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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024117405
(43)【公開日】2024-08-29
(54)【発明の名称】表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H10K 71/16 20230101AFI20240822BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20240822BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20240822BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240822BHJP
H10K 71/20 20230101ALI20240822BHJP
C23C 14/24 20060101ALI20240822BHJP
【ＦＩ】
H10K71/16
H10K50/10
H10K50/844
H10K59/122
H10K71/20
C23C14/24 U
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023023486
(22)【出願日】2023-02-17
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】高山 健
【テーマコード（参考）】
3K107
4K029
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB08
3K107CC23
3K107CC45
3K107DD22
3K107DD28
3K107DD89
3K107EE48
3K107EE49
3K107EE50
3K107FF15
3K107GG04
3K107GG12
3K107GG28
3K107GG34
3K107GG42
3K107GG56
4K029BA62
4K029CA01
4K029DA03
4K029DB06
(57)【要約】
【課題】生産効率の低下を抑制する。
【解決手段】一実施形態によれば、下電極、リブ、及び、隔壁を形成した処理基板を用意し、下電極の上に有機層を形成し、有機層の上に上電極を形成し、上電極の上に第１透明層を形成し、第１透明層の上に第２透明層を形成し、有機層、上電極、第１透明層、及び、第２透明層を形成する工程は、隔壁をマスクとした蒸着工程であり、有機層、上電極、第１透明層、及び、第２透明層の少なくとも１つを形成する蒸着工程において、蒸着源は、処理基板及び膜厚測定器に向けて材料を放射し、膜厚測定器は、水晶振動子の周波数に応じて異なる音響インピーダンス補正値を適用し、水晶振動子の周波数の変化量に基づいて蒸着レートを測定し、制御部は、蒸着レートが一定となるように蒸着源を制御する。
【選択図】図１４
【解決手段】一実施形態によれば、下電極、リブ、及び、隔壁を形成した処理基板を用意し、下電極の上に有機層を形成し、有機層の上に上電極を形成し、上電極の上に第１透明層を形成し、第１透明層の上に第２透明層を形成し、有機層、上電極、第１透明層、及び、第２透明層を形成する工程は、隔壁をマスクとした蒸着工程であり、有機層、上電極、第１透明層、及び、第２透明層の少なくとも１つを形成する蒸着工程において、蒸着源は、処理基板及び膜厚測定器に向けて材料を放射し、膜厚測定器は、水晶振動子の周波数に応じて異なる音響インピーダンス補正値を適用し、水晶振動子の周波数の変化量に基づいて蒸着レートを測定し、制御部は、蒸着レートが一定となるように蒸着源を制御する。
【選択図】図１４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、
前記開口において前記下電極の上に有機層を形成し、
前記有機層の上に上電極を形成し、
前記上電極の上に第１透明層を形成し、
前記第１透明層の上に、前記第１透明層の屈折率よりも低い屈折率を有する第２透明層を形成し、
前記有機層、前記上電極、前記第１透明層、及び、前記第２透明層を形成する工程は、前記隔壁をマスクとした蒸着工程であり、
前記有機層、前記上電極、前記第１透明層、及び、前記第２透明層の少なくとも１つを形成する前記蒸着工程において、
蒸着源は、前記処理基板及び膜厚測定器に向けて材料を放射し、
前記膜厚測定器は、水晶振動子の周波数に応じて異なる音響インピーダンス補正値を適用し、前記水晶振動子の周波数の変化量に基づいて蒸着レートを測定し、
制御部は、前記蒸着レートが一定となるように前記蒸着源を制御する、表示装置の製造方法。
前記開口において前記下電極の上に有機層を形成し、
前記有機層の上に上電極を形成し、
前記上電極の上に第１透明層を形成し、
前記第１透明層の上に、前記第１透明層の屈折率よりも低い屈折率を有する第２透明層を形成し、
前記有機層、前記上電極、前記第１透明層、及び、前記第２透明層を形成する工程は、前記隔壁をマスクとした蒸着工程であり、
前記有機層、前記上電極、前記第１透明層、及び、前記第２透明層の少なくとも１つを形成する前記蒸着工程において、
蒸着源は、前記処理基板及び膜厚測定器に向けて材料を放射し、
前記膜厚測定器は、水晶振動子の周波数に応じて異なる音響インピーダンス補正値を適用し、前記水晶振動子の周波数の変化量に基づいて蒸着レートを測定し、
制御部は、前記蒸着レートが一定となるように前記蒸着源を制御する、表示装置の製造方法。
【請求項2】
前記蒸着源は、前記第２透明層を形成するための有機材料を放射する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項3】
前記第２透明層は、前記第１透明層を形成した前記処理基板を、前記蒸着源を挟んで前記膜厚測定器とは反対側の搬送経路に沿って搬送しながら、前記有機材料を蒸着することで形成する、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項4】
前記隔壁の前記上部の直上に形成された前記有機層、前記上電極、前記第１透明層、及び、前記第２透明層は、前記開口において前記下電極の直上に形成された前記有機層、前記上電極、前記第１透明層、及び、前記第２透明層から離間している、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項5】
さらに、前記第２透明層を形成した後に、前記第２透明層の屈折率よりも高い屈折率を有する無機絶縁材料で封止層を形成し、
前記封止層は、前記隔壁の上の前記第２透明層を覆うとともに前記下電極の直上の前記第２透明層を覆い、且つ、前記隔壁に接している、請求項４に記載の表示装置の製造方法。
前記封止層は、前記隔壁の上の前記第２透明層を覆うとともに前記下電極の直上の前記第２透明層を覆い、且つ、前記隔壁に接している、請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項6】
さらに、前記封止層を形成した後に、前記封止層の上にパターニングしたレジストを形成し、
前記レジストから露出した前記封止層、前記第２透明層、前記第１透明層、前記上電極、及び、前記有機層を順次エッチングにより除去する、請求項５に記載の表示装置の製造方法。
前記レジストから露出した前記封止層、前記第２透明層、前記第１透明層、前記上電極、及び、前記有機層を順次エッチングにより除去する、請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項7】
基板の上方に位置する下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を備えた処理基板を搬送しながら、前記開口において前記下電極の上に有機層を形成する第１蒸着部と、
前記有機層の上に上電極を形成する第２蒸着部と、
前記上電極の上に第１透明層を形成する第３蒸着部と、
前記第１透明層の上に、前記第１透明層の屈折率よりも低い屈折率を有する第２透明層を形成する第４蒸着部と、を備え、
前記第１蒸着部、前記第２蒸着部、前記第３蒸着部、及び、前記第４蒸着部の少なくとも１つは、
前記処理基板の搬送経路に対向する第１ノズルと、前記第１ノズルとは反対側に設けられた第２ノズルと、を備える蒸着源と、
前記第２ノズルに対向する水晶振動子を備え、前記水晶振動子の周波数に応じて異なる音響インピーダンス補正値のテーブルを保持し、前記水晶振動子の周波数の変化量に基づいて蒸着レートを測定するように構成された膜厚測定器と、
前記蒸着レートが一定となるように前記蒸着源を制御する制御部と、を備える、表示装置の製造装置。
前記有機層の上に上電極を形成する第２蒸着部と、
前記上電極の上に第１透明層を形成する第３蒸着部と、
前記第１透明層の上に、前記第１透明層の屈折率よりも低い屈折率を有する第２透明層を形成する第４蒸着部と、を備え、
前記第１蒸着部、前記第２蒸着部、前記第３蒸着部、及び、前記第４蒸着部の少なくとも１つは、
前記処理基板の搬送経路に対向する第１ノズルと、前記第１ノズルとは反対側に設けられた第２ノズルと、を備える蒸着源と、
前記第２ノズルに対向する水晶振動子を備え、前記水晶振動子の周波数に応じて異なる音響インピーダンス補正値のテーブルを保持し、前記水晶振動子の周波数の変化量に基づいて蒸着レートを測定するように構成された膜厚測定器と、
前記蒸着レートが一定となるように前記蒸着源を制御する制御部と、を備える、表示装置の製造装置。
【請求項8】
前記蒸着源は、前記第２透明層を形成するための有機材料を放射するように構成されている、請求項７に記載の表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を形成するための製造装置において、生産効率の低下を抑制することが要求されている。
このような表示素子を形成するための製造装置において、生産効率の低下を抑制することが要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【特許文献8】特開２０１６－１８１４６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、生産効率の低下を抑制することが可能な表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、前記開口において前記下電極の上に有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記上電極の上に第１透明層を形成し、前記第１透明層の上に、前記第１透明層の屈折率よりも低い屈折率を有する第２透明層を形成し、前記有機層、前記上電極、前記第１透明層、及び、前記第２透明層を形成する工程は、前記隔壁をマスクとした蒸着工程であり、前記有機層、前記上電極、前記第１透明層、及び、前記第２透明層の少なくとも１つを形成する前記蒸着工程において、蒸着源は、前記処理基板及び膜厚測定器に向けて材料を放射し、前記膜厚測定器は、水晶振動子の周波数に応じて異なる音響インピーダンス補正値を適用し、前記水晶振動子の周波数の変化量に基づいて蒸着レートを測定し、制御部は、前記蒸着レートが一定となるように前記蒸着源を制御する。
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、前記開口において前記下電極の上に有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記上電極の上に第１透明層を形成し、前記第１透明層の上に、前記第１透明層の屈折率よりも低い屈折率を有する第２透明層を形成し、前記有機層、前記上電極、前記第１透明層、及び、前記第２透明層を形成する工程は、前記隔壁をマスクとした蒸着工程であり、前記有機層、前記上電極、前記第１透明層、及び、前記第２透明層の少なくとも１つを形成する前記蒸着工程において、蒸着源は、前記処理基板及び膜厚測定器に向けて材料を放射し、前記膜厚測定器は、水晶振動子の周波数に応じて異なる音響インピーダンス補正値を適用し、前記水晶振動子の周波数の変化量に基づいて蒸着レートを測定し、制御部は、前記蒸着レートが一定となるように前記蒸着源を制御する。
【0006】
一実施形態によれば、表示装置の製造装置は、
基板の上方に位置する下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を備えた処理基板を搬送しながら、前記開口において前記下電極の上に有機層を形成する第１蒸着部と、前記有機層の上に上電極を形成する第２蒸着部と、前記上電極の上に第１透明層を形成する第３蒸着部と、前記第１透明層の上に、前記第１透明層の屈折率よりも低い屈折率を有する第２透明層を形成する第４蒸着部と、を備え、前記第１蒸着部、前記第２蒸着部、前記第３蒸着部、及び、前記第４蒸着部の少なくとも１つは、前記処理基板の搬送経路に対向する第１ノズルと、前記第１ノズルとは反対側に設けられた第２ノズルと、を備える蒸着源と、前記第２ノズルに対向する水晶振動子を備え、前記水晶振動子の周波数に応じて異なる音響インピーダンス補正値のテーブルを保持し、前記水晶振動子の周波数の変化量に基づいて蒸着レートを測定するように構成された膜厚測定器と、前記蒸着レートが一定となるように前記蒸着源を制御する制御部と、を備える。
基板の上方に位置する下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を備えた処理基板を搬送しながら、前記開口において前記下電極の上に有機層を形成する第１蒸着部と、前記有機層の上に上電極を形成する第２蒸着部と、前記上電極の上に第１透明層を形成する第３蒸着部と、前記第１透明層の上に、前記第１透明層の屈折率よりも低い屈折率を有する第２透明層を形成する第４蒸着部と、を備え、前記第１蒸着部、前記第２蒸着部、前記第３蒸着部、及び、前記第４蒸着部の少なくとも１つは、前記処理基板の搬送経路に対向する第１ノズルと、前記第１ノズルとは反対側に設けられた第２ノズルと、を備える蒸着源と、前記第２ノズルに対向する水晶振動子を備え、前記水晶振動子の周波数に応じて異なる音響インピーダンス補正値のテーブルを保持し、前記水晶振動子の周波数の変化量に基づいて蒸着レートを測定するように構成された膜厚測定器と、前記蒸着レートが一定となるように前記蒸着源を制御する制御部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0009】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0010】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0011】
図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0012】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0013】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0014】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0015】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。
【0016】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。
【0017】
表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。
【0018】
周辺領域ＳＡには、詳述しないが、ＩＣチップやフレキシブルプリント回路基板を接続するための端子が設けられている。
【0019】
図２は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
【0020】
副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。
【0021】
なお、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。
【0022】
表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有している。
【0023】
隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、全体として開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0024】
副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１、２０２、２０３を備えている。
副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を備えている。下電極ＬＥ１の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ１は、例えば青波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２を備えている。下電極ＬＥ２の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ２は、例えば緑波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３を備えている。下電極ＬＥ３の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ３は、例えば赤波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を備えている。下電極ＬＥ１の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ１は、例えば青波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２を備えている。下電極ＬＥ２の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ２は、例えば緑波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３を備えている。下電極ＬＥ３の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ３は、例えば赤波長域の光を放つ発光層を含む。
【0025】
図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。
【0026】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。
【0027】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0028】
図２の例においては、開口ＡＰ１の面積、開口ＡＰ２の面積、及び、開口ＡＰ３の面積は、互いに異なる。開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。
【0029】
図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路や、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路や、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
【0030】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置され、互いに離間している。リブ５は、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の上に配置されている。リブ５の開口ＡＰ１は下電極ＬＥ１に重なり、開口ＡＰ２は下電極ＬＥ２に重なり、開口ＡＰ３は下電極ＬＥ３に重なっている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の周縁部は、リブ５で覆われている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２がリブ５により覆われている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれの画素回路１に接続されている。なお、絶縁層１２のコンタクトホールは、図３では省略するが、図２のＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３に相当する。
【0031】
隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。上部６２の両端部は、下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0032】
有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１を覆うとともに、その周縁部がリブ５の上に位置している。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
【0033】
有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２を覆うとともに、その周縁部がリブ５の上に位置している。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下部６１に接触している。
【0034】
有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３を覆うとともに、その周縁部がリブ５の上に位置している。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下部６１に接触している。
【0035】
図３の例においては、副画素ＳＰ１はキャップ層ＣＰ１及び封止層ＳＥ１を有し、副画素ＳＰ２はキャップ層ＣＰ２及び封止層ＳＥ２を有し、副画素ＳＰ３はキャップ層ＣＰ３及び封止層ＳＥ３を有している。キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３から放たれた光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0036】
キャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
【0037】
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
【0038】
図３の例においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６の上に位置している。これらの部分は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のうち開口ＡＰ１に位置する部分（表示素子２０１を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
【0039】
封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の端部は、隔壁６の上に位置している。図３の例においては、副画素ＳＰ１、ＳＰ２間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ１、ＳＥ２の端部同士が離間し、副画素ＳＰ２、ＳＰ３間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ２、ＳＥ３の端部同士が離間している。
【0040】
封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３は、樹脂層１３によって覆われている。樹脂層１３は、封止層１４によって覆われている。封止層１４は、樹脂層１５によって覆われている。
【0041】
リブ５は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成されている。
【0042】
封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３、及び、封止層１４は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３、及び、封止層１４は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの他の無機絶縁材料で形成されてもよい。
【0043】
一例では、リブ５は、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３とは異なる材料で形成されている。なお、リブ５が封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３と同一材料で形成されている場合がありうる。
【0044】
隔壁６の下部６１は、導電材料で形成され、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の上部６２は、例えば導電材料によって形成されているが、絶縁材料で形成されもよい。下部６１は、上部６２とは異なる材料で形成されている。
【0045】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの酸化物導電材料で形成された透明電極と、銀などの金属材料で形成された金属電極とを含む多層体である。
【0046】
有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ１、発光層ＥＭ２、及び、発光層ＥＭ３は、互いに異なる材料で形成されている。一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
また、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
また、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
【0047】
上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、例えば、マグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。
【0048】
キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、複数の薄膜の多層体である。複数の薄膜は、いずれも透明であり、しかも、互いに異なる屈折率を有している。
【0049】
図４は、表示素子２０１乃至２０３の構成の一例を示す図である。
なお、ここでは、下電極がアノードに相当し、上電極がカソードに相当する場合を例について説明する。
なお、ここでは、下電極がアノードに相当し、上電極がカソードに相当する場合を例について説明する。
【0050】
表示素子２０１は、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に有機層ＯＲ１を含む。
有機層ＯＲ１において、正孔注入層ＨＩＬ１、正孔輸送層ＨＴＬ１、電子ブロック層ＥＢＬ１、発光層ＥＭ１、正孔ブロック層ＨＢＬ１、電子輸送層ＥＴＬ１、及び、電子注入層ＥＩＬ１は、この順に積層されている。
キャップ層ＣＰ１は、第１透明層ＴＬ１１及び第２透明層ＴＬ１２を含む。第１透明層ＴＬ１１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。第２透明層ＴＬ１２は、第１透明層ＴＬ１１の上に配置されている。封止層ＳＥ１は、第２透明層ＴＬ１２の上に配置されている。
有機層ＯＲ１において、正孔注入層ＨＩＬ１、正孔輸送層ＨＴＬ１、電子ブロック層ＥＢＬ１、発光層ＥＭ１、正孔ブロック層ＨＢＬ１、電子輸送層ＥＴＬ１、及び、電子注入層ＥＩＬ１は、この順に積層されている。
キャップ層ＣＰ１は、第１透明層ＴＬ１１及び第２透明層ＴＬ１２を含む。第１透明層ＴＬ１１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。第２透明層ＴＬ１２は、第１透明層ＴＬ１１の上に配置されている。封止層ＳＥ１は、第２透明層ＴＬ１２の上に配置されている。
【0051】
表示素子２０２は、下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２との間に有機層ＯＲ２を含む。
有機層ＯＲ２において、正孔注入層ＨＩＬ２、正孔輸送層ＨＴＬ２、電子ブロック層ＥＢＬ２、発光層ＥＭ２、正孔ブロック層ＨＢＬ２、電子輸送層ＥＴＬ２、及び、電子注入層ＥＩＬ２は、この順に積層されている。一例では、正孔輸送層ＨＴＬ２の厚さＴ２は、正孔輸送層ＨＴＬ１の厚さＴ１より大きい。
キャップ層ＣＰ２は、第１透明層ＴＬ２１及び第２透明層ＴＬ２２を含む。第１透明層ＴＬ２１は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。第２透明層ＴＬ２２は、第１透明層ＴＬ２１の上に配置されている。封止層ＳＥ２は、第２透明層ＴＬ２２の上に配置されている。
有機層ＯＲ２において、正孔注入層ＨＩＬ２、正孔輸送層ＨＴＬ２、電子ブロック層ＥＢＬ２、発光層ＥＭ２、正孔ブロック層ＨＢＬ２、電子輸送層ＥＴＬ２、及び、電子注入層ＥＩＬ２は、この順に積層されている。一例では、正孔輸送層ＨＴＬ２の厚さＴ２は、正孔輸送層ＨＴＬ１の厚さＴ１より大きい。
キャップ層ＣＰ２は、第１透明層ＴＬ２１及び第２透明層ＴＬ２２を含む。第１透明層ＴＬ２１は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。第２透明層ＴＬ２２は、第１透明層ＴＬ２１の上に配置されている。封止層ＳＥ２は、第２透明層ＴＬ２２の上に配置されている。
【0052】
表示素子２０３は、下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３との間に有機層ＯＲ３を含む。
有機層ＯＲ３において、正孔注入層ＨＩＬ３、正孔輸送層ＨＴＬ３、電子ブロック層ＥＢＬ３、発光層ＥＭ３、正孔ブロック層ＨＢＬ３、電子輸送層ＥＴＬ３、及び、電子注入層ＥＩＬ３は、この順に積層されている。一例では、正孔輸送層ＨＴＬ３の厚さＴ３は、正孔輸送層ＨＴＬ２の厚さＴ２より大きい。
キャップ層ＣＰ３は、第１透明層ＴＬ３１及び第２透明層ＴＬ３２を含む。第１透明層ＴＬ３１は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。第２透明層ＴＬ３２は、第１透明層ＴＬ３１の上に配置されている。封止層ＳＥ３は、第２透明層ＴＬ３２の上に配置されている。
有機層ＯＲ３において、正孔注入層ＨＩＬ３、正孔輸送層ＨＴＬ３、電子ブロック層ＥＢＬ３、発光層ＥＭ３、正孔ブロック層ＨＢＬ３、電子輸送層ＥＴＬ３、及び、電子注入層ＥＩＬ３は、この順に積層されている。一例では、正孔輸送層ＨＴＬ３の厚さＴ３は、正孔輸送層ＨＴＬ２の厚さＴ２より大きい。
キャップ層ＣＰ３は、第１透明層ＴＬ３１及び第２透明層ＴＬ３２を含む。第１透明層ＴＬ３１は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。第２透明層ＴＬ３２は、第１透明層ＴＬ３１の上に配置されている。封止層ＳＥ３は、第２透明層ＴＬ３２の上に配置されている。
【0053】
第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１は、例えば有機材料によって形成された透明な有機層であり、また、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３よりも大きい屈折率を有する高屈折率層である。一例では、第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１の屈折率は、１．７以上であり、２．０以下である。
【0054】
第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２は、例えば有機材料によって形成された透明な有機層であり、第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１よりも小さい屈折率を有する低屈折率層である。一例では、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２の屈折率は、１．３以上であり、１．６以下である。
【0055】
なお、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２に接する封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の屈折率は、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２の屈折率よりも大きい。一例では、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の屈折率は、１．７以上であり、２．０以下である。
【0056】
第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２を形成するため有機材料としては、主鎖が炭素によって構成され、置換基にフッ素を含むフッ素系樹脂が好適である。一例では、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、及び、２－（パーフルオロヘキシル）エチルアクリレートの少なくとも１つの有機材料で形成することができる。ポリテトラフルオロエチレンの屈折率は、１．３５である。ポリフッ化ビニリデンの屈折率は、１．４２である。２－（パーフルオロヘキシル）エチルアクリレートの屈折率は、１．３５である。
【0057】
これらの有機材料を適用した第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２は、蒸着法により形成することができる。このような第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２の厚さは、例えば、２０ｎｍ～５００ｎｍである。
【0058】
第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１は、互いに離間しており、それぞれ個別に形成される。このため、第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１のすべてが同一材料で形成される場合があり得るし、互いに異なる材料で形成される場合があり得る。
【0059】
第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２は、互いに離間しており、それぞれ個別に形成される。このため、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２のすべてが同一材料で形成される場合があり得るし、互いに異なる材料で形成される場合があり得る。
【0060】
第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１の各々の厚さは、すべてが同一である場合があり得るし、互いに異なる場合があり得る。
また、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２の各々の厚さは、すべてが同一である場合があり得るし、互いに異なる場合があり得る。
また、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２の各々の厚さは、すべてが同一である場合があり得るし、互いに異なる場合があり得る。
【0061】
一例では、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２の各々の厚さはすべて同一であり、青用の表示素子２０１における第１透明層ＴＬ１１の厚さは、赤用の表示素子２０３における第１透明層ＴＬ３１の厚さより小さい。
また、表示素子２０１においては、第２透明層ＴＬ１２の厚さは第１透明層ＴＬ１１の厚さより大きい。また、表示素子２０３においては、第１透明層ＴＬ３１の厚さは第２透明層ＴＬ３２の厚さより小さい。
また、表示素子２０１においては、第２透明層ＴＬ１２の厚さは第１透明層ＴＬ１１の厚さより大きい。また、表示素子２０３においては、第１透明層ＴＬ３１の厚さは第２透明層ＴＬ３２の厚さより小さい。
【0062】
キャップ層ＣＰ１乃至ＣＰ３のすべての層構成が同一である場合があり得るし、互いに異なる場合があり得る。
また、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、３層以上の積層体であってもよい。
また、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、３層以上の積層体であってもよい。
【0063】
有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３は、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。
【0064】
正孔輸送層ＨＴＬ１、ＨＴＬ２、ＨＴＬ３の各々は、一例では、図中に点線で示すように、互いに異なる材料で形成した２つの薄膜の多層体であるが、単一材料で形成した単層体であってもよい。
【0065】
表示素子２０１乃至２０３は、図示したようなシングル構成に限らず、タンデム構成であってもよい。
【0066】
【0067】
まず、図５に示すように、処理基板ＳＵＢを用意する。処理基板ＳＵＢを用意する工程は、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する工程と、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々と重なる開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５を形成する工程と、リブ５の上に配置された下部６１及び下部６１の上に配置され下部６１の側面から突出した上部６２を含む隔壁６を形成する工程と、を含む。リブ５は、例えばシリコン酸窒化物で形成する。隔壁６のうち、少なくとも下部６１は、導電材料で形成する。なお、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５を形成した後に、隔壁６を形成してもよいし、隔壁６を形成した後に、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を形成してもよい。
【0068】
続いて、表示素子２０１を形成する。
【0069】
まず、図６に示すように、隔壁６をマスクとして、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層（ＥＭ１）、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１を形成する。
その後、隔壁６をマスクとして、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
その後、隔壁６をマスクとして、上電極ＵＥ１の上に、第１透明層ＴＬ１１を形成するための高屈折率材料及び第２透明層ＴＬ１２を形成するための低屈折率材料を順次蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
その後、ＣＶＤにより無機絶縁材料を堆積して、キャップ層ＣＰ１及び隔壁６を連続的に覆うように、封止層ＳＥ１を形成する。ここでは、第２透明層ＴＬ１２の屈折率よりも高い屈折率を有する無機絶縁材料として、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）が適用される。
その後、隔壁６をマスクとして、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
その後、隔壁６をマスクとして、上電極ＵＥ１の上に、第１透明層ＴＬ１１を形成するための高屈折率材料及び第２透明層ＴＬ１２を形成するための低屈折率材料を順次蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
その後、ＣＶＤにより無機絶縁材料を堆積して、キャップ層ＣＰ１及び隔壁６を連続的に覆うように、封止層ＳＥ１を形成する。ここでは、第２透明層ＴＬ１２の屈折率よりも高い屈折率を有する無機絶縁材料として、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）が適用される。
【0070】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２、ＳＰ３にも配置されている。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。
【0071】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層（第１透明層ＴＬ１１及び第２透明層ＴＬ１２を含む）ＣＰ１がそれぞれ蒸着によって形成される際に、蒸着源から放たれた材料は、上部６２によって遮られる。このため、上部６２の上には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部が積層される。上部６２の上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の各々は、下電極ＬＥ１の直上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１から離間している。
封止層ＳＥ１は、隔壁６のキャップ層ＣＰ１を覆うとともに、下電極ＬＥ１の直上のキャップ層ＣＰ１を覆い、かつ、隔壁６に接している。
封止層ＳＥ１は、隔壁６のキャップ層ＣＰ１を覆うとともに、下電極ＬＥ１の直上のキャップ層ＣＰ１を覆い、かつ、隔壁６に接している。
【0072】
続いて、図７に示すように、封止層ＳＥ１の上に、所定の形状にパターニングされたレジストＲ１を形成する。レジストＲ１は、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部に重なっている。
【0073】
続いて、図８に示すように、レジストＲ１をマスクとしてエッチングを行うことにより、レジストＲ１から露出した封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を順次除去する。これにより、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２及び副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
【0074】
続いて、図９に示すように、レジストＲ１を除去する。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子２０１が形成される。
【0075】
続いて、図１０に示すように、表示素子２０２を形成する。表示素子２０２を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ２の上に、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、第１透明層ＴＬ２１及び第２透明層ＴＬ２２を含むキャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２を順に形成する。その後、封止層ＳＥ２の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしてエッチングを行うことにより、封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ２に表示素子２０２が形成され、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
【0076】
続いて、図１１に示すように、表示素子２０３を形成する。表示素子２０３を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ３の上に、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、第１透明層ＴＬ３１及び第２透明層ＴＬ３２を含むキャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３を順に形成する。その後、封止層ＳＥ３の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしてエッチングを行うことにより、封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ３に表示素子２０３が形成される。
【0077】
その後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４、及び、樹脂層１５を順に形成する。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。
【0078】
なお、以上の製造工程においては、最初に表示素子２０１が形成され、次に表示素子２０２が形成され、最後に表示素子２０３が形成される場合を想定したが、表示素子２０１、２０２、２０３の形成順はこの例に限られない。
【0079】
次に、表示装置ＤＳＰの製造装置について説明する。ここでは、一例として、表示素子２０１の有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１を形成するための製造装置１００について説明する。なお、表示素子２０２の有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２を形成するための製造装置、及び、表示素子２０３の有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３を形成するための製造装置は、ここに説明する製造装置１００と同様に構成することができる。
【0080】
図１２は、製造装置１００の一構成例を説明するための図である。
製造装置１００は、図６を参照して説明した各種薄膜を形成する工程のうち、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１を形成する工程に適用される。なお、表示素子２０１の構成は、図４に示したシングル構成であることを想定している。
製造装置１００は、図６を参照して説明した各種薄膜を形成する工程のうち、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１を形成する工程に適用される。なお、表示素子２０１の構成は、図４に示したシングル構成であることを想定している。
【0081】
製造装置１００は、前処理部１０１と、方向転換部１０２と、後処理部１０３と、第１蒸着部１１０と、第２蒸着部１２０と、第３蒸着部１３０と、第４蒸着部１４０と、搬送経路Ｔに沿って処理基板ＳＵＢを搬送する搬送機構と、を備えている。このような製造装置１００において、少なくとも第１蒸着部１１０から第４蒸着部１４０までは、所定の減圧状態に維持されている。
【0082】
前処理部１０１は、図５を参照して説明した下電極、リブ、隔壁などを備えた処理基板ＳＵＢを形成する処理基板形成部や、処理基板ＳＵＢに対して、洗浄処理、乾燥処理、プラズマ処理などの各種処理を行う処理部などを備えている。また、前処理部１０１は、処理基板ＳＵＢを所定の搬送姿勢に設定する機構や、静電チャックにより処理基板ＳＵＢを専用のキャリアに固定する機構などを備えている。キャリアは、搬送機構により搬送経路Ｔに沿って搬送される。
【0083】
後処理部１０３は、静電チャックによる固定を解除してキャリアから処理基板ＳＵＢを取り外す機構や、処理基板ＳＵＢを所定の姿勢に設定する機構などを備えている。
【0084】
第１蒸着部１１０は、図４に示した有機層ＯＲ１を形成するように構成され、複数の蒸着部を備えている。図示した例では、第１蒸着部１１０は、８個の蒸着部１１１乃至１１８を備えているが、９個以上の蒸着部を備えていてもよいし、７個以下の蒸着部を備えていてもよい。
【0085】
蒸着部１１１乃至１１５は、搬送経路Ｔに沿って一列に並んでいる。蒸着部１１６乃至１１８は、搬送経路Ｔに沿って一列に並んでいる。蒸着部１１５及び蒸着部１１６は、方向転換部１０２に接続されている。図示した例では、方向転換部１０２は、処理基板ＳＵＢの搬送方向を１８０°転換するように構成されている。
【0086】
蒸着部１１１は、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層ＨＩＬ１を形成するように構成されている。
蒸着部１１２は、正孔注入層ＨＩＬ１の上に、正孔輸送層ＨＴＬ１の第１薄膜ＨＴＬ１－１を形成するように構成されている。
蒸着部１１３は、第１薄膜ＨＴＬ１－１の上に、正孔輸送層ＨＴＬ１の第２薄膜ＨＴＬ１－２を形成するように構成されている。ここでは、所定の厚さＴ１の正孔輸送層ＨＴＬ１を形成するために２つの蒸着部１１２、１１３を適用している。なお、１つの蒸着部１１２で所定の厚さＴ１の正孔輸送層ＨＴＬ１が形成可能な場合には、蒸着部１１３は省略される。
蒸着部１１２は、正孔注入層ＨＩＬ１の上に、正孔輸送層ＨＴＬ１の第１薄膜ＨＴＬ１－１を形成するように構成されている。
蒸着部１１３は、第１薄膜ＨＴＬ１－１の上に、正孔輸送層ＨＴＬ１の第２薄膜ＨＴＬ１－２を形成するように構成されている。ここでは、所定の厚さＴ１の正孔輸送層ＨＴＬ１を形成するために２つの蒸着部１１２、１１３を適用している。なお、１つの蒸着部１１２で所定の厚さＴ１の正孔輸送層ＨＴＬ１が形成可能な場合には、蒸着部１１３は省略される。
【0087】
蒸着部１１４は、第２薄膜ＨＴＬ１－２の上に、電子ブロック層ＥＢＬ１を形成するように構成されている。
蒸着部１１５は、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に、発光層ＥＭ１を形成するように構成されている。
蒸着部１１５は、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に、発光層ＥＭ１を形成するように構成されている。
【0088】
蒸着部１１６は、発光層ＥＭ１の上に、正孔ブロック層ＨＢＬ１を形成するように構成されている。
蒸着部１１７は、正孔ブロック層ＨＢＬ１の上に、電子輸送層ＥＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着部１１８は、電子輸送層ＥＴＬ１の上に、電子注入層ＥＩＬ１を形成するように構成されている。
蒸着部１１７は、正孔ブロック層ＨＢＬ１の上に、電子輸送層ＥＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着部１１８は、電子輸送層ＥＴＬ１の上に、電子注入層ＥＩＬ１を形成するように構成されている。
【0089】
第２蒸着部１２０は、電子注入層ＥＩＬ１の上に、上電極ＵＥ１を形成するように構成されている。
第３蒸着部１３０は、上電極ＵＥ１の上に有機材料を蒸着して、第１透明層ＴＬ１１を形成するように構成されている。
第４蒸着部１４０は、第１透明層ＴＬ１１の上に有機材料を蒸着して、第２透明層ＴＬ１２を形成するように構成されている。
第３蒸着部１３０は、上電極ＵＥ１の上に有機材料を蒸着して、第１透明層ＴＬ１１を形成するように構成されている。
第４蒸着部１４０は、第１透明層ＴＬ１１の上に有機材料を蒸着して、第２透明層ＴＬ１２を形成するように構成されている。
【0090】
以下に、製造装置１００における製造工程について説明する。
【0091】
製造装置１００に搬入された処理基板ＳＵＢは、搬送経路Ｔに沿って搬送され、まず、前処理部１０１に搬入される。前処理部１０１においては、処理基板ＳＵＢに対して、所定の前処理が行われる。
【0092】
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１１に搬入される。蒸着部１１１においては、処理基板ＳＵＢに対して、正孔注入層ＨＩＬ１を形成するための有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１２に搬入される。蒸着部１１２においては、処理基板ＳＵＢに対して、正孔輸送層の第１薄膜ＨＴＬ１－１を形成するための有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１３に搬入される。蒸着部１１３においては、処理基板ＳＵＢに対して、正孔輸送層の第２薄膜ＨＴＬ１－２を形成するための有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１２に搬入される。蒸着部１１２においては、処理基板ＳＵＢに対して、正孔輸送層の第１薄膜ＨＴＬ１－１を形成するための有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１３に搬入される。蒸着部１１３においては、処理基板ＳＵＢに対して、正孔輸送層の第２薄膜ＨＴＬ１－２を形成するための有機材料が蒸着される。
【0093】
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１４に搬入される。蒸着部１１４においては、処理基板ＳＵＢに対して、電子ブロック層ＥＢＬ１を形成するための有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１５に搬入される。蒸着部１１５においては、処理基板ＳＵＢに対して、発光層ＥＭ１を形成するための有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１５に搬入される。蒸着部１１５においては、処理基板ＳＵＢに対して、発光層ＥＭ１を形成するための有機材料が蒸着される。
【0094】
その後、処理基板ＳＵＢは、方向転換部１０２を経由して蒸着部１１６に搬入される。蒸着部１１６においては、処理基板ＳＵＢに対して、正孔ブロック層ＨＢＬ１を形成するための有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１７に搬入される。蒸着部１１７においては、処理基板ＳＵＢに対して、電子輸送層ＥＴＬ１を形成するための有機材料が蒸着される。
蒸着部１１１乃至１１７においては、処理基板ＳＵＢに対して、互い異なる有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１７に搬入される。蒸着部１１７においては、処理基板ＳＵＢに対して、電子輸送層ＥＴＬ１を形成するための有機材料が蒸着される。
蒸着部１１１乃至１１７においては、処理基板ＳＵＢに対して、互い異なる有機材料が蒸着される。
【0095】
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１８に搬入される。蒸着部１１８においては、処理基板ＳＵＢに対して、電子注入層ＥＩＬ１を形成するための無機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、第２蒸着部１２０に搬入される。第２蒸着部１２０においては、処理基板ＳＵＢに対して、上電極ＵＥ１を形成するための導電材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、第２蒸着部１２０に搬入される。第２蒸着部１２０においては、処理基板ＳＵＢに対して、上電極ＵＥ１を形成するための導電材料が蒸着される。
【0096】
その後、処理基板ＳＵＢは、第３蒸着部１３０に搬入される。第３蒸着部１３０においては、処理基板ＳＵＢに対して、第１透明層ＴＬ１１を形成するための有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、第４蒸着部１４０に搬入される。第４蒸着部１４０においては、処理基板ＳＵＢに対して、第２透明層ＴＬ１２を形成するための有機材料が蒸着される。
第３蒸着部１３０及び第４蒸着部１４０においては、処理基板ＳＵＢに対して、互い異なる有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、第４蒸着部１４０に搬入される。第４蒸着部１４０においては、処理基板ＳＵＢに対して、第２透明層ＴＬ１２を形成するための有機材料が蒸着される。
第３蒸着部１３０及び第４蒸着部１４０においては、処理基板ＳＵＢに対して、互い異なる有機材料が蒸着される。
【0097】
その後、処理基板ＳＵＢは、後処理部１０３に搬入される。後処理部１０３においては、処理基板ＳＵＢに対して、所定の後処理が行われる。その後、処理基板ＳＵＢは、製造装置１００から搬出される。
【0098】
次に、蒸着部の代表的な構成について説明する。
【0099】
図１３は、蒸着部３００の主要部を模式的に示す斜視図である。
蒸着部３００は、蒸着源３１０と、膜厚測定器３２０と、を備えている。
蒸着部３００は、蒸着源３１０と、膜厚測定器３２０と、を備えている。
【0100】
蒸着源３１０は、材料を加熱する坩堝３１１と、坩堝３１１に接続された複数の蒸着ヘッド３１２と、蒸着ヘッド３１２の各々から気化した材料を放射する第１ノズル３１３及び第２ノズル３１４（図１３では図示していない）と、を備えている。蒸着ヘッド３１２の各々に設けられた複数の第１ノズル３１３は、処理基板ＳＵＢの搬送経路Ｔに対して直交する方向に並んでいる。
【0101】
膜厚測定器３２０は、蒸着源３１０に対向している。搬送経路Ｔは、蒸着源３１０を挟んで膜厚測定器３２０とは反対側に設けられている。
【0102】
【0103】
図１４は、蒸着部３００の主要部を模式的に示す上面図である。ここでは、複数の蒸着ヘッドのうち１つの蒸着ヘッド３１２を図示している。
【0104】
蒸着源３１０及び膜厚測定器３２０は、チャンバー３０１の内部に収容されている。
【0105】
蒸着源３１０において、第１ノズル３１３は、破線で示す処理基板ＳＵＢ、あるいは、二点鎖線で示す搬送経路Ｔに対向している。第２ノズル３１４は、膜厚測定器３２０に対向している。つまり、処理基板ＳＵＢに向けて材料を放射するノズル（第１ノズル３１３）と、膜厚測定器３２０に向けて材料を放射するノズル（第２ノズル３１４）とは、別個のものである。
【0106】
膜厚測定器３２０は、開孔３２１Ａを有するシャッター３２１と、開孔３２２Ａを有するカバー３２２と、回転軸３２３Ａを中心として回転可能に構成されたホルダ３２３と、ホルダ３２３の同一面上に配置された複数の水晶振動子Ｃと、を備えている。カバー３２２は、シャッター３２１と水晶振動子Ｃとの間に位置している。第２ノズル３１４から放射された材料を水晶振動子Ｃに蒸着する場合、シャッター３２１は、開孔３２１Ａが開孔３２２Ａと同軸上に位置するように駆動される。
【0107】
水晶振動子Ｃは、例えば、一対の金属電極の間に水晶板を挟持した構造を有している。第２ノズル３１４から放射された材料が金属電極に蒸着されると、水晶振動子Ｃの周波数が変化する。水晶振動子Ｃの周波数は、材料の蒸着に伴って減衰する。このため、膜厚測定器３２０では、水晶振動子Ｃの周波数の変化量（減衰量）に基づいて材料の蒸着レートが測定され、さらに、水晶振動子Ｃの上に形成された薄膜の厚さ、及び、処理基板ＳＵＢの上に形成された薄膜の厚さが測定される。蒸着レートや厚さを測定するに際して、膜厚測定器３２０は、水晶振動子Ｃの周波数に応じて異なる音響インピーダンス補正値を適用する。この点については、後に詳述する。ここでの蒸着レートとは、単位時間当たりに蒸着された材料の厚さである。
【0108】
例えば、図示した蒸着部３００が図１２に示した第４蒸着部１４０に相当する場合、蒸着源３１０の坩堝３１１は、第２透明層ＴＬ１２を形成するための有機材料を収容している。蒸着源３１０は、坩堝３１１に収容した有機材料を加熱し、気化した有機材料を第１ノズル３１３及び第２ノズル３１４から放射する。
第１ノズル３１３から放射された有機材料は、搬送経路Ｔに沿って搬送される処理基板ＳＵＢの第１透明層ＴＬ１１の上に蒸着される。同時に、第２ノズル３１４から放射された有機材料は、開孔３２１Ａ及び開孔３２２Ａを介して少なくとも１つの水晶振動子Ｃに蒸着される。膜厚測定器３２０は、水晶振動子Ｃの周波数の変化量に基づいて、有機材料の蒸着レートを測定することができる。
尚、第２ノズル３１４の配置については、図１４に示した例のように、第１ノズル３１３の反対側に設けられる例に限定されない。第２ノズル３１４は、第１ノズル３１３と同様に、処理基板ＳＵＢまたは搬送経路Ｔに対向するように設けられてもよい。別の観点では、蒸着ヘッド３１２の搬送経路Ｔと対向する側に設けられた複数のノズルは、第１ノズル３１３及び第２ノズル３１４を含んでいてもよい。この場合、膜厚測定器３２０は、蒸着ヘッド３１２の搬送経路Ｔと対向する側で、処理基板ＳＵＢへの蒸着及び処理基板ＳＵＢの搬送に影響を与えない場所に配置され、第２ノズル３１４と対向している。
第１ノズル３１３から放射された有機材料は、搬送経路Ｔに沿って搬送される処理基板ＳＵＢの第１透明層ＴＬ１１の上に蒸着される。同時に、第２ノズル３１４から放射された有機材料は、開孔３２１Ａ及び開孔３２２Ａを介して少なくとも１つの水晶振動子Ｃに蒸着される。膜厚測定器３２０は、水晶振動子Ｃの周波数の変化量に基づいて、有機材料の蒸着レートを測定することができる。
尚、第２ノズル３１４の配置については、図１４に示した例のように、第１ノズル３１３の反対側に設けられる例に限定されない。第２ノズル３１４は、第１ノズル３１３と同様に、処理基板ＳＵＢまたは搬送経路Ｔに対向するように設けられてもよい。別の観点では、蒸着ヘッド３１２の搬送経路Ｔと対向する側に設けられた複数のノズルは、第１ノズル３１３及び第２ノズル３１４を含んでいてもよい。この場合、膜厚測定器３２０は、蒸着ヘッド３１２の搬送経路Ｔと対向する側で、処理基板ＳＵＢへの蒸着及び処理基板ＳＵＢの搬送に影響を与えない場所に配置され、第２ノズル３１４と対向している。
【0109】
制御部３３０は、膜厚測定器３２０によって測定された蒸着レートに基づき、蒸着レートが一定となるように、蒸着源３１０を制御する。一例では、制御部３３０は、蒸着源３１０において、坩堝３１１を加熱する温度を制御し、第１ノズル３１３及び第２ノズル３１４から放射される材料の放射量を調整する。また、制御部３３０は、蒸着レートを一定の設定値に維持するために、第１ノズル３１３と対向する処理基板ＳＵＢの搬送速度を調整してもよい。
尚、制御部３３０は、ケーブルで膜厚測定器３２０と接続されている。この場合、制御部３３０は、膜厚測定器３２０とともにチャンバー３０１の内部に配置されていてもよいし、チャンバー３０１の外側に配置されていてもよい。
尚、制御部３３０は、ケーブルで膜厚測定器３２０と接続されている。この場合、制御部３３０は、膜厚測定器３２０とともにチャンバー３０１の内部に配置されていてもよいし、チャンバー３０１の外側に配置されていてもよい。
【0110】
ところで、蒸着レートは、減衰する周波数の傾きを厚さに換算して算出される。水晶振動子Ｃにおいては、蒸着される材料によって振動の伝わりやすさが異なるため、周波数の減衰が進行していくと、算出された蒸着レートと、実際の蒸着レートとの乖離が大きくなる傾向にある。このような乖離を補正するためのパラメータとして、音響インピーダンス補正値（Ｚレシオ）が知られている。
【0111】
図１５は、音響インピーダンス補正値による補正の一例について説明する。
図の横軸は水晶振動子の周波数（Ｈｚ）であり、図の縦軸は蒸着レートの相対値である。
図の横軸は水晶振動子の周波数（Ｈｚ）であり、図の縦軸は蒸着レートの相対値である。
【0112】
図中のＡは、音響インピーダンス補正値を適用する前の実際の蒸着レートを示している。この場合、膜厚測定器３２０は、音響インピーダンス補正値を適用することなく、周波数の変化量に基づいて蒸着レートを測定する。そして、制御部３３０は、膜厚測定器３２０によって測定された蒸着レートが一定となるように蒸着源３１０を制御している。このとき、一定に維持される蒸着レートの設定値は、図の蒸着レート「１」に相当する。
このように、蒸着レートを一定に維持するように制御したとしても、実際の蒸着レートは時間の経過とともに次第に低下している。図示した例では、周波数が約０．０５ＭＨｚだけ減衰した時点で、実際の蒸着レートは、設定値に対して、約１０％乖離している。
このように、蒸着レートを一定に維持するように制御したとしても、実際の蒸着レートは時間の経過とともに次第に低下している。図示した例では、周波数が約０．０５ＭＨｚだけ減衰した時点で、実際の蒸着レートは、設定値に対して、約１０％乖離している。
【0113】
図中のＢは、音響インピーダンス補正値を適用した後の実際の蒸着レートを示している。この場合、膜厚測定器３２０は、蒸着する材料に固有の音響インピーダンス補正値を適用し、周波数の変化量に基づいて蒸着レートを測定する。そして、制御部３３０は、膜厚測定器３２０によって測定された蒸着レートが一定となるように蒸着源３１０を制御している。
図示した例では、音響インピーダンス補正値を適用する前と比較して、実際の蒸着レートと設定値との乖離が緩和されることがわかる。しかしながら、水晶振動子の使用を開始してから周波数が約０．１ＭＨｚ以上減衰すると、設定値に対する実際の蒸着レートの乖離が大きくなる傾向がわかる。
図示した例では、音響インピーダンス補正値を適用する前と比較して、実際の蒸着レートと設定値との乖離が緩和されることがわかる。しかしながら、水晶振動子の使用を開始してから周波数が約０．１ＭＨｚ以上減衰すると、設定値に対する実際の蒸着レートの乖離が大きくなる傾向がわかる。
【0114】
つまり、材料固有の音響インピーダンス補正値を適用したとしても、補正できる範囲は高周波数のごくわずかな範囲である。このため、水晶振動子を頻繁に交換する必要がある。
【0115】
特に、高い膜厚再現性が要求されるレイヤを製造する工程、あるいは、厚い膜厚を必要とするレイヤを製造する工程では、測定される蒸着レートと設定値との差分が表示素子の性能に悪影響を及ぼす恐れがある。上記の例では、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２や、正孔輸送層ＨＴＬ１、ＨＴＬ２、ＨＴＬ３などがこのレイヤに該当する。
そこで、発明者は、水晶振動子に蒸着された材料の実際の厚さと、水晶振動子の周波数とを測定する実験を繰り返し行い、水晶振動子の周波数毎に最適な音響インピーダンス補正値を求めた。例えば、周波数に基づいて算出した厚さが実際の厚さよりも大きい場合には、材料固有の音響インピーダンス補正値よりも大きな値の音響インピーダンス補正値に設定する。また、算出した厚さが実際の厚さよりも小さい場合には、材料固有の音響インピーダンス補正値よりも小さな値の音響インピーダンス補正値に設定する。
このようにして求めた周波数毎の音響インピーダンス補正値は、テーブル化され、膜厚測定器３２０に保持される。
そこで、発明者は、水晶振動子に蒸着された材料の実際の厚さと、水晶振動子の周波数とを測定する実験を繰り返し行い、水晶振動子の周波数毎に最適な音響インピーダンス補正値を求めた。例えば、周波数に基づいて算出した厚さが実際の厚さよりも大きい場合には、材料固有の音響インピーダンス補正値よりも大きな値の音響インピーダンス補正値に設定する。また、算出した厚さが実際の厚さよりも小さい場合には、材料固有の音響インピーダンス補正値よりも小さな値の音響インピーダンス補正値に設定する。
このようにして求めた周波数毎の音響インピーダンス補正値は、テーブル化され、膜厚測定器３２０に保持される。
【0116】
図１６は、膜厚測定器３２０に保持されるテーブルＴＢの一例を示す図である。
テーブルＴＢは、水晶振動子の各周波数Ｆに最適な音響インピーダンス補正値Ｚｒａｔｉｏを有している。例えば、周波数Ｆ０の場合の音響インピーダンス補正値をＺ０とし、周波数Ｆ１の場合の音響インピーダンス補正値をＺ１とし、周波数Ｆｎの場合の音響インピーダンス補正値をＺｎとしている。ｎは整数である。ｎが多いほど、より厳密な補正が可能となる。特に、発明者が検討したところでは、周波数が低くなるほど、蒸着レートの計算値と実測値との乖離が大きくなる傾向にある。このため、低周波領域を細分化して、各周波数に対応する音響インピーダンス補正値を設定することが望ましい。
テーブルＴＢは、水晶振動子の各周波数Ｆに最適な音響インピーダンス補正値Ｚｒａｔｉｏを有している。例えば、周波数Ｆ０の場合の音響インピーダンス補正値をＺ０とし、周波数Ｆ１の場合の音響インピーダンス補正値をＺ１とし、周波数Ｆｎの場合の音響インピーダンス補正値をＺｎとしている。ｎは整数である。ｎが多いほど、より厳密な補正が可能となる。特に、発明者が検討したところでは、周波数が低くなるほど、蒸着レートの計算値と実測値との乖離が大きくなる傾向にある。このため、低周波領域を細分化して、各周波数に対応する音響インピーダンス補正値を設定することが望ましい。
【0117】
なお、水晶振動子Ｃに多量の材料が蒸着されると、周波数の減衰率を正確に検出することができず、また、蒸着した材料の厚さを正確に検出することができない。このため、厚さを正確に検出可能な範囲で、水晶振動子Ｃの周波数の下限値を設定している。つまり、水晶振動子Ｃの周波数Ｆが下限値Ｆｍｉｎに到達した場合、水晶振動子Ｃの使用限度に到達したと判断することができる。この場合、膜厚測定器３２０は、水晶振動子Ｃを交換する。
【0118】
このようなテーブルＴＢは、例えば、第２透明層を形成するための蒸着部や、正孔輸送層を形成するための蒸着部などで個別に用意される。
【0119】
図１７は、音響インピーダンス補正値の適用例を説明するためのフローチャートである。
【0120】
まず、膜厚測定器３２０において、水晶振動子Ｃの使用を開始する際、水晶振動子Ｃの周波数Ｆが初期値Ｆ０である場合に、音響インピーダンス補正値をＺ０に設定する（ステップＳ１１）。そして、シャッター３２１が駆動され、開孔３２１Ａが第２ノズル３１４及びカバー３２２の開孔３２２Ａと同軸上に配置される。このとき、少なくとも１つの水晶振動子Ｃが第２ノズル３１４に対向する。
【0121】
一方で、蒸着源３１０において、坩堝３１１に収容した材料が加熱され、第１ノズル３１３及び第２ノズル３１４から材料の放射が開始される。ここでの材料は、例えば、正孔輸送層を形成するための材料、あるいは、第２透明層を形成するための材料である。これにより、材料の水晶振動子Ｃへの蒸着が開始される。また、第１ノズル３１３から放射された材料の処理基板ＳＵＢへの蒸着が開始される。
【0122】
膜厚測定器３２０では、音響インピーダンス補正値Ｚ０を適用し、周波数の変化量に基づいて蒸着レートを測定する。そして、制御部３３０は、膜厚測定器３２０によって測定された蒸着レートが一定となるように蒸着源３１０を制御する。
【0123】
そして、膜厚測定器３２０は、水晶振動子Ｃの周波数Ｆが周波数Ｆ１まで減衰したか否かを判断する（ステップＳ１２）。膜厚測定器３２０は、周波数Ｆ１に達した場合に（ステップＳ１２、ＹＥＳ）、音響インピーダンス補正値をＺ１に設定する（ステップＳ１３）。周波数Ｆ１に到達する以前は、音響インピーダンス補正値Ｚ０が適用される。
【0124】
そして、膜厚測定器３２０は、水晶振動子Ｃの周波数Ｆが周波数Ｆ２まで減衰したか否かを判断する（ステップＳ１４）。膜厚測定器３２０は、周波数Ｆ２に達した場合に（ステップＳ１４、ＹＥＳ）、音響インピーダンス補正値をＺ２に設定する（ステップＳ１５）。周波数Ｆ２に到達する以前は、音響インピーダンス補正値Ｚ１が適用される。
【0125】
同様の制御が繰り返し行われる（ステップＳ１６、ステップＳ１７）。
【0126】
そして、膜厚測定器３２０は、水晶振動子Ｃの周波数Ｆが周波数Ｆｍｉｎまで減衰したか否かを判断する（ステップＳ１８）。膜厚測定器３２０は、周波数Ｆｍｉｎに達した場合に（ステップＳ１８、ＹＥＳ）、ホルダ３２３が回転し、水晶振動子Ｃを交換する（ステップＳ１９）。これにより、他の水晶振動子Ｃが第２ノズル３１４に対向し、上記のステップＳ１１に戻る。
【0127】
このように、本実施形態によれば、材料を蒸着する蒸着部では、水晶振動子Ｃを備えた膜厚測定器３２０により蒸着レートをモニタリングし、一定の蒸着レートに維持するように材料の加熱温度などを制御している。
【0128】
膜厚測定器３２０は、蒸着レートを算出するに際して、水晶振動子Ｃの周波数に応じた最適な音響インピーダンス補正値を適用している。このため、膜厚測定器３２０で算出された厚さは、実際に蒸着された材料の厚さとほぼ同等なる。これにより、蒸着部で制御される蒸着レートの設定値は、実際の蒸着レートとほぼ一致するようになる。
【0129】
しかも、水晶振動子Ｃの使用時間の経過に伴い、周波数が減衰していても、その周波数で最適な音響インピーダンス補正値が適用されるため、低周波領域でも、水晶振動子Ｃの使用が可能となる。このため、水晶振動子Ｃを長期にわたって使用することが可能となり、水晶振動子Ｃの交換頻度が減少する。したがって、生産効率の低下が抑制される。
【0130】
なお、表示素子２０１、２０２、２０３を製造するに際して、特別に調整された材料を蒸着する場合や、複数種類の材料を蒸着する場合には、実験を繰り返し行うことで、水晶振動子の周波数毎に最適な音響インピーダンス補正値を求めることができる。
【0131】
以上説明したように、本実施形態によれば、生産効率の低下を抑制することが可能な表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。
【0132】
以上、本発明の実施形態として説明した製造装置及び製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての製造装置及び製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0133】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0134】
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0135】
ＤＳＰ…表示装置
１０…基板 ＳＵＢ…処理基板
５…リブ ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３…副画素
２０、２０１、２０２、２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３…下電極
ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３…上電極
ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３…有機層
ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３…キャップ層
ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１…第１透明層
ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２…第２透明層
ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３…封止層
１００…製造装置 １１０…第１蒸着部 １２０…第２蒸着部 １３０…第３蒸着部 １４０…第４蒸着部
３００…蒸着部 ３１０…蒸着源 ３１３…第１ノズル ３１４…第２ノズル
３２０…膜厚測定器 ３２２…カバー ３２３…ホルダ Ｃ…水晶振動子
３３０…制御部 ＴＢ…テーブル
１０…基板 ＳＵＢ…処理基板
５…リブ ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３…副画素
２０、２０１、２０２、２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３…下電極
ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３…上電極
ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３…有機層
ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３…キャップ層
ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１…第１透明層
ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２…第２透明層
ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３…封止層
１００…製造装置 １１０…第１蒸着部 １２０…第２蒸着部 １３０…第３蒸着部 １４０…第４蒸着部
３００…蒸着部 ３１０…蒸着源 ３１３…第１ノズル ３１４…第２ノズル
３２０…膜厚測定器 ３２２…カバー ３２３…ホルダ Ｃ…水晶振動子
３３０…制御部 ＴＢ…テーブル
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】