特開 2024-116993 検出装置及び検出装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024116993

(43)【公開日】2024-08-28

(54)【発明の名称】検出装置及び検出装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G01N 21/64 20060101AFI20240821BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20240821BHJP

   H10K 50/813 20230101ALI20240821BHJP

   H10K 50/822 20230101ALI20240821BHJP

   H10K 71/20 20230101ALI20240821BHJP

   H10K 71/00 20230101ALI20240821BHJP

   H10K 59/60 20230101ALI20240821BHJP

   H10K 59/90 20230101ALI20240821BHJP

   H10K 71/60 20230101ALI20240821BHJP

   G01N 33/483 20060101ALN20240821BHJP

【ＦＩ】

G01N21/64 Z

H10K50/10

H10K50/813

H10K50/822

H10K71/20

H10K71/00

H10K59/60

H10K59/90

H10K71/60

G01N33/483 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023022895

(22)【出願日】2023-02-16

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】浅倉 慎弥

(72)【発明者】

【氏名】青木 逸

【テーマコード（参考）】

2G043

2G045

3K107

【Ｆターム（参考）】

2G043AA03

2G043CA03

2G043DA06

2G043EA01

2G043LA02

2G045FA11

2G045FB12

3K107AA01

3K107AA05

3K107BB02

3K107CC41

3K107DD25

3K107DD30

3K107EE07

3K107EE27

3K107EE61

3K107EE68

3K107FF15

3K107GG12

3K107GG13

3K107GG15

3K107GG28

(57)【要約】

【課題】蛍光の検出感度が向上する検出装置を提供する。
【解決手段】検出装置は、基板と、基板上に設けられたセンサ部と、センサ部に対向して配置された発光部と、を備え、発光部は、励起光を照射する発光素子と、発光素子を覆う透光性の基材と、を有し、基材は、基板に垂直な方向で、第１面と、第１面と反対側の第２面とを備え、基材は、第１面から第２面に向けて凹む、試料を保持する複数の凹部を有し、発光素子は、凹部を囲み、前記センサ部は、励起光により試料が発する蛍光を受光する、凹部と重なる位置に配置された受光素子を有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に設けられたセンサ部と、
前記センサ部に対向して配置された発光部と、を備え、
前記発光部は、励起光を照射する発光素子と、
前記発光素子を覆う透光性の基材と、を有し、
前記基材は、前記基板に垂直な方向で、第１面と、前記第１面と反対側の第２面とを備え、
前記基材は、前記第１面から前記第２面に向けて凹む、試料を保持する複数の凹部を有し、
前記発光素子は、前記凹部を囲み、
前記センサ部は、前記励起光により前記試料が発する蛍光を受光する、前記凹部と重なる位置に配置された受光素子を有する、
検出装置。

【請求項2】

前記発光部と、前記センサ部との間に、遮光層を備え、
前記遮光層は、前記励起光を遮光する遮光部と、前記蛍光が通過可能な、前記遮光部に囲まれた開口部を有し、
前記開口部は、前記凹部と、前記受光素子との間に配置されている、
請求項１に記載の検出装置。

【請求項3】

前記発光素子の形状は、平面視で格子状であって、
前記発光素子と、前記遮光層との間に、
前記基板に垂直な方向であって、前記遮光層よりも前記第１面側に突出した樹脂膜を有する、
請求項１又は２に記載の検出装置。

【請求項4】

前記発光部は、下部電極と、前記下部電極に対向する上部電極と、前記下部電極及び前記上部電極の間に挟まれた発光層と、を含み、
前記下部電極及び前記上部電極は、平面視で、格子状に配置され、
前記下部電極は一方から引き出され、
前記上部電極は他方から引き出され、
前記下部電極の引き出し部分は、前記発光層と重なり、
前記上部電極の一方側の端部は、前記発光層を挟む、
請求項１に記載の検出装置。

【請求項5】

基板上に、前記基板の垂直な方向で、センサ部を形成する工程と、
前記センサ部と重なる位置の一部に、光を透過する開口部を形成し、前記開口部の周りを遮光する遮光層を形成する工程と、
前記センサ部に対向する発光部を形成する工程と、を含み、
前記発光部を形成する工程は、
発光素子を形成する工程と、
前記発光素子を覆う基材を形成する工程と、
前記基材に前記発光素子に囲まれた、複数の凹部を形成する工程と、を含む、
検出装置の製造方法。

【請求項6】

前記発光素子を形成する工程は、
所定のパターンの下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の露出した面に、発光層を形成する工程と、
前記発光層の上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層をフォトエッチングし、前記遮光層の開口部と重なる位置の、前記犠牲層を除去する工程と、
前記犠牲層をマスクとして、前記発光層をエッチングし、前記犠牲層が重ならない発光層が除去される工程と、
前記犠牲層が重ならない発光層が除去される工程の後で、前記犠牲層を除去する工程と、
前記発光層の上に、上部電極を形成する工程と、
前記上部電極をフォトエッチングし、前記遮光層の開口部と重なる位置の、前記下部電極を除去する工程と、を含む、
請求項５に記載の検出装置の製造方法。

【請求項7】

前記発光素子を形成する工程は、
所定のパターンの下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の上に、発光層を形成する工程と、
前記発光層の上に、上部電極を形成する工程と、
前記上部電極の上に、犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層をフォトエッチングし、前記遮光層の開口部と重なる位置の、前記犠牲層を除去する工程と、
前記犠牲層をマスクとして、前記上部電極をエッチングして、前記犠牲層が重ならない上部電極が除去される工程と、
前記犠牲層が重ならない上部電極が除去される工程の後で、前記犠牲層をマスクとして、前記発光層をエッチングして、前記犠牲層が重ならない発光層が除去される工程と、
前記犠牲層が重ならない発光層が除去される工程の後で、前記犠牲層を除去する工程と、を含む、
請求項５に記載の検出装置の製造方法。

【請求項8】

前記発光素子を形成する工程は、
所定のパターンの下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の上に、発光層を形成する工程と、
前記発光層の上に、犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層をフォトエッチングし、前記遮光層の開口部と重なる位置の、前記犠牲層を除去する工程と、
前記犠牲層をマスクとして、前記発光層をエッチングし、前記犠牲層が重ならない発光層が除去される工程と、
前記犠牲層が重ならない発光層が除去される工程の後で、前記遮光層の開口部と重なる位置に、フォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層を形成する工程の後で、前記犠牲層を除去する工程と、
前記発光層及び前記フォトレジスト層の上に、上部電極を形成する工程と、
前記上部電極を形成する工程の後で、前記フォトレジスト層を除去し、上部電極の一部をリフトオフする工程と、を含む、
請求項５に記載の検出装置の製造方法。

【請求項9】

前記発光素子を形成する工程は、
所定のパターンの下部電極を形成する工程と、
前記遮光層の開口部と重なる位置に、犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上に、フォトレジスト層を形成する工程と、
前記下部電極、前記犠牲層及び前記フォトレジスト層の全面を覆うようにして、発光層を形成する工程と、
前記発光層が形成する工程の後で、前記発光層の全面を覆うようにして、上部電極を形成する工程と、
前記上部電極を形成する工程した後で、前記犠牲層及び前記フォトレジスト層を除去し、前記発光層及び前記上部電極の一部をリフトオフする工程と、を含む、
請求項５に記載の検出装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、検出装置及び検出装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、光導波路と、励起光を発光する有機電界発光素子とを同一基板上に備え、同一基板上で発光素子の端面から光導波路端面に向かって励起光を導波することができる光バイオセンサが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開平８－２９３３０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１では、発光素子により発生した励起光が受光素子に入射してしまうため、受光素子の検出感度が低下する可能性がある。

【0005】

本開示は、蛍光の検出感度が向上する検出装置及び検出装置の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一態様の検出装置は、基板と、前記基板上に設けられたセンサ部と、前記センサ部に対向して配置された発光部と、を備え、前記発光部は、励起光を照射する発光素子と、前記発光素子を覆う透光性の基材と、を有し、前記基材は、前記基板に垂直な方向で、第１面と、前記第１面と反対側の第２面とを備え、前記基材は、前記第１面から前記第２面に向けて凹む、試料を保持する複数の凹部を有し、前記発光素子は、前記凹部を囲み、前記センサ部は、前記励起光により前記試料が発する蛍光を受光する、前記凹部と重なる位置に配置された受光素子を有する。

【0007】

本開示の一態様の検出装置の製造方法は、基板上に、前記基板の垂直な方向で、センサ部を形成する工程と、前記センサ部と重なる位置の一部に、光を透過する開口部を形成し、前記開口部の周りを遮光する遮光層を形成する工程と、前記センサ部に対向する発光部を形成する工程と、を含み、前記発光部を形成する工程は、発光素子を形成する工程と、前記発光素子を覆う基材を形成する工程と、前記基材に前記発光素子に囲まれた、複数の凹部を形成する工程と、を含む。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、実施形態に係る検出装置を示す平面図である。

【図2】図２は、実施形態に係る検出装置の構成例を示すブロック図である。

【図3】図３は、実施形態に係るセンサ画素を示す回路図である。

【図4】図４は、実施形態に係るセンサ画素を示す模式的な平面図である。

【図5】図５は、図４のＶ－Ｖ’断面図である。

【図6】図６は、実施形態に係る発光装置を拡大して示す平面図である。

【図7】図７は、図６のＶＩＩ－ＶＩＩ’断面図である。

【図8】図８は、図６のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ’断面図である。

【図9】図９は、実施形態に係る発光装置の遮光層を示す平面図である。

【図10】図１０は、実施形態に係る発光層の蒸着領域を示す平面図である。

【図11】図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ’断面図である。

【図12】図１２は、図１０のＸＩＩ－ＸＩＩ’断面図である。

【図13】図１３は、比較例に係る検出装置を示す模式的な断面図である。

【図14】図１４は、実施形態の第１変形例に係る検出装置を示す模式的な断面図である。

【図15】図１５は、実施形態に係る検出装置の製造方法を説明するための説明図である。

【図16】図１６は、発光層が蒸着された状態を示す模式的な断面図である。

【図17】図１７は、実施形態の第１変形例に係る検出装置の製造方法を説明するための説明図である。

【図18】図１８は、実施形態の第２変形例に係る検出装置の製造方法を説明するための説明図である。

【図19】図１９は、実施形態の第３変形例に係る検出装置の製造方法を説明するための説明図である。

【0009】

本開示を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、本開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本開示と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0010】

本実施形態及び請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

【0011】

図１は、実施形態に係る検出装置を示す平面図である。図１に示すように、検出装置１は、センサ部１０と、発光装置５０と、を含む。発光装置５０は、表面に複数の凹部５３を有している。凹部５３は、例えば、マトリクス状に配置されている。凹部５３は、試料を保持する保持部である。発光装置５０は、発光部５１を有する。発光部５１の内部に設けられた、複数の発光素子５２は、凹部５３を囲むようにして格子状に配置される。

【0012】

図２は、実施形態に係る検出装置の構成例を示すブロック図である。図２に示すように、センサ部１０は、基板２１と、基板２１上に設けられた複数のセンサ画素３（受光素子３１）と、ゲート線駆動回路１５Ａ、１５Ｂと、信号線駆動回路１６と、検出制御回路１１と、を有する。

【0013】

基板２１は、検出領域ＡＡと、周辺領域ＧＡとを有する。検出領域ＡＡは、複数のセンサ画素３（複数の受光素子３１）が設けられた領域である。周辺領域ＧＡは、検出領域ＡＡの外周と、基板２１の外縁部との間の領域であり、複数のセンサ画素３が設けられない領域である。ゲート線駆動回路１５Ａ、１５Ｂ、信号線駆動回路１６及び検出制御回路１１は、周辺領域ＧＡに設けられる。受光素子３１が形成された基板２１は、所定の検出領域ごとにセンサを駆動する駆動回路基板であり、バックプレーン又はアクティブマトリクス基板とも呼ばれる。

【0014】

なお、以下の説明において、第１方向Ｄｘは、基板２１と平行な面内の一方向である。第２方向Ｄｙは、基板２１と平行な面内の一方向であり、第１方向Ｄｘと直交する方向である。なお、第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと直交しないで交差してもよい。第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向であり、基板２１の主面の法線方向である。また、「平面視」とは、基板２１と垂直な方向から見た場合の位置関係をいう。

【0015】

複数のセンサ画素３は、それぞれ、受光素子３１を有する光センサである。受光素子３１は、それぞれに照射される光に応じた電気信号を出力する。受光素子３１は、例えば、有機半導体を用いたＯＰＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）やＰＩＮ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ Ｎｅｇａｔｉｖｅ）フォトダイオードである。複数のセンサ画素３（複数の受光素子３１）は、基板２１の検出領域ＡＡにマトリクス状に配列される。

【0016】

検出制御回路１１は、ゲート線駆動回路１５Ａ、１５Ｂ及び信号線駆動回路１６にそれぞれ制御信号Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ（図２参照）を供給し、これらの動作を制御する回路である。具体的には、ゲート線駆動回路１５Ａは、制御信号Ｓａに基づいてリセット制御信号ＲＳＴをリセットトランジスタＴｒＲ（図２参照）に出力する。ゲート線駆動回路１５Ｂは、制御信号Ｓｂに基づいてゲート駆動信号ＶＧＬをゲート線ＧＬ（図２参照）に出力する。信号線駆動回路１６は、制御信号Ｓｃに基づいて選択された信号線ＳＬと検出制御回路１１とを電気的に接続する。

【0017】

複数のセンサ画素３が有する受光素子３１は、ゲート線駆動回路１５Ａ、１５Ｂから供給されるリセット制御信号ＲＳＴ及びゲート駆動信号ＶＧＬに従って検出を行う。複数の受光素子３１は、それぞれに照射される光に応じた電気信号を、検出信号Ｖｄｅｔとして信号線駆動回路１６に出力する。検出制御回路１１は、複数の受光素子３１からの検出信号Ｖｄｅｔの信号処理を行い、検出信号Ｖｄｅｔに基づくセンサ値ＶｏをホストＩＣ(図示せず)に出力する。これにより、検出装置１は、試料５４に関する情報を検出する。

【0018】

検出制御回路１１は、検出信号振幅調整回路４１、Ａ／Ｄ変換回路４２及び信号処理回路４３を有する。検出制御回路１１が有する検出信号振幅調整回路４１及びＡ／Ｄ変換回路４２は、信号線ＳＬ（図５参照）と接続され、検出信号Ｖｄｅｔの信号処理を行う検出回路である。検出信号振幅調整回路４１は、受光素子３１から出力された検出信号Ｖｄｅｔの振幅を調整する回路であり、例えば増幅器を含み構成される。Ａ／Ｄ変換回路４２は、検出信号振幅調整回路４１から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する。信号処理回路４３は、複数の受光素子３１からの検出信号Ｖｄｅｔの信号処理を行う回路である。信号処理回路４３は、Ａ／Ｄ変換回路４２からのデジタル信号の信号処理を行い、センサ値ＶｏをホストＩＣ(図示せず)へ送信する。

【0019】

図１に示すように、凹部５３は、受光素子３１と第３方向Ｄｚ方向に重なるように配置されている。

【0020】

次に、センサ部１０の構成例について説明する。図３は、実施形態に係るセンサ画素を示す回路図である。図３に示すように、センサ画素３は、受光素子３１と、容量素子Ｃａと、第１トランジスタＴｒＳと、を含む。第１トランジスタＴｒＳは、受光素子３１に対応して設けられる。第１トランジスタＴｒＳは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）で構成されている。第１トランジスタＴｒＳのゲートはセンサゲート線ＧＬＳに接続される。第１トランジスタＴｒＳのソースはセンサ信号線ＳＬＳに接続される。第１トランジスタＴｒＳのドレインは、受光素子３１のアノード及び容量素子Ｃａに接続される。

【0021】

受光素子３１のカソードには、検出制御回路１１から電源電位ＳＶＳが供給される。また、容量素子Ｃａには、検出制御回路１１から、容量素子Ｃａの初期電位となる基準電位ＶＲ１が供給される。

【0022】

センサ画素３に光が照射されると、受光素子３１には光量に応じた電流が流れ、これにより容量素子Ｃａに電荷が蓄積される。第１トランジスタＴｒＳがオンになると、容量素子Ｃａに蓄積された電荷に応じて、センサ信号線ＳＬＳに電流が流れる。センサ信号線ＳＬＳは、信号線駆動回路１６Ａを介して検出制御回路１１に接続される。これにより、検出装置１のセンサ部１０は、センサ画素３ごとに、受光素子３１に照射される光の光量に応じた信号を検出できる。

【0023】

なお、第１トランジスタＴｒＳは、ｎ型ＴＦＴに限定されず、ｐ型ＴＦＴで構成されてもよい。また、図３に示すセンサ画素３の画素回路はあくまで一例であり、センサ画素３には、１つの受光素子３１に対応して、複数のトランジスタが設けられていてもよい。

【0024】

次に、センサ部１０の詳細な構成について説明する。図４は、実施形態に係るセンサ画素を示す模式的な平面図である。受光素子３１の下部電極２３は、２つのゲート線ＧＬと、２つの信号線ＳＬとで囲まれた領域に設けられる。

【0025】

駆動トランジスタＴｒは、半導体層６５、ソース電極６６、ドレイン電極６３及びゲート電極６４を有する。半導体層６５は、ゲート線ＧＬに沿って延在し、平面視でゲート電極６４と交差して設けられる。ゲート電極６４は、ゲート線ＧＬと接続され、ゲート線ＧＬと直交する方向に延在する。半導体層６５の一端側はコンタクトホールＣＨ４を介してソース電極６６と接続される。下部電極２３は、コンタクトホール（図示は省略する）を介して駆動トランジスタＴｒのソース電極６６と電気的に接続される。これにより、駆動トランジスタＴｒは、受光素子３１と電気的に接続される。半導体層６５の他端側はコンタクトホールＣＨ３を介してドレイン電極６３と接続される。ドレイン電極６３は、信号線ＳＬと接続される。

【0026】

図５は、図４のＶ－Ｖ’断面図である。図５に示すように、基板２１の上に、回路形成層７０、平坦化層２９ａ、受光素子３１、平坦化層２９ｂの順に積層される。基板２１は絶縁基板であり、例えば、石英、無アルカリガラス等のガラス基板が用いられる。回路形成層７０は、基板２１上に設けられ、図３、４に示す駆動トランジスタＴｒ等の各種トランジスタ、各種配線等が形成される層である。図４では、駆動トランジスタＴｒに接続される信号線ＳＬを図示している。

【0027】

平坦化層２９ａは、信号線ＳＬを覆って、駆動トランジスタＴｒを含む回路形成層７０の上に設けられる。平坦化層２９ａは、第１トランジスタＴｒＳや、各種導電層で形成される凹凸を平坦化する平坦化層である。平坦化層２９ａは、例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアクリルアミドのいずれかで形成された有機膜である。

【0028】

受光素子３１は、平坦化層２９ａの上に設けられる。受光素子３１は、下部電極２３と、下部バッファ層３７と、活性層３６と、上部バッファ層３８と、上部電極２４と、を有する。受光素子３１は、基板２１に垂直な方向で、下部電極２３、下部バッファ層３７、活性層３６、上部バッファ層３８、上部電極２４の順に積層される。

【0029】

下部電極２３は、受光素子３１のアノード電極であり、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電材料で形成される。

【0030】

活性層３６は、照射される光に応じて特性（例えば、電圧電流特性や抵抗値）が変化する。活性層３６の材料として、有機材料が用いられる。具体的には、活性層３６は、ｐ型有機半導体と、ｎ型有機半導体であるｎ型フラーレン誘導体（ＰＣＢＭ）とが混在するバルクヘテロ構造である。活性層３６として、例えば、低分子有機材料であるＣ６０（フラーレン）、ＰＣＢＭ（フェニルＣ６１酪酸メチルエステル：Phenyl C61-butyric acid methyl ester）、ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン：Copper Phthalocyanine）、Ｆ１６ＣｕＰｃ（フッ素化銅フタロシアニン）、ｒｕｂｒｅｎｅ（ルブレン：5,6,11,12-tetraphenyltetracene）、ＰＤＩ（Perylene（ペリレン）の誘導体）等を用いることができる。

【0031】

活性層３６は、これらの低分子有機材料を用いて蒸着型（Dry Process）で形成することができる。この場合、活性層３６は、例えば、ＣｕＰｃとＦ１６ＣｕＰｃとの積層膜、又はｒｕｂｒｅｎｅとＣ６０との積層膜であってもよい。活性層３６は、塗布型（Wet Process）で形成することもできる。この場合、活性層３６は、上述した低分子有機材料と高分子有機材料とを組み合わせた材料が用いられる。高分子有機材料として、例えばＰ３ＨＴ（poly（3-hexylthiophene））、Ｆ８ＢＴ（F8-alt-benzothiadiazole）等を用いることができる。活性層３６は、Ｐ３ＨＴとＰＣＢＭとが混合した状態の膜、又はＦ８ＢＴとＰＤＩとが混合した状態の膜とすることができる。

【0032】

下部バッファ層３７は正孔輸送層であり、上部バッファ層３８は電子輸送層である。下部バッファ層３７及び上部バッファ層３８は、活性層３６で発生した正孔及び電子が下部電極２３又は上部電極２４に到達しやすくするために設けられる。

【0033】

下部バッファ層３７は、下部電極２３の上に直接接し、隣り合う下部電極２３の間の領域にも設けられる。活性層３６は、下部バッファ層３７の上に直接接する。正孔輸送層の材料は、酸化金属層とされる。酸化金属層として、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化モリブデン等が用いられる。

【0034】

上部バッファ層３８は、活性層３６の上に直接接し、上部電極２４は、上部バッファ層３８の上に直接接する。電子輸送層の材料は、エトキシ化ポリエチレンイミン（ＰＥＩＥ）が用いられる。

【0035】

なお、下部バッファ層３７、活性層３６及び上部バッファ層３８の材料、製法はあくまで一例であり、他の材料、製法であってもよい。例えば、下部バッファ層３７及び上部バッファ層３８は、それぞれ単層膜に限定されず、電子ブロック層や、正孔ブロック層を含んで積層膜として形成されていてもよい。

【0036】

上部電極２４は上部バッファ層３８の上に設けられる。上部電極２４は、受光素子３１のカソード電極であり、検出領域ＡＡの全体に亘って連続して形成される。言い換えると、上部電極２４は複数の受光素子３１の上に連続して設けられる。上部電極２４は、下部バッファ層３７、活性層３６及び上部バッファ層３８を挟んで、複数の下部電極２３と対向する。上部電極２４は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の透光性を有する導電材料で形成される。

【0037】

なお、図４、図５に示す受光素子３１の構成はあくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば、上部電極２４が受光素子３１のアノード電極であり下部電極２３が受光素子３１のカソード電極であってもよい。

【0038】

図６は、実施形態に係る発光装置を拡大して示す平面図である。図７は、図６のＶＩＩ－ＶＩＩ’断面図である。図８は、図６のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ’断面図である。図６において、遮光層６２の下方は、図７と同じであるので図示を省略する。図９は、実施形態に係る発光装置の遮光層を示す平面図である。

【0039】

図７に示すように、検出装置１は、基板２１と、回路形成層７０と、センサ部１０、発光装置５０と、を有する。検出装置１は、基板２１に垂直な第３方向Ｄｚで、基板２１、回路形成層７０、センサ部１０、発光装置５０の順に積層される。

【0040】

センサ部１０は、回路形成層７０の上に設けられる。センサ部１０は、受光素子３１と、遮光層６１と、平坦化層２９ａと、平坦化層２９ｂと、を備える。平坦化層２９ａは、第３方向Ｄｚで、回路形成層７０の上に設けられている。

【0041】

遮光層６１は、上部電極２４の上に設けられる。図５に示すように、遮光層６１は、第３方向Ｄｚに対して所定方向に傾斜した方向に進行する成分を受光素子３１に向けて透過させ、他の方向に進行する成分を減衰させる。遮光層６１は、コリメートアパーチャ、あるいは、コリメータとも呼ばれる。遮光層６１は、受光素子３１の発光装置側に設けられ、遮光層６１の開口６１ａが受光素子３１に対向している。遮光層６１は、励起光に対して遮光性を有する樹脂や金属などで形成されている。

【0042】

平坦化層２９ｂは、第３方向Ｄｚで、遮光層６１の上に設けられている。平坦化層２９ｂは、例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアクリルアミドのいずれかで形成された有機膜である。

【0043】

図７に示すように、発光装置５０は、遮光層６２と、無機膜２８と、発光部５１と、を有する。発光装置５０は、基板２１に垂直な第３方向Ｄｚで、遮光層６２、無機膜２８、発光部５１の順に積層される。

【0044】

図７及び図８に示すように、発光部５１は、基材２９ｃと、基材２９ｃの内部に配置された発光素子５２と、凹部５３と、を有する。発光素子５２は、樹脂膜５５と、下部電極３４と、発光層５２０と、上部電極３５と、を有する。発光素子５２は、基板２１に垂直な第３方向Ｄｚで、樹脂膜５５、下部電極３４、発光層５２０、上部電極３５の順に積層される。図７及び図８に示すように、発光素子５２は、凹部５３を囲み、励起光Ｌ１１を凹部５３の内部へ発光することができる。

【0045】

樹脂膜５５は、可撓性を有する樹脂で、例えば、ポリイミド等の樹脂で形成される。樹脂膜５５は、発光層５２０の土台として設けられている。樹脂膜５５は、例えば、断面形状で半球状である。これにより、発光素子５２の発光面が湾曲し、励起光Ｌ１１が放射状に広がりやすくなる。なお、樹脂膜５５は、断面形状で台形や多角形であってもよい。

【0046】

下部電極３４は、発光層５２０のアノード電極であり、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性を有する導電材料で形成される。

【0047】

発光層５２０は、凹部５３に収容された試料５４に向けて励起光Ｌ１１を照射する積層層体である。発光層５２０は、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）で構成される。発光層５２０は、無機ＥＬディスプレイ（マイクロＬＥＤ、ミニＬＥＤ）であってもよい。

【0048】

上部電極３５は、発光層５２０を挟んで、下部電極３４と対向する。上部電極３５は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の透光性を有する導電材料で形成される。上部電極３５は、図示しない電源回路に電気的に接続されている。

【0049】

基材２９ｃは、発光素子５２で形成される凹凸を平坦化する、透光性を有する平坦化層である。基材２９ｃは、例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアクリルアミドのいずれかで形成された有機膜である。

【0050】

基材２９ｃは、第３方向Ｄｚで、基材２９ｃの第１面５１１から基材２９ｃの第２面５１２向けて凹む凹部５３を有する。遮光層６２は、発光素子５２の励起光Ｌ１１が受光素子３１に到達することを抑制するための層である。遮光層６２は、励起光に対して遮光性を有する樹脂や金属などで形成されている。

【0051】

凹部５３には、試料５４を含む水溶液が満たされている。凹部５３は、受光素子３１と重なる位置に配置されている。樹脂膜５５が遮光層６２よりも第３方向Ｄｚの上側へ突出している。そして、図７及び図８に示すように、樹脂膜５５が凹部５３の底部よりも第３方向Ｄｚに突出していることにより、発光素子５２の第３方向Ｄｚの位置と、凹部５３の内部の第３方向Ｄｚの位置とが同程度となる。これにより、発光素子５２が励起光Ｌ１１を照射すると、試料５４に対して励起光Ｌ１１が到達しやすくなる。

【0052】

図６に示すように、発光素子５２は、平面視で、無機膜２８、遮光層６２、上部電極３５、発光層５２０、下部電極３４、樹脂膜５５の順に、凹部５３の周囲を囲んでいる。

【0053】

遮光層６２は、第３方向Ｄｚで、センサ部１０の上側に配置されている。また、図９に示すように、遮光層６２は、第３方向Ｄｚに対して貫通した、複数の開口部６２ａを有する。つまり、開口部６２ａは、遮光層６２で形成された遮光部で囲まれている。

【0054】

開口部６２ａの形状は、平面視における受光素子３１の形状と同程度の大きさであり、例えば、正八角形である。これにより、凹部５３に入射した励起光Ｌ１１が受光素子３１に到達することを抑制することができる。

【0055】

無機膜２８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮ）等の透光性を有する無機絶縁膜である。

【0056】

図１０は、実施形態に係る発光層の蒸着領域を示す平面図である。図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ’断面図である。図１２は、図１０のＸＩＩ－ＸＩＩ’断面図である。図１０に示すように、発光装置５０において、下部電極３４及び上部電極３５は、それぞれ、平面視で、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに向けて間隔を開けて延びている。第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに向けて延びた、下部電極３４及び上部電極３５は、それぞれ、格子状に配置されている。

【0057】

接続部３４０及び接続部３５０は、外部の電源（図示せず）に接続される電極パッド部分である。下部電極３４は、接続部３４０に接続され、上部電極３５は、接続部３５０に接続されている。また、下部電極３４は、Ｄｘ方向の一方から引き出され、上部電極３５は、Ｄｘ方向の他方から引き出されている。

【0058】

図１０に示すように、発光部５１は、下部電極３４と、下部電極３４に対向する上部電極３５と、下部電極３４及び上部電極３５の間に挟まれた発光層５２０と、を含む。発光層５２０は検出領域ＡＡよりも大きい範囲で蒸着されている。図１０及び図１１に示すように、発光層５２０が蒸着された蒸着領域ＡＢのうち検出領域ＡＡを除く領域において、下部電極３４が引き出された引き出し部分３４ａは、発光層５２０に覆われている。また、発光層５２０の上に、上部電極３５がＤｘ方向の他方側に引き出され、上部電極３５は、引き出し部分３４ａに重なる前に途切れ、引き出し端部３５ｂが生じている。引き出し端部３５ｂは、引き出し部分３４ａの上に積層された発光層５２０を挟み込んでいる。下部電極３４及び上部電極３５は、平面視で、格子状に配置されている。

【0059】

これにより、発光層５２０は、引き出し部分３４ａと、引き出し端部３５ｂとの短絡を抑制することができる。

【0060】

また、図１２に示すように、発光層５２０が蒸着された蒸着領域ＡＢのうち検出領域ＡＡを除く領域において、上部電極３５が引き出された引き出し部分３５ａは、引き出し端部３４ｂの上に積層された発光層５２０を挟み込んでいる。

【0061】

また、接続部３４０及び接続部３５０に発光層５２０が蒸着されないように、発光層５２０は、マスキングして、蒸着領域ＡＢにのみ蒸着される。

【0062】

図１３は、比較例に係る検出装置を示す模式的な断面図である。比較例の検出装置１ａは、検出装置１と比較して、発光素子５２から照射される励起光Ｌ１１の光の経路上に受光素子３１が配置され、かつ、発光素子５２と受光素子３１との間に励起光Ｌ１１をカットするフィルターｆが設けられている。

【0063】

比較例の検出装置１ａは、発光素子５２から照射された励起光Ｌ１１が、光導波路３１１を経由して、凹部５３内の試料５４で励起された蛍光Ｌ１２が、フィルターｆを介して、受光素子３１ａ、３１ｂ、３１ｃにそれぞれ入射される。

【0064】

これに対して、実施形態の検出装置１は、発光素子５２から照射される励起光Ｌ１１の光の経路上に受光素子３１が配置されていない。

【0065】

これにより、実施形態の検出装置１は、受光素子３１に励起光Ｌ１１を照射せずに、試料５４にのみ励起光Ｌ１１を照射させることができるため、受光素子３１に入射される励起光Ｌ１１を低減することができる。

【0066】

また、実施形態の検出装置１は、発光素子５２と受光素子３１との間にフィルターｆが設けられていない。

【0067】

これにより、実施形態の検出装置１は、発光素子５２と受光素子３１との間にフィルターｆが設けられていないため、蛍光Ｌ１２が減衰されずに受光素子３１に到達させることができる。また、比較例の検出装置１ａと比較して、試料５４から受光素子３１までの距離が近くなり、受光素子３１が検知する蛍光Ｌ１２の検出感度が向上する。

【0068】

（検出装置１の第１変形例）
図１４は、検出装置の第１変形例を示す模式的な断面図である。なお、以下の説明では、上述した検出装置１の製造方法で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

【0069】

図１４に示すように、検出装置２は、回路形成層７０と、センサ部１０、基板２１と、発光装置５０と、を有する。検出装置２は、第３方向Ｄｚで、回路形成層７０と、センサ部１０、基板２１と、発光装置５０の順に積層される。

【0070】

検出装置１の第１変形例の作用及び効果は、実施形態の検出装置１と同様であるため、詳細な説明は、省略する。

【0071】

（実施形態に係る検出装置１の製造方法）
次に、検出装置１の製造方法について説明する。図１５は、実施形態に係る検出装置の製造方法を説明するための説明図である。図１６は、発光層が蒸着された状態を示す模式的な断面図である。なお、以下の説明では、上述した検出装置１の製造方法で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

【0072】

図１５に示すように、回路形成層７０が、基板２１の垂直な方向で、基板２１上に形成される。また、センサ部１０が、回路形成層７０の上に形成される。次に、遮光層６２が、基板２１の垂直な方向で、センサ部１０の上に形成される（ステップＳＴ１０１）。遮光層６２は、センサ部１０と重なる位置の一部を除き、形成されるので、センサ部１０と重なる位置の一部には、光を透過する開口部６２ａが形成される。これにより、遮光層６２は、開口部６２ａの周りを遮光する。

【0073】

次に、無機膜２８が、遮光層６２の上の全面を覆うようにして成膜される（ステップＳＴ１０２）。その後、樹脂膜５５が、遮光層６２の開口部６２ａに重ならない位置で、開口部６２ａを囲んで、無機膜２８の上に形成される（ステップＳＴ１０３）。

【0074】

次に、樹脂膜５５及び無機膜２８の上に発光部５１を形成する。発光部５１を形成する工程は、発光素子５２を形成する工程（ステップＳＴ１０４～ＳＴ１１０）と、発光層５２０を覆う基材２９ｃを形成する工程（ステップＳＴ１１１）と、基材２９ｃに、発光素子５２に囲まれた、複数の凹部５３を形成する工程（ステップＳＴ１１２）と、を含む。

【0075】

発光素子５２を形成する工程は、所定のパターンの下部電極３４を形成する工程（ステップＳＴ１０４）と、下部電極の露出した面に、発光層５２０を蒸着する工程（ステップＳＴ１０５）と、発光層５２０の上に犠牲層８０を積層する工程（ステップＳＴ１０５）と、犠牲層８０をフォトエッチングし、遮光層６２の開口部６２ａと重なる位置の、犠牲層８０を除去する工程（ステップＳＴ１０６）と、犠牲層８０をマスクとして、発光層５２０をエッチングし、犠牲層８０が重ならない発光層５２０が除去される工程（ステップＳＴ１０７）と、犠牲層８０が重ならない発光層５２０が除去される工程の後で、犠牲層８０を除去する工程（ステップＳＴ１０８）と、発光層５２０の上に、上部電極３５を蒸着する工程（ステップＳＴ１０９）と、上部電極３５をフォトエッチングし、遮光層６２の開口部６２ａと重なる位置の、上部電極３５を除去する工程（ステップＳＴ１１０）と、を含む。

【0076】

以下、発光素子５２を形成する工程を詳細に説明する。まず、所定のパターンの下部電極３４が、開口部６２ａに重ならない位置で、開口部６２ａを囲んで、樹脂膜５５の上に形成される（ステップＳＴ１０４）。

【0077】

次に、下部電極３４及び無機膜２８の露出した面に、発光層５２０が蒸着される。発光素子５２の上に、犠牲層８０が積層される（ステップＳＴ１０５）。犠牲層８０は、後工程で除去することを前提に形成された層である。

【0078】

ここで、図１６に示すように、発光層５２０は、正孔輸送層５７と、自発光層５６と、電子輸送層５８と、を有する。発光層５２０は、第３方向Ｄｚで、正孔輸送層５７、自発光層５６、電子輸送層５８の順に積層される。

【0079】

正孔輸送層５７としては、例えば、芳香族アミン化合物と、その化合物に対して電子受容性を示す物質とを含む層を用いることが好ましい。ここで、芳香族アミン化合物とは、アリールアミン骨格を有する物質である。芳香族アミン化合物の中でも特に、トリフェニルアミンを骨格に含み、４００以上の分子量を有するものが好ましい。電子輸送層５８の電子輸送性物質について特に限定はなく、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］－キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）－４－フェニルフェノラト－アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２－（２－ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２－（２－ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）等の金属錯体の他、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等を用いることができる。また、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質について特に限定はなく、例えば、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属、エルビウム、イッテルビウム等の希土類金属等を用いることができる。また、リチウム酸化物（Ｌｉ２Ｏ）、カルシウム酸化物（ＣａＯ）、ナトリウム酸化物（Ｎａ２Ｏ）、カリウム酸化物（Ｋ２Ｏ）、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）等、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物の中から選ばれた物質を、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質として用いても構わない。

【0080】

自発光層５６は、試料５４の吸収のピーク波長に応じて、蛍光を励起する材料が適宜選定される。

【0081】

次に、犠牲層８０がフォトエッチングされ、遮光層６２の開口部６２ａと重なる位置の、犠牲層８０が除去される（ステップＳＴ１０６）。

【0082】

さらに、犠牲層８０をマスクとして、発光層５２０がフォトエッチングされ、犠牲層８０が重ならない発光層５２０が除去される（ステップＳＴ１０７）。

【0083】

そして、遮光層６２の開口部６２ａと重ならない位置の、犠牲層８０が除去された後（ステップＳＴ１０８）、上部電極３５が発光層５２０及び無機膜２８の露出した面に蒸着される（ステップＳＴ１０９）。

【0084】

次に、開口部６２ａと重なる位置にある上部電極３５がウェットエッチングされ、遮光層６２の開口部６２ａと重なる位置の、上部電極３５が除去される（ステップＳＴ１１０）。以上により、センサ部１０の上に、発光素子５２が形成される。

【0085】

次に、基材２９ｃが、上部電極３５及び無機膜２８の露出した面を覆うようにして成膜される（ステップＳＴ１１１）。

【0086】

最後に、基材２９ｃに、発光素子５２に囲まれた、凹部５３が、基材２９ｃの第１面５１１から、第１面５１１と反対側の第２面５１２に向けて形成される（ステップＳＴ１１２）。

【0087】

これにより、実施形態に係る検出装置１の製造方法は、発光素子５２を保護する平坦化層に凹部５３を形成することで、試料５４を保持する凹部５３の形成をすることができる。

【0088】

（検出装置１の製造方法の第１変形例）
次に、検出装置１の製造方法の第１変形例について、上記の検出装置１の発光部を形成する工程と異なる点を主に説明する。図１７は、実施形態の第１変形例に係る検出装置の製造方法を説明するための説明図である。なお、以下の説明では、上述した検出装置１の製造方法で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

【0089】

図１７に示すように、回路形成層７０が、基板２１の垂直な方向で、基板２１上に形成される。また、センサ部１０が、回路形成層７０の上に形成される。次に、遮光層６２が、基板２１の垂直な方向で、センサ部１０の上に形成される（ステップＳＴ２０１）。センサ部１０と重なる位置の一部には、光を透過する開口部６２ａが形成される。

【0090】

次に、無機膜２８が、遮光層６２の上の全面を覆うようにして成膜される（ステップＳＴ２０２）。その後、樹脂膜５５が、遮光層６２の開口部６２ａに重ならない位置で、開口部６２ａを囲んで、無機膜２８の上に形成される（ステップＳＴ２０３）。

【0091】

次に、所定のパターンの下部電極３４が、開口部６２ａに重ならない位置で、開口部６２ａを囲んで、樹脂膜５５の上に形成される（ステップＳＴ２０４）。

【0092】

第１変形例では、発光部５１を形成する工程において、ステップＳＴ２０４の後、下部電極３４が形成された基板の上に、発光層５２０が蒸着され、発光層５２０の上面に、上部電極３５が積層される（ステップＳＴ２０５）。

【0093】

次に、犠牲層８０が、ステップＳＴ２０５で形成された上部電極３５の上面に、蒸着される（ステップＳＴ２０６）。そして、犠牲層８０がフォトエッチングされ、遮光層の開口部と重なる位置の、犠牲層８０が除去される（ステップＳＴ２０７）。

【0094】

次に、犠牲層をマスクとして、上部電極３５がフォトエッチングされ、ウェット加工により、犠牲層８０が重ならない上部電極３５が除去される（ステップＳＴ２０８）。

【0095】

さらに、ステップＳＴ２０８の後で、犠牲層８０をマスクとして、発光層５２０をエッチングして、犠牲層８０が重ならない発光層５２０が除去される（ステップＳＴ２０９）。

【0096】

そして、ステップＳＴ２０９の後で、開口部６２ａと重ならない位置にある犠牲層８０が除去される（ステップＳＴ２１０）。以上により、センサ部１０の上に、発光素子５２が形成される。

【0097】

次に、基材２９ｃが、上部電極３５及び無機膜２８の露出した面を覆うようにして成膜される（ステップＳＴ２１１）。

【0098】

最後に、基材２９ｃに、発光素子５２に囲まれた、凹部５３が、基材２９ｃの第１面５１１から、第１面５１１と反対側の第２面５１２に向けて形成される（ステップＳＴ２１２）。

【0099】

これにより、第１変形例に係る検出装置１の製造方法は、上部電極３５及び発光層５２０を一緒にフォトエッチング処理しているため、実施形態に係る検出装置１の製造方法と比較して、発光層５２０への損傷を抑制することができる。

【0100】

（検出装置１の製造方法の第２変形例）
次に、検出装置１の製造方法の第２変形例について、上記の検出装置１の発光部を形成する工程と異なる点を主に説明する。図１８は、実施形態の第２変形例に係る検出装置の製造方法を説明するための説明図である。

【0101】

図１８に示すように、回路形成層７０が、基板２１の垂直な方向で、基板２１上に形成される。また、センサ部１０が、回路形成層７０の上に形成される。次に、遮光層６２が、基板２１の垂直な方向で、センサ部１０の上に形成される（ステップＳＴ３０１）。センサ部１０と重なる位置の一部には、光を透過する開口部６２ａが形成される。

【0102】

次に、無機膜２８が、遮光層６２の上の全面を覆うようにして成膜される（ステップＳＴ３０２）。その後、樹脂膜５５が、遮光層６２の開口部６２ａに重ならない位置で、開口部６２ａを囲んで、無機膜２８の上に形成される（ステップＳＴ３０３）。

【0103】

次に、所定のパターンの下部電極３４が、開口部６２ａに重ならない位置で、開口部６２ａを囲んで、樹脂膜５５の上に形成される（ステップＳＴ３０４）。

【0104】

第２変形例では、発光部５１を形成する工程において、ステップＳＴ３０４の後、下部電極３４が形成された基板の上に、発光層５２０が蒸着され、発光層５２０の上面に、犠牲層８０が積層される（ステップＳＴ３０５）。

【0105】

次に、犠牲層８０がフォトエッチングされ、遮光層６２の開口部６２ａと重なる位置の、犠牲層８０が除去される（ステップＳＴ３０６）。

【0106】

次に、犠牲層８０をマスクとして、発光層５２０がフォトエッチングされ、犠牲層８０が重ならない発光層５２０が除去される（ステップＳＴ３０７）。

【0107】

次に、ステップＳＴ３０７の後で、遮光層６２の開口部６２ａと重なる位置に、フォトレジスト層８１が形成される（ステップＳＴ３０８）。

【0108】

フォトレジスト層８１は、フォトリソグラフィにおいて使用される、光や電子線等によって溶解性などの物性が変化する組成物である。本実施形態では、紫外線が照射されなかった範囲が現像剤に溶解し、紫外線が照射された範囲が現像剤に溶解せず残留するネガ型のフォトレジスト層８１が採用されている。現像剤は、例えば有機溶剤である。なお、紫外線が照射された範囲が現像剤に溶解し、紫外線が照射されなかった範囲が現像剤に溶解しないポジ型のフォトレジスト層８１が利用されてもよい。現像剤は、フォトレジスト層８１の具体的組成に応じたものになる。

【0109】

そして、ステップＳＴ３０８の後で、発光層５２０の上面に形成された犠牲層８０が除去される（ステップＳＴ３０９）。

【0110】

次に、フォトレジスト層８１及び発光層５２０の上面を覆うようにして、上部電極３５が蒸着される（ステップＳＴ３１０）。

【0111】

次に、フォトレジスト層８１が除去され、上部電極の一部がリフトオフされる（ステップＳＴ３１１）。以上により、センサ部１０の上に、発光素子５２が形成される。

【0112】

次に、基材２９ｃが、上部電極３５及び無機膜２８の露出した面を覆うようにして成膜される（ステップＳＴ３１２）。

【0113】

最後に、基材２９ｃに、発光素子５２に囲まれた、凹部５３が、基材２９ｃの第１面５１１から、第１面５１１と反対側の第２面５１２に向けて形成される（ステップＳＴ３１３）。

【0114】

これにより、第２変形例に係る検出装置１の製造方法は、遮光層６２の開口部６２ａと重なる位置の、上部電極３５がウェットエッチング加工により除去されないため、ウェットエッチング加工の溶剤で生じる発光層５２０への損傷を抑制することができる。

【0115】

（検出装置１の製造方法の第３変形例）
次に、検出装置１の製造方法の第３変形例について、上記の検出装置１の発光部を形成する工程と異なる点を主に説明する。図１９は、実施形態の第３変形例に係る検出装置の製造方法を説明するための説明図である。なお、以下の説明では、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

【0116】

図１９に示すように、回路形成層７０が、基板２１の垂直な方向で、基板２１上に形成される。また、センサ部１０が、回路形成層７０の上に形成される。次に、遮光層６２が、基板２１の垂直な方向で、センサ部１０の上に形成される（ステップＳＴ４０１）。センサ部１０と重なる位置の一部には、光を透過する開口部６２ａが形成される。

【0117】

次に、無機膜２８が、遮光層６２の上の全面を覆うようにして成膜される（ステップＳＴ４０２）。その後、樹脂膜５５が、遮光層６２の開口部６２ａに重ならない位置で、開口部６２ａを囲んで、無機膜２８の上に形成される（ステップＳＴ４０３）。

【0118】

次に、所定のパターンの下部電極３４が、開口部６２ａに重ならない位置で、開口部６２ａを囲んで、樹脂膜５５の上に形成される（ステップＳＴ４０４）。

【0119】

ステップＳＴ４０４の後、開口部６２ａと重なる位置に、リフトオフ層８２が積層される（ステップＳＴ４０５）。リフトオフ層８２は、犠牲層８０と、フォトレジスト層８１とを含む。無機膜２８の上に犠牲層８０、フォトレジスト層８１の順に積層される。リフトオフ層８２は、例えば、レジスト樹脂で形成される。

【0120】

そして、リフトオフ層８２の全面を覆うようにして、発光層５２０が蒸着される（ステップＳＴ４０６）。

【0121】

次に、リフトオフ層８２に形成された発光素子の全面を覆うようにして、上部電極３５が蒸着される（ステップＳＴ４０７）。

【0122】

さらに、開口部６２ａと重なる位置にあるリフトオフ層８２、発光層５２０、上部電極３５がリフトオフにより、除去される（ステップＳＴ４０８）。

【0123】

以上により、センサ部１０の上に、発光素子５２が形成される。

【0124】

次に、基材２９ｃが、上部電極３５及び無機膜２８の露出した面を覆うようにして成膜される（ステップＳＴ４０９）。

【0125】

最後に、基材２９ｃに、発光素子５２に囲まれた、凹部５３が、基材２９ｃの第１面５１１から、第１面５１１と反対側の第２面５１２に向けて形成される（ステップＳＴ４１０）。

【0126】

犠牲層８０は、リフトオフ層８２を除去する工程で使用される溶剤に対して、フォトレジスト層８１よりも溶解しやすい材料で形成される。

【0127】

これにより、製造方法の第３変形例に係る検出装置１は、犠牲層８０の上にフォトレジスト層８１を積層することで、リフトオフ層８２の剥離に要する時間を短縮することができる。この結果、発光層５２０への損傷を抑制することができる。

【0128】

以上、本開示の好適な実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。

【符号の説明】

【0129】

１、１ａ、２ 検出装置
１０ センサ部
２１ 基板
２８ 無機膜
２９ａ、２９ｂ 平坦化層
２９ｃ 基材
３１ 受光素子
３４ 下部電極
３５ 上部電極
５０ 発光装置
５１ 発光部
５２ 発光素子
５２０ 発光層
５３ 凹部
５４ 試料
５５ 樹脂膜
６１、６２ 遮光層
６２ａ 開口部
８０ 犠牲層
８１ フォトレジスト層
８２ リフトオフ層
ＡＢ 蒸着領域
Ｌ１１ 励起光
Ｌ１２ 蛍光

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】