特開 2024-121608 電気光学装置、および電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024121608

(43)【公開日】2024-09-06

(54)【発明の名称】電気光学装置、および電子機器

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1335 20060101AFI20240830BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240830BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20240830BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1335

G09F9/30 338

G09F9/30 349Z

G09F9/30 348A

G02F1/1368

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023028802

(22)【出願日】2023-02-27

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003177

【氏名又は名称】弁理士法人旺知国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】古我 祐貴

【テーマコード（参考）】

2H192

2H291

5C094

【Ｆターム（参考）】

2H192AA24

2H192BC42

2H192CB02

2H192DA15

2H192DA43

2H192DA52

2H192EA15

2H192FA73

2H192FB03

2H192FB05

2H192FB33

2H192GD46

2H192GD47

2H192JA06

2H192JA13

2H192JA17

2H192JA33

2H192JB02

2H291FA13Y

2H291FA56Y

2H291FA62Y

2H291FA64Y

2H291FA81Z

2H291FD27

2H291GA04

2H291GA05

2H291GA10

2H291GA19

2H291HA06

2H291HA11

2H291HA13

2H291HA15

2H291LA31

2H291LA40

2H291MA13

5C094AA31

5C094AA42

5C094BA43

5C094DA13

5C094DA15

5C094DB01

5C094EA04

5C094EA10

5C094ED01

5C094FA01

5C094FB02

5C094FB12

5C094FB15

5C094JA08

(57)【要約】

【課題】品質信頼性の低下が抑制された電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、ドレイン領域を含むトランジスターと、前記トランジスターに対応して設けられる画素電極と、前記トランジスターと前記画素電極との間の層に配置され、酸窒化ケイ素を含むレンズ層と、前記レンズ層と前記画素電極との間の層に配置され、第１導電部を介して前記画素電極に電気的に接続される第１中継電極と、前記レンズ層と前記第１中継電極との間の層に配置され、前記レンズ層に接触するパッシベーション膜と、前記レンズ層および前記パッシベーション膜を貫通する貫通孔に配置され、前記第１中継電極に電気的に接続される第２導電部と、を備える。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ドレイン領域を含むトランジスターと、
前記トランジスターに対応して設けられる画素電極と、
前記トランジスターと前記画素電極との間の層に配置され、酸窒化ケイ素を含むレンズ層と、
前記レンズ層と前記画素電極との間の層に配置され、第１導電部を介して前記画素電極に電気的に接続される第１中継電極と、
前記レンズ層と前記第１中継電極との間の層に配置され、パッシベーション膜と、
前記レンズ層および前記パッシベーション膜を貫通する貫通孔に配置され、前記第１中継電極に電気的に接続される第２導電部と、
を備える、
ことを特徴とする電気光学装置。

【請求項2】

前記パッシベーション膜は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含む、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項3】

前記第２導電部は、タングステンを含む、
請求項１または２に記載の電気光学装置。

【請求項4】

前記パッシベーション膜の平均厚さは、前記レンズ層の平均厚さよりも薄い、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項5】

前記パッシベーション膜の平均厚さは、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、
請求項１または４に記載の電気光学装置。

【請求項6】

前記第１導電部と前記第２導電部とは、平面視で異なる箇所に配置される、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項7】

前記トランジスターと前記レンズ層との間の層に配置され、前記第２導電部を介して前記第１中継電極と電気的に接続される第２中継電極をさらに備え、
前記第１中継電極と前記第２中継電極とは、平面視で重なる、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項8】

前記トランジスターと前記第２中継電極との間の層に配置される第３中継電極と、
前記第２中継電極と前記第３中継電極とを電気的に接続する第３導電部と、をさらに備え、
前記第２導電部と前記第３導電部とは、平面視で重なる、
請求項７に記載の電気光学装置。

【請求項9】

前記トランジスターと前記レンズ層との間の層に配置され、前記レンズ層に接触する透光層と、
前記トランジスターと前記透光層との間の層に配置される第３中継電極と、
前記第２導電部と前記第３中継電極とを電気的に接続する第３導電部と、をさらに備え、
前記第２導電部と前記第３導電部とは、平面視で重なり、互いに接続される、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項10】

前記レンズ層は、複数のレンズ面と、前記複数のレンズ面とは反対側の平坦面とを有し、
前記パッシベーション膜は、前記平坦面に接触する、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項11】

請求項１に記載の電気光学装置と、
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電気光学装置、および電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

プロジェクター等の電子機器には、例えば、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶表示装置等の電気光学装置が用いられる。当該電気光学装置の例として、特許文献１に記載の電気光学装置が知られている。

【0003】

当該文献の電気光学装置は、第１基板と第２基板とこれら基板の間に配置された液晶層とを有する。第２基板は、石英基板等の基板本体と、スイッチング素子と、中継電極と、レンズ部と、画素電極と、導電部とを有する。スイッチング素子と、中継電極と、レンズ部と、画素電極とは、基板本体からこの順に並ぶ。また、中継電極は、スイッチング素子のドレイン領域に電気的に接続される。また、中継電極と画素電極とは、導電部を介して電気的に接続される。よって、画素電極は、中継電極および導電部を介してスイッチング素子のドレイン領域に電気的に接続されている。また、レンズ層は、酸窒化ケイ素を含む。

【0004】

レンズを貫通する貫通孔の内部に導電部を設けることで、レンズ部のような厚みが必要な箇所において、ドレイン領域と画素電極とを電気的に接続することが可能となる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０２１－１６７８８４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

当該文献に記載の第２基板は、例えば、以下のようにして製造することができる。例えば、石英基板等のウエハー上に、スイッチング素子と中継電極とレンズ部と画素電極と導電部とを含む素子部を複数形成し、ウエハーを素子部ごとに個片化する。個片化することにより、複数の第２基板が得られる。

【0007】

この第２基板の製造において、レンズ部を貫通する貫通孔の内部およびレンズ部の上面に導電膜を形成した後、当該導電膜の一部を除去することにより、当該貫通孔に設けられた導電部が形成される。この導電部の形成の際、ウエハーの外周部において導電部の膜剥がれが発生するという問題がある。

【0008】

鋭意検討した結果、レンズ層が酸窒化ケイ素を含む場合、窒素抜けによりレンズ層と導電膜の密着性が変化するため、膜剥がれが生じていると考えられた。この剥がれた膜は、レンズ部に微細な傷を付けたり、アーキングの原因となるおそれがある。この結果、第２基板の歩留まりが低下し、よって、電気光学装置の品質信頼性が低下するおそれがある。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の電気光学装置の一態様は、ドレイン領域を含むトランジスターと、前記トランジスターに対応して設けられる画素電極と、前記トランジスターと前記画素電極との間の層に配置され、酸窒化ケイ素を含むレンズ層と、前記レンズ層と前記画素電極との間の層に配置され、第１導電部を介して前記画素電極に電気的に接続される第１中継電極と、前記レンズ層と前記第１中継電極との間の層に配置され、前記レンズ層に接触するパッシベーション膜と、前記レンズ層および前記パッシベーション膜を貫通する貫通孔に配置され、前記第１中継電極に電気的に接続される第２導電部と、を備える。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】第１実施形態に係る電気光学装置の平面図である。

【図2】図１に示す電気光学装置のＡ－Ａ線の断面図である。

【図3】図１の第１基板の電気的な構成を示す等価回路図である。

【図4】図２の第１基板の表示領域における断面構造を示す図である。

【図5】図２の複数の画素電極、半導体層、および第２容量電極の平面的な配置を示す図である。

【図6】図４の第１基部の一部を示す図である。

【図7】図６の第１基部の一部を示す平面図である。

【図8】図６の第１基板の一部の製造方法の流れを示す図である。

【図9】透光層形成工程を説明するための図である。

【図10】レンズ層形成工程を説明するための図である。

【図11】パッシベーション膜形成工程を説明するための図である。

【図12】貫通孔形成工程を説明するための図である。

【図13】第２導電部形成工程を説明するための図である。

【図14】第２導電部形成工程を説明するための図である。

【図15】第１中継電極形成工程を説明するための図である。

【図16】第１中継電極形成工程を説明するための図である。

【図17】変形例の第２導電部を示す断面図である。

【図18】第２実施形態の第１基板の一部を示す断面図である。

【図19】第３実施形態の第１基部の一部を示す断面図である。

【図20】電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。

【図21】電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。

【図22】電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

【0012】

１．電気光学装置
Ａ．第１実施形態
Ａ－１．電気光学装置１００の概要
図１は、第１実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＡ－Ａ線の断面図である。以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。

【0013】

また、本明細書において、要素αと要素βとの「電気的な接続」は、要素αと要素βとが直接的に接合されることで導通する構成のほか、要素αと要素βとが他の導電体を介して間接的に導通する構成も含まれる。

【0014】

図１および図２に示す電気光学装置１００は、画素ごとにスイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）を備えたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置である。

【0015】

電気光学装置１００は、第１基板２と、第２基板３と、枠状のシール部材４と、液晶層５とを有する。図２に示すように、第１基板２、液晶層５および第２基板３は、この順にＺ１方向に並ぶ。なお、第１基板２、液晶層５および第２基板３の重なる方向であるＺ１方向またはＺ２方向から見ることを「平面視」とする。また、図１に示す電気光学装置１００の平面形状は四角形であるが、四角形以外の多角形または円形であってもよい。

【0016】

電気光学装置１００は透過型であり、第１基板２および第２基板３は、透光性を有する。図２に示すように、光ＬＬが第２基板３に入射した後、第１基板２から出射される間に変調することにより、画像が表示される。なお、第１基板２に入射した光が第２基板３から出射される間に変調することにより、画像が表示されてもよい。また、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。

【0017】

第１基板２は、基板２１と、積層体２０と、複数の画素電極２４と、配向膜２９とを有する。基板２１、積層体２０、複数の画素電極２４および配向膜２９は、この順にＺ１方向に積層される。

【0018】

基板２１は、透光性および絶縁性を有する平板であり、例えばガラス基板または石英基板で構成される。積層体２０は、透光性を有する。積層体２０には、トランジスターおよび各種配線等が設けられる。複数の画素電極２４は、積層体２０上に配置される。複数の画素電極２４は、液晶層５に電界を印加するために用いられる。複数の画素電極２４は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料を含む。なお、複数の画素電極２４の外側には、ノイズ対策等のための複数のダミー画素電極、およびイオントラップ用の電極が設けられてもよい。また、配向膜２９は、透光性および絶縁性を有する。配向膜２９は、液晶層５に接触しており、液晶層５が有する液晶分子５０を配向させる。配向膜２９は、複数の画素電極２４を覆うように配置される。配向膜２９の材料は、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等である。

【0019】

図１に示すように、第１基板２には、走査線駆動回路１１とデータ線駆動回路１２と複数の外部端子１３とが配置される。複数の外部端子１３の一部は、図示しないが、駆動回路１０から引き回される配線に接続される。また、複数の外部端子１３は、定電位Ｖｃｏｍが印加させる外部端子１３を含む。

【0020】

図２に示す第２基板３は、第１基板２に対向して配置される。第２基板３は、基板３１と、積層体３０と、対向電極３２と、配向膜３９と、見切り３８とを有する。基板３１、積層体３０、対向電極３２および配向膜３９は、この順にＺ２方向に積層される。

【0021】

基板３１は、透光性および絶縁性を有する平板であり、例えばガラス基板または石英基板で構成される。積層体３０は、複数の絶縁膜を含む。当該複数の絶縁膜のそれぞれは、透光性および絶縁性を有し、例えば酸化ケイ素等のケイ素を含む無機材料で形成される。積層体３０は、例えば、マイクロレンズを含む。積層体３０には、見切り３８が設けられる。見切り３８は、平面視で複数の画素電極２４を囲む遮光性の見切りである。なお、「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは１０％以下であることをいう。対向電極３２は、複数の画素電極２４に対して液晶層５を介して対向する。対向電極３２は、液晶層５に電界を印加するために用いられる。対向電極３２は、透光性および導電性を有する。対向電極３２は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料を含む。配向膜３９は、透光性および絶縁性を有する。配向膜３９は、液晶分子５０を配向させる。配向膜３９の材料は、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等である。

【0022】

また、第２基板３と第１基板２との間には、図１に示す複数の基板間導通材６が設けられる。複数の基板間導通材６は、第１基板２との第２基板３とを電気的に接続するための導通材である。基板間導通材６は、第１基板２に配置される図示省略された引き回し配線を介して、複数の外部端子１３のいずれかの外部端子１３に接続される。対向電極３２には、定電位Ｖｃｏｍが印加させる。

【0023】

シール部材４は、第１基板２と第２基板３との間に配置される。シール部材４は、例えばエポキシ樹脂等のＵＶ硬化性材料を含む。ＵＶは、ultravioletの略称であり、特に、波長１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の光をいう。また、シール部材４は、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含んでもよい。

【0024】

液晶層５は、第１基板２、第２基板３およびシール部材４によって囲まれる領域内に配置される。液晶層５は、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。液晶層５は、液晶分子５０を含む。液晶分子５０は、正または負の誘電異方性を有する。液晶分子５０の配向は、液晶層５に印加される電圧に応じて変化する。

【0025】

図１に示すように、電気光学装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、平面視で表示領域Ａ１０の外側に設けられる周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。複数の画素Ｐに対して複数の画素電極２４が１対１で配置される。一方、前述の対向電極３２は、複数の画素Ｐで共通に設けられる共通電極である。また、周辺領域Ａ２０には、前述の走査線駆動回路１１、データ線駆動回路１２および複数の外部端子１３が配置される。

【0026】

かかる電気光学装置１００は、例えば、後述するパーソナルコンピューターおよびスマートフォン等のカラー表示を行う表示装置に適用される。当該表示装置に適用される場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが適宜用いられる。また、電気光学装置１００は、例えば、後述する投射型のプロジェクターに適用される。この場合、電気光学装置１００は、ライトバルブとして機能する。この場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが省略される。

【0027】

Ａ－２．第１基板２の電気的な構成
図３は、図１の第１基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、第１基板２には、複数のトランジスター２３とｎ本の走査線２４１とｍ本のデータ線２４２とｎ本の定電位線２４３とが設けられる。これらは図２の積層体２０に設けられる。なお、ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２４１とｍ本のデータ線２４２との各交差に対応してトランジスター２３が配置される。各トランジスター２３は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴである。各トランジスター２３は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。

【0028】

ｎ本の走査線２４１のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の走査線２４１はＹ１方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４１のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のゲートに電気的に接続される。ｎ本の走査線２４１は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１～ｎ本の走査線２４１には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

【0029】

図３に示すｍ本のデータ線２４２のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｍ本のデータ線２４２はＸ１方向に等間隔で並ぶ。ｍ本のデータ線２４２のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のソースに電気的に接続される。ｍ本のデータ線２４２は、図１に示すデータ線駆動回路１２に電気的に接続される。１～ｍ本のデータ線２４２には、データ線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

【0030】

図３に示すｎ本の走査線２４１とｍ本のデータ線２４２とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視で格子状に配置される。隣り合う２つの走査線２４１と隣り合う２つのデータ線２４２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。画素Ｐごとにトランジスター２３、画素電極２４および容量素子２５が設けられる。画素電極２４は、トランジスター２３に対応して設けられる。１つの画素電極２４に対して１つのトランジスター２３が配置される。各画素電極２４は、対応するトランジスター２３のドレインに電気的に接続される。

【0031】

ｎ本の定電位線２４３のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｎ本の定電位線２４３はＸ１方向に等間隔で並ぶ。各定電位線２４３には、定電位Ｖｃｏｍが印加される。各定電位線２４３は、対応する容量素子２５が有する２つの電極のうちの一方に電気的に接続される容量線である。各容量素子２５は、画素電極２４の電位を保持するための保持容量である。容量素子２５は、トランジスター２３に対して１対１で設けられる。また、各容量素子２５が有する２つの電極のうちの他方は、画素電極２４とトランジスター２３のドレインとに電気的に接続される。

【0032】

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４１が順次選択されると、選択される走査線２４１に接続されるトランジスター２３がオン状態となる。すると、ｍ本のデータ線２４２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍに応じた電位が、選択される走査線２４１に対応する画素Ｐの画素電極２４に印加される。これにより、画素電極２４と対向電極３２との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子５０の配向が変化する。また、容量素子２５によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子５０の配向の変化によって光ＬＬが変調され階調表示が可能となる。

【0033】

Ａ－３．第１基板２の表示領域Ａ１０の断面構造
図４は、図２の第１基板２の表示領域Ａ１０における断面構造を示す図である。前述のように、第１基板２は、基板２１と、積層体２０と、複数の画素電極２４と、配向膜２９とを有する。図４では、１つの画素電極２４に対応する断面が図示される。

【0034】

また、図４に示すように、積層体２０は、基板２１から順に積層された、絶縁層２０１、絶縁層２０２、絶縁層２０３、絶縁層２０４、絶縁層２０５、第１光路長調整層２２１、透光層２２２、レンズ層２２３、パッシベーション膜２２４、第２光路長調整層２２５、および保護層２２６を含む。これら各層は、透光性および絶縁性を有する。絶縁層２０１～２０５の各材料は、例えば、酸化シリコンおよび酸窒化シリコン等のケイ素を含む無機材料である。また、積層体２０には、前述のトランジスター２３、およびデータ線２４２等が配置される。

【0035】

基板２１上には、遮光層２１１が配置される。遮光層２１１は、トランジスター２３が有する半導体層２３１への光の入射を防ぐために設けられる。遮光層２１１の材料は、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。これらの中でも、遮光層２１１はタングステンを含むことが好ましい。タングステンは、各種金属の中でも、耐熱性に優れ、かつ、例えば製造時の熱処理によってもＯＤ（Optical Density）値が低下し難い。よって、遮光層２１１がタングステンを含むことで、遮光層２１１によって半導体層２３１への光の入射を効果的に防ぐことができる。なお、遮光層２１１は、走査線２４１として機能する。

【0036】

絶縁層２０１上には、トランジスター２３が配置される。トランジスター２３は、半導体層２３１と、ゲート電極２３２と、ゲート絶縁膜２３３とを有する。半導体層２３１は、絶縁層２０１上に配置され、ゲート電極２３２は絶縁層２０２上に配置される。半導体層２３１とゲート電極２３２との間にはゲート絶縁膜２３３が設けられる。

【0037】

半導体層２３１は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有する。具体的には、半導体層２３１は、ドレイン領域２３１ｄ、ソース領域２３１ｓ、チャネル領域２３１ｃ、低濃度ドレイン領域２３１ａおよび低濃度ソース領域２３１ｂを有する。半導体層２３１は、例えば、ポリシリコンで形成される。チャネル領域２３１ｃを除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。低濃度ドレイン領域２３１ａ中の不純物濃度は、ドレイン領域２３１ｄ中の不純物濃度よりも低い。低濃度ソース領域２３１ｂ中の不純物濃度は、ソース領域２３１ｓ中の不純物濃度よりも低い。

【0038】

ゲート電極２３２は、例えば、ポリシリコンに導電性を高める不純物がドープされることにより形成される。なお、ゲート電極２３２は、金属、金属酸化物および金属化合物の導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。また、ゲート電極２３２は、絶縁層２０１および２０２を貫通する孔に配置された導電性の接続部２７１を介して遮光層２１１に電気的に接続される。また、ゲート絶縁膜２３３は、例えば、熱酸化またはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等で成膜される酸化ケイ素膜で構成される。

【0039】

絶縁層２０３上には、データ線２４２、および中継層２４４が配置される。データ線２４２は、絶縁層２０３を貫通する孔に配置された導電性の接続部２７２を介して半導体層２３１のソース領域２３１ｓに電気的に接続される。また、中継層２４４は、導電性を有する。中継層２４４は、絶縁層２０３を貫通する孔に配置された導電性の接続部２７３を介して半導体層２３１のドレイン領域２３１ｄに電気的に接続される。

【0040】

絶縁層２０４上には、中継層２４５が配置される。中継層２４５は、導電性を有する。中継層２４５は、絶縁層２０４を貫通する孔に配置された導電性の接続部２７４を介して中継層２４４に電気的に接続される。

【0041】

絶縁層２０５上には、容量素子２５が配置される。容量素子２５は、第１容量電極２５１と第２容量電極２５２とこれらの間に配置された誘電体層２５３とを有する。第１容量電極２５１は絶縁層２０５上に配置され、第１容量電極２５１と第２容量電極２５２との間に誘電体層２５３が配置される。第２容量電極２５２は、平面視で第１容量電極２５１に重なっている。第１容量電極２５１および第２容量電極２５２のそれぞれは、導電性のポリシリコン、金属シリサイド、金属あるいは金属化合物などの導電材料で形成される。本実施形態では、第１容量電極２５１および第２容量電極２５２のそれぞれは、窒化チタン（ＴｉＮ）で形成される。また、誘電体層２５３は、高誘電率材料であるＨｉｇｈ－Ｋで形成される。

【0042】

第２容量電極２５２は、絶縁層２０５を貫通する孔に配置された導電性の接続部２７５を介して中継層２４５に電気的に接続される。第１容量電極２５１には貫通孔が設けられており、当該貫通孔の内部に接続部２７５が挿通されている。また、第１容量電極２５１は、前述の定電位線２４３の一部を構成する。また、第２容量電極２５２は「第３中継電極」に相当する。

【0043】

第１光路長調整層２２１上には、第２中継電極２４６が配置される。第２中継電極２４６は、トランジスター２３とレンズ層２２３との間の層に配置される。また、トランジスター２３と第２中継電極２４６との間の層に、前述の第２容量電極２５２が配置される。また別の見方をすると、トランジスター２３と透光層２２２との間の層に、前述の第２容量電極２５２が配置される。

【0044】

第１光路長調整層２２１は、光路長を調整するためのパス層である。第１光路長調整層２２１の上面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等の平坦化処理によって平坦化されている。また、第２中継電極２４６は、第３導電部２７６を介して第２容量電極２５２に電気的に接続される。

【0045】

透光層２２２は、複数の凹部２２２ａを有する。各凹部２２２ａは、透光層２２２に形成された湾曲状の凹みであって、Ｚ２方向に凹んでいる。透光層２２２上には、レンズ層２２３が配置される。透光層２２２は、トランジスター２３とレンズ層２２３との間の層に配置され、レンズ層２２３に接触する。また、透光層２２２は、光路長を調整するためのパス層としての機能を有する。

【0046】

レンズ層２２３は、トランジスター２３と画素電極２４との間の層に配置される。レンズ層２２３は、酸窒化ケイ素を含む。レンズ層２２３は、レンズ面２２３ａを有する複数のレンズを備える。各レンズ面２２３ａは、Ｚ２方向に突出する湾曲状の凸面である。複数のレンズ面２２３ａは、複数の凹部２２２ａに１対１で設けられる。各レンズ面２２３ａは、対応する凹部２２２ａに接触する。また、レンズ層２２３の屈折率は、透光層２２２の屈折率と異なる。

【0047】

レンズ層２２３上には、パッシベーション膜２２４が配置される。具体的には、レンズ層２２３の複数のレンズ面２２３ａとは反対側の平坦面２２３ｄ上に設けられる。パッシベーション膜２２４は、平坦面２２３ｄに接触する。パッシベーション膜２２４は、後で詳述するが、第２導電部２７７を形成するための導電膜２７７ｘの膜剥がれを抑制するために用いられる。

【0048】

パッシベーション膜２２４上には、第１中継電極２４７が配置される。第１中継電極２４７は、導電性を有する。第１中継電極２４７は、第２導電部２７７を介して第２中継電極２４６に電気的に接続される。

【0049】

第２光路長調整層２２５は、光路長を調整するためのパス層である。第２光路長調整層２２５の上面は、ＣＭＰ等の平坦化処理によって平坦化されている。第２光路長調整層２２５上には、保護層２２６が配置される。保護層２２６は、例えば、ＢＳＧ（Borosilicate Glass）等の透光性および吸湿性を有する無機材料で構成される。保護層２２６上には、画素電極２４が設けられる。画素電極２４は、第１導電部２７８を介して第１中継電極２４７に電気的に接続される。したがって、第１中継電極２４７は、レンズ層２２３と画素電極２４との間の層に配置され、第１導電部２７８を介して画素電極２４に電気的に接続されている。また、画素電極２４上には、配向膜２９が設けられる。

【0050】

前述の走査線２４１、データ線２４２、定電位線２４３、中継層２４４、中継層２４５、第１中継電極２４７、および第２中継電極２４６のそれぞれは、例えば、アルミニウム等の金属、または窒化チタン等の金属化合物を含み、単層でも複数層であってもよい。

【0051】

また、接続部２７１～２７５、第３導電部２７６、第２導電部２７７、および第１導電部２７８の各材料としては、特に限定されないが、例えば、タングステン、チタン、クロム、鉄およびアルミニウム等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。なお、接続部２７１～２７５は、コンタクトプラグであってもよいし、孔の壁面に沿って形成される所謂トレンチ電極でもよい。

【0052】

Ａ－４．複数の画素電極２４、半導体層２３１および第２容量電極２５２の平面構造
図５は、図２の複数の画素電極２４、半導体層２３１、および第２容量電極２５２の平面的な配置を示す図である。

【0053】

図５に示すように、各画素電極２４の平面形状は、四角形である。複数の画素電極２４は、互いに離間し、Ｘ軸およびＹ軸に沿って行列状に配置される。半導体層２３１は、平面視で、複数の画素電極２４の間に配置される。

【0054】

第２容量電極２５２の平面形状は、ほぼＬ字である。第２容量電極２５２は、幅広部２５２１と、延在部２５２２と、延在部２５２３とを含む。幅広部２５２１は、平面視で、対応する画素電極２４の四隅のうちの図面左下の角に対応する位置に設けられる。延在部２５２２は、幅広部２５２１からＸ１方向に延在する。延在部２５２３は、幅広部２５２１からＹ１方向に延在する。

【0055】

図示はしないが、前述の各データ線２４２は、半導体層２３１と平面視で重なる。また、各データ線２４２、各走査線２４１、および各定電位線２４３は、平面視で、複数の画素電極２４の間に配置される。なお、各データ線２４２の一部、各走査線２４１の一部、および各定電位線２４３の一部は、複数の画素電極２４に重なってもよい。

【0056】

また、第１基板２には、複数の開口部Ａ１１が設けられる。各開口部Ａ１１は、光ＬＬが透過する領域である。複数の開口部Ａ１１は、トランジスター２３および各種配線が設けられてない領域である。複数の開口部Ａ１１には、複数の画素電極２４が配置される。

【0057】

Ａ－５．第１基板２の一部の断面構造
図６は、図４の第１基板２の一部を示す図である。前述のように、第１基板２は、第２容量電極２５２と、第２中継電極２４６と、第１中継電極２４７と、複数の画素電極２４とを有する。図６では、１つの画素電極２４に対応する断面およびその近傍が図示される。

【0058】

図６に示すように、第２容量電極２５２と第２中継電極２４６との間には、第１光路長調整層２２１が設けられる。第１光路長調整層２２１を貫通する貫通孔Ｈ１には、第３導電部２７６が配置される。第３導電部２７６は、貫通孔Ｈ１を埋めるコンタクトプラグである。

【0059】

第２中継電極２４６と第１中継電極２４７との間には、透光層２２２、レンズ層２２３およびパッシベーション膜２２４が設けられる。透光層２２２、レンズ層２２３およびパッシベーション膜２２４を貫通する貫通孔Ｈ０には、第２導電部２７７が配置される。第２導電部２７７は、貫通孔Ｈ０を埋めるタコンタクトプラグである。

【0060】

第１中継電極２４７と画素電極２４との間には、第２光路長調整層２２５、および保護層２２６が設けられる。第２光路長調整層２２５、および保護層２２６を貫通する貫通孔Ｈ２には、第１導電部２７８が配置される。第１導電部２７８は、貫通孔Ｈ２を埋めるコンタクトプラグである。

【0061】

貫通孔Ｈ０のアスペクト比は、貫通孔Ｈ１およびＨ２の各アスペクト比よりも高い。よって、第２導電部２７７のアスペクト比は、第３導電部２７６および第１導電部２７８の各アスペクト比よりも大きい。これは、透光層２２２およびレンズ層２２３の各厚さが積層体２０の有する他の層よりも厚いためである。なお、第３導電部２７６のアスペクト比は、第１導電部２７８のアスペクト比よりも大きい。

【0062】

アスペクト比が高い貫通孔Ｈ０であっても、貫通孔Ｈ０を充填するコンタクトプラグである第２導電部２７７を用いることで、第２中継電極２４６と第１中継電極２４７との電気的な接続を図ることができる。所謂トレンチ型の導電部を用いると、貫通孔Ｈ０の平面積を非常に大きくしなくてはならず、各レンズ面２２３ａに影響が生じるため難しい。

【0063】

また、レンズ層２２３は、Ｚ２方向に突出する複数のレンズ面２２３ａを有する。レンズ層２２３の屈折率と透光層２２２との屈折率は、互いに異なる。本実施形態では、レンズ層２２３の屈折率は、透光層２２２の屈折率よりも高い。このため、第２基板３および液晶層５を透過した光ＬＬは、レンズ面２２３ａで屈折し、収束するように進行する。このため、光ＬＬがトランジスター２３および各種配線に入射するおそれを抑制することができる。

【0064】

レンズ層２２３の材料は、酸窒化ケイ素である。一方、透光層２２２の材料は、例えば、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素である。ただし、透光層２２２の材料が酸化ケイ素であることで、レンズ層２２３との屈折率差を大きくし易い。

【0065】

また、レンズ層２２３と第１中継電極２４７との間には、パッシベーション膜２２４が設けられる。前述の第２導電部２７７は、レンズ層２２３およびパッシベーション膜２２４を貫通する貫通孔Ｈ０に配置され、第１中継電極２４７に電気的に接続される。

【0066】

後で説明するが、導電膜２２７は、パッシベーション膜２２４および貫通孔Ｈ０に配置された導電膜２７７ｘの一部を除去することにより形成される。この導電膜２７７ｘの形成時において、酸窒化ケイ素を含むレンズ層２２３の窒素抜けが生じてしまう。このため、パッシベーション膜２２４が設けられておらず、導電膜２７７ｘがレンズ層２２３に直接的に接触している場合、当該窒素抜けの影響によりレンズ層２２３ｘの膜質が変化してしまう。この結果、レンズ層２２３ｘに接触する導電膜２７７ｘに膜剥がれが生じてしまう。

【0067】

一方、本実施形態では、レンズ層２２３と第１中継電極２４７との間にパッシベーション膜２２４が設けられる。このため、導電膜２７７ｘが、窒素抜けによるレンズ層２２３の膜質の変化の影響を受けることが抑制される。よって、導電膜２７７ｘに膜剥がれが生じることを抑制することができる。それゆえ、剥がれた膜によって、レンズ層２２３に微細な傷が付くおそれ、およびアーキングが発生するおそれが抑制される。この結果、第１基板２の歩留まりを向上させることができ、よって、電気光学装置１００の品質信頼性を向上させることができる。

【0068】

また、パッシベーション膜２２４は、ＢＰＳＧ（Boro-Phospho Silicate Glass）およびＰＳＧ（Phospho Silicate Glass）を含む酸化ケイ素、または窒化ケイ素を含むことが好ましい。また、酸化ケイ素を含むパッシベーション膜２２４には、ＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４）を用いて成膜された酸化ケイ素膜を含まれる。パッシベーション膜２２４が酸化ケイ素または窒化ケイ素含むことで、パッシベーション膜２２４による窒素抜けのおそれを抑制できる。

【0069】

パッシベーション膜２２４は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）含むことが特に好ましい。窒化ケイ素を含むことで、窒素抜けのおそれを抑制しつつ、導電膜２７７ｘのパターニング時におけるパッシベーション膜２２４の損傷を特に効果的に抑制することがえきる。

【0070】

パッシベーション膜２２４の平均厚さＤ２は、レンズ層２２３の平均厚さＤ１よりも薄い。平均厚さＤ１およびＤ２のそれぞれは、Ｚ１方向での平均長さである。

【0071】

ここで、パッシベーション膜２２４が設けられておらず、導電膜２７７ｘがレンズ層２２３に直接的に接触している場合、導電膜２７７ｘが成膜されると、レンズ層２２３およびこれより下層に機械的な応力がかかるおそれがある。導電膜２７７ｘの厚さに比べてレンズ層２２３の平均厚さＤ１が非常に厚いため、導電膜２７７ｘとレンズ層２２３との熱膨張率の差が顕著に表れるためだと考えられる。このため、上記機械的な応力によって、レンズ層２２３およびこれより下層に反りが生じてしまう。この結果、導電膜２７７ｘに膜剥がれが生じるおそれがある。

【0072】

パッシベーション膜２２４の成膜温度が導電膜２７７ｘの成膜温度とほぼ同じであるため、パッシベーション膜２２４は導電膜２７７ｘの成膜時の熱ストレスの影響を受け難い。パッシベーション膜２２４の成膜時には、導電膜２７７ｘの成膜温度とほぼ同じ成膜温度がかかる。パッシベーション膜２２４により下層のレンズ層２２３に反り等が生じたとしても、パッシベーション膜２２４自体は膜剥がれする材質ではない。このため、パッシベーション膜２２４は膜剥がれし難い。そして、導電膜２７７ｘが成膜されたときはあらかじめ下層に反り等のストレスがかかっているため、反りの影響により導電膜２７７ｘは膜剥がれし難い。

【0073】

また、平均厚さＤ２が平均厚さＤ１よりも薄いパッシベーション膜２２４を設けることにより、また、レンズ層２２３よりも薄いパッシベーション膜２２４が導電膜２７７ｘと接触する。このため、導電膜２７７ｘとパッシベーション膜２２４との厚さの差は、導電膜２７７ｘとレンズ層２２３との厚さの差よりも小さい。それゆえ、導電膜２７７ｘに接触するパッシベーション膜２２４は、前述の導電膜２７７ｘに接触するレンズ層２２３よりも、熱膨張率の差による反りが生じ難い。したがって、平均厚さＤ２が平均厚さＤ１よりも薄いパッシベーション膜２２４が設けられることで、当該反りによる導電膜２７７ｘの膜剥がれを抑制することができる。

【0074】

パッシベーション膜２２４の平均厚さＤ２は、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。かかる範囲内であることで、範囲外である場合に比べ、レンズ層２２３をパッシベーション膜２２４上に均質に成膜することができるとともに、導電膜２７７ｘの成膜においてパッシベーション膜２２４およびこれより下層に反りが生じるおそれを抑制することができる。

【0075】

また、第２導電部２７７の材料としては、前述のように、例えば、タングステン、チタン、クロム、鉄およびアルミニウム等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。これらの中でも、第２導電部２７７は、タングステンを含むことが好ましい。タングステンは、これら金属等の中でも充填性に優れる。このため、タングステンを用いることで、アスペクト比の高い貫通孔Ｈ０を均質に埋めることができる。

【0076】

さらに、第２導電部２７７は、単一材料で構成されてもよいが、複数層で形成されることが好ましい。

【0077】

図１７は、変形例の第２導電部２７７ａを示す断面図である。図１７に示すように、第２導電部２７７ａは、複数層で形成されてもよい。例えば、第２導電部２７７ａは、バリア層２７７１と、導電層２７７２とを含む。バリア層２７７１は、貫通孔Ｈ０を形成する内壁面に接触する。導電層２７７２は、バリア層２７７１の内側に配置され、貫通孔Ｈ０を埋める。

【0078】

バリア層２７７１は、タングステンナイトライド（ＷＮ）またはチタンナイトライド（ＴｉＮ）含むことが好ましい。バリア層２２７１がタングステンナイトライドまたはチタンナイトライドを含むことで、導電層２７７２の成分がレンズ層２２３等に拡散するおそれを効果的に抑制することができる。

【0079】

Ａ－６．第１基板２の平面構造
図７は、図６の第１基板２の一部を示す平面図である。図６に示すように、レ複数のレンズ面２２３ａは、平面視で行列状に配置される。複数のレンズ面２２３ａは、複数の画素電極２４に１対１で対応する。１つのレンズ面２２３ａは、平面視で１つの画素電極２４に重なる。

【0080】

図７に示す例では、各レンズ面２２３ａの平面形状は、Ｚ２方向の頂点に向かって、四角形状から円形に変化する。なお、図６では、隣り合う２つのレンズ面２２３ａ同士の境界を２点鎖線の境界線２２３ｃで示す。

【0081】

また、第１中継電極２４７、第２中継電極２４６、第３導電部２７６、第２導電部２７７、および第１導電部２７８は、平面視で、第２容量電極２５２の幅広部２５２１に重なる。

【0082】

第１中継電極２４７の平面形状は、四角形である。また、第２中継電極２４６の平面形状は、四角形であり、第１中継電極２４７の平面形状と同じである。また、図示の例では、第２中継電極２４６の平面積は、第１中継電極２４７の平面積と等しい。

【0083】

第２中継電極２４６は、平面視で第１中継電極２４７に重なる。このため、第２中継電極２４６が平面視で第１中継電極２４７に重なっていない場合に比べ、開口部Ａ１１の開口率を高めることができる。

【0084】

第３導電部２７６、第２導電部２７７、および第１導電部２７８の各平面形状は、図示の例では、円形である。第３導電部２７６、第２導電部２７７、および第１導電部２７８は、平面視で、対応する画素電極２４の四隅のうちの図面左下の角と重なる位置に設けられる。

【0085】

第１導電部２７８は、第２導電部２７７と異なる箇所に配置されており、平面視で第２導電部２７７と重ならない。このため、第１導電部２７８と画素電極２４とを平面視で重ねることで、第１導電部２７８と画素電極２４との接続を簡単に行うことができる。また、第２導電部２７７が第１導電部２７８と重ならないことで、画素電極２４と第２導電部２７７とが平面視で重なる部分を減らすことができる。このため、第２導電部２７７による開口率の低下を抑制することがえきる。

【0086】

また、前述のように、第２中継電極２４６が平面視で第１中継電極２４７に重なるため、第２導電部２７７と第３導電部２７６とを平面視で重ねることができる。したがって、第２中継電極２４６、第１中継電極２４７、第２導電部２７７および第３導電部２７６を平面視で重ねることができる。このため、開口率を高めることができる。加えて、各レンズ面２２３ａの平面積の縮小を抑制することができる。また、第１基板２のレイアウト上の制約を満たし、微細化に適した構成を実現することができる。また、第２導電部２７７と第３導電部２７６とがコンタクトプラグであることで、開口率を特に高めることできる。

【0087】

なお、図６に示すように、第２導電部２７７は、逆円錐台の形状を有する。よって、第２導電部２７７の上面の外縁は、平面視において底面の外縁の外側を囲む。なお、第１導電部２７８および第３導電部２７６についても同様である。

【0088】

Ａ－７．第１基板２の製造方法
図８は、図６の第１基板２の一部の製造方法の流れを示す図である。以下では、第１基板２のうち第２中継電極２４６から第１中継電極２４７までの層の製造方法について説明する。

【0089】

図８に示すように、第１基板２の製造方法は、透光層形成工程Ｓ１１と、レンズ層形成工程Ｓ１２と、パッシベーション膜形成工程Ｓ１３と、貫通孔形成工程Ｓ１４と、第２導電部形成工程Ｓ１５と、第１中継電極形成工程Ｓ１６とを含む。

【0090】

なお、例えば、基板２１の母材である石英基板等のウエハー上に、前述の各画素電極２４に対応する各部を含む素子部を複数形成した後、ウエハーを個片化する。個片化することにより、複数の第１基板２が得られる。

【0091】

図９は、透光層形成工程Ｓ１１を説明するための図である。図９に示すように、透光層形成工程Ｓ１１では、第１光路長調整層２２１上に透光層２２２が形成される。透光層２２２は、例えばＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により形成された膜にマスクを用いてエッチングを施すことにより、透光層２２２が形成される。当該エッチングにより、透光層２２２に、複数の凹部２２２ａが形成される。

【0092】

図１０は、レンズ層形成工程Ｓ１２を説明するための図である。図１０に示すように、レンズ層形成工程Ｓ１２では、透光層２２２上にレンズ層２２３が形成される。レンズ層２２３は、例えばＣＶＤ法により複数の凹部２２２ａを埋めるように透光層２２２上に成膜され、その後、ＣＭＰ等の平坦化処理によって平坦化される。レンズ層２２３は、酸窒化ケイ素膜で構成される。

【0093】

図１１は、パッシベーション膜形成工程Ｓ１３を説明するための図である。図１１に示すように、パッシベーション膜形成工程Ｓ１３では、パッシベーション膜２２４が形成される。パッシベーション膜２２４は、例えばＣＶＤ法またはＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法によりレンズ層２２３上に成膜される。

【0094】

図１２は、貫通孔形成工程Ｓ１４を説明するための図である。図１２に示すように、貫通孔形成工程Ｓ１４では、透光層２２２、レンズ層２２３およびパッシベーション膜２２４を貫通する複数の貫通孔Ｈ０が形成される。複数の貫通孔Ｈ０は、例えば、フォトエッチングにより形成される。

【0095】

図１３および図１４のそれぞれは、第２導電部形成工程Ｓ１５を説明するための図である。図１３に示すように、第２導電部形成工程Ｓ１５では、まず、パッシベーション膜２２４上に導電膜２７７ｘを成膜する。導電膜２７７ｘは、複数の貫通孔Ｈ０を埋めるように成膜される。導電膜２７７ｘは、例えばＣＶＤ法により成膜される。次に、導電膜２７７ｘの表面からＣＭＰ等の平坦化処理により導電膜２７７ｘの一部を除去する。この結果、図１４に示すように、導電膜２７７ｘのうちパッシベーション膜２２４上の部分が除去され、複数の貫通孔Ｈ０の部分が残る。導電膜２７７ｘのうち複数の貫通孔Ｈ０に残った部分が、複数の第２導電部２７７となる。

【0096】

かかる第２導電部形成工程Ｓ１５の導電膜２７７ｘの形成において、パッシベーション膜２２４が設けられていない場合、導電膜２７７ｘに膜剥がれが生じるおそれがある。レンズ層２２３の窒素抜け、および機械的な応力がかかることによる反りが原因であると考えられる。特に、ウエハーの外周で膜剥がれが生じ易い。

【0097】

パッシベーション膜２２４が設けられることで、導電膜２７７ｘが、窒素抜けによるレンズ層２２３の膜質の変化の影響を受けることが抑制される。さらに、導電膜２７７ｘの成膜による機械的な応力の影響が抑制される。よって、導電膜２７７ｘに膜剥がれが生じることを抑制することができる。この結果、剥がれた膜によって、レンズ層２２３に微細な傷が付くおそれ、およびアーキングが発生するおそれが抑制される。

【0098】

図１５および図１６のそれぞれは、第１中継電極形成工程Ｓ１６を説明するための図である。図１５に示すように、まず、パッシベーション膜２２４上に電極膜２４７ｘを成膜する。電極膜２４７ｘは、例えば、導電性を有する材料を用いてＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法またはスパッタ法により形成される。次、電極膜２４７ｘをエッチングによりパターニングすることにより、図１６に示すように、第１中継電極２４７が形成される。電極膜２４７ｘおよび第１中継電極２４７の厚さは、特に限定されないが、例えば、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下程度である。

【0099】

パッシベーション膜２２４が設けられることで、電極膜２４７ｘのエッチングの際、電極膜２４７ｘにオーバーエッジが生じても、レンズ層２２３に影響が生じ難い。このため、レンズ層２２３の表面に凹凸が生じるおそれ、すなわちレンズ層２２３とパッシベーション膜２２４との界面に凹凸が生じるおそれを抑制することができる。よって、レンズ層２２３の表面の凹凸が生じることにより、透過率が低下するおそれを抑制することができる。

【0100】

一方、パッシベーション膜２２４が設けられておらず、レンズ層２２３上に電極膜２４７ｘが形成される場合、電極膜２４７ｘのオーバーエッジによって、レンズ層２２３の表面の平坦性が損なわれるおそれがある。この結果、レンズ層２２３の表面の凹凸により、透過率が低下するおそれがある。

【0101】

以上説明したように、パッシベーション膜２２４を設けられていることで、レンズ層２２３の表面に微細な傷および凹凸が生じるおそれ、およびアーキングが発生するおそれを抑制することができる。よって、第１基板２の歩留まりを向上させることができ、よって、電気光学装置１００の品質信頼性を高めることができる。

【0102】

なお、第３導電部２７６および第１導電部２７８も、第２導電部２７７と同様の方法で形成される。

【0103】

また、図１７に示す第２導電部２７７ａの形成方法を以下に簡単に説明する。まず、パッシベーション膜２２４上にバリア層２７７１の母材のバリア膜を例えばＣＶＤ法またはＡＬＤ法により成膜する。当該バリア膜は、複数の貫通孔Ｈ０の内壁面を覆うように成膜される。次に、導電層２７７２の母材の導電膜を例えばＣＶＤ法により成膜する。当該導電膜は、各バリア層２７７１の内側を埋めるよう成膜される。その後、当該バリア膜および当該導電膜のうちパッシベーション膜２２４上の部分を例えばＣＭＰ等の平坦化処理により除去する。この結果、各貫通孔Ｈ０のバリア層２７７１の内側に導電層２７７２が形成される。以上により、バリア層２７７１および導電層２７７２を含む第２導電部２７７ａが形成される。

【0104】

なお、第３導電部２７６および第１導電部２７８も、第２導電部２７７と同様に、バリア層および導電層を有してもよい。また、本実施形態では、第３導電部２７６および第１導電部２７８は、コンタクトプラグであるが、所謂トレンチ電極でもよい。

【0105】

Ｂ．第２実施形態
第２実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

【0106】

図１８は、第２実施形態の第１基板２Ａの一部を示す断面図である。本実施形態は、第１基板２の代わりに第１基板２Ａが設けられていることが、第１実施形態と異なる。

【0107】

図１８に示すように、第１基板２Ａでは、第２中継電極２４６が省略される。第１基板２Ａでは、第２導電部２７７と第３導電部２７６とが互いに接続される。よって、第３導電部２７６は、第２導電部２７７と第２容量電極２５２とを電気的に接続する。第２容量電極２５２は、「第３中継電極」に相当する。また、第１実施形態と同様に、第２導電部２７７と第３導電部２７６とは、平面視で重なる。

【0108】

第２導電部２７７と第３導電部２７６とが互いに接続されることで、第２中継電極２４６を省略できるので、第２中継電極２４６を成膜する手間を省くことができる。さらに、また、第１実施形態と同様に、第２導電部２７７と第３導電部２７６とが平面視で重なることで、これらが平面視で重なっていない場合に比べ、開口率の低下を抑制することができる。

【0109】

また、第２導電部２７７および第３導電部２７６に加え、第２容量電極２５２の一部と第１中継電極２４７とは平面視で重なる。このため、これらが平面視で重なっていない場合に比べ、開口率を向上させることができる。また、第１基板２Ａのレイアウト上の制約を満たし、微細化に適した構成を実現することができる。

【0110】

Ｃ．第３実施形態
第３実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

【0111】

図１９は、第３実施形態の第１基板２Ｂの一部を示す断面図である。本実施形態は、第１基板２の代わりに第１基板２Ｂが設けられていることが、第１実施形態と異なる。

【0112】

図１９に示すように、第１基板２Ｂは、透光層２２２およびレンズ層２２３の代わりに、透光層２２２Ｂおよびレンズ層２２３Ｂを有する。

【0113】

透光層２２２Ｂは、複数の凸面２２２ｂを有する。各凸面２２２ｂは、第１光路長調整層２２１からＺ１方向に突出する湾曲面である。透光層２２２Ｂ上には、レンズ層２２３Ｂが配置される。レンズ層２２３Ｂは、凹状のレンズ面２２３ｂを有する複数のレンズを備える。各レンズ面２２３ｂは、Ｚ２方向に凹む湾曲面である。複数のレンズ面２２３ｂは、複数の凸面２２２ｂに１対１で設けられる。各レンズ面２２３ｂは、対応する凸面２２２ｂに接触する。

【0114】

レンズ層２２３Ｂの屈折率は、透光層２２２Ｂの屈折率と異なる。本実施形態では、レンズ層２２３Ｂの屈折率は、透光層２２２Ｂの屈折率よりも高い。例えば、レンズ層２２３Ｂおよび透光層２２２Ｂのそれぞれは、酸窒化ケイ素を含む。窒素と酸素の比率を調整することにより、レンズ層２２３Ｂの屈折率を透光層２２２Ｂの屈折率よりも高くすることができる。

【0115】

かかる本実施系形態においても、第１実施形態と同様に、レンズ層２２３Ｂ上には、パッシベーション膜２２４が配置される。このため、第２導電部２７７を形成するための導電膜２７７ｘの膜剥がれを抑制することができる。

【0116】

Ｄ．変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。

【0117】

例えば、第３導電部２７６の下層に他の導電部が設けられていてもよい。この場合、当該導電部は、第３導電部２７６に平面視で重なることが好ましい。つまり、第１基板２が複数の導電部を有する場合、複数の導電部は、平面視で重なっていることが好ましい。複数の導電部が平面視で重なっていることで、開口率の向上を図り易い。また、レイアウト上の制約を満たし、微細化に適した構成を実現することができる。

【0118】

「電気光学装置」の駆動方式は、縦電界方式に限定されず、横電界方式でもよい。なお、横電界方式としては、例えばＩＰＳ（In Plane Switching）モードが挙げられる。また、縦電界方式としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Virtical Alignment）、ＰＶＡモードおよびＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが挙げられる。

【0119】

前述の各実施形態では、アクティブマトリクス方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置１００の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス方式等でもよい。

【0120】

また、前述した説明では、「電気光学装置」のの一例として液晶表示装置について説明したが、「電気光学装置」のはこれに限定されない。例えば、「電気光学装置」のは、イメージセンサー等にも適用することができる。

【0121】

２．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

【0122】

図２０は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0123】

図２１は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す平面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0124】

図２２は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0125】

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

【0126】

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。前述の電気光学装置１００は品質信頼性に優れる。よって、電気光学装置１００を備えることで、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品位の低下を抑制することができる。

【0127】

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

【0128】

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

【符号の説明】

【0129】

１ｂ…電気光学装置、１ｇ…電気光学装置、１ｒ…電気光学装置、２…第１基板、２Ａ…第１基板、２Ｂ…第１基板、３…第２基板、４…シール部材、５…液晶層、６…基板間導通材、１０…駆動回路、１１…走査線駆動回路、１２…データ線駆動回路、１３…外部端子、２０…積層体、２１…基板、２３…トランジスター、２４…画素電極、２５…容量素子、２９…配向膜、３０…積層体、３１…基板、３２…対向電極、３８…見切り、３９…配向膜、５０…液晶分子、１００…電気光学装置、２０１…絶縁層、２０２…絶縁層、２０３…絶縁層、２０４…絶縁層、２０５…絶縁層、２１１…遮光層、２２１…第１光路長調整層、２２２…透光層、２２２Ｂ…透光層、２２２ａ…凹部、２２２ｂ…凸面、２２３…レンズ層、２２３Ｂ…レンズ層、２２３ａ…レンズ面、２２３ｂ…レンズ面、２２３ｃ…境界線、２２４…パッシベーション膜、２２５…第２光路長調整層、２２６…保護層、２２７…導電膜、２３１…半導体層、２３１ａ…低濃度ドレイン領域、２３１ｂ…低濃度ソース領域、２３１ｃ…チャネル領域、２３１ｄ…ドレイン領域、２３１ｓ…ソース領域、２３２…ゲート電極、２３３…ゲート絶縁膜、２４１…走査線、２４２…データ線、２４３…定電位線、２４４…中継層、２４５…中継層、２４６…第２中継電極、２４７…第１中継電極、２４７ｘ…電極膜、２５１…第１容量電極、２５２…第２容量電極（第３中継電極）、２５３…誘電体層、２７１…接続部、２７２…接続部、２７３…接続部、２７４…接続部、２７５…接続部、２７６…第３導電部、２７７…第２導電部、２７７ａ…第２導電部、２７７ｘ…導電膜、２７８…第１導電部、２０００…パーソナルコンピューター、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２００３…制御部、２０１０…本体部、２５２１…幅広部、２５２２…延在部、２５２３…延在部、２７７１…バリア層、２７７２…導電層、３０００…スマートフォン、３００１…操作ボタン、３００２…制御部、４０００…投射型表示装置、４００１…照明光学系、４００２…照明装置、４００３…投射光学系、４００４…投射面、４００５…制御部、Ａ１０…表示領域、Ａ１１…開口部、Ａ２０…周辺領域、Ｄ１…平均厚さ、Ｄ２…平均厚さ、Ｈ０…貫通孔、Ｈ１…貫通孔、Ｈ２…貫通孔、ＬＬ…光、Ｐ…画素、Ｓ１１…透光層形成工程、Ｓ１２…レンズ層形成工程、Ｓ１３…パッシベーション膜形成工程、Ｓ１４…貫通孔形成工程、Ｓ１５…第２導電部形成工程、Ｓ１６…第１中継電極形成工程。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】