特開 2024-122877 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024122877

(43)【公開日】2024-09-09

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20240902BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201N

H01G4/30 512

H01G4/30 515

【審査請求】未請求

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024006843

(22)【出願日】2024-01-19

(31)【優先権主張番号】10-2023-0026755

(32)【優先日】2023-02-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ヨー、ジン イェオプ

(72)【発明者】

【氏名】ソン、ヨウン フーン

(72)【発明者】

【氏名】キム、ドン ジュ

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AD04

5E001AE02

5E001AE03

5E001AG02

5E001AJ02

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC33

5E082EE04

5E082EE23

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082FG46

5E082GG10

5E082GG28

5E082PP09

(57)【要約】      （修正有）

【課題】積層型電子部品におけるクラックの発生を抑制する。
【解決手段】積層型電子部品は、誘電体層１１１及び誘電体層と交互に配置される内部電極１２１、１２２を含み、第１面～第６面を含む本体と、本体上に配置される外部電極と、を含み、本体は、誘電体層及び内部電極が第１方向に重なるように配置された容量形成部並びに容量形成部の第３方向の一面及び他面に配置されるマージン部を含み、マージン部は、容量形成部に隣接する第１領域１１４ａ、１１４ｂ、マージン部の外表面に隣接する第３領域１１４ｄ及び第１領域と第３領域との間に配置される第２領域１１４ｃを含み、第１領域に含まれる誘電体の平均グレインサイズをＧ１、第２領域に含まれる誘電体の平均グレインサイズをＧ２、第３領域に含まれる誘電体グレインの平均グレインサイズをＧ３とするとき、Ｇ２＞Ｇ１及びＧ２＞Ｇ３を満たす。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層及び前記誘電体層と交互に配置される内部電極を含み、第１方向に対向する第１及び第２面、前記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、前記第１～第４面と連結され、第３方向に連結される第５及び第６面を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記本体は、前記誘電体層及び前記内部電極が第１方向に重なるように配置された容量形成部、及び前記容量形成部の第３方向の一面及び他面に配置されるマージン部を含み、
前記マージン部は、前記容量形成部に隣接する第１領域、前記マージン部の外表面に隣接する第３領域、及び前記第１領域と前記第３領域との間に配置される第２領域を含み、
前記第１領域に含まれる誘電体グレインの平均グレインサイズをＧ１、前記第２領域に含まれる誘電体グレインの平均グレインサイズをＧ２、前記第３領域に含まれる誘電体グレインの平均グレインサイズをＧ３とするとき、
Ｇ２＞Ｇ１及びＧ２＞Ｇ３を満たす、積層型電子部品。

【請求項2】

前記第１領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ１、前記第２領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ２、前記第３領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ３とするとき、
Ｃ２＞Ｃ１及びＣ２＞Ｃ３を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記Ｃ１、Ｃ２及びＣ３は、
Ｃ２＞Ｃ３＞Ｃ１を満たす、請求項２に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記第１領域は、前記容量形成部に接する第１－１領域及び前記第２領域に隣接する第１－２領域を含み、
前記第１－１領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ１－１、前記第１－２領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ１－２とするとき、
Ｃ２＞Ｃ３＞Ｃ１－２＞Ｃ１－１を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記第１領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉＯイオンの含量の割合をＣ１'、前記第２領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉＯイオンの含量の割合をＣ２'、前記第３領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉＯイオンの含量の割合をＣ３'とするとき、
Ｃ２'＞Ｃ１'＞Ｃ３'を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記マージン部の平均幅は２００μｍ以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

Ｇ２は２μｍ以上５μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記マージン部の外表面から前記第２領域の前記マージン部の外表面に隣接する第３方向の一端までの第３方向の平均距離は、３０μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記第２領域の前記マージン部の外表面に隣接する第３方向の一端から前記第２領域の第３方向の他端までの第３方向の平均距離は、２０μｍ以上１５０μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

誘電体層及び前記誘電体層と交互に配置される内部電極を含み、第１方向に対向する第１及び第２面、前記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、前記第１～第４面と連結され、第３方向に連結される第５及び第６面を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記本体は、前記誘電体層及び前記内部電極が第１方向に重なるように配置された容量形成部、並びに前記容量形成部の第３方向の一面及び他面に配置されるマージン部を含み、
前記マージン部は、前記容量形成部に隣接する第１領域、前記マージン部の外表面に隣接する第３領域、及び前記第１領域と前記第３領域との間に配置される第２領域を含み、
前記第１領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ１、前記第２領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ２、前記第３領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ３とするとき、
Ｃ２＞Ｃ１及びＣ２＞Ｃ３を満たす、積層型電子部品。

【請求項11】

前記Ｃ１、Ｃ２及びＣ３は、
Ｃ２＞Ｃ３＞Ｃ１を満たす、請求項１０に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記第１領域は、前記容量形成部に接する第１－１領域及び前記第２領域に隣接する第１－２領域を含み、
前記第１－１領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ１－１、前記第１－２領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ１－２とするとき、
Ｃ２＞Ｃ３＞Ｃ１－２＞Ｃ１－１を満たす、請求項１０に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記第１領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉＯイオンの含量の割合をＣ１'、前記第２領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉＯイオンの含量の割合をＣ２'、前記第３領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉＯイオンの含量の割合をＣ３'とするとき、
Ｃ２'＞Ｃ１'＞Ｃ３'を満たす、請求項１０に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記マージン部の平均幅は２００μｍ以上である、請求項１０に記載の積層型電子部品。

【請求項15】

前記第２領域に含まれる誘電体グレインの平均グレインサイズをＧ２とするとき、
Ｇ２は２μｍ以上５μｍ以下である、請求項１０に記載の積層型電子部品。

【請求項16】

前記マージン部の外表面から前記第２領域の前記マージン部の外表面に隣接する第３方向の一端までの第３方向の平均距離は、３０μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１０に記載の積層型電子部品。

【請求項17】

前記第２領域のマージン部の外表面に隣接する第３方向の一端から前記第３領域の第３方向の他端までの第３方向の平均距離は、２０μｍ以上１５０μｍ以下である、請求項１０に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話などの様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。

【0003】

電子製品の小型化、スリム化、多機能化により、チップ部品も小型化が求められており、電子部品の実装も高集積化している。このような傾向に応じて実装される電子部品間の空間が最小化している。

【0004】

また、近年、自動車用電装部品に対する業界の関心が高まり、積層セラミックキャパシタも自動車又はインフォテインメントシステムに使用されるために高容量及び高信頼性の特性が求められている。

【0005】

積層型電子部品の誘電体層は、高誘電率を確保するために、ＢａＴｉＯ_３のようなペロブスカイト物質を含むことができる。常温で積層型電子部品に電圧を印加すると、誘電体層に含まれる物質のペロブスカイト結晶構造により、積層型電子部品の厚さ方向には膨張が、幅方向には相対的な収縮が発生する。このような膨張及び収縮は誘電体層のクラックを発生させたり、誘電体と内部電極との間の界面が破断する現象を引き起こす可能性がある。特に、このような問題点は、印加電圧が相対的に高い大型厚膜製品においてより顕著になり得る。

【0006】

したがって、積層型電子部品の誘電体層の膨張及び収縮による応力を緩和し、発生したクラックの経路を変更するための構造的改善が必要な実情である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明のいくつかの目的の一つは、積層型電子部品に電圧を印加する場合、誘電体層の膨張及び収縮によるクラックの発生を抑制することである。

【0008】

本発明のいくつかの目的の一つは、積層型電子部品に発生したクラックが伝播し、容量形成部に損傷を与えることを抑制することである。

【0009】

但し、本発明の目的は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明の一実施例による積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層と交互に配置される内部電極を含み、第１方向に対向する第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、上記第１～第４面と連結され、第３方向に連結される第５及び第６面を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記本体は、上記誘電体層及び上記内部電極が第１方向に重なるように配置された容量形成部及び上記容量形成部の第３方向の一面及び他面に配置されるマージン部を含み、上記マージン部は上記容量形成部に隣接する第１領域、上記マージン部の外表面に隣接する第３領域及び上記第１領域と上記第３領域との間に配置される第２領域を含み、上記第１領域に含まれる誘電体グレインの平均グレインサイズをＧ１、上記第２領域に含まれる誘電体グレインの平均グレインサイズをＧ２、上記第３領域に含まれる誘電体グレインの平均グレインサイズをＧ３とするとき、Ｇ２＞Ｇ１及びＧ２＞Ｇ３を満たす。

【0011】

本発明の一実施例による積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層と交互に配置される内部電極を含み、第１方向に対向する第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、上記第１～第４面と連結され、第３方向に連結される第５及び第６面を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記本体は、上記誘電体層及び上記内部電極が第１方向に重なるように配置された容量形成部、並びに上記容量形成部の第３方向の一面及び他面に配置されるマージン部を含み、上記マージン部は、上記容量形成部に隣接する第１領域、上記マージン部の外表面に隣接する第３領域及び上記第１領域と上記第３領域との間に配置される第２領域を含み、上記第１領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ１、上記第２領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ２、上記第３領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ３とするとき、Ｃ２＞Ｃ１及びＣ２＞Ｃ３を満たす。

【発明の効果】

【0012】

本発明のいくつかの効果の一つは、マージン部自体の強度を向上させることにより、積層型電子部品におけるクラックの発生を抑制することである。

【0013】

本発明のいくつかの効果の一つは、マージン部の特定領域に粒成長領域を形成することにより、発生したクラックの伝播経路を効果的に変更することである。

【0014】

但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本発明の一実施例による積層型電子部品を概略的に示す斜視図である。

【図2】図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図である。

【図3】図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図である。

【図4】一実施例による本体を分解して示す分解斜視図である。

【図5】図２のＡ領域の拡大図である。

【図6】ＴｉＯ_２を塗布する工程を行う時期に応じて吸湿率を測定した結果を示すグラフである。

【図7(a)】一実施例によるマージン部の各領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合を示すグラフである。

【図7(b)】一実施例によるマージン部の各領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉＯイオンの含量の割合を示すグラフである。

【図8(a)】実施例及び比較例によるサンプルの３点曲げ強度を測定する方法を示す模式図である。

【図8(b)】図８（ａ）による３点曲げ強度の測定結果を示すグラフである。

【図9(a)】図８（ａ）による３点曲げ強度の測定で予想されるサンプルの破壊態様を示す模式図である。

【図9(b)】図８（ｂ）による３点曲げ強度の測定で予想されるサンプルの破壊態様を示す模式図である。

【図10(a)】ＴｉＯ_２をｋ ｓｑｕａｒｅの上面に塗布した実施例と、ＴｉＯ_２を塗布しなかったｋ ｓｑｕａｒｅサンプルである比較例において、温度に応じて現れる特性の変化を測定したものである。

【図10(b)】ＴｉＯ_２をｋ ｓｑｕａｒｅの上面に塗布した実施例と、ＴｉＯ_２を塗布しなかったｋ ｓｑｕａｒｅサンプルである比較例において、温度に応じて現れる特性の変化を測定したものである。

【図10(c)】ＴｉＯ_２をｋ ｓｑｕａｒｅの上面に塗布した実施例と、ＴｉＯ_２を塗布しなかったｋ ｓｑｕａｒｅサンプルである比較例において、温度に応じて現れる特性の変化を測定したものである。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさ等は、より明確な説明のために誇張されることがあり、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。

【0017】

そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素に対しては、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。

【0018】

図面において、第１方向は、誘電体層を挟んで第１及び第２内部電極が交互に配置される方向又は厚さＴ方向、上記第１方向と垂直な方向である第２方向及び第３方向のうち、上記第２方向は長さＬ方向、上記第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。

【0019】

図１は、本発明の一実施例による積層型電子部品を概略的に示す斜視図であり、図２は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図であり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図であり、図４は、一実施例による本体を分解して示す分解斜視図であり、図５は、図２のＡ領域の拡大図であり、図６は、ＴｉＯ_２を塗布する工程を行う時期に応じて吸湿率を測定した結果を示すグラフであり、図７（ａ）は、一実施例によるマージン部の各領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合を示すグラフであり、図７（ｂ）は、一実施例によるマージン部の各領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉＯイオンの含量の割合を示すグラフである。

【0020】

以下では、図１～図７を参照して本発明の一実施例による積層型電子部品１００について詳細に説明する。

【0021】

本体１１０は、誘電体層１１１及び誘電体層１１１と交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２を含む。

【0022】

本体１１０の具体的な形状に特に限定はないが、図示のように本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

【0023】

本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面１、２と連結され、第２方向に互いに対向する第３及び第４面３、４、第１及び第２面１、２と連結され、第３及び第４面３、４と連結され、第３方向に互いに対向する第５及び第６面５、６を有することができる。

【0024】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

【0025】

本発明の一実施形態によれば、上記誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り特に限定されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。上記チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）等が挙げられる。

【0026】

また、上記誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などのパウダーに、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。

【0027】

本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２が第１方向に重なる領域である容量形成部Ａｃを含むことができる。

【0028】

容量形成部Ａｃは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であって、誘電体層１１１を挟んで複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を繰り返し積層して形成することができる。

【0029】

一実施例において、上記容量形成部Ａｃの第１方向の一面には上部カバー部１１２が配置されることができ、上記容量形成部Ａｃの第１方向の他面には下部カバー部１１３を含むことができる。

【0030】

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0031】

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は内部電極を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。

【0032】

すなわち、上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0033】

カバー部１１２、１１３の厚さは特に限定する必要はないが、カバー部１１２、１１３の平均厚さは５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。ここで、カバー部１１２、１１３の平均厚さは、第１カバー部１１２及び第２カバー部１１３のそれぞれの平均厚さを意味することができる。

【0034】

カバー部１１２、１１３の平均厚さは第１方向のサイズを意味することができ、容量形成部Ａｃの上部又は下部において等間隔の５個の地点で測定したカバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを平均した値であることができる。

【0035】

図３を参照すると、一実施例において、上記容量形成部Ａｃの第３方向の一面及び他面にはマージン部１１４、１１５が配置されることができる。

【0036】

図３に示すように、マージン部１１４、１１５は、第１及び第２内部電極１２１、１２２の第３方向の両端と本体１１０の境界面との間の第３方向領域を意味することができる。

【0037】

マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0038】

マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成される箇所を除き、導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することにより形成されたものであってもよい。

【0039】

また、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成することもできる。

【0040】

一方、マージン部１１４、１１５の平均幅は特に限定する必要はないが、マージン部１１４、１１５の平均幅ｄｍは１０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。

【0041】

マージン部１１４、１１５の平均幅ｄｍは、マージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができ、容量形成部Ａｃの側面において等間隔の５個の地点で測定したマージン部１１４、１１５の第３方向のサイズを平均した値であることができる。

【0042】

内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と第１方向に交互に配置される。内部電極１２１、１２２は、第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むことができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ連結されることができる。具体的に、第１内部電極１２１の一端は第３面に連結され、第２内部電極１２２の一端は第４面に連結されることができる。すなわち、一実施例において、内部電極１２１、１２２は、第３面３又は第４面４と接することができる。

【0043】

図２に示すように、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出し、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0044】

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２と連結される。したがって、第１内部電極１２１は第４面４において一定距離離隔して形成され、第２内部電極１２２は第３面３において一定距離離隔して形成されることができる。このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されてもよい。

【0045】

このとき、本体１１０において、第１内部電極１２１の第２方向の端から第４面４の間、第２内部電極１２２の第２方向の端から第３面３の間をマージン部１１４、１１５とすることができる。

【0046】

図４を参照すると、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。

【0047】

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に限定されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

【0048】

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

【0049】

外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面又は第４面に配置されることができる。具体的に、第１外部電極１３１は第３面３上に配置されて第１内部電極１２１と連結され、第２外部電極１３２は第４面４上に配置されて第２内部電極１２２と連結される。

【0050】

本実施形態では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

【0051】

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように、電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに多層構造を有してもよい。

【0052】

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層及び電極層上に形成されためっき層を含むことができる。

【0053】

電極層に対するより具体的な例を挙げると、電極層は、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であってもよく、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。

【0054】

また、電極層は、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次形成された形態であってもよい。また、電極層は、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されてもよく、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

【0055】

電極層に含まれる導電性金属としては、電気伝導性に優れた材料を使用することができるが、特に限定されない。例えば、導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）及びそれらの合金のうち一つ以上であってもよい。

【0056】

めっき層は実装特性を向上させる役割を果たす。めっき層の種類は特に限定されず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ及びこれらの合金のうち一つ以上を含むめっき層であってもよく、複数の層で形成されてもよい。

【0057】

めっき層に対するより具体的な例を挙げると、めっき層は、Ｎｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよい。また、めっき層は、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含んでもよい。

【0058】

第１及び第２内部電極１２１、１２２の平均厚さ及び誘電体層１１１の平均厚さは様々な値を有することができる。具体的に、ＩＴ用積層型電子部品の場合、第１及び第２内部電極１２１、１２２の平均厚さ及び誘電体層１１１の平均厚さはそれぞれ０．３５μｍ以下であることができ、高電圧電装用積層型電子部品の場合は、ＩＴ用積層型電子部品よりも第１及び第２内部電極１２１、１２２の平均厚さ及び誘電体層１１１の平均厚さが大きい値を有することができる。

【0059】

一般的に、高電圧電装用積層型電子部品は、高電圧環境下での絶縁破壊電圧の低下による信頼性の低下が主なイシューである。一実施例では、第１及び第２内部電極１２１、１２２の平均厚さをｔｅ、誘電体層１１１の平均厚さをｔｄとしたとき、ｔｄ＞２×ｔｅを満たすことで、内部電極１２１、１２２間の距離である誘電体層１１１の厚さｔｄを増加させて絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。

【0060】

一方、第１及び第２内部電極１２１、１２２の平均厚さ及び誘電体層１１１の平均厚さの絶対値は特に限定されない。一実施例において、第１及び第２内部電極１２１、１２２の平均厚さをｔｅ、誘電体層１１１の平均厚さをｔｄとしたとき、ｔｅは１μｍ未満であり、ｔｄは２．８μｍ未満であることができる。

【0061】

上記誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の第１方向の平均サイズを意味することができる。一方、本体１１０が複数の誘電体層１１１を含む場合、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、複数の誘電体層１１１のうち少なくとも一つの平均厚さを意味することができる。

【0062】

誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層を長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定し、平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層に拡張して平均値を測定すると、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0063】

上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズを意味することができる。一方、本体１１０が複数の内部電極１２１、１２２を含む場合、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｄは、複数の内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つの平均厚さを意味することができる。

【0064】

内部電極１２１、１２２の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極を長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定し、平均値を測定することができる。上記等間隔の３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0065】

図３を参照すると、本発明の一実施例によるマージン部１１４、１１５は、それぞれ異なる３つ以上の領域に区分することができる。図４は、第１マージン部１１４を基準にマージン部の各領域を示したものであるが、第２マージン部１１５にも同様に適用することができる。

【0066】

積層型電子部品の誘電体層は、高誘電率を確保するために、ＢａＴｉＯ_３のようなペロブスカイト物質を含むことができる。常温で積層型電子部品に電圧を印加すると、誘電体層に含まれる物質のペロブスカイト結晶構造により、積層型電子部品の厚さ方向には膨張が、幅方向には相対的な収縮が発生する。このような膨張及び収縮は誘電体層のクラックを発生させたり、誘電体と内部電極との間の界面が破断（ｆｒａｃｔｕｒｅ）する現象を引き起こす可能性がある。特に、このような問題点は、印加電圧が相対的に高い大型厚膜製品においてより顕著になり得る。

【0067】

そこで、本発明では、マージン部の各領域による粒成長の程度又はＴｉイオンの含量を調節することにより、積層型電子部品の膨張及び収縮による応力を緩和し、クラックが発生した場合、クラックの経路変更を誘導して容量形成部 Ａｃにクラックが伝播する現象を抑制しようとする。

【0068】

本発明の一実施例によるマージン部１１４は、容量形成部Ａｃに隣接する第１領域１１４ａ、１１４ｂ、マージン部１１４の外表面に隣接する第３領域１１４ｄ、第１領域１１４ａ、１１４ｂと第３領域１１４ｄとの間に配置される第２領域１１３ｃを含むことができる。このとき、第１領域１１４ａ、１１４ｂに含まれる誘電体グレインの平均グレインサイズをＧ１、第２領域１１４ｃに含まれる誘電体グレインの平均グレインサイズをＧ２、上記第３領域１１４ｄに含まれる誘電体グレインの平均グレインサイズをＧ３とするとき、Ｇ２＞Ｇ１及びＧ２＞Ｇ３を満たす。これにより、マージン部１１４自体の強度を向上させることによりクラックの発生を抑制することができ、発生したクラックが容量形成部Ａｃに伝播しないようにクラックの経路変更を誘導することができる。

【0069】

第１領域～第３領域１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄを区分する方法は特に限定されない。例えば、積層型電子部品１００の第２方向の中心部まで研磨した第１方向及び第３方向の断面において、光学顕微鏡（ＯＭ、Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）のダークフィールド（ｄａｒｋ ｆｉｅｌｄ）モードを通じてＴｉが拡散し、粒成長した層が他のマージン部領域よりも暗く観察されるようにしたり、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）の場合、研磨によりマージン部誘電体のグレインバウンダリを明確にし、誘電体の平均グレインサイズを直接測定して区分することができる。このとき、誘電体の平均グレインサイズは、各領域別に第１方向に任意の間隔である５つ以上の領域で測定した平均値であることができる。

【0070】

第１領域～第３領域１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄを区分するさらに他の方法としては、二次イオン質量分析器（ＳＩＭＳ、Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いてＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合を測定する方法がある。

【0071】

第１領域～第３領域１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄを区分するさらに他の方法としては、Ｘ線光電子分析（Ｘ－Ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）のＤｅｐｔｈ Ｐｒｏｆｉｇｌｉｎｇを用いてマージン部１１４の外表面から容量形成部までの各領域において、深さ別にＴｉ元素の含量を測定することにより区分することもできる。

【0072】

Ｇ２＞Ｇ１及びＧ２＞Ｇ３を満たすように第１～第３領域１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄに含まれる誘電体グレインサイズを調節する方法は特に限定されない。一例として、バインダー及びＴｉＯ_２ゾル（ｓｏｌ）を混合してマージン部１１４の外表面に塗布した後、焼成によってＴｉ又はＴｉＯイオンの拡散を誘導し、第１～第３領域１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄに含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量を調節することにより、第２領域１１４ｃに粒成長領域を形成させることができる。

【0073】

焼成過程でマージン部１１４に含まれる誘電体グレインのグレインバウンダリにＴｉ－ｒｉｃｈ液体層が形成される場合、誘電体グレインの急速な成長が起こることができ、これは第２領域１１４ｃを粒成長領域として形成する方法になり得る。

【0074】

すなわち、本発明の一実施例による積層型電子部品では、第１領域１１４ａ、１１４ｂに含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ１、第２領域１１４ｃに含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ２、第３領域１１４ｄに含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ３とするとき、Ｃ２＞Ｃ１及びＣ２＞Ｃ３を満たすことができる。これにより、上記第１領域～第３領域において、第２領域１１４ｃが粒成長領域となるように形成することができ、マージン部１１４自体の強度を向上させることによりクラックの発生を抑制することができ、発生したクラックが容量形成部Ａｃに伝播しないようにクラックの経路変更を誘導することができる。

【0075】

第１領域～第３領域１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄの粒成長又はＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合を調節する方法は特に限定されない。例えば、領域が区分されていないマージン部１１４の外表面にバインダーを添加したＴｉＯ_２ゾル混合液を、ブラシを用いたｐａｉｎｔｉｎｇ、ｄｉｐｐｉｎｇ又はｒｏｌｌｅｒを用いて塗布し、マージン部１１４の内部に拡散させて第１領域～第３領域１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄの粒成長又はＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合を調節することができる。

【0076】

このとき、本体１１０の工程状態によってＴｉＯ_２の吸湿率に差が生じることがあるが、これはバインダー成分の蒸発量によるマージン部１１４の空隙率の変化によるものと予想される。

【0077】

図６は、ＴｉＯ_２を塗布する工程を行う時期に応じて吸湿率を測定した結果を示すグラフである。各チップの工程状態によってＴｉＯ_２ゾルの塗布力に差が発生し、工程状態による吸湿率の差を確認するために、図６による吸湿率の評価は、６０℃、相対湿度０％で１０時間維持して脱湿を行った後、６０℃、相対湿度８５％で１０時間の間維持した。

【0078】

内部電極及び誘電体層が積層された状態で切断されたチップをグリーンチップ、３００℃以上で８０時間未満の仮焼をした状態のチップを１次仮焼チップ、１次仮焼後６００℃以上で５時間以上の仮焼をしたチップを２次仮焼チップ、２次仮焼後１０００度以上で１次焼成したチップをＴＳＳ（ｔｗｏ ｓｔｅｐ ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）チップとした。

【0079】

図６を参照すると、初期のＴｉＯ_２吸湿率は、２次仮焼チップ、１次仮焼チップ、グリーンチップ、ＴＳＳチップの順に減少することが確認でき、２次仮焼チップのＴｉＯ_２初期吸湿率が最も高いことが確認できる。したがって、２次仮焼チップにＴｉＯ_２を塗布することが粒成長領域である第２領域１１４ｃを形成する上で最も有利であり得る。

【0080】

図７（ａ）は、一実施例によるマージン部の各領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合を示すグラフであり、図７（ｂ）は、一実施例によるマージン部の各領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉＯイオンの含量の割合を示すグラフである。

【0081】

マージン部１１４の各領域におけるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量、又はＢａイオンの含量に対するＴｉＯイオンの含量は、上述したようにＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いてＢａイオンのｉｎｔｅｎｓｉｔｙに対するＴｉイオン、又はＴｉＯイオンのｉｎｔｅｎｓｉｔｙの割合で算出することができ、その単位はａｒｂｉｔｒａｒｙ ｕｎｉｔに該当する。

【0082】

具体的に、積層型電子部品１００を第２方向の中心部まで研磨して第１方向及び第３方向の面を露出させた後、マージン部１１４の外表面から容量形成部Ａｃまで第３方向に沿ってスパッタリングしながら、発生する二次イオンを質量分析器で分析することにより、Ｂａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合又はＢａイオンの含量に対するＴｉＯイオンの含量の割合を測定することができる。

【0083】

上記マージン部１１４の各領域におけるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合、又はＢａイオンの含量に対するＴｉＯイオンの含量の割合は、第１方向に任意の地点で５回以上測定を行い、平均値をとることでさらに一般化することができる。

【0084】

図７の（ａ）及び（ｂ）を参照すると、第２領域１１４ｃに粒成長領域が形成されたことが確認でき、第１領域及び第３領域１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｄには非粒成長領域が形成されたことが確認できる。このとき、粒成長領域とは、誘電体グレインの平均サイズが２μｍ以上５μｍ以下である領域を意味し、非粒成長領域とは、誘電体グレインの平均サイズが２μｍ未満である場合を意味することができる。

【0085】

図７の（ａ）及び（ｂ）を参照すると、一実施例において、第１領域１１４ａ、１１４ｂに含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ１、第２領域１１４ｃに含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ２、第３領域１１４ｄに含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ３とするとき、Ｃ２＞Ｃ１及びＣ２＞Ｃ３を満たすことが確認できる。これにより、上記第１領域～第３領域において、第２領域１１４ｃが粒成長領域となるように形成することができ、マージン部１１４自体の強度を向上させることによりクラックの発生を抑制することができ、発生したクラックが容量形成部Ａｃに伝播しないようにクラックの経路変更を誘導することができる。

【0086】

一実施例において、第１領域１１４ａ、１１４ｂは、容量形成部Ａｃに接する第１－１領域１１４ａ及び第２領域１１４ｃに隣接する第１－２領域１１４ｂを含むことができる。

【0087】

このとき、上記第１－１領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ１－１、上記第１－２領域に含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合をＣ１－２とするとき、Ｃ２＞Ｃ３＞Ｃ１－２＞Ｃ１－１を満たすことができる。これにより、マージン部１１４を互いに異なる平均誘電体粒径を有する４つの領域に区分することができ、マージン部１１４自体の強度向上効果及び発生し得るクラックの経路変更誘導効果がさらに顕著になり得る。

【0088】

一方、マージン部１１４に含まれるＴｉイオンの一部は、拡散中に大気中の酸素と結合してＴｉＯイオンの形態で存在することができる。図７の（ａ）及び（ｂ）を参照すると、一実施例において、第１領域１１４ａ、１１４ｂに含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉＯイオンの含量の割合をＣ１'、第２領域１１４ｃに含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉＯイオンの含量の割合をＣ２'、第３領域１１４ｄに含まれるＢａイオンの含量に対するＴｉＯイオンの含量の割合をＣ３'とするとき、Ｃ２'＞Ｃ１'＞Ｃ３'を満たすことができる。

【0089】

図５を参照すると、マージン部１１４の平均幅ｄｍと第２領域１１４ｃの形成位置をｄ１及びｄ２を用いて定義することができる。

【0090】

一実施例において、マージン部１１４の外表面から第２領域１１４ｃのマージン部１１４の外表面に隣接する第３方向の一端までの第３方向の平均距離ｄ１は３０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。これにより、Ｂａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合が周辺領域よりも高い、又は誘電体グレインの平均グレインサイズが周辺よりも大きい第２領域１１４ｃを適切な位置に配置することにより、マージン部１１４自体の強度向上効果及び発生し得るクラックの経路変更誘導効果がさらに顕著になり得る。

【0091】

一実施例において、第２領域１１４ｃのマージン部１１４の外表面に隣接する第３方向の一端から第２領域１１４ｃの第３方向の他端までの第３方向の平均距離ｄ２－ｄ１は、２０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。これにより、Ｂａイオンの含量に対するＴｉイオンの含量の割合が周辺領域よりも高い、又は誘電体グレインの平均グレインサイズが周辺よりも大きい第２領域１１４ｃが、マージン部１１４で占める比重を適切に調節することにより、マージン部１１４自体の強度向上効果及び発生し得るクラックの経路変更誘導効果がさらに顕著になり得る。

【0092】

一実施例において、マージン部１１４の平均幅は２００μｍ以上であってもよい。マージン部の平均幅が２００μｍ以上である大型サイズの積層型電子部品の場合、中型又は小型サイズの積層型電子部品に比べて相対的に高い電圧が印加されることができる。印加電圧が高い場合、誘電体層１１１の収縮及び膨張の程度が増加して誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２の間が破断する現象、及び誘電体層１１１のクラックが発生する現象がさらに深化する可能性がある。本発明の実施例によれば、マージン部１１４の各領域による粒成長の程度又はＴｉイオンの含量を調節することにより、積層型電子部品の膨張及び収縮による応力を緩和し、クラックが発生した場合、クラックの経路変更を誘導するため、マージン部１１４の平均幅ｄｍが２００μｍ以上である高圧、大型製品の場合でも、容量形成部Ａｃへのクラックの伝播を抑制することができる。

【0093】

（実施例１）
図８（ａ）は、実施例及び比較例によるサンプルの３点曲げ強度を測定する方法を示す模式図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）による３点曲げ強度の測定結果を示すグラフであり、図９の（ａ）及び（ｂ）は、図８の（ａ）及び（ｂ）による３点曲げ強度の測定で予想されるサンプルの破壊態様を示す模式図である。

【0094】

実施例１－１は、ｋ ｓｑｕａｒｅの上面にＴｉＯ_２層を形成して焼成した場合、実施例１－２は、ｋ ｓｑｕａｒｅの下面にＴｉＯ_２層を形成して焼成した場合、比較例１－１は、ｋ ｓｑｕａｒｅの上面又は下面にＴｉＯ_２層を形成しなかった場合である。

【0095】

ｋ ｓｑｕａｒｅとは、本発明の一実施例による誘電体層１１１と同じ成分を含み、２次仮焼まで進行して形成された１０×５×１ｍｍ^３サイズの均一で等方性のあるサンプルを意味する。

【0096】

実施例１－１、実施例１－２、比較例１－１の各サンプルは、図８（ａ）に示す模式図のように３点曲げ強度の評価が行われており、具体的には、一定速度で治具を下げながら各サンプルに押し込まれた深さを力として認識する方式で測定が行われる。治具がサンプルの表面に到達した後には、加えられる力が増加するが、各サンプルが破壊するときの力（破壊力）を測定した。図８（ｂ）を参照すると、実施例１－１の場合は破壊力の平均値が４９．１（Ｎ）、実施例１－２の場合は破壊力の平均値が３５．１（Ｎ）、比較例１－１の場合は破壊力の平均値が３２．４（Ｎ）であることが確認できる。

【0097】

図９（ａ）は、ｋ ｓｑｕａｒｅにおいて誘電体グレインのグレインバウンダリで破壊が起こった場合を想定したものであり、図９（ｂ）は、ｋ ｓｑｕａｒｅにおいて誘電体グレインの内部で破壊が起こった場合を想定したものである。実施例１－２はｋ ｓｑｕａｒｅの下面にＴｉＯ_２層を形成して焼成した場合であり、比較例１－１と破壊力値において大きな差はないが、実施例１－１はｋ ｓｑｕａｒｅの上面にＴｉＯ_２層を形成して焼成した場合であって、上面に含まれる誘電体グレインが下面に含まれる誘電体グレインより大きく、最初のクラック発生源Ｐから一定距離離隔した領域に粒成長領域が形成されており、クラックの伝播経路を変更することができるため、破壊力値が比較例１－１より高いことが確認できる。

【0098】

このような結果を本発明の一実施例による積層型電子部品１００に適用すると、粒成長領域である第２領域１１４ｃをマージン部の最外層や容量形成部Ａｃに接して配置する場合は実施例１－２のような場合に該当し、クラックの伝播経路を変更する効果が不足するのに対し、粒成長領域である第２領域１１４ｃが非粒成長領域である第１領域１１４ａ、１１４ｂと第３領域１１４ｃの間に配置される場合には、実施例１－１のような場合に該当してクラックの伝播経路を変更する効果に優れる。

【0099】

（実施例２）
図１０の（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれＴｉＯ_２をｋ ｓｑｕａｒｅの上面に塗布した実施例と、ＴｉＯ_２を塗布しなかったｋ ｓｑｕａｒｅサンプルである比較例において、温度に応じて現れる特性の変化を測定したものである。

【0100】

実施例２－１、２－２、２－３はＴｉＯ_２をｋ ｓｑｕａｒｅの上面に塗布して焼成したサンプルを使用し、比較例２－１、２－２、２－３はｋ ｓｑｕａｒｅに上面又は下面にＴｉＯ_２を塗布せずに焼成したサンプルを使用した。

【0101】

比較例２－１、実施例２－１は常温（ＲＴ）で各特性の変化を測定した結果であり、比較例２－２、実施例２－２は１５０℃で各特性の変化を測定した結果であり、比較例２－３、実施例２－３は５００℃で各特性の変化を測定した結果である。

【0102】

実施例１で行った３点曲げ強度の評価方法において、引張特性は、３点曲げ強度試験でサンプルの破断直前までの押し込まれた深さを測定した値であり、このときのＳｔｒｅｓｓとしてＦｌｅｘｕｒａｌ ｓｔｒｅｎｇｔｈ（ＭＰａ）値を測定し、靭性（Ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）は、同じ測定法でｓｔｒｅｓｓ－ｓｔｒａｉｎカーブの面積を計算して測定した。

【0103】

図１０の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の結果を参照すると、引張強度、曲げ強度、靭性特性において、実施例２－１、２－２、２－３が比較例２－１、２－２、２－３と比べて向上することが確認できる。

【0104】

このような結果を本発明の一実施例による積層型電子部品１００に適用すると、粒成長領域である第２領域１１４ｃが非粒成長領域である第１領域１１４ａ、１１４ｂと第３領域１１４ｃとの間に配置される場合、マージン部１１４自体の引張強度、曲げ強度、引張特性を向上させることができるため、積層型電子部品１００におけるクラックの発生を抑制することができる。

【0105】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定するものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。

【0106】

また、本発明で使用される「一実施例」という表現は、互いに同じ実施例を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施例は、他の一実施例の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施例で説明された事項が他の一実施例に説明されていなくても、他の一実施例においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施例に関連する説明として理解することができる。

【0107】

本発明で使用される用語は、単に一実施例を説明するために使用されたものであって、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0108】

１００：積層型電子部品
１１１：誘電体層
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１１４ａ、１１４ｂ：第１－１領域及び第１－２領域
１１４ｃ：第２領域
１１４ｄ：第３領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7(a)】

【図7(b)】

【図8(a)】

【図8(b)】

【図9(a)】

【図9(b)】

【図10(a)】

【図10(b)】

【図10(c)】