(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024118288
(43)【公開日】2024-08-30
(54)【発明の名称】感光性樹脂組成物
(51)【国際特許分類】
G03F 7/027 20060101AFI20240823BHJP
H01L 23/29 20060101ALI20240823BHJP
【ＦＩ】
G03F7/027 502
G03F7/027 514
H01L23/30 R
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023024641
(22)【出願日】2023-02-20
(71)【出願人】
【識別番号】000000066
【氏名又は名称】味の素株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】入澤 真治
【テーマコード（参考）】
2H225
4M109
【Ｆターム（参考）】
2H225AC31
2H225AC33
2H225AC36
2H225AC64
2H225AC66
2H225AD06
2H225CA12
2H225CB06
2H225CC01
2H225CC13
2H225CD05
4M109AA01
4M109EA07
4M109EA15
(57)【要約】
【課題】限界解像性及びプロセスウィンドウの広い硬化物を得ることができる感光性樹脂組成物等の提供。
【解決手段】（Ａ）ポリイミド前駆体、（Ｂ）ラジカル発生剤、（Ｃ）４官能以下の光架橋剤、及び（Ｄ）５官能以上の光架橋剤、を含有する感光性樹脂組成物。
【選択図】なし
【解決手段】（Ａ）ポリイミド前駆体、（Ｂ）ラジカル発生剤、（Ｃ）４官能以下の光架橋剤、及び（Ｄ）５官能以上の光架橋剤、を含有する感光性樹脂組成物。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
（Ａ）ポリイミド前駆体、
（Ｂ）ラジカル発生剤、
（Ｃ）４官能以下の光架橋剤、及び
（Ｄ）５官能以上の光架橋剤、を含有する感光性樹脂組成物。
（Ｂ）ラジカル発生剤、
（Ｃ）４官能以下の光架橋剤、及び
（Ｄ）５官能以上の光架橋剤、を含有する感光性樹脂組成物。
【請求項2】
（Ｃ）成分の１分子当たりの官能基数をＣ１とし、（Ｄ）成分の１分子当たりの官能基数をＤ１としたとき、Ｃ１／Ｄ１が、０．１以上０．８以下である、請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
【請求項3】
感光性樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたときの（Ｃ）成分の含有量をＣｗとし、感光性樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたときの（Ｄ）成分の含有量をＤｗとしたとき、Ｃｗ／Ｄｗが、０．１以上５以下である、請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
【請求項4】
（Ａ）成分が、下記式（Ａ－１）で表される構造単位を有する、請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
（式中、Ａはそれぞれ独立に４価の有機基を表し、Ｂはそれぞれ独立にインダン骨格を有する２価の有機基を表し、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。ｎは５～２００の整数を表す。）
【化1】
【請求項5】
（Ａ）成分が、下記式（Ａ－３）で表される構造単位を有する、請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
（式中、Ａ１はそれぞれ独立に４価の有機基を表し、Ｒ１１及びＲ１２はそれぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ１３はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、Ｘａはそれぞれ独立に、単結合、下記式（１）で表される基、又は式（２）で表される基を表し、Ｘｂはそれぞれ独立に、単結合、式（３）で表される基、又は式（４）で表される基を表す。ｍ１は１～５の整数を表し、ｎ１は５～２００の整数を表す。）
（式（１）～（４）中、＊は結合手を表す。）
【化2】
【化3】
【請求項6】
式（Ａ－１）中のＲ１及びＲ２は、それぞれ独立に水素原子又は下式（Ａ－２）で表されるラジカル反応性基を表す、請求項４に記載の感光性樹脂組成物。
（式中、Ｒ４～Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数１～３の脂肪族炭化水素基を表し、ｐは１～１０の整数を表す。）
【化4】
【請求項7】
支持体と、支持体上に形成された請求項１～６のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂組成物層とを含む、感光性フィルム。
【請求項8】
請求項１～６のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む半導体パッケージ基板。
【請求項9】
請求項８に記載の半導体パッケージ基板を含む、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、感光性樹脂組成物に関する。さらには、当該感光性樹脂組成物を用いて得られる、感光性フィルム、半導体パッケージ基板、及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、半導体デバイスの絶縁層には、耐熱性や絶縁性に優れるポリイミド樹脂が用いられている。一般に、ポリイミド樹脂は溶剤への溶解性が低いため、感光性樹脂組成物においては、ポリイミド前駆体の状態で使用し、絶縁層等を形成した後、ポリイミド前駆体を環化して絶縁層を形成することも行われている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００３－０８４４３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
近年通信機器における通信の高速化、大容量化に伴い、通信機器の半導体パッケージ基板には、配線の高密度化が求められる。その配線の高密度化に対応する観点から、半導体パッケージ基板に用いられる感光性樹脂組成物は、限界解像性に優れることが望ましい。また、半導体パッケージ基板に用いられる感光性樹脂組成物は、半導体パッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂組成物を露光するにあたって、感光性樹脂組成物は露光量のプロセスウィンドウが広いことが望まれる。
【0005】
限界解像性とは、露光及び現像によって感光性樹脂組成物に形成できる開口部の小ささの限界を表し、小さいほど好ましい。また、プロセスウィンドウとは、露光量が最適値から変動しても、感光性樹脂組成物に形成できる開口部の形状等に変化がない範囲、又は許容範囲内であることを表す。
【0006】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、限界解像性及びプロセスウィンドウの広い硬化物を得ることができる感光性樹脂組成物、当該感光性樹脂組成物を用いて得られる、感光性フィルム、及び半導体パッケージ基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明者らが鋭意検討した結果、感光性樹脂組成物にポリイミド前駆体、ラジカル発生剤、４官能以下の光架橋剤、及び５官能以上の光架橋剤を組み合わせて含有させることで上記課題が達成し得ることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【0008】
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］ （Ａ）ポリイミド前駆体、
（Ｂ）ラジカル発生剤、
（Ｃ）４官能以下の架橋剤、及び
（Ｄ）５官能以上の架橋剤、を含有する感光性樹脂組成物。
［２］ （Ｃ）成分の１分子当たりの官能基数をＣ１とし、（Ｄ）成分の１分子当たりの官能基数をＤ１としたとき、Ｃ１／Ｄ１が、０．１以上０．８以下である、［１］に記載の感光性樹脂組成物。
［３］ 感光性樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたときの（Ｃ）成分の含有量をＣｗとし、光性樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたときの（Ｄ）成分の含有量をＤｗとしたとき、Ｃｗ／Ｄｗが、０．１以上５以下である、［１］又は［２］に記載の感光性樹脂組成物。
［４］ （Ａ）成分が、下記式（Ａ－１）で表される構造単位を有する、［１］～［３］のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
（式中、Ａはそれぞれ独立に４価の有機基を表し、Ｂはそれぞれ独立にインダン骨格を有する２価の有機基を表し、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。ｎは５～２００の整数を表す。）
［５］ （Ａ）成分が、下記式（Ａ－３）で表される構造単位を有する、［１］～［４］のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
（式中、Ａ１はそれぞれ独立に４価の有機基を表し、Ｒ１１及びＲ１２はそれぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ１３はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、Ｘａはそれぞれ独立に、単結合、下記式（１）で表される基、又は式（２）で表される基を表し、Ｘｂはそれぞれ独立に、単結合、式（３）で表される基、又は式（４）で表される基を表す。ｍ１は１～５の整数を表し、ｎ１は５～２００の整数を表す。）
（式（１）～（４）中、＊は結合手を表す。）
［６］ 式（Ａ－１）中のＲ１及びＲ２は、それぞれ独立に水素原子又は下式（Ａ－２）で表されるラジカル反応性基を表す、［４］又は［５］に記載の感光性樹脂組成物。
（式中、Ｒ４～Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数１～３の脂肪族炭化水素基を表し、ｐは１～１０の整数を表す。）
［７］ 支持体と、支持体上に形成された［１］～［６］のいずれかに記載の感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂組成物層とを含む、感光性フィルム。
［８］ ［１］～［６］のいずれかに記載の感光性樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む半導体パッケージ基板。
［９］ ［８］に記載の半導体パッケージ基板を含む、半導体装置。
［１］ （Ａ）ポリイミド前駆体、
（Ｂ）ラジカル発生剤、
（Ｃ）４官能以下の架橋剤、及び
（Ｄ）５官能以上の架橋剤、を含有する感光性樹脂組成物。
［２］ （Ｃ）成分の１分子当たりの官能基数をＣ１とし、（Ｄ）成分の１分子当たりの官能基数をＤ１としたとき、Ｃ１／Ｄ１が、０．１以上０．８以下である、［１］に記載の感光性樹脂組成物。
［３］ 感光性樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたときの（Ｃ）成分の含有量をＣｗとし、光性樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたときの（Ｄ）成分の含有量をＤｗとしたとき、Ｃｗ／Ｄｗが、０．１以上５以下である、［１］又は［２］に記載の感光性樹脂組成物。
［４］ （Ａ）成分が、下記式（Ａ－１）で表される構造単位を有する、［１］～［３］のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
【化1】
［５］ （Ａ）成分が、下記式（Ａ－３）で表される構造単位を有する、［１］～［４］のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
【化2】
【化3】
［６］ 式（Ａ－１）中のＲ１及びＲ２は、それぞれ独立に水素原子又は下式（Ａ－２）で表されるラジカル反応性基を表す、［４］又は［５］に記載の感光性樹脂組成物。
【化4】
［７］ 支持体と、支持体上に形成された［１］～［６］のいずれかに記載の感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂組成物層とを含む、感光性フィルム。
［８］ ［１］～［６］のいずれかに記載の感光性樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む半導体パッケージ基板。
［９］ ［８］に記載の半導体パッケージ基板を含む、半導体装置。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、限界解像性及びプロセスウィンドウの広い硬化物を得ることができる、当該感光性樹脂組成物を用いて得られる、感光性フィルム、半導体パッケージ基板、及び半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明の感光性樹脂組成物、感光性フィルム、半導体パッケージ基板、及び半導体装置について詳細に説明する。
【0011】
［感光性樹脂組成物］
本発明の感光性樹脂組成物は、（Ａ）ポリイミド前駆体、（Ｂ）光ラジカル発生剤、（Ｃ）４官能以下の光架橋剤、及び（Ｄ）５官能以上の光架橋剤を含有する。（Ａ）～（Ｄ）成分を組み合わせて感光性樹脂組成物に含有させることで限界解像性及びプロセスウィンドウの広い硬化物が得られる。また、本発明の感光性樹脂組成物は、通常、アンダーカット耐性に優れる硬化物を得ることも可能になる。本発明の感光性樹脂組成物は、ネガ型感光性樹脂組成物として好適である。
本発明の感光性樹脂組成物は、（Ａ）ポリイミド前駆体、（Ｂ）光ラジカル発生剤、（Ｃ）４官能以下の光架橋剤、及び（Ｄ）５官能以上の光架橋剤を含有する。（Ａ）～（Ｄ）成分を組み合わせて感光性樹脂組成物に含有させることで限界解像性及びプロセスウィンドウの広い硬化物が得られる。また、本発明の感光性樹脂組成物は、通常、アンダーカット耐性に優れる硬化物を得ることも可能になる。本発明の感光性樹脂組成物は、ネガ型感光性樹脂組成物として好適である。
【0012】
一般に、感光性樹脂組成物に露光及び現像を行って穴を形成した場合、その穴の径は、奥の位置ほど（即ち、露光面から離れた位置ほど）大きくなることがある。よって、感光性樹脂組成物を厚み方向の平面で切った断面において、穴の断面形状は、露光面に形成される開口部の径よりも、最も奥に形成される底部の径が大きい逆テーパ状となりうる。このとき、穴の最上部に相当する開口部の半径と穴の最奥部に相当する底部の半径との差（底部の半径－最上部の半径）を「アンダーカット」と呼ぶ。アンダーカットは、ゼロに近いほど好ましい。アンダーカットを小さくできる性質を「アンダーカット耐性」と呼ぶことがある。
【0013】
＜（Ａ）ポリイミド前駆体＞
感光性樹脂組成物は、（Ａ）成分として、（Ａ）ポリイミド前駆体を含有する。（Ａ）ポリイミド前駆体は、加熱により閉環してポリイミドを形成できる。よって、（Ａ）ポリイミド前駆体を含む感光性樹脂組成物を熱硬化させて得られる硬化物によれば、ポリイミドの優れた物性を活用して、良好な絶縁層を形成できるとともに、感光性樹脂組成物の限界解像性を良好にできる。（Ａ）成分は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
感光性樹脂組成物は、（Ａ）成分として、（Ａ）ポリイミド前駆体を含有する。（Ａ）ポリイミド前駆体は、加熱により閉環してポリイミドを形成できる。よって、（Ａ）ポリイミド前駆体を含む感光性樹脂組成物を熱硬化させて得られる硬化物によれば、ポリイミドの優れた物性を活用して、良好な絶縁層を形成できるとともに、感光性樹脂組成物の限界解像性を良好にできる。（Ａ）成分は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【0014】
（Ａ）ポリイミド前駆体としては、アミック酸構造単位及びアミック酸エステル構造単位からなる群より選ばれる１種以上の構造単位を、複数含有する樹脂を用いうる。アミック酸構造単位とは、通常、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とを反応させて得られる構造を有する構造単位を表す。また、アミック酸エステル構造単位とは、通常、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とを反応させて得られるアミック酸のカルボキシ基の一部又は全部をエステル化して得られる構造を有する構造単位を表す。
【0015】
（Ａ）ポリイミド前駆体は、インダン骨格を含有することが好ましい。インダン骨格を含有する（Ａ）ポリイミド前駆体を用いた場合、感光性樹脂組成物の限界解像性を特に良好にできる。また、本発明者の検討によれば、インダン骨格を含有する（Ａ）ポリイミド前駆体を含む感光性樹脂組成物は一般にプロセスウィンドウが狭いことが判明しているが、本発明では、（Ｃ）４官能以下の光架橋剤、及び（Ｄ）５官能以上の光架橋剤を組み合わせて用いることにより、インダン骨格を含有する（Ａ）ポリイミド前駆体を用いながらもプロセスウィンドウを広くすることを達成している。
【0016】
（Ａ）成分は、インダン骨格を有し、且つ、複数のアミック酸及び／またはアミック酸エステル構造を有する樹脂を用いることが好ましい。インダン骨格とは、下記式（ａ１）に示す骨格を表し、下記式（ａ２）に示すトリメチルインダン骨格であることが好ましい。（Ａ）ポリイミド前駆体がアミック酸構造単位又はアミック酸エステル構造単位を含有する場合、インダン骨格は、ジアミン化合物に由来する構造部分に含まれることが好ましい。
【0017】
【化5】
【0018】
（Ａ）ポリイミド前駆体は、当該（Ａ）ポリイミド前駆体の分子に、ラジカル反応性基を含有することが好ましい。ラジカル反応性基は、熱又は光により生じたラジカルによって重合を生じうる反応性基を表し、例えば、非芳香族性の炭素－炭素不飽和結合を含有する基が挙げられる。ラジカル反応性基を含有する（Ａ）ポリイミド前駆体を用いる場合、露光によって（Ａ）ポリイミド前駆体が重合して、感光性樹脂組成物の現像液に対する溶解性を効果的に低下させることができる。よって、限界解像性、及びアンダーカット耐性を特に良好にできる。例えば、ラジカル反応性基は、アミック酸エステル構造単位のエステル化部分に含有されていてもよい。
【0019】
前記のテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、脂肪族テトラカルボン酸二無水物、芳香族テトラカルボン酸二無水物が挙げられ、脂肪族テトラカルボン酸二無水物が好ましい。テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、４，４’－オキシジフタル酸二無水物、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－パラターフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－メタターフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５－シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．２］オクト－７－エン－２，３，５，６－テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－エンド－３－エンド－５－エクソ－６－エクソ－２，３，５，６－テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－エクソ－３－エクソ－５－エクソ－６－エクソ－２，３，５，６－テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２，３，５，６－テトラカルボン酸二無水物、デカハイドロ－ジメタノナフタレンテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。テトラカルボン酸二無水物は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【0020】
前記のジアミン化合物としては、例えば、ビス［２－（３－アミノプロポキシ）エチル］エーテル、１，４－ブタンジオール－ビス（３－アミノプロピル）エ－テル、３，９－ビス（３－アミノプロピル）－２，４，８，１０－テトラスピロ－５，５－ウンデカン、１，２－ビス（２－アミノエトキシ）エタン、１，２－ビス（３－アミノプロポキシ）エタン、トリエチレングリコール－ビス（３－アミノプロピル）エーテル、ポリエチレングリコール－ビス（３－アミノプロピル）エーテル、３，９－ビス（３－アミノプロピル）－２，４，８，１０－テトラスピロ－５，５－ウンデカン、１，４－ブタンジオール－ビス（３－アミノプロピル）エ－テル、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル等が挙げられる。ジアミン化合物は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。また、ジアミン化合物としては、芳香環を含有するジアミン化合物が好ましく、インダン骨格を含有するジアミン化合物が更に好ましい。インダン骨格を含有するジアミン化合物としては、例えば、以下の式（ａ－１）～（ａ－８）に示すジアミン化合物が挙げられる。
【0021】
【化6】
【0022】
（Ａ）ポリイミド前駆体は、限界解像性の観点から、下記式（Ａ－１）で表される構造単位を含有することが好ましい。通常、式（Ａ－１）で表される構造単位が、アミック酸構造単位及びアミック酸エステル構造単位に相当する。
【0023】
【化7】
【0024】
式（Ａ－１）中、Ａはそれぞれ独立に４価の有機基を表す。４価の有機基としては、炭素原子数６～４０の４価の有機基が好ましい。炭素原子数６～４０の４価の有機基としては、例えば、－ＣＯＯＲ１基及び－ＣＯＯＲ２基と－ＣＯＮＨ－基とが互いにオルト位置にある芳香族基、又は脂環式脂肪族基（Ｒ１及びＲ２は式（Ａ－１）中のＲ１及びＲ２と同じである。）が挙げられる。このような基としては、例えば、（ｉ）～（ｉｘ）の基が挙げられる。中でも、Ａとしては、以下の例示する４価の有機基が好ましく、（ｉｉ）の基（ｖｉｉｉ）の基、（ｉｘ）の基がより好ましい。式中、＊は結合手を表す。
【化8】
【0025】
上述した４価の有機基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基等の、直鎖状、分岐状、又は環状の、炭素原子数１～１０のアルキル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等の、ハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等の、炭素原子数１～１０の、アルコキシ基；ヒドロキシ基；トリフルオロメチル基等の、ハロゲン原子置換アルキル基；等が挙げられ、アルキル基が好ましい。上述の置換基は、さらに置換基（以下、「二次置換基」という場合がある。）を有していてもよい。置換基は、１種類でもよく、２種類以上でもよい。
【0026】
式（Ａ－１）において、Ｂは、それぞれ独立に、２価の有機基を表す。２価の有機基は、芳香環を含有することが好ましい。また、２価の有機基は、インダン骨格を含有することがより好ましい。さらには、２価の有機基は、インダン骨格に加えて更に芳香環を含有することが更に好ましい。
【0027】
２価の有機基としては、例えば、以下に例示する（１ａ）～（２８ａ）の基が挙げられる。また、（１ａ）～（２８ａ）の基を２種以上組み合わせた基を、２価の有機基として用いてもよい。中でも、Ｂとしては、（１ａ）～（２８ａ）の基が好ましく、（７ａ）の基及び（２８ａ）の基のいずれかがさらに好ましい。式中、＊は結合手を表す。
【0028】
【化9】
【化10】
【化11】
【化12】
【0029】
上述した２価の有機基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、４価の有機基が有していてもよいものと同じ例が挙げられる。置換基は、１種類でもよく、２種類以上でもよい。
【0030】
式（Ａ－１）において、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。１価の有機基としては、例えば、ラジカル反応性基、炭素原子数１～４の飽和脂肪族基が挙げられ、ラジカル反応性基が好ましい。ラジカル反応性基としては、例えば、エチレン性不飽和結合を含有する基を用いてもよい。エチレン性不飽和結合は、非芳香族性の炭素－炭素不飽和結合を表す。ラジカル反応性基の具体例としては、ビニル基、アリル基、プロパギル基、エチニル基、フェニルエチニル基、ブテニル基、マレイミド基、ナジイミド基、（メタ）アクリロイル基、後述する式（Ａ－２）で表される基、等が挙げられる。「（メタ）アクリロイル基」とは、メタクリロイル基、アクリロイル基及びこれらの組み合わせを包含する。式（Ａ－１）のＲ１及びＲ２は、それぞれ独立に、少なくとも一つがラジカル反応性基であることが好ましく、両方がラジカル反応性基であることがより好ましい。ラジカル反応性基としては、下記式（Ａ－２）で表される基が特に好ましい。
【0031】
【化13】
【0032】
式（Ａ－２）中のＲ４～Ｒ６は、それぞれ独立に水素原子又は炭素原子数１～３の脂肪族炭化水素基を表す。炭素原子数１～３の脂肪族炭化水素基としては、炭素原子数１～３のアルキル基等が挙げられる。炭素原子数１～３のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、２－プロピル基等が挙げられ、中でもメチル基が好ましい。
【0033】
式（Ａ－２）中のｐは１～１０の整数を表し、１～５の整数が好ましく、１～３の整数がより好ましく、２がさらに好ましい。
【0034】
Ｒ１及びＲ２の例に挙げられた炭素原子数１～４の飽和脂肪族基としては、炭素原子数１～４のアルキル基が好ましい。炭素原子数１～４の飽和脂肪族基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、２－プロピル基、ｎ－ブチル基等が挙げられる。
【0035】
式（Ａ－１）において、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、少なくとも一方がラジカル反応性基であることが好ましく、少なくとも一方が式（Ａ－２）で表される基であることがより好ましく、Ｒ１及びＲ２がともに式（Ａ－２）で表される基であることがさらに好ましい。
【0036】
式（Ａ－１）において、ｎは、通常５～２００の整数を表し、好ましくは５～１５０の整数を表し、より好ましくは５～１００の整数を表し、更に好ましくは５～７０の整数を表す。
【0037】
（Ａ）ポリイミド前駆体は、式（Ａ－３）で表される構造単位を含有することが更に好ましい。
【0038】
【化14】
【化15】
【0039】
式（Ａ－３）中のＡ１は、それぞれ独立に４価の有機基を表し、Ａ１は、式（Ａ－１）中のＡと同じである。
【0040】
式（Ａ－３）中のＲ１１及びＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表し、式（Ａ－１）中のＲ１及びＲ２と同じである。
【0041】
Ｘａは、それぞれ独立に、単結合、式（１）で表される基、又は式（２）で表される基を表す。式（１）で表される基としては、１，２－フェニレン基、１，３－フェニレン基、１，４－フェニレン基等が挙げられる。式（２）で表される基としては、下記の（２－１）～（２－６）の基が挙げられる。
【化16】
【0042】
中でも、Ｘａとしては、式（２）で表される基が好ましく、（２－１）の基がより好ましい。
【0043】
Ｘｂは、それぞれ独立に単結合、式（３）で表される基、又は式（４）で表される基を表す。式（３）で表される基としては、１，２－フェニレン基、１，３－フェニレン基、１，４－フェニレン基等が挙げられる。式（４）で表される基としては、以下の基が挙げられる。式中、＊は結合手を表す。
【化17】
【0044】
中でも、Ｘｂとしては、式（３）で表される基が好ましく、１，４－フェニレン基がより好ましい。
【0045】
Ｒ１３はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、メチル基を表すことが好ましい。
【0046】
ｍ１は１～５の整数を表し、１～３の整数を表すことが好ましく、２又は３を表すことがより好ましく、３を表すことがさらに好ましい。
【0047】
ｎ１は５～２００の整数を表し、式（Ａ－１）中のｎと同じである。
【0048】
（Ａ）成分としては、下記（Ａ－４）で表される構造単位を有することが好ましい。
（式中、Ａ２はそれぞれ独立に４価の有機基を表し、Ｒ２１又はＲ２２は、それぞれ独立に水素原子又は下式（Ａ－５）で表される基を表す。ｎ２は５～２００の整数を表す。）
（式中、Ｒ１４～Ｒ１６は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数１～３の脂肪族炭化水素基を表し、ｐ１は１～１０の整数を表す。）
【化18】
【化19】
【0049】
式（Ａ－４）中のＡ２はそれぞれ独立に４価の有機基を表し、式（Ａ－１）中のＡと同じである。
【0050】
式（Ａ－４）中のＲ２１及びＲ２２は、それぞれ独立に水素原子又は式（Ａ－５）で表される基を表し、式（Ａ－５）で表される基が好ましい。式（Ａ－５）で表される基中のＲ１４～Ｒ１６は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数１～３の脂肪族炭化水素基を表し、式（Ａ－２）で表される基中のＲ４～Ｒ６と同じである。式（Ａ－５）で表される基中のｐ１は１～１０の整数を表し、式（Ａ－２）で表される基中のｐと同じである。
【0051】
ｎ２は５～２００の整数を表し、式（Ａ－１）中のｎと同じである。
【0052】
（Ａ）成分は、インダン骨格を有する構造単位に加えて、インダン骨格を含有しない構造単位を含有する共重合体であってもよい。例えば、（Ａ）成分は、式（Ａ－１）で表される、インダン骨格を含む構造単位に加えて、式（Ａ－１）で表される、インダン骨格を含まない構造単位を含んでいてもよい。
【0053】
（Ａ）ポリイミド前駆体は、上述したアミック酸構造単位及びアミック酸エステル構造単位以外の任意の構造単位を含有していてもよい。よって、（Ａ）ポリイミド前駆体は、式（Ａ－１）で表される構造単位と任意の構造単位とを含有する共重合体であってもよい。中でも、（Ａ）ポリイミド前駆体は、アミック酸構造単位及びアミック酸エステル構造単位を多く含有することが好ましく、よって、任意の構造単位が少ないことが好ましい。例えば、（Ａ）ポリイミド前駆体の全質量１００％に対して、アミック酸構造単位及びアミック酸エステル構造単位の質量が、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、更に好ましくは９０質量％以上である。（Ａ）ポリイミド前駆体は、繰り返し単位として上述したアミック酸構造単位及び／又はアミック酸エステル構造単位のみを含んでいてもよく、よって任意の構造単位を含まなくてもよい。また、（Ａ）ポリイミド前駆体が含有するアミック酸構造単位及び／又はアミック酸エステル構造単位は、１種類でもよく、２種類以上でもよい。
【0054】
（Ａ）成分の具体例としては、以下の（Ａ１）～（Ａ１４）の化合物を挙げることができる。但し、（Ａ）成分はこれら具体例に限定されるものではない。式中、ｎは５～２００の整数を表す。
【化20】
【化21】
【化22】
【化23】
【0055】
（Ａ）成分の重量平均分子量としては、膜形成性および限界解像性の観点から、好ましくは５０００以上、より好ましくは１００００以上、さらに好ましくは５００００以上であり、好ましくは１００万以下、より好ましくは５０万以下、さらに好ましくは２０万以下である。樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。
【0056】
（Ａ）ポリイミド前駆体の製造方法は、特に制限はない。（Ａ）ポリイミド前駆体は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とを反応させることを含む方法によって製造しうる。（Ａ）ポリイミド前駆体の製造方法の具体例としては、特開２０１５－２０９４６１号公報、特開２０１５－２１４６８０号公報、特開２０１７－２１９８５０号公報、又は特開２０１８－１４６９６４号公報に記載の製造方法が挙げられる。
【0057】
（Ａ）成分の含有量としては、限界解像性を向上させる観点から、感光性樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは２０質量％以上、さらに好ましくは３０質量％以上、４０質量％以上、５０質量％以上、６０質量％以上、７０質量％以上、好ましくは９９質量％以下、より好ましくは９８質量％以下であり、さらに好ましくは９７質量％以下である。
【0058】
なお、本発明において、感光性樹脂組成物中の各成分の含有量は、別途明示のない限り、感光性樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたときの値であり、不揮発成分とは、感光性樹脂組成物中の溶剤を除く不揮発成分全体を意味する。
【0059】
＜（Ｂ）ラジカル発生剤＞
感光性樹脂組成物は、（Ｂ）成分として（Ｂ）ラジカル発生剤を含有する。（Ｂ）成分は、加熱又は活性光線の照射を受けてラジカルを生じ、このラジカルによって架橋反応が進行しうる。（Ｂ）ラジカル発生剤は、加熱によりラジカルが生じる熱ラジカル発生剤であってもよく、活性光線の照射を受けてラジカルを発生する光ラジカル発生剤のいずれであってもよいが、限界解像性の観点から、光ラジカル発生剤が好ましい。（Ｂ）成分は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。また、（Ｂ）成分からは、（Ａ）成分に該当するものは除かれる。
感光性樹脂組成物は、（Ｂ）成分として（Ｂ）ラジカル発生剤を含有する。（Ｂ）成分は、加熱又は活性光線の照射を受けてラジカルを生じ、このラジカルによって架橋反応が進行しうる。（Ｂ）ラジカル発生剤は、加熱によりラジカルが生じる熱ラジカル発生剤であってもよく、活性光線の照射を受けてラジカルを発生する光ラジカル発生剤のいずれであってもよいが、限界解像性の観点から、光ラジカル発生剤が好ましい。（Ｂ）成分は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。また、（Ｂ）成分からは、（Ａ）成分に該当するものは除かれる。
【0060】
（Ｂ）成分としては、例えば、オキシムエステル系光重合開始剤、アミノケトン系光重合開始剤、アシルホスフィン系光重合開始剤、α－ヒドロキシケトン系光重合開始剤、ベンゾイン系光重合開始剤、ベンジルケタール系光重合開始剤等が挙げられる。
【0061】
オキシムエステル系光重合開始剤としては、例えば、２－（ベンゾイルオキシイミノ）－１－［４－（フェニルチオ）フェニル］オクタン－１－オン（ＯＸＥ０１）、［１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）カルバゾール－３－イル］エチリデンアミノ］アセテート（ＯＸＥ０２）、エタノン，１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－，１－（Ｏ－アセチルオキシム）等が挙げられる。
【0062】
アミノケトン系光重合開始剤としては、例えば、２－メチル－１－フェニル－２－モルホリノプロパン－１－オン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルホリノプロパン－１－オン、２－メチル－１－（４－ヘキシルフェニル）－２－モルホリノプロパン－１－オン、２－エチル－２－（ジメチルアミノ）－１－（４－モルフォリノフェニル）ブタン－１－オン、２－ベンジル－２－（ジメチルアミノ）－１－（４－モルフォリノフェニル）ブタン－１－オン、２－（ジメチルアミノ）－２－（４－メチルフェニルメチル）－１－（４－モルホリノフェニル）ブタン－１－オン、２－メチル－１－（９，９－ジブチルフルオレン－２－イル）－２－モルホリノプロパン－１－オン等のα－アミノケトン系光重合開始剤が挙げられる。
【0063】
アシルホスフィン系光重合開始剤としては、例えば、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、（２，４，６－トリメチルベンゾイル）ジフェニルホスフィンオキシド、ポリオキシエチレングリセリンエーテルトリス［フェニル（２，４，６－トリメチルベンゾイル）ホスフィネート］（Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ ＴＰＯ－Ｌ）等が挙げられる。
【0064】
α－ヒドロキシケトン系光重合開始剤としては、例えば、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパノン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチルプロパノン、２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオニル）ベンジル］フェニル｝－２－メチルプロパン－１－オン等が挙げられる。
【0065】
ベンゾイン系光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等が挙げられる。
【0066】
ベンジルケタール系光重合開始剤としては、例えば、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン等が挙げられる。
【0067】
（Ｂ）成分は、限界解像性の観点から、オキシムエステル系光重合開始剤、アミノケトン系光重合開始剤及びアシルホスフィン系光重合開始剤からなる群から選ばれる１種類以上を含むことが好ましく、オキシムエステル系光重合開始剤を含むことがより好ましい。
【0068】
（Ｂ）成分は、市販品を用いてもよい。（Ｂ）成分の市販品の具体例としては、ＩＧＭ社製の「Ｏｍｎｉｒａｄ９０７」、「Ｏｍｎｉｒａｄ３６９」、「Ｏｍｎｉｒａｄ３７９」、「Ｏｍｎｉｒａｄ３７９ＥＧ」、「Ｏｍｎｉｒａｄ８１９」、「ＯｍｎｉｒａｄＴＰＯ」；ＢＡＳＦ社製の「ＩｒｇａｃｕｒｅＴＰＯ」、「Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－０１」、「Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－０２」；ＡＤＥＫＡ社製の「Ｎ－１９１９」等が挙げられる。
【0069】
（Ｂ）成分の含有量は、限界解像性の観点から、（Ａ）成分１００質量部に対して、好ましくは０．０５質量部以上、より好ましくは０．１質量部以上、さらに好ましくは０．５質量部以上であり、好ましくは３質量部以下、より好ましくは１．５質量部以下、さらに好ましくは１質量部以下である。
【0070】
（Ｂ）成分の含有量としては、限界解像性の観点から、感光性樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．２質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上であり、好ましくは３質量％以下、より好ましくは１．５質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。
【0071】
＜（Ｃ）４官能以下の光架橋剤＞
感光性樹脂組成物は、（Ｃ）成分として、（Ｃ）４官能以下の光架橋剤を含有する。（Ｃ）成分としての（Ｃ）４官能以下の光架橋剤には、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に該当するものは含めない。（Ｃ）成分を感光性樹脂組成物に含有させることで、限界解像性を向上させることができる。（Ｃ）成分は、１種類を単独で使用してもよく、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
感光性樹脂組成物は、（Ｃ）成分として、（Ｃ）４官能以下の光架橋剤を含有する。（Ｃ）成分としての（Ｃ）４官能以下の光架橋剤には、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に該当するものは含めない。（Ｃ）成分を感光性樹脂組成物に含有させることで、限界解像性を向上させることができる。（Ｃ）成分は、１種類を単独で使用してもよく、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【0072】
（Ｃ）成分としては、４官能以下であり、露光時に、架橋反応を進行させることが可能な化合物を用いうる。このような（Ｃ）成分としては、官能基としてエチレン性不飽和結合を有する基（以下、「エチレン性不飽和基」ということがある。）を４官能以下含む化合物が好ましい。さらには、（Ｃ）成分としては、エチレン性不飽和基を含有し、そのエチレン性不飽和基のα位の炭素原子の少なくとも一つがカルボニル基又は芳香族基と結合している化合物がより好ましい。エチレン性不飽和基のα位の炭素原子とは、炭素－炭素不飽和結合で結合している炭素原子に隣接した１番目の炭素原子を示す。エチレン性不飽和基は、通常、１価の基であり、例えば、ビニル基、アリル基、プロパギル基、ブテニル基、エチニル基、フェニルエチニル基、マレイミド基、ナジイミド基、（メタ）アクリロイル基が挙げられ、限界解像性の観点から、（メタ）アクリロイル基、フェニルエチニル基が好ましく、（メタ）アクリロイル基がより好ましく、メタクリロイル基が特に好ましい。
【0073】
（Ｃ）成分の１分子当たりのエチレン性不飽和基の数（官能基数）は、４官能以下であり、好ましくは３官能以下、さらに好ましくは２官能以下である。下限は特に制限はないが、１官能以上である。（Ｃ）成分が１分子当たり２官能以上４官能以下のエチレン性不飽和基を含む場合、それらのエチレン性不飽和基は、同じでもよく、異なっていてもよい。
【0074】
（Ｃ）成分としては、下記一般式（Ｃ－１）で表される化合物が好ましい。
（式中、Ｒ１ｃは、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素原子数１～４の直鎖状もしくは分岐状アルキル基を表し、Ｚは、それぞれ独立に、酸素原子を含んでもよい炭素原子数１～２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基、酸素原子を含んでもよいアリーレン基、又は酸素原子を含んでもよい炭素原子数２～２０の直鎖状もしくは分岐状のアルケニレン基を表し、Ａ１ｃは、炭素原子数１～１０の直鎖状、環状もしくは分岐状のｎｃ価の有機基を表す。ｎｃは２～６の正の整数を示す。）
【化24】
【0075】
Ｒ１ｃは、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素原子数１～４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を表す。炭素原子数１～４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、１－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられる。中でも、Ｒ１ｃとしては、水素原子、メチル基が好ましい。
【0076】
Ｚは、それぞれ独立に、酸素原子を含んでもよい炭素原子数１～２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基、酸素原子を含んでもよいアリーレン基、又は酸素原子を含んでもよい炭素原子数２～２０の直鎖状もしくは分岐状のアルケニレン基を表す。炭素原子数１～２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基としては、炭素原子数１～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基が好ましく、炭素原子数１～６の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基がより好ましい。このようなアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基等が挙げられ、メチレン基が好ましい。また、アルキレン基は酸素原子を含むオキシアルキレン基でもよく、このような基の具体例としては、例えば以下に示すものが挙げられる。式中、「＊」は結合手を表し、ｃ１は１～２０の整数を表し、ｃ２は１～１０の整数を表し、ｃ３は１～１９の整数を表し、ｃ４は１～９の整数を表す。
【化25】
【0077】
酸素原子を含んでもよいアリーレン基としては、炭素原子数６～２０のアリーレン基が好ましく、炭素原子数６～１５のアリーレン基がより好ましく、炭素原子数６～１０のアリーレン基がさらに好ましい。このようなアリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。また、アリーレン基は酸素原子を含んでいてもよく、このような基の具体例としては、例えば以下に示すものが挙げられる。式中、「＊」は結合手を表し、ｃ５は１～３の整数を表す。
【化26】
【0078】
酸素原子を含んでもよい炭素原子数２～２０の直鎖状もしくは分岐状のアルケニレン基としては、炭素原子数２～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルケニレン基が好ましく、炭素原子数２～６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニレン基がより好ましい。このようなアルケニレン基としては、例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基、へキセニレン基等が挙げられる。また、アルケニレン基は酸素原子を含むオキシアルケニレン基でもよく、このような基の具体例としては、例えば以下に示すものが挙げられる。式中、「＊」は結合手を表し、ｃ６は１～１０の整数を表す。アルケニレン基としてはプロペニレン基が好ましい。
【化27】
【0079】
中でも、Ｚとしては、酸素原子を含んでもよい炭素原子数１～２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基が好ましく、オキシアルキレン基がより好ましい。
【0080】
Ａ１ｃは、炭素原子数１～１０の直鎖状、環状もしくは分岐状のｎｃ価の有機基を表す。ｎｃ価の有機基としては、例えば、酸素原子を含んでもよいｎｃ基価の炭化水素基、ビスフェノールに由来するｎｃ価の基、フルオレンに由来するｎｃ価の基、トリシクロデカンに由来ｎｃ価の基、又はイソシアヌル基に由来するｎｃ価の基が挙げられる。酸素原子を含んでもよいｎｃ価の炭化水素基としては、酸素原子を含んでもよいｎｃ価の脂肪族炭化水素基、酸素原子を含んでもよいｎｃ価の芳香族炭化水素基が挙げられ、酸素原子を含んでもよいｎｃ価の脂肪族炭化水素基が好ましく、例えばｎｃが２の場合、アルキレン基が好ましい。Ａ１ｃが表す基の具体例としては、例えば以下に示すものが挙げられる。式中、「＊」は結合手を表す。
【化28】
【0081】
ｎｃは２～６の正の整数を示し、好ましくは２～５の正の整数を示し、より好ましくは３～５の正の整数を示し、さらに好ましくは２～４、３又は４、もしくは２又は３を示す。
【0082】
（Ｃ）成分としては、下記一般式（Ｃ－２）で表される化合物が好ましい。
（式（Ｃ－２）中、Ｒ２ｃは、それぞれ独立に水素原子、又はメチル基を表す。）
【化29】
【0083】
Ｒ２ｃは、水素原子又はメチル基を表し、メチル基が好ましい。
【0084】
（Ｃ）成分の具体例としては、以下の（ＣＬ－１）～（ＣＬ－１１）の化合物を挙げることができる。但し、（Ｃ）成分はこれらに限定されるものではない。
【化30】
【化31】
【0085】
（Ｃ）成分は、市販品を用いることができる。市販品としては、例えば、新中村化学社製のＮＫエステルＤ－ＴＭＰ、４Ｇ、９Ｇ、１４Ｇ、２３Ｇ、ＤＣＰ、ＴＭＰＴ、Ａ－ＴＭＰＴ、サートマー・ジャパン社製のＳＲ２０９等が挙げられる。
【0086】
（Ｃ）成分の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、（Ａ）成分１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上、より好ましくは０．３質量部以上、さらに好ましくは０．５質量部以上であり、好ましくは５質量部以下、より好ましくは３質量部以下、さらに好ましくは１質量部以下である。
【0087】
（Ｃ）成分の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計量を１００質量部としたとき、好ましくは０．２質量部以上、より好ましくは０．３質量部以上、さらに好ましくは０．５質量部以上であり、好ましくは５質量部以下、より好ましくは３質量部以下、さらに好ましくは１質量部以下である。
【0088】
（Ｃ）成分の含有量としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、感光性樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上であり、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。
【0089】
＜（Ｄ）５官能以上の光架橋剤＞
感光性樹脂組成物は、（Ｄ）成分として、（Ｄ）５官能以上の光架橋剤を含有する。（Ｄ）成分としての（Ｄ）５官能以上の光架橋剤には、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分に該当するものは含めない。（Ｄ）成分を感光性樹脂組成物に含有させることで、限界解像性を向上させることができる。また、（Ｄ）成分を（Ｃ）成分と組み合わせて用いることにより、プロセスウィンドウを広げることが可能になる。（Ｄ）成分は、１種類を単独で使用してもよく、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
感光性樹脂組成物は、（Ｄ）成分として、（Ｄ）５官能以上の光架橋剤を含有する。（Ｄ）成分としての（Ｄ）５官能以上の光架橋剤には、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分に該当するものは含めない。（Ｄ）成分を感光性樹脂組成物に含有させることで、限界解像性を向上させることができる。また、（Ｄ）成分を（Ｃ）成分と組み合わせて用いることにより、プロセスウィンドウを広げることが可能になる。（Ｄ）成分は、１種類を単独で使用してもよく、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【0090】
（Ｄ）成分としては、５官能以上であり、露光時に、架橋反応を進行させることが可能な化合物を用いうる。このような（Ｄ）成分としては、官能基としてエチレン性不飽和基を５官能以上含む化合物が好ましい。さらには、（Ｄ）成分としては、エチレン性不飽和基を含有し、そのエチレン性不飽和基のα位の炭素原子の少なくとも一つがカルボニル基又は芳香族基と結合している化合物がより好ましい。エチレン性不飽和基は、通常、１価の基であり、例えば、ビニル基、アリル基、プロパギル基、ブテニル基、エチニル基、フェニルエチニル基、マレイミド基、ナジイミド基、（メタ）アクリロイル基が挙げられ、限界解像性の観点から、（メタ）アクリロイル基、フェニルエチニル基が好ましく、（メタ）アクリロイル基がより好ましく、メタクリロイル基が特に好ましい。
【0091】
（Ｄ）成分の１分子当たりのエチレン性不飽和基の数（官能基数）は、５官能以上であり、好ましくは３０官能以下、より好ましくは２５官能以下、さらに好ましくは２０官能以下である。（Ｄ）成分が１分子当たりに有するエチレン性不飽和基は、同じでもよく、異なっていてもよい。
【0092】
（Ｄ）成分の１分子当たりの官能基数をＤ１とし、（Ｃ）成分の１分子当たりの官能基数をＣ１としたとき、Ｃ１／Ｄ１としては、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．２以上、さらに好ましくは０．３以上、０．４以上である。上限は、好ましくは０．８以下、より好ましくは０．７以下、さらに好ましくは０．７５以下である。Ｃ１／Ｄ１を斯かる範囲内となるように（Ｃ）成分の官能基数と（Ｄ）成分の官能基数とを調整することで、限界解像性に優れ、プロセスウィンドウの広い感光性樹脂組成物を得ることが可能になる。
【0093】
（Ｄ）成分としては、下記式（Ｄ－１）で表される化合物が好ましい。
式中、Ｒ１ｄは、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素原子数１～４の直鎖状もしくは分岐状アルキル基を表し、Ａ１ｄは、ｎｄ価の多価アルコールから誘導されたｎｄ価の基を表す。ｎｃは５以上の整数を示す。
【化32】
【0094】
Ｒ１ｄは、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素原子数１～４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を表す。炭素原子数１～４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、１－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられる。中でも、Ｒ１ｄとしては、水素原子、メチル基が好ましい。
【0095】
Ａ１ｄは、ｎｄ価の多価アルコールから誘導されたｎｄ価の基を表す。ｎｄ価の多価アルコールとはｎｄ個以上のヒドロキシ基を有する化合物であり、Ａ１ｄは、多価アルコールのヒドロキシ基以外の骨格部分を表し、６価以上の多価アルコールである場合は未反応のヒドロキシ基を有していてもよい。Ａ１ｄの原料となる多価アルコールの炭素原子数は、２～２０が好ましい。
【0096】
多価アルコールとしては、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、ペンタエリスリトール、ジペンタリスリトール等が挙げられる。
【0097】
Ａ１ｄが表す基の具体例としては、例えば以下に示すものが挙げられる。式中、「＊」は結合手を表す。
【化33】
【0098】
式（Ｄ－１）で表される化合物としては、例えば、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、及びこれらの混合物等が挙げられる。
【0099】
（Ｄ）成分は、市販品を用いてもよい。市販品としては、例えば、日本化薬社製のＤＰＨＡ、サートマー・ジャパン社製のＣＮ２３０１、ＣＮ２３０４等が挙げられる。
【0100】
（Ｄ）成分の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、（Ａ）成分１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上、より好ましくは０．３質量部以上、さらに好ましくは０．５質量部以上であり、好ましくは５質量部以下、より好ましくは３質量部以下、さらに好ましくは１質量部以下である。
【0101】
（Ｄ）成分の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計量を１００質量部としたとき、好ましくは０．２質量部以上、より好ましくは０．３質量部以上、さらに好ましくは０．５質量部以上であり、好ましくは５質量部以下、より好ましくは３質量部以下、さらに好ましくは１質量部以下である。
【0102】
（Ｄ）成分の含有量としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、感光性樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上であり、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。
【0103】
感光性樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたときの（Ｃ）成分の含有量をＣｗとし、光性樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたときの（Ｄ）成分の含有量をＤｗとしたとき、Ｃｗ／Ｄｗは、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．５以上、さらに好ましくは０．８以上であり、好ましくは５以下、より好ましくは３以下、さらに好ましくは２以下である。Ｃｗ／Ｄｗを斯かる範囲内となるように（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の含有量を調製することで、限界解像性に優れ、プロセスウィンドウの広い感光性樹脂組成物を得ることが可能になる。
【0104】
＜（Ｅ）その他の添加剤＞
感光性樹脂組成物は、本発明の目的を阻害しない程度に、（Ｅ）その他の添加剤を更に含有してもよい。（Ｅ）その他の添加剤としては、例えば、密着助剤；フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の界面活性剤；熱可塑性樹脂；フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーン、アイオディン・グリーン、ジアゾイエロー、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック、ナフタレンブラック等の着色剤；ハイドロキノン、フェノチアジン、メチルハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、カテコール、ピロガロール等の重合禁止剤；ベントン、モンモリロナイト等の増粘剤；シリコーン系、フッ素系、ビニル樹脂系の消泡剤；エポキシ樹脂、アンチモン化合物、リン系化合物、芳香族縮合リン酸エステル、含ハロゲン縮合リン酸エステル等の難燃剤；フェノール系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤等の熱硬化樹脂等の各種添加剤を添加することができる。
感光性樹脂組成物は、本発明の目的を阻害しない程度に、（Ｅ）その他の添加剤を更に含有してもよい。（Ｅ）その他の添加剤としては、例えば、密着助剤；フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の界面活性剤；熱可塑性樹脂；フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーン、アイオディン・グリーン、ジアゾイエロー、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック、ナフタレンブラック等の着色剤；ハイドロキノン、フェノチアジン、メチルハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、カテコール、ピロガロール等の重合禁止剤；ベントン、モンモリロナイト等の増粘剤；シリコーン系、フッ素系、ビニル樹脂系の消泡剤；エポキシ樹脂、アンチモン化合物、リン系化合物、芳香族縮合リン酸エステル、含ハロゲン縮合リン酸エステル等の難燃剤；フェノール系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤等の熱硬化樹脂等の各種添加剤を添加することができる。
【0105】
＜（Ｆ）溶剤＞
感光性樹脂組成物は、上述した（Ａ）成分～（Ｅ）成分といった不揮発成分に組み合わせて、任意の成分として、（Ｆ）溶剤を含んでいてもよい。（Ｆ）溶剤は、揮発成分であり、（Ａ）～（Ｄ）成分、並びに任意成分である（Ｅ）成分の少なくともいずれかの成分を均一に溶解させうるものが好ましい。このような溶剤としては、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、及びトリエチレングリコールジメチルエーテルのような炭素数２以上炭素数９以下のエーテル化合物；アセトン、及びメチルエチルケトンのような炭素数２以上炭素数６以下のケトン化合物；ノルマルペンタン、シクロペンタン、ノルマルヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、及びデカリンのような炭素数５以上炭素数１０以下の飽和炭化水素化合物；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、及びテトラリンのような炭素数６以上炭素数１０以下の芳香族炭化水素化合物；酢酸メチル、酢酸エチル、γ－ブチロラクトン、及び安息香酸メチルのような炭素数３以上炭素数９以下のエステル化合物；クロロホルム、塩化メチレン、及び１，２－ジクロロエタンのような炭素数１以上炭素数１０以下の含ハロゲン化合物；アセトニトリル、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、及びＮ－メチル－２－ピロリドンのような炭素数２以上炭素数１０以下の含窒素化合物；並びにジメチルスルホキシドのような含硫黄化合物が挙げられる。
感光性樹脂組成物は、上述した（Ａ）成分～（Ｅ）成分といった不揮発成分に組み合わせて、任意の成分として、（Ｆ）溶剤を含んでいてもよい。（Ｆ）溶剤は、揮発成分であり、（Ａ）～（Ｄ）成分、並びに任意成分である（Ｅ）成分の少なくともいずれかの成分を均一に溶解させうるものが好ましい。このような溶剤としては、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、及びトリエチレングリコールジメチルエーテルのような炭素数２以上炭素数９以下のエーテル化合物；アセトン、及びメチルエチルケトンのような炭素数２以上炭素数６以下のケトン化合物；ノルマルペンタン、シクロペンタン、ノルマルヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、及びデカリンのような炭素数５以上炭素数１０以下の飽和炭化水素化合物；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、及びテトラリンのような炭素数６以上炭素数１０以下の芳香族炭化水素化合物；酢酸メチル、酢酸エチル、γ－ブチロラクトン、及び安息香酸メチルのような炭素数３以上炭素数９以下のエステル化合物；クロロホルム、塩化メチレン、及び１，２－ジクロロエタンのような炭素数１以上炭素数１０以下の含ハロゲン化合物；アセトニトリル、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、及びＮ－メチル－２－ピロリドンのような炭素数２以上炭素数１０以下の含窒素化合物；並びにジメチルスルホキシドのような含硫黄化合物が挙げられる。
【0106】
また、（Ｆ）成分としては、例えば、Ｎ－エチル－２－ピロリドン、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、ピリジン、シクロペンタノン、α－アセチル－γ－ブチロラクトン、テトラメチル尿素、１，３－ジメチル－２－イミダゾリノン、Ｎ－シクロヘキシル－２－ピロリドン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アニソール、酢酸エチル、乳酸エチル、及び乳酸ブチルなどが挙げられる。（Ｆ）成分は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【0107】
（Ｆ）成分の含有量は、成分（Ｆ）を含めた感光性樹脂組成物全体を１００質量％とした場合、好ましくは５質量％以上であり、より好ましくは８質量％以上、さらに好ましくは１０質量％以上であり、好ましくは９９質量％以下であり、より好ましくは９５質量％以下であり、さらに好ましくは９０質量％以下である。なお、感光性フィルムの感光性樹脂組成物層中の（Ｆ）成分の含有量は、成分（Ｆ）を含めた感光性樹脂組成物全体を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上であり、より好ましくは２質量％以上であり、さらに好ましくは３質量％以上であり、好ましくは４０質量％以下であり、より好ましくは３５質量％以下であり、さらに好ましくは３０質量％以下である。
【0108】
感光性樹脂組成物は、必須成分として上記（Ａ）～（Ｄ）成分を混合し、任意成分として上記（Ｅ）成分を適宜混合し、また、必要に応じて三本ロール、ボールミル、ビーズミル、サンドミル等の混練手段、あるいはスーパーミキサー、プラネタリーミキサー等の撹拌手段により混練または撹拌することにより製造することができる。
【0109】
＜感光性樹脂組成物の物性、用途＞
感光性樹脂組成物は、限界解像性に優れるという特性を示す。例えば、露光パターンの開口径が２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍの丸穴を描画させるマスクを用い露光、現像を行う。この場合、開口可能な最小サイズである限界解像性は、好ましくは６０μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下である。限界解像性の評価は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
感光性樹脂組成物は、限界解像性に優れるという特性を示す。例えば、露光パターンの開口径が２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍの丸穴を描画させるマスクを用い露光、現像を行う。この場合、開口可能な最小サイズである限界解像性は、好ましくは６０μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下である。限界解像性の評価は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【0110】
感光性樹脂組成物は、プロセスウィンドウが広いという特性を示す。例えば、露光パターンの開口径が２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍの丸穴を描画させるマスクを用い、露光量を、２００ｍＪ／ｃｍ２、３００ｍＪ／ｃｍ２、４００ｍＪ／ｃｍ２、及び５００ｍＪ／ｃｍ２の範囲にそれぞれ設定し、現像を行う。この場合、開口可能な最小サイズである限界解像性は、露光量を変えても好ましくは６０μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下である。
【0111】
感光性樹脂組成物は、通常、アンダーカット耐性に優れるという特性を示す。例えば、シリコンウエハ上に感光性樹脂組成物層を作製する。その感光性樹脂組成物層に露光及び現像を行って丸穴を形成する。この丸穴のうち、残渣及び剥離が無く開口できた最小サイズの丸穴（限界開口ビア）のアンダーカットを、好ましくは４μｍ以下、より好ましくは２μｍ未満にでき、特に好ましくはアンダーカットを無くすることができる。アンダーカット耐性の測定方法は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【0112】
本発明の感光性樹脂組成物の用途は、特に限定されないが、感光性フィルム、プリプレグ等の絶縁樹脂シート、シリコンウェハ、回路基板（積層板用途、多層プリント配線板用途等）、ソルダーレジスト、バッファーコート膜、アンダーフィル材、ダイボンディング材、半導体封止材、穴埋め樹脂、部品埋め込み樹脂等、感光性樹脂組成物が用いられる用途の広範囲に使用できる。なかでも、プリント配線板の絶縁層用感光性樹脂組成物（感光性樹脂組成物の硬化物を絶縁層としたプリント配線板）、層間絶縁層用感光性樹脂組成物（感光性樹脂組成物の硬化物を層間絶縁層としたプリント配線板）、メッキ形成用感光性樹脂組成物（感光性樹脂組成物の硬化物上にメッキが形成されたプリント配線板）、及びソルダーレジスト用感光性樹脂組成物（感光性樹脂組成物の硬化物をソルダーレジストとしたプリント配線板）、ウェハレベルパッケージの再配線形成層用感光性樹脂組成物（感光性樹脂組成物の硬化物を再配線形成層としたウェハレベルパッケージ）、ファンアウトウェハレベルパッケージの再配線形成層用感光性樹脂組成物（感光性樹脂組成物の硬化物を再配線形成層としたファンアウトウェハレベルパッケージ）、ファンアウトパネルレベルパッケージの再配線形成層用感光性樹脂組成物（感光性樹脂組成物の硬化物を再配線形成層としたファンアウトパネルレベルパッケージ）、バッファーコート用感光性樹脂組成物（感光性樹脂組成物の硬化物をバッファーコートとした半導体装置）、ディスプレイ用絶縁層用感光性樹脂組成物（感光性樹脂組成物の硬化物を絶縁層としたディスプレイ）として好適に使用することができる。
【0113】
［感光性フィルム］
本発明の感光性樹脂組成物は、感光性フィルムに適用しうる。感光性フィルムは、支持体と、この支持体上に形成された感光性樹脂組成物層とを備えうる。感光性樹脂組成物層は、上述した感光性樹脂組成物からなる層である。また、感光性フィルムは、支持体と、感光性樹脂組成物層と、保護フィルム（カバーフィルム）と、をこの順に備えていてもよい。
本発明の感光性樹脂組成物は、感光性フィルムに適用しうる。感光性フィルムは、支持体と、この支持体上に形成された感光性樹脂組成物層とを備えうる。感光性樹脂組成物層は、上述した感光性樹脂組成物からなる層である。また、感光性フィルムは、支持体と、感光性樹脂組成物層と、保護フィルム（カバーフィルム）と、をこの順に備えていてもよい。
【0114】
支持体としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、トリアセチルアセテートフィルム等が挙げられ、特にポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましい。
【0115】
市販の支持体としては、例えば、王子製紙社製の製品名「アルファンＭＡ－４１０」、「Ｅ－２００Ｃ」、タマポリ社製の製品名「ＧＦ－１」、「ＧＦ－８」信越フィルム社製等のポリプロピレンフィルム、帝人社製の製品名「ＰＳ－２５」等のＰＳシリーズなどのポリエチレンテレフタレートフィルム等が挙げられるが、これらに限られたものではない。これらの支持体は除去を容易にするため、シリコーンコート剤または非シリコーンコート剤のような剥離剤を表面に塗布してあることが好ましい。このような剥離剤によって表面を処理された支持体としては、例えば、リンテック社製「ＡＬ－５」等が挙げられる。支持体の厚さは、５μｍ～１００μｍの範囲であることが好ましく、１０μｍ～５０μｍの範囲であることがより好ましい。
【0116】
感光性樹脂組成物層の厚さは、特に制限は無く、例えば１μｍ以上１００μｍ以下でありうる。中でも、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは４μｍ以上であり、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下である。
【0117】
感光性樹脂組成物層は、保護フィルムで保護されていてもよい。感光性樹脂組成物層が保護フィルムで保護されることにより、感光性樹脂組成物層の表面へのゴミの付着やキズを抑制できる。保護フィルムとしては、例えば、上記の支持体と同様の材料により構成されたフィルムを用いることができる。保護フィルムの厚さは特に限定されないが、１μｍ～４０μｍの範囲であることが好ましく、５μｍ～３０μｍの範囲であることがより好ましく、１０μｍ～３０μｍの範囲であることが更に好ましい。保護フィルムは、感光性樹脂組成物層と支持体との接着力に対して、感光性樹脂組成物層と保護フィルムとの接着力の方が小さいものが好ましい。
【0118】
感光性フィルムは、例えば、感光性樹脂組成物を支持体上に塗布し、必要に応じて（Ｈ）成分を乾燥させることにより製造することができる。
【0119】
［半導体パッケージ基板］
本発明の半導体パッケージ基板は、本発明の感光性樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。該絶縁層は、再配線形成層、層間絶縁層、バッファーコート膜またはソルダーレジストとして使用することが好ましい。
本発明の半導体パッケージ基板は、本発明の感光性樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。該絶縁層は、再配線形成層、層間絶縁層、バッファーコート膜またはソルダーレジストとして使用することが好ましい。
【0120】
詳細には、本発明の第１実施形態の半導体パッケージ基板は、上述の感光性樹脂組成物を用いて製造することができ、感光性樹脂組成物の硬化物は絶縁層として用いられる。具体的には、半導体パッケージ基板の製造方法は、
（Ｉ）回路基板上に、本発明の感光性樹脂組成物を含む感光性樹脂組成物層を形成する工程、
（ＩＩ）感光性樹脂組成物層に活性光線を照射する工程、及び
（ＩＩＩ）感光性樹脂組成物層を現像する工程、
をこの順に含む。
（Ｉ）回路基板上に、本発明の感光性樹脂組成物を含む感光性樹脂組成物層を形成する工程、
（ＩＩ）感光性樹脂組成物層に活性光線を照射する工程、及び
（ＩＩＩ）感光性樹脂組成物層を現像する工程、
をこの順に含む。
【0121】
＜工程（Ｉ）＞
感光性樹脂組成物層の形成方法としては、感光性樹脂組成物を含む樹脂ワニスを直接的に回路基板上に塗布する方法、及び前記感光性フィルムを用いる方法が挙げられる。
感光性樹脂組成物層の形成方法としては、感光性樹脂組成物を含む樹脂ワニスを直接的に回路基板上に塗布する方法、及び前記感光性フィルムを用いる方法が挙げられる。
【0122】
感光性樹脂組成物を含む樹脂ワニスを直接的に回路基板上に塗布する場合、（Ｈ）成分を乾燥、揮発させることにより、回路基板上に感光性樹脂組成物層を形成する。
【0123】
樹脂ワニスの塗布方式としては、例えば、グラビアコート方式、マイクログラビアコート方式、リバースコート方式、キスリバースコート方式、ダイコート方式、スロットダイ方式、リップコート方式、コンマコート方式、ブレードコート方式、ロールコート方式、ナイフコート方式、カーテンコート方式、チャンバーグラビアコート方式、スロットオリフィス方式、スピンコート方式、スリットコート方式、スプレーコート方式、ディップコート方式、ホットメルトコート方式、バーコート方式、アプリケーター方式、エアナイフコート方式、カーテンフローコート方式、オフセット印刷方式、刷毛塗り方式、スクリーン印刷法による全面印刷方式等が挙げられる。
【0124】
樹脂ワニスは、数回に分けて塗布してもよいし、１回で塗布してもよく、また異なる方式を複数組み合わせて塗布してもよい。中でも、均一塗工性に優れる、ダイコート方式が好ましい。また、異物混入等をさけるために、クリーンルーム等の異物発生の少ない環境で塗布工程を実施することが好ましい。
【0125】
樹脂ワニスを塗布後、必要に応じて熱風炉あるいは遠赤外線炉等で乾燥を行う。乾燥条件は、８０℃～１２０℃で３分間～１３分間とすることが好ましい。このようにして、回路基板上に感光性樹脂組成物層が形成される。
【0126】
回路基板としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられる。なお、ここで回路基板とは、上記のような支持基板の片面又は両面にパターン加工された導体層（回路）が形成された基板をいう。また導体層と絶縁層とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、該多層プリント配線板の最外層の片面又は両面がパターン加工された導体層（回路）となっている基板も、ここでいう回路基板に含まれる。なお導体層表面には、黒化処理、銅エッチング等により予め粗化処理が施されていてもよい。
【0127】
一方、感光性フィルムを用いる場合には、感光性樹脂組成物層側を、真空ラミネーターを用いて回路基板の片面又は両面にラミネートする。ラミネート工程において、感光性フィルムが保護フィルムを有している場合には該保護フィルムを除去した後、必要に応じて感光性フィルム及び回路基板をプレヒートし、感光性樹脂組成物層を加圧及び加熱しながら回路基板に圧着する。感光性フィルムにおいては、真空ラミネート法により減圧下で回路基板にラミネートする方法が好適に用いられる。
【0128】
ラミネートの条件は、特に限定されるものではないが、例えば、圧着温度（ラミネート温度）を好ましくは７０℃～１４０℃とし、圧着圧力を好ましくは１ｋｇｆ／ｃｍ２～１１ｋｇｆ／ｃｍ２（９．８×１０４Ｎ／ｍ２～１０７．９×１０４Ｎ／ｍ２）、圧着時間を好ましくは５秒間～３００秒間とし、空気圧を２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下とする減圧下でラミネートすることが好ましい。また、ラミネート工程は、バッチ式であってもロールを用いる連続式であってもよい。真空ラミネート法は、市販の真空ラミネーターを使用して行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、ニッコー・マテリアルズ社製バキュームアップリケーター、名機製作所社製真空加圧式ラミネーター、日立インダストリイズ社製ロール式ドライコータ、日立エーアイーシー社製真空ラミネーター等を挙げることができる。
【0129】
＜工程（ＩＩ）＞
回路基板上に感光性樹脂組成物層が設けられた後、次いで、マスクパターンを通して、感光性樹脂組成物層の所定部分に活性光線を照射する露光工程を行う。活性光線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量はおおむね１０ｍＪ／ｃｍ２～１０００ｍＪ／ｃｍ２である。露光方法にはマスクパターンを回路基板に密着させて行う接触露光法と、密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法とがあるが、どちらを用いてもかまわない。
回路基板上に感光性樹脂組成物層が設けられた後、次いで、マスクパターンを通して、感光性樹脂組成物層の所定部分に活性光線を照射する露光工程を行う。活性光線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量はおおむね１０ｍＪ／ｃｍ２～１０００ｍＪ／ｃｍ２である。露光方法にはマスクパターンを回路基板に密着させて行う接触露光法と、密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法とがあるが、どちらを用いてもかまわない。
【0130】
工程（ＩＩ）では、マスクパターンとして、例えば、丸穴パターン等のビアパターンを用いてビアを形成することができる。ビア径（開口径）としては、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下である。下限は特に限定されないが、０．１μｍ以上、０．５μｍ以上等としうる。
【0131】
＜工程（ＩＩＩ）＞
露光工程後、感光性樹脂組成物層の露光されなかった部分を現像液により除去する現像工程を行うことにより、パターンを形成することができる。現像は、通常ウェット現像により行う。
露光工程後、感光性樹脂組成物層の露光されなかった部分を現像液により除去する現像工程を行うことにより、パターンを形成することができる。現像は、通常ウェット現像により行う。
【0132】
上記ウェット現像の場合、現像液としては、アルカリ性溶液、水系現像液、有機溶剤等の安全かつ安定であり操作性が良好な現像液が用いられる。また、現像方法としては、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング、スクラッピング等の公知の方法が適宜採用される。
【0133】
現像液として使用されるアルカリ性水溶液としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム等の炭酸塩又は重炭酸塩、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム等のアルカリ金属リン酸塩、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム等のアルカリ金属ピロリン酸塩の水溶液や、水酸化テトラアルキルアンモニウム等の金属イオンを含有しない有機塩基の水溶液が挙げられ、金属イオンを含有せず、半導体チップに影響を与えないという点で水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の水溶液が好ましい。
【0134】
これらのアルカリ性水溶液には、現像効果の向上のため、界面活性剤、消泡剤等を含むことができる。上記アルカリ性水溶液のｐＨは、例えば、８～１２の範囲であることが好ましく、９～１１の範囲であることがより好ましい。また、上記アルカリ性水溶液の塩基濃度は、０．１質量％～１０質量％とすることが好ましい。上記アルカリ性水溶液の温度は、感光性樹脂組成物層の現像性に合わせて適宜選択することができるが、２０℃～５０℃とすることが好ましい。
【0135】
現像液として使用される有機溶剤は、例えば、アセトン、酢酸エチル、炭素原子数１～４のアルコキシ基を有するアルコキシエタノール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、シクロペンタノン、シクロヘキサノンである。
【0136】
このような有機溶剤の濃度は、現像液全量に対して２質量％～９０質量％であることが好ましい。また、このような有機溶剤の温度は、現像性にあわせて調節することができる。さらに、このような有機溶剤は単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。単独で用いる有機溶剤系現像液としては、例えば、１，１，１－トリクロロエタン、Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、γ－ブチロラクトンが挙げられる。
【0137】
パターン形成においては、必要に応じて、２種類以上の現像方法を併用して用いてもよい。現像の方式には、ディップ方式、バトル方式、スプレー方式、高圧スプレー方式、ブラッシング、スラッピング等があり、高圧スプレー方式が解像度向上のためには好適である。スプレー方式を採用する場合のスプレー圧としては、０．０５ＭＰａ～０．３ＭＰａが好ましい。
【0138】
＜熱硬化（ポストベーク）工程＞
上記工程（ＩＩＩ）終了後、必要に応じて、熱硬化（ポストベーク）工程を行う。上述した工程（Ｉ）～（ＩＩＩ）において感光性樹脂組成物層の硬化が進行することはありえるが、熱硬化工程により感光性樹脂組成物の硬化を更に進行させて、機械的強度も優れる絶縁層を得ることができる。通常は、この工程（ＩＩＩ）において（Ａ）ポリイミド前駆体を閉環させて、ポリイミドを含む絶縁層を形成できる。ポストベーク工程としては、クリーンオーブンを用いた加熱工程等が挙げられる。熱硬化時の雰囲気は、空気中であっても良いし、窒素などの不活性気体雰囲気下でも良い。また加熱の条件は、感光性樹脂組成物中の樹脂成分の種類、含有量などに応じて適宜選択すればよいが、好ましくは１５０℃～２５０℃で２０分間～１８０分間の範囲、より好ましくは１６０℃～２３０℃で３０分間～１２０分間の範囲で選択される。
上記工程（ＩＩＩ）終了後、必要に応じて、熱硬化（ポストベーク）工程を行う。上述した工程（Ｉ）～（ＩＩＩ）において感光性樹脂組成物層の硬化が進行することはありえるが、熱硬化工程により感光性樹脂組成物の硬化を更に進行させて、機械的強度も優れる絶縁層を得ることができる。通常は、この工程（ＩＩＩ）において（Ａ）ポリイミド前駆体を閉環させて、ポリイミドを含む絶縁層を形成できる。ポストベーク工程としては、クリーンオーブンを用いた加熱工程等が挙げられる。熱硬化時の雰囲気は、空気中であっても良いし、窒素などの不活性気体雰囲気下でも良い。また加熱の条件は、感光性樹脂組成物中の樹脂成分の種類、含有量などに応じて適宜選択すればよいが、好ましくは１５０℃～２５０℃で２０分間～１８０分間の範囲、より好ましくは１６０℃～２３０℃で３０分間～１２０分間の範囲で選択される。
【0139】
＜その他の工程＞
半導体パッケージ基板の製造方法は、硬化した感光性樹脂組成物層として絶縁層を形成後、さらに穴あけ工程、デスミア工程を含んでもよい。これらの工程は、半導体パッケージ基板の製造に用いられる、当業者に公知の各種方法に従って実施してよい。
半導体パッケージ基板の製造方法は、硬化した感光性樹脂組成物層として絶縁層を形成後、さらに穴あけ工程、デスミア工程を含んでもよい。これらの工程は、半導体パッケージ基板の製造に用いられる、当業者に公知の各種方法に従って実施してよい。
【0140】
絶縁層を形成した後、所望により、回路基板上に形成された絶縁層に穴あけ工程を行ってビアホール、スルーホールを形成する。穴あけ工程は、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等の公知の方法により、また必要によりこれらの方法を組み合わせて行うことができるが、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー等のレーザーによる穴あけ工程が好ましい。
【0141】
デスミア工程は、デスミア処理する工程である。穴あけ工程において形成された開口部内部には、一般に、樹脂残渣（スミア）が付着している。斯かるスミアは、電気接続不良の原因となるため、この工程においてスミアを除去する処理（デスミア処理）を実施する。
【0142】
デスミア処理は、乾式デスミア処理、湿式デスミア処理又はこれらの組み合わせによって実施してよい。
【0143】
乾式デスミア処理としては、例えば、プラズマを用いたデスミア処理等が挙げられる。プラズマを用いたデスミア処理は、市販のプラズマデスミア処理装置を使用して実施することができる。市販のプラズマデスミア処理装置の中でも、半導体パッケージ基板の製造用途に好適な例として、ニッシン社製のマイクロ波プラズマ装置、積水化学工業社製の常圧プラズマエッチング装置等が挙げられる。
【0144】
湿式デスミア処理としては、例えば、酸化剤溶液を用いたデスミア処理等が挙げられる。酸化剤溶液を用いてデスミア処理する場合、膨潤液による膨潤処理、酸化剤溶液による酸化処理、中和液による中和処理をこの順に行うことが好ましい。膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン社製の「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」等を挙げることができる。膨潤処理は、ビアホール等の形成された基板を、６０℃～８０℃に加熱した膨潤液に５分間～１０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。酸化剤溶液としては、アルカリ性過マンガン酸水溶液が好ましく、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解した溶液を挙げることができる。酸化剤溶液による酸化処理は、膨潤処理後の基板を、６０℃～８０℃に加熱した酸化剤溶液に１０分間～３０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。アルカリ性過マンガン酸水溶液の市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製の「コンセントレート・コンパクトＣＰ」、「ド－ジングソリューション・セキュリガンスＰ」等が挙げられる。中和液による中和処理は、酸化処理後の基板を、３０℃～５０℃の中和液に３分間～１０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製の「リダクションソリューション・セキュリガントＰ」が挙げられる。
【0145】
乾式デスミア処理と湿式デスミア処理を組み合わせて実施する場合、乾式デスミア処理を先に実施してもよく、湿式デスミア処理を先に実施してもよい。
【0146】
絶縁層を、再配線形成層、層間絶縁層、及びソルダーレジストのいずれとして形成する場合でも、熱硬化工程後に、穴あけ工程及びデスミア工程を行ってもよい。また、半導体パッケージ基板の製造方法では、更に、メッキ工程を行ってもよい。
【0147】
メッキ工程は、絶縁層上に導体層を形成する工程である。導体層は、絶縁層形成後にスパッタにより導体層を形成してもよく、無電解メッキと電解メッキとを組み合わせて形成してもよく、また、導体層とは逆パターンのメッキレジストを形成し、無電解メッキのみで導体層を形成してもよい。その後のパターン形成の方法として、例えば、当業者に公知のサブトラクティブ法、セミアディティブ法などを用いることができる。
【0148】
本発明の第２実施形態に係る半導体パッケージ基板は、上述の感光性樹脂組成物を用いて製造することができ、感光性樹脂組成物の硬化物は再配線形成層として用いられる。具体的には、半導体パッケージ基板の製造方法は、
（Ａ）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
（Ｂ）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
（Ｃ）半導体チップ上に封止層を形成する工程、
（Ｄ）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
（Ｅ）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程、
（Ｆ）再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程、並びに、
（Ｇ）再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程、
を含む。また、前記の半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ｈ）複数の半導体チップパッケージを、個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程、
を含んでいてもよい。
（Ａ）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
（Ｂ）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
（Ｃ）半導体チップ上に封止層を形成する工程、
（Ｄ）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
（Ｅ）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程、
（Ｆ）再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程、並びに、
（Ｇ）再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程、
を含む。また、前記の半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ｈ）複数の半導体チップパッケージを、個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程、
を含んでいてもよい。
【0149】
＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムとの積層条件は、特に限定されるものではないが、例えば、圧着温度（ラミネート温度）を好ましくは７０℃～１４０℃とし、圧着圧力を好ましくは１ｋｇｆ／ｃｍ２～１１ｋｇｆ／ｃｍ２、圧着時間を好ましくは５秒間～３００秒間とし、空気圧を２０ｍｍＨｇ以下とする減圧下でラミネートするのが好ましい。また、ラミネート工程は、バッチ式であってもロールを用いる連続式であってもよい。真空ラミネート法は、市販の真空ラミネーターを使用して行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、ニッコー・マテリアルズ社製バキュームアップリケーター、名機製作所社製真空加圧式ラミネーター、日立インダストリイズ社製ロール式ドライコータ、日立エーアイーシー社製真空ラミネーター等を挙げることができる。
工程（Ａ）は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムとの積層条件は、特に限定されるものではないが、例えば、圧着温度（ラミネート温度）を好ましくは７０℃～１４０℃とし、圧着圧力を好ましくは１ｋｇｆ／ｃｍ２～１１ｋｇｆ／ｃｍ２、圧着時間を好ましくは５秒間～３００秒間とし、空気圧を２０ｍｍＨｇ以下とする減圧下でラミネートするのが好ましい。また、ラミネート工程は、バッチ式であってもロールを用いる連続式であってもよい。真空ラミネート法は、市販の真空ラミネーターを使用して行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、ニッコー・マテリアルズ社製バキュームアップリケーター、名機製作所社製真空加圧式ラミネーター、日立インダストリイズ社製ロール式ドライコータ、日立エーアイーシー社製真空ラミネーター等を挙げることができる。
【0150】
基材としては、例えば、シリコンウェハ；ガラスウェハ；ガラス基板；銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）等の金属基板；ＦＲ－４基板等の、ガラス繊維にエポキシ樹脂等をしみこませ熱硬化処理した基板；ＢＴ樹脂等のビスマレイミドトリアジン樹脂からなる基板；などが挙げられる。
【0151】
仮固定フィルムは、半導体チップから剥離でき、且つ、半導体チップを仮固定することができる任意の材料を用いうる。市販品としては、日東電工社製「リヴァアルファ」等が挙げられる。
【0152】
＜工程（Ｂ）＞
工程（Ｂ）は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、例えば、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体パッケージの生産数等に応じて適切に設定できる。例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に半導体チップを整列させて、仮固定してもよい。
工程（Ｂ）は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、例えば、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体パッケージの生産数等に応じて適切に設定できる。例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に半導体チップを整列させて、仮固定してもよい。
【0153】
＜工程（Ｃ）＞
工程（Ｃ）は、半導体チップ上に封止層を形成する工程である。封止層は、絶縁性を有する任意の材料を用いることができ、上述した感光性樹脂組成物を用いてもよい。封止層は、通常、半導体チップ上に封止用樹脂組成物層を形成する工程と、この樹脂組成物層を熱硬化させて封止層を形成する工程とを含む方法で形成する。
工程（Ｃ）は、半導体チップ上に封止層を形成する工程である。封止層は、絶縁性を有する任意の材料を用いることができ、上述した感光性樹脂組成物を用いてもよい。封止層は、通常、半導体チップ上に封止用樹脂組成物層を形成する工程と、この樹脂組成物層を熱硬化させて封止層を形成する工程とを含む方法で形成する。
【0154】
封止用樹脂組成物層の形成は、圧縮成型法によって行うことが好ましい。圧縮成型法では、通常、半導体チップ及び封止用樹脂組成物を型に配置し、その型内で封止用樹脂組成物に圧力及び必要に応じて熱を加えて、半導体チップを覆う封止用樹脂組成物層を形成する。
【0155】
圧縮成型法の具体的な操作は、例えば、下記のようにし得る。圧縮成型用の型として、上型及び下型を用意する。また、前記のように仮固定フィルム上に仮固定された半導体チップに、封止用樹脂組成物を塗布する。封止用樹脂組成物を塗布された半導体チップを、基材及び仮固定フィルムと一緒に、下型に取り付ける。その後、上型と下型とを型締めして、封止用樹脂組成物に熱及び圧力を加えて、圧縮成型を行う。
【0156】
また、圧縮成型法の具体的な操作は、例えば、下記のようにしてもよい。圧縮成型用の型として、上型及び下型を用意する。下型に、封止用樹脂組成物を載せる。また、上型に、半導体チップを、基材及び仮固定フィルムと一緒に取り付ける。その後、下型に載った封止用樹脂組成物が上型に取り付けられた半導体チップに接するように上型と下型とを型締めし、熱及び圧力を加えて、圧縮成型を行う。
【0157】
成型条件は、封止用樹脂組成物の組成により異なり、良好な封止が達成されるように適切な条件を採用できる。例えば、成型時の型の温度は、封止用樹脂組成物が優れた圧縮成型性を発揮できる温度が好ましく、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、特に好ましくは１２０℃以上であり、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１７０℃以下、特に好ましくは１５０℃以下である。また、成形時に加える圧力は、好ましくは１ＭＰａ以上、より好ましくは３ＭＰａ以上、特に好ましくは５ＭＰａ以上であり、好ましくは５０ＭＰａ以下、より好ましくは３０ＭＰａ以下、特に好ましくは２０ＭＰａ以下である。キュアタイムは、好ましくは１分以上、より好ましくは２分以上、特に好ましくは５分以上であり、好ましくは６０分以下、より好ましくは３０分以下、特に好ましくは２０分以下である。通常、封止用樹脂組成物層の形成後、型は取り外される。型の取り外しは、封止用樹脂組成物層の熱硬化前に行ってもよく、熱硬化後に行ってもよい。
【0158】
圧縮成型法は、カートリッジ内に充填した封止用樹脂組成物を下型に吐出させることによって行ってもよい。
【0159】
＜工程（Ｄ）＞
工程（Ｄ）は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離方法は、仮固定フィルムの材質に応じた適切な方法を採用することが望ましい。剥離方法としては、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法が挙げられる。また、剥離方法としては、例えば、基材を通して仮固定フィルムに紫外線を照射して、仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法が挙げられる。
工程（Ｄ）は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離方法は、仮固定フィルムの材質に応じた適切な方法を採用することが望ましい。剥離方法としては、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法が挙げられる。また、剥離方法としては、例えば、基材を通して仮固定フィルムに紫外線を照射して、仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法が挙げられる。
【0160】
仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法において、加熱条件は、通常、１００℃～２５０℃で１秒間～９０秒間又は５分間～１５分間である。また、紫外線を照射して仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法において、紫外線の照射量は、通常、１０ｍＪ／ｃｍ２～１０００ｍＪ／ｃｍ２である。
【0161】
＜工程（Ｅ）＞
工程（Ｅ）は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程である。再配線形成層は、本発明の感光性樹脂組成物を用いる。再配線形成層の形成方法は、第１実施形態における工程（Ｉ）の感光性樹脂組成物層の形成方法と同様である。
工程（Ｅ）は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程である。再配線形成層は、本発明の感光性樹脂組成物を用いる。再配線形成層の形成方法は、第１実施形態における工程（Ｉ）の感光性樹脂組成物層の形成方法と同様である。
【0162】
再配線形成層を形成するとき、半導体チップと再配線層とを層間接続するために、再配線形成層にビアホールを形成してもよい。
【0163】
ビアホールは、通常、再配線形成層の形成のための感光性樹脂組成物層の表面に、マスクパターンを通して活性光線を照射する露光工程と、活性光線が照射されていない非露光部を現像して除去する現像工程と、を行うことで形成することができる。活性光線の照射量及び照射時間は、感光性樹脂組成物層に応じて適切に設定できる。露光方法としては、例えば、マスクパターンを感光性樹脂組成物層に密着させて露光する接触露光法、マスクパターンを感光性樹脂組成物層に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法等が挙げられる。活性光線、アルカリ水溶液、露光現像方法は上記したとおりである。
【0164】
ビアホールの形状は、特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。ビアホールのトップ径は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下であり、好ましくは０．１μｍ以上、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上である。ここで、ビアホールのトップ径とは、再配線形成層の表面でのビアホールの開口の直径をいう。
【0165】
＜工程（Ｆ）＞
工程（Ｆ）は、再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程である。再配線形成層上に再配線層を形成する方法は、第１実施形態における絶縁層上への導体層の形成方法と同様でありうる。また、工程（Ｅ）及び工程（Ｆ）を繰り返し行い、再配線層及び再配線形成層を交互に積み上げて（ビルドアップ）もよい。
工程（Ｆ）は、再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程である。再配線形成層上に再配線層を形成する方法は、第１実施形態における絶縁層上への導体層の形成方法と同様でありうる。また、工程（Ｅ）及び工程（Ｆ）を繰り返し行い、再配線層及び再配線形成層を交互に積み上げて（ビルドアップ）もよい。
【0166】
＜工程（Ｇ）＞
工程（Ｇ）は、再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。ソルダーレジスト層の材料は、絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましい。また、本発明の感光性樹脂組成物を用いてもよい。
工程（Ｇ）は、再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。ソルダーレジスト層の材料は、絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましい。また、本発明の感光性樹脂組成物を用いてもよい。
【0167】
また、工程（Ｇ）では、必要に応じて、バンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボール、半田めっきなどの方法で行うことができる。また、バンピング加工におけるビアホールの形成は、工程（Ｅ）と同様に行うことができる。
【0168】
半導体チップパッケージの製造方法は、工程（Ａ）～（Ｇ）以外に、工程（Ｈ）を含んでいてもよい。工程（Ｈ）は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されない。
【0169】
［半導体装置］
上述した半導体チップパッケージが実装される半導体装置としては、例えば、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。
上述した半導体チップパッケージが実装される半導体装置としては、例えば、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。
【実施例0170】
以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、別途明示のない限り、「部」及び「％」は「質量部」及び「質量％」をそれぞれ意味する。
【0171】
＜合成例＞
［合成例１：ポリマーＡ－１の合成］
３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ｓＢＰＤＡ）２９．４ｇを２Ｌ容量のセパラブルフラスコに入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン５００ｍＬを入れて室温下で撹拌し、さらに５－（４－アミノフェノキシ）－３－［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］－１，１，３－トリメチルインダン（ＩＮＤＡＮ）４５．０ｇを加えて、同時に反応容器をオイルバスで内温が４０℃になるまで加温し、２０時間重合した。
［合成例１：ポリマーＡ－１の合成］
３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ｓＢＰＤＡ）２９．４ｇを２Ｌ容量のセパラブルフラスコに入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン５００ｍＬを入れて室温下で撹拌し、さらに５－（４－アミノフェノキシ）－３－［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］－１，１，３－トリメチルインダン（ＩＮＤＡＮ）４５．０ｇを加えて、同時に反応容器をオイルバスで内温が４０℃になるまで加温し、２０時間重合した。
【0172】
次に、反応液に水酸化カリウムを１．１２ｇ加え室温化で攪拌し、エチレンカーボネートを８．８ｇ加えて、同時に反応容器をオイルバスで内温が８０℃になるまで加温し、１０時間攪拌した。得られた反応溶液を４０℃に調整し、アクリル酸クロライドを１８．１ｇ、ジメチルアミノピリジンを０．５ｇ、トリエチルアミンを２０ｇ加え、３時間攪拌した。
【0173】
次に、得られた反応液を６Ｌの超純水に滴下して、ポリマーを析出させることで精製した。精製したポリマーを濾別した後、真空乾燥にて８０℃加熱下乾燥させ、ポリマーＡ－１を７１ｇ得た。
【0174】
ポリマーＡ－１の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は５０，０００であった。ポリマーＡ－１の構造を以下に示す。ｎは５～２００の整数を表す。
【化34】
【0175】
［合成例２：ポリマーＡ－２の合成］
３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ｓＢＰＤＡ）２９．４ｇを２Ｌ容量のセパラブルフラスコに入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン５００ｍＬを入れて室温下で撹拌し、さらに５－（４－アミノフェノキシ）－３－［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］－１，１，３－トリメチルインダン（ＩＮＤＡＮ）４５．０ｇを加えて、同時に反応容器をオイルバスで内温が４０℃になるまで加温し、２０時間重合した。
３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ｓＢＰＤＡ）２９．４ｇを２Ｌ容量のセパラブルフラスコに入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン５００ｍＬを入れて室温下で撹拌し、さらに５－（４－アミノフェノキシ）－３－［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］－１，１，３－トリメチルインダン（ＩＮＤＡＮ）４５．０ｇを加えて、同時に反応容器をオイルバスで内温が４０℃になるまで加温し、２０時間重合した。
【0176】
次に、反応液に水酸化カリウムを１．１２ｇ加え室温化で攪拌し、エチレンカーボネートを８．８ｇ加えて、同時に反応容器をオイルバスで内温が８０℃になるまで加温し、１０時間攪拌した。得られた反応溶液を４０℃に調整し、メタクリル酸クロライドを２０．６ｇ、ジメチルアミノピリジンを０．５ｇ、トリエチルアミンを２０ｇ加え、３時間攪拌した。
【0177】
次に、得られた反応液を６Ｌの超純水に滴下して、ポリマーを析出させることで精製した。精製したポリマーを濾別した後、真空乾燥にて８０℃加熱下乾燥させ、ポリマーＡ－２を７０ｇ得た。
【0178】
ポリマーＡ－２の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は５２，０００であった。ポリマーＡ－２の構造を以下に示す。ｎは５～２００の整数を表す。
【化35】
【0179】
［合成例３：ポリマーＡ－３の合成］
２，２－ビス［４－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物（ＢＰＡＤＡ）５１．８ｇを２Ｌ容量のセパラブルフラスコに入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン５００ｍＬを入れて室温下で撹拌し、さらに５－（４－アミノフェノキシ）－３－［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］－１，１，３－トリメチルインダン（ＩＮＤＡＮ）４５．０ｇ、を加えて、同時に反応容器をオイルバスで内温が４０℃になるまで加温し、２０時間重合した。
２，２－ビス［４－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物（ＢＰＡＤＡ）５１．８ｇを２Ｌ容量のセパラブルフラスコに入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン５００ｍＬを入れて室温下で撹拌し、さらに５－（４－アミノフェノキシ）－３－［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］－１，１，３－トリメチルインダン（ＩＮＤＡＮ）４５．０ｇ、を加えて、同時に反応容器をオイルバスで内温が４０℃になるまで加温し、２０時間重合した。
【0180】
次に、反応液に水酸化カリウムを１．１２ｇ加え室温化で攪拌し、エチレンカーボネートを８．８ｇ加えて、同時に反応容器をオイルバスで内温が８０℃になるまで加温し、１０時間攪拌した。得られた反応溶液を４０℃に調整し、アクリル酸クロライドを１８．１ｇ、ジメチルアミノピリジンを０．５ｇ、トリエチルアミンを２０ｇ加え、３時間攪拌した。
【0181】
次に、得られた反応液を６Ｌの超純水に滴下して、ポリマーを析出させることで精製した。精製したポリマーを濾別した後、真空乾燥にて８０℃加熱下乾燥させ、ポリマーＡ－３を９０ｇ得た。
【0182】
ポリマーＡ－３の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は４０，０００であった。ポリマーＡ－３の構造を以下に示す。ｎは５～２００の整数を表す。
【化36】
【0183】
［合成例４：ポリマーＡ－４の合成］
２，２－ビス［４－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物（ＢＰＡＤＡ）５１．８ｇを２Ｌ容量のセパラブルフラスコに入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン５００ｍＬを入れて室温下で撹拌し、さらに５－（４－アミノフェノキシ）－３－［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］－１，１，３－トリメチルインダン（ＩＮＤＡＮ）４５．０ｇを加えて、同時に反応容器をオイルバスで内温が４０℃になるまで加温し、２０時間重合した。
２，２－ビス［４－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物（ＢＰＡＤＡ）５１．８ｇを２Ｌ容量のセパラブルフラスコに入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン５００ｍＬを入れて室温下で撹拌し、さらに５－（４－アミノフェノキシ）－３－［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］－１，１，３－トリメチルインダン（ＩＮＤＡＮ）４５．０ｇを加えて、同時に反応容器をオイルバスで内温が４０℃になるまで加温し、２０時間重合した。
【0184】
次に、反応液に水酸化カリウムを１．１２ｇ加え室温化で攪拌し、エチレンカーボネートを８．８ｇ加えて、同時に反応容器をオイルバスで内温が８０℃になるまで加温し、１０時間攪拌した。得られた反応溶液を４０℃に調整し、メタクリル酸クロライドを２０．６ｇ、ジメチルアミノピリジンを０．５ｇ、トリエチルアミンを２０ｇ加え、３時間攪拌した。
【0185】
次に、得られた反応液を６Ｌの超純水に滴下して、ポリマーを析出させることで精製した。精製したポリマーを濾別した後、真空乾燥にて８０℃加熱下乾燥させ、ポリマーＡ－４を９２ｇ得た。
【0186】
ポリマーＡ－４の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は４２，０００であった。ポリマーＡ－４の構造を以下に示す。ｎは５～２００の整数を表す。
【化37】
【0187】
［合成例５：ポリマーＡ－５の合成］
撹拌機、コンデンサー及び内部温度計を取りつけた平底ジョイントを備えた乾燥反応器中で水分を除去しながら、オキシジフタル酸二無水物 ２０．０ｇ（６４．５ミリモル）をジグリム１４０ｍＬ中に懸濁させた。２－ヒドロキシエチルメタクリレート１６．８ｇ（１２９ミリモル）、ヒドロキノン０．０５ｇ、純水０．０５ｇ及びピリジン１０．７ｇ（１３５ミリモル）を続いて添加し、６０℃の温度で１８時間撹拌した。次いで、混合物を－２０℃まで冷却した後、塩化チオニル１６．１ｇ（１３５．５ミリモル）を９０分かけて滴下した。ピリジニウムヒドロクロリドの白色沈澱が得られた。次いで、混合物を室温まで温め、２時間撹拌した後、ピリジン９．７ｇ（１２３ミリモル）及びＮ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）２５ｍＬを添加し、透明溶液を得た。次いで、得られた透明溶液に、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル１１．８ｇ（５８．７ミリモル）をＮＭＰ１００ｍＬ中に溶解させたものを、１時間かけて滴下により添加した。次いで、メタノール５．６ｇ（１７．５ミリモル）と３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシトルエン０．０５ｇを加え、混合物を２時間撹拌した。次いで、４リットルの水の中でポリイミド前駆体樹脂を沈殿させ、水－ポリイミド前駆体樹脂混合物を５００ｒｐｍの速度で１５分間撹拌した。ポリイミド前駆体樹脂を濾過して取得し、４リットルの水の中で再度３０分間撹拌し再び濾過した。次いで、得られたポリイミド前駆体樹脂を減圧下、４５℃で３日間乾燥し、ポリマーＡ－５を得た。
撹拌機、コンデンサー及び内部温度計を取りつけた平底ジョイントを備えた乾燥反応器中で水分を除去しながら、オキシジフタル酸二無水物 ２０．０ｇ（６４．５ミリモル）をジグリム１４０ｍＬ中に懸濁させた。２－ヒドロキシエチルメタクリレート１６．８ｇ（１２９ミリモル）、ヒドロキノン０．０５ｇ、純水０．０５ｇ及びピリジン１０．７ｇ（１３５ミリモル）を続いて添加し、６０℃の温度で１８時間撹拌した。次いで、混合物を－２０℃まで冷却した後、塩化チオニル１６．１ｇ（１３５．５ミリモル）を９０分かけて滴下した。ピリジニウムヒドロクロリドの白色沈澱が得られた。次いで、混合物を室温まで温め、２時間撹拌した後、ピリジン９．７ｇ（１２３ミリモル）及びＮ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）２５ｍＬを添加し、透明溶液を得た。次いで、得られた透明溶液に、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル１１．８ｇ（５８．７ミリモル）をＮＭＰ１００ｍＬ中に溶解させたものを、１時間かけて滴下により添加した。次いで、メタノール５．６ｇ（１７．５ミリモル）と３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシトルエン０．０５ｇを加え、混合物を２時間撹拌した。次いで、４リットルの水の中でポリイミド前駆体樹脂を沈殿させ、水－ポリイミド前駆体樹脂混合物を５００ｒｐｍの速度で１５分間撹拌した。ポリイミド前駆体樹脂を濾過して取得し、４リットルの水の中で再度３０分間撹拌し再び濾過した。次いで、得られたポリイミド前駆体樹脂を減圧下、４５℃で３日間乾燥し、ポリマーＡ－５を得た。
【0188】
得られたポリマーＡ－５の重量平均分子量は２４，８００、数平均分子量は１０，５００であった。
【化38】
【0189】
［合成例６：ポリマーＡ－６の合成］
撹拌機、コンデンサー及び内部温度計を取りつけた平底ジョイントを備えた乾燥反応器中で水分を除去しながら、４，４’－ビフタル酸二無水物１８．９８ｇ（６４．５ミリモル）をジグリム１４０ｍＬ中に懸濁させた。２－ヒドロキシエチルメタクリレート１６．８ｇ（１２９ミリモル）、ヒドロキノン０．０５ｇ、純水０．０５ｇ及びピリジン１０．７ｇ（１３５ミリモル）を続いて添加し、６０℃の温度で１８時間撹拌した。次いで、混合物を－２０℃まで冷却した後、塩化チオニル１６．１ｇ（１３５．５ミリモル）を９０分かけて滴下した。ピリジニウムヒドロクロリドの白色沈澱が得られた。次いで、混合物を室温まで温め、２時間撹拌した後、ピリジン ９．７ｇ（１２３ミリモル）及びＮ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）２５ｍＬを添加し、透明溶液を得た。次いで、得られた透明溶液に、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル１１．８ｇ（５８．７ミリモル）をＮＭＰ１００ｍＬ中に溶解させたものを、１時間かけて滴下により添加した。次いで、メタノール５．６ｇ（１７．５ミリモル）と３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシトルエン０．０５ｇを加え、混合物を２時間撹拌した。次いで、４リットルの水の中でポリイミド前駆体樹脂を沈殿させ、水－ポリイミド前駆体樹脂混合物を５００ｒｐｍの速度で１５分間撹拌した。ポリイミド前駆体樹脂を濾過して取得し、４リットルの水の中で再度３０分間撹拌し再び濾過した。次いで、得られたポリイミド前駆体樹脂を減圧下、４５℃で３日間乾燥し、ポリマーＡ－６を得た。得られたポリマーＡ－６の重量平均分子量は２４，８００、数平均分子量は１０，５００であった。
撹拌機、コンデンサー及び内部温度計を取りつけた平底ジョイントを備えた乾燥反応器中で水分を除去しながら、４，４’－ビフタル酸二無水物１８．９８ｇ（６４．５ミリモル）をジグリム１４０ｍＬ中に懸濁させた。２－ヒドロキシエチルメタクリレート１６．８ｇ（１２９ミリモル）、ヒドロキノン０．０５ｇ、純水０．０５ｇ及びピリジン１０．７ｇ（１３５ミリモル）を続いて添加し、６０℃の温度で１８時間撹拌した。次いで、混合物を－２０℃まで冷却した後、塩化チオニル１６．１ｇ（１３５．５ミリモル）を９０分かけて滴下した。ピリジニウムヒドロクロリドの白色沈澱が得られた。次いで、混合物を室温まで温め、２時間撹拌した後、ピリジン ９．７ｇ（１２３ミリモル）及びＮ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）２５ｍＬを添加し、透明溶液を得た。次いで、得られた透明溶液に、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル１１．８ｇ（５８．７ミリモル）をＮＭＰ１００ｍＬ中に溶解させたものを、１時間かけて滴下により添加した。次いで、メタノール５．６ｇ（１７．５ミリモル）と３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシトルエン０．０５ｇを加え、混合物を２時間撹拌した。次いで、４リットルの水の中でポリイミド前駆体樹脂を沈殿させ、水－ポリイミド前駆体樹脂混合物を５００ｒｐｍの速度で１５分間撹拌した。ポリイミド前駆体樹脂を濾過して取得し、４リットルの水の中で再度３０分間撹拌し再び濾過した。次いで、得られたポリイミド前駆体樹脂を減圧下、４５℃で３日間乾燥し、ポリマーＡ－６を得た。得られたポリマーＡ－６の重量平均分子量は２４，８００、数平均分子量は１０，５００であった。
【化39】
【0190】
［実施例１～１６及び比較例１～６］
下記の表１及び表２に示す試薬を、各表に示す量（質量部）で混合し、高速回転ミキサーを用いて攪拌して、ワニス状の感光性樹脂組成物を調製した。上述した合成例１～６で得られたポリマーＡ－１～Ａ－６は、それぞれ溶液（不揮発成分率３０％）を調製し、その溶液を混合に用いた。
下記の表１及び表２に示す試薬を、各表に示す量（質量部）で混合し、高速回転ミキサーを用いて攪拌して、ワニス状の感光性樹脂組成物を調製した。上述した合成例１～６で得られたポリマーＡ－１～Ａ－６は、それぞれ溶液（不揮発成分率３０％）を調製し、その溶液を混合に用いた。
【表1】
【表2】
【0191】
表中の略語等は以下のとおりである。
ポリマーＡ－１：合成例１で製造したポリマーＡ－１。
ポリマーＡ－２：合成例２で製造したポリマーＡ－２。
ポリマーＡ－３：合成例３で製造したポリマーＡ－３。
ポリマーＡ－４：合成例４で製造したポリマーＡ－４。
ポリマーＡ－５：合成例５で製造したポリマーＡ－５。
ポリマーＡ－６：合成例６で製造したポリマーＡ－６。
Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ０２：下記式に示す光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ０２」）
Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ０１：下記式に示す光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ０１」）
ＴＭＰＴ：下記式に示す４官能以下の光架橋剤（新中村化学工業社製「ＴＭＰＴ」）
Ａ－ＴＭＰＴ：下記式に示す４官能以下の光架橋剤（新中村化学工業社製「Ａ－ＴＭＰＴ」）
ＳＲ－２０９：テトラエチレングリコールジメタクリレート（サートマー・ジャパン社製「ＳＲ－２０９」）
ＤＰＨＡ：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、日本化薬社製、５又は６官能
ＣＮ２３０１：サートマー・ジャパン社製、９官能
ＣＮ２３０４：サートマー・ジャパン社製、１８官能
ポリマーＡ－１：合成例１で製造したポリマーＡ－１。
ポリマーＡ－２：合成例２で製造したポリマーＡ－２。
ポリマーＡ－３：合成例３で製造したポリマーＡ－３。
ポリマーＡ－４：合成例４で製造したポリマーＡ－４。
ポリマーＡ－５：合成例５で製造したポリマーＡ－５。
ポリマーＡ－６：合成例６で製造したポリマーＡ－６。
Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ０２：下記式に示す光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ０２」）
【化40】
【化41】
【化42】
【化43】
ＤＰＨＡ：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、日本化薬社製、５又は６官能
ＣＮ２３０１：サートマー・ジャパン社製、９官能
ＣＮ２３０４：サートマー・ジャパン社製、１８官能
【0192】
＜感光性フィルムの作製＞
支持体としてＰＥＴフィルム（東レ社製「ルミラーＴ６ＡＭ」、厚み３８μｍ）を用意した。各実施例及び比較例で調製した感光性樹脂組成物をかかるＰＥＴフィルムに、乾燥後の感光性樹脂組成物層の膜厚が上記表に記載の膜厚になるよう、ダイコーターにて均一に塗布し、８０℃から１２０℃で６分間乾燥することにより、ＰＥＴ上に感光性樹脂組成物層を形成した。次に、カバーフィルム（二軸延伸ポリプロピレンフィルム、王子エフテックス社製「ＭＡ－４１１」）を感光性樹脂組成物層の表面に配置し、８０℃でラミネートすることにより、支持体／感光性樹脂組成物層／カバーフィルムの三層構成の感光性フィルムを製造した。
支持体としてＰＥＴフィルム（東レ社製「ルミラーＴ６ＡＭ」、厚み３８μｍ）を用意した。各実施例及び比較例で調製した感光性樹脂組成物をかかるＰＥＴフィルムに、乾燥後の感光性樹脂組成物層の膜厚が上記表に記載の膜厚になるよう、ダイコーターにて均一に塗布し、８０℃から１２０℃で６分間乾燥することにより、ＰＥＴ上に感光性樹脂組成物層を形成した。次に、カバーフィルム（二軸延伸ポリプロピレンフィルム、王子エフテックス社製「ＭＡ－４１１」）を感光性樹脂組成物層の表面に配置し、８０℃でラミネートすることにより、支持体／感光性樹脂組成物層／カバーフィルムの三層構成の感光性フィルムを製造した。
【0193】
＜限界解像性の評価＞
シリコンウエハ上に５μｍ膜厚で銅めっきを積層し、１％塩酸水溶液で６０秒間粗化処理した基板上に、感光性フィルムの感光性樹脂組成物層が銅層の表面と接するように配置し、真空ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製、ＶＰ１６０）を用いて積層し、前記銅めっきと、前記感光性樹脂組成物層と、前記支持体とがこの順に積層された積層体を形成した。圧着条件は、真空引きの時間３０秒間、圧着温度６０℃、圧着圧力０．７ＭＰａ、加圧時間３０秒間とした。室温にて３０分間静置した後、前記積層体から支持体を剥がし取った。支持体を剥がし取った積層体を、紫外線（波長３６５ｎｍ、強度４０ｍＷ／ｃｍ２）で露光を行った。露光量は２００ｍＪ／ｃｍ２の範囲を設定した。露光パターンは開口径２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍの丸穴（ビア）を描画させる石英ガラスマスクを使用した。室温にて５分間静置した後、１００℃、３分間の加熱処理を行った。該積層板上の感光性樹脂組成物層の全面に、現像液として２３℃のシクロペンタノンをスプレー圧０．１ＭＰａにて３０秒から１００秒の間の最適時間でスプレー現像を行い、続いて、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートをスプレー圧０．１ＭＰａにて３０秒間スプレーリンスを行った。さらに１７０℃、１８０分間の加熱処理を行って感光性樹脂組成物層を硬化させた。ビアの底部の径をＳＥＭで観察（倍率１０００倍）し、残渣、剥離が無い開口可能な最小サイズを限界開口ビアとした。以下の評価基準で評価した。
〇：限界開口ビアが４０μｍ以下。
△：限界開口ビアが４０μｍを超え６０μｍ以下。
×：限界開口ビアが６０μｍ以下のものがない。
シリコンウエハ上に５μｍ膜厚で銅めっきを積層し、１％塩酸水溶液で６０秒間粗化処理した基板上に、感光性フィルムの感光性樹脂組成物層が銅層の表面と接するように配置し、真空ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製、ＶＰ１６０）を用いて積層し、前記銅めっきと、前記感光性樹脂組成物層と、前記支持体とがこの順に積層された積層体を形成した。圧着条件は、真空引きの時間３０秒間、圧着温度６０℃、圧着圧力０．７ＭＰａ、加圧時間３０秒間とした。室温にて３０分間静置した後、前記積層体から支持体を剥がし取った。支持体を剥がし取った積層体を、紫外線（波長３６５ｎｍ、強度４０ｍＷ／ｃｍ２）で露光を行った。露光量は２００ｍＪ／ｃｍ２の範囲を設定した。露光パターンは開口径２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍの丸穴（ビア）を描画させる石英ガラスマスクを使用した。室温にて５分間静置した後、１００℃、３分間の加熱処理を行った。該積層板上の感光性樹脂組成物層の全面に、現像液として２３℃のシクロペンタノンをスプレー圧０．１ＭＰａにて３０秒から１００秒の間の最適時間でスプレー現像を行い、続いて、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートをスプレー圧０．１ＭＰａにて３０秒間スプレーリンスを行った。さらに１７０℃、１８０分間の加熱処理を行って感光性樹脂組成物層を硬化させた。ビアの底部の径をＳＥＭで観察（倍率１０００倍）し、残渣、剥離が無い開口可能な最小サイズを限界開口ビアとした。以下の評価基準で評価した。
〇：限界開口ビアが４０μｍ以下。
△：限界開口ビアが４０μｍを超え６０μｍ以下。
×：限界開口ビアが６０μｍ以下のものがない。
【0194】
また、露光量を３００ｍＪ／ｃｍ２、４００ｍＪ／ｃｍ２、及び５００ｍＪ／ｃｍ２の範囲に設定した場合についても同様に評価した。
【0195】
＜断面形状（アンダーカット耐性）の評価＞
アンダーカットの観察に関してもＳＥＭで限界開口ビアを観察（倍率２０００倍）した。限界開口ビアの断面の最上部の半径（μｍ）と底部の半径（μｍ）とをＳＥＭにより測定し、底部の半径と最上部の半径との差（底部の半径－最上部の半径）を求め、求めた値をアンダーカットとし、以下の評価基準で評価した。
◎：アンダーカットが無い。
〇：アンダーカットが２μｍ未満。
△：アンダーカットが２μｍ以上４μｍ以下。
×：アンダーカットが４μｍより大きい、又はビア径が７０μｍのビアが開口していない。
アンダーカットの観察に関してもＳＥＭで限界開口ビアを観察（倍率２０００倍）した。限界開口ビアの断面の最上部の半径（μｍ）と底部の半径（μｍ）とをＳＥＭにより測定し、底部の半径と最上部の半径との差（底部の半径－最上部の半径）を求め、求めた値をアンダーカットとし、以下の評価基準で評価した。
◎：アンダーカットが無い。
〇：アンダーカットが２μｍ未満。
△：アンダーカットが２μｍ以上４μｍ以下。
×：アンダーカットが４μｍより大きい、又はビア径が７０μｍのビアが開口していない。
【0196】
【表3】
【表4】
【0197】
実施例１～１６は、露光量を、２００ｍＪ／ｃｍ２、３００ｍＪ／ｃｍ２、４００ｍＪ／ｃｍ２、及び５００ｍＪ／ｃｍ２の範囲に設定しても限界解像性に優れることがわかる。よって、実施例１～１５は露光量のプロセスウィンドウが広いことが示されている。
【0198】
また、比較例１～６は、光架橋が過剰に進行したことにより、限界解像性及び断面形状の測定をすることができなかった。