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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024122198
(43)【公開日】2024-09-09
(54)【発明の名称】表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H10K 71/16 20230101AFI20240902BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20240902BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240902BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240902BHJP
H10K 71/60 20230101ALI20240902BHJP
H10K 50/12 20230101ALI20240902BHJP
H10K 50/82 20230101ALI20240902BHJP
【ＦＩ】
H10K71/16
H10K59/10
G09F9/00 338
G09F9/30 365
H10K71/60
H10K50/12
H10K50/82
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023029620
(22)【出願日】2023-02-28
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】濱田 夕慎
(72)【発明者】
【氏名】竹中 貴史
(72)【発明者】
【氏名】水越 寛文
(72)【発明者】
【氏名】高山 健
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC45
3K107DD44Y
3K107DD53
3K107DD58
3K107DD68
3K107DD69
3K107FF14
3K107GG32
3K107GG34
3K107GG43
5C094AA43
5C094BA27
5C094GB01
5G435AA17
5G435BB05
5G435KK05
5G435KK10
(57)【要約】
【課題】設置スペースを縮小する。
【解決手段】一実施形態によれば、製造装置は、表示装置用の処理基板を搬送するための第１搬送路と第２搬送路との間に位置する第１蒸着源及び第２蒸着源を備え、前記第１蒸着源は前記第１搬送路に向けて材料を放射するように構成され、前記第２蒸着源は前記第２搬送路に向けて材料を放射するように構成された第１蒸着チャンバーと、前記第１蒸着チャンバーの前記第１搬送路から搬出された前記処理基板を保持して回転する回転機構を備え、前記第１蒸着チャンバーの前記第２搬送路に前記処理基板を搬出するように構成された第１ローテーションチャンバーと、を備える。
【選択図】図１１
【解決手段】一実施形態によれば、製造装置は、表示装置用の処理基板を搬送するための第１搬送路と第２搬送路との間に位置する第１蒸着源及び第２蒸着源を備え、前記第１蒸着源は前記第１搬送路に向けて材料を放射するように構成され、前記第２蒸着源は前記第２搬送路に向けて材料を放射するように構成された第１蒸着チャンバーと、前記第１蒸着チャンバーの前記第１搬送路から搬出された前記処理基板を保持して回転する回転機構を備え、前記第１蒸着チャンバーの前記第２搬送路に前記処理基板を搬出するように構成された第１ローテーションチャンバーと、を備える。
【選択図】図１１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示装置用の処理基板を搬送するための第１搬送路と第２搬送路との間に位置する第１蒸着源及び第２蒸着源を備え、前記第１蒸着源は前記第１搬送路に向けて材料を放射するように構成され、前記第２蒸着源は前記第２搬送路に向けて材料を放射するように構成された第１蒸着チャンバーと、
前記第１蒸着チャンバーの前記第１搬送路から搬出された前記処理基板を保持して回転する回転機構を備え、前記第１蒸着チャンバーの前記第２搬送路に前記処理基板を搬出するように構成された第１ローテーションチャンバーと、
を備える、表示装置の製造装置。
前記第１蒸着チャンバーの前記第１搬送路から搬出された前記処理基板を保持して回転する回転機構を備え、前記第１蒸着チャンバーの前記第２搬送路に前記処理基板を搬出するように構成された第１ローテーションチャンバーと、
を備える、表示装置の製造装置。
【請求項2】
前記第１蒸着源のノズルは、前記処理基板の法線に対して、前記処理基板の搬送方向に沿って前記処理基板の一端を向くように傾斜し、
前記第２蒸着源のノズルは、前記処理基板の法線に対して、前記処理基板の搬送方向に沿って前記処理基板の他端を向くように傾斜している、請求項１に記載の表示装置の製造装置。
前記第２蒸着源のノズルは、前記処理基板の法線に対して、前記処理基板の搬送方向に沿って前記処理基板の他端を向くように傾斜している、請求項１に記載の表示装置の製造装置。
【請求項3】
前記第１蒸着源から放射される材料は、前記第２蒸着源から放射される材料と同一である、請求項１に記載の表示装置の製造装置。
【請求項4】
前記第１蒸着源及び前記第２蒸着源からそれぞれ放射される材料は、第１材料及び第２材料を含む混合物であり、
前記第１材料と前記第２材料との組成比は、前記第１蒸着源及び前記第２蒸着源において互いに異なる、請求項１に記載の表示装置の製造装置。
前記第１材料と前記第２材料との組成比は、前記第１蒸着源及び前記第２蒸着源において互いに異なる、請求項１に記載の表示装置の製造装置。
【請求項5】
前記第１材料はマグネシウムであり、前記第２材料は銀であり、
前記第１蒸着源から放射される前記混合物は、前記第２蒸着源から放射される前記混合物と比較して、前記第１材料の濃度が高い、請求項４に記載の表示装置の製造装置。
前記第１蒸着源から放射される前記混合物は、前記第２蒸着源から放射される前記混合物と比較して、前記第１材料の濃度が高い、請求項４に記載の表示装置の製造装置。
【請求項6】
前記第１材料はキャリア輸送用のホスト材料であり、前記第２材料は発光用のドーパント材料であり、
前記第１蒸着源から放射される前記混合物は、前記第２蒸着源から放射される前記混合物と比較して、前記第１材料の濃度が高い、請求項４に記載の表示装置の製造装置。
前記第１蒸着源から放射される前記混合物は、前記第２蒸着源から放射される前記混合物と比較して、前記第１材料の濃度が高い、請求項４に記載の表示装置の製造装置。
【請求項7】
前記第１材料はキャリア輸送用のホスト材料であり、前記第２材料は発光用のドーパント材料であり、
前記第２蒸着源から放射される前記混合物は、前記第１蒸着源から放射される前記混合物と比較して、前記第１材料の濃度が高い、請求項４に記載の表示装置の製造装置。
前記第２蒸着源から放射される前記混合物は、前記第１蒸着源から放射される前記混合物と比較して、前記第１材料の濃度が高い、請求項４に記載の表示装置の製造装置。
【請求項8】
さらに、前記第１搬送路と前記第２搬送路との間に位置する第３蒸着源及び第４蒸着源を備え、前記第３蒸着源は前記第１搬送路に向けて材料を放射するように構成され、前記第４蒸着源は前記第２搬送路に向けて材料を放射するように構成された第２蒸着チャンバーを備え、
前記第１蒸着チャンバーは、前記第１ローテーションチャンバーと前記第２蒸着チャンバーとの間に設置されている、請求項１に記載の表示装置の製造装置。
前記第１蒸着チャンバーは、前記第１ローテーションチャンバーと前記第２蒸着チャンバーとの間に設置されている、請求項１に記載の表示装置の製造装置。
【請求項9】
さらに、第３蒸着チャンバーと、第４蒸着チャンバーと、前記第３蒸着チャンバーと前記第４蒸着チャンバーとの間に設置された第２ローテーションチャンバーと、を備え、
前記第２ローテーションチャンバーは、
前記第３蒸着チャンバーから搬出された前記処理基板を前記第１搬送路に搬入するように前記処理基板を回転させ、
前記第２搬送路から搬出された前記処理基板を前記第４蒸着チャンバーに搬入するように前記処理基板を回転させる、請求項１に記載の表示装置の製造装置。
前記第２ローテーションチャンバーは、
前記第３蒸着チャンバーから搬出された前記処理基板を前記第１搬送路に搬入するように前記処理基板を回転させ、
前記第２搬送路から搬出された前記処理基板を前記第４蒸着チャンバーに搬入するように前記処理基板を回転させる、請求項１に記載の表示装置の製造装置。
【請求項10】
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、
前記処理基板を第１蒸着チャンバーの第１搬送路に搬入し、
前記第１蒸着チャンバーにおいて第１蒸着源から放射された材料を前記処理基板に蒸着し、
前記第１蒸着チャンバーから搬出された前記処理基板を回転させ、
前記処理基板を前記第１蒸着チャンバーの第２搬送路に搬入し、
前記第１蒸着チャンバーにおいて第２蒸着源から放射された材料を前記処理基板に蒸着し、
前記第１蒸着チャンバーから前記処理基板を搬出し、
前記第１蒸着源及び前記第２蒸着源からそれぞれ放射される材料は、第１材料及び第２材料を含む混合物であり、
前記第１材料と前記第２材料との組成比は、前記第１蒸着源及び前記第２蒸着源において互いに異なる、表示装置の製造方法。
前記処理基板を第１蒸着チャンバーの第１搬送路に搬入し、
前記第１蒸着チャンバーにおいて第１蒸着源から放射された材料を前記処理基板に蒸着し、
前記第１蒸着チャンバーから搬出された前記処理基板を回転させ、
前記処理基板を前記第１蒸着チャンバーの第２搬送路に搬入し、
前記第１蒸着チャンバーにおいて第２蒸着源から放射された材料を前記処理基板に蒸着し、
前記第１蒸着チャンバーから前記処理基板を搬出し、
前記第１蒸着源及び前記第２蒸着源からそれぞれ放射される材料は、第１材料及び第２材料を含む混合物であり、
前記第１材料と前記第２材料との組成比は、前記第１蒸着源及び前記第２蒸着源において互いに異なる、表示装置の製造方法。
【請求項11】
さらに、前記処理基板を前記第１蒸着チャンバーに搬入する前に、前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成する、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項12】
前記第１材料はマグネシウムであり、前記第２材料は銀であり、
前記第１蒸着源から放射される前記混合物は、前記第２蒸着源から放射される前記混合物と比較して、前記第１材料の濃度が高い、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
前記第１蒸着源から放射される前記混合物は、前記第２蒸着源から放射される前記混合物と比較して、前記第１材料の濃度が高い、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項13】
さらに、前記処理基板を前記第１蒸着チャンバーに搬入する前に、前記下電極の上に、有機層の一部を形成する、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項14】
前記第１材料はキャリア輸送用のホスト材料であり、前記第２材料は発光用のドーパント材料であり、
前記第１蒸着源から放射される前記混合物は、前記第２蒸着源から放射される前記混合物と比較して、前記第１材料の濃度が高い、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
前記第１蒸着源から放射される前記混合物は、前記第２蒸着源から放射される前記混合物と比較して、前記第１材料の濃度が高い、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項15】
前記第１材料はキャリア輸送用のホスト材料であり、前記第２材料は発光用のドーパント材料であり、
前記第２蒸着源から放射される前記混合物は、前記第１蒸着源から放射される前記混合物と比較して、前記第１材料の濃度が高い、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
前記第２蒸着源から放射される前記混合物は、前記第１蒸着源から放射される前記混合物と比較して、前記第１材料の濃度が高い、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項16】
前記第１蒸着源のノズルは、前記処理基板の法線に対して、前記処理基板の搬送方向に沿って前記処理基板の一端を向くように傾斜し、
前記第２蒸着源のノズルは、前記処理基板の法線に対して、前記処理基板の搬送方向に沿って前記処理基板の他端を向くように傾斜している、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
前記第２蒸着源のノズルは、前記処理基板の法線に対して、前記処理基板の搬送方向に沿って前記処理基板の他端を向くように傾斜している、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示装置を製造するための製造装置において、設置スペースの縮小といった要求がある。
このような表示装置を製造するための製造装置において、設置スペースの縮小といった要求がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、設置スペースを縮小することが可能な表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態によれば、表示装置の製造装置は、
表示装置用の処理基板を搬送するための第１搬送路と第２搬送路との間に位置する第１蒸着源及び第２蒸着源を備え、前記第１蒸着源は前記第１搬送路に向けて材料を放射するように構成され、前記第２蒸着源は前記第２搬送路に向けて材料を放射するように構成された第１蒸着チャンバーと、前記第１蒸着チャンバーの前記第１搬送路から搬出された前記処理基板を保持して回転する回転機構を備え、前記第１蒸着チャンバーの前記第２搬送路に前記処理基板を搬出するように構成された第１ローテーションチャンバーと、を備える。
表示装置用の処理基板を搬送するための第１搬送路と第２搬送路との間に位置する第１蒸着源及び第２蒸着源を備え、前記第１蒸着源は前記第１搬送路に向けて材料を放射するように構成され、前記第２蒸着源は前記第２搬送路に向けて材料を放射するように構成された第１蒸着チャンバーと、前記第１蒸着チャンバーの前記第１搬送路から搬出された前記処理基板を保持して回転する回転機構を備え、前記第１蒸着チャンバーの前記第２搬送路に前記処理基板を搬出するように構成された第１ローテーションチャンバーと、を備える。
【0006】
一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、前記処理基板を第１蒸着チャンバーの第１搬送路に搬入し、前記第１蒸着チャンバーにおいて第１蒸着源から放射された材料を前記処理基板に蒸着し、前記第１蒸着チャンバーから搬出された前記処理基板を回転させ、前記処理基板を前記第１蒸着チャンバーの第２搬送路に搬入し、前記第１蒸着チャンバーにおいて第２蒸着源から放射された材料を前記処理基板に蒸着し、前記第１蒸着チャンバーから前記処理基板を搬出し、前記第１蒸着源及び前記第２蒸着源からそれぞれ放射される材料は、第１材料及び第２材料を含む混合物であり、前記第１材料と前記第２材料との組成比は、前記第１蒸着源及び前記第２蒸着源において互いに異なる。
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、前記処理基板を第１蒸着チャンバーの第１搬送路に搬入し、前記第１蒸着チャンバーにおいて第１蒸着源から放射された材料を前記処理基板に蒸着し、前記第１蒸着チャンバーから搬出された前記処理基板を回転させ、前記処理基板を前記第１蒸着チャンバーの第２搬送路に搬入し、前記第１蒸着チャンバーにおいて第２蒸着源から放射された材料を前記処理基板に蒸着し、前記第１蒸着チャンバーから前記処理基板を搬出し、前記第１蒸着源及び前記第２蒸着源からそれぞれ放射される材料は、第１材料及び第２材料を含む混合物であり、前記第１材料と前記第２材料との組成比は、前記第１蒸着源及び前記第２蒸着源において互いに異なる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0009】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0010】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0011】
図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡよりも外側の周辺領域ＳＡと、を有する表示パネルＰＮＬを備えている。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡよりも外側の周辺領域ＳＡと、を有する表示パネルＰＮＬを備えている。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0012】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0013】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0014】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0015】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。
【0016】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。
【0017】
表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。
【0018】
周辺領域ＳＡには、詳述しないが、ＩＣチップやフレキシブルプリント回路基板を接続するための端子が設けられている。
【0019】
図２は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
【0020】
副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。
【0021】
なお、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。
【0022】
表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有している。
【0023】
隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0024】
副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１、２０２、２０３を備えている。
【0025】
副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を備えている。下電極ＬＥ１の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ１は、例えば青波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２を備えている。下電極ＬＥ２の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ２は、例えば緑波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３を備えている。下電極ＬＥ３の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ３は、例えば赤波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２を備えている。下電極ＬＥ２の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ２は、例えば緑波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３を備えている。下電極ＬＥ３の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ３は、例えば赤波長域の光を放つ発光層を含む。
【0026】
図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。
【0027】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。
【0028】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0029】
図２の例においては、開口ＡＰ１の面積、開口ＡＰ２の面積、及び、開口ＡＰ３の面積は、互いに異なる。開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。
【0030】
図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線と、を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する有機絶縁層である。
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線と、を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する有機絶縁層である。
【0031】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置され、互いに離間している。リブ５は、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の上に配置されている。リブ５の開口ＡＰ１は下電極ＬＥ１に重なり、開口ＡＰ２は下電極ＬＥ２に重なり、開口ＡＰ３は下電極ＬＥ３に重なっている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の周縁部は、リブ５で覆われている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２がリブ５により覆われている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれの画素回路１に接続されている。なお、絶縁層１２のコンタクトホールは、図３では省略するが、図２のＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３に相当する。
【0032】
隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。上部６２の両端部は、下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0033】
有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１を覆うとともに、その周縁部がリブ５の上に位置している。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
【0034】
有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２を覆うとともに、その周縁部がリブ５の上に位置している。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下部６１に接触している。
【0035】
有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３を覆うとともに、その周縁部がリブ５の上に位置している。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下部６１に接触している。
【0036】
図３の例においては、副画素ＳＰ１はキャップ層ＣＰ１及び封止層ＳＥ１を有し、副画素ＳＰ２はキャップ層ＣＰ２及び封止層ＳＥ２を有し、副画素ＳＰ３はキャップ層ＣＰ３及び封止層ＳＥ３を有している。キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３から放たれた光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0037】
キャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
【0038】
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
【0039】
図３の例においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６の上に位置している。これらの部分は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のうち開口ＡＰ１に位置する部分（表示素子２０１を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
【0040】
封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の端部は、隔壁６の上に位置している。図３の例においては、副画素ＳＰ１、ＳＰ２間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ１、ＳＥ２の端部同士が離間し、副画素ＳＰ２、ＳＰ３間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ２、ＳＥ３の端部同士が離間している。
【0041】
封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３は、樹脂層１３によって覆われている。樹脂層１３は、封止層１４によって覆われている。封止層１４は、樹脂層１５によって覆われている。
【0042】
リブ５、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３、及び、封止層１４は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成されている。
【0043】
隔壁６の下部６１は、導電材料で形成され、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の上部６２は、例えば導電材料によって形成されているが、絶縁材料で形成されもよい。下部６１は、上部６２とは異なる材料で形成されている。
【0044】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの酸化物導電材料で形成された透明電極と、銀などの金属材料で形成された金属電極とを含む多層体である。
【0045】
有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ１、発光層ＥＭ２、及び、発光層ＥＭ３は、互いに異なる材料で形成されている。一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
また、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、例えば、マグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。
また、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、例えば、マグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。
【0046】
キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、複数の薄膜の多層体である。複数の薄膜は、いずれも透明であり、しかも、互いに異なる屈折率を有している。
【0047】
【0048】
まず、図４に示すように、処理基板ＳＵＢを用意する。処理基板ＳＵＢを用意する工程は、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する工程と、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々と重なる開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５を形成する工程と、リブ５の上に配置された下部６１及び下部６１の上に配置され下部６１の側面から突出した上部６２を含む隔壁６を形成する工程と、を含む。なお、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５を形成した後に、隔壁６を形成してもよいし、隔壁６を形成した後に、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を形成してもよい。
【0049】
続いて、表示素子２０１を形成する。
まず、後述する製造装置（インライン型の蒸着装置）１００に、処理基板ＳＵＢを搬入する。そして、図５に示すように、隔壁６をマスクとして、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層（ＥＭ１）、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１を形成する。
その後、隔壁６をマスクとして、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
その後、隔壁６をマスクとして、上電極ＵＥ１の上に、第１透明層ＴＬ１を形成するための高屈折率材料及び第２透明層ＴＬ２を形成するための低屈折率材料を順次蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
これらの有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、真空環境を維持した状態で連続して形成される。
まず、後述する製造装置（インライン型の蒸着装置）１００に、処理基板ＳＵＢを搬入する。そして、図５に示すように、隔壁６をマスクとして、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層（ＥＭ１）、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１を形成する。
その後、隔壁６をマスクとして、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
その後、隔壁６をマスクとして、上電極ＵＥ１の上に、第１透明層ＴＬ１を形成するための高屈折率材料及び第２透明層ＴＬ２を形成するための低屈折率材料を順次蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
これらの有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、真空環境を維持した状態で連続して形成される。
【0050】
その後、処理基板ＳＵＢをＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ－Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置に搬入する。そして、キャップ層ＣＰ１及び隔壁６を連続的に覆うように、封止層ＳＥ１を形成する。
【0051】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２、ＳＰ３にも配置されている。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。
【0052】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１がそれぞれ蒸着によって形成される際に、蒸着源から放たれた材料は、上部６２によって遮られる。このため、上部６２の上には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部が積層される。上部６２の上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の各々は、下電極ＬＥ１の直上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１から離間している。
封止層ＳＥ１は、隔壁６のキャップ層ＣＰ１を覆うとともに、下電極ＬＥ１の直上のキャップ層ＣＰ１を覆い、かつ、隔壁６に接している。
封止層ＳＥ１は、隔壁６のキャップ層ＣＰ１を覆うとともに、下電極ＬＥ１の直上のキャップ層ＣＰ１を覆い、かつ、隔壁６に接している。
【0053】
続いて、図６に示すように、封止層ＳＥ１の上に、所定の形状にパターニングされたレジストＲＳを形成する。レジストＲＳは、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部に重なっている。
【0054】
続いて、図７に示すように、レジストＲＳをマスクとしてエッチングを行うことにより、レジストＲＳから露出した封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を順次除去する。これにより、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２及び副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
その後、レジストＲＳを除去する。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子２０１が形成される。
その後、レジストＲＳを除去する。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子２０１が形成される。
【0055】
続いて、図８に示すように、表示素子２０２を形成する。表示素子２０２を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ２の上に、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２を順に形成する。その後、封止層ＳＥ２の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしたエッチングにより、封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ２に表示素子２０２が形成され、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
【0056】
続いて、図９に示すように、表示素子２０３を形成する。表示素子２０３を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ３の上に、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３を順に形成する。その後、封止層ＳＥ３の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしたエッチングにより、封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ３に表示素子２０３が形成される。
【0057】
その後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４、及び、樹脂層１５を順に形成する。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。
【0058】
なお、以上の製造工程においては、最初に表示素子２０１が形成され、次に表示素子２０２が形成され、最後に表示素子２０３が形成される場合を想定したが、表示素子２０１、２０２、２０３の形成順はこの例に限られない。
【0059】
次に、表示素子２０の構成例について説明する。
【0060】
図１０は、表示素子２０の一構成例を示す図である。
図１０に示す表示素子２０は、上記の表示素子２０１、２０２、２０３のいずれにも相当し得るものである。
なお、ここでは、下電極ＬＥがアノードに相当し、上電極ＵＥがカソードに相当する場合を例に説明する。
図１０に示す表示素子２０は、上記の表示素子２０１、２０２、２０３のいずれにも相当し得るものである。
なお、ここでは、下電極ＬＥがアノードに相当し、上電極ＵＥがカソードに相当する場合を例に説明する。
【0061】
表示素子２０は、下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３）と上電極ＵＥ（ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３）との間に有機層ＯＲ（ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３）を備えている。
【0062】
有機層ＯＲにおいて、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロック層ＥＢＬ、発光層ＥＭＬ、正孔ブロック層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び、電子注入層ＥＩＬは、この順に積層されている。
なお、有機層ＯＲは、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。
なお、有機層ＯＲは、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。
【0063】
発光層ＥＭＬは、図３に示した発光層ＥＭ１、ＥＭ２、ＥＭ３のいずれかに相当する。
【0064】
キャップ層ＣＰ（ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３）は、第１透明層ＴＬ１と、第２透明層ＴＬ２と、を含む。第１透明層ＴＬ１は、上電極ＵＥの上に配置されている。第１透明層ＴＬ１は、上電極ＵＥよりも高い屈折率を有する高屈折率層である。第２透明層ＴＬ２は、第１透明層ＴＬ１の上に配置されている。第２透明層ＴＬ２は、第１透明層ＴＬ１よりも小さい屈折率を有する低屈折率層である。封止層ＳＥ（ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３）は、第２透明層ＴＬ２の上に配置されている。
【0065】
なお、有機層ＯＲの構成については、図示したように有機層ＯＲが１層の発光層ＥＭＬを備える構成に限らず、有機層ＯＲが複数の発光層を備える構成であってもよい。
【0066】
次に、表示装置ＤＳＰの製造装置２００について説明する。
【0067】
図１１は、製造装置２００の一構成例を示す図である。
製造装置２００は、第１蒸着チャンバーＥＶ１と、第１ローテーションチャンバーＲ１と、を備えている。
製造装置２００は、第１蒸着チャンバーＥＶ１と、第１ローテーションチャンバーＲ１と、を備えている。
【0068】
第１蒸着チャンバーＥＶ１は、第１蒸着源Ｓ１と、第２蒸着源Ｓ２と、を備えている。第１蒸着源Ｓ１及び第２蒸着源Ｓ２は、処理基板ＳＵＢが搬送される第１搬送路Ｔ１と第２搬送路Ｔ２との間に位置している。第１蒸着源Ｓ１は、第１搬送路Ｔ１に向けて材料Ｍを放射するように構成されている。第２蒸着源Ｓ２は、第２搬送路Ｔ２に向けて材料Ｍを放射するように構成されている。
【0069】
第１搬送路Ｔ１においては、処理基板ＳＵＢは、図中の矢印で示す搬送方向ＴＡに搬送される。第２搬送路Ｔ２においては、処理基板ＳＵＢは、図中の矢印で示す搬送方向ＴＢに搬送される。搬送方向ＴＡ及び搬送方向ＴＢは、互いに逆向きである。
【0070】
第１蒸着源Ｓ１から放射される材料Ｍは、第２蒸着源Ｓ２から放射される材料Ｍと同一である。なお、材料Ｍが複数種類の材料からなる混合物である場合、混合物を構成する各材料の組成比は、第１蒸着源Ｓ１及び第２蒸着源Ｓ２において、同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。
【0071】
一例では、第１蒸着チャンバーＥＶ１は、図１０の上電極ＵＥを形成するように構成されている。この場合、材料Ｍは、第１材料としてのマグネシウムと、第２材料としての銀と、の混合物である。
【0072】
他の例では、第１蒸着チャンバーＥＶ１は、図１０の発光層ＥＭＬを形成するように構成されている。この場合、材料Ｍは、第１材料としてのキャリア輸送用のホスト材料と、第２材料としての発光用のドーパント材料と、の混合物である。
【0073】
第１蒸着源Ｓ１のノズルＮ１、及び、第２蒸着源Ｓ２のノズルＮ２は、処理基板ＳＵＢの法線ＳＵＢＮに対して、互いに異なる方向に傾斜している。
図示した例では、ノズルＮ１は、法線ＳＵＢＮに対して、処理基板ＳＵＢの搬送方向ＴＡに沿って処理基板ＳＵＢの一端ＳＵＢＡを向くように傾斜している。一方、ノズルＮ２は、法線ＳＵＢＮに対して、処理基板ＳＵＢの搬送方向ＴＢに沿って処理基板ＳＵＢの他端ＳＵＢＢを向くように傾斜している。ここでの一端ＳＵＢＡとは、搬送方向ＴＡの下流側に位置する処理基板ＳＵＢの先端に相当する。また、他端ＳＵＢＢとは、搬送方向ＴＢの上流側に位置する処理基板ＳＵＢの後端に相当する。
なお、ノズルＮ１が処理基板ＳＵＢの他端ＳＵＢＢを向くように傾斜し、ノズルＮ２が処理基板ＳＵＢの一端ＳＵＢＡを向くように傾斜していてもよい。
図示した例では、ノズルＮ１は、法線ＳＵＢＮに対して、処理基板ＳＵＢの搬送方向ＴＡに沿って処理基板ＳＵＢの一端ＳＵＢＡを向くように傾斜している。一方、ノズルＮ２は、法線ＳＵＢＮに対して、処理基板ＳＵＢの搬送方向ＴＢに沿って処理基板ＳＵＢの他端ＳＵＢＢを向くように傾斜している。ここでの一端ＳＵＢＡとは、搬送方向ＴＡの下流側に位置する処理基板ＳＵＢの先端に相当する。また、他端ＳＵＢＢとは、搬送方向ＴＢの上流側に位置する処理基板ＳＵＢの後端に相当する。
なお、ノズルＮ１が処理基板ＳＵＢの他端ＳＵＢＢを向くように傾斜し、ノズルＮ２が処理基板ＳＵＢの一端ＳＵＢＡを向くように傾斜していてもよい。
【0074】
第１ローテーションチャンバーＲ１は、第１蒸着チャンバーＥＶ１に連結され、第１蒸着チャンバーＥＶ１の第１搬送路Ｔ１から搬出された処理基板ＳＵＢを第１蒸着チャンバーＥＶ１の第２搬送路Ｔ２に搬出するように構成されている。第１ローテーションチャンバーＲ１は、回転機構ＲＭ１を備えている。回転機構ＲＭ１は、第１搬送路Ｔ１から搬出された処理基板ＳＵＢを保持し、回転軸Ａ１を中心に回転可能に構成されている。回転軸Ａ１は、処理基板ＳＵＢの法線ＳＵＢＮ、及び、搬送方向ＴＡ及びＴＢと直交する。
【0075】
このような製造装置２００において、まず、処理基板ＳＵＢは、搬送方向ＴＡに搬送され、第１蒸着チャンバーＥＶ１の第１搬送路Ｔ１に搬入される。第１蒸着チャンバーＥＶ１で上電極ＵＥが形成される場合、第１蒸着チャンバーＥＶ１に搬入される前の処理基板ＳＵＢに対しては、下電極ＬＥの上に有機層ＯＲが形成される。第１蒸着チャンバーＥＶ１で発光層ＥＭＬが形成される場合、第１蒸着チャンバーＥＶ１に搬入される前の処理基板ＳＵＢに対しては、下電極ＬＥの上に有機層ＯＲの一部（例えば、図１０に示した正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロック層ＥＢＬ）が形成される。
そして、第１蒸着チャンバーＥＶ１においては、処理基板ＳＵＢが第１搬送路Ｔ１を搬送方向ＴＡに搬送されながら、第１蒸着源Ｓ１から放射された材料Ｍが処理基板ＳＵＢに蒸着される。これにより、処理基板ＳＵＢの表面に蒸着膜ＤＦが形成される。
そして、第１蒸着チャンバーＥＶ１においては、処理基板ＳＵＢが第１搬送路Ｔ１を搬送方向ＴＡに搬送されながら、第１蒸着源Ｓ１から放射された材料Ｍが処理基板ＳＵＢに蒸着される。これにより、処理基板ＳＵＢの表面に蒸着膜ＤＦが形成される。
【0076】
そして、処理基板ＳＵＢは、第１蒸着チャンバーＥＶ１の第１搬送路Ｔ１から搬出され、第１ローテーションチャンバーＲ１に搬入される。
【0077】
第１ローテーションチャンバーＲ１においては、搬入された処理基板ＳＵＢが回転機構ＲＭ１に保持される。このとき、処理基板ＳＵＢは、蒸着膜ＤＦが回転軸Ａ１と向かい合う状態で保持される。回転機構ＲＭ１は、処理基板ＳＵＢを保持した状態で回転する。第１搬送路Ｔ１及び第２搬送路Ｔ２が互いに平行である場合、回転機構ＲＭ１は、処理基板ＳＵＢを保持した状態で１８０°回転する。回転した処理基板ＳＵＢは、第１蒸着チャンバーＥＶ１の第２搬送路Ｔ２の延長線上に位置している。
【0078】
そして、処理基板ＳＵＢは、第１ローテーションチャンバーＲ１から搬出され、第１蒸着チャンバーＥＶ１の第２搬送路Ｔ２に搬入される。
【0079】
第１蒸着チャンバーＥＶ１においては、処理基板ＳＵＢが第２搬送路Ｔ２を搬送方向ＴＢに搬送されながら、第２蒸着源Ｓ２から放射された材料Ｍが処理基板ＳＵＢに蒸着される。これにより、処理基板ＳＵＢの表面に蒸着膜ＤＦが形成される。
そして、処理基板ＳＵＢは、第１蒸着チャンバーＥＶ１から搬出される。
そして、処理基板ＳＵＢは、第１蒸着チャンバーＥＶ１から搬出される。
【0080】
このような構成の製造装置２００によれば、単一の第１蒸着チャンバーＥＶ１において、一方向に処理基板ＳＵＢを搬送しながら、蒸着条件が異なる２つの蒸着膜ＤＦを形成することができる。なお、上記の構成例では、蒸着条件が異なる例として、ノズルの傾斜方向が異なっている。
【0081】
このため、蒸着膜ＤＦを形成するために、ノズルの傾斜方向が異なる複数の蒸着チャンバーを連結した構成と比較して、製造装置２００の設置スペースを縮小することができ、また、製造装置２００の小型化が可能となる。
【0082】
また、蒸着条件が異なる蒸着膜ＤＦを形成するために、処理基板ＳＵＢを逆搬送するなどの特別な工程を必要としないため、他の処理基板ＳＵＢの搬送経路上での滞留を抑制することができる。
【0083】
また、同一の蒸着チャンバーに収容される第１蒸着源Ｓ１及び第２蒸着源Ｓ２は、同一材料を放射するように構成されている。このため、蒸着チャンバーの内部の不純物による汚染が抑制され、また、処理基板ＳＵＢへの不純物の蒸着も抑制することができる。
【0084】
【0085】
図１１を参照して説明したように、破線で示す第１蒸着源Ｓ１は処理基板ＳＵＢの一端ＳＵＢＡを向くように傾斜し、破線で示す第２蒸着源Ｓ２は処理基板ＳＵＢの他端ＳＵＢＢを向くように傾斜している。
【0086】
ここでは、隔壁６について、下電極ＬＥに対して一端ＳＵＢＡに近接する側（図の左側）に位置する隔壁６Ａと、下電極ＬＥに対して他端ＳＵＢＢに近接する側（図の右側）に位置する隔壁６Ｂと、を区別する。
【0087】
上電極ＵＥは、先行して形成される上電極ＵＥＡと、後に形成される上電極ＵＥＢと、を有している。上電極ＵＥＡは、第１蒸着源Ｓ１から放射された材料Ｍによって形成され、有機層ＯＲの上に位置し、隔壁６Ａの下部６１に接触している。上電極ＵＥＢは、第２蒸着源Ｓ２から放射された材料Ｍによって形成され、上電極ＵＥＡの上に位置し、隔壁６Ｂの下部６１に接触している。
【0088】
なお、上電極ＵＥＡは、隔壁６Ｂの下部６１から離間しているが、隔壁６Ｂの下部６１に接触する場合もあり得る。また、上電極ＵＥＢは、隔壁６Ａの下部６１から離間しているが、隔壁６Ａの下部６１に接触する場合もあり得る。
【0089】
このように、隔壁６Ａ、６Ｂに接触する上電極ＵＥが形成される。このため、各副画素の上電極ＵＥに対して、隔壁６を介してコモン電圧を確実に供給することができる。また、隔壁６と有機層ＯＲとの間において、上電極ＵＥは、リブ５を覆い、後に形成される封止層とリブ５との接触が回避される。これにより、封止層がエッチングにより除去される際に、上電極ＵＥがエッチングストッパとして機能し、リブ５へのダメージを回避することができる。
【0090】
図１３は、製造装置２００の他の構成例を示す図である。
第１蒸着チャンバーＥＶ１は、第１搬送路Ｔ１と第２搬送路Ｔ２との間に、第１蒸着源Ｓ１及び第２蒸着源Ｓ２を備えている。第１蒸着源Ｓ１は、第１搬送路Ｔ１に向けて材料Ｍを放射するように構成されている。第２蒸着源Ｓ２は、第２搬送路Ｔ２に向けて材料Ｍを放射するように構成されている。第１蒸着源Ｓ１のノズルＮ１、及び、第２蒸着源Ｓ２のノズルＮ２は、いずれも処理基板ＳＵＢの法線ＳＵＢＮに対してほぼ平行である。
このような製造装置２００においても、図１１を参照して説明した製造装置２００と同様に動作する。
第１蒸着チャンバーＥＶ１は、第１搬送路Ｔ１と第２搬送路Ｔ２との間に、第１蒸着源Ｓ１及び第２蒸着源Ｓ２を備えている。第１蒸着源Ｓ１は、第１搬送路Ｔ１に向けて材料Ｍを放射するように構成されている。第２蒸着源Ｓ２は、第２搬送路Ｔ２に向けて材料Ｍを放射するように構成されている。第１蒸着源Ｓ１のノズルＮ１、及び、第２蒸着源Ｓ２のノズルＮ２は、いずれも処理基板ＳＵＢの法線ＳＵＢＮに対してほぼ平行である。
このような製造装置２００においても、図１１を参照して説明した製造装置２００と同様に動作する。
【0091】
図１３に示す構成例は、図１１に示した構成例と比較して、第１蒸着源Ｓ１及び第２蒸着源Ｓ２からそれぞれ放射される材料Ｍが複数種類の材料からなる混合物であって、混合物を構成する各材料の組成比は、第１蒸着源Ｓ１及び第２蒸着源Ｓ２において、互いに異なる点で相違している。
【0092】
一例では、第１蒸着チャンバーＥＶ１は、図１０の上電極ＵＥを形成するように構成されている。材料Ｍは、第１材料としてのマグネシウムと、第２材料としての銀との混合物である。この場合、第１蒸着源Ｓ１から放射される混合物のマグネシウムの濃度Ｃ１は、第２蒸着源Ｓ２から放射される混合物のマグネシウムの濃度Ｃ２よりも高い。換言すると、第２蒸着源Ｓ２から放射される混合物の銀の濃度は、第１蒸着源Ｓ１から放射される混合物の銀の濃度よりも高い。
【0093】
他の例では、第１蒸着チャンバーＥＶ１は、図１０の発光層ＥＭＬを形成するように構成されている。材料Ｍは、第１材料としてのキャリア輸送用のホスト材料と、第２材料としての発光用のドーパント材料との混合物である。この場合、第１蒸着源Ｓ１から放射される混合物のホスト材料の濃度Ｃ１は、第２蒸着源Ｓ２から放射される混合物のホスト材料の濃度Ｃ２よりも高い。
また、第１蒸着チャンバーＥＶ１が発光層ＥＭＬを形成するように構成されている場合、第２蒸着源Ｓ２から放射される混合物のホスト材料の濃度Ｃ２が第１蒸着源Ｓ１から放射される混合物のホスト材料の濃度Ｃ１よりも高い場合もあり得る。
また、第１蒸着チャンバーＥＶ１が発光層ＥＭＬを形成するように構成されている場合、第２蒸着源Ｓ２から放射される混合物のホスト材料の濃度Ｃ２が第１蒸着源Ｓ１から放射される混合物のホスト材料の濃度Ｃ１よりも高い場合もあり得る。
【0094】
【0095】
図１４は、図１３の製造装置２００で形成された上電極ＵＥを説明するための図である。
マグネシウム及び銀の混合物で形成される上電極ＵＥにおいて、有機層ＯＲに近接する層はマグネシウムの含有量が多く（Ｍｇ ｒｉｃｈ）、有機層ＯＲから離れた層は銀の含有量が多い（Ａｇ ｒｉｃｈ）。マグネシウムは、銀と比較して仕事関数が小さい。また、マグネシウムは、銀と比較して水分によるダメージを受けやすい。
このような構成の上電極ＵＥによれば、上電極ＵＥが表示素子２０のカソードとして機能する場合、有機層ＯＲに近接する層がマグネシウムを多く含むことで、電子注入効率を向上することができる。また、水分によるダメージを受けにくい上電極ＵＥを形成することができる。
マグネシウム及び銀の混合物で形成される上電極ＵＥにおいて、有機層ＯＲに近接する層はマグネシウムの含有量が多く（Ｍｇ ｒｉｃｈ）、有機層ＯＲから離れた層は銀の含有量が多い（Ａｇ ｒｉｃｈ）。マグネシウムは、銀と比較して仕事関数が小さい。また、マグネシウムは、銀と比較して水分によるダメージを受けやすい。
このような構成の上電極ＵＥによれば、上電極ＵＥが表示素子２０のカソードとして機能する場合、有機層ＯＲに近接する層がマグネシウムを多く含むことで、電子注入効率を向上することができる。また、水分によるダメージを受けにくい上電極ＵＥを形成することができる。
【0096】
図１５は、図１３の製造装置２００で形成された発光層ＥＭＬを説明するための図である。
ホスト材料Ｈ及びドーパント材料Ｄの混合物で形成される発光層ＥＭＬにおいて、電子ブロック層ＥＢＬに近接する層の組成比は、例えば、Ｈ：Ｄ＝９８：２である。つまり、電子ブロック層ＥＢＬに近接する層におけるドーパント濃度は２％である。
電子ブロック層ＥＢＬから離れた層の組成比は、例えば、Ｈ：Ｄ＝９５：５である。つまり、電子ブロック層ＥＢＬから離れた層におけるドーパント濃度は５％である。
このような発光層ＥＭＬによれば、厚さ方向でドーパント濃度を変化させることができる。
ホスト材料Ｈ及びドーパント材料Ｄの混合物で形成される発光層ＥＭＬにおいて、電子ブロック層ＥＢＬに近接する層の組成比は、例えば、Ｈ：Ｄ＝９８：２である。つまり、電子ブロック層ＥＢＬに近接する層におけるドーパント濃度は２％である。
電子ブロック層ＥＢＬから離れた層の組成比は、例えば、Ｈ：Ｄ＝９５：５である。つまり、電子ブロック層ＥＢＬから離れた層におけるドーパント濃度は５％である。
このような発光層ＥＭＬによれば、厚さ方向でドーパント濃度を変化させることができる。
【0097】
図１６は、製造装置２００の他の構成例を示す図である。
製造装置２００は、図１３に示した第１蒸着チャンバーＥＶ１及び第１ローテーションチャンバーＲ１の他に、第２蒸着チャンバーＥＶ２を備えている。第２蒸着チャンバーＥＶ２は、第１蒸着チャンバーＥＶ１に連結されている。第１蒸着チャンバーＥＶ１は、第１ローテーションチャンバーＲ１と第２蒸着チャンバーＥＶ２との間に設置されている。
製造装置２００は、図１３に示した第１蒸着チャンバーＥＶ１及び第１ローテーションチャンバーＲ１の他に、第２蒸着チャンバーＥＶ２を備えている。第２蒸着チャンバーＥＶ２は、第１蒸着チャンバーＥＶ１に連結されている。第１蒸着チャンバーＥＶ１は、第１ローテーションチャンバーＲ１と第２蒸着チャンバーＥＶ２との間に設置されている。
【0098】
第２蒸着チャンバーＥＶ２は、第１搬送路Ｔ１と第２搬送路Ｔ２との間に、第３蒸着源Ｓ３及び第４蒸着源Ｓ４を備えている。第３蒸着源Ｓ３は、第１搬送路Ｔ１に向けて材料Ｍを放射するように構成されている。第４蒸着源Ｓ４は、第２搬送路Ｔ２に向けて材料Ｍを放射するように構成されている。
【0099】
このような製造装置２００においては、まず、処理基板ＳＵＢは、搬送方向ＴＡに搬送され、第２蒸着チャンバーＥＶ２の第１搬送路Ｔ１に搬入される。第２蒸着チャンバーＥＶ２においては、処理基板ＳＵＢが第１搬送路Ｔ１を搬送方向ＴＡに搬送されながら、第３蒸着源Ｓ３から放射された材料Ｍが処理基板ＳＵＢに蒸着される。
【0100】
そして、処理基板ＳＵＢは、第２蒸着チャンバーＥＶ２の第１搬送路Ｔ１から搬出され、第１蒸着チャンバーＥＶ１の第１搬送路Ｔ１に搬入される。第１蒸着チャンバーＥＶ１においては、処理基板ＳＵＢが第１搬送路Ｔ１を搬送方向ＴＡに搬送されながら、第１蒸着源Ｓ１から放射された材料Ｍが処理基板ＳＵＢに蒸着される。
【0101】
そして、処理基板ＳＵＢは、第１蒸着チャンバーＥＶ１の第１搬送路Ｔ１から搬出され、第１ローテーションチャンバーＲ１に搬入される。第１ローテーションチャンバーＲ１においては、搬入された処理基板ＳＵＢが回転機構ＲＭ１に保持される。回転機構ＲＭ１は、処理基板ＳＵＢを保持した状態で回転する。回転した処理基板ＳＵＢは、第１蒸着チャンバーＥＶ１の第２搬送路Ｔ２の延長線上に位置している。
【0102】
そして、処理基板ＳＵＢは、第１ローテーションチャンバーＲ１から搬出され、第１蒸着チャンバーＥＶ１の第２搬送路Ｔ２に搬入される。第１蒸着チャンバーＥＶ１においては、処理基板ＳＵＢが第２搬送路Ｔ２を搬送方向ＴＢに搬送されながら、第２蒸着源Ｓ２から放射された材料Ｍが処理基板ＳＵＢに蒸着される。
【0103】
そして、処理基板ＳＵＢは、第１蒸着チャンバーＥＶ１の第２搬送路Ｔ２から搬出され、第２蒸着チャンバーＥＶ２の第２搬送路Ｔ２に搬入される。第２蒸着チャンバーＥＶ２においては、処理基板ＳＵＢが第２搬送路Ｔ２を搬送方向ＴＢに搬送されながら、第４蒸着源Ｓ４から放射された材料Ｍが処理基板ＳＵＢに蒸着される。
【0104】
第１蒸着源Ｓ１、第２蒸着源Ｓ２、第３蒸着源Ｓ３、及び、第４蒸着源Ｓ４からそれぞれ放射される材料Ｍは、同一材料であり、かつ、複数種類の材料からなる混合物である。混合物を構成する各材料の組成比は、第１蒸着源Ｓ１、第２蒸着源Ｓ２、第３蒸着源Ｓ３、及び、第４蒸着源Ｓ４において、互いに異なる。
【0105】
一例では、第１蒸着チャンバーＥＶ１及び第２蒸着チャンバーＥＶ２は、図１０の上電極ＵＥを形成するように構成されている。この場合、材料Ｍは、第１材料としてのマグネシウムと、第２材料としての銀との混合物である。
他の例では、第１蒸着チャンバーＥＶ１及び第２蒸着チャンバーＥＶ２は、図１０の発光層ＥＭＬを形成するように構成されている。この場合、材料Ｍは、第１材料としてのキャリア輸送用のホスト材料と、第２材料としての発光用のドーパント材料との混合物である。
他の例では、第１蒸着チャンバーＥＶ１及び第２蒸着チャンバーＥＶ２は、図１０の発光層ＥＭＬを形成するように構成されている。この場合、材料Ｍは、第１材料としてのキャリア輸送用のホスト材料と、第２材料としての発光用のドーパント材料との混合物である。
【0106】
これらの場合、第３蒸着源Ｓ３から放射される混合物の第１材料の濃度Ｃ１は、第１蒸着源Ｓ１から放射される混合物の第１材料の濃度Ｃ２よりも高い。濃度Ｃ２は、第２蒸着源Ｓ２から放射される混合物の第１材料の濃度Ｃ３よりも高い。濃度Ｃ３は、第４蒸着源Ｓ４から放射される混合物の第１材料の濃度Ｃ４よりも高い（Ｃ４＜Ｃ３＜Ｃ２＜Ｃ１）。
なお、図１６に示した製造装置２００において、発光層ＥＭＬが形成される場合には、
濃度Ｃ４が濃度Ｃ３よりも高く、濃度Ｃ３が濃度Ｃ２よりも高く、濃度Ｃ２が濃度Ｃ１よりも高い場合もあり得る（Ｃ１＜Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ４）。
なお、図１６に示した製造装置２００において、発光層ＥＭＬが形成される場合には、
濃度Ｃ４が濃度Ｃ３よりも高く、濃度Ｃ３が濃度Ｃ２よりも高く、濃度Ｃ２が濃度Ｃ１よりも高い場合もあり得る（Ｃ１＜Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ４）。
【0107】
【0108】
【0109】
まず、マグネシウム及び銀の混合物で形成される上電極ＵＥについて説明する。上電極ＵＥのうち、下電極ＬＥに最も近接する層はマグネシウムの含有量が最も多く、下電極ＬＥから最も離れた層はマグネシウムの含有量が最も少ない。つまり、上電極ＵＥにおいて、下電極ＬＥから離れるほどマグネシウムの含有量が少なくなるような濃度勾配を形成することができる。
【0110】
次に、ホスト材料及びドーパント材料の混合物で形成される発光層ＥＭＬについて説明する。発光層ＥＭＬのうち、下電極ＬＥに最も近接する層はドーパント濃度が最も低く、下電極ＬＥから最も離れた層はドーパント濃度が最も高い。つまり、発光層ＥＭＬにおいて、下電極ＬＥから離れるほどドーパント濃度が高くなるような濃度勾配を形成することができる。
なお、発光層ＥＭＬにおいて、下電極ＬＥから離れるほどドーパント濃度が低くなるような濃度勾配を形成することもできる。
なお、発光層ＥＭＬにおいて、下電極ＬＥから離れるほどドーパント濃度が低くなるような濃度勾配を形成することもできる。
【0111】
【0112】
一例では、第１蒸着チャンバーＥＶ１において、第１蒸着源Ｓ１のノズルＮ１は処理基板ＳＵＢの他端ＳＵＢＢを向くように傾斜し、第２蒸着源Ｓ２のノズルＮ２は処理基板ＳＵＢの一端ＳＵＢＡを向くように傾斜している。
第２蒸着チャンバーＥＶ２において、第３蒸着源Ｓ３のノズルＮ３は処理基板ＳＵＢの一端ＳＵＢＡを向くように傾斜し、第４蒸着源Ｓ４のノズルＮ４は処理基板ＳＵＢの他端ＳＵＢＢを向くように傾斜している。
第２蒸着チャンバーＥＶ２において、第３蒸着源Ｓ３のノズルＮ３は処理基板ＳＵＢの一端ＳＵＢＡを向くように傾斜し、第４蒸着源Ｓ４のノズルＮ４は処理基板ＳＵＢの他端ＳＵＢＢを向くように傾斜している。
【0113】
第１蒸着源Ｓ１、第２蒸着源Ｓ２、第３蒸着源Ｓ３、及び、第４蒸着源Ｓ４からそれぞれ放射される材料Ｍは、同一材料であり、かつ、複数種類の材料からなる混合物である。図示した例では、混合物を構成する各材料の組成比は、第１蒸着源Ｓ１及び第２蒸着源Ｓ２において互いに異なり、また、第３蒸着源Ｓ３及び第４蒸着源Ｓ４において互いに異なる。
【0114】
一例では、第１蒸着チャンバーＥＶ１及び第２蒸着チャンバーＥＶ２が上電極ＵＥを形成するように構成されている場合、材料Ｍは、第１材料としてのマグネシウムと、第２材料としての銀との混合物である。
他の例では、第１蒸着チャンバーＥＶ１及び第２蒸着チャンバーＥＶ２が発光層ＥＭＬを形成するように構成されている場合、材料Ｍは、第１材料としてのキャリア輸送用のホスト材料と、第２材料としての発光用のドーパント材料との混合物である。
他の例では、第１蒸着チャンバーＥＶ１及び第２蒸着チャンバーＥＶ２が発光層ＥＭＬを形成するように構成されている場合、材料Ｍは、第１材料としてのキャリア輸送用のホスト材料と、第２材料としての発光用のドーパント材料との混合物である。
【0115】
これらの場合、第１蒸着源Ｓ１から放射される混合物の第１材料の濃度Ｃ１は、第２蒸着源Ｓ２から放射される混合物の第１材料の濃度Ｃ２よりも高い。第３蒸着源Ｓ３から放射される混合物の第１材料の濃度Ｃ１は、第４蒸着源Ｓ４から放射される混合物の第１材料の濃度Ｃ２よりも高い。そして、第１蒸着源Ｓ１から放射される混合物の第１材料の濃度Ｃ１は、第３蒸着源Ｓ３から放射される混合物の第１材料の濃度Ｃ１とほぼ同等である。また、第２蒸着源Ｓ２から放射される混合物の第１材料の濃度Ｃ２は、第４蒸着源Ｓ４から放射される混合物の第１材料の濃度Ｃ２とほぼ同等である。
【0116】
【0117】
なお、上記の製造装置２００の各構成例では、各蒸着源から放射される材料Ｍが２種類の材料からなる混合物である場合について説明したが、これに限らない。例えば、各蒸着源から放射される材料Ｍが３種類の材料からなる混合物であってもよい。例えば、発光層ＥＭＬを形成するに際して、電子輸送性に富んだ第１ホスト材料と、正孔輸送性に富んだ第２ホスト材料と、ドーパント材料との混合物が各蒸着源から放射されてもよい。
【0118】
次に、図１０に示した有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、及び、キャップ層ＣＰを形成するための製造装置１００について説明する。
【0119】
図１９は、製造装置１００の一構成例を示す図である。
製造装置１００は、例えば、図５を参照して説明した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１を連続的に形成する工程で適用される。勿論、ここで説明する製造装置１００は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２を連続的に形成する工程、あるいは、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３を連続的に形成する工程においても適用可能である。
製造装置１００は、例えば、図５を参照して説明した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１を連続的に形成する工程で適用される。勿論、ここで説明する製造装置１００は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２を連続的に形成する工程、あるいは、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３を連続的に形成する工程においても適用可能である。
【0120】
製造装置１００に搬入される処理基板ＳＵＢは、図４を参照して説明したように、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３と、リブ５と、隔壁６と、を有している。
【0121】
製造装置１００は、処理部１０１と、蒸着部１０２と、を備えている。
【0122】
処理部１０１は、搬入された処理基板ＳＵＢに対して、洗浄処理、乾燥処理、プラズマ処理などの各種の前処理を行う機構を備えている。また、処理部１０１は、処理基板ＳＵＢを所定の搬送姿勢に設定する機構や、静電チャックにより処理基板ＳＵＢを専用のキャリアに固定する機構などを備えている。蒸着部１０２の各搬送路は、キャリアを搬送するように構成されている。また、処理部１０１は、静電チャックによる固定を解除してキャリアから処理基板ＳＵＢを取り外す機構や、処理基板ＳＵＢを所定の姿勢に設定する機構などを備えている。一例では、外部から処理部１０１に搬入される処理基板ＳＵＢの姿勢は、水平姿勢であり、蒸着部１０２を搬送される処理基板ＳＵＢの搬送姿勢は、垂直姿勢である。
【0123】
蒸着部１０２は、第１ローテーションチャンバーＲ１と、第１蒸着チャンバーＥＶ１と、第２ローテーションチャンバーＲ２と、複数の蒸着チャンバーＥＶ１１乃至ＥＶ１９と、ローテーションチャンバーＲ１１と、を備えている。第１ローテーションチャンバーＲ１及び第１蒸着チャンバーＥＶ１のセットは、図１１に示した製造装置２００、あるいは、図１３に示した製造装置２００に相当する。
【0124】
蒸着チャンバーＥＶ１１乃至ＥＶ１５は、一列に並んでいる。蒸着チャンバーＥＶ１６及びＥＶ１７、第２ローテーションチャンバーＲ２、及び、蒸着チャンバーＥＶ１８及びＥＶ１９は、一列に並んでいる。第２ローテーションチャンバーＲ２は、蒸着チャンバーＥＶ１７と蒸着チャンバーＥＶ１８との間に設置されている。例えば、蒸着チャンバーＥＶ１７は第３蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ１８は第４蒸着チャンバーに相当する。
蒸着チャンバーＥＶ１１及びＥＶ１９は、処理部１０１に接続されている。蒸着チャンバーＥＶ１５及びＥＶ１６は、ローテーションチャンバーＲ１１に接続されている。
蒸着チャンバーＥＶ１１及びＥＶ１９は、処理部１０１に接続されている。蒸着チャンバーＥＶ１５及びＥＶ１６は、ローテーションチャンバーＲ１１に接続されている。
【0125】
第１蒸着チャンバーＥＶ１は、第１ローテーションチャンバーＲ１と第２ローテーションチャンバーＲ２との間に設置されている。図示した例では、第１ローテーションチャンバーＲ１、第１蒸着チャンバーＥＶ１、及び、第２ローテーションチャンバーＲ２は、蒸着チャンバーＥＶ１６及びＥＶ１７が並ぶ方向に対して直交する方向に並んでいる。
【0126】
蒸着チャンバーＥＶ１１は、蒸着源Ｓ１１を備えている。蒸着源Ｓ１１は、搬送路Ｔ１１に向けて、正孔注入層ＨＩＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１２は、蒸着源Ｓ１２を備えている。蒸着源Ｓ１２は、搬送路Ｔ１１に向けて、正孔輸送層ＨＴＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１３は、蒸着源Ｓ１３を備えている。蒸着源Ｓ１３は、搬送路Ｔ１１に向けて、電子ブロック層ＥＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１４は、蒸着源Ｓ１４を備えている。蒸着源Ｓ１４は、搬送路Ｔ１１に向けて、発光層ＥＭＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１５は、蒸着源Ｓ１５を備えている。蒸着源Ｓ１５は、搬送路Ｔ１１に向けて、正孔ブロック層ＨＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１２は、蒸着源Ｓ１２を備えている。蒸着源Ｓ１２は、搬送路Ｔ１１に向けて、正孔輸送層ＨＴＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１３は、蒸着源Ｓ１３を備えている。蒸着源Ｓ１３は、搬送路Ｔ１１に向けて、電子ブロック層ＥＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１４は、蒸着源Ｓ１４を備えている。蒸着源Ｓ１４は、搬送路Ｔ１１に向けて、発光層ＥＭＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１５は、蒸着源Ｓ１５を備えている。蒸着源Ｓ１５は、搬送路Ｔ１１に向けて、正孔ブロック層ＨＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
【0127】
蒸着チャンバーＥＶ１６は、蒸着源Ｓ１６を備えている。蒸着源Ｓ１６は、搬送路Ｔ１２に向けて、電子輸送層ＥＴＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１７は、蒸着源Ｓ１７を備えている。蒸着源Ｓ１７は、搬送路Ｔ１２に向けて、電子注入層ＥＩＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１８は、蒸着源Ｓ１８を備えている。蒸着源Ｓ１８は、搬送路Ｔ１３に向けて、第１透明層ＴＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１９は、蒸着源Ｓ１９を備えている。蒸着源Ｓ１９は、搬送路Ｔ１３に向けて、第２透明層ＴＬ２を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１７は、蒸着源Ｓ１７を備えている。蒸着源Ｓ１７は、搬送路Ｔ１２に向けて、電子注入層ＥＩＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１８は、蒸着源Ｓ１８を備えている。蒸着源Ｓ１８は、搬送路Ｔ１３に向けて、第１透明層ＴＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１９は、蒸着源Ｓ１９を備えている。蒸着源Ｓ１９は、搬送路Ｔ１３に向けて、第２透明層ＴＬ２を形成するための材料を放射するように構成されている。
【0128】
搬送路Ｔ１１乃至Ｔ１３は、蒸着部１０２の内側に設けられている。蒸着源Ｓ１１乃至Ｓ１９は、蒸着部１０２において、搬送路Ｔ１１乃至Ｔ１３の外側に設けられている。例えば、蒸着チャンバーＥＶ１１及びＥＶ１９に着目すると、搬送路Ｔ１１及びＴ１３は、蒸着源Ｓ１１と蒸着源Ｓ１９との間に位置している。また、蒸着チャンバーＥＶ１５及びＥＶ１６に着目すると、搬送路Ｔ１１及びＴ１２は、蒸着源Ｓ１５と蒸着源Ｓ１６との間に位置している。
【0129】
第１蒸着チャンバーＥＶ１は、第１蒸着源Ｓ１と、第２蒸着源Ｓ２と、を備えている。第１蒸着源Ｓ１及び第２蒸着源Ｓ２は、第１蒸着チャンバーＥＶ１において、第１搬送路Ｔ１と第２搬送路Ｔ２との間に位置している。第１蒸着源Ｓ１は、第１搬送路Ｔ１に向けて上電極ＵＥを形成するための材料を放射するように構成されている。第２蒸着源Ｓ２は、第２搬送路Ｔ２に向けて上電極ＵＥを形成するための材料を放射するように構成されている。
【0130】
第１ローテーションチャンバーＲ１は、保持した処理基板ＳＵＢとともに１８０°回転する回転機構ＲＭ１を備えている。第２ローテーションチャンバーＲ２は、保持した処理基板ＳＵＢとともに９０°回転する回転機構ＲＭ２を備えている。ローテーションチャンバーＲ１１は、保持した処理基板ＳＵＢとともに１８０°回転する回転機構ＲＭ１１を備えている。
【0131】
以下に、製造装置１００における製造工程について説明する。
下電極ＬＥを形成済みの処理基板ＳＵＢは、まず、処理部１０１に搬入される。処理部１０１においては、処理基板ＳＵＢに対して所定の前処理が行われる。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１１に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１１においては、搬送路Ｔ１１を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１１から放射された材料が蒸着される。これにより、下電極ＬＥの上に正孔注入層ＨＩＬが形成される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１２に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１２においては、搬送路Ｔ１１を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１２から放射された材料が蒸着される。これにより、正孔注入層ＨＩＬの上に正孔輸送層ＨＴＬが形成される。
下電極ＬＥを形成済みの処理基板ＳＵＢは、まず、処理部１０１に搬入される。処理部１０１においては、処理基板ＳＵＢに対して所定の前処理が行われる。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１１に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１１においては、搬送路Ｔ１１を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１１から放射された材料が蒸着される。これにより、下電極ＬＥの上に正孔注入層ＨＩＬが形成される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１２に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１２においては、搬送路Ｔ１１を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１２から放射された材料が蒸着される。これにより、正孔注入層ＨＩＬの上に正孔輸送層ＨＴＬが形成される。
【0132】
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１３に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１３においては、搬送路Ｔ１１を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１３から放射された材料が蒸着される。これにより、正孔輸送層ＨＴＬの上に電子ブロック層ＥＢＬが形成される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１４に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１４においては、搬送路Ｔ１１を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１４から放射された材料が蒸着される。これにより、電子ブロック層ＥＢＬの上に発光層ＥＭＬが形成される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１５に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１５においては、搬送路Ｔ１１を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１５から放射された材料が蒸着される。これにより、発光層ＥＭＬの上に正孔ブロック層ＨＢＬが形成される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１４に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１４においては、搬送路Ｔ１１を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１４から放射された材料が蒸着される。これにより、電子ブロック層ＥＢＬの上に発光層ＥＭＬが形成される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１５に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１５においては、搬送路Ｔ１１を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１５から放射された材料が蒸着される。これにより、発光層ＥＭＬの上に正孔ブロック層ＨＢＬが形成される。
【0133】
その後、処理基板ＳＵＢは、ローテーションチャンバーＲ１１に搬入される。ローテーションチャンバーＲ１１においては、回転機構ＲＭ１１は、搬入された処理基板ＳＵＢを保持する。このとき、回転機構ＲＭ１１は、蒸着膜ＤＦが回転軸Ａ１１とは反対側を向いた状態で処理基板ＳＵＢを保持する。そして、回転機構ＲＭ１１は、処理基板ＳＵＢを保持した状態で１８０°回転する。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１６に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１６においては、搬送路Ｔ１２を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１６から放射された材料が蒸着される。これにより、正孔ブロック層ＨＢＬの上に電子輸送層ＥＴＬが形成される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１７に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１７においては、搬送路Ｔ１２を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１７から放射された材料が蒸着される。これにより、電子輸送層ＥＴＬの上に電子注入層ＥＩＬが形成される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１６に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１６においては、搬送路Ｔ１２を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１６から放射された材料が蒸着される。これにより、正孔ブロック層ＨＢＬの上に電子輸送層ＥＴＬが形成される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１７に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１７においては、搬送路Ｔ１２を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１７から放射された材料が蒸着される。これにより、電子輸送層ＥＴＬの上に電子注入層ＥＩＬが形成される。
【0134】
その後、処理基板ＳＵＢは、第２ローテーションチャンバーＲ２に搬入される。第２ローテーションチャンバーＲ２においては、回転機構ＲＭ２は、搬入された処理基板ＳＵＢを保持する。このとき、回転機構ＲＭ２は、蒸着膜ＤＦが回転軸Ａ２と向かい合う状態で処理基板ＳＵＢを保持する。そして、回転機構ＲＭ２は、処理基板ＳＵＢを保持した状態で９０°回転する。
その後、処理基板ＳＵＢは、第１蒸着チャンバーＥＶ１に搬入される。第１蒸着チャンバーＥＶ１においては、第１搬送路Ｔ１を搬送される処理基板ＳＵＢに対して第１蒸着源Ｓ１から放射された材料が蒸着される。これにより、電子注入層ＥＩＬの上に上電極ＵＥの１層目が形成される。
その後、処理基板ＳＵＢは、第１蒸着チャンバーＥＶ１に搬入される。第１蒸着チャンバーＥＶ１においては、第１搬送路Ｔ１を搬送される処理基板ＳＵＢに対して第１蒸着源Ｓ１から放射された材料が蒸着される。これにより、電子注入層ＥＩＬの上に上電極ＵＥの１層目が形成される。
【0135】
その後、処理基板ＳＵＢは、第１ローテーションチャンバーＲ１に搬入される。第１ローテーションチャンバーＲ１においては、回転機構ＲＭ１は、搬入された処理基板ＳＵＢを保持する。このとき、回転機構ＲＭ１は、蒸着膜ＤＦが回転軸Ａ１と向かい合う状態で処理基板ＳＵＢを保持する。そして、回転機構ＲＭ１は、処理基板ＳＵＢを保持した状態で１８０°回転する。
その後、処理基板ＳＵＢは、第１蒸着チャンバーＥＶ１に搬入される。第１蒸着チャンバーＥＶ１においては、第２搬送路Ｔ２を搬送される処理基板ＳＵＢに対して第２蒸着源Ｓ２から放射された材料が蒸着される。これにより、上電極ＵＥの２層目が形成される。
その後、処理基板ＳＵＢは、第１蒸着チャンバーＥＶ１に搬入される。第１蒸着チャンバーＥＶ１においては、第２搬送路Ｔ２を搬送される処理基板ＳＵＢに対して第２蒸着源Ｓ２から放射された材料が蒸着される。これにより、上電極ＵＥの２層目が形成される。
【0136】
その後、処理基板ＳＵＢは、第２ローテーションチャンバーＲ２に搬入される。第２ローテーションチャンバーＲ２においては、回転機構ＲＭ２は、搬入された処理基板ＳＵＢを保持する。このとき、回転機構ＲＭ２は、蒸着膜ＤＦが回転軸Ａ２と向かい合う状態で処理基板ＳＵＢを保持する。そして、回転機構ＲＭ２は、処理基板ＳＵＢを保持した状態で９０°回転する。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１８に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１８においては、搬送路Ｔ１３を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１３から放射された材料が蒸着される。これにより、上電極ＵＥの上に第１透明層ＴＬ１が形成される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１９に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１９においては、搬送路Ｔ１３を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１９から放射された材料が蒸着される。これにより、第１透明層ＴＬ１の上に第２透明層ＴＬ２が形成される。
その後、処理基板ＳＵＢは、処理部１０１に搬入される。処理部１０１においては、処理基板ＳＵＢに対して、所定の処理が行われる。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１８に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１８においては、搬送路Ｔ１３を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１３から放射された材料が蒸着される。これにより、上電極ＵＥの上に第１透明層ＴＬ１が形成される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバーＥＶ１９に搬入される。蒸着チャンバーＥＶ１９においては、搬送路Ｔ１３を搬送される処理基板ＳＵＢに対して蒸着源Ｓ１９から放射された材料が蒸着される。これにより、第１透明層ＴＬ１の上に第２透明層ＴＬ２が形成される。
その後、処理基板ＳＵＢは、処理部１０１に搬入される。処理部１０１においては、処理基板ＳＵＢに対して、所定の処理が行われる。
【0137】
図２０は、製造装置１００の他の構成例を示す図である。
図２０に示す構成例は、図１９に示した構成例と比較して、第１蒸着チャンバーＥＶ１と第２ローテーションチャンバーＲ２との間に、第２蒸着チャンバーＥＶ２が追加された点で相違している。第１ローテーションチャンバーＲ１、第１蒸着チャンバーＥＶ１、及び、第２蒸着チャンバーＥＶ２のセットは、図１６に示した製造装置２００、あるいは、図１８に示した製造装置２００に相当する。
図２０に示す構成例は、図１９に示した構成例と比較して、第１蒸着チャンバーＥＶ１と第２ローテーションチャンバーＲ２との間に、第２蒸着チャンバーＥＶ２が追加された点で相違している。第１ローテーションチャンバーＲ１、第１蒸着チャンバーＥＶ１、及び、第２蒸着チャンバーＥＶ２のセットは、図１６に示した製造装置２００、あるいは、図１８に示した製造装置２００に相当する。
【0138】
第２蒸着チャンバーＥＶ２は、第３蒸着源Ｓ３と、第４蒸着源Ｓ４と、を備えている。第３蒸着源Ｓ３及び第４蒸着源Ｓ４は、第２蒸着チャンバーＥＶ２において、第１搬送路Ｔ１と第２搬送路Ｔ２との間に位置している。第３蒸着源Ｓ３は、第１搬送路Ｔ１に向けて上電極ＵＥを形成するための材料を放射するように構成されている。第４蒸着源Ｓ４は、第２搬送路Ｔ２に向けて上電極ＵＥを形成するための材料を放射するように構成されている。
【0139】
その他の構成については、図１９に示した製造装置１００と同様に構成されており、説明を省略する。
【0140】
なお、図１９に示した製造装置１００においては、発光層ＥＭＬ用の蒸着チャンバーＥＶ１４は、第１ローテーションチャンバーＲ１、第１蒸着チャンバーＥＶ１、及び、第２ローテーションチャンバーＲ２のセットに置換することができる。また、図２０に示した製造装置１００においては、発光層ＥＭＬ用の蒸着チャンバーＥＶ１４は、第１ローテーションチャンバーＲ１、第１蒸着チャンバーＥＶ１、第２蒸着チャンバーＥＶ２、及び、第２ローテーションチャンバーＲ２のセットに置換することができる。
【0141】
図２１は、第１蒸着チャンバーＥＶ１の他の構成例を示す図である。
第１蒸着チャンバーＥＶ１は、第１シャッターＳＴ１と、第２シャッターＳＴ２と、を備えている。第１シャッターＳＴ１及び第２シャッターＳＴ２は、それぞれ個別に駆動可能である。
第１蒸着チャンバーＥＶ１は、第１シャッターＳＴ１と、第２シャッターＳＴ２と、を備えている。第１シャッターＳＴ１及び第２シャッターＳＴ２は、それぞれ個別に駆動可能である。
【0142】
図の左側は、第１シャッターＳＴ１及び第２シャッターＳＴ２が開いた状態を示している。この状態では、第１蒸着源Ｓ１から放射される材料Ｍ、及び、第２蒸着源Ｓ２から放射される材料Ｍは、それぞれ処理基板ＳＵＢに到達する。
図の右側は、第１シャッターＳＴ１及び第２シャッターＳＴ２が閉じた状態を示している。第１シャッターＳＴ１は第１蒸着源Ｓ１のノズルＮ１に対向し、第２シャッターＳＴ２は第２蒸着源Ｓ２のノズルＮ２に対向している。この状態では、第１蒸着源Ｓ１から放射される材料Ｍは、第１シャッターＳＴ１によって遮られ、処理基板ＳＵＢに到達しない。同様に、第２蒸着源Ｓ２から放射される材料Ｍは、第２シャッターＳＴ２によって遮られ、処理基板ＳＵＢに到達しない。
図の右側は、第１シャッターＳＴ１及び第２シャッターＳＴ２が閉じた状態を示している。第１シャッターＳＴ１は第１蒸着源Ｓ１のノズルＮ１に対向し、第２シャッターＳＴ２は第２蒸着源Ｓ２のノズルＮ２に対向している。この状態では、第１蒸着源Ｓ１から放射される材料Ｍは、第１シャッターＳＴ１によって遮られ、処理基板ＳＵＢに到達しない。同様に、第２蒸着源Ｓ２から放射される材料Ｍは、第２シャッターＳＴ２によって遮られ、処理基板ＳＵＢに到達しない。
【0143】
例えば、第１蒸着源Ｓ１からの材料Ｍによって形成された蒸着膜ＤＦの厚さを確認する場合、第１シャッターＳＴ１が開いた状態に設定され、第２シャッターＳＴ２が閉じた状態に設定される。また、材料Ｍの蒸着が不要である処理基板ＳＵＢが第１蒸着チャンバーＥＶ１に搬送される場合には、第１シャッターＳＴ１及び第２シャッターＳＴ２がいずれも閉じた状態に設定される。
【0144】
図２２は、第１蒸着チャンバーＥＶ１の他の構成例を示す図である。
第１蒸着源Ｓ１は、第１シールドＳＤ１によって囲まれ、回転可能に構成されている。第２蒸着源Ｓ２は、第２シールドＳＤ２によって囲まれ、回転可能に構成されている。
第１蒸着源Ｓ１は、第１シールドＳＤ１によって囲まれ、回転可能に構成されている。第２蒸着源Ｓ２は、第２シールドＳＤ２によって囲まれ、回転可能に構成されている。
【0145】
図の左側は、第１蒸着源Ｓ１のノズルＮ１及び第２蒸着源Ｓ２のノズルＮ２がそれぞれ処理基板ＳＵＢに対向した状態を示している。この状態では、第１蒸着源Ｓ１から放射される材料Ｍ、及び、第２蒸着源Ｓ２から放射される材料Ｍは、それぞれ処理基板ＳＵＢに到達する。
図の右側は、第１蒸着源Ｓ１及び第２蒸着源Ｓ２が図の左側の状態から９０°回転した状態を示している。第１蒸着源Ｓ１のノズルＮ１は第１シールドＳＤ１に対向し、第２蒸着源Ｓ２のノズルＮ２は第２シールドＳＤ２に対向している。この状態では、第１蒸着源Ｓ１から放射される材料Ｍは、第１シールドＳＤ１によって遮られ、処理基板ＳＵＢに到達しない。同様に、第２蒸着源Ｓ２から放射される材料Ｍは、第２シールドＳＤ２によって遮られ、処理基板ＳＵＢに到達しない。
図の右側は、第１蒸着源Ｓ１及び第２蒸着源Ｓ２が図の左側の状態から９０°回転した状態を示している。第１蒸着源Ｓ１のノズルＮ１は第１シールドＳＤ１に対向し、第２蒸着源Ｓ２のノズルＮ２は第２シールドＳＤ２に対向している。この状態では、第１蒸着源Ｓ１から放射される材料Ｍは、第１シールドＳＤ１によって遮られ、処理基板ＳＵＢに到達しない。同様に、第２蒸着源Ｓ２から放射される材料Ｍは、第２シールドＳＤ２によって遮られ、処理基板ＳＵＢに到達しない。
【0146】
例えば、第１蒸着源Ｓ１からの材料Ｍによって形成された蒸着膜ＤＦの厚さを確認する場合、第１蒸着源Ｓ１のノズルＮ１が処理基板ＳＵＢに対向した状態に設定され、第２蒸着源Ｓ２のノズルＮ２が第２シールドＳＤ２に対向した状態に設定される。また、材料Ｍの蒸着が不要である処理基板ＳＵＢが第１蒸着チャンバーＥＶ１に搬送される場合には、第１蒸着源Ｓ１のノズルＮ１は第１シールドＳＤ１に対向し、第２蒸着源Ｓ２のノズルＮ２は第２シールドＳＤ２に対向した状態に設定される。
【0147】
【0148】
以上説明したように、本実施形態によれば、コストを削減し、設置スペースを縮小することが可能な表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。
【0149】
以上、本発明の実施形態として説明した製造装置及び製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての製造装置及び製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0150】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0151】
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0152】
ＤＳＰ…表示装置 １０…基板
５…リブ ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３…副画素
２０、２０１、２０２、２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ、ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３…下電極
ＵＥ、ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３…上電極
ＯＲ、ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３…有機層
２００…製造装置 Ｔ１…第１搬送路 Ｔ２…第２搬送路
ＥＶ１…第１蒸着チャンバー Ｓ１…第１蒸着源 Ｓ２…第２蒸着源
ＥＶ２…第２蒸着チャンバー Ｓ３…第３蒸着源 Ｓ４…第４蒸着源
Ｒ１…第１ローテーションチャンバー ＲＭ１…回転機構
Ｒ２…第２ローテーションチャンバー ＲＭ２…回転機構
５…リブ ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３…副画素
２０、２０１、２０２、２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ、ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３…下電極
ＵＥ、ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３…上電極
ＯＲ、ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３…有機層
２００…製造装置 Ｔ１…第１搬送路 Ｔ２…第２搬送路
ＥＶ１…第１蒸着チャンバー Ｓ１…第１蒸着源 Ｓ２…第２蒸着源
ＥＶ２…第２蒸着チャンバー Ｓ３…第３蒸着源 Ｓ４…第４蒸着源
Ｒ１…第１ローテーションチャンバー ＲＭ１…回転機構
Ｒ２…第２ローテーションチャンバー ＲＭ２…回転機構
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】