は、表面層３１１に接触する。
【0053】
図５Ｂに示すように、その後、工程（２）では、電源７１２からの導体層３への給電を維持しながら、配線回路基板１をめっき液７０から離す。具体的には、工程（２）では、導体層３への給電を維持しながら、移動装置を用いて配線回路基板１をめっき液から引き上げる（Ｓ３、図４参照）。
【0054】
なお、図６に示すように、工程（２）では、配線回路基板１のめっき液７０からの引き上げに代えて、めっき液７０を、槽７１１から抜き取ってもよい。この第１めっき装置７１は、第２槽７１４をさらに備える。第２槽７１４は、槽７１１の下方に配置される。第２槽７１４は、管７１５を介して槽７１１と通じる。管７１５は、弁を備える。第２槽７１４は、槽７１１内のめっき液７０（仮想線）を、管７１５を介して、受け入れる。
【0055】
その後、電源７１２からの導体層３への給電を停止する（Ｓ４、図４参照）。
【0056】
その後、図３Ｄに示すように、レジスト８を除去する。
【0057】
これによって、配線回路基板１が製造される。この配線回路基板１では、合金めっき層５の表面における第１金属および第２金属の総量に対する第１金属の質量比Ｒ１に対する、合金めっき層５の内部における第１金属および第２金属の総量に対する第１金属の質量比Ｒ２の比（Ｒ２／Ｒ１）は、例えば、０．９以上、好ましくは、０．９５以上であり、また、１．１以下、好ましくは、１．０５である。
【0058】
図２Ｂに示すように、表面近傍は、厚み方向における合金めっき層５の一方面、および、一方面から、合金めっき層５の厚みＴに０．１を乗じた長さ（０．１Ｔ）分、厚み方向の他方側に進んだ箇所Ｐ１までの深さエリアＤ１である。
【0059】
内部は、上記した合金めっき層５の一方面から合金めっき層５の厚みＴに０．３を乗じた長さ（０．３Ｔ）分、厚み方向の他方側に進んだ箇所Ｐ２から、上記した一方面から合金めっき層５の厚みＴに０．７を乗じた長さ（０．７Ｔ）分、厚み方向の他方側に進んだ箇所Ｐ３までの深さエリアＤ２である。上記深さエリアＤ１，Ｄ２のいずれもが、合金めっき層５における厚み方向の中央部Ｃ（図１参照）を含むエリアである。
【0060】
合金めっき層５の表面における第１金属および第２金属の総量に対する第１金属の質量比Ｒ１は、合金めっき層５の表面のエネルギー分散型Ｘ線分光分析によって求められる。合金めっき層５の内部における第１金属および第２金属の総量に対する第１金属の質量比Ｒ２は、中央部Ｃを切断する切断のエネルギー分散型Ｘ線分光分析によって求められる。
【0061】
２． 第１実施形態の作用効果
しかるに、図１３に示すように、導体層３への給電を停止した（Ｓ４）後、配線回路基板１をめっき液７０から離す（引き上げる）（Ｓ３）と、図１４に示すように、給電停止後におけるめっき液７０では、第１金属および第２金属の挙動は、電源７１２からの給電にもはや依存せず、第１金属および第２金属のイオン化傾向のみに依存する。そして、合金めっき層５における第１金属のイオン化傾向は、第２金属よりイオン化傾向が大きい。
しかるに、図１３に示すように、導体層３への給電を停止した（Ｓ４）後、配線回路基板１をめっき液７０から離す（引き上げる）（Ｓ３）と、図１４に示すように、給電停止後におけるめっき液７０では、第１金属および第２金属の挙動は、電源７１２からの給電にもはや依存せず、第１金属および第２金属のイオン化傾向のみに依存する。そして、合金めっき層５における第１金属のイオン化傾向は、第２金属よりイオン化傾向が大きい。
【0062】
そのため、合金めっき層５の表面近傍の第１金属と、めっき液７０中の第２金属（第２金属のカチオン）とが置換する反応（置換反応）が生じる。つまり、合金めっき層５の表面近傍の第１金属が、めっき液７０に溶解し、第２金属が析出する。
【0063】
要するに、合金めっき層５の表面近傍において、第１金属が第２金属に部分的に置き換わる置換反応を起こす。一方、上記した置換反応は、合金めっき層５の内部では生じない。
【0064】
従って、合金めっき層５における内部および表面近傍において、合金の組成、具体的には、第１金属および第２金属のそれぞれの質量比（Ｒ１，Ｒ２）が大きく相違する。第１金属のイオン化傾向が第２金属よりイオン化傾向より大きいことから、合金めっき層５の表面近傍における第１金属の質量比Ｒ１は、合金めっき層５の内部における第１金属の質量比Ｒ２が低くなる。
【0065】
しかしながら、図４および図５Ｂに示すように、本実施形態によれば、工程（２）では、電源７１２からの導体層３への給電を維持しながら、配線回路基板１をめっき液７０から離す。そうすると、配線回路基板１をめっき液７０から離す際に、めっき液７０では、第１金属および第２金属のイオン化傾向に依存した上記した第１金属および第２金属の置換反応を起こしにくい。そのため、合金めっき層５における内部および表面近傍において、合金の組成、具体的には、第１金属および第２金属のそれぞれの質量比（Ｒ１，Ｒ２）が同一または近似する。
【0066】
図５Ｂに示すように、工程（２）では、導体層３への給電を維持しながら、配線回路基板１をめっき液から引き上げるので、第１金属および第２金属のそれぞれの質量比（Ｒ１，Ｒ２）を簡便に同一または近似にできる。
【0067】
また、図６に示すように、工程（２）では、めっき液７０を、槽７１１から抜き取るので、第１金属および第２金属のそれぞれの質量比（Ｒ１，Ｒ２）を簡便に同一または近似させることができる。
【0068】
この配線回路基板１では、合金めっき層５の表面における第１金属の質量比Ｒ１に対する、合金めっき層５の内部における第１金属の質量比Ｒ２の比（Ｒ２／Ｒ１）が０．９以上、１．１以下であるので、外部部品６との接続信頼性に優れる。
【0069】
３． 第２実施形態
以下の第２実施形態において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、第２実施形態は、特記する以外、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
以下の第２実施形態において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、第２実施形態は、特記する以外、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【0070】
図７に示すように、第２実施形態では、ロール－トゥ－ロール式の電解めっきで、工程（２）を実施する。具体的には、第２めっき装置７２を用いて、工程（２）を実施する。なお、工程（１）も、ロール－トゥ－ロール式で実施してもよい。
【0071】
第２めっき装置７２は、槽７２１と、第１電極部７２２と、第２電極部７２３と、図示しない電源と、液除去部７２４と、水洗浄槽７２５と、を備える。
【0072】
槽７２１は、めっき液（図示せず）を収容する。槽７２１では、長尺の準備基板１１が搬送されながら、準備基板１１とめっき液とが接触可能である。
【0073】
第１電極部７２２は、準備基板１１が搬送される搬送方向において、槽７２１の上流側に配置される。第１電極部７２２は、第１電極ロールである。本実施形態では、第１電極ロールは、鉛直方向に延びる。第１電極部７２２は、準備基板１１と接触することによって、導体層３と電気的に接続される。
【0074】
第２電極部７２３は、搬送方向において槽７２１の下流側に配置される。第２電極部７２３は、第２電極ロールである。本実施形態では、第２電極ロールは、鉛直方向に延びる。
【0075】
図示しない電源は、第１電極部７２２および第２電極部７２３とに接続される。
【0076】
液除去部７２４は、槽７２１と第２電極部７２３との間に配置される。液除去部７２４は、配線回路基板１に付着するめっき液を除去する。本実施形態では、液除去部７２４は、液切りロール７２４１と、洗浄装置７２４２と、を含む。
【0077】
液切りロール７２４１は、めっき液が付着した配線回路基板１と接触して、めっき液を除去する。液切りロール７２４１は、１対である。本実施形態では、１対の液切りロールのそれぞれは、鉛直方向に延びる。１対の液切りロール７２４１は、配線回路基板１を上下両側から挟む。
【0078】
本実施形態では、洗浄装置７２４２は、搬送方向における液切りロール７２４１の下流側に配置される。洗浄装置７２４２は、めっき液が付着した配線回路基板１に水をかける。洗浄装置７２４２としては、例えば、噴射装置を含む。噴射装置は、配線回路基板１に水を噴射可能である。
【0079】
水洗浄槽７２５は、搬送方向における第２電極部７２３の下流側に配置される。水洗浄槽７２５は、水を収容する。水洗浄槽７２５では、配線回路基板１に残存する微量のめっき液を洗浄する。
【0080】
長尺の準備基板１１（集合体シート１１１）は、第１電極部７２２と、槽７２１と、第２電極部７２３と、液除去部７２４と、水洗浄槽７２５とを通過するように、第２めっき装置７２にセットされる。工程（２）では、準備基板１１が搬送されながら、第１電極部７２２および第２電極部７２３から導体層３に給電される。これによって、図３Ｄに示すように、槽７２１を通過する準備基板１１（集合体シート１１１）に合金めっき層５が形成される。
【0081】
続いて、本実施形態の工程（２）では、第１電極部７２２および第２電極部７２３によって、導体層３への給電を維持しながら、液除去部７２４が、配線回路基板１に付着するめっき液を除去する。液除去部７２４では、液切りロール７２４１が、めっき液を除去するとともに、洗浄装置７２４２が水を配線回路基板１にかけて（噴射して）、配線回路基板１を洗浄する。
【0082】
その後、配線回路基板１は、第１電極部７２２および第２電極部７２３の間から脱離して、水洗浄槽７２５を通過した後、図示しない巻取ロールによって巻き取られる。
【0083】
３．１ 第２実施形態の作用効果
この製造方法の工程（２）では、導体層３への給電を維持しながら、液切り部７２４１および洗浄装置７２４２を含む液除去部７２４が、配線回路基板１に付着するめっき液を除去する。そのため、導体層３への給電を維持しながら、配線回路基板１をめっき液から確実に離すことができる。
この製造方法の工程（２）では、導体層３への給電を維持しながら、液切り部７２４１および洗浄装置７２４２を含む液除去部７２４が、配線回路基板１に付着するめっき液を除去する。そのため、導体層３への給電を維持しながら、配線回路基板１をめっき液から確実に離すことができる。
【0084】
３．１ 第２実施形態の変形例
図８に示すように、変形例では、第１電極部７２２と、第２電極部７２３、および、液切りロール７２４１は、水平方向に延びてもよい。第１電極部７２２と、第２電極部７２３、および、液切りロール７２４１は、準備基板１１の搬送方向に直交する方向にも延びる。
図８に示すように、変形例では、第１電極部７２２と、第２電極部７２３、および、液切りロール７２４１は、水平方向に延びてもよい。第１電極部７２２と、第２電極部７２３、および、液切りロール７２４１は、準備基板１１の搬送方向に直交する方向にも延びる。
【0085】
図示ないが、液除去部７２４は、液切りロール７２４１および洗浄装置７２４２のうちいずれか１つのみを備えてもよい。
【0086】
４． 他の変形例
図９に示すように、合金めっき層５は、厚み方向における端子３１の一方面と、端子３１の一側面とに配置されてもよい。
図９に示すように、合金めっき層５は、厚み方向における端子３１の一方面と、端子３１の一側面とに配置されてもよい。
【0087】
図１０に示すように、合金めっき層５は、厚み方向における端子３１の他方面に配置されてもよい。この変形例では、合金めっき層５は、ベース絶縁層２から露出する。端子３１は、ベース絶縁層２によって被覆される。
【0088】
図１１における合金めっき層は、端子３１は、ベース絶縁層２およびカバー絶縁層４から露出してもよい。この変形例では、端子３１は、フライングリード構造を有する。
【0089】
図１２に示すように、合金めっき層５は、厚み方向における端子３１の一方面および両側面に配置されていてもよい。
【実施例0090】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる体積割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する体積割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【0091】
実施例１
第１実施形態に準拠して、配線回路基板１を製造した。工程（２）では、図５Ａおよび図５Ｂに示す第１めっき装置７１を用いて、準備基板１１を、めっき液７０に浸漬して、導体層３へ給電し、続いて、電源７１２からの導体層３への給電を維持しながら、配線回路基板１をめっき液７０から離した。具体的には、具体的には、図５Ｂに示すように、導体層３への給電を維持しながら、配線回路基板１をめっき液から引き上げた。その後、図４に示すように、電源７１２からの導体層３への給電を停止した（Ｓ４）。これによって、厚み２３μｍの合金めっき層５を形成した。合金めっき層５は、錫（第１金属）および銀（第２金属）を含む。
第１実施形態に準拠して、配線回路基板１を製造した。工程（２）では、図５Ａおよび図５Ｂに示す第１めっき装置７１を用いて、準備基板１１を、めっき液７０に浸漬して、導体層３へ給電し、続いて、電源７１２からの導体層３への給電を維持しながら、配線回路基板１をめっき液７０から離した。具体的には、具体的には、図５Ｂに示すように、導体層３への給電を維持しながら、配線回路基板１をめっき液から引き上げた。その後、図４に示すように、電源７１２からの導体層３への給電を停止した（Ｓ４）。これによって、厚み２３μｍの合金めっき層５を形成した。合金めっき層５は、錫（第１金属）および銀（第２金属）を含む。
【0092】
めっき液７０の種類および組成は、以下の通りである。
種類：EPS-015ADM（石原ケミカル株式会社製）
アニオン成分：スルホン酸
錫：５０ｇ／Ｌ
銀：２ｇ／Ｌ
種類：EPS-015ADM（石原ケミカル株式会社製）
アニオン成分：スルホン酸
錫：５０ｇ／Ｌ
銀：２ｇ／Ｌ
【0093】
比較例１
実施例１と同様に処理して、配線回路基板１を製造した。但し、図１３に示すように、導体層３への給電を停止した（Ｓ４）後、配線回路基板１をめっき液７０から離した。
実施例１と同様に処理して、配線回路基板１を製造した。但し、図１３に示すように、導体層３への給電を停止した（Ｓ４）後、配線回路基板１をめっき液７０から離した。
【0094】
（評価）
実施例１および比較例１のそれぞれの合金めっき層５について下記を評価した。
実施例１および比較例１のそれぞれの合金めっき層５について下記を評価した。
【0095】
合金めっき層５の表面における第１金属および第２金属の総量に対する第１金属の質量比Ｒ１を、合金めっき層５の表面のエネルギー分散型Ｘ線分光分析によって求めた。
【0096】
合金めっき層５の内部における第１金属および第２金属の総量に対する第１金属の質量比Ｒ２を、中央部Ｃを切断する切断のエネルギー分散型Ｘ線分光分析によって求められた。
エネルギー分散型Ｘ線分光分析の条件は、以下の通りである。
株式会社日立ハイテク社製：FlexSEM-1000
加速電圧：15kV
その結果を表２に示す。
エネルギー分散型Ｘ線分光分析の条件は、以下の通りである。
株式会社日立ハイテク社製：FlexSEM-1000
加速電圧：15kV
その結果を表２に示す。
【0097】
【表2】
【符号の説明】
【0098】
１ 配線回路基板
２ ベース絶縁層
３ 導体層
４ カバー絶縁層
５ 合金めっき層
１１ 準備基板
３１ 端子
３２ 配線
７０ めっき液
７１ 第１めっき装置（めっき装置の一例）
７２ 第２めっき装置（めっき装置の一例）
７１１，７２１ 槽
７１２ 電源
７１５ 管
７２２ 第１電極部
７２３ 第２電極部
７２４ 液除去部
７２５ 水洗浄槽
７２４１ ロール
２ ベース絶縁層
３ 導体層
４ カバー絶縁層
５ 合金めっき層
１１ 準備基板
３１ 端子
３２ 配線
７０ めっき液
７１ 第１めっき装置（めっき装置の一例）
７２ 第２めっき装置（めっき装置の一例）
７１１，７２１ 槽
７１２ 電源
７１５ 管
７２２ 第１電極部
７２３ 第２電極部
７２４ 液除去部
７２５ 水洗浄槽
７２４１ ロール
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
