特開2024-118514測定装置、制御装置、測定方法、プログラム、及び露光装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024118514
(43)【公開日】2024-09-02
(54)【発明の名称】測定装置、制御装置、測定方法、プログラム、及び露光装置
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20240826BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 521
G03F7/20 501
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023024829
(22)【出願日】2023-02-21
(71)【出願人】
【識別番号】000102212
【氏名又は名称】ウシオ電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003339
【氏名又は名称】弁理士法人南青山国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】曽原 直也
【テーマコード（参考）】
2H197
【Ｆターム（参考）】
2H197AA05
2H197CD12
2H197CD13
2H197DB10
2H197DC16
2H197DC20
2H197EA03
2H197HA02
2H197HA03
2H197HA05
(57)【要約】
【課題】露光装置の投影光学系の歪曲収差を高い精度で測定することが可能な測定装置、制御装置、測定方法、プログラム、及び露光装置を提供すること。
【解決手段】本測定装置は、収差検出装置と、制御装置とを具備する。収差検出装置は、光学センサと、入射する光を分割して光学センサに出射するビームスプリッタとを有し、移動可能に構成される。制御装置は、移動制御部と、測定部とを有する。移動制御部は、マスクステージに保持された歪曲収差を測定するための校正用パターンが形成された校正用マスクに照射され、投影光学系からワークステージに向かって照射される露光光が入射する位置にビームスプリッタが配置されるように、投影光学系とワークステージとの間に収差検出装置を移動させる。測定部は、ビームスプリッタにより分割されて光学センサに入射する露光光の検出結果に基づいて、投影光学系の歪曲収差を測定する。
【選択図】図４
【解決手段】本測定装置は、収差検出装置と、制御装置とを具備する。収差検出装置は、光学センサと、入射する光を分割して光学センサに出射するビームスプリッタとを有し、移動可能に構成される。制御装置は、移動制御部と、測定部とを有する。移動制御部は、マスクステージに保持された歪曲収差を測定するための校正用パターンが形成された校正用マスクに照射され、投影光学系からワークステージに向かって照射される露光光が入射する位置にビームスプリッタが配置されるように、投影光学系とワークステージとの間に収差検出装置を移動させる。測定部は、ビームスプリッタにより分割されて光学センサに入射する露光光の検出結果に基づいて、投影光学系の歪曲収差を測定する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
マスクステージに保持された露光用マスクに照射された露光光をワークステージに保持されたワークに照射する投影光学系の歪曲収差を測定する測定装置であって、
光学センサと、入射する光を分割して前記光学センサに出射するビームスプリッタとを有し、移動可能に構成された収差検出装置と、
前記マスクステージに保持された前記歪曲収差を測定するための校正用パターンが形成された校正用マスクに照射され、前記投影光学系から前記ワークステージに向かって照射される前記露光光が入射する位置に前記ビームスプリッタが配置されるように、前記投影光学系と前記ワークステージとの間に前記収差検出装置を移動させる移動制御部と、
前記ビームスプリッタにより分割されて前記光学センサに入射する前記露光光の検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する測定部と
を有する制御装置と
を具備する測定装置。
光学センサと、入射する光を分割して前記光学センサに出射するビームスプリッタとを有し、移動可能に構成された収差検出装置と、
前記マスクステージに保持された前記歪曲収差を測定するための校正用パターンが形成された校正用マスクに照射され、前記投影光学系から前記ワークステージに向かって照射される前記露光光が入射する位置に前記ビームスプリッタが配置されるように、前記投影光学系と前記ワークステージとの間に前記収差検出装置を移動させる移動制御部と、
前記ビームスプリッタにより分割されて前記光学センサに入射する前記露光光の検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する測定部と
を有する制御装置と
を具備する測定装置。
【請求項2】
請求項１に記載の測定装置であって、
前記測定部は、前記ワークステージに保持された前記校正用パターンが形成された校正用ワークに照射され、前記ビームスプリッタにより分割されて前記光学センサに入射する前記測定光の検出結果と、前記露光光の検出結果とを比較することで、前記投影光学系の歪曲収差を測定する
測定装置。
前記測定部は、前記ワークステージに保持された前記校正用パターンが形成された校正用ワークに照射され、前記ビームスプリッタにより分割されて前記光学センサに入射する前記測定光の検出結果と、前記露光光の検出結果とを比較することで、前記投影光学系の歪曲収差を測定する
測定装置。
【請求項3】
請求項１に記載の測定装置であって、
前記制御装置は、前記校正用パターンに対応する校正情報を記憶する記憶部を有し、
前記測定部は、前記校正情報と、前記露光光の検出結果とを比較することで、前記投影光学系の歪曲収差を測定する
測定装置。
前記制御装置は、前記校正用パターンに対応する校正情報を記憶する記憶部を有し、
前記測定部は、前記校正情報と、前記露光光の検出結果とを比較することで、前記投影光学系の歪曲収差を測定する
測定装置。
【請求項4】
請求項１に記載の測定装置であって、
前記測定部は、前記校正用マスクに照射された後に前記投影光学系から前記ワークステージに保持された前記校正用パターンが形成された校正用ワークに照射され、前記ビームスプリッタにより分割されて前記光学センサに入射する前記露光光の検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する
測定装置。
前記測定部は、前記校正用マスクに照射された後に前記投影光学系から前記ワークステージに保持された前記校正用パターンが形成された校正用ワークに照射され、前記ビームスプリッタにより分割されて前記光学センサに入射する前記露光光の検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する
測定装置。
【請求項5】
請求項１に記載の測定装置であって、
前記制御装置は、前記マスクステージに前記校正用マスクを配置する配置制御部を含む
測定装置。
前記制御装置は、前記マスクステージに前記校正用マスクを配置する配置制御部を含む
測定装置。
【請求項6】
請求項５に記載の測定装置であって、
前記配置制御部は、前記ワークステージに、前記校正用パターンが形成された校正用ワークを配置する
測定装置。
前記配置制御部は、前記ワークステージに、前記校正用パターンが形成された校正用ワークを配置する
測定装置。
【請求項7】
請求項１に記載の測定装置であって、
前記移動制御部は、前記校正用マスクに照射された前記露光光が前記投影光学系により結像されることで形成される前記校正用パターンの周縁の位置に、前記ビームスプリッタが配置されるように前記収差検出装置を移動させる
前記測定装置。
前記移動制御部は、前記校正用マスクに照射された前記露光光が前記投影光学系により結像されることで形成される前記校正用パターンの周縁の位置に、前記ビームスプリッタが配置されるように前記収差検出装置を移動させる
前記測定装置。
【請求項8】
請求項７に記載の測定装置であって、
前記移動制御部は、前記校正用パターンの周縁の少なくとも３箇所以上の位置に、前記収差検出装置を移動させる
前記測定装置。
前記移動制御部は、前記校正用パターンの周縁の少なくとも３箇所以上の位置に、前記収差検出装置を移動させる
前記測定装置。
【請求項9】
請求項１に記載の測定装置であって、
前記光学センサは、画像を撮影可能な撮像部であり、
前記移動制御部は、前記露光用マスクのアライメントマークであるマスクマークに照射された前記露光光の光路、及び前記ワークのアライメントマークであるワークマークに照射された非露光光の光路の各々に前記ビームスプリッタが配置されるように、前記投影光学系と前記ワークステージとの間に前記収差検出装置を移動させ、
前記制御装置は、前記ビームスプリッタにより分割されて前記撮像部に入射する前記露光光により得られる前記マスクマークの画像、及び前記ビームスプリッタにより分割されて前記撮像部に入射する前記非露光光により得られる前記ワークマークの画像に基づいて、前記マスクマークの位置及び前記ワークマークの位置の各々を検出する位置検出部を含む
測定装置。
前記光学センサは、画像を撮影可能な撮像部であり、
前記移動制御部は、前記露光用マスクのアライメントマークであるマスクマークに照射された前記露光光の光路、及び前記ワークのアライメントマークであるワークマークに照射された非露光光の光路の各々に前記ビームスプリッタが配置されるように、前記投影光学系と前記ワークステージとの間に前記収差検出装置を移動させ、
前記制御装置は、前記ビームスプリッタにより分割されて前記撮像部に入射する前記露光光により得られる前記マスクマークの画像、及び前記ビームスプリッタにより分割されて前記撮像部に入射する前記非露光光により得られる前記ワークマークの画像に基づいて、前記マスクマークの位置及び前記ワークマークの位置の各々を検出する位置検出部を含む
測定装置。
【請求項10】
請求項９に記載の測定装置であって、
前記投影光学系の歪曲収差を測定するために前記移動制御部により移動される前記収差検出装置の位置と、前記マスクマークの位置及び前記ワークマークの位置の各々を検出するために前記移動制御部により移動される前記収差検出装置の位置とは、互いに等しい
測定装置。
前記投影光学系の歪曲収差を測定するために前記移動制御部により移動される前記収差検出装置の位置と、前記マスクマークの位置及び前記ワークマークの位置の各々を検出するために前記移動制御部により移動される前記収差検出装置の位置とは、互いに等しい
測定装置。
【請求項11】
マスクステージに保持された露光用マスクに照射された露光光をワークステージに保持されたワークに照射する投影光学系の歪曲収差を測定する制御装置であって、
光学センサと入射する光を分割して前記光学センサに出射するビームスプリッタとを有し移動可能に構成された収差検出装置を、前記投影光学系と前記ワークステージとの間に移動させる移動制御部と、
前記光学センサの検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する測定部と
を具備し、
前記移動制御部は、前記マスクステージに保持された前記歪曲収差を測定するための校正用パターンが形成された校正用マスクに照射され、前記投影光学系から前記ワークステージに向かって照射される前記露光光が入射する位置に前記ビームスプリッタが配置されるように、前記収差検出装置を移動させ、
前記測定部は、前記ビームスプリッタにより分割されて前記光学センサに入射する前記露光光の検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する
制御装置。
光学センサと入射する光を分割して前記光学センサに出射するビームスプリッタとを有し移動可能に構成された収差検出装置を、前記投影光学系と前記ワークステージとの間に移動させる移動制御部と、
前記光学センサの検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する測定部と
を具備し、
前記移動制御部は、前記マスクステージに保持された前記歪曲収差を測定するための校正用パターンが形成された校正用マスクに照射され、前記投影光学系から前記ワークステージに向かって照射される前記露光光が入射する位置に前記ビームスプリッタが配置されるように、前記収差検出装置を移動させ、
前記測定部は、前記ビームスプリッタにより分割されて前記光学センサに入射する前記露光光の検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する
制御装置。
【請求項12】
コンピュータにより実行され、マスクステージに保持された露光用マスクに照射された露光光をワークステージに保持されたワークに照射する投影光学系の歪曲収差を測定する測定方法であって、
光学センサと入射する光を分割して前記光学センサに出射するビームスプリッタとを有し移動可能に構成された収差検出装置を、前記投影光学系と前記ワークステージとの間に移動させる移動制御ステップと、
前記光学センサの検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する測定ステップと
を含み、
前記移動制御ステップは、前記マスクステージに保持された前記歪曲収差を測定するための校正用パターンが形成された校正用マスクに照射され、前記投影光学系から前記ワークステージに向かって照射される前記露光光が入射する位置に前記ビームスプリッタが配置されるように、前記収差検出装置を移動させ、
前記測定ステップは、前記ビームスプリッタにより分割されて前記光学センサに入射する前記露光光の検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する
測定方法。
光学センサと入射する光を分割して前記光学センサに出射するビームスプリッタとを有し移動可能に構成された収差検出装置を、前記投影光学系と前記ワークステージとの間に移動させる移動制御ステップと、
前記光学センサの検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する測定ステップと
を含み、
前記移動制御ステップは、前記マスクステージに保持された前記歪曲収差を測定するための校正用パターンが形成された校正用マスクに照射され、前記投影光学系から前記ワークステージに向かって照射される前記露光光が入射する位置に前記ビームスプリッタが配置されるように、前記収差検出装置を移動させ、
前記測定ステップは、前記ビームスプリッタにより分割されて前記光学センサに入射する前記露光光の検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する
測定方法。
【請求項13】
請求項１２に記載の測定方法をコンピュータに実行させるプログラム。
【請求項14】
請求項１に記載の測定装置を含む露光装置であって、さらに、
前記光出射部と、
前記投影光学系と、
前記マスクステージと、
前記ワークステージと
を具備する露光装置。
前記光出射部と、
前記投影光学系と、
前記マスクステージと、
前記ワークステージと
を具備する露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、露光装置の投影光学系の歪曲収差の測定に適用可能な測定装置、制御装置、測定方法、プログラム、及び露光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体素子、プリント基板、又は液晶基板等のパターンをフォトリソグラフィにより製造する工程において、露光装置が使用される。露光装置は、パターンを形成したマスクと、そのパターンが転写されるワークとが所定の位置関係となるように位置合わせ（アライメント）される。その後、マスクに照射された露光光が、投影光学系によりワークに照射され、ワークにマスクパターンが転写（露光）される。
【0003】
特許文献１には、露光装置における投影光学系の歪曲収差（ディストーション）を評価する方法について開示されている。特許文献１に記載の露光装置では、その図１に示すように、マスクの上方側に配置されたアライメントスコープによる空中像計測の結果に基づいて、投影光学系のディストーションが評価される。
【0004】
また、特許文献２には、露光装置において、マスクとワークとの位置合わせを行うためのアライメント顕微鏡について開示されている。アライメント顕微鏡によりマスクに形成されたマスクマークと、ワークに形成されたワークマークとが撮影される。撮影されたマスクマーク及びワークマークの各々の画像に基づいて、マスクマーク及びワークマークの各々の位置座標が算出される。両者の位置が予め設定された位置関係になるようにマスクおよびワークの少なくとも一方が移動される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０２１－１７９５７２号公報
【特許文献2】特開２０２１－１１７２３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
近年では、配線パターン等の微細化がますます進み、露光精度のさらなる向上が求められている。従って、投影光学系の歪曲収差を精度よく測定することが可能な技術が求められている。
【0007】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、露光装置の投影光学系の歪曲収差を高い精度で測定することが可能な測定装置、制御装置、測定方法、プログラム、及び露光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る測定装置は、マスクステージに保持された露光用マスクに照射された露光光をワークステージに保持されたワークに照射する投影光学系の歪曲収差を測定する測定装置であって、収差検出装置と、制御装置とを具備する。
前記収差検出装置は、光学センサと、入射する光を分割して前記光学センサに出射するビームスプリッタとを有し、移動可能に構成される。
前記制御装置は、移動制御部と、測定部とを有する。
前記移動制御部は、前記マスクステージに保持された前記歪曲収差を測定するための校正用パターンが形成された校正用マスクに照射され、前記投影光学系から前記ワークステージに向かって照射される前記露光光が入射する位置に前記ビームスプリッタが配置されるように、前記投影光学系と前記ワークステージとの間に前記収差検出装置を移動させる。
前記測定部は、前記ビームスプリッタにより分割されて前記光学センサに入射する前記露光光の検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する。
前記収差検出装置は、光学センサと、入射する光を分割して前記光学センサに出射するビームスプリッタとを有し、移動可能に構成される。
前記制御装置は、移動制御部と、測定部とを有する。
前記移動制御部は、前記マスクステージに保持された前記歪曲収差を測定するための校正用パターンが形成された校正用マスクに照射され、前記投影光学系から前記ワークステージに向かって照射される前記露光光が入射する位置に前記ビームスプリッタが配置されるように、前記投影光学系と前記ワークステージとの間に前記収差検出装置を移動させる。
前記測定部は、前記ビームスプリッタにより分割されて前記光学センサに入射する前記露光光の検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する。
【0009】
この測定装置では、校正用マスクに照射され投影光学系を介して照射される露光光が入射する位置にビームスプリッタが配置されるように、投影光学系とワークステージとの間に収差検出装置が移動される。そして、収差検出装置の光学センサにより検出される、ビームスプリッタにより分割された露光光の検出結果に基づいて、投影光学系の歪曲収差が測定される。これにより、投影光学系の歪曲収差を高い精度で測定することが可能となる。
【0010】
前記測定部は、前記ワークステージに保持された前記校正用パターンが形成された校正用ワークに照射され、前記ビームスプリッタにより分割されて前記光学センサに入射する前記測定光の検出結果と、前記露光光の検出結果とを比較することで、前記投影光学系の歪曲収差を測定してもよい。
【0011】
前記制御装置は、前記校正用パターンに対応する校正情報を記憶する記憶部を有してもよい。この場合、前記測定部は、前記校正情報と、前記露光光の検出結果とを比較することで、前記投影光学系の歪曲収差を測定してもよい。
【0012】
前記測定部は、前記校正用マスクに照射された後に前記投影光学系から前記ワークステージに保持された前記校正用パターンが形成された校正用ワークに照射され、前記ビームスプリッタにより分割されて前記光学センサに入射する前記露光光の検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定してもよい。
【0013】
前記制御装置は、前記マスクステージに前記校正用マスクを配置する配置制御部を含んでもよい。
【0014】
前記配置制御部は、前記ワークステージに、前記校正用パターンが形成された校正用ワークを配置してもよい。
【0015】
前記移動制御部は、前記校正用マスクに照射された前記露光光が前記投影光学系により結像されることで形成される前記校正用パターンの周縁の位置に、前記ビームスプリッタが配置されるように前記収差検出装置を移動させてもよい。
【0016】
前記移動制御部は、前記校正用パターンの周縁の少なくとも３箇所以上の位置に、前記収差検出装置を移動させてもよい。
【0017】
前記光学センサは、画像を撮影可能な撮像部であってもよい。この場合、前記移動制御部は、前記露光用マスクのアライメントマークであるマスクマークに照射された前記露光光の光路、及び前記ワークのアライメントマークであるワークマークに照射された非露光光の光路の各々に前記ビームスプリッタが配置されるように、前記投影光学系と前記ワークステージとの間に前記収差検出装置を移動させてもよい。また、前記制御装置は、前記ビームスプリッタにより分割されて前記撮像部に入射する前記露光光により得られる前記マスクマークの画像、及び前記ビームスプリッタにより分割されて前記撮像部に入射する前記非露光光により得られる前記ワークマークの画像に基づいて、前記マスクマークの位置及び前記ワークマークの位置の各々を検出する位置検出部を含んでもよい。
【0018】
前記投影光学系の歪曲収差を測定するために前記移動制御部により移動される前記収差検出装置の位置と、前記マスクマークの位置及び前記ワークマークの位置の各々を検出するために前記移動制御部により移動される前記収差検出装置の位置とは、互いに等しくてもよい。
【0019】
本発明の一形態に係る制御装置は、前記移動制御部と、前記測定部とを具備する。
【0020】
本発明の一形態に係る測定方法は、コンピュータにより実行され、マスクステージに保持された露光用マスクに照射された露光光をワークステージに保持されたワークに照射する投影光学系の歪曲収差を測定する測定方法であって、移動制御ステップと、測定ステップとを含む。
前記移動制御ステップは、光学センサと入射する光を分割して前記光学センサに出射するビームスプリッタとを有し移動可能に構成された収差検出装置を、前記投影光学系と前記ワークステージとの間に移動させる。
前記測定ステップは、前記光学センサの検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する。
また、前記移動制御ステップは、前記マスクステージに保持された前記歪曲収差を測定するための校正用パターンが形成された校正用マスクに照射され、前記投影光学系から前記ワークステージに向かって照射される前記露光光が入射する位置に前記ビームスプリッタが配置されるように、前記収差検出装置を移動させる。
また、前記測定ステップは、前記ビームスプリッタにより分割されて前記光学センサに入射する前記露光光の検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する。
前記移動制御ステップは、光学センサと入射する光を分割して前記光学センサに出射するビームスプリッタとを有し移動可能に構成された収差検出装置を、前記投影光学系と前記ワークステージとの間に移動させる。
前記測定ステップは、前記光学センサの検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する。
また、前記移動制御ステップは、前記マスクステージに保持された前記歪曲収差を測定するための校正用パターンが形成された校正用マスクに照射され、前記投影光学系から前記ワークステージに向かって照射される前記露光光が入射する位置に前記ビームスプリッタが配置されるように、前記収差検出装置を移動させる。
また、前記測定ステップは、前記ビームスプリッタにより分割されて前記光学センサに入射する前記露光光の検出結果に基づいて、前記投影光学系の歪曲収差を測定する。
【0021】
本発明の一形態に係るプログラムは、前記測定方法をコンピュータに実行させるプログラムである。
【0022】
本発明の一形態に係る露光装置は、前記測定方法を含む露光装置であって、さらに、前記光出射部と、前記投影光学系と、前記マスクステージと、前記ワークステージとを具備する。
【発明の効果】
【0023】
以上のように、本発明によれば、露光装置の投影光学系の歪曲収差を高い精度で測定することが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】本発明の一実施形態に係る露光装置の基本的な構成例を示す模式図である。
【図2】歪曲収差の測定の基本的な動作例を示すフローチャートである。
【図3】歪曲収差の測定の具体的な動作例を示すフローチャートである。
【図6】歪曲収差の測定の他の動作例を示すフローチャートである。
【図7】歪曲収差の測定の他の動作例を示すフローチャートである。
【図8】収差検出装置の検出位置の設定例を示す模式図である。
【図9】収差検出装置の検出位置の設定例を示す模式図である。
【図10】収差検出装置の検出位置の設定例を示す模式図である。
【図11】歪曲収差の例を示す模式図である。
【図12】歪曲収差の例を示す模式図である。
【図13】歪曲収差の例を示す模式図である。
【図14】歪曲収差の例を示す模式図である。
【図15】歪曲収差の例を示す模式図である。
【図16】収差検出装置を用いたアライメントマークの検出動作例を説明するための模式図である（マスクマークの検出）。
【図17】収差検出装置を用いたアライメントマークの検出動作例を説明するための模式図である（ワークマークの検出）。
【発明を実施するための形態】
【0025】
以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
【0026】
［露光装置の構成］
図１は、本発明の一実施形態に係る露光装置の基本的な構成例を示す模式図である。
露光装置１は、光出射部２と、マスクステージＭＳと、ワークステージＷＳと、投影光学系３と、収差検出装置４と、モニタ５と、制御装置６とを有する。
図１は、本発明の一実施形態に係る露光装置の基本的な構成例を示す模式図である。
露光装置１は、光出射部２と、マスクステージＭＳと、ワークステージＷＳと、投影光学系３と、収差検出装置４と、モニタ５と、制御装置６とを有する。
【0027】
以下、図１に示すように、光出射部２の光軸方向（露光光ＥＬの出射方向）をＺ方向とし、Ｚ軸の正側を上方側、負側を下方側とする。またＺ方向に直交し、図中の左右に延在する方向をＸ方向とし、Ｘ軸の正側を右側、負側を左側とする。また、Ｚ方向及びＸ方向の各々に直交し、紙面に対して垂直となる奥行方向をＹ方向とし、Ｙ軸の正側を奥側、負側を手前側とする。もちろん、本技術の適用について、露光装置１（収差検出装置４）が配置される向き等が限定される訳ではない。
【0028】
光出射部２は、下方側に向けて露光光ＥＬを出射する。例えば、光出射部２として、ショートアーク型の水銀ランプが用いられる。水銀ランプからは、例えば、波長３６５ｎｍ（ｉ線）、４０５ｎｍ（ｈ線）、４３６ｎｍ（ｇ線）等を含む紫外光が出射される。もちろんこのような構成に限定されず、紫外光とは異なる波長帯域の光を出射するランプが用いられてもよい。その他、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）やＬＤ（Laser Diode）等の固体光源が用いられてもよい。
【0029】
マスクステージＭＳは、光出射部２の下方側に配置される。マスクステージＭＳは、露光用マスク（以下、単にマスクと記載する）Ｍを保持する。本実施形態では、光出射部２の光軸方向（Ｚ方向）に直交するように、マスクＭが配置される。マスクＭには、所定のマスクパターンＭＰが形成されている。またマスクＭには、アライメントマーク（マスクマーク）ＭＡＭが形成されている。マスクマークＭＡＭは、マスク・アライメントマークとも呼ばれる。
【0030】
投影光学系３は、マスクＭに照射された露光光ＥＬを、ワークステージＷＳに配置されたワークＷに出射する。これにより、ワークＷにマスクＭに形成されているマスクパターンＭＰの像が投影される。投影光学系３は、投影レンズを有する結像光学系として構成される。投影光学系３の詳しい構成は限定されず、任意の構成が採用されてよい。
【0031】
ワークステージＷＳは、ワークＷを保持する。本実施形態では、光出射部２の光軸方向（Ｚ方向）に直交するように、ワークＷが配置される。ワークステージＷＳは、左右方向（Ｘ方向）及び奥行方向（Ｙ方向）の各々において、直線的な移動（直動）が可能なように構成されている。またワークステージＷＳは、上下方向（Ｚ方向）を回転軸方向とする回転が可能なように構成されている。さらに本実施形態では、ワークステージＷＳは、光出射部２の光軸方向（Ｚ方向）に対してチルトする（傾斜する）ことが可能なように構成されている。
【0032】
ワークステージＷＳが駆動することで、ワークＷのマスクＭに対する相対位置を変動させることが可能である。なお、マスクステージＭＳが、左右方向（Ｘ方向）及び奥行方向（Ｙ方向）の各々における直動、及び上下方向（Ｚ方向）を回転軸方向とする回転が可能なように構成されてもよい。またマスクステージＭＳが、光出射部２の光軸方向（Ｚ方向）に対してチルトする（傾斜する）ことが可能なように構成されてもよい。もちろん、マスクステージＭＳ及びワークステージＷＳの両方が移動／回転／傾斜可能に構成されてもよい。
【0033】
ワークＷには、アライメントマーク（ワークマーク）ＷＡＭが形成されている。ワークマークＷＡＭは、ワーク・アライメントマークとも呼ばれる。
【0034】
図１に示すように、ワークステージＷＳのワークＷが載置される載置面７には、反射ミラー８が埋め込まれる。反射ミラー８は、マスクＭが配置されており、一方でワークＷが配置されていない状態で露光光ＥＬを照射した場合に、マスクマークＭＡＭを含むマスクパターンＭＰ全体の像が映る位置に配置される。すなわち、反射ミラー８は、ワークＷが配置される領域のほぼ全体にわたるように配置される。
【0035】
マスクＭとワークＷとの位置合わせが完了すると、露光工程が開始され、光出射部２から露光光ＥＬが出射される。光出射部２から出射された露光光ＥＬは、マスクパターンＭＰが形成されたマスクＭと、投影光学系３とを介して、レジストを塗布したワークＷ上に照射される。これにより、マスクパターンＭＰがワークＷ上に投影されて露光される。
【0036】
マスクＭとワークＷとの位置合わせには、アライメント顕微鏡が用いられる。アライメント顕微鏡を投影光学系３とワークステージＷＳとの間の領域（空間）にて適宜移動させて、マスクマークＭＡＭの拡大画像、及びワークマークＷＡＭの拡大画像を撮影する。当該アライメント顕微鏡と、本発明に係る収差検出装置４とを兼用させることも可能であり、その点については、後述する。
【0037】
図１に例示するような露光装置１において、光出射部２からマスクステージＭＳに保持されたマスクＭに照射された露光光ＥＬを、ワークステージＷＳに保持されたワークＷに照射する投影光学系３の歪曲収差を測定することは重要である。
【0038】
本開示では、歪曲収差の測定は、現状の投影光学系３の歪曲収差（ディストーション）を検出し、検出された歪曲収差がどの程度であるかを評価するまでの処理を含むものとする。また本開示では、歪曲収差の評価を行うための、現状の投影光学系３の歪曲収差を示す情報を、歪曲収差情報と記載する（図２参照）。
【0039】
収差検出装置４は、露光装置１の投影光学系３の歪曲収差を検出する際に用いられる。すなわち、収差検出装置４は、投影光学系３の歪曲収差を検出し、その検出結果を歪曲収差情報として出力することが可能である。
【0040】
収差検出装置４は、おおよその形状が、一方向に延在する柱形状からなり、内部に、ビームスプリッタ１０と、対物レンズ１２と、光学センサ１３とを有する。
【0041】
収差検出装置４は、柱形状の延在方向が左右方向（Ｘ方向）となるように配置され、移動可能に構成される。具体的には、ビームスプリッタ１０が投影光学系３とワークステージＷＳ（ワークＷ）との間に配置される歪曲収差の検出位置から、図１に示す退避位置までの間で移動可能に構成される。
【0042】
収差検出装置４が、左右方向（Ｘ方向）、奥行方向（Ｙ方向）、上下方向（Ｚ方向）の各方向において自由に移動可能な構成が好ましい。一方で、このような構成に限定されず、収差検出装置４が検出位置と退避位置との間で移動可能であるのならば、移動可能な方向が制限されていてもよい。例えば、収差検出装置４が、左右方向（Ｘ方向）のみに移動可能なように構成されてもよい。
【0043】
収差検出装置４の内部において、ビームスプリッタ１０、対物レンズ１２、及び光学センサ１３は、光学センサ１３の撮影光軸Ｏを基準として配置される。本実施形態では、光学センサ１３として、２次元の画像を撮影可能な撮像デバイス（撮像部）が用いられる。例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）センサやＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）センサ等のイメージセンサを備えるデジタルカメラを用いることが可能である。これに限定されず、非テレセントリックレンズやテレセントリックレンズ等の結像レンズと上記イメージセンサを組み合わせたデジタルカメラが用いられてもよい。これに限定されず、光学センサ１３として、１次元の情報（画像）を取得可能なラインセンサ等が用いられてもよい。
【0044】
ビームスプリッタ１０として、入射する光を分割して光学センサ１３に出射することが可能な任意の構成が採用されてよい。例えば、プレート型ビームスプリッタ、ペリクル型ビームスプリッタ、キューブ型ビームスプリッタ等の、様々な構成のビームスプリッタが用いられてよい。例えば、キューブ型ビームスプリッタを用いる場合には、撮影光軸Ｏ上に１以上の収差補正レンズが配置されてもよい。
【0045】
また収差検出装置４のビームスプリッタ１０の下方側の位置には、照明部１４が配置される。照明部１４は、下方側に向かって非露光光ＮＥＬを出射する。例えば、照明部１４としてリング照明が用いられ、非露光光ＮＥＬとして可視光が出射される。もちろん、このような構成に限定されるわけではなく、同軸照明法を行う構成が採用されてもよい。
【0046】
制御装置６は、露光装置１が有する各ブロックの動作を制御する。制御装置６は、例えばＣＰＵ、ＧＰＵ、ＤＳＰ等のプロセッサ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等のメモリ、ＨＤＤ等の記憶デバイス等、コンピュータに必要なハードウェアを有する。本実施形態では、不揮発性メモリ等の記憶デバイス等により記憶部１５が構成される。記憶部１５を実現するために、コンピュータ読み取り可能な非一過性の任意の記憶媒体が用いられてよい。
【0047】
制御装置６のプロセッサが記憶部１５やメモリに記憶されている本技術に係るプログラムをＲＡＭにロードして実行することにより、本技術に係る歪曲収差の測定方法や位置合わせ方法（アライメント方法）を含む露光方法が実行される。
【0048】
例えばＰＣ（Personal Computer）等の任意のコンピュータにより、制御装置６を実現することが可能である。もちろんＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等のＰＬＤ(Programmable Logic Device)や、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等のハードウェアが用いられてもよい。
【0049】
本実施形態では、制御装置６のプロセッサが本技術に係るプログラムを実行することで、機能ブロックとして、移動制御部１６、歪曲収差測定部１７、位置検出部１８が実現される。
【0050】
移動制御部１６は、収差検出装置４の移動を制御する。移動制御部１６により、収差検出装置４を左右方向（Ｘ方向）、奥行方向（Ｙ方向）、上下方向（Ｚ方向）の各方向において移動させるための移動機構（図示は省略）に、制御信号が出力される。当該制御信号に基づいて、収差検出装置４が移動される。なお、移動機構の具体的な構成については限定されず、任意の構成が採用されてよい。
【0051】
歪曲収差測定部１７は、収差検出装置４の光学センサ１３の検出結果（画像）に基づいて、投影光学系３の歪曲収差を測定（評価）する。
【0052】
位置検出部１８は、アライメント顕微鏡により撮影されたマスクマークＭＡＭの画像及びワークマークＷＡＭの画像に基づいて、マスクマークＭＡＭの位置及びワークマークＷＡＭの位置の各々を検出する。
【0053】
また位置検出部１８は、検出されたマスクマークＭＡＭの位置、及びワークマークＷＡＭの位置に基づいて、ワークステージＷＳを制御して、マスクＭ及びワークＷが所望の位置関係となるように、位置合わせを行う。具体的には、マスクマークＭＡＭ及びワークマークＷＡＭが互いに同じ位置となるように（所定の位置関係となるように）、ワークステージＷＳが制御される。これによりマスクＭ及びワークＷの位置合わせが可能となる。
【0054】
その他制御装置６には、露光に関する様々な制御を実行する機能ブロックが構築されるが、図示は省略している。また、位置検出部１８を含む各機能ブロックを実現するために、ＩＣ（集積回路）等の専用のハードウェアが適宜用いられてもよい。
【0055】
［歪曲収差の測定］
図２は、歪曲収差の測定の基本的な動作例を示すフローチャートである。
投影光学系３の歪曲収差を示す歪曲収差情報が取得される（ステップ１０１）。
本実施形態では、マスクステージＭＳに校正用マスクＣＭが配置される。例えば、制御装置６により、ロボットアーム等（図示は省略）が駆動され、マスクステージＭＳに校正用マスクＣＭが配置される。この場合、制御装置６に機能ブロックとして、マスクステージＭＳへの校正用マスクＣＭの配置動作を制御する配置制御部（図示は省略）が構成される。もちろん、オペレータにより、校正用マスクＣＭが配置されてもよい。
図２は、歪曲収差の測定の基本的な動作例を示すフローチャートである。
投影光学系３の歪曲収差を示す歪曲収差情報が取得される（ステップ１０１）。
本実施形態では、マスクステージＭＳに校正用マスクＣＭが配置される。例えば、制御装置６により、ロボットアーム等（図示は省略）が駆動され、マスクステージＭＳに校正用マスクＣＭが配置される。この場合、制御装置６に機能ブロックとして、マスクステージＭＳへの校正用マスクＣＭの配置動作を制御する配置制御部（図示は省略）が構成される。もちろん、オペレータにより、校正用マスクＣＭが配置されてもよい。
【0056】
校正用マスクＣＭは、歪曲収差を測定するための校正用パターンＣＰが形成されたマスクである。本実施形態では、校正用パターンＣＰとして、格子パターンが用いられる。もちいろ、格子パターンに限定されず、星形、三角形、四角形等の所定の形状が並んで配置されたパターンや、ドットパターン等、歪曲収差が検出可能な任意のパターンが採用されてよい。
【0057】
校正用パターンＣＰ及び校正用マスクＣＭを、歪曲収差を測定するために基準となる基準パターン及び基準マスクと呼ぶことも可能である。
【0058】
光出射部２から露光光ＥＬが出射される。校正用マスクＣＭに照射され、投影光学系３からワークステージＷＳに向かって出射される露光光ＥＬは、校正用パターンＣＰの像を形成する光となり、投影光学系３の歪曲収差の情報を含む。当該露光光ＥＬを、収差検出装置４により検出することで、歪曲収差を示す歪曲収差情報を取得することが可能である。
【0059】
また、校正用パターンＣＰに対応する校正情報が取得される（ステップ１０２）。校正情報は、理想的な校正用パターンＣＰを示す情報であり、投影光学系３の歪曲収差の影響を受けていない校正用パターンの情報ともいえる。歪曲収差情報と、校正情報とが比較されることで、投影光学系３の歪曲収差が測定（評価）される（ステップ１０３）。
【0060】
【0061】
図３に示す例では、歪曲収差測定シーケンスＡが実行され、投影光学系３の歪曲収差が評価される（ステップ２０１）。そして、歪曲収差の評価結果が、許容範囲であるか否かが判定される（ステップ２０２）。歪曲収差の評価結果が許容範囲ではない場合（ステップ２０２のＮｏ）、投影光学系３の調整が行われる（ステップ２０３）。そして、ステップ２０１の歪曲収差測定シーケンスＡが再び実行される。
【0062】
なお、評価結果が許容範囲であるか否かを判定するための基準、及び判定方法は限定されず、任意に設定されてよい。また、投影光学系３の調整としては、例えば投影光学系３に含まれる投影レンズ等の光学素子の位置の調整、加工、交換等により行われる。
【0063】
歪曲収差測定シーケンスＡでは、マスクステージＭＳに校正用マスクＣＭが配置される（ステップ２０１）。ワークステージＷＳには、ワークＷは配置されない。従って、ワークステージＷＳの載置面７に設けられた反射ミラー８が上方側に向けて露出している。
【0064】
次に、収差検出装置４により、投影光学系３により結像された校正用パターンＣＰの画像が取得される（ステップ２０５）。図４に示すように、移動制御部１６により、収差検出装置４が、歪曲収差の検出位置に移動される。すなわち、マスクステージＭＳに保持された校正用マスクＣＭに照射され、投影光学系３からワークステージＷＳに向かって照射される露光光ＥＬが入射する位置にビームスプリッタ１０が配置されるように、投影光学系３とワークステージＷＳとの間に収差検出装置４が移動される。
【0065】
光出射部２から露光光ＥＬが出射されると、校正用マスクＣＭに照射された露光光ＥＬは、投影光学系３を介してワークステージＷＳに設けられた反射ミラー８に向かって進み、反射ミラー８により上方側に反射されて進む。
【0066】
図４に示すように、本実施形態では、ビームスプリッタ１０が、上下方向（Ｚ方向）に延在する露光光ＥＬの光路に対して、交差角度が４５度となるように配置される。具体的には、左上から右下に向かう斜め４５度の方向に平行となるように、ビームスプリッタ１０が配置される。
【0067】
光出射部２から露光光ＥＬが出射されると、校正用マスクＣＭに照射された露光光ＥＬは、投影光学系３を介して上方側からビームスプリッタ１０に入射する。ビームスプリッタ１０を透過し下方側に進む露光光ＥＬは、反射ミラー８により上方側に反射される。
【0068】
上方側に反射された露光光ＥＬは、再度ビームスプリッタ１０に入射する。ビームスプリッタ１０により反射された露光光ＥＬは、左右方向（Ｘ方向）に沿って左側に向かって進む。露光光ＥＬは、対物レンズ１２を介して、光学センサ１３に入射する。これにより、光学センサ１３により、校正用パターンＣＰの画像が撮影される。もちろん、収差検出装置４の位置に対応した校正用パターンＣＰの一部の領域の画像が撮影される。
【0069】
次に、歪曲収差測定部１７により、校正用マスクＣＭに基づいた歪曲収差情報が取得される（ステップ２０６）。本実施形態では、収差検出装置４により撮影された校正用パターンＣＰの一部の画像に基づいて、投影光学系３を介してワークステージＷＳ上に結像される校正用パターンＣＰの像位置が、歪曲収差情報として検出される。校正用パターンＣＰの像位置は、校正用パターンＣＰの形状に対応する情報である。
【0070】
本実施形態では、校正用パターンＣＰの像位置は、収差検出装置４の位置情報、及び画像を構成する画素の位置情報に基づいて、座標情報として取得される。もちろん、その他の算出方法が採用されてもよい。
【0071】
校正用パターンＣＰの像位置を検出するために、例えば、画像サイズの換算、文字認識、形状認識、物体のモデル画像を用いたマッチング処理、エッジ検出、射影変換等の任意の画像認識技術が用いられてよい。また、例えばＤＮＮ（Deep Neural Network：深層ニューラルネットワーク）、ＲＮＮ（Recurrent Neural Network：回帰型ニューラルネットワーク）、ＣＮＮ（Convolutional Neural Network：畳み込みニューラルネットワーク）等を用いた任意の機械学習アルゴリズムが用いられてもよい。
【0072】
歪曲収差測定部１７により取得された校正用パターンＣＰの画像、及び校正用パターンＣＰの像位置（形状）は、記憶部１５に記憶される。
【0073】
図５に示すように、光出射部２による露光光ＥＬの出射が停止される。そして、ワークステージＷＳに校正用ワークＣＷが配置される（ステップ２０７）。例えば、制御装置６により、ロボットアーム等（図示は省略）が駆動され、ワークステージＷＳに校正用ワークＣＷが配置される。この場合、制御装置６に機能ブロックとして、ワークステージＷＳへの校正用ワークＣＷの配置動作を制御する配置制御部（図示は省略）が構成される。もちろん、オペレータにより、校正用ワークＣＷが配置されてもよい。
【0074】
校正用ワークＣＷは、校正用パターンＣＰが形成されたワークである。本実施形態では、校正用ワークＣＷとして、校正用パターンＣＰが形成された基板が用いられる。校正用ワークＣＷ（校正用基板）を、歪曲収差を測定するために基準となる基準ワーク（基準基板）と呼ぶことも可能である。
【0075】
以下、校正用マスクＣＭに形成された校正用パターンＣＰ、投影光学系３を介して結像される校正用パターンＣＰ、及び校正用ワークＣＷに形成される校正用パターンＣＰを区別して説明する際には、符号を区別して記載する。具体的には、図４及び図５に示すように、校正用マスクＣＭに形成された校正用パターンＣＰ１、投影光学系３を介して結像される校正用パターンＣＰ２、及び校正用ワークＣＷに形成される校正用パターンＣＰ３と記載する。
【0076】
次に、収差検出装置４により、校正用ワークＣＷに形成された校正用パターンＣＰ３の画像が取得される（ステップ２０８）。
【0077】
収差検出装置４は移動されず、歪曲収差の検出位置に配置されたままの状態である。そして、収差検出装置４の照明部１４により、校正用ワークＣＷに形成された校正用パターンＣＰ３に向かって、非露光光ＮＥＬが測定光として照射される。校正用パターンＣＰ３に照射された非露光光ＮＥＬは反射され、校正用ワークＣＷの上方側に配置されたビームスプリッタ１０に入射する。
【0078】
ビームスプリッタ１０に入射する非露光光ＮＥＬは反射され、左右方向（Ｘ方向）に沿って左側に向かって進む。非露光光ＮＥＬは、対物レンズ１２を介して、光学センサ１３に入射する。これにより、光学センサ１３により、校正用パターンＣＰ３の画像が撮影される。もちろん、収差検出装置４の位置に対応した校正用パターンＣＰ３の一部の領域の画像が撮影される。
【0079】
次に、歪曲収差測定部１７により、校正用ワークＣＷに基づいた校正情報が取得される（ステップ２０９）。本実施形態では、収差検出装置４により撮影された校正用パターンＣＰ３の一部の画像に基づいて、校正用ワークＣＷに形成された校正用パターンＣＰ３の位置が、校正情報として検出される。校正用パターンＣＰ３の位置は、校正用パターンＣＰ３の形状に対応する情報である。
【0080】
本実施形態では、校正用パターンＣＰ３の位置は、収差検出装置４の位置情報、及び画像を構成する画素の位置情報に基づいて、座標情報として取得される。その他の算出方法が採用されてもよく、機械学習アルゴリズム等、任意の技術が採用されてよい。
【0081】
歪曲収差測定部１７により、歪曲収差情報として取得された校正用パターンＣＰ２の像位置（形状）と、校正情報として取得された校正用パターンＣＰ３の位置（形状）とが比較されて、投影光学系３の歪曲収差が評価される（ステップ２１０）。
【0082】
このように歪曲収差測定シーケンスＡでは、歪曲収差測定部１７により、ワークステージＷＳに保持された校正用パターンＣＰ３が形成された校正用ワークＷＳに照射され、ビームスプリッタ１０により分割されて光学センサ１３に入射する非露光光ＮＥＬの検出結果（校正用パターンＣＰ３の画像）と、露光光ＥＬの検出結果（校正用パターンＣＰ２の画像）とを比較することで、投影光学系３の歪曲収差が測定される。
【0083】
なお、図１に示す移動制御部１６は、マスクステージに保持された歪曲収差を測定するための校正用パターンが形成された校正用マスクに照射され、投影光学系からワークステージに向かって照射される露光光が入射する位置にビームスプリッタが配置されるように、投影光学系とワークステージとの間に前記収差検出装置を移動させる移動制御部の一実施形態に相当する。
【0084】
また図１に示す歪曲収差測定部１７は、ビームスプリッタにより分割されて光学センサに入射する露光光の検出結果に基づいて、投影光学系の歪曲収差を測定する測定部の一実施形態に相当する。
【0085】
また図３に示す歪曲収差測定シーケンスＡでは、ステップ２０６の校正用マスクＣＭに基づいた歪曲収差情報の取得ステップが、図２に示すステップ１０１の歪曲収差情報の取得ステップの一実施形態に相当する。またステップ２０９の校正用ワークＣＷに基づいた校正情報の取得ステップが、図２に示すステップ１０２の校正情報の取得ステップの一実施形態に相当する。またステップ２１０の歪曲収差の評価ステップが、図２に示すステップ１０３の歪曲収差の測定ステップの一実施形態に相当する。
【0086】
図６は、歪曲収差の測定の他の動作例を示すフローチャートである。
図６に示す例では、歪曲収差測定シーケンスＢが実行される（ステップ３０１）。歪曲収差測定シーケンスＢにより測定された評価結果に基づいて、許容範囲であるか否かの判定ステップ（ステップ３０２）及び投影光学系３の調整ステップ（ステップ３０３）が実行される。
図６に示す例では、歪曲収差測定シーケンスＢが実行される（ステップ３０１）。歪曲収差測定シーケンスＢにより測定された評価結果に基づいて、許容範囲であるか否かの判定ステップ（ステップ３０２）及び投影光学系３の調整ステップ（ステップ３０３）が実行される。
【0087】
歪曲収差測定シーケンスＢにおいて、ステップ３０４～３０６は、歪曲収差測定シーケンスＡのステップ２０４～２０６と同様である。すなわち、校正用マスクＣＭに基づいた歪曲収差情報の取得は、歪曲収差測定シーケンスＡと同様の処理により実行される。
【0088】
歪曲収差測定シーケンスＢでは、歪曲収差測定部１７により、記憶部１５に記憶された校正情報が読み出されて取得される（ステップ３０７）。従って、歪曲収差測定シーケンスＢを実行するためには、記憶部１５に、校正用パターンＣＰに対応する校正情報が記憶されている必要がある。
【0089】
記憶部１５に記憶される校正情報は、理想的な校正用パターンＣＰを示す情報である。典型的には、収差検出装置４が配置される検出位置に対応して、光学センサ１３の画角に入ると想定される領域の理想的な校正用パターンＣＰの位置（形状）を示す座標情報が読み出される。
【0090】
ステップ３０８では、歪曲収差情報として取得された校正用パターンＣＰ２の像位置（形状）と、記憶部１５から読み出された校正情報とが比較されて、投影光学系３の歪曲収差が評価される。
【0091】
このように歪曲収差測定シーケンスＢでは、記憶部１５により、校正用パターンＣＰに対応する校正情報が記憶される。そして、歪曲収差測定部１７により、記憶部１５の校正情報と、露光光ＥＬの検出結果（校正用パターンＣＰ２の画像）とを比較することで、投影光学系３の歪曲収差が測定される。
【0092】
図７は、歪曲収差の測定の他の動作例を示すフローチャートである。
図７に示す例では、歪曲収差測定シーケンスＣが実行される（ステップ４０１）。歪曲収差測定シーケンスＣにより測定された評価結果に基づいて、許容範囲であるか否かの判定ステップ（ステップ４０２）及び投影光学系３の調整ステップ（ステップ４０３）が実行される。
図７に示す例では、歪曲収差測定シーケンスＣが実行される（ステップ４０１）。歪曲収差測定シーケンスＣにより測定された評価結果に基づいて、許容範囲であるか否かの判定ステップ（ステップ４０２）及び投影光学系３の調整ステップ（ステップ４０３）が実行される。
【0093】
歪曲収差測定シーケンスＣでは、校正用パターンＣＰ３が形成された校正用ワークＣＷとして、ガラス等の透明材料からなる基板が用いられる。透明基板の表面に非透明色にて校正用パターンＣＰ３が形成される。
【0094】
まず、マスクステージＭＳに校正用マスクＣＭが配置される（ステップ４０４）。またワークステージＷＳに校正用ワークＣＷが配置される（ステップ４０５）。
【0095】
移動制御部１６により、収差検出装置４が、投影光学系３と校正用ワークＣＷとの間に移動される。そして、光出射部２から露光光ＥＬが照射される。
【0096】
校正用マスクＣＭに照射された露光光ＥＬは、投影光学系３を介して、ワークステージＷＳに保持された校正用ワークＷＳに照射される。校正用ワークＷＳは、透明材料からなるので、投影光学系３により結像される校正用パターンＣＰ２の像光は、校正用ワークＣＷの校正用パターンＣＰ３を照明しつつ、校正用ワークＣＷを透過して、ワークステージＷＳに設けられた反射ミラー８により反射される。
【0097】
校正用パターンＣＰ３を照明する露光光ＥＬ（校正用パターンＣＰ３により反射された露光光ＥＬ）、及び反射ミラー８により反射された露光光ＥＬは、ビームスプリッタ１０により反射され、左右方向（Ｘ方向）に沿って左側に向かって進む。そして露光光ＥＬは、対物レンズ１２を介して、光学センサ１３に入射する。
【0098】
これにより、光学センサ１３により、投影光学系３により結像された校正用パターンＣＰ２画像、及び校正用ワークＣＷの校正用パターンＣＰ３の画像が同時に、１枚の画像として撮影される（ステップ４０６）。もちろん、収差検出装置４の位置に対応した校正用パターンＣＰ２及びＣＰ３の一部の領域の画像が撮影される。
【0099】
歪曲収差測定部１７により、両方の校正用パターンＣＰ２及びＣＰ３が同時に撮影された画像に基づいて、校正用マスクＣＭに基づいた歪曲収差情報と、校正用ワークＣＷに基づいた校正情報とが、同時に取得される（ステップ４０７）。
【0100】
すなわち、収差検出装置４により撮影された１枚の画像に基づいて、校正用パターンＣＰ２の像位置、及び校正用パターンＣＰ３の位置が、同時に検出される。任意の画像認識技術や機械学習アルゴリズム等を用いることで、両方の情報を同時に検出することが可能である。
【0101】
ステップ４０８では、同時に取得された歪曲収差情報及び校正情報が比較されて、投影光学系３の歪曲収差が評価される。
【0102】
このように歪曲収差測定シーケンスＣでは、歪曲収差測定部１７により、校正用マスクＣＭに照射された後に投影光学系３からワークステージＷＳに保持された校正用パターンＣＰ３が形成された校正用ワークＣＷに照射され、ビームスプリッタ１０により分割されて光学センサ１３に入射する露光光ＥＬの検出結果（校正用パターンＣＰ２及びＣＰ３を両方含む画像）に基づいて、投影光学系３の歪曲収差が測定される。
【0103】
なお、歪曲収差測定シーケンスＣが実行される際には、測定光として非露光光ＮＥＬを出射する照明部１４は省略可能である。
【0104】
［収差検出装置の検出位置］
校正用パターンＣＰに対する収差検出装置４を移動させる検出位置の設定について説明する。図８～図１０は、検出位置の設定例を示す模式図である。図１１～図１５は、歪曲収差の例を示す模式図である。
校正用パターンＣＰに対する収差検出装置４を移動させる検出位置の設定について説明する。図８～図１０は、検出位置の設定例を示す模式図である。図１１～図１５は、歪曲収差の例を示す模式図である。
【0105】
典型的には、歪曲収差の影響が大きい校正用パターンＣＰの周縁の位置に、検出位置ＤＰが設定されることが望ましい。すなわち、移動制御部１６により、校正用マスクＣＭに照射された露光光ＥＬが投影光学系３により結像されることで形成される校正用パターンＣＰ２の周縁の位置に、ビームスプリッタ１０が配置されるように収差検出装置４が移動されることが望ましい。
【0106】
また校正用パターンＣＰ２の周縁の少なくとも３箇所以上の位置に、検出位置ＤＰを設定し、収差検出装置４を移動させることが望ましい。
【0107】
図８に示す例では、校正用パターンＣＰ２（格子パターン）の４隅のうちの３箇所に検出位置ＤＰ１～ＤＰ３が設定される。なお、図８では、検出位置ＤＰの理解を容易とするために、校正用パターンＣＰ２として、理想的な形状が図示されている。この点は、図９及び図１０も同様である。検出位置ＤＰの設定は、投影光学系３により露光される校正用パターンＣＰ２に対して設定されてもよいし、使用される校正用パターンＣＰの理想的な形状に対して設定されてもよい。
【0108】
例えば、校正用パターンＣＰとして格子パターンが用いられる場合、格子パターンの周縁に検出位置ＤＰを設定する。そして、歪曲収差を測定する際には、投影光学系３により結像された校正用パターンＣＰ２に対して、先に設定された検出位置ＤＰに対応する位置に、収差検出装置４が移動される。
【0109】
図８に示すように、校正用パターンＣＰ２の周縁の３箇所に検出位置ＤＰ１～ＤＰ３を設定することで、歪曲収差の等方変倍の成分及び独立変倍の成分を測定して評価することが可能となる。
【0110】
なお、歪曲収差の等方変倍は、図１１に示すように、校正用パターンＣＰ２の全体でサイズが大きくなる変倍のことをいう。また歪曲収差の独立変倍は、図１２に示すように、校正用パターンＣＰ２が１方向に沿って伸ばされる変倍のことをいう。図１２に示す例では、左右方向（Ｘ方向）に沿って校正用パターンＣＰ２が延ばされているが、奥行方向（Ｙ方向）に沿って伸ばされる変倍も、独立変倍に含まれる。
【0111】
図９に示す例では、校正用パターンＣＰ２（格子パターン）の４隅となる４箇所に検出位置ＤＰ１～ＤＰ４が設定される。校正用パターンＣＰ２の周縁の４箇所に検出位置ＤＰ１～ＤＰ４を設定することで、歪曲収差の等方変倍の成分、独立変倍の成分、及び歪曲収差の台形変倍の成分を測定して評価することが可能となる。なお、歪曲収差の台形変倍は、図１３に示すように、等方変倍及び独立変倍では表すことができない線形変倍の事をいう。
【0112】
図１０に示す例では、格子パターンの４隅となる４箇所、及び４辺のうちの１辺の中間の位置となる１箇所の、合計５箇所に検出位置ＤＰ１～ＤＰ５が設定される。校正用パターンＣＰ２の周縁の５箇所に検出位置ＤＰ１～ＤＰ５を設定することで、歪曲収差の等方変倍の成分、独立変倍の成分、歪曲収差の台形変倍の成分に加えて、さらに、高次の樽型歪曲の成分及び糸巻き型歪曲の成分を測定して評価することが可能となる。
【0113】
なお樽型歪曲は、図１４に示すように、４隅の位置に対して４辺の中央の位置が外側に向かって膨らむように（凸状となるように）変形する収差をいう。糸巻き型歪曲は、図１５に示すように、４隅の位置に対して４辺の中央の位置が中心に向かって窪むように（凹状となるように）変形する収差をいう。
【0114】
【0115】
設定された複数の検出位置ＤＰに対して１個ずつ収差検出装置４が配置され、各検出位置ＤＰにて校正用パターンＣＰ２（ＣＰ３）の画像が撮影されてもよい。あるいは、これに限定されず、設定された検出位置ＤＰよりも少ない数（例えば１個）の収差検出装置４が移動されて、各検出位置ＤＰにおける校正用パターンＣＰ２（ＣＰ３）の画像が、順次撮影されてもよい。
【0116】
図１、図４及び図５に示す例において、収差検出装置４及び制御装置６の記憶部１５、移動制御部１６、及び歪曲収差測定部１７は、本発明に係る、マスクステージに保持された露光用マスクに照射された露光光をワークステージに保持されたワークに照射する投影光学系の歪曲収差を測定する測定装置の一実施形態として機能する構成要素となる。すなわち、露光装置１は、本発明に係る測定を搭載した露光装置とも言える。
【0117】
露光装置１と一体的な構成となるように、本発明に係る測定装置が組み込まれてもよい。あるいは、露光装置１とは別に、収差検出装置４、記憶部１５、移動制御部１６、及び歪曲収差測定部１７を具備する測定装置が、独立して構成されてもよい。そして、露光装置１に対して測定装置が、適宜組み込まれてもよい。あるいは、収差検出装置４のみが、露光装置１に対して交換可能に組み込まれてもよい。
【0118】
また、収差検出装置４に、記憶部１５、移動制御部１６、及び歪曲収差測定部１７の機能が組み込まれてもよい。すなわち、収差検出装置４と制御装置６とが一体的に構成されてもよい。
【0119】
以上、本実施形態に係る露光装置１（測定装置）では、校正用マスクＣＭに照射され投影光学系３を介して照射される露光光ＥＬが入射する位置にビームスプリッタ１０が配置されるように、投影光学系３とワークステージＷＳとの間に収差検出装置４が移動される。そして、収差検出装置４の光学センサ１３により検出される、ビームスプリッタ１０により分割された露光光ＥＬの検出結果に基づいて、投影光学系３の歪曲収差が測定される。これにより、投影光学系３の歪曲収差を高い精度で測定することが可能となる。
【0120】
露光装置１に組み込まれる投影光学系３は熱や紫外線等により劣化するため、定期的（例えば３～６ヶ月毎）に歪曲収差を測定（評価）し、校正する必要があった。近年では、回路パターンの微細化、重ね合わせ精度の高精度化により、より高頻度で簡便に精度よく測定（評価）することが求められている。
【0121】
例えば、投影光学系３の歪曲収差を測定する方法として、露光装置１を用いて露光及び現像の工程により基板上に作成した校正用パターンＣＰを、外部計測器を用いて行う方法がある。この測定方法では、露光装置１と外部計測器との間で基板を搬送する手間や外部計測器の空き時間待ちが生じる等の問題がある。
【0122】
本発明に係る露光装置１（測定装置）では、露光及び現像の工程を行うことなく、校正用マスクＣＭに照射され投影光学系３により結像される校正用パターンＣＰ２を、収差検出装置４により直接的に検出することが可能である。これにより、高頻度で簡便に精度よく歪曲収差を測定（評価）することが可能である。
【0123】
露光及び現像の工程が不要であるので、例えば、通常のワークＷに対するマスクパターンＭＰの露光シーケンスに、図３、図６、図７等に例示した歪曲収差測定シーケンスＡ～Ｃを容易に組み込むことが可能であり、歪曲収差の評価結果に基づいて、投影光学系３の調整を行うことが可能である。この結果、歪曲収差の評価によるダウンタイムを抑制することが可能となる。
【0124】
例えば、図３に示す歪曲収差測定シーケンスＡでは、校正用マスクＣＭ及び校正用ワークＣＷを、露光装置１内の所定の位置（露光シーケンスを妨げない位置）に待機させておく。例えば、所定の回数の露光工程が行われるごとに、制御装置６の配置制御部により、マスクステージＭＳに校正用マスクＣＭが配置され、ワークステージＷＳに校正用ワークＣＷが配置される。そして、移動制御部１６により、収差検出装置４が所定の検出位置ＤＰに配置され、歪曲収差情報及び校正情報が検出される。歪曲収差測定部１７により、検出された歪曲収差情報及び校正情報に基づいて、投影光学系３の歪曲収差が評価される。このような処理も可能である。もちろん、任意のタイミングで、歪曲収差の測定（評価）が行われてもよい。
【0125】
図６に示す歪曲収差測定シーケンスＢでは、マスクステージＭＳに校正用マスクＣＭを配置することで、投影光学系３の歪曲収差を測定（評価）することが可能である。
【0126】
図７に示す歪曲収差測定シーケンスＣでは、露光光ＥＬの１度の照射で、投影光学系３の歪曲収差を測定（評価）することが可能である。
【0127】
歪曲収差測定シーケンスＡ～Ｃを比較すると、測定精度の向上という観点では、歪曲収差測定シーケンスＡが有利である。測定工程の簡素化、時間の短縮化という観点では、歪曲収差測定シーケンスＢが有利である。歪曲収差測定シーケンスＣは、測定精度の向上、測定工程の簡素化、単純化の両方の観点にて、高い効果を発揮する。
【0128】
歪曲収差を評価する上で、歪曲収差測定シーケンスＡ～Ｃが適宜組み合わされて実行されてもよい。例えば、Ａ→Ｂ、Ａ→Ｃ、Ｂ→Ａ、Ｂ→Ｃ、Ｃ→Ａ、Ｃ→Ｂといった順番で２回歪曲収差が評価されてもよい。もちろん、１回目の評価結果が許容範囲ではない場合に、２回目の歪曲収差の評価が行われてもよい。
【0129】
３回以上歪曲収差の評価が行われる場合で、歪曲収差測定シーケンスＡ～Ｃのうち任意の組み合わせ及び任意の順番で、歪曲収差が評価されてもよい。例えば、測定精度の向上、測定工程の簡素化、単純化等の観点に基づいて、適宜、歪曲測定シーケンスの組み合わせ及び順番が決定されてよい。
【0130】
［アライメント顕微鏡との兼用］
本発明に係る収差検出装置４を、マスクＭとワークＷとの位置合わせを行うためのアライメント顕微鏡として用いることが可能である。すなわち、投影光学系３の歪曲収差を測定するための収差検出装置４と、マスクＭとワークＷとの位置合わせを行うためのアライメント顕微鏡を兼用することが可能である。
本発明に係る収差検出装置４を、マスクＭとワークＷとの位置合わせを行うためのアライメント顕微鏡として用いることが可能である。すなわち、投影光学系３の歪曲収差を測定するための収差検出装置４と、マスクＭとワークＷとの位置合わせを行うためのアライメント顕微鏡を兼用することが可能である。
【0131】
図１６及び図１７は、収差検出装置４をアライメント顕微鏡として用いた場合の、アライメントマークの検出動作例を説明するための模式図である。まず図１６に示すように、マスクステージＭＳにマスクＭが配置される。ワークステージＷＳには、ワークＷは配置されない。従って、ワークステージＷＳの載置面７に設けられた反射ミラー８が上方側に向けて露出している。
【0132】
図１６に示すように、収差検出装置４が、アライメントマークの撮影位置に移動される。アライメントマークの撮影位置は、投影光学系３とワークステージＷＳ（ワークＷ）との間に設定されている。アライメントマークの撮影位置は、マスクマークＭＡＭに照射された露光光ＥＬの光路上の位置であり、及びワークマークＷＡＭに照射された非露光光ＮＥＬの光路上の位置となるように設定される。
【0133】
光出射部２から露光光ＥＬが出射されると、マスクマークＭＡＭに照射された露光光ＥＬは、投影光学系及びビームスプリッタ１０を介して、ワークステージＷＳに向かって進み、反射ミラー８により上方側に反射される。
【0134】
反射された露光光ＥＬは、ビームスプリッタ１０により反射され左右方向（Ｘ方向）に沿って左側に向かって進み、光学センサ１３に入射する。これにより、光学センサ１３により、マスクマークＭＡＭの画像が撮影される。
【0135】
制御装置６の位置検出部１８は、収差検出装置４の光学センサ１３により撮影されたマスクマークＭＡＭの画像に基づいて、マスクマークＭＡＭの位置を検出する。また、位置検出部１８は、光学センサ１３により撮影されたマスクマークＭＡＭの画像を取り込み、モニタ５に表示させることも可能である。
【0136】
本実施形態では、位置検出部１８により、マスクマークＭＡＭの中心位置の座標が、マスクマークＭＡＭの位置として検出される。もちろん、マスクマークＭＡＭの形状や、マスクマークＭＡＭのどの部分の位置をマスクマークＭＡＭの位置として算出するかは限定されず、任意に設定されてよい。またマスクマークＭＡＭの位置を検出するための処理方法としても限定されず、任意の画像認識技術や機械学習アルゴリズム等が用いられてよい。
【0137】
位置検出部１８により取得されたマスクマークＭＡＭの画像、及び位置検出部１８により検出されたマスクマークＭＡＭの位置（中心位置座標）は、記憶部１５に記憶される。
【0138】
図１７に示すように、光出射部２による露光光ＥＬの出射が停止される。そして、ワークステージＷＳにワークＷが配置される。
【0139】
収差検出装置４は移動されず、アライメントマークの撮影位置に配置されたままの状態である。そして、収差検出装置の照明部１４により、ワークマークＷＡＭに向かって非露光光ＮＥＬが照射される。ワークマークＷＡＭに照射された非露光光ＮＥＬは、ワークマークＷＡＭにより反射され、ワークマークＷＡＭの上方側に配置されたビームスプリッタ１０に入射する。
【0140】
ビームスプリッタ１０に入射する非露光光ＮＥＬは反射され、左右方向（Ｘ方向）に沿って左側に向かって進み、光学センサ１３に入射する。これにより、光学センサ１３により、ワークマークＷＡＭの画像が撮影される。
【0141】
制御装置６の位置検出部１８は、収差検出装置４の光学センサ１３により撮影されたワークマークＷＡＭの画像に基づいて、ワークマークＷＡＭの位置を検出する。また位置検出部１８は、光学センサ１３により撮影されたワークマークＷＡＭの画像を取り込み、モニタ５に表示させることも可能である。
【0142】
ワークマークＷＡＭの形状や、ワークマークＷＡＭのどの部分の位置をワークマークＷＡＭの位置として算出するかは限定されず、任意に設定されてよい。例えば、マスクマークＭＡＭと同じ形状で、ワークマークＷＡＭが構成されてもよい。
【0143】
位置検出部１８により取得されたワークマークＷＡＭの画像、及び位置検出部１８により検出されたワークマークＷＡＭの位置（中心位置座標）は、記憶部１５に記憶される。
【0144】
位置検出部１８により、マスクマークＭＡＭ及びワークマークＷＡＭの位置関係が所定の位置関係となるように、ワークステージＷＳが制御される。本実施形態では、マスクマークＭＡＭの位置（中心位置座標）と、ワークマークＷＡＭの位置（中心位置座標）とが一致するように、マスクステージＷＳが駆動され、マスクＭに対するワークＷの相対位置が制御される。
【0145】
左右方向（Ｘ方向）、奥行方向（Ｙ方向）、及び上下方向（Ｚ方向）を回転軸方向とする回転方向において、マスクＭとワークＷとの位置合わせを行うために、マスクＭに対して３個以上のマスクマークＭＡＭを形成することが望ましい。３個以上のマスクマークＭＡＭに対応して、ワークＷに同数のワークマークＷＡＭが形成される。
【0146】
例えば、上下方向（Ｚ方向）から見た場合に、矩形状となるマスクＭが用いられるとする。この場合、例えば、マスクＭの４隅に、マスクマークＭＡＭが形成される。また上下方向（Ｚ方向）から見た場合に、矩形状となる基板がワークＷとして配置される。マスクＭの４隅に形成されたマスクマークＭＡＭに対応して、ワークＷの４隅にワークマークＷＡＭが形成される。もちろん、このような構成に限定されるわけではない。
【0147】
互いに対応するマスクマークＭＡＭ及びワークマークＷＡＭは、上下方向（Ｚ方向）から見た場合にマスクＭ及びワークＷが所望の位置関係となる場合に、所定の位置関係となるように形成される。本実施形態では、マスクＭ及びワークＷが所望の位置関係となる場合に、互いに対応するマスクマークＭＡＭ及びワークマークＷＡＭが同じ位置となるものとして説明を行う。もちろんそのような設定に限定されず、所定の位置関係として、任意の位置関係が設定されてよい。
【0148】
例えば、互いに対応するマスクマークＭＡＭ及びワークマークＷＡＭの各組に対して１個ずつ収差検出装置４が配置され、アライメントマークＭＡＭの画像及びワークマークＷＭＡの画像が撮影される。これに限定されず、マスクマークＭＡＭ及びワークマークＷＡＭの組数よりも少ない数（例えば１個）の収差検出装置４により、マスクマークＭＡＭの画像及びワークマークＷＡＭの画像が順次撮影されてもよい。
【0149】
例えば、互いに対応するマスクマークＭＡＭ及びワークマークＷＡＭを撮影する撮影位置にて、歪曲収差を測定するための校正用パターンＣＰ２（ＣＰ３）の画像が撮影可能なように、校正用パターンＣＰを形成する。
【0150】
このような場合には、投影光学系３の歪曲収差を測定するために移動制御部１６により移動される収差検出装置４の検出位置ＤＰと、マスクマークＭＡＭの位置及びワークマークＷＡＭの位置の各々を検出するために移動制御部１６により移動される収差検出装置４の撮影位置とを、互いに等しい位置に設定することも可能である。
【0151】
従って、移動制御部１６による収差検出装置４の移動制御は、歪曲収差の測定時と、マスクＭとワークＷとの位置合わせ時とで、互いに同じ制御となる。この結果、処理の簡素化、処理負荷の軽減等を図ることが可能となる。
【0152】
＜その他の実施形態＞
本発明は、以上説明した実施形態に限定されず、他の種々の実施形態を実現することができる。
本発明は、以上説明した実施形態に限定されず、他の種々の実施形態を実現することができる。
【0153】
本発明に係る露光装置を用いて露光を行うことで、所定のパターンが形成された種々の基板を、部品として製造することが可能となる。例えば、部品として、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等を製造することが可能である。
電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性あるいは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性あるいは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【0154】
上記では、ビームスプリッタ１０、対物レンズ１２、及び光学センサ１３を備える収差検出装置４が、１つのユニットとして構成される場合を例に挙げた。これに限定されず、通常の露光工程を妨げないことを条件に、ビームスプリッタ１０、対物レンズ１２、及び光学センサ１３のうちのいずれかの構成要素が、露光装置１側に固定されてもよい。例えば、光学センサ１３や対物レンズ１２が固定され、ビームスプリッタ１０を含むユニットが移動可能に構成されてもよい。その他、様々な構成が採用されてよい。
【0155】
各図面を参照して説明した露光装置、測定装置、収差検出装置、ビームスプリッタ、制御装置等の各構成、歪曲収差測定シーケンス等はあくまで一実施形態であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、任意に変形可能である。すなわち本発明を実施するための他の任意の構成、処理フロー、アルゴリズム等が採用されてよい。
【0156】
本開示において、説明の理解を容易とするために、「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言が適宜使用されている。一方で、これら「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言を使用する場合と使用しない場合とで、明確な差異が規定されるわけではない。
すなわち、本開示において、「中心」「中央」「均一」「等しい」「同じ」「直交」「平行」「対称」「延在」「軸方向」「円柱形状」「円筒形状」「リング形状」「円環形状」等の、形状、サイズ、位置関係、状態等を規定する概念は、「実質的に中心」「実質的に中央」「実質的に均一」「実質的に等しい」「実質的に同じ」「実質的に直交」「実質的に平行」「実質的に対称」「実質的に延在」「実質的に軸方向」「実質的に円柱形状」「実質的に円筒形状」「実質的にリング形状」「実質的に円環形状」等を含む概念とする。
例えば「完全に中心」「完全に中央」「完全に均一」「完全に等しい」「完全に同じ」「完全に直交」「完全に平行」「完全に対称」「完全に延在」「完全に軸方向」「完全に円柱形状」「完全に円筒形状」「完全にリング形状」「完全に円環形状」等を基準とした所定の範囲（例えば±１０％の範囲）に含まれる状態も含まれる。
従って、「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言が付加されていない場合でも、いわゆる「略」「ほぼ」「おおよそ」等を付加して表現され得る概念が含まれ得る。反対に、「略」「ほぼ」「おおよそ」等を付加して表現された状態について、完全な状態が必ず排除されるというわけではない。
すなわち、本開示において、「中心」「中央」「均一」「等しい」「同じ」「直交」「平行」「対称」「延在」「軸方向」「円柱形状」「円筒形状」「リング形状」「円環形状」等の、形状、サイズ、位置関係、状態等を規定する概念は、「実質的に中心」「実質的に中央」「実質的に均一」「実質的に等しい」「実質的に同じ」「実質的に直交」「実質的に平行」「実質的に対称」「実質的に延在」「実質的に軸方向」「実質的に円柱形状」「実質的に円筒形状」「実質的にリング形状」「実質的に円環形状」等を含む概念とする。
例えば「完全に中心」「完全に中央」「完全に均一」「完全に等しい」「完全に同じ」「完全に直交」「完全に平行」「完全に対称」「完全に延在」「完全に軸方向」「完全に円柱形状」「完全に円筒形状」「完全にリング形状」「完全に円環形状」等を基準とした所定の範囲（例えば±１０％の範囲）に含まれる状態も含まれる。
従って、「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言が付加されていない場合でも、いわゆる「略」「ほぼ」「おおよそ」等を付加して表現され得る概念が含まれ得る。反対に、「略」「ほぼ」「おおよそ」等を付加して表現された状態について、完全な状態が必ず排除されるというわけではない。
【0157】
本開示において、「Ａより大きい」「Ａより小さい」といった「より」を使った表現は、Ａと同等である場合を含む概念と、Ａと同等である場合を含なまい概念の両方を包括的に含む表現である。例えば「Ａより大きい」は、Ａと同等は含まない場合に限定されず、「Ａ以上」も含む。また「Ａより小さい」は、「Ａ未満」に限定されず、「Ａ以下」も含む。
本技術を実施する際には、上記で説明した効果が発揮されるように、「Ａより大きい」及び「Ａより小さい」に含まれる概念から、具体的な設定等を適宜採用すればよい。
本技術を実施する際には、上記で説明した効果が発揮されるように、「Ａより大きい」及び「Ａより小さい」に含まれる概念から、具体的な設定等を適宜採用すればよい。
【0158】
以上説明した本技術に係る特徴部分のうち、少なくとも２つの特徴部分を組み合わせることも可能である。すなわち各実施形態で説明した種々の特徴部分は、各実施形態の区別なく、任意に組み合わされてもよい。また上記で記載した種々の効果は、あくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果が発揮されてもよい。
【符号の説明】
【0159】
ＣＭ…校正用マスク
ＣＰ（ＣＰ１～ＣＰ３）…校正用パターン
ＣＷ…校正用ワーク
ＤＰ（ＤＰ１～ＤＰ５）…検出位置
ＥＬ…露光光
Ｍ…露光用マスク（マスク）
ＭＡＭ…マスクマーク
ＭＳ…マスクステージ
ＮＥＬ…非露光光（測定光）
Ｗ…ワーク
ＷＡＭ…ワークマーク
ＷＳ…ワークステージ
１…露光装置
２…光出射部
３…投影光学系
４…収差検出装置
１０…ビームスプリッタ
１３…光学センサ
１５…記憶部
１６…移動制御部
１７…歪曲収差測定部
１８…位置合検出部
ＣＰ（ＣＰ１～ＣＰ３）…校正用パターン
ＣＷ…校正用ワーク
ＤＰ（ＤＰ１～ＤＰ５）…検出位置
ＥＬ…露光光
Ｍ…露光用マスク（マスク）
ＭＡＭ…マスクマーク
ＭＳ…マスクステージ
ＮＥＬ…非露光光（測定光）
Ｗ…ワーク
ＷＡＭ…ワークマーク
ＷＳ…ワークステージ
１…露光装置
２…光出射部
３…投影光学系
４…収差検出装置
１０…ビームスプリッタ
１３…光学センサ
１５…記憶部
１６…移動制御部
１７…歪曲収差測定部
１８…位置合検出部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】