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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024118650
(43)【公開日】2024-09-02
(54)【発明の名称】反射型マスクブランク、及び反射型マスク
(51)【国際特許分類】
G03F 1/24 20120101AFI20240826BHJP
C23C 14/06 20060101ALI20240826BHJP
【ＦＩ】
G03F1/24
C23C14/06 N
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023025043
(22)【出願日】2023-02-21
(71)【出願人】
【識別番号】522212882
【氏名又は名称】株式会社トッパンフォトマスク
(74)【代理人】
【識別番号】100105854
【弁理士】
【氏名又は名称】廣瀬 一
(74)【代理人】
【識別番号】100116012
【弁理士】
【氏名又は名称】宮坂 徹
(72)【発明者】
【氏名】市川 顯二郎
(72)【発明者】
【氏名】米丸 直人
【テーマコード（参考）】
2H195
4K029
【Ｆターム（参考）】
2H195BA10
2H195CA01
2H195CA07
2H195CA12
2H195CA15
2H195CA16
2H195CA17
2H195CA22
2H195CA23
4K029AA08
4K029AA24
4K029BA05
4K029BA07
4K029BA11
4K029BA13
4K029BA17
4K029BA33
4K029BA34
4K029BA35
4K029BA43
4K029BA47
4K029BB02
4K029BD01
4K029CA05
4K029DC16
4K029EA01
(57)【要約】
【課題】反射型マスクを製造する際にキャッピング膜の膜厚が多少変動した場合でも、所望のＥＵＶ反射率が安定的に得られる反射型マスクブランク、及びその反射型マスクブランクを用いて製造した反射型マスクを提供する。
【解決手段】本実施形態に係る反射型マスクブランク１０は、基板１と、多層膜２と、キャッピング膜３と、吸収膜４とを少なくとも備え、キャッピング膜３の極端紫外光反射率が６２％以上であって、キャッピング膜３の膜厚に対する前記反射率の変動が１％以下であり、キャッピング膜３は、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されている。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき）ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ（－０．６６７≦Ａ≦－０．６５７、０．６５０≦Ｂ≦０．６６０） ・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき）ｋ≦０．０７ ・・・（２）
【選択図】図１
【解決手段】本実施形態に係る反射型マスクブランク１０は、基板１と、多層膜２と、キャッピング膜３と、吸収膜４とを少なくとも備え、キャッピング膜３の極端紫外光反射率が６２％以上であって、キャッピング膜３の膜厚に対する前記反射率の変動が１％以下であり、キャッピング膜３は、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されている。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき）ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ（－０．６６７≦Ａ≦－０．６５７、０．６５０≦Ｂ≦０．６６０） ・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき）ｋ≦０．０７ ・・・（２）
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型マスクの製造に用いられる反射型マスクブランクであって、
基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上に形成され、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、前記キャッピング膜上に形成された吸収膜とを少なくとも備え、
前記吸収膜形成前の前記キャッピング膜の極端紫外光反射率が６２％以上であって、前記キャッピング膜の膜厚に対する前記反射率の変動が１％以下であり、
前記キャッピング膜は、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されており、
前記キャッピング膜は、その膜厚が１ｎｍ以上４．５ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする反射型マスクブランク。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上に形成され、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、前記キャッピング膜上に形成された吸収膜とを少なくとも備え、
前記吸収膜形成前の前記キャッピング膜の極端紫外光反射率が６２％以上であって、前記キャッピング膜の膜厚に対する前記反射率の変動が１％以下であり、
前記キャッピング膜は、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されており、
前記キャッピング膜は、その膜厚が１ｎｍ以上４．５ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする反射型マスクブランク。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
【請求項2】
前記キャッピング膜は、その膜厚が１．５ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。
【請求項3】
前記キャッピング膜は、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｔｃ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂ、Ｃｒ、及びＹからなる元素群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項4】
極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型マスクであって、
基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上に形成され、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、前記キャッピング膜上にパターン形成された吸収膜とを少なくとも備え、
前記多層膜上の前記キャッピング膜の極端紫外光反射率が６２％以上であって、前記キャッピング膜の膜厚に対する前記反射率の変動が１％以下であり、
前記キャッピング膜は、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されており、
前記キャッピング膜は、その膜厚が１ｎｍ以上４．５ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする反射型マスク。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上に形成され、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、前記キャッピング膜上にパターン形成された吸収膜とを少なくとも備え、
前記多層膜上の前記キャッピング膜の極端紫外光反射率が６２％以上であって、前記キャッピング膜の膜厚に対する前記反射率の変動が１％以下であり、
前記キャッピング膜は、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されており、
前記キャッピング膜は、その膜厚が１ｎｍ以上４．５ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする反射型マスク。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
【請求項5】
前記キャッピング膜は、その膜厚が１．５ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項４に記載の反射型マスク。
【請求項6】
前記キャッピング膜は、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｔｃ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂ、Ｃｒ、及びＹからなる元素群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含むことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の反射型マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、反射型マスクブランク、その反射型マスクブランクを用いて製造された反射型マスクに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体の微細化に伴い、フォトリソグラフィ技術の微細化に対する要求が高まっている。フォトリソグラフィにおける転写パターンの最小解像寸法は、露光光源の波長に大きく依存し、波長が短いほど最小解像寸法を小さくできる。このため、露光光源は、従来の波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光から、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外線）領域の光に置き換わってきている。
【0003】
ＥＵＶ領域の光は、ほとんどの物質で高い割合で吸収されるため、ＥＵＶ露光用のフォトマスク（ＥＵＶマスク）としては、反射型のフォトマスクが使用される（例えば、特許文献１を参照）。特許文献１には、ガラス基板上にモリブデン（Ｍｏ）層及びシリコン（Ｓｉ）層を交互に積層した多層膜からなる反射層を形成し、その上にタンタル（Ｔａ）を主成分とする光吸収層を形成し、この光吸収層にパターンを形成することで得られたＥＵＶフォトマスクが開示されている。
【0004】
また、ＥＵＶリソグラフィは、前記のように、光の透過を利用する屈折光学系が使用できないことから、露光機の光学系部材もレンズではなく、反射型（ミラー）となる。このため、反射型フォトマスク（ＥＵＶマスク）への入射光と、反射型フォトマスクで反射した反射光とが同軸上に設計できない問題がある。そこで、通常、ＥＵＶリソグラフィでは、光軸をＥＵＶマスクの垂直方向から６度傾けて入射し、マイナス６度の角度で反射する反射光を半導体基板に導く手法が採用されている。
【0005】
このように、ＥＵＶリソグラフィではミラーを介し光軸を傾斜することから、ＥＵＶマスクに入射するＥＵＶ光がＥＵＶマスクのマスクパターン（パターン化された光吸収層）の影をつくる、いわゆる「射影効果」と呼ばれる問題が発生することがある。
現在のＥＵＶマスクブランクでは、光吸収層として膜厚６０～９０ｎｍのタンタル（Ｔａ）を主成分とした膜が用いられている。このマスクブランクを用いて作製したＥＵＶマスクでパターン転写の露光を行った場合、ＥＵＶ光の入射方向とマスクパターンの向きとの関係によっては、マスクパターンの影となるエッジ部分で、コントラストの低下を引き起こす恐れがある。これに伴い、半導体基板上の転写パターンのラインエッジラフネスの増加や、線幅が狙った寸法に形成できないなどの問題が生じ、転写性能が悪化することがある。
現在のＥＵＶマスクブランクでは、光吸収層として膜厚６０～９０ｎｍのタンタル（Ｔａ）を主成分とした膜が用いられている。このマスクブランクを用いて作製したＥＵＶマスクでパターン転写の露光を行った場合、ＥＵＶ光の入射方向とマスクパターンの向きとの関係によっては、マスクパターンの影となるエッジ部分で、コントラストの低下を引き起こす恐れがある。これに伴い、半導体基板上の転写パターンのラインエッジラフネスの増加や、線幅が狙った寸法に形成できないなどの問題が生じ、転写性能が悪化することがある。
【0006】
そこで、光吸収層をタンタル（Ｔａ）からＥＵＶ光に対する吸収性（消衰係数）が高い材料への変更や、タンタル（Ｔａ）に吸収性の高い材料を加えた反射型フォトマスクブランクが検討されている。例えば、特許文献２には、光吸収層を、Ｔａを主成分として５０原子％（ａｔ％）以上含み、さらにＴｅ、Ｓｂ、Ｐｔ、Ｉ、Ｂｉ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｗ、Ｒｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｐｏ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｇａ及びＡｌから選ばれた少なくとも一種の元素を含む材料で構成した反射型フォトマスクブランクが記載されている。
【0007】
また、特許文献２には、多層膜からなる反射層上に、その多層膜（反射層）を保護する目的としてキャッピング膜を設けた形態が記載されている。また、特許文献３で示されているように、キャッピング膜によりＥＵＶ反射率を低下させないため、キャッピング膜はＥＵＶ光に対して透明である必要があり、キャッピング膜には一般に薄いＲｕ膜が使用されている。
このように、キャッピング膜はＥＵＶ反射率を低下させないために、ＥＵＶ光に対して透明である必要があるが、安定したＥＵＶ露光を行うには、マスク面内及び各マスク間でキャッピング膜のＥＵＶ反射率が変動しないことが重要である。
このように、キャッピング膜はＥＵＶ反射率を低下させないために、ＥＵＶ光に対して透明である必要があるが、安定したＥＵＶ露光を行うには、マスク面内及び各マスク間でキャッピング膜のＥＵＶ反射率が変動しないことが重要である。
【0008】
ＥＵＶ反射率は、キャッピング膜の膜厚のばらつきによって敏感に変動することがある。キャッピング膜の膜厚にばらつきを生む原因は、例えば、キャッピング膜成膜時のばらつきや、キャッピング膜の直上にある膜をエッチング等で剥離するときのばらつき、あるいは、ＥＵＶマスク作成時の洗浄などによるキャッピング膜の膜厚増減によるばらつきなどが考えられる。
上述した吸収性の高い材料（高消衰係数材料）を用いた反射型フォトマスクブランクは、吸収膜材料のエッチングレートが遅い場合が多いため、キャッピング膜との選択比（エッチングレート比）が十分にとれず、吸収膜のエッチングによってキャッピング膜の膜厚のばらつきが大きくなる場合がある。そのため、このようなキャッピング膜の膜厚のばらつきによるＥＵＶ反射率の変動を抑えるには、仮にキャッピング膜の膜厚が変化してもＥＵＶ反射率の変動が小さいキャッピング膜材料を使用する必要がある。
上述した吸収性の高い材料（高消衰係数材料）を用いた反射型フォトマスクブランクは、吸収膜材料のエッチングレートが遅い場合が多いため、キャッピング膜との選択比（エッチングレート比）が十分にとれず、吸収膜のエッチングによってキャッピング膜の膜厚のばらつきが大きくなる場合がある。そのため、このようなキャッピング膜の膜厚のばらつきによるＥＵＶ反射率の変動を抑えるには、仮にキャッピング膜の膜厚が変化してもＥＵＶ反射率の変動が小さいキャッピング膜材料を使用する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】特許第４３９７４９６号
【特許文献2】特開２００７－２７３６７８号公報
【特許文献3】特許第５８０３９１９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされ、反射型マスクを製造する際にキャッピング膜の膜厚が多少変動した場合でも、所望のＥＵＶ反射率が安定的に得られる反射型マスクブランク、及びその反射型マスクブランクを用いて製造した反射型マスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明は上記課題を解決するために成されたものであって、本発明の一態様に係る反射型マスクブランクは、極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型マスクの製造に用いられる反射型マスクブランクであって、基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上に形成され、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、前記キャッピング膜上に形成された吸収膜とを少なくとも備え、前記吸収膜形成前の前記キャッピング膜の極端紫外光反射率が６２％以上であって、前記キャッピング膜の膜厚に対する前記反射率の変動が１％以下であり、前記キャッピング膜は、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されている。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
【0012】
また、本発明の一態様に係る反射型マスクブランクにおいて、前記キャッピング膜は、その膜厚が１ｎｍ以上４．５ｎｍ以下の範囲内であってもよい。
【0013】
また、本発明の一態様に係る反射型マスクブランクにおいて、前記キャッピング膜は、その膜厚が１．５ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の範囲内であってもよい。
【0014】
また、本発明の一態様に係る反射型マスクブランクにおいて、前記キャッピング膜は、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｔｃ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂ、Ｃｒ、及びＹからなる元素群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含んでいてもよい。
【0015】
また、本発明の一態様に係る反射型マスクは、極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型マスクであって、基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上に形成され、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、前記キャッピング膜上にパターン形成された吸収膜とを少なくとも備え、前記多層膜上の前記キャッピング膜の極端紫外光反射率が６２％以上であって、前記キャッピング膜の膜厚に対する前記反射率の変動が１％以下であり、前記キャッピング膜は、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されている。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
【0016】
また、本発明の一態様に係る反射型マスクにおいて、前記キャッピング膜は、その膜厚が１ｎｍ以上４．５ｎｍ以下の範囲内であってもよい。
【0017】
また、本発明の一態様に係る反射型マスクにおいて、前記キャッピング膜は、その膜厚が１．５ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の範囲内であってもよい。
【0018】
また、本発明の一態様に係る反射型マスクにおいて、前記キャッピング膜は、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｔｃ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂ、Ｃｒ、及びＹからなる元素群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【0019】
本発明の一態様であれば、反射型マスクを製造する際にキャッピング膜の膜厚が多少変動した場合でも、所望のＥＵＶ反射率が安定的に得られる反射型マスクブランク、及びその反射型マスクブランクを用いて製造した反射型マスクを提供することができる。より詳しくは、反射型マスクを製造する際にキャッピング膜の膜厚が±０．５ｎｍの範囲内で変動した場合であっても、キャッピング膜におけるＥＵＶ反射率を６２％以上に維持することができ、且つ、キャッピング膜におけるＥＵＶ反射率変動を１％以下に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】本発明の実施形態に係る反射型マスクブランクの構造を示す断面概略図である。
【図2】本発明の実施形態に係る反射型マスクの構造を示す断面概略図である。
【図3】本発明の実施形態におけるｎ－ｋマップである。
【図4】本発明の実施形態に係るキャッピング膜の最大膜厚領域を示す図である。
【図5】本発明の実施形態に係るキャッピング膜の最小膜厚領域を示す図である。
【図6】本発明の実施形態に係るキャッピング膜の膜厚レンジを示す図である。
【図7】本発明の実施形態に係る反射型マスクブランクを用いた反射型マスクの製造工程を順に示す断面概略図である。
【図8】本発明の実施例におけるｎ－ｋマップを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0021】
以下、本発明の各実施形態について図面を参照しつつ説明する。
ここで、図面に示す構成は模式的なものであり、厚さと平面寸法との関係、各層の厚さの比率などは現実のものとは異なる。また、以下に示す実施形態は、本発明を具体化するための構成を例示するものであって、本発明は、構成部品の材質、形状、構造などが下記のものに限定されるものでない。また、本発明は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
ここで、図面に示す構成は模式的なものであり、厚さと平面寸法との関係、各層の厚さの比率などは現実のものとは異なる。また、以下に示す実施形態は、本発明を具体化するための構成を例示するものであって、本発明は、構成部品の材質、形状、構造などが下記のものに限定されるものでない。また、本発明は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【0022】
（反射型マスクブランク及び反射型マスクの構成）
図１は、本発明の実施形態に係る反射型マスクブランク１０の構造を示す断面概略図である。図１に示すように、本発明の実施形態に係る反射型マスクブランク１０は、基板１と、基板１上に形成された多層膜２と、多層膜２上に形成され、多層膜２を保護するキャッピング膜３と、キャッピング膜３上に形成された吸収膜４と、を少なくとも備えている。
図１は、本発明の実施形態に係る反射型マスクブランク１０の構造を示す断面概略図である。図１に示すように、本発明の実施形態に係る反射型マスクブランク１０は、基板１と、基板１上に形成された多層膜２と、多層膜２上に形成され、多層膜２を保護するキャッピング膜３と、キャッピング膜３上に形成された吸収膜４と、を少なくとも備えている。
【0023】
また、吸収膜４を形成する前の状態、または吸収膜４をエッチングによりパターニングした後の状態におけるキャッピング膜３と多層膜２とを含めた反射部の極端紫外光反射率は、６２％以上である。また、キャッピング膜３の膜厚に対する極端紫外光反射率の変動は、１％以下である。さらに、キャッピング膜３は、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されている。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
【0024】
図２は、本発明の実施形態に係る反射型マスク２０の構造を示す断面概略図である。図２に示す本発明の実施形態に係る反射型マスク２０は、図１に示す本発明の実施形態に係る反射型マスクブランク１０の吸収膜４をパターニングして形成されている。
以下、各層について詳細に説明する。
以下、各層について詳細に説明する。
【0025】
（基板）
本発明の実施形態に係る基板１には、例えば、平坦なＳｉ基板や合成石英基板等を用いることができる。また、基板１には、チタンを添加した低熱膨張ガラスを用いることができるが、熱膨張率の小さい材料であれば、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
なお、基板１の多層膜２を形成していない面には、裏面導電膜（６）を形成することができる。裏面導電膜は、反射型マスク２０を露光機に設置するときに静電チャックの原理を利用して固定するための膜である。
本発明の実施形態に係る基板１には、例えば、平坦なＳｉ基板や合成石英基板等を用いることができる。また、基板１には、チタンを添加した低熱膨張ガラスを用いることができるが、熱膨張率の小さい材料であれば、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
なお、基板１の多層膜２を形成していない面には、裏面導電膜（６）を形成することができる。裏面導電膜は、反射型マスク２０を露光機に設置するときに静電チャックの原理を利用して固定するための膜である。
【0026】
（多層膜）
多層膜２は、基板１とキャッピング膜３との間に位置する多層構造を有する膜であり、且つ波長１３.５ｎｍの光を反射する膜である。そのため、多層膜２は、例えば「（光）反射膜」、あるいは「（光）反射層」とも呼ばれる膜である。
多層膜２は、露光光であって、波長１３.５ｎｍの光のようなＥＵＶ光（極端紫外光）を反射するものであり、例えば、ＥＵＶ光に対する屈折率の大きく異なる材料の組み合わせによって構成されている。多層膜２は、例えば、モリブデンとケイ素、またはモリブデンとベリリウムといった組み合わせの層を４０周期程度繰り返し積層することにより形成することができる。
なお、多層膜２は、例えば、波長１３.５ｎｍの光を５０％以上反射することが可能な薄膜であり、その光を６０％以上反射することが可能な薄膜であれば好ましい。
多層膜２は、基板１とキャッピング膜３との間に位置する多層構造を有する膜であり、且つ波長１３.５ｎｍの光を反射する膜である。そのため、多層膜２は、例えば「（光）反射膜」、あるいは「（光）反射層」とも呼ばれる膜である。
多層膜２は、露光光であって、波長１３.５ｎｍの光のようなＥＵＶ光（極端紫外光）を反射するものであり、例えば、ＥＵＶ光に対する屈折率の大きく異なる材料の組み合わせによって構成されている。多層膜２は、例えば、モリブデンとケイ素、またはモリブデンとベリリウムといった組み合わせの層を４０周期程度繰り返し積層することにより形成することができる。
なお、多層膜２は、例えば、波長１３.５ｎｍの光を５０％以上反射することが可能な薄膜であり、その光を６０％以上反射することが可能な薄膜であれば好ましい。
【0027】
（キャッピング膜）
キャッピング膜３は、多層膜２と吸収膜４との間に位置する層であり、吸収パターン膜４ａを吸収膜４のエッチングにより形成する際に、多層膜２へのダメージを防ぐエッチングストッパとして機能する層である。
吸収膜４の形成前におけるキャッピング膜３の極端紫外光反射率（ＥＵＶ反射率）は、６２％以上である。また、例えば、吸収膜４をエッチングによりパターニングした後におけるキャッピング膜３と多層膜２とを含めた反射部の極端紫外光反射率（ＥＵＶ反射率）も６２％以上である。吸収膜４の形成前や吸収膜４のエッチング後におけるキャッピング膜３と多層膜２とを含めた反射部の極端紫外光反射率が６２％以上であれば、十分なスループットが得られ、反射型マスクブランク（反射型マスク）を使用する上で問題がない。
キャッピング膜３は、多層膜２と吸収膜４との間に位置する層であり、吸収パターン膜４ａを吸収膜４のエッチングにより形成する際に、多層膜２へのダメージを防ぐエッチングストッパとして機能する層である。
吸収膜４の形成前におけるキャッピング膜３の極端紫外光反射率（ＥＵＶ反射率）は、６２％以上である。また、例えば、吸収膜４をエッチングによりパターニングした後におけるキャッピング膜３と多層膜２とを含めた反射部の極端紫外光反射率（ＥＵＶ反射率）も６２％以上である。吸収膜４の形成前や吸収膜４のエッチング後におけるキャッピング膜３と多層膜２とを含めた反射部の極端紫外光反射率が６２％以上であれば、十分なスループットが得られ、反射型マスクブランク（反射型マスク）を使用する上で問題がない。
【0028】
また、吸収膜４のエッチング等に起因する、キャッピング膜３の膜厚に対する極端紫外光反射率の変動（所謂、反射率ばらつき）は、１％以下である。キャッピング膜３の膜厚に対する極端紫外光反射率の変動が１％以下であれば、ＥＵＶマスク製造時のマスクごとのＥＵＶ反射率や、１枚のＥＵＶマスク面内のＥＵＶ反射率が安定しており、ＥＵＶマスク製造の収率を上げることができる。
【0029】
なお、吸収膜４の形成前におけるキャッピング膜３の極端紫外光反射率（ＥＵＶ反射率）は、例えば、ＥＵＶ反射率計を用いて、マスク面内５箇所の測定値の平均で測定する方法を用いて測定することができる。
【0030】
また、キャッピング膜３の膜厚に対する極端紫外光反射率の変動（反射率ばらつき）は、例えば、ＥＵＶ反射率計を用いて、マスク面内縦横５箇所の測定値の平均し、膜厚変動前後の差分を取ることで測定することができる。
【0031】
キャッピング膜３は、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されている。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
キャッピング膜３が上記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されていれば、キャッピング膜３の膜厚が±０．５ｎｍの範囲内で変動したとしても十分なＥＵＶ反射率（６２％以上）を備え、且つ反射率ばらつきが１％以内となる。
以下、この点について詳しく説明する。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
キャッピング膜３が上記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されていれば、キャッピング膜３の膜厚が±０．５ｎｍの範囲内で変動したとしても十分なＥＵＶ反射率（６２％以上）を備え、且つ反射率ばらつきが１％以内となる。
以下、この点について詳しく説明する。
【0032】
本願発明者らは、反射型マスクブランク（反射型マスク）を製造する際にキャッピング膜３の膜厚が変動（±０．５ｎｍ）したとしても、十分なＥＵＶ反射率を備え、且つ反射率ばらつきが１％以内となる最適条件を見出した。具体的には、反射型マスクブランク１０を構成するキャッピング膜３について、その構成材料の屈折率ｎと消衰係数ｋに着目し、その構成材料が一定の関係性を有する範囲に収まっていれば（すなわち、上記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されていれば）、上記効果を得ることができることを見出した。
換言すると、本願発明者らは、反射型マスクブランク１０を構成するキャッピング膜３の材料選定をする際、上記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料を選定すれば、反射型マスクブランク（反射型マスク）を製造する際にキャッピング膜３の膜厚が±０．５ｎｍの範囲内で変動した場合であっても、十分なＥＵＶ反射率（６２％以上）を得ることができ、且つ反射率ばらつきを１％以内に収めることができることを見出した。
換言すると、本願発明者らは、反射型マスクブランク１０を構成するキャッピング膜３の材料選定をする際、上記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料を選定すれば、反射型マスクブランク（反射型マスク）を製造する際にキャッピング膜３の膜厚が±０．５ｎｍの範囲内で変動した場合であっても、十分なＥＵＶ反射率（６２％以上）を得ることができ、且つ反射率ばらつきを１％以内に収めることができることを見出した。
【0033】
図３は、本発明の実施形態におけるｎ－ｋマップである。図３において、その横軸は元素の屈折率ｎを示し、その縦軸は元素の消衰係数ｋを示している。また、図３中の破線は、ｋ＝ｎ×Ａ＋Ｂ（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）を示している。より詳しくは、図３中の斜線のエリアは上記式（１）及び上記式（２）を満たす範囲を示している。
【0034】
上述の式（１）及び式（２）は、元素の屈折率ｎを０．８５～１．００の範囲内に設定し、元素の消衰係数ｋを０．０００～０．０８の範囲内に設定し、且つ、キャッピング膜３の膜厚を１．０ｎｍ～１０ｎｍの範囲内に設定した各条件におけるＥＵＶ反射率をシミュレーションして得られる、ＥＵＶ反射率が６２％以上であり、且つ、膜厚変動（±０．５ｎｍ）させたときの反射率変動が１％以内のｎ値及びｋ値のうち、各ｎ値における最大のｋ値のプロットし、そのプロットに対して近似直線をとることで求めることができる。なお、最大のｋ値が一定になる領域においては近似直線を求める範囲外としている。
【0035】
このように、キャッピング膜３が上記式（１）または上記式（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料（即ち、図３の斜線で示した領域内に収まる材料）で形成されていれば、キャッピング膜３の膜厚が±０．５ｎｍの範囲内で変動したとしても十分なＥＵＶ反射率（６２％以上）を備え、且つ反射率ばらつきを１％以内に収めることができる。
【0036】
キャッピング膜３は、その膜厚が１ｎｍ以上４．５ｎｍ以下の範囲内であれば好ましい。キャッピング膜３の膜厚が１ｎｍ以上であれば、多層膜２を保護する保護層として機能し得る。また、キャッピング膜３の膜厚が４．５ｎｍ以下であれば、ＥＵＶ反射率を高めることができる。
また、キャッピング膜３は、その膜厚が１．５ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の範囲内であればより好ましい。キャッピング膜３の膜厚が１．５ｎｍ以上であれば、多層膜２を保護する保護層として十分に機能し得る。また、キャッピング膜３の膜厚が４．０ｎｍ以下であれば、ＥＵＶ反射率を十分に高めることができる。
また、キャッピング膜３は、その膜厚が１．５ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の範囲内であればより好ましい。キャッピング膜３の膜厚が１．５ｎｍ以上であれば、多層膜２を保護する保護層として十分に機能し得る。また、キャッピング膜３の膜厚が４．０ｎｍ以下であれば、ＥＵＶ反射率を十分に高めることができる。
【0037】
また、ＥＵＶ反射率が６２％以上であり、且つ、膜厚が変動(±０．５ｎｍ)したときのＥＵＶ反射率変動が１％以下になるキャッピング膜３の膜厚は、キャッピング膜３を構成する材料の各ｎ、ｋにおいて異なる。具体的には、図４に示すように、ｋ値が小さいほど取り得るキャッピング膜３の最大膜厚は大きくなる。なお、図４は本発明の実施形態に係るキャッピング膜の最大膜厚領域を示す図であり、その横軸は元素の屈折率ｎを示し、その縦軸は元素の消衰係数ｋを示している。
【0038】
また、図５に示すように、キャッピング膜３の取り得る最小膜厚は、多くのｎ、ｋで１ｎｍ以上であり、図５の左下に位置するｎ、ｋがともに小さい領域では必要とされる膜厚がより厚くなることが分かる。なお、図５は本発明の実施形態に係るキャッピング膜の最小膜厚領域を示す図であり、その横軸は元素の屈折率ｎを示し、その縦軸は元素の消衰係数ｋを示している。
【0039】
また、図４と図５から算出した各ｎ、ｋにおける、キャッピング膜３の取り得る膜厚レンジを図６に示す。キャッピング膜３の膜厚レンジとしては、膜厚レンジが広いｎ、ｋの組み合わせであればあるほど、プロセス中の膜厚変動による許容範囲が広くなるため、より好ましい。具体的には、キャッピング膜３の膜厚レンジが２ｎｍ～３ｎｍ以上となるｎ、ｋの組み合わせが望ましい。
【0040】
キャッピング膜３は、吸収膜４のパターン形成の際に行われるドライエッチングに対して耐性を有する材質で形成されていればよい。そのため、キャッピング膜３を構成する材料は、例えば、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｔｃ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂ、Ｃｒ、及びＹからなる元素群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む単体または化合物であることが望ましい。また、キャッピング膜３は合金で構成されていてもよく、上述した式（１）または式（２）の範囲内であれば、酸素、窒素、水素のような非金属材料を含んでいてもよい。さらに、前述のように膜厚レンジが２～３ｎｍ以上となるｎ、ｋの組み合わせが望ましいため、キャッピング膜３を構成する材料は、例えば、Ｒｕ、Ｔｃ、Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂ、及びＹからなる元素群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む単体または化合物であることがより望ましい。
【0041】
（吸収膜及び吸収パターン膜）
本発明の実施形態に係る吸収膜４は、キャッピング膜３の上に形成される層であり、露光光であるＥＵＶ光を吸収する層である。また、吸収膜４は、転写するための微細パターンである吸収パターン膜（転写パターン）４ａを形成する層である。つまり、反射型マスクブランク１０の吸収膜４の一部を除去することにより、即ち吸収膜４をパターニングすることにより、図７に示す反射型マスク２０の吸収パターン（吸収パターン膜４ａ）が形成される。
より詳しくは、吸収膜４は、波長１３.５ｎｍの光の反射率が多層膜２よりも低い薄膜である。吸収膜４は、例えば、波長１３.５ｎｍの光の反射率が０％以上６．５％未満、また好ましくは０％以上２％未満の範囲にある層である。吸収膜４の反射率が上記数値範囲内であれば、多層膜２に対するＥＵＶ光の反射率（反射比率）が十分に低くなり、吸収膜４を備えた反射型マスク２０に高い転写性能を付与することができる。
本発明の実施形態に係る吸収膜４は、キャッピング膜３の上に形成される層であり、露光光であるＥＵＶ光を吸収する層である。また、吸収膜４は、転写するための微細パターンである吸収パターン膜（転写パターン）４ａを形成する層である。つまり、反射型マスクブランク１０の吸収膜４の一部を除去することにより、即ち吸収膜４をパターニングすることにより、図７に示す反射型マスク２０の吸収パターン（吸収パターン膜４ａ）が形成される。
より詳しくは、吸収膜４は、波長１３.５ｎｍの光の反射率が多層膜２よりも低い薄膜である。吸収膜４は、例えば、波長１３.５ｎｍの光の反射率が０％以上６．５％未満、また好ましくは０％以上２％未満の範囲にある層である。吸収膜４の反射率が上記数値範囲内であれば、多層膜２に対するＥＵＶ光の反射率（反射比率）が十分に低くなり、吸収膜４を備えた反射型マスク２０に高い転写性能を付与することができる。
【0042】
吸収膜４の構成材料は、射影効果の低減のためにＥＵＶ吸収率の高い材料であることが望ましく、消衰係数ｋが０．０４０以上の材料を少なくとも１種類以上含む単体または化合物であることが望ましい。吸収膜４の構成材料は、例えば、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｐｔ、Ｉ、Ｂｉ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｗ、Ｒｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｐｏ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔａ、Ｇａ、及びＡｌから選ばれる１種類以上含む単体または化合物であることが望ましく、酸素、窒素、水素などの非金属材料を含んでいてもよい。
【0043】
吸収膜４の膜厚は、ＥＵＶ光に対する反射率が６．５％未満になるように調整する。吸収膜４の膜厚は、例えば、１７ｎｍ以上９０ｎｍ以下の範囲内、特に２５ｎｍ以上７５ｎｍ以下の範囲内が好ましい。吸収膜４の膜厚が上記数値範囲内であれば、ＥＵＶ光に対する反射率が十分に低くなり、吸収膜４（吸収パターン膜４ａ）を備えた反射型マスク２０に高い転写性能を付与することができる。
【0044】
また、吸収膜４のパターン解像性向上などを目的として、吸収膜４の上にハードマスク（図示せず）を１層以上設けていてもよい。ハードマスクの材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａなどの元素を少なくとも１種類以上含む材料であることが望ましい。
【0045】
（反射型マスクブランクを用いた反射型マスクの製造方法）
以下に、本実施形態の反射型マスクブランク１０を用いた反射型マスク２０の製造方法の好適な実施形態を挙げる。
図７は、図１に示す反射型マスクブランク１０を用いた反射型マスク２０の製造工程を順に示す断面概略図である。図７（ａ）は、反射型マスクブランク１０上にレジスト膜を塗布し、描画を施し、その後に現像処理を行い、レジストパターン５を形成する工程を示す。図７（ｂ）は、レジストパターン５に沿って吸収膜４をパターニングする工程を示す。図７（ｃ）は、残存したレジストパターン５を剥離除去した後、洗浄する工程を示す。こうして、本実施形態に係る反射型マスク２０を製造する。
以下に、本実施形態の反射型マスクブランク１０を用いた反射型マスク２０の製造方法の好適な実施形態を挙げる。
図７は、図１に示す反射型マスクブランク１０を用いた反射型マスク２０の製造工程を順に示す断面概略図である。図７（ａ）は、反射型マスクブランク１０上にレジスト膜を塗布し、描画を施し、その後に現像処理を行い、レジストパターン５を形成する工程を示す。図７（ｂ）は、レジストパターン５に沿って吸収膜４をパターニングする工程を示す。図７（ｃ）は、残存したレジストパターン５を剥離除去した後、洗浄する工程を示す。こうして、本実施形態に係る反射型マスク２０を製造する。
【0046】
［実施例］
以下、実施例により、本発明の実施形態を更に具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
以下、実施例により、本発明の実施形態を更に具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【0047】
［実施例１］
低熱膨張性を有する合成石英の基板の上に、シリコン（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）とを一対とする積層膜が４０枚積層されて形成された多層膜を形成した。多層膜の膜厚は２８０ｎｍとした。
次に、多層膜上に、Ｎｂ２Ｏ５とで形成されたキャッピング膜を、膜厚が１．５ｎｍになるように成膜した。キャッピング膜におけるＮｂ２Ｏ５と他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
次に、キャッピング膜の上に、酸化錫（ＳｎＯ）を含む吸収膜を膜厚が４２ｎｍになるよう成膜した。
基板上へのそれぞれの膜の成膜は、多元スパッタリング装置を用いた。各々の膜の膜厚は、スパッタリング時間で制御した。
低熱膨張性を有する合成石英の基板の上に、シリコン（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）とを一対とする積層膜が４０枚積層されて形成された多層膜を形成した。多層膜の膜厚は２８０ｎｍとした。
次に、多層膜上に、Ｎｂ２Ｏ５とで形成されたキャッピング膜を、膜厚が１．５ｎｍになるように成膜した。キャッピング膜におけるＮｂ２Ｏ５と他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
次に、キャッピング膜の上に、酸化錫（ＳｎＯ）を含む吸収膜を膜厚が４２ｎｍになるよう成膜した。
基板上へのそれぞれの膜の成膜は、多元スパッタリング装置を用いた。各々の膜の膜厚は、スパッタリング時間で制御した。
【0048】
次に、吸収膜上にポジ型化学増幅型レジスト（ＳＥＢＰ９０１２：信越化学社製）を１２０ｎｍの膜厚にスピンコートで成膜し、１１０度で１０分間ベークし、レジスト膜を形成した。
次いで、電子線描画機（ＪＢＸ３０３０：日本電子社製）によってポジ型化学増幅型レジストに所定のパターンを描画した。
その後、１１０度、１０分間ベーク処理を施し、次いでスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）した。これにより、レジストパターンを形成した。
次いで、電子線描画機（ＪＢＸ３０３０：日本電子社製）によってポジ型化学増幅型レジストに所定のパターンを描画した。
その後、１１０度、１０分間ベーク処理を施し、次いでスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）した。これにより、レジストパターンを形成した。
【0049】
次に、レジストパターンをエッチングマスクとして、塩素系ガスを主体としたドライエッチングにより吸収膜のパターニングを行い、吸収パターン膜を形成した。
次に、残ったレジストパターンの剥離を行った。
こうして、実施例１の反射型マスクを得た。
実施例１の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．２９％であった。また、実施例１の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．２９％であった。こうして得られた測定結果を表１に示す。
なお、本実施例では、ＥＵＶ反射率が６２％以上であれば、使用上問題がないとして「合格」とした。また、反射率変動が１％以内であれば、使用上問題がないとして「合格」とした。
以下、本実施例で用いたＥＵＶ反射率及び反射率変動の各測定方法について、説明する。
次に、残ったレジストパターンの剥離を行った。
こうして、実施例１の反射型マスクを得た。
実施例１の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．２９％であった。また、実施例１の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．２９％であった。こうして得られた測定結果を表１に示す。
なお、本実施例では、ＥＵＶ反射率が６２％以上であれば、使用上問題がないとして「合格」とした。また、反射率変動が１％以内であれば、使用上問題がないとして「合格」とした。
以下、本実施例で用いたＥＵＶ反射率及び反射率変動の各測定方法について、説明する。
【0050】
<ＥＵＶ反射率の決定方法>
ＥＵＶ反射率計を用いて、マスク面内５箇所を測定し、その平均値をＥＵＶ反射率とした。
ＥＵＶ反射率計を用いて、マスク面内５箇所を測定し、その平均値をＥＵＶ反射率とした。
【0051】
<反射率変動の決定方法>
ＥＵＶ反射率は前記の方法と同様に測定した。ある膜厚のＥＵＶ反射率と、±０．５nｍ膜厚が変わった時のＥＵＶ反射率との差分を平均し、算出した値を反射率変動とした。
ＥＵＶ反射率は前記の方法と同様に測定した。ある膜厚のＥＵＶ反射率と、±０．５nｍ膜厚が変わった時のＥＵＶ反射率との差分を平均し、算出した値を反射率変動とした。
【0052】
（実施例２）
キャッピング膜をＴiＯ２で形成した以外は実施例１と同様にして、実施例２の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＴiＯ２と他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例２の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．２０％であった。また、実施例２の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．１２％であった。
キャッピング膜をＴiＯ２で形成した以外は実施例１と同様にして、実施例２の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＴiＯ２と他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例２の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．２０％であった。また、実施例２の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．１２％であった。
【0053】
（実施例３）
キャッピング膜をＺｒＯ２で形成した以外は実施例１と同様にして、実施例３の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＺｒＯ２と他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例３の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．２１％であった。また、実施例３の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．１７％であった。
キャッピング膜をＺｒＯ２で形成した以外は実施例１と同様にして、実施例３の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＺｒＯ２と他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例３の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．２１％であった。また、実施例３の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．１７％であった。
【0054】
（実施例４）
キャッピング膜をＹ２Ｏ３で形成した以外は実施例１と同様にして、実施例４の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＹ２Ｏ３と他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例４の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．１７％であった。また、実施例４の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．１６％であった。
キャッピング膜をＹ２Ｏ３で形成した以外は実施例１と同様にして、実施例４の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＹ２Ｏ３と他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例４の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．１７％であった。また、実施例４の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．１６％であった。
【0055】
（実施例５）
キャッピング膜をＲｈで形成した以外は実施例１と同様にして、実施例５の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＲｈと他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例５の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．６６％であった。また、実施例５の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．５２％であった。
キャッピング膜をＲｈで形成した以外は実施例１と同様にして、実施例５の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＲｈと他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例５の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．６６％であった。また、実施例５の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．５２％であった。
【0056】
（実施例６）
キャッピング膜をＲｕＯ２で形成した以外は実施例１と同様にして、実施例６の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＲｕＯ２と他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例６の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．７４％であった。また、実施例６の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．５７％であった。
キャッピング膜をＲｕＯ２で形成した以外は実施例１と同様にして、実施例６の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＲｕＯ２と他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例６の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．７４％であった。また、実施例６の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．５７％であった。
【0057】
（実施例７）
キャッピング膜をＲｅで形成した以外は実施例１と同様にして、実施例７の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＲｅと他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例７の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．１２％であった。また、実施例７の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．２６％であった。
キャッピング膜をＲｅで形成した以外は実施例１と同様にして、実施例７の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＲｅと他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例７の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．１２％であった。また、実施例７の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．２６％であった。
【0058】
（実施例８）
キャッピング膜をＭｏＯ３で形成した以外は実施例１と同様にして、実施例８の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＭｏＯ３と他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例８の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．２１％であった。また、実施例８の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．１７％であった。
キャッピング膜をＭｏＯ３で形成した以外は実施例１と同様にして、実施例８の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＭｏＯ３と他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例８の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．２１％であった。また、実施例８の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．１７％であった。
【0059】
（実施例９）
キャッピング膜をＴｉとＳｉとで形成した以外は実施例１と同様にして、実施例９の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＴｉとＳｉとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
実施例９の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．０８％であった。また、実施例９の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．０７％であった。
キャッピング膜をＴｉとＳｉとで形成した以外は実施例１と同様にして、実施例９の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＴｉとＳｉとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
実施例９の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．０８％であった。また、実施例９の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．０７％であった。
【0060】
（実施例１０）
キャッピング膜をＣｒＮで形成した以外は実施例１と同様にして、実施例１０の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＣｒＮと他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例１０の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．１１％であった。また、実施例１０の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．２２％であった。
キャッピング膜をＣｒＮで形成した以外は実施例１と同様にして、実施例１０の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＣｒＮと他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例１０の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．１１％であった。また、実施例１０の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．２２％であった。
【0061】
（実施例１１）
キャッピング膜をＲｕで形成した以外は実施例１と同様にして、実施例１１の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＲｕと他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例１１の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．７８％であった。また、実施例１１の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．７３％であった。
キャッピング膜をＲｕで形成した以外は実施例１と同様にして、実施例１１の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＲｕと他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例１１の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．７８％であった。また、実施例１１の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．７３％であった。
【0062】
（実施例１２）
キャッピング膜をＴａとＭｏとで形成した以外は実施例１と同様にして、実施例１２の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＴａとＭｏとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２０：８０であった。
実施例１２の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．４３％であった。また、実施例１２の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．４０％であった。
キャッピング膜をＴａとＭｏとで形成した以外は実施例１と同様にして、実施例１２の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＴａとＭｏとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２０：８０であった。
実施例１２の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．４３％であった。また、実施例１２の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．４０％であった。
【0063】
（実施例１３）
キャッピング膜をＨｆＯ２とＰｔとで形成した以外は実施例１と同様にして、実施例１３の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＨｆＯ２とＰｔとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、４０：６０であった。
実施例１３の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．０７％であった。また、実施例１３の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．３３％であった。
キャッピング膜をＨｆＯ２とＰｔとで形成した以外は実施例１と同様にして、実施例１３の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＨｆＯ２とＰｔとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、４０：６０であった。
実施例１３の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．０７％であった。また、実施例１３の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．３３％であった。
【0064】
（実施例１４）
キャッピング膜をＰｔで形成した以外は実施例１と同様にして、実施例１４の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＰｔと他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例１４の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．１２％であった。また、実施例１４の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．３７％であった。
キャッピング膜をＰｔで形成した以外は実施例１と同様にして、実施例１４の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＰｔと他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
実施例１４の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．１２％であった。また、実施例１４の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．３７％であった。
【0065】
（実施例１５）
キャッピング膜をＲｕとＮｂとで形成し、キャッピング膜の膜厚を２ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、実施例１５の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＲｕとＮｂとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
実施例１５の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６３．４３％であった。また、実施例１５の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．６５％であった。
キャッピング膜をＲｕとＮｂとで形成し、キャッピング膜の膜厚を２ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、実施例１５の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＲｕとＮｂとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
実施例１５の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６３．４３％であった。また、実施例１５の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．６５％であった。
【0066】
（実施例１６）
キャッピング膜をＲｕとＮｂとで形成し、キャッピング膜の膜厚を３ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、実施例１６の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＲｕとＮｂとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
実施例１６の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６４．２３％であった。また、実施例１６の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．２２％であった。
キャッピング膜をＲｕとＮｂとで形成し、キャッピング膜の膜厚を３ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、実施例１６の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＲｕとＮｂとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
実施例１６の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６４．２３％であった。また、実施例１６の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．２２％であった。
【0067】
（実施例１７）
キャッピング膜をＲｕとＮｂとで形成し、キャッピング膜の膜厚を４ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、実施例１７の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＲｕとＮｂとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
実施例１７の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６３．３０％であった。また、実施例１７の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．９２％であった。
キャッピング膜をＲｕとＮｂとで形成し、キャッピング膜の膜厚を４ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、実施例１７の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＲｕとＮｂとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
実施例１７の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６３．３０％であった。また、実施例１７の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．９２％であった。
【0068】
（実施例１８）
キャッピング膜をＺｒとＹとで形成し、キャッピング膜の膜厚を４ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、実施例１８の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＺｒとＹとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
実施例１８の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．４０％であった。また、実施例１８の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．３６％であった。
キャッピング膜をＺｒとＹとで形成し、キャッピング膜の膜厚を４ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、実施例１８の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＺｒとＹとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
実施例１８の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．４０％であった。また、実施例１８の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．３６％であった。
【0069】
（実施例１９）
キャッピング膜をＭｏとＮｂとで形成し、キャッピング膜の膜厚を４．５ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、実施例１９の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＭｏとＮｂとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
実施例１９の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．８１％であった。また、実施例１９の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．９３％であった。
キャッピング膜をＭｏとＮｂとで形成し、キャッピング膜の膜厚を４．５ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、実施例１９の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＭｏとＮｂとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
実施例１９の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．８１％であった。また、実施例１９の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．９３％であった。
【0070】
（実施例２０）
キャッピング膜をＮｂとＹとで形成し、キャッピング膜の膜厚を４．５ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、実施例２０の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＮｂとＹとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、7０：３０であった。
実施例２０の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．６０％であった。また、実施例２０の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．６８％であった。
キャッピング膜をＮｂとＹとで形成し、キャッピング膜の膜厚を４．５ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、実施例２０の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＮｂとＹとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、7０：３０であった。
実施例２０の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６２．６０％であった。また、実施例２０の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．６８％であった。
【0071】
（比較例１）
キャッピング膜をＡｇとＰｔとで形成した以外は実施例１と同様にして、比較例１の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＡｇとＰｔとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
比較例１の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６１．９８％であった。また、比較例１の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．４５％であった。
キャッピング膜をＡｇとＰｔとで形成した以外は実施例１と同様にして、比較例１の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＡｇとＰｔとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
比較例１の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６１．９８％であった。また、比較例１の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．４５％であった。
【0072】
（比較例２）
キャッピング膜をＴｅとＩｒとで形成した以外は実施例１と同様にして、比較例２の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＴｅとＩｒとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、３０：７０であった。
比較例２の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６１．９７％であった。また、比較例２の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．３５％であった。
キャッピング膜をＴｅとＩｒとで形成した以外は実施例１と同様にして、比較例２の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＴｅとＩｒとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、３０：７０であった。
比較例２の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６１．９７％であった。また、比較例２の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．３５％であった。
【0073】
（比較例３）
キャッピング膜をＨｆＯ２で形成した以外は実施例１と同様にして、比較例３の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＨｆＯ２と他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
比較例３の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６１．９０％であった。また、比較例３の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．２９％であった。
キャッピング膜をＨｆＯ２で形成した以外は実施例１と同様にして、比較例３の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＨｆＯ２と他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
比較例３の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６１．９０％であった。また、比較例３の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．２９％であった。
【0074】
（比較例４）
キャッピング膜をＳｉＮで形成した以外は実施例１と同様にして、比較例４の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＳｉＮと他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
比較例４の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６１．８８％であった。また、比較例４の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．１２％であった。
キャッピング膜をＳｉＮで形成した以外は実施例１と同様にして、比較例４の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＳｉＮと他の元素との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１００：０であった。
比較例４の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６１．８８％であった。また、比較例４の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．１２％であった。
【0075】
（比較例５）
キャッピング膜をＲｕとＮｂとで形成し、キャッピング膜の膜厚を５ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、比較例５の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＲｕとＮｂとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
比較例５の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６０．６４％であった。また、比較例５の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は１．６４％であった。
キャッピング膜をＲｕとＮｂとで形成し、キャッピング膜の膜厚を５ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、比較例５の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＲｕとＮｂとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
比較例５の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６０．６４％であった。また、比較例５の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は１．６４％であった。
【0076】
（比較例６）
キャッピング膜をＺｒとＹとで形成し、キャッピング膜の膜厚を５ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、比較例６の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＺｒとＹとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
比較例６の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６１．３９％であった。また、比較例６の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．５９％であった。
キャッピング膜をＺｒとＹとで形成し、キャッピング膜の膜厚を５ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、比較例６の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＺｒとＹとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
比較例６の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６１．３９％であった。また、比較例６の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は０．５９％であった。
【0077】
（比較例７）
キャッピング膜をＭｏとＮｂとで形成し、キャッピング膜の膜厚を５ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、比較例７の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＭｏとＮｂとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
比較例７の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６１．７３％であった。また、比較例７の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は１．１８％であった。
キャッピング膜をＭｏとＮｂとで形成し、キャッピング膜の膜厚を５ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、比較例７の反射型マスクを得た。なお、キャッピング膜におけるＭｏとＮｂとの原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、５０：５０であった。
比較例７の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対してＥＵＶ反射率を測定したところ、その値は６１．７３％であった。また、比較例７の反射型マスクに備わるキャッピング膜に対して反射率変動を測定したところ、その値は１．１８％であった。
【0078】
【表1】
【0079】
なお、各実施例及び各比較例で用いたキャッピング膜の構成材料が有する屈折率ｎ、及び消衰係数ｋの関係（ｎ－ｋマップ）については、図８に示している。
【0080】
実施例１から実施例２０の評価結果より、本実施例の反射型マスクブランクは、従来の反射型マスクブランクである比較例１から比較例７の反射型マスクブランクと比較して、反射型マスクを製造する際にキャッピング膜の膜厚が±０．５ｎｍの範囲内で変動した場合であっても、キャッピング膜におけるＥＵＶ反射率を６２％以上に維持することができ、且つ、キャッピング膜におけるＥＵＶ反射率変動を１％以下に維持することができる。
【0081】
以上、本実施例により本発明の反射型マスクブランク、及び本発明の反射型マスクについて説明したが、上記実施例は本発明を実施するための例にすぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。また、これらの実施例や上述した各実施形態を変形することは本発明の範囲内であり、更に本発明の範囲内において他の様々な実施例が可能であることは上記記載から自明である。
【0082】
また、例えば、本発明は以下のような構成を取ることができる。
（１）
極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型マスクの製造に用いられる反射型マスクブランクであって、
基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上に形成され、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、前記キャッピング膜上に形成された吸収膜とを少なくとも備え、
前記吸収膜形成前の前記キャッピング膜の極端紫外光反射率が６２％以上であって、前記キャッピング膜の膜厚に対する前記反射率の変動が１％以下であり、
前記キャッピング膜は、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
（２）
前記キャッピング膜は、その膜厚が１ｎｍ以上４．５ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする上記（１）に記載の反射型マスクブランク。
（３）
前記キャッピング膜は、その膜厚が１．５ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする上記（１）に記載の反射型マスクブランク。
（４）
前記キャッピング膜は、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｔｃ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂ、Ｃｒ、及びＹからなる元素群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含むことを特徴とする上記（１）から（３）のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク。
（５）
極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型マスクであって、
基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上に形成され、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、前記キャッピング膜上にパターン形成された吸収膜とを少なくとも備え、
前記多層膜上の前記キャッピング膜の極端紫外光反射率が６２％以上であって、前記キャッピング膜の膜厚に対する前記反射率の変動が１％以下であり、
前記キャッピング膜は、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されていることを特徴とする反射型マスク。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
（６）
前記キャッピング膜は、その膜厚が１ｎｍ以上４．５ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする上記（５）に記載の反射型マスク。
（７）
前記キャッピング膜は、その膜厚が１．５ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする上記（５）に記載の反射型マスク。
（８）
前記キャッピング膜は、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｔｃ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂ、Ｃｒ、及びＹからなる元素群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含むことを特徴とする上記（５）から（７）のいずれか１項に記載の反射型マスク。
（９）
極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型マスクの製造に用いられる反射型マスクブランクを構成するキャッピング膜の製造方法であって、
前記反射型マスクブランクは、基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上に形成され、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、前記キャッピング膜上に形成された吸収膜とを少なくとも備え、
前記吸収膜形成前の前記キャッピング膜の極端紫外光反射率が６２％以上となるように、且つ前記キャッピング膜の膜厚に対する前記反射率の変動が１％以下となるように、前記キャッピング膜を、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成することを特徴とする反射型マスクブランクを構成するキャッピング膜の製造方法。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
（１０）
極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型マスクの製造に用いられる反射型マスクブランクを構成するキャッピング膜の材料を選択する選択方法であって、
前記反射型マスクブランクは、基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上に形成され、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、前記キャッピング膜上に形成された吸収膜とを少なくとも備え、
前記吸収膜形成前の前記キャッピング膜の極端紫外光反射率が６２％以上となるように、且つ前記キャッピング膜の膜厚に対する前記反射率の変動が１％以下となるように、前記キャッピング膜を、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成することを特徴とする反射型マスクブランクを構成するキャッピング膜の材料選択方法。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
（１）
極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型マスクの製造に用いられる反射型マスクブランクであって、
基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上に形成され、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、前記キャッピング膜上に形成された吸収膜とを少なくとも備え、
前記吸収膜形成前の前記キャッピング膜の極端紫外光反射率が６２％以上であって、前記キャッピング膜の膜厚に対する前記反射率の変動が１％以下であり、
前記キャッピング膜は、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
（２）
前記キャッピング膜は、その膜厚が１ｎｍ以上４．５ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする上記（１）に記載の反射型マスクブランク。
（３）
前記キャッピング膜は、その膜厚が１．５ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする上記（１）に記載の反射型マスクブランク。
（４）
前記キャッピング膜は、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｔｃ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂ、Ｃｒ、及びＹからなる元素群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含むことを特徴とする上記（１）から（３）のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク。
（５）
極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型マスクであって、
基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上に形成され、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、前記キャッピング膜上にパターン形成された吸収膜とを少なくとも備え、
前記多層膜上の前記キャッピング膜の極端紫外光反射率が６２％以上であって、前記キャッピング膜の膜厚に対する前記反射率の変動が１％以下であり、
前記キャッピング膜は、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成されていることを特徴とする反射型マスク。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
（６）
前記キャッピング膜は、その膜厚が１ｎｍ以上４．５ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする上記（５）に記載の反射型マスク。
（７）
前記キャッピング膜は、その膜厚が１．５ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする上記（５）に記載の反射型マスク。
（８）
前記キャッピング膜は、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｔｃ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂ、Ｃｒ、及びＹからなる元素群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含むことを特徴とする上記（５）から（７）のいずれか１項に記載の反射型マスク。
（９）
極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型マスクの製造に用いられる反射型マスクブランクを構成するキャッピング膜の製造方法であって、
前記反射型マスクブランクは、基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上に形成され、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、前記キャッピング膜上に形成された吸収膜とを少なくとも備え、
前記吸収膜形成前の前記キャッピング膜の極端紫外光反射率が６２％以上となるように、且つ前記キャッピング膜の膜厚に対する前記反射率の変動が１％以下となるように、前記キャッピング膜を、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成することを特徴とする反射型マスクブランクを構成するキャッピング膜の製造方法。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
（１０）
極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型マスクの製造に用いられる反射型マスクブランクを構成するキャッピング膜の材料を選択する選択方法であって、
前記反射型マスクブランクは、基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上に形成され、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、前記キャッピング膜上に形成された吸収膜とを少なくとも備え、
前記吸収膜形成前の前記キャッピング膜の極端紫外光反射率が６２％以上となるように、且つ前記キャッピング膜の膜厚に対する前記反射率の変動が１％以下となるように、前記キャッピング膜を、極端紫外光における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、下記式（１）または（２）を満たす元素からなる１種類以上の材料で形成することを特徴とする反射型マスクブランクを構成するキャッピング膜の材料選択方法。
（０．８７５≦ｎ≦０．９９のとき） ｋ≦ｎ×Ａ＋Ｂ
（ここで、Ａは－０．６６７以上－０．６５７以下の定数、Ｂは０．６５０以上０．６６０以下の定数）
・・・（１）
（０．８７５＞ｎのとき） ｋ≦０．０７ ・・・（２）
【産業上の利用可能性】
【0083】
本発明では、反射型マスクブランクの各組成、各膜厚、及び各層構造と、これを用いた反射型マスクの各製造工程、及び各条件とを適切な範囲で選択した。そのため、２８ｎｍ以下のロジック系デバイス、又は３０ｎｍ以下のメモリ系デバイス製造に対応した、微細なパターンを高精度で形成した透過型マスク、及び反射型マスクを提供することができる。
【符号の説明】
【0084】
１ 基板
２ 多層膜
３ キャッピング膜
４ 吸収膜
４ａ 吸収パターン膜
５ レジストパターン
６ 裏面導電膜
１０ 反射型マスクブランク
２０ 反射型マスク
２ 多層膜
３ キャッピング膜
４ 吸収膜
４ａ 吸収パターン膜
５ レジストパターン
６ 裏面導電膜
１０ 反射型マスクブランク
２０ 反射型マスク
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】