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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024116585
(43)【公開日】2024-08-28
(54)【発明の名称】電気光学装置および電子機器
(51)【国際特許分類】
G09G 3/3233 20160101AFI20240821BHJP
G09G 3/20 20060101ALI20240821BHJP
【ＦＩ】
G09G3/3233
G09G3/20 611H
G09G3/20 624B
G09G3/20 642A
G09G3/20 680A
G09G3/20 642F
G09G3/20 642P
G09G3/20 611A
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023022274
(22)【出願日】2023-02-16
(71)【出願人】
【識別番号】000002369
【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100179475
【弁理士】
【氏名又は名称】仲井 智至
(74)【代理人】
【識別番号】100216253
【弁理士】
【氏名又は名称】松岡 宏紀
(74)【代理人】
【識別番号】100225901
【弁理士】
【氏名又は名称】今村 真之
(72)【発明者】
【氏名】窪田 岳彦
【テーマコード（参考）】
5C080
5C380
【Ｆターム（参考）】
5C080AA06
5C080AA10
5C080BB05
5C080CC03
5C080DD05
5C080DD26
5C080FF11
5C080FF12
5C080JJ01
5C080JJ02
5C080JJ03
5C080JJ04
5C080JJ06
5C080KK07
5C080KK49
5C380AA01
5C380AB06
5C380AB21
5C380AB34
5C380AC02
5C380AC10
5C380AC12
5C380BA01
5C380BA39
5C380BA42
5C380BA43
5C380BB02
5C380CA12
5C380CA32
5C380CB01
5C380CC04
5C380CC07
5C380CC26
5C380CC33
5C380CC64
5C380CC72
5C380CD014
5C380CF09
5C380CF13
5C380CF43
5C380CF48
5C380CF67
5C380CF68
5C380DA02
5C380DA44
5C380EA02
5C380EA11
(57)【要約】
【課題】電気光学装置においてデータ線の寄生容量で消費される電力を低減する。
【解決手段】 画素回路１１０は、アノードからカソードに流れる電流に応じた輝度で発光するＯＬＥＤと、ゲートノードおよびソースノードの間の電圧に応じた電流をＯＬＥＤに流すトランジスターと、を含む。制御回路３０は、光センサーの検出結果である情報Ａmbおよび温度センサーの検出結果で検出である情報Ｔmpに応じて、リセット動作または非リセット動作を実行する。リセット動作は、アノードに、データ線１４を介して所定の電位を供給する動作であり、非リセット動作は、データ線１４に蓄積された電荷を、アノードに分配させる動作である。
【選択図】図５
【解決手段】 画素回路１１０は、アノードからカソードに流れる電流に応じた輝度で発光するＯＬＥＤと、ゲートノードおよびソースノードの間の電圧に応じた電流をＯＬＥＤに流すトランジスターと、を含む。制御回路３０は、光センサーの検出結果である情報Ａmbおよび温度センサーの検出結果で検出である情報Ｔmpに応じて、リセット動作または非リセット動作を実行する。リセット動作は、アノードに、データ線１４を介して所定の電位を供給する動作であり、非リセット動作は、データ線１４に蓄積された電荷を、アノードに分配させる動作である。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
周辺光の輝度を検出する光センサー、または、温度を検出する温度センサーと、
データ線と走査線とに対応して設けられる画素回路と、
前記画素回路を制御する制御回路と、
を含み、
前記画素回路は、
二つの電極の間に流れる電流に応じた輝度で発光する発光素子と、
ゲートノードの電位およびソースノードの電位の間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、
を含み、
前記制御回路は、
書込期間において、
前記ゲートノードに階調レベルに応じた電位を、前記データ線を介して供給し、
前記書込期間よりも前の第１初期化期間において、
第１動作または第２動作を、前記光センサーの検出結果、または、前記温度センサーの検出結果に応じて実行し、
前記第１動作は、
前記発光素子の一方の電極に、前記データ線を介して所定の電位を供給する動作であり、
前記第２動作は、
前記データ線に蓄積された電荷を、前記一方の電極に分配させる動作である
ことを特徴とする電気光学装置。
データ線と走査線とに対応して設けられる画素回路と、
前記画素回路を制御する制御回路と、
を含み、
前記画素回路は、
二つの電極の間に流れる電流に応じた輝度で発光する発光素子と、
ゲートノードの電位およびソースノードの電位の間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、
を含み、
前記制御回路は、
書込期間において、
前記ゲートノードに階調レベルに応じた電位を、前記データ線を介して供給し、
前記書込期間よりも前の第１初期化期間において、
第１動作または第２動作を、前記光センサーの検出結果、または、前記温度センサーの検出結果に応じて実行し、
前記第１動作は、
前記発光素子の一方の電極に、前記データ線を介して所定の電位を供給する動作であり、
前記第２動作は、
前記データ線に蓄積された電荷を、前記一方の電極に分配させる動作である
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項2】
前記光センサーおよび前記温度センサーの双方を有し、
前記制御回路は、
前記第１初期化期間において、
第１動作または第２動作を、前記光センサーの検出結果および前記温度センサーの検出結果に応じて実行する
請求項１に記載の電気光学装置。
前記制御回路は、
前記第１初期化期間において、
第１動作または第２動作を、前記光センサーの検出結果および前記温度センサーの検出結果に応じて実行する
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項3】
前記制御回路は、
前記第１初期化期間において前記第１動作を実行する場合、
前記第１初期化期間よりも前の第２初期化期間において、前記ゲートノードに前記駆動トランジスターをオフ状態にさせるオフ電位を、前記データ線を介して供給し、
前記第１初期化期間において前記第２動作を実行する場合、
前記第２初期化期間において、
前記データ線の電荷を、前記ゲートノードに分配させる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
前記第１初期化期間において前記第１動作を実行する場合、
前記第１初期化期間よりも前の第２初期化期間において、前記ゲートノードに前記駆動トランジスターをオフ状態にさせるオフ電位を、前記データ線を介して供給し、
前記第１初期化期間において前記第２動作を実行する場合、
前記第２初期化期間において、
前記データ線の電荷を、前記ゲートノードに分配させる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項4】
一端および他端を有し、一端が前記データ線に電気的に接続され、他端がオン電位を給電する給電線に電気的に接続されたスイッチング素子を有し、
前記制御回路は、
前記第１初期化期間後であって前記書込期間前の第３初期化期間において、前記スイッチング素子をオン状態に制御し、
前記オン電位は、
前記ゲートノードに供給されれば、前記駆動トランジスターをオン状態にさせる電位である
請求項３に記載の電気光学装置。
前記制御回路は、
前記第１初期化期間後であって前記書込期間前の第３初期化期間において、前記スイッチング素子をオン状態に制御し、
前記オン電位は、
前記ゲートノードに供給されれば、前記駆動トランジスターをオン状態にさせる電位である
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項5】
前記制御回路は、
前記第３初期化期間後であって前記書込期間よりも前の補償期間において、前記駆動トランジスターのゲートノードを当該駆動トランジスターの閾値に相当する電位に収束させる
請求項４に記載の電気光学装置。
前記第３初期化期間後であって前記書込期間よりも前の補償期間において、前記駆動トランジスターのゲートノードを当該駆動トランジスターの閾値に相当する電位に収束させる
請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項6】
前記制御回路は、
前記書込期間において、
前記ゲートノードに階調レベルに応じた電位を、カップリング容量および前記データ線を介して供給する
請求項１に記載の電気光学装置。
前記書込期間において、
前記ゲートノードに階調レベルに応じた電位を、カップリング容量および前記データ線を介して供給する
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項7】
請求項１乃至６のいずれかに記載の電気光学装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、以下「ＯＬＥＤ」という）素子などの発光素子を用いた電気光学装置（表示装置）が各種提案されている。電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して、上記発光素子や駆動トランジスターなどを含む画素回路が、表示すべき画像の画素に対応して設けられる構成が一般的である。
【0003】
このような構成において、画素の階調レベルに応じた電位のデータ信号が駆動トランジスターのゲートノードに供給されると、当該駆動トランジスターは、ゲートノードおよびソースノードの間の電圧に応じた電流を発光素子に供給する。これにより、当該発光素子は、階調レベルに応じた輝度で発光する。
画素回路としては、駆動トランジスターを含めて４つのトランジスターを有する構成が知られている（例えば特許文献１参照）。
画素回路としては、駆動トランジスターを含めて４つのトランジスターを有する構成が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２１－１７９６２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
電気光学装置では、小型化されて携帯機器に適用される場合、電池等の関係で低消費電力化が強く要求される。しかしながら、上記構成では、低消費電力化が十分でない、という課題がある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するために、本開示の一態様に係る電気光学装置は、周辺光の輝度を検出する光センサー、または、温度を検出する温度センサーと、データ線と走査線とに対応して設けられる画素回路と、前記画素回路を制御する制御回路と、を含み、前記画素回路は、二つの電極の間に流れる電流に応じた輝度で発光する発光素子と、ゲートノードの電位およびソースノードの電位の間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、を含み、前記制御回路は、書込期間において、前記ゲートノードに階調レベルに応じた電位を、前記データ線を介して供給し、前記書込期間よりも前の第１初期化期間において、第１動作または第２動作を、前記光センサーの検出結果、または、前記温度センサーの検出結果に応じて実行し、前記第１動作は、前記発光素子の一方の電極に、前記データ線を介して所定の電位を供給する動作であり、前記第２動作は、前記データ線に蓄積された電荷を、前記一方の電極に分配させる動作である。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】第１実施形態に係る電気光学装置が適用されたヘッドマウントディスプレイ・システムの電気的な構成を示すブロック図である。
【図2】ヘッドセットを示す斜視図である。
【図3】ヘッドセットの光学構成を示す図である。
【図4】電気光学装置を示す斜視図である。
【図5】電気光学装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図6】電気光学装置における制御回路のブロック図である。
【図7】制御回路における動作モードの指定を示す図である。
【図8】電気光学装置の画素回路を示す図である。
【図9】電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図10】電気光学装置の動作を示す図である。
【図11】電気光学装置の動作を示す図である。
【図12】電気光学装置の動作を示す図である。
【図13】電気光学装置の動作を示す図である。
【図14】電気光学装置の動作を示す図である。
【図15】電気光学装置の動作を示す図である。
【図16】電気光学装置の動作を示す図である。
【図17】初期化期間おけるデータ線電位の遷移を示す図である。
【図18】ヘッドセットを装着したユーザーで視認される像の一例を示す図である。
【図19】第２実施形態に係る電気光学装置における制御回路のブロック図である。
【図20】電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図21】電気光学装置の動作を示す図である。
【図22】初期化期間おけるデータ線電位の遷移を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、実施形態に係る電気光学装置について図面を参照して説明する。なお、各図において、各部の寸法および縮尺は、実際のものと適宜に異ならせてある。また、以下に述べる実施の形態は、好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本開示の範囲は、以下の説明において特に本開示を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【0009】
図１は、第１実施形態に係る電気光学装置を適用したヘッドマウントディスプレイ・システム１の構成を示すブロック図である。なお、ヘッドマウントディスプレイ・システム１は、電気光学装置を適用した電子機器の一例である。
図に示されるように、ヘッドマウントディスプレイ・システム１は、メインコントローラー２０とヘッドセット３００とを含む。
図に示されるように、ヘッドマウントディスプレイ・システム１は、メインコントローラー２０とヘッドセット３００とを含む。
【0010】
メインコントローラー２０は、映像データＶid_L、Ｖid_Rおよび同期信号Ｓyncを、ケーブル１８を介してヘッドセット３００に出力する。映像データＶid_Lは、左眼用の映像を構成する各画素の階調レベルをＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）毎に例えば８ビットで指定する。映像データＶid_Rは、右眼用の映像を構成する各画素の階調レベルを同様にＲＧＢ毎に８ビットで指定する。
同期信号Ｓyncには、映像データＶid_LまたはＶid_Rの垂直走査開始を指示する垂直同期信号や、水平走査開始を指示する水平同期信号、および、映像データの１画素分のタイミングを示すドットクロック信号が含まれる。
同期信号Ｓyncには、映像データＶid_LまたはＶid_Rの垂直走査開始を指示する垂直同期信号や、水平走査開始を指示する水平同期信号、および、映像データの１画素分のタイミングを示すドットクロック信号が含まれる。
【0011】
ヘッドセット３００は、電気光学装置１０Ｌ、１０Ｒおよび光センサー３３０を含む。電気光学装置１０Ｌは左眼用であり、電気光学装置１０Ｒは右眼用であり、それぞれカラー画像を表示するマイクロディスプレイである。電気光学装置１０Ｌおよび１０Ｒは、半導体基板に複数の画素回路や、当該画素回路を駆動する駆動回路などが集積される。半導体基板としては、典型的にはシリコン基板であるが、他の半導体基板であってもよい。
【0012】
本実施形態では、電気光学装置１０Ｌおよび１０Ｒに異なる映像、具体的には視差を伴う映像を表示させることで、奥行きや立体感を装着者に知覚させることができる。ただし、立体感等を知覚させる必要がない場合には、映像データＶid_LおよびＶid_Rが共通化されて、電気光学装置１０Ｌおよび１０Ｒに、同じ映像が表示される。
【0013】
光センサー３３０は、ヘッドセット３００の周辺光の輝度を検出する。より具体的には、光センサー３３０は、ヘッドセット３００の装着者が電気光学装置１０Ｌおよび１０Ｒによる表示画像を、外の様子と重ね合わせたシースルー状態で観察する場合に、当該表示画像と重ね合わされる外の輝度を検出する。
なお、光センサー３３０によって検出された輝度は、例えばデジタルに変換され、情報Ａmbとして電気光学装置１０Ｌおよび１０Ｒにそれぞれ供給される。
なお、光センサー３３０によって検出された輝度は、例えばデジタルに変換され、情報Ａmbとして電気光学装置１０Ｌおよび１０Ｒにそれぞれ供給される。
【0014】
図２は、ヘッドマウントディスプレイ・システム１におけるヘッドセット３００を示す斜視図であり、図３は、ヘッドセット３００の光学構成を示す図である。
図２に示されるように、ヘッドセット３００は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル３１０や、ブリッジ３２０、レンズ３０１Ｌ、３０１Ｒを有する。また、ヘッドセット３００は、図３に示されるように、ブリッジ３２０近傍であってレンズ３０１Ｌ、３０１Ｒの奥側（図において下側）には、左眼用の電気光学装置１０Ｌと右眼用の電気光学装置１０Ｒとが設けられる。
図２に示されるように、ヘッドセット３００は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル３１０や、ブリッジ３２０、レンズ３０１Ｌ、３０１Ｒを有する。また、ヘッドセット３００は、図３に示されるように、ブリッジ３２０近傍であってレンズ３０１Ｌ、３０１Ｒの奥側（図において下側）には、左眼用の電気光学装置１０Ｌと右眼用の電気光学装置１０Ｒとが設けられる。
【0015】
電気光学装置１０Ｌの画像表示面は、図３において左側となるように配置している。これによって電気光学装置１０Ｌによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｌを介して図において９時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｌは、電気光学装置１０Ｌによる表示画像を６時の方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。電気光学装置置１０Ｒの画像表示面は、電気光学装置１０Ｌとは反対の右側となるように配置している。これによって電気光学装置１０Ｒによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｒを介して図において３時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｒは、電気光学装置１０Ｒによる表示画像を６時方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。
この構成により、ヘッドセット３００の装着者は、電気光学装置１０Ｌおよび１０Ｒによる表示画像を、シースルー状態で観察することができる。
この構成により、ヘッドセット３００の装着者は、電気光学装置１０Ｌおよび１０Ｒによる表示画像を、シースルー状態で観察することができる。
【0016】
なお、電気光学装置１０Ｌおよび１０Ｒの電気的な構成において差はない。このため、電気光学装置１０Ｌおよび１０Ｒついては、左眼用および右眼用と区別して説明する必要がない場合、映像データＶidが供給される電気光学装置１０として一般化して説明する。
【0017】
図４は、電気光学装置１０の構成を示す斜視図である。この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００で開口する枠状のケース１９２に収納される。電気光学装置１０は、ＦＰＣ基板１９４の一端に接続される。なお、ＦＰＣとは、Flexible Printed Circuitsの略称である。ＦＰＣ基板１９４の他端は、ヘッドセット３０における中継基板（図示省略）に接続される。当該中継基板には、メインコントローラー２０からケーブル１８を介して映像データＶid_L、Ｖid_Rおよび同期信号Ｓyncが供給されて、電気光学装置１０Ｒおよび１０Ｌに分配される。
【0018】
すなわち、電気光学装置１０Ｌには、映像データＶid_Lおよび同期信号Ｓyncがメインコントローラー２０からケーブル１８、中継基板、ＦＰＣ基板１９４を順に介して供給される。また、電気光学装置１０Ｒには、映像データＶid_Rおよび同期信号Ｓyncがメインコントローラー２０からケーブル１８、中継基板、ＦＰＣ基板１９４を順に介して供給される。
【0019】
なお、図４において、Ｘ方向は、電気光学装置１０における走査線の延在方向を示し、Ｙ方向は、データ線の延在方向を示す。Ｘ方向およびＹ方向で定まる二次元平面が半導体基板の基板面である。Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向に垂直であって、ＯＬＥＤから発せられる光の出射方向である。
【0020】
図５は、電気光学装置１０の電気的な構成を示すブロック図である。図に示されるように、電気光学装置１０は、制御回路４０、データ信号出力回路５０、補助回路６０、ｎ個の容量素子７０、初期化回路８０、温度センサー９０、表示領域１００および走査線駆動回路１２０を含む。
【0021】
表示領域１００では、ｍ行の走査線１２が図においてＸ方向に沿って設けられ、ｎ列のデータ線１４が、Ｙ方向に沿って、かつ、各走査線１２と互いに電気的に絶縁を保つように設けられる。なお、ｍ、ｎは、２以上の整数である。
【0022】
表示領域１００には、画素回路１１０が、ｍ行の走査線１２とｎ列のデータ線１４との交差に対応して設けられる。このため、画素回路１１０は、縦ｍ行×横ｎ列でマトリクス状に配列する。マトリクス配列のうち、行（ロウ）を区別するために、図において上から順に１、２、３、…、（ｍ－１）、ｍ行目と呼ぶことがある。同様にマトリクスの列（カラム）を区別するために、図において左から順に１、２、３、…、（ｎ－１）、ｎ列目と呼ぶことがある。
走査線１２を一般化して説明するために、１以上ｍ以下の整数（ｉ－１）およびｉが用いられる。また、データ線１４を一般化して説明するために、１以上ｎ以下の整数ｊが用いられる。
走査線１２を一般化して説明するために、１以上ｍ以下の整数（ｉ－１）およびｉが用いられる。また、データ線１４を一般化して説明するために、１以上ｎ以下の整数ｊが用いられる。
【0023】
温度センサー９０は、電気光学装置１０（半導体基板）に形成され、周辺温度を検出する。なお、温度センサー９０によって検出された温度は、例えばデジタルに変換され、情報Ｔmpとしては、制御回路４０に供給される。
制御回路４０は、情報Ａmb、Ｔempのほか、メインコントローラー２０から供給される映像データＶidや同期信号Ｓyncに応じて各部を制御する。
制御回路４０は、情報Ａmb、Ｔempのほか、メインコントローラー２０から供給される映像データＶidや同期信号Ｓyncに応じて各部を制御する。
【0024】
実施形態において表示すべき画像の画素と表示領域１００における画素回路１１０とは一対一に対応する。
ホスト装置から供給される映像データＶidにおいて階調レベルで示される明るさの特性と、画素回路１１０に含まれるＯＬＥＤの輝度の特性とは、必ずしも一致しない。そこで、制御回路４０は、映像データＶidで指定される階調レベルに対応した輝度でＯＬＥＤを発光させるために、映像データＶidの８ビットを、実施形態では例えば１０ビットにアップコンバージョンして、映像データＶdataとして出力する。このため、１０ビットの映像データＶdataについても、階調レベルを指定することになる。すなわち、映像データＶdataは、映像データＶidで指定される階調レベルを変換した階調レベルを指定することになる。
ホスト装置から供給される映像データＶidにおいて階調レベルで示される明るさの特性と、画素回路１１０に含まれるＯＬＥＤの輝度の特性とは、必ずしも一致しない。そこで、制御回路４０は、映像データＶidで指定される階調レベルに対応した輝度でＯＬＥＤを発光させるために、映像データＶidの８ビットを、実施形態では例えば１０ビットにアップコンバージョンして、映像データＶdataとして出力する。このため、１０ビットの映像データＶdataについても、階調レベルを指定することになる。すなわち、映像データＶdataは、映像データＶidで指定される階調レベルを変換した階調レベルを指定することになる。
【0025】
なお、アップコンバージョンには、入力である映像データＶidの８ビットと、出力である映像データＶdataの１０ビットとの対応関係を予め記憶したルックアップテーブルが用いられる。
また、制御回路４０は、各部を制御するために各種の制御信号を生成するが、詳細については後述する。
また、制御回路４０は、各部を制御するために各種の制御信号を生成するが、詳細については後述する。
【0026】
走査線駆動回路１２０は、各種の信号を出力して、制御回路４０による制御にしたがって、ｍ行ｎ列で配列する画素回路１１０を１行毎に駆動するための回路である。例えば走査線駆動回路１２０は、１、２、３、…、（ｍ－１）、ｍ行目の走査線１２に、順に走査信号／Ｇwr(1)、／Ｇwr(2)、…、／Ｇwr(m-1)、／Ｇwr(m)を供給する。一般的には、（ｉ－１）行目の走査線１２に供給される走査信号が／Ｇwr(i-1)と表記される。走査線駆動回路１２０は、走査信号／Ｇwr(1)～／Ｇwr(m)の他にも各種の制御信号を出力する。
【0027】
データ信号出力回路５０は、走査線駆動回路１２０によって選択（水平走査）された行に位置する画素回路１１０に向けて、輝度に応じた電圧の信号を出力する回路である。詳細には、データ信号出力回路５０は、選択回路群５２、第１ラッチ回路群５４、第２ラッチ回路群５６およびｎ個のＤＡ変換回路５００を含む。
選択回路群５２は、ｎ列と一対一に対応した選択回路５２０を含み、第１ラッチ回路群５４は、ｎ列と一対一に対応した第１ラッチ回路Ｌ１を含み、第２ラッチ回路群５６は、ｎ列と一対一に対応した第２ラッチ回路Ｌ２を含む。また、ｎ個のＤＡ変換回路５００は、ｎ列に一対一に対応する。
選択回路群５２は、ｎ列と一対一に対応した選択回路５２０を含み、第１ラッチ回路群５４は、ｎ列と一対一に対応した第１ラッチ回路Ｌ１を含み、第２ラッチ回路群５６は、ｎ列と一対一に対応した第２ラッチ回路Ｌ２を含む。また、ｎ個のＤＡ変換回路５００は、ｎ列に一対一に対応する。
【0028】
すなわち、各例に対応して、選択回路５２０、第１ラッチ回路Ｌ１、第２ラッチ回路Ｌ２およびＤＡ変換回路５００の組が設けられる。ここで、ｊ列目の選択回路５２０は、制御回路４０から出力される映像データＶdataのうち、ｊ列目の映像データの選択をｊ列目の第１ラッチ回路Ｌ１に指示し、ｊ列目の第１ラッチ回路Ｌ１は、当該指示にしたがって映像データＶdataをラッチする。ｊ列目の第２ラッチ回路Ｌ２は、ｊ列目の第１ラッチ回路Ｌ１によりラッチされた映像データＶdataを、制御回路４０による制御にしたがって、後述する書込期間（Ｃ）においてｊ列目のＤＡ変換回路５００に出力する。
【0029】
ｊ列目のＤＡ変換回路５００は、ｊ列目の第２ラッチ回路Ｌ２から出力された１０ビットの映像データＶdataをアナログの信号に変換し、ｊ列目のデータ信号出力線１４ｃに出力する。換言すれば、データ信号出力線１４ｃはデータ線１４と一対一に対応して設けられ、ｊ列目のＤＡ変換回路５００における出力端は、ｊ列目のデータ信号出力線１４ｃに接続される。
【0030】
補助回路６０は、データ信号出力線１４ｃと一対一に対応して設けられたトランジスター６２の集合体である。ｊ列目に対応するトランジスター６２のソースノードは電位Ｖrefの給電線に接続され、トランジスター６２のドレインノードは当該ｊ列目のデータ信号出力線１４ｃに接続される。また、各列におけるトランジスター６２のゲートノードには、制御回路４０から出力される制御信号／Ｇrefが共通に供給される。
【0031】
ｎ個の容量素子７０は、データ信号出力線１４ｃおよびデータ線１４の組と一対一に対応して設けられる。詳細には、ｊ列目の容量素子７０の一端はｊ列目のデータ信号出力線１４ｃに接続され、ｊ列目の容量素子７０の他端はｊ列目のデータ線１４に接続される。
なお、映像データＶdataは、映像データＶidで指定される階調レベルに対応し、ＤＡ変換回路５００は、当該映像データＶdataをアナログ信号に変換し、当該アナログ信号が容量素子７０を介し、データ信号としてデータ線１４に供給される。このため、データ線１４に供給されるデータ信号の電位は、映像データＶidおよび映像データＶdataで指定される階調レベルに対応することになる。
なお、映像データＶdataは、映像データＶidで指定される階調レベルに対応し、ＤＡ変換回路５００は、当該映像データＶdataをアナログ信号に変換し、当該アナログ信号が容量素子７０を介し、データ信号としてデータ線１４に供給される。このため、データ線１４に供給されるデータ信号の電位は、映像データＶidおよび映像データＶdataで指定される階調レベルに対応することになる。
【0032】
初期化回路８０は、データ線１４に一対一に対応して設けられた、トランジスター８２、８４および８６の組の集合体である。
ｊ列目に対応するトランジスター８２のソースノードは電位Ｖelの給電線に接続され、トランジスター８２のドレインノードは当該ｊ列目のデータ線１４に接続される。また、各列におけるトランジスター８２のゲートノードには、制御回路４０から出力される制御信号／Ｄrstが共通に供給される。なお、電位Ｖelは、電源電圧の高位電位として用いられる。
ｊ列目に対応するトランジスター８２のソースノードは電位Ｖelの給電線に接続され、トランジスター８２のドレインノードは当該ｊ列目のデータ線１４に接続される。また、各列におけるトランジスター８２のゲートノードには、制御回路４０から出力される制御信号／Ｄrstが共通に供給される。なお、電位Ｖelは、電源電圧の高位電位として用いられる。
【0033】
ｊ列目に対応するトランジスター８４のソースノードは電位Ｖiniの給電線に接続され、トランジスター８４のドレインノードは当該ｊ列目のデータ線１４に接続される。また、各列におけるトランジスター８４のゲートノードには、制御回路４０から出力される制御信号／Ｇiniが共通に供給される。
【0034】
ｊ列目に対応するトランジスター８６のソースノードは電位Ｖorstの給電線に接続され、トランジスター８６のドレインノードは当該ｊ列目のデータ線１４に接続される。また、各列におけるトランジスター８６のゲートノードには、制御回路４０から出力される制御信号／Ｇrstが共通に供給される。なお、電位Ｖorstは、例えば電位Ｇnd、または、当該電位Ｇndに近い低位の電位である。具体的には、電位Ｖorstは、仮にＯＬＥＤのアノードに給電された場合に、当該ＯＬＥＤに電流が流れない程度の電位である。
【0035】
各列のデータ線１４にはそれぞれ容量成分が寄生する。図では、当該容量成分が寄生容量７２として表記されている。すなわち、当該寄生容量７２は、電気的にみれば一端がデータ線１４に接続され、他端が電位一定の給電線に接続された容量素子として表されている。
また、図において１、２、…、（ｎ－１）、ｎ列目におけるデータ線１４の電位が、順にＶd(1)、Ｖd(2)、…、Ｖd(n-1)、Ｖd(n)と表記される。一般的には、ｊ列目におけるデータ線１４の電位はＶd(j)と表記される。
また、図において１、２、…、（ｎ－１）、ｎ列目におけるデータ線１４の電位が、順にＶd(1)、Ｖd(2)、…、Ｖd(n-1)、Ｖd(n)と表記される。一般的には、ｊ列目におけるデータ線１４の電位はＶd(j)と表記される。
【0036】
図６は、電気光学装置１０における制御回路４０の構成を示すブロック図である。なお、図６では、制御回路４０のうち、各種の制御信号を生成するための構成だけが示されており、映像データＶidを映像データＶdataに変換して出力するための構成や、データ信号出力回路５０および走査線駆動回路１２０を制御するための構成が省略されている。
【0037】
この図に示されるように制御回路４０は、判定部４０２、生成制御部４０４、信号生成部４１２、４１４、４１６および４２２を含む。
判定部４０２は、情報Ａmbで示される輝度および情報Ｔmpで示される温度に応じて、リセット動作を実行するか、または、リセット動作を実行しない（非リセット動作を実行する）かを判定し、当該判定内容を制御信号Ｃrstの論理レベルで指定する。リセット動作は、特許請求の範囲でいう第１動作に相当し、非リセット動作は、特許請求の範囲でいう第２動作に相当する。
生成制御部４０４は、信号生成部４１２、４１４、４１６および４２２による制御信号の生成を制御する。詳細には、信号生成部４１２は制御信号／Ｄrstを生成し、信号生成部４１４は制御信号／Ｇiniを生成し、信号生成部４１６は、制御信号／Ｇrstを生成し、信号生成部４２２は制御信号／Ｇrefを生成する。ただし、信号生成部４１６は、制御信号ＣrstがＨレベルであれば、制御信号／Ｇrstを強制的にＨレベルとする。また、制御信号／Ｄrst、／Ｇini、／Ｇrstおよび／Ｇrefの具体的な信号波形については後述する。
判定部４０２は、情報Ａmbで示される輝度および情報Ｔmpで示される温度に応じて、リセット動作を実行するか、または、リセット動作を実行しない（非リセット動作を実行する）かを判定し、当該判定内容を制御信号Ｃrstの論理レベルで指定する。リセット動作は、特許請求の範囲でいう第１動作に相当し、非リセット動作は、特許請求の範囲でいう第２動作に相当する。
生成制御部４０４は、信号生成部４１２、４１４、４１６および４２２による制御信号の生成を制御する。詳細には、信号生成部４１２は制御信号／Ｄrstを生成し、信号生成部４１４は制御信号／Ｇiniを生成し、信号生成部４１６は、制御信号／Ｇrstを生成し、信号生成部４２２は制御信号／Ｇrefを生成する。ただし、信号生成部４１６は、制御信号ＣrstがＨレベルであれば、制御信号／Ｇrstを強制的にＨレベルとする。また、制御信号／Ｄrst、／Ｇini、／Ｇrstおよび／Ｇrefの具体的な信号波形については後述する。
【0038】
図７は、判定部４０２における判定を示す図である。判定部４０２は、情報Ａmbで示される輝度および情報Ｔmpで示される温度を判定して、次のような論理レベルの制御信号Ｃrstを出力する。すなわち、判定部４０２は、情報Ａmbで示される輝度が閾値Ｌth未満であって、かつ、情報Ｔmbで示される温度が閾値Ｔth未満であれば、制御信号ＣrstをＬレベルとし、それ以外であれば、制御信号ＣrstをＨレベルとする。
【0039】
ここで、制御信号Ｃrstは、リセット動作を実行するか、または、非リセット動作を実行するか指定する。すなわち、検出された輝度が閾値Ｌthよりも暗く、かつ、検出された温度が閾値Ｔth未満であれば、リセット動作が指定され、それ以外であれば、非リセット動作が指定される。
【0040】
図８は、画素回路１１０を示す回路図である。ｍ行ｎ列で配列する画素回路１１０は電気的にみれば互いに同一である。このため、画素回路１１０については、ｉ行ｊ列に位置する画素回路１１０で代表させて説明する。
【0041】
図に示されるように、画素回路１１０は、ＯＬＥＤ１３０と、ｐ型のトランジスター１２１～１２４と、容量素子１４０とを含む。トランジスター１２１～１２４は、例えばＭＯＳ型である。なお、ＭＯＳとは、Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistorの略称である。
また、ｉ行目の画素回路１１０には、当該ｉ行目に対応した走査信号／Ｇwr(i)のほか、制御信号／Ｇel(i)、／Ｇcmp(i)が、走査線駆動回路１２０から供給される。
また、ｉ行目の画素回路１１０には、当該ｉ行目に対応した走査信号／Ｇwr(i)のほか、制御信号／Ｇel(i)、／Ｇcmp(i)が、走査線駆動回路１２０から供給される。
【0042】
制御信号／Ｇel(i)とは、１、２、…、（ｍ－１）、ｍ行目に対応して順に供給される制御信号／Ｇel(1)、／Ｇel(2)、…、／Ｇel(m-1)、／Ｇel(m)を一般化して表記したものである。同様に、制御信号／Ｇcmp(i)は、１、２、…、（ｍ－１）、ｍ行目に対応して順に供給される制御信号／Ｇcmp(1)、／Ｇcmp(2)、…、／Ｇcmp(m)、／Ｇcmp(m)を一般化して表記したものである。
【0043】
ＯＬＥＤ１３０は、画素電極１３１と共通電極１３３とで発光機能層１３２を挟持した発光素子である。画素電極１３１はアノードとして機能し、共通電極１３３はカソードとして機能する。共通電極１３３は光透過性を有する。
ＯＬＥＤ１３０において、アノードからカソードに向かって電流が流れると、アノードから注入された正孔とカソードから注入された電子とが発光機能層１３２で再結合して励起子が生成され、白色光が発生する。
ＯＬＥＤ１３０において、アノードからカソードに向かって電流が流れると、アノードから注入された正孔とカソードから注入された電子とが発光機能層１３２で再結合して励起子が生成され、白色光が発生する。
【0044】
カラー表示とする場合、発生した白色光が、例えば図示省略された反射層と半反射半透過層とで構成された光共振器にて共振し、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれかの色に対応して設定された共振波長で出射する。光共振器から光の出射側には当該色に対応したカラーフィルターが設けられる。したがって、ＯＬＥＤ１３０からの出射光は、光共振器およびカラーフィルターによる着色を順に経て、観察者に視認される。なお、光共振器は図示省略されている。また、電気光学装置１０が単に明暗のみの単色画像を表示する場合には、上記光共振器およびカラーフィルターが省略される。
【0045】
ｉ行ｊ列における画素回路１１０のトランジスター１２１にあっては、ゲートノードｇがトランジスター１２２のドレインノードに接続され、ソースノードｓが、電位Ｖelが供給される給電線１１６に接続され、ドレインノードｄがトランジスター１２３のソースノードおよびトランジスター１２４のソースノードに接続される。容量素子１４０にあっては、一端がトランジスター１２１のゲートノードｇに接続され、他端が給電線１１６に接続される。このため、容量素子１４０は、トランジスター１２１におけるゲートノードｇおよびソースノードｓの間の電圧を保持する。
なお、容量素子１４０の他端は、電位がほぼ一定に保たれていればよいので、電位Ｖelの給電線１１６以外の、他の電位の給電線に接続されてもよい。
なお、容量素子１４０の他端は、電位がほぼ一定に保たれていればよいので、電位Ｖelの給電線１１６以外の、他の電位の給電線に接続されてもよい。
【0046】
実施形態において、容量素子１４０として、例えばトランジスターの半導体層（下部電極）とゲート電極層（上部電極）とでトランジスターのゲート絶縁層を挟持することによって形成される、いわゆるＭＯＳ容量が用いられる。なお、容量素子１４０としては、トランジスター１２１のゲートノードｇの寄生容量を用いてもよいし、半導体基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される、いわゆるメタル容量を用いてもよい。
【0047】
ｉ行ｊ列における画素回路１１０のトランジスター１２２にあっては、ゲートノードがｉ行目の走査線１２に接続され、ソースノードが当該ｊ列目のデータ線１４に接続される。ｉ行ｊ列における画素回路１１０のトランジスター１２３にあっては、ゲートノードに制御信号／Ｇcmp(i)が供給され、ドレインノードが当該ｊ列目のデータ線１４に接続される。ｉ行ｊ列における画素回路１１０のトランジスター１２４にあっては、ゲートノードに制御信号／Ｇel(i)が供給され、ドレインノードがＯＬＥＤ１３０のアノードである画素電極１３１に接続される。
ＯＬＥＤ１３０のカソードとして機能する共通電極１３３には、電位Ｖctが給電される。なお、電位Ｖctは、例えば電位Ｇnd、または、当該電位Ｇndに近い低位の電位である。
ＯＬＥＤ１３０のカソードとして機能する共通電極１３３には、電位Ｖctが給電される。なお、電位Ｖctは、例えば電位Ｇnd、または、当該電位Ｇndに近い低位の電位である。
【0048】
本説明において「電気的に接続され」または単に「接続され」とは、２以上の要素間の直接的または間接的な接続または結合を意味し、例えば半導体基板において２以上の要素間が直接的ではなくても、異なる配線層およびコンタクトホールを介して結合されることも含む。
【0049】
制御回路４０は、データ信号出力回路５０、補助回路６０、初期化回路８０および走査線駆動回路１２０を介して画素回路１１０の駆動を制御する。このため、制御回路４０、データ信号出力回路５０、補助回路６０、初期化回路８０および走査線駆動回路１２０を含めて、画素回路１１０を制御する、広義の制御回路と呼ぶことがある。
【0050】
次に、電気光学装置１０における動作について説明する。
【0051】
図９は、電気光学装置１０の動作を説明するためのタイミングチャートである。電気光学装置１０では、ｍ行の走査線１２が１つのフレーム（Ｖ）において１、２、３、…、ｍ行目という順番で１行ずつ水平走査される。フレーム（Ｖ）とは、映像データＶidで指定される画像の１コマを表示するのに要する期間をいう。フレーム（Ｖ）の時間的な長さは、垂直同期期間と同じであれば、例えば同期信号Ｓyncに含まれる垂直同期信号の周波数が６０Ｈｚであれば、当該垂直同期信号の１周期分に相当する１６．７ミリ秒である。また、１行分の水平走査に要する期間が水平走査期間（Ｈ）である。
【0052】
各行における水平走査期間（Ｈ）の動作は、画素回路１１０において共通である。また、ある水平走査期間（Ｈ）において走査される行の１～ｎ列目の画素回路１１０の動作についても、ほぼ共通である。そこで以下については、ｉ行ｊ列における画素回路１１０について着目して説明する。
【0053】
電気光学装置１０において、水平走査期間（Ｈ）は、時間の順で、初期化期間（Ａ）、補償期間（Ｂ）および書込期間（Ｃ）に分けられる。このうち、初期化期間（Ａ）は、さらに３つの初期化期間（Ａ１）、（Ａ２）および（Ａ３）に分けられる。また、画素回路１１０の動作としては、初期化期間（Ａ）、補償期間（Ｂ）および書込期間（Ｃ）とは別に、さらに発光期間（Ｄ）が加わる。
【0054】
初期化期間（Ａ１）は、トランジスター１２１をオフ状態に設定するための期間である。初期化期間（Ａ２）は、制御信号ＣrstがＬレベルであり、リセット動作が指定されていれば、ＯＬＥＤ１３０におけるアノード電位をリセットするための期間である。なお、制御信号ＣrstがＨレベルであり、非リセット動作が指定されていれば、初期化期間（Ａ２）において、ＯＬＥＤ１３０のアノード電位はリセットされない。
初期化期間（Ａ３）は、トランジスター１２１をオン状態にさせるための電位Ｖiniを、ゲートノードｇに供給するための期間である。
補償期間（Ｂ）は、トランジスター１２１のゲートノードｇを、当該トランジスター１２１の閾値電圧に応じた電位に収束させるための期間である。
書込期間（Ｃ）は、トランジスター１２１のゲートノードｇに、階調レベルに応じた電位を保持させる（書き込む）期間であり、詳細には、当該トランジスター１２１のゲートノードｇを、閾値電圧に対応した電位からＯＬＥＤ１３０に流す電流に応じた電圧分だけ変化させるための期間である。
発光期間（Ｄ）は、書込期間（Ｃ）に保持されたゲートノードｇの電位に応じた電流をＯＬＥＤ１３０に流して発光させるための期間である。
初期化期間（Ａ３）は、トランジスター１２１をオン状態にさせるための電位Ｖiniを、ゲートノードｇに供給するための期間である。
補償期間（Ｂ）は、トランジスター１２１のゲートノードｇを、当該トランジスター１２１の閾値電圧に応じた電位に収束させるための期間である。
書込期間（Ｃ）は、トランジスター１２１のゲートノードｇに、階調レベルに応じた電位を保持させる（書き込む）期間であり、詳細には、当該トランジスター１２１のゲートノードｇを、閾値電圧に対応した電位からＯＬＥＤ１３０に流す電流に応じた電圧分だけ変化させるための期間である。
発光期間（Ｄ）は、書込期間（Ｃ）に保持されたゲートノードｇの電位に応じた電流をＯＬＥＤ１３０に流して発光させるための期間である。
【0055】
本説明において、トランジスターの「オン状態」とは、当該トランジスターにおけるソースノードおよびドレインノードの間が電気的に閉じて低インピーダンス状態になることをいう。また、トランジスターの「オフ状態」とは、ソースノードおよびドレインノードの間が電気的に開いて高インピーダンス状態になることをいう。
【0056】
各水平走査期間（Ｈ）の初期化期間（Ａ１）では、制御信号／ＤrstがＬレベルであり、制御信号／ＧiniがＨレベルであり、制御信号／ＧrefがＬレベルである。このため、各列のトランジスター８２がオン状態になり、各列のトランジスター８４がオフ状態になり、各列のトランジスター６２がオン状態になる。
初期化期間（Ａ１）では、制御信号Ｃrstに関係なく、制御信号／ＧrstがＨレベルである。このため、各列のトランジスター８６がオフ状態になる。
初期化期間（Ａ１）では、制御信号Ｃrstに関係なく、制御信号／ＧrstがＨレベルである。このため、各列のトランジスター８６がオフ状態になる。
【0057】
また、ｉ行目における水平走査期間（Ｈ）の初期化期間（Ａ１）では、走査信号／Ｇwr(i)がＬレベルであり、制御信号／Ｇcmp(i)がＨレベルであり、制御信号／Ｇel(i)がＨレベルである。このため、初期化期間（Ａ１）では、ｉ行ｊ列の画素回路１１０においてトランジスター１２２がオン状態であり、トランジスター１２３がオフ状態であり、トランジスター１２４がオフ状態である。
【0058】
したがって、初期化期間（Ａ１）では、図１０に示されるように、ｉ行ｊ列の画素回路１１０では、電位Ｖelが、トランジスター８２、ｊ列目のデータ線１４およびトランジスター１２２を順に介して、容量素子１４０の一端、および、トランジスター１２１のゲートノードｇに供給される。ゲートノードｇが電位Ｖelになると、ゲートノードｇおよびソースノードｓの間の電圧がゼロになるので、トランジスター１２１は強制的にオフ状態になる。
【0059】
なお、初期化期間（Ａ１）において、ｊ列目のデータ信号出力線１４ｃは、トランジスター６２のオン状態によって電位Ｖrefになる。
ｊ列目のデータ線１４が電位Ｖelになるので、容量素子７０の両端電圧は｜Ｖel－Ｖref｜になり、寄生容量７２の一端は電位Ｖelに保持される。電位Ｖelは電源電圧の高位であるので、ｊ列目における容量素子７０および寄生容量７２は、充電されることになる。
ｊ列目のデータ線１４が電位Ｖelになるので、容量素子７０の両端電圧は｜Ｖel－Ｖref｜になり、寄生容量７２の一端は電位Ｖelに保持される。電位Ｖelは電源電圧の高位であるので、ｊ列目における容量素子７０および寄生容量７２は、充電されることになる。
【0060】
各水平走査期間（Ｈ）において初期化期間（Ａ２）では、制御信号／ＤrstがＨレベルに変化し、制御信号／ＧiniがＨレベルを維持し、制御信号／ＧrefがＬレベルを維持する。このため、各列のトランジスター８２がオフ状態に変化し、各列のトランジスター８４がオフ状態を維持し、各列のトランジスター６２がオン状態を維持する。
初期化期間（Ａ２）において、制御信号／Ｇrstのレベルは制御信号Ｃrstによって指定される。具体的には、初期化期間（Ａ２）において、制御信号ＣrstがＬレベルであり、リセット動作が指定されれば、制御信号／ＧrstがＬレベルに変化する。このため、各列のトランジスター８６がオン状態に変化する。
初期化期間（Ａ２）において、制御信号／Ｇrstのレベルは制御信号Ｃrstによって指定される。具体的には、初期化期間（Ａ２）において、制御信号ＣrstがＬレベルであり、リセット動作が指定されれば、制御信号／ＧrstがＬレベルに変化する。このため、各列のトランジスター８６がオン状態に変化する。
【0061】
また、ｉ行目における水平走査期間（Ｈ）の初期化期間（Ａ２）では、走査信号／Ｇwr(i)がＨレベルに変化し、制御信号／Ｇcmp(i)がＬレベルに変化し、制御信号／Ｇel(i)がＬレベルに変化する。このため、ｉ行ｊ列の画素回路１１０においてトランジスター１２２がオフ状態に変化し、トランジスター１２３がオン状態に変化し、トランジスター１２４がオン状態に変化する。
【0062】
リセット動作が指定された初期化期間（Ａ２）では、トランジスター８６がオン状態によって、ｊ列目のデータ線１４が電位Ｖorstになる。したがって、リセット動作が指定された初期化期間（Ａ２）では、図１１に示されるように、ｉ行ｊ列の画素回路１１０におけるＯＬＥＤ１３０のアノードが、トランジスター１２４、１２３、ｊ列目のデータ線１４およびトランジスター８６を順に介して電位Ｖorstにリセットされる（リセット動作）。換言すれば、当該ＯＬＥＤ１３０のアノードに、トランジスター１２４、１２３、ｊ列目のデータ線１４およびトランジスター８６を順に介して所定の電位である電位Ｖorstが供給される。
【0063】
なお、初期化期間（Ａ２）において、ｊ列目のデータ信号出力線１４ｃは、トランジスター６２のオン状態が維持されることによって初期化期間（Ａ１）から引き続いて電位Ｖrefである。
また、ｊ列目のデータ線１４が電位Ｖorstになるので、容量素子７０の両端電圧は｜Ｖorst－Ｖref｜になり、寄生容量７２の一端は電位Ｖorstに保持される。電位ＶelおよびＶorstは、
Ｖel＞Ｖorst
という関係にあるので、ｊ列目における容量素子７０および寄生容量７２は放電されることになる。
また、ｊ列目のデータ線１４が電位Ｖorstになるので、容量素子７０の両端電圧は｜Ｖorst－Ｖref｜になり、寄生容量７２の一端は電位Ｖorstに保持される。電位ＶelおよびＶorstは、
Ｖel＞Ｖorst
という関係にあるので、ｊ列目における容量素子７０および寄生容量７２は放電されることになる。
【0064】
一方、初期化期間（Ａ２）において、制御信号ＣrstがＨレベルであり、非リセット動作が指定されれば、制御信号／ＧrstがＨレベルに維持される。このため、各列のトランジスター８６がオフ状態を維持する。
直前の初期化期間（Ａ１）では、データ線１４が電位Ｖelであり、当該電位Ｖelは容量素子７０の他端および寄生容量７２の一端に保持されている。このため、ｉ行ｊ列の画素回路１１０におけるＯＬＥＤ１３０には、図１２に示されるように、容量素子７０および寄生容量７２から電荷が流出して、データ線１４、トランジスター１２３、１２４を順に介してＯＬＥＤ１３０に向かう（非リセット動作）。
直前の初期化期間（Ａ１）では、データ線１４が電位Ｖelであり、当該電位Ｖelは容量素子７０の他端および寄生容量７２の一端に保持されている。このため、ｉ行ｊ列の画素回路１１０におけるＯＬＥＤ１３０には、図１２に示されるように、容量素子７０および寄生容量７２から電荷が流出して、データ線１４、トランジスター１２３、１２４を順に介してＯＬＥＤ１３０に向かう（非リセット動作）。
【0065】
容量素子７０および寄生容量７２から流出した電荷によって、ＯＬＥＤ１３０の寄生容量が満充電になると、電荷が溢れてＯＬＥＤ１３０（の発光機能層１３２）に流れるので、当該ＯＬＥＤ１３０が発光することがある。
【0066】
なお、電荷の流出によってｊ列目における容量素子７０および寄生容量７２は放電になるので、データ線１４は電位Ｖelから低下する。なお、この放電は、ｊ列目のデータ線１４を介してＯＬＥＤ１３０の寄生容量に電荷を分配する程度であり、微量である。
このため、ｉ行目の水平走査期間のうち、非リセット動作が指定された初期化期間（Ａ２）では、ｊ列目のデータ線１４およびｉ行ｊ列におけるアノードは、厳密にいえば電位Ｖorstおよび電位Ｖelの間の電位になるが、ほぼ電位Ｖelであるといって差し支えない。
このため、ｉ行目の水平走査期間のうち、非リセット動作が指定された初期化期間（Ａ２）では、ｊ列目のデータ線１４およびｉ行ｊ列におけるアノードは、厳密にいえば電位Ｖorstおよび電位Ｖelの間の電位になるが、ほぼ電位Ｖelであるといって差し支えない。
【0067】
各水平走査期間（Ｈ）において初期化期間（Ａ３）では、制御信号／ＤrstがＨレベルを維持し、制御信号／ＧiniがＬレベルに変化し、制御信号／ＧrefがＬレベルを維持する。このため、各列のトランジスター８２がオフ状態を維持し、各列のトランジスター８４がオン状態に変化し、各列のトランジスター６２がオン状態を維持する。
初期化期間（Ａ３）以降では、制御信号Ｃrstに関係なく、制御信号／ＧrstがＨレベルである。このため、各列のトランジスター８６がオフ状態になる。
初期化期間（Ａ３）以降では、制御信号Ｃrstに関係なく、制御信号／ＧrstがＨレベルである。このため、各列のトランジスター８６がオフ状態になる。
【0068】
また、ｉ行目における水平走査期間（Ｈ）の初期化期間（Ａ３）では、走査信号／Ｇwr(i)がＬレベルに変化し、制御信号／Ｇcmp(i)がＨレベルに変化し、制御信号／Ｇel(i)がＨレベルに変化する。このため、ｉ行ｊ列の画素回路１１０においてトランジスター１２２がオン状態に変化し、トランジスター１２３がオフ状態に変化し、トランジスター１２４がオフ状態に変化する。
【0069】
したがって、初期化期間（Ａ３）では、図１３に示されるように、ｉ行ｊ列の画素回路１１０において、電位Ｖiniが、トランジスター８４、ｊ列目のデータ線１４およびトランジスター１２２を順に介して、容量素子１４０の一端、および、トランジスター１２１のゲートノードｇに供給される。
【0070】
なお、初期化期間（Ａ３）において、ｊ列目のデータ信号出力線１４ｃは、トランジスター６２のオン状態が維持されることによって初期化期間（Ａ１）から引き続いて電位Ｖrefである。
また、ｊ列目のデータ線１４が電位Ｖiniになるので、容量素子７０の両端電圧は｜Ｖini－Ｖref｜になり、寄生容量７２の一端は電位Ｖiniに保持される。電位ＶiniおよびＶorstは、
（Ｖel＞）Ｖini＞Ｖorst
という関係にある。
このため、容量素子７０および寄生容量７２は、初期化期間（Ａ２）においてリセット動作が指定されていれば、充電されることになり、非リセット動作が指定されていれば、ほぼ充放電なしである。
なお、図１３では、容量素子７０および寄生容量７２が充電される場合を示している。
また、ｊ列目のデータ線１４が電位Ｖiniになるので、容量素子７０の両端電圧は｜Ｖini－Ｖref｜になり、寄生容量７２の一端は電位Ｖiniに保持される。電位ＶiniおよびＶorstは、
（Ｖel＞）Ｖini＞Ｖorst
という関係にある。
このため、容量素子７０および寄生容量７２は、初期化期間（Ａ２）においてリセット動作が指定されていれば、充電されることになり、非リセット動作が指定されていれば、ほぼ充放電なしである。
なお、図１３では、容量素子７０および寄生容量７２が充電される場合を示している。
【0071】
初期化期間（Ａ３）が終了すると補償期間（Ｂ）になる。各水平走査期間（Ｈ）において補償期間（Ｂ）では、制御信号／ＤrstがＨレベルを維持し、制御信号／ＧiniがＨレベルに変化し、制御信号／ＧrefがＬレベルを維持する。このため、各列のトランジスター８２がオフ状態を維持し、各列のトランジスター８４がオフ状態に変化し、各列のトランジスター６２がオン状態を維持する。
補償期間（Ｂ）では、制御信号Ｃrstに関係なく、制御信号／ＧrstがＨレベルである。このため、各列のトランジスター８６がオフ状態を維持する。
補償期間（Ｂ）では、制御信号Ｃrstに関係なく、制御信号／ＧrstがＨレベルである。このため、各列のトランジスター８６がオフ状態を維持する。
【0072】
また、ｉ行目の水平走査期間（Ｈ）の補償期間（Ｂ）では、走査信号／Ｇwr(i)がＬレベルを維持し、制御信号／Ｇcmp(i)がＬレベルに変化し、制御信号／Ｇel(i)がＨレベルを維持する。このため、ｉ行ｊ列の画素回路１１０においてトランジスター１２２がオン状態を維持し、トランジスター１２３がオン状態に変化し、トランジスター１２４がオフ状態を維持する。
【0073】
補償期間（Ｂ）の始期においてｉ行目の画素回路１１０では、容量素子１４０によってトランジスター１２１のゲートノードｇが電位Ｖiniに保持されている。ゲートノードｇが電位Ｖiniになっているときに、トランジスター１２３がオン状態になると、トランジスター１２１がダイオード接続になる。
【0074】
したがって、補償期間（Ｂ）では、図１４に示されるように、当該トランジスター１２１におけるゲートノードｇおよびソースノードｓの間の電圧は、当該トランジスター１２１の閾値電圧Ｖth（に近い電圧）に収束する。すなわち、トランジスター１２１におけるゲートノードｇおよびデータ線１４の電位は閾値相当電位（Ｖel－Ｖth）に収束する。
【0075】
ｉ行目の補償期間（Ｂ）では、各列のトランジスター６２がオン状態を維持するので、各列のデータ信号出力線１４ｃが電位Ｖrefに保たれる。
また、データ線１４が閾値相当電位（Ｖel－Ｖth）に収束するので、容量素子７０の両端電圧は｜Ｖel－Ｖth－Ｖref｜になり、寄生容量７２の一端は閾値相当電位（Ｖel－Ｖth）に保持される。
また、データ線１４が閾値相当電位（Ｖel－Ｖth）に収束するので、容量素子７０の両端電圧は｜Ｖel－Ｖth－Ｖref｜になり、寄生容量７２の一端は閾値相当電位（Ｖel－Ｖth）に保持される。
【0076】
補償期間（Ｂ）が終了すると書込期間（Ｃ）になる。各水平走査期間（Ｈ）において書込期間（Ｃ）では、制御信号／ＤrstがＨレベルを維持し、制御信号／ＧiniがＨレベルを維持し、制御信号／ＧrefがＨレベルに変化する。このため、各列のトランジスター８２がオフ状態を維持し、各列のトランジスター８４がオフ状態を維持し、各列のトランジスター６２がオフ状態に変化する。
また、書込期間（Ｃ）では、制御信号Ｃrstに関係なく、制御信号／ＧrstがＨレベルである。このため、各列のトランジスター８６がオフ状態を維持する。
また、書込期間（Ｃ）では、制御信号Ｃrstに関係なく、制御信号／ＧrstがＨレベルである。このため、各列のトランジスター８６がオフ状態を維持する。
【0077】
ｉ行目の水平走査期間（Ｈ）の書込期間（Ｃ）では、走査信号／Ｇwr(i)がＬレベルを維持し、制御信号／Ｇcmp(i)がＨレベルに変化し、制御信号／Ｇel(i)がＨレベルを維持する。このため、ｉ行ｊ列の画素回路１１０においてトランジスター１２２がオン状態を維持し、トランジスター１２３がオフ状態に変化し、トランジスター１２４がオフ状態を維持する。
【0078】
書込期間（Ｃ）において、各列のトランジスター６２がオフ状態に変化する一方で、各列のＤＡ変換回路５００には、ｉ行目であって、列に対応する１０ビットの映像データＶdataが供給される。このため、ｊ列目のＤＡ変換回路５００は、ｉ行ｊ列の階調レベルに応じた電位のデータ信号をデータ信号出力線１４ｃに出力する。
【0079】
したがって、書込期間（Ｃ）では、図１５に示されるように、ｊ列目の容量素子７０の一端は、電位Ｖrefから、ｉ行ｊ列に対応した階調レベルの電位に上昇する。この電位上昇は、当該容量素子７０、データ線１４およびトランジスター１２２を順に介してトランジスター１２１のゲートノードｇに到達する。
【0080】
書込期間（Ｃ）におけるゲートノードｇの電位変化分は、容量素子７０の一端における電位上昇分に、「合成容量値」に対する容量素子７０の容量値の比を、乗じた値である。ここでいう「合成容量値」とは、容量素子７０、寄生容量７２および容量素子１４０による合成容量の容量値である。なお、容量素子１４０の容量値は、他の容量値と比較して十分に小さい場合には、無視することができる。
【0081】
走査信号／Ｇwr(i)がＨレベルに変化したときに、ｉ行目の書込期間（Ｃ）が終了する。走査信号／Ｇwr(i)がＨレベルになると、ｉ行ｊ列の画素回路１１０ではトランジスター１２２がオフ状態になるが、ゲートノードｇの電位と電位Ｖelとの差の電圧は、容量素子１４０に保持される。
【0082】
書込期間（Ｃ）の終了後、発光期間（Ｄ）になる。
ｉ行目の発光期間（Ｅ）に至ると、制御信号／Ｇel(i)がＬレベルに反転するので、トランジスター１２４がオン状態になる。
したがって、発光期間（Ｄ）では、図１６に示されるように、ＯＬＥＤ１３０には、容量素子１４０による保持されたゲートノードｇの電位に応じた電流Ｉelがトランジスター１２１によって流れる。このため、当該ＯＬＥＤ１３０が、当該電流Ｉelに応じた輝度で発光する。
ｉ行目の発光期間（Ｅ）に至ると、制御信号／Ｇel(i)がＬレベルに反転するので、トランジスター１２４がオン状態になる。
したがって、発光期間（Ｄ）では、図１６に示されるように、ＯＬＥＤ１３０には、容量素子１４０による保持されたゲートノードｇの電位に応じた電流Ｉelがトランジスター１２１によって流れる。このため、当該ＯＬＥＤ１３０が、当該電流Ｉelに応じた輝度で発光する。
【0083】
なお、図１６は、ｉ行目の書込期間（Ｃ）の終了後、直ちにｉ行目の発光期間（Ｄ）が開始する例であるが、ｉ行目の書込期間（Ｃ）の終了後であって所定期間経過に、例えば１水平走査期間（Ｈ）経過後に、ｉ行目の発光期間（Ｄ）が開始してもよい。
また、図９は、発光期間（Ｄ）が連続した例であるが、制御信号／Ｇel(i)がＬレベルになる期間は、間欠的であってもよいし、輝度の調整に応じて変化させてもよいし、情報Ａmbで示される輝度に応じて調整されてもよい。また、発光期間（Ｄ）における制御信号／Ｇel(i)のレベルについては、ＨレベルとＬレベルとの中間的なレベルを用いてもよい。
また、図９は、発光期間（Ｄ）が連続した例であるが、制御信号／Ｇel(i)がＬレベルになる期間は、間欠的であってもよいし、輝度の調整に応じて変化させてもよいし、情報Ａmbで示される輝度に応じて調整されてもよい。また、発光期間（Ｄ）における制御信号／Ｇel(i)のレベルについては、ＨレベルとＬレベルとの中間的なレベルを用いてもよい。
【0084】
ｉ行目の水平走査期間（Ｈ）において、１～ｎ列の画素回路１１０について同様な動作が実行される。また、図１６では、ｉ行目の水平走査期間（Ｈ）について着目し、当該水平走査期間（Ｈ）の動作について説明したが、同様な動作は、１、２、３、…、ｍ行目の水平走査期間（Ｈ）について順次実行される。
【0085】
ｉ行ｊ列の画素回路１１０にけるゲートノードｇの電位は、補償期間（Ｂ）における閾値相当電位から、ｉ行ｊ列の階調レベルに応じて変化させた電位である。同様な動作が他の画素回路１１０でも実行されるので、実施形態では、ｍ行ｎ列のすべての画素回路１１０にわたってトランジスター１２１の閾値が補償された状態で、ＯＬＥＤ１３０に階調レベルに応じた電流が流れることになる。したがって、本実施形態では、輝度のばらつきが小さくなる結果、高品位な表示が可能になる。
【0086】
ＯＬＥＤ１３０のアノードを放電させるリセット動作が行われる理由は主に次の通りである。ＯＬＥＤ１３０では、アノードである画素電極１３１とカソードである共通電極１３３とで発光機能層１３２が挟持されるので、当該ＯＬＥＤ１３０には容量が寄生する。上述したように補償期間（Ｂ）においてトランジスター１２１のゲートノードｇおよびドレインノードｄ（トランジスター１２４のソースノード）は、閾値相当電位になる。次に、書込期間（Ｃ）において、トランジスター１２１のゲートノードｇに、階調レベルに応じた電位が供給される。
【0087】
仮に、最低階調の黒レベル（最も暗いレベル）がゲートノードｇに供給された場合、当該ゲートノードｇは、電位Ｖelであることが理想であるが、実際には、電位Ｖelよりも低い電位になる。このため、発光期間（Ｄ）においてトランジスター１２４がオン状態になると、トランジスター１２１ではソースノードｓからドレインノードｄに向かってリーク電流が流れる。ＯＬＥＤ１３０の寄生容量に蓄積された電荷を予めリセットしておかないと、リーク電流によって、やがて当該寄生容量が満充電になり、ＯＬＥＤ１３０に電流が流れ始めて、発光してしまう現象が発生する。この現象は、黒レベルが指定、すなわち発光しない輝度が指定されているにもかかわらず、わずかに発光して、あたかも黒が浮いたように視認されることから、黒浮きと呼ばれる。
【0088】
そこで、発光期間（Ｄ）よりも前の初期化期間（Ａ２）において、ＯＬＥＤ１３０のアノードを電位Ｖorstにして、予めアノードを放電させ、当該ＯＬＥＤ１３０の寄生容量に蓄積された電荷をリセットしている。これにより、発光期間（Ｄ）においてトランジスター１２１にリーク電流が流れても、当該リーク電流によってＯＬＥＤ１３０の寄生容量が満充電にならず、発光しないので、いわゆる黒浮きを抑えることできる。
しかしながら、リセット動作が行われる構成は、低消費電力化を阻害する要因になり得る。
しかしながら、リセット動作が行われる構成は、低消費電力化を阻害する要因になり得る。
【0089】
図１７は、データ線１４の電位が、書込期間（Ｃ）、初期化期間（Ａ１）、（Ａ２）および（Ａ３）においてどのように変化するかについて、リセット動作が指定される場合（制御信号ＣrstがＬレベルである場合）と、非リセット動作が指定される場合（制御信号ＣrstがＨレベルである場合）とで分けて示す図である。
リセット動作が指定される場合、データ線１４は、初期化期間（Ａ１）、（Ａ２）および（Ａ３）において順に、電位Ｖel、ＶorstおよびＶiniなる。上述したように、電位は、 Ｖel＞Ｖini＞Ｖorst
という関係にある。
また、初期化期間（Ａ１）の前におけるデータ線１４の電位は、書込期間（Ｃ）における１つ前の行の階調レベルに応じた電位であって、電位Ｖiniと電位Ｖelとの間の電位である。
このため、容量素子７０および寄生容量７２は、書込期間（Ｃ）から初期化期間（Ａ１）までにおいて上矢印で示されるように充電になる。容量素子７０および寄生容量７２は、初期化期間（Ａ１）から初期化期間（Ａ２）までにおいて下矢印で示されるように放電になり、初期化期間（Ａ２）から初期化期間（Ａ３）までにおいて充電になる。
リセット動作が指定される場合、データ線１４は、初期化期間（Ａ１）、（Ａ２）および（Ａ３）において順に、電位Ｖel、ＶorstおよびＶiniなる。上述したように、電位は、 Ｖel＞Ｖini＞Ｖorst
という関係にある。
また、初期化期間（Ａ１）の前におけるデータ線１４の電位は、書込期間（Ｃ）における１つ前の行の階調レベルに応じた電位であって、電位Ｖiniと電位Ｖelとの間の電位である。
このため、容量素子７０および寄生容量７２は、書込期間（Ｃ）から初期化期間（Ａ１）までにおいて上矢印で示されるように充電になる。容量素子７０および寄生容量７２は、初期化期間（Ａ１）から初期化期間（Ａ２）までにおいて下矢印で示されるように放電になり、初期化期間（Ａ２）から初期化期間（Ａ３）までにおいて充電になる。
【0090】
非リセット動作が指定される場合、データ線１４は、初期化期間（Ａ１）、（Ａ２）および（Ａ３）において順に、電位Ｖel、ＶelおよびＶiniなる。
このため、容量素子７０および寄生容量７２は、書込期間（Ｃ）から初期化期間（Ａ１）までにおいて充電になるが、初期化期間（Ａ１）から（Ａ２）までにおいて充放電がほとんど発生せず、初期化期間（Ａ２）から（Ａ３）までにおいて放電になる。
このため、容量素子７０および寄生容量７２は、書込期間（Ｃ）から初期化期間（Ａ１）までにおいて充電になるが、初期化期間（Ａ１）から（Ａ２）までにおいて充放電がほとんど発生せず、初期化期間（Ａ２）から（Ａ３）までにおいて放電になる。
【0091】
したがって、容量素子７０およびデータ線１４の寄生容量７２の充放電で消費される電力は、非リセット動作の方が、リセット動作と比べて少ない。ただし、非リセット動作では、上述したように黒浮きが発生する。
【0092】
この黒浮きがどのように視認されるかについて図１８を参照して説明する。
ヘッドセット３００の装着者は、電気光学装置１０Ｌおよび１０Ｒによる表示画像Ｄspを、外の様子Ｏspと重ね合わせて視認する。なお、表示画像Ｄspは、様子Ｏspと比べて狭い範囲で視認される。また、図１８は、表示画像Ｄspとして、電池残量および現在時刻のテキストが表示された例である。
表示画像Ｄspにテキストが表示される場合、視認性を高めるために、当該テキストの表示色として、例えば白（明）、黒（暗）または背景色に対する補色が選択される。図１８では、テキストの表示色として、背景色が黒（暗）であれば白が選択され、背景色が白（明）であれば黒が選択された例である。
ヘッドセット３００の装着者は、電気光学装置１０Ｌおよび１０Ｒによる表示画像Ｄspを、外の様子Ｏspと重ね合わせて視認する。なお、表示画像Ｄspは、様子Ｏspと比べて狭い範囲で視認される。また、図１８は、表示画像Ｄspとして、電池残量および現在時刻のテキストが表示された例である。
表示画像Ｄspにテキストが表示される場合、視認性を高めるために、当該テキストの表示色として、例えば白（明）、黒（暗）または背景色に対する補色が選択される。図１８では、テキストの表示色として、背景色が黒（暗）であれば白が選択され、背景色が白（明）であれば黒が選択された例である。
【0093】
図１８の上欄に示されるように、背景が黒（暗）であって、リセット動作が行われる場合に、黒浮きが発生しないので、表示画像Ｄspと様子Ｏspとの差が視認されにくい。
図１８の中欄に示されるように、背景が黒（暗）であって、非リセット動作が行われる場合に、黒浮きが発生する。具体的には、表示画像Ｄspが様子Ｏspよりも明るくなって、矩形の窓のように、視認される。
なお、図１８の下欄に示されるように、背景が白（明）であれば、リセット動作または非リセット動作に関係なく、表示画像Ｄspと様子Ｏspとの差が視認されにくい。電気光学装置１０Ｌおよび１０Ｒが明るい画像を表示する場合、黒浮きが発生しても、明度の差として視認されにくいためである。
図１８の中欄に示されるように、背景が黒（暗）であって、非リセット動作が行われる場合に、黒浮きが発生する。具体的には、表示画像Ｄspが様子Ｏspよりも明るくなって、矩形の窓のように、視認される。
なお、図１８の下欄に示されるように、背景が白（明）であれば、リセット動作または非リセット動作に関係なく、表示画像Ｄspと様子Ｏspとの差が視認されにくい。電気光学装置１０Ｌおよび１０Ｒが明るい画像を表示する場合、黒浮きが発生しても、明度の差として視認されにくいためである。
【0094】
第１実施形態では、情報Ａmbで示される輝度が閾値Ｌth未満であって、かつ、情報Ｔmbで示される温度が閾値Ｔth以上であれば、非リセット動作が実行され、それ以外であれば、リセット動作が実行される。
このため、第１実施形態によれば、周辺の輝度や温度などの環境に応じてリセット動作または非リセット動作が実行されるので、黒浮きの視認または温度上昇、が適切に抑えられる。
このため、第１実施形態によれば、周辺の輝度や温度などの環境に応じてリセット動作または非リセット動作が実行されるので、黒浮きの視認または温度上昇、が適切に抑えられる。
【0095】
第１実施形態では、初期化期間（Ａ２）において各列のトランジスター８６をオフ状態にして、非リセット動作を行う構成としたが、これ以外の構成でもよい。そこで、非リセット動作を第１実施形態とは別の動作を行って、低消費電力化を図った第２実施形態について説明する。
【0096】
図１９は、第２実施形態に係る電気光学装置１０における制御回路４０の構成を示すブロック図である。
図１９で示される制御回路４０が、図６で示される第１実施形態と相違する点は、判定部４０２による判定内容を示す制御信号Ｃrstが信号生成部４１６のみならず、信号生成部４１２にも供給される点である。
図１９で示される制御回路４０が、図６で示される第１実施形態と相違する点は、判定部４０２による判定内容を示す制御信号Ｃrstが信号生成部４１６のみならず、信号生成部４１２にも供給される点である。
【0097】
図２０は、第２実施形態に係る電気光学装置１０の動作を説明するためのタイミングチャートである。
第２実施形態における信号生成部４１２は、制御信号ＣrstがＬレベルであれば、第１実施形態と同様に、初期化期間（Ａ１）において制御信号／ＤrstをＬレベルで出力し、他の期間において制御信号／ＤrstをＨレベルで出力する。また、第２実施形態における信号生成部４１２は、制御信号ＣrstがＨレベルであれば、全期間において制御信号／ＤrstをＨレベルで出力する。
換言すれば、第２実施形態では、制御信号ＣrstがＨレベルであり、非リセット動作が指定された場合に、初期化期間（Ａ１）において制御信号／ＤrstがＨレベルで出力される点においてのみ、第１実施形態と相違する。
そこで、第２実施形態では、主にこの相違点について説明する。
第２実施形態における信号生成部４１２は、制御信号ＣrstがＬレベルであれば、第１実施形態と同様に、初期化期間（Ａ１）において制御信号／ＤrstをＬレベルで出力し、他の期間において制御信号／ＤrstをＨレベルで出力する。また、第２実施形態における信号生成部４１２は、制御信号ＣrstがＨレベルであれば、全期間において制御信号／ＤrstをＨレベルで出力する。
換言すれば、第２実施形態では、制御信号ＣrstがＨレベルであり、非リセット動作が指定された場合に、初期化期間（Ａ１）において制御信号／ＤrstがＨレベルで出力される点においてのみ、第１実施形態と相違する。
そこで、第２実施形態では、主にこの相違点について説明する。
【0098】
第２実施形態において、制御信号ＣrstがＬレベルであれば、ｉ行目の水平走査期間（Ｈ）の初期化期間（Ａ１）では、第１実施形態と同様に、各列のトランジスター８２がオン状態になり、各列のトランジスター８４がオフ状態になり、各列のトランジスター６２がオン状態になる。また、第２実施形態の初期化期間（Ａ１）では、制御信号ＣrstがＨレベルであれば、各列のトランジスター８６がオフ状態になる。
【0099】
ｉ行目における水平走査期間（Ｈ）の初期化期間（Ａ１）の直前は、（ｉ－１）行目の水平走査期間（Ｈ）の書込期間（Ｃ）である。当該書込期間（Ｃ）においてｊ列目のデータ線１４の電位は、ｉ行（ｊ－１）列の階調レベルに応じた電位であって、電位Ｖiniと電位Ｖelとの間の電位である。すなわち、ｉ行目における水平走査期間（Ｈ）の初期化期間（Ａ１）の直前において、当該データ線１４、容量素子７０の他端および蓄積容量７２の一端は、ｉ行（ｊ－１）列の階調レベルに応じた電位に保持されている。
【0100】
ｉ行目における水平走査期間（Ｈ）の初期化期間（Ａ１）では、ｉ行ｊ列の画素回路１１０においてトランジスター１２２がオン状態であり、トランジスター１２３がオフ状態であり、トランジスター１２４がオフ状態である。
【0101】
したがって、制御信号ＣrstがＨレベルであり、非リセット動作が指定された初期化期間（Ａ１）において、ｊ列目では、図２１に示されるように、容量素子７０および寄生容量７２から電荷が流出して、ｊ列目のデータ線１４、トランジスター１２２を順に介して、ｉ行ｊ列の画素回路１１０におけるゲートノードｇおよび容量素子１４０の一端に向かう。
なお、電荷の流出によってｊ列目における容量素子７０および寄生容量７２は放電になるので、データ線１４の電位は低下する。ただし、この放電は、ｊ列目のデータ線１４を介して容量素子１４０の一端に電荷を分配する程度であり、微量であるので、データ線１４の電位は変動しないといって差し支えない。
なお、電荷の流出によってｊ列目における容量素子７０および寄生容量７２は放電になるので、データ線１４の電位は低下する。ただし、この放電は、ｊ列目のデータ線１４を介して容量素子１４０の一端に電荷を分配する程度であり、微量であるので、データ線１４の電位は変動しないといって差し支えない。
【0102】
第２実施形態において、制御信号ＣrstがＨレベルである初期化期間（Ａ２）では、第１実施形態と同様に、各列のトランジスター８２がオフ状態になり、各列のトランジスター８４がオフ状態になり、各列のトランジスター８６はオフ状態であり、各列のトランジスター６２がオン状態である。
【0103】
したがって、制御信号ＣrstがＨレベルであり、非リセット動作が指定された初期化期間（Ａ２）では、第１実施形態の図１２に示されるように、ｊ列目では、容量素子７０および寄生容量７２から電荷が流出して、ｊ列目のデータ線１４、トランジスター１２３、１２４を順に介して、ＯＬＥＤ１３０のアノードに向かうが、この放電量は微量であるので、ｊ列目のデータ線１４の電位は、初期化期間（Ａ１）からほとんど変化しない。
【0104】
なお、第２実施形態では、ｉ行目の水平走査期間（Ｈ）の初期化期間（Ａ３）において、図１３に示されるように、電位Ｖiniが、ｉ行目のゲートノードｇおよび容量素子１４０の一端に、トランジスター８４、ｊ列目のデータ線１４およびトランジスター１２２を順に介して供給される点は、第１実施形態と同様である。
【0105】
図２２は、第２実施形態においてデータ線１４の電位が、書込期間（Ｃ）、初期化期間（Ａ１）、（Ａ２）および（Ａ３）においてどのように変化するかについて、リセット動作が指定される場合と、非リセット動作が指定される場合とで分けて示す図である。
制御信号ＣrstがＬレベルであってリセット動作が指定される場合、データ線１４の電位変動は、第１実施形態と同様である。すなわち、容量素子７０および寄生容量７２は、書込期間（Ｃ）から初期化期間（Ａ１）までにおいて充電になり、初期化期間（Ａ１）から初期化期間（Ａ２）までにおいて放電になり、初期化期間（Ａ２）から初期化期間（Ａ３）までにおいて充電になる。
制御信号ＣrstがＬレベルであってリセット動作が指定される場合、データ線１４の電位変動は、第１実施形態と同様である。すなわち、容量素子７０および寄生容量７２は、書込期間（Ｃ）から初期化期間（Ａ１）までにおいて充電になり、初期化期間（Ａ１）から初期化期間（Ａ２）までにおいて放電になり、初期化期間（Ａ２）から初期化期間（Ａ３）までにおいて充電になる。
【0106】
制御信号ＣrstがＨレベルであって非リセット動作が指定される場合、データ線１４の電位は、初期化期間（Ａ１）において前の書込期間（Ｃ）から変動せず、初期化期間（Ａ２）においても変動せず、初期化期間（Ａ３）において電位Ｖiniになる。
このため第２実施形態では、書込期間（Ｃ）から初期化期間（Ａ１）および（Ａ２）までにおいて充放電がほとんど発生せず、初期化期間（Ａ２）から（Ａ３）までにおいて放電になる。
このため第２実施形態では、書込期間（Ｃ）から初期化期間（Ａ１）および（Ａ２）までにおいて充放電がほとんど発生せず、初期化期間（Ａ２）から（Ａ３）までにおいて放電になる。
【0107】
したがって、第２実施形態の非リセット動作では、書込期間（Ｃ）から初期化期間（Ａ１）までに充電がほとんど発生しない分だけ、第１実施形態の非リセット動作と比べて低消費電力化を図ることができる。
また、第２実施形態では、第１実施形態と同様に、情報Ａmbで示される輝度が閾値Ｌth未満であって、かつ、情報Ｔmbで示される温度が閾値Ｔth未満であれば、リセット動作が実行され、それ以外であれば、非リセット動作が実行される。このため、第２実施形態によれば、環境に応じてリセット動作または非リセット動作が実行されるので、黒浮きの視認、または、温度上昇、が適切に抑えられる。
また、第２実施形態では、第１実施形態と同様に、情報Ａmbで示される輝度が閾値Ｌth未満であって、かつ、情報Ｔmbで示される温度が閾値Ｔth未満であれば、リセット動作が実行され、それ以外であれば、非リセット動作が実行される。このため、第２実施形態によれば、環境に応じてリセット動作または非リセット動作が実行されるので、黒浮きの視認、または、温度上昇、が適切に抑えられる。
【0108】
上述した第１実施形態および第２実施形態（以下、実施形態等と呼ぶ）では、以下のように種々の変形または応用が可能である。
【0109】
実施形態等では、光センサー３３０および温度センサー９０を有し、情報Ａmbで示される輝度が閾値Ｌth未満であって、かつ、情報Ｔmbで示される温度が閾値Ｔth未満であれば、リセット動作を実行し、それ以外であれば、非リセット動作を実行する構成とした。この構成に限られず、どちらか一方のセンサーのみを有する構成としてもよい。
【0110】
詳細には、光センサー３３０を有し、温度センサー９０を有しない構成であれば、情報Ａmbで示される輝度が閾値Ｌth未満であれば、リセット動作を実行し、輝度が閾値Ｌth以上であれば、非リセット動作を実行すればよい。この構成によれば、暗環境では、黒浮きの発生が抑えられる一方で、明環境では、消費電力が低減される。
また、光センサー３３０を有さず、温度センサー９０を有する構成であれば、情報Ｔmbで示される温度が閾値Ｔth未満であれば、リセット動作を実行し、情報Ｔmbで示される温度が閾値Ｔth以上であれば、非リセット動作を実行すればよい。この構成によれば、電気光学装置１０において温度上昇が発生していなければ、黒浮きの発生が抑えられる一方で、温度上昇が発生していれば、消費電力が低減されて、温度上昇が抑えられる。
また、光センサー３３０を有さず、温度センサー９０を有する構成であれば、情報Ｔmbで示される温度が閾値Ｔth未満であれば、リセット動作を実行し、情報Ｔmbで示される温度が閾値Ｔth以上であれば、非リセット動作を実行すればよい。この構成によれば、電気光学装置１０において温度上昇が発生していなければ、黒浮きの発生が抑えられる一方で、温度上昇が発生していれば、消費電力が低減されて、温度上昇が抑えられる。
【0111】
温度センサー９０は、電気光学装置１０に内蔵される構成に限られず、電気光学装置１０とは別体の構成であってもよい。
【0112】
実施形態等において、発光素子の一例としてＯＬＥＤ１３０を例示して説明したが、他の発光素子を用いてもよい。例えば発光素子としてＬＥＤを用いてもよいし、照明機構を併用した液晶素子であってもよい。すなわち、発光素子としては、データ線１４の電圧に応じた光学状態になる電気光学素子であればよい。
実施形態等では、ＤＡ変換回路５００として１０ビットの変換例を示したが、これに限られない。
実施形態等では、ＤＡ変換回路５００として１０ビットの変換例を示したが、これに限られない。
【0113】
トランジスター６４、８２、８４、８６、１２１～１２４等のチャネル型は、実施形態等に限定されない。また、これらのトランジスター等は、適宜チャネルを変更してもよいし、適宜トランスミッションゲートに置き換えてもよい。
【0114】
また、実施形態等では、電子機器の一例として、電気光学装置１０を含むヘッドマウントディスプレイ・システム１を例示したが、これに限られず、ビデオカメラやレンズ交換式のデジタルカメラなどにおける電子式ビューファインダー、携帯情報端末、腕時計の表示部、投写式プロジェクターのライトバルブなどにも適用可能である。
【0115】
以上に例示した形態から、例えば以下の態様が把握される。
【0116】
ひとつの態様（態様１）に係る電気光学装置は、周辺光の輝度を検出する光センサー、または、温度を検出する温度センサーと、データ線と走査線とに対応して設けられる画素回路と、前記画素回路を制御する制御回路と、を含み、前記画素回路は、二つの電極の間に流れる電流に応じた輝度で発光する発光素子と、ゲートノードの電位およびソースノードの電位の間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、を含み、前記制御回路は、書込期間において、前記ゲートノードに階調レベルに応じた電位を、前記データ線を介して供給し、前記書込期間よりも前の第１初期化期間において、第１動作または第２動作を、前記光センサーの検出結果、または、前記温度センサーの検出結果に応じて実行し、前記第１動作は、前記発光素子の一方の電極に、前記データ線を介して所定の電位を供給する動作であり、前記第２動作は、前記データ線に蓄積された電荷を、前記一方の電極に分配させる動作である。
【0117】
態様１によれば、第１初期化期間において、輝度または温度の環境に応じて第１動作または第２動作が実行される。第１動作では、黒浮きの視認を抑えることができ、また、第２動作では、電力の消費を抑えることができる。
なお、ＬＥＤ１３０が発光素子の一例であり、画素電極１３１が二つの電極のうちの一方の電極の一例であり、トランジスター１２１が駆動トランジスターの一例であり、初期化期間（Ａ２）が第１初期化期間の一例である。
なお、ＬＥＤ１３０が発光素子の一例であり、画素電極１３１が二つの電極のうちの一方の電極の一例であり、トランジスター１２１が駆動トランジスターの一例であり、初期化期間（Ａ２）が第１初期化期間の一例である。
【0118】
態様１の具体的な態様２に係る電気光学装置は、前記光センサーおよび前記温度センサーの双方を有し、前記制御回路は、前記第１初期化期間において、第１動作または第２動作を、前記光センサーの検出結果および前記温度センサーの検出結果に応じて実行する。態様２によれば、輝度および温度の双方の環境に応じて第１動作または第２動作が実行される。
【0119】
態様１の別の具体的な態様３に係る電気光学装置において、前記制御回路は、前記第１初期化期間において前記第１動作を実行する場合、前記第１初期化期間よりも前の第２初期化期間において、前記ゲートノードに前記駆動トランジスターをオフ状態にさせるオフ電位を、前記データ線を介して供給し、前記第１初期化期間において前記第２動作を実行する場合、前記第２初期化期間において、前記データ線の寄生容量に蓄積された電荷を、当該データ線を介して前記ゲートノードに分配させる。
態様３によれば、第２初期化期間に第１動作が実行される場合には、駆動トランジスターを確実にオフ状態にすることができ、また、第２初期化期間に第２動作が実行される場合には、データ線の寄生容量による充放電を抑えることができる。
なお、初期化期間（Ａ１）が、第２初期化期間の一例であり、電位Ｖelがオフ電位の一例である。
態様３によれば、第２初期化期間に第１動作が実行される場合には、駆動トランジスターを確実にオフ状態にすることができ、また、第２初期化期間に第２動作が実行される場合には、データ線の寄生容量による充放電を抑えることができる。
なお、初期化期間（Ａ１）が、第２初期化期間の一例であり、電位Ｖelがオフ電位の一例である。
【0120】
態様３の具体的な態様４に係る電気光学装置は、一端および他端を有し、一端が前記データ線に電気的に接続され、他端がオン電位を給電する給電線に電気的に接続されたスイッチング素子を有し、前記制御回路は、前記第１初期化期間後であって前記書込期間前の第３初期化期間において、前記スイッチング素子をオン状態に制御し、前記オン電位は、前記ゲートノードに供給されれば、前記駆動トランジスターをオン状態にさせる電位である。
態様４によれば、第３初期化期間において、スイッチング素子がオン状態になることによって、データ線の電位がオン電位になる。
なお、初期化期間（Ａ３）が第３初期化期間の一例であり、トランジスター８２がスイッチング素子の一例であり、電位Ｖiniがオン電位の一例である。
態様４によれば、第３初期化期間において、スイッチング素子がオン状態になることによって、データ線の電位がオン電位になる。
なお、初期化期間（Ａ３）が第３初期化期間の一例であり、トランジスター８２がスイッチング素子の一例であり、電位Ｖiniがオン電位の一例である。
【0121】
態様４の具体的な態様５に係る電気光学装置において、前記制御回路は、前記第３初期化期間後であって前記書込期間よりも前の補償期間において、前記駆動トランジスターのゲートノードを当該駆動トランジスターの閾値に相当する電位に収束させる。
態様５によれば、補償期間の前の第３初期化期間において、データ線がオン電位になっているので、補償期間においゲートノードを駆動トランジスターの閾値に相当する電位に収束させることが容易になる。
態様５によれば、補償期間の前の第３初期化期間において、データ線がオン電位になっているので、補償期間においゲートノードを駆動トランジスターの閾値に相当する電位に収束させることが容易になる。
【0122】
態様１の別の具体的な態様６に係る電気光学装置において、前記制御回路は、前記書込期間において、前記ゲートノードに階調レベルに応じた電位を、カップリング容量および前記データ線を介して供給する。
態様６によれば、データ線の寄生容量のみならず、カップリング容量の放電量についても抑えることができる。なお、容量素子７０がカップリング容量の一例である。
態様６によれば、データ線の寄生容量のみならず、カップリング容量の放電量についても抑えることができる。なお、容量素子７０がカップリング容量の一例である。
【0123】
態様７に係る電子機器では、態様１乃至６のいずれかに係る電気光学装置を含む。
【符号の説明】
【0124】
１０…電気光学装置、１２…走査線、１４…データ線、１４ｃ…データ信号出力線、３０…制御回路、５０…データ信号出力回路、６０…補助回路、６２…トランジスター、７０…容量素子、７２…寄生容量、８０…初期化回路、８２、８４、８６…トランジスター、９０…温度センサー、１１０…画素回路、１２０…走査線駆動回路、１２１～１２４…トランジスター、１３０…ＯＬＥＤ、３３０…光センサー。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】