特開2024-118695ＳｉＣ ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ及びＳｉＣ相補型ＭＯＳデバイス

発明の名称　ＳｉＣ ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ及びＳｉＣ相補型ＭＯＳデバイス

出願人　国立大学法人京都大学　（識別番号 504132272）

　　　　特許公開件数ランキング 342 位（185件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 298 位（165件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2024-118695

公報発行日　2024年9月2

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2024-118695

知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、特開-2024-118695「ＳｉＣ ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ及びＳｉＣ相補型ＭＯＳデバイス」の公報全文を閲覧することができます。

ログインはこちら　ログイン・ユーザー登録