特開 2024-12071 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024012071

(43)【公開日】2024-01-25

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240118BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20240118BHJP

   B05C 11/10 20060101ALI20240118BHJP

   B05B 1/02 20060101ALI20240118BHJP

   B05B 15/555 20180101ALI20240118BHJP

   B05C 11/08 20060101ALI20240118BHJP

   B05C 11/00 20060101ALI20240118BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 648L

H01L21/304 643A

H01L21/304 648K

H01L21/30 564Z

B05C11/10

B05B1/02

B05B15/555

B05C11/08

B05C11/00

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023070617

(22)【出願日】2023-04-24

(31)【優先権主張番号】10-2022-0087731

(32)【優先日】2022-07-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】518162784

【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100114775

【弁理士】

【氏名又は名称】高岡 亮一

(74)【代理人】

【識別番号】100121511

【弁理士】

【氏名又は名称】小田 直

(74)【代理人】

【識別番号】100202751

【弁理士】

【氏名又は名称】岩堀 明代

(74)【代理人】

【識別番号】100208580

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 玲奈

(74)【代理人】

【識別番号】100191086

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 香元

(72)【発明者】

【氏名】キム，デ スン

(72)【発明者】

【氏名】イム，ジェイ ヒョン

(72)【発明者】

【氏名】ユン，キョ サン

(72)【発明者】

【氏名】チャン，ホ ジン

(72)【発明者】

【氏名】チョ，ア ラ

【テーマコード（参考）】

4D073

4F033

4F042

5F146

5F157

【Ｆターム（参考）】

4D073AA09

4D073BB03

4D073CA19

4D073CA20

4D073CB23

4D073CC02

4D073DC02

4D073DC17

4D073DC25

4F033BA03

4F033CA02

4F033DA05

4F033EA02

4F033JA03

4F033NA01

4F042AA07

4F042AB00

4F042BA06

4F042BA11

4F042CC04

4F042CC07

4F042CC15

4F042CC27

4F042DA08

4F042DB04

4F042DB17

4F042DF09

4F042DF25

4F042DH09

4F042EB05

4F042EB07

4F042EB09

4F042EB13

4F042EB17

4F042EB24

4F042EB28

5F146JA06

5F146JA08

5F146JA09

5F157AB02

5F157AB16

5F157AB33

5F157AB45

5F157AB47

5F157AB51

5F157AB64

5F157AB90

5F157BB22

5F157BB45

5F157CC03

5F157CF04

5F157CF16

5F157DA14

5F157DA15

(57)【要約】      （修正有）

【課題】排気ライン内のヒュームを効果的に除去する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０００は、工程チャンバＣと、基板Ｗを支持する支持部Ｓと、工程チャンバＣ内に配置され、基板が収容される処理空間１１１０、支持部の外側を囲む内側カップ１１２０及び内側カップの外側に配置される外側カップ１１３０を含む処理容器１１００と、処理空間内で基板に処理液を供給して基板を処理する液供給ライン１２００と、処理容器に連結されて処理空間の気体を外部に排気する排気ライン１３００と、排気ラインに配置され、排気ラインの内部に積層された汚染物質を除去する洗浄液を噴射する噴射部１４００と、排気ラインから分岐し、吸引部１６００が配置され、洗浄液によって排気ラインの内部から除去された汚染物質が含まれた洗浄液の廃液を吸引して処理チャンバＣの外部に排出させる洗浄液排出ライン１５００と、を含む。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

工程チャンバ内に配置され、基板が収容される処理空間を含む処理容器と、
前記処理空間内で前記基板に処理液を供給して基板を処理する液供給ラインと、
前記処理容器に連結されて前記処理空間の気体を外部に排気する排気ラインと、
前記排気ラインに配置され、前記排気ラインの内部に積層された汚染物質を除去する洗浄液を噴射する噴射部と、
前記排気ラインから分岐し、吸引部が配置され、前記洗浄液によって前記排気ラインの内部から除去された汚染物質が含まれた洗浄液の廃液を吸引して前記工程チャンバの外部に排出させる洗浄液排出ラインと、を含む、基板処理装置。

【請求項2】

前記排気ラインは、前記処理容器の底に連結される複数個の第１排気管、一端が対応する前記第１排気管のそれぞれに連結され、他端が互いに合流する複数個の第２排気管及び前記第２排気管の他端の合流地点に連結されて気体状態の汚染物質が外部に排気される第３排気管を含み、
前記第２排気管の他端の合流地点に前記洗浄液排出ラインの流入端が連結される、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記噴射部は、前記第２排気管の一端にそれぞれ配置され、前記第２排気管の内部から各前記第２排気管の他端に向かって洗浄液を噴射する、請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記第２排気管の他端の合流地点に対応する底面には凹状に形成される液貯留溝が配置され、前記洗浄液排出ラインの流入端が前記第２排気管の内部に延びて前記液貯留溝の上方に位置する、請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項5】

一端が前記排気ラインに連結され、他端が前記工程チャンバと連通して前記工程チャンバ内の雰囲気ガスを排気する工程ガス排気ラインを含む、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記処理空間内で基板を処理する処理液を前記工程チャンバの外部に排出する処理液排出ラインを含み、
前記処理液排出ラインと前記洗浄液排出ラインは互いに連結される、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記吸引部は真空エジェクタからなる、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記噴射部は、スプレー形態で洗浄液を噴射する洗浄液噴射ノズルを含む、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記噴射部は、前記排気ラインから洗浄液を噴射する噴射方向が排気方向に向かって一定角度で調節可能に配置される、請求項１または８に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記排気ラインに配置され、前記排気ラインの内部に流動する気体の流速を測定する流速測定器及び排気ラインの内部の気体の圧力を測定する圧力測定器を含む、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項11】

工程チャンバ内に配置され、基板が収容される処理空間を含む処理容器と、
前記処理容器の内部に配置されて前記基板を回転及び支持する支持部と、
前記処理空間内で前記基板に処理液を供給して基板を処理する液供給ラインと、
前記液供給ラインの吐出端に配置されて処理液を吐出するノズル部と、
前記処理容器の底に連結される複数個の第１排気管、一端が対応する前記第１排気管のそれぞれに連結され、他端が互いに合流する複数個の第２排気管及び前記第２排気管の他端の合流地点に連結され、前記処理空間の気体を外部に排気する第３排気管を含む排気ラインと、
前記排気ラインに配置され、前記排気ラインの内部に積層された汚染物質を除去する洗浄液を排気方向に向かって噴射する噴射部と、
前記第２排気管の他端の合流地点で分岐し、エジェクタが配置されて前記洗浄液によって前記排気ラインの内部から除去された汚染物質が含まれた洗浄液の廃液を吸引して前記工程チャンバの外部に排出させる洗浄液排出ラインと、を含む、基板処理装置。

【請求項12】

前記噴射部は、前記第２排気管の一端にそれぞれ配置され、各前記第２排気管の内部で前記第２排気管の他端に向かって洗浄液を噴射する、請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記第２排気管の他端の合流地点に対応する底面には凹状に形成される液貯留溝が配置され、前記洗浄液排出ラインの流入端が前記第２排気管の上端から内部の下側に延びて前記液貯留溝の底面に隣接して位置する、請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項14】

一端が前記排気ラインに連結され、他端が前記工程チャンバと連通して前記工程チャンバ内の雰囲気ガスを排気する工程ガス排気ラインを含む、請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項15】

前記処理空間内で基板を処理する処理液を前記工程チャンバの外部に排出する処理液排出ラインを含み、
前記処理液排出ラインと前記洗浄液排出ラインは互いに連結される、請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項16】

前記噴射部は、スプレー形態で洗浄液を噴射する洗浄液噴射ノズルを含む、請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項17】

前記噴射部は、前記排気ラインにおいて前記排気方向に向かって上向きに傾斜した角度を有する噴射方向に洗浄液を噴射するように配置される洗浄液噴射ノズルを含む、請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項18】

前記排気ラインに配置され、排気ラインの内部に流動する気体の流速を測定する流速測定器、または排気ラインの内部の気体の圧力を測定する圧力測定器を含む、請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項19】

前記流速測定器または前記圧力測定器は、前記第１排気管、前記第２排気管の一端及び他端の少なくとも一つに配置される、請求項１８に記載の基板処理装置。

【請求項20】

工程チャンバ内に配置され、基板が収容される処理空間を含む処理容器と、
前記処理空間内で前記基板に処理液を供給して基板を処理する液供給ラインと、
前記処理容器に連結されて前記処理空間の気体を外部に排気する排気ラインと、
前記排気ラインに配置され、前記排気ラインの内部に積層された汚染物質を除去する洗浄液をスプレー形態で排気方向に向かって噴射する洗浄液噴射ノズルと、
前記排気方向で前記洗浄液噴射ノズルの下流側に位置する前記排気ラインから分岐し、吸引部が配置され、前記洗浄液によって前記排気ラインの内部から除去された汚染物質が含まれた洗浄液の廃液を吸引して前記工程チャンバの外部に排出させる洗浄液排出ラインと、を含む、基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

一般的に、半導体製造工程で蒸着工程、エッチング工程、フォト工程、洗浄工程などを経て基板を製造する。一例として、フォト工程などで基板処理装置を用いて基板に対して様々な種類の処理液を噴射してフォト処理工程を進行する。具体的には、塗布工程で固体状態のフォトレジストをソルベント（Ｓｏｌｖｅｎｔ）に溶解して液体状態で供給するようになるが、このような塗布工程の進行過程でフォトレジストとソルベントが一部気化して処理容器の底に形成された排気管を介して外部に排出される。このように気化したフォトレジストとソルベント蒸気を含む汚染物質（以下、ヒュームと称する）は、十分な排出が行われず、排気管に積層される可能性があり、これにより排気管が塞がれる場合、処理容器内の基板が汚染されるおそれがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】韓国公開特許番号１０－２０１０－００４６８００（２０１０．０５．０７）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記問題点を解決するために、本発明は、排気ライン内に積層されたヒュームを効果的に除去することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記目的を達成するために、本発明の一実施例に係ると、工程チャンバ内に配置され、基板が収容される処理空間を含む処理容器と、上記処理空間内で上記基板に処理液を供給して基板を処理する液供給ラインと、上記処理容器に連結されて上記処理空間の気体を外部に排気する排気ラインと、上記排気ラインに配置され、上記排気ラインの内部に積層された汚染物質を除去する洗浄液を噴射する噴射部と、上記排気ラインから分岐し、吸引部が配置され、上記洗浄液によって上記排気ラインの内部から除去された汚染物質が含まれた洗浄液の廃液を吸引して上記工程チャンバの外部に排出させる洗浄液排出ラインと、を含む基板処理装置を提供する。

【0006】

また、上記排気ラインは、上記処理容器の底に連結される複数個の第１排気管、一端が対応する上記第１排気管のそれぞれに連結され、他端が互いに合流する複数個の第２排気管及び上記第２排気管の他端の合流地点に連結されて気体状態の汚染物質が外部に排気される第３排気管を含み、上記第２排気管の他端の合流地点に上記洗浄液排出ラインの流入端が連結されることができる。

【0007】

一例として、上記第２排気管の内部から各上記第２排気管の他端に向かって洗浄液を噴射することができる。

【0008】

また、上記第２排気管の他端の合流地点に対応する底面には、凹状に形成される液貯留溝が配置され、上記洗浄液排出ラインの流入端が上記第２排気管の内部に延びて上記液貯留溝の上方に位置することができる。

【0009】

また、本発明の実施例による基板処理装置は、一端が上記排気ラインに連結され、他端が上記工程チャンバと連通して上記工程チャンバ内の雰囲気ガスを排気する工程ガス排気ラインを含むことができる。

【0010】

さらに、本発明の実施例に係る基板処理装置は、上記処理空間内で基板を処理する処理液を上記工程チャンバの外部に排出する処理液排出ラインを含み、上記処理液排出ラインと上記洗浄液排出ラインは互いに連結されることができる。

【0011】

一方、上記吸引部は真空エジェクタからなることができる。

【0012】

また、上記噴射部は、スプレー形態で洗浄液を噴射する洗浄液噴射ノズルを含む基板処理装置であることができる。

【0013】

ここで、上記噴射部は、上記排気ラインで洗浄液を噴射する噴射方向が排気方向に向かって一定角度に調節可能に配置されることができる。

【0014】

本発明の実施例による基板処理装置は、上記排気ラインに配置されて排気ラインの内部に流動する気体の流速を測定する流速測定器及び排気ラインの内部の気体の圧力を測定する圧力測定器を含むことができる。

【0015】

一方、本発明の他の一実施例に係ると、工程チャンバ内に配置され、基板が収容される処理空間を含む処理容器と、上記処理容器の内部に配置されて上記基板を回転及び支持する支持部と、上記処理空間内で上記基板に処理液を供給して基板を処理する液供給ラインと、上記液供給ラインの吐出端に配置されて処理液を吐出するノズル部と、上記処理容器の底に連結される複数個の第１排気管、一端が対応する上記第１排気管のそれぞれに連結され、他端が互いに合流する複数個の第２排気管及び上記第２排気管の他端の合流地点に連結され、上記処理空間の気体を外部に排気する第３排気管を含む排気ラインと、上記排気ラインに配置され、上記排気ラインの内部に積層された汚染物質を除去する洗浄液を排気方向に向かって噴射する噴射部と、上記第２排気管の他端の合流地点で分岐し、エジェクタが配置され、上記洗浄液によって上記排気ラインの内部から除去された汚染物質が含まれた洗浄液の廃液を吸引して上記工程チャンバの外部に排出させる洗浄液排出ラインと、を含む基板処理装置をさらに提供する。

【0016】

ここで、上記噴射部は、上記第２排気管の一端にそれぞれ配置され、各上記第２排気管の内部から上記第２排気管の他端に向かって洗浄液を噴射することができる。

【0017】

また、上記第２排気管の他端の合流地点に対応する底面には凹状に形成される液貯留溝が配置され、上記洗浄液排出ラインの流入端が上記第２排気管の上端から内部の下側に延びて上記液貯留溝の底面に隣接して配置されることができる。

【0018】

さらに、本発明の一実施例に係る基板処理装置は、一端が上記排気ラインに連結され、他端が上記工程チャンバと連通して上記工程チャンバ内の雰囲気ガスを排気する工程ガス排気ラインを含むことができる。

【0019】

本発明の実施例に係る基板処理装置は、上記処理空間内で基板を処理する処理液を上記工程チャンバの外部に排出する処理液排出ラインを含み、上記処理液排出ラインと上記洗浄液排出ラインは互いに連結されることができる。

【0020】

また、上記噴射部は、スプレー形態で洗浄液を噴射する洗浄液噴射ノズルを含むことができる。

【0021】

さらに、上記噴射部は、上記排気ラインから上記排気方向に向かって上向きに傾斜した角度を有する噴射方向に洗浄液を噴射するように配置される噴射ノズルを含むことができる。

【0022】

また、本発明の実施例に係る基板処理装置は、上記排気ラインに配置され、排気ラインの内部に流動する気体の流速を測定する流速測定器または排気ラインの内部の気体の圧力を測定する圧力測定器を含むことができる。

【0023】

ここで、上記流速測定器または上記圧力測定器は、上記第１排気管、上記第２排気管の一端及び他端の少なくとも一つに配置されることができる。

【0024】

一方、本発明のまた他の一実施例に係ると、工程チャンバ内に配置され、基板が収容される処理空間を含む処理容器と、上記処理空間内で上記基板に処理液を供給して基板を処理する液供給ラインと、上記処理容器に連結されて上記処理空間の気体を外部に排気する排気ラインと、上記排気ラインに配置され、上記排気ラインの内部に積層された汚染物質を除去する洗浄液をスプレー形態で排気方向に向かって噴射する洗浄液噴射ノズルと、上記排気方向で上記洗浄液噴射ノズルの下流側に位置する上記排気ラインから分岐し、吸引部が配置され、上記洗浄液によって上記排気ラインの内部から除去された汚染物質が含まれた洗浄液の廃液を吸引して上記工程チャンバの外部に排出させる洗浄液排出ラインと、を含む基板処理装置をさらに提供する。

【発明の効果】

【0025】

本発明のこのような構成を有する基板処理装置によると、基板を処理する間に発生した汚染物質、すなわちヒュームは、処理容器の底に設けられた排気ラインの第１排気管に流入し、第２排気管を通過しながら第３排気管を介して外部に排気するようになるが、排気ラインの第２排気管の一端に設けられた噴射部を介して洗浄液を噴射して排気ラインの内部に積層されたヒュームを効果的に除去することができ、排気ラインの目詰まりを事前に予防することができ、さらに基板に対する汚染または損傷を効果的に防止することができる。また、除去されたヒュームが含まれた洗浄液の廃液は洗浄液排出ライン上の吸引部により洗浄液排出ラインに吸引されて外部に排出されることができるため、排気ラインの排気方向に沿って下流側に流れ出すことを効果的に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【0026】

【図1】基板処理装置を上部から見た図面である。

【図2】図１の基板処理装置をＡ－Ａ方向から見た図面である。

【図3】図１の基板処理装置をＢ－Ｂ方向から見た図面である。

【図4】本発明の一実施例に係る基板処理装置の構成を示した例示図である。

【図5a】第１排気管の構造が異なる基板処理装置の部分断面図である。

【図5b】第１排気管の構造が異なる基板処理装置の部分断面図である。

【図6】本発明の一実施例に係る基板処理装置の排気ラインを示した図面である。

【図7】本発明の一実施例に係る基板処理装置の排気ラインの上面から見た断面例示図である。

【図8】本発明の一実施例に係る基板処理装置の排気ラインの側面から見た断面例示図である。

【図9】本発明の他の一実施例に係る基板処理装置の排気ラインの側面から見た断面例示図である。

【図10】本発明の基板処理装置の排気ラインにさらに設けられた圧力測定器を示した断面例示図である。

【図11】本発明のまた他の一実施例に係る基板処理装置の構成を示した例示図である。

【図12】本発明のまた他の一実施例に係る基板処理装置の構成を示した例示図である。

【発明を実施するための形態】

【0027】

以下、添付の図面を参照して、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が本発明を容易に実施することができるように好ましい実施例を詳細に説明する。但し、本発明の好ましい実施例を詳細に説明するに当たって、関連する公知の機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。なお、類似した機能及び作用をする部分については、図面全体にわたって同一符号を付与する。なお、本明細書において、「上」、「上部」、「上面」、「下」、「下部」、「下面」、「側面」などの用語は図面を基準としたものであり、実際には素子や構成要素が配置される方向によって変わることができる。

【0028】

なお、明細書全体において、ある部分が他の部分と「連結」されているとするとき、これは「直接的に連結」されている場合だけでなく、その間に他の構成要素を挟んで「間接的に連結」されている場合も含まれる。さらに、ある構成要素を「含む」とは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0029】

図１は、基板処理装置を上部から見た図面であり、図２は、図１の基板処理装置をＡ－Ａ方向から見た図面であり、図３は、図１の基板処理装置をＢ－Ｂ方向から見た図面である。

【0030】

図１～図３を参照すると、基板処理装置１は、ロードポート１００、インデックスモジュール２００、バッファモジュール３００、塗布及び現像モジュール４００、及びパージモジュール７００を含む。ロードポート１００、インデックスモジュール２００、バッファモジュール３００、塗布及び現像モジュール４００、そしてインターフェースモジュール６００は、順次一方向に一列に配置される。パージモジュール７００はインターフェースモジュール６００内に提供されることができる。これとは異なり、パージモジュール７００は、インターフェースモジュール６００の後端の露光装置が連結される位置、またはインターフェースモジュール６００の側部など、様々な位置に提供されることができる。

【0031】

以下、ロードポート１００、インデックスモジュール２００、バッファモジュール３００、塗布及び現像モジュール４００、そしてインターフェースモジュール６００が配置された方向を第１方向Ｙとし、上部から見るとき、第１方向Ｙと垂直な方向を第２方向Ｘとし、第１方向Ｙ及び第２方向Ｘとそれぞれ垂直な方向を第３方向Ｚとする。

【0032】

基板Ｗは、カセット２０内に収納された状態で移動される。カセット２０は、外部から密閉可能な構造を有する。一例として、カセット２０としては、前方にドアを有する前面開放一体式ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）が用いられることができる。

【0033】

以下では、ロードポート１００、インデックスモジュール２００、バッファモジュール３００、塗布及び現像モジュール４００、インターフェースモジュール６００、そしてパージモジュール７００について詳細に説明する。

【0034】

ロードポート１００は、基板Ｗが収納されたカセット２０が置かれる載置台１２０を有する。載置台１２０は複数個が提供され、載置台１２０は第２方向Ｘに沿って一列に配置される。図２では、４つの載置台１２０が提供された例が示されているが、その数は変更されることができる。

【0035】

インデックスモジュール２００は、ロードポート１００の載置台１２０に置かれたカセット２０とバッファモジュール３００との間に基板Ｗを移送する。インデックスモジュール２００は、フレーム２１０、インデックスロボット２２０、そしてガイドレール２３０を含む。フレーム２１０は、大体に内部が空の直方体の形状で提供され、ロードポート１００とバッファモジュール３００との間に配置される。インデックスモジュール２００のフレーム２１０は、バッファモジュール３００のフレーム３１０よりも低い高さで提供されることができる。インデックスロボット２２０とガイドレール２３０はフレーム２１０内に配置される。インデックスロボット２２０は、基板Ｗを直接ハンドリングするハンド２２１が第１方向Ｙ、第２方向Ｘ、第３方向Ｚに移動可能かつ回転可能に提供される。インデックスロボット２２０は、ハンド２２１、アーム２２２、支持台２２３、及び台座２２４を含む。ハンド２２１は、アーム２２２に固定設置される。アーム２２２は、伸縮可能な構造及び回転可能な構造で提供される。支持台２２３は、その長さ方向が第３方向Ｚに沿って配置される。アーム２２２は、支持台２２３に沿って移動可能に支持台２２３に結合される。支持台２２３は台座２２４に固定結合される。ガイドレール２３０は、その長さ方向が第２方向Ｘに沿って配置されるように提供される。台座２２４は、ガイドレール２３０に沿って直線移動可能にガイドレール２３０に結合される。また、図示されてはいないが、フレーム２１０には、カセット２０のドアを開閉するドアオープナがさらに提供される。

【0036】

バッファモジュール３００は、フレーム３１０、第１バッファ３２０、第２バッファ３３０、及び冷却チャンバ３４０を含む。フレーム３１０は、内部が空の直方体の形状で提供され、インデックスモジュール２００と塗布及び現像モジュール４００との間に配置される。第１バッファ３２０、第２バッファ３３０、及び冷却チャンバ３４０はフレーム３１０内に位置する。冷却チャンバ３４０、第２バッファ３３０、そして第１バッファ３２０は、順に下から第３方向Ｚに沿って配置される。第１バッファ３２０は塗布及び現像モジュール４００の塗布モジュール４０１と対応する高さに位置し、第２バッファ３３０及び冷却チャンバ３４０は塗布及び現像モジュール４００の現像モジュール４０２と対応する高さに提供される。

【0037】

第１バッファ３２０及び第２バッファ３３０は、それぞれ複数の基板Ｗを一時的に保管する。第１バッファ３２０は、ハウジング３２１及び複数の支持台３２２を有する。第１バッファ３２０において、支持台３２２はハウジング３２１内に配置され、互いの間に第３方向Ｚに沿って離隔して提供される。第２バッファ３３０は、ハウジング３３１と複数の支持台３３２を有する。第２バッファ３３０で支持台３３２はハウジング３３１内に配置され、互いの間に第３方向Ｚに沿って離隔して提供される。第１バッファ３２０の各支持台３２２及び第２バッファ３３０のそれぞれの支持台３３２には１つの基板Ｗが置かれる。ハウジング３３１は、インデックスロボット２２０がハウジング３３１内の支持台３３２に基板Ｗを搬入または搬出することができるようにインデックスロボット２２０が提供された方向に開口を有する。第１バッファ３２０は、第２バッファ３３０とほぼ類似した構造を有する。但し、第１バッファ３２０のハウジング３２１には、第１バッファロボット３６０が提供された方向及び塗布モジュール４０１に位置した塗布部ロボット４２１が提供された方向に開口を有する。第１バッファ３２０に提供された支持台３２２の数と第２バッファ３３０に提供された支持台３３２の数は同じでも異なっていてもよい。一例によると、第２バッファ３３０に提供された支持台３３２の数は、第１バッファ３２０に提供された支持台３２２の数よりも多いことができる。

【0038】

冷却チャンバ３４０はそれぞれ基板Ｗを冷却する。冷却チャンバ３４０は、ハウジング３４１及び冷却プレート３４２を含む。冷却プレート３４２は、基板Ｗが置かれる上面及び基板Ｗを冷却する冷却手段３４３を有する。冷却手段３４３としては、冷却水による冷却や熱電素子を用いた冷却など様々な方式が用いられることができる。また、冷却チャンバ３４０には、基板Ｗを冷却プレート３４２上に位置させるリフトピンアセンブリが提供されることができる。ハウジング３４１は、インデックスロボット２２０及び現像モジュール４０２に提供された現像部ロボットが冷却プレート３４２に基板Ｗを搬入又は搬出することができるようにインデックスロボット２２０が提供された方向及び現像部ロボットが提供された方向に開口を有する。また、冷却チャンバ３４０には、上述した開口を開閉するドアが提供されることができる。

【0039】

塗布モジュール４０１は、基板Ｗに対してフォトレジストなどの感光液を塗布する工程及びレジスト塗布工程の前後に基板Ｗに対して加熱及び冷却などの熱処理工程を含む。塗布モジュール４０１は、塗布チャンバ４１０、熱処理チャンバ部５００、そして搬送チャンバ４２０を有する。塗布チャンバ４１０、搬送チャンバ４２０、熱処理チャンバ部５００は、第２方向Ｘに沿って順次配置される。すなわち、搬送チャンバ４２０を基準として、搬送チャンバ４２０の一側には塗布チャンバ４１０が備えられ、搬送チャンバ４２０の他側には熱処理チャンバ部５００が備えられる。

【0040】

塗布チャンバ４１０は複数個が提供され、第３方向Ｚにそれぞれ複数個提供される。また、塗布チャンバ４１０は、図１に示したように、第１方向Ｙに複数個提供されるか、第１方向Ｙに１つが提供されることもできる。熱処理チャンバ部５００は、ベークチャンバ５１０及びクーリングチャンバ５２０を含み、ベークチャンバ５１０及びクーリングチャンバ５２０は、第３方向Ｚにそれぞれ複数個ずつ提供される。搬送チャンバ４２０は、第１バッファモジュール３００の第１バッファ３２０と第１方向１２に並んで位置する。搬送チャンバ４２０内には、塗布部ロボット４２１とガイドレール４２２が位置する。搬送チャンバ４２０は、大体に長方形の形状を有する。塗布部ロボット４２１は、ベークチャンバ５１０、クーリングチャンバ５２０、塗布チャンバ４１０、そして第１バッファモジュール３００の第１バッファ３２０間に基板Ｗを移送する。

【0041】

ガイドレール４２２は、その長さ方向が第１方向Ｙと並ぶように配置される。ガイドレール４２２は、塗布部ロボット４２１が第１方向Ｙに直線移動するように案内する。塗布部ロボット４２１は、ハンド４２３、アーム４２４、支持台４２５、そして台座４２６を有する。ハンド４２３はアーム４２４に固定設置される。アーム４２４は伸縮可能な構造で提供され、ハンド４２３が水平方向に移動可能であるようにする。支持台４２５は、その長さ方向が第３方向Ｚに沿って配置されるように提供される。アーム４２４は、支持台４２５に沿って第３方向Ｚに直線移動可能に支持台４２５に結合される。支持台４２５は台座４２６に固定結合され、台座４２６はガイドレール４２２に沿って移動可能にガイドレール４２２に結合される。

【0042】

塗布チャンバ４１０は全て同じ構造を有することができるが、各塗布チャンバ４１０で用いられる処理液の種類は互いに異なっていてもよい。処理液としては、フォトレジスト膜や反射防止膜を形成するための処理液が用いられることができる。

【0043】

塗布チャンバ４１０は、基板Ｗ上に処理液を塗布する。塗布チャンバ４１０には、処理容器４１１、支持部４１２及びノズル部４１３が含まれる処理ユニットが提供されることができる。

【0044】

一例として、塗布チャンバ４１０には、第１方向Ｙに沿ってそれぞれ１つの処理ユニットが配置されているが、これに限定されるものではなく、１つの塗布チャンバ４１０に２つ以上の処理ユニットが配置されることもできる。各処理ユニットはすべて同じ構造を有することができる。但し、各処理ユニットで用いられる処理液の種類は互いに異なっていてもよい。

【0045】

塗布チャンバ４１０の処理容器４１１は、上部が開放された形状を有する。支持部４１２は処理容器４１１内に配置され、基板Ｗを支持する。支持部４１２は回転可能に提供される。ノズル部４１３は、支持部４１２に置かれた基板Ｗ上に処理液を供給する。処理液はスピンコート方式で基板Ｗに塗布される。また、塗布チャンバ４１０には、処理液が塗布された基板Ｗの表面を洗浄するために脱イオン水ＤＩＷなどの洗浄液を供給するノズル（図示せず）及び基板Ｗの下面を洗浄するためのバッグリンスノズル（図示せず）が選択的にさらに提供されることができる。

【0046】

ベークチャンバ５１０では、塗布部ロボット４２１によって基板Ｗが安着すると、基板Ｗを熱処理する。

【0047】

ベークチャンバ５１０では、処理液を塗布する前に基板Ｗを所定の温度で加熱して基板Ｗの表面の有機物や水分を除去するプリベーク（ｐｒｅｂａｋｅ）工程または処理液をウエハＷ上に塗布した後に行うソフトベーク（ｓｏｆｔ ｂａｋｅ）工程などを行い、各加熱工程後に基板Ｗを冷却する冷却工程などを行う。

【0048】

ベークチャンバ５１０には、加熱プレート５１１及び冷却プレート５１２を備える。冷却プレート５１２には、冷却水または熱電素子などの冷却手段が提供される。

【0049】

クーリングチャンバ５２０では、処理液を塗布する前に基板Ｗを冷却するクーリング工程を行う。クーリングチャンバ５４２０には冷却プレートを備えることができる。冷却プレートは、基板Ｗを冷却するために冷却水による冷却や熱電素子を用いた冷却など、様々な方式が用いられることができる冷却手段を含むことができる。

【0050】

インターフェースモジュール６００は、塗布及び現像モジュール４００を外部の露光装置８００と連結する。インターフェースモジュール６００はインターフェースフレーム６１０、第１インターフェースバッファ６２０、第２インターフェースバッファ６３０、及び搬送ロボット６４０を含み、搬送ロボット６４０は塗布及び現像モジュール４００が終了されて第１及び第２インターフェースバッファ６２０、６３０に搬送された基板を露光装置８００に搬送する。第１及び第２インターフェースバッファ６２０は、ハウジング６２１及び支持台６２２を含み、搬送ロボット６４０、塗布部ロボット４２１が支持台６２２に基板Ｗを搬入／搬出する。

【0051】

このような構成を有する基板処理装置は、基板に対して様々な種類の処理液を噴射してフォト処理工程を進行する。具体的には、塗布工程で固体状態のフォトレジストをソルベントに溶解して液体状態で基板に供給するようになるが、このような塗布工程の進行過程でフォトレジストとソルベントが一部気化して処理容器の底に形成された排気管を介して外部に排出される。このように気化したフォトレジストとソルベント蒸気を含む汚染物質は、十分な排出が行われることができず、排気管に積層される可能性があり、これにより排気管が塞がれる場合、処理容器内の基板が汚染されるおそれがある。

【0052】

このような問題点を解決するために、下記において本発明は様々な実施例による基板処理装置の構成について説明する。

【0053】

実施例１
図４は、本発明の一実施例に係る基板処理装置の構成を示した例示図であり、図５ａ及び図５ｂは、第１排気管の構造が異なる基板処理装置の部分断面図であり、図６は、本発明の一実施例に係る基板処理装置の排気ラインを示した図面であり、図７は、本発明の一実施例に係る基板処理装置の排気ラインを上面から見た断面例示図であり、図８は、本発明の一実施例に係る基板処理装置の排気ラインを側面から見た断面例示図である。

【0054】

図４～図８を参照すると、本発明の実施例１に係る基板処理装置１０００は、処理容器１１００、液供給ライン１２００、排気ライン１３００、噴射部１４００及び洗浄液排出ライン１５００を含むことができる。

【0055】

処理容器１１００は、処理チャンバＣ内に配置され、基板Ｗが収容される処理空間１１１０を含むことができる。処理容器１１００は、液供給ライン１２００から処理液の吐出時に、基板Ｗから飛散する液を受けて処理容器１１００の外部に排出することができる。具体的には、基板処理装置１０００は、処理容器１１００の処理空間１１１０に連結配置される処理液排出ライン１７００を含んで処理容器１１００の処理空間１１１０内で基板Ｗを処理した処理液を工程チャンバＣの外部に排出することができる。ここで、処理チャンバＣは、上述した塗布チャンバ４１０であることができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、基板に対して液を処理する工程、例えば、蒸着工程、エッチング工程、フォト工程、洗浄工程などを進行する工程チャンバに適用することもできる。

【0056】

処理容器１１００は、上部が開放された形状、例えばカップ形状を有し、処理空間１１１０に基板Ｗを支持する支持部Ｓが配置されることができる。一例として、図４に示したように、処理容器１１００は、カップ形態でそれぞれ内側に位置し、支持部Ｓの外側を囲む内側カップ１１２０及び内側カップ１１２０の外側に配置される外側カップ１１３０を含むことができる。内側カップ１１２０の中心部には、支持部Ｓの支持軸が貫通する孔が形成されることができる。内側カップ１１２０の上面の外側部分は、外側カップ１１３０に向かって下に凹んで形成されることができ、内側カップ１１２０の上面の外側部分は、処理液及び気体が流れる領域として提供されることができる。すなわち、内側カップ１１２０と外側カップ１１３０との間の空間を介して処理液及び基板処理過程中に発生する気体状態の汚染物質（以下、ヒュームと称する）を含む気体の流動をガイドする作用をすることができる。外側カップ１１３０は、カップ形態で支持部Ｓ及び内側カップ１１２０の外部を囲むように設置されることができ、底１１４０、側壁１１５０、及び傾斜壁１１６０を含むことができる。外側カップ１１３０の底１１４０は、中空を有する円形の板状を有することができ、基板Ｗに供給された処理液を排出する後述する処理液排出ライン１７００が連結されることができる。このような処理液排出ライン１７００によって排出された処理液は廃棄されるか、外部の液再生システムによって再使用されることもできる。外側カップ１１３０の側壁１１５０は、支持部Ｓの外部を囲む円形の円筒形状を有することができ、底１１４０の側縁から垂直な方向に沿って上向きに延びることができる。外側カップ１１３０の傾斜壁１１６０は、リング状に側壁１１５０の上端から外側カップ１１３０の内側方向に延びることができ、傾斜壁１１６０の上端が支持部Ｓに支持された基板Ｗよりも高く位置する。

【0057】

支持部Ｓは処理容器１１００内に位置し、基板Ｗを支持する。支持部Ｓは、モータＭなどの駆動手段によって回転可能に提供される。また、基板処理装置１０００は、支持部Ｓを介して処理容器１１００の内部で基板Ｗを回転及び上下移動可能に支持することができ、基板処理時に基板Ｗが回転支持された状態で液供給ライン１２００を介して液を基板Ｗに供給して基板Ｗを処理することができる。

【0058】

液供給ライン１２００は、処理容器１１００の処理空間１１１０内で基板Ｗに処理液を供給して基板Ｗを処理することができる。ここで、液供給ライン１２００上には、基板Ｗに供給される前の液を処理する様々な構成要素が配置されることができる。例えば、液供給ライン１２００の一端は、タンクまたはボトルなどの処理液供給源１２１０に連結され、液供給ライン１２００の他端、すなわち液を吐出する吐出端には処理液を吐出するノズル部Ｎが配置されることができ、さらに、液供給ライン１２００上には、処理液をフィルタリングする構成として処理液に存在する不純物、帯電する電荷または必要に応じて除去しようとする物質などをフィルタリングして除去することができるフィルタ部、処理液供給源１２１０から供給される処理液を臨時貯蔵し、処理液が外部に排出可能なトラップタンク（Ｔｒａｐ ｔａｎｋ）、処理液の内部の気泡を分離させる気泡分離部、処理液を一定圧力でポンピングしてノズル部Ｎに供給するポンプなどの構成要素が配置されることができる。

【0059】

ここで、ノズル部Ｎは、支持部Ｓに置かれた基板Ｗ上に処理液を供給する。処理液は、フォトレジストなどの感光液であってもよく、スピンコート方式で基板Ｗに塗布される。このようなノズル部Ｎは、ノズルアームＡの内部に配置される供給管（液供給ラインの一部であってもよい）に連結されて液供給ライン１２００から処理液が供給されて基板Ｗ上に処理液を供給する。また、一例として工程チャンバＣには、感光液などの処理液が塗布された基板Ｗの表面を洗浄するために脱イオン水ＤＩＷなどの洗浄液を供給する別途のノズル部（図示せず）及び基板Ｗの下面を洗浄するためのバックリンスノズル部（図示せず）が選択的にさらに提供されることができる。

【0060】

排気ライン１３００は処理容器１１００に連結されて上記処理空間１１１０の気体を外部に排気することができる。ここで、気体は具体的には、処理容器１１００の処理空間１１１０内で基板Ｗを処理する過程中に発生する気体状態の汚染物質（ヒューム）を含む気体であってもよい。

【0061】

このような排気ライン１３００は、具体的には、第１排気管１３１０、第２排気管１３２０、及び第３排気管１３３０を含むことができる。第１排気管１３１０は複数個で構成されることができ、処理容器１１００の底１１４０に連結され、第２排気管１３２０の一端１３２１に連結されることができる。図４に示したように、第１排気管１３１０は、２つからなり、処理容器１１００の中心部を基準にして互いに対応する両側に位置する処理容器１１００の底１１４０に配置されることができる。また、第１排気管１３１０は、処理容器１１００の底から上部及び下部に垂直方向に延びることができ、図５ａに示したように処理容器１１００の底を基準にして互いに分離可能に結合される構造で構成されることができるが、図５ｂに示したように、第１排気管１３１０ａが処理容器１１００の底から上部及び下部に垂直方向に一体に延びて構成されることができるが、これに本発明は特に限定されない。処理容器１１００の内側カップ１１２０と外側カップ１１３０との間の空間を介して流動する処理液及び基板Ｗを処理する過程中に発生する汚染物質を含む気体は、第１排気管１３１０を介して排気ライン１３００に沿って流動して外部に排出される。第２排気管１３２０は、第１排気管１３１０の数と対応する複数個からなることができ、各第２排気管１３２０は、一端１３２１が対応する第１排気管１３１０のそれぞれに連結され、他端１３２２が互いに合流し、第３排気管１３３０に連結されることができる。第３排気管１３３０は、第２排気管１３２０の他端１３２２の合流地点に連結されて気体状態の汚染物質が外部に排気されることができる。具体的には、第３排気管１３３０はポンプＰに連結されて処理容器１１００内の気体状態の汚染物質を含む気体を第１排気管１３１０、第２排気管１３２０及び第３排気管１３３０を含む排気ライン１３００を介して外部に排気することができる。また、第２排気管１３２０及び第３排気管１３３０の少なくとも一部が水平に延びてもよい。

【0062】

噴射部１４００は排気ライン１３００に配置され、排気ライン１３００の内部に積層された汚染物質を除去する洗浄液を噴射することができる。具体的には、噴射部１４００は洗浄液噴射ノズル１４１０を含むことができる。洗浄液噴射ノズル１４１０は、スプレー形態で洗浄液を噴射することができる。すなわち、洗浄液噴射ノズル１４１０は、複数個の噴射孔を含んでスプレー形態で洗浄液を噴射することができ、必要に応じて排気ライン１３００において噴射方向が排気方向に向かって一定角度に調節可能に配置されることもできる。さらに、図６～図８に示したように、噴射部１４００の洗浄液噴射ノズル１４１０は、排気ライン１３００の第２排気管１３２０の一端１３２１にそれぞれ配置されることができ、上記第２排気管１３２０の内部で各第２排気管１３２０の他端１３２２に向かって洗浄液を噴射するように構成されることができる。また、本発明において、噴射部１４００はさらに洗浄液噴射ノズル１４１０の上部を覆うカバー１４２０をさらに含むことができる。具体的には、噴射部１４００の洗浄液噴射ノズル１４１０は、排気ライン１３００において排気方向に向かって上向きに傾斜した角度を有する噴射方向に洗浄液を噴射するように配置されることができる。この場合、洗浄液噴射ノズル１４１０から噴射された洗浄液は洗浄液噴射ノズル１４１０の上部を覆うカバー１４２０によって噴射方向が変更され、排気ライン１３００の内部に積層されたヒュームを除去することができるだけでなく、洗浄液噴射ノズル１４１０に積層された異物も除去できるため、洗浄液噴射ノズル１４１０の洗浄効果を同時に実現することができる。

【0063】

洗浄液噴射ノズル１４１０が噴射する洗浄液は、シンナーまたはアセトンなどを含む洗浄液であってもよい。しかしながら、本発明は、このような洗浄液のみに限定されるものではなく、排気ラインに積層された汚染物質、すなわちヒュームを除去することができる液であれば、いずれも適用することができる。

【0064】

このような噴射部１４００の洗浄液噴射ノズル１４１０は、工程待機状態で周期的にダミーディスペンスを行い、排気分岐管の汚染及び目詰まりを防止することができる。すなわち、基板処理前または基板処理後のダミーディスペンス（処理容器内に基板が存在していない状態）を進行して洗浄液噴射ノズル１４１０を介して洗浄液を排気ライン１３００上に噴射して、排気ライン１３００内に積層されたヒュームや完全に排気されなかった残存した気体を外部に排出することができる。また、処理容器を洗浄する動作を行う自動処理容器洗浄段階を進行する過程で、噴射部１４００が洗浄液を噴射して排気ライン１３００に積層されたヒュームを除去して排気ライン１３００内部を洗浄する動作を行うことができる。ここで、噴射部１４００によって噴射された洗浄液がヒュームを除去した後、洗浄液排出ライン１５００を介して排出した後に排気ライン１３００内の排気動作を介して排気ラインの内部が迅速に乾燥されることができる。

【0065】

洗浄液排出ライン１５００は排気ライン１３００で分岐され、吸引部１６００が配置されることができる。吸引部１６００は真空エジェクタでなされることができ、吸引部１６００を介して排気ライン１３００内の洗浄液の廃液を吸引して外部に排出することができる。すなわち、吸引部１６００によって洗浄液噴射ノズル１４１０から噴射された洗浄液により排気ライン１３００の内部から除去された汚染物質が含まれた洗浄液の廃液を吸引して上記工程チャンバＣの外部に排出させることができる。

【0066】

洗浄液排出ライン１５００の流入端１５１０は、排気ライン１３００の第２排気管１３２０の他端１３２２の合流地点に連結されることができる。具体的には、洗浄液排出ライン１５００の流入端１５１０は、第２排気管１３２０の上端から第２排気管１３２０の内部に延びることができ、第２排気管１３２０の他端１３２２の合流地点に位置する底面１３４０に隣接して配置されることができる。この場合、洗浄液噴射ノズル１４１０から噴射された洗浄液が排気方向に沿って第３排気管１３３０の下流側に流れるのを防止するように、第２排気管１３２０の他端１３２２の合流地点に位置する底面１３４０には上側に突出して配置される突出ブロックＢが配置されることができる。

【0067】

このような構成を有する基板処理装置によると、基板Ｗを処理する間に発生した汚染物質、すなわちヒュームは、処理容器１１００の底１１４０に設置された排気ライン１３００の第１排気管１３１０に流入して第２排気管１３２０を通過しながら第３排気管１３３０を介して外部に排気される。ここで、排気ライン１３００の第２排気管１３２０の一端１３２１に設置された洗浄液噴射ノズル１４１０を介して周期的に又は処理工程前後の待機段階でダミーディスペンスを行って洗浄液を自動的に噴射することができるため、排気ライン１３００の内部に積層されたヒュームを効果的に除去することができ、排気ライン１３００の目詰まりを事前に予防することができ、さらに基板Ｗへの汚染または損傷を効果的に防止することができる。また、除去されたヒュームが含まれた洗浄液の廃液は、洗浄液排出ライン１５００上の吸引部１６００によって洗浄液排出ライン１５００に吸引されて外部に排出されることができるため、排気ライン１３００の排気方向に沿って下流側に流れ出すことを効果的に防止することができる。

【0068】

実施例２
図９は、本発明の実施例２に係る基板処理装置の排気ラインの側面から見た断面例示図である。

【0069】

本発明の実施例２による基板処理装置は図９を参照して説明する。

【0070】

図９を参照すると、本発明の実施例２に係る基板処理装置は、第１排気管１３１０、第２排気管１３２０及び第３排気管１３３０を含む排気ライン１３００を備える。

【0071】

本発明の実施例２に係る基板処理装置は、排気ライン１３００において第２排気管１３２０の他端１３２２の合流地点に対応する底面１３４０Ａを除いた構成は、実施例１の構成と同様に適用されることができるため、重複を避けるために同一構成に対する詳細な説明は省略する。

【0072】

本発明の実施例２に係る基板処理装置において、排気ライン１３００は、第１排気管１３１０、第２排気管１３２０、及び第３排気管１３３０を含む。具体的には、第２排気管１３２０の他端１３２２の合流地点に対応する底面１３４０Ａには、凹状に形成される液貯留溝１３５０が配置されることができる。この場合、洗浄液排出ライン１５００の流入端１５１０は、上記第２排気管１３２０の内部に延びて上記液貯留溝１３５０の上方に位置することができる。具体的には、洗浄液排出ライン１５００の流入端１５１０が第２排気管１３２０の上端から内部の下側に延びて液貯留溝１３５０の底面に隣接して位置することができる。このような液貯留溝１３５０の構成により、実施例１で説明した突出ブロックＢの構成なしにも洗浄液噴射ノズル１４１０から噴射された洗浄液が液貯留溝１３５０に貯留され、１次に収集された状態で吸引部１６００によって洗浄液排出ライン１５００に吸引されて外部に排出されることができるため、第３排気管１３３０の下流側に流れ出すことを効果的に防止することができる。

【0073】

本実施例において、第２排気管１３２０の他端１３２２の合流地点に対応する底面１３４０Ａに凹状に形成された液貯留溝が配置された構造で説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の一例として、第２排気管の他端の合流地点に対応する底面は、排気方向に向かって上向きに傾斜した傾斜面または湾曲した形態で構成されてもよく、これも本発明の範囲に属する。

【0074】

実施例３
図１０は、本発明の実施例３に係る基板処理装置の排気ラインにさらに設置された圧力測定器を示した断面例示図である。

【0075】

図１０を参照すると、本発明の実施例３に係る基板処理装置は、第１排気管１３１０、第２排気管１３２０及び第３排気管１３３０を含む排気ライン１３００及び排気ライン１３００に配置される圧力測定器１９００を含む。

【0076】

本発明の実施例３に係る基板処理装置は、圧力測定器１９００を除いた構成は実施例１の構成と同様に適用されることができるため、重複を避けるために同一構成に対する詳細な説明は省略する。

【0077】

本発明の実施例３に係る基板処理装置において、圧力測定器１９００は排気ライン１３００に配置され、排気ライン１３００の内部に内部の気体の圧力を測定して測定された値により排気ライン内に積層されたヒュームの汚染程度を確認することができる。具体的には、圧力測定器１９００により測定された排気管の内部の圧力が一定値以上の場合、噴射部１４００を作動させて排気ライン１３００の内部に洗浄液を噴射することができるため、適時に排気ライン１３００の積層されたヒュームを除去する洗浄動作を進めることができ、排気ライン内にリーク（Ｌｅａｋ）が発生することを効果的に防止することができる。

【0078】

さらに、このような圧力測定器１９００は排気ライン１３００の内にヒュームが積層され易い部分に配置されることができる。圧力測定器１９００は、排気ライン１３００の第１排気管１３１０、第２排気管１３２０の一端１３２１及び他端１３２２の少なくとも１つに配置されることができる。具体的には、図１０を参照すると、圧力測定器１９００は、第１排気管内に配置される第１圧力測定器１９１０、第２排気管１３２０の一端１３２１に配置される第２圧力測定器１９２０及び第２排気管１３２０の他端１３２２の合流地点に配置される第３圧力測定器１９３０を含んで各位置に積層されたヒュームの汚染程度を確認することができる。

【0079】

以上の実施例３で排気ライン内の気体の圧力を測定する圧力測定器を例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な形態で排気ライン内に積層されたヒュームの汚染程度を確認することができる。一例として、排気ラインに配置されて排気ラインの内部に流動する気体の流速を測定する流速測定器を用いて測定された排気ラインの内部の気体の流速が一定値以上である場合、噴射部を作動させて排気ラインの内部に洗浄液を噴射することができるため、適時に排気ラインの積層されたヒュームを除去する洗浄動作を進行することができるため、排気ライン内のリークが発生することを効果的に防止することもできる。

【0080】

実施例４
図１１は、本発明のまた他の一実施例に係る基板処理装置の構成を示した例示図である。

【0081】

図１１を参照すると、本発明の実施例４に係る基板処理装置１０００Ｂは、処理容器１１００、液供給ライン１２００、排気ライン１３００、噴射部１４００及び洗浄液排出ライン１５００Ｂ、吸引部１６００及び処理液排出ライン１７００Ｂを含む。

【0082】

本発明の実施例４に係る基板処理装置１０００Ｂは、洗浄液排出ライン１５００Ｂ及び処理液排出ライン１７００Ｂを除いた構成は、実施例１の構成と同様に適用されることができるため、重複を避けるために同一構成に対する詳細な説明は省略する。

【0083】

洗浄液排出ライン１５００Ｂは排気ライン１３００で分岐され、吸引部１６００が配置されることができる。吸引部１６００は真空エジェクタでなされることができ、吸引部１６００を介して排気ライン１３００内の洗浄液の廃液を吸引して外部に排出することができる。

【0084】

処理液排出ライン１７００Ｂは、処理容器１１００の処理空間１１１０に連結配置されて、処理容器１１００の処理空間１１１０内で基板Ｗを処理した処理液を工程チャンバＣの外部に排出することができる。

【0085】

本実施例において、上記洗浄液排出ライン１５００Ｂと処理液排出ライン１７００Ｂは互いに連結されることができる。すなわち、洗浄液排出ライン１５００Ｂと処理液排出ライン１７００Ｂの下流側は互いに合流して、一つの排出ラインを用いて洗浄液の廃液及び処理液の廃液を外部に排出することができる。ここで、このような洗浄液排出ライン１５００Ｂ及び処理液排出ライン１７００Ｂによって排出された洗浄液の廃液及び処理液の廃液は廃棄されるか、外部の液再生システムによって再使用されることもできる。

【0086】

実施例４の変形例
図１２は、本発明の実施例４の変形例に係る基板処理装置の構成を示した例示図である。

【0087】

図１２を参照すると、本発明の実施例４の変形例に係る基板処理装置１０００Ｃは、処理容器１１００、液供給ライン１２００、排気ライン１３００、噴射部１４００及び洗浄液排出ライン１５００Ｃ、吸引部１６００、処理液排出ライン１７００Ｃ、及び工程ガス排気ライン１８００を含む。

【0088】

本発明の実施例４の変形例に係る基板処理装置１０００Ｃは、工程ガス排気ライン１８００を除いた構成は実施例４の構成と同様に適用されることができるため、重複を避けるために同一構成に対する詳細な説明は省略する。

【0089】

本変形例において、洗浄液排出ライン１５００Ｃ及び処理液排出ライン１７００Ｃの構成は、実施例４の洗浄液排出ライン１５００Ｂ及び処理液排出ライン１７００Ｂの構成と同様であるため、ここで具体的な説明は省略する。

【0090】

本発明の実施例４の変形例に係る基板処理装置１０００Ｃにおいて、工程ガス排気ライン１８００は一端が排気ライン１３００に連結され、他端が上記工程チャンバＣと連通して上記工程チャンバＣ内の雰囲気ガスを排気することができる。ここで、具体的には、工程ガス排気ライン１８００の下流側と排気ライン１３００の第３排気管１３３０の下流側に連結されることができる。すなわち、第３排気管１３３０の下流側と工程ガス排気ライン１８００の下流側は、互いに合流して一つの排気ラインを用いて汚染物質を含む気体及び工程ガスを外部に排出することができる。ここで、工程ガス排気ライン１８００には、工程チャンバＣ内の工程ガスの排出を開閉する開閉弁１８１０が配置されることができるため、必要に応じて工程チャンバＣ内の圧力や工程条件が一定範囲に到達するように開閉弁１８１０を介して工程チャンバＣの内部の工程ガスを外部に排出することができる。

【0091】

結果的に、本発明の実施例に係る基板処理装置の構成によると、基板を処理する間に発生した汚染物質、すなわちヒュームは、処理容器の底に設置された排気ラインの第１排気管に流入して、第２排気管を通過しながら第３排気管を介して外部に排気するようになるが、排気ラインの第２排気管の一端に設置された噴射部を介して洗浄液を噴射して排気ラインの内部に積層されたヒュームを効果的に除去することができ、排気ラインの目詰まりを事前に予防することができ、さらに基板への汚染または損傷を効果的に防止することができる。また、除去されたヒュームが含まれた洗浄液の廃液は、洗浄液排出ライン上の吸引部によって洗浄液排出ラインに吸引されて外部に排出されることができるため、排気ラインの排気方向に沿って下流側に流れ出すことを効果的に防止することができる。

【0092】

本発明において吸引部は、真空エジェクタ構造で説明しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、排気ラインの内部の洗浄液の廃液を吸引して外部に排出することができる構造であれば、様々な形態の吸引構造で構成されることもできる。一例として、駆動液を駆動源として吸引部に圧力差により排気ラインの内部の洗浄液の廃液を吸引する形態でも可能である。

【0093】

以上、本発明において基板処理装置が塗布チャンバに適用された実施例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板処理装置の様々なチャンバに適用されることができ、例えば、塗布及び現像モジュールの現像チャンバ、インターフェースモジュールなどに適用されることもでき、このような実施例もすべて本発明に属する。

【0094】

本発明において排気ラインが第１排気管、第２排気管及び第３排気管を含む実施例を挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、様々な形態でなされることができ、さらに、排気ラインに１つの処理容器に連結される構造で説明したが、これに限定されるものではなく、工程チャンバ内に配置された処理容器の数に応じて複数個の処理容器が排気ラインに連結されることができ、この場合、具体的な例として第１排気管及び第２排気管を分岐管群として各処理容器の数に対応して配置されることができ、このような分岐管群は、全て一つの第３排気管に連結されて外部に排出する構造でも可能である。

【0095】

以上、本発明は限定された実施例と図面によって説明されたが、本発明はこれによって限定されるものではなく、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって本発明の技術思想と以下に記載される特許請求の範囲の均等範囲内で様々な修正及び変形可能であることは勿論である。

【符号の説明】

【0096】

１、１０００、１０００Ｂ、１０００Ｃ 基板処理装置
１１００ 処理容器
１１１０ 処理空間 １１２０ 内側カップ
１１３０ 外側カップ １１４０ 底
１１５０ 側壁 １１６０ 傾斜壁
１２００ 液供給ライン １３００ 排気ライン
１３１０、１３１０ａ 第１排気管 １３２０ 第２排気管
１３２１ 一端 １３２２ 他端
１３３０ 第３排気管 １３４０、１３４０Ａ 底面
１３５０ 液貯留溝 １４００ 噴射部
１４１０ 洗浄液噴射ノズル
１５００、１５００Ｂ、１５００Ｃ 洗浄液排出ライン
１５１０ 流入端 １６００ 吸引部
１７００、１７００Ｂ、１７００Ｃ 処理液排出ライン
１８００ 工程ガス排気ライン
１８１０ 開閉弁 １９００ 圧力測定器
１９１０ 第１圧力測定器 １９２０ 第２圧力測定器
１９３０ 第３圧力測定器 Ｂ 突出ブロック
Ｃ 工程チャンバ Ｍ モータ
Ｎ ノズル部 Ｐ ポンプ
Ｗ 基板 Ｓ 支持部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5a】

【図5b】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】