(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024117576
(43)【公開日】2024-08-29
(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20240822BHJP
H01L 21/306 20060101ALI20240822BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 648G
H01L21/304 647Z
H01L21/304 648K
H01L21/304 643A
H01L21/306 J
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023023743
(22)【出願日】2023-02-17
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】110002310
【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼木 圭将
(72)【発明者】
【氏名】東 克栄
(72)【発明者】
【氏名】竹松 佑介
(72)【発明者】
【氏名】平田 哲也
【テーマコード（参考）】
5F043
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F043AA02
5F043AA40
5F043BB27
5F043DD02
5F043DD07
5F043EE07
5F043EE08
5F043EE28
5F043EE33
5F043EE36
5F043GG10
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB33
5F157AB90
5F157AC01
5F157AC13
5F157BB23
5F157BB38
5F157BB66
5F157BE12
5F157BE23
5F157BE33
5F157BE43
5F157BE44
5F157CA03
5F157CE36
5F157CF04
5F157CF14
5F157CF34
5F157CF42
5F157CF44
5F157CF60
5F157CF99
5F157DC84
5F157DC86
5F157DC90
(57)【要約】
【課題】処理液の清浄度の低下を抑制しつつ、処理液の吐出前に基板に吐出された液体を再利用できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、複数種類の液体が混合された処理液を基板Ｗに吐出する。基板処理装置１は、所定液体貯留槽５４と同種液体供給部２００と吐出部２０と回収部１１０とを備える。所定液体貯留槽５４は、処理液を生成するための複数種類の液体のうちのいずれかの液体である所定液体を貯留する。同種液体供給部２００は、所定液体と同種の液体である第１同種液体を貯留する第１貯留槽２０４を含む。吐出部２０は、処理液が基板Ｗに吐出される前に、第１同種液体を基板Ｗに吐出する。回収部１１０は、基板Ｗに吐出された第１同種液体を回収し、第１同種液体を第１貯留槽２０４に供給する。第１同種液体の温度は室温よりも高い。第１同種液体は、複数種類の液体のうちのいずれの液体としても使用されない。
【選択図】図１
【解決手段】基板処理装置１は、複数種類の液体が混合された処理液を基板Ｗに吐出する。基板処理装置１は、所定液体貯留槽５４と同種液体供給部２００と吐出部２０と回収部１１０とを備える。所定液体貯留槽５４は、処理液を生成するための複数種類の液体のうちのいずれかの液体である所定液体を貯留する。同種液体供給部２００は、所定液体と同種の液体である第１同種液体を貯留する第１貯留槽２０４を含む。吐出部２０は、処理液が基板Ｗに吐出される前に、第１同種液体を基板Ｗに吐出する。回収部１１０は、基板Ｗに吐出された第１同種液体を回収し、第１同種液体を第１貯留槽２０４に供給する。第１同種液体の温度は室温よりも高い。第１同種液体は、複数種類の液体のうちのいずれの液体としても使用されない。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数種類の液体が混合された処理液を基板に吐出することによって前記基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を保持して回転させる基板保持部と、
前記処理液を生成するための前記複数種類の液体のうちのいずれかの液体である所定液体を貯留する所定液体貯留槽と、
前記所定液体と同種の液体である第１同種液体を貯留する第１貯留槽を含み、前記第１同種液体を供給する同種液体供給部と、
前記同種液体供給部から供給される前記第１同種液体を、前記所定液体に由来する前記処理液が前記基板に吐出される前に、前記基板に吐出する吐出部と、
前記基板に吐出された前記第１同種液体を回収して、前記第１同種液体を前記第１貯留槽に供給する回収部と
を備え、
前記同種液体供給部から供給される前記第１同種液体の温度は、室温よりも高く、
前記第１同種液体は、前記複数種類の液体のうちのいずれの液体としても使用されない、基板処理装置。
前記基板を保持して回転させる基板保持部と、
前記処理液を生成するための前記複数種類の液体のうちのいずれかの液体である所定液体を貯留する所定液体貯留槽と、
前記所定液体と同種の液体である第１同種液体を貯留する第１貯留槽を含み、前記第１同種液体を供給する同種液体供給部と、
前記同種液体供給部から供給される前記第１同種液体を、前記所定液体に由来する前記処理液が前記基板に吐出される前に、前記基板に吐出する吐出部と、
前記基板に吐出された前記第１同種液体を回収して、前記第１同種液体を前記第１貯留槽に供給する回収部と
を備え、
前記同種液体供給部から供給される前記第１同種液体の温度は、室温よりも高く、
前記第１同種液体は、前記複数種類の液体のうちのいずれの液体としても使用されない、基板処理装置。
【請求項2】
前記第１同種液体を前記基板に吐出する際の前記第１同種液体の温度は、前記処理液を前記基板に吐出する際の前記処理液の温度と略同じである、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記第１同種液体を前記基板に吐出する際の前記第１同種液体の温度は、前記処理液を生成する際の前記所定液体の温度よりも高い、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記同種液体供給部は、
室温の液体であって、前記所定液体と同種の液体である第２同種液体を貯留する第２貯留槽と、
前記第１同種液体と前記第２同種液体とを混合して、混合後の液体を新たな第１同種液体として、前記吐出部に供給する液体供給部と
を更に含み、
前記液体供給部は、前記第１貯留槽に貯留される前記第１同種液体を加熱する加熱部を含む、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
室温の液体であって、前記所定液体と同種の液体である第２同種液体を貯留する第２貯留槽と、
前記第１同種液体と前記第２同種液体とを混合して、混合後の液体を新たな第１同種液体として、前記吐出部に供給する液体供給部と
を更に含み、
前記液体供給部は、前記第１貯留槽に貯留される前記第１同種液体を加熱する加熱部を含む、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記処理液は、硫酸と過酸化水素水とが混合された硫酸過酸化水素水混合液であり、前記第１同種液体は、硫酸である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記処理液は、アンモニア水と過酸化水素水と水とが混合されたアンモニア過酸化水素水混合液であり、前記第１同種液体は、水であり、又は、
前記処理液は、塩酸と過酸化水素水と水とが混合された塩酸過酸化水素水混合液であり、前記第１同種液体は、水である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記処理液は、塩酸と過酸化水素水と水とが混合された塩酸過酸化水素水混合液であり、前記第１同種液体は、水である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項7】
複数種類の液体が混合された処理液を基板に吐出することによって前記基板を処理する基板処理方法であって、
所定液体に由来する前記処理液を前記基板に吐出する工程と、
前記所定液体と同種の液体である第１同種液体を、前記処理液が前記基板に吐出される前に、前記基板に吐出する工程と、
前記基板に吐出された前記第１同種液体を回収して、前記第１同種液体を第１貯留槽に供給する工程と
を含み、
前記所定液体は、前記処理液を生成するための前記複数種類の液体のうちのいずれかの液体であり、
前記基板に吐出される際の前記第１同種液体の温度は、室温よりも高く、
前記第１同種液体を前記基板に吐出する前記工程では、前記第１貯留槽に貯留された前記第１同種液体が再利用され、
前記第１同種液体は、前記複数種類の液体のうちのいずれの液体としても使用されない、基板処理方法。
所定液体に由来する前記処理液を前記基板に吐出する工程と、
前記所定液体と同種の液体である第１同種液体を、前記処理液が前記基板に吐出される前に、前記基板に吐出する工程と、
前記基板に吐出された前記第１同種液体を回収して、前記第１同種液体を第１貯留槽に供給する工程と
を含み、
前記所定液体は、前記処理液を生成するための前記複数種類の液体のうちのいずれかの液体であり、
前記基板に吐出される際の前記第１同種液体の温度は、室温よりも高く、
前記第１同種液体を前記基板に吐出する前記工程では、前記第１貯留槽に貯留された前記第１同種液体が再利用され、
前記第１同種液体は、前記複数種類の液体のうちのいずれの液体としても使用されない、基板処理方法。
【請求項8】
前記第１同種液体を前記基板に吐出する際の前記第１同種液体の温度は、前記処理液を前記基板に吐出する際の前記処理液の温度と略同じである、請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項9】
前記第１同種液体を前記基板に吐出する際の前記第１同種液体の温度は、前記処理液を生成する際の前記所定液体の温度よりも高い、請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項10】
前記第１同種液体を前記基板に吐出する工程では、前記第１貯留槽からの加熱された前記第１同種液体と、第２貯留槽からの室温の第２同種液体とを混合して、混合後の液体を新たな第１同種液体として、前記基板に吐出し、
前記第２同種液体は、前記所定液体と同種の液体である、請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
前記第２同種液体は、前記所定液体と同種の液体である、請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項11】
前記処理液は、硫酸と過酸化水素水とが混合された硫酸過酸化水素水混合液であり、前記第１同種液体は、硫酸である、請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項12】
前記処理液は、アンモニア水と過酸化水素水と水とが混合されたアンモニア過酸化水素水混合液であり、前記第１同種液体は、水であり、又は、
前記処理液は、塩酸と過酸化水素水と水とが混合された塩酸過酸化水素水混合液であり、前記第１同種液体は、水である、請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
前記処理液は、塩酸と過酸化水素水と水とが混合された塩酸過酸化水素水混合液であり、前記第１同種液体は、水である、請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１に記載された基板処理装置では、基板回転機構により回転する基板の上面に向けて処理液供給部から液体が吐出される。処理液供給部は、硫酸供給部、過酸化水素水供給部、混合液生成部およびノズルを備える。基板処理装置では、硫酸供給部により加熱された硫酸がノズルから基板に供給され、基板に対する予備加熱処理が行われる。その後、硫酸供給部からの加熱された硫酸と過酸化水素水供給部からの過酸化水素水とが混合液生成部にて混合されてＳＰＭ（硫酸過酸化水素水混合液）が生成され、ＳＰＭが基板に供給されてＳＰＭ処理が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１３－７４０９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１に記載された基板処理装置では、回収部が、予備加熱処理の際に基板に供給された硫酸を回収し、硫酸供給部へと戻す。従って、ＳＰＭ処理で使用するＳＰＭは、回収された硫酸を含有する。その結果、ＳＰＭ処理の回数が多くなると、ＳＰＭの清浄度が低下する可能性がある。
【0005】
すなわち、処理液（例えば、ＳＰＭ）の吐出前に基板に吐出された液体（例えば、硫酸）を再利用して、処理液を生成している。従って、処理液の清浄度が低下する可能性がある。
【0006】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理液の清浄度の低下を抑制しつつ、処理液の吐出前に基板に吐出された液体を再利用できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、複数種類の液体が混合された処理液を基板に吐出することによって前記基板を処理する。基板処理装置は、基板保持部と、所定液体貯留槽と、同種液体供給部と、吐出部と、回収部とを備える。基板保持部は、前記基板を保持して回転させる。所定液体貯留槽は、前記処理液を生成するための前記複数種類の液体のうちのいずれかの液体である所定液体を貯留する。同種液体供給部は、前記所定液体と同種の液体である第１同種液体を貯留する第１貯留槽を含み、前記第１同種液体を供給する。吐出部は、前記同種液体供給部から供給される前記第１同種液体を、前記所定液体に由来する前記処理液が前記基板に吐出される前に、前記基板に吐出する。回収部は、前記基板に吐出された前記第１同種液体を回収して、前記第１同種液体を前記第１貯留槽に供給する。前記同種液体供給部から供給される前記第１同種液体の温度は、室温よりも高い。前記第１同種液体は、前記複数種類の液体のうちのいずれの液体としても使用されない。
【0008】
ある実施形態において、前記第１同種液体を前記基板に吐出する際の前記第１同種液体の温度は、前記処理液を前記基板に吐出する際の前記処理液の温度と略同じであることが好ましい。
【0009】
ある実施形態において、前記第１同種液体を前記基板に吐出する際の前記第１同種液体の温度は、前記処理液を生成する際の前記所定液体の温度よりも高いことが好ましい。
【0010】
ある実施形態において、前記同種液体供給部は、第２貯留槽と、液体供給部とを含むことが好ましい。第２貯留槽は、室温の液体であって、前記所定液体と同種の液体である第２同種液体を貯留することが好ましい。液体供給部は、前記第１同種液体と前記第２同種液体とを混合して、混合後の液体を新たな第１同種液体として、前記吐出部に供給することが好ましい。前記液体供給部は、前記第１貯留槽に貯留される前記第１同種液体を加熱する加熱部を含むことが好ましい。
【0011】
ある実施形態において、前記処理液は、硫酸と過酸化水素水とが混合された硫酸過酸化水素水混合液であり、前記第１同種液体は、硫酸であることが好ましい。
【0012】
ある実施形態において、前記処理液は、アンモニア水と過酸化水素水と水とが混合されたアンモニア過酸化水素水混合液であり、前記第１同種液体は、水であり、又は、前記処理液は、塩酸と過酸化水素水と水とが混合された塩酸過酸化水素水混合液であり、前記第１同種液体は、水であることが好ましい。
【0013】
本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、複数種類の液体が混合された処理液を基板に吐出することによって前記基板を処理する。基板処理方法は、所定液体に由来する前記処理液を前記基板に吐出する工程と、前記所定液体と同種の液体である第１同種液体を、前記処理液が前記基板に吐出される前に、前記基板に吐出する工程と、前記基板に吐出された前記第１同種液体を回収して、前記第１同種液体を第１貯留槽に供給する工程とを含む。前記所定液体は、前記処理液を生成するための前記複数種類の液体のうちのいずれかの液体である。前記基板に吐出される際の前記第１同種液体の温度は、室温よりも高い。前記第１同種液体を前記基板に吐出する前記工程では、前記第１貯留槽に貯留された前記第１同種液体が再利用される。前記第１同種液体は、前記複数種類の液体のうちのいずれの液体としても使用されない。
【0014】
ある実施形態において、前記第１同種液体を前記基板に吐出する際の前記第１同種液体の温度は、前記処理液を前記基板に吐出する際の前記処理液の温度と略同じであることが好ましい。
【0015】
ある実施形態において、前記第１同種液体を前記基板に吐出する際の前記第１同種液体の温度は、前記処理液を生成する際の前記所定液体の温度よりも高いことが好ましい。
【0016】
ある実施形態において、前記第１同種液体を前記基板に吐出する工程では、前記第１貯留槽からの加熱された前記第１同種液体と、第２貯留槽からの室温の第２同種液体とを混合して、混合後の液体を新たな第１同種液体として、前記基板に吐出することが好ましい。前記第２同種液体は、前記所定液体と同種の液体であることが好ましい。
【0017】
ある実施形態において、前記処理液は、硫酸と過酸化水素水とが混合された硫酸過酸化水素水混合液であり、前記第１同種液体は、硫酸であることが好ましい。
【0018】
ある実施形態において、前記処理液は、アンモニア水と過酸化水素水と水とが混合されたアンモニア過酸化水素水混合液であり、前記第１同種液体は、水であり、又は、前記処理液は、塩酸と過酸化水素水と水とが混合された塩酸過酸化水素水混合液であり、前記第１同種液体は、水であることが好ましい。
【発明の効果】
【0019】
本発明によれば、処理液の清浄度の低下を抑制しつつ、処理液の吐出前に基板に吐出された液体を再利用できる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】本発明の実施形態１に係る基板処理装置の内部を示す模式的側面図である。
【図2】基板表面温度と処理時間との関係を示すグラフである。
【図3】レジスト剥離時間と第１硫酸吐出時間との関係を示すグラフである。
【図4】実施形態１に係る基板処理装置によって実行される基板処理方法を示すフローチャートである。
【図5】実施形態１の変形例に係る基板処理装置の内部を示す模式的側面図である。
【図6】実施形態１の変形例に係る基板処理装置によって実行される基板処理方法を示すフローチャートである。
【図7】本発明の実施形態２に係る基板処理装置の内部を示す模式的側面図である。
【図8】実施形態２の変形例に係る基板処理装置の内部を示す模式的側面図である。
【発明を実施するための形態】
【0021】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
【0022】
本発明に係る基板処理装置において基板処理の対象となる「基板」には、半導体ウェハ（例えば、シリコンウェハ）、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種の基板を適用可能である。以下では主として、円板状の半導体ウェハを基板処理の対象とする場合を例に本発明の実施形態を説明するが、本発明に係る基板処理装置は、上記した半導体ウェハ以外の各種の基板に対しても同様に適用可能である。また、基板の形状についても、円板状に限定されず、本発明に係る基板処理装置は、各種の形状の基板に対して適用可能である。
【0023】
（実施形態１）
図１～図４を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１を説明する。図１は、実施形態１に係る基板処理装置１の内部を示す模式的側面図である。基板処理装置１は、処理液を用いて基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１は、枚葉式の装置であり、１枚ずつ基板Ｗを処理する。処理液は、例えば、薬液である。
図１～図４を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１を説明する。図１は、実施形態１に係る基板処理装置１の内部を示す模式的側面図である。基板処理装置１は、処理液を用いて基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１は、枚葉式の装置であり、１枚ずつ基板Ｗを処理する。処理液は、例えば、薬液である。
【0024】
実施形態１では、基板処理装置１は、複数種類の液体が混合された処理液を基板Ｗに吐出することによって基板Ｗを処理する。この場合、基板処理装置１は、処理液を基板Ｗに吐出する前に、第１同種液体を基板Ｗに吐出する。第１同種液体は、所定液体と同種の液体である。所定液体は、処理液を生成するための複数種類の液体のうちのいずれかの液体である。第１同種液体の温度は、室温よりも高い。従って、第１同種液体を吐出した後に実行される処理液による処理の際に、基板Ｗ上に供給された処理液の温度低下を抑制することができる。その結果、処理液による基板Ｗの処理の効率を向上することができる。つまり、処理液の使用量を削減しつつも、基板Ｗに対して処理液による所望の処理を実現できる。なお、処理液は、所定液体に由来する液体と捉えることができる。所定液体は、処理液を生成するための複数種類の液体のうちのいずれかの液体だからである。
【0025】
本明細書において、「室温」は、例えば、２０℃以上３０度以下の温度である。
【0026】
以下、一例として、処理液は、硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ：Ｓｕｌｆｕｒｉｃ Ａｃｉｄ Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ Ｍｉｘｔｕｒｅ）である。ＳＰＭは、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）との混合液である。ＳＰＭの場合、複数種類の液体は、硫酸及び過酸化水素水である。また、一例として、複数種類の液体のうちのいずれかの液体である所定液体は、硫酸である。更に、一例として、第１同種液体は、硫酸である。以下、所定液体としての硫酸は単に「硫酸」と記載し、第１同種液体としての硫酸は「第１硫酸」と記載する。なお、ＳＰＭは、硫酸に由来する液体と捉えることができる。硫酸は、ＳＰＭを生成するための複数種類の液体のうちのいずれかの液体だからである。
【0027】
基板処理装置１は、硫酸と過酸化水素水とを混合してＳＰＭを作成し、ＳＰＭによって基板Ｗを処理する。実施形態１では、基板処理装置１は、基板ＷにＳＰＭを供給して、基板Ｗからレジスト膜を剥離する。この場合、基板処理装置１は、処理液を基板Ｗに吐出する前に、第１硫酸を基板Ｗに吐出する。第１硫酸の温度は、室温よりも高い。従って、第１硫酸を吐出した後に実行されるＳＰＭによる処理の際に、基板Ｗ上に供給されたＳＰＭの温度低下を抑制することができる。その結果、ＳＰＭによる基板Ｗの処理の効率を向上することができる。つまり、ＳＰＭの使用量を削減しつつも、基板Ｗに対してＳＰＭによる所望の処理（レジスト膜の剥離）を実現できる。
【0028】
具体的には、図１に示すように、基板処理装置１は、チャンバ１ａと、スピンチャック１０と、薬液ノズル２０と、薬液ノズル移動機構３０と、過酸化水素水供給部４０と、硫酸供給部５０と、同種液体供給部２００と、対向部材６０と、第１昇降部７０と、リンス液供給部８０と、液受け部９０と、第２昇降部１００と、回収部１１０と、廃棄部１２０と、制御装置５００とを備える。
【0029】
チャンバ１ａは、内部空間を有する。図１の例では、チャンバ１ａは、スピンチャック１０、薬液ノズル２０、薬液ノズル移動機構３０、過酸化水素水供給部４０の一部、硫酸供給部５０の一部、同種液体供給部２００の一部、対向部材６０、第１昇降部７０、リンス液供給部８０の一部、液受け部９０、及び、第２昇降部１００を収容する。スピンチャック１０は、本発明の「基板保持部」の一例に相当する。薬液ノズル２０は、本発明の「吐出部」の一例に相当する。
【0030】
スピンチャック１０は、基板Ｗを保持して回転させる。具体的には、スピンチャック１０は、１枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線ＡＸ１まわりに基板Ｗを回転させる。スピンチャック１０として、基板Ｗを水平方向に挟んで基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。
【0031】
具体的には、スピンチャック１０は、スピンモータＭと、スピン軸１１と、スピンベース１２と、複数の挟持部材１３とを含む。スピン軸１１は、スピンモータＭの駆動軸と一体化されている。スピンベース１２は、略円板状である。スピンベース１２は、スピン軸１１の上端に略水平に取り付けられる。スピンベース１２の上面には、複数個の挟持部材１３が配置されている。複数個の挟持部材１３は、スピンベース１２の上面周縁部において、基板Ｗの外周形状に対応する円周上で間隔をあけて配置されている。複数個の挟持部材１３は、基板Ｗの周端面を挟持する。スピンモータＭは、スピンベース１２を回転軸線ＡＸ１まわりに回転させることで、複数個の挟持部材１３に挟持された基板Ｗを回転軸線ＡＸ１まわりに回転させる。
【0032】
薬液ノズル２０は、基板Ｗを処理する場合（つまり、基板Ｗのレジスト膜を剥離する場合）、回転中の基板ＷにＳＰＭを吐出する。ＳＰＭは、本発明の「処理液」の一例に相当する。
【0033】
薬液ノズル２０がＳＰＭを基板Ｗに吐出する場合、過酸化水素水供給部４０は、薬液ノズル２０に過酸化水素水を供給する。具体的には、過酸化水素水供給部４０は、過酸化水素水貯留槽４３と、供給部４５とを含む。過酸化水素水貯留槽４３は、過酸化水素水を貯留する。供給部４５は、過酸化水素水貯留槽４３に貯留された過酸化水素水を薬液ノズル２０に供給する。
【0034】
供給部４５は、バルブ４１と、ポンプ４２と、配管４４とを含む。
【0035】
配管４４の一端は、薬液ノズル２０に接続される。配管４４は、薬液ノズル２０から過酸化水素水貯留槽４３まで延びる。
【0036】
バルブ４１は、配管４４に配置される。バルブ４１は、配管４４の流路を開閉する。配管４４には、過酸化水素水貯留槽４３から、温度調整されていない室温の過酸化水素水が供給される。バルブ４１が開かれると、配管４４から薬液ノズル２０に過酸化水素水が供給される。過酸化水素水は、本発明の「複数種類の液体のうちの他の液体」の一例に相当する。
【0037】
薬液ノズル２０がＳＰＭを基板Ｗに吐出する場合、硫酸供給部５０は、薬液ノズル２０に硫酸（具体的には、硫酸の新液）を供給する。具体的には、硫酸供給部５０は、硫酸貯留槽５４と、供給部５７とを含む。硫酸貯留槽５４は、硫酸（具体的には、硫酸の新液）を貯留する。供給部５７は、硫酸貯留槽５４に貯留された硫酸を薬液ノズル２０に供給する。
【0038】
硫酸貯留槽５４は、本発明の「所定液体貯留槽」の一例に相当する。硫酸貯留槽５４に貯留される硫酸（具体的には、硫酸の新液）は、本発明の「所定液体」の一例に相当する。
【0039】
供給部５７は、バルブ５１と、加熱部５２と、ポンプ５３と、共通配管５５と、配管５６とを含む。
【0040】
共通配管５５の一端は、薬液ノズル２０に接続される。共通配管５５の他端は、配管５６の一端に接続される。配管５６の他端は、硫酸貯留槽５４まで延びる。配管５６には、ポンプ５３、加熱部５２、及び、バルブ５１が、この順番で上流から下流に向かって配置される。
【0041】
ポンプ５３は、硫酸貯留槽５４に貯留された硫酸を配管５６に送出する。つまり、ポンプ５３は、硫酸貯留槽５４に貯留された硫酸を配管５６に供給する。加熱部５２は、配管５６を流れる硫酸を加熱して、硫酸の温度を目標温度Ｔ０に設定する。バルブ５１は、配管５６の流路を開閉する。目標温度Ｔ０は、室温よりも高い。加熱部５２は、例えば、ヒータである。
【0042】
配管５６は、加熱部５２とバルブ５１との間で分岐して硫酸貯留槽５４へと接続されている。バルブ５１が閉じられている状態では、加熱部５２により加熱された硫酸は、硫酸貯留槽５４と加熱部５２とを循環する。従って、硫酸貯留槽５４に貯留された硫酸の温度が目標温度Ｔ０に設定される。
【0043】
バルブ５１が開かれると、目標温度Ｔ０に設定された硫酸は、配管５６から共通配管５５に供給され、共通配管５５から更に薬液ノズル２０に供給される。
【0044】
硫酸貯留槽５４から薬液ノズル２０に供給された硫酸と、過酸化水素水貯留槽４３から薬液ノズル２０に供給された過酸化水素水とは、薬液ノズル２０の内部で混合され、ＳＰＭが生成される。そして、薬液ノズル２０は、回転中の基板ＷにＳＰＭを吐出する。その結果、ＳＰＭによって基板Ｗが処理される。つまり、ＳＰＭによって基板Ｗのレジスト膜が剥離される。
【0045】
なお、薬液ノズル２０がＳＰＭを基板Ｗに吐出する場合、バルブ２０１は閉じられている。また、薬液ノズル２０から吐出される際のＳＰＭの温度は、例えば、１００℃以上２００℃以下である。
【0046】
薬液ノズル２０は、基板ＷにＳＰＭを吐出する前に、第１硫酸を基板Ｗに吐出する。薬液ノズル２０が第１硫酸を基板Ｗに吐出する場合、バルブ４１及びバルブ５１は閉じられる。
【0047】
薬液ノズル２０が第１硫酸を基板Ｗに吐出する場合、同種液体供給部２００は第１硫酸を供給する。具体的には、同種液体供給部２００は、薬液ノズル２０に第１硫酸を供給する。
【0048】
同種液体供給部２００は、供給部２０６と、第１貯留槽２０４とを含む。供給部２０６は、第１貯留槽２０４に貯留された第１硫酸を薬液ノズル２０に供給する。第１貯留槽２０４は、第１硫酸を貯留する。
【0049】
第１貯留槽２０４に貯留される第１硫酸は、本発明の「第１同種液体」の一例に相当する。
【0050】
供給部２０６は、バルブ２０１と、加熱部２０２と、ポンプ２０３と、配管２０５とを含む。
【0051】
共通配管５５の一端は、薬液ノズル２０に接続される。共通配管５５の他端は、配管２０５の一端に接続される。配管２０５の他端は、第１貯留槽２０４まで延びる。配管２０５には、ポンプ２０３、加熱部２０２、及び、バルブ２０１が、この順番で上流から下流に向かって配置される。
【0052】
ポンプ２０３は、第１貯留槽２０４に貯留された第１硫酸を配管２０５に送出する。つまり、ポンプ２０３は、第１貯留槽２０４に貯留された第１硫酸を配管２０５に供給する。加熱部２０２は、配管２０５を流れる第１硫酸を加熱して、第１硫酸の温度を目標温度Ｔ１に設定する。バルブ２０１は、配管２０５の流路を開閉する。加熱部２０２は、例えば、ヒータである。
【0053】
配管２０５は、加熱部２０２とバルブ２０１との間で分岐して第１貯留槽２０４へと接続されている。バルブ２０１が閉じられている状態では、加熱部２０２により加熱された硫酸は、第１貯留槽２０４と加熱部２０２とを循環する。従って、第１貯留槽２０４に貯留された第１硫酸の温度が目標温度Ｔ１に設定される。目標温度Ｔ１は、室温よりも高い。
【0054】
バルブ４１及びバルブ５１が閉じられた状態で、バルブ２０１が開かれると、目標温度Ｔ１に設定された第１硫酸は、配管２０５から共通配管５５に供給され、共通配管５５から更に薬液ノズル２０に供給される。その結果、薬液ノズル２０は、ＳＰＭを基板Ｗに吐出する前に、第１硫酸を基板Ｗに吐出する。よって、ＳＰＭを基板Ｗに吐出する前に、基板Ｗの表面及び薬液ノズル２０が温調されて室温よりも高い温度になる。つまり、ＳＰＭを基板Ｗに吐出する前に、基板Ｗの表面及び薬液ノズル２０は予備加熱される。その結果、第１硫酸を吐出した後に実行されるＳＰＭによる処理の際に、基板Ｗに供給されたＳＰＭの温度低下を抑制することができる。
【0055】
薬液ノズル移動機構３０は、薬液ノズル２０を水平面に沿って移動させる。薬液ノズル移動機構３０は、退避位置と処理位置との間で薬液ノズル２０を移動させる。退避位置は、スピンチャック１０の外側の位置である。実施形態１において、処理位置は基板Ｗの中心に対向する位置である。薬液ノズル２０は、処理位置から基板Ｗに第１硫酸又はＳＰＭを供給する。
【0056】
薬液ノズル移動機構３０は、ノズルアーム３１と、ノズル基台３２と、ノズル移動部３３とを有する。ノズル基台３２は鉛直方向に延びる。ノズルアーム３１の基端部はノズル基台３２に結合している。ノズルアーム３１は、ノズル基台３２から水平方向に延びる。
【0057】
ノズルアーム３１は、薬液ノズル２０を支持する。薬液ノズル２０は、ノズルアーム３１から鉛直下方に向けて突出する。薬液ノズル２０は、ノズルアーム３１の先端部に配置される。
【0058】
ノズル移動部３３は、鉛直方向に延びる回動軸線ＡＸ２を中心としてノズル基台３２を回転させる。その結果、薬液ノズル２０が回動軸線ＡＸ２を中心とする周方向に沿って移動する。また、ノズル移動部３３は、ノズル基台３２を上昇又は下降させることができる。その結果、薬液ノズル２０が上昇又は下降する。ノズル移動部３３は、例えば、ノズル基台３２を回転させるためのモータを備える。また、ノズル移動部３３は、ノズル基台３２を昇降させるために、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備える。
【0059】
対向部材６０は、基板Ｗに対向する。詳しくは、対向部材６０は、基板Ｗの上方に配置される。対向部材６０は、リンス液を回転中の基板Ｗに供給する。具体的には、対向部材６０は、リンス液ノズル６１を含む。リンス液ノズル６１が、回転中の基板Ｗにリンス液を供給する。つまり、リンス液ノズル６１が、回転中の基板Ｗに向けてリンス液を吐出する。
【0060】
具体的には、リンス液供給部８０がリンス液ノズル６１にリンス液を供給する。リンス液供給部８０は、バルブ８１と、配管８２とを含む。配管８２は、リンス液ノズル６１に接続される。バルブ８１は、配管８２に配置される。バルブ８１は、配管８２の流路を開閉する。配管８２には、リンス液供給源（不図示）からリンス液が供給される。バルブ８１が開かれると、配管８２からリンス液ノズル６１にリンス液が供給される。その結果、リンス液ノズル６１は、回転中の基板Ｗに向けてリンス液を吐出する。
【0061】
リンス液は、脱イオン水（ＤＩＷ：Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）、所謂「純水」である。但し、リンス液は、脱イオン水に限定されない。例えば、リンス液は、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、アンモニア水、又は希釈された塩酸水（例えば、濃度が１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度の塩酸水）であり得る。
【0062】
第１昇降部７０は、対向部材３を昇降させる。具体的には、第１昇降部７０は、対向部材６０を処理位置と退避位置との間で昇降させる。退避位置は、処理位置よりも上方の位置である。処理位置は、退避位置よりも、基板Ｗに近い位置である。第１昇降部７０は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備える。対向部材６０（リンス液ノズル６１）は、リンス液を処理位置から基板Ｗに供給する。対向部材６０は、処理位置において、基板Ｗを上方から覆う。
【0063】
液受け部９０は、基板Ｗから飛散する液体（ＳＰＭ、第１硫酸、又は、リンス液）を受け止める。具体的には、液受け部９０は、第１ガード９１と、第１カップ９４と、第２ガード９２と、第２カップ９５と、第３ガード９３とを有する。
【0064】
第１ガード９１は、スピンチャック１０を囲む略円筒状であり、スピンチャック１０の周囲に配置される。第１ガード９１は、実施形態１では、回転する基板Ｗから飛散する第１硫酸を受け止める。
【0065】
第１カップ９４は、第１ガード９１の下端側に配置される。第１カップ９４は、第１ガード９１の下端の下方に、円環状の溝を形成する。第１カップ９４には、実施形態１では、第１ガード９１の内周面から流れ落ちる第１硫酸が収集される。第１カップ９４に収集された第１硫酸は、第１カップ９４の底部に接続された回収部１１０によって回収される。
【0066】
第２ガード９２は、第１ガード９１を囲む略円筒状であり、第１ガード９１の周囲に配置される。第２ガード９２は、実施形態１では、回転する基板Ｗから飛散するＳＰＭを受け止める。
【0067】
第２カップ９５は、第２ガード９２の下端側に配置される。第２カップ９５は、第２ガード９２の下端の下方に、円環状の溝を形成する。第２カップ９５には、第２ガード９２の内周面から流れ落ちるＳＰＭが収集される。
【0068】
第２カップ９５に収集されたＳＰＭは、第２カップ９５の底部に接続された廃棄部１２０によって廃棄される。廃棄部１２０は、廃棄ユニット１２１と、排液配管１２２とを含む。排液配管１２２は、第２カップ９５の底部に接続し、廃棄ユニット１２１まで延びている。排液配管１２２に、第２カップ９５において収集されたＳＰＭが流入する。そして、ＳＰＭは、排液配管１２２から廃棄ユニット１２１に供給される。その結果、廃棄ユニット１２１は、ＳＰＭを廃棄する。
【0069】
第３ガード９３は、第２ガード９２を囲む略円筒状であり、第２ガード９２の周囲に配置される。第３ガード９３は、回転する基板Ｗから飛散する液体を受け止めることが可能である。
【0070】
第２昇降部１００は、第１ガード９１、第２ガード９２、及び第３ガード９３を個別に昇降させる。第２昇降部１００は、制御部５０１によって制御される。第２昇降部１００は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備える。
【0071】
具体的には、第２昇降部１００は、第１ガード９１、第２ガード９２、及び、第３ガード９３の上端が基板Ｗよりも下方に配置された退避状態と、第１ガード９１が基板Ｗの周端面に対向する第１対向状態（図１に示す状態）と、第２ガード９２が基板Ｗの周端面に対向する第２対向状態と、第３ガード９３が基板Ｗの周端面に対向する第３対向状態と、のうちのいずれかに切り換える。
【0072】
更に具体的には、液受け部９０の第１対向状態では、第１ガード９１、第２ガード９２、及び、第３ガード９３が上位置（処理高さ位置）に配置される（図１）。第１対向状態では、一例として、第１ガード９１が、基板Ｗから飛散した第１硫酸を受ける。
【0073】
液受け部９０の第２対向状態では、第２ガード９２及び第３ガード９３が上位置に配置され、かつ第１ガード９１が下位置に配置される。第２対向状態では、一例として、第２ガード９２が、基板Ｗから飛散したＳＰＭを受ける。
【0074】
液受け部９０の第３対向状態では、第３ガード９３が上位置に配置され、かつ第１ガード９１及び第２ガード９２が下位置に配置される。液受け部９０の退避状態では、第１ガード９１、第２ガード９２、及び、第３ガード９３が下位置に配置される。
【0075】
回収部１１０は、基板Ｗに吐出された第１硫酸を回収して、第１硫酸を第１貯留槽２０４に供給する。具体的には、回収部１１０は、基板Ｗから飛散した第１硫酸を、第１ガード９１及び第１カップ９４を介して回収する。
【0076】
回収部１１０は、回収ポンプ１１１と、回収配管１１２とを含む。回収配管１１２は、第１カップ９４の底部に接続され、第１貯留槽２０４まで延びている。回収配管１１２には、回収ポンプ１１１が配置される。回収ポンプ１１１は、第１カップ９４から回収した第１硫酸を第１貯留槽２０４へと送出する。その結果、回収部１１０によって回収された第１硫酸が、第１貯留槽２０４に貯留され、再利用される。つまり、回収された第１硫酸は、ＳＰＭを基板Ｗに吐出する前において、薬液ノズル２０及び基板Ｗの表面を予備加熱する場合に再利用される。
【0077】
薬液ノズル２０が第１硫酸を吐出する場合には、バルブ４１、５１が閉じられている。従って、第１貯留槽２０４に貯留された第１硫酸は、ＳＰＭを基板Ｗに吐出する前において、薬液ノズル２０及び基板Ｗの表面を予備加熱する場合にだけ使用される。換言すれば、第１貯留槽２０４に貯留された第１硫酸は、ＳＰＭを生成するための複数種類の液体のうちのいずれの液体としても使用されない。更に換言すれば、第１貯留槽２０４に貯留された第１硫酸は、ＳＰＭを生成するための硫酸として使用されない。このように、回収された第１硫酸は、硫酸貯留槽５４に供給されず、硫酸貯留槽５４の硫酸と混合されない。
【0078】
従って、ＳＰＭを生成するための硫酸（硫酸貯留槽５４に貯留された硫酸）の清浄度が、第１硫酸によって低下することを防止できる。換言すれば、ＳＰＭの清浄度が、第１硫酸によって低下することを防止できる。更に換言すれば、実施形態１によれば、ＳＰＭの清浄度の低下を抑制しつつ、ＳＰＭの吐出前に基板Ｗに吐出された第１硫酸を再利用できる。
【0079】
すなわち、実施形態１によれば、処理液の清浄度の低下を抑制しつつ、処理液の吐出前に基板Ｗに吐出された第１同種液体（液体）を再利用できる。
【0080】
制御装置５００は、基板処理装置１の各部の動作を制御する。制御装置５００は、例えば、コンピューターである。具体的には、制御装置５００は、制御部５０１と、記憶部５０２とを含む。
【0081】
制御部５０１は、記憶部５０２に記憶されている各種情報に基づいて基板処理装置１の各部の動作を制御する。例えば、制御部５０１は、記憶部５０２に記憶されている各種情報に基づいて、スピンチャック１０、薬液ノズル移動機構３０、過酸化水素水供給部４０、硫酸供給部５０、同種液体供給部２００、第１昇降部７０、リンス液供給部８０、第２昇降部１００、回収部１１０、及び、廃棄部１２０を制御する。
【0082】
制御部５０１は、例えば、プロセッサを有する。制御部５０１は、プロセッサとして、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又はＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を有してもよい。あるいは、制御部５０１は、汎用演算機又は専用演算器を有してもよい。
【0083】
記憶部５０２は、基板処理装置１の動作を制御するための各種情報を記憶する。具体的には、記憶部５０２は、記憶装置を含み、各種情報として、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。そして、制御部５０１のプロセッサは、記憶部５０２の記憶装置に記憶されたコンピュータプログラムを実行することで、基板処理装置１の各部の動作を制御する。各種情報（データ）は、レシピデータを含む。レシピデータは、基板Ｗの処理内容、処理条件、及び処理手順を規定するレシピを示す。
【0084】
更に具体的には、記憶部５０２は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部５０２は、補助記憶装置を更に有していてもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部５０２はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。記憶部５０２は、非一時的コンピューター読取可能記憶媒体の一例に相当する。
【0085】
以上、図１を参照して説明したように、実施形態１によれば、薬液ノズル２０は、同種液体供給部２００から供給される第１硫酸を、ＳＰＭが基板Ｗに吐出される前に、基板Ｗに吐出する。この場合、第１硫酸の温度は、室温よりも高い。従って、薬液ノズル２０の温度が、第１硫酸によって、ＳＰＭの吐出前に上昇する。加えて、基板Ｗの表面の温度が、第１硫酸によって、ＳＰＭの吐出前に上昇する。その結果、ＳＰＭによる基板Ｗの処理開始時のＳＰＭの温度が低下することを抑制できる。よって、ＳＰＭによるレジスト膜の剥離性能を向上できる。剥離性能とは、単位時間当たりのレジスト膜の剥離量のことである。ＳＰＭによるレジスト膜の剥離性能を向上できると、ＳＰＭの使用量を削減できる。つまり、ＳＰＭの廃棄量を削減できる。
【0086】
また、実施形態１では、第１硫酸を基板Ｗに吐出する際の第１硫酸の温度は、ＳＰＭを基板Ｗに吐出する際のＳＰＭの温度と略同じであることが好ましい。この好ましい例によれば、第１硫酸の温度をＳＰＭの温度よりも高くする場合と比較して、加熱部２０２が使用する電力消費量を削減できる。
【0087】
また、実施形態１では、第１硫酸を基板Ｗに吐出する際の第１硫酸の温度は、ＳＰＭを生成する際の硫酸の温度よりも高いことが好ましい。この好ましい例によれば、第１硫酸の温度がＳＰＭを生成するための硫酸の温度より低い場合と比較して、ＳＰＭの吐出前において、薬液ノズル２０の温度及び基板Ｗの表面の温度を高くできる。その結果、ＳＰＭによる基板Ｗの処理開始時のＳＰＭの温度が低下することを更に抑制できる。よって、ＳＰＭによるレジスト膜の剥離性能を更に向上できる。また、この好ましい例では、ヒュームの発生を抑制できる。
【0088】
例えば、第１硫酸を基板Ｗに吐出する際の第１硫酸の温度は１５０℃であり、ＳＰＭを生成する際の硫酸の温度は１００℃である。
【0089】
次に、図２を参照して、基板Ｗの表面温度の時間推移を説明する。図２は、基板Ｗの表面温度ＴとＳＰＭによる処理時間ｔとの関係を示すグラフである。縦軸は、基板Ｗの表面温度Ｔ（℃）を示す。横軸は、ＳＰＭによる基板Ｗの処理時間ｔ（秒）を示す。つまり、横軸は、基板Ｗに向けてＳＰＭの吐出を開始した時点（０秒）からの経過時間ｔを示している。
【0090】
図２において、曲線Ａ１は、実施形態１における基板Ｗの表面温度を示す。つまり、曲線Ａ１は、ＳＰＭによる処理前に第１硫酸を基板Ｗに吐出した後に、基板ＷにＳＰＭを吐出した場合の基板Ｗの表面温度の時間変化を示す。曲線Ａ２は、比較例における基板Ｗの表面温度を示す。つまり、曲線Ａ２は、ＳＰＭによる処理前に第１硫酸の吐出を行わずに、基板ＷにＳＰＭを吐出した場合の基板Ｗの表面温度の時間変化を示す。
【0091】
曲線Ａ１と曲線Ａ２との比較から理解できるように、ＳＰＭによる処理前に第１硫酸を基板Ｗに吐出した後にＳＰＭを吐出する場合の基板Ｗの表面温度は、ＳＰＭによる処理前に第１硫酸を吐出せずにＳＰＭを吐出する場合の基板Ｗの表面温度よりも高い。つまり、ＳＰＭによる処理前に第１硫酸を基板Ｗに吐出した後にＳＰＭを吐出する場合は、ＳＰＭによる処理前に第１硫酸を吐出せずにＳＰＭを吐出する場合と比較して、基板Ｗの表面温度は、より速く上昇する。
【0092】
特に、ＳＰＭの吐出を開始した時点（０秒）及びその近傍においては、ＳＰＭによる処理前に第１硫酸を基板Ｗに吐出した場合は、第１硫酸を基板Ｗに吐出ない場合と比較して、基板Ｗの表面温度が顕著に高い。
【0093】
次に、図３を参照して、基板Ｗのレジスト膜の剥離時間を説明する。図３は、基板Ｗに形成されたレジスト膜の剥離時間と第１硫酸の吐出時間との関係を示すグラフである。縦軸は、ＳＰＭによるレジスト膜の剥離時間（秒）を示す。横軸は、第１硫酸の吐出時間（秒）を示す。
【0094】
図３において、第１硫酸の吐出時間が０秒であることは、ＳＰＭによる処理前に第１硫酸を基板Ｗに吐出しなかったことを示した。つまり、第１硫酸の吐出時間が０秒の場合は、比較例を示している。比較例では、ＳＰＭによる処理によって、レジスト膜の剥離時間は、約８５秒であった。
【0095】
一方、ＳＰＭによる処理前に第１硫酸を吐出する場合は、ＳＰＭによる処理前に第１硫酸を吐出しない場合（０秒）と比較して、ＳＰＭによるレジスト膜の剥離時間が短縮された。つまり、ＳＰＭによる処理前に第１硫酸を吐出する場合は、本発明の実施例を示す。例えば、ＳＰＭによる処理前に第１硫酸を２０秒間吐出すると、ＳＰＭによる処理によって、レジスト膜の剥離時間は、約７５秒であった。この場合は、ＳＰＭによる処理前に第１硫酸を吐出しない場合と比較して、ＳＰＭによるレジスト膜の剥離時間は、約１０秒短縮された。
【0096】
以上、図３を参照して説明したように、本実施例では、比較例と比較して、ＳＰＭによるレジスト膜の剥離時間を短縮できた。つまり、本実施例では、レジスト膜の剥離性能を向上できた。レジスト膜の剥離性能を向上できる１つの理由は、図２に示すように、ＳＰＭによる処理前に第１硫酸を基板Ｗに吐出することで、ＳＰＭの吐出開始時（０秒）には基板Ｗの表面温度が既に上昇しており、基板Ｗの表面でのＳＰＭの温度低下を抑制できるからである。レジスト膜の剥離性能を向上できる他の理由は、ＳＰＭによる処理前に第１硫酸を基板Ｗに吐出することで、ＳＰＭの吐出開始時（０秒）には薬液ノズル２０の温度が上昇しており、薬液ノズル２０からの吐出時におけるＳＰＭの温度低下を抑制できるからである。
【0097】
次に、図１及び図４を参照して、実施形態１に係る基板処理方法を説明する。基板処理方法は、基板処理装置１において実行される。つまり、基板処理方法は、複数種類の液体（硫酸及び過酸化水素水）が混合されたＳＰＭを基板Ｗに吐出することによって基板Ｗを処理する。
【0098】
【0099】
図４に示すように、まず、工程Ｓ１において、制御部５０１は、基板Ｗを基板処理装置１に搬入するように、ロボット（不図示）を制御する。その結果、ロボットは、基板Ｗを基板処理装置１に搬入する。
【0100】
次に、工程Ｓ２において、制御部５０１は、基板Ｗを回転するように、スピンチャック１０を制御する。その結果、スピンチャック１０は、基板Ｗを回転させる。
【0101】
次に、工程Ｓ３と工程Ｓ４とが並行して実行される。
【0102】
工程Ｓ３において、制御部５０１は、薬液ノズル２０が第１貯留槽２０４からの第１硫酸を基板Ｗに吐出するように、同種液体供給部２００（バルブ２０１）を制御する。その結果、バルブ２０１が開かれ、薬液ノズル２０に第１硫酸が供給される。よって、薬液ノズル２０は、基板Ｗに第１硫酸を吐出する。第１硫酸によって、薬液ノズル２０及び基板Ｗの表面が予備加熱される。工程Ｓ３は、例えば、工程Ｓ３の開始時から第１時間の経過時に終了する。つまり、薬液ノズル２０は、第１時間だけ、第１硫酸を基板Ｗに吐出する。なお、工程Ｓ３では、バルブ４１、５１、８１は、閉じられている。
【0103】
一方、工程Ｓ４において、制御部５０１は、基板Ｗから飛散して第１カップ９４に収集された第１硫酸を回収するように、回収部１１０（回収ポンプ１１１）を制御する。その結果、回収ポンプ１１１が駆動され、第１硫酸が、回収配管１１２を通して、第１貯留槽２０４に回収される。工程Ｓ４は、例えば、工程Ｓ４の開始時から第２時間の経過時に終了する。第２時間は、例えば、第１時間と略同じ時間であってもよいし、第１時間よりも長い時間であってもよい。
【0104】
工程Ｓ３及び工程Ｓ４が終了すると、処理は工程Ｓ５に進む。なお、工程Ｓ４の処理が終了していなくても、工程Ｓ３が終了している限りにおいては、処理は工程Ｓ５に進むことができる。
【0105】
次に、工程Ｓ５において、制御部５０１は、薬液ノズル２０が基板ＷにＳＰＭを吐出するように、過酸化水素水供給部４０（バルブ４１）及び硫酸供給部５０（バルブ５１）を制御する。その結果、バルブ４１及びバルブ５１が開かれ、薬液ノズル２０に過酸化水素水貯留槽４３からの過酸化水素水が供給されるとともに、薬液ノズル２０に硫酸貯留槽５４からの硫酸が供給される。よって、薬液ノズル２０の内部で、過酸化水素水及び硫酸が混合され、ＳＰＭが生成される。そして、薬液ノズル２０は、基板ＷにＳＰＭを吐出する。その結果、基板Ｗからレジスト膜が除去される。工程Ｓ５は、例えば、工程Ｓ５の開始時から第３時間の経過時に終了する。つまり、薬液ノズル２０は、第３時間だけ、ＳＰＭを基板Ｗに吐出する。なお、工程Ｓ５では、バルブ８１、２０１は、閉じられている。
【0106】
次に、工程Ｓ６において、制御部５０１は、リンス液を基板Ｗに供給するように、リンス液供給部８０（バルブ８１）を制御する。その結果、バルブ８１が開かれ、リンス液ノズル６１にリンス液が供給される。よって、リンス液ノズル６１は、基板Ｗにリンス液を吐出する。リンス液によって、ＳＰＭ及びレジスト膜の残渣物が洗い流される。工程Ｓ６は、例えば、工程Ｓ６の開始時から第４時間の経過時に終了する。つまり、リンス液ノズル６１は、第４時間だけ、リンス液を基板Ｗに吐出する。なお、工程Ｓ６では、バルブ４１、５１、２０１は、閉じられている。
【0107】
次に、工程Ｓ７において、制御部５０１は、スピンモータＭを制御することにより、例えば、工程Ｓ３から工程Ｓ６までの回転速度よりも大きい乾燥回転速度まで基板Ｗを加速させ、乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上のリンス液に加わり、基板Ｗに付着しているリンス液が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗからリンス液が除去され、基板Ｗが乾燥する。
【0108】
次に、工程Ｓ８において、制御部５０１は、基板Ｗの回転を停止するように、スピンチャック１０を制御する。その結果、スピンチャック１０は、基板Ｗの回転を停止する。
【0109】
次に、工程Ｓ９において、制御部５０１は、基板Ｗを基板処理装置１から搬出するように、ロボット（不図示）を制御する。その結果、ロボットは、基板Ｗを基板処理装置１から搬出する。
【0110】
次に、工程Ｓ１０において、処理対象の全部の基板Ｗに対する処理が完了したか否かを判定する。
【0111】
工程Ｓ１０で処理対象の全部の基板Ｗに対する処理が完了していないと判定された場合（Ｎｏ）、処理は工程Ｓ１に進む。
【0112】
一方、工程Ｓ１０で処理対象の全部の基板Ｗに対する処理が完了したと判定された場合（Ｙｅｓ）、基板処理方法は終了する。
【0113】
以上、図４を参照して説明したように、実施形態１に係る基板処理方法によれば、工程Ｓ５では、ＳＰＭを基板Ｗに吐出する。ＳＰＭは硫酸に由来する。特に、実施形態１では、工程Ｓ３では、硫酸と同種の液体である第１硫酸を、ＳＰＭが基板Ｗに吐出される前に、基板Ｗに吐出する。基板Ｗに吐出される際の第１流体の温度は、室温よりも高い。一方、工程Ｓ４では、基板Ｗに吐出された第１硫酸を回収して、第１硫酸を第１貯留槽２０４に供給する。従って、第１硫酸を基板Ｗに吐出する工程Ｓ５では、第１貯留槽２０４に貯留された第１硫酸が再利用される。この場合、第１硫酸は、ＳＰＭを生成するための複数種類の液体のうちのいずれの液体としても使用されない。
【0114】
従って、ＳＰＭを生成するための硫酸（硫酸貯留槽５４に貯留された硫酸）の清浄度が、第１硫酸によって低下することを防止できる。換言すれば、ＳＰＭの清浄度が、第１硫酸によって低下することを防止できる。更に換言すれば、実施形態１に係る基板処理方法によれば、ＳＰＭの清浄度の低下を抑制しつつ、ＳＰＭの吐出前に基板Ｗに吐出された第１硫酸を再利用できる。
【0115】
すなわち、実施形態１に係る基板処理方法によれば、処理液の清浄度の低下を抑制しつつ、処理液の吐出前に基板Ｗに吐出された第１同種液体（液体）を再利用できる。
【0116】
（実施形態１の変形例）
図５及び図６を参照して、実施形態１の変形例を説明する。変形例では、第１硫酸の温度が室温の第２硫酸によって調整される点で、上記実施形態１と主に異なる。以下、変形例が上記実施形態１と異なる点を主に説明する。
図５及び図６を参照して、実施形態１の変形例を説明する。変形例では、第１硫酸の温度が室温の第２硫酸によって調整される点で、上記実施形態１と主に異なる。以下、変形例が上記実施形態１と異なる点を主に説明する。
【0117】
図５は、実施形態１の変形例に係る基板処理装置１の内部を示す模式的側面図である。図５に示すように、変形例に係る基板処理装置１は、図１の同種液体供給部２００に代えて、同種液体供給部２００Ａを備える。同種液体供給部２００Ａは、第１貯留槽２０４と、第２貯留槽２１４と、液体供給部２１９とを含む。液体供給部２１９は加熱部２０２を含む。具体的には、液体供給部２１９の供給部２０６Ａが加熱部２０２を含んでいる。
【0118】
第２貯留槽２１４は、第２同種液体を貯留する。第２同種液体は、室温の液体である。第２同種液体は、所定液体と同種の液体である。所定液体は、処理液を生成するための複数種類の液体のうちのいずれかの液体である。
【0119】
以下、変形例では、処理液は、ＳＰＭである。所定液体は、ＳＰＭを生成するための複数種類の液体のうちのいずれかの液体である。変形例では、所定液体は、硫酸貯留槽５４に貯留される硫酸である。従って、第２同種液体は、硫酸と同種の液体である。つまり、第２同種液体は、硫酸である。以下、第２同種液体としての硫酸を「第２硫酸」と記載する。
【0120】
加熱部２０２は、第１貯留槽２０４に貯留される第１硫酸を加熱する。液体供給部２１９は、加熱部２０２によって加熱された第１硫酸と、室温の第２硫酸とを混合して、混合後の液体を新たな第１硫酸として、薬液ノズル２０に供給する。変形例によれば、加熱された第１硫酸と室温の第２硫酸とを混合することで、薬液ノズル２０に供給する新たな第１硫酸の温度を容易に調整できる。
【0121】
詳細には、種液体供給部２００Ａの液体供給部２１９は、供給部２０６Ａと、供給部２１６とを含む。
【0122】
供給部２０６Ａは、配管２０５に流す第１硫酸の流量を調整する。つまり、供給部２０６Ａは、第２硫酸と混合する第１硫酸の流量を調整する。供給部２０６Ａによって供給される第１硫酸は、加熱部２０２によって加熱されている。
【0123】
具体的には、供給部２０６Ａは、図１の供給部２０６の構成に加えて、流量調整バルブ２０７と、流量計２０８とを更に含む。配管２０５には、ポンプ２０３、加熱部２０２、流量計２０８、流量調整バルブ２０７、及び、バルブ２０１が、この順番で上流から下流に向かって配置される。
【0124】
流量計２０８は、配管２０５内を流れる第１硫酸の流量を検出する。流量調整バルブ２０７は、配管２０５の開度を調整して、配管２０５を流れる第１硫酸の流量を調整する。つまり、流量調整バルブ２０７は、第２硫酸と混合する第１硫酸の流量を調整する。
【0125】
供給部２１６は、配管２１５に流す第２硫酸の流量を調整する。つまり、供給部２１６は、第１硫酸と混合する第２硫酸の流量を調整する。供給部２１６によって供給される第２硫酸の温度は、室温である。第２貯留槽２１４は、第２硫酸を貯留する。
【0126】
第２貯留槽２１４に貯留される硫酸は、本発明の「第２同種液体」の一例に相当する。
【0127】
供給部２１６は、バルブ２０１と、流量調整バルブ２１７と、流量計２１８と、ポンプ２１３と、配管２１５とを含む。
【0128】
配管２１５の一端は、配管２０５に接続される。配管２１５の他端は、第２貯留槽２１４まで延びる。配管２１５には、ポンプ２１３、流量計２１８、流量調整バルブ２１７、及び、バルブ２１１が、この順番で上流から下流に向かって配置される。
【0129】
ポンプ２１３は、第２貯留槽２１４に貯留された第２硫酸を配管２１５に送出する。つまり、ポンプ２１３は、第２貯留槽２１４に貯留された第２硫酸を配管２１５に供給する。流量計２１８は、配管２１５内を流れる第２硫酸の流量を検出する。流量調整バルブ２１７は、配管２１５の開度を調整して、配管２１５を流れる第２硫酸の流量を調整する。つまり、流量調整バルブ２１７は、第１硫酸と混合する第２硫酸の流量を調整する。バルブ２１１は、配管２１５の流路を開閉する。
【0130】
バルブ４１及びバルブ５１が閉じられた状態で、バルブ２０１、２１１が開かれると、第１貯留槽２０４からの目標温度Ｔ１に設定された第１硫酸と、第２貯留槽２１４からの室温の第２硫酸とが、配管２０５において混合される。その結果、第１硫酸と第２硫酸との混合比に応じて、混合液の温度が調整される。混合液は、新たな第１硫酸として共通配管５５に供給され、更に、薬液ノズル２０に供給される。
【0131】
この場合、制御部５０１は、流量調整バルブ２０７を制御して、第１硫酸の流量を調整する。また、制御部５０１は、流量調整バルブ２１７を制御して、第２硫酸の流量を調整する。
【0132】
具体的には、制御部５０１は、流量調整バルブ２０７及び流量調整バルブ２１７を制御して、第１硫酸の流量に対する第２硫酸の流量の比率を調整する。つまり、制御部５０１は、流量調整バルブ２０７及び流量調整バルブ２１７を制御して、第１硫酸と第２硫酸との混合比を調整する。
【0133】
次に、図５及び図６を参照して、変形例に係る基板処理方法を説明する。図６は、実施形態１の変形例に係る基板処理装置によって実行される基板処理方法を示すフローチャートである。図６に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ２１～工程Ｓ３０を含む。
【0134】
工程Ｓ２１及び工程Ｓ２２は、それぞれ、図４に示す工程Ｓ１及び工程Ｓ２と同様である。また、工程Ｓ２４は、図４に示す工程Ｓ４と同様である。更に、工程Ｓ２５～工程Ｓ３０は、それぞれ、図４に示す工程Ｓ５～工程Ｓ１０と同様である。
【0135】
変形例では、工程Ｓ２２の後に、工程Ｓ２３と工程Ｓ２４とが並行して実行される。
【0136】
工程Ｓ２３において、制御部５０１は、第１貯留槽２０４からの加熱された第１硫酸と、第２貯留槽２１４からの室温の第２硫酸とを混合して、混合後の液体を新たな第１硫酸として基板Ｗに吐出するように、液体供給部２１９（バルブ２０１、２１１及び流量調整バルブ２０７、２１７）を制御する。その結果、流量調整バルブ２０７によって第１硫酸の流量が調整されるとともに、バルブ２０１が開かれる。加えて、流量調整バルブ２１７によって第２硫酸の流量が調整されるとともに、バルブ２１１が開かれる。従って、加熱された第１硫酸と室温の第２硫酸とが配管２０５内で混合されて、温度が調整された混合液が生成される。そして、混合液は、新たな第１硫酸として、共通配管５５から薬液ノズル２０に供給される。その結果、薬液ノズル２０は、第１硫酸を基板Ｗに吐出する。第１硫酸によって、薬液ノズル２０及び基板Ｗの表面が予備加熱される。工程Ｓ２３は、例えば、工程Ｓ２３の開始時から第１時間の経過時に終了する。つまり、薬液ノズル２０は、第１時間だけ、第１硫酸を基板Ｗに吐出する。なお、工程Ｓ２３では、バルブ４１、５１、８１は、閉じられている。
【0137】
工程Ｓ２３及び工程Ｓ２４が終了すると、処理は工程Ｓ２５に進む。なお、工程Ｓ２４の処理が終了していなくても、工程Ｓ２３が終了している限りにおいては、処理は工程Ｓ２５に進むことができる。
【0138】
以上、図６を参照して説明したように、変形例に係る基板処理方法において、第１硫酸を基板Ｗに吐出する工程Ｓ２３では、第１貯留槽２０４からの加熱された第１硫酸と、第２貯留槽２１４からの室温の第２硫酸とを混合して、混合後の液体を新たな第１硫酸として、基板Ｗに吐出する。従って、変形例に係る基板処理方法によれば、加熱された第１硫酸と室温の第２硫酸との混合比を調整することで、薬液ノズル２０に供給する新たな第１硫酸の温度を容易に調整できる。
【0139】
（実施形態２）
図４及び図７を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１を説明する。実施形態２では、処理液としてＳＣ１を使用する点で、上記実施形態１と主に異なる。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。
図４及び図７を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１を説明する。実施形態２では、処理液としてＳＣ１を使用する点で、上記実施形態１と主に異なる。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。
【0140】
図７は、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１の内部を示す模式的側面図である。基板処理装置１は、複数種類の液体が混合された処理液によって基板Ｗを処理する。
【0141】
以下、一例として、処理液は、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）である。以下、アンモニア過酸化水素水混合液を「ＳＣ１」と記載する。ＳＣ１は、アンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）と水との混合液である。水は、実施形態２では、脱イオン水（ＤＩＷ）である。その他、水は、リンス液と同様の液体であってもよい。
【0142】
ＳＣ１の場合、複数種類の液体は、アンモニア水、過酸化水素水、及び、脱イオン水である。また、一例として、ＳＣ１を生成するための複数種類の液体のうちのいずれかの液体である所定液体は、脱イオン水である。更に、一例として、所定液体と同種の液体である第１同種液体は、脱イオン水である。以下、所定液体としての脱イオン水は単に「脱イオン水」と記載し、第１同種液体としての脱イオン水は「第１脱イオン水」と記載する。なお、ＳＣ１は、脱イオン水に由来する液体と捉えることができる。脱イオン水は、ＳＣ１を生成するための複数種類の液体のうちのいずれかの液体だからである。
【0143】
基板処理装置１は、アンモニア水と過酸化水素水と脱イオン水とを混合してＳＣ１を作成し、ＳＣ１によって基板Ｗを処理する。この場合、基板処理装置１は、処理液を基板Ｗに吐出する前に、第１脱イオン水を基板Ｗに吐出する。第１脱イオン水の温度は、室温よりも高い。つまり、第１脱イオン水は加熱されている。従って、第１脱イオン水を吐出した後に実行されるＳＣ１による処理の際に、基板Ｗ上に供給されたＳＣ１の温度低下を抑制することができる。その結果、ＳＣ１による基板Ｗの処理の効率を向上することができる。つまり、ＳＣ１の使用量を削減しつつも、基板Ｗに対してＳＣ１による所望の処理を実現できる。
【0144】
具体的には、図７に示すように、変形例に係る基板処理装置１は、薬液ノズル２０Ａと、ＳＣ１供給部２３２と、同種液体供給部２００Ｂとを備える。薬液ノズル２０Ａは、本発明の「吐出部」の一例に相当する。
【0145】
薬液ノズル２０Ａは、基板Ｗを処理する場合、回転中の基板ＷにＳＣ１を吐出する。ＳＣ１は、本発明の「処理液」の一例に相当する。
【0146】
薬液ノズル２０ＡがＳＣ１を基板Ｗに吐出する場合、ＳＣ１供給部２３２は、ＳＣ１を薬液ノズル２０Ａに供給する。
【0147】
ＳＣ１供給部２３２は、ミキシングバルブ２３０と、配管２３１と、アンモニア水供給部１３０と、過酸化水素水供給部１４０と、脱イオン水供給部１５０とを含む。
【0148】
薬液ノズル２０ＡがＳＣ１を基板Ｗに吐出する場合、アンモニア水供給部１３０は、薬液ノズル２０にアンモニア水を供給する。具体的には、アンモニア水供給部１３０は、アンモニア貯留槽１３３と、供給部１３８とを含む。アンモニア貯留槽１３３は、アンモニア水を貯留する。供給部１３８は、アンモニア貯留槽１３３に貯留されたアンモニア水をミキシングバルブ２３０に供給する。
【0149】
供給部１３８は、バルブ１３１と、ポンプ１３２と、配管１３４とを含む。
【0150】
配管１３４の一端は、ミキシングバルブ２３０に接続される。配管１３４は、ミキシングバルブ２３０からアンモニア貯留槽１３３まで延びる。
【0151】
バルブ１３１は、配管１３４に配置される。バルブ１３１は、配管１３４の流路を開閉する。配管１３４には、アンモニア貯留槽１３３から、例えば、温度調整されていない室温のアンモニア水が供給される。バルブ１３１が開かれると、配管１３４からミキシングバルブ２３０にアンモニア水が供給される。アンモニア水は、本発明の「複数種類の液体のうちの他の液体」の一例に相当する。
【0152】
薬液ノズル２０ＡがＳＣ１を基板Ｗに吐出する場合、過酸化水素水供給部１４０は、薬液ノズル２０Ａに過酸化水素水を供給する。具体的には、過酸化水素水供給部１４０は、過酸化水素水貯留槽１４３と、供給部１４８とを含む。過酸化水素水貯留槽１４３は、過酸化水素水を貯留する。供給部１４８は、過酸化水素水貯留槽１４３に貯留された過酸化水素水を薬液ノズル２０Ａに供給する。
【0153】
過酸化水素水供給部１４０は、配管１４４と、バルブ１４１と、ポンプ１４２とを含む。
【0154】
配管１４４の一端は、ミキシングバルブ２３０に接続される。配管１４４は、ミキシングバルブ２３０から過酸化水素水貯留槽１４３まで延びる。
【0155】
バルブ１４１は、配管１４４に配置される。バルブ１４１は、配管１４４の流路を開閉する。配管１４４には、過酸化水素水貯留槽１４３から、例えば、温度調整されていない室温の過酸化水素水が供給される。バルブ１４１が開かれると、配管１４４からミキシングバルブ２３０に過酸化水素水が供給される。過酸化水素水は、本発明の「複数種類の液体のうちの他の液体」の一例に相当する。
【0156】
薬液ノズル２０ＡがＳＰＭを基板Ｗに吐出する場合、脱イオン水供給部１５０は、ミキシングバルブ２３０に脱イオン水（具体的には、脱イオン水の新液）を供給する。具体的には、脱イオン水供給部１５０は、脱イオン水貯留槽１５４と、供給部１５６とを含む。脱イオン水貯留槽１５４は、脱イオン水（具体的には、脱イオン水の新液）を貯留する。供給部１５６は、脱イオン水貯留槽１５４に貯留された脱イオン水をミキシングバルブ２３０に供給する。
【0157】
脱イオン水貯留槽１５４は、本発明の「所定液体貯留槽」の一例に相当する。脱イオン水貯留槽１５４に貯留される脱イオン水（具体的には、脱イオン水の新液）は、本発明の「所定液体」の一例に相当する。
【0158】
供給部１５６は、バルブ１５１と、加熱部１５２と、ポンプ１５３と、配管１５５とを含む。
【0159】
配管１５５の一端は、ミキシングバルブ２３０に接続される。配管１５５の他端は、脱イオン水貯留槽１５４まで延びる。配管１５５には、ポンプ１５３、加熱部１５２、及び、バルブ１５１が、この順番で上流から下流に向かって配置される。
【0160】
ポンプ１５３は、脱イオン水貯留槽１５４に貯留された脱イオン水を配管１５５に送出する。つまり、ポンプ１５３は、脱イオン水貯留槽１５４に貯留された脱イオン水を配管１５５に供給する。加熱部１５２は、配管１５５を流れる脱イオン水を加熱して、脱イオン水の温度を目標温度Ｔ１０に設定する。バルブ１５１は、配管１５５の流路を開閉する。目標温度Ｔ１０は室温よりも高い。加熱部１５２は、例えば、ヒータである。
【0161】
配管１５５は、加熱部１５２とバルブ１５１との間で分岐して脱イオン水貯留槽１５４へと接続されている。バルブ１５１が閉じられている状態では、加熱部１５２により加熱された脱イオン水は、脱イオン水貯留槽１５４と加熱部１５２とを循環する。従って、脱イオン水貯留槽１５４に貯留された脱イオン水の温度が目標温度Ｔ１０に設定される。
【0162】
バルブ１５１が開かれると、目標温度Ｔ１０に設定された脱イオン水は、配管１５５からミキシングバルブ２３０に供給される。
【0163】
薬液ノズル２０ＡがＳＰＭを基板Ｗに吐出する場合、ミキシングバルブ２３０は、アンモニア貯留槽１３３から供給されたアンモニア水と、過酸化水素水貯留槽１４３から供給された過酸化水素水と、脱イオン水貯留槽１５４から供給された脱イオン水とを混合し、混合液であるＳＣ１を生成する。配管２３１の一端は、薬液ノズル２０Ａに接続され、配管２３１の他端は、ミキシングバルブ２３０に接続される。従って、ミキシングバルブ２３０は、配管２３１を通して薬液ノズル２０ＡにＳＣ１を供給する。そして、薬液ノズル２０Ａは、回転中の基板ＷにＳＣ１を吐出する。その結果、ＳＣ１によって基板Ｗが処理される。
【0164】
なお、薬液ノズル２０ＡがＳＣ１を基板Ｗに吐出する場合、バルブ２２１は閉じられている。また、薬液ノズル２０Ａから吐出される際のＳＣ１の温度は、例えば、４０℃以上７０℃以下である。
【0165】
薬液ノズル２０Ａは、基板ＷにＳＣ１を吐出する前に、第１脱イオン水を基板Ｗに吐出する。薬液ノズル２０Ａが第１脱イオン水を基板Ｗに吐出する場合、バルブ１３１、１４１、１５１は閉じられる。
【0166】
薬液ノズル２０Ａが第１脱イオン水を基板Ｗに吐出する場合、同種液体供給部２００Ｂは第１脱イオン水を供給する。具体的には、同種液体供給部２００Ｂは、薬液ノズル２０Ａに第１脱イオン水を供給する。
【0167】
同種液体供給部２００Ｂは、供給部２２６と、第１貯留槽２２４とを含む。供給部２２６は、第１貯留槽２２４に貯留された第１脱イオン水を薬液ノズル２０Ａに供給する。第１貯留槽２２４は、第１脱イオン水を貯留する。
【0168】
第１貯留槽２２４に貯留される第１脱イオン水は、本発明の「第１同種液体」の一例に相当する。
【0169】
供給部２２６は、バルブ２２１と、加熱部２２２と、ポンプ２２３と、配管２２５とを含む。
【0170】
配管２２５の一端は、配管２３１に接続される。配管２２５の他端は、第１貯留槽２２４まで延びる。配管２２５には、ポンプ２２３、加熱部２２２、及び、バルブ２２１が、この順番で上流から下流に向かって配置される。
【0171】
ポンプ２２３は、第１貯留槽２２４に貯留された第１脱イオン水を配管２２５に送出する。つまり、ポンプ２２３は、第１貯留槽２２４に貯留された第１脱イオン水を配管２２５に供給する。加熱部２２２は、配管２２５を流れる第１脱イオン水を加熱して、第１脱イオン水の温度を目標温度Ｔ２０に設定する。バルブ２２１は、配管２２５の流路を開閉する。加熱部２２２は、例えば、ヒータである。
【0172】
配管２２５は、加熱部２２２とバルブ２２１との間で分岐して第１貯留槽２２４へと接続されている。バルブ２２１が閉じられている状態では、加熱部２２２により加熱された第１脱イオン水は、第１貯留槽２２４と加熱部２２２とを循環する。従って、第１貯留槽２２４に貯留された第１脱イオン水の温度が目標温度Ｔ２０に設定される。目標温度Ｔ２０は、室温よりも高い。
【0173】
バルブ１３１、１４１、１５１が閉じられた状態で、バルブ２２１が開かれると、目標温度Ｔ２０に設定された第１脱イオン水は、配管２２５から配管２３１に供給され、配管２３１から更に薬液ノズル２０Ａに供給される。その結果、薬液ノズル２０Ａは、ＳＣ１を基板Ｗに吐出する前に、第１脱イオン水を基板Ｗに吐出する。よって、ＳＣ１を基板Ｗに吐出する前に、基板Ｗの表面及び薬液ノズル２０Ａが温調されて室温よりも高い温度になる。つまり、ＳＣ１を基板Ｗに吐出する前に、基板Ｗの表面及び薬液ノズル２０Ａは予備加熱される。その結果、第１脱イオン水を吐出した後に実行されるＳＣ１による処理の際に、基板Ｗに供給されたＳＣ１の温度低下を抑制することができる。
【0174】
第１ガード９１は、実施形態２では、第１対向状態において、回転する基板Ｗから飛散する第１脱イオン水を受け止める。第１カップ９４には、実施形態２では、第１ガード９１の内周面から流れ落ちる第１脱イオン水が収集される。第１カップ９４に収集された第１脱イオン水は、第１カップ９４の底部に接続された回収部１１０によって回収される。
【0175】
第２ガード９２は、実施形態２では、第２対向状態において、回転する基板Ｗから飛散するＳＣ１を受け止める。第２カップ９５には、第２ガード９２の内周面から流れ落ちるＳＣ１が収集される。第２カップ９５に収集されたＳＣ１は、第２カップ９５の底部に接続された廃棄部１２０によって廃棄される。
【0176】
回収部１１０は、基板Ｗに吐出された第１脱イオン水を回収して、第１脱イオン水を第１貯留槽２２４に供給する。具体的には、回収部１１０は、基板Ｗから飛散した第１脱イオン水を、第１ガード９１及び第１カップ９４を介して回収する。
【0177】
具体的には、回収ポンプ１１１は、第１カップ９４から回収した第１脱イオン水を第１貯留槽２２４へと送出する。その結果、回収部１１０によって回収された第１脱イオン水が、第１貯留槽２２４に貯留され、再利用される。つまり、回収された第１脱イオン水は、ＳＣ１を基板Ｗに吐出する前において、薬液ノズル２０Ａ及び基板Ｗの表面を予備加熱する場合に再利用される。
【0178】
薬液ノズル２０Ａが第１脱イオン水を吐出する場合には、バルブ１３１、１４１、１５１が閉じられている。従って、第１貯留槽２２４に貯留された第１脱イオン水は、ＳＣ１を基板Ｗに吐出する前において、薬液ノズル２０Ａ及び基板Ｗの表面を予備加熱する場合にだけ使用される。換言すれば、第１貯留槽２２４に貯留された第１脱イオン水は、ＳＣ１を生成するための複数種類の液体のうちのいずれの液体としても使用されない。更に換言すれば、第１貯留槽２２４に貯留された第１脱イオン水は、ＳＣ１を生成するための脱イオン水として使用されない。このように、回収された第１脱イオン水は、脱イオン水貯留槽１５４に供給されず、脱イオン水貯留槽１５４の脱イオン水と混合されない。
【0179】
従って、ＳＣ１を生成するための脱イオン水（脱イオン水貯留槽１５４に貯留された脱イオン水）の清浄度が、第１脱イオン水によって低下することを防止できる。換言すれば、ＳＣ１の清浄度が、第１脱イオン水によって低下することを防止できる。更に換言すれば、実施形態２によれば、ＳＣ１の清浄度の低下を抑制しつつ、ＳＣ１の吐出前に基板Ｗに吐出された第１脱イオン水を再利用できる。
【0180】
すなわち、実施形態２によれば、処理液の清浄度の低下を抑制しつつ、処理液の吐出前に基板Ｗに吐出された第１同種液体（液体）を再利用できる。
【0181】
制御部５０１は、記憶部５０２に記憶されている各種情報に基づいて基板処理装置１の各部の動作を制御する。例えば、制御部５０１は、ＳＣ１供給部２３２を制御する。
【0182】
以上、図７を参照して説明したように、実施形態２によれば、薬液ノズル２０Ａは、同種液体供給部２００Ｂから供給される第１脱イオン水を、ＳＣ１が基板Ｗに吐出される前に、基板Ｗに吐出する。この場合、第１脱イオン水の温度は、室温よりも高い。従って、薬液ノズル２０Ａの温度が、第１脱イオン水によって、ＳＣ１の吐出前に上昇する。加えて、基板Ｗの表面の温度が、第１脱イオン水によって、ＳＣ１の吐出前に上昇する。その結果、ＳＣ１による基板Ｗの処理開始時のＳＣ１の温度が低下することを抑制できる。よって、ＳＣ１による基板Ｗの処理性能を向上できる。処理性能とは、単位時間当たりの基板Ｗの処理量のことである。ＳＣ１による基板Ｗの処理性能を向上できると、ＳＣ１の使用量を削減できる。つまり、ＳＣ１の廃棄量を削減できる。
【0183】
また、実施形態２では、第１脱イオン水を基板Ｗに吐出する際の第１脱イオン水の温度は、ＳＣ１を基板Ｗに吐出する際のＳＣ１の温度と略同じであることが好ましい。理由は、実施形態１と同様である。また、実施形態２では、第１脱イオン水を基板Ｗに吐出する際の第１脱イオン水の温度は、脱イオン水を複数種類の液体（アンモニア水、過酸化水素水、及び、脱イオン水）のうちの他の液体（アンモニア水及び過酸化水素水）と混合する際の脱イオン水の温度よりも高いことが好ましい。つまり、第１脱イオン水を基板Ｗに吐出する際の第１脱イオン水の温度は、ＳＣ１を生成する際の脱イオン水の温度よりも高いことが好ましい。理由は、実施形態１と同様である。
【0184】
なお、実施形態２に係る基板処理方法は、図４に示す基板処理方法と同様である。ただし、実施形態２では、工程Ｓ３において、制御部５０１は、薬液ノズル２０Ａが第１貯留槽２２４からの第１脱イオン水を基板Ｗに吐出するように、同種液体供給部２００Ｂ（バルブ２２１）を制御する。その結果、第１脱イオン水が薬液ノズル２０Ａに供給され、薬液ノズル２０Ａが基板Ｗに第１脱イオン水を吐出する。
【0185】
一方、工程Ｓ４において、制御部５０１は、基板Ｗから飛散して第１カップ９４に収集された第１脱イオン水を回収するように、回収部１１０（回収ポンプ１１１）を制御する。その結果、回収ポンプ１１１が駆動され、第１脱イオン水が、回収配管１１２を通して、第１貯留槽２２４に回収される。
【0186】
また、工程Ｓ５において、制御部５０１は、薬液ノズル２０Ａが基板ＷにＳＣ１を吐出するように、ＳＣ１供給部２３２（バルブ１３１、１４１、１５１）を制御する。その結果、ミキシングバルブ２３０によって、アンモニア貯留槽１３３からのアンモニア水と、過酸化水素水貯留槽１４３からの過酸化水素水と、脱イオン水貯留槽１５４からの脱イオン水とが混合されて、ＳＣ１が生成される。そして、ＳＣ１が薬液ノズル２０Ａに供給され、薬液ノズル２０Ａが基板ＷにＳＣ１を吐出する。
【0187】
ここで、実施形態２において、処理液は、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）であってもよい。以下、塩酸過酸化水素水混合液を「ＳＣ２」と記載する。ＳＣ２は、塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）と水との混合液である。水は、脱イオン水（ＤＩＷ）である。その他、水は、リンス液と同様の液体であってもよい。
【0188】
ＳＣ２の場合、複数種類の液体は、塩酸、過酸化水素水、及び、脱イオン水である。また、一例として、ＳＣ２を生成するための複数種類の液体のうちのいずれかの液体である所定液体は、脱イオン水である。更に、一例として、所定液体と同種の液体である第１同種液体は、第１脱イオン水である。なお、ＳＣ２は、脱イオン水に由来する液体と捉えることができる。なお、処理液がＳＣ２の場合、貯留槽１３３には、塩酸が貯留される。
【0189】
（実施形態２の変形例）
図６及び図８を参照して、実施形態２の変形例を説明する。変形例では、第１脱イオン水の温度が室温の第２脱イオン水によって調整される点で、上記実施形態２と主に異なる。以下、変形例が上記実施形態２と異なる点を主に説明する。
図６及び図８を参照して、実施形態２の変形例を説明する。変形例では、第１脱イオン水の温度が室温の第２脱イオン水によって調整される点で、上記実施形態２と主に異なる。以下、変形例が上記実施形態２と異なる点を主に説明する。
【0190】
図８は、実施形態２の変形例に係る基板処理装置１の内部を示す模式的側面図である。図８に示すように、変形例に係る基板処理装置１は、図７の同種液体供給部２００Ｂに代えて、同種液体供給部２００Ｃを備える。同種液体供給部２００Ｃは、第１貯留槽２２４と、第２貯留槽２４４と、液体供給部２４９とを含む。液体供給部２４９は加熱部２２２を含む。具体的には、液体供給部２４９の供給部２２６Ａが加熱部２２２を含んでいる。
【0191】
第２貯留槽２４４は、第２同種液体を貯留する。第２同種液体は、室温の液体である。第２同種液体は、所定液体と同種の液体である。所定液体は、処理液を生成するための複数種類の液体のうちのいずれかの液体である。
【0192】
以下、変形例では、処理液は、ＳＣ１である。所定液体は、ＳＣ１を生成するための複数種類の液体のうちのいずれかの液体である。変形例では、所定液体は、脱イオン水貯留槽１５４に貯留される脱イオン水である。従って、第２同種液体は、脱イオン水と同種の液体である。つまり、第２同種液体は、脱イオン水である。以下、第２同種液体としての脱イオン水を「第２脱イオン水」と記載する。
【0193】
加熱部２２２は、第１貯留槽２２４に貯留される第１脱イオン水を加熱する。液体供給部２４９は、加熱部２２２によって加熱された第１脱イオン水と、室温の第２脱イオン水とを混合して、混合後の液体を新たな第１脱イオン水として、薬液ノズル２０Ａに供給する。変形例によれば、加熱された第１脱イオン水と室温の第２脱イオン水とを混合することで、薬液ノズル２０Ａに供給する新たな第１脱イオン水の温度を容易に調整できる。
【0194】
詳細には、種液体供給部２００Ｃの液体供給部２４９は、供給部２２６Ａと、供給部２４６とを含む。
【0195】
供給部２２６Ａは、配管２２５に流す第１脱イオン水の流量を調整する。つまり、供給部２２６Ａは、第２脱イオン水と混合する第１脱イオン水の流量を調整する。供給部２２６Ａによって供給される第１脱イオン水は、加熱部２２２によって加熱されている。
【0196】
具体的には、供給部２２６Ａは、図７の供給部２２６の構成に加えて、流量調整バルブ２２７と、流量計２２８とを更に含む。流量計２２８は、配管２２５内を流れる第１脱イオン水の流量を検出する。流量調整バルブ２２７は、配管２２５の開度を調整して、配管２２５を流れる第１脱イオン水の流量を調整する。つまり、流量調整バルブ２２７は、第２脱イオン水と混合する第１脱イオン水の流量を調整する。
【0197】
供給部２４６は、配管２４５に流す第２脱イオン水の流量を調整する。つまり、供給部２４６は、第１脱イオン水と混合する第２脱イオン水の流量を調整する。供給部２４６によって供給される第２脱イオン水の温度は、室温である。第２貯留槽２４４は、第２脱イオン水を貯留する。
【0198】
第２貯留槽２４４に貯留される第２脱イオン水は、本発明の「第２同種液体」の一例に相当する。
【0199】
供給部２４６は、バルブ２４１と、流量調整バルブ２４７と、流量計２４８と、ポンプ２４３と、配管２４５とを含む。
【0200】
配管２４５の一端は、配管２２５に接続される。配管２４５の他端は、第２貯留槽２４４まで延びる。ポンプ２４３は、第２貯留槽２４４に貯留された第２脱イオン水を配管２４５に送出する。つまり、ポンプ２４３は、第２貯留槽２４４に貯留された第２脱イオン水を配管２４５に供給する。流量計２４８は、配管２４５内を流れる第２脱イオン水の流量を検出する。流量調整バルブ２４７は、配管２４５の開度を調整して、配管２４５を流れる第２脱イオン水の流量を調整する。つまり、流量調整バルブ２４７は、第１脱イオン水と混合する第２脱イオン水の流量を調整する。バルブ２４１は、配管２４５の流路を開閉する。
【0201】
バルブ１３１、１４１、１５１が閉じられた状態で、バルブ２２１、２４１が開かれると、第１貯留槽２２４からの目標温度Ｔ２０に設定された第１脱イオン水と、第２貯留槽２４４からの室温の第２脱イオン水とが、配管２２５において混合される。その結果、第１脱イオン水と第２脱イオン水との混合比に応じて、混合液の温度が調整される。混合液は、新たな第１脱イオン水として配管２３１に供給され、更に、薬液ノズル２０Ａに供給される。
【0202】
この場合、制御部５０１は、流量調整バルブ２２７を制御して、第１脱イオン水の流量を調整する。また、制御部５０１は、流量調整バルブ２４７を制御して、第２脱イオン水の流量を調整する。
【0203】
具体的には、制御部５０１は、流量調整バルブ２２７及び流量調整バルブ２４７を制御して、第１脱イオン水の流量に対する第２脱イオン水の流量の比率を調整する。つまり、制御部５０１は、流量調整バルブ２２７及び流量調整バルブ２４７を制御して、第１脱イオン水と第２脱イオン水との混合比を調整する。
【0204】
なお、実施形態２の変形例に係る基板処理方法は、図６を参照して説明した実施形態２に係る基板処理方法と同様である。ただし、変形例では、工程Ｓ２３において、制御部５０１は、第１貯留槽２２４からの加熱された第１脱イオン水と、第２貯留槽２４４からの室温の第２脱イオン水とを混合して、混合後の液体を新たな第１脱イオン水として基板Ｗに吐出するように、液体供給部２４９（バルブ２２１、２４１及び流量調整バルブ２２７、２４７）を制御する。その結果、流量調整バルブ２２７によって第１脱イオン水の流量が調整されるとともに、バルブ２２１が開かれる。加えて、流量調整バルブ２４７によって第２脱イオン水の流量が調整されるとともに、バルブ２４１が開かれる。従って、加熱された第１脱イオン水と室温の第２脱イオン水とが配管２２５内で混合されて、温度が調整された混合液が生成される。そして、混合液は、新たな第１脱イオン水として、薬液ノズル２０Ａに供給される。その結果、薬液ノズル２０Ａは、第１脱イオン水を基板Ｗに吐出する。第１脱イオン水によって、薬液ノズル２０Ａ及び基板Ｗの表面が予備加熱される。
【0205】
【0206】
ここで、変形例において、処理液は、ＳＣ２であってもよい。所定液体は、ＳＣ２を生成するための複数種類の液体のうちのいずれかの液体である。変形例では、所定液体は、脱イオン水貯留槽１５４に貯留される脱イオン水である。従って、第２同種液体は、脱イオン水と同種の液体である。つまり、第２同種液体は、第２脱イオン水である。
【0207】
以上、図面（図１～図８）を参照して本発明の実施形態（変形例を含む）について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
【0208】
図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【0209】
（１）実施形態１及び実施形態２（変形例を含む）において、第１同種液体（第１硫酸、第１脱イオン水）及び第２同種液体（第２硫酸、第２脱イオン水）は、例えば、基板Ｗの処理に寄与しない液体である。
【0210】
（２）図１及び図５において、第１硫酸を基板Ｗに吐出するノズルが、ＳＰＭを基板Ｗに吐出する薬液ノズル２０とは別個に設けられていてもよい。また、図７及び図８において、第１脱イオン水を基板Ｗに吐出するノズルが、ＳＣ１を基板Ｗに吐出する薬液ノズル２０Ａとは別個に設けられていてもよい。
【0211】
（３）図１、図５、図７、及び、図８において、例えば、第１ガード９１及び第１カップ９４から、ＳＰＭを廃棄してもよい。この場合は、回収配管１１２から分岐する排液配管を設ける。そして、ＳＰＭを廃棄する場合は、当該排液配管からＳＰＭを排出し、第１貯留槽２０４までの回収配管１１２を閉じておく。一方、第１硫酸を回収する場合は、当該排液配管をバルブで閉じておく。これらの点は、ＳＣ１及びＳＣ２を廃棄する場合も同様である。
【0212】
（４）第１貯留槽２０４の第１硫酸の濃度は、硫酸貯留槽５４の硫酸の濃度と異なっていてもよい。第２貯留槽２１４の第２硫酸の濃度は、硫酸貯留槽５４の硫酸の濃度と異なっていてもよい。第１貯留槽２０４の第１硫酸の濃度は、第２貯留槽２１４の第２硫酸の濃度と異なっていてもよい。第１貯留槽２０４の第１硫酸の温度は、硫酸貯留槽５４の硫酸の温度と異なっていてもよい。第２貯留槽２１４の第２硫酸の温度は、硫酸貯留槽５４の硫酸の温度と異なっていてもよい。
【0213】
（５）第１貯留槽２２４の第１脱イオン水の温度は、脱イオン水貯留槽１５４の脱イオン水の温度と異なっていてもよい。第２貯留槽２４４の第２脱イオン水の温度は、脱イオン水貯留槽１５４の脱イオン水の温度と異なっていてもよい。
【0214】
（６）実施形態１（変形例を含む）において、ＳＰＭを回収及び再利用してもよい。特に、実施形態１（変形例を含む）では、ＳＰＭの使用量を削減できるため、ＳＰＭを再利用する際の電力（例えば、温調のための電力）の消費を抑制できる。
【0215】
（７）図１、図５、図７、及び、図８において、スピンチャック１０は挟持式のチャックであったが、スピンチャック１０は挟持式のチャックに限定されない。例えば、スピンチャック１０は、バキューム式のチャックであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【0216】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。
【符号の説明】
【0217】
１ 基板処理装置
１０ スピンチャック（基板保持部）
２０、２０Ａ 薬液ノズル（吐出部）
５４ 硫酸貯留槽（所定液体貯留槽）
１１０ 回収部
２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ 同種液体供給部
２０２、２２２ 加熱部
２０４、２２４ 第１貯留槽
２１４、２４４ 第２貯留槽
２１９、２４９ 液体供給部
Ｗ 基板
１０ スピンチャック（基板保持部）
２０、２０Ａ 薬液ノズル（吐出部）
５４ 硫酸貯留槽（所定液体貯留槽）
１１０ 回収部
２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ 同種液体供給部
２０２、２２２ 加熱部
２０４、２２４ 第１貯留槽
２１４、２４４ 第２貯留槽
２１９、２４９ 液体供給部
Ｗ 基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】