特開 2024-122591 積層電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024122591

(43)【公開日】2024-09-09

(54)【発明の名称】積層電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/12 20060101AFI20240902BHJP

   H01G 4/30 20060101ALI20240902BHJP

   H01G 4/10 20060101ALI20240902BHJP

   H01F 17/02 20060101ALI20240902BHJP

   H01C 7/02 20060101ALI20240902BHJP

   H01C 7/04 20060101ALI20240902BHJP

   H01C 7/105 20060101ALI20240902BHJP

   H10N 30/50 20230101ALI20240902BHJP

   H10N 30/853 20230101ALI20240902BHJP

   C04B 35/495 20060101ALI20240902BHJP

【ＦＩ】

H01G4/12 540

H01G4/30 515

H01G4/10

H01G4/30 201N

H01F17/02

H01C7/02

H01C7/04

H01C7/105

H10N30/50

H10N30/853

C04B35/495

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023030213

(22)【出願日】2023-02-28

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001494

【氏名又は名称】前田・鈴木国際特許弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】野村 涼太

【テーマコード（参考）】

5E001

5E034

5E070

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AE01

5E001AE02

5E034DA07

5E034DB11

5E070BA01

5E082BC31

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082FG27

5E082PP03

(57)【要約】

【課題】曲げ強度が高く、耐熱衝撃性が良好であり、しかも比抵抗値が高い積層電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】内側セラミックス層と内部電極層とが交互に積層された内装領域を有する素子本体を具備する積層電子部品であって、内側セラミックス層は第１粒子および第２粒子を有し、元素ＧをＳｉおよび／またはＧｅと定義し、元素Ｇの酸化物をＧＯ₂と定義したとき、第１粒子はＧＯ₂、ＢａＯ、ＳｒＯおよびＴａ₂Ｏ₅を有し、第２粒子はＢａＯ、ＳｒＯおよびＴａ₂Ｏ₅を有する積層電子部品。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

内側セラミックス層と内部電極層とが交互に積層された内装領域を有する素子本体を具備する積層電子部品であって、
前記内側セラミックス層は第１粒子および第２粒子を有し、
元素ＧをＳｉおよび／またはＧｅと定義し、元素Ｇの酸化物をＧＯ₂と定義したとき、
前記第１粒子はＧＯ₂、ＢａＯ、ＳｒＯおよびＴａ₂Ｏ₅を有し、
前記第２粒子はＢａＯ、ＳｒＯおよびＴａ₂Ｏ₅を有する積層電子部品。

【請求項2】

前記内装領域の積層方向の端部には外装領域が設けられ、前記外装領域は前記第１粒子および前記第２粒子を有する請求項１に記載の積層電子部品。

【請求項3】

前記内装領域の側方にはマージン領域が設けられ、前記マージン領域は前記第１粒子および前記第２粒子を有する請求項１に記載の積層電子部品。

【請求項4】

前記内装領域の側方にはマージン領域が設けられ、前記マージン領域は前記第１粒子および前記第２粒子を有する請求項２に記載の積層電子部品。

【請求項5】

前記積層電子部品の断面において前記内側セラミックス層における前記第１粒子が占める面積比をＡＩ（１）とし、前記第２粒子が占める面積比をＡＩ（２）としたとき、
０．０５＜ＡＩ（１）／ＡＩ（２）＜０．２５を満足する請求項１に記載の積層電子部品。

【請求項6】

前記第１粒子におけるＧＯ₂の酸化物換算での含有比率をＣ（Ｇ）とし、
前記第１粒子におけるＢａＯの酸化物換算での含有比率をＣ（Ｂａ）としたとき、
０．５＜Ｃ（Ｇ）／Ｃ（Ｂａ）＜３．０を満足する請求項１に記載の積層電子部品。

【請求項7】

前記第２粒子の主成分が化学式｛Ｂａ_xＳｒ_(1-x)｝_mＴａ₄Ｏ₁₂で表されるタングステンブロンズ型構造である請求項１に記載の積層電子部品。

【請求項8】

前記外装領域または前記マージン領域における前記第１粒子の占める面積比をＡＯ（１）、前記内側セラミックス層における前記第１粒子の占める面積比をＡＩ（１）としたとき、
ＡＯ（１）＞ ＡＩ（１）を満足する請求項４に記載の積層電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

積層セラミックコンデンサは、その信頼性の高さやコストの安さから多くの電子機器に搭載されている。具体的な電子機器としては、携帯電話等の情報端末、家電、自動車電装品が挙げられる。この中でも自動車電装品などの車載用として使用される積層セラミックコンデンサは、家電や情報端末などに使用されている積層セラミックコンデンサに比べて、曲げ強度が高く、耐熱衝撃性が良好であることが求められている。

【0003】

たとえば特許文献１では、Ｂａ、ＳｒおよびＣａからなる群から選ばれる少なくとも１つである元素αと、Ｔａまたは、ＴａおよびＮｂからなる元素βとが、それぞれ所定の範囲内の量で内部セラミックス層に含まれることなどにより、曲げ強度および耐熱衝撃性を向上させることができる積層電子部品が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２０－１２６８９５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、曲げ強度が高く、耐熱衝撃性が良好であり、しかも比抵抗値が高い積層電子部品を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係る積層電子部品は、内側セラミックス層と内部電極層とが交互に積層された内装領域を有する素子本体を具備する積層電子部品であって、
前記内側セラミックス層は第１粒子および第２粒子を有し、
元素ＧをＳｉおよび／またはＧｅと定義し、元素Ｇの酸化物をＧＯ₂と定義したとき、
前記第１粒子はＧＯ₂、ＢａＯ、ＳｒＯおよびＴａ₂Ｏ₅を有し、
前記第２粒子はＢａＯ、ＳｒＯおよびＴａ₂Ｏ₅を有する。

【0007】

本発明に係る積層電子部品によれば、ガラス成分であるＧＯ₂を含む第１粒子により、母材である第２粒子の結合力を高めることができ、その結果、曲げ強度を向上させることができると考えられる。また、ＧＯ₂は高抵抗であることから、ＧＯ₂を含む第１粒子が内側セラミックス層に存在することにより、比抵抗値が向上すると考えられる。

【0008】

好ましくは、前記内装領域の積層方向の端部には外装領域が設けられ、前記外装領域は前記第１粒子および前記第２粒子を有する。

【0009】

好ましくは、前記内装領域の側方にはマージン領域が設けられ、前記マージン領域は前記第１粒子および前記第２粒子を有する。

【0010】

以下では、「内側セラミックス層」、「外装領域」および「マージン領域」をまとめて「誘電体組成物」と記載することがある。

【0011】

前記積層電子部品の断面において前記内側セラミックス層における前記第１粒子が占める面積比をＡＩ（１）とし、前記第２粒子が占める面積比をＡＩ（２）としたとき、
好ましくは０．０５＜ＡＩ（１）／ＡＩ（２）＜０．２５を満足する。

【0012】

内側セラミックス層において、第１粒子が第２粒子に対して所定の範囲内の比率で存在することにより、ガラス成分であるＧＯ₂を含む第１粒子が、母材である第２粒子の結合力をより高め、その結果、曲げ強度をより向上させることができると共に耐熱衝撃性を向上させることができると考えられる。また、ＧＯ₂は高抵抗であることから、「ＡＩ（１）／ＡＩ（２）」が０．０５以下の場合に比べて「ＡＩ（１）／ＡＩ（２）」が「０．０５＜ＡＩ（１）／ＡＩ（２）＜０．２５」を満たす場合は、比抵抗値がより向上すると考えられる。

【0013】

前記第１粒子におけるＧＯ₂の酸化物換算でのモル含有比率をＣ（Ｇ）とし、
前記第１粒子におけるＢａＯの酸化物換算でのモル含有比率をＣ（Ｂａ）としたとき、
好ましくは０．５＜Ｃ（Ｇ）／Ｃ（Ｂａ）＜３．０を満足する。

【0014】

ガラス成分である元素Ｇ（Ｓｉおよび／またはＧｅ）がＢａに対して所定の範囲内の比率で存在することにより、ガラス成分であるＧＯ₂を含む第１粒子が、母材である第２粒子の結合力をさらに高め、その結果、曲げ強度をさらに向上させることができると共に、耐熱衝撃性を向上させることができると考えられる。また、ＧＯ₂は高抵抗であることから、所定量のＧＯ₂を含む第１粒子が誘電体組成物内に存在することで比抵抗値がさらに向上すると考えられる。

【0015】

好ましくは、前記第２粒子の主成分が化学式｛Ｂａ_xＳｒ_(1-x)｝_mＴａ₄Ｏ₁₂で表されるタングステンブロンズ型構造である。

【0016】

母材である第２粒子がタングステンブロンズ型構造であることにより、耐熱衝撃性および曲げ強度がより向上する。

【0017】

前記外装領域または前記マージン領域における前記第１粒子の占める面積比をＡＯ（１）、前記内側セラミックス層における前記第１粒子の占める面積比をＡＩ（１）としたとき、
好ましくは、ＡＯ（１）＞ ＡＩ（１）を満足する。

【0018】

第１粒子が内側セラミックス層より外装領域またはマージン領域に多く存在することで、曲げ強度をさらに向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1A】図１Ａは、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの概略断面図である。

【図1B】図１Ｂは、図１ＡのＩＢ－ＩＢ線に沿う積層セラミックコンデンサの概略断面図である。

【図2】図２は、外装領域の概略断面図である。

【図3A】図３Ａは、図１Ａおよび図１Ｂに示す積層セラミックコンデンサの製造過程を示す概略断面図である。

【図3B】図３Ｂは、図１Ａおよび図１Ｂに示す積層セラミックコンデンサの製造過程を示す概略断面図である。

【図3C】図３Ｃは、図１Ａおよび図１Ｂに示す積層セラミックコンデンサの製造過程を示す概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

１．積層セラミックコンデンサ
１．１．積層セラミックコンデンサの全体構成
本実施形態に係る積層電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ２が図１Ａおよび図１Ｂに示される。積層セラミックコンデンサ２は、素子本体４を有し、素子本体４は内装領域１３と、外装領域１５と、マージン領域１７とを有する。

【0021】

内装領域１３は、Ｘ軸およびＹ軸を含む平面に実質的に平行な内側誘電体層（内側セラミックス層）１０と内部電極層１２とを有し、内側誘電体層１０と、内部電極層１２と、がＺ軸方向に交互に積層された構成である。

【0022】

外装領域１５は内装領域１３の積層方向（Ｚ軸方向）の外側に位置する。

【0023】

マージン領域１７は内装領域１３の側方に設けられている。具体的には、図１Ｂに示すように、素子本体４の幅方向（Ｙ軸方向）に沿って、内部電極層１２のＹ軸方向の端部を含むＺ－Ｘ平面に平行な面から、素子本体４のＹ軸方向の端面（Ｚ－Ｘ平面に平行な面）までの区間をマージン領域１７としている。

【0024】

ここで、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、相互に垂直である。

【0025】

また、「内側」は、積層セラミックコンデンサ２の中心により近い側を意味し、「外側」は、積層セラミックコンデンサ２の中心からより離れた側を意味する。

【0026】

さらに、「実質的に平行」とは、ほとんどの部分が平行であるが、多少平行ではない部分を有していてもよいことを意味し、内側誘電体層１０と内部電極層１２とは、多少、凹凸があったり、傾いていたりしてもよい。

【0027】

また、図１Ａによれば、素子本体４のＸ軸方向の端面は、平面であり、言い換えると、内側誘電体層１０と内部電極層１２とが面一となるように積層されている。しかし、素子本体４のＸ軸方向の端面は、平面ではない部分を有していてもよい。また、内側誘電体層１０と内部電極層１２とが面一とはならずに、たとえば内側誘電体層１０の一部が削れていたり、内部電極層１２の一部が突き出た状態で積層されていてもよい。

【0028】

外装領域１５は外側誘電体層（外側セラミックス層）１１により構成されている。外装領域１５は一層の外側誘電体層１１のみによる単層構造であってもよいし、複数の外側誘電体層１１が積層された積層構造であってもよい。

【0029】

素子本体４の両端部には、素子本体４の内部で交互に配置された内部電極層１２と各々導通する一対の外部電極６が形成してある。素子本体４の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、素子本体４の寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。

【0030】

本実施形態では、素子本体４の縦寸法Ｌ０（図１Ａ参照）は、７．５～０．４ｍｍであってもよい。素子本体４の幅寸法Ｗ０（図１Ｂ参照）は、６．３～０．２ｍｍであってもよい。素子本体４の高さ寸法Ｈ０（図１Ｂ参照）は、６．３～０．２ｍｍであってもよい。

【0031】

なお、素子本体４の縦寸法Ｌ０は、図１Ａおよび図１Ｂに示す内側誘電体層１０のＸ軸方向に沿う幅に一致する。素子本体４の幅寸法Ｗ０は、図１Ａおよび図１Ｂに示す内側誘電体層１０のＹ軸方向に沿う幅に一致する。素子本体４の高さ寸法は図１Ａおよび図１Ｂに示す内側誘電体層１０と内部電極層１２との積層方向であるＺ軸方向に一致する。

【0032】

素子本体４の具体的なサイズとしては、Ｌ０×Ｗ０が（７．５±０．４）ｍｍ×（６．３±０．４）ｍｍ、（５．７±０．４）ｍｍ×（５．０±０．４）ｍｍ、（４．５±０．４）ｍｍ×（３．２±０．４）ｍｍ、（３．２±０．３）ｍｍ×（２．５±０．２）ｍｍ、（３．２±０．３）ｍｍ×（１．６±０．２）ｍｍ、（２．０±０．２）ｍｍ×（１．２±０．１）ｍｍ、（１．６±０．２）ｍｍ×（０．８±０．１）ｍｍ、（１．０±０．１）ｍｍ×（０．５±０．０５）ｍｍ、（０．６±０．０６）ｍｍ×（０．３±０．０３）ｍｍ、（０．４±０．０４）ｍｍ×（０．２±０．０２）ｍｍの場合等が挙げられる。また、Ｈ０は特に限定されず、たとえばＷ０と同等以下程度である。

【0033】

内側誘電体層１０の１層あたりの厚み（層間厚み）は特に限定されず、所望の特性や用途等に応じて任意に設定することができる。通常は、層間厚みは２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以下であってもよく、５μｍ以下であってもよい。また、内側誘電体層１０の積層数は１０層以上であることが望ましく、たとえば５０層以上であってもよく、１００層以上であってもよく、２００層以上であってもよい。

【0034】

外装領域１５のＺ軸方向の厚みＴｄｅは特に限定されず、たとえば０．５～３０μｍｍとすることができる。外側誘電体層１１の１層あたりの厚みは特に限定されず、たとえば内側誘電体層１０の層間厚みと同等とすることができる。

【0035】

マージン領域１７のＹ軸方向の幅Ｗｍは、Ｚ軸方向に沿って均一である必要はなく、多少変動していても良い。幅Ｗｍは、好ましくは、０．５～３０μｍである。

【0036】

１．２．内部電極層
本実施形態では、内部電極層１２は、各端部が素子本体４の対向する２端面の表面に交互に露出するように積層してある。

【0037】

内部電極層１２に含有される導電材としては特に限定されない。導電材として用いられる金属としては、たとえばパラジウム、白金、銀－パラジウム合金、ニッケル、ニッケル系合金、銅、銅系合金等が挙げられる。なお、ニッケル、ニッケル系合金、銅または銅系合金中には、リンおよび／または硫黄等の各種微量成分が０．１質量％程度以下含まれていてもよい。また、内部電極層１２は、市販の電極用ペーストを使用して形成してもよい。内部電極層１２の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。

【0038】

１．３．外部電極
外部電極６に含有される導電材は特に限定されない。たとえばニッケル、銅、スズ、銀、パラジウム、白金、金あるいはこれらの合金、導電性樹脂等公知の導電材を用いればよい。外部電極６の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。

【0039】

１．４．誘電体組成物
本実施形態では、「内側誘電体層１０」、「外装領域１５」および「マージン領域１７」をまとめて「誘電体組成物」と記載することがある。

【0040】

図２は図１Ａおよび図１Ｂに示す内側誘電体層１０の概略断面図である。図２に示すように、内側誘電体層１０は、第１粒子２２および第２粒子２４により構成されている。また、図２には内側誘電体層１０の概略断面図のみ示すが、内側誘電体層１０以外の誘電体組成物、すなわち外装領域１５およびマージン領域１７も、図２に示す内側誘電体層１０のように第１粒子２２および第２粒子２４により構成されていることが好ましい。

【0041】

ケイ素（Ｓｉ）および／またはゲルマニウム（Ｇｅ）を元素Ｇと定義し、ケイ素および／またはゲルマニウムの酸化物をＧＯ₂と定義する。

【0042】

第１粒子２２はＧＯ₂、ＢａＯ、ＳｒＯおよびＴａ₂Ｏ₅から構成されている。言い換えると、第１粒子２２はＢａＯ、ＳｒＯおよびＴａ₂Ｏ₅と、ＳｉＯ₂および／またはＧｅＯ₂と、から構成されている。

【0043】

第１粒子２２にはＧＯ₂として、ＳｉＯ₂およびＧｅＯ₂のうち、実質的にいずれか一方のみが含まれることが好ましい。具体的には、ＧＯ₂に占めるＳｉＯ₂の含有率が９０.０ｍｏｌ％以上であるか、またはＧｅＯ₂の含有率が９０.０ｍｏｌ％以上であることが好ましい。

【0044】

第１粒子２２におけるＧＯ₂の酸化物換算でのモル含有比率をＣ（Ｇ）と定義する。また、第１粒子２２におけるＢａＯの酸化物換算でのモル含有比率をＣ（Ｂａ）と定義する。Ｃ（Ｇ）およびＣ（Ｂａ）は０．５＜Ｃ（Ｇ）／Ｃ（Ｂａ）＜３．０の関係を満たすことが好ましく、１．０ ＜Ｃ（Ｇ）／Ｃ（Ｂａ）＜２．０の関係を満たすことがより好ましい。

【0045】

第１粒子２２におけるＧＯ₂の酸化物換算でのモル含有比率（ＣＧ）は、好ましくは２８．０～３５．０ｍｏｌ％である。

【0046】

第１粒子２２におけるＢａＯの酸化物換算でのモル含有比率（ＣＢａ）は、好ましくは１６．５～２３．０ｍｏｌ％である。

【0047】

第１粒子２２におけるＳｒＯの酸化物換算でのモル含有比率は、好ましくは１６．０～２０．０ｍｏｌ％である。

【0048】

第１粒子２２におけるＴａ₂Ｏ₅の酸化物換算でのモル含有比率は、好ましくは３０．０～３５．０ｍｏｌ％である。

【0049】

第１粒子２２にはＭｎＯが含まれていてもよい。第１粒子２２におけるＭｎＯの酸化物換算でのモル含有比率は、好ましくは０～１．０ｍｏｌ％、より好ましくは０．１～１．０ｍｏｌ％である。

【0050】

第２粒子２４はＢａＯ、ＳｒＯおよびＴａ₂Ｏ₅から構成されている。第２粒子２４の主成分は化学式｛Ｂａ_xＳｒ_(1-x)｝_mＴａ₄Ｏ₁₂で表されるタングステンブロンズ型構造であることが好ましい。ここで、「第２粒子２４の主成分」とは、第２粒子２４の８５．０～９９．０質量％を占める成分である。

【0051】

ｍは１．７０～２．４０であることが好ましく、１．９０～２．１０であることがより好ましい。

【0052】

ｘは０．７５以下であることが好ましく、０．１～０．７５であることがより好ましい。

【0053】

第２粒子２４は実質的に元素Ｇを含まないことが好ましい。第２粒子２４におけるＧＯ₂の酸化物換算でのモル含有比率は、好ましくは１．０ｍｏｌ％以下である。

【0054】

積層セラミックコンデンサ２の断面において内側誘電体層１０における第１粒子２２が占める面積比をＡＩ（１）と定義する。また、積層セラミックコンデンサ２の断面において内側誘電体層１０における第２粒子２４が占める面積比をＡＩ（２）と定義する。ＡＩ（１）およびＡＩ（２）は、０．０５＜ＡＩ（１）／ＡＩ（２）＜０．２５の関係を満たすことが好ましく、０．１０＜ＡＩ（１）／ＡＩ（２）＜０．２０の関係を満たすことがより好ましい。

【0055】

ＡＩ（１）は、５．０～２０．０％であることが好ましく、１０．０～１５．０％であることがより好ましい。

【0056】

ＡＩ（２）は、８０．０～９５．０％であることが好ましく、７５．０～９０．０％であることがより好ましい。

【0057】

なお、外装領域１５およびマージン領域１７においても、第１粒子２２の面積比がＡＩ（１）と同程度であることが好ましい。

【0058】

また、外装領域１５およびマージン領域１７においても、第２粒子２４の面積比がＡＩ（２）と同程度であることが好ましい。

【0059】

外装領域１５またはマージン領域１７における第１粒子２２の占める面積比をＡＯ（１）と定義する。また、内側誘電体層１０における第１粒子２２の占める面積比をＡＩ（１）と定義する。ＡＯ（１）およびＡＩ（１）は、ＡＯ（１）＞ ＡＩ（１）の関係を満たすことが好ましく、１．５＜ＡＯ（１）／ ＡＩ（１）＜２．０の関係を満たすことがより好ましい。

【0060】

第１粒子２２の平均粒径は、好ましくは０．２～０．５μｍである。また、第２粒子２４の平均粒径は、好ましくは０．２～０．５μｍである。

【0061】

誘電体組成物には、上記の他アルミニウム、バナジウム、チタン、マグネシウム、ジルコニウム、タングステンおよび希土類元素などが合計で０．１質量％未満含まれていてもよい。

【0062】

本実施形態に係る誘電体組成物は、実質的にニオブ、アルカリ金属および鉛を含まないことが好ましい。「ニオブ、アルカリ金属および鉛を実質的に含まない」とは、誘電体組成物に含まれる酸素以外の元素を１００ｍｏｌ部としたとき、「ニオブ、アルカリ金属および鉛」の合計が１０ｍｏｌ部以下であることであり、好ましくは５ｍｏｌ部以下であることを言う。

【0063】

本実施形態に係る誘電体組成物は、ニオブを実質的に含まないことにより、酸素欠陥が生じ難い。言い換えると、価数の変化が抑制されている。このため、還元焼成しても価数が変わり難く、比抵抗値の低下が抑えられており、広い温度範囲において高い比抵抗値を示すことができると考えられる。また、同様の理由から、低誘電損失を示すことができると考えられる。

【0064】

また、本実施形態に係る誘電体組成物は、アルカリ金属を実質的に含まないため、アルカリ金属の蒸発による、誘電体組成物の組成ずれや、炉の汚染を防ぐことができる。

【0065】

さらに、危険物質に関する制限令（Ｒｅｓｔｒｉｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｈａｚａｒｄｏｕｓ Ｓｕｂｓｔａｎｃｅｓ Ｄｉｒｅｃｔｉｖｅ（ＲｏＨＳ））などで鉛の使用が規制されているが、本実施形態に係る誘電体組成物は鉛を実質的に含まない。

【0066】

誘電体組成物における第１粒子２２と第２粒子２４の分布は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）または走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）などによる断面観察により把握することができる。具体的には、ＳＥＭの反射電子像やＳＴＥＭのＨＡＡＤＦ像などで誘電体組成物の断面を観察した場合、第１粒子２２より密度が高いことが多い第２粒子２４は、コントラストの明るい部分として認識できることが多い。これに対して、第１粒子２２はコントラストの暗い部分として認識できることが多い。

【0067】

誘電体組成物における第１粒子２２と第２粒子２４の分布は、上記の他、断面の元素マッピングを解析することによっても把握することができる。具体的には、同じ位置に元素Ｇ、バリウム、ストロンチウムおよびタンタルが存在している箇所を第１粒子２２と判断することができる。また、同じ位置にバリウム、ストロンチウムおよびタンタルが存在しており、なおかつ元素Ｇが存在していない箇所を第２粒子２４と判断することができる。

【0068】

また、誘電体組成物の組成は、電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）による成分分析を行うことで測定できる。成分分析は少なくとも３箇所以上で実施し、測定結果の平均値により第１粒子２２および第２粒子２４の組成を算出することが好ましい。本実施形態において、ＥＰＭＡで成分分析を行う場合、Ｘ線分光器として、エネルギー分散型分光器（ＥＤＳ）または波長分散型分光器（ＷＤＳ）を使用できる。

【0069】

２．積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、図１に示す積層セラミックコンデンサ２の製造方法の一例について説明する。

【0070】

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２は、従来の積層セラミックコンデンサと同様の公知の方法で製造することができる。公知の方法としては、たとえば、誘電体組成物の原料を含むペーストを用いてグリーンチップを作製し、これを焼成して積層セラミックコンデンサ２を製造する方法が例示される。以下、製造方法について具体的に説明する。

【0071】

まず、誘電体組成物の出発原料を準備する。本実施形態では、当該出発原料は粉末であることが好ましい。誘電体組成物の出発原料として、第１粒子２２となる仮焼き粉末と、第２粒子２４となる仮焼き粉末と、を準備する。

【0072】

第１粒子２２となる出発原料としては、元素Ｇ、バリウム、ストロンチウムおよび／もしくはタンタルの酸化物、または焼成により元素Ｇ、バリウム、ストロンチウムおよび／もしくはタンタルの酸化物となる各種化合物を用いることができる。各種化合物としては、たとえば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等が例示される。

【0073】

準備した出発原料を所定の割合に秤量した後、ボールミル等を用いて所定の時間、湿式混合を行う。混合粉を乾燥後、大気中において８００～１２００℃で熱処理を行い、第１粒子２２となる仮焼き粉末を得る。

【0074】

次に、第１粒子２２となる仮焼き粉末をボールミル等を用いて粉砕する。

【0075】

続いて、第２粒子２４となる仮焼き粉末を準備する。第２粒子２４となる仮焼き粉末の出発原料としては、Ｂａ、Ｓｒおよび／もしくはＴａの酸化物、または焼成によりＢａ、Ｓｒおよび／もしくはＴａの酸化物となる各種化合物を用いることができる。各種化合物としては、たとえば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等が例示される。

【0076】

続いて、準備した出発原料を所定の割合に秤量した後、ボールミル等を用いて所定の時間、湿式混合を行う。混合粉末を乾燥後、大気中において８００～１２００℃で熱処理を行い、第２粒子２４となる仮焼き粉末を得る。

【0077】

その後、得られた第１粒子２２となる仮焼き粉末と、第２粒子となる仮焼き粉末と、を混合および解砕し、誘電体組成物の原料粉末を得る。誘電体組成物原料粉末の平均粒子径は、たとえば、０．５～２．０μｍである。

【0078】

続いて、グリーンチップを作製するためのペーストを調製する。得られた誘電体組成物原料粉末と、バインダと、溶剤と、を混練し塗料化して誘電体層用ペーストを調製する。バインダおよび溶剤は、公知のものを用いればよい。また、誘電体層用ペーストは、必要に応じて、可塑剤等の添加物を含んでもよい。

【0079】

内部電極層用ペーストは、上述した導電材の原料と、バインダと、溶剤と、を混練して得られる。バインダおよび溶剤は、公知のものを用いればよい。内部電極層用ペーストは、必要に応じて、共材や可塑剤等の添加物を含んでもよい。

【0080】

外部電極用ペーストは、内部電極層用ペーストと同様にして調製することができる。

【0081】

上記した各ペースト中のバインダおよび溶剤の含有量は特に制限はされず、通常の含有量であればよい。たとえば、バインダは１～５質量％程度、溶剤は１０～５０質量％程度であればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体材料、絶縁体材料等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は１０質量％以下とすることが好ましい。

【0082】

分散剤の種類は任意である。たとえば、界面活性剤型分散剤、高分子型分散剤を用いることができる。可塑剤の種類は任意である。たとえば、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチルを用いることができる。誘電体材料および絶縁体材料の種類は任意である。

【0083】

ＰＥＴ等の基板上に誘電体層用ペーストを用いて外側グリーンシート３１１を形成し、基板から剥離した外側グリーンシート３１１を複数枚積層して、積層方向に加圧して焼成後に外装領域１５を構成する図３Ａおよび図３Ｂに記載の外装領域グリーン積層体３１５を得る。外装領域グリーン積層体３１５を構成する外側グリーンシート３１１は一層のみでもよいし、複数層であってもよい。

【0084】

次いで、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、外装領域グリーン積層体３１５の上に内装領域グリーン積層体３１３を形成する。内装領域グリーン積層体３１３は、内部電極パターン層を有する内側グリーンシート３１０を複数枚積層し、必要に応じて加圧接着することにより得られる。

【0085】

具体的には、まず、基板上に誘電体層用ペーストを用いて内側グリーンシート３１０を形成し、この上に内部電極層用ペーストにより内部電極パターン層３１２を形成して、基板から内側グリーンシート３１０を剥離することで内部電極パターン層３１２を有する内側グリーンシート３１０を作製する。

【0086】

内部電極パターン層３１２の形成方法としては、特に限定されず、印刷法、転写法の他、蒸着、スパッタリングなどの薄膜形成方法により形成されていてもよい。

【0087】

図３Ａに示すように、内側グリーンシート３１０の表面には、内部電極パターン層３１２が形成され、内部電極パターン層３１２のＸ軸方向の相互間には、内部電極パターン層３１２のＸ軸方向に沿う第１隙間３１７ａが形成されている。また、図３Ｂに示すように、内側グリーンシート３１０の表面には、内部電極パターン層３１２が形成され、内部電極パターン層３１２のＹ軸方向の相互間には、内部電極パターン層３１２のＹ軸方向に沿う第２隙間３１７ｂが形成されている。

【0088】

第１隙間３１７ａおよび第２隙間３１７ｂは段差吸収層３１６により形成してもよい。第１隙間３１７ａおよび第２隙間３１７ｂを段差吸収層３１６により形成することで、内側グリーンシート３１０の表面で内部電極パターン層３１２による段差がなくなり、素体本体４の変形防止に寄与する。

【0089】

段差吸収層３１６は、たとえば内部電極パターン層３１２と同様にして、印刷法などで形成される。段差吸収層３１６は、内側グリーンシート３１０と同様の成分を含むが、印刷法により形成される場合には、印刷し易いように多少成分調整がされている。印刷法としては、スクリーン印刷、グラビア印刷などが例示され、特に限定されないが、好ましくはスクリーン印刷である。

【0090】

図３Ａに示すように、Ｚ－Ｘ断面では、Ｚ軸方向に隣接する内側グリーンシート３１０の内部電極パターン層３１２の第１隙間３１７ａは、Ｚ軸方向において重ならないように形成されている。

【0091】

これに対して、図３Ｂに示すように、Ｚ－Ｙ断面ではＺ軸方向に隣接する内側グリーンシート３１０の内部電極パターン層３１２の第２隙間３１７ｂは、Ｚ軸方向において重なるように形成されている。

【0092】

Ｚ－Ｙ断面の第２隙間３１７ｂおよび第２隙間３１７ｂとＺ軸方向に隣接する内側グリーンシート３１０および外側グリーンシート３１１は、焼成後にマージン領域１７となるマージン領域グリーン積層体３１７を構成する。

【0093】

次いで、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、内装領域グリーン積層体３１３の上に、さらに外装領域グリーン積層体３１５を形成して素子本体４のグリーン積層体３０４を得る。外装領域グリーン積層体３１５は上記と同様に、誘電体層用ペーストを用いて外側グリーンシート３１１を形成し、基板から剥離した外側グリーンシート３１１を一層以上積層することにより得られる。

【0094】

図３Ａおよび図３Ｂに示すように、得られたグリーン積層体３０４を、たとえば切断面Ｃ１および切断面Ｃ２に沿って所定の寸法に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。

【0095】

ここで、図３Ａに示すように、Ｚ－Ｘ断面では内部電極パターン層３１２と第１隙間３１７ａとがＺ軸方向に沿って交互に切断されるように切断面Ｃ１を決定する。

【0096】

また、図３Ｂに示すように、Ｙ－Ｚ断面では第２隙間３１７ｂのみがＺ軸方向に沿って切断されるように切断面Ｃ２を決定する。

【0097】

このような切断方法によりグリーンチップを得ることで、グリーンチップの内部電極パターン層３１２は、一方の切断面Ｃ１では露出し、他方の切断面Ｃ１では露出しない構成となる。

【0098】

また、グリーンチップの切断面Ｃ２によりマージン領域グリーン積層体３１７を形成することができる。

【0099】

なお、図３Ａおよび図３Ｂは、あくまでも概略断面図であり、積層数や寸法関係などは、実際のものとは異なる。

【0100】

グリーンチップは、固化乾燥により可塑剤が除去され固化される。固化乾燥後のグリーンチップは、メディアおよび研磨液とともに、バレル容器内に投入され、水平遠心バレル機などにより、バレル研磨される。バレル研磨後のグリーンチップは、水で洗浄され、乾燥される。乾燥後のグリーンチップに対して、脱バインダ工程、焼成工程、必要に応じて行われるアニール工程を行うことにより、図１に示す素体本体４が得られる。

【0101】

脱バインダ条件としては、昇温速度を好ましくは５～３００℃／時間、保持温度を好ましくは４００～８００℃、温度保持時間を好ましくは０．５～２４時間とする。雰囲気は、空気もしくは還元雰囲気とする。脱バインダ処理の雰囲気は加湿してもよい。加湿する方法は任意である。たとえばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は５℃～７５℃程度が好ましい。

【0102】

脱バインダ処理後、グリーンチップの焼成を行い、素子本体４を得る。焼成条件としては、以下のような条件が例示される。焼成温度は、１２５０～１４００℃であることが好ましい。焼成温度が１２５０～１４００℃の場合は、焼成温度が１２５０～１４００℃を下回る場合に比べて素子本体４をより緻密にすることができる。焼成温度が１２５０～１４００℃の場合は、焼成温度が１２５０～１４００℃を上回る場合に比べて下記の３つの効果を得ることができる。１つ目は、内部電極層１２の異常焼結を抑えることができることから電極の途切れを防ぎ易い。２つ目は、内部電極層１２を構成する材料の拡散を抑えることができることから容量変化率を良好に維持することができる。３つ目は、第２粒子２４の粗大化を抑制することができることから、高温負荷寿命を向上させることができる。

【0103】

また、焼成の昇温速度は好ましくは６０００～３００００℃／時間である。昇温速度を上記の範囲内のように比較的高速化することにより、内側誘電体層１０、外装領域１５およびマージン領域１７において、焼成の進行度合いに差が生じる。その結果、内側誘電体層１０、外装領域１５およびマージン領域１７において、第１粒子２２の面積比率に差が生じ易くなり、ＡＯ（１）＞ ＡＩ（１）を満たし易くすることができる。

【0104】

また、焼成雰囲気としては、特に限定されないが、加湿したＮ₂とＨ₂との混合ガスを用い、酸素分圧が１０^-2～１０^-6Ｐａであることが好ましい。内部電極層１２がニッケルを含む場合、酸素分圧が低い状態で焼成を行うことにより、ニッケルの酸化を抑制することができ、導電性を向上させることができる。さらに、ニッケルを主成分とする導電材に対し、アルミニウム、ケイ素、リチウム、クロム、鉄から選択された１種類以上の内部電極用副成分を含有させることで、ニッケルの耐酸化性をより向上させることができ、酸素分圧が高い雰囲気で焼成する場合でも、内部電極層１２の導電性を確保することが容易となる。

【0105】

焼成後、得られた素子本体４に対し、必要に応じてアニール処理を行う。アニール処理条件は、公知の条件とすればよく、たとえば、アニール処理時の酸素分圧を焼成時の酸素分圧よりも高い酸素分圧とし、保持温度を１１００℃以下とすることが好ましい。

【0106】

また、上記の脱バインダ処理、焼成およびアニール処理は、独立して行ってもよく、連続して行ってもよい。

【0107】

上記のようにして得られた素子本体４の誘電体組成物は、上述した誘電体組成物である。この素子本体４に端面研磨を施し、外部電極用ペーストを塗布して焼き付けし、外部電極４を形成する。そして、必要に応じて、外部電極４の表面に、めっき等により被覆層を形成する。

【0108】

このようにして、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２が製造される。

【0109】

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２では、ガラス成分であるＧＯ₂を含む第１粒子２２により、母材である第２粒子２４の結合力を高めることができ、その結果、曲げ強度を向上させることができると考えられる。また、ＧＯ₂は高抵抗であることから、ＧＯ₂を含む第１粒子２２が内側誘電体層１０に存在することにより、比抵抗値が向上すると考えられる。

【0110】

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々異なる態様で実施し得ることは勿論である。

【0111】

たとえば、マージン領域１７は、第１粒子２２および第２粒子２４を含んでいなくてもよい。この場合、マージン領域１７は、ガラス成分で構成された絶縁層であってもよい。ただし、曲げ強度および耐熱衝撃性を向上させる観点からは、マージン領域１７は第１粒子２２および第２粒子２４を含んでいることが好ましい。

【0112】

上述の実施形態では、第２隙間３１７ｂがＺ軸方向において重なるようにグリーン積層体３０４を形成し、切断面Ｃ２により、第２隙間３１７ｂを切断するように切断することにより、マージン領域１７を形成したが、マージン領域１７を形成する方法はこれに限られない。たとえば、下記の方法によって得てもよい。

【0113】

まず、図３Ｃに示すように内部電極パターン層３１２がＹ軸方向に沿って連続しているグリーン積層体３０４を形成する。当該グリーン積層体３０４をＺ－Ｘ平面に平行な切断面Ｃ３により切断して、グリーンチップを得る。Ｃ３切断面により露出した面（Ｚ－Ｘ平面）に、焼成後にマージン領域１７となる成分を塗布して、当該グリーンチップを焼成等することにより、マージン領域１７を形成してもよい。

【0114】

上述した実施形態では、ＡＯ（１）＞ ＡＩ（１）を満たし易くするために、焼成時の昇温速度を高速化する旨を示したが、ＡＯ（１）＞ ＡＩ（１）を満たし易くする方法はこれに限られない。たとえば外側グリーンシート３１１、内側グリーンシート３１０および段差吸収層３１６に含まれる第１粒子２２および第２粒子２４の含有量を調整することにより、ＡＯ（１）＞ ＡＩ（１）を満たし易くしてもよい。

【0115】

本発明の積層電子部品は、積層セラミックコンデンサに限らず、その他の積層電子部品に適用することが可能である。その他の積層電子部品としては、誘電体層が内部電極を介して積層される全ての電子部品であり、たとえばバンドパスフィルタ、インダクタ、積層三端子フィルタ、圧電素子、ＰＴＣサーミスタ、ＮＴＣサーミスタ、バリスタなどが例示される。

【実施例0116】

以下、実施例および比較例を用いて、本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

【0117】

まず、第１粒子２２の出発原料としてＳｉＯ₂、ＧｅＯ₂、ＢａＣＯ₃、ＳｒＣＯ₃およびＴａ₂Ｏ₅の各粉末を準備した。

【0118】

準備した第１粒子２２の出発原料の各粉末を表１に示す「第１粒子 酸化物換算 含有比」となるように秤量した。秤量した粉末を、分散媒としてエタノールを用いてボールミルにより２４時間湿式混合して混合物を得た。得られた混合物を乾燥して混合原料粉末を得た。混合原料粉末に対して、大気中において８００～１２００℃の条件で熱処理を行い、第１粒子２２となる仮焼き粉末を得た。

【0119】

次に、第２粒子２４の出発原料としてＢａＣＯ₃、ＳｒＣＯ₃およびＴａ₂Ｏ₅の各粉末を準備した。

【0120】

準備した第２粒子２４の出発原料の粉末を表１に記載の第２粒子の想定組成となるように秤量した。秤量した粉末を、分散媒としてエタノールを用いてボールミルにより２４時間湿式混合して混合物を得た。得られた混合物を乾燥して混合原料粉末を得た。混合原料粉末に対して、大気中において８００～１２００℃の条件で熱処理を行い、第２粒子２４の仮焼き粉末を得た。

【0121】

上記の方法で得られた第１粒子２２の仮焼き粉末および第２粒子２４の仮焼き粉末を混合および解砕し、誘電体組成物原料粉末を得た。第１粒子２２の仮焼き粉末の量に対する第２粒子２４の仮焼き粉末の量を変えることで、ＡＩ（１）およびＡＩ（２）を調整した。

【0122】

次に、誘電体組成物原料粉末１０００質量部に対して、トルエン＋エタノール溶液（トルエン：エタノール＝５０：５０（質量比））、可塑剤（フタル酸ジオクチル（ＤＯＰ）（ジェイ・プラス製））および分散剤（マリアリムＡＫＭ－０５３１（日油製））を９０：６：４（質量比）で混合した溶剤を７００質量部添加し、混合物を得た。

【0123】

次に、得られた混合物を、バスケットミルを用いて２時間分散させ、誘電体層用ペーストを作製した。なお、全ての試料において、誘電体層用ペーストの粘性が約２００ｃｐｓになるように調整した。具体的には、トルエン＋エタノール溶液を微量添加することで粘度の調整を行った。

【0124】

内部電極層の原料として、平均粒径が０．２μｍのニッケル粉末、平均粒径が０．１μｍ以下のアルミニウムの酸化物粉末、および、平均粒径が０．１μｍ以下のケイ素の酸化物粉末を準備した。アルミニウムおよびケイ素の合計がニッケルに対して５質量％となるように、これらの粉末を秤量し、混合した。その後、加湿したＮ₂とＨ₂との混合ガス中において１２００℃以上で熱処理した。熱処理後の粉末をボールミル等により解砕することで、平均粒径０．２０μｍの内部電極層の原料粉末を準備した。

【0125】

準備した内部電極層の原料粉末１００質量部、有機ビヒクル（エチルセルロース樹脂８質量部をブチルカルビトール９２質量部に溶解したもの）３０質量部、およびブチルカルビトール８質量部を、３本ロールにより混練、ペースト化し、内部電極層用ペーストを得た。

【0126】

そして、作製した誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを用いて、図３Ａおよび図３Ｂに記載のグリーン積層体３０４を得た。得られたグリーン積層体３０４を図３Ａの切断面Ｃ１および図３Ｂの切断面Ｃ２に沿って、所定の形状に切断することによりグリーンチップを得た。

【0127】

次いで、得られたグリーンチップについて、脱バインダ処理、焼成およびアニール処理を行うことで素子本体４を得た。脱バインダ処理、焼成およびアニールの条件は以下に示す通りである。また、脱バインダ処理、焼成およびアニール処理において、雰囲気ガスの加湿にはウェッターを用いた。

【0128】

（脱バインダ処理）
昇温速度：１００℃／時間
保持温度：４００℃
温度保持時間：８．０時間
雰囲気ガス：加湿したＮ₂とＨ₂との混合ガス

【0129】

（焼成）
昇温速度：６０００～３００００℃／時間
焼成温度：１２５０℃～１４００℃
温度保持時間：０．５時間
冷却速度：１００℃／時間
雰囲気ガス：加湿したＮ₂とＨ₂との混合ガス
酸素分圧：１０^-5～１０^-9Ｐａ

【0130】

（アニール処理）
保持温度：８００℃～１０００℃
温度保持時間：２．０時間
昇温、降温速度：２００℃／時間
雰囲気ガス：加湿したＮ₂ガス

【0131】

得られた素子本体４の端面をサンドブラストにて研磨した後、外部電極６としてＩｎ－Ｇａ共晶合金を塗布し、図１Ａおよび図１Ｂに示す積層セラミックコンデンサ２と同形状の各積層セラミックコンデンサ試料を得た。以下では、「積層セラミックコンデンサ試料」を「試料」と記載することがある。得られた積層セラミックコンデンサ試料のサイズは、いずれも３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．２ｍｍであり、内側誘電体層１０の厚み１０μｍ、内部電極層１２の厚み２μｍ、外装領域１５の厚み（Ｔｄｅ）３００μｍ、マージン領域の幅（Ｗｍ）２００μｍ、内部電極層１２に挟まれた内側誘電体層の数は５０層とした。

【0132】

（第１粒子および第２粒子の観察）
試料の切断面において、内側誘電体層１０、外装領域１５およびマージン領域１７が観察されるように、得られた試料をＹ－Ｚ平面に平行に切断した。得られた切断面のＳＴＥＭによる反射電子像を基に、第１粒子２２および第２粒子２４を把握した。

【0133】

内側誘電体層１０の３か所の第１粒子２２を走査透過型電子顕微鏡―エネルギー分散型Ｘ線分析（ＳＴＥＭ－ＥＤＳ）で測定し、各元素の平均値を求めて「第１粒子の酸化物換算での含有比」および「第１粒子の元素Ｇ含有比率」を算出した。結果を表１に示す。なお、表１の「第１粒子の酸化物換算での含有比」および「第１粒子の元素Ｇ含有比率」において、「０」と表記している箇所は、正確には、検出器の検出下限以下であるため、数値化できないことを示している。

【0134】

また、内側誘電体層１０の３か所の第２粒子２４をＳＴＥＭ－ＥＤＳで測定し、各元素の平均値を求めて「第２粒子の組成」を算出した。「第２粒子の組成」は表１に記載の第２粒子の想定組成となっていることを確認した。

【0135】

上記の第１粒子２２および第２粒子２４の観察の結果を基に、「内側誘電体層内面積比率（ＡＩ（１）／ＡＩ（２））」および「断面内面積比率（ＡＯ（１）／ＡＩ（１））」を算出した。結果を表２に示す。

【0136】

また、試料番号１～試料番号８および試料番号１１～試料番号２２においては、内側誘電体層１０、外装領域１５およびマージン領域１７の全てにおいて第１粒子２２および第２粒子２４が含まれていることが確認できた。

【0137】

（Ｘ線回折）
試料の誘電体組成物についてＸ線回折測定を行った結果、得られたＸ線回折パターンにより、全ての試料の第２粒子２４がタングステンブロンズ型の結晶構造を有していることが確認できた。

【0138】

（曲げ強度）
２０個の試料に対して、測定器（商品名：５５４３、Ｉｎｓｔｒｏｎ社製）を用いて積層セラミックコンデンサ試料のＸ軸方向の中央部での曲げ強度を測定した。測定時に試験片を支える２点間の治具距離は４００μｍとし、測定速度は０．５ｍｍ／ｍｉｎとし、得られた値の平均値を表２に示す。

【0139】

（耐熱衝撃性）
２０個の試料に対して、気槽－５５℃で３０分保持した後、気槽１５０℃で３０分保持する繰り返しを１０００サイクル、１５００サイクル、２０００サイクル実施した。２０００サイクル後にクラックが発生しなかった場合はＡとした。１５００サイクル後までクラックが発生しなかったが、２０００サイクル後に１個以上の試料にクラックが発生した場合はＢとした。１０００サイクル後までクラックが発生しなかったが、１５００サイクル後に１個以上の試料にクラックが発生した場合はＣとした。試料が実装された基板の状態を樹脂埋めし、研磨し、顕微鏡にて観察することにより、試料のクラックを確認した。結果を表２に示す。

【0140】

（比抵抗値）
試料に対して、基準温度（２５℃）において、デジタル抵抗メータ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製Ｒ８３４０）を用いて絶縁抵抗を測定した。得られた絶縁抵抗と、有効電極面積と、内側誘電体組成物１０の厚みとから、比抵抗値を算出した。結果を表２に示す。

【0141】

（比誘電率）
試料に対し、室温（２０℃）において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２８４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍｓの信号を入力し、静電容量Ｃを測定した。そして、比誘電率を、内側誘電体層１０の厚みと、有効電極面積と、測定の結果得られた静電容量Ｃとに基づき算出した。結果を表２に示す。

【0142】

【表1】

【0143】

【表2】

【0144】

表１および表２より、所定の第１粒子および所定の第２粒子を有する場合（試料番号１～試料番号８、試料番号１１～試料番号２２）は、所定の第１粒子および所定の第２粒子を有していない場合（試料番号９）に比べて曲げ強度が高いと共に、比抵抗値も高いことが確認できた。

【0145】

なお、試料番号９は、第１粒子に対応する粒子にＳｒＯが含まれていないことから、所定の第１粒子を有しておらず、第２粒子に対応する粒子にＳｒＯが含まれていないことから、所定の第２粒子を有していない。

【0146】

表１および表２より、所定の第１粒子および所定の第２粒子を有する場合（試料番号１～試料番号８、試料番号１１～試料番号２２）は、所定の第１粒子を有していない場合（試料番号１０）に比べて曲げ強度が高いと共に、比抵抗値も高いことが確認できた。

【0147】

なお、試料番号１０は、第１粒子に対応する粒子にＧＯ₂が含まれていないことから、所定の第１粒子を有していない。

【0148】

所定の第１粒子および所定の第２粒子を有する場合（試料番号１～試料番号８、試料番号１１～試料番号２２）は、ガラス成分であるＧＯ₂を含む所定の第１粒子を有することから、母材である第２粒子の結合力を高めることができ、その結果、曲げ強度が向上したと考えられる。

【0149】

所定の第１粒子および所定の第２粒子を有する場合（試料番号１～８、１１～２２）は、高抵抗のＧＯ₂を含むことから、比抵抗値が向上したと考えられる。

【符号の説明】

【0150】

２… 積層セラミックコンデンサ
４… 素子本体
１０… 内側誘電体層（内側セラミックス層）
１１… 外側誘電体層（外側セラミックス層）
１２… 内部電極層
１３… 内装領域
１５… 外装領域
１７… マージン領域
６… 外部電極
２２… 第１粒子
２４… 第２粒子
３０４… グリーン積層体
３１０… 内側グリーンシート
３１１… 外側グリーンシート
３１２… 内部電極パターン層
３１３… 内装領域グリーン積層体
３１５… 外装領域グリーン積層体
３１６… 段差吸収層
３１７… マージン領域グリーン積層体
３１７ａ… 第１隙間
３１７ｂ… 第２隙間

【図1A】

【図1B】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】