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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024119273
(43)【公開日】2024-09-03
(54)【発明の名称】電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
(51)【国際特許分類】
H10K 59/131 20230101AFI20240827BHJP
H10K 50/84 20230101ALI20240827BHJP
H10K 71/60 20230101ALI20240827BHJP
H10K 71/16 20230101ALI20240827BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240827BHJP
【ＦＩ】
H10K59/131
H10K50/84
H10K71/60
H10K71/16
G09F9/30 365
G09F9/30 330
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023026056
(22)【出願日】2023-02-22
(71)【出願人】
【識別番号】000002369
【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003177
【氏名又は名称】弁理士法人旺知国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】田村 剛
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB02
3K107CC21
3K107DD03
3K107DD39
3K107DD88
3K107DD95
3K107FF14
3K107FF15
3K107GG01
3K107GG03
5C094AA38
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA07
5C094DA13
5C094FA02
5C094FB12
5C094FB15
5C094JA08
(57)【要約】
【課題】信頼性の低下を抑制することができる電気光学装置、および電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置は、駆動回路を有する基板と、前記駆動回路と電気的に接続された第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、コンタクトホールを有する第１絶縁層と、透光性を有する第３電極と、前記第２電極と前記第３電極との間に配置された発光機能層と、前記第３電極の前記発光機能層とは反対に配置された第２絶縁層と、前記コンタクトホール内に配置され、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する導電部と、を備え、前記第２電極は、前記導電部を覆い、前記導電部は、前記コンタクトホールの内壁面に配置された第１導電部と、前記第１導電部の内側に配置される第２導電部と、を有する。
【選択図】図５
【解決手段】電気光学装置は、駆動回路を有する基板と、前記駆動回路と電気的に接続された第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、コンタクトホールを有する第１絶縁層と、透光性を有する第３電極と、前記第２電極と前記第３電極との間に配置された発光機能層と、前記第３電極の前記発光機能層とは反対に配置された第２絶縁層と、前記コンタクトホール内に配置され、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する導電部と、を備え、前記第２電極は、前記導電部を覆い、前記導電部は、前記コンタクトホールの内壁面に配置された第１導電部と、前記第１導電部の内側に配置される第２導電部と、を有する。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
駆動回路を有する基板と、
前記駆動回路と電気的に接続された第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、コンタクトホールを有する第１絶縁層と、
透光性を有する第３電極と、
前記第２電極と前記第３電極との間に配置された発光機能層と、
前記第３電極の前記発光機能層とは反対に配置された第２絶縁層と、
前記コンタクトホール内に配置され、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する導電部と、を備え、
前記第２電極は、前記導電部を覆い、
前記導電部は、前記コンタクトホールの内壁面に配置された第１導電部と、前記第１導電部の内側に配置される第２導電部と、を有する、
ことを特徴とする電気光学装置。
前記駆動回路と電気的に接続された第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、コンタクトホールを有する第１絶縁層と、
透光性を有する第３電極と、
前記第２電極と前記第３電極との間に配置された発光機能層と、
前記第３電極の前記発光機能層とは反対に配置された第２絶縁層と、
前記コンタクトホール内に配置され、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する導電部と、を備え、
前記第２電極は、前記導電部を覆い、
前記導電部は、前記コンタクトホールの内壁面に配置された第１導電部と、前記第１導電部の内側に配置される第２導電部と、を有する、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項2】
前記第２電極と前記発光機能層との間に配置され、前記第２電極と平面視で重なる開口を有する第３絶縁層を、さらに有し、
前記発光機能層は、前記開口において前記第２電極と接触し、
前記開口と、前記導電部とは、前記平面視で重なる、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記発光機能層は、前記開口において前記第２電極と接触し、
前記開口と、前記導電部とは、前記平面視で重なる、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項3】
前記第１導電部は、チタンナイトライドを含み、
前記第２導電部は、タングステンを含む、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記第２導電部は、タングステンを含む、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項4】
前記第１導電部の厚さは、前記第２導電部の厚さよりも薄く、
前記第１導電部の厚さは、３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記第１導電部の厚さは、３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項5】
前記第２絶縁層は、無機ケイ素材料を含む複数の無機絶縁膜で構成される、
請求項１に記載の電気光学装置。
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項6】
前記複数の無機絶縁膜は、第１無機絶縁膜と、前記第１無機絶縁膜の密度よりも大きい密度の第２無機絶縁膜を含む、
請求項５に記載の電気光学装置。
請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項7】
駆動回路を有する基板を用意する工程と、
前記駆動回路と電気的に接続された第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層に、前記第１電極の一部に開口するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内に導電性を有する導電部を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に、前記導電部を介して前記第１電極に電気的に接続された第２電極を形成する工程と、
前記第２電極上に発光機能層を形成する工程と、
前記発光機能層上に、透光性を有する第３電極を形成する工程と、
前記第３電極上に第２絶縁層を形成する工程と、
を含み、
前記第２電極を形成する工程では、
前記導電部を覆うよう前記第２電極を形成し、
前記導電部を形成する工程では、
前記コンタクトホールの内壁面上に第１導電部を形成し、
前記第１導電部の内側に第２導電部を形成する、
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
前記駆動回路と電気的に接続された第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層に、前記第１電極の一部に開口するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内に導電性を有する導電部を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に、前記導電部を介して前記第１電極に電気的に接続された第２電極を形成する工程と、
前記第２電極上に発光機能層を形成する工程と、
前記発光機能層上に、透光性を有する第３電極を形成する工程と、
前記第３電極上に第２絶縁層を形成する工程と、
を含み、
前記第２電極を形成する工程では、
前記導電部を覆うよう前記第２電極を形成し、
前記導電部を形成する工程では、
前記コンタクトホールの内壁面上に第１導電部を形成し、
前記第１導電部の内側に第２導電部を形成する、
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項8】
前記第２絶縁層を形成する工程では、
ＣＶＤ法により、無機ケイ素材料を含む第１無機絶縁膜を形成し、
ＡＬＤ法により、無機ケイ素材料を含む第２無機絶縁膜を形成する、
請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
ＣＶＤ法により、無機ケイ素材料を含む第１無機絶縁膜を形成し、
ＡＬＤ法により、無機ケイ素材料を含む第２無機絶縁膜を形成する、
請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項9】
請求項１に記載の電気光学装置と、
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶装置および有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置が知られている。かかる装置の一例として、特許文献１に記載の有機ＥＬ装置が挙げられる。
【0003】
当該文献の有機ＥＬ装置では、基板と、配線と、平坦化層と、第１電極と、有機ＥＬ層と、第２電極と、画素を区画するバンク層とが、この順に並ぶ。平坦化層には、コンタクトホールが設けられる。当該コンタクトホール内には、第１電極の一部が配置されており、第１電極は下層の配線に電気的に接続される。また、有機ＥＬ素子への水分の影響を考慮し、第２電極およびバンク層の形成後には封止が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２２－１６３２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
前述のように、従来の有機ＥＬ装置では、第１電極の一部がコンタクトホール内に配置されている。そして、当該コンタクトホール内を埋めるようにバンク層が設けられている。このため、コンタクトホールの影響を受け、第２電極およびバンク層の表面は凹凸を有する。また、第２電極およびバンク層の上層に封止層を設ける場合、第２電極およびバンク層の表面の凹凸が封止層の表面に影響を与えてしまう。この結果、封止層に欠陥が生じるおそれがある。それゆえ、封止層の封止性能が低下するおそれがある。よって、電気光学装置の品質信頼性が低下するおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
以上の課題を解決するために、本発明の好適な態様に係る電気光学装置は、駆動回路を有する基板と、前記駆動回路と電気的に接続された第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、コンタクトホールを有する第１絶縁層と、透光性を有する第３電極と、前記第２電極と前記第３電極との間に配置された発光機能層と、前記第３電極の前記発光機能層とは反対に配置された第２絶縁層と、前記コンタクトホール内に配置され、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する導電部と、を備え、前記第２電極は、前記導電部を覆い、前記導電部は、前記コンタクトホールの内壁面に配置された第１導電部と、前記第１導電部の内側に配置される第２導電部と、を有する。
【0007】
また、本発明の好適な態様に係る電気光学装置の製造方法は、駆動回路を有する基板を用意する工程と、前記駆動回路と電気的に接続された第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層に、前記第１電極の一部に開口するコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホール内に導電性を有する導電部を形成する工程と、前記第１絶縁層上に、前記導電部を介して前記第１電極に電気的に接続された第２電極を形成する工程と、前記第２電極上に発光機能層を形成する工程と、前記発光機能層上に、透光性を有する第３電極を形成する工程と、前記第３電極上に第２絶縁層を形成する工程と、を含み、前記第２電極を形成する工程では、前記導電部を覆うよう前記第２電極を形成し、前記導電部を形成する工程では、前記コンタクトホールの内壁面上に第１導電部を形成し、前記第１導電部の内側に第２導電部を形成する。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】第１実施形態における電気光学装置を示す平面図である。
【図5】第２絶縁層が有機材料を含む場合の光の出射を示す図である。
【図6】第２絶縁層が無機材料で形成される場合の光の出射を示す図である。
【図7】本実施形態の電気光学装置の製造方法のフローである。
【図8】第１絶縁層形成工程を説明するための図である。
【図9】コンタクトホール形成工程を説明するための図である。
【図10】導電部形成工程を説明するための図である。
【図11】導電部形成工程を説明するための図である。
【図12】導電部形成工程を説明するための図である。
【図13】導電部形成工程を説明するための図である。
【図14】第２電極形成工程を説明するための図である。
【図15】第２電極形成工程を説明するための図である。
【図16】第３絶縁層形成工程を説明するための図である。
【図17】第３絶縁層形成工程を説明するための図である。
【図18】第２絶縁層形成工程を説明するための図である。
【図19】第２絶縁層形成工程を説明するための図である。
【図20】電子機器の一例である虚像電気光学装置の一部を模式的に示す平面図である。
【図21】電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法や縮尺は実際のものと適宜異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。
【0010】
また、要素αと要素βとの「電気的な接続」は、要素αと要素βとが直接的に接合されることで導通する構成のほか、要素αと要素βとが他の導電体を介して間接的に導通する構成も含まれる。また、「要素α上の要素β」とは、要素αと要素βとが直接的に接触している構成のほか、要素αと要素βとが他の要素を介して間接的に接触している構成も含まれる。
【0011】
１．電気光学装置
１Ａ．電気光学装置の基本構成
図１は、第１実施形態における電気光学装置１００を示す平面図である。以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向といい、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向という。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向といい、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向という。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向といい、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向という。また、Ｚ１方向またはＺ２方向からみることを「平面視」という。また、光透過性とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。また、光反射性とは、可視光に対する反射性を意味し、好ましくは可視光の反射率が５０％以上であることをいい、より好ましくは１５％以下であることをいう。
１Ａ．電気光学装置の基本構成
図１は、第１実施形態における電気光学装置１００を示す平面図である。以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向といい、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向という。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向といい、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向という。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向といい、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向という。また、Ｚ１方向またはＺ２方向からみることを「平面視」という。また、光透過性とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。また、光反射性とは、可視光に対する反射性を意味し、好ましくは可視光の反射率が５０％以上であることをいい、より好ましくは１５％以下であることをいう。
【0012】
図１に示す電気光学装置１００は、フルカラーの画像を表示する有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置である。なお、画像には、文字情報のみを表示するものが含まれる。電気光学装置１００は、例えば、ヘッドマウントディスプレイにおいて画像を表示するマイクロディスプレイとして好適に用いられる。なお、本実施形態では、電気光学装置１００は、フルカラーの画像を表示可能であるが、単色のみの画像を表示する装置であってもよい。
【0013】
電気光学装置１００は、表示領域Ａ１０と周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０は、画像を表示する領域である。表示領域Ａ１０の平面視での形状は、ほぼ四角形であるが、他の形状でもよい。周辺領域Ａ２０は、表示領域Ａ１０を平面視で囲む枠状の領域である。
【0014】
表示領域Ａ１０は、複数の画素Ｐを含む。各画素Ｐは、画像の表示における最小単位である。複数の画素Ｐは、例えば、Ｘ軸およびＹ軸に沿った行列状に配置される。各画素Ｐは、サブ画素ＰＢと、サブ画素ＰＧと、サブ画素ＰＲとを含む。サブ画素ＰＢは、青色の波長域の光を出射する。サブ画素ＰＧは、緑色の波長域の光を出射する。サブ画素ＰＲは、赤色の波長域の光を出射する。赤色の波長域は、５８０ｎｍを超え、７００ｎｍ以下である。緑色の波長域は、５００ｎｍ以上、５８０ｎｍ以下である。青色の波長域は、４００ｎｍ以上、５００ｎｍ未満である。サブ画素ＰＢ、ＰＧおよびＰＲの配列は、特に限定されず、例えば、ストライプ配列、レクタングル配列、ベイヤー配列、またはデルタ配列が挙げられる。本実施形態では、サブ画素ＰＢ、ＰＧおよびＰＲの配列は、ストライプ配列である。
【0015】
以下では、サブ画素ＰＢ、サブ画素ＰＧおよびサブ画素ＰＲを区別しない場合、サブ画素Ｐ０と表記する。サブ画素Ｐ０は、画素Ｐを構成する要素である。サブ画素Ｐ０は、表示する画像の最小単位である。サブ画素ＰＢ、サブ画素ＰＧ、サブ画素ＰＲによって、カラー画像の１つの画素Ｐが表現される。サブ画素Ｐ０は他のサブ画素Ｐ０とは独立して制御される。
【0016】
図１に示すように、電気光学装置１００は、素子基板１と、光透過性を有する透光性基板９と、を有する。電気光学装置１００は、いわゆるトップエミッション構造である。電気光学装置１００は、透光性基板９から光を出射させる。
【0017】
周辺領域Ａ２０には、データ線駆動回路１０１と、走査線駆動回路１０２と、制御回路１０３と、複数の外部端子１０４とが配置される。データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０２は、各サブ画素Ｐ０に含まれる各部の駆動を制御する。制御回路１０３には、図示省略された上位回路から画像データが供給される。制御回路１０３は、当該画像データに基づく各種信号をデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０２に供給し、画像の表示を制御する。図示しないが、外部端子１０４には、図示省略された上位回路との電気的な接続を図るためのＦＰＣ（Flexible printed circuits）基板等が接続される。なお、電気光学装置１００には、図示省略された電源回路が電気的に接続される。
【0018】
図２は、図１に示すサブ画素Ｐ０の等価回路図である。電気光学装置１００は、複数の走査線１３および複数のデータ線１４を有する。図２では、１つのサブ画素Ｐ０に対応する１つの走査線１３および１つのデータ線１４が図示される。走査線１３はＸ軸に沿って延び、データ線１４はＹ軸に沿って延びる。なお、図示省略するが、複数の走査線１３と複数のデータ線１４は、格子状に配列される。また、各走査線１３は図１に示す走査線駆動回路１０２に接続され、各データ線１４は図１に示すデータ線駆動回路１０１に接続される。
【0019】
１Ｂ．電気光学装置の電気的な構成
図２に示すように、サブ画素Ｐ０は、発光素子２０と、駆動回路３０とを含む。発光素子２０は、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）で構成される。発光素子２０は、第２電極２３と、第３電極２５と、発光機能層２４とを有する。第２電極２３は、サブ画素Ｐ０ごとに設けられる画素電極であり、陽極として機能する。第３電極２５は、複数のサブ画素Ｐ０で共通な共通電極であり、陰極として機能する。発光機能層２４は、第２電極２３と第３電極２５との間に配置される。発光素子２０では、第２電極２３から供給される正孔と、第３電極２５から供給される電子とが発光機能層２４で再結合することにより、発光機能層２４が光を発生させる。第３電極２５には、給電線１６が電気的に接続される。給電線１６には、図示省略された電源回路から低位側の電源電位Ｖctが供給される。第２電極２３は他の第２電極２３とは独立して互いに異なるように設定可能である。
図２に示すように、サブ画素Ｐ０は、発光素子２０と、駆動回路３０とを含む。発光素子２０は、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）で構成される。発光素子２０は、第２電極２３と、第３電極２５と、発光機能層２４とを有する。第２電極２３は、サブ画素Ｐ０ごとに設けられる画素電極であり、陽極として機能する。第３電極２５は、複数のサブ画素Ｐ０で共通な共通電極であり、陰極として機能する。発光機能層２４は、第２電極２３と第３電極２５との間に配置される。発光素子２０では、第２電極２３から供給される正孔と、第３電極２５から供給される電子とが発光機能層２４で再結合することにより、発光機能層２４が光を発生させる。第３電極２５には、給電線１６が電気的に接続される。給電線１６には、図示省略された電源回路から低位側の電源電位Ｖctが供給される。第２電極２３は他の第２電極２３とは独立して互いに異なるように設定可能である。
【0020】
駆動回路３０、発光素子２０の駆動を制御する画素回路である。駆動回路３０は、スイッチング用トランジスター３１と、駆動用トランジスター３２と、保持容量３３とを有する。スイッチング用トランジスター３１のゲートは、走査線１３に電気的に接続される。また、スイッチング用トランジスター３１のソースまたはドレインの一方が、データ線１４に電気的に接続され、他方が、駆動用トランジスター３２のゲートに電気的に接続される。また、駆動用トランジスター３２のソースまたはドレインの一方が、給電線１５に電気的に接続され、他方が、第２電極２３に電気的に接続される。なお、給電線１５には、図示省略された電源回路から高位側の電源電位Ｖelが供給される。また、保持容量３３の一方の電極は、駆動用トランジスター３２のゲートに接続され、他方の電極は、給電線１５に接続される。
【0021】
走査線駆動回路１０２が走査信号をアクティブにすることで走査線１３が選択されると、選択されるサブ画素Ｐ０に設けられるスイッチング用トランジスター３１がオンする。すると、データ線１４からデータ信号が、選択される走査線１３に対応する駆動用トランジスター３２に供給される。駆動用トランジスター３２は、供給されるデータ信号の電位、すなわちゲートおよびソース間の電位差に応じた電流を発光素子２０に対して供給する。そして、発光素子２０は、駆動用トランジスター３２から供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する。また、走査線駆動回路１０２が走査線１３の選択を解除してスイッチング用トランジスター３１がオフした場合、駆動用トランジスター３２のゲートの電位は、保持容量３３により保持される。このため、発光素子２０は、スイッチング用トランジスター３１がオフした後も発光が可能である。
【0022】
なお、前述の駆動回路３０の構成は、図示の構成に限定されない。例えば、駆動回路３０は、第２電極２３と駆動用トランジスター３２との間の導通を制御するトランジスターをさらに備えてもよい。
【0023】
１Ｃ．電気光学装置の具体的な構成
図３は、図１に示す電気光学装置１００の画素Ｐを説明するための平面図である。図３では、１つの画素Ｐの要素が代表的に図示される。以下では、サブ画素ＰＲに関連する要素の符号の末尾に「Ｒ」を付し、サブ画素ＰＧに関連する要素の符号の末尾に「Ｇ」を付し、サブ画素ＰＢに関連する要素の符号の末尾に「Ｂ」を付す。なお、発光色ごとに区別しない場合には、符号の末尾の「Ｂ」、「Ｇ」および「Ｒ」を省略する。
図３は、図１に示す電気光学装置１００の画素Ｐを説明するための平面図である。図３では、１つの画素Ｐの要素が代表的に図示される。以下では、サブ画素ＰＲに関連する要素の符号の末尾に「Ｒ」を付し、サブ画素ＰＧに関連する要素の符号の末尾に「Ｇ」を付し、サブ画素ＰＢに関連する要素の符号の末尾に「Ｂ」を付す。なお、発光色ごとに区別しない場合には、符号の末尾の「Ｂ」、「Ｇ」および「Ｒ」を省略する。
【0024】
図３に示すように、素子基板１は、画素Ｐごとに、発光素子２０Ｒ、２０Ｂ、および２０Ｇの組を有する。発光素子２０Ｒは、サブ画素ＰＲに設けられる発光素子２０である。発光素子２０Ｂは、サブ画素ＰＢに設けられる発光素子２０である。発光素子２０Ｇは、サブ画素ＰＧに設けられる発光素子２０である。前述のように、第２電極２３は、サブ画素Ｐ０ごとに設けられている。よって、発光素子２０Ｒには第２電極２３Ｒが設けられ、発光素子２０Ｇには第２電極２３Ｇが設けられ、発光素子２０Ｂには第２電極２３Ｂが設けられる。
【0025】
発光素子２０Ｒは、赤色の波長域を含む波長域の光を発する発光領域ＡＲを有する。発光素子２０Ｂは、青色の波長域を含む波長域の光を発する発光領域ＡＢを有する。発光素子２０Ｇは、緑色の波長域を含む波長域の光を発する発光領域ＡＧを有する。発光領域ＡＲは、平面視で第２電極２３Ｒの内側に設けられる。発光領域ＡＧは、平面視で第２電極２３Ｇの内側に設けられる。発光領域ＡＢは、平面視で第２電極２３Ｂの内側に設けられる。
【0026】
また、図３に示す例では、発光領域ＡＲ、ＡＧおよびＡＢのそれぞれの平面視での形状は、四角形であるが、他の形状でもよい。また、発光領域ＡＲ、ＡＧおよびＡＢの平面視での形状は、互いに異なってもよいし、互いに等しくてもよい。
【0027】
【0028】
図４に示すように、電気光学装置１００は、素子基板１と、接着層９０と、透光性基板９とを有する。素子基板１は、基板１０と、複数の第１電極２１と、第１絶縁層２２と、複数の第２電極２３と、第３絶縁層２７と、発光機能層２４と、第３電極２５と、第２絶縁層２６と、着色層５と、導電部４と、を含む。複数の第１電極２１、第１絶縁層２２、複数の第２電極２３、第３絶縁層２７、発光機能層２４、第３電極２５、第２絶縁層２６、および着色層５とは、この順に基板１０から並ぶ。
【0029】
基板１０は、前述の駆動回路３０を有する。詳細な図示はしないが、基板１０は、例えば、シリコン基板上に駆動回路３０が形成された配線基板である。なお、シリコン基板の代わりに、例えば、ガラス基板、樹脂基板またはセラミックス基板が用いられてもよい。また、駆動回路３０が有する前述の各トランジスターは、ＭＯＳ型トランジスター、薄膜トランジスターまたは電界効果トランジスターのいずれでもよい。また、駆動回路３０が有する各要素および各種配線の材料としては、例えば、ポリシリコン、金属、金属シリサイドおよび金属化合物等の導電材料が挙げられる。
【0030】
基板１０上には、複数の第１電極２１が配置される。複数の第１電極２１は、複数のサブ画素Ｐ０に１対１で設けられる。サブ画素ＰＲには、第１電極２１Ｒが設けられる。サブ画素ＰＧには、第１電極２１Ｇが設けられる。サブ画素ＰＢには、第１電極２１Ｂが設けられる。複数の第１電極２１は、対応するサブ画素Ｐ０に設けられる駆動回路３０と電気的に接続される。また、各第１電極２１は、光反射性を有しており、発光機能層２４で発する光を反射する。複数の第１電極２１の材料としては、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）およびＡｇ（銀）等の金属、あるいはこれらの金属の合金が挙げられる。例えば、各第１電極２１は、アルミニウム膜と窒化チタン膜との積層体で構成される。各第１電極２１の厚さは、特に限定されないが、例えば、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。例えば、各第１電極２１は、例えば、アルミニウム膜と窒化チタン膜との積層体で構成される。例えば、各第１電極２１がアルミニウム膜と窒化チタン膜との積層体で構成される場合、アルミニウム膜の厚さは、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、窒化チタン膜の厚さは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【0031】
複数の第１電極２１上には、第１絶縁層２２が配置される。第１絶縁層２２は、複数の増反射膜２２１と、電極分離層２２２と、埋込部２２３と、第１光路調整層２２４と、第２光路調整層２２５と、第３光路調整層２２６とを含む。増反射膜２２１、電極分離層２２２、第１光路調整層２２４、第２光路調整層２２５、および第３光路調整層２２６は、複数の第１電極２１からこの順に配置される。
【0032】
複数の増反射膜２２１は、複数の第１電極２１の光反射性を高めるために設けられる。複数の増反射膜２２１は、光透過性および絶縁性を有する。複数の増反射膜２２１は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を含む。複数の増反射膜２２１の厚さは、例えば、２０ｎｍ５０ｎｍ以下である。
【0033】
電極分離層２２２は、複数の第１電極２１を互いに分離させ、互いに絶縁する。電極分離層２２２は、隣り合う２つの第１電極２１内に配置される凹部２２２ａを有する。凹部２２２ａの内部は、埋込部２２３によって埋められている。電極分離層２２２および埋込部２２３は、例えば、窒化シリコンを含む。電極分離層２２２の厚さは、例えば、２０ｎｍ５０ｎｍ以下である。
【0034】
第１光路調整層２２４、第２光路調整層２２５、および第３光路調整層２２６は、光学距離Ｌ０を調整する層である。光学距離Ｌ０は、各第１電極２１の第２電極２３を向く面と、第３電極２５の第２電極２３とは反対の面との間における光学的な距離である。第１光路調整層２２４は、サブ画素ＰＲ、ＰＧおよびＰＢに一様に配置される。第２光路調整層２２５は、サブ画素ＰＲおよびＰＧに配置され、サブ画素ＰＢには配置されない。第３光路調整層２２６は、サブ画素ＰＲに配置され、サブ画素ＰＧおよびＰＢには配置されない。また、第１光路調整層２２４は、電極分離層２２２および埋込部２２３の表面の凹凸の上層への影響を低減するために設けられる。第１光路調整層２２４、第２光路調整層２２５、および第３光路調整層２２６の各材料としては、例えば、酸化ケイ素および窒化ケイ素等の無機ケイ素材料が挙げられる。第１光路調整層２２４の厚さは、例えば、２０ｎｍ５０ｎｍ以下である。第２光路調整層２２５の厚さは、例えば、３０ｎｍ８０ｎｍ以下である。第３光路調整層２２６の厚さは、例えば、３０ｎｍ８０ｎｍ以下である。
【0035】
第１絶縁層２２は、複数のコンタクトホールＨ０を有する。各コンタクトホールＨ０は、第１絶縁層２２に形成される貫通孔である。各コンタクトホールＨ０は、第１絶縁層２２を厚さ方向に貫通する。複数のコンタクトホールＨ０には、複数の導電部４が１対１で設けられる。よって、第１絶縁層２２には、複数の導電部４が設けられる。各導電部４は、１つの第１電極２１と１つの第２電極２３とを電気的に接続するコンタクトプラグである。
【0036】
第３光路調整層２２６上には、複数の第２電極２３が配置される。第２電極２３は、半透過反射層である。第２電極２３の材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）およびＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料が挙げられる。第２電極２３の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。第２電極２３上には、発光機能層２４が配置される。発光機能層２４は、有機発光材料を含む発光層を含む。有機発光材料は、発光性の有機化合物である。また、発光機能層２４は、発光層以外に、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層等を含む。発光機能層２４は、青色、緑色および赤色の各発光色が得られる発光層を含んで白色発光を実現する。なお、発光機能層２４の構成は、前述の構成に特に限定されるものではなく、公知の構成を適用することができる。発光機能層２４上には、第３電極２５が配置される。第３電極２５は、光反射性および光透過性を有する。第３電極２５は、例えば、ＭｇＡｇ等のＡｇを含む合金等に金属材料を含む。
【0037】
発光素子２０Ｒは、第１電極２１Ｒと増反射膜２２１と電極分離層２２２と第１光路調整層２２４と第２光路調整層２２５と第３光路調整層２２６と第２電極２３Ｒと発光機能層２４と第３電極２５とを有する。発光素子２０Ｇは、第１電極２１Ｇと増反射膜２２１と電極分離層２２２と第１光路調整層２２４と第２光路調整層２２５と第２電極２３Ｇと発光機能層２４と第３電極２５とを有する。発光素子２０Ｂは、第１電極２１Ｂと増反射膜２２１と電極分離層２２２と第１光路調整層２２４と第２電極２３Ｂと発光機能層２４と第３電極２５とを有する。
【0038】
また、前述の光学距離Ｌ０は、サブ画素Ｐ０ごとに異なる。具体的には、サブ画素ＰＲの光学距離Ｌ０は、赤色の波長域に対応して設定される。サブ画素ＰＧの光学距離Ｌ０は、緑色の波長域に対応して設定される。サブ画素ＰＢの光学距離Ｌ０は、青色の波長域に対応して設定される。
【0039】
各発光素子２０は、所定の波長域の光を第１電極２１と第３電極２５との間で共振させる光共振構造２９を有する。発光素子２０Ｒ、２０Ｇおよび２０Ｂは互いに異なる光共振構造２９を有する。光共振構造２９は、発光機能層２４が有する発光層で発光する光を第１電極２１と第３電極２５との間で多重反射させ、所定の波長域の光を選択的に強める。発光素子２０Ｒは、第１電極２１と第３電極２５との間で赤色の波長域の光を強める光共振構造２９Ｒを有する。発光素子２０Ｇは、第１電極２１と第３電極２５との間で緑色の波長の光を強める光共振構造２９Ｇを有する。発光素子２０Ｂは、第１電極２１と第３電極２５との間で青色の波長の光を強める光共振構造２９Ｂを有する。
【0040】
光共振構造２９における共振波長は、光学距離Ｌ０によって決まる。当該共振波長をλ０とするとき、次のような関係式［１］が成り立つ。なお、関係式［１］中のΦ（ラジアン）は、第１電極２１と第３電極２５との間での透過および反射の際に生じる位相シフトの総和を表す。
｛（２×Ｌ０）／λ０＋Φ｝／（２π）＝ｍ０（ｍ０は整数）・・・・・［１］
取り出したい波長域の光のピーク波長が波長λ０となるよう、光学距離Ｌ０が設定される。この設定により、取り出したい所定の波長域の光が増強され、当該光の高強度化およびスペクトルの狭幅化を図ることができる。
｛（２×Ｌ０）／λ０＋Φ｝／（２π）＝ｍ０（ｍ０は整数）・・・・・［１］
取り出したい波長域の光のピーク波長が波長λ０となるよう、光学距離Ｌ０が設定される。この設定により、取り出したい所定の波長域の光が増強され、当該光の高強度化およびスペクトルの狭幅化を図ることができる。
【0041】
本実施形態では、第１光路調整層２２４、第２光路調整層２２５および第３光路調整層２２６を設けることにより、サブ画素ＰＢ、ＰＧおよびＰＲごとに光学距離Ｌ０が調整される。なお、例えば、サブ画素ＰＢ、ＰＧおよびＰＲごとに第２電極２３の厚さを異ならせることにより、光学距離Ｌ０が調整されてもよい。
【0042】
複数の第２電極２３上には、第３絶縁層２７が配置される。第３絶縁層２７は、複数の開口Ｏ１を有しており、複数の第２電極２３の各外縁を覆う。開口Ｏ１は、第３絶縁層２７に設けられる孔である。第３絶縁層２７によって、複数の第２電極２３は互いに電気的に絶縁される。第３絶縁層２７が有する複数の開口により、発光領域Ａが規定される。また、発光領域Ａは、発光機能層２４と第２電極２３とが接する領域ともいえる。具体的には、発光領域ＡＲと、発光領域ＡＧと、発光領域ＡＢとが規定される。第３絶縁層２７の材料としては、例えば、酸化ケイ素および窒化ケイ素等のケイ素系の無機材料が挙げられる。第３絶縁層２７の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下である。
【0043】
第３電極２５上には、第２絶縁層２６が配置される。第２絶縁層２６は、上面に平坦な面を提供するための平坦化層である。また、第２絶縁層２６は、複数の発光素子２０を保護する。具体的には、第２絶縁層２６は、ガスバリア性を有しており、各発光素子２０を外部の水分または酸素等から保護する。第２絶縁層２６が設けられていることで、第２絶縁層２６が設けられていない場合に比べ、発光素子２０の劣化を抑制することができる。このため、電気光学装置１００の品質信頼性を高めることができる。また、第２絶縁層２６は、光透過性を有する。
【0044】
第２絶縁層２６は、複数の無機絶縁膜２６０を含む。複数の無機絶縁膜２６０は、光透過性および絶縁性を有する。各無機絶縁膜２６０は、例えば、無機ケイ素材料を含む。無機ケイ素材料とは、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等のケイ素を含む無機化合物である。各無機絶縁膜２６０は、有機材料を含んでもよいが、有機材料を含まず、無機ケイ素材料で形成されることが好ましい。各無機絶縁膜２６０が無機ケイ素材料で形成されることで、各無機絶縁膜２６０が有機材料を含む場合に比べて、第２絶縁層２６の厚さを薄くすることができる。よって、視野角を拡大することができる。
【0045】
第２絶縁層２６が無機ケイ素材料で形成されることで、第２絶縁層２６が有機材料を含む場合に比べ、複数の無機絶縁膜２６０同士の屈折率差を小さくすることができる。電気光学装置１００がトップエミッション構造であるため、屈折率差が小さくなることで、複数の無機絶縁膜２６０の各界面反射を抑制することができる。このため、光の取り出し効率を高めることができる。したがって、電気光学装置１００の光学特性の低下を抑制することができる。また、視野角特性の向上を図ることができる。よって、封止性能に優れるとともに、電気光学装置１００の光学特性の低下を抑制することができる。
【0046】
複数の無機絶縁膜２６０は、第１無機絶縁膜２６１、２６３および２６５と、第２無機絶縁膜２６２および２６４とを含む。第１無機絶縁膜２６１、第２無機絶縁膜２６２、第１無機絶縁膜２６３、第２無機絶縁膜２６４、および第１無機絶縁膜２６５は、第３電極２５から順に配置される。
【0047】
第２無機絶縁膜２６２および２６４の各膜密度は、第１無機絶縁膜２６１、２６３および２６５の各膜密度より大きい。第１無機絶縁膜２６１、２６３および２６５が設けられていることで、第２絶縁層２６の下層の凹凸の影響を低減することができる。第２無機絶縁膜２６２および２６４が設けられていることで、第１無機絶縁膜２６１、２６３および２６５に発生するおそれのある欠陥を補完し、かつ欠陥の進展を阻止することができる。このため、第２絶縁層２６が密度の異なる２種の膜を含むことで、１種の膜だけで構成される場合に比べ、第２絶縁層２６に欠陥が生じることを抑制することができる。さらに、欠陥が生じた場合であっても、大気中の水分等が欠陥を介して発光素子２０に伝達されることが抑制される。
【0048】
第２絶縁層２６の総膜厚は、特に限定されないが、５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましく、６００ｎｍ以上１８００ｎｍ以下であることがより好ましく、７００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。かかる範囲内であると、封止性能に優れ、かつ厚さが充分に薄い第２絶縁層２６を実現できる。特に、第２絶縁層２６の総膜厚が１５００ｎｍ以下であることで、マイクロディスプレイとして好適に用いることができ、かつ視野角特性の向上を図ることができる。なお、総膜厚は、平均の厚さである。
【0049】
第１無機絶縁膜２６１の厚さＤ１、第１無機絶縁膜２６３の厚さはＤ３、および第１無機絶縁膜２６５の厚さＤ５のそれぞれは、第２無機絶縁膜２６２の厚さＤ２および第２無機絶縁膜２６４の厚さＤ４のそれぞれよりも厚い。かかる厚さの関係であることで、第２絶縁層２６の厚さが過度に厚くならず、かつ、各無機絶縁膜２６０の各役割が充分に発揮される。
【0050】
厚さＤ１、Ｄ３、およびＤ５のそれぞれは、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることがより好ましい。厚さＤ１、Ｄ３およびＤ５が上記範囲内であると、範囲外である場合に比べ、第２絶縁層２６の上面を平坦面に充分に近づけることができ、かつ、電気光学装置１００の柔軟性が低下するおそれが抑制される。
【0051】
厚さＤ２および厚さＤ４のそれぞれは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることがより好ましい。厚さＤ２およびＤ４が上記範囲内であると、第２無機絶縁膜２６２および２６４による第１無機絶縁膜２６１、２６３および２６５の欠陥を補完する機能を顕著に発揮できるとともに、第２無機絶縁膜２６２および２６４の形成時間が過度に長くなることを抑制することができる。
【0052】
なお、図示の例では、第２絶縁層２６は、５つの無機絶縁膜２６０を含む。ただし、第２絶縁層２６が有する無機絶縁膜２６０の数は、５に限定されず、１～４、または６以上でもよい。ただし、「第１無機絶縁膜」と「第２無機絶縁膜」とは交互に配置されることが好ましい。
【0053】
第２絶縁層２６上には、着色層５が配置される。着色層５は、所定の波長域の光を選択的に透過させるカラーフィルターである。当該所定の波長域は、色ごとのピーク波長λ０を含む。着色層５を備えることで、着色層５を備えていない場合に比べ、各サブ画素Ｐ０から発せられる光の色純度を高めることができる。着色層５は、例えば、色材を含むアクリル系の感光性樹脂材料等の樹脂材料で構成される。当該色材は、顔料または染料である。
【0054】
着色層５は、着色部５１Ｒと、着色部５１Ｇと、着色部５１Ｂとを有する。着色部５１Ｒは、サブ画素ＰＲに対応して設けられ、発光素子２０Ｒからの光のうち赤色の波長域の光を選択的に透過させる。着色部５１Ｇは、サブ画素ＰＧに対応して設けられ、発光素子２０Ｇからの光のうち緑色の波長域の光を選択的に透過させる。着色部５１Ｂは、サブ画素ＰＢに対応して設けられ、発光素子２０Ｂからの光のうち青色の波長域の光を選択的に透過させる。また、着色部５１Ｒ、５１Ｇおよび５１Ｂは、平面視で互いに重なる部分を有する。つまり、平面視で３色の着色部５１が重なっている部分が存在する。なお、着色部５１Ｒ、５１Ｇおよび５１Ｂは、平面視で互いに重なっていなくてもよい。
【0055】
以上の素子基板１上には、接着層９０を介して透光性基板９が接合される。接着層９０は、例えば、エポキシ樹脂およびアクリル樹脂等の樹脂材料を用いた透明な接着剤である。透光性基板９は、素子基板１を保護するカバーである。透光性基板９は、例えばガラス基板または石英基板で構成される。
【0056】
１Ｄ．複数の導電部４の構成
複数の導電部４は、複数のサブ画素Ｐ０に１対１で設けられる。複数の導電部４は、１対１で複数のコンタクトホールＨ０内に設けられる。各導電部４は、コンタクトホールＨ０に配置される。各導電部４は、１つの第１電極２１から１つの第２電極２３に向かって延びる。各導電部４は、１つの第１電極２１と１つの第２電極２３とを電気的に接続するコンタクトプラグである。各導電部４は、対応する第２電極２３に覆われている。
複数の導電部４は、複数のサブ画素Ｐ０に１対１で設けられる。複数の導電部４は、１対１で複数のコンタクトホールＨ０内に設けられる。各導電部４は、コンタクトホールＨ０に配置される。各導電部４は、１つの第１電極２１から１つの第２電極２３に向かって延びる。各導電部４は、１つの第１電極２１と１つの第２電極２３とを電気的に接続するコンタクトプラグである。各導電部４は、対応する第２電極２３に覆われている。
【0057】
各導電部４は、対応するコンタクトホールＨ０をほぼ埋める柱状のコンタクトプラグである。よって、各導電部４は、第２電極２３の一部がコンタクトホールＨ０に配置されるトレンチ型とは異なる。各導電部４によりコンタクトホールＨ０がほぼ埋められることで、導電部４を覆う第２電極２３の上層に配置される各部の表面の平坦性を従来よりも高めることができる。このため、第２電極２３の上層に配置される第２絶縁層２６が、従来のようにコンタクトホールＨ０の凹凸の影響を受け難い。よって、第２絶縁層２６に当該凹凸に起因した欠陥が生じるおそれが抑制される。それゆえ、第２絶縁層２６の封止性能の低下が抑制される。したがって、電気光学装置１００の品質信頼性の低下を抑制することができる。
【0058】
各導電部４は、第１導電部４１および第２導電部４２を含む。第１導電部４１は、コンタクトホールＨ０の内壁面に配置され、内壁面のほぼ全域を覆う。第１導電部４１は、当該内壁面に接触する。第２導電部４２は、第１導電部４１の内側に配置され、第１導電部４１の内側の空間を埋める。例えば第１導電部４１に第１絶縁層２２と第２導電部４２との密着性を高める材料を用いることで、第１絶縁層２２と第２導電部４２との密着性を高めることができる。このため、各導電部４が第１導電部４１を有さない場合に比べ、各導電部４の第１絶縁層２２に対する密着性を高めることができるので、電気光学装置１００の品質信頼性を高めることができる。また、例えばコンタクトホールＨ０を埋め込み易い材料を第２導電部４２に用いることで、コンタクトホールＨ０を良好に埋め込むことができる。よって、第１電極２１と第２電極２３との接続不良が生じるおそれが抑制される。よって、電気光学装置１００の品質信頼性を高めることができる。
【0059】
図３に示すように、各導電部４は、対応する第２電極２３に平面視で重なる。また、平面図は省略するが、各導電部４は、平面視で、対応する第１電極２１に重なる。また、各導電部４は、各開口Ｏ１に平面視で重なる。開口Ｏ１は、平面視で第２電極２３と重なる。開口Ｏ１では、第２電極２３と発光機能層２４とが接触している。開口Ｏ１は、発光領域Ａを形成する。
【0060】
各導電部４が各開口Ｏ１に平面視で重なるため、コンタクトホールＨ０および導電部４は、発光領域Ａ内に配置される。例えば導電部４が発光領域Ａの外側に配置される場合、導電部４を配置するためのコンタクト領域を発光領域Ａの外側に別途設けなければならない。このため、発光領域Ａ外の平面積が当該コンタクト領域によって増加してしまう。これに対し、導電部４が発光領域Ａ内に配置されることで、発光領域Ａの外側にコンタクト領域を設ける必要がない。このため、発光領域Ａの外側、すなわち発光領域Ａ以外の領域の平面積の増加を抑制することができる。それゆえ、開口率を向上させることができる。また、コンタクト領域を別途設ける必要がないため、コンタクト領域形成のための手間を省くことができる。また、第３絶縁層２７を有することで、各サブ画素Ｐ０が確実に分離されるため、各色の鮮明さを高めることができる。
【0061】
また、各導電部４は、開口Ｏ１のうちの中心以外に配置されることが好ましく、当該中心よりも開口Ｏ１の縁の近くに配置されることが好ましい。導電部４が当該中心以外に配置されることで、当該中心に配置される場合に比べ、発光領域Ａにおいて導電部４により光が遮断されることが抑制される。
【0062】
また、第１導電部４１の材料としては、特に限定されないが、金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等の金属材料が挙げられる。具体的には例えば、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、タンタルナイトライド（ＴａＮ）またはタングステンナイトライド（ＷＮ）が挙げられる。特に、第１導電部４１は、チタンナイトライドを含むことが好ましい。
【0063】
第１導電部４１がチタンナイトライドを含むことで、第１絶縁層２２と第２導電部４２との密着性を特に高めることができる。また、第１導電部４１は、当該密着性の観点から、チタンナイトライドを９５％以上含むことが好ましい。なお、第１導電部４１は、導電性を有すればよく、上記の材料以外を含んでもよい。
【0064】
第２導電部４２の材料としては、特に限定されないが、金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等の金属材料が挙げられる。具体的には例えば、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、または銅（Ｃｕ）が挙げられる。特に、第２導電部４２は、タングステンを含むことが好ましい。
【0065】
第２導電部４２にタングステンを用いる利点は以下のとおりである。タングステンを用いることで、コンタクトホールＨ０内を良好に埋めることができる。コンタクトホールＨ０のアスペクト比が高い場合であってもコンタクトホールＨ０内を良好に埋めることができる。また、タングステンは、各種金属の中でも耐熱性に優れる。また、第２導電部４２は、コンタクトホールＨ０を良好に埋め込む観点から、タングステンを９５％以上含むことが好ましい。なお、第２導電部４２は、導電性を有すればよく、上記の材料以外を含んでもよい。
【0066】
また、各導電部４は、第１導電部４１および第２導電部４２以外の、例えば第３導電部を有してもよい。
【0067】
図４に示すように、第１導電部４１の厚さＷ１は、第２導電部４２の厚さＷ２よりも薄い。例えば、第１導電部４１は、第１絶縁層２２と第２導電部４２との密着性のために用いられ、第２導電部４２は、コンタクトホールＨ０を良好に埋め込むために用いられる。この観点からすると、厚さＷ１は厚さＷ２よりも薄いことが好ましい。
【0068】
具体的には、第１導電部４１の厚さＷ１は、特に限定されないが、３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが好ましい。かかる範囲内であることで、範囲外である場合に比べ、コンタクトホールＨ０の内壁面を不足なく覆うことができよって、第１絶縁層２２と第２導電部４２との密着性を充分に確保することができる。加えて、第１絶縁層２２の成膜時間が過度に長くならない。また、前述の効果を顕著に発揮するために、厚さＷ１は、３５ｎｍ以上５５ｎｍ以下であることがより好ましく、４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【0069】
第２導電部４２の厚さＷ２は、コンタクトホールＨ０の開口幅に応じて変化する。例えば、コンタクトホールＨ０の開口幅が２００ｎｍのとき、厚さＷ２は、１００ｎｍ以上 １２０ｎｍ以下である。また、各導電部４の平面積は、特に限定されないが、例えば、 ７５００ｎｍ２以上、１０８００ｎｍ２以下である。かかる範囲内であることで、範囲外である場合に比べ、発光領域Ａにおいて導電部４が光を過度に遮ることが無く、かつコンタクトホールＨ０および導電部４の寸法精度を高めることができる。
【0070】
ここで、前述の第２絶縁層２６が無機ケイ素材料で形成される場合、有機材料で形成される場合に比べ、第２絶縁層２６はこれより下層の凹凸の影響を受け易い。また、前述のように、導電部４がコンタクトホールＨ０を埋めるプラグ状であることで、トレンチ型である場合に比べ、コンタクトホールＨ０の凹凸の影響が第１絶縁層２２よりも上層に生じ難い。このため、導電部４がコンタクトホールＨ０を埋めるプラグ状であり、かつ、第２絶縁層２６が無機ケイ素材料を含むことで、当該凹凸の影響により第２絶縁層２６に欠損が生じるおそれが抑制される。
【0071】
１Ｅ．視野角特性
図５は、第２絶縁層２６ｘが有機材料を含む場合の光Ｌの出射を示す図である。図６は、第２絶縁層２６が無機材料で形成される場合の光Ｌの出射を示す図である。図５に示す第２絶縁層２６は、２つの無機膜２６７および２６８と、有機膜２６９とを含む。無機膜２６７および無機膜２６８の間に有機膜２６９が配置される。図６に示す第２絶縁層２６は、前述の３つの第１無機絶縁膜２６１、２６３および２６５と、２つの第２無機絶縁膜２６２および２６４とを含む。
図５は、第２絶縁層２６ｘが有機材料を含む場合の光Ｌの出射を示す図である。図６は、第２絶縁層２６が無機材料で形成される場合の光Ｌの出射を示す図である。図５に示す第２絶縁層２６は、２つの無機膜２６７および２６８と、有機膜２６９とを含む。無機膜２６７および無機膜２６８の間に有機膜２６９が配置される。図６に示す第２絶縁層２６は、前述の３つの第１無機絶縁膜２６１、２６３および２６５と、２つの第２無機絶縁膜２６２および２６４とを含む。
【0072】
図６に示す第２絶縁層２６の総膜厚は、有機膜２６９を有していないことで、図５に示す第２絶縁層２６ｘの総膜厚よりも薄い。このため、図６に示す第２絶縁層２６から出射される光Ｌの拡がりは、図５に示す第２絶縁層２６ｘから出射される光Ｌの拡がりよりも広い。よって、第２絶縁層２６を無機材料で構成することで、有機材料を含む場合に比べ、光Ｌの視野角を大きくすることができる。
【0073】
１Ｆ．電気光学装置１００の製造方法
図７は、本実施形態の電気光学装置１００の製造方法のフローである。電気光学装置１００の製造方法のうち素子基板１の製造方法を説明する。図７に示すように、素子基板１の製造方法は、基板用意工程Ｓ１０と、第１電極形成工程Ｓ１１と、第１絶縁層形成工程Ｓ１２と、コンタクトホール形成工程Ｓ１３と、導電部形成工程Ｓ１４と、第２電極形成工程Ｓ１５と、第３絶縁層形成工程Ｓ１６、発光機能層形成工程Ｓ１７と、第３電極形成工程Ｓ１８と、第２絶縁層形成工程Ｓ１９と、着色層形成工程Ｓ２０とを有する。
図７は、本実施形態の電気光学装置１００の製造方法のフローである。電気光学装置１００の製造方法のうち素子基板１の製造方法を説明する。図７に示すように、素子基板１の製造方法は、基板用意工程Ｓ１０と、第１電極形成工程Ｓ１１と、第１絶縁層形成工程Ｓ１２と、コンタクトホール形成工程Ｓ１３と、導電部形成工程Ｓ１４と、第２電極形成工程Ｓ１５と、第３絶縁層形成工程Ｓ１６、発光機能層形成工程Ｓ１７と、第３電極形成工程Ｓ１８と、第２絶縁層形成工程Ｓ１９と、着色層形成工程Ｓ２０とを有する。
【0074】
基板用意工程Ｓ１０では、基板１０を用意する。基板１０は、前述のように、複数の駆動回路３０を有する。基板１０は、例えば、シリコン基板上に駆動回路３０が形成された配線基板である。
【0075】
第１電極形成工程Ｓ１１では、基板１０上に複数の第１電極２１が形成される。各第１電極２１は、前述の１つの駆動回路３０と電気的に接続されるよう形成される。複数の第１電極２１は、例えば、スパッタリング法または蒸着法により成膜された金属膜をエッチングによりパターニングされることで形成される。
【0076】
図８は、第１絶縁層形成工程Ｓ１２を説明するための図である。第１絶縁層形成工程Ｓ１２では、複数の第１電極２１上に第１絶縁層２２が形成される。具体的には、図８に示すように、増反射膜２２１と、電極分離層２２２と、埋込部２２３と、第１光路調整層２２４と、第２光路調整層２２５と、第３光路調整層２２６とが形成される。
【0077】
複数の増反射膜２２１は、例えば、熱酸化またはＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜をエッチングによりパターニングされることで形成される。なお、複数の増反射膜２２１および前述の複数の第１電極２１は、一括でパターニングされてもよい。また、複数の増反射膜２２１上に、複数の電極分離層２２２が形成される。電極分離層２２２は、例えば、窒化シリコンを含み、ＣＶＤ法により形成される。電極分離層２２２は、複数の増反射膜２２１上、および複数の増反射膜２２１の間に形成される。電極分離層２２２には、凹部２２２ａが形成される。電極分離層２２２の凹部２２２ａ内には、埋込部２２３が形成される。埋込部２２３は、例えば、窒化シリコンを含み、ＣＶＤ法により形成される。第１光路調整層２２４は、例えば、窒化ケイ素等の無機ケイ素材料を含み、ＣＶＤ法により形成される。第２光路調整層２２５および第３光路調整層２２６のそれぞれは、例えば、酸化ケイ素等の無機ケイ素材料を含み、ＣＶＤ法およびエッチング法により形成される。
【0078】
図９は、コンタクトホール形成工程Ｓ１３を説明するための図である。コンタクトホール形成工程Ｓ１３では、第１絶縁層２２に複数のコンタクトホールＨ０が形成される。複数のコンタクトホールＨ０は、例えば、フォトエッチングにより形成される。フォトエッチングを用いることで、アスペクト比の高い複数のコンタクトホールＨ０を簡単に形成することができる。また、複数のコンタクトホールＨ０が形成されることで、各第１電極２１の一部が露出した状態になる。
【0079】
【0080】
図１０に示すように、まず、第１絶縁層２２上に、例えばスパッタリング法により第１導電膜４１ａが形成される。第１導電膜４１ａは、例えば、チタンナイトライドを含む。第１導電膜４１ａは、第１絶縁層２２の上面、各コンタクトホールＨ０の内壁面、および第１電極２１の露出部分に形成される。次に、図１１に示すように、第１導電膜４１ａ上に第２導電膜４２ａが、例えばＣＶＤ法により形成される。第２導電膜４２ａ、例えば、タングステンを含む。第２導電膜４２ａは、第１導電膜４１ａの上面、および各コンタクトホールＨ０の内部に形成される。
【0081】
次に、例えば、第２導電膜４２ａの一部をエッチバックにより除去することで、図１２に示すように、複数の第２導電部４２が形成される。エッチバックとは、異方性エッチングにより、基板１０の板面に対して垂直な方向にエッチングする方法である。エッチバックにより、第２導電部４２は、第２絶縁層２６の上面よりも若干凹んでいる。なお、第２導電部４２は、第２絶縁層２６の上面よりも突出していてもよいし、第２導電部４２の上面と第２絶縁層２６の上面とで、連続する平坦面が形成されてもよい。
【0082】
次に、例えば、第１導電膜４１ａの一部をエッチバックにより除去することで、図１３に示すように、複数の第１導電部４１が形成される。エッチバックにより、第１導電部４１は、第２絶縁層２６の上面よりも若干凹んでいる。なお、第１導電部４１は、第２絶縁層２６の上面よりも突出していてもよいし、第１導電部４１の上面と第２絶縁層２６の上面とで、連続する平坦面が形成されてもよい。
【0083】
図１４および図１５のそれぞれは、第２電極形成工程Ｓ１５を説明するための図である。第２電極形成工程Ｓ１５では、複数の第２電極２３が形成される。まず、図１４に示すように、例えば、スパッタリング法または蒸着法により導電膜２３ａを第１絶縁層２２上に形成する。導電膜２３ａは、例えば、透明導電材料を含む。次に、導電膜２３ａをエッチングによりパターニングすることで、図１５に示すように、複数の第２電極２３が形成される。各第２電極２３は、平面視で、対応する導電部４に重なるよう形成される。これにより、第２電極２３と第１電極２１とは導電部４によって電気的に接続される。
【0084】
図１６および図１７のそれぞれは、第３絶縁層形成工程Ｓ１６を説明するための図である。第３絶縁層形成工程Ｓ１６では、第３絶縁層２７が形成される。まず、図１６に示すように、例えば、ＣＶＤ法により第３絶縁膜２７ａが形成される。第３絶縁膜２７ａは、例えば酸化ケイ素等の無機ケイ素材料を含む。次に、第３絶縁膜２７ａをエッチングによりパターニングすることで、図１７に示すように、複数の開口Ｏ１を有する第３絶縁層２７が形成される。複数の開口Ｏ１は、複数の第２電極２３に対応するよう形成される。各開口Ｏ１により、対応する第２電極２３の一部が露出する。
【0085】
発光機能層形成工程Ｓ１７では、第２電極２３および第３絶縁層２７上に発光機能層２４が形成される。発光機能層２４が有する各層は、例えば蒸着法により公知の方法で形成される。第３絶縁層２７は、複数の開口Ｏ１を有するため、発光機能層２４は、複数の第２電極２３と接触する部分を有する。また、第３電極形成工程Ｓ１８では、発光機能層２４上に第３電極２５が形成される。第３電極２５は、例えばスパッタリング法または蒸着法により形成される。第３電極２５は、例えば、ＭｇＡｇを含む。
【0086】
図１８および図１９は、第２絶縁層形成工程Ｓ１９を説明するための図である。第２絶縁層形成工程Ｓ１９では、第２絶縁層２６が形成される。まず、図１８に示すように、第３電極２５上に、ＣＶＤ法により、無機ケイ素材料を含む第１無機絶縁膜２６１が形成される。ＣＶＤ法を用いることで、ＡＬＤ法を用いる場合に比べ、低密度な膜を形成し易い。また、ＣＶＤ法を用いることで、目的とする厚さの第１無機絶縁層を迅速かつ簡単に形成することができる。また、ＣＶＤ法においてプラズマを用いることが好ましい。プラズマを用いることで、用いない場合に比べ、より低温で成膜することができる。このため、第１無機絶縁膜２６１の応力を低減することができる。
【0087】
次に、図１９に示すように、第１無機絶縁膜２６１上に第２無機絶縁膜２６２を形成する。例えば、第１無機絶縁膜２６１上に、ＡＬＤ法により、無機ケイ素材料を含む第２無機絶縁膜２６２が形成される。ＡＬＤ法を用いることで、ＣＶＤ法を用いる場合に比べ、高密度な膜を形成し易い。また、当該ＡＬＤ法においてプラズマを用いることが好ましい。プラズマを用いることで、用いない場合に比べ、より低温で成膜することができる。このため、第２無機絶縁膜２６２の応力を低減することができる。
【0088】
また、第２無機絶縁膜２６２上に第１無機絶縁膜２６３を形成する。その後、第１無機絶縁膜２６３上に第２無機絶縁膜２６４を形成する。その後、第２無機絶縁膜２６４上に第１無機絶縁膜２６５を形成する。第１無機絶縁膜２６３および２６５の各形成方法は、第１無機絶縁膜２６１の形成方法と同じである。第２無機絶縁膜２６４の形成方法は、第２無機絶縁膜２６２の形成方法と同じである。以上のようにして第２絶縁層２６が形成される。
【0089】
着色層形成工程Ｓ２０では、着色層５が形成される。例えば、まず、着色部５１Ｇが形成される。具体的には、第２絶縁層２６上に、緑色の色材を含む感光性樹脂をスピンコート法で塗布して乾燥させることにより、緑色の樹脂層が形成される。その後、緑色の樹脂層のうち着色部５１Ｇを形成する部分が露光されることで、アルカリ現像液等により当該樹脂層の未露光の部分が除去される。その後、緑色の樹脂層を硬化させることにより、着色部５１Ｇが形成される。次に、着色部５１Ｇの形成と同様にして、着色部５１Ｂが形成され、その後、着色部５１Ｒが形成される。なお、着色部５１Ｇ、５１Ｂおよび５１Ｒの形成順は前述の順番に限定されない。
【0090】
また、図示はしないが、着色層５上に透明な樹脂材料が塗布され、その後、塗布された樹脂材料上にガラス基板等で構成された透光性基板９が配置され、かつ押圧される。この際、例えば、当該樹脂材料が感光性樹脂である場合、透光性基板９を介して光が当該樹脂材料に照射される。これにより、当該感光性樹脂は硬化する。この硬化によって、樹脂材料の硬化物で構成される接着層９０が得られる。また、接着層９０によって透光性基板９が着色層５に接着される。
【0091】
以上により素子基板１が形成される。また、素子基板１上に透明な樹脂材料を塗布し、塗布された樹脂材料上にガラス基板等で構成された透光性基板９を配置し、押圧する。この際、例えば、当該樹脂材料が感光性樹脂である場合、透光性基板９を介して光が当該樹脂材料に照射される。これにより、当該感光性樹脂は硬化する。この硬化によって、樹脂材料の硬化物で構成される接着層９０が得られる。また、接着層９０によって透光性基板９が素子基板１に接着される。
【0092】
以上により、電気光学装置１００が製造される。以上の方法によれば、電気光学装置１００を簡単にかつ迅速に形成することができる。
【0093】
前述のように、電気光学装置１００の製造方法は、導電部形成工程Ｓ１４および第２電極形成工程Ｓ１５を含む。導電部形成工程Ｓ１４において、コンタクトホール内を埋めるプラグ状の導電部４が形成される。かかる導電部形成工程Ｓ１４を含むことで、コンタクトホールＨ０がほぼ埋めるコンタクトプラグである導電部３が形成されるので、導電部４を覆う第２電極２３の上層に配置される各部の表面の平坦性を従来よりも高めることができる。その後、第２電極形成工程Ｓ１５において、導電部４を覆うように第２電極２３が形成される。導電部３がコンタクトプラグであることで、第２電極２３の上層に配置される第２絶縁層２６が、従来のようにコンタクトホールＨ０の凹凸の影響を受け難い。よって、第２絶縁層２６に当該凹凸に起因した欠陥が生じるおそれが抑制される。それゆえ、第２絶縁層２６の封止性能が低下するおそれが抑制される。よって、電気光学装置１００の信頼性を高めることができる。
【0094】
さらに、導電部形成工程Ｓ１４では、第１導電部４１および第２導電部４２が形成される。第１導電部４１が形成されることで、第１絶縁層２２と第２導電部４２との密着性を高めることができる。また、第２導電部４２によって第１導電部４１の内部を埋めることで、コンタクトホールＨ０を良好に埋め込むことができる。それゆえ、第１電極２１と第２電極２３との接続不良が生じるおそれが抑制される。よって、電気光学装置１００の信頼性を高めることができる。
【0095】
２．電子機器
前述の実施形態の電気光学装置１００は、各種の電子機器に適用することができる。
前述の実施形態の電気光学装置１００は、各種の電子機器に適用することができる。
【0096】
２－１．ヘッドマウントディスプレイ
図２０は、電子機器の一例である虚像電気光学装置７００の一部を模式的に示す平面図である。図１０に示す虚像電気光学装置７００は、観察者の頭部に装着されて画像の表示を行うヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）である。虚像電気光学装置７００は、前述した電気光学装置１００と、コリメーター７１と、導光体７２と、第１反射型体積ホログラム７３と、第２反射型体積ホログラム７４と、制御部７９と、を備える。なお、電気光学装置１００から出射される光は、映像光ＬＬとして出射される。
図２０は、電子機器の一例である虚像電気光学装置７００の一部を模式的に示す平面図である。図１０に示す虚像電気光学装置７００は、観察者の頭部に装着されて画像の表示を行うヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）である。虚像電気光学装置７００は、前述した電気光学装置１００と、コリメーター７１と、導光体７２と、第１反射型体積ホログラム７３と、第２反射型体積ホログラム７４と、制御部７９と、を備える。なお、電気光学装置１００から出射される光は、映像光ＬＬとして出射される。
【0097】
制御部７９は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。コリメーター７１は、電気光学装置１００と導光体７２との間に配置される。コリメーター７１は、電気光学装置１００から出射された光を平行光にする。コリメーター７１は、コリメーターレンズ等で構成される。コリメーター７１で平行光に変換された光は、導光体７２に入射する。
【0098】
導光体７２は、平板状をなし、コリメーター７１を介して入射する光の方向と交差する方向に延在して配置される。導光体７２は、その内部で光を反射して導光する。導光体７２のコリメーター７１と対向する面７２１には、光が入射する光入射口と、光を出射する光出射口が設けられる。導光体７２の面７２１とは反対側の面７２２には、回折光学素子としての第１反射型体積ホログラム７３および回折光学素子としての第２反射型体積ホログラム７４が配置される。第１反射型体積ホログラム７３は、第２反射型体積ホログラム７４よりも光出射口側に設けられる。第１反射型体積ホログラム７３および第２反射型体積ホログラム７４は、所定の波長域に対応する干渉縞を有し、所定の波長域の光を回折反射させる。
【0099】
かかる構成の虚像電気光学装置７００では、光入射口から導光体７２内に入射した映像光ＬＬが、反射を繰り返して進み、光出射口から観察者の瞳ＥＹに導かれることで、映像光ＬＬにより形成された虚像で構成される画像を観察者が観察することができる。
【0100】
虚像電気光学装置７００は、前述の電気光学装置１００を備える。前述の電気光学装置は品質信頼性が良好である。このため、電気光学装置１００を備えることで、表示品質の高い虚像電気光学装置７００を提供することができる。
【0101】
なお、虚像電気光学装置７００は、電気光学装置１００から出射される光を合成するダイクロイックプリズム等の合成素子を備えてもよい。その場合、虚像電気光学装置７００は、例えば、青色の波長域の光を出射する電気光学装置１００、緑色の波長域の光を出射する電気光学装置１００および赤色の波長域の光を出射する電気光学装置１００を備えることができる。
【0102】
２－２．パーソナルコンピューター
図２１は、本発明の電子機器の一例であるパーソナルコンピューター４００を示す斜視図である。図２１に示すパーソナルコンピューター４００は、電気光学装置１００と、電源スイッチ４０１およびキーボード４０２が設けられた本体部４０３と、制御部４０９とを備える。制御部４０９は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。パーソナルコンピューター４００は、前述の電気光学装置１００を備えるため、品質に優れる。
図２１は、本発明の電子機器の一例であるパーソナルコンピューター４００を示す斜視図である。図２１に示すパーソナルコンピューター４００は、電気光学装置１００と、電源スイッチ４０１およびキーボード４０２が設けられた本体部４０３と、制御部４０９とを備える。制御部４０９は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。パーソナルコンピューター４００は、前述の電気光学装置１００を備えるため、品質に優れる。
【0103】
なお、電気光学装置１００を備える「電子機器」としては、図２０に例示した虚像電気光学装置７００および図２１に例示したパーソナルコンピューター４００の他、デジタルスコープ、デジタル双眼鏡、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラなど眼に近接して配置する機器が挙げられる。また、電気光学装置１００を備える「電子機器」は、携帯電話機、スマートフォン、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、カーナビゲーション装置、および車載用の表示部として適用される。さらに、電気光学装置１００を備える「電子機器」は、光を照らす照明として適用される。また、電気光学装置１００は、フレキシブルディスプレイとしても用いることが可能である。
【0104】
以上、本発明について図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。また、本発明の各部の構成は、前述した実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。また、本発明は、前述した各実施形態の任意の構成同士を組み合わせるようにしてもよい。
【符号の説明】
【0105】
１…素子基板、４…導電部、５…着色層、９…透光性基板、１０…基板、１３…走査線、１４…データ線、１５…給電線、１６…給電線、２０…発光素子、２０Ｂ…発光素子、２０Ｇ…発光素子、２０Ｒ…発光素子、２１…第１電極、２１Ｂ…第１電極、２１Ｇ…第１電極、２１Ｒ…第１電極、２２…第１絶縁層、２３…第２電極、２３Ｂ…第２電極、２３Ｇ…第２電極、２３Ｒ…第２電極、２３ａ…導電膜、２４…発光機能層、２５…第３電極、２６…第２絶縁層、２６ｘ…第２絶縁層、２７…第３絶縁層、２７ａ…第３絶縁膜、２９…光共振構造、２９Ｂ…光共振構造、２９Ｇ…光共振構造、２９Ｒ…光共振構造、３０…駆動回路、３１…スイッチング用トランジスター、３２…駆動用トランジスター、３３…保持容量、４１…第１導電部、４２…第２導電部、４１ａ…第１導電膜、４２ａ…第２導電膜、５１…着色部、５１Ｂ…着色部、５１Ｇ…着色部、５１Ｒ…着色部、７１…コリメーター、７２…導光体、７３…第１反射型体積ホログラム、７４…第２反射型体積ホログラム、７９…制御部、９０…接着層、１００…電気光学装置、１００Ａ…電気光学装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…走査線駆動回路、１０３…制御回路、１０４…外部端子、２２１…増反射膜、２２２…電極分離層、２２２ａ…凹部、２２３…埋込部、２２４…第１光路調整層、２２５…第２光路調整層、２２６…第３光路調整層、２６０…無機絶縁膜、２６１…第１無機絶縁膜、２６２…第２無機絶縁膜、２６３…第１無機絶縁膜、２６４…第２無機絶縁膜、２６５…第１無機絶縁膜、２６７…無機膜、２６８…無機膜、２６９…有機膜、４００…パーソナルコンピューター、４０１…電源スイッチ、４０２…キーボード、４０３…本体部、４０９…制御部、７００…虚像電気光学装置、７２１…面、７２２…面、Ａ１０…表示領域、Ａ２０…周辺領域、ＡＢ…発光領域、ＡＧ…発光領域、ＡＲ…発光領域、Ｄ１…厚さ、Ｄ２…厚さ、Ｄ３…厚さ、Ｄ４…厚さ、Ｄ５…厚さ、ＥＹ…瞳、Ｈ０…コンタクトホール、Ｌ…光、Ｌ０…光学距離、ＬＬ…映像光、Ｏ１…開口、Ｐ…画素、Ｐ０…サブ画素、ＰＢ…サブ画素、ＰＧ…サブ画素、ＰＲ…サブ画素、Ｓ１０…基板用意工程、Ｓ１１…第１電極形成工程、Ｓ１２…第１絶縁層形成工程、Ｓ１３…コンタクトホール形成工程、Ｓ１４…導電部形成工程、Ｓ１５…第２電極形成工程、Ｓ１６…第３絶縁層形成工程、Ｓ１７…発光機能層形成工程、Ｓ１８…第３電極形成工程、Ｓ１９…第２絶縁層形成工程、Ｓ２０…着色層形成工程、Ｗ１…厚さ、Ｗ２…厚さ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】