知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
特開2024-12159フォーカスリング、これを含む基板処理装置、及びこれを利用する半導体素子の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024012159
(43)【公開日】2024-01-25
(54)【発明の名称】フォーカスリング、これを含む基板処理装置、及びこれを利用する半導体素子の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20240118BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20240118BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101G
H01L21/68 R
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023114649
(22)【出願日】2023-07-12
(31)【優先権主張番号】10-2022-0087807
(32)【優先日】2022-07-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2022-0167940
(32)【優先日】2022-12-05
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2023-0038333
(32)【優先日】2023-03-24
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】390019839
【氏名又は名称】三星電子株式会社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ－ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(74)【代理人】
【識別番号】100135079
【弁理士】
【氏名又は名称】宮崎 修
(72)【発明者】
【氏名】高 亨植
【テーマコード（参考）】
5F004
5F131
【Ｆターム（参考）】
5F004BA09
5F004BB13
5F004BB18
5F004BB22
5F004BB23
5F004BB28
5F004BB29
5F004BC06
5F131AA02
5F131BA19
5F131CA06
5F131CA32
5F131DA07
5F131DA20
5F131DA33
5F131DA42
5F131EA03
5F131EB11
5F131EB16
5F131EB72
5F131EB78
5F131EB79
5F131FA10
5F131FA14
5F131FA32
(57)【要約】
【課題】中心軸が整列されて基板のバラつきを改善させることができるフォーカスリング、これを含む基板処理装置、及びこれを利用した半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるフォーカスリングは第１方向に延びる中心軸を有するフォーカスリングにおいて、前記フォーカスリングの上面は第１内径を有し、前記フォーカスリングの下面は第２内径を有し、前記第１内径は前記第２内径より小さく、前記フォーカスリングの内側面は前記上面及び前記下面の間に位置し、第１内側面及び第２内側面を含み、前記第２内側面は前記第１内側面から下に延び、前記第１内側面が前記第１方向となす角度は前記第２内側面が前記第１方向となす角度と互いに異なることができる。
【選択図】図５
【解決手段】本発明によるフォーカスリングは第１方向に延びる中心軸を有するフォーカスリングにおいて、前記フォーカスリングの上面は第１内径を有し、前記フォーカスリングの下面は第２内径を有し、前記第１内径は前記第２内径より小さく、前記フォーカスリングの内側面は前記上面及び前記下面の間に位置し、第１内側面及び第２内側面を含み、前記第２内側面は前記第１内側面から下に延び、前記第１内側面が前記第１方向となす角度は前記第２内側面が前記第１方向となす角度と互いに異なることができる。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１方向に延びる中心軸を有するフォーカスリングにおいて、
前記フォーカスリングの上面は、第１内径を有し、前記フォーカスリングの下面は、第２内径を有し、
前記第１内径は、前記第２内径より小さく、
前記フォーカスリングの内側面は、前記上面及び前記下面の間に位置し、第１内側面及び第２内側面を含み、
前記第２内側面は、前記第１内側面から下に延び、
前記第１内側面が前記第１方向となす角度は、前記第２内側面が前記第１方向となす角度と互いに異なる、フォーカスリング。
前記フォーカスリングの上面は、第１内径を有し、前記フォーカスリングの下面は、第２内径を有し、
前記第１内径は、前記第２内径より小さく、
前記フォーカスリングの内側面は、前記上面及び前記下面の間に位置し、第１内側面及び第２内側面を含み、
前記第２内側面は、前記第１内側面から下に延び、
前記第１内側面が前記第１方向となす角度は、前記第２内側面が前記第１方向となす角度と互いに異なる、フォーカスリング。
【請求項2】
前記第１内側面は、前記第１方向と平行であり、
前記第２内側面は、前記第１方向と鋭角をなす、請求項１に記載のフォーカスリング。
前記第２内側面は、前記第１方向と鋭角をなす、請求項１に記載のフォーカスリング。
【請求項3】
前記鋭角は、０°より大きく５°以下である、請求項２に記載のフォーカスリング。
【請求項4】
前記第１内側面は、前記中心軸に向かって膨らんでいる形状である、請求項１に記載のフォーカスリング。
【請求項5】
前記フォーカスリングの前記内側面は、第３内側面をさらに含み、
前記第３内側面は、前記第１内側面及び前記第２内側面の間に位置する、請求項１に記載のフォーカスリング。
前記第３内側面は、前記第１内側面及び前記第２内側面の間に位置する、請求項１に記載のフォーカスリング。
【請求項6】
前記第１内径と前記第２内径の差は、０．０１ｍｍ乃至０．５ｍｍである、請求項１に記載のフォーカスリング。
【請求項7】
前記フォーカスリングの外側面は、第１外側面及び前記第１外側面から延びる第２外側面を含み、
前記第１外側面は、前記第１方向と平行であり、
前記第２外側面は、前記第１方向と鋭角をなす、請求項１に記載のフォーカスリング。
前記第１外側面は、前記第１方向と平行であり、
前記第２外側面は、前記第１方向と鋭角をなす、請求項１に記載のフォーカスリング。
【請求項8】
基板を支持するチャックを有する静電チャックと、
第１方向に延びる中心軸を有し、前記チャックの側面上に位置するフォーカスリングと、を含み、
前記フォーカスリングの上面は、第１内径を有し、前記フォーカスリングの下面は、第２内径を有し、
前記第１内径は、前記第２内径より小さく、
前記チャックの直径は、２９８．６ｍｍ乃至３００ｍｍである、基板処理装置。
第１方向に延びる中心軸を有し、前記チャックの側面上に位置するフォーカスリングと、を含み、
前記フォーカスリングの上面は、第１内径を有し、前記フォーカスリングの下面は、第２内径を有し、
前記第１内径は、前記第２内径より小さく、
前記チャックの直径は、２９８．６ｍｍ乃至３００ｍｍである、基板処理装置。
【請求項9】
前記フォーカスリングの上面は、前記チャックの上面より低いレベルに位置する、請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記フォーカスリングは、前記上面と前記下面との間の第１内側面及び前記第１内側面から延びる第２内側面を含み、
前記第１内側面と前記第１方向がなす角度は、前記第２内側面と前記第１方向がなす角度と互いに異なる、請求項８に記載の基板処理装置。
前記第１内側面と前記第１方向がなす角度は、前記第２内側面と前記第１方向がなす角度と互いに異なる、請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記フォーカスリングは、前記第１内側面及び前記第２内側面の間の第３内側面をさらに含み、
前記第１乃至第３内側面の中で少なくともいずれか１つは、前記中心軸に向かって膨らんでいる形状である、請求項１０に記載の基板処理装置。
前記第１乃至第３内側面の中で少なくともいずれか１つは、前記中心軸に向かって膨らんでいる形状である、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項12】
静電チャックと、
前記静電チャック上に位置し、第１方向に延びる中心軸を有するフォーカスリングと、
前記フォーカスリングを囲む外側リングと、を含み、
前記フォーカスリングの内側面は、第１内側面及び第２内側面を含み、
前記第２内側面は、前記第１内側面と接し、
前記第１内側面は、前記第２内側面より前記静電チャックにさらに隣接する、基板処理装置。
前記静電チャック上に位置し、第１方向に延びる中心軸を有するフォーカスリングと、
前記フォーカスリングを囲む外側リングと、を含み、
前記フォーカスリングの内側面は、第１内側面及び第２内側面を含み、
前記第２内側面は、前記第１内側面と接し、
前記第１内側面は、前記第２内側面より前記静電チャックにさらに隣接する、基板処理装置。
【請求項13】
前記第１内側面が前記第１方向となす角度は、前記第２内側面が前記第１方向となす角度と互いに異なる、請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記フォーカスリングの上面は、第１内径を有し、
前記フォーカスリングの下面は、第２内径を有し、
前記第１内径は、前記第２内径より小さい、請求項１２に記載の基板処理装置。
前記フォーカスリングの下面は、第２内径を有し、
前記第１内径は、前記第２内径より小さい、請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記第１内側面は、前記第１方向と平行であり、
前記第２内側面は、前記第１方向と鋭角をなす、請求項１２に記載の基板処理装置。
前記第２内側面は、前記第１方向と鋭角をなす、請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記フォーカスリングの内側面は、第３内側面をさらに含み、
前記第１乃至第３内側面の中で少なくとも１つは、前記静電チャックに向かって膨らんでいる形状である、請求項１２に記載の基板処理装置。
前記第１乃至第３内側面の中で少なくとも１つは、前記静電チャックに向かって膨らんでいる形状である、請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記静電チャックと離隔され、前記第１方向に延びるリングリフトピンをさらに含み、
前記リングリフトピンは、前記フォーカスリング下に位置する、請求項１２に記載の基板処理装置。
前記リングリフトピンは、前記フォーカスリング下に位置する、請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項18】
前記静電チャックと連結されるパワー供給部と、
前記静電チャック上のシャワーヘッドと、
前記静電チャック及び前記シャワーヘッドの間の限定リングと、をさらに含む請求項１２に記載の基板処理装置。
前記静電チャック上のシャワーヘッドと、
前記静電チャック及び前記シャワーヘッドの間の限定リングと、をさらに含む請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項19】
基板を静電チャック上にローディングすることと、
半導体工程を遂行することと、
前記基板を前記静電チャック上で除去することと、
フォーカスリングを交換することと、を含み、
前記フォーカスリングは、
第１方向に延びる中心軸を有し、
前記フォーカスリングの内側面は、第１内側面及び前記第１内側面から延びる第２内側面を含み、
前記フォーカスリングを交換することは、前記フォーカスリングの前記第２内側面の少なくとも一部が前記静電チャックと接すること及び前記静電チャックの中心と前記フォーカスリングの前記中心軸が整列されることを含む、半導体素子の製造方法。
半導体工程を遂行することと、
前記基板を前記静電チャック上で除去することと、
フォーカスリングを交換することと、を含み、
前記フォーカスリングは、
第１方向に延びる中心軸を有し、
前記フォーカスリングの内側面は、第１内側面及び前記第１内側面から延びる第２内側面を含み、
前記フォーカスリングを交換することは、前記フォーカスリングの前記第２内側面の少なくとも一部が前記静電チャックと接すること及び前記静電チャックの中心と前記フォーカスリングの前記中心軸が整列されることを含む、半導体素子の製造方法。
【請求項20】
前記基板を静電チャック上にローディングすることは、前記基板の側面と前記静電チャックの側面が整列されることを含む、請求項１９に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はフォーカスリング、これを含む基板処理装置、及びこれを利用する半導体素子製造方法に関し、より詳細には静電チャックと整列されることができるフォーカスリング、これを含む基板処理装置、及びこれを利用する半導体素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
半導体素子は様々な工程を経て製造されることができる。例えば、半導体素子はシリコン等のウエハに対するフォト工程、エッチング工程、堆積工程等を経て製造されることができる。半導体素子を製造するためのエッチング工程で、プラズマが使用されることがある。プラズマを利用したウエハエッチング工程で、プラズマの分布を制御するためにフォーカスリングが使用されることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】米国特許第１０，９９１，６１４ Ｂ２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明が解決しようとする課題は中心軸が整列されて基板のバラつきを改善させることができるフォーカスリング、これを含む基板処理装置、及びこれを利用した半導体素子の製造方法を提供することにある。
【0005】
本発明が解決しようとする課題は以上で言及した課題に制限されず、言及されないその他の課題が下の記載から通常の技術者に明確に理解されるはずである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
前記解決しようとする課題を達成するために本発明の実施形態によるフォーカスリングは第１方向に延びる中心軸を有するフォーカスリングにおいて、前記フォーカスリングの上面は第１内径を有し、前記フォーカスリングの下面は第２内径を有し、前記第１内径は前記第２内径より小さく、前記フォーカスリングの内側面は前記上面及び前記下面の間に位置し、第１内側面及び第２内側面を含み、前記第２内側面は前記第１内側面から下に延び、前記第１内側面が前記第１方向となす角度は前記第２内側面が前記第１方向となす角度と互いに異なることができる。
【0007】
前記解決しようとする課題を達成するために本発明の実施形態による基板処理装置は基板を支持するチャックを有する静電チャック、及び第１方向に延びる中心軸を有し、前記チャックの側面上に位置するフォーカスリングを含み、前記フォーカスリングの上面は第１内径を有し、前記フォーカスリングの下面は第２内径を有し、前記第１内径は前記第２内径より小さく、前記チャックの直径は２９８．６ｍｍ乃至３００ｍｍであり得る。
【0008】
前記解決しようとする課題を達成するために本発明の実施形態による基板処理装置は静電チャック、前記静電チャック上に位置し、第１方向に延びる中心軸を有するフォーカスリング、及び前記フォーカスリングを囲む外側リングと、を含み、前記フォーカスリングの内側面は第１内側面及び第２内側面を含み、前記第２内側面は前記第１内側面と接し、前記第１内側面は前記第２内側面より前記静電チャックにさらに隣接することができる。
【0009】
前記解決しようとする課題を達成するために本発明の実施形態による半導体素子の製造方法は基板を静電チャック上にローディングすること、半導体工程を遂行すること、前記基板を前記静電チャック上で除去すること、及びフォーカスリングを交換することを含み、前記フォーカスリングは第１方向に延びる中心軸を有し、前記フォーカスリングの内側面は第１内側面及び前記第１内側面から延びる第２内側面を含み、前記フォーカスリングを交換することは、前記フォーカスリングの前記第２内側面の少なくとも一部が前記静電チャックと接すること及び前記静電チャックの中心と前記フォーカスリングの前記中心軸が整列されることを含むことができる。
【発明の効果】
【0010】
本発明のフォーカスリング、これを含む基板処理装置、及びこれを利用した半導体素子の製造方法によれば、フォーカスリングの上面が第１内径を有し、フォーカスリングの下面は第２内径を有することができる。第１内径は第２内径より小さいので、フォーカスリングの上面はフォーカスリングの下面より静電チャックに隣接することができる。これによって、フォーカスリングの中心軸が静電チャックの中心と整列されることができる。したがって、フォーカスリングと静電チャックとの間の間隔がすべての方向で均一化することができる。
【0011】
本発明のフォーカスリング、これを含む基板処理装置、及びこれを利用した半導体素子の製造方法によれば、フォーカスリングと静電チャックとの間の間隔がすべての方向で均一であるので、静電チャック上に基板が正確に位置することができる。これによって、静電チャックは基板と同一な直径を有することができ、基板の中心領域とエッジ領域が同一な条件で半導体工程が遂行されることができる。したがって、基板内のバラつきが改善されることができる。
【0012】
本発明のフォーカスリング、これを含む基板処理装置、及びこれを利用した半導体素子の製造方法によれば、フォーカスリングの内側面は第１内側面及び第２内側面を含むことができる。第１内側面が垂直方向となす角度は平行であることができる。第２内側面は第１内側面の下から延び、垂直方向となす角度は鋭角であり得る。これによって、フォーカスリングのアーク放電（ａｒｃｉｎｇ）現像及び作業者の斬り事故を防止することができる。また、フォーカスリングの下部と静電チャックとの間に予備空間が提供されるので、半導体工程中にフォーカスリングの熱膨張によってフォーカスリングが壊れるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】本発明の実施形態による基板処理装置を示す断面図である。
【図3】本発明の実施形態によるフォーカスリングを示す斜視図である。
【図4】本発明の実施形態によるフォーカスリングを示す斜視図である。
【図11】本発明の実施形態による基板処理装置を示す断面図である。
【図15】本発明の実施形態による半導体素子の製造方法を示す順序図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、添付された図面を参照して本発明の実施形態に対して説明する。明細書の全文に掛けて同一な参照符号は同一な構成要素を指称することができる。
【0015】
図１は本発明の実施形態による基板処理装置を示す断面図である。
【0016】
図１を参考すれば、基板処理装置１が提供されることができる。基板処理装置１は基板に対して半導体工程を遂行する装置であり得る。例えば、半導体工程はエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）工程、堆積（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程、イオン注入（ｉｏｎ ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）工程、洗浄（ｃｌｅａｎｉｎｇ）工程、及び露光（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程であり、好ましくはエッチング工程であり得る。
【0017】
例えば、基板処理装置１はプラズマを利用して基板の一面をエッチングする装置であり得る。基板処理装置１は様々な方法でプラズマを生成することができる。例えば、基板処理装置１はＣＣＰ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ Ｃｏｕｐｌｅ Ｐｌａｓｍａ）、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、又はＭＥＲＩＥ（Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＲＩＥ）等の方式を利用してプラズマを生成することができる。しかし、本発明はこれに制限されるものではない。即ち、基板処理装置１はプラズマを利用して基板の一面を洗浄することができる。又は、基板処理装置１はプラズマを利用しなくともよい。
【0018】
以下では、便宜上ＣＣＰ方式を利用してプラズマを生成する基板処理装置１を基準に記述する。
【0019】
基板処理装置１はプロセスチャンバーＣＨ、ガス供給部ＧＳ、リングリフトピン駆動部ＲＰＭ、基板リフトピン駆動部ＷＰＭ、第１ＲＦパワー供給部ＥＤ１、及び第２ＲＦパワー供給部ＥＤ２を含むことができる。
【0020】
プロセスチャンバーＣＨはシャワーヘッドＳＨ、静電チャック５、限定リングＣＲ、フォーカスリングＦＲ、カップリングリング６、グランドリング８、外側リング９、基板リフトピン４、及びリングリフトピン２を含むことができる。プロセスチャンバーＣＨはプロセス空間ＰＳを提供することができる。即ち、プロセス空間ＰＳ内にシャワーヘッドＳＨ、静電チャック５、限定リングＣＲ、フォーカスリングＦＲ、カップリングリング６、グランドリング８、外側リング９、基板リフトピン４、及びリングリフトピン２が位置することができる。
【0021】
ガス供給部ＧＳはプロセスチャンバーＣＨの外部に位置し、プロセスチャンバーＣＨに連結されることができる。例えば、ガス供給部ＧＳはガス流入口ＧＩを通じてプロセス空間ＰＳに連結されることができる。即ち、ガス供給部ＧＳはプラズマになるプロセスガスを、ガス流入口ＧＩを通じてプロセス空間ＰＳ内に供給することができる。例えば、ガス供給部ＧＳはガスタンク及び圧縮器等をさらに含むことができる。
【0022】
シャワーヘッドＳＨはプロセスチャンバーＣＨの上部に位置することができる。シャワーヘッドＳＨ上に分配空間ＤＨが提供されることができる。分配空間ＤＨはガス流入口ＧＩを通じてガス供給部ＧＳに連結されることができる。シャワーヘッドＳＨは分配口ＧＨを提供することができる。平面視において、分配口ＧＨは第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３に沿って配置されることができる。これによって、ガス供給部ＧＳから供給されたプロセスガスが分配口ＧＨを通じて静電チャック５上に均一に供給されることができる。シャワーヘッドＳＨの下面は平面形状を有することができるが、本発明はこれに限定されることではない。
【0023】
限定リングＣＲはシャワーヘッドＳＨと静電チャック５との間の空間を囲むことができる。限定リングＣＲはスリットＣＲｅを提供することができる。スリットＣＲｅは複数に提供されることができる。平面視において、複数のスリットＣＲｅは一定の間隔に提供されることができる。これによって、ガス供給部ＧＳで供給されたプロセスガスは複数のスリットＣＲｅを通じて均一に抜け出すことができる。限定リングＣＲはグランド部材ＣＲｇを含むことができ、グランド部材ＣＲｇによって接地されることができる。
【0024】
静電チャック５はプロセスチャンバーＣＨの中央に位置することができる。静電チャック５上に基板が配置されることができる。静電チャック５は基板を支持及び／又は固定することができる。例えば、静電チャック５上に基板が配置されると、静電チャック５は静電気力を利用して基板を一定位置に固定することができる。静電チャック５の側面上にカップリングリング６、グランドリング８、及び外側リング９が提供されることができる。即ち、カップリングリング６、グランドリング８、及び外側リング９の各々は静電チャック５を囲むことができる。
【0025】
フォーカスリングＦＲは静電チャック５上に位置し、静電チャック５上に配置される基板を囲むことができる。フォーカスリングＦＲは中心軸ＣＡを基準にする回転体であり得る。フォーカスリングＦＲの中心軸ＣＡは第１方向Ｄ１に延びることができる。例えば、フォーカスリングＦＲはシリコン（Ｓｉ）及び／又はシリコンカーバイド（ＳｉＣ）を含むことができるが、これに制限されるものではない。即ち、フォーカスリングＦＲは石英（Ｑｕａｒｔｚ）及び／又は炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）を含んでもよい。フォーカスリングＦＲは２つ以上の部材に分離されることができる。フォーカスリングＦＲの２つ以上の部材の各々は互いに異なる物質を含むことができる。
【0026】
カップリングリング６はフォーカスリングＦＲの下に位置し、中心軸ＣＡを基準にする回転体であり得る。即ち、カップリングリング６はフォーカスリングＦＲ及び後述するグランドリング８の間に位置し、静電チャック５を囲むことができる。具体的に、平面視においてカップリングリング６は静電チャック５を外側で囲むことができる。例えば、カップリングリング６はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を含むことができる。
【0027】
グランドリング８及び外側リング９は静電チャック５を囲むことができる。即ち、グランドリング８及び外側リング９は中心軸ＣＡを基準とする回転体であり得る。具体的に、グランドリング８上にカップリングリング６が位置することができる。外側リング９はグランドリング８及びカップリングリング６上に位置し、フォーカスリングＦＲを囲むことができる。外側リング９はフォーカスリングＦＲと互いに異なる物質を含むことができるが、これに制限されるものではない。
【0028】
基板リフトピン４は第１方向Ｄ１に延びることができる。基板リフトピン４は静電チャック５を上下に貫通することができる。即ち、基板リフトピン４は静電チャック５内に提供されることができる。基板リフトピン４は基板リフトピン駆動部ＷＰＭと連結されることができる。基板リフトピン４は基板リフトピン駆動部ＷＰＭによって上下に移動することができる。基板リフトピン４は上下に移動し、静電チャック５上に基板をローディングするか、或いはアンローディングすることができる。基板リフトピン４は複数に提供されることができる。例えば、３つの基板リフトピン４が提供されることができるが、これに制限されるものではない。複数の基板リフトピン４は互いに水平方向に離隔配置されることができる。以下では、便宜上基板リフトピン４は単数で記述する。
【0029】
リングリフトピン２は第１方向Ｄ１に延びることができる。リングリフトピン２は静電チャック５の外側に位置することができる。リングリフトピン２はカップリングリング６、グランドリング８、及び外側リング９を上下に貫通することができる。即ち、リングリフトピン２はカップリングリング６、グランドリング８、及び外側リング９内に提供されることができる。リングリフトピン２はリングリフトピン駆動部ＲＰＭによって上下に移動することができる。リングリフトピン２は上下に移動し、フォーカスリングＦＲをローディングするか、或いはアンローディングすることができる。リングリフトピン２は複数に提供されることができる。例えば、３つのリングリフトピン２が提供されることができるが、これに制限されるものではない。複数のリングリフトピン２は互いに水平方向に離隔されることができる。以下では、便宜上リングリフトピン２は単数で記述する。
【0030】
基板リフトピン駆動部ＷＰＭ及びリングリフトピン駆動部ＲＰＭは、それぞれ、基板リフトピン４及びリングリフトピン２を上下に移動させることができる。例えば、基板リフトピン駆動部ＷＰＭ及びリングリフトピン駆動部ＲＰＭの各々は電気モーター及び／又は油圧モーター等のアクチュエータを含むことができる。基板リフトピン駆動部ＷＰＭ及びリングリフトピン駆動部ＲＰＭがプロセスチャンバーＣＨの外部に位置することと図示したが、これに制限されるものではない。
【0031】
第１ＲＦパワー供給部ＥＤ１は静電チャック５に電気的に連結されることができる。第１ＲＦパワー供給部ＥＤ１は静電チャック５に第１ＲＦパワーを供給することができる。第２ＲＦパワー供給部ＥＤ２は静電チャック５の外部に電気的に連結されることができる。第２ＲＦパワー供給部ＥＤ２は静電チャック５の外部に第２ＲＦパワーを供給することができる。第２ＲＦパワーは第１ＲＦパワーと区分されることができる。即ち、第１ＲＦパワーの周波数と第２ＲＦパワーの周波数が互いに異なることができる。第１ＲＦパワー及び第２ＲＦパワーが同時に供給されるか、或いは同時に供給されないこともあり得る。
【0032】
【0033】
以下では、説明の便宜のために図１を参照して説明したことと同一な事項に対する説明を省略し、相違点に対して詳細に説明する。
【0034】
図２を参照すれば、静電チャック５はプラズマ電極５１及びチャック５３を含むことができる。プラズマ電極５１は電極本体５１１及びプラトー５１３を含むことができる。
【0035】
プラズマ電極５１上にチャック５３が位置することができる。プラズマ電極５１はチャック５３を支持することができる。プラズマ電極５１及びチャック５３は円筒の形状であり得る。プラズマ電極５１は第１ＲＦパワー供給部ＥＤ１に連結されることができる。プラズマ電極５１は第１ＲＦパワー供給部ＥＤ１から第１ＲＦパワーを供給されることができる。プラズマ電極５１は導電性物質を含むことができる。例えば、プラズマ電極５１はアルミニウム（Ａｌ）を含むことができる。基板処理装置（図１の１）がＣＣＰ装置である場合、プラズマ電極５１は下部電極であり得る。また、シャワーヘッド（図１のＳＨ）が上部電極であり得る。
【0036】
電極本体５１１上にプラトー５１３が位置することができる。電極本体５１１及びプラトー５１３の各々は円筒の形状を有することができる。プラトー５１３の直径は電極本体５１１の直径より小さいことができる。即ち、電極本体５１１の上面の一部分が外部に露出されることができる。露出された電極本体５１１の上面上にフォーカスリングＦＲが位置することができる。即ち、電極本体５１１はフォーカスリングＦＲの一部を支持することができる。電極本体５１１の上面はフォーカスリングＦＲの第１下面ＢＳ１と同一平面上に位置することができる。
【0037】
チャック５３はプラズマ電極５１上に位置することができる。チャック５３の上面５３ｔ上に基板が提供されることができる。即ち、チャック５３は基板と接しながら、基板を支持及び固定することができる。チャック５３の上面５３ｔに基板を支持するための複数のバール（ｂｕｒｌ）構造が提供されることができる。チャック５３は電極を含むことができる。電極は静電気力を利用して基板をチャック５３上の一定位置に固定することができる。
【0038】
カップリングリング６は外側電極７を含むことができる。外側電極７はフォーカスリングＦＲの下に位置し、カップリングリング６内に位置することができる。外側電極７はリングリフトピン２と離隔されることができる。外側電極７はタングステン及び／又は白金を含むことができる。外側電極７は図１の第２ＲＦパワー供給部ＥＤ２に電気的に連結されることができる。外側電極７は第２ＲＦパワー供給部ＥＤ２から第２ＲＦパワーを供給されることができる。
【0039】
フォーカスリングＦＲの上面及び下面は段差を有することができる。即ち、フォーカスリングＦＲの上面はレベルが互いに異なる第１上面ＴＳ１及び第２上面ＴＳ２を含むことができる。フォーカスリングＦＲの下面はレベルが互いに異なる第１下面ＢＳ１及び第２下面ＢＳ２を含むことができる。第１上面ＴＳ１は第２上面ＴＳ２より低いレベルに位置することができる。第１下面ＢＳ１は第２下面ＢＳ２より低いレベルに位置することができる。フォーカスリングＦＲの内側面は第１上面ＴＳ１及び第１下面ＢＳ１の間に位置することができる。フォーカスリングＦＲの外側面は第２上面ＴＳ２及び第２下面ＢＳ２の間に位置することができる。本明細書で、レベルは第１方向Ｄ１への高さを意味することができる。
【0040】
フォーカスリングＦＲは静電チャック５、カップリングリング６、及び外側リング９の上に位置することができる。具体的に、フォーカスリングＦＲの第１下面ＢＳ１は露出された電極本体５１１の上面及びカップリングリング６の上面と同一平面上に位置することができる。フォーカスリングＦＲの第２下面ＢＳ２は外側リング９の一部上に位置することができる。
【0041】
フォーカスリングＦＲの第１上面ＴＳ１はチャック５３の上面５３ｔより低いレベルに位置することができる。これによって、基板が静電チャック５の上に位置するとき、基板はフォーカスリングＦＲの第１上面ＴＳ１と接しないことができる。フォーカスリングＦＲの第２上面ＴＳ２は外側リング９の上面９ｔより低いレベルに位置することができる。しかし、本発明はこれに制限されるものではない。即ち、フォーカスリングＦＲの第１上面ＴＳ１はチャック５３の上面５３ｔと同一平面上に又は高いレベルに位置することができる。フォーカスリングＦＲの第２上面ＴＳ２は外側リング９の上面９ｔと同一平面上に位置するか、又は高いことができる。
【0042】
図面に図示しなかったが、静電チャック５とフォーカスリングＦＲとの間に熱伝達パッド（未図示）が位置することができる。熱伝達パッドは温度を伝達しながら、接着剤機能を遂行することができる。即ち、熱伝達パッドは静電チャック５の温度をフォーカスリングＦＲに伝達することができ、フォーカスリングＦＲが動かないように固定させることができる。例えば、熱伝達パッドはシリコン（Ｓｉ）ベースの物質、ＣＮＴ（Ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ）及び／又はアルミニウム（Ａｌ）等のフィラーを含むことができるが、これに制限されるものではない。
【0043】
リングリフトピン２はフォーカスリングＦＲの下に位置することができる。リングリフトピン２はフォーカスリングＦＲの第２下面ＢＳ２と接することができる。リングリフトピン２は外側電極７の外側に位置することができる。平面視において、リングリフトピン２は外側電極７と重ならないとし得る。リングリフトピン２はカップリングリング６、グランドリング８、及び外側リング９を上下に貫通することができる。即ち、カップリングリング６、グランドリング８、及び外側リング９はピン挿入孔（未符号）を提供することができる。リングリフトピン２はピン挿入孔内に位置し、上下に移動することができる。
【0044】
【0045】
図３及び図４を参照すれば、フォーカスリングＦＲは第１方向Ｄ１に延びる中心軸ＣＡを有する回転体であり得る。フォーカスリングＦＲの内側面は中心軸ＣＡに向かうことができる。フォーカスリングＦＲの内側面は中心軸ＣＡが通る空間を定義することができる。フォーカスリングＦＲの外側面は中心軸ＣＡに反対になる方向に向かうことができる。フォーカスリングＦＲの内径は中心軸ＣＡを経てフォーカスリングＦＲの内側面ＩＳの間の距離を意味することができる。フォーカスリングＦＲの外径は中心軸ＣＡを経てフォーカスリングＦＲの外側面ＯＳの間の距離を意味することができる。即ち、中心軸ＣＡからフォーカスリングＦＲの内側面ＩＳまでの距離はフォーカスリングＦＲの内径の半分であるとし得る。中心軸ＣＡからフォーカスリングＦＲの外側面ＯＳまでの距離はフォーカスリングＦＲの外径の半分であるとし得る。
【0046】
基板リフトピン４は中心軸ＣＡが通る空間内に位置することができる。平面視において、基板リフトピン４はフォーカスリングＦＲと重ならないとし得る。基板リフトピン４は３つに提供されることができる。３つの基板リフトピン４は三角形の３頂点を形成することができる。即ち、３つの基板リフトピン４の間の角度は１２０°であり得る。
【0047】
リングリフトピン２はフォーカスリングＦＲの下に位置することができる。具体的に、リングリフトピン２はフォーカスリングＦＲの内側面よりフォーカスリングＦＲの外側面に隣接して位置することができる。リングリフトピン２は３つに提供されることができる。３つのリングリフトピン２は三角形の３頂点を形成することができる。即ち、３つのリングリフトピン２の間の角度は１２０°であり得る。したがって、３つのリングリフトピン２の配置は３つの基板リフトピン４の配置と類似であることができる。
【0048】
しかし、本発明はこれに制限されるものではない。即ち、基板リフトピン４の個数及び基板リフトピン４の間の角度は多様に提供されることができる。また、リングリフトピン２の数及びリングリフトピン２の間の角度は多様に提供されることができる。したがって、基板リフトピン４の配置とリングリフトピン２の配置が互いに異なることができる。
【0049】
【0050】
【0051】
図５を参照すれば、フォーカスリングＦＲの内側面ＩＳはフォーカスリングＦＲの第１上面ＴＳ１及び第１下面ＢＳ１の間に位置することができる。フォーカスリングＦＲの内側面ＩＳは第１内側面ＩＳ１及び第２内側面ＩＳ２を含むことができる。
【0052】
第１内側面ＩＳ１は第１上面ＴＳ１と直交することができる。即ち、第１内側面ＩＳ１と第１上面ＴＳ１との間の角度は９０°であり得る。再び言えば、第１内側面ＩＳ１は第１方向Ｄ１と平行であることができ、第１内側面ＩＳ１が第１方向Ｄ１となす角度は０°であり得る。
【0053】
第２内側面ＩＳ２は第１内側面ＩＳ１から延びることができる。即ち、第２内側面ＩＳ２は第１内側面ＩＳ１と接することができ、第１内側面ＩＳ１と第１下面ＢＳ１との間に位置することができる。第２内側面ＩＳ２と第１内側面ＩＳ１は互いに接する地点で１つの円周を共有することができる。第２内側面ＩＳ２は第１方向Ｄ１と一定の角度θをなすことができる。即ち、第２内側面ＩＳ２が第１方向Ｄ１となす角度θは第１内側面ＩＳ１が第１方向Ｄ１となす角度と互いに異なることができる。第２内側面ＩＳ２は第１方向Ｄ１と平行でないことができる。第２内側面ＩＳ２は第１上面ＴＳ１又は第１下面ＢＳ１と直交しないことができる。第２内側面ＩＳ２が第１方向Ｄ１となす角度θは鋭角であり得る。例えば、第２内側面ＩＳ２が第１方向Ｄ１となす角度θは０°より大きく約５°以下であるが、これに制限されるものではない。
【0054】
第１上面ＴＳ１は第１内径Ｒ１を有することができる。第１下面ＢＳ１は第２内径Ｒ２を有することができる。第１内径Ｒ１は第２内径Ｒ２より小さいことができる。即ち、第１上面ＴＳ１は第１下面ＢＳ１より静電チャック５にさらに隣接することができる。例えば、第１内径Ｒ１と第２内径Ｒ２の差は約０．０１ｍｍ乃至約０．５ｍｍであるが、これに制限されることではない。
【0055】
第１内側面ＩＳ１と静電チャック５の側面５ｓとの間の距離は第１距離Ｌ１であり得る。第２内側面ＩＳ２と静電チャック５の側面５ｓとの間の距離は第１上面ＴＳ１から第１下面ＢＳ１に行くほど、大きくなることができる。第２内側面ＩＳ２と静電チャック５の側面５ｓとの間の平均距離は第２距離Ｌ２であり得る。第１距離Ｌ１は第２距離Ｌ２より小さいことができる。即ち、第１内側面ＩＳ１は第２内側面ＩＳ２より静電チャック５の側面５ｓにさらに隣接することができる。静電チャック５の側面５ｓと第２内側面ＩＳ２との間に予備空間Ｓが提供されることができる。
【0056】
図６を参照すれば、第１内側面ＩＳ１は静電チャック５の側面５ｓに向かって膨らんでいる形状であり得る。再び言えば、第１内側面ＩＳ１は図３の中心軸ＣＡに向かって膨らんでいる形状であり得る。第１内側面ＩＳ１と静電チャック５の側面５ｓとの間の距離は第１上面ＴＳ１から第１下面ＢＳ１に行くほど、遠くなることができる。
【0057】
第２内側面ＩＳ２は第１内側面ＩＳ１から下に延び、第１方向Ｄ１と一定の角度θをなすことができる。即ち、第２内側面ＩＳ２は第１方向Ｄ１と平行でないことができる。したがって、第２内側面ＩＳ２が第１方向Ｄ１となす角度θは第１内側面ＩＳ１が第１方向Ｄ１となす角度と互いに異なることができる。第２内側面ＩＳ２と第１方向Ｄ１となす角度θは鋭角であり得る。例えば、第２内側面ＩＳ２と第１方向Ｄ１となす角度θは０°より大きく約５°以下であるが、これに制限されるものではない。
【0058】
第１内側面ＩＳ１と第２内側面ＩＳ２が接するところは第３内径Ｒ３を有することができる。第３内径Ｒ３は第１内径Ｒ１より大きいことができる。第３内径Ｒ３は第２内径Ｒ２よりは小さいことができる。即ち、第３内径Ｒ３は第１内径Ｒ１及び第２内径Ｒ２の間に位置することができる。
【0059】
これと異なり、第２内側面ＩＳ２が第１方向Ｄ１と平行であることができる。即ち、第２内側面ＩＳ２が第１方向Ｄ１となす角度が０°であり得る。この場合、第２内径Ｒ２は第３内径Ｒ３と実質的に同一であることができる。
【0060】
図７を参照すれば、フォーカスリングＦＲの内側面ＩＳは第３内側面ＩＳ３をさらに含むことができる。第３内側面ＩＳ３は第１内側面ＩＳ１及び第２内側面ＩＳ２の間に位置することができる。即ち、第３内側面ＩＳ３は第１内側面ＩＳ１から下に延びることができ、第２内側面ＩＳ２は第３内側面ＩＳ３から下に延びることができる。第１内側面ＩＳ１と第３内側面ＩＳ３は１つの円周を共有することができ、第３内側面ＩＳ３と第２内側面ＩＳ２は他の１つの円周を共有することができる。
【0061】
第１及び第２内側面ＩＳ１、ＩＳ２は第１方向Ｄ１と平行であることができる。即ち、第１及び第２内側面ＩＳ１、ＩＳ２は第１上面ＴＳ１又は第１下面ＢＳ１と直交することができる。第１内側面ＩＳ１は第２内側面ＩＳ２と互いに平行であることができる。第３内側面ＩＳ３は第１方向Ｄ１と一定の角度θをなすことができる。第３内側面ＩＳ３は第１方向Ｄ１と平行でないことができる。第３内側面ＩＳ３が第１方向Ｄ１となす角度θは鋭角であり得る。例えば、第３内側面ＩＳ３が第１方向Ｄ１となす角度θは０°より大きく約５°以下であり得る。しかし、本発明はこれに制限されるものではない。例えば、第２内側面ＩＳ２は第１方向Ｄ１と平行でなく、第２内側面ＩＳ２が第１方向Ｄ１となす角度は第３内側面ＩＳ３が第１方向Ｄ１となす角度と異なることができる。
【0062】
第１内側面ＩＳ１は第２及び第３内側面ＩＳ２、ＩＳ３より静電チャック５の側面５ｓと隣接することができる。第２内側面ＩＳ２は第１及び第３内側面ＩＳ１、ＩＳ３より静電チャック５の側面５ｓと離隔されることができる。
【0063】
図８を参照すれば、第３内側面ＩＳ３は静電チャック５の側面５ｓに向かって膨らんでいる形状であり得る。再び言えば、第３内側面ＩＳ３は図３の中心軸ＣＡに向かって膨らんでいる形状であり得る。第３内側面ＩＳ３と静電チャック５の側面５ｓとの間の距離は第１上面ＴＳ１から第１下面ＢＳ１に行くほど、大きくなることができる。
【0064】
第２内側面ＩＳ２は第１方向Ｄ１と一定の角度θをなすことができる。即ち、第２内側面ＩＳ２は第１方向Ｄ１と平行でないことができる。第２内側面ＩＳ２が第１方向Ｄ１となす角度θは第１内側面ＩＳ１が第１方向Ｄ１となす角度と互いに異なることができる。第２内側面ＩＳ２が第１方向Ｄ１となす角度θは鋭角であり得る。例えば、第２内側面ＩＳ２が第１方向Ｄ１となす角度θは０°より大きく約５°以下であるが、これに制限されるものではない。
【0065】
第２内側面ＩＳ２と第３内側面ＩＳ３が接するところは第３内径Ｒ３を有することができる。第３内径Ｒ３は第１内径Ｒ１より大きく、第２内径Ｒ２よりは小さいことができる。
【0066】
これと異なり、第２内側面ＩＳ２が第１方向Ｄ１と平行であることができる。即ち、第２内側面ＩＳ２が第１方向Ｄ１となす角度θが０°であり得る。この場合、第３内径Ｒ３は第２内径Ｒ２と実質的に同一であることができる。
【0067】
図５乃至図８を参照すれば、第１内径Ｒ１は第２内径Ｒ２より小さいことができる。即ち、第１上面ＴＳ１は第１下面ＢＳ１より静電チャック５の側面５ｓにさらに隣接することができる。また、第１内側面ＩＳ１が第２内側面ＩＳ２より静電チャック５にさらに隣接することができる。第１内側面ＩＳ１と静電チャック５の側面５ｓとの間の距離は第２内側面ＩＳ２と静電チャック５の側面５ｓとの間の距離より小さいことができる。フォーカスリングＦＲの上部はフォーカスリングＦＲの下部より静電チャック５に隣接するので、フォーカスリングＦＲが静電チャック５のいずれかの方向に偏るのを防止することができる。即ち、第１内側面ＩＳ１はフォーカスリングＦＲと静電チャック５を整列するのに使用される補助道具の機能を遂行することができる。したがって、本発明のフォーカスリングＦＲは補助道具なしで静電チャック５の中心とフォーカスリングＦＲの中心軸ＣＡを整列することができる。これによって、後述する半導体素子の製造方法において、基板上にプラズマが均一に生成されることができ、基板内の半導体素子のバラつきが改善されることができる。
【0068】
また、フォーカスリングＦＲと静電チャック５との間に予備空間Ｓが提供されることができる。具体的に、第２内側面ＩＳ２と静電チャック５の側面５ｓとの間に予備空間Ｓが提供されることができる。後述する半導体素子の製造方法で、半導体工程は高温で進行されるので、フォーカスリングＦＲが半導体工程進行中に熱膨張されることができる。即ち、予備空間ＳはフォーカスリングＦＲの熱膨張に備えた空間であり得る。したがって、予備空間ＳによってフォーカスリングＦＲが熱膨張によって割れることを防止することができる。
【0069】
また、第１内側面ＩＳ１は第１上面ＴＳ１と直交するか、又は実質的に直交することができる。再び言えば、第１内側面ＩＳ１と第１上面ＴＳ１との間の角度は約９０°であり得る。即ち、第１内側面ＩＳ１と第１上面ＴＳ１との間の角度が６０°以下の鋭角ではないので、フォーカスリングＦＲの第１上面と第１内側面ＩＳが接するところが鋭くない。これによって、フォーカスリングＦＲによる斬り事故が防止されることができ、ＲＦパワーが集中されないので、フォーカスリングＦＲのアーク放電（ａｒｃｉｎｇ）現象を防止することができる。
【0070】
図９を参照すれば、フォーカスリングＦＲの内側面ＩＳは第１上面ＴＳ１及び第１下面ＢＳ１の間に位置することができ、第１内側面ＩＳ１及び第２内側面ＩＳ２を含むことができる。第２内側面ＩＳ２は第１内側面ＩＳ１から延びることができ、第２内側面ＩＳ２と第１内側面ＩＳ１は互いに接するところで１つの円周を共有することができる。
【0071】
第１内側面ＩＳ１は第１方向Ｄ１と一定の角度θをなすことができる。即ち、第１内側面ＩＳ１は第１方向Ｄ１と平行でないことができる。第１内側面ＩＳ１と第１方向Ｄ１がなす角度θは鋭角であり得る。例えば、第１内側面ＩＳ１と第１方向Ｄ１がなす角度θは０°より大きく約５°以下であるが、これに制限されるものではない。したがって、第１内側面ＩＳ１と静電チャック５の側面５ｓとの間の距離は、第１上面ＴＳ１から第１下面ＢＳ１に行くにつれて近くなることができる。第１内側面ＩＳ１と静電チャック５の側面５ｓとの間の平均距離は第１距離Ｌ１であり得る。
【0072】
第２内側面ＩＳ２は第１方向Ｄ１と平行であることができる。したがって、第２内側面ＩＳ２と静電チャック５の側面５ｓとの間の距離は一定であることができる。第２内側面ＩＳ２と静電チャック５の側面５ｓとの間の距離は第２距離Ｌ２であり得る。第２距離Ｌ２は第１距離Ｌ１より小さいことができる。
【0073】
第１上面ＴＳ１は第１内径Ｒ１を有することができる。第１下面ＢＳ１は第２内径Ｒ２を有することができる。第１内径Ｒ１は第２内径Ｒ２より大きいことができる。例えば、第１内径Ｒ１と第２内径Ｒ２の差は約０．０１ｍｍ乃至０．５ｍｍであり得る。
【0074】
しかし、本発明はこれに制限されるものではない。即ち、第１内径Ｒ１が第２内径Ｒ２より大きい様々なフォーカスリングＦＲの実施形態が提供されることができる。例えば、図５乃至図８で説明したフォーカスリングＦＲを上下に逆にした形状であり得る。
【0075】
【0076】
【0077】
図１０を参照すれば、フォーカスリングＦＲの外側面ＯＳはフォーカスリングＦＲの第２上面ＴＳ２及び第２下面ＢＳ２の間に位置することができる。フォーカスリングＦＲの外側面ＯＳは第１外側面ＯＳ１及び第２外側面ＯＳ２を含むことができる。
【0078】
第１外側面ＯＳ１は第２上面ＴＳ２又は第２下面ＢＳ２と直交することができる。即ち、第１外側面ＯＳ１と第２上面ＴＳ２又は第２下面ＢＳ２との間の角度は９０°であり得る。再び言えば、第１外側面ＯＳ１は第１方向Ｄ１と平行であることができ、第１外側面ＯＳ１は第１方向Ｄ１となす角度は０°であり得る。したがって、第１外側面ＯＳ１と外側リング９の側面との間の距離は一定であることができる。
【0079】
第２外側面ＯＳ２は第１外側面ＯＳ１から下に延びることができる。即ち、第２外側面ＯＳ２は第１外側面ＯＳ１と接することができ、第１外側面ＯＳ１と第２下面ＢＳ２との間に位置することができる。第２外側面ＯＳ２と第１外側面ＯＳ１は互いに接するところで１つの円周を共有することができる。第２外側面ＯＳ２は第１方向Ｄ１と一定の角度θをなすことができる。即ち、第２外側面ＯＳ２が第１方向Ｄ１となす角度θは第１外側面ＯＳ１が第１方向Ｄ１となす角度と互いに異なることができる。第２外側面ＯＳ２は第１方向Ｄ１と平行でないことができる。第２外側面ＯＳ２は第２上面ＴＳ２又は第２下面ＢＳ２と直交しないことができる。したがって、第２外側面ＯＳ２と外側リング９との間の距離は上から下に行くほど、大きくなることができる。第２外側面ＯＳ２が第１方向Ｄ１となす角度θは鋭角であり得る。例えば、第２外側面ＯＳ２が第１方向Ｄ１となす角度θは０°より大きく約５°以下であるが、これに制限されるものではない。
【0080】
第２上面ＴＳ２は第１外径Ｒ４を有することができる。第２下面ＢＳ２は第２外径Ｒ５を有することができる。第１外径Ｒ４は第２外径Ｒ５より大きいことができる。即ち、第２上面ＴＳ２は第２下面ＢＳ２より外側リング９にさらに隣接することができる。再び言えば、第１外側面ＯＳ１は第２外側面ＯＳ２より外側リング９にさらに隣接することができる。
【0081】
しかし、本発明はこれに制限されるものではない。即ち、本発明のフォーカスリングＦＲの外側面ＯＳは様々な形状で提供されることができる。例えば、フォーカスリングＦＲの外側面ＯＳは図５乃至図８で説明したフォーカスリングＦＲの内側面ＩＳと左右に対称な形状であり得る。
【0082】
図１１は本発明の実施形態による基板処理装置を示す断面図である。図１２乃至図１４は本発明の実施形態による静電チャック及びフォーカスリングを説明するための拡大図であって、図１１のＤ領域を拡大した図面である。
【0083】
図１１を参照すれば、基板処理装置１が提供されることができる。基板処理装置１内に基板Ｗが位置することができる。基板Ｗは静電チャック５上に位置することができ、静電チャック５に固定されることができる。静電チャック５は図１の静電チャックと互いに異なる直径を有することができる。静電チャック５を除いた基板処理装置１の残りの構成は図１で説明したことと実質的に同一であることができる。
【0084】
図１２を参照すれば、静電チャック５の上に図１１の基板Ｗが位置する前の状態であり得る。静電チャック５はプラズマ電極５１及びプラズマ電極５１上のチャック５３を含むことができる。プラズマ電極５１は電極本体５１１及び電極本体５１１上のプラトー５１３を含むことができる。静電チャック５の電極本体５１１、プラトー５１３、及びチャック５３は図２で説明したことと実質的に同様に機能することができる。即ち、プラズマ電極５１は基板処理装置１の下部電極であり得る。チャック５３は静電気力を利用して基板Ｗを固定させることができる。
【0085】
静電チャック５及びチャック５３は円筒型の形状を有することができる。平面視において、チャック５３は円形の形状を有することができる。中心軸ＣＡからチャック５３の側面５３ｓまでの距離はチャック５３の半径Ｒ６であり得る。チャック５３の直径は中心軸ＣＡを経てチャック５３の側面５３ｓから反対側のチャック５３の側面５３ｓまでの距離であり得る。チャック５３の下に位置するプラトー５１３はチャック５３と実質的に同一な直径を有することができる。即ち、プラトー５１３の側面はチャック５３の側面５３ｓと整列されることができる。例えば、チャック５３の直径は約２９８．６ｍｍ乃至約３００ｍｍであり得る。
【0086】
フォーカスリングＦＲは電極本体５１１及びチャック５３の側面５３ｓ上に位置することができる。フォーカスリングＦＲはチャック５３と水平方向（例えば、第２方向Ｄ２）に離隔されることができる。フォーカスリングＦＲはレベルが互いに異なる第１上面ＴＳ１及び第２上面ＴＳ２を含むことができる。フォーカスリングＦＲは第１方向Ｄ１となす角度が互いに異なる第１内側面ＩＳ１及び第２内側面ＩＳ２を含むことができる。第１内側面ＩＳ１は第１上面ＴＳ１と接することができ、第１方向Ｄ１と平行であることができる。第２内側面ＩＳ２は第１内側面ＩＳ１から下に延長され、第１方向Ｄ１と平行でないことができる。第２内側面ＩＳ２は第１方向Ｄ１と鋭角をなすことができる。即ち、フォーカスリングＦＲの形状は図５乃至図８で説明したことと実質的に同一であるか、或いは類似でることができる。
【0087】
図１３を参照すれば、静電チャック５上に基板が位置し、基板処理装置１内にプラズマＰＬが形成された状態であり得る。図面上の基板Ｗは基板Ｗのエッジ（ｅｄｇｅ）領域であり得る。平面視において、基板Ｗのエッジ領域は基板Ｗの中心領域を囲むことができる。フォーカスリングＦＲは半導体工程が遂行される前の初期状態であり得る。
【0088】
基板Ｗはチャック５３の上面５３ｔの上に位置し、チャック５３と接することができる。平面視において、基板Ｗは円形の形状を有することができる。中心軸ＣＡから基板Ｗの側面Ｗｓまでの距離は基板Ｗの半径Ｒ７であり得る。基板Ｗの半径Ｒ７はチャック５３の半径Ｒ６と同一であることができる。即ち、基板Ｗの直径はチャック５３の直径と実質的に同一であることができる。これによって、基板Ｗの側面Ｗｓはチャック５３の側面５３ｓと整列されることができる。したがって、チャック５３の上面５３ｔは基板ＷによってプラズマＰＬに露出されないので、チャック５３がプラズマＰＬによって破損されることが防止されることができる。
【0089】
他の実施形態によれば、基板Ｗの直径はチャック５３の直径より大きいことができる。例えば、基板Ｗの直径とチャック５３の直径の差は約１．４ｍｍ以下であり得る。この場合にも、チャック５３の上面５３ｔは基板Ｗによって完全に覆われるので、チャック５３がプラズマＰＬによって破損されることが防止されることができる。
【0090】
基板Ｗ及びフォーカスリングＦＲ上にプラズマＰＬが形成されることができる。プラズマＰＬは図１１の第１ＲＦパワー供給部ＥＤ１によって発生した電場及びプロセスガスで形成されることができる。基板Ｗ上のプラズマシース（ｐｌａｓｍａ ｓｈｅａｔｈ）は第１厚さＴ１を有することができる。フォーカスリングＦＲ上のプラズマシースは第２厚さＴ２を有することができる。第１厚さＴ１は第２厚さＴ２と実質的に同一であることができる。本明細書で、プラズマシースは陽イオン及び中性子の数が電子の数より相対的に多い領域であり得る。
【0091】
基板Ｗの上面Ｗｔと基板Ｗ上のプラズマＰＬ１との間の距離は基板Ｗ上のプラズマシースの第１厚さＴ１であり得る。フォーカスリングＦＲの第２上面ＴＳ２とフォーカスリングＦＲ上のプラズマＰＬ２との間の距離はフォーカスリングＦＲ上のプラズマシースの第２厚さＴ２であり得る。即ち、基板Ｗの上面Ｗｔと基板Ｗ上のプラズマＰＬ１との間の距離はフォーカスリングＦＲの第２上面ＴＳ２とフォーカスリングＦＲ上のプラズマＰＬ２との間の距離と実質的に同一であることができる。また、基板Ｗの上面ＷｔはフォーカスリングＦＲの第２上面ＴＳ２と同一平面上に位置することができる。これによって、一定のレベルを有するプラズマＰＬが形成されることができる。即ち、段差がないプラズマＰＬが形成されることができる。
【0092】
再び言えば、基板Ｗ上のプラズマＰＬ１の第１方向Ｄ１への高さは一定であることができる。これによって、基板Ｗ上のプラズマＰＬ１に存在するイオンは第１方向Ｄ１と平行に基板Ｗ上に移動することができる。フォーカスリングＦＲ上のプラズマＰＬ２の第１方向Ｄ１への高さも一定であるので、フォーカスリングＦＲ上のプラズマＰＬ２に存在するイオンは第１方向Ｄ１と平行にフォーカスリングＦＲ上に移動することができる。
【0093】
図１４を参照すれば、静電チャック５上に基板Ｗが位置し、基板処理装置１内にプラズマＰＬが形成された状態であり得る。図面上の基板Ｗは基板Ｗのエッジ領域であり得る。平面視において、基板Ｗのエッジ領域は基板Ｗの中心領域を囲むことができる。フォーカスリングＦＲは半導体工程が複数回遂行された後の状態であり得る。半導体工程によってフォーカスリングＦＲの上面がエッチングされることができる。即ち、フォーカスリングＦＲの第３上面ＴＳ３は図１３のフォーカスリングＦＲの第２上面ＴＳ２がプラズマＰＬによってエッチングされて形成されることができる。これによって、フォーカスリングＦＲの第３上面ＴＳ３はフォーカスリングＦＲの第２上面ＴＳ２より低いレベルに位置することができる。
【0094】
基板Ｗ及びフォーカスリングＦＲ上にプラズマＰＬが形成されることができる。基板Ｗ上のプラズマシースは第１厚さＴ１を有することができる。フォーカスリングＦＲ上のプラズマシースは第２厚さＴ２を有することができる。第１厚さＴ１は第２厚さＴ２と実質的に同一であることができる。基板Ｗの上面Ｗｔと基板Ｗ上のプラズマＰＬ１との間の距離は基板Ｗ上のプラズマシースの第１厚さＴ１であり得る。フォーカスリングＦＲの第３上面ＴＳ３とフォーカスリングＦＲ上のプラズマＰＬ２との間の距離はフォーカスリングＦＲ上のプラズマシースの第２厚さＴ２であり得る。即ち、基板Ｗの上面Ｗｔと基板Ｗ上のプラズマＰＬ１との間の距離はフォーカスリングＦＲの第３上面ＴＳ３とフォーカスリングＦＲ上のプラズマＰＬ２との間の距離と実質的に同一であることができる。但し、基板Ｗの上面ＷｔはフォーカスリングＦＲの第３上面ＴＳ３より高いレベルに位置することができる。これによって、基板Ｗ上のプラズマＰＬ１はフォーカスリングＦＲ上のプラズマＰＬ２より高いレベルに位置することができる。即ち、プラズマＰＬは第１方向Ｄ１に段差を有することができる。
【0095】
再び言えば、複数回の半導体工程が遂行されることによってフォーカスリングＦＲの上面のレベルが低くなるが、基板Ｗの上面Ｗｔのレベルは一定であることができる。即ち、半導体工程が遂行されることにつれてフォーカスリングＦＲの上面は基板Ｗの上面Ｗｔより低くなることができる。これによって、フォーカスリングＦＲ上のプラズマＰＬ２が生成される位置が下がることができる。即ち、基板Ｗ上のプラズマＰＬ１の高さとフォーカスリングＦＲ上のプラズマＰＬ２の高さが互いに異なるので、基板Ｗ上のプラズマＰＬ１とフォーカスリングＦＲ上のプラズマＰＬ２との間に傾いたプラズマＰＬ３が形成されることができる。傾いたプラズマＰＬ３はチャック５３と第２方向Ｄ２に離隔されることができる。平面視において、傾いたプラズマＰＬ３とチャック５３は重ならないことができる。
【0096】
傾いたプラズマＰＬ３の第１方向Ｄ１への高さは一定でないことがあり得る。傾いたプラズマＰＬ３の第１方向Ｄ１への高さは基板Ｗに隣接するほど、高くなることができる。これによって、傾いたプラズマＰＬ３に存在するイオンは第１方向Ｄ１と一定の角度を有しながら、移動することができる。即ち、傾いたプラズマＰＬ３に存在するイオンは傾いた方向に移動することができる。
【0097】
本発明のチャック５３は基板Ｗと実質的に同一な直径を有するので、チャック５３の側面５３ｓは基板Ｗの側面Ｗｓと整列されることができる。傾いたプラズマＰＬ３はチャック５３と第２方向Ｄ２に離隔されて位置するので、傾いたプラズマＰＬ３は基板Ｗと第２方向Ｄ２に離隔されて位置することができる。平面視において、傾いたプラズマＰＬ３は基板Ｗと重ならないことができる。これによって、傾いた方向を有するイオンは基板Ｗの上面Ｗｔ上に移動しないとし得る。即ち、基板Ｗのエッジ領域と中心領域の全ては第１方向Ｄ１と平行に移動するイオンが到達することができる。これによって、エッジ領域の半導体パターンと中心領域の半導体パターンが同一な形状に形成されることができる。したがって、基板Ｗ内の半導体パターンのバラつきが改善されることができる。
【0098】
また、温度制御ガスは静電チャック５からチャック５３の上面５３ｔと基板Ｗの下面との間に供給されることができる。温度制御ガスは静電チャック５の温度を基板Ｗに伝達する媒介体であり得る。例えば、温度制御ガスはヘリウム（Ｈｅ）を含むことができる。本発明のチャック５３は基板Ｗと実質的に同一な直径を有するので、基板Ｗのエッジ領域まで温度制御ガスが到達することができる。これによって、エッジ領域の温度が制御されることができる。したがって、基板Ｗ内の半導体パターンのバラつきが改善されることができる。
【0099】
図１５は本発明の実施形態による半導体素子の製造方法を示す順序図である。
【0100】
図１５を参照すれば、半導体素子の製造方法が提供されることができる。半導体素子の製造方法は図１で説明した基板処理装置１及び図１乃至図１０で説明したフォーカスリングＦＲを利用して半導体素子を製造する方法を意味することができる。半導体素子の製造方法は基板をローディングすること（Ｓ１０）、半導体工程を遂行すること（Ｓ２０）、基板を除去すること（Ｓ３０）、及びフォーカスリングを交換すること（Ｓ４０）を含むことができる。以下では図１６乃至図２２を参照して図１５の半導体素子の製造方法を詳細に説明する。
【0101】
図１６乃至図２０は図１５の順序図にしたがう半導体素子の製造方法を順番に示す断面図である。図２１及び図２２は本発明の実施形態によるフォーカスリングを説明するための拡大図であって、図２０のＥ領域を拡大した図面である。
【0102】
図１６及び図１７を参照すれば、基板をローディングすること（Ｓ１０）は基板リフトピン駆動部ＷＰＭによって上昇した基板リフトピン４上に基板Ｗを配置すること、基板リフトピン駆動部ＷＰＭによって基板リフトピン４を下降して静電チャック５上に基板Ｗを配置すること、及び静電チャック５上に基板Ｗを固定することを含むことができる。基板Ｗはシリコン（Ｓｉ）ウエハ等を意味することができるが、これに制限されるものではない。
【0103】
具体的に、基板Ｗはロボットアーム（図示せず）等によってプロセスチャンバーＣＨ内に入ることができる。基板ＷがロボットアームによってプロセスチャンバーＣＨ内に入ると、基板リフトピン４が基板リフトピン駆動部ＷＰＭによって第１方向Ｄ１に上昇することができる。即ち、基板リフトピン４が上昇しながら、基板Ｗの下面と接することができ、基板Ｗもやはり第１方向Ｄ１に上昇することができる。即ち、上昇した基板リフトピン４上に基板Ｗが配置されることができ、基板Ｗとロボットアームが離隔されることができる。その後、ロボットアームはプロセスチャンバーＣＨ内で除去されることができる。
【0104】
基板リフトピン４は基板リフトピン駆動部ＷＰＭによって第１方向Ｄ１に下降することができる。これによって、基板Ｗが第１方向Ｄ１に下降することができ、基板Ｗは静電チャック５上に配置されることができる。基板Ｗが静電チャック５上に配置されると、静電チャック５のチャック（図２の５３）はチャック電極が提供する静電気力を利用して基板Ｗを固定させることができる。
【0105】
基板をローディングすること（Ｓ１０）は静電チャック５の側面と基板Ｗの側面が整列されることを含むことができる。図１１乃至図１４を参照すれば、静電チャック５のチャック５３の直径は基板Ｗの直径と実質的に同一であることができる。これによって、静電チャック５のチャック５３上に基板Ｗが位置するとき、基板Ｗの側面Ｗｓとチャック５３の側面５３ｓは整列されることができる。
【0106】
図１８を参照すれば、半導体工程を遂行すること（Ｓ２０）はプロセスチャンバーＣＨ内にプロセスガスを供給すること、プラズマ電極（図２の５１）に第１ＲＦパワーを供給すること、及び外側電極（図２の７）に第２ＲＦパワーを供給することを含むことができる。
【0107】
プロセスチャンバーＣＨ内にプロセスガスを供給することはガス供給部ＧＳがプロセスチャンバーＣＨ内にプロセスガスを供給することを含むことができる。具体的に、プロセスガスはガス流入口ＧＩ、分配空間ＤＨ、及びシャワーヘッドＳＨの分配口ＧＨを経て基板Ｗ上に移動することができる。その後、プロセスガスは限定リングＣＲのスリットＣＲｅを通じてプロセスチャンバーＣＨの下に移動して外部に排出されることができる。平面視において、シャワーヘッドＳＨの分配口ＧＨは２次元的に配列されることができる。これによって、基板Ｗ上にプロセスガスが均一に供給されることができる。
【0108】
プラズマ電極（図２の５１）に第１ＲＦパワーを供給することは第１ＲＦパワー供給部ＥＤ１によって遂行されることができる。第１ＲＦパワーが印加されたプラズマ電極（図２の５１）は基板Ｗ上の空間に電場を形成することができる。電場及びプロセスガスによって基板Ｗ上の空間にプラズマＰＬが形成されることができる。例えば、半導体工程はプラズマＰＬを利用した半導体工程であり、具体的にプラズマＰＬを利用したエッチング工程であり得る。したがって、プラズマＰＬによって基板Ｗの上面の一部がエッチングされることができる。
【0109】
外側電極（図２の７）に第２ＲＦパワーを供給することは第２ＲＦパワー供給部ＥＤ２によって遂行されることができる。第２ＲＦパワーは第１ＲＦパワーと区分されることができる。例えば、第１ＲＦパワーの周波数は約６０ＭＨｚであり、第２ＲＦパワーの周波数は約４００ｋＨｚであるが、これに制限されるものではない。外側電極（図２の７）に印加された第２ＲＦパワーによって、外側電極（図２の７）上の空間に電場が形成されることができる。これによって、外側電極（図２の７）上の空間にあるプラズマＰＬの挙動が制御されることができる。したがって、基板Ｗの中心と縁領域との間のバラつきが改善されることができる。
【0110】
再び図１６を参照すれば、基板を除去すること（Ｓ３０）は基板Ｗを固定させる静電気力を除去すること及び基板ＷをプロセスチャンバーＣＨの外部に移送することを含むことができる。
【0111】
具体的に、静電気力を除去して静電チャック５と基板Ｗとの間の結合力が除去されることができる。その後、基板リフトピン駆動部ＷＰＭによって基板リフトピン４が第１方向Ｄ１に上昇して基板Ｗと静電チャック５を離隔させることができる。上昇された基板ＷはロボットアームによってプロセスチャンバーＣＨの外部に移送されることができる。即ち、基板を除去すること（Ｓ３０）は基板をローディングすること（Ｓ１０）と逆順に進行されることができる。
【0112】
図１９及び図２０を参照すれば、フォーカスリングを交換すること（Ｓ４０）はフォーカスリングＦＲを持ち上げること、フォーカスリングＦＲをプロセスチャンバーＣＨの外部に移送すること、新しいフォーカスリングＦＲをプロセスチャンバーＣＨの内部に移送すること、及びフォーカスリングＦＲを下降させることを含むことができる。
【0113】
フォーカスリングＦＲを持ち上げることはリングリフトピン２及びリングリフトピン駆動部ＲＰＭによって遂行されることができる。具体的に、リングリフトピン駆動部ＲＰＭによってリングリフトピン２が第１方向Ｄ１に上昇することができる。図２で説明したように、リングリフトピン２はフォーカスリングＦＲの第２下面ＢＳ２と接することができる。これによって、リングリフトピン２が上昇しながら、フォーカスリングＦＲを持ち上げることができ、静電チャック５の側面、カップリングリング６の上面、及び外側リング９の側面が外部に露出されることができる。
【0114】
フォーカスリングＦＲをプロセスチャンバーＣＨの外部に移送することはロボットアーム等によって遂行されることができる。具体的に、ロボットアームがプロセスチャンバーＣＨ内に入ると、リングリフトピン２がリングリフトピン駆動部ＲＰＭによって第１方向Ｄ１に下降することができる。これによって、フォーカスリングＦＲがロボットアーム上に位置することができる。その後、ロボットアームはフォーカスリングＦＲをプロセスチャンバーＣＨの外部に移送することができる。
【0115】
フォーカスリングＦＲをプロセスチャンバーＣＨの内部に移送することはロボットアーム等によって遂行されることができる。具体的に、プロセスチャンバーＣＨの外部でロボットアーム上に新しいフォーカスリングＦＲを位置させることができる。その後、ロボットアームは新しいフォーカスリングＦＲをプロセスチャンバーＣＨの内部に移送することができる。リングリフトピン２がリングリフトピン駆動部ＲＰＭによって再び第１方向Ｄ１に上昇することができる。これによって、新しいフォーカスリングＦＲはリングリフトピン２と接しながら、第１方向Ｄ１に上昇することができる。即ち、新しいフォーカスリングＦＲはロボットアームと離隔されることができる。その後、ロボットアームはプロセスチャンバーＣＨ内で除去されることができる。
【0116】
即ち、フォーカスリングＦＲをプロセスチャンバーＣＨの外部に移送すること及びフォーカスリングＦＲをプロセスチャンバーＣＨの内部に移送することは先に説明した基板を除去すること（Ｓ３０）及び基板をローディングすること（Ｓ１０）と類似な段階であり得る。
【0117】
図２０乃至図２２を参照すれば、フォーカスリングＦＲを下降させることはフォーカスリングＦＲの第２内側面ＩＳ２の少なくとも一部が静電チャック５と接すること及び静電チャック５の中心とフォーカスリングＦＲの中心軸ＣＡが整列されることを含むことができる。
【0118】
具体的に、フォーカスリングＦＲはリングリフトピン２上に位置することができる。リングリフトピン２はリングリフトピン駆動部ＲＰＭによって第１方向Ｄ１に下降することができる。これによって、フォーカスリングＦＲは第１方向Ｄ１に下降することができる。フォーカスリングＦＲが第１方向Ｄ１に下降しながら、第１下面ＢＳ１がチャック５３の上面５３ｔより低いレベルに位置することができる。この場合、フォーカスリングＦＲの中心軸ＣＡは静電チャック５の中心と整列されない状態であり得る。即ち、平面視において、フォーカスリングＦＲの内側面ＩＳと静電チャック５の側面５ｓとの間の距離はすべての方向で一定でないことがあり得る。これによって、フォーカスリングＦＲが第１方向Ｄ１に下降しながら、内側面ＩＳの少なくとも一部が静電チャック５と接することができる。より具体的に、フォーカスリングＦＲが第１方向Ｄ１に下降する時、フォーカスリングＦＲの第２内側面ＩＳ２の少なくとも一部が静電チャック５と接することができる。
【0119】
第２内側面ＩＳ２は第１方向Ｄ１と平行でないことができる。第２内側面ＩＳ２は第１方向Ｄ１と一定の角度θをなすことができる。第２内側面ＩＳ２が第１方向Ｄ１となす角度θは鋭角であり得る。即ち、第２内側面ＩＳ２は第１方向Ｄ１に対して傾いた面であり得る。これによって、フォーカスリングＦＲの第２内側面ＩＳ２が静電チャック５と接しながら、下降する時、フォーカスリングＦＲは第２方向Ｄ２又は第２方向Ｄ２の反対方向に移動することができる。即ち、第２内側面ＩＳ２がチャック５３の上面５３ｔより低くなる時までフォーカスリングＦＲは第２方向Ｄ２又は第２方向Ｄ２の反対方向に移動することができる。したがって、フォーカスリングＦＲは第２方向Ｄ２又は第２方向Ｄ２の反対方向に移動しながら、フォーカスリングＦＲの中心軸ＣＡと静電チャック５の中心が整列されることができる。
【0120】
その後、フォーカスリングＦＲはフォーカスリングＦＲの第１上面ＴＳ１がチャック５３の上面５３ｔより低いレベルに位置する時まで下降することができる。即ち、フォーカスリングを交換すること（Ｓ４０）が終了されると、フォーカスリングＦＲの第１上面ＴＳ１はチャック５３の上面５３ｔより低いレベルに位置することができる。
【0121】
一実施形態によれば、フォーカスリングＦＲは複数の部材で構成されることができる。例えば、フォーカスリングＦＲは第１リング及び第２リングを含むことができる。この場合、フォーカスリングを交換すること（Ｓ４０）はフォーカスリングＦＲの全部を交換すること又はフォーカスリングＦＲの一部を交換することを含むことができる。
【0122】
一実施形態によれば、フォーカスリングを交換すること（Ｓ４０）は基板をローディングすること（Ｓ１０）、半導体プロセスを遂行すること（Ｓ２０）、及び基板を除去すること（Ｓ３０）が複数回繰り返された後に進行されることができる。即ち、複数の基板Ｗに対して半導体プロセスを遂行した後、フォーカスリングＦＲが交換されることができる。
【0123】
本発明のフォーカスリングＦＲによれば、フォーカスリングＦＲを下降しながら、フォーカスリングＦＲの中心軸ＣＡと静電チャック５の中心が自動的に整列されることができる。即ち、フォーカスリングＦＲを基板処理装置１内に設置する過程で補助道具が必要でないことができる。フォーカスリングＦＲと静電チャック５はすべての方向で常に一定の間隔に整列されることができる。したがって、リングリフトピン２とリングリフトピン駆動部ＲＰＭ及びロボットアームのみを利用してフォーカスリングＦＲを交換することができる。即ち、プロセスチャンバーＣＨの内部の雰囲気を維持しながら、フォーカスリングＦＲのみを交換することができるので、基板処理装置１のバックアップ時間を短縮して生産量を向上させることができる。
【0124】
また、フォーカスリングＦＲと静電チャック５が自動的に整列されるので、静電チャック５上に基板Ｗが自動的に整列されることができる。即ち、チャック５３が基板Ｗと実質的に同一な直径を有しても、チャック５３の上面５３ｔが基板Ｗによって完全に覆われることができる。したがって、図１３乃至図１４で説明したことと実質的に同一な効果を得ることができるので、基板Ｗ内のバラつきが改善されることができる。
【0125】
以上、添付された図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更しなくとも他の具体的な形態に実施できることを理解することができる。したがって、以上で記述した実施形態はすべての面で例示的なことであり、限定的ではないことと理解しなければならない。
【符号の説明】
【0126】
２ リングリフトピン
４ 基板リフトピン
５ 静電チャック
５１ プラズマ電極
５１１ 電極本体
５１３ プラトー
５３ チャック
６ カップリングリング
７ 外側電極
８ グランドリング
９ 外側リング
ＣＨ プロセスチャンバー
ＥＤ１、ＥＤ２ ＲＦパワー供給部
ＦＲ フォーカスリング
ＳＨ シャワーヘッド
４ 基板リフトピン
５ 静電チャック
５１ プラズマ電極
５１１ 電極本体
５１３ プラトー
５３ チャック
６ カップリングリング
７ 外側電極
８ グランドリング
９ 外側リング
ＣＨ プロセスチャンバー
ＥＤ１、ＥＤ２ ＲＦパワー供給部
ＦＲ フォーカスリング
ＳＨ シャワーヘッド
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】