特開 2024-122505 半導体レーザ素子の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024122505

(43)【公開日】2024-09-09

(54)【発明の名称】半導体レーザ素子の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01S 5/22 20060101AFI20240902BHJP

   H01S 5/323 20060101ALI20240902BHJP

   H01L 21/301 20060101ALI20240902BHJP

【ＦＩ】

H01S5/22

H01S5/323

H01L21/78 U

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023030073

(22)【出願日】2023-02-28

(71)【出願人】

【識別番号】000236436

【氏名又は名称】浜松ホトニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100140442

【弁理士】

【氏名又は名称】柴山 健一

(72)【発明者】

【氏名】大河原 悟

(72)【発明者】

【氏名】杉山 厚志

(72)【発明者】

【氏名】長倉 建人

(72)【発明者】

【氏名】古岡 啓太

【テーマコード（参考）】

5F063

5F173

【Ｆターム（参考）】

5F063AA05

5F063AA36

5F063BA33

5F063BA43

5F063CB02

5F063CB03

5F063CB10

5F063CB28

5F063DD34

5F063DD81

5F173AD10

5F173AH03

5F173AP05

5F173AP83

5F173AP93

5F173AR96

(57)【要約】

【課題】得られた半導体レーザ素子にラテラルクラックが残存するのを抑制することができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と、活性層を含み、半導体基板上に形成された半導体積層体と、を備える半導体レーザ素子の製造方法は、それぞれが半導体レーザ素子となる複数の素子部分１０であって、半導体積層体の光導波方向に垂直なＸ軸方向に並んだ複数の素子部分１０を含むウェハ１００を用意する第１工程と、第１工程の後に、Ｘ軸方向に並んだ複数の素子部分１０を仕切る複数の第１境界線Ｂ１のそれぞれ上に位置するように、ウェハ１００の第１主面１００ａに、連続的な複数の押圧痕を含む押圧痕群７を形成する第２工程と、を備える。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体基板と、活性層を含み、前記半導体基板上に形成された半導体積層体と、を備える半導体レーザ素子の製造方法であって、
それぞれが前記半導体レーザ素子となる複数の素子部分であって、前記半導体積層体の光導波方向に垂直な第１方向に並んだ前記複数の素子部分を含むウェハを用意する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記第１方向に並んだ前記複数の素子部分を仕切る複数の第１境界線のそれぞれ上に位置するように、前記ウェハの第１主面又は前記第１主面とは反対側の第２主面に、連続的な複数の押圧痕を含む押圧痕群を形成する第２工程と、を備える、半導体レーザ素子の製造方法。

【請求項2】

前記第１工程の後に、前記第１方向及び前記光導波方向に平行な第２方向にマトリクス状に並んだ前記複数の素子部分を含む前記ウェハにおいて、前記第２方向に並んだ前記複数の素子部分を仕切る複数の第２境界線を含む複数の劈開ラインのそれぞれ上に位置するように、前記第１主面又は前記第２主面に、劈開起点を形成する第３工程を備え、
前記第２工程及び前記第３工程の後に、前記複数の劈開ラインのそれぞれに沿って前記ウェハを劈開し、それぞれが前記第１方向に並んだ前記複数の素子部分を含む複数のレーザバーを得る第４工程と、
前記第４工程の後に、前記複数の第１境界線のそれぞれに沿って前記複数のレーザバーのそれぞれを劈開する第５工程と、を更に備える、請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。

【請求項3】

前記第３工程は、前記第２工程の後に実施される、請求項２に記載の半導体レーザ素子の製造方法。

【請求項4】

前記押圧痕群及び前記劈開起点は、前記第１主面又は前記第２主面のうちの同一の主面に形成される、請求項２に記載の半導体レーザ素子の製造方法。

【請求項5】

前記第３工程では、前記複数の劈開ラインのそれぞれのうち前記複数の第２境界線を除く部分上に位置するように、前記劈開起点が形成される、請求項２に記載の半導体レーザ素子の製造方法。

【請求項6】

前記第２工程では、前記押圧痕群が前記複数の劈開ラインのそれぞれ上に位置しないように、前記押圧痕群が形成される、請求項２に記載の半導体レーザ素子の製造方法。

【請求項7】

前記複数の第１境界線のそれぞれにおいて前記押圧痕群が形成される部分の長さは、前記複数の第１境界線のそれぞれの長さの１／２以下である、請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。

【請求項8】

前記複数の第１境界線のそれぞれにおいて前記押圧痕群が形成される部分の長さは、前記複数の第１境界線のそれぞれの長さの１／７以下である、請求項７に記載の半導体レーザ素子の製造方法。

【請求項9】

前記第２工程では、前記複数の第１境界線のそれぞれに沿って、前記第１主面又は前記第２主面上において歯車状のホイールが転動させられることにより、前記押圧痕群が形成される、請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。

【請求項10】

前記第１工程の後であって前記第２工程の前に、前記複数の第１境界線のそれぞれのうち、前記押圧痕群が形成される部分を除く部分に沿って、前記第１主面又は前記第２主面にマスクを形成する第６工程を更に備える、請求項９に記載の半導体レーザ素子の製造方法。

【請求項11】

前記第２工程では、前記複数の第１境界線のそれぞれの全体に沿って、前記第１主面又は前記第２主面上において前記ホイールが転動させられる、請求項１０に記載の半導体レーザ素子の製造方法。

【請求項12】

前記第２工程では、前記複数の第１境界線のそれぞれの両端部分において、前記第１主面又は前記第２主面から前記ホイールが離間させられ、前記複数の第１境界線のそれぞれの中間部分に沿って、前記第１主面又は前記第２主面上において前記ホイールが転動させられる、請求項９に記載の半導体レーザ素子の製造方法。

【請求項13】

前記ウェハのうち、それぞれが前記半導体基板となる複数の基板部分を含む基板層の厚さ方向は、［１００］方向であり、
前記複数の第１境界線のそれぞれが延在する方向は、［０１－１］方向である、請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。

【請求項14】

前記ウェハのうち、それぞれが前記半導体基板となる複数の基板部分を含む基板層は、ＧａＡｓ単結晶層である、請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。

【請求項15】

前記第２工程では、前記連続的な複数の押圧痕のそれぞれの押圧痕の長さが、前記押圧痕群を形成するための工具の歯の長さの２倍以下となるように、前記押圧痕群が形成される、請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。

【請求項16】

前記第２工程では、前記連続的な複数の押圧痕のそれぞれの押圧痕の長さが、前記押圧痕群を形成するための工具の歯の長さに対応するように、前記押圧痕群が形成される、請求項１５に記載の半導体レーザ素子の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体レーザ素子の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体レーザ素子の製造方法として、一次劈開（一次スクライブ及び一次ブレーク）によってウェハを複数のレーザバーに分割した後に、二次劈開（二次スクライブ及び二次ブレーク）によって各レーザバーを複数の半導体レーザ素子に分割する方法が知られている（例えば、特許文献１）。このような半導体レーザ素子の製造方法では、各レーザバーに対する二次スクライブとして、複数の半導体レーザ素子に分割するための罫書がダイヤモンドツールによって入れられる場合がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００３－１７７９１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述したような半導体レーザ素子の製造方法では、各レーザバーに対する二次スクライブにおいてダイヤモンドツールを精密にコントロールしないと、ラテラルクラック（圧痕直下から、ウェハの主面に相当するレーザバーの主面に平行な方向で生じるクラック）が罫書に沿って発生し、得られた半導体レーザ素子にラテラルクラックが残存するおそれがある。半導体レーザ素子に残存したラテラルクラックは、大規模な脆性破壊を引き起こすため、半導体レーザ素子における剥離、欠け等の発生原因となる。

【0005】

本発明は、得られた半導体レーザ素子にラテラルクラックが残存するのを抑制することができる半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、［１］「半導体基板と、活性層を含み、前記半導体基板上に形成された半導体積層体と、を備える半導体レーザ素子の製造方法であって、それぞれが前記半導体レーザ素子となる複数の素子部分であって、前記半導体積層体の光導波方向に垂直な第１方向に並んだ前記複数の素子部分を含むウェハを用意する第１工程と、前記第１工程の後に、前記第１方向に並んだ前記複数の素子部分を仕切る複数の第１境界線のそれぞれ上に位置するように、前記ウェハの第１主面又は前記第１主面とは反対側の第２主面に、連続的な複数の押圧痕を含む押圧痕群を形成する第２工程と、を備える、半導体レーザ素子の製造方法」である。

【0007】

上記［１］に記載の半導体レーザ素子の製造方法では、半導体積層体の光導波方向に垂直な第１方向に並んだ複数の素子部分を仕切る複数の第１境界線のそれぞれ上に位置するように、ウェハの第１主面又は第１主面とは反対側の第２主面に、押圧痕群が形成される。これにより、複数の第１境界線のそれぞれに沿ってラテラルクラックが発生するのを抑制することができる。よって、上記［１］に記載の半導体レーザ素子の製造方法によれば、得られた半導体レーザ素子にラテラルクラックが残存するのを抑制することができる。

【0008】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、［２］「前記第１工程の後に、前記第１方向及び前記光導波方向に平行な第２方向にマトリクス状に並んだ前記複数の素子部分を含む前記ウェハにおいて、前記第２方向に並んだ前記複数の素子部分を仕切る複数の第２境界線を含む複数の劈開ラインのそれぞれ上に位置するように、前記第１主面又は前記第２主面に、劈開起点を形成する第３工程を備え、前記第２工程及び前記第３工程の後に、前記複数の劈開ラインのそれぞれに沿って前記ウェハを劈開し、それぞれが前記第１方向に並んだ前記複数の素子部分を含む複数のレーザバーを得る第４工程と、前記第４工程の後に、前記複数の第１境界線のそれぞれに沿って前記複数のレーザバーのそれぞれを劈開する第５工程と、を更に備える、上記［１］に記載の半導体レーザ素子の製造方法」であってもよい。当該［２］に記載の半導体レーザ素子の製造方法によれば、マトリクス状に並んだ複数の素子部分を含むウェハの状態で押圧痕群の形成が実施されるため、一列に並んだ複数の素子部分を含む複数のレーザバーのそれぞれに対して押圧痕群の形成が実施される場合に比べ、複数の半導体レーザ素子を得るのに要する時間を短縮することができる。

【0009】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、［３］「前記第３工程は、前記第２工程の後に実施される、上記［２］に記載の半導体レーザ素子の製造方法」であってもよい。当該［３］に記載の半導体レーザ素子の製造方法によれば、マトリクス状に並んだ複数の素子部分を含むウェハの状態で、劈開起点の形成が実施される前に押圧痕群の形成が実施されるため、劈開ラインに沿ったウェハの劈開が防止された状態で、複数の押圧痕群の形成を実施することができる。

【0010】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、［４］「前記押圧痕群及び前記劈開起点は、前記第１主面又は前記第２主面のうちの同一の主面に形成される、上記［２］又は［３］に記載の半導体レーザ素子の製造方法」であってもよい。当該［４］に記載の半導体レーザ素子の製造方法によれば、例えば、直交する二方向において劈開するような場合に、各方向における劈開性の違いを利用することができるため、ウェハの剛性を高く保つことができる。

【0011】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、［５］「前記第３工程では、前記複数の劈開ラインのそれぞれのうち前記複数の第２境界線を除く部分上に位置するように、前記劈開起点が形成される、上記［２］～［４］のいずれか一つに記載の半導体レーザ素子の製造方法」であってもよい。当該［５］に記載の半導体レーザ素子の製造方法によれば、複数の素子部分に劈開起点の影響が及びにくくなるため、光導波方向に垂直な一対の端面が精度良く形成された半導体レーザ素子を得ることができる。

【0012】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、［６］「前記第２工程では、前記押圧痕群が前記複数の劈開ラインのそれぞれ上に位置しないように、前記押圧痕群が形成される、上記［２］～［５］のいずれか一つに記載の半導体レーザ素子の製造方法」であってもよい。当該［６］に記載の半導体レーザ素子の製造方法によれば、劈開ラインに沿ったウェハの劈開に押圧痕群の影響が及びにくくなるため、光導波方向に垂直な一対の端面が精度良く形成された半導体レーザ素子を得ることができる。

【0013】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、［７］「前記複数の第１境界線のそれぞれにおいて前記押圧痕群が形成される部分の長さは、前記複数の第１境界線のそれぞれの長さの１／２以下である、上記［１］～［６］のいずれか一つに記載の半導体レーザ素子の製造方法」であってもよい。当該［７］に記載の半導体レーザ素子の製造方法によれば、押圧痕群に起因する半導体レーザ素子への影響が抑制されるため、半導体レーザ素子の歩留まりを向上させることができる。

【0014】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、［８］「前記複数の第１境界線のそれぞれにおいて前記押圧痕群が形成される部分の長さは、前記複数の第１境界線のそれぞれの長さの１／７以下である、上記［７］に記載の半導体レーザ素子の製造方法」であってもよい。当該［８］に記載の半導体レーザ素子の製造方法によれば、押圧痕群に起因する半導体レーザ素子への影響がより確実に抑制されるため、半導体レーザ素子の歩留まりをより一層向上させることができる。

【0015】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、［９］「前記第２工程では、前記複数の第１境界線のそれぞれに沿って、前記第１主面又は前記第２主面上において歯車状のホイールが転動させられることにより、前記押圧痕群が形成される、上記［１］～［８］のいずれか一つに記載の半導体レーザ素子の製造方法」であってもよい。当該［９］に記載の半導体レーザ素子の製造方法によれば、押圧痕群を効率良く且つ精度良く形成することができる。

【0016】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、［１０］「前記第１工程の後であって前記第２工程の前に、前記複数の第１境界線のそれぞれのうち、前記押圧痕群が形成される部分を除く部分に沿って、前記第１主面又は前記第２主面にマスクを形成する第６工程を更に備える、上記［９］に記載の半導体レーザ素子の製造方法」であってもよい。当該［１０］に記載の半導体レーザ素子の製造方法によれば、押圧痕群が形成される部分を除く部分において、歯車状のホイールをウェハから離間させる必要がなくなるため、押圧痕群をより効率良く形成することができる。

【0017】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、［１１］「前記第２工程では、前記複数の第１境界線のそれぞれの全体に沿って、前記第１主面又は前記第２主面上において前記ホイールが転動させられる、上記［１０］に記載の半導体レーザ素子の製造方法」であってもよい。当該［１１］に記載の半導体レーザ素子の製造方法によれば、押圧痕群が形成される部分を除く部分において、歯車状のホイールをウェハから離間させる場合に比べ、押圧痕群をより効率良く形成することができる。

【0018】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、［１２］「前記第２工程では、前記複数の第１境界線のそれぞれの両端部分において、前記第１主面又は前記第２主面から前記ホイールが離間させられ、前記複数の第１境界線のそれぞれの中間部分に沿って、前記第１主面又は前記第２主面上において前記ホイールが転動させられる、上記［９］に記載の半導体レーザ素子の製造方法」であってもよい。当該［１２］に記載の半導体レーザ素子の製造方法によれば、劈開ラインに沿ったウェハの劈開に押圧痕群の影響が及びにくくなるため、光導波方向に垂直な一対の端面が精度良く形成された半導体レーザ素子を得ることができる。

【0019】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、［１３］「前記ウェハのうち、それぞれが前記半導体基板となる複数の基板部分を含む基板層の厚さ方向は、［１００］方向であり、前記複数の第１境界線のそれぞれが延在する方向は、［０１－１］方向である、上記［１］～［１２］のいずれか一つに記載の半導体レーザ素子の製造方法」であってもよい。複数の第１境界線のそれぞれが延在する方向が［０－１－１］方向である場合よりも、複数の第１境界線のそれぞれが延在する方向が［０１－１］方向である場合のほうが、複数の第１境界線のそれぞれに沿って押圧痕群が形成されたウェハの機械的強度が維持される。よって、当該［１３］に記載の半導体レーザ素子の製造方法によれば、押圧痕群が形成されたウェハに対して更なる処理が実施される際にウェハが破損するのを抑制することができる。

【0020】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、［１４］「前記ウェハのうち、それぞれが前記半導体基板となる複数の基板部分を含む基板層は、ＧａＡｓ単結晶層である、上記［１］～［１３］のいずれか一つに記載の半導体レーザ素子の製造方法」であってもよい。当該［１４］に記載の半導体レーザ素子の製造方法によれば、ウェハの基板層が、ラテラルクラックが発生しやすいＧａＡｓ単結晶層である場合にも、得られた半導体レーザ素子にラテラルクラックが残存するのを効果的に抑制することができる。

【0021】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、［１５］「前記第２工程では、前記連続的な複数の押圧痕のそれぞれの押圧痕の長さが、前記押圧痕群を形成するための工具の歯の長さの２倍以下となるように、前記押圧痕群が形成される、上記［１］～［１４］のいずれか一つに記載の半導体レーザ素子の製造方法」であってもよい。当該［１５］に記載の半導体レーザ素子の製造方法によれば、工具の歯の引きずられに起因するラテラルクラックの発生を抑制することができる。

【0022】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、［１６］「前記第２工程では、前記連続的な複数の押圧痕のそれぞれの押圧痕の長さが、前記押圧痕群を形成するための工具の歯の長さに対応するように、前記押圧痕群が形成される、上記［１５］に記載の半導体レーザ素子の製造方法」であってもよい。当該［１６］に記載の半導体レーザ素子の製造方法によれば、工具の歯の引きずられに起因するラテラルクラックの発生をより確実に抑制することができる。

【発明の効果】

【0023】

本発明によれば、得られた半導体レーザ素子にラテラルクラックが残存するのを抑制することができる半導体レーザ素子の製造方法を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0024】

【図1】一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法によって製造される半導体レーザ素子の平面図である。

【図2】図１に示されるII－II線に沿っての半導体レーザ素子の断面図である。

【図3】一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の第１工程を説明するためのウェハの平面図である。

【図4】図３に示されるウェハの一部分の断面図である。

【図5】一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の第２工程を説明するためのウェハの平面図、及び一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の第３工程を説明するためのウェハの平面図である。

【図6】一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の第４工程を説明するためのレーザバーの平面図、及び一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の第５工程を説明するための複数の半導体レーザ素子の平面図である。

【図7】一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法において形成される押圧痕群の平面図である。

【図8】図７に示される押圧痕群が形成されたウェハの一部分の平面図である。

【図9】図７に示される押圧痕群の形成に用いられる歯車状のホイールの側面図である。

【図10】比較例の半導体レーザ素子の製造方法によって得られた半導体レーザ素子の側面の一部分の写真、及び実施例の半導体レーザ素子の製造方法によって得られた半導体レーザ素子の側面の一部分の写真を示す図である。

【図11】変形例の半導体レーザ素子の製造方法の第２工程を説明するためのウェハの一部分の平面図である。

【図12】変形例の半導体レーザ素子の製造方法の第２工程を説明するためのウェハの一部分の平面図である。

【図13】変形例の半導体レーザ素子の製造方法の第２工程を説明するためのウェハの一部分の平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0025】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
［半導体レーザ素子の構成］

【0026】

図１及び図２に示されるように、半導体レーザ素子１は、半導体基板２と、半導体積層体３と、を備えている。半導体積層体３は、光導波方向Ｄにおいて互いに対向している一対の端面３ａを有している。半導体レーザ素子１は、一対の端面３ａの間でレーザ光Ｌを共振させ、一方の端面３ａから光導波方向Ｄに沿ってレーザ光Ｌを出射させる。つまり、半導体レーザ素子１は、端面出射型のレーザダイオードとして構成されている。以下、半導体基板２の厚さ方向をＺ軸方向といい、半導体基板２の厚さ方向から見た場合に光導波方向Ｄに垂直な第１方向をＸ軸方向といい、半導体基板２の厚さ方向から見た場合に光導波方向Ｄに平行な第２方向をＹ軸方向という。なお、第１方向は、光導波路方向と交差する一対の端面が互いに対向する方向に垂直な方向であってもよい。また、第１方向は、レーザ光の出射端面に沿った方向であってもよい。

【0027】

半導体基板２は、ＧａＡｓ単結晶基板である。半導体基板２は、Ｚ軸方向において互いに対向している表面２ａ及び裏面２ｂ、Ｙ軸方向において互いに対向している一対の側面２ｃ、並びに、Ｘ軸方向において互いに対向している一対の側面２ｄを有している。半導体基板２では、Ｚ軸方向が［１００］方向であり、Ｙ軸方向が［０１－１］方向であり、Ｘ軸方向が［０－１－１］方向である。Ｚ軸方向から見た場合における半導体基板２の形状は、例えば、Ｙ軸方向を長辺方向とする長方形状である。一例として、Ｚ軸方向における半導体基板２の厚さは１００～２００μｍであり、Ｘ軸方向における半導体基板２の幅は３００～６００μｍであり、Ｙ軸方向における半導体基板２の長さは６００～１０００μｍである。

【0028】

半導体積層体３は、半導体基板２の表面２ａに形成されている。つまり、半導体積層体３は、半導体基板２上に形成されている。Ｘ軸方向における半導体積層体３の幅は、Ｘ軸方向における半導体基板２の幅よりも小さい。つまり、半導体積層体３は、メサ状に形成されている。半導体積層体３では、Ｘ軸方向において互いに対向している一対の側面のそれぞれが、半導体基板２から離れるほど互いに近付くように傾斜している。半導体積層体３の一方の端面３ａは、半導体基板２の一方の側面２ｃと同一平面上に位置している。半導体積層体３の他方の端面３ａは、半導体基板２の他方の側面２ｃと同一平面上に位置している。一例として、Ｚ軸方向における半導体積層体３の厚さは１０～１５μｍであり、Ｘ軸方向における半導体積層体３の幅（最大幅）は１００～３００μｍであり、Ｙ軸方向における半導体積層体３の長さは６００～１０００μｍである。

【0029】

半導体基板２の表面２ａのうち半導体積層体３形成されていない領域上、及び半導体積層体３の一対の側面上には、絶縁膜４が形成されている。絶縁膜４は、例えば、ＳｉＮ膜又はＳｉＯ_２膜である。半導体積層体３における半導体基板２とは反対側の表面上には、第１電極５が形成されている。第１電極５は、半導体積層体３と電気的に接続されている。半導体基板２の裏面２ｂ上には、第２電極６が形成されている。第２電極６は、半導体基板２と電気的に接続されている。

【0030】

一例として、半導体積層体３は、下部第１クラッド層３０１、下部活性層（活性層）３０２、下部第２クラッド層３０３、下部トンネル障壁層３０４、中間第１クラッド層３０５、中間活性層（活性層）３０６、中間第２クラッド層３０７、中間トンネル障壁層３０８、上部第１クラッド層３０９、上部活性層（活性層）３１０、上部第２クラッド層３１１及びコンタクト層３１２がこの順序で半導体基板２の表面２ａに積層されることにより構成されている。半導体積層体３は、例えば、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法によって半導体基板２の表面２ａ上に各層が成膜されることにより形成される。

【0031】

この例では、上部第１クラッド層３０９、上部活性層３１０及び上部第２クラッド層３１１を含む第１レーザダイオードと、中間第１クラッド層３０５、中間活性層３０６及び中間第２クラッド層３０７を含む第２レーザダイオードと、下部第１クラッド層３０１、下部活性層３０２及び下部第２クラッド層３０３を含む第３レーザダイオードとが直列に接続されている。半導体レーザ素子１は、Ｐ型半導体側の第１電極５からＮ型半導体側の第２電極６に順方向の電流が流されることにより、第１レーザダイオード、第２レーザダイオード及び第３レーザダイオードのそれぞれが発光し、一方の端面３ａから光導波方向Ｄに沿ってレーザ光Ｌが出射する。

【0032】

半導体積層体３を構成する各層の厚さ、厚さの好適範囲及び導電型の組み合わせの一例は、表１に示されるとおりである。半導体積層体３を構成する各層の材料及び不純物濃度の組み合わせの一例は、表２に示されるとおりである。

【0033】

【表1】

【0034】

【表2】

［半導体レーザ素子の製造方法］

【0035】

まず、図３に示されるように、ウェハ１００が用意される（第１工程）。ウェハ１００は、第１主面１００ａ、及び第１主面１００ａとは反対側の第２主面１００ｂを有している。ウェハ１００は、それぞれが半導体レーザ素子１となる複数の素子部分１０を含んでいる。複数の素子部分１０は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向にマトリクス状に並んでいる。ウェハ１００の厚さ方向をＺ軸方向とした場合に、Ｘ軸方向は、光導波方向Ｄに垂直な方向であり、Ｙ軸方向は、光導波方向Ｄに平行な方向である（図１参照）。

【0036】

図４に示されるように、ウェハ１００は、基板層２００と、積層体層３００と、備えている。基板層２００は、第１主面２００ａ、及び第１主面２００ａとは反対側の第２主面２００ｂを有している。基板層２００は、それぞれが半導体基板２となる複数の基板部分２０を含んでいる。基板層２００は、ＧａＡｓ単結晶層である。基板層２００では、基板層２００の厚さ方向であるＺ軸方向が［１００］方向であり、Ｙ軸方向が［０１－１］方向であり、Ｘ軸方向が［０－１－１］方向である。積層体層３００は、基板層２００の第１主面２００ａ上に形成されている。積層体層３００は、それぞれが半導体積層体３となる複数の積層体部分３０を含んでいる。本実施形態では、基板層２００の第１主面２００ａのうち複数の積層体部分３０が形成されていない領域がウェハ１００の第１主面１００ａの一部分に相当し、基板層２００の第２主面２００ｂがウェハ１００の第２主面１００ｂに相当する。

【0037】

図３に示されるように、Ｘ軸方向に並んだ複数の素子部分１０は、Ｚ軸方向から見た場合に複数の第１境界線Ｂ１によって仕切られている。各第１境界線Ｂ１は、Ｙ軸方向に延在している。つまり、各第１境界線Ｂ１が延在する方向は、［０１－１］方向である。Ｙ軸方向に並んだ複数の素子部分１０は、Ｚ軸方向から見た場合に複数の第２境界線Ｂ２によって仕切られている。ウェハ１００には、複数の劈開ラインＣＬが設定されている。各劈開ラインＣＬは、Ｘ軸方向に連続している複数の第２境界線Ｂ２を含んでいる。各第２境界線Ｂ２及び各劈開ラインＣＬは、Ｘ軸方向に延在している。つまり、各第２境界線Ｂ２及び各劈開ラインＣＬが延在する方向は、［０－１－１］方向である。なお、ウェハ１００には、基板層２００の結晶方位を示すオリエンテーションフラット１００ｃが設けられている。

【0038】

続いて、図５の（ａ）に示されるように、Ｚ軸方向から見た場合に各第１境界線Ｂ１上に位置するように、ウェハ１００の第１主面１００ａに押圧痕群７が形成される（第２工程）。つまり、Ｘ軸方向において隣り合っている素子部分１０を仕切る一つの第１境界線Ｂ１ごとに押圧痕群７が形成される。本実施形態では、Ｘ軸方向において隣り合っている積層体部分３０の間に露出している基板層２００の第１主面２００ａに押圧痕群７が形成される。押圧痕群７の詳細については後述する。

【0039】

続いて、ウェハ１００の第１主面１００ａに、各素子部分１０において絶縁膜４となる絶縁層、及び各素子部分１０において第１電極５となる第１電極層が形成される。これにより、押圧痕群７が絶縁層によって覆われる。また、ウェハ１００の第２主面１００ｂに、各素子部分１０において第２電極６となる第２電極層が形成される。第２電極層が形成される前に、基板層２００の第２主面２００ｂが研磨されることにより、基板層２００が薄化される場合もある。

【0040】

続いて、図５の（ｂ）に示されるように、Ｚ軸方向から見た場合に各劈開ラインＣＬ上に位置するように、ウェハ１００の第１主面１００ａに劈開起点８が形成される（第３工程）。より具体的には、各劈開ラインＣＬのうち複数の第２境界線Ｂ２を除く部分上（すなわち、Ｘ軸方向に連続している複数の第２境界線Ｂ２の延長線上）に位置するように、劈開起点８が形成される。本実施形態では、押圧痕群７及び劈開起点８は、同一の主面である第１主面１００ａに形成される。なお、劈開起点８は、ダイヤモンドツール等を利用した公知のポイントスクライブによって形成される。

【0041】

続いて、劈開起点８を起点として各劈開ラインＣＬに沿ってウェハ１００が劈開され、図６の（ａ）に示されるように、複数のレーザバー１１０が得られる（第４工程）。レーザバー１１０は、Ｘ軸方向に一列に並んだ複数の素子部分１０を含んでいる。なお、各劈開ラインＣＬに沿ってウェハ１００が劈開される際には、上述した絶縁層及び第２電極層が同時に切断される。続いて、Ｙ軸方向に垂直なレーザバー１１０の一方の端面に、低反射膜又は高反射膜が形成される。当該一方の端面は、各素子部分１０の一方の端面３ａ又は他方の端面３ａを含む面である。続いて、押圧痕群７を起点として各第１境界線Ｂ１に沿ってレーザバー１１０が劈開され、図６の（ｂ）に示されるように、複数の半導体レーザ素子１が得られる（第５工程）。なお、各第１境界線Ｂ１に沿ってレーザバー１１０が劈開される際には、上述した絶縁層、第２電極層及び反射膜（低反射膜又は高反射膜）が同時に切断される。

【0042】

ここで、押圧痕群７について詳細に説明する。図７に示されるように、押圧痕群７は、連続的な複数の押圧痕７１を含んでいる。連続的な複数の押圧痕７１は、互いに離間しており、Ｚ軸方向から見た場合に第１境界線Ｂ１上において一列に並んでいる。

【0043】

「連続的な複数の押圧痕７１」は、次のように定義される。すなわち、第１境界線Ｂ１に平行な方向における各押圧痕７１の長さをａとし、第１境界線Ｂ１に平行な方向において隣り合っている押圧痕７１の間隔をｂとすると、「ａ：ｂ＝１：Ｘ」且つ「０．１＜Ｘ＜１０」且つ「ａ＜１００μｍ」を満たすように形成された複数の押圧痕７１が「連続的な複数の押圧痕７１」である。或いは、「連続的な複数の押圧痕７１」は、次のように定義される。すなわち、押圧痕７１の数をｎとし、第１境界線Ｂ１の長さをＢ１ａとし（図８参照）、第１境界線Ｂ１に平行な方向における押圧痕群７の長さをＡとすると、「ｎ≧３」且つ「Ａ＜Ｂ１ａ／２」且つ「ａ＜１００μｍ」を満たすように形成された複数の押圧痕７１が「連続的な複数の押圧痕７１」である。一例として、第１境界線Ｂ１の長さは７００μｍ程度であり、第１境界線Ｂ１に平行な方向における押圧痕群７の長さは１００μｍ程度である。一例として、第１境界線Ｂ１に平行な方向における押圧痕７１の長さは１０μｍ程度であり、第１境界線Ｂ１に平行な方向において隣り合っている押圧痕７１の間隔は２μｍ程度である。また、押圧痕７１を形成する工具のウェハに対する接触角度の違い等によって、押圧痕７１の長さａ及び／又は間隔ｂが完全に均一にはならない場合がある。例えば、「連続的な複数の押圧痕７１」の両端部の押圧痕７１の長さａが他の押圧痕７１に比べて短くなるような場合がある。このように押圧痕７１の長さａ及び／又は間隔ｂが完全に均一にならない場合でも、「連続的な複数の押圧痕７１」内の押圧痕７１の長さａの平均値及び間隔ｂの平均値が、上記定義を満たしていればよい。

【0044】

図８に示されるように、押圧痕群７は、各劈開ラインＣＬ上に位置しないように（すなわち、押圧痕群７が各劈開ラインＣＬを跨がないように）、各第１境界線Ｂ１に沿って形成される。各第１境界線Ｂ１において押圧痕群７が形成される部分の長さＢ１ｂは、各第１境界線Ｂ１の長さＢ１ａの１／２以下である。より好ましくは、各第１境界線Ｂ１において押圧痕群７が形成される部分の長さＢ１ｂは、各第１境界線Ｂ１の長さＢ１ａの１／７以下である。図８に示される例では、一つの第１境界線Ｂ１に沿って一つの押圧痕群７が形成されており、当該一つの押圧痕群７が当該一つの第１境界線Ｂ１の一方の端部に沿って形成されている。ただし、一つの第１境界線Ｂ１に沿って複数の押圧痕群７が形成されてもよい。その場合、各第１境界線Ｂ１において押圧痕群７が形成される部分の長さＢ１ｂは、一つの第１境界線Ｂ１に沿って形成された複数の押圧痕群７のそれぞれの長さの総和である。

【0045】

本実施形態では、図９の（ａ）に示されるような歯車状のホイール９によって押圧痕群７が形成される。ホイール９は、軸部９１と、本体部９２と、複数の歯９３と、を含んでいる。本体部９２は、円板状に形成されている。軸部９１は、本体部９２の中心部を貫通した状態で本体部９２に固定されている。複数の歯９３は、本体部９２の外縁に沿って一定のピッチで並んでいる。ホイール９は、軸部９１が回転させられて本体部９２及び複数の歯９３が一体で回転させられることにより、対象物の表面上において転動させられる。本実施形態では、各第１境界線Ｂ１に沿って、ウェハ１００の第１主面１００ａ上においてホイール９が転動させられることにより、押圧痕群７が形成される。

【0046】

図９の（ｂ）に示されるように、周方向における各歯９３の長さをαとし、図７に示されるように、第１境界線Ｂ１に平行な方向における各押圧痕７１の長さをａとすると、各押圧痕７１の長さａが各歯９３の長さαに対応するように押圧痕群７が形成される。「各押圧痕７１の長さａが各歯９３の長さαに対応する」とは、「α≦ａ≦１．５α」を満たすことを意味する。押圧痕群７の形成に歯車状のホイール９が用いられると、各押圧痕７１の長さａが各歯９３の長さαの２倍以下となるように押圧痕群７が形成される。また、先述のように、押圧痕７１を形成する工具のウェハに対する接触角度の違い等によって、「連続的な複数の押圧痕７１」の両端部の押圧痕７１の長さａが他の押圧痕７１に比べて短くなるような場合もある。このような場合であっても、「連続的な複数の押圧痕７１」内の押圧痕７１の長さａの平均値が、各歯９３の長さαに対して上記定義を満たしていればよい。
［作用及び効果］

【0047】

半導体レーザ素子１の製造方法では、半導体積層体３の光導波方向Ｄに垂直なＸ軸方向に並んだ複数の素子部分１０を仕切る複数の第１境界線Ｂ１のそれぞれ上に位置するように、ウェハ１００の第１主面１００ａに押圧痕群７が形成される。これにより、各第１境界線Ｂ１に沿ってラテラルクラックが発生するのを抑制することができる。また、例えば、ダイヤモンドツールによって各第１境界線Ｂ１に沿ってレーザバーに罫書を入れるような場合に比べ、ラテラルクラックに起因する大規模な脆性破壊が生じにくく、デブリが発生するのを抑制することができる。よって、半導体レーザ素子１の製造方法によれば、得られた半導体レーザ素子１にラテラルクラックが残存するのを抑制することができる。

【0048】

半導体レーザ素子１の製造方法では、光導波方向Ｄに垂直なＸ軸方向及び光導波方向Ｄに平行なＹ軸方向にマトリクス状に並んだ複数の素子部分１０を含むウェハ１００において、Ｙ軸方向に並んだ複数の素子部分１０を仕切る複数の第２境界線Ｂ２を含む複数の劈開ラインＣＬのそれぞれ上に位置するように、ウェハ１００の第１主面１００ａに劈開起点８が形成される。そして、押圧痕群７の形成及び劈開起点８の形成が実施された後に、各劈開ラインＣＬに沿ってウェハ１００が劈開され、更に、各第１境界線Ｂ１に沿ってレーザバー１１０が劈開される。これにより、マトリクス状に並んだ複数の素子部分１０を含むウェハ１００の状態で押圧痕群７の形成が実施されるため、一列に並んだ複数の素子部分１０を含む複数のレーザバー１１０のそれぞれに対して押圧痕群７の形成が実施される場合に比べ、複数の半導体レーザ素子１を得るのに要する時間を短縮することができる。

【0049】

半導体レーザ素子１の製造方法では、劈開起点８の形成が押圧痕群７の形成の後に実施される。これにより、劈開ラインＣＬに沿ったウェハ１００の劈開が防止された状態で、複数の押圧痕群７の形成を実施することができる。

【0050】

半導体レーザ素子１の製造方法では、押圧痕群７及び劈開起点８が、同一の主面である第１主面１００ａに形成される。これにより、例えば、直交する二方向（たとえばＸ軸方向及びＹ軸方向）において劈開するような場合に、各方向における劈開性の違いを利用することができるため、ウェハ１００の剛性を高く保つことができる。具体的には、次のとおりである。（１００）面である第１主面１００ａが加工面とされた場合には、結晶の物理的性質に起因して、［０１－１］方向（本実施形態では、Ｙ軸方向）は、劈開に必要な初期クラック（加工面から対向する面へと向かうクラック）が形成されにくい方向となり、［０－１－１］方向（本実施形態では、Ｘ軸方向）は、劈開に必要な初期クラックが形成されやすい方向となる。（－１００）面である第２主面１００ｂが加工面とされた場合には、その関係が逆になる。いずれの場合にも、初期クラックが深く形成されているほど劈開がなされやすくなる。半導体レーザ素子１の製造方法では、押圧痕群７を［０１－１］方向に沿って第１主面１００ａに形成し、劈開起点８を［０－１－１］方向に沿って第１主面１００ａに形成することにより、押圧痕群７及び劈開起点８が形成された状態にあるウェハ１００について、その剛性を高く保つことができる。また、劈開起点８に沿ってウェハ１００が劈開されることにより得られたレーザバー１１０（すなわち、押圧痕群７が形成された状態にあるレーザバー１１０）についても、その剛性も高く保つことができる。なお、押圧痕群７及び劈開起点８を第２主面１００ｂに形成する場合には、押圧痕群７を［０－１－１］方向に沿って第２主面１００ｂに形成し、劈開起点８を［０１－１］方向に沿って第２主面１００ｂに形成することにより、同様の効果を得ることができる。

【0051】

半導体レーザ素子１の製造方法では、各劈開ラインＣＬのうち複数の第２境界線Ｂ２を除く部分上に位置するように劈開起点８が形成される。これにより、複数の素子部分１０に劈開起点８の影響が及びにくくなるため、光導波方向Ｄに垂直な一対の端面３ａが精度良く形成された半導体レーザ素子１を得ることができる。

【0052】

半導体レーザ素子１の製造方法では、各劈開ラインＣＬ上に位置しないように押圧痕群７が形成される。これにより、劈開ラインＣＬに沿ったウェハ１００の劈開に押圧痕群７の影響が及びにくくなるため、光導波方向Ｄに垂直な一対の端面３ａが精度良く形成された半導体レーザ素子１を得ることができる。

【0053】

半導体レーザ素子１の製造方法では、各第１境界線Ｂ１において押圧痕群７が形成される部分の長さＢ１ｂが、各第１境界線Ｂ１の長さＢ１ａの１／２以下である。これにより、押圧痕群７に起因する半導体レーザ素子１への影響が抑制されるため、半導体レーザ素子１の歩留まりを向上させることができる。

【0054】

半導体レーザ素子１の製造方法では、各第１境界線Ｂ１において押圧痕群７が形成される部分の長さＢ１ｂが、各第１境界線Ｂ１の長さＢ１ａの１／７以下である。これにより、押圧痕群７に起因する半導体レーザ素子１への影響がより確実に抑制されるため、半導体レーザ素子１の歩留まりをより一層向上させることができる。

【0055】

半導体レーザ素子１の製造方法では、各第１境界線Ｂ１に沿って、ウェハ１００の第１主面１００ａ上において歯車状のホイール９が転動させられることにより、押圧痕群７が形成される。これにより、押圧痕群７を効率良く且つ精度良く形成することができる。

【0056】

半導体レーザ素子１の製造方法では、ウェハ１００において、基板層２００の厚さ方向が［１００］方向であり、各第１境界線Ｂ１が延在する方向が［０１－１］方向である。各第１境界線Ｂ１が延在する方向が［０－１－１］方向である場合よりも、各第１境界線Ｂ１が延在する方向が［０１－１］方向である場合のほうが、各第１境界線Ｂ１に沿って押圧痕群７が形成されたウェハ１００の機械的強度が維持される。よって、押圧痕群７が形成されたウェハ１００に対して更なる処理（例えば、上述した絶縁層の形成、第１電極層の形成、基板層２００の第２主面２００ｂの研磨、第２電極層の形成等）が実施される際にウェハ１００が破損するのを抑制することができる。

【0057】

半導体レーザ素子１の製造方法では、ウェハ１００の基板層２００がＧａＡｓ単結晶層である。このように、ウェハ１００の基板層２００が、ラテラルクラックが発生しやすいＧａＡｓ単結晶層である場合にも、得られた半導体レーザ素子１にラテラルクラックが残存するのを効果的に抑制することができる。

【0058】

半導体レーザ素子１の製造方法では、連続的な複数の押圧痕７１のそれぞれの押圧痕７１の長さａが、押圧痕群７を形成するためのホイール９の歯９３の長さαの２倍以下となるように、押圧痕群７が形成される。これにより、ホイール９の歯９３の引きずられに起因するラテラルクラックの発生を抑制することができる。

【0059】

半導体レーザ素子１の製造方法では、連続的な複数の押圧痕７１のそれぞれの押圧痕７１の長さａが、押圧痕群７を形成するためのホイール９の歯９３の長さαに対応するように、押圧痕群７が形成される。これにより、ホイール９の歯９３の引きずられに起因するラテラルクラックの発生をより確実に抑制することができる。

【0060】

図１０の（ａ）は、比較例の半導体レーザ素子の製造方法によって得られた半導体レーザ素子の側面の一部分の写真を示す図であり、図１０の（ｂ）は、実施例の半導体レーザ素子の製造方法によって得られた半導体レーザ素子の側面の一部分の写真を示す図である。比較例の半導体レーザ素子の製造方法では、ダイヤモンドツールによって第１境界線に沿ってレーザバーに罫書を入れ、第１境界線に沿ってレーザバーを劈開することにより、複数の半導体レーザ素子を得た。比較例の半導体レーザ素子の製造方法によって得られた半導体レーザ素子では、図１０の（ａ）に示されるように、第１境界線に沿った半導体レーザ素子の側面にラテラルクラック（図１０の（ａ）において水平に伸びる黒筋）が発生した。それに対し、実施例の半導体レーザ素子の製造方法では、第１境界線に沿ってレーザバーに押圧痕群を形成し、第１境界線に沿ってレーザバーを劈開することにより、複数の半導体レーザ素子を得た。実施例の半導体レーザ素子の製造方法によって得られた半導体レーザ素子では、図１０の（ｂ）に示されるように、第１境界線に沿った半導体レーザ素子の側面にラテラルクラックが殆ど発生しなかった。また、実施例の半導体レーザ素子の製造方法では、比較例の半導体レーザ素子の製造方法に比べ、デブリの発生も抑制された。
［変形例］

【0061】

本発明は、上述した実施形態に限定されない。例えば、一つの第１境界線Ｂ１に対して押圧痕群７が形成される位置及び数は、特に限定されない。一例として、図１１に示されるように、押圧痕群７は、各第１境界線Ｂ１の中間部分ＩＰの一部に沿って形成されてもよい。この場合、各第１境界線Ｂ１の両端部分ＥＰにおいて、第１主面１００ａからホイール９が離間させられ、各第１境界線Ｂ１の中間部分ＩＰに沿って、第１主面１００ａにおいてホイール９が転動させられてもよい。押圧痕群７が各第１境界線Ｂ１の中間部分ＩＰ上に形成されると、劈開ラインＣＬに沿ったウェハ１００の劈開に押圧痕群７の影響が及びにくくなるため、光導波方向Ｄに垂直な一対の端面３ａが精度良く形成された半導体レーザ素子１を得ることができる。

【0062】

また、ウェハ１００の用意の後であって押圧痕群７の形成の前に、図１２に示されるように、各第１境界線Ｂ１のうち、押圧痕群７が形成される部分ＦＰを除く部分に沿って、第１主面１００ａにマスク１１が形成されてもよい（第６工程）。この場合、各第１境界線Ｂ１の全体に沿って、第１主面１００ａ上においてホイール９が転動させられてもよい。このようにマスク１１を利用することにより、押圧痕群７が形成される部分ＦＰを除く部分において、歯車状のホイール９をウェハ１００から離間させる必要がなくなるため、押圧痕群７をより効率良く形成することができる。

【0063】

図１２に示される例は、各第１境界線Ｂ１の両端部分が、各第１境界線Ｂ１と各劈開ラインＣＬとの交点を含め、マスク１１によって覆われない例である。図１２に示される例でも、各第１境界線Ｂ１と各劈開ラインＣＬとの交点上に押圧痕７１が形成されなければ、劈開ラインＣＬに沿ったウェハ１００の劈開に押圧痕群７の影響が及びにくくなるため、光導波方向Ｄに垂直な一対の端面３ａが精度良く形成された半導体レーザ素子１を得ることができる。

【0064】

図１３の（ａ）に示される例は、各第１境界線Ｂ１の両端部分がマスク１１によって覆われず、各第１境界線Ｂ１の中間部分、及び各第１境界線Ｂ１と各劈開ラインＣＬとの交点がマスク１１によって覆われる例である。図１３の（ｂ）に示される例は、各第１境界線Ｂ１の一端部分がマスク１１によって覆われず、各第１境界線Ｂ１の他端部分、各第１境界線Ｂ１の中間部分、及び各第１境界線Ｂ１と各劈開ラインＣＬとの交点が一続きのマスク１１によって覆われる例である。図１３の（ａ）及び（ｂ）に示される例によれば、各第１境界線Ｂ１と各劈開ラインＣＬとの交点上に押圧痕７１が形成されるのを確実に防止することができる。

【0065】

なお、マスク１１は、各劈開ラインＣＬに沿ったウェハ１００の劈開前に除去されることが好ましい。マスク１１は、各第１境界線Ｂ１に沿ったレーザバー１１０の劈開前に除去されてもよい。或いは、マスク１１は、劈開に実質的な影響を及ぼさない程度に薄化されている場合には、除去されなくてもよい。マスク１１は、例えば、メタル膜、絶縁膜（ＳｉＮ膜、ＳｉＯ_２膜等）又はレジスト膜である。

【0066】

また、半導体レーザ素子１は、第１境界線Ｂ１に沿った劈開によって得られるものであれば、他の構成を有するものであってもよい。一例として、半導体基板２は、ＧａＡｓ単結晶基板以外の半導体基板であってもよい。その場合、ウェハ１００の基板層２００も、ＧａＡｓ単結晶層以外の半導体層であってもよい。また、半導体基板２は、上述した方位以外の方位を有する半導体基板であってもよい。その場合、ウェハ１００の基板層２００も、上述した方位以外の方位を有する半導体層であってもよい。また、半導体積層体３は、少なくとも一つの活性層を含むものであればよい。

【0067】

また、ウェハ１００として、半導体積層体３の光導波方向Ｄに垂直なＸ軸方向に一列に並んだ複数の素子部分１０を含むウェハ（レーザバー１１０に相当するウェハ）が用いられてもよい。その場合、劈開起点８の形成、及び劈開ラインＣＬに沿ったウェハ１００の劈開が省略されてもよい。また、押圧痕群７は、ウェハ１００の第２主面１００ｂに形成されてもよい。また、劈開起点８は、ウェハ１００の第２主面１００ｂに形成されてもよい。また、ウェハ１００の第１主面１００ａ及び第２主面１００ｂの一方に対して押圧痕群７の形成が実施され、ウェハ１００の第１主面１００ａ及び第２主面１００ｂの他方に対して劈開起点８の形成が実施されてもよい。また、各第１境界線Ｂ１が延在する方向が［０－１－１］方向であり、各第２境界線Ｂ２及び各劈開ラインＣＬが延在する方向が［０１－１］方向であってもよい。

【0068】

また、上述した実施形態では、ウェハ１００の第１主面１００ａへの押圧痕群７の形成が、絶縁膜４となる絶縁層の形成、及び第１電極５となる第１電極層の形成の前に実施されたが、ウェハ１００の第１主面１００ａへの押圧痕群７の形成は、絶縁層の形成及び第１電極層の形成の後に実施されてもよいし、或いは、絶縁層の形成の後であって第１電極層の形成の前に実施されてもよい。それらの場合、押圧痕群７の形成の前に、押圧痕群７が形成される箇所において絶縁層の除去が実施されてもよい。また、上述した実施形態では、ウェハ１００の第１主面１００ａへの押圧痕群７の形成が、基板層２００の薄化、及び第２電極６となる第２電極層の形成の前に実施されたが、ウェハ１００の第１主面１００ａへの押圧痕群７の形成は、基板層２００の薄化及び第２電極層の形成の後に実施されてもよいし、或いは、基板層２００の薄化の後であって第２電極層の形成の前に実施されてもよい。

【0069】

また、劈開起点８の形成は、押圧痕群７の形成の前に実施されてもよい。また、各第１境界線Ｂ１において押圧痕群７が形成される部分の長さＢ１ｂは、各第１境界線Ｂ１の長さＢ１ａの１／２を超えてもよい。また、押圧痕群７は、歯車状のホイール９以外の工具によって形成されてもよい。

【0070】

本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、ＳＬＤ（スーパールミネッセントダイオード）の製造方法について適用されてもよい。すなわち、ＳＬＤの製造に用いられるウェハに対して、本発明と同様の工程が実施されてもよい。これにより、本発明の半導体レーザ素子の製造方法と同様の効果が奏される。すなわち、得られたＳＬＤにラテラルクラックが残存するのを抑制することができる。

【符号の説明】

【0071】

１…半導体レーザ素子、２…半導体基板、３…半導体積層体、７…押圧痕群、８…劈開起点、９…ホイール（工具）、１０…素子部分、１１…マスク、７１…押圧痕、９３…歯、１００…ウェハ、１００ａ…第１主面、１００ｂ…第２主面、１１０…レーザバー、２００…基板層、３０２…下部活性層（活性層）、３０６…中間活性層（活性層）、３１０…上部活性層（活性層）、Ｂ１…第１境界線、Ｂ２…第２境界線、ＣＬ…劈開ライン、Ｄ…光導波方向。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】