特開 2024-120503 フィルタ、マルチプレクサ、およびフィルタの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024120503

(43)【公開日】2024-09-05

(54)【発明の名称】フィルタ、マルチプレクサ、およびフィルタの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/54 20060101AFI20240829BHJP

   H03H 9/17 20060101ALI20240829BHJP

   H03H 3/02 20060101ALI20240829BHJP

【ＦＩ】

H03H9/54 Z

H03H9/17 F

H03H3/02 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023027335

(22)【出願日】2023-02-24

(71)【出願人】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】川島 由

【テーマコード（参考）】

5J108

【Ｆターム（参考）】

5J108AA07

5J108BB08

5J108CC04

5J108DD02

5J108EE03

5J108FF13

5J108KK01

5J108KK02

5J108MM08

5J108MM14

(57)【要約】

【課題】下部配線へのダメージを抑制するフィルタを提供する。
【解決手段】フィルタ１００は、タンタル酸リチウム膜又はニオブ酸リチウム膜であり、薄膜部分１３と厚膜部分１４を有する圧電膜１２と、入力パッド８０及び出力パッド８１と、入力パッド８０と出力パッド８１の間に直列に接続され、薄膜部分１３と薄膜部分１３を挟む下部電極２０及び上部電極２１とを有する直列共振器Ｓ１、Ｓ２と、入力パッド８０と出力パッド８１の間に並列に接続され、厚膜部分１４と厚膜部分１４を挟む下部電極３０及び上部電極３１とを有する並列共振器Ｐ１と、直列共振器Ｓ１、Ｓ２と並列共振器Ｐ１の間を接続し、下部電極２０と下部電極３０に接続された下部配線４１、６１と、圧電膜１２を貫通する貫通孔１７に設けられ、貫通孔１７の側面における圧電膜１２の厚さは貫通孔１７の全周において同じであり、下部配線４１、６１に接続された導電膜８５とを備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に設けられ、単結晶タンタル酸リチウム膜または単結晶ニオブ酸リチウム膜であり、薄膜部分と前記薄膜部分より厚い厚膜部分とを有する圧電膜と、
前記基板上に設けられた入力パッドおよび出力パッドと、
前記入力パッドと前記出力パッドとの間に直列に接続され、前記圧電膜の前記薄膜部分と、前記薄膜部分を挟む第１下部電極および第１上部電極と、を有する複数の直列共振器と、
前記入力パッドと前記出力パッドとの間に並列に接続され、前記圧電膜の前記厚膜部分と、前記厚膜部分を挟む第２下部電極および第２上部電極と、を有する１または複数の並列共振器と、
前記複数の直列共振器と前記１または複数の並列共振器との間を接続し、少なくとも１つは前記第１下部電極と前記第２下部電極とに接続された下部配線である１または複数の配線と、
前記圧電膜を貫通する貫通孔に設けられ、前記貫通孔の側面における前記圧電膜の厚さは前記貫通孔の全周において同じであり、前記下部配線に接続された導電膜と、を備えるフィルタ。

【請求項2】

前記貫通孔は、前記圧電膜の前記薄膜部分および前記厚膜部分のうちいずれか一方を貫通する、請求項１に記載のフィルタ。

【請求項3】

前記下部配線は、前記複数の直列共振器の間を接続する第１下部配線と、前記第１下部配線と前記１または複数の並列共振器の間を接続する第２下部配線と、を有し、
前記貫通孔は、前記第１下部配線と前記第２下部配線に重なって前記圧電膜に設けられる、請求項１または２に記載のフィルタ。

【請求項4】

前記入力パッド、前記出力パッド、および前記１または複数の並列共振器が接続するグランドパッドの少なくとも１つは、前記圧電膜を貫通する他の貫通孔に設けられ、前記他の貫通孔が貫通する前記圧電膜の厚さは前記貫通孔が貫通する前記圧電膜の厚さと同じである、請求項１または２に記載のフィルタ。

【請求項5】

基板と、
前記基板上に設けられ、単結晶タンタル酸リチウム膜または単結晶ニオブ酸リチウム膜であり、薄膜部分と前記薄膜部分より厚い厚膜部分とを有する圧電膜と、
前記圧電膜の前記薄膜部分と、前記薄膜部分を挟む第１下部電極および第１上部電極と、を有する１または複数の直列共振器と、
前記圧電膜の前記厚膜部分と、前記厚膜部分を挟む第２下部電極および第２上部電極と、を有する１または複数の並列共振器と、
前記１または複数の直列共振器が間に直列に接続され、少なくとも一方が前記圧電膜を貫通する第１貫通孔に設けられ、前記第１下部電極に接続する第１下部配線に接続された入力パッドおよび出力パッドと、
前記１または複数の並列共振器が接続され、少なくとも１つが前記圧電膜を貫通する第２貫通孔に設けられ、前記第２貫通孔の側面における前記圧電膜の厚さは前記第１貫通孔の側面における前記圧電膜の厚さと同じであり、前記第２下部電極に接続する第２下部配線に接続された１または複数のグランドパッドと、を備えるフィルタ。

【請求項6】

前記第１貫通孔および前記第２貫通孔は、前記圧電膜の前記薄膜部分および前記厚膜部分のうちいずれか一方を貫通する、請求項５に記載のフィルタ。

【請求項7】

前記圧電膜は、第１圧電膜と、前記第１圧電膜に積層され、前記第１圧電膜の自発分極の方向と反対方向の自発分極の方向を有する第２圧電膜と、を有する、請求項１または５に記載のフィルタ。

【請求項8】

請求項１または５に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。

【請求項9】

単結晶タンタル酸リチウム膜または単結晶ニオブ酸リチウム膜である圧電膜の一部を薄くして薄膜部分と前記薄膜部分より厚い厚膜部分とを有する前記圧電膜を形成する工程と、
前記圧電膜の前記薄膜部分と、前記薄膜部分を挟む第１下部電極および第１上部電極と、を有する複数の直列共振器を形成する工程と、
前記圧電膜の前記厚膜部分と、前記厚膜部分を挟む第２下部電極および第２上部電極と、を有する１または複数の並列共振器を形成する工程と、
前記複数の直列共振器と前記１または複数の並列共振器との間を接続し、少なくとも１つは前記第１下部電極と前記第２下部電極とに接続された下部配線である１または複数の配線を形成する工程と、
前記下部配線を露出させる貫通孔を前記圧電膜の厚さが同じ部分に物理エッチング法を用いて形成する工程と、
前記貫通孔に導電膜を埋め込む工程と、を備えるフィルタの製造方法。

【請求項10】

単結晶タンタル酸リチウム膜または単結晶ニオブ酸リチウム膜である圧電膜の一部を薄くして薄膜部分と前記薄膜部分より厚い厚膜部分とを有する前記圧電膜を形成する工程と、
前記圧電膜の前記薄膜部分と、前記薄膜部分を挟む第１下部電極および第１上部電極と、を有する１または複数の直列共振器を形成する工程と、
前記圧電膜の前記厚膜部分と、前記厚膜部分を挟む第２下部電極および第２上部電極と、を有する１または複数の並列共振器を形成する工程と、
前記第１下部電極に接続する第１下部配線および前記第２下部電極に接続する第２下部配線を形成する工程と、
前記第１下部配線を露出させる第１貫通孔と前記第２下部配線を露出させる第２貫通孔とを前記圧電膜の厚さが同じ部分に物理エッチング法を用いて同時に形成する工程と、
前記第１貫通孔に導電膜を埋め込んで入力パッドおよび出力パッドの少なくとも一方を形成する工程と、
前記第２貫通孔に導電膜を埋め込んでグランドパッドを形成する工程と、を備えるフィルタの製造方法。

【請求項11】

前記物理エッチング法としてイオンミリング法を用いる、請求項９または１０に記載のフィルタの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、フィルタ、マルチプレクサ、およびフィルタの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

圧電膜と、圧電膜を挟む下部電極および上部電極と、を備える圧電薄膜共振器が知られている。圧電膜を挟み下部電極と上部電極が対向する領域は、弾性波が共振する共振領域である。圧電膜に、単結晶ニオブ酸リチウム膜または単結晶タンタル酸リチウム膜を用いることが知られている（例えば特許文献１）。圧電薄膜共振器は、携帯電話などの無線端末の高周波回路用のフィルタおよびデュプレクサとして用いられる。フィルタとして、入力端子と出力端子との間に直列に接続された直列共振器と、並列に接続された並列共振器と、を備えるラダー型フィルタが知られている。直列共振器と並列共振器とで互いに共振周波数が異なるようにする。そこで、共振器の圧電膜の厚さを異ならせることで共振周波数を異ならせることが知られている（例えば特許文献２）。また、共振領域の周りの圧電膜を掘り込む構成が知られている（例えば特許文献３、非特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開平１０－５１２６２号公報

【特許文献2】特開２００２－３５９５３４号公報

【特許文献3】特表２０１８－５３７６７２号公報

【非特許文献】

【0004】

【非特許文献1】Ting Wu、外４名、「Application of Free Side Edges to Thickness Shear Bulk Acoustic Resonator On Lithium Niobate for Suppression of Transverse Resonance」、弾性波素子技術コンソーシアム第２回研究会資料、令和３年３月８日

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

直列共振器は並列共振器より共振周波数が高くなるようにする。これは、直列共振器の圧電膜の厚さを並列共振器の圧電膜の厚さに比べて薄くすることで実現できる。また、共振器の下部電極に接続する下部配線を露出させる貫通孔を圧電膜に形成し、貫通孔に下部配線に接続する導電膜を形成することがある。このときに、直列共振器と並列共振器とで圧電膜の厚さが異なることで、圧電膜に貫通孔を形成する際に下部配線まで削ってしまい、下部配線にダメージを与えてしまうことがある。

【0006】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、下部配線にダメージを与えることを抑制することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明は、基板と、前記基板上に設けられ、単結晶タンタル酸リチウム膜または単結晶ニオブ酸リチウム膜であり、薄膜部分と前記薄膜部分より厚い厚膜部分とを有する圧電膜と、前記基板上に設けられた入力パッドおよび出力パッドと、前記入力パッドと前記出力パッドとの間に直列に接続され、前記圧電膜の前記薄膜部分と、前記薄膜部分を挟む第１下部電極および第１上部電極と、を有する複数の直列共振器と、前記入力パッドと前記出力パッドとの間に並列に接続され、前記圧電膜の前記厚膜部分と、前記厚膜部分を挟む第２下部電極および第２上部電極と、を有する１または複数の並列共振器と、前記複数の直列共振器と前記１または複数の並列共振器との間を接続し、少なくとも１つは前記第１下部電極と前記第２下部電極とに接続された下部配線である１または複数の配線と、前記圧電膜を貫通する貫通孔に設けられ、前記貫通孔の側面における前記圧電膜の厚さは前記貫通孔の全周において同じであり、前記下部配線に接続された導電膜と、を備えるフィルタである。

【0008】

上記構成において、前記貫通孔は、前記圧電膜の前記薄膜部分および前記厚膜部分のうちいずれか一方を貫通する構成とすることができる。

【0009】

上記構成において、前記下部配線は、前記複数の直列共振器の間を接続する第１下部配線と、前記第１下部配線と前記１または複数の並列共振器の間を接続する第２下部配線と、を有し、前記貫通孔は、前記第１下部配線と前記第２下部配線に重なって前記圧電膜に設けられる構成とすることができる。

【0010】

上記構成において、前記入力パッド、前記出力パッド、および前記１または複数の並列共振器が接続するグランドパッドの少なくとも１つは、前記圧電膜を貫通する他の貫通孔に設けられ、前記他の貫通孔が貫通する前記圧電膜の厚さは前記貫通孔が貫通する前記圧電膜の厚さと同じである構成とすることができる。

【0011】

本発明は、基板と、前記基板上に設けられ、単結晶タンタル酸リチウム膜または単結晶ニオブ酸リチウム膜であり、薄膜部分と前記薄膜部分より厚い厚膜部分とを有する圧電膜と、前記圧電膜の前記薄膜部分と、前記薄膜部分を挟む第１下部電極および第１上部電極と、を有する１または複数の直列共振器と、前記圧電膜の前記厚膜部分と、前記厚膜部分を挟む第２下部電極および第２上部電極と、を有する１または複数の並列共振器と、前記１または複数の直列共振器が間に直列に接続され、少なくとも一方が前記圧電膜を貫通する第１貫通孔に設けられ、前記第１下部電極に接続する第１下部配線に接続された入力パッドおよび出力パッドと、前記１または複数の並列共振器が接続され、少なくとも１つが前記圧電膜を貫通する第２貫通孔に設けられ、前記第２貫通孔の側面における前記圧電膜の厚さは前記第１貫通孔の側面における前記圧電膜の厚さと同じであり、前記第２下部電極に接続する第２下部配線に接続された１または複数のグランドパッドと、を備えるフィルタである。

【0012】

上記構成において、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔は、前記圧電膜の前記薄膜部分および前記厚膜部分のうちいずれか一方を貫通する構成とすることができる。

【0013】

上記構成において、前記圧電膜は、第１圧電膜と、前記第１圧電膜に積層され、前記第１圧電膜の自発分極の方向と反対方向の自発分極の方向を有する第２圧電膜と、を有する構成とすることができる。

【0014】

本発明は、上記に記載のフィルタを含むマルチプレクサである。

【0015】

本発明は、単結晶タンタル酸リチウム膜または単結晶ニオブ酸リチウム膜である圧電膜の一部を薄くして薄膜部分と前記薄膜部分より厚い厚膜部分とを有する前記圧電膜を形成する工程と、前記圧電膜の前記薄膜部分と、前記薄膜部分を挟む第１下部電極および第１上部電極と、を有する複数の直列共振器を形成する工程と、前記圧電膜の前記厚膜部分と、前記厚膜部分を挟む第２下部電極および第２上部電極と、を有する１または複数の並列共振器を形成する工程と、前記複数の直列共振器と前記１または複数の並列共振器との間を接続し、少なくとも１つは前記第１下部電極と前記第２下部電極とに接続された下部配線である１または複数の配線を形成する工程と、前記下部配線を露出させる貫通孔を前記圧電膜の厚さが同じ部分に物理エッチング法を用いて形成する工程と、前記貫通孔に導電膜を埋め込む工程と、を備えるフィルタの製造方法である。

【0016】

本発明は、単結晶タンタル酸リチウム膜または単結晶ニオブ酸リチウム膜である圧電膜の一部を薄くして薄膜部分と前記薄膜部分より厚い厚膜部分とを有する前記圧電膜を形成する工程と、前記圧電膜の前記薄膜部分と、前記薄膜部分を挟む第１下部電極および第１上部電極と、を有する１または複数の直列共振器を形成する工程と、前記圧電膜の前記厚膜部分と、前記厚膜部分を挟む第２下部電極および第２上部電極と、を有する１または複数の並列共振器を形成する工程と、前記第１下部電極に接続する第１下部配線および前記第２下部電極に接続する第２下部配線を形成する工程と、前記第１下部配線を露出させる第１貫通孔と前記第２下部配線を露出させる第２貫通孔とを前記圧電膜の厚さが同じ部分に物理エッチング法を用いて同時に形成する工程と、前記第１貫通孔に導電膜を埋め込んで入力パッドおよび出力パッドの少なくとも一方を形成する工程と、前記第２貫通孔に導電膜を埋め込んでグランドパッドを形成する工程と、を備えるフィルタの製造方法である。

【0017】

上記構成において、前記物理エッチング法としてイオンミリング法を用いる構成とすることができる。

【発明の効果】

【0018】

本発明によれば、下部配線にダメージを与えることを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】図１は、実施例１に係るフィルタの平面図である。

【図2】図２（ａ）は、図１のＡ－Ａ断面図、図２（ｂ）は、図１のＢ－Ｂ断面図である。

【図3】図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係るフィルタの製造方法を示す断面図（その１）である。

【図4】図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係るフィルタの製造方法を示す断面図（その２）である。

【図5】図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係るフィルタの製造方法を示す断面図（その３）である。

【図6】図６（ａ）は、比較例に係るフィルタの平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ－Ａ断面図である。

【図7】図７（ａ）から図７（ｃ）は、比較例に係るフィルタの製造方法を示す断面図である。

【図8】図８は、実施例１の変形例１に係るフィルタの平面図である。

【図9】図９は、実施例１の変形例２に係るフィルタの平面図である。

【図10】図１０は、実施例１の変形例３に係るフィルタの平面図である。

【図11】図１１は、実施例２に係るフィルタの平面図である。

【図12】図１２（ａ）は、図１１のＡ－Ａ断面図、図１２（ｂ）は、図１１のＢ－Ｂ断面図である。

【図13】図１３（ａ）から図１３（ｃ）は、実施例２に係るフィルタの製造方法を示す断面図である。

【図14】図１４は、実施例３に係るフィルタの平面図である。

【図15】図１５は、実施例３の変形例１に係るフィルタの平面図である。

【図16】図１６は、実施例３の変形例２に係るフィルタの平面図である。

【図17】図１７（ａ）は、実施例４に係るフィルタの平面図、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）のＡ－Ａ断面図である。

【図18】図１８（ａ）から図１８（ｃ）は、実施例４に係るフィルタの製造方法を示す断面図（その１）である。

【図19】図１９（ａ）から図１９（ｃ）は、実施例４に係るフィルタの製造方法を示す断面図（その２）である。

【図20】図２０（ａ）および図２０（ｂ）は、実施例１および実施例４における直列共振器および並列共振器の動作を説明する図である。

【図21】図２１（ａ）および図２１（ｂ）は、シミュレーションに用いた直列共振器および並列共振器の断面図である。

【図22】図２２は、直列共振器および並列共振器の周波数に対する｜Ｙ｜のシミュレーション結果を示す図である。

【図23】図２３（ａ）および図２３（ｂ）は、実施例５における直列共振器および並列共振器の断面図である。

【図24】図２４は、実施例６に係るデュプレクサの回路図である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下、図面を参照し、本発明の実施例について説明する。

【実施例0021】

図１は、実施例１に係るフィルタの平面図である。図２（ａ）は、図１のＡ－Ａ断面図、図２（ｂ）は、図１のＢ－Ｂ断面図である。図１において、図の明瞭化のために、保護膜１９の図示を省略するとともに、共振領域２２、３２にハッチングを付している（以下の同様な図においても同じ）。また、図１において、圧電膜１２の上面の法線方向をＺ方向、Ｚ方向に直交する方向であって圧電膜１２の上面の面方向で互いに直交する方向をＸ方向およびＹ方向とする（以下の同様な図においても同じ）。図１、図２（ａ）、および図２（ｂ）に示すように、実施例１に係るフィルタ１００は、基板１０上に直列共振器Ｓ１、Ｓ２と並列共振器Ｐ１が設けられたラダー型フィルタである。

【0022】

直列共振器Ｓ１、Ｓ２は、基板１０上に設けられた入力パッド８０と出力パッド８１との間に直列に接続されている。入力パッド８０と直列共振器Ｓ１との間は上部配線４０により接続され、直列共振器Ｓ１と直列共振器Ｓ２との間は下部配線４１により接続され、直列共振器Ｓ２と出力パッド８１との間は上部配線４２により接続されている。並列共振器Ｐ１は、入力パッド８０と出力パッド８１との間に並列に接続されている。並列共振器Ｐ１の一端は上部配線６０によりグランドパッド８２に接続され、他端は下部配線６１により下部配線４１に接続されている。入力パッド８０、出力パッド８１、およびグランドパッド８２は、外部と電気的に接続するための端子である。

【0023】

基板１０上に絶縁膜１１を介して圧電膜１２が設けられている。圧電膜１２は、薄膜部分１３と、薄膜部分１３より厚い厚膜部分１４と、を有する。図１において、薄膜部分１３は破線で囲まれた範囲であり、それ以外は厚膜部分１４となっている。薄膜部分１３の厚さはほぼ一定ある。厚膜部分１４の厚さもほぼ一定である。

【0024】

基板１０は、シリコン基板、サファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、石英基板、水晶基板、ガラス基板、セラミック基板、またはＧａＡｓ基板などである。絶縁膜１１は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または酸化アルミニウム膜などである。圧電膜１２は、単結晶ニオブ酸リチウム膜または単結晶タンタル酸リチウム膜であり、例えば回転Ｙカットニオブ酸リチウム膜または回転Ｙカットタンタル酸リチウム膜である。圧電膜１２の上面の法線方向をＺ方向、Ｚ方向に直交する方向であって圧電膜１２の上面の面方向で互いに直交する方向をＸ方向およびＹ方向とする右手系のＸＹＺ座標系において、圧電膜１２のオイラー角は例えば（０°、－１０５°、０°）または（０°、－１０５°、９０°）である。オイラー角の各角度は±５°の範囲内を許容し、±１°の範囲内が好ましい。

【0025】

直列共振器Ｓ１、Ｓ２は、圧電膜１２の薄膜部分１３と、薄膜部分１３を挟む下部電極２０および上部電極２１と、を備える。薄膜部分１３を挟み下部電極２０と上部電極２１とが平面視において重なる領域は共振領域２２である。共振領域２２の平面形状はほぼ矩形である。

【0026】

並列共振器Ｐ１は、圧電膜１２の厚膜部分１４と、厚膜部分１４を挟む下部電極３０および上部電極３１と、を備える。厚膜部分１４を挟み下部電極３０と上部電極３１とが平面視において重なる領域は共振領域３２である。共振領域３２の平面形状はほぼ矩形である。

【0027】

共振領域２２および共振領域３２内の圧電膜１２に、弾性波の変位がＺ方向にほぼ直交する方向（すなわち厚さに対して歪み方向）に振動する弾性波が励振される。この振動を厚みすべり振動という。厚みすべり振動の変位の最も大きい方向（厚みすべり振動の変位方向）が厚みすべり振動の振動方向となる。直列共振器Ｓ１、Ｓ２の共振領域２２において励振される弾性波の波長は、圧電膜１２の薄膜部分１３の厚さのほぼ２倍である。並列共振器Ｐ１の共振領域３２において励振される弾性波の波長は、圧電膜１２の厚膜部分１４の厚さのほぼ２倍である。

【0028】

共振領域２２における圧電膜１２は薄膜部分１３であり、共振領域３２における圧電膜１２は厚膜部分１４であるため、直列共振器Ｓ１、Ｓ２の共振周波数は、並列共振器Ｐの共振周波数より高くなる。

【0029】

入力パッド８０と直列共振器Ｓ１との間を接続する上部配線４０は、直列共振器Ｓ１を構成する上部電極２１に接続されて圧電膜１２上に設けられている。同様に、出力パッド８１と直列共振器Ｓ２との間を接続する上部配線４２は、直列共振器Ｓ２を構成する上部電極２１に接続されて圧電膜１２上に設けられている。並列共振器Ｐ１とグランドパッド８２との間を接続する上部配線６０は、並列共振器Ｐ１を構成する上部電極３１に接続されて圧電膜１２上に設けられている。上部電極２１は共振領域２２内に位置する部分を指し、共振領域２２から引き出された部分を上部配線４０、４２とする。同様に、上部電極３１は共振領域３２内に位置する部分を指し、共振領域３２から引き出された部分を上部配線６０とする。

【0030】

直列共振器Ｓ１と直列共振器Ｓ２との間を接続する下部配線４１は、直列共振器Ｓ１を構成する下部電極２０と直列共振器Ｓ２を構成する下部電極２０とに接続されている。並列共振器Ｐ１と下部配線４１との間を接続する下部配線６１は、並列共振器Ｐ１を構成する下部電極３０に接続されている。下部電極２０は共振領域２２内に位置する部分を指し、共振領域２２から引き出された部分を下部配線４１とする。同様に、下部電極３０は共振領域３２内に位置する部分を指し、共振領域３２から引き出された部分を下部配線６１とする。

【0031】

下部配線４１および下部配線６１は、例えば金属膜８７と、金属膜８７の少なくとも一部に重なる金属膜８６と、を含む。なお、金属膜８６は設けられていない場合でもよい。下部電極２０および下部電極３０は、絶縁膜１１の上面に設けられた凹部１５内に配置されている。

【0032】

下部電極２０と絶縁膜１１との間および下部電極３０と絶縁膜１１との間に、空隙１６が形成されている。空隙１６は、共振領域２２および共振領域３２の全体に重なっている。共振領域２２の傍の圧電膜１２を貫通して共振領域２２を挟む貫通孔１８が設けられている。同様に、共振領域３２の傍の圧電膜１２を貫通して共振領域３２を挟む貫通孔１８が設けられている。貫通孔１８の平面形状はほぼ矩形である。貫通孔１８は空隙１６に接続している。貫通孔１８が設けられることで、スプリアスを低減する効果が得られる。

【0033】

下部電極２０、上部電極２１、下部電極３０、および上部電極３１は、例えばルテニウム（Ｒｕ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、またはイリジウム（Ｉｒ）などの単層膜またはこれらの積層膜である。金属膜８７は、例えば上記材料などの単層膜または積層膜である。金属膜８６は、例えばチタン（Ｔｉ）膜である。上部配線４０、上部配線４２、および上部配線６０と、上部電極２１および上部電極３１とは、例えば同じ材料により形成される。金属膜８７と、下部電極２０および下部電極３０とは、例えば同じ材料により形成される。

【0034】

下部電極２０、上部電極２１、下部電極３０、および上部電極３１の厚さは、例えば２０ｎｍ～１５０ｎｍである。金属膜８７の厚さも、例えば２０ｎｍ～１５０ｎｍである。金属膜８６の厚さは、例えば２００ｎｍ～４００ｎｍである。上部配線４０、上部配線４２、および上部配線６０と、上部電極２１および上部電極３１とは、例えば同じ厚さである。金属膜８７と、下部電極２０および下部電極３０とは、例えば同じ厚さである。

【0035】

下部配線４１および下部配線６１上における圧電膜１２に貫通孔１７が設けられている。貫通孔１７は、下部配線４１、６１の金属膜８６に重なって設けられている。金属膜８６は、貫通孔１７を形成するときに下部配線４１、６１がエッチングされることがある場合を考慮して設けられている。貫通孔１７は圧電膜１２の厚膜部分１４に設けられ、貫通孔１７が貫通する圧電膜１２の厚さは貫通孔１７の全体において同じである。貫通孔１７に埋め込まれて導電膜８５が設けられている。導電膜８５は下部配線４１および下部配線６１に接触している。導電膜８５が設けられることで、下部配線４１および下部配線６１を流れる電流に対する電気抵抗を下げることができる。導電膜８５は、例えば金（Ａｕ）層、銅（Ｃｕ）層、またはアルミニウム（Ａｌ）層などを含む金属層である。

【0036】

圧電膜１２の表面、上部電極２１、３１の表面、および上部配線４０、４２、６０の表面を覆って保護膜１９が設けられている。入力パッド８０、出力パッド８１、およびグランドパッド８２は、保護膜１９を貫通して上部配線４０、４２、６０に接続されている。保護膜１９は、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または酸化アルミニウム膜等の絶縁膜である。入力パッド８０、出力パッド８１、およびグランドパッド８２は、Ａｕ層、Ｃｕ層、またはＡｌ層などを含む金属層である。

【0037】

［製造方法］
図３（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係るフィルタの製造方法を示す断面図である。図３（ａ）から図５（ｃ）は、図１のＡ－Ａ間に相当する箇所の断面図である。図３（ａ）に示すように、圧電膜１２上に下部配線４１、６１を構成する金属膜８６を形成する。次いで、圧電膜１２上に下部電極２０、下部電極３０、および下部配線４１、６１を構成するの金属膜８７を形成する。ここでの圧電膜１２は、図２（ａ）における圧電膜１２より厚い膜（基板）である。金属膜８６、金属膜８７、下部電極２０、および下部電極３０は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて成膜し、その後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて所望の形状にパターニングすることで形成する。これらの代わりにリフトオフ法を用いてもよい。

【0038】

図３（ｂ）に示すように、圧電膜１２上に、下部電極２０および下部電極３０を覆う犠牲層９０を形成する。犠牲層９０は、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｇｅ、またはＳｉＯ_２などのエッチング液またはエッチングガスに容易に溶解される材料から選択される。犠牲層９０は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、またはＣＶＤ法を用いて成膜し、その後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて所望の形状にパターニングすることで形成する。犠牲層９０は、リフトオフ法により形成してもよい。

【0039】

図３（ｃ）に示すように、圧電膜１２上に犠牲層９０および下部配線４１、６１を覆う絶縁膜１１を成膜し、その後、絶縁膜１１の上面を例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて研磨する。これにより、絶縁膜１１は、所望の厚さとなり、上面が平坦化される。

【0040】

図４（ａ）に示すように、絶縁膜１１を基板１０に接合する。その後、圧電膜１２の上面を例えばＣＭＰ法を用いて研磨して、圧電膜１２を所望の厚さまで薄くする。次いで、圧電膜１２の一部を薄くして薄膜部分１３を形成する。薄膜部分１３以外は、薄膜部分１３に比べて厚い厚膜部分１４となる。薄膜部分１３は、例えばフォトリソグラフィ法および物理エッチング法を用いて形成する。物理エッチング法として例えばイオンミリング法を用いてもよい。

【0041】

図４（ｂ）に示すように、圧電膜１２上に上部電極２１、上部電極３１、上部配線４０、上部配線４２（図４（ｂ）では不図示）、および上部配線６０を形成する。上部電極２１、上部電極３１、上部配線４０、上部配線４２、および上部配線６０は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、またはＣＶＤ法を用いて成膜し、その後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて所望の形状にパターニングすることで形成する。これらの代わりにリフトオフ法を用いてもよい。

【0042】

図４（ｃ）に示すように、圧電膜１２上に上部電極２１、上部電極３１、上部配線４０、上部配線４２（図４（ｃ）では不図示）、および上部配線６０を覆う保護膜１９を形成する。保護膜１９は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、またはＣＶＤ法を用いて成膜する。次いで、例えばフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて、入力パッド８０、出力パッド８１、グランドパッド８２、および導電膜８５を形成する領域において保護膜１９に開口９１を形成する。

【0043】

図５（ａ）に示すように、導電膜８５が形成される領域の圧電膜１２をフォトリソグラフ法および物理エッチング法を用いて除去して、圧電膜１２に下部配線４１、６１が露出する貫通孔１７を形成する。貫通孔１７が形成される領域の圧電膜１２は、厚膜部分１４であり、厚さが一定の部分である。したがって、貫通孔１７は圧電膜１２の厚さが同じ部分に形成される。圧電膜１２は単結晶タンタル酸リチウム膜または単結晶ニオブ酸リチウム膜であるため、化学エッチング法によって圧電膜１２をエッチングすることは難しいことから、物理エッチング法を用いて圧電膜１２をエッチングする。物理エッチング法として例えばイオンミリング法を用いてもよい。

【0044】

図５（ｂ）に示すように、圧電膜１２に形成した貫通孔１７に導電膜８５を形成する。上部配線４０上に入力パッド８０を形成し、上部配線６０上にグランドパッド８２を形成する。図示は省略するが、上部配線４２上に出力パッド８１を形成する。これらは、例えば真空蒸着法またはめっき法を用いて形成する。

【0045】

図５（ｃ）に示すように、犠牲層９０のエッチング液またはエッチングガスなどのエッチング媒体を犠牲層９０に導入する。エッチング媒体は、圧電膜１２を貫通して犠牲層９０に達する孔を介し犠牲層９０に導入される。これにより、犠牲層９０が除去される。犠牲層９０が除去されることで、下部電極２０および下部電極３０と、絶縁膜１１と、の間に空隙１６が形成される。以上により、実施例１に係るフィルタが形成される。

【0046】

［比較例］
図６（ａ）は、比較例に係るフィルタの平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ－Ａ断面図である。図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、比較例に係るフィルタ１０００では、圧電膜１２の薄膜部分１３が実施例１に比べて広面積に形成され、直列共振器Ｓ１と直列共振器Ｓ２が薄膜部分１３に形成されるだけでなく、下部配線４１も薄膜部分１３に重なって形成されている。下部配線６１は、薄膜部分１３から厚膜部分１４にかけて重なって形成されている。導電膜８５は、圧電膜１２の薄膜部分１３から厚膜部分１４にかけて形成された貫通孔１７に埋め込まれている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

【0047】

図７（ａ）から図７（ｃ）は、比較例に係るフィルタの製造方法を示す断面図である。まず、実施例１の図３（ａ）から図４（ｃ）と同様の工程を行って図７（ａ）とする。

【0048】

図７（ｂ）に示すように、導電膜８５が形成される領域の圧電膜１２をフォトリソグラフ法および物理エッチング法を用いて除去して、圧電膜１２に貫通孔１７を形成する。物理エッチング法として例えばイオンミリング法を用いてもよい。貫通孔１７は、下部配線４１、６１上における圧電膜１２を除去して形成される。比較例では、下部配線４１は圧電膜１２の薄膜部分１３に重なって形成され、下部配線６１は薄膜部分１３から厚膜部分１４にかけて重なって形成されている。このため、下部配線４１、６１上における圧電膜１２を物理エッチング法で除去して貫通孔１７を形成する際に、下部配線４１、６１の金属膜８６の一部もエッチングされてしまう。特に、イオンミリング法を用いた場合では、金属膜８６がエッチングされ易い。

【0049】

図７（ｃ）に示すように、圧電膜１２に形成した貫通孔１７に導電膜８５を形成する。上部配線４０上に入力パッド８０を形成し、上部配線６０上にグランドパッド８２を形成する。図示は省略するが、上部配線４２上に出力パッド８１を形成する。その後、犠牲層９０を除去することで、図６（ｂ）に示すような比較例に係るフィルタが形成される。

【0050】

比較例では、図７（ｂ）のように、下部配線４１、６１を露出させる貫通孔１７を圧電膜１２の厚さが異なる薄膜部分１３と厚膜部分１４に物理エッチング法を用いて形成する。このため、下部配線４１、６１の一部がエッチングされてしまうことが生じ、下部配線４１、６１にダメージを与えてしまう。これにより、貫通孔１７に導電膜８５を埋め込んだとしても、下部配線４１、６１の電気抵抗を下げることができないことがある。

【0051】

一方、実施例１によれば、図４（ａ）のように、圧電膜１２の一部を薄くして薄膜部分１３と厚膜部分１４とを形成する。図４（ｂ）から図５（ｃ）のように、圧電膜１２の薄膜部分１３と、薄膜部分１３を挟む下部電極２０（第１下部電極）および上部電極２１（第１上部電極）と、を有する複数の直列共振器Ｓ１、Ｓ２を形成する。圧電膜１２の厚膜部分１４と、厚膜部分１４を挟む下部電極３０（第２下部電極）および上部電極３１（第２上部電極）と、を有する１または複数の並列共振器Ｐ１を形成する。直列共振器Ｓ１、Ｓ２と並列共振器Ｐ１との間を接続する下部配線４１、６１を形成する。図５（ａ）のように、下部配線４１、６１を露出させる貫通孔１７を圧電膜１２の厚さが同じ部分である厚膜部分１４に物理エッチング法を用いて形成する。図５（ｂ）のように、貫通孔１７に導電膜８５を埋め込む。このような製造方法により形成されることで、フィルタ１００は、貫通孔１７の側面における圧電膜１２の厚さが貫通孔１７の全周において同じであり、導電膜８５がこのような貫通孔１７に下部配線４１、６１に接続して設けられる。これにより、貫通孔１７を形成するためのエッチングにおいて、下部配線４１、６１がエッチングされることが抑制され、下部配線４１、６１にダメージを与えることを抑制できる。ここで、圧電膜１２の厚さが同じとは、製造誤差程度のばらつきを許容するものであり、最大厚さに対する最大厚さと最小厚さの差の割合が１０％以下の場合である。

【0052】

また、実施例１では、イオンミリング法を用いて貫通孔１７を形成する。圧電膜１２が単結晶ニオブ酸リチウム膜または単結晶タンタル酸リチウム膜である場合、イオンミリング法を用いることで、圧電膜１２に貫通孔１７を容易に形成することができる。一方、イオンミリング法を用いて圧電膜１２に貫通孔１７を形成する場合、比較例のように、貫通孔１７を圧電膜１２の薄膜部分１３と厚膜部分１４に形成すると、下部配線４１、６１の一部がエッチングされ易くなる。しかしながら、実施例１では、貫通孔１７を圧電膜１２の厚膜部分１４のみに形成しているため、イオンミリング法を用いて貫通孔１７を形成した場合でも、下部配線４１、６１がエッチングされることを抑制できる。

【0053】

また、実施例１では、図１および図２（ａ）のように、貫通孔１７は圧電膜１２の薄膜部分１３および厚膜部分１４のうち厚膜部分１４を貫通して設けられている。これにより、並列共振器Ｐ１と貫通孔１７とを同じ厚さの厚膜部分１４に形成することができ、製造を簡略化できる。

【0054】

また、実施例１では、図１のように、直列共振器Ｓ１、Ｓ２と並列共振器Ｐ１は、下部配線４１（第１下部配線）と下部配線６１（第２下部配線）とにより接続されている。貫通孔１７は、下部配線４１と下部配線６１に重なって圧電膜１２に設けられている。これにより、貫通孔１７に埋め込まれる導電膜８５による下部配線４１、６１の電気抵抗の低減を効果的に低減できる。

【0055】

［変形例］
図８は、実施例１の変形例１に係るフィルタの平面図である。図８に示すように、実施例１の変形例１に係るフィルタ１１０は、入力パッド８０と出力パッド８１との間に並列共振器Ｐ１に加えて並列共振器Ｐ２が並列に接続されている。並列共振器Ｐ２の一端は下部配線６２によりグランドパッド８２に接続され、他端は上部配線６３により上部配線４２に接続されている。並列共振器Ｐ２が下部配線６２を介して接続するグランドパッド８２は、圧電膜１２の厚膜部分１４を貫通する貫通孔１７ａに埋め込まれて下部配線６２に接続している。その他の構成は実施例１と同じであるため説明を省略する。

【0056】

実施例１の変形例１のように、導電膜８５が、圧電膜１２の厚膜部分１４を貫通する貫通孔１７に設けられることに加え、グランドパッド８２が、貫通孔１７が貫通する圧電膜１２の厚さと同じ厚さの厚膜部分１４を貫通する貫通孔１７ａに設けられてもよい。これにより、貫通孔１７、１７ａを形成する際に、下部配線４１、６１、６２にダメージを与えることを抑制できる。

【0057】

図９は、実施例１の変形例２に係るフィルタの平面図である。図９に示すように、実施例１の変形例２に係るフィルタ１２０は、入力パッド８０と出力パッド８１との間に、直列共振器Ｓ１、Ｓ２に加えて直列共振器Ｓ３、Ｓ４が直列に接続されている。入力パッド８０と出力パッド８１との間に、並列共振器Ｐ１に加えて並列共振器Ｐ２が並列に接続されている。直列共振器Ｓ２と直列共振器Ｓ３との間は上部配線４２により接続され、直列共振器Ｓ３と直列共振器Ｓ４との間は下部配線４３により接続され、直列共振器Ｓ４と出力パッド８１との間は上部配線４４により接続されている。並列共振器Ｐ２の一端は上部配線６４によりグランドパッド８２に接続され、他端は下部配線６５にとり下部配線４３に接続されている。

【0058】

下部配線４１および下部配線６１上における圧電膜１２に貫通孔１７が設けられていることに加え、下部配線４３および下部配線６５上における圧電膜１２に貫通孔１７が設けられている。２つの貫通孔１７は共に圧電膜１２の厚膜部分１４に設けられている。言い換えると、２つの貫通孔１７は共に圧電膜１２の厚さが同じ部分に設けられている。２つの貫通孔１７には導電膜８５が設けられている。その他の構成は実施例１と同じであるため説明を省略する。

【0059】

実施例１の変形例２のように、圧電膜１２の厚さが同じ部分に複数の貫通孔１７が設けられ、複数の貫通孔１７それぞれに導電膜８５が設けられている場合でもよい。

【0060】

図１０は、実施例１の変形例３に係るフィルタの平面図である。図１０に示すように、実施例１の変形例３に係るフィルタ１３０は、実施例１の変形例２と同じように、入力パッド８０と出力パッド８１との間に、直列共振器Ｓ１～Ｓ４が直列に接続され、並列共振器Ｐ１、Ｐ２が並列に接続されている。実施例１の変形例３では、直列共振器Ｓ１～Ｓ４の共振領域２２、並びに、下部配線４１、上部配線４２、および下部配線４３が設けられた領域が、圧電膜１２の薄膜部分１３となっている。すなわち、直列共振器Ｓ１～Ｓ４各々において、共振領域２２を挟む貫通孔１８は圧電膜１２の厚膜部分１４に設けられている。

【0061】

下部配線６１上における圧電膜１２に貫通孔１７が設けられ、下部配線６５上における圧電膜１２に貫通孔１７が設けられている。２つの貫通孔１７は共に圧電膜１２の厚膜部分１４に設けられている。言い換えると、２つの貫通孔１７は共に圧電膜１２の厚さが同じ部分に設けられている。２つの貫通孔１７には導電膜８５が設けられている。その他の構成は実施例１と同じであるため説明を省略する。

【実施例0062】

図１１は、実施例２に係るフィルタの平面図である。図１２（ａ）は、図１１のＡ－Ａ断面図、図１２（ｂ）は、図１１のＢ－Ｂ断面図である。図１１、図１２（ａ）、および図１２（ｂ）に示すように、実施例２に係るフィルタ２００では、入力パッド８０と直列共振器Ｓ１との間は下部配線５０により接続され、直列共振器Ｓ１と直列共振器Ｓ２との間は上部配線５１により接続され、直列共振器Ｓ２と出力パッド８１との間は下部配線５２により接続されている。並列共振器Ｐ１の一端は下部配線７０によりグランドパッド８２に接続され、他端は上部配線７１により上部配線５１に接続されている。

【0063】

入力パッド８０と直列共振器Ｓ１との間を接続する下部配線５０は、直列共振器Ｓ１を構成する下部電極２０に接続されている。出力パッド８１と直列共振器Ｓ２との間を接続する下部配線５２は、直列共振器Ｓ２を構成する下部電極２０に接続されている。並列共振器Ｐ１とグランドパッド８２との間を接続する下部配線７０は、並列共振器Ｐ１を構成する下部電極３０に接続されている。下部配線５０、５２、７０は、例えば金属膜８７と、金属膜８７の少なくとも一部に重なる金属膜８６と、を含む。なお、金属膜８６は設けられていない場合でもよい。直列共振器Ｓ１と直列共振器Ｓ２との間を接続する上部配線５１は、直列共振器Ｓ１を構成する上部電極２１と直列共振器Ｓ２を構成する上部電極２１に接続されて圧電膜１２上に設けられている。並列共振器Ｐ１と上部配線５１との間を接続する上部配線７１は、並列共振器Ｐ１を構成する上部電極３１に接続されて圧電膜１２上に設けられている。

【0064】

下部配線５０上における圧電膜１２に貫通孔１７ｂが設けられ、貫通孔１７ｂに埋め込まれて下部配線５０に接続する入力パッド８０が設けられている。下部配線５２上における圧電膜１２に貫通孔１７ｃが設けられ、貫通孔１７ｃに埋め込まれて下部配線５２に接続する出力パッド８１が設けられている。下部配線７０上における圧電膜１２に貫通孔１７ｄが設けられ、貫通孔１７ｄに埋め込まれて下部配線７０に接続するグランドパッド８２が設けられている。貫通孔１７ｂ～１７ｄは、圧電膜１２の厚膜部分１４に設けられている。したがって、貫通孔１７ｂ～１７ｄは、圧電膜１２の厚さが同じ部分に設けられている。その他の構成は実施例１と同じであるため説明を省略する。

【0065】

［製造方法］
図１３（ａ）から図１３（ｃ）は、実施例２に係るフィルタの製造方法を示す断面図である。まず、実施例１の図３（ａ）から図４（ｃ）と同様の工程を行って図１３（ａ）とする。

【0066】

図１３（ｂ）に示すように、入力パッド８０、出力パッド８１、およびグランドパッド８２が形成される領域の圧電膜１２をフォトリソグラフ法および物理エッチング法を用いて除去して、圧電膜１２に貫通孔１７ｂ、貫通孔１７ｃ（図１３（ｂ）では不図示）、および貫通孔１７ｄを形成する。物理エッチング法として例えばイオンミリング法を用いてもよい。貫通孔１７ｂは下部配線５０を露出させて圧電膜１２の厚膜部分１４に形成され、貫通孔１７ｄは下部配線７０を露出させて圧電膜１２の厚膜部分１４に形成される。図示は省略するが、貫通孔１７ｃは下部配線５２を露出させて圧電膜１２の厚膜部分１４に形成される。

【0067】

図１３（ｃ）に示すように、貫通孔１７ｂに入力パッド８０を形成し、貫通孔１７ｄにグランドパッド８２を形成する。図示は省略するが、貫通孔１７ｃに出力パッド８１を形成する。これらは、例えば真空蒸着法またはめっき法を用いて形成する。その後、犠牲層９０を除去することで、図１１、図１２（ａ）、および図１２（ｂ）に示す実施例２に係るフィルタが形成される。

【0068】

実施例２によれば、図４（ａ）のように、圧電膜１２の一部を薄くして薄膜部分１３と厚膜部分１４とを形成する。図１３（ａ）から図１３（ｃ）および図１２（ａ）のように、圧電膜１２の薄膜部分１３と、薄膜部分１３を挟む下部電極２０（第１下部電極）および上部電極２１（第１上部電極）と、を有する１または複数の直列共振器Ｓ１、Ｓ２を形成する。圧電膜１２の厚膜部分１４と、厚膜部分１４を挟む下部電極３０（第２下部電極）および上部電極３１（第２上部電極）と、を有する１または複数の並列共振器Ｐ１を形成する。直列共振器Ｓ１、Ｓ２の下部電極２０に接続する下部配線５０、５２（第１下部配線）を形成する。並列共振器Ｐ１の下部電極３０に接続する下部配線７０（第２下部配線）を形成する。下部配線５０を露出させる貫通孔１７ｂ（第１貫通孔）と、下部配線５２を露出させる貫通孔１７ｃ（第１貫通孔）と、下部配線７０を露出させる貫通孔１７ｄ（第２貫通孔）とを、圧電膜１２の厚さが同じ部分である厚膜部分１４に物理エッチング法を用いて同時に形成する。図１２（ａ）および図１２（ｂ）のように、貫通孔１７ｂに入力パッド８０を形成し、貫通孔１７ｃに出力パッド８１を形成する。貫通孔１７ｄにグランドパッド８２を形成する。このような製造方法で形成されることで、フィルタ２００は、入力パッド８０、出力パッド８１、およびグランドパッド８２は、圧電膜１２の厚膜部分１４を貫通する貫通孔１７ｂ、１７ｃ、１７ｄに設けられる。すなわち、入力パッド８０および出力パッド８１が設けられる貫通孔１７ｂ、１７ｃの側面における圧電膜１２の厚さはグランドパッド８２が設けられる貫通孔１７ｄの側面における圧電膜１２の厚さと同じになる。これにより、貫通孔１７ｂ～１７ｄを形成するためのエッチングにおいて、下部配線５０、５２、７０がエッチングされることが抑制され、下部配線５０、５２、７０にダメージを与えることを抑制できる。圧電膜１２の厚さが同じとは、製造誤差程度のばらつきを許容するものであり、最大厚さに対する最大厚さと最小厚さの差の割合が１０％以下の場合である。