特開 2024-122629 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024122629

(43)【公開日】2024-09-09

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/58 20100101AFI20240902BHJP

【ＦＩ】

H01L33/58

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023030287

(22)【出願日】2023-02-28

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】宮坂 光一

(72)【発明者】

【氏名】今関 佳克

(72)【発明者】

【氏名】上條 陽一

(72)【発明者】

【氏名】大澤 修一

(72)【発明者】

【氏名】亀井 義史

【テーマコード（参考）】

5F142

【Ｆターム（参考）】

5F142AA02

5F142AA12

5F142BA02

5F142BA32

5F142CA11

5F142CA13

5F142CB03

5F142CB14

5F142CB22

5F142CD02

5F142CG01

5F142DB02

5F142DB17

5F142DB24

5F142GA02

(57)【要約】

【課題】不要な光の反射を抑制するとともに、表示面側への光の取り出し効率を向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、基板に配列された複数の発光素子と、表示面である第１主面と、第１主面と反対側の第２主面とを有し、第２主面が基板と対向して配置され、複数の発光素子と重なる領域で、第１主面と第２主面とを貫通する貫通孔を有するカバー部材と、複数の発光素子を覆うとともに基板とカバー部材との間に設けられた保護膜と、カバー部材の第１主面及び第２主面の少なくとも一方に設けられた遮光層と、を有する。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板に配列された複数の発光素子と、
表示面である第１主面と、前記第１主面と反対側の第２主面とを有し、前記第２主面が前記基板と対向して配置され、複数の前記発光素子と重なる領域で、前記第１主面と前記第２主面とを貫通する貫通孔を有するカバー部材と、
複数の前記発光素子を覆うとともに前記基板と前記カバー部材との間に設けられた保護膜と、
前記カバー部材の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた遮光層と、を有する
表示装置。

【請求項2】

前記カバー部材は複数の前記貫通孔を有し、
前記遮光層は、前記第１主面及び前記第２主面の両方に設けられ、
隣り合う前記貫通孔の間で、前記第２主面の前記遮光層の幅は、前記第１主面の前記遮光層の幅よりも大きい
請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記貫通孔の内周面は傾斜して設けられ、
前記貫通孔の前記第２主面側の開口幅は、前記貫通孔の前記第１主面側の開口幅よりも小さい
請求項２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記遮光層は、さらに前記貫通孔の内周面に設けられる
請求項３に記載の表示装置。

【請求項5】

前記遮光層は、黒色部材である
請求項４に記載の表示装置。

【請求項6】

前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた前記遮光層は黒色部材であり、
前記貫通孔の内周面に設けられた前記遮光層は白色部材又は金属膜である
請求項４に記載の表示装置。

【請求項7】

前記保護膜は、前記カバー部材の前記第２主面に設けられた前記遮光層と直接接する
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項8】

前記貫通孔が設けられた領域で、前記保護膜の表面は、前記基板から前記第１主面側に向かう方向に凸となる湾曲面を有する
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項9】

前記発光素子は、異なる色の光を出射する第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子を含み、
１つの前記貫通孔は、前記第１発光素子、前記第２発光素子及び前記第３発光素子と重なる領域に設けられる
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項10】

複数の前記貫通孔は、複数の前記発光素子のそれぞれと重なる領域に設けられ、
複数の前記貫通孔のそれぞれの内部に設けられ、前記発光素子から出射された光の波長を変換する色変換層を有する
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項11】

前記カバー部材は板状のガラスである
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

微小サイズの発光ダイオード（マイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ））を用いた表示装置では、表示特性を向上させるために偏光板等の光学部材が設けられる。例えば、特許文献１では、発光素子の上方に配置された反射抑制層を備えた表示装置が記載されている。反射抑制層は、化学反応により光透過率が変化すると共に、発光素子と正対する位置に光透過性を有する開口が設けられている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－１２９０８０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

このような表示装置では、発光素子からの光以外の不要な光の反射を抑制しつつ、表示面側への光の取り出し効率を向上させることが要求される。

【0005】

本発明は、不要な光の反射を抑制するとともに、表示面側への光の取り出し効率を向上させることが可能な表示装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一態様の表示装置は、基板に配列された複数の発光素子と、表示面である第１主面と、前記第１主面と反対側の第２主面とを有し、前記第２主面が前記基板と対向して配置され、複数の前記発光素子と重なる領域で、前記第１主面と前記第２主面とを貫通する貫通孔を有するカバー部材と、複数の前記発光素子を覆うとともに前記基板と前記カバー部材との間に設けられた保護膜と、前記カバー部材の前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方に設けられた遮光層と、を有する。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。

【図2】図２は、実施形態に係る表示装置の画素を示す平面図である。

【図3】図３は、複数の発光素子、カバー部材及び遮光層の配置関係を模式的に示す平面図である。

【図4】図４は、図３のＩＶ－ＩＶ’断面図である。

【図5】図５は、第１変形例に係る表示装置を模式的に示す断面図である。

【図6】図６は、第２変形例に係る表示装置を模式的に示す断面図である。

【図7】図７は、第３変形例に係る表示装置を模式的に示す断面図である。

【図8】図８は、第４変形例に係る表示装置を模式的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、本開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本開示と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0009】

本明細書及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

【0010】

（実施形態）
図１は、実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。図１に示すように、表示装置１は、基板２１と、画素Ｐｉｘと、走査回路１２と、駆動ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）２１０と、カソード配線６０と、を含む。基板２１は、各画素Ｐｉｘを駆動するための駆動回路基板であり、バックプレーン又はアクティブマトリクス基板とも呼ばれる。

【0011】

図１に示すように、表示装置１は、表示領域ＡＡと、周辺領域ＧＡとを有する。表示領域ＡＡは、複数の画素Ｐｉｘと重なって配置され、画像を表示する領域である。周辺領域ＧＡは、複数の画素Ｐｉｘと重ならない領域であり、表示領域ＡＡの外側に配置される。

【0012】

複数の画素Ｐｉｘは、基板２１の表示領域ＡＡにおいて、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに配列される。なお、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙは、基板２１の表面に対して平行な方向である。第１方向Ｄｘは、第２方向Ｄｙと直交する。ただし、第１方向Ｄｘは、第２方向Ｄｙと直交しないで交差してもよい。第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向である。第３方向Ｄｚは、例えば、基板２１の法線方向に対応する。なお、以下、平面視とは、第３方向Ｄｚから見た場合の位置関係を示す。

【0013】

走査回路１２は、駆動ＩＣ２１０から引き出される配線を経由して供給される各種制御信号に基づいて複数の画素Ｐｉｘが有する駆動回路２０１（図２参照）を、行ごとに順次選択する回路である。走査回路１２は、各行の駆動回路２０１を順次又は同時に選択し、選択された駆動回路２０１に制御信号を供給する。これにより、駆動回路２０１は、複数の画素Ｐｉｘの発光素子３を駆動する。

【0014】

駆動ＩＣ２１０は、表示装置１の表示を制御する回路である。駆動ＩＣ２１０から複数の画素Ｐｉｘが有する駆動回路２０１へ向かって複数の配線（図示は省略する）が引き出されている。駆動ＩＣ２１０は、走査回路１２により選択された各画素Ｐｉｘの駆動回路２０１に制御信号（画素信号）を供給する。駆動回路２０１は駆動ＩＣ２１０からの制御信号に応じて各発光素子３に駆動信号（電流）を供給し、各発光素子３が発光する。駆動ＩＣ２１０は、基板２１の周辺領域ＧＡに実装される。これに限定されず、駆動ＩＣ２１０は、基板２１の周辺領域ＧＡに接続されたフレキシブルプリント基板やリジット基板の上に実装されてもよい。

【0015】

カソード配線６０は、基板２１の周辺領域ＧＡに設けられる。カソード配線６０は、表示領域ＡＡの複数の画素Ｐｉｘ及び周辺領域ＧＡの走査回路１２を囲んで設けられる。複数の発光素子３のカソードは、共通のカソード配線６０に電気的に接続され、固定電位（例えば、グランド電位）が供給される。より具体的には、発光素子３のカソード端子３２（図３参照）は、カソード電極３４を介して、カソード配線６０に接続される。

【0016】

図２は、実施形態に係る表示装置の画素を示す平面図である。図２に示すように、１つの画素Ｐｉｘは、複数の画素ＳＰＸと、駆動回路２０１と、を含む。例えば、画素Ｐｉｘは、画素ＳＰＸ－Ｒと、画素ＳＰＸ－Ｇと、画素ＳＰＸ－Ｂと、を有する。画素ＳＰＸ－Ｒは、第１色としての原色の赤色を表示する。画素ＳＰＸ－Ｇは、第２色としての原色の緑色を表示する。画素ＳＰＸ－Ｂは、第３色としての原色の青色を表示する。図２に示すように、１つの画素Ｐｉｘにおいて、画素ＳＰＸ－Ｒ、画素ＳＰＸ－Ｇ及び画素ＳＰＸ－Ｂは第１方向Ｄｘで並ぶ。なお、第１色、第２色、第３色は、それぞれ赤色、緑色、青色に限られず、補色などの任意の色を選択することができる。以下において、画素ＳＰＸ－Ｒと、画素ＳＰＸ－Ｇと、画素ＳＰＸ－Ｂと、をそれぞれ区別する必要がない場合、単に画素ＳＰＸという。

【0017】

画素ＳＰＸは、それぞれ発光素子３と、カソード電極３４と、アノード電極３５とを有する。表示装置１は、画素ＳＰＸ－Ｒ、画素ＳＰＸ－Ｇ及び画素ＳＰＸ－Ｂにおいて、発光素子３Ｒ、３Ｇ、３Ｂごとに異なる光を出射することで画像を表示する。発光素子３は、平面視で、３μｍ以上、３００μｍ以下程度の大きさを有する無機発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）チップであり、マイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）と呼ばれる。各画素にマイクロＬＥＤを備える表示装置１は、マイクロＬＥＤ表示装置とも呼ばれる。なお、マイクロＬＥＤのマイクロは、発光素子３の大きさを限定するものではない。

【0018】

なお、複数の発光素子３は、４色以上の異なる光を出射してもよい。また、複数の画素ＳＰＸの配置は、図２に示す構成に限定されない。例えば、複数の画素ＳＰＸのうち１つの画素ＳＰＸは他の画素ＳＰＸと第２方向Ｄｙに隣り合っていてもよい。また、複数の画素ＳＰＸは、三角格子状に配置されていてもよい。

【0019】

駆動回路２０１は、例えばマイクロＩＣで構成され、画素Ｐｉｘごとに設けられる。図２に示す例では、３つの画素ＳＰＸに対し１つの駆動回路２０１が設けられる。駆動回路２０１は、配線６１を介して各画素ＳＰＸのアノード電極３５（発光素子３のアノード）に接続される。また、駆動回路２０１は、配線６２を介して各画素ＳＰＸのカソード電極３４（発光素子３のカソード）に接続される。駆動回路２０１は、上述したように走査回路１２からの走査信号と、駆動ＩＣ２１０からの制御信号（画素信号）に基づいて、各発光素子３に所定の電流が流れるように制御し、発光素子３を発光させる。

【0020】

図２では、１つの駆動回路２０１が３つの発光素子３に接続される構成を示したが、これに限定されず、１つの駆動回路２０１が１つの発光素子３に接続されてもよいし、あるいは１つの駆動回路２０１が４つ以上の発光素子３に接続されてもよい。

【0021】

次に、表示装置１の詳細な構成について説明する。図３は、複数の発光素子、カバー部材及び遮光層の配置関係を模式的に示す平面図である。図４は、図３のＩＶ－ＩＶ’断面図である。なお、図３では、図面を見やすくするために、カバー部材５０の第１主面Ｓ１側に設けられた遮光層５１、及び、第２主面Ｓ２側に設けられた遮光層５２にそれぞれ異なるハッチングを付して示している。

【0022】

本明細書において、基板２１の表面に垂直な方向において、基板２１からカバー部材５０に向かう方向を「上側」又は単に「上」とする。また、カバー部材５０から基板２１に向かう方向を「下側」又は単に「下」とする。

【0023】

図３及び図４に示すように、発光素子３は、基板２１の上に配列される。基板２１は絶縁基板であり、例えば、ガラス基板、樹脂基板等が用いられる。基板２１の上にカソード電極３４、アノード電極３５及び配線６１、６２等の各種配線が設けられる。カソード電極３４及びアノード電極３５は、基板２１の同一面上に設けられ、互いに離隔して配置される。また、カソード電極３４及びアノード電極３５は、画素ＳＰＸ（発光素子３）ごとに設けられる。

【0024】

発光素子３のカソード端子３２及びアノード端子３３は、発光素子３の同一面側に設けられ、基板２１の上面と対向する面に設けられる。発光素子３のカソード端子３２は、カソード電極３４と電気的に接続される。発光素子３のアノード端子３３は、アノード電極３５と電気的に接続される。

【0025】

複数の発光素子３は、どのような構成であってもよいが、ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層の順に積層された構成を採用することができる。半導体層は、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）、アルミニウムインジウム燐（ＡｌＩｎＰ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）等の化合物半導体が用いられる。半導体層は、発光素子３Ｒ、３Ｇ、３Ｂごとに異なる材料が用いられてもよい。また、活性層として、高効率化のために数原子層からなる井戸層と障壁層とを周期的に積層させた多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）が採用されてもよい。

【0026】

図４に示すように、表示装置１は、保護膜２２及びカバー部材５０を有する。保護膜２２は、複数の発光素子３を覆って基板２１上に設けられ、基板２１とカバー部材５０との間に設けられる。また、保護膜２２は、カソード電極３４、アノード電極３５及び配線６１、６２等の各種配線を覆う。保護膜２２は、有機絶縁膜で形成され、例えば感光性アクリル等の有機材料が用いられる。感光性アクリル等の有機材料は、ＣＶＤ等により形成される無機絶縁材料に比べ、複数の発光素子３及び各種配線で形成される段差のカバレッジ性や、表面の平坦性に優れる。

【0027】

カバー部材５０は、基板２１と同様に板状であり、基板２１と対向して配置される。より詳細には、カバー部材５０は、表示面である第１主面Ｓ１と、第１主面Ｓ１と反対側の第２主面Ｓ２と、を有する。カバー部材５０の第２主面Ｓ２が、保護膜２２を間に挟んで基板２１と対向して配置される。カバー部材５０は、例えば、透光性を有するガラス基板、樹脂基板等を基体として構成される。

【0028】

カバー部材５０の、複数の発光素子３と重なる領域に、第１主面Ｓ１と第２主面Ｓ２とを貫通する貫通孔ＴＨが設けられる。貫通孔ＴＨの内周面Ｓ３は傾斜しており、テーパー状に形成される。すなわち、貫通孔ＴＨの第２主面Ｓ２側の開口幅は、第１主面Ｓ１側の開口幅よりも小さい。

【0029】

複数の発光素子３からの光Ｌは、貫通孔ＴＨを通って観察者側に出射される。すなわち、複数の発光素子３の上には、カバー部材５０を構成するガラス等が設けられず、かつ、配線６１、６２等での光の反射を抑制するための光学機能層（例えば偏光板等）も設けられていない。このため、カバー部材５０に貫通孔ＴＨが設けられず、カバー部材５０や光学機能層が複数の発光素子３を覆って設けられる構成に比べて、本実施形態の表示装置１は、光Ｌの取り出し効率を向上させることができる。

【0030】

図３及び図４に示すように、貫通孔ＴＨは、画素Ｐｉｘごとに複数設けられる。言い換えると、発光素子３は、異なる色の光を出射する発光素子３Ｒ（第１発光素子）、発光素子３Ｇ（第２発光素子）及び発光素子３Ｂ（第３発光素子）を含み、１つの貫通孔ＴＨは、３つの発光素子３Ｒ、３Ｇ、３Ｂと重なる領域に設けられる。あるいは、図３に示すように、平面視で、３つの画素ＳＰＸ－Ｒ、ＳＰＸ－Ｇ、ＳＰＸ－Ｂ（発光素子３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）は、貫通孔ＴＨの内周面Ｓ３に囲まれた領域に配置される。

【0031】

これによれば、画素ＳＰＸごとに貫通孔ＴＨが設けられた場合に比べて、カバー部材５０と複数の発光素子３との位置合わせが容易である。言い換えると、カバー部材５０と複数の発光素子３との位置ずれが生じた場合であっても、光Ｌの取り出し効率の低下を抑制することができる。また、画素ＳＰＸごとに貫通孔ＴＨが設けられた場合に比べて、カバー部材５０の貫通孔ＴＨの加工が容易であり、カバー部材５０が厚い場合であっても精度よく貫通孔ＴＨを形成することができる。

【0032】

図３及び図４に示すように、遮光層５１は、カバー部材５０の第１主面Ｓ１に設けられる。遮光層５２は、カバー部材５０の第２主面Ｓ２に設けられる。より詳細には、遮光層５１は、貫通孔ＴＨの第１主面Ｓ１側の開口部分を除いて、カバー部材５０の第１主面Ｓ１を覆って連続して形成される。同様に、遮光層５２は、貫通孔ＴＨの第２主面Ｓ２側の開口部分を除いて、カバー部材５０の第２主面Ｓ２を覆って連続して形成される。

【0033】

上述したように貫通孔ＴＨはテーパー状に形成されており、隣り合う貫通孔ＴＨの間（すなわち隣り合う画素Ｐｉｘの間）で、第２主面Ｓ２の遮光層５２の幅Ｗ２は、第１主面Ｓ１の遮光層５１の幅Ｗ１よりも大きい。なお、本実施形態では、貫通孔ＴＨの内周面Ｓ３には遮光層が設けられていない。図３に示すように、平面視で、内周面Ｓ３と重なる領域には、第２主面Ｓ２の遮光層５２の一部が枠状に配置される。

【0034】

遮光層５１、５２は、カバー部材５０を構成するガラス基板や樹脂基板よりも光の吸収率が大きい材料で構成される。遮光層５１、５２は、黒色部材であり、例えば、黒色に着色された樹脂材料が用いられる。遮光層５１、５２は、第１主面Ｓ１及び第２主面Ｓ２のそれぞれに塗布形成される。これに限定されず、遮光層５１、５２は、カーボン又は薄膜干渉により黒色を呈する金属酸化物、炭化物、金属炭化物等の材料を用いることもできる。

【0035】

このように、遮光層５１、５２は、発光素子３と重なる領域には設けられず、配線６１、６２等の各種配線及び駆動回路２０１（図２参照）と重なって設けられる。これにより、外光は遮光層５１、５２により遮光され、配線６１、６２等の各種配線での不要な反射光を抑制することができる。したがって、表示装置１は、表示特性を向上させることができる。

【0036】

遮光層５１、５２は、カバー部材５０の第１主面Ｓ１及び第２主面Ｓ２のそれぞれに設けられる。これにより、効果的に配線６１、６２等の各種配線での不要な反射光を抑制することができる。また、発光素子３により近い第２主面Ｓ２に遮光層５２が設けられている。これにより、遮光層５２は、発光素子３から隣接する画素Ｐｉｘに向かって斜め方向に進行する光Ｌを遮光することができ、画素Ｐｉｘ間の光Ｌの混色を抑制することができる。

【0037】

ただし、これに限定されず、遮光層５１、５２は、カバー部材５０の第１主面Ｓ１及び第２主面Ｓ２の少なくとも一方に設けられていればよい。また、遮光層５１、５２がカバー部材５０の第１主面Ｓ１及び第２主面Ｓ２に設けられており、カバー部材５０は、光の反射を抑制する反射抑制層を兼ねる。これにより、遮光層５１、５２を、カバー部材５０と基板２１との間に別体の光学部材として設けた場合に比べて、表示装置１の積層数を少なくすることができる。

【0038】

また、本実施形態では、保護膜２２は複数の発光素子３を保護するとともに、基板２１とカバー部材５０との接着層を兼ねる。図４に示すように、カバー部材５０の第２主面Ｓ２（より詳細には第２主面Ｓ２に設けられた遮光層５２）は、保護膜２２に直接接して基板２１と対向する。カバー部材５０の第２主面Ｓ２側の一部は保護膜２２に埋め込まれており、貫通孔ＴＨの内周面Ｓ３の、第２主面Ｓ２側の開口端５０ａは、保護膜２２に覆われている。

【0039】

貫通孔ＴＨは、カバー部材５０と保護膜２２との間の空気を外部に逃がす通気孔としての機能も有する。すなわち、カバー部材５０に貫通孔ＴＨが設けられているので、カバー部材５０と基板２１とを貼り合わせる工程で、カバー部材５０と保護膜２２との間の空気を貫通孔ＴＨから外部に逃がすことができる。したがって、表示装置１は、カバー部材５０と保護膜２２との間の気泡の発生を抑制して、カバー部材５０と基板２１とを良好に貼り合わせることができる。

【0040】

また、保護膜２２がカバー部材５０の接着層を兼ねているので、第３方向Ｄｚでのカバー部材５０（遮光層５１、５２）と発光素子３との距離を小さくすることができる。したがって遮光層５１、５２は、画素Ｐｉｘ間の隔壁としての機能も有し、画素Ｐｉｘ間の混色を良好に抑制することができる。

【0041】

なお、図３及び図４は、理解を容易にするために、あくまで模式的に示している。例えば、貫通孔ＴＨの内周面Ｓ３の傾斜角度は強調して示しており、実際には垂直に近い傾斜角度であってもよい。また、平面視で貫通孔ＴＨは矩形状に示しているが、これに限定されず、円形状、長円状、楕円形状等、他の形状であってもよい。

【0042】

また、画素Ｐｉｘが、駆動回路２０１としてマイクロＩＣを備える構成を示したが、これに限定されない。例えば、駆動回路２０１に換えて、複数の薄膜トランジスタを含む画素回路が画素ＳＰＸのそれぞれに対応して設けられていてもよい。

【0043】

（第１変形例）
図５は、第１変形例に係る表示装置を模式的に示す断面図である。図５に示すように、第１変形例に係る表示装置１Ａにおいて、保護膜２２の一部は、カバー部材５０の貫通孔ＴＨ内に配置される。貫通孔ＴＨが設けられた領域で、保護膜２２の表面２２ａは、基板２１から第１主面Ｓ１側に向かう方向に凸となる湾曲面を有する。凸状の保護膜２２は、カバー部材５０と基板２１とを貼り合わせる際に、保護膜２２の一部が貫通孔ＴＨ内に押し出され、表面張力により盛り上がることで形成される。

【0044】

貫通孔ＴＨ内の保護膜２２は凸レンズの効果を有する。これにより、発光素子３から出射された光Ｌは、凸状の保護膜２２を通って第３方向Ｄｚに集光され、発光素子３から斜め方向に出射された光Ｌも第３方向Ｄｚ側に向けられる。したがって、表示装置１Ａは、表示面側（第３方向Ｄｚ）での輝度を向上させることができる。

【0045】

（第２変形例）
図６は、第２変形例に係る表示装置を模式的に示す断面図である。図６に示すように、第２変形例に係る表示装置１Ｂは、発光素子３から出射された光Ｌの波長を変換する色変換層２３を有する。より詳細には、複数の貫通孔ＴＨは、複数の画素ＳＰＸ－Ｒ、ＳＰＸ－Ｇ、ＳＰＸ－Ｂごとに設けられる。すなわち、複数の貫通孔ＴＨは、複数の発光素子３のそれぞれと重なる領域に設けられる。また、本実施形態では、各画素ＳＰＸはそれぞれ同色の光Ｌを出射する発光素子３（例えば発光素子３Ｂ）を備える。

【0046】

色変換層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂは、複数の貫通孔ＴＨのそれぞれの内部に設けられ、複数の画素ＳＰＸ－Ｒ、ＳＰＸ－Ｇ、ＳＰＸ－Ｂのそれぞれに対応して設けられる。色変換層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂは、例えば蛍光体を用いることができる。色変換層２３Ｒは、画素ＳＰＸ－Ｒの発光素子３Ｂから出射された光Ｌを吸収し、波長変換された赤色の光を出射する。色変換層２３Ｇは、画素ＳＰＸ－Ｇの発光素子３Ｂから出射された光Ｌを吸収し、波長変換された緑色の光を出射する。色変換層２３Ｂは、画素ＳＰＸ－Ｂの発光素子３Ｂから出射された光Ｌを吸収し、波長変換された青色の光を出射する。

【0047】

第２変形例では、カバー部材５０の貫通孔ＴＨを利用して色変換層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂを設けることができるので、色変換層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂのパターニングを行う必要がなく、容易に画素ＳＰＸごとに色変換層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂを配置することができる。また、貫通孔ＴＨ内に色変換層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂが設けられるので、カバー部材５０とは別層に色変換層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂが設けられる場合に比べて、表示装置１Ｂの積層数を少なくすることができる。

【0048】

なお、貫通孔ＴＨ内に設けられる色変換層２３は、蛍光体に限定されず、カラーフィルタ等、他の光学機能層であってもよい。また、色変換層２３に換えて他の光学機能層が、貫通孔ＴＨの内部に設けられていてもよい。

【0049】

（第３変形例）
図７は、第３変形例に係る表示装置を模式的に示す断面図である。上述した実施形態及び各変形例では、カバー部材５０の第１主面Ｓ１及び第２主面Ｓ２にそれぞれ遮光層５１、５２が設けられる構成を示したが、これに限定されない。図７に示すように、第３変形例に係る表示装置１Ｃは、さらに貫通孔ＴＨの内周面Ｓ３に設けられる遮光層５３を有する。遮光層５３は、遮光層５１、５２と同じ黒色部材であり、例えば、黒色に着色された樹脂材料が用いられる。なお、図示は省略するが、内周面Ｓ３に設けられた遮光層５３は、平面視で画素Ｐｉｘが有する複数の発光素子３を囲んで設けられる。

【0050】

このような構成により、第３変形例の表示装置１Ｃは、より効果的に外光を遮光することができ、配線６１、６２等の各種配線での不要な反射光を抑制することができる。また、遮光層５３は、発光素子３から斜め方向に進行する光Ｌを遮光することができ、画素Ｐｉｘ間の混色を抑制することができる。

【0051】

（第４変形例）
図８は、第４変形例に係る表示装置を模式的に示す断面図である。図８に示すように、第４変形例に係る表示装置１Ｄは、貫通孔ＴＨの内周面Ｓ３に設けられる遮光層５３ａを有する。遮光層５３ａは、遮光層５１、５２と異なる白色部材であり、例えば、白色に着色された樹脂材料が用いられる。また、第１主面Ｓ１及び第２主面Ｓ２に設けられた遮光層５１、５２は上述した例と同様に黒色部材である。

【0052】

第４変形例では、画素Ｐｉｘの外周に白色の遮光層５３ａが設けられており、遮光層５３ａと重なる領域に遮光層５２の一部が配置される。これにより、外光の不要な反射を抑制しつつ、画素Ｐｉｘの見かけの開口率を大きくすることができる。また、白色の遮光層５３ａは発光素子３から斜め方向に進行する光Ｌを表示面側へと反射させることもでき、その場合正面輝度を向上させることもできる。また、正面輝度を高めるため、内周面Ｓ３に形成する遮光層５３ａはアルミニウムや銀などの金属膜であってもよい。

【0053】

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。

【符号の説明】

【0054】

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ 表示装置
３、３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ 発光素子
１２ 走査回路
２１ 基板
２２ 保護膜
２３、２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂ 色変換層
３２ カソード端子
３３ アノード端子
３４ カソード電極
３５ アノード電極
５０ カバー部材
５１、５２、５３、５３ａ 遮光層
ＡＡ 表示領域
ＧＡ 周辺領域
Ｐｉｘ、ＳＰＸ、ＳＰＸ－Ｒ、ＳＰＸ－Ｇ、ＳＰＸ－Ｂ 画素
Ｓ１ 第１主面
Ｓ２ 第２主面
Ｓ３ 内周面
ＴＨ 貫通孔
Ｗ１、Ｗ２ 幅
２０１ 駆動回路

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】