特開 2024-118119 治具、半導体製造装置および半導体製造装置の操作方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024118119

(43)【公開日】2024-08-30

(54)【発明の名称】治具、半導体製造装置および半導体製造装置の操作方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/67 20060101AFI20240823BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240823BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240823BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 Z

H01L21/31 F

H01L21/302 101G

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023024371

(22)【出願日】2023-02-20

(71)【出願人】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100120031

【弁理士】

【氏名又は名称】宮嶋 学

(74)【代理人】

【識別番号】100107582

【弁理士】

【氏名又は名称】関根 毅

(74)【代理人】

【識別番号】100118843

【弁理士】

【氏名又は名称】赤岡 明

(72)【発明者】

【氏名】新井 賢澤

【テーマコード（参考）】

5F004

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F004AA15

5F045AF19

5F045BB15

5F045DP02

5F045EB05

5F131BA03

5F131BA04

5F131BA19

5F131BA23

5F131CA12

5F131JA04

5F131JA09

5F131JA16

5F131JA22

5F131JA26

(57)【要約】

【課題】ステージに異物が付着することを抑制する治具、半導体製造装置および半導体製造装置の操作方法を提供することである。
【解決手段】本実施形態による治具１は、本体が半導体ウェハの形状を有している。治具は、第１面に円環形状または円弧形状の溝２が設けられている。本実施形態による半導体製造装置は、半導体ウェハを収容し、減圧下で半導体ウェハを処理するチャンバＰＭ１を備える。ステージ１２は、チャンバ内に設けられ、半導体ウェハを載置可能である。供給部ＤＰは、本体が半導体ウェハの形状を有し、第１面に溝が設けられている治具が供給される。搬送部ＡＴＭ、ＶＴＭは、ステージの上方から供給部に治具を搬送する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

本体が半導体ウェハの形状を有し、第１面に円環形状または円弧形状の溝が設けられている、治具。

【請求項2】

前記溝の円環または円弧の中心は、前記本体の中心に略一致する、請求項１に記載の治具。

【請求項3】

前記本体は、半導体ウェハを処理する半導体製造装置のチャンバ内に設けられ該半導体ウェハが載置されるステージの上方に、前記第１面を前記ステージに向けて載置可能であり、
前記溝は、前記本体を前記ステージの上方に載置した状態において、前記半導体ウェハを前記ステージから持ち上げる支持部材に対応する位置に設けられている、請求項１または請求項２に記載の治具。

【請求項4】

半導体ウェハを収容し、減圧下で該半導体ウェハを処理するチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、前記半導体ウェハを載置可能なステージと、
本体が前記半導体ウェハの形状を有し、第１面に溝が設けられている治具が供給される供給部と、
前記ステージの上方から前記供給部に前記治具を搬送する搬送部と、を備えている半導体製造装置。

【請求項5】

半導体ウェハを収容し、減圧下で該半導体ウェハを処理するチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、前記半導体ウェハを載置可能なステージとを備えた半導体製造装置の操作方法であって、
大気圧に開放した前記チャンバ内で、
本体が前記半導体ウェハの形状を有し、第１面に溝が設けられている治具を前記ステージの上方に載置させ、
前記治具を前記ステージの上方に載置させた後、前記チャンバを減圧することを具備する方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本実施形態は、治具、半導体製造装置および半導体製造装置の操作方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体製造装置のチャンバを真空状態から大気開放してメンテナンスを行うことがある。このようなメンテナンスにおいて、ウェハを載置するステージ上に異物が付着する場合がある。このような異物は、ウェハの加工寸法等のばらつきの原因となり得る。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】米国特許公開第２０２２／０１３０７０６号公報

【特許文献2】米国特許第９３１２１６３号明細書

【特許文献3】米国特許第５９４６１８４号明細書

【特許文献4】米国特許第９０３０７９８号明細書

【特許文献5】米国特許第１０３８９２７８号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ステージに異物が付着することを抑制する治具、半導体製造装置および半導体製造装置の操作方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本実施形態による治具は、本体が半導体ウェハの形状を有し、第１面に円環形状または円弧形状の溝が設けられている。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１実施形態による治具の構成例を示す平面図。

【図2】第１実施形態による治具の構成例を示す側面図。

【図3】第１実施形態による半導体製造装置の構成例を示す概略平面図。

【図4】ダミーウェハ容器およびそれに収容されている治具を示す断面図。

【図5】治具およびそれを搬送するアームロボットの一部を示す平面図。

【図6】チャンバの構成例を示す断面図。

【図7】チャンバの構成例を示す断面図。

【図8】比較例を示す図。

【図9】第１実施形態によるチャンバのメンテナンス時の様子を示す図。

【図10】第１実施形態によるチャンバのメンテナンス時の様子を示す図。

【図11】第１実施形態による半導体製造装置の操作方法を示す概略平面図。

【図12】図１１に続く、半導体製造装置の操作方法を示す概略平面図。

【図13】図１２に続く、半導体製造装置の操作方法を示す概略平面図。

【図14】図１３に続く、半導体製造装置の操作方法を示す概略平面図。

【図15】図１４に続く、半導体製造装置の操作方法を示す概略平面図。

【図16】第２実施形態によるチャンバのメンテナンス時の様子を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものである。明細書と図面において、同一の要素には同一の符号を付す。

【0008】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態による治具１の構成例を示す平面図である。図２は、第１実施形態による治具１の構成例を示す側面図である。

【0009】

治具１は、例えば、ドライエッチング装置等の半導体製造装置に用いられる。治具１は、例えば、半導体製造装置のチャンバ内部のメンテナンス時に、チャンバ内のステージの表面をカバーするために用いられる。

【0010】

図１および図２に示すように、治具１は、その本体が半導体ウェハの形状を有し、第１面Ｆ１および第１面Ｆ１とは反対側にある第２面Ｆ２とを有する。治具１の第１面Ｆ１には、溝２が設けられている。溝２は、円環形状を有しており、第１面Ｆ１から第２面Ｆ２に向かって窪んでいる。溝２の中心は、治具１の本体の中心にほぼ一致する。治具１は、半導体ウェハと同様に、その外縁の一部にノッチ（切り欠き）３が設けられている。ノッチ３によって、ステージ上における治具１の回転方向の向きを判別することができる。

【0011】

治具１は、半導体製造装置のチャンバ内に設けられたステージ上方に、第１面Ｆ１をステージに向けて載置可能である。溝２は、治具１をステージ上方に載置した状態において、半導体ウェハをステージから持ち上げるリフトピンに対応する位置に設けられている。溝２は、リフトピンを受容して、治具１をステージの上方に位置付けるために設けられている。従って、溝２は、円環形状の溝に限定されず、リフトピンに対応した位置に設けられた円弧状の溝であってもよい。

【0012】

治具１の材料は、例えば、エボナイト、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、アクリル、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、セルロイド、セロファン、塩化ビニール、ポリテトラフルオロエチレン、ナイロン、レーヨン、および、シリコンのいずれかの材料、または、これらの材料の組み合わせである。治具１は、半導体製造装置で処理される半導体ウェハと同じ形状、同じ大きさ、同じ材料で構成されていてもよい。治具１は、例えば、溝２を設けた半導体ウェハであってもよい。

【0013】

図３は、第１実施形態による半導体製造装置１０の構成例を示す概略平面図である。半導体製造装置１０は、例えば、ドライエッチング装置であり、半導体ウェハまたはその上に形成された構造体を加工する。しかし、半導体製造装置１０は、これに限定せず、真空引きされたチャンバ内で半導体ウェハを処理する任意の装置でよい。

【0014】

半導体製造装置１０は、チャンバＰＭ１～ＰＭ６と、真空搬送部ＶＴＭと、ロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２と、大気搬送部ＡＴＭと、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４と、ダミーポートＤＰとを備えている。

【0015】

チャンバＰＭ１～ＰＭ６は、それぞれ、半導体ウェハを収容し、半導体ウェハを処理可能な真空チャンバである。チャンバＰＭ１～ＰＭ６の内部は、半導体ウェハを処理する際に、真空ポンプにより減圧されている。

【0016】

真空搬送部ＶＴＭには、半導体ウェハまたは治具１をロードロックチャンバＬＬ１またはＬＬ２からチャンバＰＭ１～ＰＭ６のいずれかに搬送するアームロボット（図示せず）が設けられている。真空搬送部ＶＴＭは、アームロボットがチャンバＰＭ１～ＰＭ６およびロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２のいずれにも半導体ウェハまたは治具１を搬送可能なようにそれらの中心に配置されている。真空搬送部ＶＴＭは、チャンバＰＭ１～ＰＭ６と同様に真空ポンプにより減圧されている。

【0017】

ロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２は、真空搬送部ＶＴＭと大気搬送部ＡＴＭとの間に設けられている。ロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２は、大気状態と減圧状態とを切り替えることができるように構成されている。ロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２は、真空搬送部ＶＴＭの減圧状態を維持しながら、真空搬送部ＶＴＭと大気搬送部ＡＴＭとの間で半導体ウェハまたは治具１を搬送するために設けられている。

【0018】

大気搬送部ＡＴＭには、半導体ウェハまたは治具１をロードポートＬＰ１～ＬＰ４およびダミーポートＤＰからロードロックチャンバＬＬ１またはＬＬ２のいずれかに搬送するアームロボット（図示せず）が設けられている。大気搬送部ＡＴＭは、アームロボットがロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４およびダミーポートＤＰのいずれにも半導体ウェハまたは治具１を搬送可能なように配置されている。ロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４およびダミーポートＤＰは、大気搬送部ＡＴＭを中心としてその周囲に配置されている。大気搬送部ＡＴＭの内部は、大気圧の状態である。

【0019】

真空搬送部ＶＴＭおよび大気搬送部ＡＴＭは、半導体ウェハ等をロードポートＬＰ１～ＬＰ４およびダミーポートＤＰからチャンバＰＭ１～ＰＭ６のいずれかのステージ上に搬送することができる。また、真空搬送部ＶＴＭおよび大気搬送部ＡＴＭは、半導体ウェハ等をチャンバＰＭ１～ＰＭ６のステージからロードポートＬＰ１～ＬＰ４およびダミーポートＤＰのいずれかに搬送することができる。

【0020】

ロードポートＬＰ１～ＬＰ４は、半導体ウェハを収容するウェハ容器を着脱可能に設置し、ウェハ容器から半導体ウェハを取り出し可能にする。ダミーポートＤＰは、ダミーウェハ等を収容するダミーウェハ容器を着脱可能に設置し、そのダミーウェハ容器からダミーウェハを取り出し可能にする。

【0021】

本実施形態においては、治具１は、ダミーポートＤＰを用いて半導体製造装置１０へ搬入（供給）される。例えば、治具１を収容したダミーウェハ容器を、ダミーポートＤＰに設置する。大気搬送部ＡＴＭおよび真空搬送部ＶＴＭのアームロボットが治具１をダミーウェハ容器から取り出し、ロードロックチャンバＬＬ１またはＬＬ２へ搬送する。

【0022】

なお、治具１は、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４のいずれかを用いて半導体製造装置１０へ搬入されてもよい。この場合、治具１は、ウェハ容器に収容され、そのウェハ容器はポートＬＰ１～ＬＰ４のいずれかに設置される。大気搬送部ＡＴＭおよび真空搬送部ＶＴＭのアームロボットは、治具１をロードポートＬＰ１～ＬＰ４のいずれかのウェハ容器から取り出し、ロードロックチャンバＬＬ１またはＬＬ２へ搬送すればよい。

【0023】

また、ダミーポートＤＰには、治具１を収容する容器が付設されていてもよい。この場合、ダミーポートＤＰに付設された容器に治具１を予め保管しておき、メンテナンスの際に、真空搬送部ＶＴＭおよび大気搬送部ＡＴＭが治具１をダミーポートＤＰの容器からチャンバＰＭ１～ＰＭ６に搬送する。メンテナンスが終了した後、真空搬送部ＶＴＭおよび大気搬送部ＡＴＭは、治具１をチャンバＰＭ１～ＰＭ６からダミーポートＤＰの容器に搬送する。

【0024】

図４は、ダミーウェハ容器ＤＷＣおよびそれに収容されている治具１を示す断面図である。ダミーウェハ容器ＤＷＣは、筐体の内側面から突出する突出部２６で治具１の両端部を支持する。ダミーウェハ容器ＤＷＣは、アームロボットが治具１を持ち上げて搬送できるように、治具１の中心部とは接触していない。

【0025】

図５は、治具１およびそれを搬送するアームロボットＡＲの一部を示す平面図である。アームロボットＡＲは、ダミーウェハ容器ＤＷＣ内の治具１を第1面Ｆ１から持ち上げ、治具１を搬送する。例えば、アームロボットＡＲの表面に、パッド１７を有し、パッド１７を治具１の第1面Ｆ１に接触させて治具１を搬送する。

【0026】

図６および図７は、チャンバＰＭ１の構成例を示す断面図である。図６は、ステージ１２の上方に半導体ウェハＷをリフトピン１４で持ち上げている状態を示している。図７は、半導体ウェハＷをステージ１２上に載置した状態を示している。尚、チャンバＰＭ２～ＰＭ６は、チャンバＰＭ１と同じ構成を有する。従って、図６および図７には、チャンバＰＭ１の構成例を示し、チャンバＰＭ２～ＰＭ６の構成の図示は省略する。

【0027】

チャンバＰＭ１は、筐体１１を備える。チャンバＰＭ１の筐体１１内には、ステージ１２と、エッジリング１３と、リフトピン１４とが設けられている。筐体１１の底部には、真空ピンプに連通する配管が接続されている。これにより、チャンバＰＭ１内は図６および図７中に矢印で示されているように真空引きされ、減圧されている。また、半導体ウェハＷの加工に用いられたプロセスガスは、配管を介して排気される。

【0028】

ステージ１２は、チャンバＰＭ１内に設けられ、半導体ウェハＷを載置可能に構成されている。ステージ１２は、例えば、半導体ウェハＷをステージ本体Ｓ上部に設けたＥＳＣ（Electrostatic Chuck）で固定するものでよい。

【0029】

エッジリング１３は、ステージ１２の周囲に設けられており、ステージ１２の上面よりも、幾分突出している。これにより、エッジリング１３は、ステージ１２から半導体ウェハＷがずれることを抑制し、ステージ１２上における半導体ウェハＷのエッジを保護する。

【0030】

リフトピン（支持部材）１４は、図６に示すように、半導体ウェハＷをステージ１２の上面から持ち上げるためにステージ１２の上面から突出し、または、図７に示すように、半導体ウェハＷをステージ１２上に載置するためにステージ１２の上面から下に引っ込む。このように、リフトピン１４は、ステージ１２の上面において上下に移動することができる。リフトピン１４は、図示しない駆動部およびコントローラによって駆動および制御され得る。

【0031】

図８は、比較例を示す図である。チャンバＰＭ１のメンテナンス時には、チャンバＰＭ１を大気圧に開放して、メンテナンスを行い、その後、再度真空引きして減圧状態に戻す。このようにチャンバＰＭ１を大気開放してから真空引きするときに、異物Ｐがステージ１２上に付着する場合がある。例えば、ステージ１２上に異物Ｐが付着すると、その後処理対象となる半導体ウェハＷの加工時に半導体ウェハＷをステージ１２上に載置したときに、半導体ウェハＷがステージ１２から局所的に浮いてしまう。この場合、半導体ウェハＷの加工のばらつきにつながる。

【0032】

例えば、図８に示すように、異物Ｐが半導体ウェハＷとステージ１２との間にあると、半導体ウェハＷとステージ１２との間に隙間ができてしまう。この隙間は、プラズマによる半導体ウェハＷの熱がステージ１２へ放散することを妨げる。即ち、ステージ１２の冷却能力を低下させてしまう。これは、半導体ウェハＷの局所的な加工のばらつきの原因となり、半導体ウェハＷの寸法のばらつきにつながる。このようなチャンバＰＭ１内の異物Ｐを除去するためには、チャンバＰＭ１の大気開放、ステージ１２の清掃、および、真空引きを再度実行する必要がある。

【0033】

これに対し、本実施形態では、メンテナンス時にチャンバＰＭ１を大気圧に開放したり、チャンバＰＭ１を真空引きする際に、図９に示すように、治具１がステージ１２の上方に載置され、ステージ１２の上面をカバーしている。これにより、図１０に示すように、チャンバＰＭ１を大気開放してから真空引きするときに、異物ＰがチャンバＰＭ１内に発生していても、異物Ｐは、治具１に付着し、ステージ１２には付着しない。

【0034】

図９および図１０は、第１実施形態によるチャンバＰＭ１のメンテナンス時の様子を示す図である。治具１は、ステージ１２の上方において、ステージ１２の上面と接触することなくリフトピン１４によって支持されている。リフトピン１４は、治具１の溝２に挿入された状態で治具１を支持する。即ち、治具１の溝２は、ステージ１２の上方に載置された状態において、リフトピン１４を受容する位置に設けられている。リフトピン１４は、治具１をステージ１２の上方に載置した状態において、溝２に挿入される位置に設けられている。治具１の中心軸は、リフトピン１４が治具１の溝２に挿入された状態で、ステージ１２の中心軸とほぼ一致するように配置される。例えば、図９に示すように、大気開放してメンテナンス（例えば、エッジリング１３の交換等）を行った後、チャンバＰＭ１を減圧するときに、ステージ１２の上面から突出させたリフトピン１４上に治具１を載置する。これにより、治具１がステージ１２の上面をカバーするので、チャンバＰＭ１を大気開放してから真空引きするときに、図１０に示すように、異物ＰがチャンバＰＭ１内に発生していても、治具１に付着し、ステージ１２には付着しない。また、このとき、リフトピン１４の先端が治具１の溝２に差し込まれるように、治具１をリフトピン１４上に載置する。これにより、治具１は、ステージ１２の上方からほぼずれずに固定され得る。また、治具１のエッジリング１３との接触を抑制することができる。

【0035】

チャンバＰＭ１が減圧状態になった後、真空搬送部ＶＴＭおよび大気搬送部ＡＴＭは、治具１をステージ１２の上方からダミーポートＤＰへ搬送し、ダミーウェハ容器ＤＷＣに収容する。これにより、異物Ｐは、治具1とともにチャンバＰＭ１から取り除かれる。その結果、この後にロードポートＬＰ１～ＬＰ４のいずれかから搬送されてステージ１２上に載置される処理対象の半導体ウェハＷにおいて、加工のばらつきを抑制することができる。

【0036】

半導体製造装置１０の動作については、図１１～図１５を参照して以下にさらに詳細に説明する。

【0037】

図１１～図１５は、第１実施形態による半導体製造装置１０の操作方法を示す概略平面図である。

【0038】

チャンバＰＭ１のメンテナンスを行う際には、治具１を収容するダミーウェハ容器ＤＷＣをダミーポートＤＰに設置する。尚、半導体製造装置１０がダミーポートＤＰにおいて治具１を収容する容器を備えている場合には、ダミーポートＤＰの容器に予め治具１を保管させることで半導体製造装置１０に治具１を供給すればよく、ダミーウェハ容器ＤＷＣを用いた半導体製造装置１０への治具１の供給は不要である。

【0039】

次に、チャンバＰＭ１を大気圧に開放する前に、真空搬送部ＶＴＭおよび大気搬送部ＡＴＭが、図１１および図１２に示すように、治具１をダミーポートＤＰからチャンバＰＭ１のステージ１２の上方へ搬送し、リフトピン１４上に載置する。このとき、チャンバＰＭ１では、リフトピン１４をステージ１２の上面から突出した状態にする。

【0040】

次に、チャンバＰＭ１を大気圧に開放して、メンテナンスを行う。このとき、図１３に示すように、オペレータは、治具１をチャンバＰＭ１から一時的に退避させる。メンテナンスは、例えば、ステージ１２の周囲に設けられたエッジリング１３の交換等である。尚、メンテナンスの前後を通してステージ１２の上面を治具１によりカバーすることで、例えば、メンテナンス時におけるステージ１２の清掃を不要化でき治具１の退避が必要なくなる場合には、メンテナンス中でも、治具１をリフトピン１４上に載置させたままとしてもよい。

【0041】

メンテナンス終了後、チャンバＰＭ１を真空引きする前に、オペレータは、治具１をチャンバＰＭ１のリフトピン１４上に戻す。その後、図１４に示すように、チャンバＰＭ１を密閉状態に戻して、チャンバＰＭ１内の真空引きを行う。このとき、異物が発生しても、異物は、治具１に付着し、ステージ１２には付着し難い。

【0042】

チャンバＰＭ１が減圧状態になった後、真空搬送部ＶＴＭおよび大気搬送部ＡＴＭは、図１５に示すように、治具１をステージ１２の上方からダミーポートＤＰへ搬送し、ダミーウェハ容器ＤＷＣに収容する。これにより、異物は、治具1とともにチャンバＰＭ１から取り除かれる。

【0043】

尚、チャンバＰＭ１の大気開放時においては、治具１をステージ１２の上方に載置する必要がない場合、大気開放前に真空搬送部ＶＴＭおよび大気搬送部ＡＴＭが治具１をチャンバＰＭ１へ搬送することなく、チャンバＰＭ１を大気圧に開放してメンテナンスを行った後に、オペレータが治具１をリフトピン１４上に載置してもよい。この場合、図１１～図１３の工程は省略され、オペレータが、チャンバＰＭ１を大気圧に開放してメンテナンスを行った後に、治具１をリフトピン１４上に載置すること（図１４）から開始すればよい。このようにしても、治具１は、チャンバＰＭ１を真空引きする際に発生する異物を除去可能である。

【0044】

チャンバＰＭ２～ＰＭ６のメンテナンスについても、上記チャンバＰＭ１のメンテナンスと同様に実行すればよい。

【0045】

本実施形態による治具１は、チャンバＰＭ１～ＰＭ６を大気開放の状態から減圧状態に切り替えるときに、ステージ１２上への異物の付着を抑制することができる。これにより、処理対象となる半導体ウェハＷとステージ１２との間に隙間ができず、半導体ウェハＷの加工のばらつきを抑制することができる。

【0046】

（第２実施形態）
第２実施形態においては、治具１の材料は、例えば、マイナスに帯電するエボナイト、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、アクリル、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、セルロイド、セロファン、塩化ビニール、および、ポリテトラフルオロエチレン等のいずれか、あるいは、プラスに帯電するナイロン、および、レーヨンのいずれか、または、これらの材料の組み合わせとされる。この場合、治具１は、静電気によって異物を吸着し得る。

【0047】

図１６は、第２実施形態によるチャンバＰＭ１のメンテナンス時の様子を示す図である。治具１は、ステージ１２の上方において、ステージ１２の上面と接触することなくリフトピン１４によって支持されている点で第１実施形態と同じである。治具１がステージ１２の上面をカバーするので、チャンバＰＭ１を大気開放してから真空引きするときに、異物ＰがチャンバＰＭ１内に発生していても、治具１に付着し、ステージ１２には付着しない。また、リフトピン１４は、治具１の溝２に挿入された状態で治具１を支持する。これにより、治具１は、ステージ１２の上方からほぼずれずに固定され得る。また、治具１がエッジリング１３に接触することを抑制し、エッジリング１３の損傷を抑制することができる。

【0048】

さらに、第２実施形態では、治具１が、マイナスまたはプラスに帯電している。例えば、ダミーウェハ容器ＤＷＣからの取り出し時に図４の突出部２６との摩擦、あるいは、アームロボットＡＲのパッド１７との摩擦によって治具１を帯電させる。これにより、治具１をステージ１２の上方に載置したときに、治具１がステージ１２上の異物Ｐを静電気によって吸着することができる。このように、第２実施形態によれば、治具１は、ステージ１２の上方から落ちてくる（浮遊する）異物Ｐだけでなく、ステージ１２上の異物Ｐを吸着してチャンバＰＭ１から除去することができる。

【0049】

第２実施形態のその他の構成および操作は、第１実施形態の対応する構成および操作と同じでよい。従って、第２実施形態は、第１実施形態の効果も得ることができる。

【0050】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

【符号の説明】

【0051】

１ 治具
２ 溝
１０ 半導体製造装置
ＰＭ１～ＰＭ６ チャンバ
ＶＴＭ 真空搬送部
ＬＬ１、ＬＬ２ ロードロックチャンバ
ＡＴＭ 大気搬送部
ＬＰ１～ＬＰ４ ロードポート
ＤＰ ダミーポート

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】