特開 2024-12115 スパッタリング装置およびこれを利用したスパッタリング方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024012115

(43)【公開日】2024-01-25

(54)【発明の名称】スパッタリング装置およびこれを利用したスパッタリング方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/34 20060101AFI20240118BHJP

【ＦＩ】

C23C14/34 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023103648

(22)【出願日】2023-06-23

(31)【優先権主張番号】10-2022-0087603

(32)【優先日】2022-07-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】512187343

【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社

【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110002619

【氏名又は名称】弁理士法人ＰＯＲＴ

(72)【発明者】

【氏名】シン，ヒョンオク

(72)【発明者】

【氏名】パク，ジュンヨン

(72)【発明者】

【氏名】ジョン，サムテ

【テーマコード（参考）】

4K029

【Ｆターム（参考）】

4K029BA45

4K029BA48

4K029BA49

4K029BA50

4K029CA05

4K029DC05

4K029DC12

4K029DC13

(57)【要約】      （修正有）

【課題】大面積スパッタリング工程で蒸着ムラを減少させたスパッタリング装置およびスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、基板固定部３１０と、基板固定部と対向して位置するターゲット固定部３００と、ターゲット固定部に第１方向に離隔して複数個が位置するスパッタリングターゲット２００と、を含み、それぞれのスパッタリングターゲットは、第２方向ＤＲ２に並んで位置する複数個の部分スパッタリングターゲットと、前記部分スパッタリングターゲットの間に位置する分割面と、を含み、それぞれのスパッタリングターゲットの分割面は、他のスパッタリングターゲットの分割面と第１方向ＤＲ１に並んで位置しない。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板固定部と、
前記基板固定部と対向して位置するターゲット固定部と、
前記ターゲット固定部に第１方向に離隔して複数個が位置するスパッタリングターゲットと、を含み、
それぞれのスパッタリングターゲットは、第２方向に並んで位置する複数個の部分スパッタリングターゲットと、前記部分スパッタリングターゲットの間に位置する分割面と、を含み、
それぞれのスパッタリングターゲットの分割面は、他のスパッタリングターゲットの分割面と前記第１方向に並んで位置しないスパッタリング装置。

【請求項2】

前記スパッタリングターゲットは、円柱形状である、請求項１に記載のスパッタリング装置。

【請求項3】

前記スパッタリングターゲットは、板状である、請求項１に記載のスパッタリング装置。

【請求項4】

前記スパッタリングターゲットの数は、５個以上２０個以下である、請求項１に記載のスパッタリング装置。

【請求項5】

前記それぞれのスパッタリングターゲットに含まれている部分スパッタリングターゲットの数は、３個以上５個以下である、請求項１に記載のスパッタリング装置。

【請求項6】

前記部分スパッタリングターゲットの第２方向の長さは、５０ｃｍ以上１００ｃｍ以下である、請求項１に記載のスパッタリング装置。

【請求項7】

前記スパッタリングターゲットの第２方向の長さは、２５０ｃｍ以上３００ｃｍ以下である、請求項１に記載のスパッタリング装置。

【請求項8】

チャンバーをさらに含み、
前記チャンバー内に前記基板固定部および前記ターゲット固定部が位置する、請求項１に記載のスパッタリング装置。

【請求項9】

前記基板固定部の上に位置する基板をさらに含み、
スパッタリング工程で前記基板が移動する、請求項１に記載のスパッタリング装置。

【請求項10】

スパッタリング工程で前記スパッタリングターゲットが移動する、請求項１に記載のスパッタリング装置。

【請求項11】

前記スパッタリングターゲットは、酸化物半導体を含む、請求項１に記載のスパッタリング装置。

【請求項12】

前記スパッタリングターゲットは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、亜鉛錫酸化物（ＺＴＯ）、亜鉛インジウム酸化物（ＺＩＯ）、インジウム酸化物（ＩｎＯ）、チタン酸化物（ＴｉＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）およびインジウム亜鉛錫酸化物（ＩＺＴＯ）からなるグループより選択された少なくとも一つ以上を含む、請求項１１に記載のスパッタリング装置。

【請求項13】

スパッタリングターゲットを含むスパッタリング装置内に基板を位置させる段階と、
前記スパッタリング装置に電圧を印加して前記基板上にスパッタリングターゲット物質を蒸着する段階と、を含み、
前記スパッタリングターゲットは、
基板固定部と、
前記基板固定部と対向して位置するターゲット固定部と、
前記ターゲット固定部に第１方向に離隔して複数個が位置するスパッタリングターゲットと、を含み、
それぞれのスパッタリングターゲットは、第２方向に並んで位置する複数個の部分スパッタリングターゲットと、部分スパッタリングターゲットの間に位置する分割面と、を含み、
それぞれのスパッタリングターゲットの分割面は、他のスパッタリングターゲットの分割面と前記第１方向に並んで位置しないスパッタリング方法。

【請求項14】

前記スパッタリング装置に電圧を印加して前記基板上にスパッタリングターゲット物質を蒸着する段階で、前記基板が移動する、請求項１３に記載のスパッタリング方法。

【請求項15】

前記スパッタリング装置に電圧を印加して前記基板上にスパッタリングターゲット物質を蒸着する段階で、前記スパッタリングターゲットが移動する、請求項１３に記載のスパッタリング方法。

【請求項16】

前記スパッタリングターゲットは、円柱形状である、請求項１３に記載のスパッタリング方法。

【請求項17】

前記スパッタリングターゲットは、板状である、請求項１３に記載のスパッタリング方法。

【請求項18】

前記スパッタリングターゲットは、酸化物半導体を含む、請求項１３に記載のスパッタリング方法。

【請求項19】

前記スパッタリングターゲットの数は、５個以上２０個以下であり、
前記それぞれのスパッタリングターゲットに含まれている部分スパッタリングターゲットの数は、３個以上５個以下である、請求項１３に記載のスパッタリング方法。

【請求項20】

前記部分スパッタリングターゲットの第２方向の長さは、５０ｃｍ以上１００ｃｍ以下であり、
前記スパッタリングターゲットの第２方向の長さは、２５０ｃｍ以上３００ｃｍ以下である、請求項１３に記載のスパッタリング方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、スパッタリング装置およびこれを利用したスパッタリングターゲットに関する。

【背景技術】

【0002】

表示装置は、イメージを表示する装置であって、最近、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。

【0003】

有機発光表示装置は、自発光特性を有し、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）とは異なり、別途の光源を要しないため、厚さと重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度および高い反応速度などの高品位特性を示す。

【0004】

有機発光表示装置は、薄膜が形成された基板を含む。前記薄膜は、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法を通じて形成され得る。前記スパッタリング方法は、チャンバー内に配置されたターゲットからターゲットイオンが含まれているプラズマを発生させてこれを前記基板に蒸着させることを核心とする。最近、表示装置が大型化されることに伴い、前記基板が大きくなって前記ターゲットも大きくなる。ターゲットの大きさが大きくなる場合、管理および取り扱いが容易でない。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

実施形態の目的は、大面積スパッタリング工程で蒸着ムラを減少させたスパッタリング装置およびスパッタリング方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態によるスパッタリング装置は、基板固定部と、前記基板固定部と対向して位置するターゲット固定部と、前記ターゲット固定部に第１方向に離隔して複数個が位置するスパッタリングターゲットと、を含み、それぞれのスパッタリングターゲットは、第２方向に並んで位置する複数個の部分スパッタリングターゲットと、前記部分スパッタリングターゲットの間に位置する分割面と、を含み、それぞれのスパッタリングターゲットの分割面は、他のスパッタリングターゲットの分割面と前記第１方向に並んで位置しない。

【0007】

前記スパッタリングターゲットは、円柱形状であり得る。

【0008】

前記スパッタリングターゲットは、板形状であり得る。

【0009】

前記スパッタリングターゲットの数は、５個以上２０個以下であり得る。

【0010】

前記それぞれのスパッタリングターゲットに含まれている部分スパッタリングターゲットの数は、３個以上５個以下であり得る。

【0011】

前記部分スパッタリングターゲットの第２方向の長さは、５０ｃｍ以上１００ｃｍ以下であり得る。

【0012】

前記スパッタリングターゲットの第２方向の長さは、２５０ｃｍ以上３００ｃｍ以下であり得る。

【0013】

チャンバーをさらに含み、前記チャンバー内に前記基板固定部および前記ターゲット固定部が位置することができる。

【0014】

前記基板固定部の上に位置する基板をさらに含み、スパッタリング工程で、前記基板が移動することができる。

【0015】

スパッタリング工程で、前記スパッタリングターゲットが移動することができる。

【0016】

前記スパッタリングターゲットは、酸化物半導体を含むことができる。

【0017】

前記スパッタリングターゲットは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、亜鉛錫酸化物（ＺＴＯ）、亜鉛インジウム酸化物（ＺＩＯ）、インジウム酸化物（ＩｎＯ）、チタン酸化物（ＴｉＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）およびインジウム亜鉛錫酸化物（ＩＺＴＯ）からなるグループより選択された少なくとも一つ以上を含むことができる。

【0018】

一実施形態によるスパッタリング方法は、スパッタリングターゲットを含むスパッタリング装置内に基板を位置させる段階と、前記スパッタリング装置に電圧を印加して前記基板上にスパッタリングターゲット物質を蒸着する段階と、を含み、前記スパッタリングターゲットは、基板固定部と、前記基板固定部と対向して位置するターゲット固定部と、前記ターゲット固定部に第１方向に離隔して複数個が位置するスパッタリングターゲットと、を含み、それぞれのスパッタリングターゲットは、第２方向に並んで位置する複数個の部分スパッタリングターゲットと、部分スパッタリングターゲットの間に位置する分割面と、を含み、それぞれのスパッタリングターゲットの分割面は、他のスパッタリングターゲットの分割面と前記第１方向に並んで位置しない。

【0019】

前記スパッタリング装置に電圧を印加して前記基板上にスパッタリングターゲット物質を蒸着する段階で、前記基板が移動することができる。

【0020】

前記スパッタリング装置に電圧を印加して前記基板上にスパッタリングターゲット物質を蒸着する段階で、前記スパッタリングターゲットが移動することができる。

【0021】

前記スパッタリングターゲットは、円柱形状であり得る。

【0022】

前記スパッタリングターゲットは、板状であり得る。

【0023】

前記スパッタリングターゲットは、酸化物半導体を含むことができる。

【0024】

前記スパッタリングターゲットの数は、５個以上２０個以下であり、前記それぞれのスパッタリングターゲットに含まれている部分スパッタリングターゲットの数は、３個以上５個以下であり得る。

【0025】

前記部分スパッタリングターゲットの第２方向の長さは、５０ｃｍ以上１００ｃｍ以下であり、前記スパッタリングターゲットの第２方向の長さは、２５０ｃｍ以上３００ｃｍであり得る。

【発明の効果】

【0026】

実施形態によれば、大面積スパッタリング工程で蒸着ムラを減少させたスパッタリング装置およびスパッタリング方法を提供する。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】本実施形態によるスパッタリング装置を簡略に示したものである。

【図2】図１のスパッタリングターゲットの平面上形状を示したものである。

【図3】複数個の部分スパッタリングターゲットを含むスパッタリングターゲットのイメージである。

【図4】スパッタリングターゲットの分割面のイメージである。

【図5】ムラが発生した蒸着面のイメージである。

【図6】スパッタリングターゲットが板状である場合を示したものである。

【図7】それぞれのスパッタリングターゲットの分割面が同一線上に位置する場合に蒸着面でムラが視認される原理を示したものである。

【図8】本実施形態によるスパッタリング装置を利用したスパッタリングを示したものである。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下、添付した図面を参照して本発明の多様な実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。本発明は、多様な異なる形態に実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。

【0029】

本発明を明確に説明するために、説明上不要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付した。

【0030】

また、図面に示された各構成の大きさおよび厚さは、説明の便宜のために任意に示したため、本発明が必ずしも図示されたところに限定されるのではない。図面において、複数の層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして図面において、説明の便宜のために、一部の層および領域の厚さを誇張して示した。

【0031】

また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるという時、これは他の部分の「直上」にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の「直上」にあるという時には中間にまた他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分の「上」にあるということは、基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力反対方向に向かって「上」に位置することを意味するのではない。

【0032】

また、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」という時、これは特に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外せず、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0033】

また、明細書全体において、「平面上」という時、これは対象部分を上方から見た時を意味し、「断面上」という時、これは対象部分を垂直に切断した断面を側方から見た時を意味する。

【0034】

以下、一実施形態によるスパッタリング装置およびこれを利用したスパッタリング方法について図面を参照して詳細に説明する。

【0035】

図１は本実施形態によるスパッタリング装置を簡略に示したものである。図１を参照すれば、本実施形態によるスパッタリング装置は、ターゲット固定部３００と、ターゲット固定部３００と対向して位置する基板固定部３１０とを含む。ターゲット固定部３００と基板固定部３１０は、第３方向ＤＲ３に一定空間を間に置いて離隔している。ターゲット固定部３００には複数個のスパッタリングターゲット２００が固定されている。基板固定部３１０には基板１００が位置することができる。基板１００上にスパッタリングターゲット２００が含む蒸着物質が蒸着されて薄膜を形成することができる。

【0036】

ターゲット固定部３００および基板固定部３１０はチャンバー１０００内に位置することができる。スパッタリング工程の進行のために、チャンバー１０００の内部は真空状態を維持することができる。または、チャンバー１０００の内部には不活性気体が満たされ得る。例えば、前記不活性気体は、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）またはキセノン（Ｘｅ）を含むことができる。例えば、約１～１００ｍＴｏｒｒ圧力のアルゴン（Ａｒ）がチャンバー１０００内部に満たされ得る。

【0037】

基板固定部３１０はチャンバー１０００内に配置されて、基板１００を固定する。例えば、基板固定部３１０は基板１００を真空吸着して固定することができる。または、基板固定部３１０は基板１００の周縁に対応して形成された固定クリップを利用して基板１００を固定することができる。また、基板固定部３１０は基板１００をスライディング方式で固定することができる。

【0038】

基板１００は表示パネルの表示基板であり得る。基板１００上に形成される薄膜（図示せず）は表示基板の配線であり得る。または基板１００上に形成される薄膜（図示せず）は酸化物半導体層であり得る。酸化物半導体層は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、亜鉛錫酸化物（ＺＴＯ）、亜鉛インジウム酸化物（ＺＩＯ）、インジウム酸化物（ＩｎＯ）、チタン酸化物（ＴｉＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）およびインジウム亜鉛錫酸化物（ＩＺＴＯ）からなるグループより選択された少なくとも一つを含むことができる。

【0039】

ターゲット固定部３００はチャンバー１０００内に基板固定部３１０に対抗して配置される。ターゲット固定部３００を通じてスパッタリングターゲット２００にプラズマ電源が印加され得る。前記プラズマ電源は高周波電圧（ＲＦ）を含むことができる。この時、基板固定部３１０は導電性材質を含んで、スパッタリングターゲット２００と電気的に連結されて高周波電圧が印加され得る。また、基板固定部３１０は高周波電圧の基準電圧を設定するために外部の接地端子（図示せず）と電気的に連結され得る。高周波電圧は基板固定部３１０とターゲット固定部３００を通じてチャンバー１０００に印加されて、プラズマ放電を起こすことができる。

【0040】

図示していないが、基板１００とスパッタリングターゲット２００との間にマスク（図示せず）が位置し、基板１００上に蒸着される蒸着物質の形状を決定することができる。

【0041】

スパッタリングターゲット２００はターゲット固定部３００上に配置されて、基板固定部３１０上に固定された基板１００と対向する。スパッタリングターゲット２００は基板１００上に蒸着される蒸着物質からなる。スパッタリングターゲット２００は蒸着物質である酸化物半導体を含むことができる。例えば、前記酸化物半導体は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、亜鉛錫酸化物（ＺＴＯ）、亜鉛インジウム酸化物（ＺＩＯ）、インジウム酸化物（ＩｎＯ）、チタン酸化物（ＴｉＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）およびインジウム亜鉛錫酸化物（ＩＺＴＯ）からなるグループより選択された少なくとも一つを含むことができる。

【0042】

スパッタリングターゲット２００は複数個が位置することができる。それぞれのスパッタリングターゲット２００は互いに離隔して位置することができる。図１に示されているようにスパッタリングターゲット２００は第１方向ＤＲ１に複数個が離隔して位置することができる。スパッタリングターゲット２００の個数は基板１００の大きさにより適切に調節可能であり、一例として５個以上２０個以下であり得る。

【0043】

図２は図１のスパッタリングターゲット２００の平面上形状を示したものである。図２を参照すれば、ターゲット固定部３００上に複数個のスパッタリングターゲット２００が位置する。この時、それぞれのスパッタリングターゲット２００は第２方向ＤＲ２に互いに連結された部分スパッタリングターゲット２１０を含む。つまり、図２に示されているように、それぞれのスパッタリングターゲット２００は第１方向ＤＲ１に互いに離隔している。またそれぞれのスパッタリングターゲット２００は第２方向ＤＲ２に沿って並んで位置する複数個の部分スパッタリングターゲット２１０を含む。

【0044】

つまり、第２方向ＤＲ２に同一線上に位置する複数個の部分スパッタリングターゲット２１０が一つのスパッタリングターゲット２００を構成する。この時、それぞれの部分スパッタリングターゲット２１０の間には分割面ＤＰが形成される。このような分割面ＤＰは、それぞれの部分スパッタリングターゲット２１０が隣接した部分スパッタリングターゲット２１０と接している部分である。

【0045】

酸化物半導体を含むスパッタリングターゲットの場合、熱膨張係数が少ないため、一体型ターゲット製作が不可能である。これは低い熱膨張係数により製造および運搬過程で簡単に破損されるためである。

【0046】

しかし、大面積基板の蒸着のためには、一方向に長さが長いスパッタリングターゲットが必要である。したがって、本実施形態のように、複数個の部分スパッタリングターゲットを一方向に連続的に位置させたスパッタリングターゲットを使用するようになる。

【0047】

図３はこのように複数の部分スパッタリングターゲット２１０を含むスパッタリングターゲット２００のイメージである。

【0048】

ただし、このように複数の部分スパッタリングターゲット２１０が互いに接する面で分割面ＤＰが必須で発生するようになる。図４はこのようなスパッタリングターゲットの分割面ＤＰのイメージである。分割面ＤＰでそれぞれの部分スパッタリングターゲット２１０が隣接した部分スパッタリングターゲット２１０と完全に接合されておらず、間に分割面ＤＰが視認される。

【0049】

このようにスパッタリングターゲット２００が分割面ＤＰを含むため、このようなスパッタリングターゲットで蒸着を進行する場合、蒸着された蒸着面でムラが発生するようになる。これは分割面ＤＰでは分割面ＤＰでない部分と比較して蒸着が少なく行われるためである。

【0050】

図５は図４のような一つのスパッタリングターゲット２００で蒸着した時のイメージであり、スパッタリングターゲット２００の分割面ＤＰと対応する位置にムラが発生したことを確認することができた。

【0051】

しかし、本実施形態によるスパッタリング装置は、それぞれのスパッタリングターゲット２００の分割面ＤＰが他のスパッタリングターゲット２００の如何なる分割面ＤＰとも並んでいないように位置する。したがって、複数個の部分スパッタリングターゲット２１０を含むスパッタリングターゲット２００を利用してスパッタリングを進行する場合にもムラが発生しないことができる。

【0052】

図２を参照すれば、複数の部分スパッタリングターゲット２１０が互いに連結される分割面ＤＰが位置する。しかし、それぞれのスパッタリングターゲット２００の分割面ＤＰは、第１方向ＤＲ１に隣接した他のスパッタリングターゲット２００の分割面ＤＰと重ならないように位置する。図２でそれぞれのスパッタリングターゲット２００の分割面ＤＰの延長線を点線で示した。図２に示されているように、それぞれのスパッタリングターゲット２００の分割面ＤＰの延長線は、他のスパッタリングターゲット２００の分割面ＤＰの延長線と重ならない。そこで、図２に示されているように、蒸着領域にはスパッタリングターゲット２００の個数（Ｎ）だけの分割面ＤＰ延長線が位置するようになる。したがって、全ての分割面ＤＰが重なる実施形態に比べて、分割面ＤＰの影響を１／Ｎに減少させることができる。したがって蒸着面でムラが視認されないようにすることができる。図２では６個のスパッタリングターゲットが示されているところ、分割面ＤＰ延長線も６個が位置する。

【0053】

図２では６個のスパッタリングターゲットが示されているが、実施形態によりスパッタリングターゲットの個数は多様になり得る。一例として、スパッタリングターゲットの個数は、１２個であり得る。スパッタリングターゲットの個数は、５個以上２０個以下であり得る。これは蒸着しようとする基板の面積により適切に調節可能である。

【0054】

一つの部分スパッタリングターゲット２１０の第２方向ＤＲ２の長さＨ１は、５０ｃｍ以上１００ｃｍ以下であり得る。一例として、部分スパッタリングターゲット２１０の第２方向ＤＲ２の長さＨ１は、７０ｃｍであり得る。

【0055】

一つのスパッタリングターゲット２００は、３個以上５個以下の複数個の部分スパッタリングターゲット２１０を含むことができる。一例として、一つのスパッタリングターゲット２００は、４個の部分スパッタリングターゲット２１０を含むことができる。しかし、これは一例示であり、これは蒸着しようとする基板の大きさにより適切に調節可能である。

【0056】

一つのスパッタリングターゲット２００の第２方向ＤＲ２の長さＨ２は、２５０ｃｍ以上３００ｃｍ以下であり得る。一例として、スパッタリングターゲット２００の第２方向ＤＲ２の長さは、２８０ｃｍであり得る。しかし、これは一例示であり、本発明がこれに制限されるのではない。

【0057】

図２ではスパッタリングターゲットが円形の断面を有する棒状で示されているが、実施形態によりスパッタリングターゲットは、板状を有することができる。

【0058】

図６はスパッタリングターゲット２００が板状である場合を示したものである。この場合にも複数個の部分スパッタリングターゲット２１０が第２方向ＤＲ２に互いに連結されてスパッタリングターゲット２００を構成し、それぞれのスパッタリングターゲット２００の分割面ＤＰは、隣接したスパッタリングターゲット２００の如何なる分割面ＤＰとも並んで位置しない。

【0059】

図７はそれぞれのスパッタリングターゲット２００の分割面ＤＰが同一線上に位置する場合に蒸着面でムラ１１が視認される原理を示したものである。図７を参照すれば、それぞれの個別スパッタリングターゲット２００は基板１００の全面を蒸着する。この時、基板１００が移動したりスパッタリングターゲット２００が移動することができる。つまり、ｎ個のスパッタリングターゲットが位置する場合、基板全体はｎ回蒸着され得る。

【0060】

図７では６個のスパッタリングターゲットが示されており、蒸着面は６回蒸着されるようになる。それぞれの蒸着過程でスパッタリングターゲット２００の分割面ＤＰは蒸着が良好に行われない。このように分割面ＤＰ領域で蒸着が良好に行われない蒸着過程が６回繰り返されるようになり、蒸着が良好に行われた領域と蒸着が良好に行われなかった領域が視認されるようになる。これは図７のようにムラ１１で現れる。つまり、一つのスパッタリングターゲットを利用した蒸着で正常領域の蒸着程度が１００、分割面ＤＰと対応する領域の蒸着が５０であるとした時、６個のスパッタリングターゲットで蒸着した場合、正常領域の蒸着程度は６００、分割面ＤＰと対応する領域の蒸着程度は３００で差が大きく発生する。したがって、ムラで視認される。

【0061】

しかし、本実施形態によるスパッタリングターゲットは、それぞれの分割面ＤＰが重ならない。図８は本実施形態によるスパッタリング装置を利用したスパッタリングを示したものである。図８を参照すれば、本実施形態によるスパッタリングターゲット２００は分割面ＤＰが互いに並んで位置しない。したがって、分割面ＤＰにより蒸着が良好に行われない領域が互いに重ならずに並んで位置するようになり、累積して重ならないため、ムラで視認されない。

【0062】

つまり、一つのスパッタリングターゲットを利用した蒸着で正常領域の蒸着程度が１００、分割面ＤＰと対応する領域の蒸着が５０であるとした時、６個のスパッタリングターゲットで蒸着した場合、正常領域の蒸着程度は６００、それぞれの分割面ＤＰと対応する領域の蒸着程度は５５０で差が大きくない。したがって、ムラで視認されない。

【0063】

つまり、図７の実施形態の場合、蒸着が良好に行われない領域が重なって位置したところ、ムラで視認されたが、本実施形態の場合、蒸着が良好に行われない領域が互いに重ならずに位置するところ、ムラで視認されない。

【0064】

したがって、大面積の基板も効率よく蒸着することができる。

【0065】

本実施形態によるスパッタリング方法は、図１に示されたようなスパッタリング装置を利用して行うことができる。この時、スパッタリング装置およびスパッタリングターゲットに関する説明は前述と同様である。蒸着過程でスパッタリングターゲットが移動したりまたは基板が移動することができ、一つのスパッタリングターゲットが基板全体を蒸着することができる。それぞれのスパッタリングターゲットは、複数個の部分スパッタリングターゲットを含み、スパッタリングターゲットの分割面ＤＰは、他のスパッタリングターゲットの如何なる分割面ＤＰとも重ならないところ、大面積表示装置でもムラの視認なしに効率よく蒸着することができる。

【0066】

以上で本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形および改良形態も本発明の権利範囲に属する。

【符号の説明】

【0067】

１００：基板
２１０：スパッタリングターゲット
３００：ターゲット固定部
３１０：基板固定部
２２０：部分スパッタリングターゲット
ＤＰ：分割面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】