特開 2024-121310 ひずみゲージおよびひずみセンサ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024121310

(43)【公開日】2024-09-06

(54)【発明の名称】ひずみゲージおよびひずみセンサ

(51)【国際特許分類】

   G01B 7/06 20060101AFI20240830BHJP

【ＦＩ】

G01B7/06 R

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023028342

(22)【出願日】2023-02-27

(71)【出願人】

【識別番号】000114215

【氏名又は名称】ミネベアミツミ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】小峰 理枝子

(72)【発明者】

【氏名】小笠 洋介

(72)【発明者】

【氏名】浅川 寿昭

(72)【発明者】

【氏名】竹身 一敏

【テーマコード（参考）】

2F063

【Ｆターム（参考）】

2F063AA25

2F063CA28

2F063EC20

(57)【要約】

【課題】本開示は、断線の発生を抑制するひずみゲージを提供する。
【解決手段】基材と、前記基材上に形成された抵抗体と、前記基材上に形成された一対の電極と、前記抵抗体の一端と一方の電極とを電気的に接続する第１配線と、前記抵抗体の他端と他方の電極とを電気的に接続する第２配線と、を備え、第１配線および第２配線はそれぞれ、電極と接続している側と反対側に終端部を有しており、前記第１配線および／または前記第２配線は、前記終端部から離隔した位置で前記抵抗体の一端と接続する、ひずみゲージ。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材と、
前記基材上に形成された抵抗体と、
前記基材上に形成された一対の電極と、
前記抵抗体の一端と一方の電極とを電気的に接続する第１配線と、
前記抵抗体の他端と他方の電極とを電気的に接続する第２配線と、を備え、
第１配線および第２配線はそれぞれ、電極と接続している側と反対側に終端部を有しており、
前記第１配線および／または前記第２配線は、前記終端部から離隔した位置で前記抵抗体の一端と接続する、ひずみゲージ。

【請求項2】

前記第１配線および前記第２配線は、前記抵抗体と同一材料で一体に形成されている第１金属層と、前記第１金属層上に前記第１金属層よりも低抵抗の材料から形成された第２金属層と、を含み、
前記第１金属層および前記第２金属層はそれぞれ前記終端部を有する、請求項１に記載のひずみゲージ。

【請求項3】

前記第１配線および／または前記第２配線の前記第２金属層の前記終端部は、平面視において角が鈍角である、請求項２に記載のひずみゲージ。

【請求項4】

前記第１配線および／または前記第２配線の前記第２金属層の前記終端部は、平面視において角が直角である、請求項２に記載のひずみゲージ。

【請求項5】

前記第２金属層の終端部は、平面視において端辺の幅が５０マイクロメートル以上である、請求項２～４のいずれか一項に記載のひずみゲージ。

【請求項6】

前記第１配線および／または前記第２配線は、前記第２金属層の前記終端部から３０マイクロメートル以上離隔した位置で前記抵抗体と接続する、請求項２～５のいずれか一項に記載のひずみゲージ。

【請求項7】

前記抵抗体の周辺に、前記抵抗体、前記第１配線、および前記第２配線と離隔して配置された第３金属層を有する、請求項１～６のいずれか１項に記載のひずみゲージ。

【請求項8】

前記抵抗体は、
複数の受感部と、
前記受感部の間に配置される、前記第１配線および前記第２配線と同一材料から成る部材である接合部と、を有することを特徴とする、請求項１～７のいずれか１項に記載のひずみゲージ。

【請求項9】

前記受感部と前記接合部は、前記接合部の端部から離隔した位置で接続される、請求項８に記載のひずみゲージ。

【請求項10】

請求項１～９のいずれか１項に記載のひずみゲージを複数個含んだひずみセンサであって、
前記複数のひずみゲージは、各自の前記電極の少なくとも一方、および、各自の前記第１配線および第２配線の少なくとも一方を共有して接続されることでブリッジ回路を形成している、ひずみセンサ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、ひずみゲージおよびひずみセンサに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、可撓性を有する基材と、基材上に形成された抵抗体と、基材上に形成され、配線を介して抵抗体と電気的に接続された一対の電極と、を有するひずみゲージが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２２－００８０２６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、ひずみゲージの一部分に応力が集中すると、断線することがある。

【0005】

本開示は、断線の発生を抑制するひずみゲージを提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一態様では、基材と、前記基材上に形成された抵抗体と、前記基材上に形成された一対の電極と、前記抵抗体の一端と一方の電極とを電気的に接続する第１配線と、前記抵抗体の他端と他方の電極とを電気的に接続する第２配線と、を備え、第１配線および第２配線はそれぞれ、電極と接続している側と反対側に終端部を有しており、前記第１配線および／または前記第２配線は、前記終端部から離隔した位置で前記抵抗体の一端と接続する、ひずみゲージが提供される。

【発明の効果】

【0007】

本開示のひずみゲージによれば、断線の発生を抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、第１実施形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。

【図2】図２は、第１実施形態に係るひずみゲージを例示する断面図である。

【図3】図３は、比較例のひずみゲージについて説明する図である。

【図4】図４は、本実施形態に係るひずみゲージについて説明する図である。

【図5】図５は、第１実施形態に係るひずみゲージを例示する断面図である。

【図6】図６は、第２実施形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。

【図7】図７は、第３実施形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。

【図8】図８は、第４実施形態に係るひずみセンサを例示する平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0010】

なお、以降の説明および図面において、平行、直角、直交、水平、垂直、上下、左右および前後等の方向には、実施形態の効果を損なわない程度のずれが許容される。角部の形状は、直角に限られず、丸みを帯びてもよい。平行、直角、直交、水平、垂直には、それぞれ略平行、略直角、略直交、略水平、略垂直が含まれてもよい。

【0011】

例えば、略平行は、２つの線または２つの面が互いに完全に平行でなくても、製造上許容される範囲内であれば互いに平行として扱うことができることを意味する。略直角、略直交、略水平および略垂直のそれぞれについても、略平行と同様に、２つの線または２つの面の相互の位置関係が製造上許容される範囲内であればそれぞれに該当することが意図される。

【0012】

〈第１実施形態〉
図１は、第１実施形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。図２は、第１実施形態に係るひずみゲージを例示する断面図である。具体的には、図２は、図１におけるＡ－Ａ断面図である。なお、図面には、説明の便宜のために、互いに直交するＸ軸およびＹ軸からなるＸＹ直交座標系が設定される場合がある。なお、当該座標系は、説明のために定めるものであって、本実施形態に係るひずみセンサ等の姿勢について限定するものではない。

【0013】

ひずみゲージ１は、基材１０と、抵抗体３０と、一対の配線４０（第１配線および第２配線）と、一対の電極５０と、を有する。

【0014】

なお、本実施形態では、便宜上、ひずみゲージ１において、基材１０の抵抗体３０が設けられている側を上側または一方の側、抵抗体３０が設けられていない側を下側または他方の側とする。又、各部位の抵抗体３０が設けられている側の面を一方の面または上面、抵抗体３０が設けられていない側の面を他方の面または下面とする。但し、ひずみゲージ１は天地逆の状態で用いることができ、または任意の角度で配置できる。又、平面視とは対象物を基材１０の上面１０ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を基材１０の上面１０ａの法線方向から視た形状を指すものとする。

【0015】

基材１０は、抵抗体３０等を形成するためのベース層となる部材であり、可撓性を有する。基材１０の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。例えば、基材１０の厚さは、５μｍ～５００μｍ程度とすることができる。特に、基材１０の厚さが５μｍ～２００μｍであると、接着層等を介して基材１０の下面に接合される起歪体表面からの歪の伝達性、環境に対する寸法安定性の点で好ましく、１０μｍ以上であると絶縁性の点で更に好ましい。

【0016】

基材１０は、例えば、ＰＩ（ポリイミド）樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂、ポリオレフィン樹脂等の絶縁樹脂フィルムから形成できる。なお、フィルムとは、厚さが５００μｍ以下程度であり、可撓性を有する部材を指す。

【0017】

ここで、『絶縁樹脂フィルムから形成する』とは、基材１０が絶縁樹脂フィルム中にフィラーや不純物等を含有することを妨げるものではない。基材１０は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有する絶縁樹脂フィルムから形成しても構わない。

【0018】

基材１０の樹脂以外の材料としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２（ＹＳＺも含む）、Ｓｉ、Ｓｉ_２Ｎ_３、Ａｌ_２Ｏ_３（サファイヤも含む）、ＺｎＯ、ペロブスカイト系セラミックス（ＣａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３）等の結晶性材料が挙げられ、更に、それ以外に非晶質のガラス等が挙げられる。又、基材１０の材料として、アルミニウム、アルミニウム合金（ジュラルミン）、チタン等の金属を用いてもよい。この場合、金属製の基材１０上に、例えば、絶縁膜が形成される。

【0019】

抵抗体３０は、基材１０上に所定のパターンで形成された薄膜であり、ひずみを受けて抵抗変化を生じる受感部である。抵抗体３０は、基材１０の上面１０ａに直接形成されてもよいし、基材１０の上面１０ａに他の層を介して形成されてもよい。なお、図１では、便宜上、抵抗体３０を濃い梨地模様で示している。

【0020】

抵抗体３０は、例えば、Ｃｒ（クロム）を含む材料、Ｎｉ（ニッケル）を含む材料、またはＣｒとＮｉの両方を含む材料から形成できる。すなわち、抵抗体３０は、ＣｒとＮｉの少なくとも一方を含む材料から形成できる。Ｃｒを含む材料としては、例えば、Ｃｒ混相膜が挙げられる。Ｎｉを含む材料としては、例えば、Ｃｕ－Ｎｉ（銅ニッケル）が挙げられる。ＣｒとＮｉの両方を含む材料としては、例えば、Ｎｉ－Ｃｒ（ニッケルクロム）が挙げられる。

【0021】

ここで、Ｃｒ混相膜とは、Ｃｒ、ＣｒＮ、Ｃｒ_２Ｎ等が混相した膜である。Ｃｒ混相膜は、酸化クロム等の不可避不純物を含んでもよい。

【0022】

抵抗体３０の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。例えば、抵抗体３０の厚さは、０．０５μｍ～２μｍ程度とすることができる。特に、抵抗体３０の厚さが０．１μｍ以上であると抵抗体３０を構成する結晶の結晶性（例えば、α－Ｃｒの結晶性）が向上する点で好ましく、１μｍ以下であると抵抗体３０を構成する膜の内部応力に起因する膜の断線や基材１０からの反りを低減できる点で更に好ましい。抵抗体３０の幅は、抵抗値や横感度等の要求仕様に対して最適化し、かつ断線対策も考慮して、例えば、１０μｍ～１００μｍ程度とすることができる。

【0023】

例えば、抵抗体３０がＣｒ混相膜である場合、安定な結晶相であるα－Ｃｒ（アルファクロム）を主成分とすることで、ゲージ特性の安定性を向上できる。又、抵抗体３０がα－Ｃｒを主成分とすることで、ひずみゲージ１のゲージ率を１０以上、かつゲージ率温度係数ＴＣＳおよび抵抗温度係数ＴＣＲを－１０００ｐｐｍ／℃～＋１０００ｐｐｍ／℃の範囲内とすることができる。ここで、主成分とは、対象物質が抵抗体を構成する全物質の５０重量％以上を占めることを意味する。更に言えば、ゲージ特性をより向上させたい場合、抵抗体３０はα－Ｃｒを８０重量％以上含むことが好ましく、９０重量％以上含むことが更に好ましい。なお、α－Ｃｒは、ｂｃｃ構造（体心立方格子構造）のＣｒである。

【0024】

又、抵抗体３０がＣｒ混相膜である場合、Ｃｒ混相膜に含まれるＣｒＮおよびＣｒ_２Ｎは２０重量％以下であることが好ましい。Ｃｒ混相膜に含まれるＣｒＮおよびＣｒ_２Ｎが２０重量％以下であることで、ゲージ率の低下を抑制できる。

【0025】

又、ＣｒＮおよびＣｒ_２Ｎ中のＣｒ_２Ｎの割合は８０重量％以上９０重量％未満であることが好ましく、９０重量％以上９５重量％未満であることが更に好ましい。ＣｒＮおよびＣｒ_２Ｎ中のＣｒ_２Ｎの割合が９０重量％以上９５重量％未満であることで、半導体的な性質を有するＣｒ_２Ｎにより、ＴＣＲの低下（負のＴＣＲ）が一層顕著となる。更に、セラミックス化を低減することで、脆性破壊の低減がなされる。

【0026】

一方で、膜中に微量のＮ_２もしくは原子状のＮが混入、存在した場合、外的環境（例えば高温環境下）によりそれらが膜外へ抜け出ることで、膜応力の変化を生ずる。化学的に安定なＣｒＮの創出により上記不安定なＮを発生させることがなく、安定なひずみゲージを得ることができる。

【0027】

抵抗体３０は、複数の細長状部３１が長手方向を同一方向（図１の例では、Ｙ軸方向）に向けて所定間隔で配置され、隣接する細長状部３１の端部が互い違いに連結されて、全体としてジグザグに折り返す構造を有している。図１の例では、複数の細長状部３１の長手方向がグリッド方向となり、グリッド方向と垂直な方向（図１の例では、Ｘ軸方向）がグリッド幅方向となる。なお、図１の例では、細長状部３１同士の連結部分の外周が曲線になっているが、連結部分の形状はこれに限定されない。これは、以降の図面においても同様である。

【0028】

抵抗体３０の細長状部３１のうち、両端に位置する２つの細長状部３１において、当該細長状部３１の端部は隣り合う配線４０の方向（図１の例ではＸ軸方向）に屈曲している。この屈曲している端部（以降、単に「抵抗体の端部」とも称する）は細長状部３１と同一材料で構成されており、細長状部３１が延出した部分である。

【0029】

配線４０は基材１０上に形成され、抵抗体３０と電極５０とを接続する。各配線４０は直線状には限定されず、任意のパターンとすることができる。また、各配線４０は任意の長さとすることができる。配線４０はそれぞれ、第１金属層４１と、第１金属層４１の上面に積層された第２金属層４２とから成る。なお、図１では便宜上、第１金属層４１を抵抗体３０と同じ濃い梨地模様で示している。また、第２金属層４２を抵抗体３０よりも薄い梨地模様で示している。

【0030】

図１の例では、各配線４０はＹ軸方向に沿って延びている。言い換えると、各配線４０は、Ｙ軸方向に長手方向を有する。本実施形態では便宜上、配線４０の特定の部位に名称を付けて説明を行うが、以下で説明する配線４０の各部位は、それぞれ一体に形成されている。

【0031】

配線４０はそれぞれ、側部４０ｈと、側部４０ｇと、終端部４０ｅと、接続部４０ａと、を含む。側部４０ｈは、配線４０のうち、平面視において抵抗体３０が形成されている側の側部を示す。また、側部４０ｇは、配線４０のうち、平面視において抵抗体３０が形成されていない側の側部を示す。そして、終端部４０ｅは、配線４０のうち、電極５０と接続している側と反対側（図１の例では、Ｙ軸正方向側）の終端部分を示す。また、一対の配線４０のうち少なくとも一方は、側部４０ｈの、終端部４０ｅから離隔した位置に接続部４０ａを有している。なお、図１の例では、２本の配線４０の両方が、終端部４０ｅから離隔した位置に接続部４０ａを有している。接続部４０ａは、抵抗体３０の端部と接続している。

【0032】

なお、各配線４０の形状は上記に限られない。例えば、配線４０は、それぞれＹ軸方向に対して平行でなくてもよい。また例えば、２本の配線４０の位置関係も平行でなくてもよい。また例えば、各配線４０の側部はＹ軸方向に傾斜していてもよいし、曲線になっていてもよい。

【0033】

抵抗体３０の一端（例えばＸ負方向側の一端）と、２つの電極５０のうち一方の電極５０（例えばＸ負方向側の電極５０）とは、配線４０（第１配線）を介して電気的に接続される。また、抵抗体の他端（例えばＸ正方向側の一端）と、他方の電極５０（例えばＸ正方向側の電極５０）との間も、配線４０（第２配線）を介して電気的に接続される。すなわち、抵抗体３０は、一対の配線４０を介して一対の電極５０と電気的に接続されている。

【0034】

電極５０は、ひずみにより生じる抵抗体３０の抵抗値の変化を外部に出力するための電極である。電極５０には、例えば、外部接続用のリード線等が接合される。各電極５０は基材１０上に形成される。電極５０は、配線４０を介して抵抗体３０と電気的に接続される。電極５０は、例えば、配線４０よりも拡幅して略矩形状に形成されていてよい。

【0035】

電極５０は、第１金属層５１と、第１金属層５１の上面に積層された第２金属層５２とを有している。第１金属層５１は、配線４０の第１金属層４１を介して、抵抗体３０の端部と電気的に接続している。第１金属層５１は、平面視において略矩形状に形成されている。第１金属層５１は、配線４０と同じ幅に形成しても構わない。

【0036】

なお、抵抗体３０と、第１金属層４１と、第１金属層５１とは便宜上別符号としているが、同一工程において同一材料により一体に形成できる。従って、抵抗体３０と、第１金属層４１と、第１金属層５１は、それぞれ厚さが略同一である。また、第２金属層４２と第２金属層５２は便宜上別符号としているが、同一工程において同一材料により一体に形成できる。従って、第２金属層４２と、第２金属層５２とは、厚さが略同一であってよい。

【0037】

第２金属層４２および第２金属層５２は、それぞれ抵抗体３０（並びに第１金属層４１および、第１金属層５１）よりも低抵抗の材料から形成されていてよい。第２金属層４２、第２金属層５２の材料は、抵抗体３０よりも低抵抗の材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。例えば、抵抗体３０がＣｒ混相膜である場合、第２金属層４２および第２金属層５２の材料として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等、または、これら何れかの金属の合金、これら何れかの金属の化合物、或いは、これら何れかの金属、合金、化合物を適宜積層した積層膜が挙げられる。第２金属層４２および第２金属層５２の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。例えば、第２金属層４２および第２金属層５２の厚さはいずれも３μｍ～５μｍ程度とすることができる。

【0038】

第２金属層４２は、第１金属層４１の一部に形成されてもよいし、第１金属層４１の全体に形成されてもよい。第２金属層５２は、第１金属層５１の一部に形成されてもよいし、第１金属層５１の全体に形成されてもよい。第２金属層５２の上面に、更に他の１層以上の金属層を積層してもよい。例えば、第２金属層５２を銅層とし、銅層の上面に金層を積層してもよい。或いは、第２金属層５２を銅層とし、銅層の上面にパラジウム層と金層を順次積層してもよい。電極５０の最上層を金層とすることで、電極５０のはんだ濡れ性を向上できる。

【0039】

なお、抵抗体３０および配線４０を被覆し、電極５０を露出するように、基材１０の上面１０ａにカバー層を設けても構わない。カバー層を設けることで、抵抗体３０および配線４０に機械的な損傷等が生じることを防止できる。又、カバー層を設けることで、抵抗体３０および配線４０を湿気等から保護できる。なお、カバー層は、電極５０を除く部分の全体を覆うように設けてもよい。

【0040】

カバー層は、例えば、ＰＩ樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＥＫ樹脂、ＰＥＮ樹脂、ＰＥＴ樹脂、ＰＰＳ樹脂、複合樹脂（例えば、シリコーン樹脂、ポリオレフィン樹脂）等の絶縁樹脂から形成できる。カバー層は、フィラーや顔料を含有しても構わない。カバー層の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。例えば、カバー層の厚さは、２μｍ～３０μｍ程度とすることができる。

【0041】

このように、配線４０は、抵抗体３０と同一材料からなる第１金属層４１上に第２金属層４２が積層された構造である。そのため、各配線４０は抵抗体３０よりも抵抗が低くなるため、各配線４０が抵抗体として機能してしまうことを抑制できる。その結果、抵抗体３０によるひずみ検出精度を向上できる。

【0042】

言い換えれば、抵抗体３０よりも低抵抗な配線４０を設けることで、ひずみゲージ１の実質的な受感部を抵抗体３０が形成された局所領域に制限できる。そのため、抵抗体３０によるひずみ検出精度を向上できる。

【0043】

特に、抵抗体３０としてＣｒ混相膜を用いた、ゲージ率１０以上の高感度なひずみゲージにおいて、配線４０を抵抗体３０よりも低抵抗化して実質的な受感部を抵抗体３０が形成された局所領域に制限することは、ひずみ検出精度の向上に顕著な効果を発揮する。又また、配線４０を抵抗体３０よりも低抵抗化することは、横感度を低減する効果も奏する。

【0044】

なお、抵抗体３０と各電極５０とを接続する配線４０の長さは、配線４０が直線状か否かにかかわらず、配線４０に沿った長さで５ｍｍ以上とすることが好ましい。長さを５ｍｍ以上とすることで、電極５０にリード線等をはんだ付けする際の熱が、抵抗体３０や抵抗体３０を覆うカバー層に伝わり難くなり、ゲージ諸特性の熱負荷を軽減できる。

【0045】

図３は、比較例のひずみゲージ１ｚについて説明する図である。なお、図３では、配線の終端部付近を拡大して示している。ひずみゲージ１ｚは、抵抗体と配線との接続位置がひずみゲージ１と異なることと、配線の形状がひずみゲージ１と異なること以外は、図１～図２に示すひずみゲージ１と同様の構成を有している。

【0046】

図３に示すひずみゲージ１ｚでは、配線は終端部の近傍で抵抗体と接続している。このような形状のひずみゲージにおいて、例えば図３に示すように、配線および／または抵抗体の接続部分が断線してしまうことがあった。

【0047】

一方、図４は、第１実施形態に係るひずみゲージ１において断線が発生した場合について説明する図である。なお、図４は、ひずみゲージ１における、Ｘ軸負方向側の配線４０の終端部４０ｅ付近を例にとって説明するが、Ｘ軸正方向側の配線４０および終端部４０ｅについても、同様の説明が成り立つ。

【0048】

例えば、何等かの原因で配線４０の終端部４０ｅ付近に強い応力がかかり、図４の曲線ＣＬで示す部位に断線が発生したとする。しかしながら、図４に示す通り、ひずみゲージ１では、抵抗体３０と配線４０とは、終端部４０ｅから離隔した位置で接続している。そのため、例え曲線ＣＬの部位に断線が生じて配線４０の一部が導通しなくなっても、配線４０と抵抗体３０との接続部分にはこの断線は及んでいない。したがって、電極５０と配線４０、および、配線４０と抵抗体３０との間の通電に問題は生じない。このように、配線４０と抵抗体３０との接続部分を終端部４０ｅから離隔した位置に設けることによって、断線が起きにくいひずみゲージを実現することができる。

【0049】

例えば、接続部４０ａと終端部４２ｅとの距離Ｌは３０マイクロメートル以上としてもよい。距離Ｌを３０マイクロメートル以上とすることにより、上述したような断線をより高い確率で抑制できる。言い換えると、配線４０は、第２金属層４２の終端部４２ｅから３０マイクロメートル以上離隔した位置で抵抗体３０と接続することが好ましい。

【0050】

さらに、ひずみゲージ１では、第２金属層４２の終端部４２ｅにおける端辺の幅Ｗを比較例に比べ幅広としている。この幅Ｗは例えば、平面視において５０マイクロメートル以上とするとより好ましい。断線は、ひずみゲージの配線、電源、および抵抗体等の周端部の、細くなっている箇所で起こることが多い。そのため、幅Ｗを広くすることによって、断線の発生を抑制することができる。また、第２金属層４２の角４２ｃの少なくとも一方は、平面視において直角または鈍角に形成されていてもよい。角４２ｃの少なくとも一方を直角または鈍角にすることによって、終端部４０ｅの角が細く突出しないようにすることができる。したがって、配線４０終端部の角部分における断線の発生を抑制することができる。

【0051】

ひずみゲージ１を製造するためには、まず、基材１０を準備し、基材１０の上面１０ａに金属層（便宜上、金属層Ａとする）を形成する。金属層Ａは、最終的にパターニングされて抵抗体３０、第１金属層４１、および第１金属層５１となる層である。従って、金属層Ａの材料や厚さは、前述の抵抗体３０、第１金属層４１、および第１金属層５１の材料や厚さと同様である。

【0052】

金属層Ａは、例えば、金属層Ａを形成可能な原料をターゲットとしたマグネトロンスパッタ法により成膜できる。金属層Ａは、マグネトロンスパッタ法に代えて、反応性スパッタ法や蒸着法、アークイオンプレーティング法、パルスレーザー堆積法等を用いて成膜してもよい。

【0053】

ゲージ特性を安定化する観点から、金属層Ａを成膜する前に、下地層として、基材１０の上面１０ａに、例えば、コンベンショナルスパッタ法により所定の膜厚の機能層を真空成膜してもよい。

【0054】

本願において、機能層とは、少なくとも上層である金属層Ａ（抵抗体３０）の結晶成長を促進する機能を有する層を指す。機能層は、更に、基材１０に含まれる酸素や水分による金属層Ａの酸化を防止する機能や、基材１０と金属層Ａとの密着性を向上する機能を備えていることが好ましい。機能層は、更に、他の機能を備えていてもよい。

【0055】

基材１０を構成する絶縁樹脂フィルムは酸素や水分を含むため、特に金属層ＡがＣｒを含む場合、Ｃｒは自己酸化膜を形成するため、機能層が金属層Ａの酸化を防止する機能を備えることは有効である。

【0056】

機能層の材料は、少なくとも上層である金属層Ａ（抵抗体３０）の結晶成長を促進する機能を有する材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。例えば、機能層の材料として、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｙ（イットリウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｓｉ（シリコン）、Ｃ（炭素）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｃｕ（銅）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｆｅ（鉄）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｒｅ（レニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｏ（コバルト）、Ｍｎ（マンガン）、Ａｌ（アルミニウム）からなる群から選択される１種または複数種の金属、この群の何れかの金属の合金、または、この群の何れかの金属の化合物が挙げられる。

【0057】

上記の合金としては、例えば、ＦｅＣｒ、ＴｉＡｌ、ＦｅＮｉ、ＮｉＣｒ、ＣｒＣｕ等が挙げられる。また、上記の化合物としては、例えば、ＴｉＮ、ＴａＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２等が挙げられる。

【0058】

機能層が金属または合金のような導電材料から形成される場合には、機能層の膜厚は抵抗体の膜厚の１／２０以下であることが好ましい。このような範囲であると、α－Ｃｒの結晶成長を促進できると共に、抵抗体に流れる電流の一部が機能層に流れて、ひずみの検出感度が低下することを防止できる。

【0059】

機能層が金属または合金のような導電材料から形成される場合には、機能層の膜厚は抵抗体の膜厚の１／５０以下であることがより好ましい。このような範囲であると、α－Ｃｒの結晶成長を促進できると共に、抵抗体に流れる電流の一部が機能層に流れて、ひずみの検出感度が低下することを更に防止できる。

【0060】

機能層が金属または合金のような導電材料から形成される場合には、機能層の膜厚は抵抗体の膜厚の１／１００以下であることが更に好ましい。このような範囲であると、抵抗体に流れる電流の一部が機能層に流れて、ひずみの検出感度が低下することを一層防止できる。

【0061】

機能層が酸化物や窒化物のような絶縁材料から形成される場合には、機能層の膜厚は、１ｎｍ～１μｍとすることが好ましい。このような範囲であると、α－Ｃｒの結晶成長を促進できると共に、機能層にクラックが入ることなく容易に成膜できる。

【0062】

機能層が酸化物や窒化物のような絶縁材料から形成される場合には、機能層の膜厚は、１ｎｍ～０．８μｍとすることがより好ましい。このような範囲であると、α－Ｃｒの結晶成長を促進できると共に、機能層にクラックが入ることなく更に容易に成膜できる。

【0063】

機能層が酸化物や窒化物のような絶縁材料から形成される場合には、機能層の膜厚は、１ｎｍ～０．５μｍとすることが更に好ましい。このような範囲であると、α－Ｃｒの結晶成長を促進できると共に、機能層にクラックが入ることなく一層容易に成膜できる。

【0064】

なお、機能層の平面形状は、例えば、図１に示す抵抗体の平面形状と略同一にパターニングされている。しかし、機能層の平面形状は、抵抗体の平面形状と略同一である場合には限定されない。機能層が絶縁材料から形成される場合には、抵抗体の平面形状と同一形状にパターニングしなくてもよい。この場合、機能層は少なくとも抵抗体が形成されている領域にベタ状に形成されてもよい。あるいは、機能層は、基材１０の上面全体にベタ状に形成されてもよい。

【0065】

また、機能層が絶縁材料から形成される場合に、機能層の厚さを５０ｎｍ以上１μｍ以下となるように比較的厚く形成し、かつベタ状に形成することで、機能層の厚さと表面積が増加するため、抵抗体が発熱した際の熱を基材１０側へ放熱できる。その結果、ひずみゲージ１において、抵抗体の自己発熱による測定精度の低下を抑制できる。

【0066】

機能層は、例えば、機能層を形成可能な原料をターゲットとし、チャンバ内にＡｒ（アルゴン）ガスを導入したコンベンショナルスパッタ法により真空成膜できる。コンベンショナルスパッタ法を用いることにより、基材１０の上面１０ａをＡｒでエッチングしながら機能層が成膜されるため、機能層の成膜量を最小限にして密着性改善効果を得ることができる。

【0067】

ただし、これは、機能層の成膜方法の一例であり、他の方法により機能層を成膜してもよい。例えば、機能層の成膜の前にＡｒ等を用いたプラズマ処理等により基材１０の上面１０ａを活性化することで密着性改善効果を獲得し、その後マグネトロンスパッタ法により機能層を真空成膜する方法を用いてもよい。

【0068】

機能層の材料と金属層Ａの材料との組み合わせは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。例えば、機能層としてＴｉを用い、金属層Ａとしてα－Ｃｒ（アルファクロム）を主成分とするＣｒ混相膜を成膜可能である。

【0069】

この場合、例えば、Ｃｒ混相膜を形成可能な原料をターゲットとし、チャンバ内にＡｒガスを導入したマグネトロンスパッタ法により、金属層Ａを成膜できる。あるいは、純Ｃｒをターゲットとし、チャンバ内にＡｒガスと共に適量の窒素ガスを導入し、反応性スパッタ法により、金属層Ａを成膜してもよい。この際、窒素ガスの導入量や圧力（窒素分圧）を変えることや加熱工程を設けて加熱温度を調整することで、Ｃｒ混相膜に含まれるＣｒＮおよびＣｒ_２Ｎの割合、並びにＣｒＮおよびＣｒ_２Ｎ中のＣｒ_２Ｎの割合を調整できる。

【0070】

これらの方法では、Ｔｉからなる機能層がきっかけでＣｒ混相膜の成長面が規定され、安定な結晶構造であるα－Ｃｒを主成分とするＣｒ混相膜を成膜できる。また、機能層を構成するＴｉがＣｒ混相膜中に拡散することにより、ゲージ特性が向上する。例えば、ひずみゲージ１のゲージ率を１０以上、かつゲージ率温度係数ＴＣＳおよび抵抗温度係数ＴＣＲを－１０００ｐｐｍ／℃～＋１０００ｐｐｍ／℃の範囲内とすることができる。なお、機能層がＴｉから形成されている場合、Ｃｒ混相膜にＴｉやＴｉＮ（窒化チタン）が含まれる場合がある。

【0071】

なお、金属層ＡがＣｒ混相膜である場合、Ｔｉからなる機能層は、金属層Ａの結晶成長を促進する機能、基材１０に含まれる酸素や水分による金属層Ａの酸化を防止する機能、および基材１０と金属層Ａとの密着性を向上する機能の全てを備えている。機能層として、Ｔｉに代えてＴａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｆｅを用いた場合も同様である。

【0072】

このように、金属層Ａの下層に機能層を設けることにより、金属層Ａの結晶成長を促進可能となり、安定な結晶相からなる金属層Ａを作製できる。その結果、ひずみゲージ１において、ゲージ特性の安定性を向上できる。また、機能層を構成する材料が金属層Ａに拡散することにより、ひずみゲージ１において、ゲージ特性を向上できる。

【0073】

次に、金属層Ａの上面に、第２金属層４２および第２金属層５２を形成する。第２金属層４２および第２金属層５２は、例えば、フォトリソグラフィ法により形成できる。

【0074】

具体的には、まず、金属層Ａの上面を覆うように、例えば、スパッタ法や無電解めっき法等により、シード層を形成する。次に、シード層の上面の全面に感光性のレジストを形成し、露光および現像して第２金属層４２および第２金属層５２を形成する領域を露出する開口部を形成する。このとき、レジストの開口部の形状を調整することで、第２金属層４２および第２金属層５２を任意の形状とすることができる。レジストとしては、例えば、ドライフィルムレジスト等を用いることができる。

【0075】

次に、例えば、シード層を給電経路とする電解めっき法により、開口部内に露出するシード層上に第２金属層４２および第２金属層５２を形成する。電解めっき法は、タクトが高く、かつ、第２金属層４２および第２金属層５２として低応力の電解めっき層を形成できる点で好適である。膜厚の厚い電解めっき層を低応力とすることで、ひずみゲージ１に反りが生じることを防止できる。なお、第２金属層４２および第２金属層５２は無電解めっき法により形成してもよい。

【0076】

次に、レジストを除去する。レジストは、例えば、レジストの材料を溶解可能な溶液に浸漬することで除去できる。

【0077】

次に、シード層の上面の全面に感光性のレジストを形成し、露光および現像して、図１の抵抗体３０、配線４０および電極５０と同様の平面形状にパターニングする。レジストとしては、例えば、ドライフィルムレジスト等を用いることができる。そして、レジストをエッチングマスクとし、レジストから露出する金属層Ａおよびシード層を除去し、図１の平面形状の抵抗体３０、配線４０、および電極５０を形成する。

【0078】

例えば、ウェットエッチングにより、金属層Ａおよびシード層の不要な部分を除去できる。金属層Ａの下層に機能層が形成されている場合には、エッチングによって機能層は抵抗体３０、配線４０、および電極５０と同様に図１に示す平面形状にパターニングされる。なお、この時点では、抵抗体３０、第１金属層４１、および第１金属層５１上にシード層が形成されている。

【0079】

次に、第２金属層４２および第２金属層５２をエッチングマスクとし、第２金属層４２および第２金属層５２から露出する不要なシード層を除去することで、第２金属層４２および第２金属層５２が形成される。なお、第２金属層４２および第２金属層５２の直下のシード層は残存する。例えば、シード層がエッチングされ、機能層、抵抗体３０、配線４０、および電極５０がエッチングされないエッチング液を用いたウェットエッチングにより、不要なシード層を除去できる。

【0080】

その後、必要に応じ、基材１０の上面１０ａに、抵抗体３０および配線４０を被覆し電極５０を露出するカバー層を設けることで、ひずみゲージ１が完成する。カバー層は、例えば、基材１０の上面１０ａに、抵抗体３０および配線４０を被覆し電極５０を露出するように半硬化状態の熱硬化性の絶縁樹脂フィルムをラミネートし、加熱して硬化させて作製できる。カバー層は、基材１０の上面１０ａに、抵抗体３０および配線４０を被覆し電極５０を露出するように液状またはペースト状の熱硬化性の絶縁樹脂を塗布し、加熱して硬化させて作製してもよい。電極５０を露出させる開口部は、例えば、フォトリソグラフィ法により形成できる。

【0081】

なお、抵抗体３０、第１金属層４１、および第１金属層５１の下地層として基材１０の上面１０ａに機能層を設けた場合には、ひずみゲージ１は図５に示す断面形状となる。符号２０で示す層が機能層である。機能層２０を設けた場合のひずみゲージ１の平面形状は、例えば、図１と同様となる。但し、前述のように、機能層２０は、基材１０の上面１０ａの一部または全部にベタ状に形成される場合もある。

【0082】

〈第２実施形態〉
本開示に係るひずみゲージの抵抗体は、複数の受感部と、当該複数の受感部の間に配置される接合部とを有する構成であってもよい。図６は、第２実施形態に係るひずみゲージ２を例示する平面図である。ひずみゲージ２は、抵抗体１３０に、第１受感部１３１および第２受感部１３２と、これらの間に配置される接合部１３３と、が含まれている点で、ひずみゲージ１と異なる。

【0083】

ひずみゲージ２は、基材１１０と、抵抗体１３０と、配線４０と、電極５０と、を有する。抵抗体１３０、および配線４０は、基材１１０の表面１１０ａ上に形成される。

【0084】

なお、基材１１０は、基材１０と大きさが異なる以外は同一の構成となることから、基材１１０についての説明は基材１０の説明を参照することとして、ここでは説明を省略する。また、配線４０および電極５０については、第１実施形態における説明を参照することとして、ここでは説明を省略する。

【0085】

抵抗体１３０は、第１受感部１３１と、第２受感部１３２と、接合部１３３と、を備える。第１受感部１３１は、複数の細長状部３１が長手方向を同一方向（Ｙ軸方向）に向けて所定間隔で配置され、隣接する細長状部３１の端部が互い違いに連結されて、全体としてジグザグに折り返す構造を有する。第１受感部１３１の一方の端部１３１ｅ１は、配線４０を介して、電極５０と電気的に接続されている。また、この端部１３１ｅ１は、接続部４０ａにおいて、配線４０と接続している。図示の通り、接続部４０ａは配線４０の終端部４０ｅから離隔している。第１受感部１３１における他方の端部１３１ｅ２は、接合部１３３と電気的に接続されている。

【0086】

第２受感部１３２も、第１受感部と同様の構成を有している。すなわち、第２受感部１３２は、複数の細長状部３１が長手方向を同一方向（Ｙ軸方向）に向けて所定間隔で配置され、隣接する細長状部３１の端部が互い違いに連結されて、全体としてジグザグに折り返す構造を有する。第２受感部１３２の一方の端部１３２ｅ１は、配線４０を介して、電極５０と電気的に接続されている。また、この端部１３２ｅ１は、接続部４０ａにおいて配線４０と接続しており、その接続部４０ａは配線４０の終端部４０ｅから離隔している。第２受感部１３２における他方の端部１３２ｅ２は、接合部１３３と電気的に接続されている。

【0087】

接合部１３３は、第１受感部１３１と第２受感部１３２との間に配置される。接合部１３３は、配線４０と同一材料からなる部材である。接合部１３３は、配線４０と同様の方法で基材１１０上に形成されてよい。また、接合部１３３の形状および大きさは特に限定されない。

【0088】

接合部１３３は、終端部１３３ｅおよび終端部１３３ｆのそれぞれから離隔した位置において、第１受感部１３１の端部および／または第２受感部１３２の端部（すなわち、端部１３１ｅ２および／または端部１３２ｅ２）と接続してもよい。

【0089】

なお、上記の例では、ひずみゲージ２は、２つの受感部を備えていた。しかしながら、受感部の数は２に限らず３以上の複数の受感部を備えていてもよい。この場合、抵抗体は全体として３以上の受感部を直列に接続しており、当該３以上の受感部それぞれの間には、接合部が設けられる。

【0090】

第２実施形態に係るひずみゲージ２は、第１実施形態に係るひずみゲージ１と同様、抵抗体１３０が終端部４０ｅから離隔した位置で配線４０と接続している。したがって、ひずみゲージ２もひずみゲージ１と同様の理由から断線が起きにくいひずみゲージであるといえる。さらに、ひずみゲージ２は、抵抗体１３０のうち、受感部（第１受感部１３１および／または第２受感部１３２）が、接合部１３３の終端部１３３ｅおよび終端部１３３ｆから離隔した位置で接合部１３３と接続している。したがって、ひずみゲージ２によれば、接合部１３３の近傍（例えば、接合部１３３の終端部の角部分など）でも断線が起きにくいひずみゲージを実現することができる。

【0091】

＜第３実施形態＞
第３実施形態では、抵抗体３０の周辺に第３金属層を配置する例を示す。なお、第３実施形態において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

【0092】

図７は、第３実施形態に係るひずみゲージ３を例示する平面図である。図７を参照すると、ひずみゲージ３は、抵抗体３０の周辺に、抵抗体３０、配線４０、および電極５０と離隔して配置された第３金属層９０を有する点が、ひずみゲージ１と相違する。

【0093】

第３金属層９０は、抵抗体３０と同一材料で形成されている。第３金属層９０は、抵抗体３０や第１金属層４１等と同一工程で形成できる。第３金属層９０は、抵抗体３０の周辺の余剰スペースに、できるだけ大面積となるように配置することが好ましい。第３金属層９０上に、第２金属層４２等と同一材料からなる金属層を積層してもよい。

【0094】

このように、抵抗体３０の周辺に第３金属層９０を配置することで、ひずみゲージ３の剛性を、ひずみゲージ１よりもさらに高くできる。ひずみゲージ３の剛性を高めることにより、ひずみゲージ３の断線を抑制できる。

【0095】

第３実施形態に係るひずみゲージによれば、配線端部および抵抗体周辺（例えば、接合部１３３の近傍）に応力が集中した場合でも、ひずみゲージの断線が起こりにくくすることができる。また、第３実施形態に係るひずみゲージによれば、第３金属層を備えることにより、ひずみゲージの剛性を高めることにより、ひずみゲージ３の断線を抑制できる。

【0096】

＜第４実施形態＞
第４実施形態では、ひずみゲージを複数個含んだひずみセンサの例について説明する。第４実施形態に係るひずみセンサでは、複数のひずみゲージは、各自の電極の少なくとも一方、および、各自の配線の少なくとも一方を共有して接続されることでブリッジ回路を形成している。

【0097】

図８は、第４実施形態に係るひずみセンサ４を例示する平面図である。図８を参照すると、ひずみセンサ４は、基材２１０と、抵抗体２３０Ａ、抵抗体２３０Ｂ、抵抗体２３０Ｃおよび抵抗体２３０Ｄと、配線２４０Ａ、配線２４０Ｂ、配線２４０Ｃおよび配線２４０Ｄと、を備える。抵抗体２３０Ａ、抵抗体２３０Ｂ、抵抗体２３０Ｃ、抵抗体２３０Ｄ、配線２４０Ａ、配線２４０Ｂ、配線２４０Ｃおよび配線２４０Ｄは、基材２１０の表面２１０ａ上に形成される。

【0098】

配線２４０Ａおよび配線２４０Ｃのそれぞれは、Ｙ軸方向に沿って延びている。言い換えると、配線２４０Ａおよび配線２４０Ｃのそれぞれは、Ｙ軸方向に長手方向を有する。配線２４０Ｂおよび配線２４０Ｄのそれぞれは、Ｘ軸方向に沿って延びている。言い換えると、配線２４０Ｂおよび配線２４０Ｄのそれぞれは、Ｘ軸方向に長手方向を有する。

【0099】

なお、図８の例では、ひずみセンサ４が有する電極について明示的に記載していないが、同図の例では配線の一部がひずみセンサ４の電極として作用する。

【0100】

抵抗体２３０Ａ、抵抗体２３０Ｂ、抵抗体２３０Ｃおよび抵抗体２３０Ｄのそれぞれは、第１実施形態に係る抵抗体３０と同様の材料で同様に形成されてよい。同様に、配線２４０Ａ、配線２４０Ｂ、配線２４０Ｃおよび配線２４０Ｄは、第１実施形態に係る配線４０等と同様の材料で同様に形成されてよい。

【0101】

抵抗体２３０Ａは、配線２４０Ａと配線２４０Ｂに接続する。抵抗体２３０Ｂは、配線２４０Ｂと配線２４０Ｃに接続する。抵抗体２３０Ｃは、配線２４０Ｃと配線２４０Ｄに接続する。抵抗体２３０Ｄは、配線２４０Ｄと配線２４０Ａに接続する。

【0102】

配線２４０Ａは、第１金属層２４１Ａと、第１金属層２４１Ａの上面に積層された第２金属層２４２Ａとを有する。配線２４０Ｂは、第１金属層２４１Ｂと、第１金属層２４１Ｂの上面に積層された第２金属層２４２Ｂとを有する。配線２４０Ｃは、第１金属層２４１Ｃと、第１金属層２４１ｃの上面に積層された第２金属層２４２Ｃとを有する。配線２４０Ｄは、第１金属層２４１Ｄと、第１金属層２４１Ｄの上面に積層された第２金属層２４２Ｄとを有する。

【0103】

第１金属層２４１Ａ、第１金属層２４１Ｂ、第１金属層２４１Ｃ、および第１金属層２４１Ｄは、第１金属層４１と同様の材料で同様に形成されてよい。また、第２金属層２４２Ａ、第２金属層２４２Ｂ、第２金属層２４２Ｃ、および第２金属層２４２Ｄは、第２金属層４２と同様の材料で同様に形成されてよい。

【0104】

配線２４０Ｂ、配線２４０Ｃおよび配線２４０Ｄのそれぞれは、方向は異なるものの、形状および抵抗体との接続関係については配線２４０Ａと同様である。したがって、以下では配線２４０Ａを用いて、第４実施形態に係る各配線と、抵抗体との接続について説明する。

【0105】

配線２４０Ａは、平面視で略Ｌ字状の形状を有する。配線２４０Ａは、端部２４０Ａｅから順に、側部２４０Ａｉと、端部２４０Ａｊと、側部２４０Ａｈと、端部２４０Ａｆと、側部２４０Ａｇと、を有する。

【0106】

抵抗体２３０Ａは、端部２４０Ａｅに接続される。抵抗体２３０Ａが接続される位置は、端部２４０Ａｅにおける側部２４０Ａｇおよび側部２４０Ａｉのそれぞれから離隔した位置である。また、抵抗体２３０Ｄは、側部２４０Ａｈに接続される。抵抗体２３０Ｄが接続される位置は、側部２４０Ａｈにおける端部２４０Ａｊおよび端部２４０Ａｆのそれぞれから離隔した位置である。

【0107】

また、例えば、端部２４０Ａｊ付近に電極を設けた場合、抵抗体２３０Ｄが接続される位置は、側部２４０Ａｈにおける端部２４０Ａｅ（終端部）から離隔した位置である。言い換えると、配線２４０Ａにより、複数のひずみゲージにおける、各自の電極の少なくとも一方、および、各自の配線および第２配線の少なくとも一方を共有して電極と、配線および配線の少なくとも一方を共有する構成の一例となる。

【0108】

第４実施形態に係るひずみゲージによれば、断線の発生を抑制できる。第４実施形態に係るひずみセンサによれば、配線端部に応力が集中した場合でも、ひずみゲージに断線が起こりにくくすることができる。

【0109】

なお、今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0110】

１、２、３ ひずみゲージ、４ ひずみセンサ、１０、１１０、２１０ 基材、３０、１３０ 抵抗体、４０ 配線、４０ａ 接続部、４０ｅ 終端部、４１ 第１金属層、４２ 第２金属層、５０ 電極、５１ 第１金属層、５２ 第２金属層、９０ 第３金属層、１３１ 第１受感部、１３２ 第２受感部、１３３ 接合部、２３０Ａ、２３０Ｂ、２３０Ｃ、２３０Ｄ 抵抗体、２４０Ａ、２４０Ｂ、２４０Ｃ、２４０Ｄ 配線

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】