▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024122897
(43)【公開日】2024-09-09
(54)【発明の名称】積層型電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20240902BHJP
H01C 7/02 20060101ALI20240902BHJP
H01C 7/04 20060101ALI20240902BHJP
H01C 7/10 20060101ALI20240902BHJP
H01F 27/29 20060101ALI20240902BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201G
H01G4/30 513
H01G4/30 516
H01G4/30 201C
H01G4/30 201D
H01G4/30 201F
H01C7/02
H01C7/04
H01C7/10
H01F27/29 123
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024023158
(22)【出願日】2024-02-19
(31)【優先権主張番号】10-2023-0026870
(32)【優先日】2023-02-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ユン、ヒュン ドゥク
(72)【発明者】
【氏名】ジェオン、ビュン ジュン
(72)【発明者】
【氏名】パク、チャエ ミン
(72)【発明者】
【氏名】セオ、ヨン ウォン
(72)【発明者】
【氏名】ジュン、ホ イン
(72)【発明者】
【氏名】チョ、ア ラ
【テーマコード（参考）】
5E001
5E034
5E070
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC04
5E001AC10
5E001AD04
5E001AE01
5E001AE02
5E001AE03
5E001AE04
5E001AF06
5E001AH01
5E001AH05
5E001AH06
5E001AH07
5E001AH09
5E001AJ01
5E001AJ02
5E034DA07
5E034DC05
5E070AA01
5E070AB03
5E070CB13
5E070CB18
5E070EA01
5E070EB04
5E082AA01
5E082AB03
5E082BC14
5E082BC33
5E082EE04
5E082EE05
5E082EE23
5E082EE35
5E082FG03
5E082FG26
5E082FG46
5E082GG10
5E082GG11
5E082GG28
5E082JJ06
5E082JJ12
5E082JJ23
5E082KK01
5E082PP03
(57)【要約】 （修正有）
【課題】内部電極と外部電極の連結性を向上させて積層型電子部品の電気的特性を改善し、積層型電子部品の本体に発生する放射クラックを抑制し、また、本体内部に水素が浸透することを抑制する。
【解決手段】積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び誘電体層１１１と第１方向に交互に配置され、Ｎｉを含む内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結される外部電極１３１、１３２と、を含む。外部電極１３１、１３２は、Ｎｉ及びＰｄを含む基礎電極層１３１ａ、１３２ａを含み、内部電極１２１、１２２は、第１領域１２１ａ、１２２ａを含み、第１領域１２１ａ、１２２ａに含まれるＰｄの含量は、上記内部電極１２１、１２２において第１領域１２１ａ、１２２ａを除いた残りの領域に含まれるＰｄの含量より大きい。
【選択図】図２
【解決手段】積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び誘電体層１１１と第１方向に交互に配置され、Ｎｉを含む内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結される外部電極１３１、１３２と、を含む。外部電極１３１、１３２は、Ｎｉ及びＰｄを含む基礎電極層１３１ａ、１３２ａを含み、内部電極１２１、１２２は、第１領域１２１ａ、１２２ａを含み、第１領域１２１ａ、１２２ａに含まれるＰｄの含量は、上記内部電極１２１、１２２において第１領域１２１ａ、１２２ａを除いた残りの領域に含まれるＰｄの含量より大きい。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体層及び前記誘電体層と第１方向に交互に配置され、Ｎｉを含む内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置され、前記内部電極と連結される外部電極とを含み、
前記外部電極は、Ｎｉ及びＰｄを含む基礎電極層を含み、
前記内部電極は、第１領域を含み、前記第１領域に含まれたＰｄの含量は、前記内部電極において前記第１領域を除いた残りの領域に含まれたＰｄの含量より大きい、
積層型電子部品。
前記本体上に配置され、前記内部電極と連結される外部電極とを含み、
前記外部電極は、Ｎｉ及びＰｄを含む基礎電極層を含み、
前記内部電極は、第１領域を含み、前記第１領域に含まれたＰｄの含量は、前記内部電極において前記第１領域を除いた残りの領域に含まれたＰｄの含量より大きい、
積層型電子部品。
【請求項2】
前記第１領域に含まれたＰｄの含量は、０．５ａｔ％以上である、
請求項１に記載の積層型電子部品。
請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項3】
前記第１領域に含まれたＰｄの含量は、３．０ａｔ％以下である、
請求項１または２に記載の積層型電子部品。
請求項１または２に記載の積層型電子部品。
【請求項4】
前記第１領域は、前記第１領域に含まれたＰｄの含量より大きい含量のＮｉを含む、
請求項１または２に記載の積層型電子部品。
請求項１または２に記載の積層型電子部品。
【請求項5】
前記内部電極のうち少なくとも一部は、前記第１領域を複数個含む、
請求項１または２に記載の積層型電子部品。
請求項１または２に記載の積層型電子部品。
【請求項6】
前記本体は、前記第１方向に向かい合う第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に向かい合う第３面及び第４面、前記第１面から前記第４面と連結され、第３方向に向かい合う第５面及び第６面を含み、
前記外部電極は、前記第３面及び前記第４面に配置される、
請求項１または２に記載の積層型電子部品。
前記外部電極は、前記第３面及び前記第４面に配置される、
請求項１または２に記載の積層型電子部品。
【請求項7】
前記第１領域は、前記内部電極と前記外部電極の界面から前記第２方向に６．５μｍ以内の領域に配置される、
請求項６に記載の積層型電子部品。
請求項６に記載の積層型電子部品。
【請求項8】
前記基礎電極層は、第２領域をさらに含み、前記第２領域に含まれたＰｄの含量は、前記基礎電極層において前記第２領域を除いた残りの領域に含まれたＰｄの含量より大きい、
請求項１または２に記載の積層型電子部品。
請求項１または２に記載の積層型電子部品。
【請求項9】
前記基礎電極層は、前記第２領域を複数個含む、
請求項８に記載の積層型電子部品。
請求項８に記載の積層型電子部品。
【請求項10】
前記内部電極及び前記基礎電極層は、それぞれＮｉを主成分として含む、
請求項１または２に記載の積層型電子部品。
請求項１または２に記載の積層型電子部品。
【請求項11】
前記基礎電極層は、前記本体と隣接した第１層及び前記第１層上に配置される第２層を含み、
前記第１層に含まれたＰｄの含量は、前記第２層に含まれたＰｄの含量より大きい、
請求項１または２に記載の積層型電子部品。
前記第１層に含まれたＰｄの含量は、前記第２層に含まれたＰｄの含量より大きい、
請求項１または２に記載の積層型電子部品。
【請求項12】
前記基礎電極層は、前記第１面の延長線と前記第２面の延長線の間に配置される、
請求項６に記載の積層型電子部品。
請求項６に記載の積層型電子部品。
【請求項13】
前記基礎電極層は、前記内部電極と連結され、
前記外部電極は、前記基礎電極層上に配置され、Ｃｕ及びガラスを含む中間電極層を含む、
請求項６に記載の積層型電子部品。
前記外部電極は、前記基礎電極層上に配置され、Ｃｕ及びガラスを含む中間電極層を含む、
請求項６に記載の積層型電子部品。
【請求項14】
前記中間電極層は、前記第１面及び前記第２面の少なくとも一部に延長して配置される、
請求項１３に記載の積層型電子部品。
請求項１３に記載の積層型電子部品。
【請求項15】
前記外部電極は、前記中間電極層上に配置されるめっき層をさらに含む、
請求項１３に記載の積層型電子部品。
請求項１３に記載の積層型電子部品。
【請求項16】
誘電体層及び前記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含み、前記第１方向に向かい合う第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に向かい合う第３面及び第４面、前記第１面から前記第４面と連結され、第３方向に向かい合う第５面及び第６面を含む本体と、
前記第３面及び前記第４面に配置される外部電極とを含み、
前記内部電極は、第１領域を含み、前記第１領域に含まれたＰｄの含量は、前記内部電極において前記第１領域を除いた残りの領域に含まれたＰｄの含量より大きく、
前記第１領域は、前記内部電極と前記外部電極の界面に隣接した領域に配置され、前記内部電極の第２方向中央領域には配置されない、
積層型電子部品。
前記第３面及び前記第４面に配置される外部電極とを含み、
前記内部電極は、第１領域を含み、前記第１領域に含まれたＰｄの含量は、前記内部電極において前記第１領域を除いた残りの領域に含まれたＰｄの含量より大きく、
前記第１領域は、前記内部電極と前記外部電極の界面に隣接した領域に配置され、前記内部電極の第２方向中央領域には配置されない、
積層型電子部品。
【請求項17】
前記第１領域は、前記内部電極と前記外部電極の界面から前記第２方向に６．５μｍ以内の領域に配置される、
請求項１６に記載の積層型電子部品。
請求項１６に記載の積層型電子部品。
【請求項18】
前記第１領域に含まれたＰｄの含量は、０．５ａｔ％以上である、
請求項１６または１７に記載の積層型電子部品。
請求項１６または１７に記載の積層型電子部品。
【請求項19】
前記第１領域に含まれたＰｄの含量は、３．０ａｔ％以下である、
請求項１６または１７に記載の積層型電子部品。
請求項１６または１７に記載の積層型電子部品。
【請求項20】
前記外部電極は、複数の前記内部電極と連結され、Ｎｉ及びＰｄを含む基礎電極層及び前記基礎電極層上に配置され、Ｃｕ及びガラスを含む中間電極層を含む、
請求項１６または１７に記載の積層型電子部品。
請求項１６または１７に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話など、様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電または放電させる役割を達成するチップ型のコンデンサである。
【0003】
積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという長所により、様々な電子装置の部品として用いられることができる。コンピュータ、モバイル機器など各種の電子機器が小型化、高出力化されることにより、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求も増大している。
【0004】
従来の一般的な積層セラミックキャパシタは、内部電極用ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを積層した後、焼成して本体を形成し、上記本体上にＣｕ及びガラスを含む外部電極用ペーストを塗布し焼成することで、外部電極を形成した。しかし、上記焼成工程時に内部電極の収縮により内部電極が本体内部に陥没した形態で形成される可能性があり、これにより内部電極と外部電極間の連結性が低下し、積層セラミックキャパシタの電気的特性が劣化するという問題点が存在した。また、上記焼成工程時に外部電極のＣｕが内部電極に拡散して本体の体積膨脹を誘発することで、本体に加えられる応力を増加させて本体に放射クラックが発生するという問題点が存在した。
【0005】
積層セラミックキャパシタの電気的特性を改善するために、内部電極と直接的に連結される基礎電極層として、焼成電極の代わりにめっき層を形成するという方案を考慮することができる。但し、基礎電極層をめっき層で形成すると、実装のためのＮｉめっき層－Ｓｎめっき層以外に追加のめっき工程を行う必要があり、特に、電解めっき法などで本体上にＮｉを直接的にめっきして基礎電極層を形成するためには、過度なめっき時間が所要されるため、めっき層形成工程における化学反応によって本体内部への水素イオンの浸透が過度になるおそれがある。かかる水素イオンの浸透は、誘電体層を還元させながら絶縁抵抗を劣化するという問題点を引き起こし得る。
【0006】
そこで、内部電極と外部電極間の連結性を向上させて電気的特性を改善し、放射クラックを防止しつつも、めっき工程における化学反応により発生した水素が本体内部に浸透することを抑制することができる積層セラミックキャパシタの開発が要求されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明の様々な目的の一つは、内部電極と外部電極の連結性を向上させて積層型電子部品の電気的特性を改善することである。
【0008】
本発明の様々な目的の一つは、積層型電子部品の本体に発生する放射クラックを抑制することである。
【0009】
本発明の様々な目的の一つは、本体内部に水素が浸透することを抑制することである。
【0010】
但し、本発明の目的は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一実施形態は、誘電体層及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置され、Ｎｉを含む内部電極を含む本体と、上記本体上に配置され、上記内部電極と連結される外部電極とを含み、上記外部電極は、Ｎｉ及びＰｄを含む基礎電極層を含み、上記内部電極は、第１領域を含み、上記第１領域に含まれたＰｄの含量は、上記内部電極において上記第１領域を除いた残りの領域に含まれたＰｄの含量より大きい積層型電子部品を提供する。
【0012】
本発明の他の一実施形態は、誘電体層及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含み、上記第１方向に向かい合う第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に向かい合う第３面及び第４面、上記第１面～第４面と連結され、第３方向に向かい合う第５面及び第６面を含む本体と、上記第３面及び第４面に配置される外部電極とを含み、上記内部電極は、第１領域を含み、上記第１領域に含まれたＰｄの含量は、上記内部電極において上記第１領域を除いた残りの領域に含まれたＰｄの含量より大きく、上記第１領域は、上記内部電極と外部電極の界面に隣接した領域に配置され、上記内部電極の第２方向中央領域には配置されない積層型電子部品を提供する。
【発明の効果】
【0013】
本発明の様々な効果の一つとして、内部電極と外部電極の連結性を向上させて積層型電子部品の電気的特性を改善することができる。
【0014】
本発明の様々な効果の一つとして、積層型電子部品の本体に発生する放射クラックを抑制することができる。
【0015】
本発明の様々な効果の一つとして、本体内部に水素が浸透することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図である。
【図4】本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体を分解して概略的に示した分解斜視図である。
【図8】本発明の一実施形態による積層型電子部品の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージである。
【図10】実験例及び比較例に対する容量及びＤＦ値を測定して示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下では、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかしながら、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。
【0018】
そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面で示された各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のため任意に示したため、本発明が必ずしも図示されたものに限定されるものではない。また、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素については、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というとき、これは特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【0019】
図面において、第１方向は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義されることができる。
【0020】
［積層型電子部品］
図１は、 本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図であり、図２は、図１のＩ－Ｉ'切断断面を概略的に示した断面図であり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ'切断断面を概略的に示した断面図であり、図４は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体を分解して概略的に示した分解斜視図であり、図５は、図２のＫ１領域拡大図であり、図６は、図２のＫ２領域拡大図であり、図７は、図２のＫ３領域拡大図であり、図８は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージであり、図９は、図８のイメージをエネルギー分散型分光分析法（ＥＤＳ）で分析してＰｄ元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。
図１は、 本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図であり、図２は、図１のＩ－Ｉ'切断断面を概略的に示した断面図であり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ'切断断面を概略的に示した断面図であり、図４は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体を分解して概略的に示した分解斜視図であり、図５は、図２のＫ１領域拡大図であり、図６は、図２のＫ２領域拡大図であり、図７は、図２のＫ３領域拡大図であり、図８は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージであり、図９は、図８のイメージをエネルギー分散型分光分析法（ＥＤＳ）で分析してＰｄ元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。
【0021】
以下で、図１～図９を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００について詳しく説明する。また、積層型電子部品の一例として、積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、以下、「ＭＬＣＣ」という）について説明するが、本発明がこれに限定されるものではなく、多様な積層型電子部品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタなどにも適用されることができる。
【0022】
本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置され、Ｎｉを含む内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体上に配置され、上記内部電極と連結される外部電極１３１、１３２とを含み、上記外部電極は、Ｎｉ及びＰｄを含む基礎電極層１３１ａ、１３２ａを含み、上記内部電極は、第１領域１２１ａ、１２２ａを含み、上記第１領域に含まれたＰｄの含量は、上記内部電極において上記第１領域を除いた残りの領域１２１ｂ、１２２ｂに含まれたＰｄの含量より大きくすることができる。
【0023】
上述したように、従来の一般的な積層セラミックキャパシタは、焼成工程時に内部電極の収縮により内部電極と外部電極間の連結性が低下して電気的特性が劣化するか、焼成工程時に外部電極に含まれたＣｕが内部電極に拡散することで本体に放射クラックが発生するという問題点が存在した。
【0024】
このような問題点を解決するために、内部電極と直接的に連結される基礎電極層として焼成電極の代わりにめっき層を形成する方案を考慮することができる。但し、基礎電極層をめっき層で形成すると、追加のめっき工程を行う必要があり、特に電解めっき法などで本体上にＮｉを直接的にめっきして基礎電極層を形成するためには過度なめっき時間が所要されるため、水素イオンの浸透が過度になるおそれがある。
【0025】
一方、本発明の一実施形態によると、外部電極１３１、１３２がＮｉ及びＰｄを含む基礎電極層１３１ａ、１３２ａを含み、内部電極１２１、１２２は第１領域１２１ａ、１２２ａを含み、上記第１領域に含まれたＰｄの含量は、上記内部電極において上記第１領域を除いた残りの領域１２１ｂ、１２２ｂに含まれたＰｄの含量より大きいことで、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２間の連結性を改善して積層型電子部品の電気的特性を改善することができ、めっき工程で発生した水素が本体１１０の内部に浸透することを抑制して絶縁抵抗が劣化することを防止することができる。
【0026】
以下、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００に含まれるそれぞれの構成についてより詳しく説明する。
【0027】
本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は、六面体状またはこれと類似した形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮や角部の研磨により、本体１１０は、完全な直線を有する六面体状ではないが、実質的に六面体状を有することができる。
【0028】
本体１１０は、第１方向に向かい合う第１面及び第２面１、２、上記第１面及び第２面１、２と連結され、第２方向に向かい合う第３面及び第４面３、４、第１面～第４面１、２、３、４と連結され、第３方向に向かい合う第５面及び第６面５、６を有することができる。
【0029】
本体１１０は、第１面と第３面を連結する第１－３コーナーＣ１－３、上記第１面と第４面を連結する第１－４コーナーＣ１－４、上記第２面と第３面を連結する第２－３コーナーＣ２－３、上記第２面と第４面を連結する第２－４コーナーＣ２－４を含むことができる。また、第１面と第５面を連結する第１－５コーナー、第１面と第６面を連結する第１－６コーナー、第２面と第５面を連結する第２－５コーナー、第２面と第６面を連結する第２－６コーナーを含むことができる。上記コーナーは、本体１１０の各面を連結する角を別途の工程を行ってラウンド処理することによりラウンド状を有することができる。本体１１０の第１面～第６面は、おおよそ平坦な面であることができ、平坦でない領域をコーナーとみることができる。
【0030】
本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されることができる。本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は、焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１間の境界は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いずには確認し難いほど一体化されることができる。
【0031】
誘電体層１１１は、セラミック粉末、有機溶剤及びバインダを含むセラミックスラリーを製造し、上記スラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥してセラミックグリーンシートを設けた後、上記セラミックグリーンシートを焼成することで形成することができる。セラミック粉末は、十分な静電容量が得られる限り、特に制限されないが、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料またはチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができ、上記セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）またはＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）等が挙げられる。
【0032】
誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、特に限定する必要はないが、例えば１０μｍ以下であることができる。また、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、所望の特性や用途によって任意に設定することができる。例えば、高電圧電装用電子部品の場合、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは２．８μｍ未満であることができ、小型ＩＴ用電子部品の場合、小型化及び高容量化を達成するために誘電体層１１１の平均厚さｔｄは０．４μｍ以下であることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
【0033】
一般的に、誘電体層１１１の厚さが薄くなるほど電圧印加時に発生する応力によって本体１１０に放射クラックが発生し易く、本体１１０の内部に浸透した水素による絶縁抵抗の劣化が発生し易いため、積層型電子部品の信頼性が低下するという問題点がある。一方、本発明の一実施形態による積層型電子部品の場合、外部電極１３１、１３２がＮｉ及びＰｄを含む基礎電極層１３１ａ、１３２ａを含み、内部電極１２１、１２２が第１領域１２１ａ、１２２ａを含むことで、本体１１０に放射クラックが発生することを防止し、水素が本体１１０の内部に浸透することを抑制することができ、これにより、誘電体層１１１の平均厚さｔｄが２．８μｍ未満または０．４μｍ以下の場合にも積層型電子部品の信頼性を確保することができる。
【0034】
ここで、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の第１方向における厚さ意味する。誘電体層１１１の平均厚さは、本体１１０の第１方向及び第２方向断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの誘電体層１１１の多数の地点、例えば第２方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、後述する容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すれば、誘電体層１１１の平均厚さをさらに一般化することができる。
【0035】
本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２を含んで容量が形成される容量形成部Ａｃと、容量形成部Ａｃの第１方向に向かい合う両面上にそれぞれ配置される第１カバー部１１２及び第２カバー部１１３を含むことができる。カバー部１１２、１１３は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。カバー部１１２、１１３は、内部電極を含まないことを除いては、誘電体層１１１と同一の構成を有することができる。
【0036】
カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化のために、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは、１００μｍ以下、３０μｍ以下、または２０μｍ以下であることができる。ここで、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは、第１カバー部１１２及び第２カバー部１１３のそれぞれの平均厚さを意味する。
【0037】
カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向への厚さの平均を意味することができ、本体１１０の第１方向及び第２方向断面において等間隔である５個の地点で測定した第１方向の厚さを平均した値であることができる。
【0038】
本体１１０は、容量形成部Ａｃの第３方向に向かい合う両面上にそれぞれ配置される第１マージン部１１４及び第２マージン部１１５を含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、本体１１０を第１方向及び第３方向に切った断面において内部電極１２１、１２２の両端と本体１１０の境界面間の領域を意味することができる。
【0039】
マージン部１１４、１１５は、内部電極１２１、１２２を含まないことを除いては、誘電体層１１１と同一の材料を含むことができる。マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0040】
マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成される所を除き、内部電極用導電性ペーストを塗布し焼成することで形成されたものであることができる。または、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後に内部電極１２１、１２２が本体の第５面及び第６面５、６と連結されるように切断した後、単一誘電体層または２個以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの第３方向に向かい合う両面上に積層することで、マージン部１１４、１１５を形成することもできる。
【0041】
マージン部１１４、１１５の平均厚さは、特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化のために、マージン部１１４、１１５の平均厚さは、１００μｍ以下、２０μｍ以下、または１５μｍ以下であることができる。ここで、マージン部１１４、１１５の平均厚さは、第１マージン部１１４及び第２マージン部１１５のそれぞれの平均厚さを意味する。
【0042】
マージン部１１４、１１５の平均厚さは、マージン部１１４、１１５の第３方向における厚さの平均を意味することができ、本体１１０の第１方向及び第３方向断面において等間隔である５個の地点で測定した第３方向の厚さを平均した値であることができる。
【0043】
内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と交互に配置されることができ、例えば、互いに異なる極性を有する一対の電極である第１内部電極１２１と第２内部電極１２２が誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置されることができる。第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、その間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。
【0044】
第１内部電極１２１は、第４面４と離隔し、第３面３と連結されるように配置されることができる。また、第２内部電極１２２は、第３面３と離隔し、第４面４と連結されるように配置されることができる。
【0045】
内部電極１２１、１２２に含まれる導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上であることができ、より好ましくは、内部電極１２１、１２２は、Ｎｉを含むことができる。
【0046】
内部電極１２１、１２２は、セラミックグリーンシート上に所定の厚さで導電性金属を含む内部電極用導電性ペーストを塗布し焼成することで形成されることができる。内部電極用導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを使用することができ、本発明がこれに限定されるものではない。
【0047】
図５及び図６に示すように、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００の内部電極１２１、１２２は、第１領域１２１ａ、１２２ａを含み、第１領域１２１ａ、１２２ａに含まれたＰｄの含量は、内部電極１２１、１２２において第１領域１２１ａ、１２２ａを除いた残りの領域１２１ｂ、１２２ｂに含まれたＰｄの含量より大きくすることができる。ここで、Ｐｄの含量とは、エネルギー分散型分光分析法（ＥＤＳ）で測定した原子百分率（ａｔ％）を意味することができ、内部電極１２１、１２２において第１領域１２１ａ、１２２ａを除いた残りの領域１２１ｂ、１２２ｂに含まれたＰｄの含量は、上記第１領域を除いた残りの領域に含まれたＰｄの平均含量を意味することができる。
【0048】
上記Ｐｄは、Ｎｉを主成分とする金属内で水素拡散係数を低くする役割を果たすことができる。これにより、内部電極１２１、１２２がＰｄの含量が相対的に大きい第１領域１２１ａ、１２２ａを含むことで、内部電極１２１、１２２に水素が浸透することを防止することができ、上記内部電極に浸透された水素が誘電体層１１１を還元させて絶縁抵抗を劣化させることを防止することができる。一方、上記水素は、主にめっき工程時に化学反応によって発生した水素を意味し、その他にもめっき液によって発生した水や、大気中の水蒸気として存在する水素も含むことができる。ここでめっき工程とは、後述するめっき層１３１ｃ、１３２ｃを形成する工程を意味することができるが、基礎電極層１３１ａ、１３２ａがめっき法により形成される場合、上記めっき工程は、基礎電極層１３１ａ、１３２ａを形成する工程を含む概念である。
【0049】
第１領域１２１ａ、１２２ａは、内部電極１２１、１２２内に球（ｓｐｈｅｒｅ）状で存在することができるが、本発明がこれに限定されるものではなく、第１領域１２１ａ、１２２ａは、例えばフレーク（ｆｌａｋｅ）状などの多様な形態を有することができる。
【0050】
一実施形態において、第１領域１２１ａ、１２２ａに含まれたＰｄの含量は、０．５ａｔ％以上であることができる。第１領域１２１ａ、１２２ａに含まれたＰｄの含量が０．５ａｔ％未満の場合、前述した水素浸透防止効果が小さい可能性がある。第１領域１２１ａ、１２２ａに含まれたＰｄの含量の上限は、特に限定する必要はないが、例えば、３．０ａｔ％以下であることができる。一方、内部電極１２１、１２２において第１領域１２１ａ、１２２ａを除いた残りの領域１２１ｂ、１２２ｂに含まれたＰｄの平均含量は、特に限定する必要はないが、例えば０．２ａｔ％以下であることができる。
【0051】
一方、第１領域１２１ａ、１２２ａに含まれたＰｄは、Ｎｉと合金形態で存在することができ、第１領域１２１ａ、１２２ａは、上記第１領域に含まれたＰｄの含量より大きい含量のＮｉを含むことができる。第１領域１２１ａ、１２２ａに含まれたＰｄの含量がＮｉより大きくなれば、主成分として含まれた金属の種類が変わり水素拡散係数が増加して、本発明の水素浸透防止効果が低下するおそれがある。
【0052】
一実施形態において、内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一部は、第１領域１２１ａ、１２２ａを複数個含むことができる。内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一部が第１領域１２１ａ、１２２ａを複数個含むことで、水素が本体１１０の内部に浸透することをより効果的に防止することができる。
【0053】
一実施形態において、第１領域１２１ａ、１２２ａは、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２の界面から第２方向に６．５μｍ以内の領域に配置されることができる。すなわち、第１領域１２１ａ、１２２ａは、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２の界面と隣接した領域に配置されることで、水素が本体１１０の内部に浸透することを効果的に抑制することができる。第１領域１２１ａ、１２２ａは、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２の界面から第２方向に６．５μｍ以上離れた領域に配置される場合、上記第１領域は、めっき工程時に発生する水素イオンの浸透防止効果を発揮することができないため、本発明の水素浸透防止効果が小さい可能性がある。
【0054】
一方、内部電極１２１、１２２に第１領域１２１ａ、１２２ａを形成する方法は、特に限定する必要はない。以下、好ましい一例として、第１領域１２１ａ、１２２ａを形成する方法について説明する。先ず、内部電極１２１、１２２の端部にＰｄ ｓｅｅｄを形成した後、熱処理工程を行うことができる。上記熱処理は、例えば、１５０℃～１１００℃の温度で１５分～３６０分間行うことができる。次に、電解めっき法を用いてＰｄ ＳｅｅｄからＮｉを成長させて後述する基礎電極層１３１ａ、１３２ａを形成した後、上記基礎電極層に対する追加の熱処理を行うことができる。上記追加の熱処理は、１５０℃～１１００℃の温度で１５分～３６０分間行われることができる。すなわち、基礎電極層１３１ａ、１３２ａは、Ｎｉ及びＰｄを含むめっき層であることができる。一連の熱処理工程によって内部電極の端部に配置されたＰｄ ｓｅｅｄの拡散を誘導することができ、これにより第１領域１２１ａ、１２２ａを形成することができる。一方、上記基礎電極層を形成する前に、内部電極の端部にＰｄ ｓｅｅｄを形成し熱処理する工程を行うことで、めっき時間を短縮させることができ、これによりＰｄ ｓｅｅｄなしでめっき層を形成する場合に比べて、めっき工程時に発生する水素イオンが本体の内部に浸透することを抑制することができる。
【0055】
第１領域１２１ａ、１２２ａに含まれたＰｄの含量と内部電極１２１、１２２において第１領域１２１ａ、１２２ａを除いた残りの領域１２１ｂ、１２２ｂに含まれたＰｄの含量を測定する方法の好ましい例示は、下記の通りである。図８及び図９のように、第３方向中央で切断した本体１１０の第１及び第２方向断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージを得た後、上記イメージを、エネルギー分散型分光分析法（ＥＤＳ）を通じてＰｄ元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）する。この時、Ｐｄ元素をマッピングしたイメージにおいて、Ｐｄの含量が高い領域は相対的に明るく、Ｐｄの含量が低い領域は相対的に暗く表れることができる。ここで、Ｐｄの含量が相対的に高くて明るく表れる領域を第１領域１２１ａ、１２２ａと定義することができる。
【0056】
一方、第１領域１２１ａ、１２２ａに含まれたＰｄの含量は、上記ＳＥＭ－ＥＤＳ分析を通じたＰｄ元素マッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）時に、相対的に明るく表れる第１領域１２１ａ、１２２ａの中央領域で測定したＰｄの含量を意味することができる。また、内部電極１２１、１２２において、上記第１領域を除いた残りの領域１２１ｂ、１２２ｂに含まれたＰｄの含量は、上記第１領域を除いた内部電極１２１、１２２の領域のうち任意の１０個の地点で測定したＰｄの含量の平均値を意味することができる。上記１０個の地点は、例えば内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２の界面から第２方向に６．５μｍ以上離れた領域で指定されることができる。
【0057】
内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、特に限定する必要はないが、例えば３μｍ以下であることができる。また、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、所望の特性や用途によって任意に設定することができる。例えば、高電圧電装用電子部品の場合、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、１μｍ未満であることができ、小型ＩＴ用電子部品の場合、小型化及び高容量化を達成するために、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは０．４μｍ以下であることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
【0058】
一方、前述したように、本発明の一実施形態による積層型電子部品の場合、外部電極１３１、１３２がＮｉ及びＰｄを含む基礎電極層１３１ａ、１３２ａを含み、内部電極１２１、１２２が第１領域１２１ａ、１２２ａを含むことで、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅが１μｍ未満または０．４μｍ以下の場合にも積層型電子部品の信頼性を確保することができる。
【0059】
内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向における厚さの平均を意味する。ここで、内部電極１２１、１２２の平均厚さは、本体１１０の第１方向及び第２方向断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの内部電極１２１、１２２の多数の地点、例えば第２方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０個の内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の平均厚さをさらに一般化することができる。
【0060】
外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面及び第４面３、４に配置されることができ、上記第１面、第２面、第５面及び第６面の一部上に延長されることができる。また、外部電極１３１、１３２は、第１内部電極１２１と連結される第１外部電極１３１及び第２内部電極１２２と連結される第２外部電極１３２を含むことができる。
【0061】
本発明の一実施形態によると、外部電極１３１、１３２はＮｉ及びＰｄを含む基礎電極層１３１ａ、１３２ａを含むことができ、基礎電極層１３１ａ、１３２ａは、第１内部電極１２１と連結される第１基礎電極層１３１ａ及び第２内部電極１２２と連結される第２基礎電極層１３２ａを含むことができる。
【0062】
基礎電極層１３１ａ、１３２ａは、Ｎｉ及びＰｄを含むことで基礎電極層１３１ａ、１３２ａの緻密度が向上することができ、ＰｄはＮｉとの合金性に優れるため、全率固溶体を形成することができ、これにより内部電極１２１、１２２及び外部電極１３１、１３２の間の連結性を向上させることができる。また、従来の場合、外部電極のＣｕが内部電極に拡散して放射クラックが発生するという問題点が存在したが、本発明の一実施形態の場合、基礎電極層１３１ａ、１３２ａがＮｉ及びＰｄを含むことで、本体に放射クラックが発生することを抑制することができる。
【0063】
一方、内部電極１２１、１２２と基礎電極層１３１ａ、１３２ａに含まれた金属の拡散速度の差異による放射クラックをさらに効果的に抑制するために、内部電極１２１、１２２及び基礎電極層１３１ａ、１３２ａは、それぞれＮｉを主成分として含むことが好ましいことができる。
【0064】
また、前述したように、基礎電極層１３１ａ、１３２ａは、Ｎｉ及びＰｄを含むめっき層であることが好ましいことができる。基礎電極層１３１ａ、１３２ａがＮｉ及びＰｄを含むめっき層の場合、従来のＣｕ及びガラスを含むペーストを塗布した後、焼成した焼成電極に比べて内部電極と外部電極間の連結性が向上することができるため、積層型電子部品の電気的特性を改善することができる。
【0065】
一実施形態において、基礎電極層１３１ａ、１３２ａは、第２領域１３１ａ１、１３２ａ１を含み、上記第２領域に含まれたＰｄの含量は、上記基礎電極層において上記第２領域を除いた残りの領域１３１ａ２、１３２ａ２に含まれたＰｄの含量より大きくすることができる。基礎電極層１３１ａ、１３２ａにおいて第２領域１３１ａ１、１３２ａ１を除いた残りの領域１３１ａ２、１３２ａ２に含まれたＰｄの含量は、上記第２領域を除いた残りの領域に含まれたＰｄの平均含量を意味することができる。
【0066】
前述したように、上記Ｐｄは、Ｎｉを主成分とする金属内で水素拡散係数を小さくする役割を果たすことができ、これにより、基礎電極層１３１ａ、１３２ａがＰｄの含量が相対的に大きい第２領域１３１ａ１、１３２ａ１を含むことで、本体１１０の内部に水素が浸透することを防止することができる。
【0067】
一方、第２領域１３１ａ１、１３２ａ１は、基礎電極層１３１ａ、１３２ａ内に球（ｓｐｈｅｒｅ）状で存在することができるが、本発明がこれに限定されるものではなく、第２領域１３１ａ１、１３２ａ１は、例えばフレーク（ｆｌａｋｅ）状などの多様な形態を有することができる。
【0068】
一実施形態において、基礎電極層１３１ａ、１３２ａは、第２領域１３１ａ１、１３２ａ１を複数個含むことができる。上記基礎電極層が上記第２領域を複数個含むことで、水素が本体１１０の内部に浸透することをより効果的に防止することができる。
【0069】
第２領域１３１ａ１、１３２ａ１に含まれたＰｄの含量と基礎電極層１３１ａ、１３２ａにおいて第２領域１３１ａ１、１３２ａ１を除いた残りの領域１３１ａ２、１３２ａ２に含まれたＰｄの含量を測定する方法の好ましい例示は、下記の通りである。本体１１０の第３方向中央で切断した外部電極１３１、１３２の第１及び第２方向断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージを得た後、上記イメージを、エネルギー分散型分光分析法（ＥＤＳ）を通じてＰｄ元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）する。この時、Ｐｄ元素をマッピングしたイメージにおいて、Ｐｄの含量が高い領域は相対的に明るく、Ｐｄの含量が低い領域は相対的に暗く表れることができる。ここで、Ｐｄの含量が相対的に高くて明るく表れる領域を第２領域１３１ａ１、１３２ａ１と定義することができる。
【0070】
一方、第２領域１３１ａ１、１３２ａ１に含まれたＰｄの含量は、上記ＳＥＭ－ＥＤＳ分析を通じたＰｄ元素のマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）時に、相対的に明るく表れる第２領域１３１ａ１、１３２ａ１の中央領域で測定したＰｄの含量を意味することができる。また、基礎電極層１３１ａ、１３２ａにおいて上記第２領域を除いた残りの領域１３１ａ２、１３２ａ２に含まれたＰｄの含量は、上記第２領域を除いた基礎電極層１３１ａ、１３２ａの領域のうち任意の１０個の地点で測定したＰｄの含量の平均値を意味することができる。
【0071】
一実施形態において、基礎電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０と隣接した第１層及び上記第１層上に配置される第２層を含み、上記第１層に含まれたＰｄの含量は、上記第２層に含まれたＰｄの含量より大きくすることができる。以下、図７～図９を参照して第１基礎電極層１３１ａを基準として説明するが、第１基礎電極層１３１ａと第２基礎電極層１３２ａは、第２方向を基準として互いに対称の関係にあるため、第１基礎電極層１３１ａに関する説明は、第２基礎電極層１３２ａに関する説明を含むものとする。
【0072】
図７～図９を参照すると、第１基礎電極層１３１ａは、本体１１０と隣接した第１層１３１ａ－１及び上記第１層上に配置される第２層１３１ａ－２を含み、上記第１層に含まれたＰｄの含量は、上記第２層に含まれたＰｄの含量より大きくすることができる。第１層１３１ａ－１に含まれたＰｄの含量が第２層１３１ａ－２に含まれたＰｄの含量より大きいことで、内部電極及び外部電極間の連結性の向上効果、放射クラックを防止する効果、及び本体の内部に水素が浸透することを抑制する効果がさらに向上することができる。一方、第１基礎電極層１３１ａの第２領域１３１ａ１は、第１層１３１ａ－１に配置されることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
【0073】
第１層１３１ａ－１と第２層１３１ａ－２の境界は、本体１１０の第３方向中央で切断した外部電極１３１、１３２の第１及び第２方向断面をＳＥＭ－ＥＤＳに分析して得たＰｄ元素のマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）イメージから区別することができる。すなわち、第１層１３１ａ－１は、第２層１３１ａ－２よりＰｄの含量が大きいため、図９に示すように、第１層１３１ａ－１と第２層１３１ａ－２の境界は、Ｐｄ元素の分布度が急激に変わる地点であることができる。
【0074】
一方、第１層１３１ａ－１の厚さＴ１及び第２層１３１ａ－２の厚さＴ２は、特に限定する必要はないが、一実施形態において、Ｔ１＞Ｔ２を満たすことができる。Ｔ１＞Ｔ２を満たすことで上記内部電極及び外部電極の間の連結性の向上効果、放射クラックを防止する効果及び本体の内部に水素が浸透することを抑制する効果がさらに向上することができる。Ｔ１は特に限定する必要はないが、例えば１．５μｍ～２．０μｍであることができる。ここで、Ｔ１は、第１層１３１ａ－１の第１方向中央領域における厚さを意味することができ、Ｔ２は、第２層１３１ａ－２の第１方向中央領域における厚さを意味することができる。
【0075】
一方、第２領域１３１ａ１、１３２ａ１を形成する方法及び第１層１３１ａ－１及び第２層１３１ａ－２に含まれたＰｄの含量を調節する方法は、特に限定する必要はない。前述したように、内部電極１２１、１２２の端部にＰｄ ｓｅｅｄを形成した後に熱処理する工程及び電解めっき法を用いてＰｄ ＳｅｅｄからＮｉを成長させて基礎電極層１３１ａ、１３２ａを形成した後、上記基礎電極層に対して追加の熱処理する工程を経て内部電極の端部に配置されたＰｄ ｓｅｅｄの拡散を誘導することができ、第２領域１３１ａ１、１３２ａ１を形成し、第１層１３１ａ－１に含まれたＰｄの含量が第２層１３１ａ－２に含まれたＰｄの含量より大きくなるように調節することができる。
【0076】
一実施形態において、基礎電極層１３１ａ、１３２ａは、第１面の延長線Ｅ１と第２面の延長線Ｅ２との間に配置されることができる。前述したように、基礎電極層１３１ａ、１３２ａが電解めっき法を用いて形成されためっき層の場合、上記基礎電極層は、ガラスを含まなくてよい。この時、基礎電極層１３１ａ、１３２ａが第１面の延長線Ｅ１を超えて第１面まで延長されるか、第２面の延長線Ｅ２を超えて第２面まで延長される場合、ガラスを含まない基礎電極層１３１ａ、１３２ａと本体１１０間のデラミネーションなどの問題が発生し得る。
【0077】
外部電極１３１、１３２は、基礎電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置される中間電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。例えば、第１外部電極１３１は、第１基礎電極層１３１ａ上に配置される第１中間電極層１３１ｂを含み、第２外部電極１３２は、第２基礎電極層１３２ａ上に配置される第２中間電極層１３２ｂを含むことができる。
【0078】
中間電極層１３１ｂ、１３２ｂは、導電性金属及びガラスを含むことができる。中間電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属は、電気的連結性を確保する役割を果たし、ガラスは本体との結合力を向上させる役割を果たすことができる。
【0079】
中間電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた金属は、電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決められることができる。例えば、電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群より選択された一つ以上であることができる。
【0080】
但し、中間電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属がＣｕの場合、基礎電極層の配置による中間電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた元素が内部電極に拡散することを抑制する効果がより顕著になることができる。よって、一実施形態において、中間電極層１３１ｂ、１３２ｂは、Ｃｕ及びガラスを含むことができる。
【0081】
また、中間電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属がＣｕの場合、基礎電極層１３１ａ、１３２ａと中間電極層１３１ｂ、１３２ｂ間の界面には、Ｎｉ－Ｃｕ合金層が配置されることができる。これにより、基礎電極層１３１ａ、１３２ａと中間電極層１３１ｂ、１３２ｂ間の結合力を向上させることができる。
【0082】
一実施形態において、中間電極層１３１ｂ、１３２ｂは、第１面及び第２面１、２の少なくとも一部に延長して配置されることができる。中間電極層１３１ｂ、１３２ｂは、ガラスを含むため、本体１１０との結合力に優れ、中間電極層１３１ｂ、１３２ｂが第１面及び第２面の少なくとも一部に延長して配置されることにより、基礎電極層１３１ａ、１３２ａをカバーする形態で配置され、本体１１０と外部電極１３１、１３２間の結合力を向上させることができる。
【0083】
中間電極層１３１ｂ、１３２ｂは、導電性金属及びガラスを含む１層だけで構成されることができるが、本発明がこれに制限されるものではなく、中間電極層１３１ｂ、１３２ｂは、多層構造を有することができる。
【0084】
例えば、第１中間電極層１３１ｂは、導電性金属及びガラスを含む第１－１中間電極層及び上記第１－１中間電極層上に配置され、導電性金属及び樹脂を含む第１－２中間電極層を含むことができる。また、第２中間電極層１３２ｂは、導電性金属及びガラスを含む第２－１中間電極層及び上記第２－１中間電極層上に配置され、導電性金属及び樹脂を含む第２－２中間電極層を含むことができる。導電性金属及び樹脂を含む第１－２中間電極層及び第２－２中間電極層を含むことにより、積層型電子部品の曲げ強度を向上させることができる。
【0085】
上記第１－２中間電極層及び第２－２中間電極層に含まれる導電性金属は、特に制限されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群より選択された一つ以上を含むことができる。
【0086】
上記第１－２中間電極層及び第２－２中間電極層に含まれる導電性金属は、球状粉末及びフレーク状粉末のうち１以上を含むことができる。すなわち、上記第１－２中間電極層及び第２－２中間電極層に含まれる導電性金属は、フレーク状粉末のみからなるか、球状粉末のみからなることができ、フレーク状粉末と球状粉末が混合した形態であってもよい。ここで、球状粉末は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ割合（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粉末は、平たく長い形態を有する粉末を意味し、特に制限されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ割合（長軸／短軸）が１．９５以上であることができる。上記球状粉末及びフレーク状粉末の長軸と短軸の長さは、積層型電子部品の第３方向の中央部で切断した第１及び第２方向断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして得たイメージから測定することができる。
【0087】
上記第１－２中間電極層及び第２－２中間電極層に含まれる樹脂は、接合性の確保及び衝撃吸収の役割を果たすことができる。上記樹脂は、接合性及び衝撃吸水性を有し、導電性金属粉末と混合してペーストを作ることができるものであれば、特に制限されず、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、エチルセルロース（Ｅｔｈｙｌ Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）などから選択された１種以上を含むことができる。
【0088】
また、上記第１－２中間電極層及び第２－２中間電極層は、複数の金属粒子、金属間化合物及び樹脂を含むことができる。上記金属間化合物を含むことにより、上記第１－１中間電極層及び第２－１中間電極層との電気的連結性をより向上させることができる。上記金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割をし、複数の金属粒子を取り囲み互いに連結する役割を果たすことができる。
【0089】
この時、上記金属間化合物は、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、上記金属間化合物が樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融され、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を取り囲むようになる。この時、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。
【0090】
一実施形態において、上記第１－２中間電極層及び第２－２中間電極層は、Ｓｎを含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融され、溶融されたＳｎがＡｇ、ＮｉまたはＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象により濡らすようになり、Ａｇ、ＮｉまたはＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ４、Ｃｕ６Ｓｎ５、Ｃｕ３Ｓｎなどの金属間化合物を形成するようになる。反応に参加しないＡｇ、ＮｉまたはＣｕは、金属粒子の形態で残るようになる。
【0091】
したがって、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち一つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ４、Ｃｕ６Ｓｎ５、Ｃｕ３Ｓｎのうち一つ以上を含むことができる。
【0092】
外部電極１３１、１３２は、中間電極層１３１ｂ、１３２ｂ上に配置されるめっき層１３１ｃ、１３２ｃを含むことができる。第１外部電極１３１は、第１電極層１３１ｂ上に配置される第１めっき層１３１ｃを含むことができ、第２外部電極１３２は、第２電極層１３２ｂ上に配置される第２めっき層１３２ｃを含むことができる。
【0093】
めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、実装特性を向上させることができる。めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定せず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ及び／またはこれを含む合金などを含むめっき層であることができ、複数の層で形成されることもできる。めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、例えば、Ｎｉめっき層またはＳｎめっき層であることができ、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／または複数のＳｎめっき層を含むこともできる。
【0094】
図面では、積層型電子部品１００が２個の外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、これに限定されるものではなく、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変わることができる。
【0095】
以下、本発明の他の一実施形態による積層型電子部品について説明する。但し、本発明の一実施形態による積層型電子部品は、上述した本発明の一実施形態による積層型電子部品と同様の構成を有することができる。よって、上述した本発明の一実施形態と重複する説明は省略する。
【0096】
本発明の他の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含み、上記第１方向に向かい合う第１面及び第２面１、２、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に向かい合う第３面及び第４面３、４、上記第１面～第４面と連結され、第３方向に向かい合う第５面及び第６面５、６を含む本体１１０と、上記第３面及び第４面に配置される外部電極１３１、１３２とを含み、上記内部電極は、第１領域１２１ａ、１２２ａを含み、上記第１領域に含まれたＰｄの含量は、上記内部電極において上記第１領域を除いた残りの領域１２１ｂ、１２２ｂに含まれたＰｄの含量より大きく、上記第１領域は、上記内部電極と外部電極の界面に隣接した領域に配置され、上記内部電極の第２方向中央領域には配置されなくてよい。
【0097】
前述したように、第１領域１２１ａ、１２２ａは、例えば、内部電極の端部にＰｄ Ｓｅｅｄを形成した後に熱処理する工程及び電解めっき法を用いてＰｄ ＳｅｅｄからＮｉを成長させて基礎電極層を形成した後、上記基礎電極層に対して追加の熱処理する工程を経てＰｄ ｓｅｅｄの拡散を誘導することで形成されることができる。
【0098】
これにより、第１領域１２１ａ、１２２ａは、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２の界面と隣接した領域に配置され、内部電極１２１、１２２の第２方向中央領域には配置されなくてよい。
【0099】
すなわち、上記基礎電極層を形成する前に、内部電極の端部にＰｄ ｓｅｅｄを形成して熱処理する工程を行うことで、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２の界面と隣接した領域に配置される第１領域１２１ａ、１２２ａを形成することができ、上記Ｐｄ ｓｅｅｄを通じてめっき時間を短縮させてめっき工程時に発生する水素イオンが本体の内部に浸透することを抑制することができる。
【0100】
一方、第１領域１２１ａ、１２２ａが内部電極１２１、１２２の第２方向中央領域に配置される場合、上記第１領域は、めっき工程時に発生する水素イオンの浸透防止効果を発揮することができないため、第１領域１２１ａ、１２２ａは、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２の界面と隣接した領域に配置され、内部電極１２１、１２２の第２方向中央領域には配置されないことが好ましいことができる。
【0101】
ここで、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２の界面と隣接した領域とは、例えば上記内部電極と外部電極の界面から上記第２方向に６．５μｍ以内の領域を意味することができ、これにより、一実施形態において、第１領域１２１ａ、１２２ａは、上記内部電極と外部電極の界面から上記第２方向に６．５μｍ以内の領域に配置されることができ、第１領域１２１ａ、１２２ａは、上記内部電極と外部電極の界面から上記第２方向に６．５μｍ以上離れた領域には配置されなくてよいが、本発明がこれに限定されるものではない。
【0102】
（実験例）
＜電気的特性の評価＞
内部電極ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを積層して切断及び焼成を経て本体を作製し、上記本体表面に露出した内部電極端部にＰｄ Ｓｅｅｄを形成した後、１５０℃～１１００℃の温度で１５分～３６０分間熱処理を行った。次に、電解めっき法を用いてＰｄ ｓｅｅｄからＮｉを成長させて基礎電極層を形成した後、上記基礎電極層に対して１５０℃～１１００℃の温度で１５分～３６０分間追加の熱処理を行った。一方、全体めっき時間は、基礎電極層の複数の内部電極に対するカバレッジが１００％になるまで進行した。以後、上記基礎電極層上にＣｕ及びガラスを含む中間電極層、上記中間電極層上に順次積層されたＮｉめっき層及びＳｎめっき層を形成して実験例１のサンプルチップを完成し、これにより、実験例１は、Ｎｉ及びＰｄを含む基礎電極層と、上記第１領域を含む内部電極を含む。
＜電気的特性の評価＞
内部電極ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを積層して切断及び焼成を経て本体を作製し、上記本体表面に露出した内部電極端部にＰｄ Ｓｅｅｄを形成した後、１５０℃～１１００℃の温度で１５分～３６０分間熱処理を行った。次に、電解めっき法を用いてＰｄ ｓｅｅｄからＮｉを成長させて基礎電極層を形成した後、上記基礎電極層に対して１５０℃～１１００℃の温度で１５分～３６０分間追加の熱処理を行った。一方、全体めっき時間は、基礎電極層の複数の内部電極に対するカバレッジが１００％になるまで進行した。以後、上記基礎電極層上にＣｕ及びガラスを含む中間電極層、上記中間電極層上に順次積層されたＮｉめっき層及びＳｎめっき層を形成して実験例１のサンプルチップを完成し、これにより、実験例１は、Ｎｉ及びＰｄを含む基礎電極層と、上記第１領域を含む内部電極を含む。
【0103】
一方、比較例１は、実験例と同一の本体を準備し、Ｃｕ及びガラスを含むペーストに本体をディッピングして焼成した後、焼成電極上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層を形成した。以後、実験例１及び比較例１の容量及びＤＦ値を測定した。
【0104】
図１０は、実験例及び比較例に対する容量及びＤＦ値を測定して示したグラフである。図１０を参照すると、実験例１は、比較例１に比べて容量（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）に優れ、ＤＦ値が低いことを確認することができる。これにより、実験例１は、比較例１に比べて電気的特性が改善可能なことを確認することができる。
【0105】
＜水素浸透量の評価＞
次に、本体中の水素浸透量を測定するために、実験例２及び比較例２を作製した。実験例２は、前述した実験例１と同一の方法で作製し、比較例２は、実験例１と同一の本体を準備し、Ｐｄ ｓｅｅｄを形成する工程を省略した後、実験例と同一の方法で電解めっき法を用いてＮｉをめっきして基礎電極層を形成した後、中間電極層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層を順次に形成して比較例２のサンプルチップを完成した。以後、ＩＳＯ １７０８１標準試験法で上記実験例２及び比較例２の本体中の水素量を測定して、下記の表１に記載した。
次に、本体中の水素浸透量を測定するために、実験例２及び比較例２を作製した。実験例２は、前述した実験例１と同一の方法で作製し、比較例２は、実験例１と同一の本体を準備し、Ｐｄ ｓｅｅｄを形成する工程を省略した後、実験例と同一の方法で電解めっき法を用いてＮｉをめっきして基礎電極層を形成した後、中間電極層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層を順次に形成して比較例２のサンプルチップを完成した。以後、ＩＳＯ １７０８１標準試験法で上記実験例２及び比較例２の本体中の水素量を測定して、下記の表１に記載した。
【0106】
【表1】
【0107】
上記表１を参照すると、実験例２の場合、Ｐｄ ｓｅｅｄ上に基礎電極層を形成することでＮｉ及びＰｄを含む基礎電極層と、上記第１領域を含む内部電極を含むことで水素が本体の内部に浸透することを抑制して、めっき後に本体中の水素量が比較例２に比べて相対的に低いことを確認することができる。一方、比較例２の場合、Ｐｄ ｓｅｅｄを形成する工程の省略によって基礎電極層がＰｄを含まず、内部電極が上記第１領域を含まないため、めっき後に本体中の水素量が実験例２より相対的に高いことを確認することができる。これにより、実験例２の場合、Ｐｄ ｓｅｅｄ及びＮｉめっきを用いて基礎電極層を形成することでめっき時間を効果的に減少させ、第１領域を含む内部電極を形成することで水素の浸透量を抑制することができることが分かる。
【0108】
本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定する。よって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で当技術分野の通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。
【0109】
また、「一実施形態」という表現は互いに同一の実施形態を意味せず、それぞれ互いに異なる固有な特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態で説明されていなくとも、他の一実施形態でその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連した説明と理解されることができる。
【0110】
また、第１、第２などの表現は、一構成要素と他の構成要素を区分づけるために使用されたもので、当該構成要素の順序及び／または重要度などを限定しない。場合によっては権利範囲から外れず、第１構成要素は第２構成要素と命名されることもでき、同様に、第２構成要素は第１構成要素と命名されることもできる。
【符号の説明】
【0111】
１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１２１ａ、１２２ａ：第１領域
１２１ｂ、１２２ｂ：内部電極において上記第１領域を除いた残りの領域
１３１、１３２：外部電極
１３１ａ、１３２ａ：基礎電極層
１３１ａ１、１３２ａ１：第２領域
１３１ａ２、１３２ａ２：基礎電極層において上記第２領域を除いた残りの領域
１３１ｂ、１３２ｂ：中間電極層
１３１ｃ、１３２ｃ：めっき層
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１２１ａ、１２２ａ：第１領域
１２１ｂ、１２２ｂ：内部電極において上記第１領域を除いた残りの領域
１３１、１３２：外部電極
１３１ａ、１３２ａ：基礎電極層
１３１ａ１、１３２ａ１：第２領域
１３１ａ２、１３２ａ２：基礎電極層において上記第２領域を除いた残りの領域
１３１ｂ、１３２ｂ：中間電極層
１３１ｃ、１３２ｃ：めっき層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】