(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024120472
(43)【公開日】2024-09-05
(54)【発明の名称】基板処理方法と基板処理装置と処理液
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20240829BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 647A
H01L21/304 651Z
H01L21/304 651B
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023027289
(22)【出願日】2023-02-24
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100093056
【弁理士】
【氏名又は名称】杉谷 勉
(74)【代理人】
【識別番号】100142930
【弁理士】
【氏名又は名称】戸高 弘幸
(74)【代理人】
【識別番号】100175020
【弁理士】
【氏名又は名称】杉谷 知彦
(74)【代理人】
【識別番号】100180596
【弁理士】
【氏名又は名称】栗原 要
(74)【代理人】
【識別番号】100195349
【弁理士】
【氏名又は名称】青野 信喜
(72)【発明者】
【氏名】國枝 省吾
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 悠太
(72)【発明者】
【氏名】魚波 公希
(72)【発明者】
【氏名】塙 洋祐
【テーマコード（参考）】
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F157AA09
5F157AB02
5F157AB16
5F157AB33
5F157AB41
5F157AB49
5F157AB52
5F157AB90
5F157AC03
5F157AC26
5F157BB23
5F157BF22
5F157BF48
5F157BF54
5F157BF55
5F157BF56
5F157BF59
5F157BF60
5F157BF62
5F157BF72
5F157BF94
5F157CB03
5F157CB14
5F157CB15
5F157CF04
5F157CF14
5F157CF60
5F157CF74
5F157CF99
5F157DA21
5F157DB33
(57)【要約】
【課題】基板を適切に乾燥できる基板処理方法と基板処理装置と処理液を提供する。
【解決手段】本発明は、基板処理方法と基板処理装置と処理液に関する。基板処理方法は、処理液供給工程と固化膜形成工程と昇華工程を備える。処理液供給工程では、処理液が基板に供給される。処理液は、昇華性物質と溶媒を含む。固化膜形成工程では、溶媒は基板上の処理液から蒸発する。固化膜形成工程では、固化膜が基板上に形成される。固化膜は、昇華性物質を含む。昇華工程では、固化膜は昇華する。固化膜の昇華により、基板は乾燥される。ここで、昇華性物質は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む。
【選択図】図５
【解決手段】本発明は、基板処理方法と基板処理装置と処理液に関する。基板処理方法は、処理液供給工程と固化膜形成工程と昇華工程を備える。処理液供給工程では、処理液が基板に供給される。処理液は、昇華性物質と溶媒を含む。固化膜形成工程では、溶媒は基板上の処理液から蒸発する。固化膜形成工程では、固化膜が基板上に形成される。固化膜は、昇華性物質を含む。昇華工程では、固化膜は昇華する。固化膜の昇華により、基板は乾燥される。ここで、昇華性物質は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
パターンが形成された基板を処理する基板処理方法であって、
昇華性物質と溶媒を含む処理液を前記基板に供給する処理液供給工程と、
前記基板上の前記処理液から前記溶媒を蒸発させて、前記昇華性物質を含む固化膜を前記基板上に形成する固化膜形成工程と、
前記固化膜を昇華させる昇華工程と、
を備え、
前記昇華性物質は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む
基板処理方法。
昇華性物質と溶媒を含む処理液を前記基板に供給する処理液供給工程と、
前記基板上の前記処理液から前記溶媒を蒸発させて、前記昇華性物質を含む固化膜を前記基板上に形成する固化膜形成工程と、
前記固化膜を昇華させる昇華工程と、
を備え、
前記昇華性物質は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む
基板処理方法。
【請求項2】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記溶媒は、イソプロピルアルコールである
基板処理方法。
前記溶媒は、イソプロピルアルコールである
基板処理方法。
【請求項3】
基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部によって保持される前記基板に昇華性物質と溶媒を含む処理液を供給する処理液供給部と、
を備え、
前記昇華性物質は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む
基板処理装置。
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部によって保持される前記基板に昇華性物質と溶媒を含む処理液を供給する処理液供給部と、
を備え、
前記昇華性物質は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む
基板処理装置。
【請求項4】
請求項３に記載の基板処理装置において、
前記溶媒は、イソプロピルアルコールである
基板処理装置。
前記溶媒は、イソプロピルアルコールである
基板処理装置。
【請求項5】
パターンが形成された基板の乾燥に用いられる処理液であって、
前記処理液は、
昇華性物質と、
溶媒と、
を含み、
前記昇華性物質は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む
処理液。
前記処理液は、
昇華性物質と、
溶媒と、
を含み、
前記昇華性物質は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む
処理液。
【請求項6】
請求項５に記載の処理液において、
前記溶媒は、イソプロピルアルコールである
処理液。
前記溶媒は、イソプロピルアルコールである
処理液。
【請求項7】
請求項５に記載の処理液において、
前記処理液は前記基板に供給され、前記基板上の処理液から前記溶媒が蒸発し、前記昇華性物質を含む固化膜が前記基板上に形成され、その後、前記固化膜が昇華する
処理液。
前記処理液は前記基板に供給され、前記基板上の処理液から前記溶媒が蒸発し、前記昇華性物質を含む固化膜が前記基板上に形成され、その後、前記固化膜が昇華する
処理液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理方法と基板処理装置と処理液に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。
【背景技術】
【0002】
特許文献１は、基板を乾燥する基板処理方法を開示する。具体的には、特許文献１の基板処理方法は、処理液供給工程と、固化膜形成工程と、昇華工程を備える。処理液供給工程では、処理液は基板に供給される。処理液は、溶媒と昇華性物質を含む。昇華性物質は、シクロヘキサノンオキシムである。固化膜形成工程では、溶媒は蒸発し、固化膜が基板上に形成される。固化膜は、シクロヘキサノンオキシムを含む。昇華工程では、固化膜は昇華する。固化膜は、液体を経ずに、気体に変化する。特許文献１の基板処理方法によれば、基板を適切に乾燥できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－９９８８公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
従来の基板処理方法であっても、基板を適切に乾燥できない場合があった。例えば、従来の基板処理方法であっても、基板に形成されるパターンが倒壊する場合があった。例えば、パターンが微細であるとき、従来の基板処理方法はパターンの倒壊を十分に抑制できない場合があった。
【0005】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板を適切に乾燥できる基板処理方法と基板処理装置と処理液を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、パターンが形成された基板を処理する基板処理方法であって、昇華性物質と溶媒を含む処理液を前記基板に供給する処理液供給工程と、前記基板上の前記処理液から前記溶媒を蒸発させて、前記昇華性物質を含む固化膜を前記基板上に形成する固化膜形成工程と、前記固化膜を昇華させる昇華工程と、を備え、前記昇華性物質は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む基板処理方法である。
【0007】
基板処理方法は、パターンが形成された基板を処理するためのものである。基板処理方法は、処理液供給工程と固化膜形成工程と昇華工程を備える。処理液供給工程では、処理液が基板に供給される。処理液は、昇華性物質と溶媒を含む。固化膜形成工程では、溶媒は基板上の処理液から蒸発する。固化膜形成工程では、固化膜が基板上に形成される。固化膜は、昇華性物質を含む。昇華工程では、固化膜は昇華する。固化膜の昇華により、基板は乾燥される。
【0008】
ここで、昇華性物質は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む。このため、固化膜形成工程では、固化膜は基板上に好適に形成される。
【0009】
固化膜は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む。このため、昇華工程では、固化膜は適切に昇華する。すなわち、昇華工程では、基板は適切に乾燥される。具体的には、昇華工程では、基板に形成されるパターンが好適に保護されつつ、基板は乾燥される。
【0010】
以上の通り、本基板処理方法によれば、基板は適切に乾燥される。
【0011】
上述の基板処理方法において、前記溶媒は、イソプロピルアルコールであることが好ましい。イソプロピルアルコールは、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルを好適に溶解する。したがって、基板は、一層適切に乾燥される。
【0012】
本発明は、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部によって保持される前記基板に昇華性物質と溶媒を含む処理液を供給する処理液供給部と、を備え、前記昇華性物質は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む基板処理装置である。
【0013】
基板処理装置は、基板保持部と処理液供給部を備える。基板保持部は、基板を保持する。処理液供給部は、基板保持部によって保持される基板に処理液を供給する。処理液は、昇華性物質と溶媒を含む。
【0014】
ここで、昇華性物質は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む。このため、処理液が基板に供給されたとき、固化膜は基板上に好適に形成される。
【0015】
固化膜は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む。このため、固化膜は、適切に昇華する。すなわち、基板は適切に乾燥される。具体的には、基板に形成されるパターンが好適に保護されつつ、基板は乾燥される。
【0016】
以上の通り、本基板処理装置によれば、基板は適切に乾燥される。
【0017】
上述の基板処理装置において、前記溶媒は、イソプロピルアルコールであることが好ましい。イソプロピルアルコールは、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルを好適に溶解する。したがって、基板は、一層適切に乾燥される。
【0018】
本発明は、パターンが形成された基板の乾燥に用いられる処理液であって、前記処理液は、昇華性物質と、溶媒と、を含み、前記昇華性物質は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む処理液である。
【0019】
処理液は、パターンが形成された基板の乾燥に用いられる。処理液は、具体的には、乾燥補助液である。処理液は、昇華性物質と溶媒を含む。
【0020】
ここで、昇華性物質は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む。このため、処理液を基板に供給することによって、固化膜は基板上に好適に形成される。さらに、固化膜は適切に昇華する。すなわち、基板は適切に乾燥される。具体的には、基板に形成されるパターンが好適に保護されつつ、基板は乾燥される。
【0021】
以上の通り、処理液を用いて、基板は適切に乾燥される。基板を乾燥させるために、処理液は有用である。
【0022】
上述の処理液において、前記溶媒は、イソプロピルアルコールであることが好ましい。イソプロピルアルコールは、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルを好適に溶解する。このため、処理液を用いて、基板は一層適切に乾燥される。基板を乾燥させるために、処理液は一層有用である。
【0023】
上述の処理液において、前記処理液は前記基板に供給され、前記基板上の処理液から前記溶媒が蒸発し、前記昇華性物質を含む固化膜が前記基板上に形成され、その後、前記固化膜が昇華することが好ましい。処理液がこのように使用されるとき、基板は一層適切に乾燥される。処理液がこのように使用されるとき、基板を乾燥させるために処理液は一層有用である。
【発明の効果】
【0024】
本発明の基板処理方法と基板処理装置と処理液によれば、基板は適切に乾燥される。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1】基板の一部を模式的に示す図である。
【図2】実施形態の基板処理装置の内部を示す平面図である。
【図3】基板処理装置の制御ブロック図である。
【図4】処理ユニットおよび第１供給源の構成を示す図である。
【図5】実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。
【図6】処理液供給工程における基板を模式的に示す図である。
【図7】固化膜形成工程における基板を模式的に示す図である。
【図8】固化膜形成工程における基板を模式的に示す図である。
【図9】昇華工程における基板を模式的に示す図である。
【図10】昇華工程における基板を模式的に示す図である。
【図11】変形実施形態の処理ユニットおよび第１供給源の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0026】
以下、図面を参照して、本発明の基板処理方法と基板処理装置と処理液を説明する。
【0027】
＜１．基板＞
基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。基板Ｗは、薄い平板形状を有する。基板Ｗは、平面視で略円形状を有する。
基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。基板Ｗは、薄い平板形状を有する。基板Ｗは、平面視で略円形状を有する。
【0028】
図１は、基板Ｗの一部を模式的に示す図である。基板Ｗは、パターンＰを有する。パターンＰは、基板Ｗの表面に形成される。
【0029】
パターンＰは、例えば、凹凸形状を有する。パターンＰは、例えば、凸部Ｗ１と凹部Ａを有する。凸部Ｗ１は、基板Ｗの一部である。凸部Ｗ１は、構造体である。凸部Ｗ１は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）およびポリシリコン膜の少なくともいずれかで構成される。凸部Ｗ１は、例えば、基板Ｗの表面から上方に隆起する。凹部Ａは、凸部Ｗ１の側方に隣接する。凹部Ａは、空間である。凹部Ａは、例えば、上方に開放されている。凸部Ｗ１は、凹部Ａを区画する壁に相当する。
【0030】
＜２．処理液（乾燥補助液）＞
本明細書では、基板Ｗの乾燥に用いられる処理液を、単に、「処理液」と呼ぶ。処理液は、基板Ｗを乾燥させることを補助する機能を有する。処理液は、乾燥補助液と言い換えることができる。
本明細書では、基板Ｗの乾燥に用いられる処理液を、単に、「処理液」と呼ぶ。処理液は、基板Ｗを乾燥させることを補助する機能を有する。処理液は、乾燥補助液と言い換えることができる。
【0031】
処理液は、昇華性物質を含む。昇華性物質は、昇華性を有する。「昇華性」とは、単体、化合物若しくは混合物が、液体を経ずに、固体から気体、又は気体から固体へと相転移する特性である。
【0032】
昇華性物質は、例えば、化合物ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆである。
化合物ａ：o-アセトアニシジド（N-(2-Methoxyphenyl)acetamide）
化合部ｂ：N-エチル-p-トルエンスルホンアミド（N-Ethyl-p-toluenesulfonamide）
化合物ｃ：4-クロロフェニル酢酸（4-Chlorophenylacetic acid）
化合物ｄ：4-メトキシフェニル酢酸（4-Methoxyphenylacetic acid）
化合物ｅ：2-クロロフェニル酢酸（2-Chlorophenylacetic acid）
化合物ｆ：イソフタル酸ジメチル（Dimethyl isophthalate）
化合物ａ：o-アセトアニシジド（N-(2-Methoxyphenyl)acetamide）
化合部ｂ：N-エチル-p-トルエンスルホンアミド（N-Ethyl-p-toluenesulfonamide）
化合物ｃ：4-クロロフェニル酢酸（4-Chlorophenylacetic acid）
化合物ｄ：4-メトキシフェニル酢酸（4-Methoxyphenylacetic acid）
化合物ｅ：2-クロロフェニル酢酸（2-Chlorophenylacetic acid）
化合物ｆ：イソフタル酸ジメチル（Dimethyl isophthalate）
【0033】
N-エチル-p-トルエンスルホンアミドは、N-ethyl-4-methylbenzenesulfonamideとも呼ばれる。4-クロロフェニル酢酸は、2-(4-chlorophenyl)acetic acidとも呼ばれる。4-メトキシフェニル酢酸は、2-(4-methoxyphenyl)acetic acidとも呼ばれる。2-クロロフェニル酢酸は、2-(2-chlorophenyl)acetic acidとも呼ばれる。イソフタル酸ジメチルは、dimethyl benzene-1,3-dicarboxylateとも呼ばれる。
【0034】
昇華性物質は、化合物ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆの少なくとも１つを含む。例えば、昇華性物質は、化合物ａを含む。例えば、昇華性物質は、化合物ａと化合物ｂを含む。例えば、昇華性物質は、化合物ａ－ｆを含む。
【0035】
例えば、昇華性物質は、化合物ａ－ｆの少なくともいずれかのみからなる。例えば、昇華性物質は、化合物ａのみからなる。例えば、昇華性物質は、化合物ａと化合物ｂのみからなる。例えば、昇華性物質は、化合物ａ－ｆのみからなる。
【0036】
例えば、昇華性物質は、化合物ａ－ｆの少なくともいずれかである。例えば、昇華性物質は、化合物ａである。例えば、昇華性物質は、化合物ａと化合物ｂである。例えば、昇華性物質は、化合物ａ―ｆである。
【0037】
処理液は、溶媒を含む。溶媒は、昇華性物質を溶解する。処理液中の昇華性物質は、溶媒に溶解されている。すなわち、処理液は、溶媒と、溶媒に溶解された昇華性物質を含む。昇華性物質は、処理液の溶質に相当する。
【0038】
溶媒は、常温において比較的に高い蒸気圧を有する。例えば、常温における溶媒の蒸気圧は、常温における昇華性物質の蒸気圧よりも高いことが好ましい。
【0039】
ここで、常温は、室温を含む。常温は、例えば、５℃以上で３５℃以下の範囲内の温度である。常温は、例えば、１０℃以上で３０℃以下の範囲内の温度である。常温は、例えば、２０℃以上で２５℃以下の範囲内の温度である。
【0040】
溶媒は、例えば、有機溶剤である。溶媒は、例えば、アルコールである。
【0041】
溶媒は、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を含む。溶媒は、例えば、イソプロピルアルコールのみからなる。溶媒は、例えば、イソプロピルアルコールである。
【0042】
処理液は、例えば、昇華性物質と溶媒のみからなる。
【0043】
処理液は、例えば、化合物ａとイソプロピルアルコールのみからなる。処理液は、例えば、化合物ａ―ｆとイソプロピルアルコールのみからなる。
【0044】
処理液に含まれる昇華性物質の体積は、処理液に含まれる溶媒の体積よりも小さい。例えば、処理液の体積比ＲＶは、１［Ｖｏｌ％］以上、かつ、２０［Ｖｏｌ％］以下であることが好ましい。ここで、処理液の体積比ＲＶは、処理液に含まれる溶媒の体積に対する処理液に含まれる昇華性物質の体積の割合である。言い換えれば、処理液の体積比ＲＶは、次式によって、規定される。
ＲＶ＝（処理液に含まれる昇華性物質の体積）／（処理液に含まれる溶媒の体積）＊１００ ［Ｖｏｌ％］
ＲＶ＝（処理液に含まれる昇華性物質の体積）／（処理液に含まれる溶媒の体積）＊１００ ［Ｖｏｌ％］
【0045】
＜３．基板処理装置の概要＞
図２は、実施形態の基板処理装置１の内部を示す平面図である。基板処理装置１は、基板Ｗに処理を行う。基板処理装置１における処理は、乾燥処理を含む。
図２は、実施形態の基板処理装置１の内部を示す平面図である。基板処理装置１は、基板Ｗに処理を行う。基板処理装置１における処理は、乾燥処理を含む。
【0046】
基板処理装置１は、インデクサ部３と処理ブロック７を備える。処理ブロック７はインデクサ部３に接続される。インデクサ部３は、処理ブロック７に基板Ｗを供給する。処理ブロック７は、基板Ｗに処理を行う。インデクサ部３は、処理ブロック７から基板Ｗを回収する。
【0047】
本明細書では、便宜上、インデクサ部３と処理ブロック７が並ぶ方向を、「前後方向Ｘ」と呼ぶ。前後方向Ｘは水平である。前後方向Ｘのうち、処理ブロック７からインデクサ部３に向かう方向を「前方」と呼ぶ。前方と反対の方向を「後方」と呼ぶ。前後方向Ｘと直交する水平方向を、「幅方向Ｙ」と呼ぶ。「幅方向Ｙ」の一方向を適宜に「右方」と呼ぶ。右方とは反対の方向を「左方」と呼ぶ。水平方向に対して垂直な方向を「鉛直方向Ｚ」と呼ぶ。各図では、参考として、前、後、右、左、上、下を適宜に示す。
【0048】
インデクサ部３は、複数（例えば、４つ）のキャリア載置部４を備える。各キャリア載置部４はそれぞれ、１つのキャリアＣを載置する。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、例えば、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）、または、ＯＣ（Open Cassette）である。
【0049】
インデクサ部３は、搬送機構５を備える。搬送機構５は、キャリア載置部４の後方に配置される。搬送機構５は、基板Ｗを搬送する。搬送機構５は、キャリア載置部４に載置されるキャリアＣにアクセス可能である。搬送機構５はハンド５ａとハンド駆動部５ｂを備える。ハンド５ａは、基板Ｗを支持する。ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａに連結される。ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａを移動させる。ハンド駆動部５ｂは、例えば、前後方向Ｘ、幅方向Ｙおよび鉛直方向Ｚにハンド５ａを移動させる。ハンド駆動部５ｂは、例えば、水平面内においてハンド５ａを回転させる。
【0050】
処理ブロック７は、搬送機構８を備える。搬送機構８は、基板Ｗを搬送する。搬送機構８と搬送機構５は、相互に、基板Ｗを受け渡し可能である。搬送機構８は、ハンド８ａとハンド駆動部８ｂを備える。ハンド８ａは、基板Ｗを支持する。ハンド駆動部８ｂは、ハンド８ａに連結される。ハンド駆動部８ｂは、ハンド８ａを移動させる。ハンド駆動部８ｂは、例えば、前後方向Ｘ、幅方向Ｙおよび鉛直方向Ｚにハンド８ａを移動させる。ハンド駆動部８ｂは、例えば、水平面内においてハンド８ａを回転させる。
【0051】
処理ブロック７は、複数の処理ユニット（チャンバ）１１を備える。処理ユニット１１は、搬送機構８の側方に配置される。各処理ユニット１１は、基板Ｗに処理を行う。
【0052】
処理ユニット１１は、基板保持部１３を備える。基板保持部１３は、基板Ｗを保持するように構成されている。基板保持部１３は、バキュームチャック、ベルヌーイチャック、およびチャックピン等の少なくともいずれかを備える。バキュームチャックおよびベルヌーイチャックはそれぞれ、基板Ｗを吸着保持する。バキュームチャックは、例えば、基板Ｗの中央を吸着保持する。ベルヌーイチャックも、例えば、基板Ｗの中央を吸着保持する。チャックピンは、基板Ｗを把持する。チャックピンは、例えば、基板Ｗの端面を把持する。
【0053】
搬送機構８は、各処理ユニット１１にアクセス可能である。搬送機構８は、基板保持部１３に基板Ｗを渡すことができる。搬送機構８は、基板保持部１３から基板Ｗを取ることができる。
【0054】
図３は、基板処理装置１の制御ブロック図である。基板処理装置１は、制御部１０を備える。制御部１０は、搬送機構５、８および処理ユニット１１と通信可能である。制御部１０は、搬送機構５、８と処理ユニット１１を制御する。
【0055】
制御部１０は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。制御部１０は、記憶媒体に予め格納される各種の情報を有する。制御部１０が有する情報は、例えば、搬送機構５、８を制御するための搬送条件情報である。制御部１０が有する情報は、例えば、処理ユニット１１を制御するための処理条件情報である。処理条件情報は、処理レシピとも呼ばれる。
【0056】
図２を参照する。基板処理装置１の動作例を簡単に説明する。
【0057】
搬送機構５、８は、キャリアＣから処理ユニット１１に基板Ｗを搬送する。具体的には、搬送機構５は、キャリアＣから基板Ｗを搬出する。そして、搬送機構５は、キャリアＣから搬送機構８に基板Ｗを搬送する。搬送機構８は、搬送機構５から処理ユニット１１に基板Ｗを搬送する。搬送機構８は、処理ユニット１１の基板保持部１３に基板Ｗを渡す。
【0058】
処理ユニット１１は、基板Ｗを処理する。処理ユニット１１は、基板保持部１３によって保持された基板Ｗを処理する。処理ユニット１１は、例えば、基板Ｗに乾燥処理を行う。
【0059】
処理ユニット１１が基板Ｗを処理した後、搬送機構５、８は、各処理ユニット１１からキャリアＣに基板Ｗを搬送する。具体的には、搬送機構８は、処理ユニット１１の基板保持部１３から基板Ｗを取る。搬送機構８は、処理ユニット１１から搬送機構５に基板Ｗを搬送する。搬送機構８は、搬送機構５からキャリアＣに搬送する。搬送機構８は、キャリアＣに基板Ｗを搬入する。
【0060】
＜４．処理ユニット１１の構成＞
図４は、処理ユニット１１の構成を示す図である。各処理ユニット１１は、同一の構造を有する。処理ユニット１１は、枚葉式に分類される。すなわち、各処理ユニット１１は、一度に１枚の基板Ｗのみを処理する。
図４は、処理ユニット１１の構成を示す図である。各処理ユニット１１は、同一の構造を有する。処理ユニット１１は、枚葉式に分類される。すなわち、各処理ユニット１１は、一度に１枚の基板Ｗのみを処理する。
【0061】
処理ユニット１１は、筐体１２を備える。筐体１２は、略箱形状を有する。基板Ｗは、筐体１２の内部において、処理される。
【0062】
筐体１２の内部は、常温に保たれる。筐体１２の内部における気体の温度は、常温に保たれる。このため、基板Ｗは、常温の環境の下で、処理される。
【0063】
筐体１２の内部は、常圧に保たれる。筐体１２の内部における気体の圧力は、常圧に保たれる。このため、基板Ｗは、常圧の環境の下で、処理される。
【0064】
ここで、常圧は、標準大気圧（１気圧、１０１３２５Ｐａ）を含む。常圧は、例えば、０．７気圧以上で、１．３気圧以下の範囲内の気圧である。本明細書では、圧力の値は、絶対真空を基準とした絶対圧力で、示される。
【0065】
上述した基板保持部１３は、筐体１２の内部に設置される。基板保持部１３は、１枚の基板Ｗを保持する。基板保持部１３は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する。
【0066】
基板保持部１３は、基板保持部１３が保持する基板Ｗの下方に位置する。基板保持部１３は、基板Ｗの下面および基板Ｗの周縁部の少なくともいずれかと接触する。基板Ｗの下面は、基板Ｗのバックサイドとも呼ばれる。基板保持部１３は、基板Ｗの上面と接触しない。
【0067】
処理ユニット１１は、回転駆動部１４を備える。回転駆動部１４の少なくとも一部は、筐体１２の内部に設置される。回転駆動部１４は、基板保持部１３に連結される。回転駆動部１４は、基板保持部１３を回転させる。基板保持部１３によって保持される基板Ｗは、基板保持部１３と一体に回転する。基板保持部１３によって保持される基板Ｗは、回転軸線Ｂ回りに回転する。回転軸線Ｂは、例えば、基板Ｗの中心を通り、鉛直方向Ｚに延びる。
【0068】
処理ユニット１１は、供給部１５を備える。供給部１５は、基板保持部１３によって保持される基板Ｗに、液体または気体を供給する。具体的には、供給部１５は、基板保持部１３によって保持される基板Ｗの上面に、液体または気体を供給する。
【0069】
供給部１５は、第１供給部１５ａと第２供給部１５ｂと第３供給部１５ｃと第４供給部１５ｄと第５供給部１５ｅを備える。第１供給部１５ａは、上述の処理液を供給する。第２供給部１５ｂは、薬液を供給する。第３供給部１５ｃは、リンス液を供給する。第４供給部１５ｄは、置換液を供給する。第５供給部１５ｅは、乾燥ガスを供給する。
【0070】
第１供給部１５ａは、本発明における処理液供給部の例である。
【0071】
上述の通り、筐体１２の内部は、常温および常圧である。このため、処理液は、常温の環境の下で、使用される。処理液は、常圧の環境の下で、使用される。
【0072】
第２供給部１５ｂによって供給される薬液は、例えば、エッチング液である。エッチング液は、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）およびバッファードフッ酸（ＢＨＦ）の少なくともいずれかを含む。
【0073】
第３供給部１５ｃによって供給されるリンス液は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ）である。
【0074】
第４供給部１５ｄによって供給される置換液は、例えば、有機溶剤である。置換液は、例えば、イソプロピルアルコールである。
【0075】
第５供給部１５ｅによって供給される乾燥ガスは、例えば、エアおよび不活性ガスの少なくともいずれかである。エアは、例えば、圧縮エアである。不活性ガスは、例えば、窒素ガスである。乾燥ガスは、常温よりも低い露点を有することが好ましい。
【0076】
第１供給部１５ａは、ノズル１６ａを備える。同様に、第２－第５供給部１５ｂ－１５ｅはそれぞれ、ノズル１６ｂ－１６ｅを備える。ノズル１６ａ－１６ｅはそれぞれ、筐体１２の内部に設置される。ノズル１６ａは、処理液を吐出する。ノズル１６ｂは、薬液を吐出する。ノズル１６ｃは、リンス液を吐出する。ノズル１６ｄは、置換液を吐出する。ノズル１６ｅは、乾燥ガスを吐出する。
【0077】
第１供給部１５ａは、配管１７ａと弁１８ａを備える。配管１７ａは、ノズル１６ａに接続される。弁１８ａは、配管１７ａに設けられる。弁１８ａが開くとき、ノズル１６ａは処理液を吐出する。弁１８ａが閉じるとき、ノズル１６ａは処理液を吐出しない。同様に、第２－第５供給部１５ｂ－１５ｅはそれぞれ、配管１７ｂ－１７ｅと弁１８ｂ－１８ｅを備える。配管１７ｂ－１７ｅはそれぞれ、ノズル１６ｂ－１６ｅに接続される。弁１８ｂ－１８ｅはそれぞれ、配管１７ｂ－１７ｅに設けられる。弁１８ｂ－１８ｅはそれぞれ、薬液、リンス液、置換液および乾燥ガスの吐出を制御する。
【0078】
配管１７ａの少なくとも一部は、筐体１２の外部に設けられてもよい。配管１７ｂ－１７ｅも、配管１７ａと同様に配置されてもよい。弁１８ａは、筐体１２の外部に設けられてもよい。弁１８ｂ－１８ｅも、弁１８ａと同様に配置されてもよい。
【0079】
基板処理装置１は、第１供給源１９ａを備える。第１供給源１９ａは、第１供給部１５ａに接続される。第１供給源１９ａは、例えば、配管１７ａに接続される。第１供給源１９ａは、第１供給部１５ａに連通する。第１供給源１９ａは、第１供給部１５ａに処理液を送る。
【0080】
第２供給部１５ｂは、第２供給源１９ｂに接続される。例えば、配管１７ｂは、第２供給源１９ｂに接続される。第２供給部１５ｂは、第２供給源１９ｂに連通する。第２供給源１９ｂは、第２供給部１５ｂに薬液を送る。同様に、第３－第５供給部１５ｃ－１５ｅはそれぞれ、第３－第５供給源１９ｃ－１９ｅに接続される。例えば、配管１７ｃ－１７ｅはそれぞれ、第３－第５供給源１９ｃ－１９ｅに接続される。第３－第５供給部１５ｃ－１５ｅはそれぞれ、第３－第５供給源１９ｃ－１９ｅに連通する。第３供給源１９ｃは、第３供給部１５ｃにリンス液を送る。第４供給源１９ｄは、第４供給部１５ｄに置換液を送る。第５供給源１９ｅは、第５供給部１５ｅに乾燥ガスを送る。
【0081】
第１供給源１９ａは、筐体１２の外部に設けられる。同様に、第２－第５供給源１９ｂ－１９ｅはそれぞれ、筐体１２の外部に設けられる。
【0082】
第１供給源１９ａは、複数の処理ユニット１１に対して、処理液を供給してもよい。あるいは、第１供給源１９ａは、１つの処理ユニット１１のみに、処理液を供給してもよい。第２－第５供給源１９ｂ－１９ｅについても、同様である。
【0083】
第２供給源１９ｂは、基板処理装置１の要素であってもよい。例えば、第２供給源１９ｂは、基板処理装置１が備える薬液槽であってもよい。あるいは、第２供給源１９ｂは、基板処理装置１の要素でなくてもよい。例えば、第２供給源１９ｂは、基板処理装置１の外部に設置されるユーティリティ設備であってもよい。同様に、第３－第５供給源１９ｃ－１９ｅはそれぞれ、基板処理装置１の要素であってもよい。あるいは、第３－第５供給源１９ｃ－１９ｅはそれぞれ、基板処理装置１の要素でなくてもよい。
【0084】
処理ユニット１１は、さらに、不図示のカップを備えてもよい。カップは、筐体１２の内部に設置される。カップは、基板保持部１３の周囲に配置される。カップは、基板保持部１３に保持される基板Ｗから飛散した液体を受け止める。
【0085】
図３を参照する。制御部１０は、回転駆動部１４を制御する。制御部１０は、供給部１５を制御する。制御部１０は、弁１８ａ－１８ｅを制御する。
【0086】
＜５．第１供給源１９ａの構成＞
図４を、参照する。第１供給源１９ａは、さらに、処理液を生成する。
図４を、参照する。第１供給源１９ａは、さらに、処理液を生成する。
【0087】
第１供給源１９ａの構成例を例示する。第１供給源１９ａは、生成ユニット２１と圧送ユニット３１に区分される。生成ユニット２１は、処理液を生成する。圧送ユニット３１は、処理液を第１供給部１５ａに送る。
【0088】
生成ユニット２１は、槽２２と供給部２３ａ、２３ｂを備える。供給部２３ａは、昇華性物質を槽２２に供給する。供給部２３ｂは、溶媒を槽２２に供給する。昇華性物質と溶媒は、槽２２において、混合される。昇華性物質と溶媒は、槽２２において、処理液ｇになる。
【0089】
槽２２は、常温の環境の下に、設置される。槽２２は、常圧の環境の下に、設置される。このため、処理液ｇは、常温の環境の下で、生成される。処理液ｇは、常圧の環境の下で、生成される。
【0090】
さらに、生成ユニット２１は、処理液ｇを保管する。具体的には、処理液ｇは、槽２２において、保管される。このため、処理液ｇは、常温の環境の下で、保管される。処理液ｇは、常圧の環境の下で、保管される。
【0091】
供給部２３ａは、例えば、配管２４ａと弁２５ａを備える。配管２４ａは、槽２２に接続される。配管２４ａは、槽２２に連通する。弁２５ａは、配管２４ａに設けられる。弁２５ａが開くとき、供給部２３ａは槽２２に昇華性物質を供給する。弁２５ａが閉じるとき、供給部２３ａは槽２２に昇華性物質を供給しない。同様に、供給部２３ｂは、配管２４ｂと弁２５ｂを備える。配管２４ｂは、槽２２に接続される。配管２４ｂは、槽２２に連通する。弁２５ｂは、配管２４ｂに設けられる。弁２５ｂは、槽２２に対する溶媒の供給を制御する。
【0092】
さらに、槽２２における昇華性物質の量は、弁２５ａによって制御される。槽２２における溶媒の量は、弁２５ｂによって制御される。よって、槽２２内の処理液ｇの体積比ＲＶは、弁２５ａ、２５ｂによって制御される。
【0093】
弁２５ａ、２５ｂはそれぞれ、例えば、流量調節弁を含んでもよい。弁２５ａ、２５ｂはそれぞれ、例えば、流量調節弁と開閉弁を含んでもよい。
【0094】
供給部２３ａは、供給源２６ａに接続される。例えば、配管２４ａは、供給源２６ａに接続される。供給部２３ａは、供給源２６ａに連通する。供給源２６ａは、供給部２３ａに昇華性物質を送る。同様に、供給部２３ｂは、供給源２６ｂに接続される。例えば、配管２４ｂは、供給源２６ｂに接続される。供給部２３ｂは、供給源２６ｂに連通する。供給源２６ｂは、供給部２３ｂに溶媒を送る。
【0095】
圧送ユニット３１は、配管３２と継ぎ手３３を備える。配管３２は、槽２２に接続される。配管３２は、槽２２に連通する。継ぎ手３３は、配管３２に接続される。継ぎ手３３は、さらに、配管１７ａに接続される。配管３２は、継ぎ手３３を介して、配管１７ａに接続される。配管３２は、継ぎ手３３を介して、配管１７ａに連通する。このため、槽２２は、配管３２および継ぎ手３３を介して、第１供給部１５ａに接続される。槽２２は、配管３２および継ぎ手３３を介して、第１供給部１５ａに連通する。よって、槽２２は、ノズル１６ａに接続される。槽２２は、ノズル１６ａに連通する。
【0096】
圧送ユニット３１は、さらに、ポンプ３４とフィルタ３５を備える。ポンプ３４は、配管３２に設けられる。ポンプ３４が運転するとき、ポンプ３４は槽２２から第１供給部１５ａに処理液ｇを送る。ポンプ３４が運転を停止するとき、ポンプ３４は槽２２から第１供給部１５ａに処理液ｇを送らない。フィルタ３５は、配管３２に設けられる。処理液ｇは、フィルタ３５を通過する。フィルタ３５は、処理液ｇを濾過する。フィルタ３５は、処理液ｇから異物を除去する。
【0097】
図３を参照する。制御部１０は、第１供給源１９ａと通信可能である。制御部１０は、第１供給源１９ａを制御する。制御部１０は、生成ユニット２１を制御する。制御部１０は、供給部２３ａ、２３ｂを制御する。制御部１０は、弁２５ａ、２５ｂを制御する。制御部１０は、圧送ユニット３１を制御する。制御部１０は、ポンプ３４を制御する。
【0098】
制御部１０は、第１供給源１９ａを制御するための処理液条件情報を有する。処理液条件情報は、例えば、処理液ｇの体積比ＲＶに関する目標値を含む。処理液条件情報は、制御部１０の記憶媒体に予め記憶されている。
【0099】
＜６．第１供給源１９ａおよび処理ユニット１１の動作例＞
図５は、実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。基板処理方法は、ステップＳ１とステップＳ１１－Ｓ１８を備える。ステップＳ１は、第１供給源１９ａによって実行される。ステップＳ１１－Ｓ１８は、実質的に処理ユニット１１によって実行される。ステップＳ１は、ステップＳ１１－Ｓ１８と並行して実行される。第１供給源１９ａおよび処理ユニット１１は、制御部１０の制御にしたがって、動作する。
図５は、実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。基板処理方法は、ステップＳ１とステップＳ１１－Ｓ１８を備える。ステップＳ１は、第１供給源１９ａによって実行される。ステップＳ１１－Ｓ１８は、実質的に処理ユニット１１によって実行される。ステップＳ１は、ステップＳ１１－Ｓ１８と並行して実行される。第１供給源１９ａおよび処理ユニット１１は、制御部１０の制御にしたがって、動作する。
【0100】
適宜に図４を参照して、各ステップＳ１、Ｓ１１－Ｓ１８を説明する。
【0101】
ステップＳ１：処理液生成工程
処理液生成工程では、処理液ｇが生成される。
処理液生成工程では、処理液ｇが生成される。
【0102】
生成ユニット２１は、処理液ｇを生成する。具体的には、供給部２３ａは、昇華性物質を槽２２に供給する。供給部２３ｂは、溶媒を槽２２に供給する。昇華性物質と溶媒は、槽２２において混合される。すなわち、処理液ｇは、槽２２において生成される。処理液ｇは、槽２２に貯留される。
【0103】
制御部１０は、弁２５ａ、２５ｂを制御する。これにより、制御部１０は、槽２２内における処理液ｇの体積比ＲＶを、処理液条件情報に規定される目標値に調整する。
【0104】
ステップＳ１１：回転開始工程
基板保持部１３は、基板Ｗを保持する。基板Ｗは、略水平姿勢で保持される。回転駆動部１４は、基板保持部１３を回転させる。これにより、基板保持部１３に保持される基板Ｗは、回転を開始する。
基板保持部１３は、基板Ｗを保持する。基板Ｗは、略水平姿勢で保持される。回転駆動部１４は、基板保持部１３を回転させる。これにより、基板保持部１３に保持される基板Ｗは、回転を開始する。
【0105】
後述のステップＳ１２－Ｓ１７では、基板Ｗは、例えば、回転し続ける。
【0106】
ステップＳ１２：薬液供給工程
薬液供給工程では、薬液が基板Ｗに供給される。
薬液供給工程では、薬液が基板Ｗに供給される。
【0107】
第２供給部１５ｂは、基板保持部１３によって保持される基板Ｗに薬液を供給する。具体的には、弁１８ｂは開く。ノズル１６ｂは薬液を吐出する。薬液は、基板Ｗの上面に供給される。例えば、薬液は、基板Ｗをエッチングする。例えば、薬液は、基板Ｗから自然酸化膜を除去する。
【0108】
その後、第２供給部１５ｂは、基板Ｗに対する薬液の供給を停止する。具体的には、弁１８ｂは閉じる。ノズル１６ｂは、薬液の吐出を停止する。
【0109】
ステップＳ１３：リンス液供給工程
リンス液供給工程では、リンス液が基板Ｗに供給される。
リンス液供給工程では、リンス液が基板Ｗに供給される。
【0110】
第３供給部１５ｃは、基板保持部１３によって保持される基板Ｗにリンス液を供給する。具体的には、弁１８ｃは開く。ノズル１６ｃは、リンス液を吐出する。リンス液は、基板Ｗの上面に供給される。例えば、リンス液は、基板Ｗを洗浄する。例えば、リンス液は、基板Ｗから薬液を除去する。
【0111】
その後、第３供給部１５ｃは、基板Ｗに対するリンス液の供給を停止する。具体的には、弁１８ｃは閉じる。ノズル１６ｃは、リンス液の吐出を停止する。
【0112】
ステップＳ１４：置換液供給工程
置換液供給工程では、置換液が基板Ｗに供給される。
置換液供給工程では、置換液が基板Ｗに供給される。
【0113】
第４供給部１５ｄは、基板保持部１３によって保持される基板Ｗに置換液を供給する。具体的には、弁１８ｄは開く。ノズル１６ｄは、置換液を吐出する。置換液は、基板Ｗの上面に供給される。置換液は、基板Ｗからリンス液を除去する。基板Ｗ上のリンス液は置換液に置き換えられる。
【0114】
その後、第４供給部１５ｄは、基板Ｗに対する置換液の供給を停止する。具体的には、弁１８ｄは閉じる。ノズル１６ｄは、置換液の吐出を停止する。
【0115】
ステップＳ１５：処理液供給工程
処理液供給工程では、処理液ｇが基板Ｗに供給される。
処理液供給工程では、処理液ｇが基板Ｗに供給される。
【0116】
圧送ユニット３１は、処理液ｇを第１供給部１５ａに供給する。第１供給部１５ａは、基板保持部１３によって保持される基板Ｗに処理液ｇを供給する。具体的には、ポンプ３４は、槽２２から第１供給部１５ａに、処理液ｇを送る。弁１８ａは開く。ノズル１６ａは、処理液ｇを吐出する。処理液ｇは、基板Ｗの上面に供給される。処理液ｇは、基板Ｗから置換液を除去する。基板Ｗ上の置換液は、処理液ｇに置き換えられる。
【0117】
その後、圧送ユニット３１は、第１供給部１５ａに対する処理液ｇの供給を停止する。第１供給部１５ａは、基板Ｗに対する処理液ｇの供給を停止する。具体的には、ポンプ３４は停止する。弁１８ａは閉じる。ノズル１６ａは、処理液ｇの吐出を停止する。
【0118】
図６は、処理液供給工程における基板Ｗを模式的に示す図である。基板Ｗが基板保持部１３に保持されるとき、パターンＰは基板Ｗの上面に位置する。基板Ｗが基板保持部１３に保持されるとき、パターンＰは上方を向く。基板Ｗが基板保持部１３に保持されるとき、凸部Ｗ１は上方に延びる。
【0119】
基板Ｗ上の処理液ｇは、液膜Ｇを形成する。液膜Ｇは、基板Ｗ上に位置する。液膜Ｇは、基板Ｗと接する。液膜Ｇは、基板Ｗを覆う。液膜Ｇは、基板Ｗの上面を覆う。
【0120】
パターンＰの全部は、液膜Ｇに浸漬される。凸部Ｗ１の全部は、液膜Ｇに浸漬される。凹部Ａは、液膜Ｇで満たされる。凹部Ａの全部は、液膜Ｇのみで満たされる。
【0121】
液膜Ｇは、上面Ｇ１を有する。上面Ｇ１は、パターンＰよりも高い位置に位置する。上面Ｇ１の全部は、パターンＰの全部よりも高い位置に位置する。上面Ｇ１は、パターンＰと交わらない。具体的には、上面Ｇ１は、凸部Ｗ１よりも高い位置に位置する。上面Ｇ１の全部は、凸部Ｗ１の全部よりも高い位置に位置する。上面Ｇ１は、凸部Ｗ１と交わらない。
【0122】
なお、置換液は、既に、処理液ｇによって、基板Ｗから除去された。このため、置換液は、基板Ｗ上に存在しない。置換液は、凹部Ａに残らない。
【0123】
気体Ｊは、液膜Ｇの上方に存在する。パターンＰは、気体Ｊと接しない。パターンＰは、気体Ｊに露出しない。凸部Ｗ１は、気体Ｊと接しない。凸部Ｗ１は、気体Ｊに露出しない。
【0124】
気体Ｊは、液膜Ｇと接する。気体Ｊは、上面Ｇ１と接する。上面Ｇ１は、液膜Ｇと気体Ｊの間の気液界面に相当する。したがって、パターンＰは、液膜Ｇと気体Ｊの間の気液界面と交わらない。凸部Ｗ１は、液膜Ｇと気体Ｊの間の気液界面と交わらない。このため、パターンＰは、処理液ｇの表面張力を受けない。凸部Ｗ１は、処理液ｇの表面張力を受けない。
【0125】
処理液供給工程では、さらに、上面Ｇ１の高さ位置を調整してもよい。例えば、ノズル１６ａが処理液ｇを基板Ｗに供給しながら、上面Ｇ１の高さ位置を調整してもよい。例えば、ノズル１６ａが処理液ｇの供給を停止した後に、上面Ｇ１の高さ位置を調整してもよい。例えば、基板Ｗの回転速度を調節することによって、上面Ｇ１の高さ位置を調整してもよい。例えば、基板Ｗの回転時間を調節することによって、上面Ｇ１の高さ位置を調整してもよい。
【0126】
ここで、上面Ｇ１の高さ位置を調整することは、液膜Ｇの厚みＨを調整することに相当する。液膜Ｇの厚みＨは、例えば、凸部Ｗ１の下端Ｗ１ａと上面Ｇ１との間の鉛直方向Ｚにおける距離である。
【0127】
ステップＳ１６：固化膜形成工程
固化膜形成工程では、溶媒は基板Ｗ上の処理液ｇから蒸発する。固化膜形成工程では、固化膜が基板Ｗ上に形成される。固化膜は昇華性物質を含む。
固化膜形成工程では、溶媒は基板Ｗ上の処理液ｇから蒸発する。固化膜形成工程では、固化膜が基板Ｗ上に形成される。固化膜は昇華性物質を含む。
【0128】
図７は、固化膜形成工程における基板Ｗを模式的に示す図である。上述の通り、溶媒は、比較的に高い蒸気圧を有する。常温において、溶媒の蒸気圧は、昇華性物質の蒸気圧よりも高い。このため、溶媒は、円滑に、基板Ｗ上の処理液ｇから蒸発する。溶媒は、円滑に、液体から気体に変化する。
【0129】
溶媒が基板Ｗ上の処理液ｇから蒸発するとき、溶媒は基板Ｗ上の処理液ｇから去る。溶媒が基板Ｗ上の処理液ｇから蒸発するにしたがって、液膜Ｇに含まれる溶媒の量は減少する。液膜Ｇに含まれる溶媒の量が減少するにしたがって、液膜Ｇの体積比ＲＶは上昇する。
【0130】
やがて、液膜Ｇ中の昇華性物質は基板Ｗ上において析出し始める。すなわち、昇華性物質は、処理液ｇの溶質から、固相の昇華性物質に変わる。固相の昇華性物質は、固化膜Ｋを形成する。固化膜Ｋは、溶媒を含まない。固化膜Ｋは、固体である。固化膜Ｋは、基板Ｗ上に形成される。
【0131】
昇華性物質の析出によって、液膜Ｇは徐々に固化膜Ｋに変わる。溶媒の蒸発および昇華性物質の析出によって、液膜Ｇは徐々に減少する。昇華性物質の析出によって、固化膜Ｋは徐々に増大する。
【0132】
まず、液膜Ｇの上部が、固化膜Ｋに変わる。固化膜Ｋは、液膜Ｇの上方に位置する。固化膜Ｋは、液膜Ｇの上面Ｇ１を覆う。
【0133】
固化膜Ｋが上面Ｇ１の全部を覆ったとき、固化膜Ｋは液膜Ｇを気体Ｊから隔てる。液膜Ｇは固化膜Ｋと接する。気体Ｊは固化膜Ｋと接する。液膜Ｇは、気体Ｊと接しない。上面Ｇ１は、気体Ｊと接しない。液膜Ｇと気体Ｊの間の気液界面は、消失する。
【0134】
このため、パターンＰは、気液界面と交わらない。凸部Ｗ１は、気液界面と交わらない。よって、パターンＰは、処理液ｇの表面張力を受けない。凸部Ｗ１は、処理液ｇの表面張力を受けない。
【0135】
固化膜Ｋが増大するにしたがって、上面Ｇ１の高さ位置は徐々に低くなる。固化膜Ｋが増大するにしたがって、液膜Ｇの厚みＨは徐々に小さくなる。液膜Ｇが凸部Ｗ１に有意な力を作用することなく、液膜Ｇは減少する。溶媒が凸部Ｗ１に有意な力を作用することなく、溶媒は基板Ｗから去る。
【0136】
図８は、固化膜形成工程における基板Ｗを模式的に示す図である。図８は、例えば、固化膜形成工程の終了時における基板Ｗを模式的に示す。固化膜形成工程の終了時、液膜Ｇの全部は基板Ｗ上から消失する。液膜Ｇは凹部Ａに残らない。溶媒の全部は基板Ｗ上から消失する。溶媒も凹部Ａに残らない。
【0137】
固化膜形成工程の終了時、固化膜Ｋのみが基板Ｗ上に存在する。凹部Ａは、固化膜Ｋで満たされる。凹部Ａの全部は、固化膜Ｋのみで満たされる。パターンＰは、固化膜Ｋと接する。固化膜Ｋは、パターンＰを支持する。固化膜Ｋは、パターンＰを保護する。例えば、パターンＰが倒壊することを、固化膜Ｋは防止する。凸部Ｗ１は、固化膜Ｋと接する。固化膜Ｋは、凸部Ｗ１を支持する。固化膜Ｋは、凸部Ｗ１を保護する。例えば、凸部Ｗ１が倒壊することを、固化膜Ｋは防止する。
【0138】
ステップＳ１７：昇華工程
昇華工程では、固化膜Ｋは昇華する。
昇華工程では、固化膜Ｋは昇華する。
【0139】
第５供給部１５ｅは、基板保持部１３によって保持される基板Ｗに乾燥ガスを供給する。具体的には、弁１８ｅは開く。ノズル１６ｅは、乾燥ガスを吐出する。ノズル１６ｅは、基板Ｗに乾燥ガスを吹き出す。乾燥ガスは、基板Ｗの上面に供給される。乾燥ガスは、固化膜Ｋに供給される。固化膜Ｋは、乾燥ガスに晒される。これにより、固化膜Ｋは昇華する。固化膜Ｋは、液体を経ずに、気体に変化する。固化膜Ｋの昇華によって、固化膜Ｋは基板Ｗから除去される。
【0140】
その後、第５供給部１５ｅは、固化膜Ｋに対する乾燥ガスの供給を停止する。具体的には、弁１８ｅは閉じる。ノズル１６ｅは、乾燥ガスの吹き出しを停止する。
【0141】
図９は、昇華工程における基板Ｗを模式的に示す図である。固化膜Ｋが昇華するに従って、固化膜Ｋは徐々に減少する。固化膜Ｋが昇華するに従って、固化膜Ｋは徐々に薄くなる。パターンＰは、気体Ｊに露出し始める。凸部Ｗ１は、気体Ｊに露出し始める。
【0142】
固化膜が昇華するとき、固化膜Ｋは、パターンＰに有意な力を作用しない。固化膜ＫがパターンＰに有意な力を作用することなく、固化膜Ｋは基板Ｗから去る。固化膜が昇華するとき、固化膜Ｋは、凸部Ｗ１に有意な力を作用しない。固化膜Ｋが凸部Ｗ１に有意な力を作用することなく、固化膜Ｋは基板Ｗから去る。
【0143】
固化膜Ｋが昇華するとき、固化膜Ｋは液体に変化しない。このため、昇華工程では、液体は、基板Ｗ上に発生しない。昇華工程では、液体は、基板Ｗ上に存在しない。昇華工程では、液体は、凹部Ａに存在しない。昇華工程では、気液界面は、パターンＰの近傍に発生しない。よって、昇華工程では、パターンＰは、気液界面と交わらない。昇華工程では、凸部Ｗ１は、気液界面と交わらない。
【0144】
図１０は、昇華工程における基板Ｗを模式的に示す図である。図１０は、例えば、昇華工程の終了時における基板Ｗを模式的に示す。昇華工程の終了時、固化膜Ｋの全部は、基板Ｗ上から消失する。固化膜Ｋは、基板Ｗ上に存在しない。液体も、基板Ｗ上に存在しない。パターンＰの全部は、気体Ｊに露出する。凸部Ｗ１の全部は、気体Ｊに露出する。凹部Ａの全部は、気体Ｊのみで満たされる。基板Ｗは、乾燥される。
【0145】
上述した処理液供給工程、固化膜形成工程および昇華工程における処理は、乾燥処理の例である。上述した処理液供給工程、固化膜形成工程および昇華工程における処理は、処理液ｇの使用例に相当する。処理液ｇの使用例を、改めて、以下にまとめる。処理液ｇは基板Ｗに供給され、基板Ｗ上の処理液ｇから溶媒が蒸発し、昇華性物質を含む固化膜Ｋが基板Ｗ上に形成され、その後、固化膜Ｋが昇華する。処理液ｇは、常温の環境の下で、使用される。処理液ｇは、常圧の環境の下で、使用される。
【0146】
ステップＳ１８：回転停止工程
回転駆動部１４は、基板保持部１３の回転を停止する。基板保持部１３に保持される基板Ｗは、回転を停止する。基板Ｗは、静止する。処理ユニット１１は、基板Ｗに対する処理を終了する。
回転駆動部１４は、基板保持部１３の回転を停止する。基板保持部１３に保持される基板Ｗは、回転を停止する。基板Ｗは、静止する。処理ユニット１１は、基板Ｗに対する処理を終了する。
【0147】
＜７．処理液ｇの技術的意義＞
実施例１－６によって、処理液ｇの技術的意義を説明する。
実施例１－６によって、処理液ｇの技術的意義を説明する。
【0148】
実施例１の条件を説明する。実施例１では、薬液供給工程とリンス液供給工程と置換液供給工程と処理液供給工程と固化膜形成工程と昇華工程を含む一連の処理を、基板Ｗは受ける。
【0149】
薬液供給工程で使用される薬液は、フッ化水素酸である。フッ化水素酸は、フッ化水素と水の混合液である。フッ化水素と水の体積比は、以下の通りである。
フッ化水素：水＝１：１０（体積比）
フッ化水素：水＝１：１０（体積比）
【0150】
リンス液供給工程で使用されるリンス液は、脱イオン水である。
【0151】
置換液供給工程で使用される置換液は、イソプロピルアルコールである。
【0152】
処理液供給工程で使用される処理液ｇは、昇華性物質と溶媒からなる。昇華性物質は、化合物ａである。具体的には、昇華性物質は、o-アセトアニシジドである。溶媒は、イソプロピルアルコールである。処理液ｇの体積比ＲＶは、２．５［Ｖｏｌ％］である。
【0153】
固化膜形成工程では、１５００ｒｐｍの回転速度で、基板Ｗを回転する。
【0154】
昇華工程では、１５００ｒｐｍの回転速度で、基板Ｗを回転しつつ、乾燥ガスを基板Ｗに供給する。
【0155】
実施例２の条件を説明する。実施例２では、昇華性物質は、化合物ｂである。具体的には、実施例２では、昇華性物質は、N-エチル-p-トルエンスルホンアミドである。これ以外の条件については、実施例２は実施例１と同じである。
【0156】
実施例３の条件を説明する。実施例３では、昇華性物質は、化合物ｃである。具体的には、実施例３では、昇華性物質は、4-クロロフェニル酢酸である。これ以外の条件については、実施例３は実施例１と同じである。
【0157】
実施例４の条件を説明する。実施例４では、昇華性物質は、化合物ｄである。具体的には、実施例４では、昇華性物質は、4-メトキシフェニル酢酸である。これ以外の条件については、実施例４は実施例１と同じである。
【0158】
実施例５の条件を説明する。実施例５では、昇華性物質は、化合物ｅである。具体的には、実施例５では、昇華性物質は、2-クロロフェニル酢酸である。これ以外の条件については、実施例５は実施例１と同じである。
【0159】
実施例６の条件を説明する。実施例６では、昇華性物質は、化合物ｆである。具体的には、実施例６では、昇華性物質は、イソフタル酸ジメチルである。これ以外の条件については、実施例６は実施例１と同じである。
【0160】
実施例１－６で処理された各基板Ｗは、平均倒壊率Ｅａによって、評価された。
【0161】
平均倒壊率Ｅａは、以下のようにして求められる。平均倒壊率Ｅａは、複数の局所倒壊率Ｅｉの平均値である。局所倒壊率Ｅｉは、局所エリアＦｉにおける倒壊率である。ｉは、１からＮＦまでの任意の自然数である。数ＮＦは、局所エリアＦｉの数である。数ＮＦは、２以上の自然数である。各局所エリアＦｉは、基板Ｗの微小領域である。各局所エリアＦｉは、例えば、走査型電子顕微鏡によって５０，０００倍に拡大される。観察者は、各局所エリアＦｉにおけるパターンＰを観察する。観察者は、各局所エリアＦｉにおける凸部Ｗ１を１つずつ観察する。観察者は、各局所エリアＦｉにおける凸部Ｗ１を１つずつ評価する。観察者は、各局所エリアＦｉにおける凸部Ｗ１を１つずつ判定する。具体的には、観察者は、凸部Ｗ１が倒壊したか否かを、各凸部Ｗ１について、判定する。観察者は、各凸部Ｗ１を、倒壊した凸部Ｗ１および倒壊してない凸部Ｗ１のいずれかに分類する。ここで、局所エリアＦｉにおいて観察された凸部Ｗ１の数を、ＮＡｉとする。局所エリアＦｉにおいて倒壊した凸部Ｗ１の数を、ＮＢｉとする。数ＮＢｉは、数ＮＡｉ以下である。局所倒壊率Ｅｉは、数ＮＡｉに対する数ＮＢｉの割合である。局所倒壊率Ｅｉは、例えば、次式によって、規定される。
Ｅｉ＝ＮＢｉ／ＮＡｉ＊１００ （％）
平均倒壊率Ｅａは、各局所倒壊率Ｅｉの和を、数ＮＦで除した値である。
Ｅｉ＝ＮＢｉ／ＮＡｉ＊１００ （％）
平均倒壊率Ｅａは、各局所倒壊率Ｅｉの和を、数ＮＦで除した値である。
【0162】
実施例１では、平均倒壊率Ｅａは１．３５％であった。実施例２では、平均倒壊率Ｅａは１．９５％であった。実施例３では、平均倒壊率Ｅａは３．１４％であった。実施例４では、平均倒壊率Ｅａは２．１２％であった。実施例５では、平均倒壊率Ｅａは１．９３％であった。実施例６では、平均倒壊率Ｅａは４．７０％であった。
【0163】
実施例１－６の平均倒壊率Ｅａは、十分に低い。このため、実施例１－６では、パターンＰの倒壊は好適に抑制された。言い換えれば、実施例１－６では、パターンＰは好適に保護された。よって、実施例１－６では、基板Ｗは適切に乾燥された。具体的には、基板Ｗに形成されるパターンＰが好適に保護されつつ、基板Ｗは乾燥された。
【0164】
＜８．実施形態の効果＞
実施形態の基板処理方法は、パターンＰが形成された基板Ｗを処理するためのものである。基板処理方法は、処理液供給工程と固化膜形成工程と昇華工程を備える。処理液供給工程では、処理液ｇが基板Ｗに供給される。処理液ｇは、昇華性物質と溶媒を含む。固化膜形成工程では、溶媒は基板Ｗ上の処理液ｇから蒸発する。固化膜形成工程では、固化膜Ｋが基板Ｗ上に形成される。固化膜Ｋは、昇華性物質を含む。昇華工程では、固化膜Ｋは昇華する。固化膜Ｋの昇華により、基板Ｗは乾燥される。
実施形態の基板処理方法は、パターンＰが形成された基板Ｗを処理するためのものである。基板処理方法は、処理液供給工程と固化膜形成工程と昇華工程を備える。処理液供給工程では、処理液ｇが基板Ｗに供給される。処理液ｇは、昇華性物質と溶媒を含む。固化膜形成工程では、溶媒は基板Ｗ上の処理液ｇから蒸発する。固化膜形成工程では、固化膜Ｋが基板Ｗ上に形成される。固化膜Ｋは、昇華性物質を含む。昇華工程では、固化膜Ｋは昇華する。固化膜Ｋの昇華により、基板Ｗは乾燥される。
【0165】
ここで、昇華性物質は、化合物ａ－ｆの少なくとも１つを含む。具体的には、昇華性物質は、o-アセトアニシジド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、4-クロロフェニル酢酸、4-メトキシフェニル酢酸、2-クロロフェニル酢酸、および、イソフタル酸ジメチルの少なくとも１つを含む。このため、固化膜形成工程では、固化膜Ｋは基板Ｗ上に好適に形成される。
【0166】
固化膜Ｋは、化合物ａ－ｆの少なくとも１つを含む。このため、昇華工程では、固化膜Ｋは適切に昇華する。すなわち、昇華工程では、基板Ｗは適切に乾燥される。具体的には、昇華工程では、基板Ｗに形成されるパターンＰが好適に保護されつつ、基板Ｗは乾燥される。
【0167】
以上の通り、本基板処理方法によれば、基板Ｗは適切に乾燥される。
【0168】
溶媒は、イソプロピルアルコールである。イソプロピルアルコールは、化合物ａを好適に溶解する。同様に、イソプロピルアルコールは、化合物ｂ―ｆを好適に溶解する。このため、処理液ｇを使用することは、容易である。具体的には、処理液供給工程において処理液ｇを基板Ｗに供給することは、容易である。よって、処理液ｇは、基板Ｗに適切に供給される。したがって、基板Ｗは、一層適切に乾燥される。
【0169】
基板処理方法は、処理液生成工程を備える。処理液生成工程では、処理液ｇが生成される。このため、処理液ｇは好適に準備される。よって、処理液ｇを使用することは、一層容易である。
【0170】
処理液生成工程では、昇華性物質と溶媒を混合することによって、処理液ｇを生成する。このため、処理液ｇを生成することは、容易である。
【0171】
処理液生成工程では、処理液ｇは、槽２２に貯留される。このため、処理液ｇを保管することは、容易である。よって、処理液ｇを使用することは、一層容易である。
【0172】
上述の通り、溶媒はイソプロピルアルコールである。このため、処理液の取り扱いは、容易である。処理液の取り扱いは、処理液の準備、処理液の生成、処理液の保管および処理液の使用の少なくとも１つを含む。
【0173】
基板処理装置１は、基板保持部１３と第１供給部１５ａを備える。基板保持部１３は、基板Ｗを保持する。第１供給部１５ａは、基板保持部１３によって保持される基板Ｗに処理液ｇを供給する。処理液ｇは、昇華性物質と溶媒を含む。
【0174】
ここで、昇華性物質は、化合物ａ－ｆの少なくとも１つを含む。このため、固化膜Ｋは基板Ｗ上に好適に形成される。
【0175】
固化膜Ｋは、化合物ａ－ｆの少なくとも１つを含む。このため、固化膜Ｋは、適切に昇華する。すなわち、基板Ｗは適切に乾燥される。具体的には、基板Ｗに形成されるパターンＰが好適に保護されつつ、基板Ｗは乾燥される。
【0176】
以上の通り、基板処理装置１によれば、基板Ｗは適切に乾燥される。
【0177】
溶媒は、イソプロピルアルコールである。上述の通り、イソプロピルアルコールは、化合物ａ－ｆを好適に溶解する。このため、処理液ｇを使用することは、容易である。具体的には、第１供給部１５ａが基板保持部１３によって保持される基板Ｗに処理液ｇを供給することは、容易である。よって、処理液ｇは、基板Ｗに適切に供給される。したがって、基板Ｗは、一層適切に乾燥される。
【0178】
処理液ｇは、パターンＰが形成された基板Ｗの乾燥に用いられる。処理液ｇは、具体的には、乾燥補助液である。処理液ｇは、昇華性物質と溶媒を含む。
【0179】
ここで、昇華性物質は、化合物ａ－ｆの少なくとも１つを含む。このため、処理液ｇを基板Ｗに供給することによって、固化膜Ｋは基板Ｗ上に好適に形成される。さらに、固化膜Ｋは適切に昇華する。すなわち、基板Ｗは適切に乾燥される。具体的には、基板Ｗに形成されるパターンＰが好適に保護されつつ、基板Ｗは乾燥される。
【0180】
以上の通り、処理液ｇを用いて、基板Ｗは適切に乾燥される。基板Ｗを乾燥させるために、処理液ｇは有用である。
【0181】
溶媒は、イソプロピルアルコールである。上述の通り、イソプロピルアルコールは、化合物ａ－ｆを好適に溶解する。このため、処理液ｇを使用することは、容易である。よって、処理液ｇを用いて、基板Ｗは一層適切に乾燥される。基板Ｗを乾燥させるために、処理液ｇは一層有用である。
【0182】
さらに、処理液ｇの取り扱いは、容易である。例えば、処理液ｇを準備することは、容易である。例えば、処理液ｇを生成することは、容易である。例えば、処理液ｇを保管することは、容易である。例えば、処理液ｇを使用することは、容易である。
【0183】
処理液ｇは基板Ｗに供給される。基板Ｗ上の処理液ｇから溶媒が蒸発する。昇華性物質を含む固化膜Ｋが基板Ｗ上に形成される。その後、固化膜Ｋが昇華する。処理液ｇがこのように使用されるとき、基板Ｗは一層適切に乾燥される。処理液ｇがこのように使用されるとき、基板Ｗを乾燥させるために処理液ｇは一層有用である。
【0184】
＜９．変形実施形態＞
本発明は、実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
本発明は、実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【0185】
（１）実施形態では、処理液ｇが第１供給部１５ａに供給される前に、処理液ｇは生成された。実施形態では、第１供給源１９ａは、槽２２において、処理液を生成した。但し、これに限られない。例えば、処理液ｇが第１供給部１５ａに供給されるときに、処理液ｇは生成されてもよい。例えば、第１供給源１９ａは、処理液ｇを第１供給部１５ａに供給する流路で、処理液ｇを生成してもよい。
【0186】
図１１は、変形実施形態の処理ユニット１１および第１供給源１９ａの構成を示す図である。なお、実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
【0187】
第１供給源１９ａは、第１槽４１と第２槽４２を備える。第１槽４１は、昇華性物質を貯留する。例えば、第１槽４１は、昇華性物質とともに溶媒を貯留してもよい。第２槽４２は、溶媒を貯留する。例えば、第２槽４２は、溶媒のみを貯留する。
【0188】
第１供給源１９ａは、混合部４４を備える。混合部４４は、第１槽４１と第２槽４２に接続される。混合部４４は、第１槽４１と第２槽４２に連通する。混合部４４は、処理液ｇを生成する。混合部４４は、さらに、第１供給部１５ａに接続される。混合部４４は、第１供給部１５ａに連通する。混合部４４は、処理液ｇを第１供給部１５ａに供給する。
【0189】
具体的には、混合部４４は、配管４５ａ、４５ｂと継ぎ手４６を備える。配管４５ａは、第１槽４１に接続される。配管４５ａは、第１槽４１に連通する。配管４５ｂは、第２槽４２に接続される。配管４５ｂは、第２槽４２に連通する。継ぎ手４６は、配管４５ａ、４５ｂに接続される。継ぎ手４６は、配管４５ａ、４５ｂに連通する。継ぎ手４６は、さらに、配管１７ａに接続される。継ぎ手４６は、さらに、配管１７ａに連通する。配管４５ａ、４５ｂは、継ぎ手４６を介して、配管１７ａに接続される。配管４５ａ、４５ｂは、継ぎ手４６を介して、配管１７ａに連通する。
【0190】
混合部４４は、ポンプ４７ａ、４７ｂを備える。ポンプ４７ａ、４７ｂはそれぞれ、配管４５ａ、４５ｂに設けられる。ポンプ４７ａは、配管４５ａを通じて、第１槽４１から継ぎ手４６に昇華性物質を送る。ポンプ４７ｂは、配管４５ｂを通じて、第２槽４２から継ぎ手４６に溶媒を送る。
【0191】
混合部４４は、フィルタ４８ａ、４８ｂを備える。フィルタ４８ａ、４８ｂはそれぞれ、配管４５ａ、４５ｂに設けられる。昇華性物質は、フィルタ４８ａを通過する。フィルタ４８ａは、昇華性物質を濾過する。溶媒は、フィルタ４８ｂを通過する。フィルタ４８ｂは、溶媒を濾過する。
【0192】
混合部４４は、弁４９ａ、４９ｂを備える。弁４９ａ、４９ｂはそれぞれ、配管４５ａ、４５ｂに設けられる。弁４９ａは、配管４５ａを流れる昇華性物質の流量を調整する。弁４９ｂは、配管４５ｂを流れる溶媒の流量を調整する。弁４９ａ、４９ｂはそれぞれ、例えば、流量調節弁を含んでもよい。弁４９ａ、４９ｂはそれぞれ、例えば、流量調節弁と開閉弁を含んでもよい。
【0193】
変形実施形態における第１供給源１９ａの動作例を説明する。処理液供給工程では、第１供給源１９ａは、処理液ｇを生成し、処理液ｇを第１供給部１５ａに送る。具体的には、弁４９ａ、４９ｂは、開く。ポンプ４７ａは、第１槽４１から継ぎ手４６に昇華性物質を送る。ポンプ４７ｂは、第２槽４２から継ぎ手４６に溶媒を送る。昇華性物質と溶媒は、継ぎ手４６において、混合される。昇華性物質と溶媒は、継ぎ手４６において、処理液ｇになる。さらに、処理液ｇは、継ぎ手４６から第１供給部１５ａに流れる。ノズル１６ａは、処理液ｇを吐出する。
【0194】
本変形実施形態によれば、処理液ｇが第１供給部１５ａに供給される前に、処理液ｇを保管することを要しない。このため、処理液の体積比ＲＶは、精度良く管理される。よって、基板Ｗは一層適切に乾燥される。
【0195】
さらに、第１供給源１９ａは槽２２を備えない。よって、第１供給源１９ａの構造は好適に簡素化される。第１供給源１９ａは好適に小型化される。
【0196】
（２）実施形態の基板処理方法は、薬液供給工程、リンス液供給工程および置換液供給工程を備えた。但し、これに限られない。例えば、薬液供給工程、リンス液供給工程および置換液供給工程の少なくともいずれかを省略してもよい。例えば、薬液供給工程、リンス液供給工程および置換液供給工程の全部を省略してもよい。
【0197】
（３）実施形態では、処理液供給工程を実行するとき、液体（例えば、置換液）が、基板Ｗ上に存在した。すなわち、処理液供給工程では、乾燥していない状態の基板Ｗに、処理液ｇが供給された。但し、これに限られない。例えば、処理液供給工程を実行するとき、液体（例えば、置換液）は、基板Ｗ上に存在しなくてもよい。例えば、処理液供給工程では、乾燥した状態の基板Ｗに処理液ｇが供給されてもよい。
【0198】
（４）実施形態の処理液供給工程では、処理液ｇは、基板Ｗから置換液を除去した。但し、これに限られない。例えば、処理液供給工程では、処理液ｇは、基板Ｗを洗浄してもよい。例えば、処理液供給工程では、処理液ｇは、基板Ｗに付着する異物を除去してもよい。例えば、処理液供給工程では、処理液ｇは、基板Ｗに付着する異物を溶解してもよい。異物は、例えば、レジスト残渣である。
【0199】
（５）実施形態の固化膜形成工程では、乾燥ガスは基板Ｗに供給されなかった。但し、これに限られない。固化膜形成工程では、乾燥ガスが基板Ｗに供給されてもよい。固化膜形成工程では、乾燥ガスが基板Ｗ上の処理液ｇに供給されてもよい。本変形実施形態によれば、固化膜形成工程において、基板Ｗ上の処理液ｇは、乾燥ガスに晒される。このため、固化膜形成工程では、溶媒は、基板Ｗ上の処理液ｇから、効率良く蒸発する。固化膜形成工程では、固化膜Ｋは、基板Ｗ上に効率良く形成される。
【0200】
（６）実施形態において、例えば、処理ユニット１１が基板Ｗを処理する前に、基板Ｗ上のパターンＰは基板Ｗに形成されてもよい。あるいは、処理ユニット１１が基板Ｗを処理するときに、パターンＰは基板Ｗに形成されてもよい。パターンＰは、例えば、薬液供給工程（ステップＳ１２）において、基板Ｗに形成されてもよい。
【0201】
（７）実施形態および上記（１）から（６）で説明した各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。
【符号の説明】
【0202】
１ … 基板処理装置
１０ … 制御部
１１ … 処理ユニット
１３ … 基板保持部
１５ … 供給部
１５ａ … 第１供給部（処理液供給部）
１９ａ … 第１供給源
Ａ … 凹部
ｇ … 処理液
Ｇ … 処理液の液膜
Ｋ … 固化膜
Ｐ … パターン
Ｗ … 基板
Ｗ１ … 凸部
１０ … 制御部
１１ … 処理ユニット
１３ … 基板保持部
１５ … 供給部
１５ａ … 第１供給部（処理液供給部）
１９ａ … 第１供給源
Ａ … 凹部
ｇ … 処理液
Ｇ … 処理液の液膜
Ｋ … 固化膜
Ｐ … パターン
Ｗ … 基板
Ｗ１ … 凸部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】