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特開2024-12144カルバゾール骨格を有するカルボン酸イオンを配位子とする金属有機構造体
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024012144
(43)【公開日】2024-01-25
(54)【発明の名称】カルバゾール骨格を有するカルボン酸イオンを配位子とする金属有機構造体
(51)【国際特許分類】
C07D 209/88 20060101AFI20240118BHJP
C07D 401/14 20060101ALI20240118BHJP
B01J 20/22 20060101ALI20240118BHJP
B01D 53/04 20060101ALI20240118BHJP
【ＦＩ】
C07D209/88 CSP
C07D401/14
B01J20/22 A
B01D53/04
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023113443
(22)【出願日】2023-07-11
(31)【優先権主張番号】P 2022112385
(32)【優先日】2022-07-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第２項適用申請有り （１）令和４年９月１５日に「第３２回基礎有機化学討論会」のウェブサイトにて公開 （２）令和４年９月２２日に「第３２回基礎有機化学討論会」の口頭発表にて発表 （３）令和５年２月１９日に「Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ａ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ」誌のウェブサイトにて公開
(71)【出願人】
【識別番号】300071579
【氏名又は名称】学校法人立教学院
(71)【出願人】
【識別番号】000004307
【氏名又は名称】日本曹達株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107984
【弁理士】
【氏名又は名称】廣田 雅紀
(74)【代理人】
【識別番号】100182305
【弁理士】
【氏名又は名称】廣田 鉄平
(74)【代理人】
【識別番号】100096482
【弁理士】
【氏名又は名称】東海 裕作
(74)【代理人】
【識別番号】100131093
【弁理士】
【氏名又は名称】堀内 真
(74)【代理人】
【識別番号】100150902
【弁理士】
【氏名又は名称】山内 正子
(74)【代理人】
【識別番号】100141391
【弁理士】
【氏名又は名称】園元 修一
(74)【代理人】
【識別番号】100221958
【弁理士】
【氏名又は名称】篠田 真希恵
(74)【代理人】
【識別番号】100192441
【弁理士】
【氏名又は名称】渡辺 仁
(72)【発明者】
【氏名】箕浦 真生
(72)【発明者】
【氏名】菅又 功
【テーマコード（参考）】
4C063
4D012
4G066
【Ｆターム（参考）】
4C063AA03
4C063BB02
4C063CC12
4C063DD08
4C063EE10
4D012BA01
4D012CA03
4D012CA20
4D012CB05
4D012CG01
4D012CG02
4G066AB07B
4G066AB10B
4G066AB11B
4G066AB13B
4G066AB24B
4G066AC11B
4G066BA26
4G066BA31
4G066BA36
4G066CA35
4G066CA38
4G066DA01
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ガス貯蔵機能を有する金属有機構造体並びにガス貯蔵剤及び貯蔵方法の提供。
【解決手段】例えば、式（２）で表されるカルボン酸イオンと多価金属イオンとが結合してなる金属有機構造体。
（Ｘａ：ＯＨなど。Ｘｂ：Ｈ、ＯＨなど。Ａ：Ｎなど。ｎ１～ｎ４：０～３。）
【選択図】なし
【解決手段】例えば、式（２）で表されるカルボン酸イオンと多価金属イオンとが結合してなる金属有機構造体。
（Ｘａ：ＯＨなど。Ｘｂ：Ｈ、ＯＨなど。Ａ：Ｎなど。ｎ１～ｎ４：０～３。）
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
式（１）で表されるカルボン酸イオンと多価金属イオンとが結合してなる金属有機構造体。
（式（１）中、
Ｘａは、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
ｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、それぞれ独立に、０～３のいずれかの整数である。
Ｘａが２以上のとき、各Ｘａは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘｂは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
Ｘｃ１は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
Ｘｃ２は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
ここで、Ｘｃ１とＸｃ１は、一緒になって単結合を形成してよい。
ここで、Ｘｃ２とＸｃ２は一緒になって単結合を形成してよい。
Ａは、窒素原子又はＣＸｄで表される基である。
Ｘｄは、水素原子、置換若しくは無置換のＣ１～６アルキル基、水酸基、置換若しくは無置換のＣ１～６アルコキシ基、置換若しくは無置換のＣ３～６シクロアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換の５～６員ヘテロアリール基、カルボキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ハロゲノ基、ニトロ基、又はシアノ基である。）
【化1】
Ｘａは、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
ｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、それぞれ独立に、０～３のいずれかの整数である。
Ｘａが２以上のとき、各Ｘａは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘｂは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
Ｘｃ１は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
Ｘｃ２は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
ここで、Ｘｃ１とＸｃ１は、一緒になって単結合を形成してよい。
ここで、Ｘｃ２とＸｃ２は一緒になって単結合を形成してよい。
Ａは、窒素原子又はＣＸｄで表される基である。
Ｘｄは、水素原子、置換若しくは無置換のＣ１～６アルキル基、水酸基、置換若しくは無置換のＣ１～６アルコキシ基、置換若しくは無置換のＣ３～６シクロアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換の５～６員ヘテロアリール基、カルボキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ハロゲノ基、ニトロ基、又はシアノ基である。）
【請求項2】
式（１）で表されるカルボン酸イオンが、式（２）で表されるカルボン酸イオンである請求項１に記載の金属有機構造体。
（式（２）中、
Ｘａは、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
ｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、それぞれ独立に、０～３のいずれかの整数である。
Ｘａが２以上のとき、各Ｘａは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘｂは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
Ａは、窒素原子又はＣＸｄで表される基である。
Ｘｄは、水素原子、置換若しくは無置換のＣ１～６アルキル基、水酸基、置換若しくは無置換のＣ１～６アルコキシ基、置換若しくは無置換のＣ３～６シクロアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換の５～６員ヘテロアリール基、カルボキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ハロゲノ基、ニトロ基、又はシアノ基である。）
【化2】
Ｘａは、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
ｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、それぞれ独立に、０～３のいずれかの整数である。
Ｘａが２以上のとき、各Ｘａは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘｂは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
Ａは、窒素原子又はＣＸｄで表される基である。
Ｘｄは、水素原子、置換若しくは無置換のＣ１～６アルキル基、水酸基、置換若しくは無置換のＣ１～６アルコキシ基、置換若しくは無置換のＣ３～６シクロアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換の５～６員ヘテロアリール基、カルボキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ハロゲノ基、ニトロ基、又はシアノ基である。）
【請求項3】
多価金属イオンが、元素の周期表の第２族～第１３族の金属からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属イオンである請求項１又は２に記載の金属有機構造体。
【請求項4】
補助配位子を構成成分として更に含む請求項１～３のいずれかに記載の金属有機構造体。
【請求項5】
請求項１～４のいずれかに記載の金属有機構造体を含むガス貯蔵剤。
【請求項6】
請求項１～４のいずれかに記載の金属有機構造体にガスを接触させる工程を含むガスの貯蔵方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、カルボン酸イオンと多価金属イオンが結合してなる金属有機構造体、前記金属有機構造体を含むガス貯蔵剤、及び前記金属有機構造体にガスを接触させる工程を含むガスの貯蔵方法に関する。
【背景技術】
【0002】
金属有機構造体（以下「ＭＯＦ」ということがある。）は、金属イオンとそれらを連結する架橋性の有機配位子を組み合わせることで内部に空間（つまり細孔）を持つ高分子構造を有する固体状の物質であり、ガスの貯蔵や分離などの機能をもつ多孔性材料として、この十数年高い興味が持たれてきた。例えば、ベンゼン環の１、４位にカルバゾールジカルボン酸が結合した下記式で示される化合物と銅（II）とで得られる金属有機構造体が水素の吸着能を有することが報告されている（非特許文献１参照）。
【0003】
【化1】
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0004】
【非特許文献1】Dalton Transactions,2013,Vol42,pp1708-1714
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、ガス貯蔵機能を有する新規な金属有機構造体並びにそれを用いたガス貯蔵剤及びガス貯蔵方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、ベンゼン環の１、３位にカルボキシル基を有するカルバゾール又はジフェニルアミンが結合したカルボン酸を有機配位子として得られる新規な金属有機構造体を見いだした。また、それらの新規な金属有機構造体には、高い水素、二酸化炭素等の貯蔵能力があることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【0007】
すなわち、本発明は以下に示す事項により特定されるものである。
［１］式（１）で表されるカルボン酸イオンと多価金属イオンとが結合してなる金属有機構造体。
［１］式（１）で表されるカルボン酸イオンと多価金属イオンとが結合してなる金属有機構造体。
【0008】
【化2】
Ｘａは、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
ｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、それぞれ独立に、０～３のいずれかの整数である。
Ｘａが２以上のとき、各Ｘａは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘｂは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
Ｘｃ１は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
Ｘｃ２は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
ここで、Ｘｃ１とＸｃ１は、一緒になって単結合を形成してよい。
ここで、Ｘｃ２とＸｃ２は一緒になって単結合を形成してよい。
Ａは、窒素原子又はＣＸｄで表される基である。
Ｘｄは、水素原子、置換若しくは無置換のＣ１～６アルキル基、水酸基、置換若しくは無置換のＣ１～６アルコキシ基、置換若しくは無置換のＣ３～６シクロアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換の５～６員ヘテロアリール基、カルボキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ハロゲノ基、ニトロ基、又はシアノ基である。）
【0009】
［２］式（１）で表されるカルボン酸イオンが、式（２）で表されるカルボン酸イオンである上記［１］の金属有機構造体。
【0010】
【化3】
Ｘａは、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
ｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、それぞれ独立に、０～３のいずれかの整数である。
Ｘａが２以上のとき、各Ｘａは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘｂは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。
Ａは、窒素原子又はＣＸｄで表される基である。
Ｘｄは、水素原子、置換若しくは無置換のＣ１～６アルキル基、水酸基、置換若しくは無置換のＣ１～６アルコキシ基、置換若しくは無置換のＣ３～６シクロアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換の５～６員ヘテロアリール基、カルボキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ハロゲノ基、ニトロ基、又はシアノ基である。）
【0011】
［３］多価金属イオンが、元素の周期表の第２族～第１３族の金属からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属イオンである上記［１］又は［２］の金属有機構造体。
［４］補助配位子を構成成分として更に含む上記［１］～［３］のいずれかに記載の金属有機構造体。
［５］上記［１］～［４］のいずれかに記載の金属有機構造体を含むガス貯蔵剤。
［６］上記［１］～［４］のいずれかに記載の金属有機構造体にガスを接触させる工程を含むガスの貯蔵方法。
［４］補助配位子を構成成分として更に含む上記［１］～［３］のいずれかに記載の金属有機構造体。
［５］上記［１］～［４］のいずれかに記載の金属有機構造体を含むガス貯蔵剤。
［６］上記［１］～［４］のいずれかに記載の金属有機構造体にガスを接触させる工程を含むガスの貯蔵方法。
【発明の効果】
【0012】
本発明の金属有機構造体は新規であり、水素、二酸化炭素、窒素等のガスを貯蔵することができる。
【発明を実施するための形態】
【0013】
本発明の金属有機構造体は、式（１）で表されるカルボン酸イオンと多価金属イオンとが結合してなる金属有機構造体である。
【0014】
【化4】
【0015】
式（１）中、Ｘａは、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。ｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、それぞれ独立に、０～３のいずれかの整数である。Ｘａが２以上のとき、各Ｘａは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｘｂは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。Ｘｃ１は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。Ｘｃ２は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。ここで、Ｘｃ１とＸｃ１は、一緒になって単結合を形成してよい。ここで、Ｘｃ２とＸｃ２は一緒になって単結合を形成してよい。Ａは、窒素原子又はＣＸｄで表される基である。Ｘｄは、水素原子、置換若しくは無置換のＣ１～６アルキル基、水酸基、置換若しくは無置換のＣ１～６アルコキシ基、置換若しくは無置換のＣ３～６シクロアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換の５～６員ヘテロアリール基、カルボキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ハロゲノ基、ニトロ基、又はシアノ基である。
【0016】
ＸａのＣ１～６アルキル基としては、直鎖でも、分岐鎖であってもよく、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｉ－プロピル基、ｉ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｉ－ペンチル基、ネオペンチル基、２－メチル－ｎ－ブチル基、ｉ－ヘキシル基等を挙げることができる。ＸａのＣ１～６アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｓ－ブトキシ基、ｉ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基等を挙げることができる。Ｘａのハロゲノ基としては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、イオド基等を挙げることができる。
【0017】
ＸｂのＣ１～６アルキル基としては、直鎖でも、分岐鎖であってもよく、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｉ－プロピル基、ｉ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｉ－ペンチル基、ネオペンチル基、２－メチル－ｎ－ブチル基、ｉ－ヘキシル基等を挙げることができる。ＸｂのＣ１～６アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｓ－ブトキシ基、ｉ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基等を挙げることができる。Ｘｂのハロゲノ基としては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、イオド基等を挙げることができる。
【0018】
Ｘｃ１及びＸｃ２のＣ１～６アルキル基としては、直鎖でも、分岐鎖であってもよく、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｉ－プロピル基、ｉ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｉ－ペンチル基、ネオペンチル基、２－メチル－ｎ－ブチル基、ｉ－ヘキシル基等を挙げることができる。Ｘｃ１及びＸｃ２のＣ１～６アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｓ－ブトキシ基、ｉ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基等を挙げることができる。Ｘｃ１及びＸｃ２のハロゲノ基としては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、イオド基等を挙げることができる。
【0019】
ＸｄのＣ１～６アルキル基としては、直鎖でも、分岐鎖であってもよく、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｉ－プロピル基、ｉ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｉ－ペンチル基、ネオペンチル基、２－メチル－ｎ－ブチル基、ｉ－ヘキシル基等を挙げることができる。ＸｄのＣ１～６アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｓ－ブトキシ基、ｉ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基等を挙げることができる。ＸｄのＣ３～６シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。Ｘｄの５～６員ヘテロアリール基としては、ピロリル基、フリル基、チエニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、トリアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、テトラゾリル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基等を挙げることができる。
【0020】
本発明において、用語「無置換（unsubstituted）」は、母核となる基のみであることを意味する。母核となる基の名称のみで記載しているときは、別段の断りがない限り「無置換」の意味である。一方、用語「置換(substituted)」は、母核となる基のいずれかの水素原子が、母核と同一又は異なる構造の基で置換されていることを意味する。従って、「置換基」は、母核となる基に結合した他の基である。置換基は１個であってもよいし、２個以上であってもよい。２個以上の置換基は同一であってもよいし、異なるものであってもよい。
【0021】
「置換基」は化学的に許容され、本発明の効果を有する限りにおいて特に制限されない。「置換基」となり得る基の具体例としては、以下の基を挙げることができる。
フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、イオド基などのハロゲノ基；
メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基などのＣ１～６アルキル基；
ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、１－メチル－２－プロペニル基、２－メチル－２－プロペニル基、１－ペンテニル基、２－ペンテニル基、３－ペンテニル基、４－ペンテニル基、１－メチル－２－ブテニル基、２－メチル－２－ブテニル基、１－ヘキセニル基、２－ヘキセニル基、３－ヘキセニル基、４－ヘキセニル基、５－ヘキセニル基などのＣ２～６アルケニル基；
フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、イオド基などのハロゲノ基；
メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基などのＣ１～６アルキル基；
ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、１－メチル－２－プロペニル基、２－メチル－２－プロペニル基、１－ペンテニル基、２－ペンテニル基、３－ペンテニル基、４－ペンテニル基、１－メチル－２－ブテニル基、２－メチル－２－ブテニル基、１－ヘキセニル基、２－ヘキセニル基、３－ヘキセニル基、４－ヘキセニル基、５－ヘキセニル基などのＣ２～６アルケニル基；
【0022】
エチニル基、１－プロピニル基、２－プロピニル基、１－ブチニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、１－メチル－２－プロピニル基、２－メチル－３－ブチニル基、１－ペンチニル基、２－ペンチニル基、３－ペンチニル基、４－ペンチニル基、１－メチル－２－ブチニル基、２－メチル－３－ペンチニル基、１－ヘキシニル基、１，１－ジメチル－２－ブチニル基などのＣ２～６アルキニル基；
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、キュバニル基などのＣ３～８シクロアルキル基；
２－シクロプロペニル基、２－シクロペンテニル基、３－シクロヘキセニル基、４－シクロオクテニル基などのＣ３～８シクロアルケニル基；
フェニル基、ナフチル基などのＣ６～１０アリール基；
ピロリル基、フリル基、チエニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、トリアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、テトラゾリル基などの５員環のヘテロアリール基；
ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基などの６員環のヘテロアリール基；
インドリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基などの縮合環のヘテロアリール基；
オキシラニル基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基などの環状エーテル基；
アジリジニル基、ピロリジニル基、ピペリジル基、ピペラジニル基、モルホリニル基などの環状アミノ基；
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、キュバニル基などのＣ３～８シクロアルキル基；
２－シクロプロペニル基、２－シクロペンテニル基、３－シクロヘキセニル基、４－シクロオクテニル基などのＣ３～８シクロアルケニル基；
フェニル基、ナフチル基などのＣ６～１０アリール基；
ピロリル基、フリル基、チエニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、トリアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、テトラゾリル基などの５員環のヘテロアリール基；
ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基などの６員環のヘテロアリール基；
インドリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基などの縮合環のヘテロアリール基；
オキシラニル基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基などの環状エーテル基；
アジリジニル基、ピロリジニル基、ピペリジル基、ピペラジニル基、モルホリニル基などの環状アミノ基；
【0023】
水酸基；
オキソ基；
メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｓ－ブトキシ基、ｉ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基などのＣ１～６アルコキシ基；
ビニルオキシ基、アリルオキシ基、プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基などのＣ２～６アルケニルオキシ基；
エチニルオキシ基、プロパルギルオキシ基などのＣ２～６アルキニルオキシ基；
フェノキシ基、ナフトキシ基などのＣ６～１０アリールオキシ基；
チアゾリルオキシ基、ピリジルオキシ基などの５～６員環のヘテロアリールオキシ基；
オキソ基；
メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｓ－ブトキシ基、ｉ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基などのＣ１～６アルコキシ基；
ビニルオキシ基、アリルオキシ基、プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基などのＣ２～６アルケニルオキシ基；
エチニルオキシ基、プロパルギルオキシ基などのＣ２～６アルキニルオキシ基；
フェノキシ基、ナフトキシ基などのＣ６～１０アリールオキシ基；
チアゾリルオキシ基、ピリジルオキシ基などの５～６員環のヘテロアリールオキシ基；
【0024】
カルボキシル基；
ホルミル基；
アセチル基、プロピオニル基、イソブチリル基などのＣ１～６アルキルカルボニル基；
ホルミルオキシ基；
アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基などのＣ１～６アルキルカルボニルオキシ基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ－プロポキシカルボニル基、ｉ－プロポキシカルボニル基、ｎ－ブトキシカルボニル基、ｔ－ブトキシカルボニル基などのＣ１～６アルコキシカルボニル基；
ホルミル基；
アセチル基、プロピオニル基、イソブチリル基などのＣ１～６アルキルカルボニル基；
ホルミルオキシ基；
アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基などのＣ１～６アルキルカルボニルオキシ基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ－プロポキシカルボニル基、ｉ－プロポキシカルボニル基、ｎ－ブトキシカルボニル基、ｔ－ブトキシカルボニル基などのＣ１～６アルコキシカルボニル基；
【0025】
クロロメチル基、クロロエチル基、トリフルオロメチル基、１，２－ジクロロ－ｎ－プロピル基、１－フルオロ－ｎ－ブチル基、パーフルオロ－ｎ－ペンチル基などのＣ１～６ハロアルキル基；
２－クロロ－１－プロペニル基、２－フルオロ－１－ブテニル基などのＣ２～６ハロアルケニル基；
４，４－ジクロロ－１－ブチニル基、４－フルオロ－１－ペンチニル基、５－ブロモ－２－ペンチニル基などのＣ２～６ハロアルキニル基；
３，３－ジフルオロシクロブチル基などのＣ３～６ハロシクロアルキル基；
２－クロロ－ｎ－プロポキシ基、２，３－ジクロロブトキシ基、トリフルオロメトキシ基、２，２，２－トリフルオロエトキシ基などのＣ１～６ハロアルコキシ基；
２－クロロプロペニルオキシ基、３－ブロモブテニルオキシ基などのＣ２～６ハロアルケニルオキシ基；
クロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、トリクロロアセチル基などのＣ１～６ハロアルキルカルボニル基；
２－クロロ－１－プロペニル基、２－フルオロ－１－ブテニル基などのＣ２～６ハロアルケニル基；
４，４－ジクロロ－１－ブチニル基、４－フルオロ－１－ペンチニル基、５－ブロモ－２－ペンチニル基などのＣ２～６ハロアルキニル基；
３，３－ジフルオロシクロブチル基などのＣ３～６ハロシクロアルキル基；
２－クロロ－ｎ－プロポキシ基、２，３－ジクロロブトキシ基、トリフルオロメトキシ基、２，２，２－トリフルオロエトキシ基などのＣ１～６ハロアルコキシ基；
２－クロロプロペニルオキシ基、３－ブロモブテニルオキシ基などのＣ２～６ハロアルケニルオキシ基；
クロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、トリクロロアセチル基などのＣ１～６ハロアルキルカルボニル基；
【0026】
シアノ基；
ニトロ基；
アミノ基；
メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基などのＣ１～６アルキルアミノ基；
アニリノ基、ナフチルアミノ基などのＣ６～１０アリールアミノ基；
ホルミルアミノ基；
アセチルアミノ基、プロパノイルアミノ基、ブチリルアミノ基、ｉ－プロピルカルボニルアミノ基などのＣ１～６アルキルカルボニルアミノ基；
メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｎ－プロポキシカルボニルアミノ基、ｉ－プロポキシカルボニルアミノ基、t-ブトキシカルボニルアミノ基などのＣ１～６アルコキシカルボニルアミノ基；
Ｓ，Ｓ－ジメチルスルホキシイミノ基などのＣ１～６アルキルスルホキシイミノ基；
ニトロ基；
アミノ基；
メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基などのＣ１～６アルキルアミノ基；
アニリノ基、ナフチルアミノ基などのＣ６～１０アリールアミノ基；
ホルミルアミノ基；
アセチルアミノ基、プロパノイルアミノ基、ブチリルアミノ基、ｉ－プロピルカルボニルアミノ基などのＣ１～６アルキルカルボニルアミノ基；
メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｎ－プロポキシカルボニルアミノ基、ｉ－プロポキシカルボニルアミノ基、t-ブトキシカルボニルアミノ基などのＣ１～６アルコキシカルボニルアミノ基；
Ｓ，Ｓ－ジメチルスルホキシイミノ基などのＣ１～６アルキルスルホキシイミノ基；
【0027】
アミノカルボニル基；
メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、ｉ－プロピルアミノカルボニル基、などのＣ１～６アルキルアミノカルボニル基；
イミノメチル基、１－イミノエチル基、１－イミノ－ｎ－プロピル基などのイミノＣ１～６アルキル基；
ヒドロキシイミノメチル基、１－（ヒドロキシイミノ）エチル基、１－（ヒドロキシイミノ）－ｎ－プロピル基などのヒドロキシイミノＣ１～６アルキル基；
メトキシイミノメチル基、１－（メトキシイミノ）エチル基などのＣ１～６アルコキシイミノＣ１～６アルキル基；
メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、ｉ－プロピルアミノカルボニル基、などのＣ１～６アルキルアミノカルボニル基；
イミノメチル基、１－イミノエチル基、１－イミノ－ｎ－プロピル基などのイミノＣ１～６アルキル基；
ヒドロキシイミノメチル基、１－（ヒドロキシイミノ）エチル基、１－（ヒドロキシイミノ）－ｎ－プロピル基などのヒドロキシイミノＣ１～６アルキル基；
メトキシイミノメチル基、１－（メトキシイミノ）エチル基などのＣ１～６アルコキシイミノＣ１～６アルキル基；
【0028】
メルカプト基；
メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ－プロピルチオ基、ｉ－プロピルチオ基、ｎ－ブチルチオ基、ｉ－ブチルチオ基、ｓ－ブチルチオ基、ｔ－ブチルチオ基などのＣ１～６アルキルチオ基；
トリフルオロメチルチオ基、２，２，２－トリフルオロエチルチオ基などのＣ１～６ハロアルキルチオ基；
ビニルチオ基、アリルチオ基などのＣ２～６アルケニルチオ基；
エチニルチオ基、プロパルギルチオ基などのＣ２～６アルキニルチオ基；
メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ｔ－ブチルスルフィニル基などのＣ１～６アルキルスルフィニル基；
トリフルオロメチルスルフィニル基、２，２，２－トリフルオロエチルスルフィニル基などのＣ１～６ハロアルキルスルフィニル基；
アリルスルフィニル基などのＣ２～６アルケニルスルフィニル基；
プロパルギルスルフィニル基などのＣ２～６アルキニルスルフィニル基；
メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｔ－ブチルスルホニル基などのＣ１～６アルキルスルホニル基；
トリフルオロメチルスルホニル基、２，２，２－トリフルオロエチルスルホニル基などのＣ１～６ハロアルキルスルホニル基；
アリルスルホニル基などのＣ２～６アルケニルスルホニル基；
プロパルギルスルホニル基などのＣ２～６アルキニルスルホニル基；
アミノチオカルボニル基；
メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ－プロピルチオ基、ｉ－プロピルチオ基、ｎ－ブチルチオ基、ｉ－ブチルチオ基、ｓ－ブチルチオ基、ｔ－ブチルチオ基などのＣ１～６アルキルチオ基；
トリフルオロメチルチオ基、２，２，２－トリフルオロエチルチオ基などのＣ１～６ハロアルキルチオ基；
ビニルチオ基、アリルチオ基などのＣ２～６アルケニルチオ基；
エチニルチオ基、プロパルギルチオ基などのＣ２～６アルキニルチオ基；
メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ｔ－ブチルスルフィニル基などのＣ１～６アルキルスルフィニル基；
トリフルオロメチルスルフィニル基、２，２，２－トリフルオロエチルスルフィニル基などのＣ１～６ハロアルキルスルフィニル基；
アリルスルフィニル基などのＣ２～６アルケニルスルフィニル基；
プロパルギルスルフィニル基などのＣ２～６アルキニルスルフィニル基；
メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｔ－ブチルスルホニル基などのＣ１～６アルキルスルホニル基；
トリフルオロメチルスルホニル基、２，２，２－トリフルオロエチルスルホニル基などのＣ１～６ハロアルキルスルホニル基；
アリルスルホニル基などのＣ２～６アルケニルスルホニル基；
プロパルギルスルホニル基などのＣ２～６アルキニルスルホニル基；
アミノチオカルボニル基；
【0029】
トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ－ブチルジメチルシリル基などのトリＣ１～６アルキルシリル基；
トリフェニルシリル基などのトリＣ６～１０アリールシリル基
トリフェニルシリル基などのトリＣ６～１０アリールシリル基
【0030】
これらの「置換基」は、当該置換基中のいずれかの水素原子が、異なる構造の基で置換されていてもよい。
【0031】
「Ｃ１～６」などの用語は、母核となる基の炭素原子数が１～６個などであることを表している。この炭素原子数には、置換基の中に在る炭素原子の数を含まない。例えば、エトキシブチル基は、母核となる基がブチル基であり、置換基がエトキシ基であるので、Ｃ２アルコキシＣ４アルキル基に分類する。
【0032】
式（１）で表されるカルボン酸イオンとして具体的には、以下の式に表す化合物等を例示することができる。
【0033】
【化5】
【0034】
本発明の金属有機構造体は、式（２）で表されるカルボン酸イオンと多価金属イオンが結合してなる金属有機構造体であることが好ましい。式（２）で表されるカルボン酸イオンは、式（１）で表されるカルボン酸イオンにおいて、Ｘｃ１とＸｃ１が一緒になって単結合を形成し、Ｘｃ２とＸｃ２が一緒になって単結合を形成しているものである。
【0035】
【化6】
【0036】
式（２）中、Ｘａは、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。ｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、それぞれ独立に、０～３のいずれかの整数である。Ｘａが２以上のとき、各Ｘａは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｘｂは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基又はハロゲノ基である。Ａは、窒素原子又はＣＸｄで表される基である。Ｘｄは、水素原子、置換若しくは無置換のＣ１～６アルキル基、水酸基、置換若しくは無置換のＣ１～６アルコキシ基、置換若しくは無置換のＣ３～６シクロアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換の５～６員ヘテロアリール基、カルボキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ハロゲノ基、ニトロ基、又はシアノ基である。Ｘａ、Ｘｂ及びＡについては、式（１）の場合と同じである。
【0037】
本発明の金属有機構造体における多価金属イオンとしては、２価以上の金属のイオンであれば、特に制限されないが、元素周期表の第２族～第１３族の金属からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属のイオンが好ましく、Ｚｎ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｓｃ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＭｇから選ばれる少なくとも１種の金属のイオンがより好ましい。本発明の金属有機構造体において、式（１）で表されるカルボン酸イオンと結合する多価金属イオンは、１種でもよく２種以上でもよい。
【0038】
これらの多価金属イオンは、種々の塩の形で供給される。金属塩として具体的には、硝酸亜鉛（Ｚｎ（ＮＯ３）２・ｘＨ２Ｏ）、硝酸チタン（Ｔｉ（ＮＯ３）４・ｘＨ２Ｏ）、硝酸コバルト（Ｃｏ（ＮＯ３）２・ｘＨ２Ｏ）、硝酸鉄（III）（Ｆｅ（ＮＯ３）３・ｘＨ２Ｏ）、硝酸鉄（II）（Ｆｅ（ＮＯ３）２・ｘＨ２Ｏ）、硝酸ニッケル（II）（Ｎｉ（ＮＯ３）２・ｘＨ２Ｏ）、硝酸銅（II）（Ｃｕ（ＮＯ３）２・ｘＨ２Ｏ）、硝酸アルミニウム（III）（Ａｌ（ＣＨ３ＣＯＯ）３・ｘＨ２Ｏ）、硝酸マグネシウム（II）（Ｍｇ（ＮＯ３）２・ｘＨ２Ｏ）；塩化亜鉛（ＺｎＣｌ２・ｘＨ２Ｏ）、塩化チタン（ＴｉＣｌ４・ｘＨ２Ｏ）、塩化ジルコニウム（ＺｒＣｌ４・ｘＨ２Ｏ）、塩化コバルト（ＣｏＣｌ２・ｘＨ２Ｏ）、塩化鉄（III）（ＦｅＣｌ３・ｘＨ２Ｏ）、塩化鉄（II）（ＦｅＣｌ２・ｘＨ２Ｏ）、塩化クロム（III）（ＣｒＣｌ３・ｘＨ２Ｏ）、塩化スカンジウム（III）（ＳｃＣｌ３・ｘＨ２Ｏ）、塩化マンガン（II）（ＭｎＣｌ２・ｘＨ２Ｏ）；酢酸亜鉛（Ｚｎ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・ｘＨ２Ｏ）、酢酸チタン（Ｔｉ（ＣＨ３ＣＯＯ）４・ｘＨ２Ｏ）、酢酸ジルコニウム（Ｚｒ（ＣＨ３ＣＯＯ）４・ｘＨ２Ｏ）、酢酸コバルト（Ｃｏ（ＣＨ３ＣＯＯ)２・ｘＨ２Ｏ）、酢酸鉄（III）（Ｆｅ（ＣＨ３ＣＯＯ）３・ｘＨ２Ｏ）、酢酸鉄（II）（Ｆｅ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・ｘＨ２Ｏ）；硫酸亜鉛（ＺｎＳＯ４・ｘＨ２Ｏ）、硫酸チタン（Ｔｉ（ＳＯ４）２・ｘＨ２Ｏ）、硫酸ジルコニウム（Ｚｒ（ＳＯ４）２・ｘＨ２Ｏ）、硫酸コバルト（ＣｏＳＯ４・ｘＨ２Ｏ）、硫酸鉄（III）（Ｆｅ２(ＳＯ４）３・ｘＨ２Ｏ）、硫酸鉄（II）（ＦｅＳＯ４・ｘＨ２Ｏ）、硫酸マグネシウム（II）（ＭｇＳＯ４・ｘＨ２Ｏ）；水酸化亜鉛（Ｚｎ（ＯＨ）２・ｘＨ２Ｏ）、水酸化チタン（Ｔｉ（ＯＨ）４・ｘＨ２Ｏ）、水酸化ジルコニウム（Ｚｒ（ＯＨ）４・ｘＨ２Ｏ）、水酸化コバルト（Ｃｏ（ＯＨ）２・ｘＨ２Ｏ）、水酸化鉄（III）（Ｆｅ（ＯＨ）３・ｘＨ２Ｏ）、水酸化鉄（II）（Ｆｅ（ＯＨ）２・ｘＨ２Ｏ）；臭化亜鉛（ＺｎＢｒ２・ｘＨ２Ｏ）、臭化チタン（ＴｉＢｒ４・ｘＨ２Ｏ）、臭化ジルコニウム（ＺｒＢｒ４・ｘＨ２Ｏ）、臭化コバルト（ＣｏＢｒ２・ｘＨ２Ｏ）、臭化鉄（III）（ＦｅＢｒ３・ｘＨ２Ｏ）、臭化鉄（II）（ＦｅＢｒ２・ｘＨ２Ｏ）；炭酸亜鉛（ＺｎＣＯ３・ｘＨ２Ｏ）、炭酸コバルト（ＣｏＣＯ３・ｘＨ２Ｏ）、炭酸鉄（III）（Ｆｅ２（ＣＯ３）３・ｘＨ２Ｏ）；塩化酸化ジルコニウム（ＺｒＯＣｌ２・ｘＨ２Ｏ）、酢酸モリブデン（II）二量体（（Ｍｏ（ＣＨ３ＣＯＯ）２）２）等が挙げられる。なお、ｘは、０～１２の数である。これらは１種単独で、又は２種以上を混合して用いることができる。
【0039】
本発明の金属有機構造体は、式（１）で表わされるカルボン酸イオン以外の有機配位子を補助配位子として含むことができる。金属有機構造体に補助配位子を含有させることで、金属有機構造体に高次構造を導入することができる。そのような補助配位子としては、テレフタル酸、フタル酸、イソフタル酸、５－シアノイソフタル酸、１，３，５－トリメシン酸、１，３，５－トリス（４－カルボキシフェニル）ベンゼン、４，４’－ジカルボキシビフェニル、３，５－ジカルボキシピリジン、２，３－ジカルボキシピラジン、１，３，５－トリス（４－カルボキシフェニル）ベンゼン、１，２，４，５－テトラキス（４－カルボキシフェニル）ベンゼン、９，１０－アントラセンジカルボン酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸、［１，１’：４’，１”］ターフェニル－３，３”，５，５”－テトラカルボン酸、ビフェニル－３，３”，５，５”－テトラカルボン酸、３，３’，５，５’－テトラカルボキシジフェニルメタン、１，３，５－トリス（４’－カルボキシ［１，１’－ビフェニル］－４－イル）ベンゼン、１，３，５－トリス（４－カルボキシフェニル）トリアジン、１，２－ビス（４－カルボキシ－３－ニトロフェニル）エテン、１，２－ビス（４－カルボキシ－３－アミノフェニル）エテン、trans,trans－ムコン酸、フマール酸、ベンゾイミダゾール、イミダゾール、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）、ピラジン、４，４’－ジピリジル、１，２－ジ（４－ピリジル）エチレン、１，２－ジ（４－ピリジル）エタン、２，７－ジアザピレン、４，４’－アゾビスピリジン、１，５－ナフチリジン、フェナジン、２ビス（３－（４－ピリジル）－２，４－ペンタンジオナト）銅等が挙げられる。式（１）で表されるカルボン酸イオンと補助配位子を用いる場合の混合モル比は特に制限されない。
【0040】
本発明の金属有機構造体の製造方法として、特に制限されず、溶媒拡散法、溶媒撹拌法、水熱法等の溶液法、反応溶液にマイクロ波を照射して系全体を短時間に均一に加熱するマイクロ波法、反応容器に超音波を照射することにより、反応容器中で圧力の変化が繰り返し起こり、この圧力の変化により、溶媒が気泡を形成し崩壊するキャビテーションと呼ばれる現象がおき、その際に約５０００Ｋ、１００００ｂａｒもの高エネルギー場が局所的に形成される結晶の各生成の反応場となる超音波法、溶媒を用いずに、金属イオン発生源と有機配位子を混合する固相合成法、結晶水程度の水を添加して金属イオン発生源と有機配位子を混合するＬＡＧ（liquid assisted grinding）法等のいずれの方法も用いることができる。
【0041】
例えば、金属イオンの発生源となる金属化合物と溶媒とを含有する第一溶液、式（１）で表されるカルボン酸イオン又はその前駆体であるカルボン酸と溶媒とを含有する第二溶液、及び、必要に応じて、補助配位子と溶媒とを含有する第三溶液をそれぞれ調製する工程と、第一溶液と、第二溶液及び第三溶液を混合して反応液を調製し、この反応液を加熱することで、金属有機構造体を得る工程と、を備える。第一～第三溶液は別々に調製する必要はなく、例えば、上記金属化合物、式（１）で表されるカルボン酸イオン又はその前駆体であるカルボン酸、補助配位子となる化合物、溶媒とを１度に混合して１つの溶液を調製してもよい。
【0042】
上記金属化合物と式（１）で表されるカルボン酸イオン又はその前駆体であるカルボン酸との混合モル比は、得られてくる金属有機構造体の細孔サイズ、表面特性に応じて任意に選択することができるが、式（１）で表されるカルボン酸イオン又はその前駆体であるカルボン酸１モルに対して金属化合物を１モル以上用いるのが好ましく、さらに１．５モル以上、さらに２モル以上用いるのが好ましい。また、１０モル以下用いるのが好ましく、７モル以下用いるのが好ましい。
【0043】
反応液中の上記金属イオンの濃度は、１０～２００ミリモル／Ｌの範囲が好ましい。式（１）で表されるカルボン酸イオン又はその前駆体であるカルボン酸の反応液中の濃度は、５～１００ミリモル／Ｌの範囲が好ましい。補助配位子の反応液中の濃度は、５～１００ミリモル／Ｌであるのが好ましい。
【0044】
用いる溶媒としては、特に限定されないが、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（以下「ＤＭＦ」と記載することがある。）、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド（以下「ＤＥＦ」と記載することがある。）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（以下「ＤＭＡ」と記載することがある。）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（以下「ＮＭＰ」と記載することがある。）、ジメチルスルホキシド（以下「ＤＭＳＯ」と記載することがある。）及び水からなる群より選ばれる１種又は２種以上を混合して用いることができる。また、これらの溶媒にメチルアルコール、エチルアルコール等のアルコールを混合して用いてもよい。また、良質な結晶を得るために、これらの溶媒にギ酸、酢酸、水等の添加剤を添加してもよい。
【0045】
反応液の加熱温度は、特に制限されないが、例えば、室温～１４０℃の範囲、７０～１４０℃の範囲、８０～１２０℃の範囲等を挙げることができる。
【0046】
本発明のガス貯蔵剤は、本発明の金属有機構造体を含む。本発明のガス貯蔵剤は、本発明の金属有機構造体のみからなっていてもよく、ガス貯蔵剤としての使用に支障をきたさない範囲で他の成分を含んでもよい。本発明のガス貯蔵剤の形状は特に制限されず、例えば、粉状、顆粒状、ペレット状等を挙げることができる。本発明の金属有機構造体は、水素、メタン、アセチレン、二酸化炭素、窒素等のガスを吸着又は吸蔵することで、前記ガスを貯蔵することができる。本発明の金属有機構造体を用いたガスの貯蔵方法は、特に制限されないが、本発明の金属有機構造体とガスを接触させる方法が好ましく、接触させる方法は、特に制限されない。例えば、タンク中に、本発明の金属有機構造体を充填してガス貯蔵タンクとし、該タンク内にガスを流入する方法、タンクの内壁を構成する表面に本発明の金属有機構造体を担持させてガス貯蔵タンクとし、該タンク内にガスを流入する方法、タンクを本発明の金属有機構造体を含む材料で成形してガス貯蔵タンクとし、該タンク内にガスを流入する方法等を挙げることができる。
【実施例0047】
以下、本発明の実施例を挙げて、本発明を具体的に説明するが、本発明の技術的範囲はこれらの例示に限定されるものではない。本発明の金属有機構造体を構成する式（１）で表されるカルボン酸イオンの前駆体となるカルボン酸として、以下の表１に示す有機配位子１～８を用いた。
【0048】
【表1】
【0049】
［製造例１］有機配位子１の合成
カルバゾール（２４．０ｍｍｏｌ）、１，３－ジブロモベンゼン（１０．０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（４５．０ｍｍｏｌ）、１，１０－フェナントロリン（６．０ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（６．０ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド１００ｍＬに溶解させ１６０℃で終夜攪拌した。室温に戻した後、酢酸エチルを１００ｍＬ加えた反応溶液をセライトろ過した。ろ液を減圧蒸留し得られた残さを水で洗浄後、メタノールで洗浄し乾燥させることで１，３－ジカルバゾリルベンゼンを得た。得られた１，３－ジカルバゾリルベンゼン（３．００ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（２０ｍＬ）を塩化アルミニウム（１８．０ｍｍｏｌ）、塩化アセチル（３０．０ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（２０ｍＬ）に滴下した。滴下後終夜撹拌した反応溶液を水にあけ、析出した固体を濾別し、メタノールで洗浄後乾燥することで１，３－ビス（３，６－ジアセチル－９Ｈ－カルバゾリル）ベンゼンを得た。５Ｍの水酸化ナトリウム水溶液（２４ｍＬ）に０℃で臭素（４０ｍｍｏｌ）をゆっくり加え３０分撹拌した。その反応溶液を１，３－ビス（３，６－ジアセチル－９Ｈ－カルバゾリル）ベンゼンのジオキサン懸濁液（２００ｍＬ）に室温で加えた。その後１００℃で終夜撹拌し、室温に戻した後、亜硫酸ナトリウム水溶液、次いで塩酸を加えた。析出した固体を遠心分離にて分取し、水でよく洗浄後乾燥させ０．９４４ｍｍｏｌの１，３－ビス（３，６－ジカルボキシル－９Ｈ－カルバゾリル）ベンゼン、有機配位子１を無色固体として得た。
カルバゾール（２４．０ｍｍｏｌ）、１，３－ジブロモベンゼン（１０．０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（４５．０ｍｍｏｌ）、１，１０－フェナントロリン（６．０ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（６．０ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド１００ｍＬに溶解させ１６０℃で終夜攪拌した。室温に戻した後、酢酸エチルを１００ｍＬ加えた反応溶液をセライトろ過した。ろ液を減圧蒸留し得られた残さを水で洗浄後、メタノールで洗浄し乾燥させることで１，３－ジカルバゾリルベンゼンを得た。得られた１，３－ジカルバゾリルベンゼン（３．００ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（２０ｍＬ）を塩化アルミニウム（１８．０ｍｍｏｌ）、塩化アセチル（３０．０ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（２０ｍＬ）に滴下した。滴下後終夜撹拌した反応溶液を水にあけ、析出した固体を濾別し、メタノールで洗浄後乾燥することで１，３－ビス（３，６－ジアセチル－９Ｈ－カルバゾリル）ベンゼンを得た。５Ｍの水酸化ナトリウム水溶液（２４ｍＬ）に０℃で臭素（４０ｍｍｏｌ）をゆっくり加え３０分撹拌した。その反応溶液を１，３－ビス（３，６－ジアセチル－９Ｈ－カルバゾリル）ベンゼンのジオキサン懸濁液（２００ｍＬ）に室温で加えた。その後１００℃で終夜撹拌し、室温に戻した後、亜硫酸ナトリウム水溶液、次いで塩酸を加えた。析出した固体を遠心分離にて分取し、水でよく洗浄後乾燥させ０．９４４ｍｍｏｌの１，３－ビス（３，６－ジカルボキシル－９Ｈ－カルバゾリル）ベンゼン、有機配位子１を無色固体として得た。
【0050】
［製造例２］有機配位子２の合成
製造例１の１，３－ジブロモベンゼンの代わりに３，５－ジブロモトルエンを用いた以外は製造例１と同様の操作で行い、有機配位子２を無色固体として得た。
製造例１の１，３－ジブロモベンゼンの代わりに３，５－ジブロモトルエンを用いた以外は製造例１と同様の操作で行い、有機配位子２を無色固体として得た。
【0051】
［製造例３］有機配位子３の合成
製造例１の１，３－ジブロモベンゼンの代わりに３，５―ジブロモアニソールを用いた以外は製造例１と同様の操作で行い、有機配位子３を無色固体として得た。
製造例１の１，３－ジブロモベンゼンの代わりに３，５―ジブロモアニソールを用いた以外は製造例１と同様の操作で行い、有機配位子３を無色固体として得た。
【0052】
［製造例４］有機配位子４の合成
製造例１の１，３－ジブロモベンゼンの代わりに３，５－ジブロモニトロベンゼンを用いた以外は製造例１と同様の操作で行い、有機配位子４を淡黄色固体として得た。
製造例１の１，３－ジブロモベンゼンの代わりに３，５－ジブロモニトロベンゼンを用いた以外は製造例１と同様の操作で行い、有機配位子４を淡黄色固体として得た。
【0053】
［製造例５］有機配位子５の合成
カルバゾール（２０．０ｍｍｏｌ）、カリウムターシャリーブトキシド（２０．０ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシド（１０ｍＬ）に溶解させ１２０℃で１時間攪拌した。そこへ、３，５－ジフルオロブロモベンゼン（１０．０ｍｍｏｌ）を加えた後１４０℃で終夜撹拌した。室温に戻した後、水を加え、クロロホルムで抽出後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過した。ろ液を減圧蒸留し得られた残さをメタノールで洗浄し乾燥させることで３,５－ジカルバゾリルブロモベンゼンを得た。その後、製造例１と同様、アセチル化の後、ハロホルム反応をおこなうことで、有機配位子５を無色固体として得た。
カルバゾール（２０．０ｍｍｏｌ）、カリウムターシャリーブトキシド（２０．０ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシド（１０ｍＬ）に溶解させ１２０℃で１時間攪拌した。そこへ、３，５－ジフルオロブロモベンゼン（１０．０ｍｍｏｌ）を加えた後１４０℃で終夜撹拌した。室温に戻した後、水を加え、クロロホルムで抽出後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過した。ろ液を減圧蒸留し得られた残さをメタノールで洗浄し乾燥させることで３,５－ジカルバゾリルブロモベンゼンを得た。その後、製造例１と同様、アセチル化の後、ハロホルム反応をおこなうことで、有機配位子５を無色固体として得た。
【0054】
［製造例６］有機配位子６の合成
製造例１の１，３－ジブロモベンゼンの代わりに３，５－ジブロモピリジンを用いた以外は製造例１と同様の操作で行い、有機配位子６を淡黄色固体として得た。
製造例１の１，３－ジブロモベンゼンの代わりに３，５－ジブロモピリジンを用いた以外は製造例１と同様の操作で行い、有機配位子６を淡黄色固体として得た。
【0055】
［製造例７］有機配位子７の合成
製造例１の１，３－ジブロモベンゼンの代わりに１, ３，５－トリブロモベンゼンを用いた以外は製造例１と同様の操作で行い、有機配位子７を無色固体として得た。
製造例１の１，３－ジブロモベンゼンの代わりに１, ３，５－トリブロモベンゼンを用いた以外は製造例１と同様の操作で行い、有機配位子７を無色固体として得た。
【0056】
［製造例８］有機配位子８の合成
製造例１の１，３－ジブロモベンゼンの代わりに３，５－ジブロモ-ｔ-ブチルベンゼンを用いた以外は製造例１と同様の操作で行い、有機配位子８を無色固体として得た。
製造例１の１，３－ジブロモベンゼンの代わりに３，５－ジブロモ-ｔ-ブチルベンゼンを用いた以外は製造例１と同様の操作で行い、有機配位子８を無色固体として得た。
【0057】
［実施例１－１］
有機配位子１（０．１ｍｍｏｌ）、硝酸コバルト六水和物（０．２ｍｍｏｌ）にＮ，Ｎ-ジメチルアセトアミド（１０ｍＬ）を加え、オーブン（反応条件：１１０℃、２４時間）にて加熱した。室温に戻し、上澄みを除去した。そこへ０．１Ｍの硝酸銅三水和物のＤＭＦ溶液（１０ｍｌ）を加え、一日静置した。その後、ＤＭＦを用い３回洗浄後、ＤＭＦに一晩浸漬した。溶媒を除去し、テトラヒドロフランへと溶媒を交換した。テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）を加え、終夜浸漬させた。溶媒を除去後、１３５℃で真空乾燥を６時間行い、緑色固体として金属有機構造体１－１を得た。
有機配位子１（０．１ｍｍｏｌ）、硝酸コバルト六水和物（０．２ｍｍｏｌ）にＮ，Ｎ-ジメチルアセトアミド（１０ｍＬ）を加え、オーブン（反応条件：１１０℃、２４時間）にて加熱した。室温に戻し、上澄みを除去した。そこへ０．１Ｍの硝酸銅三水和物のＤＭＦ溶液（１０ｍｌ）を加え、一日静置した。その後、ＤＭＦを用い３回洗浄後、ＤＭＦに一晩浸漬した。溶媒を除去し、テトラヒドロフランへと溶媒を交換した。テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）を加え、終夜浸漬させた。溶媒を除去後、１３５℃で真空乾燥を６時間行い、緑色固体として金属有機構造体１－１を得た。
【0058】
［実施例１－２～１－６］
表２に示す有機配位子を用い、実施例１－１と同様の操作を行い、金属有機構造体１－２～１－６を得た。得られた有機配位子の性状を表２に示す。
表２に示す有機配位子を用い、実施例１－１と同様の操作を行い、金属有機構造体１－２～１－６を得た。得られた有機配位子の性状を表２に示す。
【0059】
［実施例２－１］
有機配位子１（０．１ｍｍｏｌ）、塩化銅二水和物（０．３ｍｍｏｌ）にＮ，Ｎ-ジメチルホルムアミド（５ｍＬ）、エタノール（５ｍL）を加え、オーブン（反応条件：８０℃、２日間）にて加熱した。室温に戻し、上澄みを除去した。ＤＭＦ（１０ｍｌ）を用い３回洗浄後、ＤＭＦ（１０ｍL）に一晩浸漬した。ＴＨＦへの溶媒交換を行い、ＴＨＦ（１０ｍL）で３回洗浄後、ＴＨＦ（１０ｍL）に一晩浸漬した。溶媒を除去し、室温真空にて３時間乾燥することで、緑色固体として金属有機構造体２－１を得た。
有機配位子１（０．１ｍｍｏｌ）、塩化銅二水和物（０．３ｍｍｏｌ）にＮ，Ｎ-ジメチルホルムアミド（５ｍＬ）、エタノール（５ｍL）を加え、オーブン（反応条件：８０℃、２日間）にて加熱した。室温に戻し、上澄みを除去した。ＤＭＦ（１０ｍｌ）を用い３回洗浄後、ＤＭＦ（１０ｍL）に一晩浸漬した。ＴＨＦへの溶媒交換を行い、ＴＨＦ（１０ｍL）で３回洗浄後、ＴＨＦ（１０ｍL）に一晩浸漬した。溶媒を除去し、室温真空にて３時間乾燥することで、緑色固体として金属有機構造体２－１を得た。
【0060】
［実施例２－２～２－７］
表２に示す有機配位子を用い、実施例２－１と同様の操作を行い、金属有機構造体２－２～２－７を得た。得られた有機配位子の性状を表２に示す。
表２に示す有機配位子を用い、実施例２－１と同様の操作を行い、金属有機構造体２－２～２－７を得た。得られた有機配位子の性状を表２に示す。
【0061】
［実施例３－１］
有機配位子３（０．１ｍｍｏｌ）、硝酸アルミニウム九水和物（０．６ｍｏｌ）にＮ，Ｎ-ジメチルホルムアミド（９ｍＬ）、ギ酸（１ｍL）、水（１．５ｍL）を加え、オーブン（反応条件：１１５℃、１日間）にて加熱した。室温に戻し、上澄みを除去した。ＤＭＦ（１０ｍｌ）を用い３回洗浄後、ＤＭＦ（１０ｍL）に一晩浸漬した。ＴＨＦへの溶媒交換を行い、ＴＨＦ（１０ｍL）で３回洗浄後、ＴＨＦ（１０ｍL）に一晩浸漬した。溶媒を除去し、室温真空にて３時間乾燥することで、白色固体として金属有機構造体３－１を得た。
有機配位子３（０．１ｍｍｏｌ）、硝酸アルミニウム九水和物（０．６ｍｏｌ）にＮ，Ｎ-ジメチルホルムアミド（９ｍＬ）、ギ酸（１ｍL）、水（１．５ｍL）を加え、オーブン（反応条件：１１５℃、１日間）にて加熱した。室温に戻し、上澄みを除去した。ＤＭＦ（１０ｍｌ）を用い３回洗浄後、ＤＭＦ（１０ｍL）に一晩浸漬した。ＴＨＦへの溶媒交換を行い、ＴＨＦ（１０ｍL）で３回洗浄後、ＴＨＦ（１０ｍL）に一晩浸漬した。溶媒を除去し、室温真空にて３時間乾燥することで、白色固体として金属有機構造体３－１を得た。
【0062】
［実施例４－１］
有機配位子３（０．１ｍｍｏｌ）、塩化ジルコニウム（０．２ｍｍｏｌ）にＮ，Ｎ-ジメチルホルムアミド（４ｍＬ）、酢酸（２ｍL）を加え、オーブン（反応条件：１１５℃、１日間）にて加熱した。室温に戻し、上澄みを除去した。ＤＭＦ（１０ｍｌ）を用い３回洗浄後、ＤＭＦ（１０ｍL）に一晩浸漬した。ＴＨＦへの溶媒交換を行い、ＴＨＦ（１０ｍL）で３回洗浄後、ＴＨＦ（１０ｍL）に一晩浸漬した。溶媒を除去し、室温真空にて３時間乾燥することで、無色固体として金属有機構造体４－１を得た。
有機配位子３（０．１ｍｍｏｌ）、塩化ジルコニウム（０．２ｍｍｏｌ）にＮ，Ｎ-ジメチルホルムアミド（４ｍＬ）、酢酸（２ｍL）を加え、オーブン（反応条件：１１５℃、１日間）にて加熱した。室温に戻し、上澄みを除去した。ＤＭＦ（１０ｍｌ）を用い３回洗浄後、ＤＭＦ（１０ｍL）に一晩浸漬した。ＴＨＦへの溶媒交換を行い、ＴＨＦ（１０ｍL）で３回洗浄後、ＴＨＦ（１０ｍL）に一晩浸漬した。溶媒を除去し、室温真空にて３時間乾燥することで、無色固体として金属有機構造体４－１を得た。
【0063】
【表2】
【0064】
［ＢＥＴ比表面積、水素貯蔵量及び二酸化炭素貯蔵量測定］
得られた金属有機構造体の一部について、ＢＥＴ比表面積、７７Ｋ－大気圧における水素貯蔵量及び二酸化炭素貯蔵量を測定した。これらの測定は、ガス吸着量測定装置Ｔｒｉｓｔａｒ－ＩＩ（Ｍｉｃｒｏｍｅｒｉｔｉｃｓ社製）を用いて行った。
（ＢＥＴ比表面積）
ＢＥＴ比表面積は次の方法で算出した。金属有機構造体の５０ｍｇ程度を、ガラスセルの内部に入れた。ガラスセルの内部は１３５℃の温度で真空まで減圧し、６時間乾燥させた。ガラスセルをガス吸着量測定装置に装着し、液体窒素入りの恒温槽に浸漬した。ガラスセルに含有される窒素の圧力を徐々に増加させた。ガラスセルの内部に導入された窒素の圧力が１．０×１０５Ｐａとなるまで測定を行った。測定したＢＥＴ比表面積の結果を表３に示した。
（水素貯蔵量）
７７Ｋ常圧での水素貯蔵量は次の方法で算出した。窒素の測定後、水素へとガス種を変更し測定を行った。ガラスセルに含有される水素の圧力を徐々に増加させた。ガラスセルの内部に導入された水素の圧力が１．０×１０５Ｐａとなるまで測定を行った。測定した７７Ｋ－大気圧における水素貯蔵量を表３に示した。水素貯蔵量（質量％）は、有機金属構造体の質量に対する貯蔵された水素の質量の割合を示す。
（二酸化炭素貯蔵量）
２５８Ｋ、２７３Ｋ、２９８Ｋの二酸化炭素貯蔵量は次の方法で算出した。水素の測定後、二酸化炭素へとガス種を変更し測定を行った。ガラスセルに含有される二酸化炭素の圧力を徐々に増加させた。ガラスセルの内部に導入された二酸化炭素の圧力が１．０×１０５Ｐａとなるまで測定を行った。測定した２５８Ｋ、２７３Ｋ、２９８Ｋ－大気圧における二酸化炭素貯蔵量を表４に示した。ＣＯ２貯蔵量（質量％）は、有機金属構造体の質量に対する貯蔵された二酸化炭素の質量の割合を示す。ＣＯ２／Ｎ２（二酸化炭素／窒素）選択性は、それぞれ一成分のガス吸着測定結果をもとにフィッティングを行い、その結果を用いて理想吸着溶液法（ＩＡＳＴ法）により求めた。工場の排ガスであるＣＯ２：Ｎ２＝１５：８５の混合比をモデルとして、１００ｋＰａ時の選択性を算出した。
得られた金属有機構造体の一部について、ＢＥＴ比表面積、７７Ｋ－大気圧における水素貯蔵量及び二酸化炭素貯蔵量を測定した。これらの測定は、ガス吸着量測定装置Ｔｒｉｓｔａｒ－ＩＩ（Ｍｉｃｒｏｍｅｒｉｔｉｃｓ社製）を用いて行った。
（ＢＥＴ比表面積）
ＢＥＴ比表面積は次の方法で算出した。金属有機構造体の５０ｍｇ程度を、ガラスセルの内部に入れた。ガラスセルの内部は１３５℃の温度で真空まで減圧し、６時間乾燥させた。ガラスセルをガス吸着量測定装置に装着し、液体窒素入りの恒温槽に浸漬した。ガラスセルに含有される窒素の圧力を徐々に増加させた。ガラスセルの内部に導入された窒素の圧力が１．０×１０５Ｐａとなるまで測定を行った。測定したＢＥＴ比表面積の結果を表３に示した。
（水素貯蔵量）
７７Ｋ常圧での水素貯蔵量は次の方法で算出した。窒素の測定後、水素へとガス種を変更し測定を行った。ガラスセルに含有される水素の圧力を徐々に増加させた。ガラスセルの内部に導入された水素の圧力が１．０×１０５Ｐａとなるまで測定を行った。測定した７７Ｋ－大気圧における水素貯蔵量を表３に示した。水素貯蔵量（質量％）は、有機金属構造体の質量に対する貯蔵された水素の質量の割合を示す。
（二酸化炭素貯蔵量）
２５８Ｋ、２７３Ｋ、２９８Ｋの二酸化炭素貯蔵量は次の方法で算出した。水素の測定後、二酸化炭素へとガス種を変更し測定を行った。ガラスセルに含有される二酸化炭素の圧力を徐々に増加させた。ガラスセルの内部に導入された二酸化炭素の圧力が１．０×１０５Ｐａとなるまで測定を行った。測定した２５８Ｋ、２７３Ｋ、２９８Ｋ－大気圧における二酸化炭素貯蔵量を表４に示した。ＣＯ２貯蔵量（質量％）は、有機金属構造体の質量に対する貯蔵された二酸化炭素の質量の割合を示す。ＣＯ２／Ｎ２（二酸化炭素／窒素）選択性は、それぞれ一成分のガス吸着測定結果をもとにフィッティングを行い、その結果を用いて理想吸着溶液法（ＩＡＳＴ法）により求めた。工場の排ガスであるＣＯ２：Ｎ２＝１５：８５の混合比をモデルとして、１００ｋＰａ時の選択性を算出した。
【0065】
【表3】
【0066】
【表4】
【0067】
［単結晶Ｘ線構造解析］
実施例１－１～１－５、２－３及び２－７で得られた金属有機構造体１－１、１－２、１－３、１－４、１－５、２－３及び２－７をそれぞれ以下に示す測定条件でＸ線構造解析を行った。
（測定条件）
実施例１－１で得られた金属有機構造体１－１の０．１×０．１×０．０５ｍｍの緑色透明の単結晶をマイクロマウントに一粒載せ、単結晶Ｘ線解析装置（Ｄ８ＶＥＮＴＵＲＥ、Ｂｒｕｋｅｒ社製）を用い、０．７８１９２Åの波長のＸ線を単結晶に照射することで回折データを取得した。得られた回折データを解析し、構造を決定した。その結果を表５に示す。実施例１－２～１－５で得られた金属有機構造体についても上記に示した測定と同様の条件でＸ線構造解析を行った。その結果を表５に示す。
実施例１－１～１－５、２－３及び２－７で得られた金属有機構造体１－１、１－２、１－３、１－４、１－５、２－３及び２－７をそれぞれ以下に示す測定条件でＸ線構造解析を行った。
（測定条件）
実施例１－１で得られた金属有機構造体１－１の０．１×０．１×０．０５ｍｍの緑色透明の単結晶をマイクロマウントに一粒載せ、単結晶Ｘ線解析装置（Ｄ８ＶＥＮＴＵＲＥ、Ｂｒｕｋｅｒ社製）を用い、０．７８１９２Åの波長のＸ線を単結晶に照射することで回折データを取得した。得られた回折データを解析し、構造を決定した。その結果を表５に示す。実施例１－２～１－５で得られた金属有機構造体についても上記に示した測定と同様の条件でＸ線構造解析を行った。その結果を表５に示す。
【0068】
【表5】
【0069】
実施例２－３で得られた金属有機構造体２－３の０．１×０．１×０．０５ｍｍの緑色透明の単結晶をマイクロマウントに一粒載せ、単結晶Ｘ線解析装置（ＳＰｒｉｎｇ－８、ＢＬ０２Ｂ１）を用い、０．４１３Åの波長のＸ線を単結晶に照射することで回折データを取得した。得られた回折データを解析し、構造を決定した。実施例２－７で得られた金属有機構造体２－７についても、同様に構造を決定した。その結果を下記の表６に示す。
【0070】
【表6】
【産業上の利用可能性】
【0071】
本発明の金属有機構造体は、水素等のガスを実用的な水準で貯蔵できる。そのため、燃料電池等の水素を利用したエネルギー分野に好適に使用できる。