特開 2024-122045 アレイ基板及び表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024122045

(43)【公開日】2024-09-09

(54)【発明の名称】アレイ基板及び表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1368 20060101AFI20240902BHJP

   G02F 1/1343 20060101ALI20240902BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240902BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1368

G02F1/1343

G09F9/30 338

G09F9/30 348A

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023029354

(22)【出願日】2023-02-28

(71)【出願人】

【識別番号】520487808

【氏名又は名称】シャープディスプレイテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001036

【氏名又は名称】弁理士法人暁合同特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西濱 智之

(72)【発明者】

【氏名】守屋 由瑞

【テーマコード（参考）】

2H092

2H192

5C094

【Ｆターム（参考）】

2H092GA14

2H092GA62

2H092JA25

2H092JA26

2H092JB14

2H092KA04

2H092KA05

2H092KA08

2H092QA06

2H192AA24

2H192BB13

2H192BC62

2H192CB02

2H192CB05

2H192CB34

2H192CB35

2H192CB37

2H192FB03

2H192GB33

5C094AA32

5C094BA03

5C094BA43

5C094CA19

5C094DA15

5C094DB01

5C094EA04

5C094EA07

5C094FA01

5C094FA02

5C094JA08

(57)【要約】

【課題】接続信頼性を向上させる。
【解決手段】アレイ基板２１は、第１電極２３Ｃと、第１電極２３Ｃの上層側に配される第１絶縁膜３６，３７と、第１絶縁膜３６，３７の上層側に配される第２電極３９と、第２電極３９の上層側に配される第２絶縁膜３８と、第２絶縁膜３８の上層側に配される第３電極２４と、を備え、第３電極２４は、少なくとも一部が第１電極２３Ｃとは非重畳とされ、第２電極３９は、第１電極２３Ｃと重畳する第１重畳部３９Ａと、第１電極２３Ｃとは非重畳で第３電極２４と重畳する第２重畳部３９Ｂと、を有し、第１絶縁膜３６，３７は、第１電極２３Ｃ及び第１重畳部３９Ａと重畳する位置に配される第１コンタクトホールＣＨ３を有し、第２絶縁膜３８は、第２重畳部３９Ｂ及び第３電極２４と重畳する位置に配される第２コンタクトホールＣＨ４を有する。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１導電膜からなる第１電極と、
前記第１電極の上層側に配される第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の上層側に配される第２導電膜からなる第２電極と、
前記第２電極の上層側に配される第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜の上層側に配される第３導電膜からなる第３電極と、を備え、
前記第３電極は、少なくとも一部が前記第１電極とは非重畳とされ、
前記第２電極は、前記第１電極と重畳する第１重畳部と、前記第１電極とは非重畳で前記第３電極と重畳する第２重畳部と、を有し、
前記第１絶縁膜は、前記第１電極及び前記第１重畳部と重畳する位置に配される第１コンタクトホールを有し、
前記第２絶縁膜は、前記第２重畳部及び前記第３電極と重畳する位置に配される第２コンタクトホールを有するアレイ基板。

【請求項2】

前記第１絶縁膜は、前記第２絶縁膜よりも膜厚が大きい請求項１記載のアレイ基板。

【請求項3】

スイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続される画素電極と、
前記画素電極に対して重畳して配される共通電極と、を備え、
前記スイッチング素子は、前記第１電極を有しており、
前記共通電極は、前記第２導電膜のうちの前記第２電極とは別の部分からなっていて前記第２電極を取り囲む第１開口部を有しており、
前記画素電極は、前記第３電極とされる請求項１または請求項２記載のアレイ基板。

【請求項4】

前記第１絶縁膜は、下層絶縁膜と上層絶縁膜とを積層してなり、
前記下層絶縁膜の上層側で前記上層絶縁膜の下層側に位置する第４導電膜からなる第１配線を備え、
前記第１配線は、少なくとも一部が前記共通電極と重畳して配され、
前記上層絶縁膜は、前記共通電極及び前記第１配線と重畳する位置に配される第３コンタクトホールを有する請求項３記載のアレイ基板。

【請求項5】

前記第３電極の上層側に配される第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜の上層側に配される第５導電膜からなる第４電極と、を備え、
前記第４電極は、少なくとも一部が前記第２重畳部とは非重畳とされ、
前記第３電極は、前記第２重畳部と重畳する第３重畳部と、前記第２重畳部とは非重畳で前記第４電極と重畳する第４重畳部と、を有し、
前記第３絶縁膜は、前記第４電極及び前記第４重畳部と重畳する位置に配される第４コンタクトホールを有する請求項１または請求項２記載のアレイ基板。

【請求項6】

前記第２絶縁膜は、前記第３絶縁膜よりも膜厚が大きい請求項５記載のアレイ基板。

【請求項7】

前記第４重畳部は、前記第１重畳部と重畳して配される請求項６記載のアレイ基板。

【請求項8】

スイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続される第２配線と、
前記スイッチング素子に接続される画素電極と、
前記画素電極に対して重畳して配される共通電極と、
前記共通電極に接続される第３配線と、を備え、
前記スイッチング素子は、前記第１電極を有しており、
前記第２配線は、前記第１導電膜のうちの前記第１電極とは別の部分からなり、
前記第３配線は、前記第２導電膜のうちの前記第２電極とは別の部分からなっていて前記第２配線に対して重畳して配され、
前記共通電極は、前記第３導電膜のうちの前記第３電極とは別の部分からなっていて前記第３電極を取り囲む第２開口部を有しており、
前記画素電極は、前記第４電極とされる請求項５記載のアレイ基板。

【請求項9】

請求項１または請求項２記載のアレイ基板と、
前記アレイ基板と対向状に配される対向基板と、を備える表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書が開示する技術は、アレイ基板及び表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の表示装置に備わるアレイ基板の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載のアレイ基板は、第３金属膜からなるドレイン電極を有するＴＦＴと、第１透明電極膜からなる画素電極と、平坦化膜、第３層間絶縁膜及び第４層間絶縁膜のうちドレイン電極及び画素電極と重畳する位置に開口する画素コンタクトホールと、第４金属膜からなるタッチ配線と、第１透明電極膜からなる配線接続部と、第４層間絶縁膜のうちタッチ配線及び配線接続部と重畳する位置に開口する第１配線コンタクトホールと、第３金属膜からなるタッチ引き出し配線と、平坦化膜、第３層間絶縁膜及び第４層間絶縁膜のうち配線接続部及びタッチ引き出し配線と重畳する位置に開口する第２配線コンタクトホールと、を備える。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２０１８／１９０２１４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記した特許文献１に記載のアレイ基板では、ドレイン電極と画素電極とを接続する画素コンタクトホールが平坦化膜、第３層間絶縁膜及び第４層間絶縁膜を貫通する形で設けられている。ここで、第３層間絶縁膜と第４層間絶縁膜との間に介在する第４金属膜を用いて、ドレイン電極と画素電極との双方に接続される電極を設ける場合がある。その場合、画素コンタクトホールは、平坦化膜及び第３層間絶縁膜に形成される第１コンタクトホールと、第４層間絶縁膜に形成される第２コンタクトホールと、によって構成される。第１コンタクトホールを通して上記した第４金属膜からなる電極とドレイン電極とが接続され、第２コンタクトホールを通して第４金属膜からなる電極と画素電極とが接続されることになる。

【0005】

このような構成を採ると、第４金属膜からなる電極を設けた後に、第１コンタクトホール内において第４層間絶縁膜に第２コンタクトホールを形成することになる。第２コンタクトホールは、第４層間絶縁膜の最表面から平坦化膜及び第３層間絶縁膜の膜厚分奥まった位置にて形成されることになるため、第４層間絶縁膜において設計通りに形成され難い、という問題がある。例えば、第４層間絶縁膜における第２コンタクトホールの開口縁に段差が生じ、その段差に起因して画素電極に膜切れが生じたり、第２コンタクトホールが非形成となったりするおそれがある。そうなると、第４金属膜からなる電極と画素電極との接続信頼性が低下するおそれがある。

【0006】

本明細書に記載の技術は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、接続信頼性を向上させることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

（１）本明細書に記載の技術に関わるアレイ基板は、第１導電膜からなる第１電極と、前記第１電極の上層側に配される第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上層側に配される第２導電膜からなる第２電極と、前記第２電極の上層側に配される第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上層側に配される第３導電膜からなる第３電極と、を備え、前記第３電極は、少なくとも一部が前記第１電極とは非重畳とされ、前記第２電極は、前記第１電極と重畳する第１重畳部と、前記第１電極とは非重畳で前記第３電極と重畳する第２重畳部と、を有し、前記第１絶縁膜は、前記第１電極及び前記第１重畳部と重畳する位置に配される第１コンタクトホールを有し、前記第２絶縁膜は、前記第２重畳部及び前記第３電極と重畳する位置に配される第２コンタクトホールを有する。

【0008】

（２）また、上記アレイ基板は、上記（１）に加え、前記第１絶縁膜は、前記第２絶縁膜よりも膜厚が大きくてもよい。

【0009】

（３）また、上記アレイ基板は、上記（１）または上記（２）に加え、スイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続される画素電極と、前記画素電極に対して重畳して配される共通電極と、を備え、前記スイッチング素子は、前記第１電極を有しており、前記共通電極は、前記第２導電膜のうちの前記第２電極とは別の部分からなっていて前記第２電極を取り囲む第１開口部を有しており、前記画素電極は、前記第３電極とされてもよい。

【0010】

（４）また、上記アレイ基板は、上記（３）に加え、前記第１絶縁膜は、下層絶縁膜と上層絶縁膜とを積層してなり、前記下層絶縁膜の上層側で前記上層絶縁膜の下層側に位置する第４導電膜からなる第１配線を備え、前記第１配線は、少なくとも一部が前記共通電極と重畳して配され、前記上層絶縁膜は、前記共通電極及び前記第１配線と重畳する位置に配される第３コンタクトホールを有してもよい。

【0011】

（５）また、上記アレイ基板は、上記（１）または上記（２）に加え、前記第３電極の上層側に配される第３絶縁膜と、前記第３絶縁膜の上層側に配される第５導電膜からなる第４電極と、を備え、前記第４電極は、少なくとも一部が前記第２重畳部とは非重畳とされ、前記第３電極は、前記第２重畳部と重畳する第３重畳部と、前記第２重畳部とは非重畳で前記第４電極と重畳する第４重畳部と、を有し、前記第３絶縁膜は、前記第４電極及び前記第４重畳部と重畳する位置に配される第４コンタクトホールを有してもよい。

【0012】

（６）また、上記アレイ基板は、上記（５）に加え、前記第２絶縁膜は、前記第３絶縁膜よりも膜厚が大きくてもよい。

【0013】

（７）また、上記アレイ基板は、上記（６）に加え、前記第４重畳部は、前記第１重畳部と重畳して配されてもよい。

【0014】

（８）また、上記アレイ基板は、上記（５）から上記（７）のいずれかに加え、スイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続される第２配線と、前記スイッチング素子に接続される画素電極と、前記画素電極に対して重畳して配される共通電極と、前記共通電極に接続される第３配線と、を備え、前記スイッチング素子は、前記第１電極を有しており、前記第２配線は、前記第１導電膜のうちの前記第１電極とは別の部分からなり、前記第３配線は、前記第２導電膜のうちの前記第２電極とは別の部分からなっていて前記第２配線に対して重畳して配され、前記共通電極は、前記第３導電膜のうちの前記第３電極とは別の部分からなっていて前記第３電極を取り囲む第２開口部を有しており、前記画素電極は、前記第４電極とされてもよい。

【0015】

（９）本明細書に記載の技術に関わる表示装置は、上記（１）から上記（８）のいずれかに記載のアレイ基板と、前記アレイ基板と対向状に配される対向基板と、を備える。

【発明の効果】

【0016】

本明細書に記載の技術によれば、接続信頼性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】実施形態１に係る液晶パネルの平面図

【図2】実施形態１に係る液晶パネルに備わるアレイ基板の表示領域における画素配列を示す回路図

【図3】実施形態１に係る液晶パネルの表示領域におけるＴＦＴ及び画素電極付近を示す平面図

【図4】実施形態１に係る液晶パネルにおける図３のiv-iv線断面図

【図5】実施形態１に係る液晶パネルにおける図３のv-v線断面図

【図6】実施形態１に係る液晶パネルにおける図５のうちのドレイン電極と画素電極との接続構造を拡大した断面図

【図7】実施形態１に係る液晶パネルにおけるタッチ電極とタッチ配線との接続部位を示す断面図

【図8】実施形態１に係るアレイ基板の製造方法に含まれる第９工程の露光工程を経てフォトマスクを介してフォトレジスト膜を露光した状態を示す図６及び図７と同じ範囲を示す断面図

【図9】実施形態１に係るアレイ基板の製造方法に含まれる第９工程の現像工程を経てフォトレジスト膜を現像した状態を示す図６及び図７と同じ範囲を示す断面図

【図10】実施形態１に係るアレイ基板の製造方法に含まれる第９工程の第１エッチング工程及びアッシング工程を経て平坦化膜及び第２層間絶縁膜をエッチングし、薄膜部をアッシングした状態を示す図６及び図７と同じ範囲を示す断面図

【図11】実施形態１に係るアレイ基板の製造方法に含まれる第９工程の第２エッチング工程を経て第２層間絶縁膜をエッチングした状態を示す図６及び図７と同じ範囲を示す断面図

【図12】実施形態２に係る液晶パネルの表示領域におけるＴＦＴ及び画素電極付近を示す平面図

【図13】実施形態２に係る液晶パネルにおける図１２のxiii-xiii線断面図

【発明を実施するための形態】

【0018】

＜実施形態１＞
実施形態１を図１から図１１によって説明する。本実施形態では、画像表示機能及びタッチパネル機能（位置入力機能、位置検出機能）を備える液晶パネル（表示装置）１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図４から図１１の上側を表側とし、同図下側を裏側とする。

【0019】

図１を用いて液晶パネル１０の概略的な平面構成について説明する。液晶パネル１０は、図１に示すように、全体として平面形状が横長の略方形状とされる。この液晶パネル１０は、その短辺方向がＹ軸方向と、長辺方向がＸ軸方向と、板厚方向（各基板２０，２１の主面の法線方向）がＺ軸方向と、それぞれ一致している。液晶パネル１０は、例えば車載用の液晶表示装置などに用いることが可能である。車載用の液晶表示装置は、例えばインスツルメンツパネル、マルチファンクションディスプレイ、インフォテインメントシステムなどに用いられる。液晶パネル１０は、自身の裏側に配されたバックライト装置（照明装置）から照射される照明光を利用して画像を表示することが可能とされる。バックライト装置は、液晶パネル１０に対して裏側（背面側）に配置され、例えば光源（例えばＬＥＤなど）や光源からの光に光学作用を付与することで面状の光に変換する光学部材などを有する。

【0020】

液晶パネル１０は、図１に示すように、画面の中央側部分が、画像が表示される表示領域（図１において一点鎖線により囲った範囲）ＡＡとされる。これに対し、液晶パネル１０の画面における表示領域ＡＡを取り囲む額縁状（枠状）の外周側部分が、画像が表示されない非表示領域ＮＡＡとされる。液晶パネル１０は、一対の基板２０，２１を貼り合わせてなる。一対の基板２０，２１のうち表側（正面側）の基板が対向基板２０とされ、裏側（背面側）の基板がアレイ基板（配線基板）２１とされる。対向基板２０及びアレイ基板２１は、いずれもガラス基板の内面側に各種の膜が積層形成されてなる。なお、両基板２０，２１の外面側には、それぞれ偏光板が貼り付けられている。

【0021】

アレイ基板２１は、図１に示すように、対向基板２０に対してＹ軸方向に沿って側方に突き出す突き出し部２１Ａを有する。この突き出し部２１Ａには、次述する表示機能やタッチパネル機能に係る各種信号を供給するためのドライバ（信号供給部）１１及びフレキシブル基板１２が実装されている。ドライバ１１は、アレイ基板２１の突き出し部２１Ａに対してＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。ドライバ１１は、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなり、フレキシブル基板１２によって伝送される各種信号を処理する。ドライバ１１は、アレイ基板２１において表示領域ＡＡに対してＹ軸方向に間隔を空けて並んで配されている。フレキシブル基板１２は、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材上に多数本の配線パターンを形成した構成とされる。フレキシブル基板１２は、一端側部分がアレイ基板２１に、他端側部分が外部のコントロール基板（信号供給源）に、それぞれ接続されている。コントロール基板から供給される各種信号は、フレキシブル基板１２を介して液晶パネル１０に伝送される。また、アレイ基板２１の非表示領域ＮＡＡには、表示領域ＡＡをＸ軸方向に両側から挟み込む形で一対のゲート回路部１３が設けられている。ゲート回路部１３は、後述するゲート配線２６に走査信号を供給する。ゲート回路部１３は、アレイ基板２１にモノリシックに設けられている。

【0022】

本実施形態に係る液晶パネル１０は、画像を表示する表示機能と、表示される画像に基づいて使用者が入力する位置（入力位置）を検出するタッチパネル機能と、を併有している。液晶パネル１０には、タッチパネル機能を発揮するためのタッチパネルパターンが一体化（インセル化）されている。タッチパネルパターンは、いわゆる投影型静電容量方式とされ、その検出方式が自己容量方式とされる。タッチパネルパターンは、図１に示すように、液晶パネル１０の主面内においてマトリクス状に並んで配される複数のタッチ電極（位置検出電極）３０から構成されている。タッチ電極３０は、液晶パネル１０の表示領域ＡＡに配されている。従って、液晶パネル１０の表示領域ＡＡは、入力位置を検出可能なタッチ領域（位置入力領域）とほぼ一致している。なお、非表示領域ＮＡＡは、入力位置を検出不能な非タッチ領域（非位置入力領域）とほぼ一致している。液晶パネル１０の表示領域ＡＡに表示された画像に基づいて、使用者が、導電体である使用者の指や使用者によって操作されるタッチペンなどの位置入力体を、液晶パネル１０の表面（表示面）に近づけると、その位置入力体とタッチ電極３０との間で静電容量が形成される。これにより、位置入力体の近くにあるタッチ電極３０にて検出される静電容量には、位置入力体が近づくのに伴って変化が生じ、位置入力体から遠くにあるタッチ電極３０の静電容量とは異なるものとなる。この静電容量の相違に基づいて、後述する検出回路は、入力位置を検出することが可能である。

【0023】

上記したタッチ電極３０は、図１に示すように、アレイ基板２１に備わる共通電極２５により構成されている。共通電極２５は、表示領域ＡＡのほぼ全域にわたって配されている。共通電極２５は、略格子状をなす仕切開口部（仕切スリット）２５Ａを有しており、仕切開口部２５Ａによって複数のタッチ電極３０に分割されている。仕切開口部２５Ａは、概ねＹ軸方向に沿って共通電極２５の全長にわたって横断していてＸ軸方向について隣り合うタッチ電極３０の間を仕切る第１仕切開口部２５Ａ１と、Ｘ軸方向に沿って共通電極２５の全長にわたって縦断していてＹ軸方向について隣り合うタッチ電極３０の間を仕切る第２仕切開口部２５Ａ２と、からなる。第１仕切開口部２５Ａ１は、Ｘ軸方向についてタッチ電極３０分の間隔を空けて複数が並んで配されている。第２仕切開口部２５Ａ２は、Ｙ軸方向についてタッチ電極３０分の間隔を空けて複数が並んで配されている。仕切開口部２５Ａによって仕切られるタッチ電極３０は、表示領域ＡＡにおいてＹ軸方向及びＸ軸方向に沿って複数ずつがそれぞれ間隔を空けて並んで配されている。タッチ電極３０は、平面に視て略方形状をなしており、一辺の寸法が数ｍｍ程度とされる。タッチ電極３０は、平面に視た大きさが後述する画素よりも遙かに大きくなっており、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に複数（数十～数百程度）ずつの画素に跨る範囲に配置されている。

【0024】

複数のタッチ電極３０には、図１に示すように、液晶パネル１０に設けられた複数のタッチ配線（第１配線、位置検出配線）３１が選択的に接続されている。タッチ配線３１は、Ｙ軸方向に沿って延在する。タッチ配線３１のＹ軸方向の一端側部分が、非表示領域ＮＡＡにてドライバ１１に対して接続されている。タッチ配線３１のＹ軸方向の他端側部分が、表示領域ＡＡにてＹ軸方向に沿って並ぶ複数のタッチ電極３０のうちの特定のタッチ電極３０に対して接続されている。タッチ配線３１は、Ｙ軸方向の形成範囲がドライバ１１から接続対象のタッチ電極３０に至るまでの範囲に限られており、接続対象のタッチ電極３０よりもドライバ１１側（図１の下側）とは反対側（図１の上側）には非配置とされる。なお、タッチ配線３１の設置数によっては、１つのタッチ電極３０に１本のみのタッチ配線３１を接続してもよいが、１つのタッチ電極３０に複数のタッチ配線３１を接続してもよい。また、１つのタッチ電極３０に接続するタッチ配線３１の本数は、タッチ電極３０の位置に応じて異なっていてもよい。その場合は、例えばドライバ１１から遠いタッチ電極３０に接続されるタッチ配線３１の数を、ドライバ１１に近いタッチ電極３０に接続されるタッチ配線３１の数よりも多くするのが好ましいが、必ずしもその限りではない。なお、図１では、タッチ電極３０に対するタッチ配線３１の接続箇所（タッチコンタクトホールＣＨ５）を黒丸にて図示している。さらにタッチ配線３１は、検出回路と接続されている。検出回路は、ドライバ１１に備えられてもよいが、フレキシブル基板１２を介して液晶パネル１０の外部に備えられてもよい。

【0025】

タッチ配線３１には、図１に示すように、ドライバ１１から、画像表示機能に係る共通電位信号と、タッチパネル機能に係るタッチ信号（位置検出信号）と、が時分割して供給される。ドライバ１１からタッチ配線３１に共通電位信号が供給されるタイミングが表示期間である。ドライバ１１からタッチ配線３１にタッチ信号が供給されるタイミングがセンシング期間（位置検出期間）である。この共通電位信号は、同じタイミング（表示期間）で全てのタッチ配線３１に伝送されることで、全てのタッチ電極３０が共通電位信号に基づく基準電位となって共通電極２５として機能する。

【0026】

図２を用いてアレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける画素配列の概要を説明する。アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図２に示すように、ＴＦＴ（スイッチング素子、薄膜トランジスタ）２３及び画素電極（第３電極）２４が設けられている。ＴＦＴ２３及び画素電極２４は、複数ずつＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って間隔を空けて並んでマトリクス状（行列状）に設けられている。これらＴＦＴ２３及び画素電極２４の周りには、互いに直交（交差）するゲート配線（走査配線）２６及びソース配線（第２配線、信号配線、データ配線）２７が複数ずつ配されている。ゲート配線２６は、Ｘ軸方向に沿って延在し、表示領域ＡＡを横断する。ゲート配線２６は、複数がＹ軸方向に間隔を空けて並んで配される。ソース配線２７は、Ｙ軸方向に沿って延在し、表示領域ＡＡを縦断する。ソース配線２７は、複数がＸ軸方向に間隔を空けて並んで配される。ＴＦＴ２３及び画素電極２４は、ゲート配線２６とソース配線２７との交差部位付近に配されている。ＴＦＴ２３には、画素電極２４、ゲート配線２６及びソース配線２７が接続されている。ＴＦＴ２３は、ゲート配線２６が接続されるゲート電極２３Ａと、ソース配線２７が接続されるソース電極２３Ｂと、画素電極２４が接続されるドレイン電極（第１電極）２３Ｃと、ソース電極２３Ｂとドレイン電極２３Ｃとに接続される半導体部２３Ｄと、を有する。半導体部２３Ｄは、半導体材料からなり、ゲート電極２３Ａと重畳して配される。ＴＦＴ２３は、ゲート配線２６からゲート電極２３Ａに供給される走査信号に基づいて駆動されると、ソース配線２７からソース電極２３Ｂに供給される画像信号に基づいた電位に画素電極２４を充電する。画素電極２４は、Ｙ軸方向を長手方向とした長手状をなしている。

【0027】

図３を用いてアレイ基板２１の表示領域ＡＡにおけるＴＦＴ２３付近の具体的な平面構成を説明する。画素電極２４は、図３に示すように、縦長の画素電極本体２４Ａと、画素電極本体２４ＡのＹ軸方向についての一端部に連なるコンタクト部２４Ｂと、を有する。画素電極本体２４Ａは、長手方向がＹ軸方向（ソース配線２７の延在方向）と一致し、長手方向と直交する短手方向がＸ軸方向（ゲート配線２６の延在方向）と一致している。画素電極本体２４Ａには、長手側の側縁に沿って延在する複数（図３では３本）のスリット２４Ａ１が形成されている。なお、スリット２４Ａ１の具体的な設置本数や形状や形成範囲などは、図示以外にも適宜に変更可能である。コンタクト部２４Ｂは、画素電極本体２４Ａから図３の下向きに延出している。コンタクト部２４Ｂは、画素電極本体２４Ａよりも平面に視て幅狭で縦長の方形状をなしている。画素電極２４は、そのほぼ全域が、ＴＦＴ２３のドレイン電極２３Ｃとは平面に視て非重畳とされる。また、タッチ配線３１は、ソース配線２７に対して平面に視て重畳して配されている。

【0028】

ＴＦＴ２３を構成するゲート電極２３Ａは、図３に示すように、ゲート配線２６の一部、具体的には後述する半導体部２３Ｄと平面に視て重畳する部分からなる。ソース電極２３Ｂは、ソース配線２７の一部からなる。具体的には、ソース配線２７のうち、半導体部２３Ｄの一部と平面に視て重畳していて半導体部２３Ｄに接続される部分が、ソース電極２３Ｂとされる。ドレイン電極２３Ｃは、平面に視て縦長の方形状をなしており、ソース電極２３Ｂに対してＸ軸方向について間隔を空けた位置に配されている。ドレイン電極２３Ｃは、一部（図３の上側部分）が、半導体部２３Ｄの一部に対して平面に視て重畳していて半導体部２３Ｄに接続されている。ドレイン電極２３Ｃは、一部（図３の下側部分）が、後述する第１中間電極（第２電極）３９を介して画素電極２４のコンタクト部２４Ｂに接続されている。第１中間電極３９の詳しい構成は、改めて説明する。

【0029】

半導体部２３Ｄは、図３に示すように、ソース電極２３Ｂからドレイン電極２３Ｃに至るまで途中で複数回（３回）屈曲されるよう、配索されている。半導体部２３Ｄは、一端部がソース電極２３Ｂと平面に視て重畳していてソース電極２３Ｂに接続され、他端部がドレイン電極２３Ｃと平面に視て重畳していてドレイン電極２３Ｃに接続されている。半導体部２３Ｄは、一端部を含んでいてソース配線２７と重畳するようＹ軸方向に沿って延在し、ゲート配線２６を横切る第１部と、第１部から屈曲されてＸ軸方向に沿って接続対象のドレイン電極２３Ｃ側（図３の右側）に向けて延在する第２部と、を有する。半導体部２３Ｄは、上記した第２部から屈曲されてＹ軸方向に沿って延在し、再びゲート配線２６を横切る第３部を有する。半導体部２３Ｄは、上記した第３部から屈曲されてＸ軸方向に沿って延在していて他端部を含む第４部を有する。このように、半導体部２３Ｄは、一端部と他端部との中間に位置する中間部分が、折り返し状をなしていて、ゲート配線２６に対して２回交差している。従って、ゲート配線２６は、１つの半導体部２３Ｄに対して２つの重畳部位、つまり２つのゲート電極２３Ａを有している。１つのＴＦＴ２３は、２つのゲート電極２３Ａを有している。

【0030】

図４を用いて液晶パネル１０の表示領域ＡＡにおける断面構成を説明する。液晶パネル１０は、図４に示すように、一対の基板２０，２１間に配されて電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層（媒質層）２２を有している。液晶パネル１０を構成する対向基板２０の内面側における表示領域ＡＡには、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）及び赤色（Ｒ）を呈する３色のカラーフィルタ２８が設けられている。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２８は、ゲート配線２６の延在方向（Ｘ軸方向）に隣り合うよう並んで配される。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２８は、ソース配線２７及びタッチ配線３１の延在方向（Ｙ軸方向）に沿って延在している。このように、互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２８は、全体として縦縞のストライプ状に配列されている。これらのカラーフィルタ２８は、アレイ基板２１側の各画素電極２４と平面に視て重畳する配置とされている。互いに重畳するカラーフィルタ２８と画素電極２４とが表示単位である画素を構成する。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２８は、その境界（色境界）がソース配線２７及びタッチ配線３１と重畳する配置とされる。

【0031】

対向基板２０の内面側における表示領域ＡＡには、図４に示すように、遮光部２９が設けられている。遮光部２９は、隣り合う画素電極２４の間を仕切るよう平面形状が略格子状であり、平面に視て画素電極２４の大部分と重畳する位置に画素開口部２９Ａを有している。この画素開口部２９Ａにより画素電極２４の透過光を液晶パネル１０の外部へ出光させることが可能とされる。遮光部２９は、アレイ基板２１側の少なくともＴＦＴ２３、ゲート配線２６、ソース配線２７及びタッチ配線３１と平面に視て重畳する配置とされる。また、カラーフィルタ２８の上層側（液晶層２２側）には、平坦化のために対向基板２０のほぼ全域にわたってベタ状に配されるオーバーコート膜３２が設けられている。なお、両基板２０，２１のうち、液晶層２２に接する最内面（最上層）には、液晶層２２に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜がそれぞれ形成されている。

【0032】

ここで、アレイ基板２１の内面側に積層形成された各種の膜について図５を参照しつつ説明する。図５は、アレイ基板２１を半導体部２３Ｄに沿って切断した断面図（図３のv-v線断面図）である。アレイ基板２１のガラス基板には、図５に示すように、下層側（ガラス基板側）から順に、ベースコート膜３３、半導体膜、ゲート絶縁膜３４、第１金属膜、第１層間絶縁膜３５、第２金属膜（第１導電膜）、平坦化膜（第１絶縁膜、下層絶縁膜）３６、第３金属膜（第４導電膜）、第２層間絶縁膜（第１絶縁膜、上層絶縁膜）３７、第１透明電極膜（第２導電膜）、第３層間絶縁膜（第２絶縁膜）３８、第２透明電極膜（第３導電膜）、配向膜が少なくとも積層形成されている。

【0033】

半導体膜は、多結晶化されたシリコン薄膜（多結晶シリコン薄膜）の一種であるＣＧシリコン（Continuous Grain Silicon）薄膜からなる。ＣＧシリコン薄膜は、例えばアモルファスシリコン薄膜に金属材料を添加し、５５０℃以下程度の低温で短時間の熱処理を行うことで形成されており、それによりシリコン結晶の結晶粒界における原子配列に連続性を有している。第１金属膜、第２金属膜及び第３金属膜は、それぞれ銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステンなどの中から選択される１種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有している。第１金属膜は、ゲート配線２６、ＴＦＴ２３のゲート電極２３Ａなどを構成する。第２金属膜は、ソース配線２７、ＴＦＴ２３のソース電極２３Ｂ及びドレイン電極２３Ｃなどを構成する。第３金属膜は、タッチ配線３１などを構成する。第１透明電極膜及び第２透明電極膜は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明電極材料からなる。第１透明電極膜及び第２透明電極膜の膜厚は、例えば５０ｎｍ～２００ｎｍ程度とされる。第１透明電極膜は、共通電極２５（タッチ電極３０）及び第１中間電極３９などを構成する。第２透明電極膜は、画素電極２４などを構成する。

【0034】

ベースコート膜３３、ゲート絶縁膜３４、第１層間絶縁膜３５、第２層間絶縁膜３７及び第３層間絶縁膜３８は、それぞれＳｉＯ_２（酸化シリコン、シリコン酸化物）やＳｉＮ_ｘ（窒化シリコン）などの無機絶縁材料（無機材料）からなる。無機絶縁材料からなるベースコート膜３３、ゲート絶縁膜３４、第１層間絶縁膜３５、第２層間絶縁膜３７及び第３層間絶縁膜３８の膜厚は、例えば１００ｎｍ～３００ｎｍ程度とされる。本実施形態では、第２層間絶縁膜３７の膜厚は、無機絶縁材料からなる他の絶縁膜３３，３４，３５，３８の膜厚よりも大きい。平坦化膜３６は、例えばＰＭＭＡ（アクリル樹脂）などの有機絶縁材料（有機材料）からなり、その膜厚が無機絶縁材料からなる他の絶縁膜３３，３４，３５，３７，３８よりも大きい。有機絶縁材料からなる平坦化膜３６の膜厚は、例えば２μｍ～３μｍ程度とされ、無機絶縁材料からなるゲート絶縁膜３４、第１層間絶縁膜３５、第２層間絶縁膜３７及び第３層間絶縁膜３８の膜厚よりも桁違いに大きい。この平坦化膜３６によりアレイ基板２１の表面が平坦化される。

【0035】

ベースコート膜３３は、図５に示すように、ガラス基板と、半導体膜からなる半導体部２３Ｄと、の間に介在する。ベースコート膜３３によりガラス基板からの不純物が半導体膜に拡散するのを防ぐことができる。ゲート絶縁膜３４は、主として半導体膜からなる半導体部２３Ｄと、第１金属膜からなるゲート電極２３Ａと、の間に介在し、両者を絶縁状態に保つ。第１層間絶縁膜３５は、主として第１金属膜からなるゲート配線２６と、第２金属膜からなるソース配線２７と、の間に介在し、両者を絶縁状態に保つ。平坦化膜３６は、主として第２金属膜からなるソース配線２７と、第３金属膜からなるタッチ配線３１と、の間に介在し、両者を絶縁状態に保つ。ソース配線１２７及びタッチ配線１３１は、平坦化膜３６を介して重畳する位置関係とされることで、アレイ基板２１の主面上に占める配置スペースを小さくすることができる。これにより、画素の開口率の向上などを図る上で好適となる。第２層間絶縁膜３７は、主として第３金属膜からなるタッチ配線３１と、第１透明電極膜からなる共通電極２５（タッチ電極３０）と、の間に介在し、両者を絶縁状態に保つ。第３層間絶縁膜３８は、主として第１透明電極膜からなる共通電極２５と、第２透明電極膜からなる画素電極２４と、の間に介在し、両者を絶縁状態に保つ。

【0036】

続いて、ＴＦＴ２３の断面構成について図５を用いて説明する。本実施形態に係るＴＦＴ２３は、図５に示すように、いわゆるトップゲート型であり、ゲート電極２３Ａが、半導体部２３Ｄに対してゲート絶縁膜３４を介して上層側に重畳配置されている。ゲート絶縁膜３４及び第１層間絶縁膜３５のうち、ソース電極２３Ｂ及び半導体部２３Ｄの双方と重畳する位置には、ソースコンタクトホールＣＨ１が開口形成されている。ソース電極２３Ｂは、ソースコンタクトホールＣＨ１を通して半導体部２３Ｄに接続される。ゲート絶縁膜３４及び第１層間絶縁膜３５のうち、ドレイン電極２３Ｃ及び半導体部２３Ｄの双方と重畳する位置には、ドレインコンタクトホールＣＨ２が開口形成されている。ドレイン電極２３Ｃは、ドレインコンタクトホールＣＨ２を通して半導体部２３Ｄに接続される。

【0037】

次に、ドレイン電極２３Ｃと画素電極２４との接続構造について図３及び図６を用いて詳しく説明する。図６は、図５のうちのドレイン電極２３Ｃと画素電極２４との接続構造を拡大した断面図である。ドレイン電極２３Ｃと画素電極２４とは、図６に示すように、第１透明電極膜からなる第１中間電極３９を介して接続されている。第１中間電極３９は、図３に示すように、平面に視てＸ軸方向に沿って延在する横長の方形状をなしている。第１中間電極３９は、図３及び図６に示すように、ドレイン電極２３Ｃの一部（半導体部２３Ｄとは非重畳となる部分）と、画素電極２４のコンタクト部２４Ｂと、にわたって配されている。第１中間電極３９は、ドレイン電極２３Ｃに対して重畳する第１重畳部３９Ａと、画素電極２４のコンタクト部２４Ｂに対して重畳する第２重畳部３９Ｂと、を有する。このうち、第２重畳部３９Ｂは、第１中間電極３９のうち、ドレイン電極２３Ｃの全域に対して非重畳とされる部分である。また、第１重畳部３９Ａは、画素電極２４のコンタクト部２４Ｂとは非重畳とされる。

【0038】

平坦化膜３６及び第２層間絶縁膜３７のうち、ドレイン電極２３Ｃ及び第１重畳部３９Ａの双方と重畳する位置には、図６に示すように、第１画素コンタクトホール（第１コンタクトホール）ＣＨ３が開口形成されている。第１重畳部３９Ａは、第１画素コンタクトホールＣＨ３を通してドレイン電極２３Ｃに接続される。第３層間絶縁膜３８のうち、第２重畳部３９Ｂ及び画素電極２４のコンタクト部２４Ｂの双方と重畳する位置には、第２画素コンタクトホール（第２コンタクトホール）ＣＨ４が開口形成されている。画素電極２４のコンタクト部２４Ｂは、第２画素コンタクトホールＣＨ４を通して第２重畳部３９Ｂに接続される。このように、画素電極２４のコンタクト部２４Ｂは、第１中間電極３９を介してドレイン電極２３Ｃに接続される。従って、仮に画素電極のコンタクト部をドレイン電極に対して直接的に接続した場合に比べると、画素電極２４のコンタクト部２４Ｂに生じる段差が小さくなるので、接続信頼性が向上する。

【0039】

ここで、ドレイン電極２３Ｃ及び画素電極２４は、図３及び図６に示すように、既述した通り、一部ずつが互いに非重畳の位置関係とされる。これに対し、第１中間電極３９は、ドレイン電極２３Ｃと重畳していて第１画素コンタクトホールＣＨ３を通してドレイン電極２３Ｃに接続される第１重畳部３９Ａと、画素電極２４のコンタクト部２４Ｂと重畳していて第２画素コンタクトホールＣＨ４を通して画素電極２４のコンタクト部２４Ｂに接続される第２重畳部３９Ｂと、を有している。つまり、第１画素コンタクトホールＣＨ３と第２画素コンタクトホールＣＨ４とが互いに非重畳の位置関係とされる。具体的には、第１画素コンタクトホールＣＨ３及び第２画素コンタクトホールＣＨ４は、Ｘ軸方向について間隔を空けた位置に配されている。このようにすれば、従来のように、第１画素コンタクトホールＣＨ３内において第３層間絶縁膜３８に第２画素コンタクトホールＣＨ４が設けられることがないので、第３層間絶縁膜３８に第２画素コンタクトホールＣＨ４が適切に形成される確実性が高くなる。具体的には、第３層間絶縁膜３８における第２画素コンタクトホールＣＨ４の開口縁に段差が生じ難くなり、そうなれば画素電極２４のコンタクト部２４Ｂに膜切れが生じ難くなる。また、第３層間絶縁膜３８に第２画素コンタクトホールＣＨ４が非形成となる事態が生じ難くなる。これにより、第１中間電極３９と画素電極２４との接続信頼性を向上させることができる。ＴＦＴ２３と画素電極２４との接続信頼性が向上することで、画素電極２４が表示不良となる欠陥が生じ難くなる。

【0040】

上記した第１中間電極３９は、図６に示すように、第１透明電極膜のうちの共通電極２５とは別の部分からなる。つまり、アレイ基板２１の製造に際し、第１透明電極膜をパターニングする工程において、共通電極２５及び第１中間電極３９が一括して設けられている。共通電極２５には、共通の第１透明電極膜からなる第１中間電極３９との短絡を回避するため、第１中間電極３９を取り囲む第１開口部２５Ｂが設けられている。第１開口部２５Ｂは、第１中間電極３９の外形よりも一回り大きい横長の方形状をなしている。このように、第１中間電極３９は、共通電極２５の非形成範囲である第１開口部２５Ｂ内に配されているので、共通電極２５との短絡を防ぎつつ、共通電極２５と共通の第１透明電極膜によって第１中間電極３９を構成することができる。また、共通電極２５のうち、タッチ配線３１と平面に視て重畳する位置には、図５に示すように、スリット２５Ｃが設けられている。このスリット２５Ｃにより、タッチ配線３１と、そのタッチ配線３１の接続非対象であるタッチ電極３０と、の間に生じ得る寄生容量が低減されるので、位置検出感度の向上が図られる。

【0041】

第１画素コンタクトホールＣＨ３を有する平坦化膜３６及び第２層間絶縁膜３７の膜厚の合計は、図６に示すように、第２画素コンタクトホールＣＨ４を有する第３層間絶縁膜３８の膜厚よりも大きい。このようにすれば、平坦化膜３６及び第２層間絶縁膜３７のうちの上層側に位置する第２層間絶縁膜３７の表面における平坦性が、第３層間絶縁膜３８の表面における平坦性よりも高くなる。これにより、第２層間絶縁膜３７の上層側において第１画素コンタクトホールＣＨ３とは非重畳となる位置に配される第１中間電極３９の第２重畳部３９Ｂの平坦性が担保されるので、画素電極２４のコンタクト部２４Ｂとの接続信頼性がより高くなる。

【0042】

次に、タッチ電極３０（共通電極２５）とタッチ配線３１との接続構造について図７を用いて説明する。図７は、アレイ基板２１におけるタッチ電極３０とタッチ配線３１との接続構造を示す断面図である。第２層間絶縁膜３７のうち、互いに接続対象とされるタッチ電極３０及びタッチ配線３１の双方と重畳する位置には、図７に示すように、タッチコンタクトホール（第３コンタクトホール）ＣＨ５が開口形成されている。タッチ配線３１におけるタッチ電極３０との重畳部位は、例えばＹ軸方向に沿って延びるタッチ配線３１の本体部分からＸ軸方向に沿って突き出す分岐部により構成されてもよい。それ以外にも、例えば、タッチ電極３０に備わるスリット２５Ｃが、タッチ配線３１の全長にわたって重畳しない長さに設定され、複数のスリット２５ＣがＹ軸方向について間隔を空けて並ぶ配置とされるとともに、タッチ電極３０の一部（Ｙ軸方向について並ぶ２つのスリット２５Ｃの間に位置する部分）がタッチ配線３１と重畳する構成とされてもよい。いずれにしても、タッチ電極３０は、タッチコンタクトホールＣＨ５を通して接続対象のタッチ配線３１に接続される。

【0043】

本実施形態は以上のような構造であり、続いて液晶パネル１０の製造方法を説明する。液晶パネル１０の製造方法には、対向基板２０を製造する対向基板製造工程（ＣＦ基板製造工程）と、アレイ基板２１を製造するアレイ基板製造工程と、製造された対向基板２０とアレイ基板２１とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、が含まれている。以下では、このうちのアレイ基板製造工程について説明する。

【0044】

アレイ基板製造工程には、ベースコート膜３３を成膜する第１工程と、半導体膜を成膜してパターニングする第２工程と、ゲート絶縁膜３４を成膜する第３工程と、第１金属膜を成膜してパターニングする第４工程と、第１層間絶縁膜３５を成膜してパターニングする第５工程と、第２金属膜を成膜してパターニングする第６工程と、平坦化膜３６を成膜する第７工程と、第３金属膜を成膜してパターニングする第８工程と、第２層間絶縁膜３７を成膜してパターニングする第９工程と、第１透明電極膜を成膜してパターニングする第１０工程と、第３層間絶縁膜３８を成膜してパターニングする第１１工程と、第２透明電極膜を成膜してパターニングする第１２工程と、配向膜を成膜して配向処理を行う第１３工程と、が含まれる。このうち、主に第９工程に関して図８から図１０を用いて以下に詳しく説明する。図８から図１０には、図６の断面構成（ドレイン電極２３Ｃなど）と図７の断面構成（タッチ配線３１など）とが隣り合わせで図示されており、具体的には、図８から図１０の右側に図６の断面構成が、図８から図１０の左側に図７の断面構成が、記載されている。

【0045】

なお、上記した「パターニング」という文言は、一般的なフォトリソグラフィ法に基づく膜の加工を意味する。具体的には、加工対象膜上にフォトレジスト膜を成膜し、所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光装置によりフォトレジスト膜を露光してからフォトレジスト膜を現像し、現像されたフォトレジスト膜を介してエッチングを行うことで、加工対象膜の加工、すなわちパターニングが行われる。

【0046】

第７工程を経て平坦化膜３６が成膜された後、第８工程が行われると、第３金属膜からなるタッチ配線３１などが設けられる。続いて行われる第９工程では、図８に示すように、平坦化膜３６及び第３金属膜の上層側に第２層間絶縁膜３７及びフォトレジスト膜２１Ｒが続けてベタ状に成膜される。その後、露光装置と、フォトマスク２１Ｐと、を用いてフォトレジスト膜２１Ｒが露光される（露光工程）。第９工程で用いられるフォトレジスト膜２１Ｒは、ポジ型の感光性レジスト材料からなる。ここで、フォトマスク２１Ｐについて説明する。フォトマスク２１Ｐは、十分に高い透光性を有する透明な基材２１Ｐ１と、基材２１Ｐ１の主面に形成される遮光膜２１Ｐ２と、基材２１Ｐ１の主面に形成されて一部が遮光膜２１Ｐ２上に積層される半透過膜２１Ｐ３と、を備える。つまり、フォトマスク２１Ｐは、いわゆるハーフトーンマスクである。遮光膜２１Ｐ２は、露光装置の光源からの露光光を遮光し、露光光の透過率がほぼ０％とされる。半透過膜２１Ｐ３は、露光装置の光源からの露光光を所定の透過率でもって透過する。半透過膜２１Ｐ３は、露光光の透過率が、遮光膜２１Ｐ２における露光光の透過率よりも高く、例えば１０％～７０％程度とされている。

【0047】

遮光膜２１Ｐ２は、図８に示すように、表示領域ＡＡにおいて概ねベタ状に配されており、ドレイン電極２３Ｃのうちの半導体部２３Ｄ（ドレインコンタクトホールＣＨ２）とは非重畳となる位置に第１開口２１Ｐ２Ａを有する。また、遮光膜２１Ｐ２は、タッチ配線３１の一部と重畳する位置に第２開口２１Ｐ２Ｂを有する。半透過膜２１Ｐ３は、表示領域ＡＡにおいて概ねベタ状に配されており、遮光膜２１Ｐ２の第１開口２１Ｐ２Ａと重畳する位置に第３開口２１Ｐ３Ａを有する。半透過膜２１Ｐ３は、遮光膜２１Ｐ２の第２開口２１Ｐ２Ｂに対して重畳して配される。つまり、半透過膜２１Ｐ３は、第１開口２１Ｐ２Ａとは非重畳となる範囲に配されている。フォトマスク２１Ｐは、遮光膜２１Ｐ２の形成範囲が光を遮る遮光領域とされ、第１開口２１Ｐ２Ａ及び第３開口２１Ｐ３Ａの形成範囲（半透過膜２１Ｐ３の非形成範囲）が光を透過する透過領域とされ、第２開口２１Ｐ２Ｂの形成範囲が光を半透過する半透過領域とされる。半透過領域の透過光量は、透過領域の透過光量よりも少ない。

【0048】

第９工程において、露光装置の光源から発せられた露光光が、上記のような構成のフォトマスク２１Ｐを介してフォトレジスト膜２１Ｒに対して照射されると、フォトレジスト膜２１Ｒは、遮光膜２１Ｐ２と重畳する範囲が非露光とされ、第１開口２１Ｐ２Ａ及び第３開口２１Ｐ３Ａと重畳する範囲と、第２開口２１Ｐ２Ｂと重畳する範囲と、がそれぞれ露光される。フォトレジスト膜２１Ｒのうち、第１開口２１Ｐ２Ａ及び第３開口２１Ｐ３Ａと重畳する範囲は、全深さにわたって露光されている。フォトレジスト膜２１Ｒのうち、第２開口２１Ｐ２Ｂと重畳する範囲は、第１開口２１Ｐ２Ａと重畳する範囲よりも露光量が少ないため、上側部分が露光されるものの下側部分は殆ど露光されない。

【0049】

露光に続いて現像が行われると、図９に示すように、フォトレジスト膜２１Ｒのうちの露光部分は、露光量に応じた厚さ分が除去される（現像工程）。フォトレジスト膜２１Ｒのうち、第１開口２１Ｐ２Ａ及び第３開口２１Ｐ３Ａと重畳する範囲は、全深さにわたって除去されるものの、第２開口２１Ｐ２Ｂと重畳する範囲は、上側部分が除去されて下側部分が残存する。一方、フォトレジスト膜２１Ｒのうちの非露光部分は、除去されずに残存する。以上により、フォトマスク２１Ｐを用いたフォトレジスト膜２１Ｒのパターニングがなされる。パターニングされたフォトレジスト膜２１Ｒは、全深さにわたって形成される第４開口２１Ｒ１と、非露光部分よりも膜厚が小さい薄膜部２１Ｒ２と、を有する。第４開口２１Ｒ１は、ドレイン電極２３Ｃのうちの半導体部２３Ｄ（ドレインコンタクトホールＣＨ２）とは非重畳となる位置に配される。薄膜部２１Ｒ２は、タッチ配線３１の一部と重畳する位置に配される。

【0050】

第９工程では、図９に示すように、フォトレジスト膜２１Ｒをマスクとして平坦化膜３６及び第２層間絶縁膜３７を一括してエッチングする（第１エッチング工程）。すると、平坦化膜３６及び第２層間絶縁膜３７のうち、第４開口２１Ｒ１と重畳する部分がフォトレジスト膜２１Ｒ（非露光部分及び薄膜部２１Ｒ２）により被覆されずに露出するために選択的に除去され、第４開口２１Ｒ１とは非重畳とされる部分がフォトレジスト膜２１Ｒにより被覆されて露出しないので選択的に残存する（図１０を参照）。これにより、平坦化膜３６及び第２層間絶縁膜３７には、第１画素コンタクトホールＣＨ３が連通して開口形成される。第１画素コンタクトホールＣＨ３によってドレイン電極２３Ｃの一部が露出した状態となる。

【0051】

上記のようにして平坦化膜３６及び第２層間絶縁膜３７をエッチングした後に、フォトレジスト膜２１Ｒをアッシングし、図１０に示すように、薄膜部２１Ｒ２を除去する（アッシング工程）。その後、残存したフォトレジスト膜２１Ｒ（非露光部分）をマスクとして第２層間絶縁膜３７をエッチングする（第２エッチング工程）。すると、図１１に示すように、第２層間絶縁膜３７のうち、フォトレジスト膜２１Ｒにより被覆されずに露出した部分が選択的に除去され、フォトレジスト膜２１Ｒにより被覆されて露出しない部分が選択的に残存する。これにより、第２層間絶縁膜３７には、タッチコンタクトホールＣＨ５が開口形成される。タッチコンタクトホールＣＨ５によってタッチ配線３１の一部が露出した状態となる。

【0052】

このように、第９工程では、ハーフトーンマスクであるフォトマスク２１Ｐを用いてフォトレジスト膜２１Ｒを露光・現像する手法を採っているので、第１画素コンタクトホールＣＨ３及びタッチコンタクトホールＣＨ５を１つのプロセスで設けることができる。

【0053】

以上説明したように本実施形態のアレイ基板２１は、第２金属膜（第１導電膜）からなるドレイン電極（第１電極）２３Ｃと、ドレイン電極２３Ｃの上層側に配される第１絶縁膜である平坦化膜３６及び第２層間絶縁膜３７と、第１絶縁膜である平坦化膜３６及び第２層間絶縁膜３７の上層側に配される第１透明電極膜（第２導電膜）からなる第１中間電極（第２電極）３９と、第１中間電極３９の上層側に配される第３層間絶縁膜（第２絶縁膜）３８と、第３層間絶縁膜３８の上層側に配される第３導電膜からなる画素電極（第３電極）２４と、を備え、画素電極２４は、少なくとも一部がドレイン電極２３Ｃとは非重畳とされ、第１中間電極３９は、ドレイン電極２３Ｃと重畳する第１重畳部３９Ａと、ドレイン電極２３Ｃとは非重畳で画素電極２４と重畳する第２重畳部３９Ｂと、を有し、第１絶縁膜である平坦化膜３６及び第２層間絶縁膜３７は、ドレイン電極２３Ｃ及び第１重畳部３９Ａと重畳する位置に配される第１画素コンタクトホール（第１コンタクトホール）ＣＨ３を有し、第３層間絶縁膜３８は、第２重畳部３９Ｂ及び画素電極２４と重畳する位置に配される第２画素コンタクトホール（第２コンタクトホール）ＣＨ４を有する。

【0054】

ドレイン電極２３Ｃには、第１絶縁膜である平坦化膜３６及び第２層間絶縁膜３７の第１画素コンタクトホールＣＨ３を通して第１中間電極３９の第１重畳部３９Ａが接続される。第１中間電極３９の第２重畳部３９Ｂには、第３層間絶縁膜３８の第２画素コンタクトホールＣＨ４を通して画素電極２４が接続される。このように、画素電極２４は、第１中間電極３９を介してドレイン電極２３Ｃに接続される。従って、仮に画素電極をドレイン電極に対して直接的に接続した場合に比べると、画素電極２４に生じる段差が小さくなるので、接続信頼性が向上する。ここで、ドレイン電極２３Ｃ及び画素電極２４は、一部ずつが互いに非重畳の位置関係とされる。これに対し、第１中間電極３９は、ドレイン電極２３Ｃと重畳していて第１画素コンタクトホールＣＨ３を通してドレイン電極２３Ｃに接続される第１重畳部３９Ａと、画素電極２４と重畳していて第２画素コンタクトホールＣＨ４を通して画素電極２４に接続される第２重畳部３９Ｂと、を有している。つまり、第１画素コンタクトホールＣＨ３と第２画素コンタクトホールＣＨ４とが互いに非重畳の位置関係とされる。このようにすれば、従来のように、第１画素コンタクトホールＣＨ３内において第３層間絶縁膜３８に第２画素コンタクトホールＣＨ４が設けられることがないので、第３層間絶縁膜３８に第２画素コンタクトホールＣＨ４が適切に形成される確実性が高くなる。これにより、第１中間電極３９と画素電極２４との接続信頼性を向上させることができる。

【0055】

また、第１絶縁膜である平坦化膜３６及び第２層間絶縁膜３７は、第３層間絶縁膜３８よりも膜厚が大きい。このようにすれば、第１絶縁膜である平坦化膜３６及び第２層間絶縁膜３７の表面における平坦性が、第３層間絶縁膜３８の表面における平坦性よりも高くなる。これにより、第１絶縁膜である平坦化膜３６及び第２層間絶縁膜３７の上層側において第１画素コンタクトホールＣＨ３とは非重畳となる位置に配される第１中間電極３９の第２重畳部３９Ｂの平坦性が担保されるので、画素電極２４との接続信頼性がより高くなる。

【0056】

また、ＴＦＴ（スイッチング素子）２３と、ＴＦＴ２３に接続される画素電極２４と、画素電極２４に対して重畳して配される共通電極２５と、を備え、ＴＦＴ２３は、ドレイン電極２３Ｃを有しており、共通電極２５は、第１透明電極膜のうちの第１中間電極３９とは別の部分からなっていて第１中間電極３９を取り囲む第１開口部２５Ｂを有しており、画素電極２４は、第３電極とされる。ＴＦＴ２３が駆動されると、ドレイン電極２３Ｃから第１中間電極３９を介して第３電極である画素電極２４に画像信号が供給され、画素電極２４が充電される。充電された画素電極２４と共通電極２５との間には、電位差に応じた電界が生じる。ＴＦＴ２３と画素電極２４との接続信頼性が向上することで、画素電極２４が表示不良となる欠陥が生じ難くなる。ここで、共通電極２５は、画素電極２４との短絡を防ぐため、第１中間電極３９を取り囲む第１開口部２５Ｂを有している。第１中間電極３９は、共通電極２５の非形成範囲である第１開口部２５Ｂ内に配されているので、第１透明電極膜のうちの共通電極２５とは別の部分を利用して形成することができる。このように、共通電極２５及び第１中間電極３９を共通の第１透明電極膜を用いて形成することができる。

【0057】

また、第１絶縁膜は、平坦化膜（下層絶縁膜）３６と第２層間絶縁膜（上層絶縁膜）３７とを積層してなり、平坦化膜３６の上層側で第２層間絶縁膜３７の下層側に位置する第３金属膜（第４導電膜）からなるタッチ配線（第１配線）３１を備え、タッチ配線３１は、少なくとも一部が共通電極２５と重畳して配され、第２層間絶縁膜３７は、共通電極２５及びタッチ配線３１と重畳する位置に配されるタッチコンタクトホール（第３コンタクトホール）ＣＨ５を有する。共通電極２５は、第２層間絶縁膜３７のタッチコンタクトホールＣＨ５を通してタッチ配線３１に接続される。共通電極２５は、タッチ配線３１によって供給される信号に基づく電位とされる。ここで、第１画素コンタクトホールＣＨ３は、第２層間絶縁膜３７と平坦化膜３６とにわたって設けられるのに対し、タッチコンタクトホールＣＨ５は、第２層間絶縁膜３７に設けられて平坦化膜３６に設けられることがない。このような構成によれば、製造に際し、例えば平坦化膜３６、第２層間絶縁膜３７、フォトレジスト膜２１Ｒを順次に成膜してから、ハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いてフォトレジスト膜２１Ｒを露光・現像する手法を採れば、第１画素コンタクトホールＣＨ３及びタッチコンタクトホールＣＨ５を１つのプロセスで設けることが可能となる。

【0058】

また、本実施形態に係る液晶パネル（表示装置）１０は、上記記載のアレイ基板２１と、アレイ基板２１と対向状に配される対向基板２０と、を備える。このような構成の液晶パネル１０によれば、第１中間電極３９と画素電極２４との接続信頼性が向上しているので、優れた表示品位が得られる。

【0059】

＜実施形態２＞
実施形態２を図１２または図１３によって説明する。この実施形態２では、ドレイン電極１２３Ｃと画素電極１２４との接続構造を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

【0060】

本実施形態に係るアレイ基板１２１では、図１２に示すように、ドレイン電極１２３Ｃの大部分が、画素電極（第４電極）１２４のコンタクト部１２４Ｂに対して重畳して配されている。半導体部１２３Ｄは、他端部がドレイン電極１２３Ｃ及びコンタクト部１２４Ｂの一部ずつに対して重畳して配されている。ドレインコンタクトホールＣＨ１０２は、半導体部１２３Ｄの他端部とドレイン電極１２３Ｃとの双方と重畳する位置に配されている。そして、本実施形態に係るアレイ基板１２１は、実施形態１に記載した第１中間電極３９（図６を参照）に代えて、第２中間電極（第２電極）４０及び第３中間電極（第３電極）４１を有する。つまり、本実施形態では、ドレイン電極１２３Ｃは、一部（図１２の下側部分）が、第２中間電極４０及び第３中間電極４１を介して画素電極１２４のコンタクト部１２４Ｂに接続されている。

【0061】

第２中間電極４０は、図１２に示すように、平面に視てＸ軸方向に沿って延在する横長の方形状をなしている。第２中間電極４０は、図１２及び図１３に示すように、タッチ配線１３１と同じ第３金属膜（第２導電膜）からなる。言い換えると、第２中間電極４０は、第３金属膜のうちのタッチ配線１３１とは別の部分からなり、アレイ基板１２１の製造に際し、第３金属膜をパターニングする工程において、タッチ配線１３１及び第２中間電極４０が一括して設けられている。第２中間電極４０は、一部がドレイン電極１２３Ｃ及びコンタクト部１２４Ｂの一部ずつ（半導体部１２３Ｄとは非重畳となる部分）に対して平面に視て重畳して配される。第２中間電極４０のうち、ドレイン電極１２３Ｃ及びコンタクト部１２４Ｂの一部ずつに対して重畳する部分が、第１重畳部４０Ａとされる。第２中間電極４０のうち、第１重畳部４０Ａ以外の部分（ドレイン電極１２３Ｃの全域に対して非重畳とされる部分）が、後述する第３中間電極４１に対して平面に視て重畳する第２重畳部４０Ｂとされる。なお、第２中間電極４０は、全域にわたって半導体部１２３Ｄとは非重畳の配置とされる。

【0062】

第３中間電極４１は、図１２に示すように、平面に視てＸ軸方向に沿って延在する横長の方形状をなしている。第３中間電極４１は、大部分が第２中間電極４０に対して平面に視て重畳する配置とされる。第３中間電極４１は、図１２及び図１３に示すように、共通電極１２５と同じ第１透明電極膜（第３導電膜）からなる。言い換えると、第３中間電極４１は、第１透明電極膜のうちの共通電極１２５（タッチ電極１３０）とは別の部分からなり、アレイ基板１２１の製造に際し、第１透明電極膜をパターニングする工程において、共通電極１２５及び第３中間電極４１が一括して設けられている。第３中間電極４１は、第２中間電極４０と同様に、一部がドレイン電極１２３Ｃ及びコンタクト部１２４Ｂの一部ずつ（半導体部１２３Ｄとは非重畳となる部分）に対して平面に視て重畳して配される。第３中間電極４１のうち、第２中間電極４０の第２重畳部４０Ｂと重畳する部分（ドレイン電極１２３Ｃの全域に対して非重畳とされる部分）が、第３重畳部４１Ａとされる。第３中間電極４１のうち、第２中間電極４０の第１重畳部４０Ａと重畳する部分（ドレイン電極１２３Ｃ及びコンタクト部１２４Ｂの一部ずつに対して重畳する部分）が、第４重畳部４１Ｂとされる。第４重畳部４１Ｂは、第２重畳部４０Ｂとは非重畳とされる。なお、第３中間電極４１は、全域にわたって半導体部１２３Ｄとは非重畳の配置とされる。

【0063】

共通電極１２５には、図１３に示すように、共通の第１透明電極膜からなる第３中間電極４１との短絡を回避するため、第３中間電極４１を取り囲む第２開口部２５Ｄが設けられている。第２開口部２５Ｄは、第３中間電極４１の外形よりも一回り大きい横長の方形状をなしている。このように、第３中間電極４１は、共通電極１２５の非形成範囲である第２開口部２５Ｄ内に配されているので、共通電極１２５との短絡を防ぎつつ、共通電極１２５と共通の第１透明電極膜によって第３中間電極４１を構成することができる。

【0064】

平坦化膜（第１絶縁膜）１３６のうち、ドレイン電極１２３Ｃ及び第２中間電極４０の第１重畳部４０Ａの双方と重畳する位置には、図１３に示すように、第１画素コンタクトホール（第１コンタクトホール）ＣＨ１０３が開口形成されている。第１重畳部４０Ａは、第１画素コンタクトホールＣＨ１０３を通してドレイン電極１２３Ｃに接続される。第２層間絶縁膜（第２絶縁膜）１３７のうち、第２中間電極４０の第２重畳部４０Ｂ及び第３中間電極４１の第３重畳部４１Ａの双方と重畳する位置には、第２画素コンタクトホール（第２コンタクトホール）ＣＨ１０４が開口形成されている。第３重畳部４１Ａは、第２画素コンタクトホールＣＨ１０４を通して第２重畳部４０Ｂに接続される。第３層間絶縁膜（第３絶縁膜）１３８のうち、第３中間電極４１の第４重畳部４１Ｂ及び画素電極１２４のコンタクト部１２４Ｂの双方と重畳する位置には、第３画素コンタクトホール（第４コンタクトホール）ＣＨ６が開口形成されている。画素電極１２４のコンタクト部１２４Ｂは、第３画素コンタクトホールＣＨ６を通して第４重畳部４１Ｂに接続される。このように、画素電極１２４のコンタクト部１２４Ｂは、第２中間電極４０及び第３中間電極４１を介してドレイン電極１２３Ｃに接続される。従って、仮に画素電極を第２中間電極に対して直接的に接続した場合に比べると、画素電極１２４に生じる段差が小さくなるので、接続信頼性が向上する。従って、仮に画素電極のコンタクト部をドレイン電極に対して直接的に接続した場合に比べると、画素電極１２４のコンタクト部１２４Ｂに生じる段差が小さくなるので、接続信頼性が向上する。

【0065】

しかも、本実施形態に係る第２層間絶縁膜１３７は、図１３に示すように、第３層間絶縁膜１３８よりも膜厚が大きい。第２層間絶縁膜１３７に用いられる材料は、上記した実施形態１と同様に無機絶縁材料であってもよいが、平坦化膜１３６と同様の有機絶縁材料であってもよい。このようにすれば、第２層間絶縁膜１３７の表面における平坦性が、第３層間絶縁膜１３８の表面における平坦性よりも高くなる。これにより、第２層間絶縁膜１３７の上層側において第２画素コンタクトホールＣＨ１０４とは非重畳となる位置に配される第３中間電極４１の第４重畳部４１Ｂの平坦性が担保されるので、画素電極１２４のコンタクト部１２４Ｂとの接続信頼性が向上する。

【0066】

ここで、本実施形態では、図１２及び図１３に示すように、第３中間電極４１の第４重畳部４１Ｂが、第２中間電極４０の第１重畳部４０Ａと平面に視て重畳する配置とされる。つまり、ドレイン電極１２３Ｃと画素電極１２４のコンタクト部１２４Ｂとの一部ずつが重畳し、第１画素コンタクトホールＣＨ１０３と第３画素コンタクトホールＣＨ６とが重畳する位置関係となる。仮にドレイン電極と画素電極のコンタクト部とが非重畳の配置とされる場合（各画素コンタクトホールＣＨ６，ＣＨ１０３，ＣＨ１０４が互いに非重畳の配置とされる場合）に比べると、アレイ基板１２１の主面上に占める配置スペースを小さくすることができる。これにより、画素の開口率の向上などを図る上で好適となる。しかも、上記した通り、第２層間絶縁膜１３７の膜厚が第３層間絶縁膜１３８の膜厚よりも大きくされているので、第１画素コンタクトホールＣＨ１０３に起因して第２層間絶縁膜１３７の表面に凹凸が生じ難くなっている。従って、第４重畳部４１Ｂが第１画素コンタクトホールＣＨ１０３に対して重畳する関係であっても、第４重畳部４１Ｂの平坦性が良好に担保され、画素電極１２４のコンタクト部１２４Ｂとの接続信頼性が良好に保たれる。

【0067】

ところで、タッチ配線１３１は、図１２に示すように、ソース配線１２７に対して平坦化膜１３６を介して重畳して配されているので、第１画素コンタクトホールＣＨ１０３、第２画素コンタクトホールＣＨ１０４及びタッチコンタクトホールＣＨ５の周囲には非形成とされる。第２中間電極４０は、タッチ配線１３１の非形成範囲に配されているので、第３金属膜のうちのタッチ配線１３１とは別の部分を利用して形成することができる。このように、タッチ配線１３１及び第２中間電極４０を共通の第３金属膜を用いて形成することができる。

【0068】

また、共通電極１２５は、図１３に示すように、画素電極１２４のコンタクト部１２４Ｂとの短絡を防ぐため、第３中間電極４１を取り囲む第２開口部２５Ｄを有している。第３中間電極４１は、共通電極１２５の非形成範囲である第２開口部２５Ｄ内に配されているので、第１透明電極膜のうちの共通電極１２５とは別の部分を利用して形成することができる。このように、共通電極１２５及び第３中間電極４１を共通の第１透明電極膜を用いて形成することができる。

【0069】

以上説明したように本実施形態によれば、第３中間電極（第３電極）４１の上層側に配される第３層間絶縁膜（第３絶縁膜）１３８と、第３層間絶縁膜１３８の上層側に配される第２透明電極膜（第５導電膜）からなる画素電極（第４電極）１２４と、を備え、画素電極１２４は、少なくとも一部が第２重畳部４０Ｂとは非重畳とされ、第３中間電極４１は、第２重畳部４０Ｂと重畳する第３重畳部４１Ａと、第２重畳部４０Ｂとは非重畳で画素電極１２４と重畳する第４重畳部４１Ｂと、を有し、第３層間絶縁膜１３８は、画素電極１２４及び第４重畳部４１Ｂと重畳する位置に配される第３画素コンタクトホール（第４コンタクトホール）ＣＨ６を有する。第３中間電極４１の第４重畳部４１Ｂには、第３層間絶縁膜１３８の第３画素コンタクトホールＣＨ６を通して画素電極１２４が接続される。このように、画素電極１２４は、第３中間電極４１及び第２中間電極（第２電極）４０を介してドレイン電極（第１電極）１２３Ｃに接続されるので、仮に画素電極を第２中間電極に対して直接的に接続した場合に比べると、画素電極１２４に生じる段差が小さくなるので、接続信頼性が向上する。

【0070】

また、第２層間絶縁膜（第２絶縁膜）１３７は、第３層間絶縁膜１３８よりも膜厚が大きい。このようにすれば、第２層間絶縁膜１３７の表面における平坦性が、第３層間絶縁膜１３８の表面における平坦性よりも高くなる。これにより、第２層間絶縁膜１３７の上層側において第２画素コンタクトホール（第２コンタクトホール）ＣＨ１０４とは非重畳となる位置に配される第３中間電極４１の第４重畳部４１Ｂの平坦性が担保されるので、画素電極１２４との接続信頼性が向上する。

【0071】

また、第４重畳部４１Ｂは、第１重畳部４０Ａと重畳して配される。このようにすれば、ドレイン電極１２３Ｃと画素電極１２４とが重畳し、第１画素コンタクトホールＣＨ１０３と第３画素コンタクトホールＣＨ６とが重畳する位置関係となる。仮にドレイン電極と画素電極とが非重畳の配置とされる場合に比べると、省スペース化が図られるので、開口率の向上などを図る上で好適となる。また、第２層間絶縁膜１３７の膜厚が第３層間絶縁膜１３８の膜厚よりも大きくされているので、第１画素コンタクトホールＣＨ１０３に起因して第２層間絶縁膜１３７の表面に凹凸が生じ難くなっている。従って、第４重畳部４１Ｂが第１画素コンタクトホールＣＨ１０３に対して重畳する関係であっても、第４重畳部４１Ｂの平坦性が良好に担保され、画素電極１２４との接続信頼性が良好に保たれる。

【0072】

また、ＴＦＴ１２３と、ＴＦＴ１２３に接続されるソース配線（第２配線）１２７と、ＴＦＴ１２３に接続される画素電極１２４と、画素電極１２４に対して重畳して配される共通電極１２５と、共通電極１２５に接続されるタッチ配線（第３配線）１３１と、を備え、ＴＦＴ１２３は、ドレイン電極１２３Ｃを有しており、ソース配線１２７は、第２金属膜のうちのドレイン電極１２３Ｃとは別の部分からなり、タッチ配線１３１は、第３金属膜（第２導電膜）のうちの第２中間電極４０とは別の部分からなっていてソース配線１２７に対して重畳して配され、共通電極１２５は、第１透明電極膜のうちの第３中間電極４１とは別の部分からなっていて第３中間電極４１を取り囲む第２開口部２５Ｄを有しており、画素電極１２４は、第４電極とされる。ＴＦＴ１２３が駆動されると、ドレイン電極１２３Ｃから第２中間電極４０及び第３中間電極４１を介して第４電極である画素電極１２４に画像信号が供給され、画素電極１２４が充電される。共通電極１２５は、タッチ配線１３１によって供給される信号に基づく電位とされる。充電された画素電極１２４と共通電極１２５との間には、電位差に応じた電界が生じる。ＴＦＴ１２３と画素電極１２４との接続信頼性が向上することで、画素電極１２４が表示不良となる欠陥が生じ難くなる。ソース配線１２７とタッチ配線１３１とが平坦化膜（第１絶縁膜）１３６を介して重畳する位置関係とされることで、省スペース化が図られるので、開口率の向上が図られる。ここで、タッチ配線１３１は、ソース配線１２７に対して重畳して配されているので、第１画素コンタクトホールＣＨ１０３、第２画素コンタクトホールＣＨ１０４及びタッチコンタクトホール（第３コンタクトホール）ＣＨ５の周囲には非形成とされる。第２中間電極４０は、タッチ配線１３１の非形成範囲に配されているので、第３金属膜のうちのタッチ配線１３１とは別の部分を利用して形成することができる。共通電極１２５は、画素電極１２４との短絡を防ぐため、第３中間電極４１を取り囲む第２開口部２５Ｄを有している。第３中間電極４１は、共通電極１２５の非形成範囲である第２開口部２５Ｄ内に配されているので、第１透明電極膜のうちの共通電極１２５とは別の部分を利用して形成することができる。このように、タッチ配線１３１及び第２中間電極４０を共通の第３金属膜を用いて形成することができるとともに、共通電極１２５及び第３中間電極４１を共通の第１透明電極膜を用いて形成することができる。

【0073】

＜他の実施形態＞
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されず、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。

【0074】

（１）実施形態１に記載した構成において、画素電極２４のコンタクト部２４Ｂの一部がドレイン電極２３Ｃに対して平面に視て重畳する配置でもよい。

【0075】

（２）実施形態２に記載した構成において、画素電極１２４のコンタクト部１２４Ｂ及び第３中間電極４１の第４重畳部４１Ｂが、ドレイン電極１２３Ｃとは平面に視て非重畳となる配置でもよい。この場合、各画素コンタクトホールＣＨ６，ＣＨ１０３，ＣＨ１０４が互いに非重畳の配置となる。

【0076】

（３）第２層間絶縁膜３７の膜厚は、無機絶縁材料からなる他の絶縁膜３３，３４，３５，３８の膜厚と同じ程度でもよい。

【0077】

（４）実施形態１に記載した構成において、タッチ配線３１を省略し、共通電極２５を非分割構造とすることも可能である。その場合、アレイ基板２１に備わる各種の膜から、第３金属膜及び第２層間絶縁膜３７を省略することができる。第３金属膜及び第２層間絶縁膜３７を省略した場合には、「第２絶縁膜」が平坦化膜３６のみから構成される。なお、上記した「非分割構造の共通電極」とは、仕切開口部２５Ａを有さず、少なくとも表示領域ＡＡ内においてベタ状に延在する共通電極２５のことである。

【0078】

（５）タッチパネル機能を備えない液晶パネル１０であってもよい。その場合、タッチ配線３１，１３１を省略し、共通電極２５，１２５を非分割構造とすることも可能であるが、共通電極２５，１２５を分割構造としつつタッチ配線３１，１３１を「共通配線」として残存させてもよい。「共通配線」は、共通電極２５，１２５を構成する各分割電極に対して専ら共通電位信号を供給するものである。

【0079】

（６）半導体部２３Ｄ，１２３Ｄの具体的な平面形状は、適宜に変更可能である。半導体部２３Ｄ，１２３Ｄの平面形状を変更するのに伴って、ソース電極２３Ｂの配置も適宜に変更可能である。例えば、ソース配線２７，１２７の本体部分から分岐した部分を設けてその分岐部をソース電極２３Ｂとすることも可能である。

【0080】

（７）フォトマスク２１Ｐとしては、ハーフトーンマスク以外にもグレートーンマスクを用いることも可能である。

【0081】

（８）フォトレジスト膜２１Ｒは、ポジ型以外にもネガ型であってもよい。

【0082】

（９）ゲート回路部１３を省略することも可能である。その場合、アレイ基板２１，１２１にゲート回路部１３と同様の機能を有するゲートドライバを実装するようにしても構わない。また、ゲート回路部１３をアレイ基板２１，１２１における片側の辺部のみに設けることも可能である。

【0083】

（１０）ＴＦＴ２３，１２３の構成は、トップゲート型以外にも、ボトムゲート型やダブルゲート型などでもよい。

【0084】

（１１）半導体膜の材料は、アモルファス半導体材料や酸化物半導体材料などでもよい。

【0085】

（１２）タッチパネルパターンは、自己容量方式以外にも相互容量方式であってもよい。

【0086】

（１３）カラーフィルタ２８は、アレイ基板２１，１２１に設けられてもよい。その場合、画素電極２４，１２４及びカラーフィルタ２８が共にアレイ基板２１，１２１に設けられることになり、対向基板２０には、画素の構成要素が設けられない。

【0087】

（１４）液晶パネル１０の平面形状は、縦長の長方形、正方形、円形、半円形、長円形、楕円形、台形などであってもよい。

【0088】

（１５）液晶パネル１０は、透過型以外にも反射型や半透過型であってもよい。

【0089】

（１６）液晶パネル１０以外の種類の表示パネル（有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示パネルなど）やＥＰＤ（マイクロカプセル型電気泳動方式のディスプレイパネル）であってもよい。

【0090】

（１７）実施形態１に記載の技術において、ハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクを用いることなく、アレイ基板２１を製造することも可能である。例えば、アレイ基板製造工程に含まれる第７工程にて、成膜した平坦化膜３６をパターニングすることで、平坦化膜３６に第１画素コンタクトホールＣＨ３の一部を開口形成し、第９工程にて、成膜した第２層間絶縁膜３７をパターニングすることで、第２層間絶縁膜３７に、第１画素コンタクトホールＣＨ３の残りの部分と、タッチコンタクトホールＣＨ５と、をそれぞれ開口形成してもよい。

【符号の説明】

【0091】

１０…液晶パネル（表示装置）、２０…対向基板、２１，１２１…アレイ基板、２３，１２３…ＴＦＴ（スイッチング素子）、２３Ｃ，１２３Ｃ…ドレイン電極（第１電極）、２４…画素電極（第３電極）、２５，１２５…共通電極、２５Ｂ…第１開口部、２５Ｄ…第２開口部、３１…タッチ配線（第１配線）、３６…平坦化膜（第１絶縁膜、下層絶縁膜）、３７…第２層間絶縁膜（第１絶縁膜、上層絶縁膜）、３８…第３層間絶縁膜（第２絶縁膜）、３９…第１中間電極（第２電極）、３９Ａ…第１重畳部、３９Ｂ…第２重畳部、４０…第２中間電極（第２電極）、４０Ａ…第１重畳部、４０Ｂ…第２重畳部、４１…第３中間電極（第３電極）、４１Ａ…第３重畳部、４１Ｂ…第４重畳部、１２４…画素電極（第４電極）、１２７…ソース配線（第２配線）、１３１…タッチ配線（第３配線）、１３６…平坦化膜（第１絶縁膜）、１３７…第２層間絶縁膜（第２絶縁膜）、１３８…第３層間絶縁膜（第３絶縁膜）、ＣＨ３，ＣＨ１０３…第１画素コンタクトホール（第１コンタクトホール）、ＣＨ４，ＣＨ１０４…第２画素コンタクトホール（第２コンタクトホール）、ＣＨ５…タッチコンタクトホール（第３コンタクトホール）、ＣＨ６…第３画素コンタクトホール（第４コンタクトホール）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】