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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024120603
(43)【公開日】2024-09-05
(54)【発明の名称】整合回路基板および半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 25/00 20060101AFI20240829BHJP
H05K 1/16 20060101ALI20240829BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20240829BHJP
【ＦＩ】
H01L25/00 B
H05K1/16 D
H05K3/46 N
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023027503
(22)【出願日】2023-02-24
(71)【出願人】
【識別番号】000154325
【氏名又は名称】住友電工デバイス・イノベーション株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100136722
【弁理士】
【氏名又は名称】▲高▼木 邦夫
(74)【代理人】
【識別番号】100174399
【弁理士】
【氏名又は名称】寺澤 正太郎
(72)【発明者】
【氏名】中島 郁夫
【テーマコード（参考）】
4E351
5E316
【Ｆターム（参考）】
4E351AA02
4E351AA07
4E351BB03
4E351DD04
4E351DD05
4E351DD06
4E351GG12
5E316AA32
5E316AA43
5E316BB04
5E316CC08
5E316CC16
5E316CC32
5E316CC38
5E316CC39
5E316CC42
5E316FF07
5E316FF09
5E316HH40
(57)【要約】
【課題】金属ペーストのマイグレーションを抑制する整合回路基板を提供する。
【解決手段】整合回路基板は、第１の基板、第２の基板、および、第３の基板を備える。第１の基板は、第１の絶縁体、第１の金属パターンおよび第１の導通ビアを有する。第２の基板は、第２の絶縁体、第２の金属パターン、および第２の導通ビアを有する。第３の基板は、第３の絶縁体、および第３の金属パターンを有する。第１の金属パターン、第２の絶縁体および第２の金属パターンからキャパシタが構成され、第１の金属パターン、第１の絶縁体および第３の金属パターンからキャパシタが構成される。第２の金属パターンは、第２の導通ビアおよび第１の導通ビアを通じて、第３の金属パターンに電気的に接続される。第１の金属パターンは、第１の導通ビアから離れて第１の導通ビアの内側に位置し、第１の導通ビアとは絶縁する。
【選択図】図４
【解決手段】整合回路基板は、第１の基板、第２の基板、および、第３の基板を備える。第１の基板は、第１の絶縁体、第１の金属パターンおよび第１の導通ビアを有する。第２の基板は、第２の絶縁体、第２の金属パターン、および第２の導通ビアを有する。第３の基板は、第３の絶縁体、および第３の金属パターンを有する。第１の金属パターン、第２の絶縁体および第２の金属パターンからキャパシタが構成され、第１の金属パターン、第１の絶縁体および第３の金属パターンからキャパシタが構成される。第２の金属パターンは、第２の導通ビアおよび第１の導通ビアを通じて、第３の金属パターンに電気的に接続される。第１の金属パターンは、第１の導通ビアから離れて第１の導通ビアの内側に位置し、第１の導通ビアとは絶縁する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の絶縁体、前記第１の絶縁体の主面上に設けられる第１の金属パターン、および、前記第１の絶縁体の周縁に設けられる複数の第１の導通ビアを有する第１の基板と、
前記第１の基板の第１の面に対向するように設けられる第２の基板であって、第２の絶縁体、前記第２の絶縁体の主面上に設けられる第２の金属パターン、および、前記第２の絶縁体の周縁に設けられる複数の第２の導通ビアを有する第２の基板と、
前記第１の基板の前記第１の面とは逆の第２の面に対向するように設けられる第３の基板であって、第３の絶縁体、および、前記第３の絶縁体の主面上に設けられる第３の金属パターンを有する第３の基板と、を備え、
前記第１の金属パターン、前記第２の絶縁体および前記第２の金属パターンから第１のキャパシタが構成され、
前記第１の金属パターン、前記第１の絶縁体および前記第３の金属パターンから第２のキャパシタが構成され、
前記第２の金属パターンは、前記複数の第２の導通ビアおよび前記複数の第１の導通ビアを通じて、前記第３の金属パターンに電気的に接続され、
前記第１の金属パターンは、前記複数の第１の導通ビアから離れて前記複数の第１の導通ビアの内側に位置し、前記複数の第１の導通ビアとは絶縁するように構成されている、整合回路基板。
前記第１の基板の第１の面に対向するように設けられる第２の基板であって、第２の絶縁体、前記第２の絶縁体の主面上に設けられる第２の金属パターン、および、前記第２の絶縁体の周縁に設けられる複数の第２の導通ビアを有する第２の基板と、
前記第１の基板の前記第１の面とは逆の第２の面に対向するように設けられる第３の基板であって、第３の絶縁体、および、前記第３の絶縁体の主面上に設けられる第３の金属パターンを有する第３の基板と、を備え、
前記第１の金属パターン、前記第２の絶縁体および前記第２の金属パターンから第１のキャパシタが構成され、
前記第１の金属パターン、前記第１の絶縁体および前記第３の金属パターンから第２のキャパシタが構成され、
前記第２の金属パターンは、前記複数の第２の導通ビアおよび前記複数の第１の導通ビアを通じて、前記第３の金属パターンに電気的に接続され、
前記第１の金属パターンは、前記複数の第１の導通ビアから離れて前記複数の第１の導通ビアの内側に位置し、前記複数の第１の導通ビアとは絶縁するように構成されている、整合回路基板。
【請求項2】
前記第３の基板は、前記第３の絶縁体の周縁に配置される複数の第３の導通ビア、および、前記第３の絶縁体の前記主面とは逆の底面上に設けられる裏面金属パターンを有し、
前記第３の金属パターンは、前記複数の第３の導通ビアを通じて、前記裏面金属パターンに電気的に接続される、
請求項１に記載の整合回路基板。
前記第３の金属パターンは、前記複数の第３の導通ビアを通じて、前記裏面金属パターンに電気的に接続される、
請求項１に記載の整合回路基板。
【請求項3】
前記複数の第１の導通ビアは、それぞれが互いに電気的に接続され、前記複数の第１の導通ビアが前記第１の金属パターンを取り囲むガードリンク構造を有する、
請求項１に記載の整合回路基板。
請求項１に記載の整合回路基板。
【請求項4】
前記第２の基板の上に設けられる第４の基板であって、第４の絶縁体、前記第４の絶縁体の主面上に設けられる第４の金属パターンおよび前記第４の絶縁体の周縁に設けられる複数の第４の導通ビアを有する第４の基板と、を更に備え、
前記第４の金属パターンは、前記第１の金属パターンに電気的に接続され、
前記複数の第４の導通ビアは、前記第２の金属パターンおよび前記第２の導通ビアの少なくとも一方に電気的に接続され、
前記第４の金属パターンは、前記複数の第４の導通ビアから離れて前記複数の第４の導通ビアの内側に位置し、前記複数の第４の導通ビアとは絶縁するように構成されている、
請求項１に記載の整合回路基板。
前記第４の金属パターンは、前記第１の金属パターンに電気的に接続され、
前記複数の第４の導通ビアは、前記第２の金属パターンおよび前記第２の導通ビアの少なくとも一方に電気的に接続され、
前記第４の金属パターンは、前記複数の第４の導通ビアから離れて前記複数の第４の導通ビアの内側に位置し、前記複数の第４の導通ビアとは絶縁するように構成されている、
請求項１に記載の整合回路基板。
【請求項5】
前記複数の第４の導通ビアは、それぞれが互いに電気的に接続され、前記複数の第４の導通ビアが前記第４の金属パターンを取り囲むガードリンク構造を有する、
請求項４に記載の整合回路基板。
請求項４に記載の整合回路基板。
【請求項6】
前記第２の金属パターンおよび前記第３の金属パターンの少なくとも一方には基準電位が供給されるように構成されている、
請求項１に記載の整合回路基板。
請求項１に記載の整合回路基板。
【請求項7】
第５の絶縁体、前記第５の絶縁体の主面上に設けられる第５の金属パターン、および、前記第５の絶縁体の周縁に設けられる複数の第５の導通ビアを有する第５の基板を更に備え、
前記第５の金属パターンがインダクタを形成する、
請求項４に記載の整合回路基板。
前記第５の金属パターンがインダクタを形成する、
請求項４に記載の整合回路基板。
【請求項8】
前記第５の基板の第１の面に対向するように設けられる第６の基板であって、第６の絶縁体、前記第６の絶縁体の主面上に設けられる第６の金属パターン、および、前記第６の絶縁体の周縁に設けられる複数の第６の導通ビアを有する第６の基板と、
前記第５の基板の前記第１の面とは逆の第２の面に対向するように設けられる第７の基板であって、第７の絶縁体、前記第７の絶縁体の主面上に設けられる第７の金属パターン、および、前記第７の絶縁体の周縁に設けられる複数の第７の導通ビアを有する第７の基板と、を更に備え、
前記第６の金属パターンおよび前記第７の金属パターンは、前記複数の第５の導通ビアおよび複数の第６の導通ビアを介して電気的に接続される、
請求項７に記載の整合回路基板。
前記第５の基板の前記第１の面とは逆の第２の面に対向するように設けられる第７の基板であって、第７の絶縁体、前記第７の絶縁体の主面上に設けられる第７の金属パターン、および、前記第７の絶縁体の周縁に設けられる複数の第７の導通ビアを有する第７の基板と、を更に備え、
前記第６の金属パターンおよび前記第７の金属パターンは、前記複数の第５の導通ビアおよび複数の第６の導通ビアを介して電気的に接続される、
請求項７に記載の整合回路基板。
【請求項9】
前記第６の基板の第１の面に対向するように設けられる第８の基板であって、第８の絶縁体、前記第８の絶縁体の主面上に設けられる第８の金属パターン、および、前記第８の絶縁体の周縁に設けられる複数の第８の導通ビアを有する第８の基板を更に備え、
前記第４の絶縁体の主面上には、前記第４の金属パターンと離間するように第９の金属パターンが設けられ、
前記第９の金属パターンは、前記第８の金属パターンに電気的に接続され、
前記複数の第４の導通ビアは、前記第３の金属パターンおよび前記第８の導通ビアの少なくとも一方に電気的に接続され、
前記第９の金属パターンは、前記複数の第４の導通ビアから離れて前記複数の第４の導通ビアの内側に位置し、前記複数の第４の導通ビアとは絶縁するように構成されている、
請求項８に記載の整合回路基板。
前記第４の絶縁体の主面上には、前記第４の金属パターンと離間するように第９の金属パターンが設けられ、
前記第９の金属パターンは、前記第８の金属パターンに電気的に接続され、
前記複数の第４の導通ビアは、前記第３の金属パターンおよび前記第８の導通ビアの少なくとも一方に電気的に接続され、
前記第９の金属パターンは、前記複数の第４の導通ビアから離れて前記複数の第４の導通ビアの内側に位置し、前記複数の第４の導通ビアとは絶縁するように構成されている、
請求項８に記載の整合回路基板。
【請求項10】
前記第５の金属パターンは、前記第４の金属パターンおよび前記第９の金属パターンと電気的に接続されている、請求項９に記載の整合回路基板。
【請求項11】
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の整合回路基板と、
半導体素子と、
前記整合回路基板および前記半導体素子を搭載するベース基板と、を備え、
前記整合回路基板と前記ベース基板とが金属ペーストにより接合されている、
半導体装置。
半導体素子と、
前記整合回路基板および前記半導体素子を搭載するベース基板と、を備え、
前記整合回路基板と前記ベース基板とが金属ペーストにより接合されている、
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、整合回路基板および半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、高周波増幅装置の一例が開示されている。この高周波増幅装置は、内部整合型の高出力電界効果トランジスタであり、パッケージと、パッケージ上に実装されて高周波信号を増幅する増幅素子と、増幅素子の入力端とパッケージの入力端との間に接続されてインピーダンス変換を行う入力整合回路基板と、増幅素子の出力端とパッケージの出力端との間に接続されてインピーダンス変換を行う出力整合回路基板とを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開昭６３－８６９０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に記載された半導体装置では、トランジスタ（増幅素子）および整合回路部品が導電性接着剤（金属ペースト）によってパッケージ基板上に実装されている。この半導体装置は、例えばこの整合回路部品に対して負電圧が印加される構成になることがあり、この構成によって生じるマイナスの電界に引っ張られる形で、グランド電極に向かって金属ペーストからのマイグレーションが生じてしまう。特に金属ペーストとして銀（Ａｇ）ペーストを用いた場合、銀がマイナスの電界に引っ張られ易いことから、イオンマイグレーションを引き起こしてしまうことがある。
【0005】
本開示は、金属ペーストのマイグレーションを抑制することができる、整合回路基板および半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一実施形態に係る整合回路基板は、第１の基板と、第１の基板の第１の面に対向するように設けられる第２の基板と、第１の基板の第１の面とは逆の第２の面に対向するように設けられる第３の基板とを備える。第１の基板は、第１の絶縁体、第１の絶縁体の主面上に設けられる第１の金属パターン、および、第１の絶縁体の周縁に設けられる複数の第１の導通ビアを有する。第２の基板は、第２の絶縁体、第２の絶縁体の主面上に設けられる第２の金属パターン、および、第２の絶縁体の周縁に設けられる複数の第２の導通ビアを有する。第３の基板は、第３の絶縁体、および、第３の絶縁体の主面上に設けられる第３の金属パターンを有する。この整合回路基板では、第１の金属パターン、第２の絶縁体および第２の金属パターンから第１のキャパシタが構成され、第１の金属パターン、第１の絶縁体および第３の金属パターンから第２のキャパシタが構成される。第２の金属パターンは、複数の第２の導通ビアおよび複数の第１の導通ビアを通じて、第３の金属パターンに電気的に接続される。第１の金属パターンは、複数の第１の導通ビアから離れて複数の第１の導通ビアの内側に位置し、複数の第１の導通ビアとは絶縁するように構成されている。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、金属ペーストのマイグレーションを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
［本開示の実施形態の説明］
最初に、本開示の実施形態の内容を列記して説明する。
［１］本開示の一実施形態に係る整合回路基板は、第１の基板と、第１の基板の第１の面に対向するように設けられる第２の基板と、第１の基板の第１の面とは逆の第２の面に対向するように設けられる第３の基板とを備える。第１の基板は、第１の絶縁体、第１の絶縁体の主面上に設けられる第１の金属パターン、および、第１の絶縁体の周縁に設けられる複数の第１の導通ビアを有する。第２の基板は、第２の絶縁体、第２の絶縁体の主面上に設けられる第２の金属パターン、および、第２の絶縁体の周縁に設けられる複数の第２の導通ビアを有する。第３の基板は、第３の絶縁体、および、第３の絶縁体の主面上に設けられる第３の金属パターンを有する。この整合回路基板では、第１の金属パターン、第２の絶縁体および第２の金属パターンから第１のキャパシタが構成され、第１の金属パターン、第１の絶縁体および第３の金属パターンから第２のキャパシタが構成される。第２の金属パターンは、複数の第２の導通ビアおよび複数の第１の導通ビアを通じて、第３の金属パターンに電気的に接続される。第１の金属パターンは、複数の第１の導通ビアから離れて複数の第１の導通ビアの内側に位置し、複数の第１の導通ビアとは絶縁するように構成されている。
最初に、本開示の実施形態の内容を列記して説明する。
［１］本開示の一実施形態に係る整合回路基板は、第１の基板と、第１の基板の第１の面に対向するように設けられる第２の基板と、第１の基板の第１の面とは逆の第２の面に対向するように設けられる第３の基板とを備える。第１の基板は、第１の絶縁体、第１の絶縁体の主面上に設けられる第１の金属パターン、および、第１の絶縁体の周縁に設けられる複数の第１の導通ビアを有する。第２の基板は、第２の絶縁体、第２の絶縁体の主面上に設けられる第２の金属パターン、および、第２の絶縁体の周縁に設けられる複数の第２の導通ビアを有する。第３の基板は、第３の絶縁体、および、第３の絶縁体の主面上に設けられる第３の金属パターンを有する。この整合回路基板では、第１の金属パターン、第２の絶縁体および第２の金属パターンから第１のキャパシタが構成され、第１の金属パターン、第１の絶縁体および第３の金属パターンから第２のキャパシタが構成される。第２の金属パターンは、複数の第２の導通ビアおよび複数の第１の導通ビアを通じて、第３の金属パターンに電気的に接続される。第１の金属パターンは、複数の第１の導通ビアから離れて複数の第１の導通ビアの内側に位置し、複数の第１の導通ビアとは絶縁するように構成されている。
【0010】
上記の整合回路基板では、第１の金属パターンが複数の第１の導通ビアから離れて複数の第１の導通ビアの内側に位置している。この場合、第１の金属パターンが第２の金属パターン又は第３の金属パターンの長さや幅よりも小さくなる。これにより、整合回路基板の外側（特に側面の外側）に漏れる電界が小さくなる。また、この整合回路基板では、複数の第１の導通ビアおよび複数の第２の導通ビアを電圧が印加される金属パターンの外側に配置している。これにより、整合回路基板の外側に漏れる電界が更に小さくなる。以上から、この整合回路基板によれば、金属ペーストのマイグレーションが抑制される。
【0011】
［２］上記［１］の整合回路基板において、第３の基板は、第３の絶縁体の周縁に配置される複数の第３の導通ビア、および、第３の絶縁体の主面とは逆の底面上に設けられる裏面金属パターンを有してもよい。第３の金属パターンは、複数の第３の導通ビアを通じて、裏面金属パターンに電気的に接続されてもよい。この場合、第３の金属パターンを容易にグランド電極として利用することができる。
【0012】
［３］上記［１］または［２］の整合回路基板において、複数の第１の導通ビアは、それぞれが互いに電気的に接続され、複数の第１の導通ビアが第１の金属パターンを取り囲むガードリンク構造を有してもよい。この場合、整合回路基板の外側に漏れる電界が更に小さくなる。よって、この整合回路基板によれば、金属ペーストのマイグレーションが更に抑制される。
【0013】
［４］上記［１］から［３］のいずれかの整合回路基板は、第２の基板の上に設けられる第４の基板を更に備えてもよい。第４の基板は、第４の絶縁体、第４の絶縁体の主面上に設けられる第４の金属パターン、および、第４の絶縁体の周縁に設けられる複数の第４の導通ビアを有してもよい。第４の金属パターンは、第１の金属パターンに電気的に接続されてもよい。複数の第４の導通ビアは、第２の金属パターンおよび第２の導通ビアの少なくとも一方に電気的に接続されてもよい。第４の金属パターンは、複数の第４の導通ビアから離れて複数の第４の導通ビアの内側に位置し、複数の第４の導通ビアとは絶縁するように構成されていてもよい。この場合、第４の基板を用いて、内層に位置する第１の金属パターンに所定の電圧を容易に印加することができる。また、この整合回路基板では、複数の第４の導通ビアが電圧が印加される金属パターンの外側に配置されているため、整合回路基板の外側に漏れる電界が更に小さくなる。以上から、この整合回路基板によれば、金属ペーストのマイグレーションが更に抑制される。
【0014】
［５］上記［４］の整合回路基板において、複数の第４の導通ビアは、それぞれが互いに電気的に接続され、複数の第４の導通ビアが第４の金属パターンを取り囲むガードリンク構造を有してもよい。この場合、整合回路基板の外側に漏れる電界が更に小さくなる。よって、この整合回路基板によれば、金属ペーストのマイグレーションが更に抑制される。
【0015】
［６］上記［１］から［５］のいずれかの整合回路基板において、第２の金属パターンおよび第３の金属パターンの少なくとも一方には基準電位が供給されるように構成されていてもよい。この場合、第２の金属パターンおよび第３の金属パターンをグランド電極として容易に用いることができる。
【0016】
［７］上記［１］から［６］のいずれかの整合回路基板は、第５の基板を更に備えてもよい。第５の基板は、第５の絶縁体、第５の絶縁体の主面上に設けられる第５の金属パターン、および、第５の絶縁体の周縁に設けられる複数の第５の導通ビアを有してもよい。この整合回路基板では、第５の金属パターンがインダクタを形成してもよい。この場合、整合回路基板にキャパシタ以外の回路部であるインダクタを設けることができ、様々な回路構成とすることが可能となる。
【0017】
［８］上記［７］の整合回路基板は、第５の基板の第１の面に対向するように設けられる第６の基板と、第５の基板の第１の面とは逆の第２の面に対向するように設けられる第７の基板とを更に備えてもよい。第６の基板は、第６の絶縁体、第６の絶縁体の主面上に設けられる第６の金属パターン、および、第６の絶縁体の周縁に設けられる複数の第６の導通ビアを有してもよい。第７の基板は、第７の絶縁体、第７の絶縁体の主面上に設けられる第７の金属パターン、および、第７の絶縁体の周縁に設けられる複数の第７の導通ビアを有してもよい。第６の金属パターンおよび第７の金属パターンは、複数の第５の導通ビアおよび複数の第６の導通ビアを介して電気的に接続されてもよい。
【0018】
［９］上記［８］の整合回路基板は、第６の基板の第１の面に対向するように設けられる第８の基板を更に備えてもよい。第８の基板は、第８の絶縁体、第８の絶縁体の主面上に設けられる第８の金属パターン、および、第８の絶縁体の周縁に設けられる複数の第８の導通ビアを有してもよい。第４の絶縁体の主面上には、第４の金属パターンと離間するように第９の金属パターンが設けられてもよい。第９の金属パターンは、第８の金属パターンに電気的に接続されてもよい。複数の第４の導通ビアは、第３の金属パターンおよび第８の導通ビアの少なくとも一方に電気的に接続されてもよい。第９の金属パターンは、複数の第４の導通ビアから離れて複数の第４の導通ビアの内側に位置し、複数の第４の導通ビアとは絶縁するように構成されていてもよい。
【0019】
［１０］上記［９］の整合回路基板において、第５の金属パターンは、第４の金属パターンおよび第９の金属パターンと電気的に接続されていてもよい。
【0020】
本開示の一実施形態に係る半導体装置は、上記［１］から［１０］のいずれかの整合回路基板と、半導体素子と、整合回路基板および半導体素子を搭載するベース基板と、を備える。この半導体装置では、整合回路基板とベース基板とが金属ペーストによって接合されている。この半導体装置では、上記したように、整合回路基板の外側に漏れる電界が小さくなる。よって、上記何れかの整合回路基板を有する半導体装置によれば、導電ペーストのマイグレーションが抑制される。
【0021】
［本開示の実施形態の詳細］
本開示の実施形態に係る整合回路基板および半導体装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本開示の実施形態に係る整合回路基板および半導体装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0022】
図１を参照して、整合回路基板を備える半導体装置について説明する。図１は、一実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。図１に示すように、半導体装置１は、ベース基板２、枠体３、第１リード４、第２リード５、トランジスタ６（半導体素子）、整合回路部品７および整合回路基板１０を備えている。半導体装置１は、枠体３の上方に設けられるリッドを更に備えてもよい。
【0023】
ベース基板２は、例えば、銅とモリブデンの積層基板等の導電体基板である。ベース基板２には、グランド電位等の基準電位が供給される。ベース基板２上に設けられる枠体３およびリッドは、例えばＦＲ－４（Flame Retardant Type 4）等の樹脂またはセラミックからなる誘電体から形成される。枠体３の長辺部３ａには第１リード４が取り付けられ、枠体３の長辺部３ｂには第２リード５が取り付けられる。ベース基板２上であって枠体３の内側には、トランジスタ６、整合回路部品７および整合回路基板１０が配置されている。トランジスタ６、整合回路部品７および整合回路基板１０は、銀（Ａｇ）ペースト等の金属ペーストＰによってベース基板２に搭載されている（図２を参照）。
【0024】
トランジスタ６は、電界効果トランジスタであり、例えばＧａＮ ＨＥＭＴ（Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor）等の半導体チップである。整合回路部品７は、例えば、キャパシタから構成され、第１リード４のインピーダンスとトランジスタ６のインピーダンスとを整合する部品である。例えば、第１リード４は入力リードであり、第２リード５は出力リードである。第１リード４は、ボンディングワイヤＷ１によって整合回路部品７に接続される。整合回路部品７は、ボンディングワイヤＷ２によってトランジスタ６に接続される。トランジスタ６は、ボンディングワイヤＷ３によって第２リード５に接続される。整合回路基板１０は、ボンディングワイヤＷ４によって、第１リード４に接続される。
【0025】
図２は、半導体装置１における整合回路基板１０付近のII-II線に沿った断面を示す図である。整合回路基板１０は、詳細は後述するが、複数の金属パターンと複数の絶縁体とを順に積層して作製された積層回路部品（例えばキャパシタ）である。図２に示すように、整合回路基板１０は、導電性の金属ペーストＰによって、ベース基板２の主面２ａ上に実装される。金属ペーストＰは、例えば、導電性の銀（Ａｇ）ペーストである。整合回路基板１０の裏面には裏面金属パターン１１（ベタ電極）が設けられている。裏面金属パターン１１が金属ペーストＰに接着されることで、整合回路基板１０がベース基板２に実装されると共に、ベース基板２に供給されるグランド電位が整合回路基板１０のグランド電極に供給されるようになる。
【0026】
整合回路基板１０の電極パッド１２にはボンディングワイヤＷ４を通じて第１リード４が接続されている。第１リード４に負電圧（－）が印加されると（第２リード５には正電圧（＋）が印加）、これによって生じるマイナスの電界によって金属ペーストＰ（銀ペースト）からグランド電極に向かって金属（例えば銀）のマイグレーションが生じることがある。本実施形態に係る整合回路基板１０では、以下で説明するように、このような電界を小さくする構成が設けられている。なお、図３に、図２に示すキャパシタ構成による回路の例を示す。
【0027】
図４は、図２に示す整合回路基板１０を分解した分解斜視図である。図４に示すように、整合回路基板１０は、複数の第１の基板２０、複数の第２の基板３０、及び、複数の第３の基板４０から構成されている。整合回路基板１０は、例えば、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板である。
【0028】
第１の基板２０は、電圧が印加される電極層を含む基板であり、第２の基板３０と第３の基板４０との間に配置されている。第１の基板２０は、絶縁体２１（第１の絶縁体）と、絶縁体２１の主面２１ａ上に設けられる金属パターン２２（第１の金属パターン）と、金属パターン２２の周囲を取り囲むように配置される複数の導通ビア２３（第１の導通ビア）と、金属パターン２２内に位置する導通ビア２４と、金属パターン２２内に位置する導通ビア２５とを有する。絶縁体２１は、例えば、セラミック材料から構成される絶縁基板である。絶縁体２１は、ＰＣＢ基板であってもよく、その場合、プリプレグを用いて積層を行う。以下の絶縁体の構成も同様である。
【0029】
金属パターン２２は、絶縁体２１の主面２１ａの周縁に設けられた複数の導通ビア２３を除く中央領域を覆うように形成されており、導通ビア２３とは導通しないようになっている。金属パターン２２は、平面方向における大きさが、後述する第２の基板３０の金属パターン３２または第３の基板４０の金属パターン４２よりも小さくなるように形成されている。金属パターン２２は、金属パターン３２または金属パターン４２の面積に対して、例えば、５０％以上９０％以下の大きさであってもよい。金属パターン２２は、例えば、銅または銀から形成されている。
【0030】
複数の導通ビア２３のそれぞれは、絶縁体２１を表面から裏面まで貫通するスルーホールの内周面に設けられた（またはスルーホールに充填された）金属材料（例えば銅または金、銀）から構成される導通ビアである。導通ビア２３は、絶縁体２１の表面に位置する電極と絶縁体２１の裏面に位置する電極とを電気的に接続する。導通ビア２３のそれぞれは、平面方向において、互いに離れるように配置されている。隣接する導通ビア２３同士の隔離距離は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。複数の導通ビア２３は、例えば、等間隔で配置される。
【0031】
導通ビア２４は、第４の基板５０の金属パターン５２を他の第１の基板２０の金属パターン２２に電気的に接続するための導通ビアである。導通ビア２４は、導通ビア２３と同様に、絶縁体２１を表面から裏面まで貫通するスルーホールの内周面に設けられた（またはスルーホールに充填された）金属材料から構成される導通ビアである。導通ビア２４は、平面方向において金属パターン２２の内側に設けられている。導通ビア２４は、表面において、金属パターン２２に接続されて導通すると共に、第２の基板３０の導通ビア３４に電気的に接続される。一方、導通ビア２４は、裏面において、第３の基板４０の導通ビア４４に電気的に接続される。
【0032】
導通ビア２５は、第２の基板３０の金属パターン３２と第３の基板４０の金属パターン４２とを電気的に接続するための導通ビアである。導通ビア２５は、導通ビア２４と同様に、絶縁体２１を表面から裏面まで貫通するスルーホールの内周面に設けられた（またはスルーホールに充填された）金属材料から構成される導通ビアである。導通ビア２５は、平面方向において金属パターン２２の内側に設けられている。導通ビア２５は、表面において、第２の基板３０の導通ビア３５に電気的に接続されており、裏面において、第３の基板４０の導通ビア４５に電気的に接続されている。導通ビア２５は、グランド電極として機能する金属パターン３２と金属パターン４２とを繋ぐ部材であり、電圧印加される金属パターン２２とは導通しないように、金属パターン２２の内側に設けられた空隙（例えば円形の非導通空間）内に露出するように設けられている。即ち、導通ビア２５は、金属パターン２２に対して絶縁されている。
【0033】
第２の基板３０は、グランド電圧が印加される電極層を含み、第１の基板２０の第１の面２０ａに対向するように設けられて積層される。第２の基板３０は、絶縁体３１（第２の絶縁体）と、絶縁体３１の主面３１ａ上に設けられる金属パターン３２（第２の金属パターン）と、金属パターン３２の周縁に配置される複数の導通ビア３３（第２の導通ビア）と、金属パターン３２内に位置する導通ビア３４と、金属パターン３２内に位置する導通ビア３５とを有する。絶縁体３１は、絶縁体２１と同様に、例えば、セラミック材料から構成される絶縁基板やＰＣＢ基板であってもよい。
【0034】
金属パターン３２は、絶縁体３１の主面３１ａの周縁を除く略全面を覆うように形成されている。金属パターン３２の面積は、絶縁体３１を挟んで対向する金属パターン２２の面積よりも大きく、第３の基板４０の金属パターン４２と同じ大きさとなっている。金属パターン３２は、例えば、銅または銀から形成されている。
【0035】
複数の導通ビア３３のそれぞれは、絶縁体３１を表面から裏面まで貫通するスルーホールの内周面に設けられた（またはスルーホールに充填された）金属材料（例えば銅または金、銀）から構成される導通ビアである。導通ビア３３は、絶縁体３１の表面に位置する金属パターン３２と絶縁体３１の裏面に位置する電極とを電気的に接続する。導通ビア３３のそれぞれは、平面方向において、互いに離れるように配置されている。隣接する導通ビア３３同士の隔離距離は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。複数の導通ビア３３は、例えば、等間隔で配置される。複数の導通ビア３３は、導通ビア２３と異なり、表面において金属パターン３２に電気的に接続されている。導通ビア３３は、導通ビア２３と電気的に接続される。
【0036】
導通ビア３４は、第４の基板５０の金属パターン５２を第１の基板２０の金属パターン２２に電気的に接続するための導通ビアである。導通ビア３４は、導通ビア３３と同様に、絶縁体３１を表面から裏面まで貫通するスルーホールの内周面に設けられた（またはスルーホールに充填された）金属材料から構成される導通ビアである。導通ビア３４は、平面方向において金属パターン３２の内側に設けられている。導通ビア３４は、表面において、第４の基板５０の導通ビア５４に接続されており、導通するようになっている。一方、導通ビア３４は、裏面において、第１の基板２０の金属パターン２２または導通ビア２４に電気的に接続されている。導通ビア３４は、電圧印加層として機能する金属パターン５２と金属パターン２２とを繋ぐ部材であり、グランド電圧が印加される金属パターン３２とは導通しないように、金属パターン３２に設けられた空隙（例えば円形の非導通空間）に露出するように設けられている。即ち、導通ビア３４は、金属パターン３２に対して絶縁されている。
【0037】
導通ビア３５は、第２の基板３０の金属パターン３２と第３の基板４０の金属パターン４２とを電気的に接続するための部材である。導通ビア３５は、導通ビア３４と同様に、絶縁体３１を表面から裏面まで貫通するスルーホールの内周面に設けられた（またはスルーホールに充填された）金属材料から構成される導通ビアである。導通ビア３５は、平面方向において金属パターン３２の内側に設けられている。導通ビア３５は、表面において、第２の基板３０の金属パターン３２に接続されており、裏面において、第１の基板２０の導通ビア２５に電気的に接続されている。
【0038】
第３の基板４０は、第２の基板３０と同様に、グランド電圧が印加される電極層を含み、第１の基板２０の裏面である第２の面２０ｂに対向するように設けられて積層される。第３の基板４０は、絶縁体４１（第３の絶縁体）と、絶縁体４１の主面４１ａ上に設けられる金属パターン４２（第３の金属パターン）と、金属パターン４２の周縁に配置される複数の導通ビア４３（第３の導通ビア）と、金属パターン４２内に位置する導通ビア４４と、金属パターン４２内に位置する導通ビア４５とを有する。第３の基板４０の基本的な構成は、第２の基板３０と同じである。
【0039】
絶縁体４１は、絶縁体２１，３１と同様に、例えば、セラミック材料から構成される絶縁基板やＰＣＢ基板である。金属パターン４２は、金属パターン３２と同様に、絶縁体４１の主面４１ａの周縁を除く略全面を覆うように形成されている。金属パターン４２の面積は、絶縁体２１を挟んで対向する金属パターン２２の面積よりも大きく、第２の基板３０の金属パターン３２と同じ大きさとなっている。金属パターン４２は、例えば、銅または銀から形成されている。
【0040】
複数の導通ビア４３のそれぞれは、絶縁体４１を表面から裏面まで貫通するスルーホールの内周面に設けられた（またはスルーホールに充填された）金属材料から構成される導通ビアである。導通ビア４３は、絶縁体４１の表面に位置する金属パターン４２と絶縁体４１の裏面に位置する電極とを電気的に接続する。導通ビア４３のそれぞれは、平面方向において、互いに離れるように配置されている。隣接する導通ビア４３同士の隔離距離は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。複数の導通ビア４３は、例えば、等間隔で配置される。複数の導通ビア４３は、導通ビア２３と異なり、表面において金属パターン４２に電気的に接続されている。導通ビア４３は、導通ビア２３に電気的に接続される。
【0041】
導通ビア４４は、第１の基板２０の金属パターン２２を別の第１の基板２０の金属パターン２２に電気的に接続するための導通ビアである。導通ビア４４は、導通ビア４３と同様に、絶縁体４１を表面から裏面まで貫通するスルーホールの内周面に設けられた（またはスルーホールに充填された）金属材料から構成される導通ビアである。導通ビア４４は、平面方向において金属パターン４２の内側に設けられている。導通ビア４４は、表面において、第１の基板２０の導通ビア２４に接続されており、導通するようになっている。一方、導通ビア４４は、裏面において、別の第１の基板２０の金属パターン２２または導通ビア２４に電気的に接続されている。導通ビア４４は、電圧印加層として機能する金属パターン２２を別の金属パターン２２に繋ぐ部材であり、グランド電圧が印加される金属パターン４２とは導通しないように、金属パターン４２に設けられた空隙（例えば円形の非導通空間）に露出するように設けられている。即ち、導通ビア４４は、金属パターン４２に対して絶縁されている。
【0042】
導通ビア４５は、第３の基板４０の金属パターン４２を別の第２の基板３０の金属パターン３２に電気的に接続するための部材である。導通ビア４５は、導通ビア４４と同様に、絶縁体４１を表面から裏面まで貫通するスルーホールの内周面に設けられた（またはスルーホールに充填された）金属材料から構成される導通ビアである。導通ビア４５は、平面方向において金属パターン４２の内側に設けられている。導通ビア４５は、表面において、第３の基板４０の金属パターン４２に接続されており、裏面において、別の第２の基板３０の導通ビア３５に電気的に接続されている。
【0043】
第４の基板５０は、整合回路基板１０の最表面に配置される基板であって、ボンディングワイヤＷ４によって電圧が直接印加される電極層を含む。第４の基板５０は、第２の基板３０の上に設けられる。第４の基板５０は、絶縁体５１（第４の絶縁体）と、絶縁体５１の主面５１ａ上に設けられる金属パターン５２（第４の金属パターン）と、金属パターン５２内に位置する導通ビア５４とを有する。
【0044】
絶縁体５１は、絶縁体２１，３１，４１と同様に、例えば、セラミック材料から構成される絶縁基板やＰＣＢ基板である。金属パターン５２は、絶縁体５１の主面５１ａの周縁を除く略全面を覆うように形成されている。金属パターン５２には、ボンディングワイヤＷ４が接続されている。金属パターン５２は、例えば、銅または銀から形成されている。
【0045】
導通ビア５４は、第４の基板５０の金属パターン５２を第１の基板２０の金属パターン２２に電気的に接続するための導通ビアである。導通ビア５４は、絶縁体５１を表面から裏面まで貫通するスルーホールの内周面に設けられた（またはスルーホールに充填された）金属材料から構成される導通ビアである。導通ビア５４は、平面方向において金属パターン５２の内側に設けられている。導通ビア５４は、表面において、金属パターン５２に接続されて導通すると共に、裏面において、第２の基板３０の導通ビア３４に電気的に接続されている。金属パターン５２は、導通ビア５４および導通ビア３４によって、第１の基板２０の金属パターン２２および導通ビア２４に電気的に接続される。
【0046】
整合回路基板１０では、このような複数の基板を有しており、例えば、金属パターン２２、絶縁体３１および金属パターン３２から第１のキャパシタＣ１（ａ）が構成され、金属パターン２２、絶縁体２１および金属パターン４２から第２のキャパシタＣ１（ｂ）が構成される。図５には、複数のキャパシタＣ１（ａ）からＣ１（ｍ）が構成された場合の回路の例を示している。なお、整合回路基板１０では、最下層の第３の基板４０の底面に裏面金属パターン１１（図２を参照）が設けられている。この場合、第３の基板４０の複数の導通ビア４３および導通ビア４５は、金属パターン４２と裏面金属パターン１１とを電気的に接続する。この裏面金属パターン１１は、金属ペーストＰによってベース基板２に更に接続される。
【0047】
ここで、本実施形態に係る整合回路基板１０によって、金属ペーストＰのマイグレーションが抑制される効果について、一般的な整合回路部品を用いた場合と対比して説明する。図１０は、一般的な整合回路部品を分解した分解斜視図である。図１０に示す整合回路基板１００は、複数の第１の基板１２０、複数の第２の基板１３０、複数の第３の基板１４０、および、第４の基板１５０を備えて構成されている。第１の基板１２０、第２の基板１３０、第３の基板１４０および第４の基板１５０は、上述した整合回路基板１０の第１の基板２０、第２の基板３０、第３の基板４０および第４の基板５０に対応する。整合回路基板１００が整合回路基板１０と相違する点は、第１の基板、第２の基板および第３の基板の周縁に複数の導通ビア２３，３３，４３を設けておらず、また、第１の基板１２０の金属パターン１２２が第２の基板１３０と第３の基板１４０の金属パターン１３２，１４２と略同じ大きさである点である。このような整合回路基板１００を備えた半導体装置では、第１リード４に負電圧が印加されると、この電圧によって生じる電界の影響により、整合回路基板１００をベース基板２に実装する際に用いた金属ペーストＰ（銀ペースト）がマイグレーションを起こしてしまうことがある。
【0048】
これに対し、本実施形態に係る整合回路基板１０では、金属パターン２２が複数の導通ビア２３から離れて複数の導通ビア２３の内側に位置している。このため、金属パターン２２が金属パターン３２又は金属パターン４２の長さや幅よりも小さくなる。これにより、整合回路基板１０の外側（特に側面の外側）に漏れる電界が小さくなる。また、本実施形態に係る整合回路基板１０では、複数の導通ビア２３および複数の導通ビア３３を電圧が印加される金属パターンの外側に配置している。これにより、整合回路基板１０の外側に漏れる電界が更に小さくなる。以上から、整合回路基板１０によれば、金属ペーストＰのマイグレーションが抑制される。
【0049】
本実施形態に係る整合回路基板１０では、第３の基板４０は、絶縁体４１の周縁に配置される複数の導通ビア４３を更に有している。これにより、整合回路基板１０の外側に漏れる電界が更に小さくなる。また、整合回路基板１０では、最下層の第３の基板４０の絶縁体４１の裏面に設けられる裏面金属パターン１１を有している。そして、金属パターン４２は、複数の導通ビア４３を通じて、裏面金属パターン１１に電気的に接続されている。これにより、金属パターン４２を容易にグランド電極として利用することができる。
【0050】
本実施形態に係る整合回路基板１０では、金属パターン３２および金属パターン４２の少なくとも一方には基準電位が供給されるように構成されている。これにより、金属パターン３２および金属パターン４２をグランド電極として容易に用いることができる。
【0051】
本実施形態に係る半導体装置１は、整合回路基板１０と、トランジスタ６と、整合回路基板１０およびトランジスタ６を搭載するベース基板２と、を備える。半導体装置１では、整合回路基板１０とベース基板２とが金属ペーストＰを介して接合されている。この半導体装置１では、上記したように、整合回路基板１０の外側に漏れる電界が小さくなっている。よって、半導体装置１によれば、金属ペーストＰのマイグレーションが抑制される。
【0052】
［第１変形例］
次に、図６を参照して、整合回路基板１０の第１変形例について説明する。図６は、第１変形例に係る整合回路基板１０Ａを分解した分解斜視図である。図６に示すように、第１変形例に係る整合回路基板１０Ａは、複数の第１の基板２０Ａ、複数の第２の基板３０、複数の第３の基板４０および第４の基板５０を備えて構成されている。第１変形例に係る整合回路基板１０Ａの第１の基板２０Ａは、整合回路基板１０の第１の基板２０と相違する。整合回路基板１０Ａの他の構成（絶縁体等を含む）は、整合回路基板１０と同様である。
次に、図６を参照して、整合回路基板１０の第１変形例について説明する。図６は、第１変形例に係る整合回路基板１０Ａを分解した分解斜視図である。図６に示すように、第１変形例に係る整合回路基板１０Ａは、複数の第１の基板２０Ａ、複数の第２の基板３０、複数の第３の基板４０および第４の基板５０を備えて構成されている。第１変形例に係る整合回路基板１０Ａの第１の基板２０Ａは、整合回路基板１０の第１の基板２０と相違する。整合回路基板１０Ａの他の構成（絶縁体等を含む）は、整合回路基板１０と同様である。
【0053】
第１の基板２０Ａは、第１の基板２０と同様に、電圧が印加される電極層を含む基板であり、第２の基板３０と第３の基板４０との間に配置されている。第１の基板２０Ａは、絶縁体２１と、絶縁体２１の主面２１ａ上に設けられる金属パターン２２と、金属パターン２２の周囲を取り囲むように配置される複数の導通ビア２３Ａと、金属パターン２２内に位置する導通ビア２４と、金属パターン２２内に位置する導通ビア２５とを有する。整合回路基板１０Ａでは、複数の導通ビア２３Ａのそれぞれが互いに電気的に接続され、複数の導通ビア２３Ａが金属パターン２２を取り囲むガードリング構造を有している。なお、ガードリング構造をしている導通ビア２３Ａが金属パターン２２に対して絶縁されている点は、整合回路基板１０と同様である。
【0054】
このような整合回路基板１０Ａにおいても、上述した整合回路基板１０および半導体装置１と同様の作用効果を奏することができる。これに加え、整合回路基板１０Ａでは、複数の導通ビア２３は、それぞれが互いに電気的に接続され、複数の導通ビア２３が金属パターン２２を取り囲むガードリンク構造を有している。これにより、整合回路基板１０Ａの外側に漏れる電界が更に小さくなる。よって、整合回路基板１０Ａによれば、金属ペーストのマイグレーションが更に抑制される。
【0055】
［第２変形例］
次に、図７を参照して、整合回路基板１０の第２変形例について説明する。図７は、第２変形例に係る整合回路基板１０Ｂを分解した分解斜視図である。図７に示すように、第２変形例に係る整合回路基板１０Ｂは、複数の第１の基板２０Ａ、複数の第２の基板３０、複数の第３の基板４０および第４の基板５０Ｂを備えて構成されている。第２変形例に係る整合回路基板１０Ｂの第４の基板５０Ｂは、整合回路基板１０，１０Ａの第４の基板５０と相違する。整合回路基板１０Ｂの他の構成は、整合回路基板１０Ａと同様である。
次に、図７を参照して、整合回路基板１０の第２変形例について説明する。図７は、第２変形例に係る整合回路基板１０Ｂを分解した分解斜視図である。図７に示すように、第２変形例に係る整合回路基板１０Ｂは、複数の第１の基板２０Ａ、複数の第２の基板３０、複数の第３の基板４０および第４の基板５０Ｂを備えて構成されている。第２変形例に係る整合回路基板１０Ｂの第４の基板５０Ｂは、整合回路基板１０，１０Ａの第４の基板５０と相違する。整合回路基板１０Ｂの他の構成は、整合回路基板１０Ａと同様である。
【0056】
第４の基板５０Ｂは、絶縁体５１と、絶縁体５１の主面５１ａ上に設けられる金属パターン５２Ｂ（第４の金属パターン）と、金属パターン５２Ｂの周囲を取り囲むように配置される複数の導通ビア５３Ｂ（第４の導通ビア）と、金属パターン５２Ｂ内に位置する導通ビア５４とを有する。
【0057】
金属パターン５２Ｂは、絶縁体５１の主面５１ａの周縁に設けられた複数の導通ビア５３Ｂを除く中央領域を覆うように形成されている。金属パターン５２Ｂは、平面方向における大きさが、第２の基板３０の金属パターン３２または第３の基板４０の金属パターン４２よりも小さくなるように形成されている。また、金属パターン５２Ｂの大きさは、金属パターン２２の大きさと略同じであってもよい。金属パターン５２Ｂは、金属パターン３２または金属パターン４２の面積に対して、例えば、５０％以上９０％以下の大きさであってもよい。
【0058】
複数の導通ビア５３Ｂのそれぞれは、絶縁体５１を表面から裏面まで貫通するスルーホールの内周面に設けられた（またはスルーホールに充填された）金属材料から構成される導通ビアである。導通ビア５３Ｂは、絶縁体５１の表面に位置する電極と絶縁体５１の裏面に位置する電極とを電気的に接続する。導通ビア５３Ｂのそれぞれは、平面方向において、互いに離れるように配置されている。隣接する導通ビア５３Ｂ同士の隔離距離は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。複数の導通ビア５３Ｂは、例えば、等間隔で配置される。導通ビア５３Ｂは、裏面において、第２の基板３０の導通ビア３３に接続される。
【0059】
また、整合回路基板１０Ｂでは、複数の導通ビア５３Ｂのそれぞれが互いに電気的に接続され、複数の導通ビア５３Ｂが金属パターン５２Ｂを取り囲むガードリング構造を有している。なお、ガードリング構造をしている導通ビア５３Ｂが金属パターン５２Ｂに対して絶縁されている点は、第１の基板２０における金属パターン２２と導通ビア２３と同様である。
【0060】
このような整合回路基板１０Ｂにおいても、上述した整合回路基板１０，１０Ａおよび半導体装置１と同様の作用効果を奏することができる。これに加え、整合回路基板１０Ｂでは、複数の導通ビア５３Ｂは、金属パターン３２および導通ビア３３に電気的に接続され、金属パターン５２Ｂは、導通ビア５３Ｂから離れて導通ビア５３Ｂの内側に位置し、導通ビア５３Ｂとは絶縁するように構成されている。これにより、整合回路基板１０Ｂでは、複数の導通ビア５３Ｂが電圧が印加される金属パターン５２Ｂの外側に配置されているため、整合回路基板１０Ｂの外側に漏れる電界が更に小さくなる。以上から、整合回路基板１０Ｂによれば、金属ペーストのマイグレーションが更に抑制される。
【0061】
また、整合回路基板１０Ｂでは、複数の導通ビア５３Ｂは、それぞれが互いに電気的に接続され、複数の導通ビア５３Ｂが金属パターン５２Ｂを取り囲むガードリンク構造を有している。このため、整合回路基板１０Ｂの外側に漏れる電界が更に小さくなる。よって、整合回路基板１０Ｂによれば、金属ペーストのマイグレーションが更に抑制される。
【0062】
［第３変形例］
次に、図８を参照して、整合回路基板１０の第３変形例について説明する。図８は、第３変形例に係る整合回路基板１０Ｃを分解した分解斜視図である。図８に示すように、第３変形例に係る整合回路基板１０Ｃは、第１の基板２０Ｃ、第２の基板３０Ｃ、第３の基板４０Ｃ、第４の基板５０Ｃ、および、第８の基板６０を備えて構成されている。整合回路基板１０Ｃは、更に、第５の基板７０、第６の基板８０、および、第７の基板９０を更に備えている。第３変形例に係る整合回路基板１０Ｃの第１の基板２０Ｃおよび第８の基板６０と、第２の基板３０Ｃと、第３の基板４０Ｃと、第４の基板５０Ｃとは、整合回路基板１０の第１の基板２０と、第２の基板３０と、第３の基板４０と、第４の基板５０とに対応する。但し、第５の基板７０は、金属パターン７２（第５の金属パターン）を設けていることから、各基板における導通ビアの配置等が異なっている。なお、図９は、整合回路基板１０Ｃによって構成される回路の一例を示す図である。
次に、図８を参照して、整合回路基板１０の第３変形例について説明する。図８は、第３変形例に係る整合回路基板１０Ｃを分解した分解斜視図である。図８に示すように、第３変形例に係る整合回路基板１０Ｃは、第１の基板２０Ｃ、第２の基板３０Ｃ、第３の基板４０Ｃ、第４の基板５０Ｃ、および、第８の基板６０を備えて構成されている。整合回路基板１０Ｃは、更に、第５の基板７０、第６の基板８０、および、第７の基板９０を更に備えている。第３変形例に係る整合回路基板１０Ｃの第１の基板２０Ｃおよび第８の基板６０と、第２の基板３０Ｃと、第３の基板４０Ｃと、第４の基板５０Ｃとは、整合回路基板１０の第１の基板２０と、第２の基板３０と、第３の基板４０と、第４の基板５０とに対応する。但し、第５の基板７０は、金属パターン７２（第５の金属パターン）を設けていることから、各基板における導通ビアの配置等が異なっている。なお、図９は、整合回路基板１０Ｃによって構成される回路の一例を示す図である。
【0063】
第１の基板２０Ｃは、絶縁体２１、金属パターン２２Ｃ、複数の導通ビア２３Ａおよび導通ビア２４，２５，２６，２７，２８を有している。導通ビア２４から２８は、平面方向において金属パターン２２Ｃの内側に位置しており、導通ビア２５から２８は金属パターン２２Ｃに対して絶縁するように設けられている。
【0064】
第２の基板３０Ｃは、絶縁体３１、金属パターン３２Ｃ、複数の導通ビア３３および導通ビア３４，３５，３６，３７，３８を有している。導通ビア３４から３８は、平面方向において金属パターン３２Ｃの内側に位置しており、導通ビア３４と導通ビア３６から３８は金属パターン３２Ｃに対して絶縁するように設けられている。導通ビア３５は、金属パターン３２Ｃに導通するように構成されている。
【0065】
第３の基板４０Ｃは、絶縁体４１、金属パターン４２Ｃ、複数の導通ビア４３および導通ビア４５，４６，４７，４８を有している。導通ビア４５から４８は、平面方向において金属パターン４２Ｃの内側に位置しており、導通ビア４６から４８は金属パターン４２Ｃに対して絶縁するように設けられている。導通ビア４５は、金属パターン４２Ｃに導通するように構成されている。
【0066】
第４の基板５０Ｃは、絶縁体５１、一対の金属パターン５２Ｃ，５２Ｄ（第９の金属パターン）、複数の導通ビア５３Ｂおよび導通ビア５４，５６，５７，５８を有している。導通ビア５４と導通ビア５６から５８は、平面方向において金属パターン５２Ｃ，５２Ｄの内側に位置しており、すべての導通ビア５４，５６から５８は一対の金属パターン５２Ｃ，５２Ｄのいずれかに対して導通するように設けられている。
【0067】
第８の基板６０は、絶縁体６１（第８の絶縁体）、金属パターン６２Ｃ（第８の金属パターン）、複数の導通ビア６３Ｃ（第８の導通ビア）および導通ビア６５，６６，６７，６８を有している。導通ビア６５から６８は、平面方向において金属パターン６２Ｃの内側に位置しており、導通ビア６５，６７，６８は金属パターン６２Ｃに対して絶縁するように設けられている。導通ビア６６は、金属パターン６２Ｃに導通するように構成されている。
【0068】
第５の基板７０は、第６の基板８０と第７の基板９０との間に配置される基板である。第５の基板７０は、絶縁体７１（第５の絶縁体）、金属パターン７２（第５の金属パターン）、複数の導通ビア７３（複数の第５の導通ビア）および導通ビア７５を有している。金属パターン７２は、インダクタを形成しており、一端７２ａから他端７２ｂに向かってコイル形状を呈している。
【0069】
複数の導通ビア７３は、導通ビア２３Ａと同様に、絶縁体７１の周縁に金属パターン７２を取り囲むように形成されている。複数の導通ビア７３のそれぞれは、平面方向において、互いに離れるように配置されている。また、複数の導通ビア７３のそれぞれが互いに電気的に接続され、複数の導通ビア７３が金属パターン７２を取り囲むガードリング構造を有している。なお、ガードリング構造をしている導通ビア７３が金属パターン７２に対して絶縁されている点は、金属パターン２２Ｃと導通ビア２３Ａと同様である。
【0070】
第６の基板８０は、第５の基板７０の第１の面７０ａに対向するように設けられている。第６の基板８０は、第２の基板３０Ｃと略同様の構成を備えており、絶縁体８１（第６の絶縁体）、金属パターン８２（第６の金属パターン）、複数の導通ビア８３（第６の導通ビア）および導通ビア８５，８７，８８を有している。導通ビア８５，８７，８８は、平面方向において金属パターン８２の内側に位置しており、導通ビア８７，８８は金属パターン８２に対して絶縁するように設けられている。導通ビア８５は、金属パターン８２に対して導通するように構成されている。
【0071】
第７の基板９０は、第５の基板７０の第２の面７０ｂに対向するように設けられている。第７の基板９０は、第２の基板３０Ｃと略同様の構成を備えており、絶縁体９１（第７の絶縁体）、金属パターン９２（第７の金属パターン）、複数の導通ビア９３（第７の導通ビア）および導通ビア９５を有している。導通ビア９５は、平面方向において金属パターン９２の内側に位置しており、導通ビア９５は金属パターン９２に対して導通するように設けられている。なお、第７の基板９０の裏面には、裏面金属パターン１１が設けられており、導通ビア９３，９５により、金属パターン９２と裏面金属パターン１１が電気的に接続されている。
【0072】
このような整合回路基板１０Ｃでは、導通ビア５４，３４，２４が導通することで、金属パターン５２Ｃと金属パターン２２Ｃとが電気的に接続されている。同様に、導通ビア３５，２５，４５，６５，８５，７５，９５が導通することで、金属パターン３２Ｃ，４２Ｃ，８２，９２が電気的に接続されて、グランド電極として機能する。導通ビア５６，３６，２６，４６，６６が導通することで、金属パターン５２Ｄと金属パターン６２Ｃとが電気的に接続されている。導通ビア５７，３７，２７，４７，６７，８７および一端７２ａが導通することで、金属パターン５２Ｄと金属パターン７２とが電気的に接続されている。導通ビア５８，３８，２８，４８，６８，８８および他端７２ｂが導通することで、金属パターン５２Ｃと金属パターン７２とが電気的に接続されている。
【0073】
このような整合回路基板１０Ｃにおいても、金属パターン２２Ｃ，６２Ｃは他の金属パターンに対して小さいため、整合回路基板１０Ｃの外側（特に側面の外側）に漏れる電界が小さくなる。また、本実施形態に係る整合回路基板１０Ｃでは、複数の導通ビア５３Ｂ，３３，２３Ａ，４３，６３Ｃ，８３，７３，９３が互いに導通され、これら導通ビアを電圧が印加される金属パターンの外側に配置している。これにより、整合回路基板１０Ｃの外側に漏れる電界が更に小さくなる。以上から、整合回路基板１０Ｃによれば、上述した整合回路基板１０，１０Ａ，１０Ｂおよび半導体装置１と同様に、金属ペーストＰのマイグレーションが抑制される。これに加え、整合回路基板１０Ｃでは、第５の基板７０の金属パターン７２がインダクタを形成している。また、第５の基板７０の金属パターン７２と一対の金属パターン５２Ｃ，５２Ｄは、複数の導通ビア２７，２８，３７，３８，４７，４８，５７，５８，６７，６８，８７,８８を介して接続されており、この複数のビアもインダクタとして機能する。これにより、より大きいインダクタンスを形成することができる。これにより、整合回路基板１０Ｃにキャパシタ以外の回路部であるインダクタを設けることができ、様々な回路構成とすることが可能となる。
【符号の説明】
【0074】
１…半導体装置
２…ベース基板
２ａ…主面
３…枠体
４…第１リード
５…第２リード
６…トランジスタ
７…整合回路部品
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１００…整合回路基板
２０，２０Ａ，２０Ｃ，１２０…第１の基板
２０ａ…第１の面
２０ｂ…第２の面
２１…絶縁体（第１の絶縁体）
２１ａ…主面
２２，２２Ｃ…金属パターン（第１の金属パターン）
２３，２３Ａ…導通ビア（第１の導通ビア）
２４，３４，４４，５４…導通ビア
２５，３５，４５，６５，７５，８５，９５…導通ビア
２６，３６，４６，５６，６６…導通ビア
２７，３７，４７，５７，６７，８７…導通ビア
２８，３８，４８，５８，６８，８８…導通ビア
３０，３０Ｃ，１３０…第２の基板
３１…絶縁体（第２の絶縁体）
３１ａ…主面
３２，３２Ｃ…金属パターン（第２の金属パターン）
３３…導通ビア（第２の導通ビア）
４０，４０Ｃ，１４０…第３の基板
４１…絶縁体（第３の絶縁体）
４１ａ…主面
４２…金属パターン（第３の金属パターン）
４３…導通ビア（第３の導通ビア）
５０，５０Ｂ，５０Ｃ，１５０…第４の基板
５１…絶縁体（第４の絶縁体）
５１ａ…主面
５２，５２Ｂ，５２Ｃ…金属パターン（第４の金属パターン）
５２Ｄ…金属パターン（第９の金属パターン）
５３Ｂ…導通ビア（第４の導通ビア）
６０…第８の基板
６１…絶縁体（第８の絶縁体）
６２Ｃ…金属パターン（第８の金属パターン）
６３Ｃ…導通ビア（第８の導通ビア）
７０…第５の基板
７０ａ…第１の面
７０ｂ…第２の面
７１…絶縁体（第５の絶縁体）
７２…金属パターン（第５の金属パターン）
７２ａ…一端
７２ｂ…他端
７３…導通ビア（第５の導通ビア）
８０…第６の基板
８１…絶縁体（第６の絶縁体）
８２…金属パターン（第６の金属パターン）
８３…導通ビア（第６の導通ビア）
９０…第７の基板
９１…絶縁体（第７の絶縁体）
９２…金属パターン（第７の金属パターン）
９３…導通ビア（第７の導通ビア）
Ｐ…金属ペースト
Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…ボンディングワイヤ
２…ベース基板
２ａ…主面
３…枠体
４…第１リード
５…第２リード
６…トランジスタ
７…整合回路部品
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１００…整合回路基板
２０，２０Ａ，２０Ｃ，１２０…第１の基板
２０ａ…第１の面
２０ｂ…第２の面
２１…絶縁体（第１の絶縁体）
２１ａ…主面
２２，２２Ｃ…金属パターン（第１の金属パターン）
２３，２３Ａ…導通ビア（第１の導通ビア）
２４，３４，４４，５４…導通ビア
２５，３５，４５，６５，７５，８５，９５…導通ビア
２６，３６，４６，５６，６６…導通ビア
２７，３７，４７，５７，６７，８７…導通ビア
２８，３８，４８，５８，６８，８８…導通ビア
３０，３０Ｃ，１３０…第２の基板
３１…絶縁体（第２の絶縁体）
３１ａ…主面
３２，３２Ｃ…金属パターン（第２の金属パターン）
３３…導通ビア（第２の導通ビア）
４０，４０Ｃ，１４０…第３の基板
４１…絶縁体（第３の絶縁体）
４１ａ…主面
４２…金属パターン（第３の金属パターン）
４３…導通ビア（第３の導通ビア）
５０，５０Ｂ，５０Ｃ，１５０…第４の基板
５１…絶縁体（第４の絶縁体）
５１ａ…主面
５２，５２Ｂ，５２Ｃ…金属パターン（第４の金属パターン）
５２Ｄ…金属パターン（第９の金属パターン）
５３Ｂ…導通ビア（第４の導通ビア）
６０…第８の基板
６１…絶縁体（第８の絶縁体）
６２Ｃ…金属パターン（第８の金属パターン）
６３Ｃ…導通ビア（第８の導通ビア）
７０…第５の基板
７０ａ…第１の面
７０ｂ…第２の面
７１…絶縁体（第５の絶縁体）
７２…金属パターン（第５の金属パターン）
７２ａ…一端
７２ｂ…他端
７３…導通ビア（第５の導通ビア）
８０…第６の基板
８１…絶縁体（第６の絶縁体）
８２…金属パターン（第６の金属パターン）
８３…導通ビア（第６の導通ビア）
９０…第７の基板
９１…絶縁体（第７の絶縁体）
９２…金属パターン（第７の金属パターン）
９３…導通ビア（第７の導通ビア）
Ｐ…金属ペースト
Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…ボンディングワイヤ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
