特開2024-122659レーザ素子、レーザモジュール、およびレーザ素子の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024122659
(43)【公開日】2024-09-09
(54)【発明の名称】レーザ素子、レーザモジュール、およびレーザ素子の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01S 5/02355 20210101AFI20240902BHJP
H01S 5/02253 20210101ALI20240902BHJP
H01S 5/323 20060101ALI20240902BHJP
【ＦＩ】
H01S5/02355
H01S5/02253
H01S5/323 610
【審査請求】未請求
【請求項の数】36
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023030328
(22)【出願日】2023-02-28
(71)【出願人】
【識別番号】000006633
【氏名又は名称】京セラ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000338
【氏名又は名称】弁理士法人 ＨＡＲＡＫＥＮＺＯ ＷＯＲＬＤ ＰＡＴＥＮＴ ＆ ＴＲＡＤＥＭＡＲＫ
(72)【発明者】
【氏名】宇佐川 元久
(72)【発明者】
【氏名】村川 賢太郎
(72)【発明者】
【氏名】川口 佳伸
(72)【発明者】
【氏名】神川 剛
【テーマコード（参考）】
5F173
【Ｆターム（参考）】
5F173AH22
5F173AL03
5F173AL04
5F173AL12
5F173MC30
5F173MD27
5F173ME06
5F173ME47
5F173MF39
(57)【要約】
【課題】レーザモジュール等の部品に組み立てられる前の段階において半導体レーザ素子の信頼性を評価し易くする。
【解決手段】レーザ素子は、サブマウント基板と、前記サブマウント基板の上方に位置するレーザ体と、前記レーザ体の光出射部を覆うガラス材とを備える。
【選択図】図１
【解決手段】レーザ素子は、サブマウント基板と、前記サブマウント基板の上方に位置するレーザ体と、前記レーザ体の光出射部を覆うガラス材とを備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
サブマウント基板と、
前記サブマウント基板の上方に位置するレーザ体と、
前記レーザ体の光出射部を覆うガラス材とを備える、レーザ素子。
前記サブマウント基板の上方に位置するレーザ体と、
前記レーザ体の光出射部を覆うガラス材とを備える、レーザ素子。
【請求項2】
前記レーザ体は光共振器を含み、
前記ガラス材は、前記光共振器の第１共振器端面を覆う、請求項１に記載のレーザ素子。
前記ガラス材は、前記光共振器の第１共振器端面を覆う、請求項１に記載のレーザ素子。
【請求項3】
前記サブマウント基板の厚み方向と、前記第１共振器端面の法線方向とが直交する、請求項２に記載のレーザ素子。
【請求項4】
前記ガラス材は、前記第１共振器端面と対となる第２共振器端面を覆う、請求項２に記載のレーザ素子。
【請求項5】
前記ガラス材は、前記第１共振器端面と対向する対向部がフラット形状である、請求項２に記載のレーザ素子。
【請求項6】
前記ガラス材は、前記第１共振器端面と対向する対向部が湾曲形状である、請求項２に記載のレーザ素子。
【請求項7】
前記対向部が光学レンズとして機能する、請求項６に記載のレーザ素子。
【請求項8】
前記対向部の厚みが、１〔μｍ〕以上である、請求項５に記載のレーザ素子。
【請求項9】
前記ガラス材は、前記サブマウント基板の少なくとも一部に接する、請求項１に記載のレーザ素子。
【請求項10】
前記ガラス材は、前記サブマウント基板の側面全体を覆う、請求項９に記載のレーザ素子。
【請求項11】
前記サブマウント基板は、上面側に位置し、前記レーザ体と電気的に接続する導電性のパッドを含む、請求項１に記載のレーザ素子。
【請求項12】
前記パッドの少なくとも一部は前記ガラス材と接しない、請求項１１に記載のレーザ素子。
【請求項13】
前記サブマウント基板は、ビアホールを介して前記パッドと電気的に接続する下面電極を含み、
前記パッドが前記ガラス材で覆われている、請求項１１に記載のレーザ素子。
前記パッドが前記ガラス材で覆われている、請求項１１に記載のレーザ素子。
【請求項14】
前記第１共振器端面は、前記サブマウント基板の側面と面一である、請求項２に記載のレーザ素子。
【請求項15】
前記第１共振器端面は、前記サブマウント基板の側面よりも内側に位置する、請求項２に記載のレーザ素子。
【請求項16】
前記サブマウント基板は、切り欠き部を含む、請求項２に記載のレーザ素子。
【請求項17】
前記レーザ体から出射したレーザ光が前記切り欠き部を通る、請求項１６に記載のレーザ素子。
【請求項18】
前記切り欠き部に前記ガラス材が充填されている、請求項１６に記載のレーザ素子。
【請求項19】
前記第１共振器端面は、前記切り欠き部上に位置する、請求項１６に記載のレーザ素子。
【請求項20】
前記レーザ体の少なくとも一部は、前記ガラス材から露出している、請求項１に記載のレーザ素子。
【請求項21】
前記第１共振器端面が誘電体膜を含む、請求項２に記載のレーザ素子。
【請求項22】
前記誘電体膜はシリコン系絶縁膜である、請求項２１に記載のレーザ素子。
【請求項23】
前記サブマウント基板は、シリコン基板、窒化アルミニウム基板、および炭化シリコン基板のいずれか１つを含む、請求項１に記載のレーザ素子。
【請求項24】
前記ガラス材は、融点６００℃以下の低融点ガラスからなる、請求項１に記載のレーザ素子。
【請求項25】
前記レーザ体に含まれるアノードおよびカソードの少なくとも一方と、前記パッドとがＡｕで構成されている、請求項１１に記載のレーザ素子。
【請求項26】
前記レーザ体は、窒化物半導体層を含み、
前記第１共振器端面は、前記窒化物半導体層のｍ面である、請求項２に記載のレーザ素子。
前記第１共振器端面は、前記窒化物半導体層のｍ面である、請求項２に記載のレーザ素子。
【請求項27】
請求項１～２６のいずれか１項に記載のレーザ素子と、前記レーザ素子を支持する支持基板とを含む、レーザモジュール。
【請求項28】
前記支持基板は回路基板である、請求項２７に記載のレーザモジュール。
【請求項29】
前記支持基板は、トレンチ部を含み、
前記レーザ体から出射したレーザ光が前記トレンチ部を通る、請求項２７に記載のレーザモジュール。
前記レーザ体から出射したレーザ光が前記トレンチ部を通る、請求項２７に記載のレーザモジュール。
【請求項30】
前記支持基板は、前記ガラス材に接しない、請求項２７に記載のレーザモジュール。
【請求項31】
複数のレーザ体がサブマウント基板上に設けられた第１基板を成形装置に配置する工程と、
前記成形装置に溶融状態のガラス材を流し込む工程と、
前記ガラス材を冷却し、前記複数のレーザ体それぞれの光出射部が固化したガラス材で覆われた第２基板を形成する工程とを含む、レーザ素子の製造方法。
前記成形装置に溶融状態のガラス材を流し込む工程と、
前記ガラス材を冷却し、前記複数のレーザ体それぞれの光出射部が固化したガラス材で覆われた第２基板を形成する工程とを含む、レーザ素子の製造方法。
【請求項32】
前記複数のレーザ体それぞれが光共振器を含み、
前記第２基板では、前記光共振器の第１共振器端面が前記固化したガラス材で覆われている、請求項３１に記載のレーザ素子の製造方法。
前記第２基板では、前記光共振器の第１共振器端面が前記固化したガラス材で覆われている、請求項３１に記載のレーザ素子の製造方法。
【請求項33】
前記第１共振器端面が鉛直方向に対して平行となる状態で前記ガラス材を流し込む、請求項３２に記載のレーザ素子の製造方法。
【請求項34】
前記第１共振器端面が鉛直方向に対して垂直となる状態で前記ガラス材を流し込む、請求項３２に記載のレーザ素子の製造方法。
【請求項35】
前記成形装置は、前記第１共振器端面と向かい合う部分が湾曲している、請求項３２に記載のレーザ素子の製造方法。
【請求項36】
前記第２基板を個片化して複数のレーザ素子を得る、請求項３１に記載のレーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、レーザ素子等に関する。
【背景技術】
【0002】
一般に、半導体レーザ部品は、例えば金属製パッケージ（いわゆるＣＡＮパッケージ）を用いてレーザ素子が封止された構造を有する。また、発光ダイオード部品は、例えば樹脂または無機材料によって発光ダイオード素子が封止された構造を有する（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許第４００８９４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
近年、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の半導体レーザを利用した、ＲＧＢレーザモジュールの開発が進展している。半導体レーザ素子と、レンズと、レーザ光を合成するための光導波路構造とを包含するように、金属製パッケージによって封止されたＲＧＢレーザモジュールを製造する場合、モジュールサイズの低減に限界がある。
【0005】
また、全体的に封止された後のＲＧＢレーザモジュールに対して信頼性評価を行う場合、仮に不良と判定されれば、そのＲＧＢレーザモジュールの全体を廃棄することになる。その上、ＲＧＢレーザモジュールの製造過程において不良が生じた工程を特定することも困難である。
【0006】
レーザモジュール等の部品に組み立てられる前の段階において半導体レーザ素子の信頼性を評価し易い技術が要望される。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の一態様におけるレーザ素子は、サブマウント基板と、前記サブマウント基板の上方に位置するレーザ体と、前記レーザ体の光出射部を覆うガラス材とを備える。
【0008】
また、本開示の一態様におけるレーザ素子の製造方法は、複数のレーザ体がサブマウント基板上に設けられた第１基板を成形装置に配置する工程と、前記成形装置に溶融状態のガラス材を流し込む工程と、前記ガラス材を冷却し、前記複数のレーザ体それぞれの光出射部が固化したガラス材で覆われた第２基板を形成する工程とを含む。
【発明の効果】
【0009】
レーザモジュール等の部品に組み立てられる前の段階において半導体レーザ素子の信頼性を評価し易くできる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の構成を概略的に示す断面図である。
【図2】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の構成を概略的に示す斜視図である。
【図3】レーザ体の構成例を示す断面図である。
【図4】本開示の一実施形態におけるレーザ素子が有するレーザ体の一構成例を示す断面図である。
【図5】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図6】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法の一例を示す断面図である。
【図7】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す断面図である。
【図8】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例の製造方法について説明するための断面図である。
【図9】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す断面図である。
【図10】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す断面図である。
【図11】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す平面図である。
【図12】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す断面図および平面図である。
【図13】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す断面図および平面図である。
【図14】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法の一例を示す断面図である。
【図15】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す平面図である。
【図16】本開示の一実施形態におけるレーザモジュールの構成を概略的に示す断面図である。
【図17】本開示の一実施形態におけるレーザモジュールの別構成例を示す断面図である。
【図18】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図19】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図20】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法の一例を概略的に示す斜視図である。
【図21】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図22】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法に用いられるサブマウント基板の一例を示す平面図である。
【図23】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法に用いられる第１基板の一例を示す斜視図である。
【図24】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法に用いられる第１基板の製造方法の一例を示す斜視図である。
【図25】本開示の一実施形態におけるレーザ素子に含まれるレーザ体の一構成例を示す斜視図である。
【図26】本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法に用いられる第１基板の製造方法の一例を示す断面図である
【図27】テンプレート基板に含まれるベース基板の構成例を示す断面図である。
【図28】一構成例における半導体基板の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して説明する。但し、以下の記載は本開示の趣旨をよりよく理解させるためのものであり、特に指定のない限り、本開示を限定するものではない。以下の説明において参照する各図は、説明の便宜上、実施形態を説明する上で必要な主要部材のみを簡略化して示したものであり、公知の技術的事項については、簡潔化のために説明を適宜省略する。また、各図中の部材の形状および寸法は、実際の形状および寸法を必ずしも反映させたものではなく、図面の明瞭化および簡略化のために適宜変更している。
【0012】
〔レーザ素子〕
図１は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の構成を概略的に示す断面図である。図２は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の構成を概略的に示す斜視図である。図３は、レーザ体の構成例を示す断面図である。
図１は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の構成を概略的に示す断面図である。図２は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の構成を概略的に示す斜視図である。図３は、レーザ体の構成例を示す断面図である。
【0013】
図１～３に示すように、本開示の一実施形態におけるレーザ素子４０は、サブマウント基板ＳＭと、サブマウント基板ＳＭの上方に位置するレーザ体ＬＴと、レーザ体ＬＴの光出射部ＥＰを覆うガラス材ＧＭとを備えている。レーザ素子４０では、レーザ体ＬＴは光共振器ＲＫを含み、ガラス材ＧＭは光共振器ＲＫの第１共振器端面Ｆ１を覆っている。光出射部ＥＰは、第１共振器端面Ｆ１に含まれていてよい。
【0014】
レーザ素子４０では、サブマウント基板ＳＭからレーザ体ＬＴへの向きを「上向き」とする。サブマウント基板ＳＭの法線方向と平行な視線で対象物を視る（透視的な場合を含む）ことを「平面視」と呼ぶことある。
【0015】
図１および図２に示す例ではガラス材ＧＭがレーザ体ＬＴおよびサブマウント基板ＳＭの側面を全体的に覆っているが、これは模式的な一例であって、レーザ素子４０は、レーザ体ＬＴおよびサブマウント基板ＳＭの側面および上面において、ガラス材ＧＭによって覆われていない部分を有していてよい。
【0016】
レーザ体ＬＴは、活性部９Ｋを有する光共振器ＲＫを含む、いわゆる端面発光型の半導体レーザチップである。活性部９Ｋは活性層であってよい。活性部９Ｋは、例えば、量子井戸構造を有する。レーザ体ＬＴに外部から供給される正孔および電子が活性部９Ｋ内で結合して生じた光は、光共振器ＲＫ（特に、活性部９Ｋ）内に閉じ込められ、活性部９Ｋにおける誘導放出および帰還作用によってレーザ発振が生じる。レーザ体ＬＴは、レーザ発振可能な構造であればよく、具体的な構造は特に限定されない。レーザ体ＬＴの具体的な一構成例については後述する。
【0017】
レーザ素子４０は、第１共振器端面Ｆ１におけるレーザ光ＬＢが出射される光出射部ＥＰをガラス材ＧＭが覆う。これにより、ガラス材ＧＭによって第１共振器端面Ｆ１が効果的に保護される。一般に、例えば青色または緑色等のレーザ光がレーザ体ＬＴから出射される場合、共振器端面へのシロキサンの分解生成物（ＳｉＯｘ等）の付着および堆積が問題となることがある。レーザ素子４０では、ガラス材ＧＭによって封止することにより、そのような問題に対処しつつ、レーザモジュール等の部品に組み立てられる前の段階においてレーザ素子４０の信頼性を評価可能とすることができる。レーザ素子４０における外部との通電構造（具体例は後述）は特に限定されず、公知の構造が適用されてよい。
【0018】
サブマウント基板ＳＭは、表面実装されたレーザ体ＬＴをガラス材ＧＭによって封止することが可能であればよく、具体的な材質は特に限定されない。例えば、サブマウント基板ＳＭは、シリコン基板、窒化アルミニウム基板、および炭化シリコン基板のいずれか１つを含んでいてよい。サブマウント基板ＳＭの材質は、ガラス材ＧＭの材質に対応して選択されてよく、ガラス含有アルミナ基板であってよい。
【0019】
サブマウント基板ＳＭは、上面側に位置し、レーザ体ＬＴと電気的に接続する導電性のパッドを含んでいてよい。図１および図２に示す例では、サブマウント基板ＳＭは、その上面に、第１パッドＰ１および第２パッドＰ２を有している。図１および図２では図示を一部省略するが、レーザ体ＬＴは、第１電極Ｅ１（アノード）および第２電極Ｅ２（カソード）を有しており、レーザ素子４０では、第１電極Ｅ１が第１パッドＰ１に接続されていてよく、第２電極Ｅ２が第２パッドＰ２に接続されていてよい。
【0020】
レーザ体ＬＴは、サブマウント基板ＳＭ側に第１電極Ｅ１および第２電極Ｅ２の両方が位置する構造（片面２電極構造）であってもよく、上側および下側に電極を有する構造（両面電極構造）であってもよい。図１および図２に示す例では、ジャンクションダウン形式（リッジ部がサブマウント基板ＳＭ側に位置する実装形式）にてレーザ体ＬＴがサブマウント基板ＳＭにフリップチップ実装されている。レーザ素子４０は、ジャンクションアップ形式にてレーザ体ＬＴがサブマウント基板ＳＭに実装されていてもよい。
【0021】
レーザ素子４０は、サブマウント基板ＳＭの厚み方向と、第１共振器端面Ｆ１の法線方向とが互いに直交していてよい。また、レーザ素子４０では、第１共振器端面Ｆ１がサブマウント基板ＳＭにおける第１の側面ＳＭＳ１と互いに面一であってよい。これにより、光出射部ＥＰから出射されるレーザ光ＬＢがサブマウント基板ＳＭによって部分的に遮られる可能性を低減できる。
【0022】
レーザ素子４０は、第１共振器端面Ｆ１が誘電体膜ＵＦを含んでいてよい。誘電体膜ＵＦは、反射鏡膜であってよい。誘電体膜ＵＦの材料としては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２等の誘電体を挙げることができる。誘電体膜ＵＦは、多層膜であってもよく、電子ビーム蒸着、電子サイクロトロン共鳴スパッタ、化学蒸着等によって形成することができる。例えば、誘電体膜ＵＦは、シリコン系絶縁膜であってよい。誘電体膜ＵＦにシリコン系絶縁膜等を用いる場合であっても、ガラス材ＧＭによって少なくとも光出射部ＥＰが封止（保護）されることにより、シロキサンの分解生成物がレーザ素子４０に悪影響を及ぼす可能性を低減できる。
【0023】
レーザ体ＬＴは、光共振器ＲＫにおける第１共振器端面Ｆ１とは反対側の位置に、第２共振器端面Ｆ２を有する。レーザ素子４０は、第２共振器端面Ｆ２が誘電体膜ＵＦを含んでいてよい。光反射面側の第２共振器端面Ｆ２の光反射率は、光出射面側の第１共振器端面Ｆ１の光反射率よりも大きい。
【0024】
レーザ素子４０では、ガラス材ＧＭが、第１共振器端面Ｆ１と対となる第２共振器端面Ｆ２を覆っていてよい。また、レーザ素子４０では、ガラス材ＧＭは、第１共振器端面Ｆ１と対向する対向部ＦＰがフラット形状である。これにより、ガラス材ＧＭによるレーザ光ＬＢの散乱を低減して、レーザ体ＬＴの光出射部ＥＰをガラス材ＧＭにより封止することができる。対向部ＦＰの表面は、ガラス材ＧＭが固化した状態のままであってよい。すなわち、対向部ＦＰの表面は、切断されることにより形成された切断面でなくてよい。また、対向部ＦＰの表面は、研磨により形成された研磨面でなくてよい。このような対向部ＦＰを有するレーザ素子４０の製造方法について詳しくは後述する。レーザ素子４０は、対向部ＦＰの厚みＴ１が、１〔μｍ〕以上であってよい。対向部ＦＰの厚みＴ１は、１〔μｍ〕以上１０００〔μｍ〕以下であってよい。
【0025】
対向部ＦＰがフラット形状であるとは、対向部ＦＰの外部側の表面が平面状であることを意味する。対向部ＦＰにおける外部側の表面は、レーザ光ＬＢの光軸に対して垂直な面であってよい。本明細書において「平面」との記載は、厳密に平らであることに限定されず、レーザ素子４０の製造過程において不可避に生じる程度の凹凸を許容してもよい。
【0026】
レーザ素子４０では、ガラス材ＧＭは、サブマウント基板ＳＭの少なくとも一部に接していてよい。例えば、レーザ素子４０では、ガラス材ＧＭがサブマウント基板ＳＭの上面の少なくとも一部に接していてよく、第１パッドＰ１および第２パッドＰ２の少なくとも何れかの一部に接していてよい。また、レーザ素子４０では、ガラス材ＧＭがサブマウント基板ＳＭにおける第１の側面ＳＭＳ１の少なくとも一部に接していてよく、第１の側面ＳＭＳ１とは反対側に位置する第２の側面ＳＭＳ２の少なくとも一部に接していてよい。レーザ素子４０は、ガラス材ＧＭがサブマウント基板ＳＭの側面（第１の側面ＳＭＳ１および第２の側面ＳＭＳ２の少なくとも何れか）の全体を覆っていてよい。
【0027】
サブマウント基板ＳＭの形状は特に限定されないが、例えば、図２に示す例では、サブマウント基板ＳＭは平面視において矩形状を有している。レーザ素子４０では、サブマウント基板ＳＭにおける第１の側面ＳＭＳ１および第２の側面ＳＭＳ２とは異なる別の側面は、少なくとも一部がガラス材ＧＭに接していてよく、ガラス材ＧＭに接していなくてもよい。例えば、レーザ素子４０は、ガラス材ＧＭによる封止の後に、ガラス材ＧＭおよびサブマウント基板ＳＭをカットすることにより形成されていてもよい。レーザ素子４０は、ガラス材ＧＭの上面ＧＭＴが平面状であってよく、凹凸を有する形状となっていてもよい。レーザ素子４０は、サブマウント基板ＳＭの下面（底面）がガラス材ＧＭに接していなくてよい。
【0028】
レーザ素子４０では、ガラス材ＧＭは、融点６００℃以下の低融点ガラスからなっていてよい。低融点ガラスとしては、レーザ素子４０の各部の特性に合わせて、かつレーザ体ＬＴを封止できるように、適宜選択されてよく、具体的な材質は特に限定されないが、例えば、Ｐ２Ｏ５－ＺｎＯ系のガラス、ＴｅＯ２－Ｂ２Ｏ３系のガラス等が挙げられる。
【0029】
レーザ体ＬＴに含まれる第１電極Ｅ１および第２電極Ｅ２の少なくとも一方と、第１パッドＰ１および第２パッドＰ２の少なくとも一方とが互いにＡｕで構成されていてよい。レーザ体ＬＴの電極とサブマウント基板ＳＭのパッドとの接合を、はんだ等の接合部を介することなく、Ａｕ－Ａｕ接合等の金属－金属接合とすることができる。これにより、ガラス材ＧＭを流動させる際の温度（例えば５００℃程度）に対する、接合部の耐久性を高めることができる。ガラス材ＧＭの流動温度に対応して、第１電極Ｅ１と第１パッドＰ１とは、はんだ材を介して接続されていてもよく、第２電極Ｅ２と第２パッドＰ２とは、はんだ材を介して接続されていてもよい。はんだ材としては、ＡｕＳｉ、ＡｕＳｎ等が挙げられる。また、はんだ材がＡｕＳｎであり、ガラス材ＧＭは、融点３００℃以下の低融点ガラスからなっていてよい。これにより、接合部の耐久性を高めることができる。
【0030】
レーザ素子４０は、外部電源と電気的に接続可能な通電構造となっていればよく、具体的な通電構造は特に限定されない。例えば、サブマウント基板ＳＭは、スルーホールを有しており、第１パッドＰ１および第２パッドＰ２と導通する電極が下面（裏面）に設けられていてよい。サブマウント基板ＳＭの側面を介して、上面から下面にわたって電極パターンが形成されていてもよい。また、レーザ素子４０は、第１パッドＰ１および第２パッドＰ２の一部が露出するように、ガラス材ＧＭによる封止が行われていてもよい。レーザ素子４０は、表面実装またはワイヤボンディング等によってプリント基板等の支持基板に実装されてよい。
【0031】
〔レーザ体の構成例〕
図４は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子が有するレーザ体の一構成例を示す断面図である。図４に示すように、一構成例におけるレーザ体ＬＴは、ベース半導体部８と、ベース半導体部８よりもサブマウント基板ＳＭ側に位置し、光共振器ＲＫを含む化合物半導体部９と、アノードである第１電極Ｅ１と、を備えている。また、レーザ体ＬＴは、カソードである第２電極Ｅ２（図示省略）を備えている。レーザ体ＬＴにおける光導波路の構造は特に限定されないが、レーザ体ＬＴは、例えば屈折率導波型の半導体レーザチップであってよい。図４では、リッジストライプ型（リッジ型）のレーザ体ＬＴについて示している。
図４は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子が有するレーザ体の一構成例を示す断面図である。図４に示すように、一構成例におけるレーザ体ＬＴは、ベース半導体部８と、ベース半導体部８よりもサブマウント基板ＳＭ側に位置し、光共振器ＲＫを含む化合物半導体部９と、アノードである第１電極Ｅ１と、を備えている。また、レーザ体ＬＴは、カソードである第２電極Ｅ２（図示省略）を備えている。レーザ体ＬＴにおける光導波路の構造は特に限定されないが、レーザ体ＬＴは、例えば屈折率導波型の半導体レーザチップであってよい。図４では、リッジストライプ型（リッジ型）のレーザ体ＬＴについて示している。
【0032】
レーザ体ＬＴにおいて、ベース半導体部８および化合物半導体部９の構成材料は特に限定されない。ベース半導体部８および化合物半導体部９は、レーザ体ＬＴの所望の特性に応じて、種々の材料を有していてよい。例えば、ベース半導体部８および化合物半導体部９は、窒化物半導体層（例えばＧａＮ系半導体層）であってよく、ベース半導体部８は、ドナーを含むｎ型半導体層であってよい。図４等に示す例では、Ｘ方向が窒化物半導体結晶（ウルツ鉱型構造）の＜１１－２０＞方向（ａ軸方向）であってよく、Ｙ方向が窒化物半導体結晶の＜１－１００＞方向（ｍ軸方向）であってよく、Ｚ方向が窒化物半導体結晶の＜０００１＞方向（ｃ軸方向）であってよい。
【0033】
化合物半導体部９は、ドナーを有するｎ型半導体部９Ｎ、活性部９Ｋ、およびアクセプタを有するｐ型半導体部９Ｐがこの順に形成されて成っていてよい。ｎ型半導体部９Ｎは、第１コンタクト部９Ａ、第１クラッド部９Ｂ、および第１光ガイド部９Ｃがこの順に形成されて成っていてよい。ｐ型半導体部９Ｐは、第２光ガイド部９Ｄ、電子ブロッキング部９Ｅ、第２クラッド部９Ｆ、および第２コンタクト部９Ｇがこの順に形成されて成っていてよい。レーザ体ＬＴは、第２コンタクト部９Ｇよりもサブマウント基板ＳＭ側に位置する第１電極Ｅ１（アノード）を有していてよい。第１電極Ｅ１は第２コンタクト部９Ｇと電気的に接続される。化合物半導体部９は、ｐ型半導体部９Ｐにおいて、第２光ガイド部９Ｄと電子ブロッキング部９Ｅとが互いに入れ替わって配置されていてもよい。例えば、ｐ型半導体部９Ｐは、電子ブロッキング部９Ｅ、第２光ガイド部９Ｄ、第２クラッド部９Ｆ、および第２コンタクト部９Ｇがこの順に形成されて成っていてもよい。
【0034】
化合物半導体部９は、平面視で第１電極Ｅ１と重なるリッジ部ＲＪ（畝部）を含み、リッジ部ＲＪには、第２クラッド部９Ｆおよび第２コンタクト部９Ｇが含まれていてよい。リッジ部ＲＪはＹ方向を長手方向とする形状であり、リッジ部ＲＪの側面を覆うように、絶縁膜ＤＦが設けられていてよい。第１電極Ｅ１のＸ方向の両端部が、平面視で絶縁膜ＤＦと重なっていてもよい。レーザ体ＬＴは、平面視で第１電極Ｅ１および絶縁膜ＤＦと重なるように位置する第１補助電極（図示省略）を有していてよい。絶縁膜ＤＦの屈折率は、第２光ガイド部９Ｄおよび第２クラッド部９Ｆの屈折率よりも小さい。リッジ部ＲＪおよび絶縁膜ＤＦを設けることで、第１電極Ｅ１およびベース半導体部８間の電流経路がアノード側で狭窄され、光共振器ＲＫ内で効率的に発光させることができる。
【0035】
〔レーザ素子の製造方法〕
図５は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。図６は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法の一例を示す断面図である。図５および図６に示すように、レーザ素子４０の製造方法は、光共振器ＲＫを含むレーザ体ＬＴが実装されたサブマウント基板ＳＭを成形装置９０（成形型）に配置する工程（Ｓ１０）と、成形装置９０に溶融状態のガラス材ＭＧＭを流し込む工程（Ｓ２０）と、ガラス材ＭＧＭを冷却し、レーザ体ＬＴの光出射部ＥＰが固化したガラス材ＧＭで覆われたレーザ素子４０を形成する工程（Ｓ３０）とを含む。
図５は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。図６は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法の一例を示す断面図である。図５および図６に示すように、レーザ素子４０の製造方法は、光共振器ＲＫを含むレーザ体ＬＴが実装されたサブマウント基板ＳＭを成形装置９０（成形型）に配置する工程（Ｓ１０）と、成形装置９０に溶融状態のガラス材ＭＧＭを流し込む工程（Ｓ２０）と、ガラス材ＭＧＭを冷却し、レーザ体ＬＴの光出射部ＥＰが固化したガラス材ＧＭで覆われたレーザ素子４０を形成する工程（Ｓ３０）とを含む。
【0036】
ガラス材ＭＧＭは、例えば、高粘度状態でホットプレス加工されることにより成形装置９０内に流し込まれてよい。一実施形態におけるレーザ素子４０の製造方法では、上記Ｓ１０～Ｓ３０の工程における雰囲気等が適宜制御されてよい。
【0037】
図５に示す例では、第１共振器端面Ｆ１が鉛直方向に対して平行となる状態で溶融状態のガラス材ＭＧＭを流し込む。成形装置９０は、サブマウント基板ＳＭを配置したときに、レーザ体ＬＴの第１共振器端面Ｆ１に向かい合う部分である第１の壁面ＷＳ１を有し、当該第１の壁面ＷＳ１は平面状である。そして、レーザ体ＬＴのレーザ光ＬＢの光軸が第１の壁面ＷＳ１に対して垂直となるように、成形装置９０にサブマウント基板ＳＭを配置して、ガラス材ＭＧＭを流し込む。サブマウント基板ＳＭは、成形装置９０に設置した際のアライメントが維持されるように、成形装置９０に仮固定されていてよい。これにより、フラット形状の対向部ＦＰを有するガラス材ＧＭを形成することができる。
【0038】
成形装置９０は、サブマウント基板ＳＭを配置したときに、レーザ体ＬＴの第２共振器端面Ｆ２に対向する第２の壁面ＷＳ２を有し、当該第２の壁面ＷＳ２は平面状であってよい。これにより、第２共振器端面Ｆ２に対向する、フラット形状の第２の対向部ＦＰ２を形成することができる。成形装置９０における内壁面は、溶融状態のガラス材ＭＧＭおよび固化したガラス材ＧＭとの親和性が小さくてよく、これにより、成形装置９０からレーザ素子４０を取り出し易くできる。
【0039】
〔別構成例〕
図７の符号７００１により示す図は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す断面図であり、図７の符号７００２により示す図は、レーザ素子の他の別構成例を示す断面図である。図７に示すように、レーザ素子４０は、ガラス材ＧＭの対向部ＦＰが湾曲形状であってよい。レーザ素子４０は、対向部ＦＰが光学レンズとして機能してよい。図７の符号７００１により示す例では、レーザ素子４０における対向部ＦＰは、レーザ光ＬＢを集光（コリメート）させる集光レンズとして機能することができる。図７の符号７００２により示す例では、レーザ素子４０における対向部ＦＰは、レーザ光ＬＢを拡散させる拡散レンズとして機能することができる。
図７の符号７００１により示す図は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す断面図であり、図７の符号７００２により示す図は、レーザ素子の他の別構成例を示す断面図である。図７に示すように、レーザ素子４０は、ガラス材ＧＭの対向部ＦＰが湾曲形状であってよい。レーザ素子４０は、対向部ＦＰが光学レンズとして機能してよい。図７の符号７００１により示す例では、レーザ素子４０における対向部ＦＰは、レーザ光ＬＢを集光（コリメート）させる集光レンズとして機能することができる。図７の符号７００２により示す例では、レーザ素子４０における対向部ＦＰは、レーザ光ＬＢを拡散させる拡散レンズとして機能することができる。
【0040】
図８の符号８００１により示す図は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例の製造方法について説明するための断面図であり、図８の符号８００２により示す図は、レーザ素子の他の別構成例の製造方法について説明するための断面図である。図８に示すように、成形装置９０は、第１の壁面ＷＳ１（第１共振器端面Ｆ１に向かい合う部分）が湾曲していてよい。例えば、集光レンズとして機能する対向部ＦＰを形成する場合、第１の壁面ＷＳ１が、レーザ体ＬＴに向かって突出する形状を有していてよい。また、例えば、拡散レンズとして機能する対向部ＦＰを形成する場合、第１の壁面ＷＳ１が、レーザ体ＬＴから遠ざかる方向に窪んだ形状を有していてよい。
【0041】
図９は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す断面図である。図９に示すように、レーザ素子４０は、ガラス材ＧＭによって光出射部ＥＰが覆われていればよく、レーザ体ＬＴにおける第１共振器端面Ｆ１の一部が露出していてもよい。レーザ素子４０は、第２共振器端面Ｆ２の一部が露出していてもよい。一般に、レーザ体をパッケージ等にて気密実装する場合、レーザ素子の信頼性を確保するために、パッケージ内部の雰囲気に微量の酸素を含ませることがある。図９に示す例のように、レーザ体ＬＴの一部が露出することによれば、レーザ素子４０の信頼性を高め易くできる。また、放熱性を高めることができる。
【0042】
図１０の符号１００１により示す図は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す断面図であり、図１０の符号１００２により示す図は、レーザ素子の別構成例における異なる位置の断面を示す断面図である。図１０に示すように、レーザ素子４０では、サブマウント基板ＳＭが、第１のビアホールＢＨ１を介して第１パッドＰ１と電気的に接続する第１の下面電極ＢＰ１を含んでいてよく、第１パッドＰ１は少なくとも一部がガラス材ＧＭで覆われていてよい。また、サブマウント基板ＳＭは、第２のビアホールＢＨ２を介して第２パッドＰ２と電気的に接続する第２の下面電極ＢＰ２を含んでいてよく、第２パッドＰ２は少なくとも一部がガラス材ＧＭで覆われていてよい。
【0043】
図１１は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す平面図である。図１１に示すように、レーザ素子４０では、サブマウント基板ＳＭにおける第１パッドＰ１および第２パッドＰ２の少なくとも一部がガラス材ＧＭと接していなくてよい。例えば、図１１の符号１１０１により示す図のように、レーザ素子４０は、サブマウント基板ＳＭがガラス材ＧＭに接していない露出部ＥＳを有している。露出部ＥＳに、第１パッドＰ１および第２パッドＰ２の少なくとも一部が含まれてよい。露出部ＥＳにおいて、第１パッドＰ１および第２パッドＰ２の少なくとも一部が露出する。第１パッドＰ１および第２パッドＰ２の露出した部分を用いることにより、レーザ素子４０の表面側（サブマウント基板ＳＭに対してレーザ体ＬＴが表面実装されている側）に、レーザ体ＬＴへの通電構造を形成することができる。
【0044】
また、例えば、図１１の符号１１０２により示す図のように、レーザ素子４０は、サブマウント基板ＳＭの上方においてＸ方向に延びる露出部ＥＳを有していてよく、例えば、平面視においてレーザ体ＬＴと重ならない位置に露出部ＥＳを有していてよい。
【0045】
露出部ＥＳは、例えば、以下のように形成することができる。すなわち、成形装置９０（図６参照）内において、露出部ＥＳとなる部分に溶融状態のガラス材ＭＧＭが流れ込まないように、表面保護部が設けられてよい。表面保護部は、第１パッドＰ１および第２パッドＰ２の表面の少なくとも一部を保護する。成形装置９０が表面保護部を備えていてもよい。或いは、溶融状態のガラス材ＭＧＭを流し込む前に表面保護部を形成してもよく、この場合、成形装置９０からレーザ素子４０を取り出した後に上記表面保護部を溶解除去してもよい。
【0046】
図１２の符号１２０１により示す図は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す断面図であり、図１２の符号１２０２により示す図は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す平面図である。図１２に示すように、レーザ素子４０では、サブマウント基板ＳＭが切り欠き部ＮＰを含んでいてよい。図１２に示す例では、第１共振器端面Ｆ１がサブマウント基板ＳＭの第１の側面ＳＭＳ１よりも内側に位置していてよい。切り欠き部ＮＰは、例えば方形状のサブマウント基板ＳＭの一部を除去して形成された部分であって、平面視において第１共振器端面Ｆ１と重なるように位置していてよい。換言すれば、第１共振器端面Ｆ１は、切り欠き部ＮＰ上に位置していてよい。また、切り欠き部ＮＰは、平面視において第２共振器端面Ｆ２と重なるように位置していてよい。レーザ素子４０は、切り欠き部ＮＰにガラス材ＧＭが充填されていてよい。
【0047】
図１２に示す例では、切り欠き部ＮＰは、サブマウント基板ＳＭの上面から底面まで貫通しているが、切り欠き部ＮＰの形状は特に限定されない。レーザ素子４０では、レーザ体ＬＴから出射したレーザ光ＬＢの一部が切り欠き部ＮＰを通るように、サブマウント基板ＳＭに切り欠き部ＮＰが形成されていてよい。図示の平明化のために模式的に示しているが、実際上、ジャンクションダウン形式でレーザ体ＬＴが実装されたレーザ素子４０では、サブマウント基板ＳＭの上面とレーザ体ＬＴの第１共振器端面Ｆ１における光出射部ＥＰとは非常に近接している。
【0048】
図１３の符号１３０１により示す図は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す断面図であり、図１３の符号１３０２により示す図は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す平面図である。図１３に示すように、レーザ素子４０では、サブマウント基板ＳＭにトレンチＴＲが形成されていてよい。トレンチＴＲは、例えばＸ方向に延びていてよい。レーザ素子４０では、レーザ体ＬＴから出射したレーザ光ＬＢの一部がトレンチＴＲを通るように、サブマウント基板ＳＭにトレンチＴＲが形成されていてよい。トレンチＴＲの内壁面であるサブマウント基板ＳＭの第３の側面ＳＭＳ３は、第１共振器端面Ｆ１と面一であってよい。レーザ素子４０は、トレンチＴＲにガラス材ＧＭが充填されていてよい。
【0049】
図１４は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法の一例を示す断面図である。図１４に示すように、サブマウント基板ＳＭが切り欠き部ＮＰを有し、レーザ体ＬＴがサブマウント基板ＳＭに表面実装された状態において、レーザ体ＬＴの第１共振器端面Ｆ１とサブマウント基板ＳＭの第１の側面ＳＭＳ１とが面一ではない場合、以下のようにレーザ素子４０を製造してもよい。
【0050】
図１４に示す例では、第１の側面ＳＭＳ１が第１共振器端面Ｆ１と平行な平面状であり、成形装置９０の底面９０Ｂが平面状である。第１の側面ＳＭＳ１と底面９０Ｂとが接するとともに、サブマウント基板ＳＭの裏面が成形装置９０の内壁面と接するように、成形装置９０にサブマウント基板ＳＭを配置する。そして、第１共振器端面Ｆ１が鉛直方向に対して垂直となる状態で溶融状態のガラス材ＭＧＭを流し込む。
【0051】
これにより、底面９０Ｂの形状に対応して、フラット形状の対向部ＦＰを有するガラス材ＧＭを形成することができる。また、サブマウント基板ＳＭの一部が溶融状態のガラス材ＭＧＭに浸漬しない場合、前述の露出部ＥＳを形成し易い。上記したことは、サブマウント基板ＳＭがトレンチＴＲを有する場合においても同じである。
【0052】
図１５は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の別構成例を示す平面図である。図１５に示すように、レーザ素子４０は、レーザ体ＬＴの少なくとも一部がガラス材ＧＭから露出していてよい。図１５の符号１５０１により示す例では、レーザ素子４０は、平面視においてレーザ体ＬＴの少なくとも一部と重なる位置に露出部ＥＳを有していてよく、露出部ＥＳは、サブマウント基板ＳＭの上方においてＹ方向に延びる形状を有していてよい。図１５の符号１５０２により示す例では、レーザ素子４０は、ガラス材ＧＭが、平面視においてレーザ体ＬＴの少なくとも一部と重なる位置に空洞部ＨＰを有していてよい。空洞部ＨＰは、平面視における形状は特に限定されない。空洞部ＨＰでは、第１パッドＰ１および第２パッドＰ２の少なくとも一部が露出していてもよい。
【0053】
〔レーザモジュール〕
図１６は、本開示の一実施形態におけるレーザモジュールの構成を概略的に示す断面図である。図１６に示すように、本開示の一実施形態におけるレーザモジュール５０は、レーザ素子４０と、レーザ素子４０を支持する支持基板ＳＫとを含む。支持基板ＳＫは、回路基板であってよい。図１６に示す例では、支持基板ＳＫは、本体部ＢＤと、本体部ＢＤの表面に形成された電極パターンＥＬＰとを含む。
図１６は、本開示の一実施形態におけるレーザモジュールの構成を概略的に示す断面図である。図１６に示すように、本開示の一実施形態におけるレーザモジュール５０は、レーザ素子４０と、レーザ素子４０を支持する支持基板ＳＫとを含む。支持基板ＳＫは、回路基板であってよい。図１６に示す例では、支持基板ＳＫは、本体部ＢＤと、本体部ＢＤの表面に形成された電極パターンＥＬＰとを含む。
【0054】
レーザモジュール５０では、ガラス材ＧＭによってレーザ体ＬＴが封止されている一方で、支持基板ＳＫはガラス材ＧＭによって封止されていなくてよい。支持基板ＳＫは、少なくとも一部がガラス材ＧＭに接していなくてよい。図１６に示す例では、接合部ＡＰを介してレーザ素子４０が支持基板ＳＫに実装されていてよく、この場合、支持基板ＳＫとガラス材ＧＭとが互いに接していなくてよい。
【0055】
図１７は、本開示の一実施形態におけるレーザモジュールの別構成例を示す断面図である。図１７に示すように、一構成例におけるレーザモジュール５０は、支持基板ＳＫがトレンチ部ＳＴＲを含んでいてよく、この場合、レーザ体ＬＴから出射したレーザ光ＬＢがトレンチ部ＳＴＲを通ってよい。これにより、レーザ光ＬＢの一部が支持基板ＳＫによって遮られる可能性を低減できる。
【0056】
〔他の実施形態〕
本開示の他の実施形態について、図面に基づいて説明すれば、以下のとおりである。本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法では、複数のレーザ体ＬＴが実装されたサブマウント基板ＳＭをガラス材ＧＭによって封止した後、個片化することによってレーザ素子４０を形成することができる。
本開示の他の実施形態について、図面に基づいて説明すれば、以下のとおりである。本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法では、複数のレーザ体ＬＴが実装されたサブマウント基板ＳＭをガラス材ＧＭによって封止した後、個片化することによってレーザ素子４０を形成することができる。
【0057】
図１８は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。図１９は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法の一例を説明するための模式図である。図１９において、符号１９０１にて示す図は平面図であり、符号１９０２にて示す図はＹ軸に直交する断面で切ったときの断面図であり、符号１９０３にて示す図は別断面（Ｘ軸に直交する断面）で切ったときの断面図である。
【0058】
図１８および図１９に示すように、一実施形態におけるレーザ素子４０の製造方法は、複数のレーザ体ＬＴがサブマウント基板ＳＭ上に設けられた第１基板ＦＳを成形装置９０に配置する工程（Ｓ１１０）と、成形装置９０に溶融状態のガラス材ＭＧＭを流し込む工程（Ｓ１２０）と、ガラス材ＭＧＭを冷却し、複数のレーザ体ＬＴそれぞれの光出射部ＥＰが固化したガラス材ＧＭで覆われた第２基板ＳＳを形成する工程（Ｓ１３０）とを含む。一実施形態におけるレーザ素子４０の製造方法では、複数のレーザ体ＬＴそれぞれが光共振器ＲＫを含み、第２基板ＳＳでは、光共振器ＲＫの第１共振器端面Ｆ１が固化したガラス材ＧＭで覆われている。
【0059】
例えば、第１共振器端面Ｆ１がサブマウント基板ＳＭの第１の側面ＳＭＳ１と面一となるように、複数のレーザ体ＬＴをサブマウント基板ＳＭに実装し、複数のレーザ体ＬＴのそれぞれの第１共振器端面Ｆ１が鉛直方向に対して平行となる状態で溶融状態のガラス材ＭＧＭを流し込む。成形装置９０における第１の壁面ＷＳ１が平面状である場合、フラット形状の対向部ＦＰを有するガラス材ＧＭを形成することができる。また、成形装置９０は、第１共振器端面Ｆ１と向かい合う部分である第１の壁面ＷＳ１が湾曲していてよく、この場合、光学レンズとして機能する対向部ＦＰを有するガラス材ＧＭを形成することができる。
【0060】
図２０は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法の一例を概略的に示す斜視図である。図２０に示すように、一実施形態におけるレーザ素子４０の製造方法では、第２基板ＳＳを個片化することにより、複数のレーザ素子４０を得ることができる。第２基板ＳＳを加工する具体的な方法は特に限定されないが、例えば機械的または熱的（レーザ等）に加工することによって、第２基板ＳＳを複数のレーザ素子４０に分割することができる。図２０に示す例では、サブマウント基板ＳＭが、第１の側面ＳＭＳ１および第２の側面ＳＭＳ２とは異なる切断面ＣＳを有していてよい。切断面ＣＳは、ガラス材ＧＭに接していなくてよい。
【0061】
図２１は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法の一例を説明するための模式図である。図２１に示す例では、サブマウント基板ＳＭにトレンチＴＲが形成されている。サブマウント基板ＳＭの第１の側面ＳＭＳ１と底面９０Ｂとが接するとともに、サブマウント基板ＳＭの裏面が成形装置９０の内壁面と接するように、成形装置９０にサブマウント基板ＳＭを配置する（図１４も参照）。そして、複数のレーザ体ＬＴのそれぞれの第１共振器端面Ｆ１が鉛直方向に対して垂直となる状態で溶融状態のガラス材ＭＧＭを流し込む。これにより、底面９０Ｂの形状に対応して、フラット形状の対向部ＦＰを有するガラス材ＧＭを形成することができる。
【0062】
本開示の一実施形態におけるレーザ素子は、例えば、サブマウント基板ＳＭの具体的な一例として、以下に説明する形状のサブマウント基板ＳＭを備えていてよい。図２２は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法に用いられるサブマウント基板の一例を示す平面図である。
【0063】
図２２に示すように、一例におけるサブマウント基板ＳＭは、導電性を有するＴ字形状の第１パッドＰ１および第２パッドＰ２と、第１パッドＰ１との接合層として機能する第１接合部Ａ１と、第２パッドＰ２との接合層として機能する第２接合部Ａ２とを備えている。第１接合部Ａ１および第２接合部Ａ２は、例えば、はんだであってよい。サブマウント基板ＳＭは、基板本体部ＢＳ上に複数の凹部ＨＬがマトリクス状に設けられ、非凹部に第１パッドＰ１、第２パッドＰ２、第１接合部Ａ１、第２接合部Ａ２を設けることにより形成されていてよい。
【0064】
図２３は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法に用いられる第１基板の一例を示す斜視図である。図２３の符号２３０１により示す例のように、サブマウント基板ＳＭに複数のレーザ体ＬＴが実装された、２次元配置型の第１基板ＦＳを形成することができる。また、図２３の符号２３０２により示す例のように、２次元配置型の第１基板ＦＳを横分断（Ｘ方向に伸びる行ごとに分割）し、１次元配置型（バー状）の第１基板ＦＳとすることができる。このように、複数個のレーザ体ＬＴをサブマウント基板ＳＭに実装した後に、第１基板ＦＳを複数に分断してよい。
【0065】
図２２および図２３に示す例のサブマウント基板ＳＭは、幅広部ＳＨと載置部ＳＢとを有している。レーザ体ＬＴは、載置部ＳＢの幅方向（Ｙ方向）と共振器長の方向とが一致するように、載置部ＳＢの上方に位置している。第１基板ＦＳでは、平面視において、レーザ体ＬＴの第１共振器端面Ｆ１がサブマウント基板ＳＭの側面よりも内側に位置していてよい。載置部ＳＢは、共振器長を規定する方向（Ｙ方向）に向かい合う２つの切り欠き部Ｃ１・Ｃ２の間に形成されており、共振器端面Ｆ１が切り欠き部Ｃ１上に位置し、共振器端面Ｆ２が切り欠き部Ｃ２上に位置する。切り欠き部Ｃ１・Ｃ２は、分断される前のサブマウント基板ＳＭにおける凹部ＨＬに対応する部分である。切り欠き部Ｃ１・Ｃ２の形状は、例えば、Ｚ方向に視る平面視において矩形とすることができる。
【0066】
図２４は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法に用いられる第１基板の製造方法の一例を示す斜視図である。図２５は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子に含まれるレーザ体の一構成例を示す斜視図である。
【0067】
図２４に示すように、先ず、テンプレート基板ＴＳ上に結晶成長したストライプ状の複数のベース半導体部８を備えた半導体基板１０を準備する。テンプレート基板ＴＳは、成長用基板であってよい。半導体基板１０では、テンプレート基板ＴＳからベース半導体部８への向きを「上向き」とする。
【0068】
テンプレート基板ＴＳ上において、複数の構造体ＪＴを形成する。例えば、ベース半導体部８の上方に化合物半導体部９、第１電極Ｅ１、および第２電極Ｅ２等を形成することにより構造体ＪＴを得る（図４も参照）。次いで、テンプレート基板ＴＳ上において、複数の構造体ＪＴを、短手方向（Ｘ方向）に平行な端面ＣＦが各構造体ＪＴに形成されるように分割して、複数のレーザ体ＬＴを含む個体群ＬＡを得る。そして、個体群ＬＡに含まれる複数個のレーザ体ＬＴをサブマウント基板ＳＭに転写して、第１基板ＦＳを得る。第１基板ＦＳは、適宜分断して用いることができる。
【0069】
半導体基板１０を複数の個片基板１０Ｄに分割した後に、個片基板１０Ｄの複数のレーザ体ＬＴをサブマウント基板ＳＭに転写してもよい。半導体基板とは、半導体部を含む基板という意味であり、テンプレート基板ＴＳが非半導体（例えば、絶縁体）を含んでいてもよい。
【0070】
ストライプ状の複数の構造体ＪＴの分割は、劈開によって行ってもよいし、エッチング（ドライあるいはウェットエッチング）によって行ってもよい。構造体ＪＴの分割によって形成される端面ＣＦは、レーザ体ＬＴの共振器端面（第１共振器端面Ｆ１または第２共振器端面Ｆ２）を含んでいてよい。
【0071】
図２５の符号２５０１にて示す例のように、レーザ体ＬＴは、片面２電極構造を有していてよく、この場合、第２電極Ｅ２は、ベース半導体部８に対して第１電極Ｅ１と同じ側に設けられる。或いは、図２５の符号２５０２にて示す例のように、レーザ体ＬＴは、両面電極構造を有していてよく、この場合、サブマウント基板ＳＭにレーザ体ＬＴを転写した後に第２電極Ｅ２が形成されることにより、第２電極Ｅ２は、ベース半導体部８に対して第１電極Ｅ１とは反対側に設けられる。
【0072】
ベース半導体部８および化合物半導体部９は、窒化物半導体を含む半導体層（例えば、窒化物半導体結晶）であってもよい。窒化物半導体は、例えば、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１；０≦ｙ≦１；０≦ｚ≦１；ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）と表すことができ、具体例として、ＧａＮ系半導体、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＩｎＡｌＮ（窒化インジウムアルミニウム）、ＩｎＮ（窒化インジウム）を挙げることができる。ＧａＮ系半導体とは、ガリウム原子（Ｇａ）および窒素原子（Ｎ）を含む半導体であり、典型的な例として、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＩｎＧａＮを挙げることができる。ベース半導体部８は、ドープ型（例えば、ドナーを含むｎ型）でもノンドープ型でもよい。
【0073】
本開示の一実施形態におけるレーザ素子４０では、レーザ体ＬＴが窒化物半導体層を含み、第１共振器端面Ｆ１は、窒化物半導体層のｍ面とすることができる。レーザ体ＬＴは、構造体ＪＴを分割する間隔を適宜設定することにより、例えば、第１共振器端面Ｆ１と第２共振器端面Ｆ２との間の共振器長Ｌ１が２００〔μｍ〕以下である構成とすることができ、また、共振器長Ｌ１が１００〔μｍ〕以下である構成とすることができる。レーザ体ＬＴよりもサイズが大きいサブマウント基板ＳＭにレーザ体ＬＴを転写することにより、小型のレーザ体ＬＴを直接ハンドリングすることなく、レーザ体ＬＴが実装されたサブマウント基板ＳＭをハンドリングすることができる。そして、ガラス材ＧＭによって封止されたレーザ素子４０を形成することができる。第１電極Ｅ１および第２電極Ｅ２間に例えば２００〔ｍＷ〕以下の電力が供給される、高効率低出力のレーザ素子４０を実現することができる。レーザ素子４０をモジュールに実装する前に、第１電極Ｅ１および第２電極Ｅ２間に通電することで信頼性評価を行うことができる。
【0074】
図２６は、本開示の一実施形態におけるレーザ素子の製造方法に用いられる第１基板の製造方法の一例を示す断面図である。図２６に示すように、先ず、テンプレート基板ＴＳと、テンプレート基板ＴＳ上に結晶成長したストライプ状の複数のベース半導体部８とを備えた半導体基板１０を準備する。テンプレート基板ＴＳは、ベース基板ＢＳを含み、ベース基板ＢＳ上にマスクパターン６が形成されていてよい。
【0075】
マスク部５は、ベース半導体部８を横方向成長させる選択成長用マスク（テンプレート基板ＴＳの成長抑制領域）であってもよい。ベース半導体部８の厚み方向はｃ軸方向（＜０００１＞方向）であってもよい。開口部Ｋは長手形状であり、その幅方向が、例えば窒化物半導体結晶であるベース半導体部８のａ軸方向（＜１１－２０＞方向）であって、その長手方向がｍ軸方向であってもよい。マスクパターン６では、複数の開口部Ｋが、ベース半導体部８のａ軸方向（Ｘ方向）に並んでいてもよい。
【0076】
ベース半導体部８は、開口部Ｋによってベース基板ＢＳが露出した領域（テンプレート基板ＴＳのシード領域）を起点として、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）法によって形成することができる。ＥＬＯ法には、有機金属気相成長、ハイドライド気相成長、分子線気相成長等の気相成長を適用することができる。
【0077】
例えば、マスク部５上を互いに逆方向（ａ軸方向）に成長する結晶同士が会合する前に成長を止めることで、ストライプ状の複数のベース半導体部８を形成することができる。隣り合うベース半導体部８のギャップＧの下方にはマスク部５が位置する。
【0078】
次いで、ベース半導体部８と、ベース半導体部８上に位置する化合物半導体部９とを含む構造体ＪＴを形成する。化合物半導体部９は、ｎ型半導体部９Ｎ、活性部９Ｋ、およびｐ型半導体部９Ｐを含んでいてよい（図４および図２５を参照）。構造体ＪＴは、絶縁膜ＤＦ、第１電極Ｅ１、および第２電極Ｅ２を含んでいてよい。複数の構造体ＪＴは、ベース半導体部８の結晶方位（例えばｍ軸方位）に沿ったストライプ形状を有する。化合物半導体部９はリッジＲＪ（凸状の電流狭窄部）を含んでもよい。ＥＬＯ法で形成されたベース半導体部８においてはマスク部５上の部分が低欠陥となるため（後述）、リッジＲＪは、平面視でマスク部５と重なるように、ｍ軸方向を長手方向とする長手形状としてもよい。
【0079】
次いで、テンプレート基板ＴＳ上において、複数の構造体ＪＴを、短手方向（Ｘ方向）に平行な端面ＣＦが各構造体ＪＴに形成されるように分割して個体群ＬＡを得る。マスク部５を除去した後に、複数のレーザ体ＬＴをサブマウント基板ＳＭに転写することにより、複数のレーザ体ＬＴがマトリクス配置された第１基板ＦＳを得ることができる。レーザ体ＬＴの端面ＣＦに誘電体膜ＵＦを形成した後、サブマウント基板ＳＭを分断する。ここでは、転写前にマスク部５を除去しているが、マスク部５を除去することなく転写を行ってもよい。
【0080】
テンプレート基板ＴＳおよびサブマウント基板ＳＭそれぞれがシリコン基板を含んでいてもよいし、炭化ケイ素基板を含んでもよい。両基板の材料が同一であれば接合精度が高められる。複数のレーザ体ＬＴをサブマウント基板ＳＭに転写する際に、レーザ体ＬＴとテンプレート基板ＴＳとの接続結晶部８Ｕが自然破断してもよい。もちろん、複数のレーザ体ＬＴをサブマウント基板ＳＭに転写する前に外力によって接続結晶部８Ｕを破断させてもよい。
【0081】
複数のレーザ体ＬＴサブマウント基板ＳＭに転写すると同時に、各レーザ体ＬＴをサブマウント基板ＳＭの電極パッド（Ｐ１・Ｐ２）と電気的に接続してもよい。例えば、各レーザ体ＬＴの電極を、半田等からなる接合部（Ａ１・Ａ２）を介して電極パッド（Ｐ１・Ｐ２）に接続することができる。
【0082】
図２７は、テンプレート基板に含まれるベース基板の構成例を示す断面図である。ベース基板ＢＳは、ベース半導体部８と格子定数の異なる異種基板である主基板１を有してもよい。ベース半導体部８がＧａＮ系半導体を含み、異種基板である主基板１がシリコン基板であってもよい。異種基板としては、シリコン基板のほかに、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板等を挙げることができる。主基板１の面方位は、例えば、シリコン基板の（１１１）面、サファイア基板の（０００１）面、ＳｉＣ基板の６Ｈ－ＳｉＣ（０００１）面である。これらは例示であって、ベース半導体部８をＥＬＯ法で成長させることができる基板および面方位であれば何でもよい。
【0083】
ベース基板ＢＳが、主基板１と主基板１上の下地部４とを含み、ベース半導体部８は、開口部Ｋに露出する下地部４の上面（シード領域）から成長してもよい。下地部４は、窒化物半導体を含んでよい。下地部４は、バッファ部およびシード部の少なくとも一方を含んでもよい。すなわち、下地部４がシード部で構成されていてもよいし、下地部４がバッファ部（主基板側）およびシード部（半導体部側）で構成されていてもよい。バッファ部としては、ＧａＮ系半導体、ＡｌＮ、ＳｉＣ等を用いることができる。シード部としては、窒化物半導体（例えば、ＧａＮ系半導体）を用いることができる。ベース基板ＢＳが、ＧａＮ、ＳｉＣ等の自立型単結晶基板（例えば、バルク結晶から切り出されたウェハ）で構成され、単結晶基板上にマスクパターン６が配されていてもよい。
【0084】
図２８は、一構成例における半導体基板の製造方法を示す断面図である。図２８では、ベース基板ＢＳ上に、ストライプ状の複数のマスク部５を含むマスクパターン６が設けられている。マスク部５は、例えば幅５２μｍの積層絶縁膜（ＳｉＯｘ／ＳｉＮｘ）からなり、ベース半導体部８のｍ軸方向を長手方向とする。マスク部５のストライプのピッチは５５μｍとしている。マスクパターン６上に、例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧ）とアンモニア（ＮＨ３）を用いた有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）により、ベース半導体部８（窒化物半導体部）を成長させる（ＥＬＯ法）。
【0085】
初期成長部８ｐは、ベース半導体部８の横方向成長の起点となる。初期成長部８ｐは、例えば、３０ｎｍ～１０００ｎｍあるいは５０ｎｍ～４００ｎｍ、または７０ｎｍ～３５０ｎｍの厚さに形成することができる。初期成長部８ｐがマスク部５からわずかに突出している状態から横方向成長させることで、ベース半導体部８のｃ軸方向（厚み方向）への成長を抑え、ベース半導体部８を高速にかつ高結晶性をもって横方向成長させることができ、消費原料も低減する。これにより、低欠陥なベース半導体部８（ＧａＮ等の窒化物半導体の結晶体）を薄くかつ広く、低コストで形成することができる。
【0086】
隣り合う２つの開口部Ｋから逆向きに横方向成長したベース半導体部８同士がマスク部５上で接触（会合）せず、ギャップ（間隙）Ｇをもつことで、ベース半導体部８の内部応力を低減することができる。これにより、ベース半導体部８に生じるクラック、欠陥（転位）を低減することができる。この効果は、主基板１が異種基板である場合に特に効果的となる。ギャップＧの幅は、例えば、１０μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、または２μｍ以下とすることができる。
【0087】
ベース半導体部８のうち、初期成長部８ｐ上に位置する部分は、貫通転位が多い転位継承部となり、マスク部５上の部分（ウイング部）は、転位継承部と比較して貫通転位密度が１／１０以下である低欠陥部ＹＳとなる。貫通転位とは、ベース半導体部８中を、そのｃ軸方向（＜０００１＞方向）に延びる転位（欠陥）である。低欠陥部ＹＳの貫通転位密度は、例えば、５×１０６〔個／ｃｍ２〕以下とすることができる。上述のように、ベース半導体部８の上方に発光部（光共振器ＲＫ）を含む活性部９Ｋを形成する場合は、低欠陥部ＹＳの上方に（平面視で低欠陥部ＹＳと重なるように）光共振器ＲＫを配することができる。
【0088】
低欠陥部ＹＳについては、厚みｄ１に対するａ軸方向のサイズＷ１の比（Ｗ１／ｄ１）を、例えば２．０以上とすることができる。Ｗ１／ｄ１を、１．５以上、２．０以上、４．０以上、５．０以上、７．０以上、あるいは１０．０以上とすることができる。Ｗ１／ｄ１を、１．５以上とすることで、後工程においてベース半導体部８の分割工程（例えば、断面がｍ面となる分割工程）を行い易くできる。また、ベース半導体部８の内部応力が低減し、半導体基板１０の反りが低減する。
【0089】
ベース半導体部８のアスペクト比（厚みに対するＸ方向のサイズの比＝ＷＬ／ｄ１）は、３．５以上、５．０以上、６．０以上、８．０以上、１０以上、１５以上、２０以上、３０以上、あるいは５０以上とすることができる。開口部Ｋの幅ＷＫに対するベース半導体部８のＸ方向のサイズＷＬの比（ＷＬ／ＷＫ）を、３．５以上、５．０以上、６．０以上、８．０以上、１０以上、１５以上、２０以上、３０以上、あるいは５０以上とすることができ、低欠陥部の比率を高めることができる。
【0090】
〔附記事項〕
以上、本開示に係る発明について、諸図面および実施例に基づいて説明してきた。しかし、本開示に係る発明は上述した各実施形態および実施例に限定されるものではない。すなわち、本開示に係る発明は本開示で示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態および実施例にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示に係る発明の技術的範囲に含まれる。つまり、当業者であれば本開示に基づき種々の変形または修正を行うことが容易であることに注意されたい。また、これらの変形または修正は本開示の範囲に含まれることに留意されたい。
以上、本開示に係る発明について、諸図面および実施例に基づいて説明してきた。しかし、本開示に係る発明は上述した各実施形態および実施例に限定されるものではない。すなわち、本開示に係る発明は本開示で示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態および実施例にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示に係る発明の技術的範囲に含まれる。つまり、当業者であれば本開示に基づき種々の変形または修正を行うことが容易であることに注意されたい。また、これらの変形または修正は本開示の範囲に含まれることに留意されたい。
【0091】
〔まとめ〕
本開示の態様１におけるレーザ素子は、サブマウント基板と、前記サブマウント基板の上方に位置するレーザ体と、前記レーザ体の光出射部を覆うガラス材とを備える。
本開示の態様１におけるレーザ素子は、サブマウント基板と、前記サブマウント基板の上方に位置するレーザ体と、前記レーザ体の光出射部を覆うガラス材とを備える。
【0092】
本開示の態様２におけるレーザ素子は、前記態様１において、前記レーザ体は光共振器を含み、前記ガラス材は、前記光共振器の第１共振器端面を覆う。
【0093】
本開示の態様３におけるレーザ素子は、前記態様２において、前記サブマウント基板の厚み方向と、前記第１共振器端面の法線方向とが直交する。
【0094】
本開示の態様４におけるレーザ素子は、前記態様２または３において、前記ガラス材は、前記第１共振器端面と対となる第２共振器端面を覆う。
【0095】
本開示の態様５におけるレーザ素子は、前記態様２から４のいずれか一態様において、前記ガラス材は、前記第１共振器端面と対向する対向部がフラット形状である。
【0096】
本開示の態様６におけるレーザ素子は、前記態様２から４のいずれか一態様において、前記ガラス材は、前記第１共振器端面と対向する対向部が湾曲形状である。
【0097】
本開示の態様７におけるレーザ素子は、前記態様６において、前記対向部が光学レンズとして機能する。
【0098】
本開示の態様８におけるレーザ素子は、前記態様５から７のいずれか一態様において、前記対向部の厚みが、１〔μｍ〕以上である。
【0099】
本開示の態様９におけるレーザ素子は、前記態様１から８のいずれか一態様において、前記ガラス材は、前記サブマウント基板の少なくとも一部に接する。
【0100】
本開示の態様１０におけるレーザ素子は、前記態様１から９のいずれか一態様において、前記ガラス材は、前記サブマウント基板の側面全体を覆う。
【0101】
本開示の態様１１におけるレーザ素子は、前記態様１から１０のいずれか一態様において、前記サブマウント基板は、上面側に位置し、前記レーザ体と電気的に接続する導電性のパッドを含む。
【0102】
本開示の態様１２におけるレーザ素子は、前記態様１１において、前記パッドの少なくとも一部は前記ガラス材と接しない。
【0103】
本開示の態様１３におけるレーザ素子は、前記態様１１または１２において、前記サブマウント基板は、ビアホールを介して前記パッドと電気的に接続する下面電極を含み、前記パッドが前記ガラス材で覆われている。
【0104】
本開示の態様１４におけるレーザ素子は、前記態様２から１３のいずれか一態様において、前記第１共振器端面は、前記サブマウント基板の側面と面一である。
【0105】
本開示の態様１５におけるレーザ素子は、前記態様２から１４のいずれか一態様において、前記第１共振器端面は、前記サブマウント基板の側面よりも内側に位置する。
【0106】
本開示の態様１６におけるレーザ素子は、前記態様２から１５のいずれか一態様において、前記サブマウント基板は、切り欠き部を含む。
【0107】
本開示の態様１７におけるレーザ素子は、前記態様１６において、前記レーザ体から出射したレーザ光が前記切り欠き部を通る。
【0108】
本開示の態様１８におけるレーザ素子は、前記態様１６または１７において、前記切り欠き部に前記ガラス材が充填されている。
【0109】
本開示の態様１９におけるレーザ素子は、前記態様１６から１８のいずれか一態様において、前記第１共振器端面は、前記切り欠き部上に位置する。
【0110】
本開示の態様２０におけるレーザ素子は、前記態様１から１９のいずれか一態様において、前記レーザ体の少なくとも一部は、前記ガラス材から露出している。
【0111】
本開示の態様２１におけるレーザ素子は、前記態様２から２０のいずれか一態様において、前記第１共振器端面が誘電体膜を含む。
【0112】
本開示の態様２２におけるレーザ素子は、前記態様２１において、前記誘電体膜はシリコン系絶縁膜である。
【0113】
本開示の態様２３におけるレーザ素子は、前記態様１から２２のいずれか一態様において、前記サブマウント基板は、シリコン基板、窒化アルミニウム基板、および炭化シリコン基板のいずれか１つを含む。
【0114】
本開示の態様２４におけるレーザ素子は、前記態様１から２３のいずれか一態様において、前記ガラス材は、融点６００℃以下の低融点ガラスからなる。
【0115】
本開示の態様２５におけるレーザ素子は、前記態様１から２４のいずれか一態様において、前記サブマウント基板は、上面側に位置し、前記レーザ体と電気的に接続する導電性のパッドを含み、前記レーザ体に含まれるアノードおよびカソードの少なくとも一方と、前記パッドとがＡｕで構成されている。
【0116】
本開示の態様２６におけるレーザ素子は、前記態様２から２５のいずれか一態様において、前記レーザ体は、窒化物半導体層を含み、前記第１共振器端面は、前記窒化物半導体層のｍ面である。
【0117】
本開示の態様２７におけるレーザモジュールは、前記態様１から２６のいずれか一態様におけるレーザ素子と、前記レーザ素子を支持する支持基板とを含む。
【0118】
本開示の態様２８におけるレーザモジュールは、前記態様２７において、前記支持基板は回路基板である。
【0119】
本開示の態様２９におけるレーザモジュールは、前記態様２７または２８において、前記支持基板は、トレンチ部を含み、前記レーザ体から出射したレーザ光が前記トレンチ部を通る。
【0120】
本開示の態様３０におけるレーザモジュールは、前記態様２７から２９のいずれか一態様において、前記支持基板は、前記ガラス材に接しない。
【0121】
本開示の態様３１におけるレーザ素子の製造方法は、複数のレーザ体がサブマウント基板上に設けられた第１基板を成形装置に配置する工程と、前記成形装置に溶融状態のガラス材を流し込む工程と、前記ガラス材を冷却し、前記複数のレーザ体それぞれの光出射部が固化したガラス材で覆われた第２基板を形成する工程とを含む。
【0122】
本開示の態様３２におけるレーザ素子の製造方法は、前記態様３１において、前記複数のレーザ体それぞれが光共振器を含み、前記第２基板では、前記光共振器の第１共振器端面が前記固化したガラス材で覆われている。
【0123】
本開示の態様３３におけるレーザ素子の製造方法は、前記態様３２において、前記第１共振器端面が鉛直方向に対して平行となる状態で前記ガラス材を流し込む。
【0124】
本開示の態様３４におけるレーザ素子の製造方法は、前記態様３２または３３において、前記第１共振器端面が鉛直方向に対して垂直となる状態で前記ガラス材を流し込む。
【0125】
本開示の態様３５におけるレーザ素子の製造方法は、前記態様３２から３４のいずれか一態様において、前記成形装置は、前記第１共振器端面と向かい合う部分が湾曲している。
【0126】
本開示の態様３６におけるレーザ素子の製造方法は、前記態様３１から３５のいずれか一態様において、前記第２基板を個片化して複数のレーザ素子を得る。
【符号の説明】
【0127】
４０ レーザ素子
Ｅ１ 第１電極
ＥＰ 光出射部
Ｆ１ 第１共振器端面
Ｆ２ 第２共振器端面
ＦＰ 対向部
ＧＭ ガラス材
ＬＢ レーザ光
ＬＴ レーザ体
Ｐ１ 第１パッド
ＳＭ サブマウント基板
ＳＭＳ１ 第１の側面
ＳＭＳ２ 第２の側面
Ｅ１ 第１電極
ＥＰ 光出射部
Ｆ１ 第１共振器端面
Ｆ２ 第２共振器端面
ＦＰ 対向部
ＧＭ ガラス材
ＬＢ レーザ光
ＬＴ レーザ体
Ｐ１ 第１パッド
ＳＭ サブマウント基板
ＳＭＳ１ 第１の側面
ＳＭＳ２ 第２の側面
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】