(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024118643
(43)【公開日】2024-09-02
(54)【発明の名称】配線基板
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20240826BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 N
H05K3/46 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023025031
(22)【出願日】2023-02-21
(71)【出願人】
【識別番号】000000158
【氏名又は名称】イビデン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100122622
【弁理士】
【氏名又は名称】森 徳久
(72)【発明者】
【氏名】古谷 俊樹
(72)【発明者】
【氏名】桑原 雅
(72)【発明者】
【氏名】籠橋 進
【テーマコード（参考）】
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E316AA12
5E316AA32
5E316AA38
5E316AA43
5E316BB13
5E316CC08
5E316CC18
5E316CC32
5E316DD17
5E316DD23
5E316DD24
5E316EE31
5E316FF14
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG28
5E316HH26
(57)【要約】
【課題】高い品質を有する配線基板の提供。
【解決手段】配線基板は、ガラス製の基板と基板を貫通する貫通孔と貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、コア基板上に形成されていて、第１面と第１面と反対側の第２面と第１面から第２面に至るビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層の第１面上に形成されている第１導体層と、開口内に形成されていて、スルーホール導体と電気的に繋がっているビア導体、とを有する。第１導体層とビア導体は、シード層とシード層上に形成される電解めっき層によって形成されている。シード層はスパッタリングによって形成されている。樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されており、第１導体層は信号配線を含み、樹脂絶縁層の第１面は樹脂で形成されており、開口の内壁面は樹脂と無機粒子の表面で形成されている。
【選択図】図１
【解決手段】配線基板は、ガラス製の基板と基板を貫通する貫通孔と貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、コア基板上に形成されていて、第１面と第１面と反対側の第２面と第１面から第２面に至るビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層の第１面上に形成されている第１導体層と、開口内に形成されていて、スルーホール導体と電気的に繋がっているビア導体、とを有する。第１導体層とビア導体は、シード層とシード層上に形成される電解めっき層によって形成されている。シード層はスパッタリングによって形成されている。樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されており、第１導体層は信号配線を含み、樹脂絶縁層の第１面は樹脂で形成されており、開口の内壁面は樹脂と無機粒子の表面で形成されている。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ガラス製の基板と前記基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、
前記コア基板上に形成されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至るビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第１導体層と、
前記開口内に形成されていて、前記スルーホール導体と電気的に繋がっているビア導体、とを有する配線基板であって、
前記第１導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層によって形成されており、
前記シード層はスパッタリングによって形成されており、
前記樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されており、前記第１導体層は信号配線を含み、前記樹脂絶縁層の前記第１面は前記樹脂で形成されており、前記開口の内壁面は前記樹脂と前記無機粒子の表面で形成されている。
前記コア基板上に形成されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至るビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第１導体層と、
前記開口内に形成されていて、前記スルーホール導体と電気的に繋がっているビア導体、とを有する配線基板であって、
前記第１導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層によって形成されており、
前記シード層はスパッタリングによって形成されており、
前記樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されており、前記第１導体層は信号配線を含み、前記樹脂絶縁層の前記第１面は前記樹脂で形成されており、前記開口の内壁面は前記樹脂と前記無機粒子の表面で形成されている。
【請求項2】
請求項１の配線基板であって、前記信号配線は第１信号配線と第２信号配線によって形成されるペア配線を含んでいる。
【請求項3】
請求項１の配線基板であって、前記第１面は前記無機粒子の表面を含まない。
【請求項4】
請求項３の配線基板であって、前記第１面は前記樹脂のみで形成されている。
【請求項5】
請求項３の配線基板であって、前記第１面から前記無機粒子は露出しない。
【請求項6】
請求項１の配線基板であって、前記樹脂絶縁層中の前記無機粒子の含有量は７５ｗｔ％以上である。
【請求項7】
請求項１の配線基板であって、前記コア基板は前記基板上に形成されている導体層をさらに有しており、前記導体層は前記スルーホール導体を覆うランドを含む。
【請求項8】
請求項７の配線基板であって、前記ランドと前記スルーホール導体は同時に形成されている。
【請求項9】
請求項７の配線基板であって、前記ランドと前記スルーホール導体は別々に形成されている。
【請求項10】
請求項１の配線基板であって、前記基板は表面と前記表面と反対側の裏面を有し、前記表面と前記第２面は対向していて、前記表面上に導体回路は形成されておらず、前記表面と前記第２面は接している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書によって開示される技術は配線基板に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１はガラス材質のコアを有する多層基板を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１５－１３３４７３号公報
【発明の概要】
【0004】
［特許文献１の課題］
特許文献１はガラス材質からなる第１絶縁層の光透過率を制御している。光透過率の制御方法の例として、特許文献１は第１絶縁層内に着色剤が含有されると述べている。ガラス材質からなる第１絶縁層が着色剤を均一に含有することは難しいと考えられる。
特許文献１はガラス材質からなる第１絶縁層の光透過率を制御している。光透過率の制御方法の例として、特許文献１は第１絶縁層内に着色剤が含有されると述べている。ガラス材質からなる第１絶縁層が着色剤を均一に含有することは難しいと考えられる。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の配線基板は、ガラス製の基板と前記基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、前記コア基板上に形成されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至るビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第１導体層と、前記開口内に形成されていて、前記スルーホール導体と電気的に繋がっているビア導体、とを有する。前記第１導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層によって形成されている。前記シード層はスパッタリングによって形成されている。前記樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されており、前記第１導体層は信号配線を含み、前記樹脂絶縁層の前記第１面は前記樹脂で形成されており、前記開口の内壁面は前記樹脂と前記無機粒子の表面で形成されている。
【0006】
本発明の実施形態の配線基板では、コア基板はガラス製の基板を含む。ガラス製の基板は平坦性に優れる。そのため、樹脂絶縁層の第１面は平坦性に優れる。第１面は平滑性に優れる。コア基板上の樹脂絶縁層の第１面は樹脂で形成されている。樹脂絶縁層の第１面上に微細な信号配線を形成することができる。開口の内壁面は樹脂と無機粒子の表面で形成されている。内壁面上に形成されるシード層はスパッタリングによって形成されている。スパッタリング製シード層をスパッタ膜と称することができる。シード層が形成される時、スパッタ膜を形成する粒子が内壁面の無機粒子に付着すると考えられる。スパッタ膜を形成する粒子は無機粒子の中に埋まらないと考えられる。内壁面上に薄いシード層を連続して形成することができる。微細な信号配線を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】実施形態の配線基板を模式的に示す断面図。
【図2A】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図2B】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図2C】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図2D】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図2E】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図2F】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図2G】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図2H】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図2I】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図2J】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図3】改変例の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図4】改変例の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
【0009】
コア基板３は基板４と貫通孔６とスルーホール導体８を有する。基板４は表面５Ｆと表面５Ｆと反対側の裏面５Ｂを有する。基板４はガラス製である。貫通孔６は基板４を貫通する。貫通孔６の形状は略円柱である。貫通孔６の径はほぼ一定である。貫通孔６の形状は略円錐台であってもよい。貫通孔６の形状は２つの略円錐を繋げることで得られる形状でもよい。２つの円錐は表面側の円錐と裏面側の円錐である。表面側の円錐の底面は表面５Ｆに位置し、裏面側の円錐の底面は裏面５Ｂに位置する。この場合、貫通孔６の側面は表面５Ｆから裏面５Ｂに向かってテーパーしている面と裏面５Ｂから表面５Ｆに向かってテーパーしている面で形成される。
【0010】
スルーホール導体８は貫通孔６内に形成されている。スルーホール導体８は主に銅によって形成されている。スルーホール導体８は、貫通孔６の内壁面上に形成されるシード層１０ａとシード層１０ａ上に形成される電解めっき層１０ｂを含む。電解めっき層１０ｂは貫通孔６を充填する。シード層１０ａは無電解めっきによって形成される。スルーホール導体８は上端８Ｆと下端８Ｂを有する。上端８Ｆの面と表面５Ｆは実質的に同一な平面を形成する。下端８Ｂの面と裏面５Ｂは実質的に同一な平面を形成する。上端８Ｆは表面５Ｆから露出する。下端８Ｂは裏面５Ｂから露出する。
【0011】
表側ビルドアップ層３００Ｆは基板４の表面５Ｆ上に形成されている。表側ビルドアップ層３００Ｆは、表側の樹脂絶縁層と表側の導体層と表側の樹脂絶縁層を貫通する表側のビア導体を有する。表側の導体層と表側のビア導体はスルーホール導体８に電気的に繋がっている。表側の樹脂絶縁層と表側の導体層は交互に積層されている。図１中の表側の樹脂絶縁層は、第１樹脂絶縁層２０Ｆと第２樹脂絶縁層１２０Ｆである。表側の導体層は第１導体層３０Ｆと第２導体層１３０Ｆである。表側のビア導体は第１ビア導体４０Ｆと第２ビア導体１４０Ｆである。
【0012】
第１樹脂絶縁層２０Ｆは第１面２２Ｆと第１面２２Ｆと反対側の第２面２４Ｆを有する。第２面２４Ｆと表面５Ｆが対向するように、第１樹脂絶縁層２０Ｆは基板４の表面５Ｆ上に形成されている。図１の例では、第２面２４Ｆは表面５Ｆに接している。第２面２４Ｆは上端８Ｆの一部と接している。表面５Ｆと第２面２４Ｆとの間に導体回路は存在しない。表面５Ｆ上に導体回路は形成されていない。第１樹脂絶縁層２０Ｆはスルーホール導体８の上端８Ｆに至る第１開口２６Ｆを有する。第１開口２６Ｆは第１面２２Ｆ上の開口（トップ開口）と第２面２４Ｆ上の開口（ボトム開口）を有する。トップ開口とボトム開口の形状はほぼ円である。ボトム開口は上端８Ｆと表面５Ｆを同時に露出することができる。この場合、上端８Ｆの周りの表面５Ｆが露出される。ボトム開口は上端８Ｆの一部とその一部の周りの表面５Ｆを露出しても良い（第１例）。ボトム開口は上端８Ｆの全てと上端８Ｆの周りの表面５Ｆを露出しても良い（第２例）。図１に示されるように、ボトム開口は上端８Ｆのみを露出することができる（第３例）。第１例と第２例と第３例の内、２つの例が混在しても良い。第１例と第２例と第３例の全てが混在しても良い。第１例と第３例が混在することが好ましい。この場合、いくつかのスルーホール導体８の上端８Ｆは第１例の開口で露出され、残りのスルーホール導体８の上端８Ｆは第３例の開口で露出される。第１樹脂絶縁層２０Ｆは樹脂８０と樹脂８０内に分散されている多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０はエポキシ系樹脂である。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子９０はガラス粒子である。無機粒子９０はアルミナであってもよい。第１樹脂絶縁層２０Ｆ中の無機粒子９０の含有量は７５ｗｔ％以上である。
【0013】
第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは樹脂８０のみで形成されている。第１面２２Ｆから無機粒子９０は露出しない。第１面２２Ｆは無機粒子９０の表面を含まない。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆには凹凸が形成されていない。第１面２２Ｆは荒らされていない。第１面２２Ｆは平滑に形成されている。一方、第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆには無機粒子９０が露出する。第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆは無機粒子９０の表面を含む。第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆは凹凸を有する。第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆは樹脂８０の露出面と無機粒子９０の露出面で形成される。
【0014】
第１導体層３０Ｆは第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆ上に形成されている。第１導体層３０Ｆは第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆとランド３６Ｆとを含む。図に示されていないが、第１導体層３０Ｆは第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆとランド３６Ｆ以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆはペア配線を形成している。第１導体層３０Ｆは主に銅によって形成される。第１導体層３０Ｆは、シード層３０Ｆａとシード層３０Ｆａ上の電解めっき層３０Ｆｂで形成されている。シード層３０Ｆａはスパッタリングによって形成されている。シード層３０Ｆａは第１面２２Ｆ上の第１層３１Ｆａと第１層３１Ｆａ上の第２層３１Ｆｂで形成されている。第１層３１Ｆａは第１面２２Ｆに接している。第２層３１Ｆｂは必須ではない。第１層３１Ｆａは銅合金で形成されている。銅合金中の銅の含有量は９０ｗｔ％以上である。第２層３１Ｆｂは銅で形成されている。電解めっき層３０Ｆｂは銅で形成されている。
【0015】
第１樹脂絶縁層２０Ｆはガラス製の基板４上に形成される。ガラスは平坦性に優れるので、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆも平坦性に優れる。表面５Ｆと第１樹脂絶縁層２０Ｆ間に導体回路が形成されないと、第１面２２Ｆが表面５Ｆに追従することができる。第１面２２Ｆは表面５Ｆと同等な平坦性を有することができる。実施形態は第１面２２Ｆ上に微細な配線を形成することができる。例えば、第１導体層３０Ｆは１．５μｍ以上、３．５μｍ以下の幅を有する配線を有することができる。隣接する配線間のスペースの幅は１．５μｍ以上、３．５μｍ以下である。
【0016】
第１ビア導体４０Ｆは第１開口２６Ｆ内に形成されている。第１ビア導体４０Ｆはスルーホール導体８と第１導体層３０Ｆを電気的に接続する。第１ビア導体４０Ｆはスルーホール導体８と第１ビア導体４０Ｆのランド３６Ｆを電気的に接続する。第１ビア導体４０Ｆはシード層３０Ｆａとシード層３０Ｆａ上の電解めっき層３０Ｆｂで形成されている。第１ビア導体４０Ｆを形成するシード層３０Ｆａと第１導体層３０Ｆを形成するシード層３０Ｆａは共通である。第１ビア導体４０Ｆを形成する電解めっき層３０Ｆｂと第１導体層３０Ｆを形成する電解めっき層３０Ｆｂは共通である。第１ビア導体４０Ｆを形成するシード層３０Ｆａは、第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆ上と第１開口２６Ｆから露出するスルーホール導体８の上端８Ｆ上に形成されている第１層３１Ｆａと第１層３１Ｆａ上の第２層３１Ｆｂで形成されている。図１では第１ビア導体４０Ｆは上端８Ｆに繋がっている。第１層３１Ｆａはスルーホール導体８の上端８Ｆと内壁面２７Ｆに接している。第１ビア導体４０Ｆは上端８Ｆの直上に形成されている。
【0017】
第２樹脂絶縁層１２０Ｆは第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆと第１導体層３０Ｆ上に形成されている。第２樹脂絶縁層１２０Ｆと第１樹脂絶縁層２０Ｆとの間に第１導体層３０Ｆが形成されている。第２樹脂絶縁層１２０Ｆは第１面１２２Ｆと第１面１２２Ｆと反対側の第２面１２４Ｆを有する。第２樹脂絶縁層１２０Ｆの第２面１２４Ｆは第１導体層３０Ｆと対向する。第２樹脂絶縁層１２０Ｆは第１樹脂絶縁層２０Ｆと同様に樹脂８０と無機粒子９０で形成されている。従って、第２樹脂絶縁層１２０Ｆの材質と第１樹脂絶縁層２０Ｆの材質は同様である。第２樹脂絶縁層１２０Ｆの第１面１２２Ｆと第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは同様である。
【0018】
第２樹脂絶縁層１２０Ｆは第１導体層３０Ｆを露出する第２開口１２６Ｆを有している。第２開口１２６Ｆはランド３６Ｆを露出している。第２開口１２６Ｆは内壁面１２７Ｆを有する。第１開口２６Ｆと第２開口１２６Ｆは同様である。従って、第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆと第２開口１２６Ｆの内壁面１２７Ｆは同様である。
【0019】
第２導体層１３０Ｆは第２樹脂絶縁層１２０Ｆの第１面１２２Ｆ上に形成されている。第２導体層１３０Ｆは第１信号配線１３２Ｆと第２信号配線１３４Ｆとランド１３６Ｆとを含む。図に示されていないが、第２導体層１３０Ｆは第１信号配線１３２Ｆと第２信号配線１３４Ｆとランド１３６Ｆ以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線１３２Ｆと第２信号配線１３４Ｆはペア配線を形成している。第２導体層１３０Ｆと第１導体層３０Ｆは同様である。従って、第２導体層１３０Ｆは、シード層１３０Ｆａとシード層１３０Ｆａ上の電解めっき層１３０Ｆｂで形成されている。シード層１３０Ｆａは第１層１３１Ｆａと第１層１３１Ｆａ上の第２層１３１Ｆｂで形成されている。
【0020】
第２ビア導体１４０Ｆは第２開口１２６Ｆ内に形成されている。第２ビア導体１４０Ｆは第１導体層３０Ｆと第２導体層１３０Ｆを電気的に接続する。図１では第２ビア導体１４０Ｆはランド３６Ｆとランド１３６Ｆを電気的に接続する。第２ビア導体１４０Ｆと第１ビア導体４０Ｆは同様である。従って、第２ビア導体１４０Ｆはシード層１３０Ｆａとシード層１３０Ｆａ上の電解めっき層１３０Ｆｂで形成されている。シード層１３０Ｆａは第１層１３１Ｆａと第１層１３１Ｆａ上の第２層１３１Ｆｂで形成されている。
【0021】
裏側ビルドアップ層３００Ｂは、裏側の樹脂絶縁層と裏側の導体層と裏側の樹脂絶縁層を貫通する裏側のビア導体を有する。裏側の樹脂絶縁層と裏側の導体層は交互に積層されている。裏側の導体層と裏側のビア導体はスルーホール導体８に電気的に繋がっている。図１中の裏側の樹脂絶縁層は、第１面２２Ｂと第２面２４Ｂを有する第１樹脂絶縁層２０Ｂと第１面１２２Ｂと第２面１２４Ｂを有する第２樹脂絶縁層１２０Ｂである。裏側の導体層は第１導体層３０Ｂと第２導体層１３０Ｂである。第１導体層３０Ｂと第２導体層１３０Ｂは第１信号配線３２Ｂ、１３２Ｂと第２信号配線３４Ｂ、１３４Ｂを含む。裏側のビア導体は第１ビア導体４０Ｂと第２ビア導体１４０Ｂである。
【0022】
表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂは同様である。従って、表側ビルドアップ層３００Ｆを形成する表側の樹脂絶縁層と裏側ビルドアップ層３００Ｂを形成する裏側の樹脂絶縁層は同様である。各裏側の樹脂絶縁層は樹脂８０と無機粒子９０で形成される。各樹脂絶縁層の第１面は樹脂のみで形成されている。表側の導体層と裏側の導体層は同様である。表側のビア導体用の開口と裏側のビア導体用の開口は同様である。各ビア導体用の開口の内壁面は樹脂の露出面と無機粒子の露出面で形成されている。表側のビア導体と裏側のビア導体は同様である。
【0023】
図に示されないが、配線基板２の各辺の長さは５０ｍｍ以上である。各辺の長さは１００ｍｍ以上であることが好ましい。各辺の長さは２５０ｍｍ以下である。実施形態によって形成される信号配線の長さは５ｍｍ以上である。信号配線の長さは１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であってもよい。
【0024】
［実施形態の配線基板２の製造方法］
図２Ａ～図２Ｊは実施形態の配線基板２の製造方法を示す。図２Ａ～図２Ｊは断面図である。図２Ａはガラス製の基板４を示す。基板４は表面５Ｆと裏面５Ｂを有する。図２Ｂに示されるように、表面５Ｆから裏面５Ｂに至る貫通孔６が形成される。貫通孔６は基板４を貫通する。基板４の表面５Ｆ側からレーザ光が照射される。その後、基板４はフッ酸に浸漬される。貫通孔６が形成される。
図２Ａ～図２Ｊは実施形態の配線基板２の製造方法を示す。図２Ａ～図２Ｊは断面図である。図２Ａはガラス製の基板４を示す。基板４は表面５Ｆと裏面５Ｂを有する。図２Ｂに示されるように、表面５Ｆから裏面５Ｂに至る貫通孔６が形成される。貫通孔６は基板４を貫通する。基板４の表面５Ｆ側からレーザ光が照射される。その後、基板４はフッ酸に浸漬される。貫通孔６が形成される。
【0025】
図２Ｃに示されるようにシード層１０ａが形成される。シード層１０ａは無電解めっきによって形成される。シード層１０ａは貫通孔６の内壁面上と表面５Ｆ上と裏面５Ｂ上に形成される。
【0026】
図２Ｄに示されるように電解めっき層１０ｂが形成される。電解めっき層１０ｂはシード層１０ａ上に形成される。電解めっき層１０ｂは貫通孔６内を充填する。
【0027】
図２Ｅに示されるように、表面５Ｆ上の電解めっき層１０ｂとシード層１０ａが研磨で除去される。裏面５Ｂ上の電解めっき層１０ｂとシード層１０ａが研磨で除去される。基板４の表面５Ｆと裏面５Ｂが露出する。貫通孔６の内壁面上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂによってスルーホール導体８が形成される。スルーホール導体８の上端８Ｆは表面５Ｆから露出する。スルーホール導体８の下端８Ｂは裏面５Ｂから露出する。上端８Ｆを形成する面と表面５Ｆは同一平面を形成する。下端８Ｂを形成する面と裏面５Ｂは同一平面を形成する。コア基板３（図１）が形成される。図１のコア基板３は表面５Ｆ上に導体回路を有していない。図１のコア基板３は裏面５Ｂ上に導体回路を有していない。
【0028】
コア基板３上に表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂは同様な方法で形成される。表側ビルドアップ層３００Ｆの形成方法が以下に示される。図には裏側ビルドアップ層３００Ｂも描かれている。
【0029】
図２Ｆに示されるように、基板４の表面５Ｆと上端８Ｆ上に第１樹脂絶縁層２０Ｆと保護膜５０Ｆが形成される。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第２面２４Ｆが基板４の表面５Ｆと対向している。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆ上に保護膜５０Ｆが形成されている。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは樹脂８０のみで形成されている。第１面２２Ｆから無機粒子９０は露出しない。第１面２２Ｆは無機粒子９０の表面を含まない。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆには凹凸が形成されていない。第１樹脂絶縁層２０Ｆは表面５Ｆと上端８Ｆで形成される平面上に形成される。そのため、第１面２２Ｆは実質的な平面で形成される。表面５Ｆと第１面２２Ｆはほぼ平行である。
【0030】
図２Ｇに示されるように、保護膜５０Ｆの上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜５０Ｆと第１樹脂絶縁層２０Ｆを同時に貫通する。スルーホール導体８の上端８Ｆに至るビア導体用の第１開口２６Ｆが形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。第１開口２６Ｆによりスルーホール導体８の上端８Ｆが露出する。第１開口２６Ｆが形成される時、第１面２２Ｆは保護膜５０Ｆで覆われている。第１開口２６Ｆが形成される時、樹脂が飛散しても、第１面２２Ｆに樹脂が付着することが抑制される。
【0031】
第１面２２Ｆが平坦性に優れる。レーザ光Ｌが第１面２２Ｆに照射されるとき、レーザ光Ｌが乱反射しがたい。各第１開口２６Ｆが形成される時、レーザ光Ｌの焦点の位置が一致しやすい。小さな径を有するビア導体用の開口を形成することができる。各ビア導体用の開口の径がほぼ等しい。例えば、１５μｍ以上、３５μｍ以下の径を有するビア導体用の開口を形成することができる。径の大きさは第１面２２Ｆ上で測定される。
【0032】
第１開口２６Ｆ内が洗浄される。第１開口２６Ｆ内を洗浄することにより、第１開口２６Ｆ形成時に発生する樹脂残渣が除去される。第１開口２６Ｆ内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。洗浄はデスミア処理を含む。プラズマにより、樹脂８０が選択的に除去される。プラズマは無機粒子９０より樹脂８０を早く除去する。第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆはプラズマで荒らされる。
【0033】
第１開口２６Ｆ内を洗浄することにより、第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆに無機粒子９０が露出する（図２Ｇ）。第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆは無機粒子９０の表面を含む。第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆは凹凸を有する。一方、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは保護膜５０Ｆで覆われている。第１面２２Ｆはプラズマの影響を受けない。第１面２２Ｆは樹脂８０のみで形成されている。第１面２２Ｆから無機粒子９０は露出しない。第１面２２Ｆは無機粒子９０の表面を含まない。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは凹凸を有さない。第１面２２Ｆは平滑に形成されている。
【0034】
図２Ｈに示されるように、第１樹脂絶縁層２０Ｆから保護膜５０Ｆが除去される。保護膜５０Ｆ除去後、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆを荒らすことは行われない。
【0035】
図２Ｉに示されるように、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆ上にシード層３０Ｆａが形成される。シード層３０Ｆａはスパッタリングによって形成される。シード層３０Ｆａの形成はドライプロセスで行われる。シード層３０Ｆａは第１開口２６Ｆから露出するスルーホール導体８の上端８Ｆと第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆにも形成される。シード層３０Ｆａは主に銅で形成される。第１層３１Ｆａが第１面２２Ｆ上にスパッタリングで形成される。第１開口２６Ｆから露出する内壁面２７Ｆとスルーホール導体８の上端８Ｆ上に第１層３１Ｆａがスパッタリングで形成される。第２層３１Ｆｂが第１層３１Ｆａ上にスパッタリングで形成される。
【0036】
第１面２２Ｆは平坦性に優れる。スパッタリングを用いて第１面２２Ｆ上にシード層３０Ｆａが形成されるとき、ターゲットと第１面２２Ｆ間の距離がほぼ一定である。ほぼ均一な厚みを有するシード層３０Ｆａを形成することができる。
【0037】
シード層３０Ｆａ上にめっきレジストが形成される。めっきレジストは、第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆとランド３６Ｆ（図１）を形成するための開口を有する。
【0038】
めっきレジストから露出するシード層３０Ｆａ上に電解めっき層３０Ｆｂが形成される。電解めっき層３０Ｆｂは第１開口２６Ｆを充填する。第１面２２Ｆ上のシード層３０Ｆａと電解めっき層３０Ｆｂによって、第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆとランド３６Ｆ（図１）が形成される。第１導体層３０Ｆが形成される。第１開口２６Ｆ内のシード層３０Ｆａと電解めっき層３０Ｆｂによって、第１ビア導体４０Ｆ（図１）が形成される。第１ビア導体４０Ｆは、スルーホール導体８とランド３６Ｆを接続する。第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆはペア配線を形成する。
【0039】
めっきレジストが除去される。電解めっき層３０Ｆｂから露出するシード層３０Ｆａが除去される。図２Ｊに示されるように、第１導体層３０Ｆと第１ビア導体４０Ｆが同時に形成される。
【0040】
第２樹脂絶縁層１２０Ｆが第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆと第１導体層３０Ｆ上に形成される。第２導体層１３０Ｆが第２樹脂絶縁層１２０Ｆの第１面１２２Ｆ上に形成される。第２ビア導体１４０Ｆが第２樹脂絶縁層１２０Ｆの第２開口１２６Ｆ内に形成される。第２樹脂絶縁層１２０Ｆは第１樹脂絶縁層２０Ｆと同様の手法で形成される。第２導体層１３０Ｆは第１導体層３０Ｆと同様の手法で形成される。第２ビア導体１４０Ｆは第１ビア導体４０Ｆと同様の手法で形成される。実施形態の配線基板２（図１）が得られる。
【0041】
実施形態の配線基板２（図１）のコア基板３はガラス製の基板４を含む。ガラス製の基板４は平坦性に優れる。第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂは樹脂８０で形成されている。第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂは樹脂８０のみで形成されている。第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂは無機粒子９０の表面を含まない。第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂは平坦性と平滑性に優れる。第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂ上に微細な信号配線３２Ｆ、３２Ｂ、３４Ｆ、３４Ｂを形成することができる。第２樹脂絶縁層１２０Ｆ、１２０Ｂの第１面１２２Ｆ、１２２Ｂも第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂと同様である。そのため第２樹脂絶縁層１２０Ｆ、１２０Ｂの第１面１２２Ｆ、１２２Ｂ上に微細な信号配線１３２Ｆ、１３２Ｂ、１３４Ｆ、１３４Ｂを形成することができる。実施形態によって形成される信号配線のＬ／Ｓは例えば５μｍ／５μｍ未満である。信号配線のＬ／Ｓは１．５μｍ／１．５μｍ以上３．５μｍ／３．５μｍ以下であることが好ましい。Ｌは信号配線の幅を意味し、Ｓは隣接する信号配線間のスペースの幅を意味する。
【0042】
ビア導体用の開口（第１開口、第２開口）の内壁面は樹脂８０と無機粒子９０の表面で形成されている。内壁面上に形成される第１層はスパッタリングによって形成されている。第１層が形成されるとき、スパッタ膜を形成する粒子が内壁面の無機粒子９０に付着すると考えられる。スパッタ膜を形成する粒子は無機粒子９０の中に埋まらないと考えられる。内壁面上に薄くて連続するシード層を形成することができる。実施形態によれば、第１面と内壁面上に薄くて連続するシード層を形成することができる。微細な信号配線を形成することができる。
【0043】
実施形態の配線基板２（図１）では第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂは樹脂８０で形成されている。第１面２２Ｆ、２２Ｂには無機粒子９０が露出しない。第１面２２Ｆ、２２Ｂには凹凸が形成されない。第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂ近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。第１面２２Ｆ、２２Ｂの比誘電率は場所によって大きく変わらない。第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂが第１面２２Ｆ、２２Ｂに接していても、第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂ間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。そのため、実施形態の配線基板２ではノイズが抑制される。実施形態の配線基板２にロジックＩＣが実装されても、第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂで伝達されるデータと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂで伝達されるデータがロジックＩＣにほぼ遅延なく到達する。ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂの長さと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂの長さが５ｍｍ以上であっても、両者の伝搬速度の差を小さくすることができる。第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂの長さと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂの長さが１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であっても、ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。第２樹脂絶縁層１２０Ｆ、１２０Ｂの第１面１２２Ｆ、１２２Ｂも第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂと同様である。そのため第１信号配線１３２Ｆ、１３２Ｂと第２信号配線１３４Ｆ、１３４Ｂも第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂと同様の効果を有する。高い品質を有する配線基板２が提供される。
【0044】
［実施形態の改変例］
改変例の配線基板は実施形態と同様にコア基板３と表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂを有する。実施形態のコア基板３と改変例のコア基板３は異なる。実施形態の表側ビルドアップ層３００Ｆと改変例の表側ビルドアップ層３００Ｆは同様である。実施形態の裏側ビルドアップ層３００Ｂと改変例の裏側ビルドアップ層３００Ｂは同様である。改変例のコア基板３の断面が図３と図４に示される。図３と図４に示されるように、改変例のコア基板３はガラス製の基板４の表面５Ｆ上に導体層１０Ｆ、１１Ｆを有する。導体層１０Ｆ、１１Ｆはスルーホール導体８の上端８Ｆを覆うランド１４Ｆを含む。さらに、改変例のコア基板３は基板４の裏面５Ｂ上に導体層１０Ｂ、１１Ｂを有する。導体層１０Ｂ、１１Ｂはスルーホール導体８の下端８Ｂを覆うランド１４Ｂを含む。ランド１４Ｆとランド１４Ｂはスルーホール導体８によって電気的に接続されている。実施形態のコア基板３は表面５Ｆ上の導体層と裏面５Ｂ上の導体層を有していない。
改変例の配線基板は実施形態と同様にコア基板３と表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂを有する。実施形態のコア基板３と改変例のコア基板３は異なる。実施形態の表側ビルドアップ層３００Ｆと改変例の表側ビルドアップ層３００Ｆは同様である。実施形態の裏側ビルドアップ層３００Ｂと改変例の裏側ビルドアップ層３００Ｂは同様である。改変例のコア基板３の断面が図３と図４に示される。図３と図４に示されるように、改変例のコア基板３はガラス製の基板４の表面５Ｆ上に導体層１０Ｆ、１１Ｆを有する。導体層１０Ｆ、１１Ｆはスルーホール導体８の上端８Ｆを覆うランド１４Ｆを含む。さらに、改変例のコア基板３は基板４の裏面５Ｂ上に導体層１０Ｂ、１１Ｂを有する。導体層１０Ｂ、１１Ｂはスルーホール導体８の下端８Ｂを覆うランド１４Ｂを含む。ランド１４Ｆとランド１４Ｂはスルーホール導体８によって電気的に接続されている。実施形態のコア基板３は表面５Ｆ上の導体層と裏面５Ｂ上の導体層を有していない。
【0045】
改変例では、表側ビルドアップ層３００Ｆを形成する表側の樹脂絶縁層（コア基板直上の樹脂絶縁層）は導体層１０Ｆ、１１Ｆと表面５Ｆ上に形成される。コア基板直上の樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層２０Ｆ）はランド１４Ｆに至るビア導体用の開口（第１開口２６Ｆ）を有する。ビア導体用の開口内に実施形態と同様なビア導体（第１ビア導体４０Ｆ）が形成されている。コア基板直上の樹脂絶縁層を貫通するビア導体はランド１４Ｆに至るので、そのビア導体を形成するシード層（第１層３１Ｆａ）はランド１４Ｆの上面と開口の内壁面に接している。コア基板直上の樹脂絶縁層を貫通するビア導体はランド１４Ｆを介しスルーホール導体８に電気的に繋がっている。
【0046】
改変例では、裏側ビルドアップ層３００Ｂを形成する裏側の樹脂絶縁層（コア基板直下の樹脂絶縁層）は導体層１０Ｂ、１１Ｂと裏面５Ｂ上に形成される。コア基板直下の樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層２０Ｂ）はランド１４Ｂに至るビア導体用の開口（第１開口）を有する。ビア導体用の開口内に実施形態と同様なビア導体（第１ビア導体４０Ｂ）が形成されている。コア基板直下の樹脂絶縁層を貫通するビア導体はランド１４Ｂに至るので、そのビア導体を形成するシード層はランド１４Ｂの上面と開口の内壁面に接している。コア基板直下の樹脂絶縁層を貫通するビア導体はランド１４Ｂを介しスルーホール導体８に電気的に繋がっている。
【0047】
［改変例の配線基板の製造方法］
図３に示されるコア基板３は第１例のコア基板３である。第１例のコア基板３の製造方法が次に示される。図２Ｄに示される途中基板が準備される。サブトラクティブ法によって、表面５Ｆ上に導体層１０Ｆが形成される。裏面５Ｂ上に導体層１０Ｂが形成される。改変例の第１例にかかるコア基板３が得られる。
図３に示されるコア基板３は第１例のコア基板３である。第１例のコア基板３の製造方法が次に示される。図２Ｄに示される途中基板が準備される。サブトラクティブ法によって、表面５Ｆ上に導体層１０Ｆが形成される。裏面５Ｂ上に導体層１０Ｂが形成される。改変例の第１例にかかるコア基板３が得られる。
【0048】
導体層１０Ｆはシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。導体層１０Ｂはシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａは無電解めっきによって形成される。導体層１０Ｆを形成するシード層１０ａと導体層１０Ｂを形成するシード層１０ａとスルーホール導体８を形成するシード層１０ａは共通である。導体層１０Ｆを形成する電解めっき層１０ｂと導体層１０Ｂを形成する電解めっき層１０ｂとスルーホール導体８を形成する電解めっき層１０ｂは共通である。導体層１０Ｆ、１０Ｂとスルーホール導体８は同時に形成されている。スルーホール導体８とランド１４Ｆ、１４Ｂは同時に形成される。スルーホール導体８とランド１４Ｆ、１４Ｂは一体的に形成される。上端８Ｆとランド１４Ｆ間にシード層が存在しない。下端８Ｂとランド１４Ｂ間にシード層が存在しない。
【0049】
図４に示されるコア基板３は第２例のコア基板３である。第２例のコア基板３の製造方法が次に示される。図２Ｅに示される途中基板が準備される。表面５Ｆ上と裏面５Ｂ上にシード層１１Ｆａ、１１Ｂａが形成される。シード層１１Ｆａ、１１Ｂａは無電解めっきによって形成される。シード層１１Ｆａ、１１Ｂａはスパッタリングで形成されてもよい。シード層１１Ｆａは基板４の表面５Ｆとスルーホール導体８の上端８Ｆを覆う。シード層１１Ｂａは基板４の裏面５Ｂとスルーホール導体８の下端８Ｂを覆う。シード層１１Ｆａ、１１Ｂａ上に電解めっき層１１Ｆｂ、１１Ｂｂが形成される。その後、サブトラクティブ法によって導体層１１Ｆ、１１Ｂが形成される。改変例の第２例にかかるコア基板３が得られる。
【0050】
導体層１１Ｆはシード層１１Ｆａとシード層１１Ｆａ上の電解めっき層１１Ｆｂで形成されている。導体層１１Ｂはシード層１１Ｂａとシード層１１Ｂａ上の電解めっき層１１Ｂｂで形成されている。シード層１１Ｆａは基板４の表面５Ｆ上に形成されている。シード層１１Ｆａはスルーホール導体８の上端８Ｆを覆っている。シード層１１Ｂａは基板４の裏面５Ｂ上に形成されている。シード層１１Ｂａはスルーホール導体８の下端８Ｂを覆っている。シード層１１Ｆａ、１１Ｂａは無電解めっきによって形成される。シード層１１Ｆａ、１１Ｂａはスパッタリングによって形成されてもよい。導体層１１Ｆ、１１Ｂを形成するシード層１１Ｆａ、１１Ｂａとスルーホール導体８を形成するシード層１０ａは異なる。導体層１１Ｆ、１１Ｂを形成する電解めっき層１１Ｆｂ、１１Ｂｂとスルーホール導体８を形成する電解めっき層１０ｂは異なる。導体層１１Ｆ、１１Ｂとスルーホール導体８は別々に形成されている。第２例では、上端８Ｆを形成する電解めっき層１０ｂとランド１４Ｆを形成する電解めっき層１１Ｆｂ間にランド１４Ｆを形成するシード層１１Ｆａが存在する。下端８Ｂを形成する電解めっき層１０ｂとランド１４Ｂを形成する電解めっき層１１Ｂｂ間にランド１４Ｂを形成するシード層１１Ｂａが存在する。それに対し、第１例（図３）では、上端８Ｆを形成する電解めっき層１０ｂとランド１４Ｆを形成する電解めっき層１０ｂが連続している。下端８Ｂを形成する電解めっき層１０ｂとランド１４Ｂを形成する電解めっき層１０ｂが連続している。
【0051】
改変例のコア基板３上に実施形態と同様な方法で表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂが形成される。
【符号の説明】
【0052】
２：配線基板
３：コア基板
４：基板
５Ｆ：表面
５Ｂ：裏面
６：貫通孔
８：スルーホール導体
１０Ｆ、１０Ｂ：導体層
１１Ｆ、１１Ｂ：導体層
１４Ｆ、１４Ｂ：ランド
２０Ｆ、２０Ｂ：第１樹脂絶縁層
２２Ｆ、２２Ｂ：第１面
２４Ｆ、２４Ｂ：第２面
２６Ｆ：第１開口
２７Ｆ：内壁面
３０Ｆ、３０Ｂ：第１導体層
３０Ｆａ：シード層
３０Ｆｂ：電解めっき層
３２Ｆ、３２Ｂ：第１信号配線
３４Ｆ、３４Ｂ：第２信号配線
３６Ｆ：ランド
４０Ｆ、４０Ｂ：第１ビア導体
８０：樹脂
９０：無機粒子
１２０Ｆ、１２０Ｂ：第２樹脂絶縁層
１２２Ｆ、１２２Ｂ：第１面
１２４Ｆ、１２４Ｂ：第２面
１２６Ｆ：第２開口
１２７Ｆ：内壁面
１３０Ｆ、１３０Ｂ：第２導体層
１３０Ｆａ：シード層
１３０Ｆｂ：電解めっき層
１３２Ｆ、１３２Ｂ：第１信号配線
１３４Ｆ、１３４Ｂ：第２信号配線
１３６Ｆ：ランド
１４０Ｆ、１４０Ｂ：第２ビア導体
３００Ｆ：表側ビルドアップ層
３００Ｂ：裏側ビルドアップ層
３：コア基板
４：基板
５Ｆ：表面
５Ｂ：裏面
６：貫通孔
８：スルーホール導体
１０Ｆ、１０Ｂ：導体層
１１Ｆ、１１Ｂ：導体層
１４Ｆ、１４Ｂ：ランド
２０Ｆ、２０Ｂ：第１樹脂絶縁層
２２Ｆ、２２Ｂ：第１面
２４Ｆ、２４Ｂ：第２面
２６Ｆ：第１開口
２７Ｆ：内壁面
３０Ｆ、３０Ｂ：第１導体層
３０Ｆａ：シード層
３０Ｆｂ：電解めっき層
３２Ｆ、３２Ｂ：第１信号配線
３４Ｆ、３４Ｂ：第２信号配線
３６Ｆ：ランド
４０Ｆ、４０Ｂ：第１ビア導体
８０：樹脂
９０：無機粒子
１２０Ｆ、１２０Ｂ：第２樹脂絶縁層
１２２Ｆ、１２２Ｂ：第１面
１２４Ｆ、１２４Ｂ：第２面
１２６Ｆ：第２開口
１２７Ｆ：内壁面
１３０Ｆ、１３０Ｂ：第２導体層
１３０Ｆａ：シード層
１３０Ｆｂ：電解めっき層
１３２Ｆ、１３２Ｂ：第１信号配線
１３４Ｆ、１３４Ｂ：第２信号配線
１３６Ｆ：ランド
１４０Ｆ、１４０Ｂ：第２ビア導体
３００Ｆ：表側ビルドアップ層
３００Ｂ：裏側ビルドアップ層
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図2F】
【図2G】
【図2H】
【図2I】
【図2J】
【図3】
【図4】