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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024120039
(43)【公開日】2024-09-03
(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法
(51)【国際特許分類】
C23C 16/455 20060101AFI20240827BHJP
C23C 16/50 20060101ALI20240827BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20240827BHJP
H01L 21/318 20060101ALI20240827BHJP
【ＦＩ】
C23C16/455
C23C16/50
H01L21/31 C
H01L21/318 B
【審査請求】有
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024099187
(22)【出願日】2024-06-19
(62)【分割の表示】P 2021525621の分割
【原出願日】2019-11-14
(31)【優先権主張番号】10-2018-0140181
(32)【優先日】2018-11-14
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2019-0015756
(32)【優先日】2019-02-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2019-0079103
(32)【優先日】2019-07-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】504210651
【氏名又は名称】ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110000154
【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ハン チュル ジュ
(57)【要約】
【課題】空間上でソースガスとリアクタントガスが混合しない工程チャンバーを提供すること、及び、原子層堆積方法（ＡＬＤ）で薄膜を形成する際に、速い処理方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー、前記チャンバーの内部の工程空間に１つ以上の基板が回転可能に設置された基板支持部、前記工程空間の第１領域にソースガスを噴射するための第１ガス噴射部、前記工程空間の第２領域に前記ソースガスと反応するリアクタントガスを前記第２領域に噴射するための第２ガス噴射部、および前記第１領域と前記第２領域を分割するパージガスを第３領域に噴射する第３ガス噴射部を含む、基板処理装置及び同装置を用いた処理方法。
【選択図】図１
【解決手段】チャンバー、前記チャンバーの内部の工程空間に１つ以上の基板が回転可能に設置された基板支持部、前記工程空間の第１領域にソースガスを噴射するための第１ガス噴射部、前記工程空間の第２領域に前記ソースガスと反応するリアクタントガスを前記第２領域に噴射するための第２ガス噴射部、および前記第１領域と前記第２領域を分割するパージガスを第３領域に噴射する第３ガス噴射部を含む、基板処理装置及び同装置を用いた処理方法。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
チャンバーの工程空間の第１領域に第１基板が位置すると、前記第１領域にソースガスを噴射して吸着工程を実行する工程、
前記第１基板が前記チャンバーの前記工程空間の第２領域に位置するように前記第１基板が支持された基板支持部を回転させる工程、
前記第１基板が前記第２領域に位置すると、前記第２領域にリアクタントガスを噴射して蒸着工程を実行する工程、および
前記第１基板が前記第１領域に位置するように前記基板支持部を回転させる工程を含み、
前記第１基板が前記チャンバーの前記工程空間の第２領域に位置するように前記第１基板が支持された基板支持部を回転させる工程において、前記ソースガスが吸着された前記第１基板にプラズマトリートメントが実行される、
基板処理方法。
前記第１基板が前記チャンバーの前記工程空間の第２領域に位置するように前記第１基板が支持された基板支持部を回転させる工程、
前記第１基板が前記第２領域に位置すると、前記第２領域にリアクタントガスを噴射して蒸着工程を実行する工程、および
前記第１基板が前記第１領域に位置するように前記基板支持部を回転させる工程を含み、
前記第１基板が前記チャンバーの前記工程空間の第２領域に位置するように前記第１基板が支持された基板支持部を回転させる工程において、前記ソースガスが吸着された前記第１基板にプラズマトリートメントが実行される、
基板処理方法。
【請求項2】
２の基板が前記工程空間内に配置される、
請求項１に記載の基板処理方法。
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項3】
プラズマガスが前記リアクタントガスとして噴射される、
請求項１に記載の基板処理方法。
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項4】
チャンバーの工程空間の第１領域に第１基板が位置すると、前記第１領域にソースガスを噴射して吸着工程を実行する工程、
前記第１基板が前記チャンバーの前記工程空間の第２領域に位置するように前記第１基板が支持された基板支持部を回転させる工程、
前記第１基板が前記第２領域に位置すると、前記第２領域にリアクタントガスを噴射して蒸着工程を実行する工程、および
前記第１基板が前記第１領域に位置するように前記基板支持部を回転させる工程を含み、
前記第１基板が前記第１領域に位置するように前記基板支持部を回転させる工程において、蒸着膜が形成された前記第１基板にプラズマトリートメントが実行される、
基板処理方法。
前記第１基板が前記チャンバーの前記工程空間の第２領域に位置するように前記第１基板が支持された基板支持部を回転させる工程、
前記第１基板が前記第２領域に位置すると、前記第２領域にリアクタントガスを噴射して蒸着工程を実行する工程、および
前記第１基板が前記第１領域に位置するように前記基板支持部を回転させる工程を含み、
前記第１基板が前記第１領域に位置するように前記基板支持部を回転させる工程において、蒸着膜が形成された前記第１基板にプラズマトリートメントが実行される、
基板処理方法。
【請求項5】
２の基板が前記工程空間内に配置される、
請求項４に記載の基板処理方法。
請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項6】
チャンバーの工程空間の第１領域に第１基板が位置すると、前記第１領域にソースガスを噴射して吸着工程を実行する工程、
前記第１基板が前記チャンバーの前記工程空間の第２領域に位置するように前記第１基板が支持された基板支持部を回転させる工程、
前記第１基板が前記第２領域に位置すると、前記第２領域にリアクタントガスを噴射して蒸着工程を実行する工程、および
前記第１基板が前記第１領域に位置するように前記基板支持部を回転させる工程を含み、
前記第１基板が前記チャンバーの前記工程空間の第２領域に位置するように前記第１基板が支持された基板支持部を回転させる工程において、前記ソースガスが吸着された前記第１基板にプラズマトリートメントが実行される、
前記第１基板が前記第１領域に位置するように前記基板支持部を回転させる工程において、蒸着膜が形成された前記第１基板にプラズマトリートメントが実行される、
基板処理方法。
前記第１基板が前記チャンバーの前記工程空間の第２領域に位置するように前記第１基板が支持された基板支持部を回転させる工程、
前記第１基板が前記第２領域に位置すると、前記第２領域にリアクタントガスを噴射して蒸着工程を実行する工程、および
前記第１基板が前記第１領域に位置するように前記基板支持部を回転させる工程を含み、
前記第１基板が前記チャンバーの前記工程空間の第２領域に位置するように前記第１基板が支持された基板支持部を回転させる工程において、前記ソースガスが吸着された前記第１基板にプラズマトリートメントが実行される、
前記第１基板が前記第１領域に位置するように前記基板支持部を回転させる工程において、蒸着膜が形成された前記第１基板にプラズマトリートメントが実行される、
基板処理方法。
【請求項7】
２の基板が前記工程空間内に配置される、
請求項６に記載の基板処理方法。
請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項8】
チャンバー、
前記チャンバーの工程空間内で回転可能に設置され、１以上の基板を支持する基板支持部、
前記工程空間の第１領域にソースガスを噴射する第１ガス噴射部、
前記工程空間の第２領域にリアクタントガスを噴射する第２ガス噴射部、および
前記工程空間の第３領域に、前記第１領域と前記第２領域を隔てるパージガスを噴射する第３ガス噴射部を含み、
前記第２領域内においてプラズマが生成される、
基板処理装置。
前記チャンバーの工程空間内で回転可能に設置され、１以上の基板を支持する基板支持部、
前記工程空間の第１領域にソースガスを噴射する第１ガス噴射部、
前記工程空間の第２領域にリアクタントガスを噴射する第２ガス噴射部、および
前記工程空間の第３領域に、前記第１領域と前記第２領域を隔てるパージガスを噴射する第３ガス噴射部を含み、
前記第２領域内においてプラズマが生成される、
基板処理装置。
【請求項9】
前記第２ガス噴射部を通じて前記第２領域にプラズマガスが噴射される、
請求項８に記載の基板処理装置。
請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記プラズマは、第１電極と第２電極に電位差を生じさせることで生成される、
請求項８に記載の基板処理装置。
請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記プラズマは、前記第１電極と前記第２電極間に生成される、
請求項１０に記載の基板処理装置。
請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項12】
２の基板が前記工程空間内に配置される、
請求項８に記載の基板処理装置。
請求項８に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板に対する蒸着工程、エッチング工程などの処理工程を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
一般的に、太陽電池（Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌ）、半導体素子、フラットパネルディスプレイ等を製造するためには、基板上に所定の薄膜層、薄膜回路パターン、または光学的パターンを形成しなければならない。そのため、基板上の特定物質の薄膜を蒸着する蒸着工程、感光性物質を用いて薄膜を選択的に露出させるフォト工程、選択的に露出した部分の薄膜を除去してパターンを形成するエッチング工程などの基板処理工程が行われる。
【0003】
基板に薄膜を形成したり、薄膜を除去する工程は、基板上に特定の物質を形成するためのガスや選別的に除去するためのガスやそれに相当する物質を供給して行われる。特に薄膜を形成する工程は、特定の物質を形成するためのソースガスとリアクタントガスを供給して行うことができ、この場合、ソースガスとリアクタントガスは、基板上に同時に供給するか時差を置いて順次に供給することができる。
【0004】
半導体素子の製造工程が微細工程に進入するにつれて、基板の表面に形成された微細パターンに均一な薄膜を形成したり、パターンを形成するための様々な方法が適用されていて、その中の方法の一つが、原子層堆積方法である。原子層堆積方法（ＡＬＤ、Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）は、ソース（Ｓｏｕｒｃｅ）ガスとリアクタント（Ｒｅａｃｔａｎｔ）ガスの反応で形成される薄膜を基板上に形成するために、ソースガスとリアクタントガスを同時に供給せずに、ソースガスとリアクタントガスを時差を置いて供給して基板表面での反応のみを誘導する方法である。まず、基板上にソースガスを供給して、ソースガスが基板の表面に吸着するようにした後、残りのソースガスは、パージガスを利用して除去することができる。その次に、基板上にリアクタントガスを供給して基板表面に吸着したソースガスと反応するようにした後、残りのリアクタントガスは、パージガスを利用して除去することができる。リアクタントガスを供給するための工程で、ソースガスとリアクタントガスの反応で、基板表面に原子層または単一層の薄膜を形成することになる。このような手順を所望の厚さまで繰り返して、基板の表面に所定の厚さを有する薄膜を形成することができる。
【0005】
しかし、原子層堆積方法は、ソースガスとリアクタントガスの反応が基板表面でのみ起きるようになるので、薄膜が蒸着される速度は、一般的な化学気相蒸着方法（ＣＶＤ、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などと比べると遅いという欠点がある。
【0006】
また、同じ工程空間にソースガスが供給され、供給されたソースガスをパージして、リアクタントガスを供給し、リアクタントガスをパージする工程を早い時間に繰り返す工程は時間が長くかかる欠点があり、速く工程を繰り返してみると、供給されたソースガスやリアクタントガスが完全に処理空間からチャンバー外部に排出（パージ）できず、原子層薄膜にならないで、両方のガスが出会って化学的蒸着ＣＶＤ薄膜となる欠点がある。
【0007】
ソースガスやリアクタントガスを速く供給することができる方法とソースガスやリアクタントガスの原子層堆積工程（ＡＬＤ）の際に、上記二つのガスが工程で混合しない構造と純粋な原子層（Ｐｕｒｅ ＡＬＤ）膜が求められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は、前述した問題点を解決するためのものであり、空間上でソースガスとリアクタントガスが混合しない工程チャンバーを提供することを技術的な課題とする。
【0009】
また、原子層堆積方法（ＡＬＤ）で薄膜を形成する際に、速い処理方法を提供するための装置を技術的な課題とする。
【0010】
また、基板上の純粋な原子層堆積工程を利用した膜（Ｐｕｒｅ ＡＬＤ ｌａｙｅｒ）を形成して、所定の薄膜を緻密化したり、膜質を改善する装置を提供することを技術的な課題とする。
【0011】
また、ソースガス空間とリアクタントガス空間を分離するパージガス空間で、リアクタントガス空間からソースガス空間にすばやく移動する基板に残っているリアクタントガスの除去と生成された薄膜内の不純物をすばやく除去するためのパージガスを供給するパージガス供給部の一部にプラズマを同時に供給する装置を提供することを技術的な課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
前述した技術的課題を達成するための本発明に係る基板処理装置は、チャンバー、前記チャンバー内部の工程空間に１つ以上の基板が回転可能に設置された基板支持部、前記工程空間の第１領域にソースガスを噴射するための第１ガス噴射部、前記工程空間の第２領域に前記ソースガスと反応するリアクタントガスを噴射するための第２ガス噴射部、前記第１領域と前記第２領域を分割する第３領域にパージガスを噴射する第３ガス噴射部を含むことができる。
【0013】
本発明に係る基板処理方法は、チャンバー内部の工程空間の第１領域に第１基板が位置すると、前記第１領域にソースガスを噴射して吸着工程を実行する工程、前記吸着工程が完了すると、第１基板がチャンバー内部の工程空間の第２領域に位置するように前記第１基板が支持された基板支持部を回転させる工程、前記第１基板が前記第２領域に位置すると、前記第２領域にリアクタントガスを噴射して蒸着工程を実行する工程、および前記蒸着工程が完了すると、前記第１基板が前記第１領域に位置するように前記基板支持部を回転させる工程を含むことができる。前記蒸着工程を実行する工程は、前記第２領域にプラズマを利用して、活性化されたリアクタントガスを噴射して前記蒸着工程を行うことができる。
【発明の効果】
【0014】
前記課題の解決手段によれば、本発明に係る基板処理装置は、チャンバー内の工程空間をソースガスの噴射空間とリアクタントガスの噴射空間に完全に分割することができるパージガス噴射空間を介して、純粋な原子層（Ｐｕｒｅ ＡＬＤ）薄膜を形成することができる。
【0015】
また、本発明に係る基板処理装置は、パージガス噴射空間である第３ガス噴射部から噴射されるプラズマガスによって、基板上に生成された薄膜の内部にある不純物を除去することができ、第３ガス噴射部から噴射されるパージガスを介して基板のパターン間に残っているプロセスガスつまり、ソースガスまたはリアクタントガスを完全に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の実施例による基板処理装置の様子を概略的に示す平面図である。
【図2】本発明の実施例による基板処理装置において、チャンバーの上部蓋（Ｌｉｄ）を説明するための図である。
【図6】本発明の実施例による基板処理装置において、チャンバーの上部蓋（Ｌｉｄ）の概略的な底面図である。
【図7】本発明の実施例による基板処理装置において、第３ガス噴射部の概略的な平断面図である。
【図8】プラズマガスを噴射する領域による実施例を整理した表である。
【図9】本発明の実施例による基板処理装置において、基板支持部の概略的な平面図である。
【図10】本発明の実施例による基板処理装置において、基板支持部の概略的な平面図である。
【図11A】本発明の実施例による基板処理装置において、基板支持部の概略的な平面図である。
【図11B】本発明の実施例による基板処理装置において、基板支持部の概略的な平面図である。
【図12】本発明の実施例による基板処理装置において、基板支持部の概略的な平面図である。
【図13A】本発明の実施例による基板処理装置において、基板支持部の概略的な平面図である。
【図13B】本発明の実施例による基板処理装置において、基板支持部の概略的な平面図である。
【図13C】本発明の実施例による基板処理装置において、基板支持部の概略的な平面図である。
【図14A】本発明の実施例による基板処理装置において、基板支持部の概略的な平面図である。
【図14B】本発明の実施例による基板処理装置において、基板支持部の概略的な平面図である。
【図15】本発明に係る基板処理方法の概略的なフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、図を参照して本発明に係る好適な実施例について詳細に説明することにする。
【0018】
【0019】
図１～図５を参照すると、本発明に係る基板処理装置は、チャンバーの内部に工程空間１を有することができる。チャンバーの工程空間１の上部には、上部蓋、チャンバーの工程空間１の下部には、基板支持部６００を有することができる。基板支持部６００は、１つ以上の基板を基板支持部６００の上部に配置することができる。
【0020】
チャンバー内の工程空間１は、第１領域１０、第２領域２０、第３領域３０に分離することができる。第１領域１０には、ソースガスを第１領域１０に噴射するための第１ガス噴射部１００を配置することができる。第２領域２０には、ソースガスと反応するリアクタントガスを第２領域２０に噴射するための第２ガス噴射部２００を配置することができる。第１ガス噴射部１００と第２ガス噴射部２００は、上部蓋に結合することができる。
【0021】
チャンバー内の工程空間１を第１領域１０と第２領域２０の二つに分ける第３領域３０を有することができる。第３領域３０は、第１領域１０内にあるプロセスガスのソースガスと第２領域２０内にあるプロセスガスであるリアクタントガスが混合しないようにチャンバー内の工程空間１を第１領域１０と第２領域２０に分割することができる。第３領域３０には、パージガスを噴射する第３ガス噴射部３００を配置することができる。第３ガス噴射部３００は、上部蓋に結合することができる。
【0022】
図１を参照して、Ａ－Ａのチャンバーを切断した図は、図３Ａと図３Ｂであり得る。リアクタントガスを噴射する第２ガス噴射部２００は、図３Ａに示すように、第１電極２１０と第２電極２２０で構成された電極構造タイプで具現することができる。リアクタントガスを噴射する第２ガス噴射部２００は、シャワーヘッドタイプで具現することもできる。この場合、前記第２ガス噴射部２００は、第１電極２１０と第２電極２２０を備えていない。例えば、リアクタントガスを噴射する第２ガス噴射部２００は、図３Ａに示した第１ガス噴射部１００のようなシャワーヘッドタイプで具現することができる。
【0023】
実施例で、第１電極２１０にＲＦ電源７００が印加されると、第２電極２２０には、グラウンド（接地）を接続することができる。逆に、第１電極２１０にグラウンド（接地）を接続すると、第２電極２２０には、ＲＦを印加することができる。いずれの場合も、プラズマガスを供給すると、プラズマが第１電極２１０と第２電極２２０の間に生成され得る。この場合、電位差を有する第１電極２１０と第２電極２２０がプラズマ噴射部を構成することができる。また、第１電極２１０には、基板支持部６００方向に少なくとも１つ以上の多数の突出電極２３０を形成することができる。これにより、第２領域２０にプラズマを生成することができる。
【0024】
第２ガス噴射部２００は、チャンバー外部のリモートプラズマ（Ｒｅｍｏｔｅ ｐｌａｓｍａ）装置（未図示）に連結することができる。これにより、第２ガス噴射部２００は、イオン化されたガスまたは活性種（Ｒａｄｉｃａｌ）を第２領域２０に噴射することができる。
【0025】
第２ガス噴射部２００を電極構造タイプで具現した場合、第１電極２１０および突出電極２３０は、互いに電位が同じに接続することができる。これにより、第１電極２１０と突出電極２３０及び第２電極２２０の間では、電位差によりプラズマ（ｐｌａｓｍａ）が発生することができる。この場合、第１電極２１０及び第２電極２２０の間でプラズマが発生することができる。突出電極２３０及び第２電極２２０の間でプラズマが発生することもある。第１電極２１０と第２電極２２０の間および突出電極２３０と第２電極２２０の間の両方でプラズマが発生することもある。
【0026】
第２ガス噴射部２００のガス噴射ホール（未図示）は、突出電極２３０の長さ方向の内部にガスラインを形成することができる。この場合、突出電極２３０に形成されたガス噴射ホールを通じてリアクタントガスまたはプラズマ生成ガスを噴射することができる。第１電極２１０に工程空間方向にガス噴射孔を形成することもできる。この場合、第１電極２１０に形成されたガス噴射ホールを通じてリアクタントガスまたはプラズマ生成ガスを噴射することができる。
【0027】
第２ガス噴射部２００は、イオン化されたガスまたは活性種（Ｒａｄｉｃａｌ）を噴射するプラズマ噴射部（未図示）を含むこともできる。プラズマ噴射部は、イオン化されたガスまたは活性種（Ｒａｄｉｃａｌ）を噴射することができるよう、リモートプラズマ（Ｒｅｍｏｔｅ ｐｌａｓｍａ）装置（未図示）に連結することができる。
【0028】
第１ガス噴射部１００と第２ガス噴射部２００は、異なるタイプの噴射構造で具現することができる。例えば、第１ガス噴射部１００は、シャワーヘッドタイプで具現し、第２ガス噴射部２００は、電極構造タイプで具現することができる。この場合、第１領域１０は、ソースガスを基板に吸着させる工程が行われ、第２領域２０では、基板に吸着したソースガスとリアクタントガスが反応して基板上に原子層堆積方法（ＡＬＤ）を用いた薄膜を蒸着する工程を行うことができる。
【0029】
また、第１ガス噴射部１００は、第１領域１０の上側に配置されるように上部蓋に結合することができる。第１ガス噴射部１００は、ソースガスを第１領域１０に供給することができる。第１ガス噴射部１００は、シャワーヘッドタイプで具現することができる。この場合、第１ガス噴射部１００の下部、すなわち、第１領域１０にソースガスを噴射することができる第１ガス噴射ホール１１０を工程空間１の下部方向に形成することができる。第１ガス噴射ホール１１０は、複数のホール（Ｈｏｌｅ）で形成してソースガスを基板支持部６００の方向に噴射することができる。図３Ｂに示すように、第１ガス噴射部１００は、電極構造タイプで具現することもできる。この場合、第１ガス噴射部１００は、第１電極１２０、突出電極１３０、及び第２電極１４０を含むことができる。
【0030】
一方、第１ガス噴射部１００と第２ガス噴射部２００は、互いに同じタイプの噴射構造で具現することもできる。この場合、図３Ｂに示すように、第１ガス噴射部１００と第２ガス噴射部２００は、ともに電極構造タイプで具現することができる。図に示していないが、第１ガス噴射部１００と第２ガス噴射部２００は、ともにシャワーヘッドタイプで具現することもできる。
【0031】
【0032】
図２及び図４を参照すると、第３ガス噴射部３００は、パージガスを第３領域３０に噴射するものである。第３ガス噴射部３００は、第１区域３０２、第２区域３０４、第３区域３０６に分けてパージガスを第３領域３０に噴射することができる。
【0033】
第１区域３０２には、第１パージガス噴射部３１０と、第１プラズマ噴射部３０２ａを配置することができる。第１プラズマ噴射部３０２ａには、プラズマ生成のためのＲＦ電源７００を連結することができる。ＲＦ電源は高周波電源であり得る。
【0034】
第１区域３０２では、第１プラズマ噴射部３０２ａが第１パージガス噴射部３１０の内側に位置することができる。すなわち、第１パージガス噴射部３１０が第１プラズマ噴射部３０２ａの両側に位置することができる。
【0035】
第１区域３０２の第１パージガス噴射部３１０は、第１区域３０２のパージガス噴射を介して第１領域１０のソースガスと第２領域２０のリアクタントガスが互いに分離されるようにパージすることができる。
【0036】
第１区域３０２の第１プラズマ噴射部３０２ａは、第１区域３０２に対するプラズマガス噴射を介して基板支持部６００の回転によって基板が第１区域３０２を通過する過程で、プラズマトリートメント（ｐｌａｓｍａ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を行うことができる。これにより、第１区域３０２の第１プラズマ噴射部３０２ａは、基板の薄膜の膜内部の不純物を除去して薄膜の膜質を向上させることができる。また、基板が蒸着工程を終えて回転する際に第３領域３０で基板上に残留するプロセスガスを除去しながら、プラズマトリートメント（ｐｌａｓｍａ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を同時に実施することができるので、工程時間を最大限に短縮することができる。第３ガス噴射部３００の下面から見たときの構造は、第１パージガス噴射部３１０、第１プラズマ噴射部３０２ａ、第１パージガス噴射部３１０を連続的に構成することができる。
【0037】
第３ガス噴射部３００は、第１区域３０２の反対側の空間に第２区域３０４を生成することができる。第２区域３０４の内部には、ウィンドウ３０４ａを構成することができる。ウィンドウ３０４ａは、基板の温度および位置と回転などを外部から基板検出装置８００で感知および測定することができるように透明な物質で作成されたウィンドウであり得る。
【0038】
基板検出装置８００は、基板から第３ガス噴射部の下面３０８までの距離等を感知し、測定することができる。基板検出装置８００は、ビジョン（Ｖｉｓｉｏｎ）装置および基板の温度を測定する温度検出部を含むことができる。
【0039】
第２区域３０４には、前記基板の温度を測定する温度検出部を配置することができる。温度検出部は、第３ガス噴射部３００に設置することができる。一方、第２区域３０４には、第２プラズマ噴射部を配置することもできる。
【0040】
一方、第１区域３０２には、ウィンドウ３０４ａを配置することもできる。第１区域３０２と第２区域３０４のそれぞれに第１プラズマ噴射部３０２ａ及び第２プラズマ噴射部を追加で設置することもできる。また、第１区域３０２と第２区域３０４のそれぞれに、ウィンドウ３０４ａを設置することもできる。
【0041】
図４を参照すると、第３ガス噴射部３００は、第３区域３０６に配置されたセンターパージ噴射部を含むことができる。センターパージ噴射部は、基板支持部の中央領域上部蓋に設置することができる。センターパージ噴射部には、パージガスを噴射するパージガス噴射ホールを形成することができる。これにより、センターパージ噴射部は、パージガスを基板支持部６００の方向に噴射することができる。この場合、センターパージ噴射部は、第３区域３０６にパージガスを噴射することができる。
【0042】
センターパージ噴射部は、チャンバーの工程空間の中央であるところにパージガスを噴射して、第１領域１０と第２領域２０のガスをチャンバーの中央で分離する役割をすることができる。
【0043】
【0044】
図５を参照すると、第１パージガス噴射部３１０を一つの空間に連結することができる。これにより、一つの第１パージガス噴射部３１０を介して工程空間を第１領域１０と第２領域２０に分離させることができる。
【0045】
また、第３ガス噴射部３００は、第１区域３０２と第２区域３０４と第３区域３０６がすべて分けて分離され、工程空間を第１領域１０と第２領域２０に分離することができる。
【0046】
第３領域３０のプラズマガスが噴射される以外の領域に、基板の温度を測定する温度検出部８１０を配置することができる。温度検出部８１０は、基板検出装置８００と、ウィンドウ３０４ａを含むことができる。
【0047】
第１プラズマ噴射部３０２ａは、イオン化されたガスまたは活性種（Ｒａｄｉｃａｌ）を噴射することができるようにリモートプラズマ（Ｒｅｍｏｔｅ ｐｌａｓｍａ）装置（未図示）に連結することができる。
【0048】
前記第１ガス噴射部１００から第１領域１０に供給されるソースガスは、チタン族元素
（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等）、シリコン（Ｓｉ）またはアルミニウム（Ａｌ）などを含んでなることができる。例えば、チタン（Ｔｉ）を含むソースガス（ＳＧ）は、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）ガスなどであり得る。また、シリコン（Ｓｉ）物質を含有するソースガス（ＳＧ）は、シラン（Ｓｉｌａｎｅ；ＳｉＨ４）ガス、ジシラン（Ｄｉｓｉｌａｎｅ；Ｓｉ２Ｈ６）ガス、トリシラン（Ｔｒｉｓｉｌａｎｅ；Ｓｉ３Ｈ８）ガス、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）ガス、ＤＣＳ（Ｄｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ）ガス、ＨＣＤ（Ｈｅｘａｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ）ガス、ＴｒｉＤＭＡＳ（Ｔｒｉ－ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｉｌａｎｅ）ガス、またはＴＳＡ（Ｔｒｉｓｉｌｙｌａｍｉｎｅ）ガスなどであり得る。
（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等）、シリコン（Ｓｉ）またはアルミニウム（Ａｌ）などを含んでなることができる。例えば、チタン（Ｔｉ）を含むソースガス（ＳＧ）は、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）ガスなどであり得る。また、シリコン（Ｓｉ）物質を含有するソースガス（ＳＧ）は、シラン（Ｓｉｌａｎｅ；ＳｉＨ４）ガス、ジシラン（Ｄｉｓｉｌａｎｅ；Ｓｉ２Ｈ６）ガス、トリシラン（Ｔｒｉｓｉｌａｎｅ；Ｓｉ３Ｈ８）ガス、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）ガス、ＤＣＳ（Ｄｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ）ガス、ＨＣＤ（Ｈｅｘａｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ）ガス、ＴｒｉＤＭＡＳ（Ｔｒｉ－ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｉｌａｎｅ）ガス、またはＴＳＡ（Ｔｒｉｓｉｌｙｌａｍｉｎｅ）ガスなどであり得る。
【0049】
前記第２ガス噴射部２００から第２領域２０に供給されるリアクタントガスは、水素（Ｈ２）ガス、窒素（Ｎ２）ガス、酸素（Ｏ２）ガス、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス、アンモニア（ＮＨ３）ガス、蒸気（Ｈ２Ｏ）ガス、またはオゾン（Ｏ３）ガスなどを含んでなることができる。ここで、リアクタントガスは、窒素（Ｎ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガス、またはヘリウム（Ｈｅ）ガスなどからなるパージガスが混合することができる。
【0050】
また、プラズマを生成するガスは、水素（Ｈ２）ガス、窒素（Ｎ２）ガス、水素（Ｈ２）ガスと窒素（Ｎ２）ガスの混合ガス、酸素（Ｏ２）ガス、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、またはアンモニアガス（ＮＨ３）を含んでなることができる。
【0051】
前記第３ガス噴射部３００から噴射され、第３領域３０に供給されるパージガスは、窒素（Ｎ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガス、またはヘリウム（Ｈｅ）ガスなどを供給することができる。これらは、不活性ガスであり得る。
【0052】
【0053】
第１パージガス噴射部３１０は、第３領域３０の第１区域３０２にパージガスを噴射することができる。第１パージガス噴射部３１０には、第１プラズマ噴射部３０２ａを設置することができる。第１プラズマ噴射部３０２ａは、第１区域３０２にプラズマガスを噴射することができる。これにより、第１領域１０で基板にソースガスが吸着した後、基板支持部６００が回転することにより、基板が第１領域１０で第１区域３０２を通過して第２領域２０に移動する過程で、第１プラズマ噴射部３０２ａは、第１区域３０２を通過する基板の第１プラズマ処理を行うことができる。すなわち、第１プラズマ噴射部３０２ａは、プラズマを利用して、前処理（Ｐｒｅ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を行うことができる。これにより、第１プラズマ噴射部３０２ａは、基板に吸着したソースガスの内部にある不純物を除去することにより、基板に蒸着した薄膜の品質を向上させることに寄与することができる。
【0054】
第１プラズマ噴射部３０２ａは、第１パージガス噴射部３１０の内側に配置することができる。これにより、基板が第１領域１０から第２領域２０に移動するとき、第１区域３０２を通過する基板に対してパージガス噴射、プラズマガス噴射、パージガス噴射を行うことができる。この場合、パージガス噴射は、第１パージガス噴射部３１０によって行われ、プラズマガス噴射は、第１プラズマ噴射部３０２ａによって行うことができる。第１プラズマ噴射部３０２ａは、シャワーヘッドタイプまたは電極構造タイプで具現することができる。
【0055】
第２パージガス噴射部３２０は、第３領域３０の第２区域３０４にパージガスを噴射することができる。第２パージガス噴射部３２０には、第２プラズマ噴射部３０４ｂを設置することができる。第２プラズマ噴射部３０４ｂは、第２区域３０４にプラズマガスを噴射することができる。これにより、第２領域２０で基板に吸着したソースガスとリアクタントガスが反応して原子層蒸着法（ＡＬＤ）で薄膜が蒸着した後、基板支持部６００が回転することにより、基板が第２領域２０から第２区域３０４を通過して第１領域１０に移動する過程で、第２プラズマ噴射部３０４ｂは、第２区域３０４を通過する基板に対して第２プラズマ処理を実施することができる。すなわち、第２プラズマ噴射部３０４ｂは、プラズマを利用して、ポストトリートメント（Ｐｏｓｔ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を行うことができる。これにより、第２プラズマ噴射部３０４ｂは、基板に蒸着した薄膜の内部にある不純物を除去することにより、基板に蒸着した薄膜に対する緻密化を図ることができる。したがって、第２プラズマ噴射部３０４ｂは、基板に蒸着した薄膜の品質をより向上させることができる。
【0056】
第２プラズマ噴射部３０４ｂは、第２パージガス噴射部３２０の内側に配置することができる。これにより、基板が第２領域２０から第１領域１０に移動するとき、第２区域３０４を通過する基板に対してパージガス噴射、プラズマガス噴射、パージガス噴射を行うことができる。この場合、パージガス噴射は、第２パージガス噴射部３２０によって行われ、プラズマガス噴射は、第２プラズマ噴射部３０４ｂによって行うことができる。第２プラズマ噴射部３０４ｂは、シャワーヘッドタイプまたは電極構造タイプで具現することができる。
【0057】
センターパージ噴射部３３０は、第３領域３０の第３区域３０６にパージガスを噴射することができる。これにより、センターパージ噴射部３３０は、第１領域１０に噴射されたソースガスと第２領域２０に噴射されたリアクタントガスが、第３区域３０６を介して互いに混合することを遮断することができる。一方、第１パージガス噴射部３１０は、第１領域１０に噴射されたソースガスと第２領域２０に噴射されたリアクタントガスが、第１区域３０２を介して互いに混合することを遮断することができる。第２パージガス噴射部３２０は、第１領域１０に噴射されたソースガスと第２領域２０に噴射されたリアクタントガスが、第２区域３０４を介して互いに混合することを遮断することができる。
【0058】
ここで、本発明に係る基板処理装置は、基板支持部６００の回転を介して基板を第１領域１０、第１区域３０２、第２領域２０、及び第２区域３０４を経て再び第１領域１０に移動させながら、基板の処理工程を行うことができる。この場合、基板支持部６００は、回転部（未図示）によって回転することができる。回転部が基板支持部６００を回転させる過程を詳しく見ると、次の通りである。
【0059】
まず、回転部は、基板が第１領域１０に位置すると、基板支持部６００を停止させることができる。これにより、第１領域１０は、基板が停止した状態で基板にソースガスを吸着させる吸着工程を行うことができる。この場合、第１ガス噴射部１００が第１領域１０にソースガスを噴射することができる。
【0060】
その後、吸着工程が完了すると、回転部は、基板が第１領域１０から第１区域３０２を経て、第２領域２０に移動するように、基板支持部６００を回転させることができる。この場合、回転部は、基板が、第１区域３０２を通過する際に、基板支持部６００を停止させずに連続的に回転させることができる。基板が第１区域３０２を通過する際、第１プラズマ噴射部３０２ａが噴射したプラズマガスを利用して、基板に対する第１プラズマ処理を行うことができる。
【0061】
その後、基板が第２領域２０に位置すると、回転部は、基板支持部６００を停止させることができる。これにより、第２領域２０では、基板が停止した状態で基板に吸着したソースガスと第２ガス噴射部２００が噴射したリアクタントガスが反応して薄膜が蒸着する蒸着工程を行うことができる。第２ガス噴射部２００は、プラズマを利用してリアクタントガスを活性化させて第２領域２０に噴射することができる。この場合、本発明に係る基板処理装置は、低温工程に適合するように具現することができる。例えば、本発明に係る基板処理装置は、半導体低温ナイトライド（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｎｉｔｒｉｄｅ）工程に適合するよう具現することができる。この場合には、基板が、第１区域３０２を通過する際に、第１プラズマ噴射部３０２ａがプラズマガスを噴射しないことがあり得る。一方、第２ガス噴射部２００は、リアクタントガスを活性化させない状態で、第２領域２０に噴射することもできる。この場合、本発明に係る基板処理装置は、高温工程に適合するように具現することができる。例えば、本発明に係る基板処理装置は、半導体高温ナイトライド（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｎｉｔｒｉｄｅ）工程に適合するよう具現することができる。この場合には、基板が、第１区域３０２を通過する際に、第１プラズマ噴射部３０２ａがプラズマガスを噴射することができる。
【0062】
その後、蒸着工程が完了すると、回転部は、基板が第２領域２０から第２区域３０４を経て、第１領域１０に移動するように、基板支持部６００を回転させることができる。この場合、回転部は、基板が第２区域３０４を通過する際に、基板支持部６００を停止させずに連続的に回転させることができる。基板が第２区域３０４を通過する際、第２プラズマ噴射部３０４ｂが噴射したプラズマガスを利用して、基板に対する第２プラズマ処理を行うことができる。一方、本発明に係る基板処理装置は、低温工程に適合するように具現した場合には、基板が第２区域３０４を通過する際に、第２プラズマ噴射部３０４ｂがプラズマガスを噴射しないこともできる。
【0063】
上述したように、回転部は、基板が第１領域１０に位置するとき、および基板が第２領域２０に位置したときに、基板支持部６００を停止させることができる。この場合、回転部は、基板が、第１区域３０２を通過する際、および基板が第２区域３０４を通過する際には、基板支持部６００を停止させることなく連続的に回転させることができる。一方、回転部は、基板が第１領域１０に位置するときにのみ、基板支持部６００を停止させ、基板が第１区域３０２、第２領域２０、及び第２区域３０４を通過する際には、基板支持部６００を停止させずに連続的に回転させることもできる。
【0064】
一方、第３ガス噴射部３００は、第３領域３０の第１区域３０２にプラズマガスを噴射してパージするように具現することもできる。すなわち、第１区域３０２に噴射されるプラズマガスがパージガスとして機能することができる。基板支持部６００は、基板が第１領域１０から第１区域３０２を通過して第２領域２０に移動するように回転することができる。これにより、第１区域３０２に噴射されるプラズマガスは、第１区域３０２でパージを実行することができるだけでなく、第１区域３０２を通過する基板に対して前処理（Ｐｒｅ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を実行することができる。この場合、第１区域３０２には、第１パージガス噴射部３１０なしに、第１プラズマ噴射部３０２ａのみを配置することもできる。
【0065】
一方、第３ガス噴射部３００は、第３領域３０の第２区域３０４にプラズマガスを噴射してパージするように具現することもできる。すなわち、第２区域３０４に噴射されるプラズマガスがパージガスとして機能することができる。基板支持部６００は、基板が第２領域２０から第２区域３０４を通過して第１領域１０に移動するように回転することができる。これにより、第２区域３０４に噴射されるプラズマガスは、第２区域３０４でパージを実行することができるだけでなく、第２区域３０４を通過する基板に対してポストトリートメント（Ｐｏｓｔ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を実行することができる。この場合、第２区域３０４には、第２パージガス噴射部３２０なしに、第２プラズマ噴射部３０４ｂのみを配置することもできる。
【0066】
図６～図１６を参照すると、本発明に係る基板処理装置は、プラズマガスを噴射する領域によって様々な実施例を含むことができる。図８には、実施例ごとにプラズマガスを噴射する領域がＯで表示されていて、プラズマガスを噴射しない領域がＸで表示されている。図９～図１６には、プラズマを利用して処理工程が行われる部分がハッチングで表示されている。図９～図１６に示すように、本発明に係る基板処理装置は、第１基板（Ｓ１）と第２基板（Ｓ２）が、前記基板支持部６００の回転軸を中心に対称な位置に配置された状態で、前記基板支持部６００の回転を介して、第１基板（Ｓ１）と第２基板（Ｓ２）の位置を変更させながら第１基板（Ｓ１）と第２基板（Ｓ２）に対する処理工程を実行することができる。例えば、第１領域１０に第１基板（Ｓ１）が位置した場合、第２領域２０には、第２基板（Ｓ２）が位置することができる。第１領域１０に第２基板（Ｓ２）が位置した場合、第２領域２０には、第１基板（Ｓ１）が位置することができる。第１区域３０２に第１基板（Ｓ１）が位置した場合、第２区域３０４に第２基板（Ｓ２）が位置することができる。第１区域３０２に第２基板（Ｓ２）が位置した場合、第２区域３０４には、第１基板（Ｓ１）が位置することができる。この場合、第１領域１０と第２領域２０で処理工程が行われるとき、第１領域１０と第２領域２０には、それぞれ第１基板（Ｓ１）と第２基板（Ｓ２）が複数個ずつ位置するように具現することができる。例えば、第１領域１０と第２領域２０には、それぞれ第１基板（Ｓ１）と第２基板（Ｓ２）が２個ずつ位置するように具現することができる。
【0067】
本発明に係る基板処理装置が有する実施例に対して添付した図を参照して、具体的に説明すると、次の通りである。
【0068】
＜第１実施例＞
図８及び図９に示すように、第１実施例は、第１領域１０、第１区域３０２、第２領域２０、及び第２区域３０４のすべてでプラズマを用いずに基板に対する処理工程を行うことができる。このような第１実施例は、第２領域２０で熱処理（Ｔｈｅｒｍａｌ）工程を行うことにより、高温の工程を具現することが可能である。この場合、第２領域２０では、熱処理工程とリアクタントガス噴射を平行して行うことができる。これにより、第１実施例は、高誘電物質などのステップカバレッジを向上させることができる。また、第１実施例は、熱処理工程と、原子層堆積方法（ＡＬＤ）を並行するように具現することで、原子層堆積方法（ＡＬＤ）だけで薄膜を蒸着することと対比すると、薄膜の厚さを増大させることができる。
図８及び図９に示すように、第１実施例は、第１領域１０、第１区域３０２、第２領域２０、及び第２区域３０４のすべてでプラズマを用いずに基板に対する処理工程を行うことができる。このような第１実施例は、第２領域２０で熱処理（Ｔｈｅｒｍａｌ）工程を行うことにより、高温の工程を具現することが可能である。この場合、第２領域２０では、熱処理工程とリアクタントガス噴射を平行して行うことができる。これにより、第１実施例は、高誘電物質などのステップカバレッジを向上させることができる。また、第１実施例は、熱処理工程と、原子層堆積方法（ＡＬＤ）を並行するように具現することで、原子層堆積方法（ＡＬＤ）だけで薄膜を蒸着することと対比すると、薄膜の厚さを増大させることができる。
【0069】
＜第２実施例＞
図８及び図１０に示すように、第２実施例は、第２領域２０でのみプラズマを利用するとともに、残りの第１領域１０、第１区域３０２、及び第２区域３０４では、プラズマを用いず、基板に対する処理工程を行うことができる。この場合、第２領域２０では、基板に対して活性化したリアクタントガスを利用した処理工程を行うことができる。このような第２実施例は、低温工程に適合するように具現することができる。例えば、第２実施例は、半導体低温ナイトライド（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｎｉｔｒｉｄｅ）工程に適合するよう具現することができる。
図８及び図１０に示すように、第２実施例は、第２領域２０でのみプラズマを利用するとともに、残りの第１領域１０、第１区域３０２、及び第２区域３０４では、プラズマを用いず、基板に対する処理工程を行うことができる。この場合、第２領域２０では、基板に対して活性化したリアクタントガスを利用した処理工程を行うことができる。このような第２実施例は、低温工程に適合するように具現することができる。例えば、第２実施例は、半導体低温ナイトライド（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｎｉｔｒｉｄｅ）工程に適合するよう具現することができる。
【0070】
＜第３実施例＞
図８、図９、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、第３実施例は、第１区域３０２のみでプラズマを利用するとともに、残りの第１領域１０、第２領域２０、及び第２区域３０４では、プラズマを用いずに、基板に対する処理工程を行うことができる。このような第３実施例の動作を第１基板（Ｓ）を基準にして説明すると、次の通りである。
図８、図９、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、第３実施例は、第１区域３０２のみでプラズマを利用するとともに、残りの第１領域１０、第２領域２０、及び第２区域３０４では、プラズマを用いずに、基板に対する処理工程を行うことができる。このような第３実施例の動作を第１基板（Ｓ）を基準にして説明すると、次の通りである。
【0071】
まず、図９に示すように、第１基板（Ｓ１）が第１領域１０に位置した状態で、第１領域１０では、第１基板（Ｓ１）に対してソースガスを利用した吸着工程を行うことができる。吸着工程が行われる間、基板支持部６００は、停止した状態を維持することができる。また、吸着工程が行われる間、第１区域３０２では、プラズマを生成しないことができる。
【0072】
その後、吸着工程が完了すると、基板支持部６００が回転することにより、第１基板（Ｓ１）が第１領域１０から第１区域３０２を通過して第２領域２０に移動することができる。この場合、図１１Ａに示すように、第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過する際、第１区域３０２では、第１基板（Ｓ１）に対してプラズマを用いた第１プラズマ処理を行うことができる。すなわち、第１区域３０２では、プラズマを利用して、前処理（Ｐｒｅ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を行うことができる。これにより、第３実施例は、第１区域３０２でプラズマを利用して基板に吸着したソースガスの内部にある不純物を除去することにより、基板に蒸着した薄膜の品質を向上させることができる。第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過した後に、第１区域３０２では、プラズマを生成しないことができる。
【0073】
次に、図１１Ｂに示すように、第１基板（Ｓ１）が第２領域２０に位置すると、第２領域２０では、第１基板（Ｓ１）に対してリアクタントガスを利用した蒸着工程を行うことができる。蒸着工程が行われる間、基板支持部６００は、停止した状態を維持することができる。蒸着工程が行われる間、第１区域３０２では、プラズマを生成しないことができる。
【0074】
その後、蒸着工程が完了すると、基板支持部６００が回転することにより、第１基板（Ｓ１）が第２領域２０から第２区域３０４を通過して第１領域１０に移動することができる。第１基板（Ｓ１）が第２区域３０４を通過する際、第１区域３０２では、プラズマが生成され得る。そして、第１基板（Ｓ１）が第２区域３０４を通過した後に、第１区域３０２では、プラズマを生成しないことができる。このように、第３実施例は、基板支持部６００が回転する間だけ、第１区域３０２にプラズマが生成され、基板支持部６００が停止した間は、第１区域３０２にプラズマが生成されように具現することができる。第３実施例は、基板支持部６００が回転する間と基板支持部６００が停止した間に、ともに継続的に第３領域３０にパージガスを噴射するよう具現することができる。
【0075】
＜第４実施例＞
図９、図１１Ａ及び図１２に示すように、第４実施例は、第１区域３０２と第２領域２０のそれぞれでプラズマを利用するとともに、残りの第１領域１０と第２区域３０４では、プラズマを用いずに、基板に対する処理工程を行うことができる。このような第４実施例の動作を、第１基板（Ｓ１）を基準にして説明すると、次の通りである。
図９、図１１Ａ及び図１２に示すように、第４実施例は、第１区域３０２と第２領域２０のそれぞれでプラズマを利用するとともに、残りの第１領域１０と第２区域３０４では、プラズマを用いずに、基板に対する処理工程を行うことができる。このような第４実施例の動作を、第１基板（Ｓ１）を基準にして説明すると、次の通りである。
【0076】
まず、図９に示すように、第１基板（Ｓ１）が第１領域１０に位置した状態で、第１領域１０では、第１基板（Ｓ１）に対してソースガスを利用した吸着工程を行うことができる。吸着工程が行われる間、基板支持部６００は、停止した状態を維持することができる。また、吸着工程が行われる間、第１区域３０２では、プラズマを生成しないことができる。
【0077】
その後、吸着工程が完了すると、基板支持部６００が回転することにより、第１基板（Ｓ１）が第１領域１０から第１区域３０２を通過して第２領域２０に移動することができる。この場合、図１１Ａに示すように、第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過する際、第１区域３０２では、第１基板（Ｓ１）に対してプラズマを用いた第１プラズマ処理を行うことができる。すなわち、第１区域３０２では、プラズマを利用して、前処理（Ｐｒｅ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を行うことができる。これにより、第４実施例は、第１区域３０２でプラズマを利用して基板に吸着したソースガスの内部にある不純物を除去することにより、基板に蒸着した薄膜の品質を向上させることができる。第１区域３０２にプラズマが生成される間、第２領域２０では、プラズマを生成しないことができる。そして、第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過した後に、第１区域３０２では、プラズマを生成しないことができる。
【0078】
次に、図１２に示すように、第１基板（Ｓ１）が第２領域２０に位置すると、第２領域２０では、第１基板（Ｓ１）に対して活性化したリアクタントガスを利用した蒸着工程を行うことができる。蒸着工程が行われる間、基板支持部６００は、停止した状態を維持することができる。このように、第４実施例は、第１領域１０と、第１区域３０２で、ソースガス吸着および前処理（Ｐｒｅ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）が行われた基板が、第２領域２０で再びプラズマに露出するように具現することで、上部面の蒸着厚さを減少させてギャップフィル（Ｇａｐ－Ｆｉｌｌ）の効果を向上させることができる。一方、蒸着工程が行われる間、第１区域３０２では、プラズマを生成しないことができる。
【0079】
その後、蒸着工程が完了すると、基板支持部６００が回転することにより、第１基板（Ｓ１）が第２領域２０から第２区域３０４を通過して第１領域１０に移動することができる。この場合、第１基板（Ｓ１）が第２区域３０４を通過する際、第１区域３０２では、プラズマを生成することができる。また、第１基板（Ｓ１）が第２区域３０４を通過する際、第２領域２０では、プラズマを生成しないことができる。このように、第４実施例は、基板支持部６００が回転する間だけ、第１区域３０２にプラズマが生成され、基板支持部６００が停止した間には、第１区域３０２にプラズマが生成されように具現することができる。また、第４実施例は、基板支持部６００が停止した間にのみ、第２領域２０にプラズマが生成され、基板支持部６００が回転している間には、第２領域２０にプラズマが生成されないように具現することができる。一方、第４実施例は、基板支持部６００が回転する間と基板支持部６００が停止した間に、ともに継続的に第３領域３０にパージガスを噴射するよう具現することができる。
【0080】
＜第５実施例＞
図１２、図１３Ａ～図１３Ｃに示すように、第５実施例は、第１区域３０２、第２領域２０、及び第２区域３０４のそれぞれでプラズマを利用するとともに、残りの第１領域１０でのみプラズマを用いずに、基板に対する処理工程を行うことができる。このような第５実施例の動作を、第１基板（Ｓ）を基準にして説明すると、次の通りである。
図１２、図１３Ａ～図１３Ｃに示すように、第５実施例は、第１区域３０２、第２領域２０、及び第２区域３０４のそれぞれでプラズマを利用するとともに、残りの第１領域１０でのみプラズマを用いずに、基板に対する処理工程を行うことができる。このような第５実施例の動作を、第１基板（Ｓ）を基準にして説明すると、次の通りである。
【0081】
まず、図１３Ａに示すように、第１基板（Ｓ１）が第１領域１０に位置した状態で、第１領域１０では、第１基板（Ｓ１）に対してソースガスを利用した吸着工程を行うことができる。吸着工程が行われる間、基板支持部６００は、停止した状態を維持することができる。吸着工程が行われる間、第２領域２０では、プラズマを生成することができる。また、吸着工程が行われる間、第１区域３０２と第２区域３０４では、プラズマを生成しないことができる。
【0082】
その後、吸着工程が完了すると、基板支持部６００が回転することにより、第１基板（Ｓ１）が第１領域１０から第１区域３０２を通過して第２領域２０に移動することができる。この場合、図１３Ｂに示すように、第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過する際、第１区域３０２では、第１基板（Ｓ１）に対してプラズマを用いた第１プラズマ処理を行うことができる。すなわち、第１区域３０２では、プラズマを利用して前処理（Ｐｒｅ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を行うことができる。これにより、第５実施例は、第１区域３０２でプラズマを利用して基板に吸着したソースガスの内部にある不純物を除去することにより、基板に蒸着した薄膜の品質を向上させることができる。第１区域３０２にプラズマが生成される間、第２領域２０では、プラズマを生成しないことができる。そして、第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過した後に、第１区域３０２では、プラズマを生成しないことができる。一方、第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過するために、基板支持部６００が回転する間、第５実施例は、第２区域３０４にプラズマが生成されるよう具現することができる。第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過した後に、第２区域３０４では、プラズマを生成しないことができる。
【0083】
次に、図１２に示すように、第１基板（Ｓ１）が第２領域２０に位置すると、第２領域２０では、第１基板（Ｓ１）に対して活性化したリアクタントガスを利用した蒸着工程を行うことができる。蒸着工程が行われる間、基板支持部６００は、停止した状態を維持することができる。このように、第５実施例は、第１領域１０と第１区域３０２で、ソースガス吸着および前処理（Ｐｒｅ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）が行われた基板が第２領域２０で再びプラズマに露出するよう具現することで、上部面の蒸着厚さを減少させてギャップフィル（Ｇａｐ－Ｆｉｌｌ）の効果を向上させることができる。一方、蒸着工程が行われる間、第１区域３０２と第２区域３０４では、プラズマを生成しないことができる。
【0084】
その後、蒸着工程が完了すると、基板支持部６００が回転することにより、第１基板（Ｓ１）が第２領域２０から第２区域３０４を通過して第１領域１０に移動することができる。この場合、図１３Ｃに示すように、第１基板（Ｓ１）が第２区域３０４を通過する際、第２区域３０４では、第１基板（Ｓ１）に対してプラズマを用いた第２プラズマ処理を行うことができる。すなわち、第２区域３０４では、プラズマを利用してポストトリートメント（Ｐｏｓｔ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を行うことができる。これにより、第５実施例は、第２区域３０４で基板に蒸着した薄膜の内部にある不純物を除去して基板に蒸着した薄膜に対する緻密化を増大させることにより、基板に蒸着した薄膜の品質をより向上させることができる。このように、第５実施例は、前処理（Ｐｒｅ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を介して、ソースガスが吸着した基板に対して、ソースガスのリガンドを壊して蒸着膜の生成を減らすことができ、ポストトリートメント（Ｐｏｓｔ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を介して原子層堆積方法（ＡＬＤ）で蒸着した薄膜が、より緻密化されるように具現することができる。
【0085】
一方、第２区域３０４にプラズマが生成される間、第２領域２０では、プラズマを生成しないことができる。そして、第１基板（Ｓ１）が第２区域３０４を通過した後に、第２区域３０４では、プラズマを生成しないことができる。また、第１基板（Ｓ１）が第２区域３０４を通過するために基板支持部６００が回転する間、第５実施例は、第１区域３０２にプラズマを生成するよう具現することができる。第１基板（Ｓ１）が第２区域３０４を通過した後に、第１区域３０２では、プラズマを生成しないことができる。このように、第５実施例は、基板支持部６００が回転する間にだけ、第１区域３０２と第２区域３０４にプラズマが生成され、基板支持部６００が停止した間には、第１区域３０２と第２区域３０４にプラズマが生成されないように具現することができる。また、第５実施例は、基板支持部６００が停止した間にのみ、第２領域２０にプラズマが生成され、基板支持部６００が回転する間には、第２領域２０にプラズマが生成されないように具現することができる。一方、第５実施例は、基板支持部６００が回転する間と基板支持部６００が停止した間に、ともに継続的に第３領域３０にパージガスを噴射するよう具現することができる。
【0086】
＜第６実施例＞
図１２、図１３Ａ、図及び図１４Ｂに示すように、第６実施例は、第２領域２０及び第２区域３０４のそれぞれでプラズマを利用するとともに、残りの第１領域１０と第１区域３０２では、プラズマを用いずに、基板に対する処理工程を行うことができる。このような第６実施例の動作を第１基板（Ｓ）を基準にして説明すると、次の通りである。
図１２、図１３Ａ、図及び図１４Ｂに示すように、第６実施例は、第２領域２０及び第２区域３０４のそれぞれでプラズマを利用するとともに、残りの第１領域１０と第１区域３０２では、プラズマを用いずに、基板に対する処理工程を行うことができる。このような第６実施例の動作を第１基板（Ｓ）を基準にして説明すると、次の通りである。
【0087】
まず、図１３Ａに示すように、第１基板（Ｓ１）が第１領域１０に位置した状態で、第１領域１０では、第１基板（Ｓ１）に対してソースガスを利用した吸着工程を行うことができる。吸着工程が行われる間、基板支持部６００は、停止した状態を維持することができる。吸着工程が行われる間、第２領域２０では、プラズマを生成することができる。また、吸着工程が行われる間、第２区域３０４では、プラズマを生成しないことができる。
【0088】
その後、吸着工程が完了すると、基板支持部６００が回転することにより、第１基板（Ｓ１）が第１領域１０から第１区域３０２を通過して第２領域２０に移動することができる。この場合、図１４Ａに示すように、第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過する際、第１区域３０２では、プラズマが生成されない。一方、第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過するために基板支持部６００が回転する間、第６実施例は、第２区域３０４にプラズマを生成するとともに、第２領域２０にプラズマが生成されないように具現することができる。第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過した後に、第２区域３０４では、プラズマを生成しないことができる。
【0089】
次に、図１２に示すように、第１基板（Ｓ１）が第２領域２０に位置すると、第２領域２０では、第１基板（Ｓ１）に対して活性化したリアクタントガスを利用した蒸着工程を行うことができる。蒸着工程が行われる間、基板支持部６００は、停止した状態を維持することができる。一方、蒸着工程が行われる間、第２区域３０４では、プラズマを生成しないことができる。
【0090】
その後、蒸着工程が完了すると、基板支持部６００が回転することにより、第１基板（Ｓ１）が第２領域２０から第２区域３０４を通過して第１領域１０に移動することができる。この場合、図１４Ｂに示すように、第１基板（Ｓ１）が第２区域３０４を通過する際、第２区域３０４では、第１基板（Ｓ１）に対してプラズマを用いた第２プラズマ処理を行うことができる。すなわち、第２区域３０４では、プラズマを利用してポストトリートメント（Ｐｏｓｔ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を行うことができる。これにより、第６実施例は、第２区域３０４で基板に蒸着した薄膜の内部にある不純物を除去して基板に蒸着した薄膜に対する緻密化を増大させることにより、基板に蒸着した薄膜の品質をより向上させることができる。また、第６実施例は、第２領域２０でプラズマで活性化したリアクタントガスを用いて薄膜を基板に蒸着させた後に、基板支持部６００の回転を介して基板を回転させながらプラズマを利用したポストトリートメント（Ｐｏｓｔ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を行うように具現することができる。したがって、第６実施例は、工程時間を短縮させることができ、薄膜の品質をより向上させることができる。
【0091】
一方、第２区域３０４にプラズマが生成される間、第２領域２０では、プラズマを生成しないことができる。そして、第１基板（Ｓ１）が第２区域３０４を通過した後に、第２区域３０４では、プラズマを生成しないことができる。このように、第６実施例では、基板支持部６００が回転する間だけ第２区域３０４にプラズマが生成され、基板支持部６００が停止した間には、第２区域３０４にプラズマが生成されように具現することができる。また、第６実施例では、基板支持部６００が停止した間にのみ、第２領域２０にプラズマが生成され、基板支持部６００が回転する間には、第２領域２０にプラズマが生成されないように具現することができる。一方、第６実施例は、基板支持部６００が回転する間と基板支持部６００が停止した間に、ともに継続的に第３領域３０にパージガスを噴射するよう具現することができる。
【0092】
＜第７実施例＞
図８、図９、図１１Ｂ、図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、第７実施例は、第２区域３０４でのみプラズマを利用するとともに、残りの第１領域１０、第１区域３０２、及び第２領域２０では、プラズマを用いずに、基板に対する処理工程を行うことができる。このような第７実施例の動作を第１基板（Ｓ）を基準にして説明すると、次の通りである。
図８、図９、図１１Ｂ、図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、第７実施例は、第２区域３０４でのみプラズマを利用するとともに、残りの第１領域１０、第１区域３０２、及び第２領域２０では、プラズマを用いずに、基板に対する処理工程を行うことができる。このような第７実施例の動作を第１基板（Ｓ）を基準にして説明すると、次の通りである。
【0093】
まず、図９に示すように、第１基板（Ｓ１）が第１領域１０に位置した状態で、第１領域１０では、第１基板（Ｓ１）に対してソースガスを利用した吸着工程を行うことができる。吸着工程が行われる間、基板支持部６００は、停止した状態を維持することができる。また、吸着工程が行われる間、第２区域３０４では、プラズマを生成しないことができる。
【0094】
その後、吸着工程が完了すると、基板支持部６００が回転することにより、第１基板（Ｓ１）が第１領域１０から第１区域３０２を通過して第２領域２０に移動することができる。この場合、図１４Ａに示すように、第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過する際、第１区域３０２では、プラズマが生成されない。一方、第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過するために基板支持部６００が回転する間、第７実施例は、第２区域３０４にプラズマが生成されないように具現することができる。第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過した後に、第２区域３０４では、プラズマを生成しないことができる。
【0095】
次に、図１１Ｂに示すように、第１基板（Ｓ１）が第２領域２０に位置すると、第２領域２０では、第１基板（Ｓ１）に対してリアクタントガスを利用した蒸着工程を行うことができる。蒸着工程が行われる間、基板支持部６００は、停止した状態を維持することができる。蒸着工程が行われる間、第２区域３０４では、プラズマを生成しないことができる。
【0096】
その後、蒸着工程が完了すると、基板支持部６００が回転することにより、第１基板（Ｓ１）が第２領域２０から第２区域３０４を通過して第１領域１０に移動することができる。この場合、図１４Ｂに示すように、第１基板（Ｓ１）が第２区域３０４を通過する際、第２区域３０４では、第１基板（Ｓ１）に対してプラズマを用いた第２プラズマ処理を行うことができる。すなわち、第２区域３０４では、プラズマを利用してポストトリートメント（Ｐｏｓｔ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を行うことができる。これにより、第７実施例は、第２区域３０４で基板に蒸着した薄膜の内部にある不純物を除去して基板に蒸着した薄膜に対する緻密化を増大させることにより、基板に蒸着した薄膜の品質をより向上させることができる。第１基板（Ｓ１）が第２区域３０４を通過した後に、第２区域３０４では、プラズマを生成しないことができる。このように、第７実施例は、基板支持部６００が回転する間だけ第２区域３０４にプラズマが生成され、基板支持部６００が停止した間には、第２区域３０４にプラズマが生成されように具現することができる。第７実施例は、基板支持部６００が回転する間と基板支持部６００が停止した間に、ともに継続的に第３領域３０にパージガスを噴射するよう具現することができる。
【0097】
＜第８実施例＞
次に、図８、図９、図１１Ｂ、図１３Ｂ及び図１３Ｃに示すように、第８実施例は、第１区域３０２及び第２区域３０４のそれぞれでプラズマを利用するとともに、残りの第１領域１０及び第２領域２０では、プラズマを用いずに、基板に対する処理工程を行うことができる。このような第８実施例の動作を第１基板（Ｓ）を基準にして説明すると、次の通りである。
次に、図８、図９、図１１Ｂ、図１３Ｂ及び図１３Ｃに示すように、第８実施例は、第１区域３０２及び第２区域３０４のそれぞれでプラズマを利用するとともに、残りの第１領域１０及び第２領域２０では、プラズマを用いずに、基板に対する処理工程を行うことができる。このような第８実施例の動作を第１基板（Ｓ）を基準にして説明すると、次の通りである。
【0098】
まず、図９に示すように、第１基板（Ｓ１）が第１領域１０に位置した状態で、第１領域１０では、第１基板（Ｓ１）に対してソースガスを利用した吸着工程を行うことができる。吸着工程が行われる間、基板支持部６００は、停止した状態を維持することができる。また、吸着工程が行われる間、第１区域３０２と第２区域３０４では、プラズマを生成しないことができる。
【0099】
その後、吸着工程が完了すると、基板支持部６００が回転することにより、第１基板（Ｓ１）が第１領域１０から第１区域３０２を通過して第２領域２０に移動することができる。この場合、図１３Ｂに示すように、第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過する際、第１区域３０２では、第１基板（Ｓ１）に対してプラズマを用いた第１プラズマ処理を行うことができる。すなわち、第１区域３０２では、プラズマを利用して前処理（Ｐｒｅ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を行うことができる。これにより、第８実施例は、第１区域３０２でプラズマを利用して基板に吸着したソースガスの内部にある不純物を除去することにより、基板に蒸着した薄膜の品質を向上させることができる。第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過した後に、第１区域３０２では、プラズマを生成しないことができる。一方、第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過するために基板支持部６００が回転する間、第８実施例は、第２区域３０４にプラズマが生成されるよう具現することができる。第１基板（Ｓ１）が第１区域３０２を通過した後に、第２区域３０４では、プラズマを生成しないことができる。
【0100】
次に、図１１Ｂに示すように、第１基板（Ｓ１）が第２領域２０に位置すると、第２領域２０では、第１基板（Ｓ１）に対してリアクタントガスを利用した蒸着工程を行うことができる。蒸着工程が行われる間、基板支持部６００は、停止した状態を維持することができる。蒸着工程が行われる間、第１区域３０２と第２区域３０４では、プラズマを生成しないことができる。
【0101】
その後、蒸着工程が完了すると、基板支持部６００が回転することにより、第１基板（Ｓ１）が第２領域２０から第２区域３０４を通過して第１領域１０に移動することができる。この場合、図１３Ｃに示すように、第１基板（Ｓ１）が第２区域３０４を通過する際、第２区域３０４では、第１基板（Ｓ１）に対してプラズマを用いた第２プラズマ処理を行うことができる。すなわち、第２区域３０４では、プラズマを利用してポストトリートメント（Ｐｏｓｔ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を行うことができる。これにより、第８実施例は、第２区域３０４で基板に蒸着した薄膜の内部にある不純物を除去して基板に蒸着した薄膜に対する緻密化を増大させることにより、基板に蒸着した薄膜の品質をより向上させることができる。このように、第８実施例では、前処理（Ｐｒｅ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を介して、ソースガスが吸着した基板に対して、ソースガスのリガンドを壊して蒸着膜の生成を減らすことができ、ポストトリートメント（Ｐｏｓｔ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を介して原子層堆積方法（ＡＬＤ）で蒸着した薄膜が、より緻密化できるように具現することができる。
【0102】
一方、第１基板（Ｓ１）が第２区域３０４を通過した後に、第２区域３０４では、プラズマを生成しないことができる。また、第１基板（Ｓ１）が第２区域３０４を通過するために基板支持部６００が回転する間、第８実施例は、第１区域３０２にプラズマが生成されるよう具現することができる。第１基板（Ｓ１）が第２区域３０４を通過した後に、第１区域３０２では、プラズマを生成しないことができる。このように、第８実施例は、基板支持部６００が回転する間だけ、第１区域３０２と第２区域３０４にプラズマが生成され、基板支持部６００が停止した間には、第１区域３０２と第２区域３０４にプラズマが生成されないように具現することができる。一方、第８実施例は、基板支持部６００が回転する間と基板支持部６００が停止した間に、ともに継続的に第３領域３０にパージガスを噴射するよう具現することができる。
【0103】
上述したように、本発明に係る基板処理装置が有する実施例は、第１区域３０２と第２区域３０４の中の少なくとも一方でプラズマを利用した処理工程が行われる場合、基板支持部６００が回転する間だけ、第１区域３０２と第２区域３０４の中の少なくとも一方にプラズマが生成されるとともに、基板支持部６００が停止した間には、第１区域３０２と第２区域３０４の両方でプラズマが生成されないように具現することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置は、第１区域３０２と第２区域３０４の中で少なくとも一方で生成されたプラズマが吸着工程と蒸着工程に影響を及ぼすことを防止することにより、吸着工程と蒸着工程を経た基板の品質をより向上させることができように具現できる。
【0104】
以下では、本発明に係る基板処理方法の実施例を添付した図を参照して詳細に説明する。
【0105】
【0106】
まず、第１領域１０にソースガスを噴射して吸着工程を行う（Ｓ１１）。このような工程（Ｓ１１）は、前記第１領域１０に前記第１基板（Ｓ１）が位置すると、前記第１ガス噴射部１００が前記第１領域１０にソースガスを噴射することにより、成すことができる。これにより、前記第１領域１０に位置する第１基板（Ｓ１）に対して前記吸着工程を行うことができる。前記吸着工程を実行する間、前記基板支持部６００は、静止した状態で維持することができる。
【0107】
その後、前記の吸着工程が完了すると、第１基板（Ｓ１）が前記第２領域２０に位置するように前記基板支持部６００を回転させる（Ｓ１２）。このような工程（Ｓ１２）は、前記基板支持部６００が回転して前記第１基板（Ｓ１）を前記第１領域１０から前記第２領域２０に移動させることによって成すことができる。この場合、前記第１基板（Ｓ１）は、前記第１領域１０から前記第３領域３０の第１区域３０２を通過して前記第２領域２０に位置するように移動することができる。
【0108】
その後、前記第１基板（Ｓ１）が前記第２領域２０に位置すると、前記第２領域２０にリアクタントガスを噴射して蒸着工程を行う（Ｓ１３）。このような工程（Ｓ１３）は、前記第２ガス噴射部２００が前記第２領域２０にリアクタントガスを噴射することにより、成すことができる。これにより、前記第２領域２０に位置した第１基板（Ｓ１）に対して前記蒸着工程を行うことができる。前記蒸着工程を実行する間、前記基板支持部６００は、静止した状態で維持することができる。
【0109】
その後、前記の蒸着工程が完了すると、第１基板（Ｓ１）が、前記第１領域１０に位置するように前記基板支持部６００を回転させる（Ｓ１４）。このような工程（Ｓ１４）は、前記基板支持部６００が回転して前記第１基板（Ｓ１）を前記第２領域２０から前記第１領域１０に移動させることによって成すことができる。この場合、前記第１基板（Ｓ１）は、前記第２領域２０から前記第３領域３０の第２区域３０４を通過して前記第１領域１０に位置するように移動することができる。
【0110】
上述したような工程を繰り返し実行することにより、本発明に係る基板処理方法は、原子層堆積方法（ＡＬＤ）を利用して、前記第１基板（Ｓ１）に薄膜を蒸着することができる。一方、上述したような工程を実行する間、本発明に係る基板処理方法は、前記第３領域３０にパージガスを継続的に噴射する工程を含むことができる。また、本発明に係る基板処理方法は、前記第１基板（１）に薄膜を蒸着するとき、前記基板支持部６００の回転軸を中心に対称な位置に配置された第２基板（Ｓ２）にも薄膜を蒸着するように具現することができる。すなわち、本発明に係る基板処理方法は、上述したような工程を、前記第１基板（Ｓ１）と前記第２基板（Ｓ２）に対して並行して行うことができる。この場合、前記第１領域１０と前記第２領域２０には、それぞれ、前記第１基板（Ｓ１）と前記第２基板（Ｓ２）を複数個ずつ配置することもできる。
【0111】
ここで、前記蒸着工程を実行する工程（Ｓ１３）は、前記第２領域２０にプラズマを利用して、活性化されたリアクタントガスを噴射して前記蒸着工程を行うことができる。これにより、本発明に係る基板処理方法は、低温工程に適合するように具現することができる。例えば、本発明に係る基板処理方法は、半導体低温ナイトライド（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｎｉｔｒｉｄｅ）工程に適合するよう具現することができる。前記第２領域２０に対するプラズマは、前記基板支持部６００が停止した間にのみ生成することができる。前記基板支持部６００が回転する間には、前記第２領域２０にプラズマを生成しないことができる。
【0112】
ここで、前記第１基板が前記第２領域に位置するように前記基板支持部を回転させる工程（Ｓ１２）は、前記第１基板（Ｓ１）が前記第１区域３０２を通過するように前記基板支持部６００を回転させるが、前記第１基板（Ｓ１）が前記第３領域３０の第１区域３０２を通過する間、前記第１区域３０２にプラズマを生成することにより、成すことができる。これにより、本発明に係る基板処理方法は、前記第１区域３０２において、前記第１基板（Ｓ１）に対してプラズマを用いた第１プラズマ処理を行うように具現することができる。すなわち、第１区域３０２では、プラズマを利用して前処理（Ｐｒｅ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を行うことができる。したがって、本発明に係る基板処理方法は、前記第１区域３０２でプラズマを利用して基板に吸着したソースガスの内部にある不純物を除去することにより、基板に蒸着した薄膜の品質を向上させることができる。前記第１区域３０２に対するプラズマ生成は、前記第１プラズマ噴射部３０２ａが前記第１区域３０２にプラズマガスを噴射することにより、成すことができる。前記第１区域３０２に対するプラズマは、前記基板支持部６００が回転する間だけ生成することができる。前記基板支持部６００が停止した間には、前記第１区域３０２にプラズマを生成しないことができる。
【0113】
ここで、前記第１基板が前記第１領域に位置するように前記基板支持部を回転させる工程（Ｓ１４）は、前記第１基板（Ｓ１）が前記第２区域３０４を通過するように前記基板支持部６００を回転させるが、前記第１基板（Ｓ１）が前記第３領域３０の第２区域３０４を通過する間、前記第２区域３０４にプラズマを生成することにより、成すことができる。これにより、本発明に係る基板処理方法は、前記第２区域３０４において、前記第１基板（Ｓ１）に対してプラズマを用いた第２プラズマ処理を行うように具現することができる。すなわち、前記第２区域３０４では、プラズマを利用してポストトリートメント（Ｐｏｓｔ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を行うことができる。したがって、本発明に係る基板処理方法は、前記第２区域３０４で基板に蒸着した薄膜の内部にある不純物を除去して基板に蒸着した薄膜に対する緻密化を増大させることにより、基板に蒸着した薄膜の品質をより向上させることができる。前記第２区域３０４に対するプラズマ生成は、前記第２プラズマ噴射部３０４ｂが前記第２区域３０４にプラズマガスを噴射することにより、成すことができる。前記第２区域３０４に対するプラズマは、前記基板支持部６００が回転する間だけ生成することができる。前記基板支持部６００が停止した間には、前記第２区域３０４にプラズマを生成しないことができる。
【0114】
ここで、前記第１基板が前記第２領域に位置するように前記基板支持部を回転させる工程（Ｓ１３）、および前記第１基板が前記第１領域に位置するように前記基板支持部を回転させる工程（Ｓ１４）は、それぞれ前記第３領域３０の第１区域３０２と第２区域３０４にプラズマを生成することにより、成すことができる。これにより、本発明に係る基板処理方法は、前記第１区域３０２でプラズマを利用して前処理（Ｐｒｅ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を行うとともに、前記第２区域３０４でプラズマを利用してポストトリートメント（Ｐｏｓｔ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を行うように具現することができる。したがって、本発明に係る基板処理方法は、前処理（Ｐｒｅ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を介して、ソースガスが吸着した基板に対して、ソースガスのリガンドを壊して蒸着膜の生成を減らすことができ、ポストトリートメント（Ｐｏｓｔ－Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を介して原子層堆積方法（ＡＬＤ）によって蒸着した薄膜を、より緻密化できるように具現することができる。この場合、前記第１区域３０２に対するプラズマおよび前記第２区域３０４に対するプラズマは、前記基板支持部６００が回転する間だけ生成することができる。前記基板支持部６００が停止した間には、前記第１区域３０２と前記第２区域３０４の両方にプラズマを生成しないことができる。
【0115】
上述したように、本発明に係る基板処理方法は、第１区域３０２と第２区域３０４の中の少なくとも一方でプラズマを利用した処理工程を行う場合、基板支持部６００が回転する間だけ、第１区域３０２と第２区域３０４の中の少なくとも一方でプラズマを生成するとともに、基板支持部６００が停止した間には、第１区域３０２と第２区域３０４の両方でプラズマが生成されないように具現することができる。これにより、本発明に係る基板処理方法は、第１区域３０２と第２区域３０４の中で少なくとも一方で生成されたプラズマが吸着工程と蒸着工程に影響を及ぼすことを防止することにより、吸着工程と蒸着工程を経た基板の品質をより向上させることができように具現する。一方、本発明に係る基板処理方法は、上述した本発明に係る基板処理装置の第１実施例～第８実施例のそれぞれで説明した工程を経て、基板に対する処理工程を実行することもできる。
【0116】
本発明が属する技術分野の当業者は、本発明がその技術的思想や必須的特徴を変更せずに、他の具体的な形態で実施できることを理解できるだろう。したがって、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり、限定的なものではないものと理解されなければならない。本発明の範囲は、前記の詳細な説明よりは、後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味及び範囲そしてその等価概念から導き出されるすべての変更または変形された形態が、本発明の範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
【符号の説明】
【0117】
１ 行程空間、１０ 第１領域、２０ 第２領域、３０ 第３領域、１００ 第１ガス噴射部、１１０ 第１ガス噴射ホール、１２０ 第１電極、１３０ 突出電極、１４０ 第２電極、２００ 第２ガス噴射部、２１０ 第１電極、２２０ 第２電極、２３０ 突出電極、３００ 第３ガス噴射部、３０２ 第１区域、３０２ａ 第１プラズマ噴射部、３０４ 第２区域、３０４ａ ウィンドウ、３０４ｂ 第２プラズマ噴射部、３０６ 第３区域、３０８ 下面、３１０ 第１パージガス噴射部、３２０ 第２パージガス噴射部、３３０ センターパージ噴射部、６００ 基板支持部、７００ ＲＦ電源、８００ 基板検出装置、８１０ 温度検出部。
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図12】
【図13A】
【図13B】
【図13C】
【図14A】
【図14B】
【図15】