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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024118460
(43)【公開日】2024-08-30
(54)【発明の名称】積層シート、建材、電子デバイス、移動体内外装
(51)【国際特許分類】
H05K 9/00 20060101AFI20240823BHJP
B32B 7/025 20190101ALI20240823BHJP
【ＦＩ】
H05K9/00 M
B32B7/025
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024023426
(22)【出願日】2024-02-20
(31)【優先権主張番号】P 2023024148
(32)【優先日】2023-02-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000003159
【氏名又は名称】東レ株式会社
(72)【発明者】
【氏名】遠山 秀旦
(72)【発明者】
【氏名】合田 亘
(72)【発明者】
【氏名】松居 久登
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 誠
【テーマコード（参考）】
4F100
5E321
【Ｆターム（参考）】
4F100AA17A
4F100AB10A
4F100AB18A
4F100AH08A
4F100AK01A
4F100AK42B
4F100BA02
4F100CA23A
4F100EH66A
4F100GB07
4F100GB31
4F100GB41
4F100JA05B
4F100JA20B
4F100JD08
4F100JG01A
4F100JG05B
4F100YY00B
5E321AA01
5E321AA23
5E321AA41
5E321AA44
5E321AA46
5E321BB21
5E321BB23
5E321BB25
5E321BB32
5E321BB33
5E321BB44
5E321CC16
5E321GG11
5E321GH01
(57)【要約】
【課題】外観を損なわず成型性・折り曲げ性を備え、障害物での電磁波の減衰を抑制させる積層シートを提供する。
【解決手段】少なくとも、表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下のＡ層と、厚みが１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下であるＢ層を有し、２４ＧＨｚのＳ２１（透過減衰量）をＳ１１（反射減衰量）で割った値が０．０００以上０．９００以下である積層シート。
【選択図】なし
【解決手段】少なくとも、表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下のＡ層と、厚みが１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下であるＢ層を有し、２４ＧＨｚのＳ２１（透過減衰量）をＳ１１（反射減衰量）で割った値が０．０００以上０．９００以下である積層シート。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくとも、表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下のＡ層と、厚みが１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下であるＢ層を有し、２４ＧＨｚのＳ２１（透過減衰量）をＳ１１（反射減衰量）で割った値が０．０００以上０．９００以下である積層シート。
【請求項2】
Ｂ層が、複素比誘電率の実部が２．５以上２０．０以下のＢ１層を有する、請求項１に記載の積層シート。
【請求項3】
Ｂ層が、ガラス転移温度（Ｔｇ）５０度以上１５０度以下かつ結晶化度が０％以上２０％以下のＢ２層を有する、請求項２に記載の積層シート。
【請求項4】
Ｂ１層とＢ２層が別の層であり、Ｂ１層とＢ２層が交互に５層以上積層したユニットを含む、請求項３に記載の積層シート。
【請求項5】
１０ｃｍ×１０ｃｍの領域に関して厚みを１００点評価した際、平均値との誤差が±３１％以下である点が８０点以上存在する、請求項１から４のいずれかに記載の積層シート。
【請求項6】
流れ方向１０点×幅方向２点の領域から５ｍｍおきに２０個のサンプルを採取し、それぞれのサンプル断面にて０．５ｍｍおきに５点ずつ前記Ｂ層の厚みを評価した際、平均値との誤差が±３１％以下である点が８０点以上存在する、請求項１から４のいずれかに記載の積層シート。
【請求項7】
Ａ層が典型金属元素の酸化物を含む、請求項１から４のいずれかに記載の積層シート。
【請求項8】
Ａ層がアルミニウム（Ａｌ）と亜鉛（Ｚｎ）を含む、請求項７に記載の積層シート。
【請求項9】
Ｂ層とＡ層とが隣接しており、当該Ａ層１層に含まれる全てのＡｌ元素の原子数に対する、Ｂ層とＡ層との界面からＡ層の中間位置までの間に存在するＡｌの原子数比率が５０％超過である、請求項８に記載の積層シート。
【請求項10】
１０ｃｍ×１０ｃｍの領域に関してＡ層の表面抵抗率を２０点評価した際の標準偏差を、平均値で割った値（Ｔ値）が０．０以上２．０以下である、請求項１から４のいずれかに記載の積層シート。
【請求項11】
Ａ層の表面抵抗率をＲ［Ω／□］、Ｂ層の複素比誘電率の実部をＰとしたとき、以下の式を満たすＡ層とＢ層とを有する、請求項１から４のいずれかに記載の積層シート。
０．１≦Ｐ／Ｌｏｇ１０（Ｒ＋１）≦５．０
０．１≦Ｐ／Ｌｏｇ１０（Ｒ＋１）≦５．０
【請求項12】
厚みが１μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下である層を有し、かつ走査型広がり抵抗顕微鏡（ＳＳＲＭ）での抵抗値の比が０．００９１以上１１０以下である層対を有している積層シート。
【請求項13】
少なくとも、後述するＡ’層と、厚みが１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下であるＢ層を有し、２４ＧＨｚのＳ２１（透過減衰量）をＳ１１（反射減衰量）で割った値が０．０００以上０．９００以下である積層シート。
Ａ’層は、厚みが５０ｎｍ～４５０ｎｍであり、絶縁性のポリマーと導電性フィラーを有する層、金属酸化物層、および金属フッ化物層より選ばれる１種の層である。
Ａ’層は、厚みが５０ｎｍ～４５０ｎｍであり、絶縁性のポリマーと導電性フィラーを有する層、金属酸化物層、および金属フッ化物層より選ばれる１種の層である。
【請求項14】
表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下かつ最表層でないＡ層と、前記Ａ層と隣接する層とを有し、前記Ａ層と前記Ａ層に隣接する層との１つの界面を基準に走査型広がり抵抗顕微鏡（ＳＳＲＭ）で抵抗値を評価した際、界面からＡ層側に５０ｎｍぶん評価した抵抗値（ｒ１）と、界面から隣接する層側に５０ｎｍぶん評価した抵抗値（ｒ２）について、ｒ１／ｒ２の値が０．００８３～１２０である積層シート。
【請求項15】
請求項１、１２、１３、１４のいずれかに記載の、ウィンドウフィルム用積層シート。
【請求項16】
請求項１、１２、１３、１４のいずれかに記載の積層シートを有する、建材。
【請求項17】
請求項１、１２、１３、１４のいずれかに記載の積層シートを有する、電子デバイス。
【請求項18】
請求項１、１２、１３、１４のいずれかに記載の積層シートを有する、移動体内外装。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、障害物での電磁波の減衰を抑制させる積層シートに関する。
【背景技術】
【0002】
ミリ波帯域の電磁波の利用が広がる中、高周波電磁波特有の減衰の大きさ、直進性の高さのために、通信範囲が狭いことが課題となっている。
【0003】
例えば窓ガラスではメタマテリアルにより電磁波の減衰を抑制し、さらに電磁波の向きを操作することで通信範囲を最適化するといった技術が開示されている（特許文献１、２）。また熱線反射層が設けられた窓ガラスでは熱線反射層での電磁波の反射による減衰が発生することから、熱線反射層の電磁波透過性を高める技術も知られている（特許文献３）。特許文献４には、電波を遮蔽してしまうガラスなどの構造物に誘電体を貼り付けることで透過率を向上させる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】国際公開第２０１２／００８５５１号
【特許文献2】特開２００２－１７１１２０号公報
【特許文献3】国際公開第２０１３／１２２１８１号
【特許文献4】国際公開第２０２１／０９３７１９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら特許文献１、２に示したようなメタマテリアル技術は形成されたパターンが変形するような折り曲げや成型は行えず、また透明性が要求される場合にはパターンが可視光線透過率の低下を引き起こすなどして外観を損なうという課題があった。また特許文献３に記載の技術は熱線反射層の電磁波透過率を高めるものであり、ガラスでの反射による電磁波減衰を抑えることはできていなかった。特許文献４に記載の技術は貼り付ける誘電体が非常に厚いため、平坦な構造物以外に用いることはできなかった。
【0006】
以上の背景を踏まえ、本発明では外観を損なわず成型性・折り曲げ性を備え、障害物での電磁波の減衰を抑制させる積層シートを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記の課題を解決するために、本発明の好ましい一態様は次の構成からなる。
（１）少なくとも、表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下のＡ層と、厚みが１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下であるＢ層を有し、２４ＧＨｚのＳ２１（透過減衰量）をＳ１１（反射減衰量）で割った値が０．０００以上０．９００以下である積層シート。
（２）Ｂ層が、複素比誘電率の実部が２．５以上２０．０以下のＢ１層を有する、（１）に記載の積層シート。
（３）Ｂ層が、ガラス転移温度（Ｔｇ）５０度以上１５０度以下かつ結晶化度が０％以上２０％以下のＢ２層を有する、（１）または（２）に記載の積層シート。
（４）Ｂ１層とＢ２層が別の層であり、Ｂ１層とＢ２層が交互に５層以上積層したユニットを含む、（３）に記載の積層シート。
（５）１０ｃｍ×１０ｃｍの領域に関して厚みを１００点評価した際、平均値との誤差が±３１％以下である点が８０点以上存在する、（１）から（４）のいずれかに記載の積層シート。
（６）流れ方向１０点×幅方向２点の領域から５ｍｍおきに２０個のサンプルを採取し、それぞれのサンプル断面にて０．５ｍｍおきに５点ずつ前記Ｂ層の厚みを評価した際、平均値との誤差が±３１％以下である点が８０点以上存在する、（１）から（５）のいずれかに記載の積層シート。
（７）Ａ層が典型金属元素の酸化物を含む、（１）から（６）のいずれかに記載の積層シート。
（８）Ａ層がアルミニウム（Ａｌ）と亜鉛（Ｚｎ）を含む、（７）に記載の積層シート。
（９）Ｂ層とＡ層とが隣接しており、当該Ａ層１層に含まれる全てのＡｌ元素の原子数に対する、Ｂ層とＡ層との界面からＡ層の中間位置までの間に存在するＡｌの原子数比率が５０％超過である、（７）または（８）に記載の積層シート。
（１０）１０ｃｍ×１０ｃｍの領域に関してＡ層の表面抵抗率を２０点評価した際の標準偏差を、平均値で割った値（Ｔ値）が０．０以上２．０以下である、（１）から（９）のいずれかに記載の積層シート。
（１１）Ａ層の表面抵抗率をＲ［Ω／□］、Ｂ層の複素比誘電率の実部をＰとしたとき、以下の式を満たすＡ層とＢ層とを有する、（１）から（１０）のいずれかに記載の積層シート。
（１）少なくとも、表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下のＡ層と、厚みが１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下であるＢ層を有し、２４ＧＨｚのＳ２１（透過減衰量）をＳ１１（反射減衰量）で割った値が０．０００以上０．９００以下である積層シート。
（２）Ｂ層が、複素比誘電率の実部が２．５以上２０．０以下のＢ１層を有する、（１）に記載の積層シート。
（３）Ｂ層が、ガラス転移温度（Ｔｇ）５０度以上１５０度以下かつ結晶化度が０％以上２０％以下のＢ２層を有する、（１）または（２）に記載の積層シート。
（４）Ｂ１層とＢ２層が別の層であり、Ｂ１層とＢ２層が交互に５層以上積層したユニットを含む、（３）に記載の積層シート。
（５）１０ｃｍ×１０ｃｍの領域に関して厚みを１００点評価した際、平均値との誤差が±３１％以下である点が８０点以上存在する、（１）から（４）のいずれかに記載の積層シート。
（６）流れ方向１０点×幅方向２点の領域から５ｍｍおきに２０個のサンプルを採取し、それぞれのサンプル断面にて０．５ｍｍおきに５点ずつ前記Ｂ層の厚みを評価した際、平均値との誤差が±３１％以下である点が８０点以上存在する、（１）から（５）のいずれかに記載の積層シート。
（７）Ａ層が典型金属元素の酸化物を含む、（１）から（６）のいずれかに記載の積層シート。
（８）Ａ層がアルミニウム（Ａｌ）と亜鉛（Ｚｎ）を含む、（７）に記載の積層シート。
（９）Ｂ層とＡ層とが隣接しており、当該Ａ層１層に含まれる全てのＡｌ元素の原子数に対する、Ｂ層とＡ層との界面からＡ層の中間位置までの間に存在するＡｌの原子数比率が５０％超過である、（７）または（８）に記載の積層シート。
（１０）１０ｃｍ×１０ｃｍの領域に関してＡ層の表面抵抗率を２０点評価した際の標準偏差を、平均値で割った値（Ｔ値）が０．０以上２．０以下である、（１）から（９）のいずれかに記載の積層シート。
（１１）Ａ層の表面抵抗率をＲ［Ω／□］、Ｂ層の複素比誘電率の実部をＰとしたとき、以下の式を満たすＡ層とＢ層とを有する、（１）から（１０）のいずれかに記載の積層シート。
【0008】
０．１≦Ｐ／Ｌｏｇ１０（Ｒ＋１）≦５．０
（１２）厚みが１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下である層を有し、かつ走査型広がり抵抗顕微鏡（ＳＳＲＭ）での抵抗値の比が０．００９１以上１１０以下である層対を有している積層シート。
（１３）少なくとも、後述するＡ’層と、厚みが１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下であるＢ層を有し、２４ＧＨｚのＳ２１（透過減衰量）をＳ１１（反射減衰量）で割った値が０．０００以上０．９００以下である積層シート。
Ａ’層は、厚みが５０ｎｍ～４５０ｎｍであり、絶縁性のポリマーと導電性フィラーを有する層、金属酸化物層、および金属フッ化物層より選ばれる１種の層である。
（１４）表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下かつ最表層でないＡ層と、前記Ａ層と隣接する層とを有し、前記Ａ層と前記Ａ層に隣接する層との１つの界面を基準に走査型広がり抵抗顕微鏡（ＳＳＲＭ）で抵抗値を評価した際、界面からＡ層側に５０ｎｍぶん評価した抵抗値（ｒ１）と、界面から隣接する層側に５０ｎｍぶん評価した抵抗値（ｒ２）について、ｒ１／ｒ２の値が０．００８３～１２０である積層シート。
（１５）（１）から（１４）のいずれかに記載の、ウィンドウフィルム用積層シート。
（１６）（１）から（１４）のいずれかに記載の積層シートを有する、建材。
（１７）（１）から（１４）のいずれかに記載の積層シートを有する、電子デバイス。
（１８）（１）から（１４）のいずれかに記載の積層シートを有する、移動体内外装。
（１２）厚みが１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下である層を有し、かつ走査型広がり抵抗顕微鏡（ＳＳＲＭ）での抵抗値の比が０．００９１以上１１０以下である層対を有している積層シート。
（１３）少なくとも、後述するＡ’層と、厚みが１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下であるＢ層を有し、２４ＧＨｚのＳ２１（透過減衰量）をＳ１１（反射減衰量）で割った値が０．０００以上０．９００以下である積層シート。
Ａ’層は、厚みが５０ｎｍ～４５０ｎｍであり、絶縁性のポリマーと導電性フィラーを有する層、金属酸化物層、および金属フッ化物層より選ばれる１種の層である。
（１４）表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下かつ最表層でないＡ層と、前記Ａ層と隣接する層とを有し、前記Ａ層と前記Ａ層に隣接する層との１つの界面を基準に走査型広がり抵抗顕微鏡（ＳＳＲＭ）で抵抗値を評価した際、界面からＡ層側に５０ｎｍぶん評価した抵抗値（ｒ１）と、界面から隣接する層側に５０ｎｍぶん評価した抵抗値（ｒ２）について、ｒ１／ｒ２の値が０．００８３～１２０である積層シート。
（１５）（１）から（１４）のいずれかに記載の、ウィンドウフィルム用積層シート。
（１６）（１）から（１４）のいずれかに記載の積層シートを有する、建材。
（１７）（１）から（１４）のいずれかに記載の積層シートを有する、電子デバイス。
（１８）（１）から（１４）のいずれかに記載の積層シートを有する、移動体内外装。
【発明の効果】
【0009】
本発明により、外観を損なわず成型性・折り曲げ性を備え、障害物での電磁波の減衰を抑制させる積層シートを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】積層シートの全体厚みを測定する際の測定点の一例を模式的に示す俯瞰図である。
【図2】積層シートのサンプル面積が小さい場合における積層シートの全体厚みを測定する際の測定点の一例を模式的に示す俯瞰図である。
【図3】積層シートのＢ層厚みを測定する際における、積層シートからの測定サンプル切り出し箇所の一例を示す俯瞰図である。なお図中のＸは長手方向、ＹはＸと直角となる方向である。
【図4】積層シートのＢ層厚みを測定する際における測定箇所の一例を示す断面図である。なお図中のＸは長手方向、Ｚは厚み方向である。
【図5】積層シートのＡ層とＡ層と隣接する層の抵抗率を測定する際における測定箇所の一例を示す断面図である。
【図6】電磁波透過性を評価する際の位置関係をレーダーの横から見た際の模式図である。
【図7】電磁波透過性を評価する際の位置関係をレーダーの後ろから見た際の模式図である。
【図8】好ましい延伸倍率の範囲を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0011】
本発明の本発明の積層シートの好ましい一態様は、少なくとも、表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下のＡ層と、厚みが１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下であるＢ層を有し、２４ＧＨｚのＳ２１（透過減衰量）をＳ１１（反射減衰量）で割った値が０．０００以上０．９００以下である積層シート、である。本態様とすることにより外観を損なわず成型性・折り曲げ性を備え、障害物での電磁波の減衰を抑制させる積層シートを提供することができる。
【0012】
本発明の積層シートは、表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下の層（以降これをＡ層と呼ぶことがある）少なくとも１層を有することが好ましい。特に好ましくはＡ層が最表層となっている場合であり、本構成とすることで大気層と障害物の間のインピーダンスの変化を緩やかにし、反射による電磁波の減衰を抑えることができる。つまり本フィルムがない場合には大気と障害物の界面でのインピーダンス変化が大きいため大きな反射が発生してしまう。そこで大気、Ａ層、障害物の順にインピーダンスを変化させてゆくことで、反射を抑制することができる。同様の観点から、大気、Ａ層、後述するＢ層、障害物の順にインピーダンスを変化させてゆくことで、反射をより抑制することができる。インピーダンスを変更する方法としては誘電率・透磁率・導電性を制御する方法が考えられる。従来の可視光領域における反射による電磁波の減衰抑制では誘電率（屈折率）を制御する例が多かったが、発明者らは検討の結果、ミリ波帯域の通信では最表層の表面抵抗率を１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下の範囲とすることで反射を大きく抑制させることができることを見出した。なお、最表層の表面抵抗率は実施例に記載の方法で求めるものとする。なお、Ａ層が露出していない場合は、剥離か研磨を行い当該層内部が露出するようにして同様に測定するものとする。また、Ａ層は表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下の層であり、例えば、表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下となる層（ａ１層）が存在し、さらに表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下となる層（ａ２層）が隣接して存在する場合は、ａ１層とａ２層をまとめてＡ層として扱うものとする。なお、例えば、表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下となる層（ａ３層）が存在し、その上に表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下とならない層（Ｑ層）が存在し、さらにその上に表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下となる層（ａ４層）が存在する場合は、ａ３層、ａ４層それぞれがＡ層に該当する。
【0013】
具体的には最表層の表面抵抗率を１．０×１０９Ω／□以上とすることにより、最表層のインピーダンスを大気のインピーダンスに近づけ大気から本発明の積層シートに電磁波が入射する際の反射を抑えることができるので、ミリ波帯域における反射による電磁波の減衰を抑えることができる。つまり、大気のインピーダンスが３７７Ωであり、表面抵抗率を１．０×１０９Ω／□以上とすることで最表層のインピーダンスが３７７Ωに近づくためと考えられる。同様の観点から当該表面抵抗率は５．０×１０９Ω／□以上であることがより好ましい。また、最表層の表面抵抗率を１．０×１０１２Ω／□以下の範囲とすることにより、Ａ層のインピーダンスを後述するＢ層のインピーダンスに近づけてＡＢ層間での電磁波の反射を抑えることができるので、ミリ波帯域における反射による電磁波の減衰を抑えることができる。その理由として後述するようにＢ層は電磁波の吸収を抑えるために複素比誘電率の虚部が低いことから大気よりもインピーダンスが小さく、最表層の表面抵抗率を１．０×１０１２Ω／□以下とすることでＡ層のインピーダンスがＢ層のインピーダンスに近くなるからと考えられる。同様の観点から当該表面抵抗率は１．０×１０１１Ω／□以下であることがより好ましい。なおＢ層のインピーダンスが周波数依存性を示す場合は透過したい電磁波の周波数帯域でのインピーダンスを考慮して、表面抵抗率を設計することが好ましいが、上述したように、ミリ波帯域用においては特に表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下の範囲とすることが好ましい。
【0014】
なお、本発明の積層シートには表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下の層が複数あってもよいが、片方の最表層において表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下の層を有していることが好ましい。
【0015】
また、Ａ層が積層シートの最表層になく、内部にある場合も積層シート内の層間のインピーダンス変化を緩和し、反射を抑制することが可能となる。特に窓ガラスなど外環境に直接触れる場合はＡ層よりも表層側にハードコートや耐候層を設けることが想定される。そういった場合においては、一般的にはハードコートや耐候層のインピーダンスと後述するＢ層のインピーダンスとは大きく離れているが、表面抵抗率が１．０×１０９Ω／□以上１．０×１０１２Ω／□以下の層（Ａ層）のインピーダンスはその間に位置することができるのでＡ層が内部にある場合もハードコートや耐候層と後述するＢ層との間におけるインピーダンス変化を緩和することができる。同様の観点から、本発明の積層シートは最表層、Ａ層、Ｂ層の順に各層を有することが好ましい。
【0016】
なお、Ａ層が内部にある場合には、層間のインピーダンス変化を緩和する観点から隣り合う層と近い電気的物性であると好ましい。具体的には積層シートの断面をミクロトームやイオンミリングなど任意の方法で露出させ、Ａ層とＡ層に隣接する層との１つの界面を基準に走査型広がり抵抗顕微鏡（ＳＳＲＭ）で抵抗値を評価した際、界面からＡ層側に５０ｎｍぶん評価した抵抗値（ｒ１）と、界面から隣接する層側に５０ｎｍぶん評価した抵抗値（ｒ２）について、ｒ１／ｒ２の値が０．００８３～１２０であることが好ましい。同様の観点からｒ１／ｒ２の値が０．１～１０であることがより好ましい。また、同様の観点からＡ層の両方の界面について、隣接層１、Ａ層、隣接層２とした場合、順に隣接層１抵抗値（ｒ３）、Ａ層側（隣接層１寄り）抵抗値（ｒ４）、Ａ層側（隣接層２寄り）抵抗値（ｒ５）、隣接層２抵抗値（ｒ６）としたとき、ｒ３／ｒ４の値が０．００８３～１２０かつｒ５／ｒ６の値が０．００８３～１２０であることがより好ましく、ｒ３／ｒ４の値が０．０１～１００かつｒ５／ｒ６の値が０．０１～１００であることがさらに好ましい。
【0017】
走査型広がり抵抗顕微鏡（ＳＳＲＭ）は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の応用技術であり、これにより微細な領域において高い分解能で電気特性を評価することができる。具体的に、バイアスが印加された試料の断面を導電性探針で走査し、抵抗値の分布を二次元的に計測することで探針直下の広がり抵抗の分布を求めることができる。これを各層で平均化し、各層の抵抗値を求めることができる。なお、本顕微鏡観察では、試料にバイアス電圧を加えて、探針直下に存在するキャリアを探針に流入させ、その電流を対数アンプで増幅して、抵抗値として計測する。このとき、印加したバイアス電圧は、探針の直下で急激に減衰するため、探針に流入できるキャリアは、探針の極近傍に存在するものに限られ、これを抵抗値として検出することになる。このような局所的な抵抗を広がり抵抗と呼ぶ。詳細な測定方法は実施例に記載の方法とする。
【0018】
ここで層とは積層シートの内、積層シートの面内方向に広がった一部分を意味しており、必ずしも均一である必要はない。具体的には粒子を含有した不均一な部分を有する場合や、厚み方向に物性が変化する場合でも一つの層として呼称する場合がある。
【0019】
Ａ層の表面抵抗率や隣接する層との抵抗値の比を上記範囲とする方法には、例えばＡ層について絶縁性のポリマーと導電性フィラーを有する層とする方法が挙げられる。ポリマーは熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂が考えられるが成型性の観点からはＡ層は熱可塑性樹脂を有することが好ましい。特にポリエチレンテレフタレートやその共重合体、ポリブチレンテレフタレートやその共重合体、ポリカーボネート、ポリアクリルより選ばれる１種以上の樹脂を有することが好ましい。これら樹脂は透明性に優れ、外観の観点から好ましい。導電性のフィラーとしては炭素系粒子、金属系粒子、導電性有機粒子より選ばれる１種以上を有することが好ましい。外観との両立の観点からは金属ナノ粒子および／またはカーボンナノチューブを用いることが特に好ましい。他にもＡ層は金属酸化物層および／または金属フッ化物層であることが好ましい。金属酸化物層や金属フッ化物層はスパッタや蒸着、化学気相成長（ＣＶＤ）等で形成することができる。Ａ層を金属酸化物層および／または金属フッ化物層とすると透明性、薄膜化が容易となるので好ましい。金属酸化物は酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ニオブ、酸化インジウム、酸化スズやこれら金属酸化物を含む２種類以上の合金であることが好ましい。金属フッ化物はフッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化アルミニウム、フッ化アンチモンや、これら金属フッ化物を含む２種類以上の合金であることが好ましい電気特性を大きく悪化させない範囲内で着色や光沢をもたせることも可能である。
【0020】
すなわち、本発明の積層シートの好ましい一態様は、少なくとも、後述するＡ’層と、厚みが１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下であるＢ層を有し、２４ＧＨｚのＳ２１（透過減衰量）をＳ１１（反射減衰量）で割った値が０．０００以上０．９００以下である積層シート、である。
Ａ’層は、絶縁性のポリマー中と導電性フィラーを有する層、金属酸化物層、および金属フッ化物層より選ばれる１種の層である。
Ａ’層は、絶縁性のポリマー中と導電性フィラーを有する層、金属酸化物層、および金属フッ化物層より選ばれる１種の層である。
【0021】
なお、本明細書における好ましい一態様において、Ａ層をＡ’層に置き換えた態様も本発明に係る好ましい一態様である。また、Ａ’層が金属酸化物層、および金属フッ化物層より選ばれる１種の層である場合はＡ’層の厚みが５０ｎｍ～４５０ｎｍであることが好ましい。
【0022】
電磁波の透過性の観点から、本発明の積層シートは、１０ｃｍ×１０ｃｍの領域に関してＡ層の表面抵抗率を２０点評価した際の標準偏差を、平均値で割った値（Ｔ値）が０．０以上２．０以下であることが好ましい。本発明者らは種々の積層シートで検討したところ、Ａ層の表面抵抗率のバラツキがミリ波帯域の電磁波の透過率に非常に大きく影響を与えることを見出した。Ｔ値が２．０を超える場合、Ａ層面内で表面抵抗率にむらが発生している状態であり、部分的な電磁波反射によって干渉することで電磁波の透過率が大きく減少すると推測している。サンプリングの仕方など、Ｔ値の測定方法は実施例に記載の通りとする。同様の観点からＴ値はより好ましくは０．０以上１．５以下であり、さらに好ましくは０．０以上１．０以下である。なお、Ａ層が複数存在する場合は少なくとも１つのＡ層においてＴ値が０．０以上２．０以下であることが好ましく、すべてのＡ層においてＴ値が０．０以上２．０以下であることがより好ましい。また、最表層に位置するＡ層においてＴ値が０．０以上２．０以下であることが好ましい。
【0023】
Ｔ値を該範囲とする方法としては、例えば厚みムラの小さいシートに蒸着またはスパッタにて金属酸化物層および／または金属フッ化物層を製膜する方法を好ましく挙げることができる。なかでもスパッタ法で設けることがより好ましい。特にＡ層を酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化亜鉛と酸化アルミニウムの複合酸化物より選ばれる１種以上の金属酸化物を含む層とすることが安定した表面抵抗率の層を形成する点で好ましい。また金属酸化物を蒸着またはスパッタで作成する場合は製膜時のフィルム温度を精密に一定に制御し、フィルム幅に対して十分大きい蒸着／スパッタ源を用いる方法とすることが好ましい。ほかにも、例えば導電性フィラーを用いる場合には、フィラーを均一に分散させることが有効であり、フィラーに樹脂との相互作用を高める表面処理を施す方法や、十分に強い剪断力で混練する方法が挙げられる。
【0024】
また本発明の積層シートは厚みが１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下となる層（Ｂ層）を、少なくとも一つ有することが好ましい。Ｂ層は後述するように複数の層からなる場合もあるため、積層シート内で厚みが１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下となる任意の層をＢ層と定義する。なお、ここでは複素比誘電率は、比誘電率を複素表現で表した値であり、厚みおよび２４ＧＨｚにおける複素比誘電率は実施例に記載の方法で求めるものとする。なお、例えば複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下の層（ｂ１層）と隣接して複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下の層（ｂ２層）が存在するという場合は、ｂ１層とｂ２層をまとめてＢ層とみなし、複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下の層（ｂ３層）と隣接して複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下ではない層（Ｕ層）が存在し、さらにＵ層と隣接してｂ３層の反対側に複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下の層（ｂ４層）が存在するという場合はｂ３層、ｂ４層のそれぞれが別のＢ層とみなす。
【0025】
Ｂ層は障害物での電磁波の減衰の原因である干渉反射を抑制するために設けられる層であり、１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下の厚みを有することで電磁波の位相をずらし、干渉を抑制することが可能になる。つまり従来は障害物表面で反射した電磁波と、障害物に入射し障害物の裏面で反射することで位相が障害物の光学厚み分ずれた電磁波が干渉しあうことで強め合い、強い干渉反射が発生し、透過する電磁波が大きく減衰してしまう場合があった。ここで光学厚みとは層厚みに複素比誘電率の実部の平方根を掛けた値であり、電磁波が層を横断するときと同時間内に真空中を進む距離に相当する。本発明のフィルムを用いることで障害物の厚みや素材を変えることなく、干渉する周波数帯域をずらして透過性を上げることができる。
【0026】
干渉反射を抑制するためには少なくともλ／４以上の光学厚みを有することが好ましい。ここでλは目的とする電磁波の波長を意味する。また光学厚みとは媒質の厚みに屈折率（複素比誘電率の実部の平方根）を掛けた値であり、電磁波が媒質中を進むときと同時間内に真空中を進む距離に相当し、波長と比較することで媒質を通過した前後での位相のずれが推定できる。光学厚みがλ／４以上あることで障害物が厚く、位相を大きくずらす必要がある場合にも対応可能となる。厚くなりすぎると扱いにくくなることも考慮すると、少なくとも１つのＢ層の光学厚みは好ましくは９．５μｍ以上１．１×１０３μｍ以下であり、さらに好ましくは６．３×１０１μｍ以上８．５×１０２μｍ以下である。つまり周波数帯や取り回しを考慮すると、少なくとも１つのＢ層の厚みは１．０×１０１μｍ以上５．０×１０２μｍ以下であり、さらに好ましくは４．０×１０１μｍ以上３．０×１０２μｍ以下であることが好ましい。
【0027】
また、干渉反射を抑えたとしてもＢ層の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４未満である場合は隣接する層とのインピーダンスの差が大きくなることで、界面での反射による減衰が大きくなる場合がある。またＢ層の複素比誘電率の虚部が２．０×１０－１を超える場合には、Ｂ層内部で電磁波のエネルギーが熱エネルギーに変換されてしまい、減衰が大きくなる場合がある。よってＢ層の複素比誘電率の虚部を１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下とすることが好ましい。同様の観点からＢ層の複素比誘電率の虚部はさらに好ましくは１．０×１０－４以上１．５×１０－１以下であり、最も好ましくは１．０×１０－４以上１．０×１０－１以下である。
【0028】
複素比誘電率の虚部を該範囲とする方法は、例えばＢ層を構成する樹脂の極性基の割合を調整する方法が挙げられる。複素比誘電率の虚部は、極性基の構成からおおよそクラウジス・モソッティの関係式およびクラマース・クローニッヒの関係式から推察され、本発明の積層シートに求められる複素比誘電率の虚部の範囲を満たす樹脂としてはポリカーボネート、ＡＢＳ樹脂、ポリエステル、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、液晶ポリマー、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステルといった熱硬化性樹脂などが挙げられる。すなわち、Ｂ層はポリカーボネート、ＡＢＳ樹脂、ポリエステル、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、液晶ポリマー、ポリオレフィン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂より選ばれる１種以上の樹脂を含むことが好ましい。複素比誘電率の虚部の調整のためにフッ素系置換基やヒドロキシ基を有することもできる。
【0029】
本発明の積層シートは２４ＧＨｚのＳ２１（透過減衰量）をＳ１１（反射減衰量）で割った値（Ｓ２１／Ｓ１１）が０．０００以上０．９００以下であることが好ましい。従来の電磁波透過性の材料は電磁波をどれだけ透過するか（透過減衰量）または反射するか（反射減衰量）のいずれか一方で議論されてきたが、発明者らが種々の積層シートについて検討した結果、両方の値の比において好ましい領域があることを発見した。もともとＳ２１／Ｓ１１は０から無限大の値を取りうるが、そのなかでもＳ２１／Ｓ１１が０に近いことが好ましい。
【0030】
想定されるメカニズムとしては、障害物での減衰は反射に加えて吸収と散乱が存在するが、中でも反射は信号源へのノイズとなるため最も避けたい減衰要因となる。つまり、透過減衰量だけでは吸収による減衰と散乱による減衰と反射による減衰を並列に評価するため、反射の影響を低く見積もっていた。また、反射減衰量だけでは吸収による減衰と散乱による減衰の影響を考慮できていなかったと考えられる。よって、透過減衰量と反射減衰量の影響を同時に加味できるＳ２１／Ｓ１１を０．０００以上０．９００以下とすることで、全体的な電磁波の透過特性を向上できると考えている。同様の観点からＳ２１／Ｓ１１は好ましくは０．０００以上０．０３０以下であり、さらに好ましくは０．０００以上０．０２０以下である。なお、上記Ｓ２１（透過減衰量）、Ｓ１１（反射減衰量）は実施例に記載の方法で求めるものとする。
【0031】
本発明の積層シートは前記Ｂ層が、複素比誘電率の実部２．５以上２０．０以下のＢ１層を有することが好ましい。
【0032】
当該複素比誘電率の実部が２．５以上であることで光路長を長くし、薄膜でも十分に位相をずらして干渉を抑制することが可能となる。また当該複素比誘電率の実部が２０．０超過である場合は隣接する層との界面での反射が問題となる場合がある。当該複素比誘電率の実部はより好ましくは２．５以上１５．０以下であり、さらに好ましくは３．０以上１０．０以下である。当該複素比誘電率の実部を該範囲とする方法は例えばＢ１層を構成する樹脂に高分極性の官能基を共重合させる方法が挙げられる。ここでもクラウジス・モソッティの関係式よりおおよその設計を行うことが可能である。また用途によっては透明性などの物性を損なわない程度に導電性材料や高誘電率のセラミック材料を添加する方法も挙げられる。
【0033】
本発明の積層シートは前記Ｂ層が、ガラス転移温度（Ｔｇ）５０度以上１５０度以下かつ結晶化度が０％以上２０％以下のＢ２層を有することが好ましい。Ｔｇや結晶化度は示差熱量分析（ＤＳＣ）を用いて求めるものとする。Ｔｇが５０度未満の場合には使用環境で十分な強度が得られない場合がある。またＴｇを１５０℃以下とすることで加工時に良好な可撓性や成型性を得ることができる。結晶化度が２０％以下の層を有することで、透明性が高まり、また加工時に良好な可撓性や成型性を得ることができる。Ｔｇの範囲は好ましくは５０度以上１２０度以下であり、更に好ましくは５０度以上９０度以下であり、特に好ましくは５０度以上７５度以下である。Ｔｇを該範囲とする方法としては例えば層を構成する樹脂に適切な共重合成分を添加する方法が挙げられる。ポリエステルであれば例えばテレフタル酸、イソフタル酸、アジピン酸、ダイマー酸、ナフタレンジカルボン酸、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、シクロヘキサンジメタノール、イソソルビド、ポリエチレングリコール、ネオペンチルグリコール、フルオレングリコールなどから３種類以上の成分を有することが好ましい。結晶化度はより好ましくは１５％以下、更に好ましくは１０％以下である。結晶化度を該範囲とする方法としては、製膜時に適当な温度で熱結晶化もしくは融解・急冷することが好ましい。具体的にはＴｇ以上の温度で熱処理することで結晶化度を向上させ、融点付近で熱処理後に急冷することで結晶化度を下げることができる。
【0034】
本発明の積層シートは前記Ｂ１層と前記Ｂ２層が別の層であり、交互に５層以上積層したユニットを含むことが好ましい。例えば、Ｂ１層／Ｂ２層／Ｂ１層／Ｂ２層／Ｂ１層構成のものは、Ｂ１層とＢ２層が交互に５層以上積層したユニット、に該当する。より好ましくは１５層以上、更に好ましくは４９層以上である。積層構成とすることでＢ１層とＢ２層の機能を分離し、複素比誘電率の実部は高いが加工性に劣るＢ１層をＢ２層でサポートすることが可能になる。各層厚みが薄いほど光学的に均一に近づき散乱がなく透明性の高い積層シートが得られる。層数は製膜時に所望の層数のマルチマニホールドダイやフィードブロックやスタティックミキサー等を用いることで調整できる。
【0035】
本発明の積層シートは１０ｃｍ×１０ｃｍの領域に関して厚みを１００点評価した際、平均値との誤差が±３１％以下である点が８０点以上存在することが好ましい。
【0036】
本発明者らは種々の積層シートで検討したところ、積層シートの厚みバラツキがミリ波帯域の電磁波の透過率に非常に大きく影響を与えることを見出した。さらに好ましくは±２０％以下の点が８０点以上、特に好ましくは±１０％以下の点が８０点以上、最も好ましくは±５％以下の点が８０点以上である。厚み範囲を±３１％以下とすることで、厚みに影響される干渉による減衰をむらなく抑えることが可能になる。また表面散乱による減衰も抑えることができる。更には厚み誤差によって僅かに位相がずれた電磁波同士が干渉することで、抑制困難な共振波が発生することやそれによる透過率の低下も抑制できると考えている。
【0037】
厚み誤差を該範囲とする方法は、例えば製膜時の延伸倍率・温度を好適な範囲とする方法が挙げられる。具体的にはポリエステルであれば延伸温度はＴｇ以上Ｔｇ＋２０℃以下の範囲が好ましい。延伸倍率は、未延伸の積層シートを延伸温度で延伸し応力歪み曲線を描いた際に、延伸張力が連続的に増加する範囲内の倍率とする方法が好ましい（図８）。延伸温度が低すぎる場合はネッキング延伸による厚みむらが発生する場合があり、高すぎる場合はドロー延伸となり延伸張力が連続的に増加する範囲が得られない場合がある。また延伸張力が連続的に低下または変化しない領域で延伸すると、延伸初期に僅かな応力むらで誘電的に延伸され薄くなった部分が更に優先的に延伸されることになり厚みむらが大きくなる場合がある。
【0038】
本発明の積層シートは流れ方向１０点×幅方向２点の領域から５ｍｍおきに２０個のサンプルを採取し、それぞれのサンプル断面にて０．５ｍｍおきに５点ずつ前記Ｂ層の厚みを評価した際、つまり合計１００点の厚みを評価した際に、平均値との誤差が±３１％以下である点が８０点以上存在することが好ましい。さらに好ましくは±２０％以下の点が８０点以上、特に好ましくは±１０％以下の点が８０点以上、最も好ましくは±５％以下の点が８０点以上である。Ｂ層は干渉抑制のための層であり、厚み範囲を±３１％以下とすることで、厚みに影響される干渉による減衰をむらなく抑えることが可能になる。厚み誤差を該範囲とする方法としては、例えば前段落の方法に加えてＢ層を構成する樹脂を好ましい物性の樹脂とする方法が挙げられる。具体的には高分子量な樹脂や分岐を有する樹脂を用いることで絡み合いによる延伸張力の連続的増加を狙う方法が挙げられる。
【0039】
本発明の積層シートは前記Ｂ層がポリエステル樹脂を主成分とすることが成型性、透明性、電磁波透過性などの観点から好ましい。なお、ポリエステル樹脂を主成分とする、とは当該層１００質量％中、ポリエステル樹脂を５０質量％以上含むことをいう。ポリエステル樹脂とは、芳香族ジカルボン酸または脂肪族ジカルボン酸とジオールとを主たる構成成分とする単量体からの重合により得られる縮重合体のことである。
【0040】
ここで、芳香族ジカルボン酸としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、フタル酸、１，４－ナフタレンジカルボン酸、１，５－ナフタレンジカルボン酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸、４，４′－ジフェニルジカルボン酸、４，４´－ジフェニルエーテルジカルボン酸、４，４´－ジフェニルスルホンジカルボン酸などを挙げることができる。脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、アジピン酸、スベリン酸、セバシン酸、ダイマー酸、ドデカンジオン酸、１，４－シクロヘキサンジカルボン酸とそれらのエステル誘導体などが挙げられる。ジカルボン酸成分はこれらのうち１種類を用いても良く、２種以上を併用して用いてもよい。
【0041】
また、ジオール成分としては、例えば、エチレングリコール、１，２－プロパンジオール、１，３－プロパンジオール、ネオペンチルグリコール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、１，５－ペンタンジオール、１，６－ヘキサンジオール、１，２－シクロヘキサンジメタノール、１，３－シクロヘキサンジメタノール、１，４－シクロヘキサンジメタノール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリアルキレングリコール、２，２－ビス（４－ヒドロキシエトキシフェニル）プロパン、イソソルベート、スピログリコールなどを挙げることができる。中でもエチレングリコールが好ましく用いられる。これらのジオール成分は１種類のみ用いてもよく、２種以上併用してもよい。
【0042】
成型性を考慮して芳香族ジカルボン酸を含むことが好ましい。導電性粒子の分散性を考慮してエチレングリコール、１，２－プロパンジオール、１，３－プロパンジオール、１，４－ブタンジオールのうち少なくともいずれか一つを含むことが好ましい。
また、前記Ｂ層は二軸配向していることが好ましい。
また、前記Ｂ層は二軸配向していることが好ましい。
【0043】
本発明の積層シートはＡ層が典型金属元素の酸化物を含むことが好ましい。典型金属元素とは、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｒｂ、Ｓｔ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉを含み、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｔｅを含まない。なお、Ａ層は典型金属元素以外の元素を含んでいてもよい。典型金属元素の酸化物を用いることで、軽量かつ透明性の高い反射抑制層とすることが容易となる。また遷移元素と比較して地表表面に豊富に存在する点や毒性が少ない点もコストや取り扱いの容易さから好ましい。Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｂなどの１２、１３、１４族元素を用いることが安定性や表面抵抗率の調整の観点から好ましい。ＡｌとＺｎを両方含むことが水分によるＡ層の劣化軽減の観点から特に好ましい。
【0044】
また、Ｂ層とＡ層とが隣接しており、当該Ａ層１層に含まれる全てのＡｌ元素の原子数に対する、Ｂ層とＡ層との界面からＡ層の中間位置までの間に存在するＡｌの原子数比率が５０％超過であることが好ましい。例えば、Ａ層がＡｌとＺｎを含む場合において、Ｂ層寄りの部分においてＡｌ元素の比率が高くかつＺｎ元素の比率が低く、またＡ層のその逆側の部分においてＡｌ元素の比率が低くかつＺｎ元素の比率が高いような状態が挙げられる。
【0045】
Ａｌは、Ｂ層との界面付近で、Ｂ層が含有する水分やＢ層側から侵入する水分により、水酸化や酸化が進行することにより、酸化膜保護層を形成し、Ａ層の内層への水酸化や酸化が進行することを抑制できる。一方で、最表層にＡ層が存在する場合は大気中のイオンや酸素によりＡｌの酸化劣化が進行しやすくなる。よって、本態様とすることにより、Ｂ層側から侵入する水分によるＡ層の劣化をより軽減できるとともに、Ａ層表層側のＡｌの酸化による劣化を軽減することが出来る。なお、Ａ層の劣化とはＡ層の抵抗値が大幅に変わってしまうことを指す。
【0046】
上記したＡ層を得るための方法として、ＡｌとＺｎの両金属を同時に蒸着する工程で形成する場合であれば、ＡｌとＺｎがそれぞれ入った蒸発源を設けること、そしてＡｌとＺｎがそれぞれ入った蒸発源の設置間距離を調節する方法を好ましく例示することができる。
【0047】
また本発明の積層シートはＡ層の表面抵抗率をＲ［Ω／□］、Ｂ層の複素比誘電率の実部をＰとしたとき、以下の式１を満たすＡ層とＢ層とを有することが好ましい。
【0048】
式１：０．１≦Ｐ／Ｌｏｇ１０（Ｒ＋１）≦５．０
本発明ではＡ層で反射を抑制し、Ｂ層で干渉を抑制することを旨としている。一方で前記のようにＢ層の複素比誘電率の実部が高すぎると隣接した層との物性差（インピーダンスの急な変化）により反射が大きくなり、電磁波の透過量が減衰してしまう。発明者は薄膜化が可能な複素比誘電率の実部をＢ層が保ったままでＡ層とＢ層の界面で起きる反射を抑制できる領域を探索したところ、Ｂ層の複素比誘電率の実部に合わせてＡ層の導電性を調整することで界面の反射を抑制できることを見出した。もしくは用途によって厚膜化が許されるのであれば、表面反射を無くすようにＡ層の導電性を設計したのちに、Ｂ層の複素比誘電率の実部を調整することも可能である。Ｐ／Ｌｏｇ１０（Ｒ＋１）が５を超える場合はＡ層のインピーダンスが大きくなりすぎており、Ｐ／Ｌｏｇ１０（Ｒ＋１）が０．１を下回る場合はＢ層のインピーダンスが大きくなりすぎていると推察する。Ｐ／Ｌｏｇ１０（Ｒ＋１）の範囲は好ましくは０．２以上１．０以下であり、さらに好ましくは０．３以上０．８以下である。なお、例えば、Ａ層／Ｂ層に該当する部分／Ｂ層には該当しない部分／Ｂ層に該当する部分、といった構成のように、Ｂ層が複数ある場合は、Ａ層に隣接するＢ層の複素比誘電率の実部をＰとして採用した場合に、上記態様となることが好ましい。
本発明ではＡ層で反射を抑制し、Ｂ層で干渉を抑制することを旨としている。一方で前記のようにＢ層の複素比誘電率の実部が高すぎると隣接した層との物性差（インピーダンスの急な変化）により反射が大きくなり、電磁波の透過量が減衰してしまう。発明者は薄膜化が可能な複素比誘電率の実部をＢ層が保ったままでＡ層とＢ層の界面で起きる反射を抑制できる領域を探索したところ、Ｂ層の複素比誘電率の実部に合わせてＡ層の導電性を調整することで界面の反射を抑制できることを見出した。もしくは用途によって厚膜化が許されるのであれば、表面反射を無くすようにＡ層の導電性を設計したのちに、Ｂ層の複素比誘電率の実部を調整することも可能である。Ｐ／Ｌｏｇ１０（Ｒ＋１）が５を超える場合はＡ層のインピーダンスが大きくなりすぎており、Ｐ／Ｌｏｇ１０（Ｒ＋１）が０．１を下回る場合はＢ層のインピーダンスが大きくなりすぎていると推察する。Ｐ／Ｌｏｇ１０（Ｒ＋１）の範囲は好ましくは０．２以上１．０以下であり、さらに好ましくは０．３以上０．８以下である。なお、例えば、Ａ層／Ｂ層に該当する部分／Ｂ層には該当しない部分／Ｂ層に該当する部分、といった構成のように、Ｂ層が複数ある場合は、Ａ層に隣接するＢ層の複素比誘電率の実部をＰとして採用した場合に、上記態様となることが好ましい。
【0049】
本発明の積層シートはＡ層、Ｂ層に加えて粘着層を有してもよい。例えばＡ層／Ｂ層／粘着層の順に配置することで障害物に直接貼り付けることができる。その際は粘着層で起きる位相のずれまで考慮して、Ｂ層の厚みおよび複素比誘電率を設計することが好ましい。また粘着層での損失を低減する観点から、粘着層の複素比誘電率の虚部が０．０５以下であることが好ましい。取り扱いの容易さから粘着層の厚みは１０μｍ以上が好ましく、粘着層での損失低減の観点から３００μｍ以下が好ましい。２０μｍ以上１００μｍ以下が特に好ましい。
【0050】
粘着層の組成はアクリル、ウレタン、シリコーン、ゴムなどの樹脂を用いることができるが、透明性や汎用性の観点からアクリル系の樹脂を用いることが好ましい。
【0051】
またハードコート層を有していてもよい。例えばハードコート層／Ａ層／Ｂ層の順位配置することでＡ層を外部からのキズや衝撃、酸化、水酸化、加水分解から保護することができる。ただしＡ層の反射抑制効果を損ねる可能性がある。
【0052】
また、上記した観点から、本発明に係る積層シートの好ましい一態様は、厚みが１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下である層を有し、かつＳＳＲＭでの抵抗値の比が０．００９１以上１１０以下である層対を有している積層シート、である。ＳＳＲＭでの抵抗値の比が０．００９１以上１１０以下である層対を有していることで層間のインピーダンス変化を緩和でき、また１．０μｍ以上１．０×１０３μｍ以下かつ２４ＧＨｚで測定した際の複素比誘電率の虚部が１．０×１０－４以上２．０×１０－１以下である層を有することにより、電磁波の位相をずらし、干渉を抑制しつつ、隣接する層とのインピーダンスの差が小さくなり、界面での反射による減衰が小さくできる。また、電磁波のエネルギーが熱エネルギーに変換されてしまうことを抑制できる。なお、前記層対のうちの１つが前記Ａ層やその好ましい一態様であると好ましく、もう一つの層が前記Ｂ層やその好ましい一態様であると好ましい。より好ましくはＳＳＲＭでの抵抗値の比が０．０１以上１００以下である。
【0053】
窓ガラスのような透明性が求められる用途へ適用する際には、透明かつ大面積としてガラス全体に貼る方法と、不透明かつ小面積としてガラスの一部に貼る方法が上げられる。本発明では透明性を有することから、使用方法としてはガラス全体に貼ることが好ましい。意匠性やプライバシー保護の観点からあえて半透明として、ガラスの一部に貼る方法も好ましい使用方法である。
【0054】
貼り付ける対象物が平坦でない場合には、設置時に対象物に追従して変形させる方法と事前に対象物の形状に合わせて成型してから設置する方法があげられる。特に熱可塑性樹脂を用いている場合には事前に成型しておく方法を好ましく用いることができる。
【0055】
本発明の積層シートは、外観を損なわず成型性・折り曲げ性を備え、障害物での電磁波の減衰を抑制させることができるので、ウィンドウフィルム用に好適に用いることができる。特に、本発明の積層シートを有する建材や電子デバイス、移動体の内外装は電磁波の減衰を抑制できるだけでなく外観に優れる。具体的には本発明の積層シートは移動体や建築物の窓ガラスやパーテーション、通信機器を保護・収納するケースや棚などにも好適に用いることができる。通信機器（携帯電話、スマートフォン、パソコン、レーダー、センサー、無線基地局など）の筐体や移動体の内外装にも好適に用いられる。移動体としては車両やドローンなどが含まれる。
【0056】
特にスマートフォンなどはガラスや透明樹脂が用いられる面（画面）が電磁波透過性の高い部分となる。本フィルムをスマートフォンの画面に貼ることで通信速度・安定性が向上することを見出しており、スマートフォンに限らずガラス面や樹脂面を持つ通信機器に貼ることで通信性を向上し、ガラス面や樹脂面を保護するためのフィルムとして好適に用いることができる。特に、筐体の一部に金属など電磁波透過性の低い部材を用いる必要がある場合において顕著に効果を発揮する。
【0057】
本発明の積層シートの好ましい製造方法を以下に示す。もちろん本発明は係る例に限定して解釈されるものではない。
【0058】
まずＢ層の製造方法について例を示す。導電性材料やセラミックを含有させる場合はベース樹脂に、導電性材料やセラミックを所定量配合し、ニーダーやバンバリーミキサー、ミルミキサー、ロールミル、ジェットミル、ボールミルなどの公知の装置で混錬し含有させることで、誘電率調整樹脂を作成する。Ｂ層を均一な層とする場合は、ベース樹脂単体、もしくは、誘電率調整樹脂を、それぞれバッチプレスによる圧延や溶融押出により、所望の厚みのシートへ成形することで未延伸のＢ層が得られる。
【0059】
Ｂ層を交互積層とする場合は、Ｂ１層ならびにＢ２層を構成するそれぞれの樹脂は、熱風中あるいは真空下で乾燥した後、別々の押出機に供される。押出機において融点以上に加熱溶融された各樹脂は、ギヤポンプなどで均一の押出量で吐出され、フィルターなどで介して異物や変性した樹脂などが除去される。これらの樹脂は所望の積層数へと積層できる多層積層装置を介して、ダイにて目的の形状に成形されたのち、シート状に吐出される。ダイから吐出されたシートは、キャスティングドラム等の冷却体上に押出され、冷却固化されることで未延伸のＢ層が得られる。この際、スリット状、スポット状、面状の装置からエアーを吹き出しキャスティングドラムなどの冷却体に密着させ急冷固化させる方法、もしくは、ニップロールにて冷却体に密着させて急冷固化させる方法、ピニングよってクーロン力によって冷却体に密着させて急冷固化させる方法が厚みムラを抑制する観点から好ましい。
【0060】
多層積層装置としては、マルチマニホールドダイやフィードブロックやスタティックミキサー等を用いることができるが、特に、本発明の交互積層構造を効率よく得るためには、微細スリットを有するフィードブロックを用いることが好ましい。このようなフィードブロックを用いると、装置が極端に大型化することがないため、熱劣化による異物発生量が少なく、積層数が極端に多い場合でも、高精度な積層が可能となる。また、幅方向の積層精度も従来技術に比較して格段に向上する。また、この装置では、各層の厚みをスリットの形状（長さ、幅）で調整できるため、任意の層厚みを達成することが可能となる。また、フィードブロックで積層体を形成した後、スタティックミキサーを介して積層数が倍増するように重ね合わせて積層数を増やす方法も好適に利用できる。
【0061】
Ｂ層は未延伸の状態のシートを用いることもできるが、加工性や厚みむらの抑制の観点から二軸延伸することも好ましい。延伸は、逐次に二軸延伸してもよいし、同時に二軸延伸してもよい。また、さらに長手方向および／または幅方向に再延伸を行ってもよい。
【0062】
逐次二軸延伸の場合についてまず説明する。ここで、長手方向への延伸とは、シートに長手方向の分子配向を与えるための一軸延伸を指し、通常は、ロールの周速差により施され、１段階で行ってもよく、また、複数本のロール対を使用して多段階に行ってもよい。延伸の倍率としては樹脂の種類により異なるが、通常、１．１～１５倍が好ましく、１．５～４倍が特に好ましく用いられる。また、延伸温度としては交互積層ユニットを構成する樹脂のガラス転移温度～ガラス転移温度＋１００℃の範囲内に設定することが好ましい。
【0063】
このようにして得られた一軸延伸されたＢ層は、必要に応じてコロナ処理やフレーム処理、プラズマ処理などの表面処理を施した後、上部に積層するＡ層との密着性を向上するためのプライマー層を形成することができる。インラインコーティングの工程において、プライマー層は片面に塗布してもよく、両面に同時あるいは片面ずつ順に塗布してもよい。
【0064】
幅方向の延伸とは、シートに幅方向の配向を与えるための延伸をいい、通常は、テンターを用いて、シートの両端をクリップで把持しながら搬送して、幅方向に延伸する。延伸の倍率としては樹脂の種類により異なるが、通常、１．１～１５倍が好ましく、１．５～６倍が特に好ましく用いられる。また、延伸温度としてはＢ層を構成する樹脂のガラス転移温度～ガラス転移温度＋１２０℃が好ましい。こうして二軸延伸されたＢ層は、テンター内で延伸温度以上融点以下の熱処理を行い、均一に徐冷後、室温まで冷やして巻き取られる。また、必要に応じて、低配向角およびシートの熱寸法安定性を付与するために熱処理から徐冷する際に、長手方向および／あるいは幅方向に弛緩処理などを併用してもよい。
【0065】
つづいて、同時二軸延伸の場合について説明する。同時二軸延伸の場合には、得られた未延伸のＢ層に、必要に応じてコロナ処理やフレーム処理、プラズマ処理などの表面処理を施した後、易滑性、易接着性、帯電防止性などの機能をインラインコーティングにより付与してもよい。インラインコーティングの工程において、プライマー層はＢ層の片面に塗布してもよく、Ｂ層の両面に同時あるいは片面ずつ順に塗布してもよい。
【0066】
次に、Ｂ層を、同時二軸テンターへ導き、Ｂ層の両端をクリップで把持しながら搬送して、長手方向と幅方向に同時および／または段階的に延伸する。同時二軸延伸機としては、パンタグラフ方式、スクリュー方式、駆動モーター方式、リニアモーター方式があるが、任意に延伸倍率を変更可能であり、任意の場所で弛緩処理を行うことができる駆動モーター方式もしくはリニアモーター方式が好ましい。延伸の倍率は樹脂の種類により異なるが、通常、面積倍率として２～５０倍が好ましく、特に４～２０倍の面積倍率が好ましく用いられる。延伸速度は同じ速度でもよく、異なる速度で長手方向と幅方向に延伸してもよい。また、延伸温度としてはＢ層を構成する樹脂のガラス転移温度～ガラス転移温度＋１２０℃が好ましい。
【0067】
こうして同時二軸延伸されたＢ層は、平面性、寸法安定性を付与するために、引き続きテンター内で延伸温度以上融点以下の熱処理を行うのが好ましい。この熱処理の際に、幅方向での主配向軸の分布を抑制するため、熱処理ゾーンに入る直前および／または直後に瞬時に長手方向に弛緩処理することが好ましい。このようにして熱処理された後、均一に徐冷後、室温まで冷やして巻き取られる。また、必要に応じて、熱処理から徐冷する際に長手方向および／あるいは幅方向に弛緩処理を行ってもよい。熱処理ゾーンに入る直前および／あるいは直後に瞬時に長手方向に弛緩処理する。
【0068】
Ａ層を形成する方法としてはＡ層を樹脂で形成するか、金属酸化物で形成するかによって分けられる。樹脂で形成する場合は未延伸のＢ層を作成する際に更にもう１台押出機を用いてＢ層の片面に共押出により積層する方法が挙げられる。その場合、Ｂ層とともに延伸されることで密着性が向上する点で好ましい。ただしＢ層とともに延伸できることが必要となるため、導電性を調整するためのフィラーの添加量は抑える必要がある。またＡ層を別途Ｂ層に準ずる方法で作成したのち、Ｂ層と接着層を介してラミネートする方法が挙げられる。この場合はフィラー濃度を、延伸性を考慮せず設計することが可能であるが、ラミネート工程が入る分コストアップとなる。
【0069】
また蒸着またはスパッタで金属酸化物層を形成する場合はＢ層を真空蒸着機内の巻出軸から巻出して冷却ドラム上で冷却しながら、ＡｌやＺｎなどの原料がそれぞれ入った蒸発源から誘導加熱法もしくは抵抗加熱法、電子ビーム法などにより加熱・溶融させ、各金属を同時に蒸着する工程で形成することができる。この場合において、各蒸発源の設置間距離が重要である。すなわち、例えばＡｌを原料として用いる場合にＡｌとＢ層の距離が近すぎる場合、金属層中間から表層にかけてのＡｌ比率が高くなりすぎるため、Ｂ層側からの劣化とともに、表層側からの劣化を抑制する効果が不十分となる。各蒸発源の設置間距離を最適に調整することにより、目的とする前記ＡｌのＡ層内分布を調整することができる。また、Ａ層の表面抵抗値はそれぞれの蒸発源温度やフィルム搬送速度、蒸着処理中の雰囲気ガスにより所望の値となるよう調整できる。そのため蒸発源の温度およびフィルム搬送速度を一定とすることが、導電性のむらを抑える観点から重要となる。
【実施例0070】
以下、実施例に沿って本発明について説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。各特性は、以下の手法により測定した。
【0071】
（特性の測定方法および効果の評価方法）
本発明における特性の測定方法、および効果の評価方法は次のとおりである。
本発明における特性の測定方法、および効果の評価方法は次のとおりである。
【0072】
（１）表面抵抗率
ＪＩＳＣ２１３９－３－２（２０１８年）に準拠し測定した。１５０×１５０ｍｍのサンプルを切り出し測定雰囲気中（２３℃、６５ＲＨ％）にて１２時間の調湿を行った。サンプルのうちの１００×１００ｍｍの領域に対して２ｃｍずつ位置を変えながら、ロレスタ（ＥＰ ＭＣＰ－Ｔ３６０）と測定治具（４端子電極、ＭＣＰ－ＴＰ０３Ｐ）またはハイレスタ （ＵＰ ＭＣＰ－ＨＴ４５０）と測定治具（円形電極 ＭＣＰ－ＨＴＰ１４）を用いて表面抵抗率を測定した。表面抵抗率が１×１０６Ω／□以上の時はハイレスタを用い、表面抵抗率が１×１０６Ω／□未満の時はロレスタを用いた。ハイレスタは定電圧（表面抵抗率が１×１０６Ω／□以上かつ１×１０１１Ω／□未満の時は１００Ｖ、１×１０１１Ω／□以上かつ１×１０１２Ω／□未満の時は５００Ｖ、１×１０１２Ω／□以上の時は１０００Ｖ）で測定し、ロレスタは定電流（１×１０６Ω／□未満かつ１．９９９×１０５Ω／□以上の時は１μＡ、１．９９９×１０５Ω／□未満の時は１０μＡ）で測定した。なお、Ａ層の上に層を有する場合は当該層を研磨してＡ層を露出させて測定した。
ＪＩＳＣ２１３９－３－２（２０１８年）に準拠し測定した。１５０×１５０ｍｍのサンプルを切り出し測定雰囲気中（２３℃、６５ＲＨ％）にて１２時間の調湿を行った。サンプルのうちの１００×１００ｍｍの領域に対して２ｃｍずつ位置を変えながら、ロレスタ（ＥＰ ＭＣＰ－Ｔ３６０）と測定治具（４端子電極、ＭＣＰ－ＴＰ０３Ｐ）またはハイレスタ （ＵＰ ＭＣＰ－ＨＴ４５０）と測定治具（円形電極 ＭＣＰ－ＨＴＰ１４）を用いて表面抵抗率を測定した。表面抵抗率が１×１０６Ω／□以上の時はハイレスタを用い、表面抵抗率が１×１０６Ω／□未満の時はロレスタを用いた。ハイレスタは定電圧（表面抵抗率が１×１０６Ω／□以上かつ１×１０１１Ω／□未満の時は１００Ｖ、１×１０１１Ω／□以上かつ１×１０１２Ω／□未満の時は５００Ｖ、１×１０１２Ω／□以上の時は１０００Ｖ）で測定し、ロレスタは定電流（１×１０６Ω／□未満かつ１．９９９×１０５Ω／□以上の時は１μＡ、１．９９９×１０５Ω／□未満の時は１０μＡ）で測定した。なお、Ａ層の上に層を有する場合は当該層を研磨してＡ層を露出させて測定した。
【0073】
（２）全体厚み誤差
１５０×１５０ｍｍのサンプルを切り出し、そのうちの９０×９０ｍｍの領域に対して１ｃｍずつ位置を変えながら厚み計（ニコン社製ＤＩＧＩＭＩＣＲＯ ＭＨ－１５Ｍ）を用いて評価した。サンプルサイズが十分な場合の測定箇所を図１に示す。一方でサンプルが小さい（１００ｃｍ２以下）場合は図２に示すように、各測定点が１ｃｍずつ離れるようにして厚みを計測し、１００点評価できるまで複数枚のサンプルを測定した。
１５０×１５０ｍｍのサンプルを切り出し、そのうちの９０×９０ｍｍの領域に対して１ｃｍずつ位置を変えながら厚み計（ニコン社製ＤＩＧＩＭＩＣＲＯ ＭＨ－１５Ｍ）を用いて評価した。サンプルサイズが十分な場合の測定箇所を図１に示す。一方でサンプルが小さい（１００ｃｍ２以下）場合は図２に示すように、各測定点が１ｃｍずつ離れるようにして厚みを計測し、１００点評価できるまで複数枚のサンプルを測定した。
【0074】
１００点評価し、上位１０点と下位１０点を外れ値として除外し、残りの８０点の平均値を本サンプルの全体厚みの平均値とした。
【0075】
該８０点のうち平均値から最も遠い値と平均値の差を、平均値で割り、１００を掛けた値を全体厚み誤差（％）とした。
【0076】
（３－１）Ｂ層厚み
図３に示すように５ｍｍ×３ｍｍのサンプルを２０枚切り出した。続いて図４に示すように、幅５ｍｍの辺についてミクロトームを用いて断面を作成し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察により０．８ｍｍおきに５点のＢ層厚みを評価した。
図３に示すように５ｍｍ×３ｍｍのサンプルを２０枚切り出した。続いて図４に示すように、幅５ｍｍの辺についてミクロトームを用いて断面を作成し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察により０．８ｍｍおきに５点のＢ層厚みを評価した。
【0077】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）ＪＳＭ－６７００Ｆ形（日本電子株式会社製）を用い、加速電圧３ｋＶの条件で積層シートの断面を観察し、断面写真を撮影、各層厚みを測定した。２０枚×５点の合計１００点評価し、上位１０点と下位１０点を外れ値として除外し、残りの８０点の平均値を本サンプルのＢ層厚みの平均値とした。
【0078】
該８０点のうち平均値から最も遠い値と平均値の差を、平均値で割り、１００を掛けた値をＢ層厚み誤差（％）とした。
【0079】
（３－２）Ａ層厚み
実施例１、８、９、１０、１７、比較例１、２、３は５ｍｍ×３ｍｍのサンプルを切り出した、幅５ｍｍの辺についてミクロトームを用いて断面を作成した。透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）ＪＥＭ１４００Ｐｌｕｓ（日本電子株式会社製）を用いて、加速電圧１００ｋＶでの観察により０．８ｍｍおきに５点のＡ層厚みを評価した。５点の平均の値を用いた。
実施例１、８、９、１０、１７、比較例１、２、３は５ｍｍ×３ｍｍのサンプルを切り出した、幅５ｍｍの辺についてミクロトームを用いて断面を作成した。透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）ＪＥＭ１４００Ｐｌｕｓ（日本電子株式会社製）を用いて、加速電圧１００ｋＶでの観察により０．８ｍｍおきに５点のＡ層厚みを評価した。５点の平均の値を用いた。
【0080】
続いて比較例１、２、３について、ＪＩＳＣ２１３９－３－２（２０１８年）に準拠し表面抵抗率を測定した。１００×１００ｍｍのサンプルを切り出し測定雰囲気中（２３℃、６５ＲＨ％）にて１２時間の調湿を行った。サンプルのうちの５０×５０ｍｍの領域に対して２５ｍｍずつ位置を変えながら、ロレスタ（ＥＰ ＭＣＰ－Ｔ３６０）と測定治具（４端子電極、ＭＣＰ－ＴＰ０３Ｐ）またはハイレスタ （ＵＰ ＭＣＰ－ＨＴ４５０）と測定治具（円形電極 ＭＣＰ－ＨＴＰ１４）を用いて表面抵抗率を９点測定した。表面抵抗率が１×１０６Ω／□以上の時はハイレスタを用い、表面抵抗率が１×１０６Ω／□未満の時はロレスタを用いた。ハイレスタは定電圧（表面抵抗率が１×１０６Ω／□以上かつ１×１０１１Ω／□未満の時は１００Ｖ、１×１０１１Ω／□以上かつ１×１０１２Ω／□未満の時は５００Ｖ、１×１０１２Ω／□以上の時は１０００Ｖ）で測定し、ロレスタは定電流（１×１０６Ω／□未満かつ１．９９９×１０５Ω／□以上の時は１μＡ、１．９９９×１０５Ω／□未満の時は１０μＡ）で測定した。９点の平均値を求めた。
【0081】
得られた表面抵抗率とＡ層厚みから検量線を作成し、残りの実施例、比較例については表面抵抗率を測定することで検量線から厚みを求めた。
【0082】
（４）Ｂ層比誘電率
まず前項の方法で確認したＢ層以外の厚さ分、研磨機で表面を研磨した。研磨条件は、研磨紙＃８００～＃１００００、研磨液は水で行った。その後、測定雰囲気中（２３℃、６５ＲＨ％）にて１２時間の調湿を行った。ネットワークアナライザ（アンリツ社製 ＭＳ４６１２２Ｂ）を用いて導波管法（ＷＲ－３４）で２４ＧＨｚにおけるＳパラメータを測定した。そしてＮｉｃｏｌｓｏｎ－Ｒｏｓｓモデルを用いて２４ＧＨｚにおける複素比誘電率の実部および虚部を算出した。
サンプルサイズ：８．６４ｍｍ×４．３２ｍｍ
平均処理：なし
Ｔｉｍｅ Ｇａｔｅ：なし。
まず前項の方法で確認したＢ層以外の厚さ分、研磨機で表面を研磨した。研磨条件は、研磨紙＃８００～＃１００００、研磨液は水で行った。その後、測定雰囲気中（２３℃、６５ＲＨ％）にて１２時間の調湿を行った。ネットワークアナライザ（アンリツ社製 ＭＳ４６１２２Ｂ）を用いて導波管法（ＷＲ－３４）で２４ＧＨｚにおけるＳパラメータを測定した。そしてＮｉｃｏｌｓｏｎ－Ｒｏｓｓモデルを用いて２４ＧＨｚにおける複素比誘電率の実部および虚部を算出した。
サンプルサイズ：８．６４ｍｍ×４．３２ｍｍ
平均処理：なし
Ｔｉｍｅ Ｇａｔｅ：なし。
【0083】
（５）Ｓ１１ Ｓ２１
１５０ｍｍ×１５０ｍｍのサンプルを切り出し、測定雰囲気中（２３℃、６５ＲＨ％）にて１２時間の調湿を行った。ネットワークアナライザ（アンリツ社製ＭＳ４６１２２Ｂ）を用いて自由空間法（キーコム社製 ＤＰＳ２４－０１）で２４ＧＨｚにおけるＳパラメータを測定した。入射角は０度で測定した。
Ｔｒａｃｅ Ｆｏｒｍａｔ：Ｌｏｇ Ｍａｇ
平均処理：なし
Ｔｉｍｅ Ｇａｔｅ設定
Ｓｔａｒｔ：－２５０ｐｓ
Ｓｔｏｐ：２５０ｐｓ
Ｃｅｎｔｅｒ：０ｓ
Ｓｐａｎ：５００ｐｓ
Ｓパラメータの内、Ｓ１１を反射減衰量、Ｓ２１を透過減衰量とした。
１５０ｍｍ×１５０ｍｍのサンプルを切り出し、測定雰囲気中（２３℃、６５ＲＨ％）にて１２時間の調湿を行った。ネットワークアナライザ（アンリツ社製ＭＳ４６１２２Ｂ）を用いて自由空間法（キーコム社製 ＤＰＳ２４－０１）で２４ＧＨｚにおけるＳパラメータを測定した。入射角は０度で測定した。
Ｔｒａｃｅ Ｆｏｒｍａｔ：Ｌｏｇ Ｍａｇ
平均処理：なし
Ｔｉｍｅ Ｇａｔｅ設定
Ｓｔａｒｔ：－２５０ｐｓ
Ｓｔｏｐ：２５０ｐｓ
Ｃｅｎｔｅｒ：０ｓ
Ｓｐａｎ：５００ｐｓ
Ｓパラメータの内、Ｓ１１を反射減衰量、Ｓ２１を透過減衰量とした。
【0084】
（６）ガラス転移温度 結晶化度
研磨して得られたＢ層について、示差熱量分析（ＤＳＣ）を用い、ＪＩＳ Ｋ７１２１（２０１２年）に従って、窒素雰囲気下、－１２０℃で５分間保持後、２５０℃まで２０℃／分の速度で測定サンプルを昇温させた。その測定結果から下記式によりガラス転移温度を算出した。
ガラス転移温度＝（補外ガラス転移開始温度＋補外ガラス転移終了温度）／２
なお、ガラス転移温度が２か所以上に見られる場合、本発明では５０℃から９０℃の範囲が重要となるため、最も７０℃に近い値を採用した。また融解熱量（ΔＨｍ）と冷結晶化熱量（ΔＨｃ）を用い式２より結晶化度（Χｃ）を算出した。
式２：Χｃ＝（ΔＨｍ－ΔＨｃ）／ΔＨｍ０
ここで、ΔＨｍ０は完全結晶体融解熱量であり、例えばＰＥＴの場合１４０．１Ｊ／ｇ、ＰＥＮの場合１０３．３Ｊ／ｇ（参考文献Ｗｕｎｄｅｒｌｉｃｈ Ｂ “Ｔｈｅｒｍａｌ ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ”）を用いて算出した。
装置：リガク（株）製 ＤＳＣｖｅｓｔａ Ｓｍａｒｔ ｌｏａｄｅｒ
サンプル質量：５ｍｇ
（７）Ａｌの厚み方向分布
Ｘ線電子分光法（ＸＰＳ法）により行った。アルゴンイオンエッチングを用いたスパッタリングにより、Ａ層表面からＢ層方向に向けて、１回のエッチング毎に組成比率を分析した。ＸＰＳ法の測定条件は以下のとおりである。
装置：ＱｕａｎｔｅｒａＳＸＭ（Ｕｌｖａｃ－ＰＨＩ社製）
励起Ｘ線：ｍｏｎｏｃｈｒｏｍａｔｉｃ ＡｌＫα
Ｘ線径：２００μｍ
光電子脱出角度：４５°（試料面に対する検出器の傾き）
Ａｒイオンエッチング条件：２ｋＶ
エッチングレート：１０ｎｍ／ｍｉｎ以内（ＳｉＯ２換算）
エッチング間隔：３ｎｍ（ＳｉＯ２換算）以内／１ステップ
（８）内部の層の抵抗値
サンプルをエポキシ樹脂に包埋後、Ａｒイオンビームにより断面出しを行った。測定はＡ層と隣接する層を含む２×２μｍの領域について行った。室温、Ａｒガス雰囲気中でＳＳＲＭ（Ｂｒｕｋｅｒ社製ＮａｎｏＳｃｏｐｅＶ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｉｃｏｎ Ｇｌｏｖｅｂｏｘ）を用いて、コンタクトモードと広がり抵抗の同時測定を行った。ＤＣバイアス電圧は＋１．０Ｖとし、探針はダイヤモンドコートシリコンカンチレバーを用いた。
研磨して得られたＢ層について、示差熱量分析（ＤＳＣ）を用い、ＪＩＳ Ｋ７１２１（２０１２年）に従って、窒素雰囲気下、－１２０℃で５分間保持後、２５０℃まで２０℃／分の速度で測定サンプルを昇温させた。その測定結果から下記式によりガラス転移温度を算出した。
ガラス転移温度＝（補外ガラス転移開始温度＋補外ガラス転移終了温度）／２
なお、ガラス転移温度が２か所以上に見られる場合、本発明では５０℃から９０℃の範囲が重要となるため、最も７０℃に近い値を採用した。また融解熱量（ΔＨｍ）と冷結晶化熱量（ΔＨｃ）を用い式２より結晶化度（Χｃ）を算出した。
式２：Χｃ＝（ΔＨｍ－ΔＨｃ）／ΔＨｍ０
ここで、ΔＨｍ０は完全結晶体融解熱量であり、例えばＰＥＴの場合１４０．１Ｊ／ｇ、ＰＥＮの場合１０３．３Ｊ／ｇ（参考文献Ｗｕｎｄｅｒｌｉｃｈ Ｂ “Ｔｈｅｒｍａｌ ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ”）を用いて算出した。
装置：リガク（株）製 ＤＳＣｖｅｓｔａ Ｓｍａｒｔ ｌｏａｄｅｒ
サンプル質量：５ｍｇ
（７）Ａｌの厚み方向分布
Ｘ線電子分光法（ＸＰＳ法）により行った。アルゴンイオンエッチングを用いたスパッタリングにより、Ａ層表面からＢ層方向に向けて、１回のエッチング毎に組成比率を分析した。ＸＰＳ法の測定条件は以下のとおりである。
装置：ＱｕａｎｔｅｒａＳＸＭ（Ｕｌｖａｃ－ＰＨＩ社製）
励起Ｘ線：ｍｏｎｏｃｈｒｏｍａｔｉｃ ＡｌＫα
Ｘ線径：２００μｍ
光電子脱出角度：４５°（試料面に対する検出器の傾き）
Ａｒイオンエッチング条件：２ｋＶ
エッチングレート：１０ｎｍ／ｍｉｎ以内（ＳｉＯ２換算）
エッチング間隔：３ｎｍ（ＳｉＯ２換算）以内／１ステップ
（８）内部の層の抵抗値
サンプルをエポキシ樹脂に包埋後、Ａｒイオンビームにより断面出しを行った。測定はＡ層と隣接する層を含む２×２μｍの領域について行った。室温、Ａｒガス雰囲気中でＳＳＲＭ（Ｂｒｕｋｅｒ社製ＮａｎｏＳｃｏｐｅＶ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｉｃｏｎ Ｇｌｏｖｅｂｏｘ）を用いて、コンタクトモードと広がり抵抗の同時測定を行った。ＤＣバイアス電圧は＋１．０Ｖとし、探針はダイヤモンドコートシリコンカンチレバーを用いた。
【0085】
得られた抵抗分布のデータからＡ層にあたる部分のうち２μｍ×０．４μｍ（５１２×１００点）の領域の平均値をＡ層の抵抗値、隣接する層にあたる部分のうち２μｍ×０．４μｍ（５１２×１００点）の領域の平均値を隣接する層の抵抗値として比を求めた。また、図５に示すように２μｍ×１００ｎｍの領域についてｒ１／ｒ２も求めた。
【0086】
（９）２４ＧＨｚ電磁波透過性
ミリ波レーダー（エスタカヤ製ＭＩＭＯレーダーモジュール評価キット（ＡＴ１＿０１０８０１０８Ｖ） 周波数帯２４．０５～２４．２５ＧＨｚ 変調帯域幅１９０ＭＨｚ 測定距離範囲０．７５～４７ｍ）を地上から１ｍの地点に水平に設置し、レーダーの正面３ｍの地点に厚み３ｍｍのポリカーボネート板（縦２０ｃｍ、横２０ｃｍ、タキロンシーアイ社製ＰＣ１６００）を垂直に設置した。ポリカーボネート板は図６、７のように両端部に足（（株）光製 アクリル角棒 １８ｍｍ角）を設置して支持した。レーダーの検出閾値は８ｄＢとした。
以下の指標で評価した。
Ａ：ポリカーボネート板の片面を完全に覆うようにサンプルを貼り付けることで、レーダーに認識されなくなる。
Ｂ：ポリカーボネート板の両面を完全に覆うようにサンプルを貼り付けることで、レーダーに認識されなくなるが、片面に貼り付けるだけでは認識される。
Ｃ：ポリカーボネート板の両面を完全に覆うようにサンプルを貼り付けると、検出強度は下がるが認識される。
Ｄ：ポリカーボネート板の両面を完全に覆うようにサンプルを貼り付けると検出強度が上がる。
ミリ波レーダー（エスタカヤ製ＭＩＭＯレーダーモジュール評価キット（ＡＴ１＿０１０８０１０８Ｖ） 周波数帯２４．０５～２４．２５ＧＨｚ 変調帯域幅１９０ＭＨｚ 測定距離範囲０．７５～４７ｍ）を地上から１ｍの地点に水平に設置し、レーダーの正面３ｍの地点に厚み３ｍｍのポリカーボネート板（縦２０ｃｍ、横２０ｃｍ、タキロンシーアイ社製ＰＣ１６００）を垂直に設置した。ポリカーボネート板は図６、７のように両端部に足（（株）光製 アクリル角棒 １８ｍｍ角）を設置して支持した。レーダーの検出閾値は８ｄＢとした。
以下の指標で評価した。
Ａ：ポリカーボネート板の片面を完全に覆うようにサンプルを貼り付けることで、レーダーに認識されなくなる。
Ｂ：ポリカーボネート板の両面を完全に覆うようにサンプルを貼り付けることで、レーダーに認識されなくなるが、片面に貼り付けるだけでは認識される。
Ｃ：ポリカーボネート板の両面を完全に覆うようにサンプルを貼り付けると、検出強度は下がるが認識される。
Ｄ：ポリカーボネート板の両面を完全に覆うようにサンプルを貼り付けると検出強度が上がる。
【0087】
（１０）２４ＧＨｚ通信安定性
（９）と同様の構成で１０秒間測定を行い、検出強度（ｄＢ）の標準偏差を算出し、以下の指標で評価した。
Ａ：１未満
Ｂ：１以上２未満
Ｃ：２以上３未満
Ｄ：３以上。
（９）と同様の構成で１０秒間測定を行い、検出強度（ｄＢ）の標準偏差を算出し、以下の指標で評価した。
Ａ：１未満
Ｂ：１以上２未満
Ｃ：２以上３未満
Ｄ：３以上。
【0088】
（１１）７９ＧＨｚ電磁波透過性
ミリ波レーダー（エスタカヤ製ＭＩＭＯレーダーモジュール評価キット（Ｔ１８ＰＥ＿０１１２０１１２＿２Ｄ） 周波数帯７７～８１ＧＨｚ 変調帯域幅３．６ＧＨｚ 測定距離範囲０．４～１４９ｍ）を地上から１ｍの地点に水平に設置し、レーダーの正面３ｍの地点に厚み３ｍｍのポリカーボネート板（縦２０ｃｍ、横２０ｃｍ、タキロンシーアイ社製ＰＣ１６００）を垂直に設置した。ポリカーボネート板は図６、７のように両端部に足（（株）光製 アクリル角棒 １８ｍｍ角）を設置して支持した。レーダーの検出閾値は３０ｄＢとした。
以下の指標で評価した。
Ａ：ポリカーボネート板の片面を完全に覆うようにサンプルを貼り付けることで、レーダーに認識されなくなる。
Ｂ：ポリカーボネート板の両面を完全に覆うようにサンプルを貼り付けることで、レーダーに認識されなくなるが、片面に貼り付けるだけでは認識される。
Ｃ：ポリカーボネート板の両面を完全に覆うようにサンプルを貼り付けると、検出強度は下がるが認識される。
Ｄ：ポリカーボネート板の両面を完全に覆うようにサンプルを貼り付けると検出強度が上がる。
ミリ波レーダー（エスタカヤ製ＭＩＭＯレーダーモジュール評価キット（Ｔ１８ＰＥ＿０１１２０１１２＿２Ｄ） 周波数帯７７～８１ＧＨｚ 変調帯域幅３．６ＧＨｚ 測定距離範囲０．４～１４９ｍ）を地上から１ｍの地点に水平に設置し、レーダーの正面３ｍの地点に厚み３ｍｍのポリカーボネート板（縦２０ｃｍ、横２０ｃｍ、タキロンシーアイ社製ＰＣ１６００）を垂直に設置した。ポリカーボネート板は図６、７のように両端部に足（（株）光製 アクリル角棒 １８ｍｍ角）を設置して支持した。レーダーの検出閾値は３０ｄＢとした。
以下の指標で評価した。
Ａ：ポリカーボネート板の片面を完全に覆うようにサンプルを貼り付けることで、レーダーに認識されなくなる。
Ｂ：ポリカーボネート板の両面を完全に覆うようにサンプルを貼り付けることで、レーダーに認識されなくなるが、片面に貼り付けるだけでは認識される。
Ｃ：ポリカーボネート板の両面を完全に覆うようにサンプルを貼り付けると、検出強度は下がるが認識される。
Ｄ：ポリカーボネート板の両面を完全に覆うようにサンプルを貼り付けると検出強度が上がる。
【0089】
（１２）７９ＧＨｚ通信安定性
（１１）と同様の構成で１０秒間測定を行い、検出強度（ｄＢ）の標準偏差を算出し以下の指標で評価した。
Ａ：２未満
Ｂ：２以上３未満
Ｃ：３以上５未満
Ｄ：５以上。
（１１）と同様の構成で１０秒間測定を行い、検出強度（ｄＢ）の標準偏差を算出し以下の指標で評価した。
Ａ：２未満
Ｂ：２以上３未満
Ｃ：３以上５未満
Ｄ：５以上。
【0090】
（１３）成型性
真空成型機（成光産業株式会社製３００Ｘ）にて、下記条件で成型を行った。加熱は赤外線ヒーターにて行い、温度はサンプルに“サーモラベル”（登録商標）を貼り付けて判断した。それぞれのサンプルについて３回成型テストを行った。成型後の外観を目視で確認することにより以下の評価を行った。Ａ～Ｂは成型の必要な用途でも使用可能、Ｃは成型を必要としない用途であれば使用可能である。
加熱時間：６０秒
加熱温度：１１０℃
真空ポンプ圧力：０．１７ＭＰａ
成型の形状：幅５ｃｍ、長さ７．５ｃｍ、深さ２ｃｍの箱型。
Ａ：いずれのサンプルも辺と頂点に密着しておりしわがない。
Ｂ：１つまたは２つのサンプルで辺の部分に空間が残っている、または頂点付近に空気が残りしわになっている。
Ｃ：３回とも辺の部分に空間が残っている、または頂点付近に空気が残りしわになっている。
真空成型機（成光産業株式会社製３００Ｘ）にて、下記条件で成型を行った。加熱は赤外線ヒーターにて行い、温度はサンプルに“サーモラベル”（登録商標）を貼り付けて判断した。それぞれのサンプルについて３回成型テストを行った。成型後の外観を目視で確認することにより以下の評価を行った。Ａ～Ｂは成型の必要な用途でも使用可能、Ｃは成型を必要としない用途であれば使用可能である。
加熱時間：６０秒
加熱温度：１１０℃
真空ポンプ圧力：０．１７ＭＰａ
成型の形状：幅５ｃｍ、長さ７．５ｃｍ、深さ２ｃｍの箱型。
Ａ：いずれのサンプルも辺と頂点に密着しておりしわがない。
Ｂ：１つまたは２つのサンプルで辺の部分に空間が残っている、または頂点付近に空気が残りしわになっている。
Ｃ：３回とも辺の部分に空間が残っている、または頂点付近に空気が残りしわになっている。
【0091】
（１４）耐久性
まず電磁波透過性を評価したのち、普通紙に挟んで６０℃９０％ＲＨの恒温恒湿槽内に５００時間静置し、熱処理前後の電磁波透過性の変化（試験前検出強度（ｄＢ）／試験後検出強度（ｄＢ））を評価した。
Ａ：０．９５以上
Ｂ：０．８以上０．９５未満
Ｃ：０．８未満。
まず電磁波透過性を評価したのち、普通紙に挟んで６０℃９０％ＲＨの恒温恒湿槽内に５００時間静置し、熱処理前後の電磁波透過性の変化（試験前検出強度（ｄＢ）／試験後検出強度（ｄＢ））を評価した。
Ａ：０．９５以上
Ｂ：０．８以上０．９５未満
Ｃ：０．８未満。
【0092】
（製造に用いた樹脂等）
樹脂１：ＩＶ（固有粘度。単位ｄｌ／ｇ）０．６２のポリエチレンテレフタレート
樹脂２：ＩＶ０．６５のポリエチレンナフタレート
樹脂３：ジオール成分全体に対してスピログリコール２５ｍｏｌ％、ジカルボン酸成分全体に対してシクロヘキサンジカルボン酸３０ｍｏｌ％を共重合したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ／ＳＰＧ／ＣＨＤＣ）（ＩＶ：０．７２）
樹脂４：ＭＦＲ（２３０℃、２．１６ｋｇ荷重）０．５ｇ／１０分のホモ・ポリプロピレン
樹脂５：樹脂１ ８０質量部に分子量１００００のポリエチレングリコール（ＰＥＧ）を２０質量部添加した樹脂。
樹脂６：アクリル酸ｎ－ブチル７８質量部、Ｎ－ビニル－２－ピロリドン１６質量部、アクリル酸４－ヒドロキシブチル６質量部、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製、「“オムニラッド”（登録商標）１８４」）０．０５質量部、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製、「“オムニラッド”（登録商標）６５１」）０．０５質量部、チタン酸バリウム５２質量部を配合した混合物。
樹脂１：ＩＶ（固有粘度。単位ｄｌ／ｇ）０．６２のポリエチレンテレフタレート
樹脂２：ＩＶ０．６５のポリエチレンナフタレート
樹脂３：ジオール成分全体に対してスピログリコール２５ｍｏｌ％、ジカルボン酸成分全体に対してシクロヘキサンジカルボン酸３０ｍｏｌ％を共重合したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ／ＳＰＧ／ＣＨＤＣ）（ＩＶ：０．７２）
樹脂４：ＭＦＲ（２３０℃、２．１６ｋｇ荷重）０．５ｇ／１０分のホモ・ポリプロピレン
樹脂５：樹脂１ ８０質量部に分子量１００００のポリエチレングリコール（ＰＥＧ）を２０質量部添加した樹脂。
樹脂６：アクリル酸ｎ－ブチル７８質量部、Ｎ－ビニル－２－ピロリドン１６質量部、アクリル酸４－ヒドロキシブチル６質量部、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製、「“オムニラッド”（登録商標）１８４」）０．０５質量部、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製、「“オムニラッド”（登録商標）６５１」）０．０５質量部、チタン酸バリウム５２質量部を配合した混合物。
【0093】
（実施例１）
ペレット状の樹脂１を二軸押出機に投入し、２８０℃で溶融させ、Ｔダイから冷却ロール上にキャストし、ピニングで冷却ロールに密着させることで冷却固化した。厚みはキャスト速度を変更することで調整した。続いて減圧された真空蒸着機下室にアルゴンガスと酸素を１０：１（モル比）の比率で導入し、２．０×１０－２Ｐａの真空度とした。冷却ドラム下部に配置されたＡｌ蒸発源とＺｎ蒸発源の設置距離を調整することによりＡ層を形成した。
ペレット状の樹脂１を二軸押出機に投入し、２８０℃で溶融させ、Ｔダイから冷却ロール上にキャストし、ピニングで冷却ロールに密着させることで冷却固化した。厚みはキャスト速度を変更することで調整した。続いて減圧された真空蒸着機下室にアルゴンガスと酸素を１０：１（モル比）の比率で導入し、２．０×１０－２Ｐａの真空度とした。冷却ドラム下部に配置されたＡｌ蒸発源とＺｎ蒸発源の設置距離を調整することによりＡ層を形成した。
【0094】
なお、Ａｌの含有比率は、６質量％となるよう各蒸発源温度とシートの搬送速度を調整し巻取り軸で巻き取り積層シートを得た。得られた積層シートについて、上述した評価を行った。結果を表に示す。また、Ａ層厚みは２５０ｎｍであった。なお、実施例１においてＳ２１は１．４ｄＢ、Ｓ１１は５５．０ｄＢであったため、Ｓ２１／Ｓ１１の値は０．０２５であった。
【0095】
（実施例２）
Ｂ１層を構成する樹脂として樹脂２、Ｂ２層を構成する樹脂として樹脂３を用いた。それぞれ、ペレット状で別々の二軸押出機へ投入し、両者とも２７０℃で溶融させて混練した。次いで、Ｂ１層が表面になるよう９層のフィードブロックにて合流させたのちスクエアミキサーを３回通した後、Ｔダイから冷却ロール上にキャストし、ピニングで冷却ロールに密着させることで冷却固化した。厚みはキャスト速度を変更することで調整した。以降は実施例１と同様にして積層シートを得た。
Ｂ１層を構成する樹脂として樹脂２、Ｂ２層を構成する樹脂として樹脂３を用いた。それぞれ、ペレット状で別々の二軸押出機へ投入し、両者とも２７０℃で溶融させて混練した。次いで、Ｂ１層が表面になるよう９層のフィードブロックにて合流させたのちスクエアミキサーを３回通した後、Ｔダイから冷却ロール上にキャストし、ピニングで冷却ロールに密着させることで冷却固化した。厚みはキャスト速度を変更することで調整した。以降は実施例１と同様にして積層シートを得た。
【0096】
（実施例３）
Ｂ１層を構成する樹脂として樹脂２、Ｂ２層を構成する樹脂として樹脂１を用いた。厚みはキャスト速度を変更することで調整した。以降は実施例２と同様にして積層シートを得た。
Ｂ１層を構成する樹脂として樹脂２、Ｂ２層を構成する樹脂として樹脂１を用いた。厚みはキャスト速度を変更することで調整した。以降は実施例２と同様にして積層シートを得た。
【0097】
（実施例４）
Ｂ１層を構成する樹脂として樹脂４、Ｂ２層を構成する樹脂として樹脂１を用いた。厚みはキャスト速度を変更することで調整した。以降は実施例２と同様にして積層シートを得た。
Ｂ１層を構成する樹脂として樹脂４、Ｂ２層を構成する樹脂として樹脂１を用いた。厚みはキャスト速度を変更することで調整した。以降は実施例２と同様にして積層シートを得た。
【0098】
（実施例５）
樹脂２を用い、厚みはキャスト速度を変更することで調整した以外は実施例１と同様にして積層シートを得た。
樹脂２を用い、厚みはキャスト速度を変更することで調整した以外は実施例１と同様にして積層シートを得た。
【0099】
（実施例６）
ピニングの代わりにカレンダキャストで製膜する以外は実施例２と同様にして積層シートを得た。
ピニングの代わりにカレンダキャストで製膜する以外は実施例２と同様にして積層シートを得た。
【0100】
（実施例７）
ピニングなしで冷却ロールへの粘着のみで製膜する以外は実施例２と同様にして積層シートを得た。
ピニングなしで冷却ロールへの粘着のみで製膜する以外は実施例２と同様にして積層シートを得た。
【0101】
（実施例８）
蒸発温度を低く、搬送速度を遅くする以外は実施例２と同様にして積層シートを得た。Ａ層厚みは２５０ｎｍであった。
蒸発温度を低く、搬送速度を遅くする以外は実施例２と同様にして積層シートを得た。Ａ層厚みは２５０ｎｍであった。
【0102】
（実施例９）
蒸発源をＳｉとする以外は実施例２と同様にして積層シートを得た。Ａ層厚みは２４０ｎｍであった。
蒸発源をＳｉとする以外は実施例２と同様にして積層シートを得た。Ａ層厚みは２４０ｎｍであった。
【0103】
（実施例１０）
蒸発源をＩｎとＳｎとする以外は実施例２と同様にして積層シートを得た。Ａ層厚みは２７０ｎｍであった。
蒸発源をＩｎとＳｎとする以外は実施例２と同様にして積層シートを得た。Ａ層厚みは２７０ｎｍであった。
【0104】
（実施例１１）
カレンダロール速度を変えて厚みを０．３５ｍｍとする以外は実施例６と同様にして積層シートを得た。
カレンダロール速度を変えて厚みを０．３５ｍｍとする以外は実施例６と同様にして積層シートを得た。
【0105】
（実施例１２）
キャスト後に逐次二軸延伸を実施する以外は実施例１１と同様にして積層シートを得た。延伸方法はまず１０５℃でテフロン（登録商標）ロールにて搬送した後に、長手方向に、９５℃で２．５倍延伸して一軸延伸フィルムを得た。この一軸延伸フィルムをテンター内で幅方向に１００℃で３．６倍延伸し、続いて２２０℃で熱固定し、その際幅方向に１．７％弛緩し搬送工程にて冷却させた後、エッジを切断後に巻き取った。
キャスト後に逐次二軸延伸を実施する以外は実施例１１と同様にして積層シートを得た。延伸方法はまず１０５℃でテフロン（登録商標）ロールにて搬送した後に、長手方向に、９５℃で２．５倍延伸して一軸延伸フィルムを得た。この一軸延伸フィルムをテンター内で幅方向に１００℃で３．６倍延伸し、続いて２２０℃で熱固定し、その際幅方向に１．７％弛緩し搬送工程にて冷却させた後、エッジを切断後に巻き取った。
【0106】
（実施例１３）
蒸着後にハードコート層を設ける以外は実施例１２と同様にして積層シートを得た。具体的にはアクリル系オリゴマー、開始剤、メチルエチルケトンを含むハードコート剤を、硬化後の平均厚みが１０μｍとなるようにフィルムのＡ層側に塗布した。塗布後、８０℃のオーブン内で無風で２分間乾燥してメチルエチルケトン溶媒を揮発させた後、紫外線照射積算量が１８０ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外線照射し、目的の積層シートを得た。
蒸着後にハードコート層を設ける以外は実施例１２と同様にして積層シートを得た。具体的にはアクリル系オリゴマー、開始剤、メチルエチルケトンを含むハードコート剤を、硬化後の平均厚みが１０μｍとなるようにフィルムのＡ層側に塗布した。塗布後、８０℃のオーブン内で無風で２分間乾燥してメチルエチルケトン溶媒を揮発させた後、紫外線照射積算量が１８０ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外線照射し、目的の積層シートを得た。
【0107】
（実施例１４）
ハードコート層の乾燥を強風で１分間行う以外は実施例１３と同様にして積層シートを得た。
ハードコート層の乾燥を強風で１分間行う以外は実施例１３と同様にして積層シートを得た。
【0108】
（実施例１５）
蒸着時間を長くしてＡ層を厚くする以外は実施例３と同様にして積層シートを得た。Ａ層厚みは３５０ｎｍであった。
蒸着時間を長くしてＡ層を厚くする以外は実施例３と同様にして積層シートを得た。Ａ層厚みは３５０ｎｍであった。
【0109】
（実施例１６）
ピニングの代わりにエアを吹き付けることで冷却ロールに密着させて製膜する以外は実施例２と同様にして積層シートを得た。
ピニングの代わりにエアを吹き付けることで冷却ロールに密着させて製膜する以外は実施例２と同様にして積層シートを得た。
【0110】
（実施例１７）
Ａ層形成時にＺｎ蒸着源を近くに配置することでＡ層中のＺｎ濃度を高めた以外は実施例１３と同様にして積層シートを得た。Ａ層厚みは２５０ｎｍであった。Ａ層のインピーダンスがＢ層よりも低くなることで界面での反射が大きい積層シートとなった。
Ａ層形成時にＺｎ蒸着源を近くに配置することでＡ層中のＺｎ濃度を高めた以外は実施例１３と同様にして積層シートを得た。Ａ層厚みは２５０ｎｍであった。Ａ層のインピーダンスがＢ層よりも低くなることで界面での反射が大きい積層シートとなった。
【0111】
（実施例１８）
樹脂６を攪拌しながら粘度（１０ｒｐｍ、測定温度３０℃）が２０Ｐａ・ｓになるまで紫外線を照射した。該組成物をＰＥＴフィルム（東レ製、「“ルミラー”（登録商標）１００Ｓ１０」）上に塗布し、ブラックライトにて、照度５ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を３００秒間照射した。さらに９０℃の乾燥機で２分間乾燥し、ＰＥＴフィルムを剥離して厚み３１０μｍのシートを得た。
樹脂６を攪拌しながら粘度（１０ｒｐｍ、測定温度３０℃）が２０Ｐａ・ｓになるまで紫外線を照射した。該組成物をＰＥＴフィルム（東レ製、「“ルミラー”（登録商標）１００Ｓ１０」）上に塗布し、ブラックライトにて、照度５ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を３００秒間照射した。さらに９０℃の乾燥機で２分間乾燥し、ＰＥＴフィルムを剥離して厚み３１０μｍのシートを得た。
【0112】
続いて減圧された真空蒸着機下室にアルゴンガスと酸素を１０：１（モル比）の比率で導入し、２．０×１０－２Ｐａの真空度とした。冷却ドラム下部に配置されたＡｌ蒸発源とＺｎ蒸発源の設置距離を調整することによりＡ層を形成した。
なお、Ａｌの含有比率は、６質量％となるよう各蒸発源温度とシートの搬送速度を調整した。
なお、Ａｌの含有比率は、６質量％となるよう各蒸発源温度とシートの搬送速度を調整した。
【0113】
（比較例１～３）
蒸着時の搬送速度を変更することでＡ層厚みを変更した以外は実施例１と同様にして積層シートを得た。Ａ層厚みは比較例１で４０ｎｍ、比較例２で４６０ｎｍ、比較例３で６００ｎｍであった。
蒸着時の搬送速度を変更することでＡ層厚みを変更した以外は実施例１と同様にして積層シートを得た。Ａ層厚みは比較例１で４０ｎｍ、比較例２で４６０ｎｍ、比較例３で６００ｎｍであった。
【0114】
（比較例４）
樹脂５を用いる以外は実施例１と同様にして積層シートを得た。
樹脂５を用いる以外は実施例１と同様にして積層シートを得た。
【0115】
（比較例５）
蒸着時の搬送速度を比較例３と同様にする以外は実施例１３と同様にして積層シートを得た。
蒸着時の搬送速度を比較例３と同様にする以外は実施例１３と同様にして積層シートを得た。
【0116】
【表1-1】
【0117】
【表1-2】
【0118】
【表2-1】
【0119】
【表2-2】
【産業上の利用可能性】
【0120】
本発明の積層シートは、ガラスや樹脂プレート等の障害物に貼り付けることで電磁波透過性を高めることができる。また安定した透過性が得られる、水分・熱に対して耐久性がある、成型性があるといった特徴から、車両や建築物の窓ガラスやパーテーション、通信機器を保護・収納するケースや棚、通信機器の筐体や車両の内外装などに適用することができる。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】