特開 2024-123240 印刷配線板および印刷配線板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024123240

(43)【公開日】2024-09-10

(54)【発明の名称】印刷配線板および印刷配線板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240903BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 Q

H05K3/46 B

【審査請求】有

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024103288

(22)【出願日】2024-06-26

(62)【分割の表示】P 2021561562の分割

【原出願日】2020-11-27

(31)【優先権主張番号】P 2019216629

(32)【優先日】2019-11-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000006633

【氏名又は名称】京セラ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003029

【氏名又は名称】弁理士法人ブナ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】川越 淳男

(57)【要約】      （修正有）

【課題】キャビティを有する印刷配線板および印刷配線板の製造方法に関する。
【解決手段】多層基板は、キャビティと、第２の面に部品実装ランドを含む配線パターンである第１の導体層と、第２の導体層とを有している。第１の導体層は、キャビティの前記底面に位置している。第２のビルドアップ層のコア基板側の表面は、底面を構成する第１領域と、コア基板と接する第２領域とを有している。第１の導体層の表面は、第２のビルドアップ層のコア基板側の表面である第１領域と面一、または第１領域よりも３μｍまでの低い位置にある。第２の導体層は、第２のビルドアップ層内に位置するとともに、平面透視でキャビティの底面の周縁部の少なくとも一部に重なって位置する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の面および第２の面を有するコア基板と、該コア基板における前記第１の面に位置する第１のビルドアップ層と、前記コア基板における前記第２の面に位置する第２のビルドアップ層とを有する多層基板を備えており、
該多層基板は、キャビティと、前記第２の面に部品実装ランドを含む配線パターンである第１の導体層と、第２の導体層とを有しており、
前記キャビティは、前記第１のビルドアップ層および前記コア基板を貫き、底面が前記第２のビルドアップ層の表面であり、
前記第１の導体層は、前記キャビティの前記底面に位置し、
前記第２のビルドアップ層の前記コア基板側の表面は、前記底面を構成する第１領域と、前記コア基板と接する第２領域とを有し、
前記第１領域は、前記第２領域よりも低い位置にあり、
前記底面を構成する前記第１の導体層は、前記第２のビルドアップ層に埋め込まれており、前記第１の導体層の表面は、前記第２のビルドアップ層の前記コア基板側の表面である前記第１領域と面一、または前記第１領域よりも３μｍまでの低い位置にあり、
前記第２の導体層は、前記第２のビルドアップ層内に位置するとともに、平面透視で前記キャビティの前記底面の周縁部の少なくとも一部に重なって位置する、印刷配線板。

【請求項2】

前記第２の導体層は、平面透視で前記キャビティの前記底面の前記周縁部の全てと重なって位置する、請求項１に記載の印刷配線板。

【請求項3】

前記第２の導体層は、帯状である、請求項１または２に記載の印刷配線板。

【請求項4】

前記第２の導体層は帯状であり、前記多層基板の平面方向において、前記キャビティの壁面の真下が、前記第２の導体層の中央となるように位置している、請求項３に記載の印刷配線板。

【請求項5】

前記第１の導体層が、電子部品と接続する接続パッドを含む、請求項１～４のいずれかに記載の印刷配線板。

【請求項6】

前記第１の導体層が、前記接続パッドと前記キャビティの前記底面に沿った方向に接続される回路配線を含む、請求項５に記載の印刷配線板。

【請求項7】

第１の面および第２の面を有し、前記第２の面にシード層が設けられたコア基板を用意する第１の工程と、
前記コア基板に設けられた前記シード層にパターンメッキを行って第１の導体層を形成する第２の工程と、
前記コア基板の前記第１の導体層を含む前記シード層の表面に、キャビティが形成される領域である前記コア基板の中央部に前記シード層が残るように前記シード層の一部を除く第３の工程と、
前記コア基板の前記第１の面に、第１の絶縁樹脂層を有する第１のビルドアップ層を形成するとともに、前記コア基板の前記第２の面に、前記第１の導体層および前記シード層を埋め込むように積層された第２の絶縁樹脂層を有する第２のビルドアップ層を形成する第４の工程と、
前記第２のビルドアップ層の表面にパターンメッキを行い、平面透視で前記形成されるキャビティの底面の周縁部の少なくとも一部に重なる位置に第２の導体層を形成する第５の工程と、
前記コア基板を前記第１のビルドアップ層側からレーザ加工によって該第１のビルドアップ層および前記コア基板を貫く際、前記シード層の前記コア基板側の面および前記第２の導体層をレーザ光の遮蔽部材として用い、前記底面が前記第２のビルドアップ層の表面となる前記キャビティを形成する第６の工程と、
を具備する、印刷配線板の製造方法。

【請求項8】

前記第２の導体層は、前記キャビティの前記底面の周縁部を周回するように形成される、請求項７に記載の印刷配線板の製造方法。

【請求項9】

前記パターンメッキは、ニッケル、金、ニッケル、銅の順に連続して行うことを特徴とする、請求項７または８に記載の印刷配線板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、キャビティを有する印刷配線板および印刷配線板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、基板および配線の高集積化および高密度化に伴い、多層基板に大きな容積でキャビティを設けて、そこに電子部品を実装するケースがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６－１２２７２８号公報

【発明の概要】

【0004】

本開示の印刷配線板は、第１の面および第２の面を有するコア基板と、コア基板における第１の面に位置する第１のビルドアップ層と、コア基板における第２の面に位置する第２のビルドアップ層とを有する多層基板を備えている。多層基板は、キャビティと、第２の面に部品実装ランドを含む配線パターンである第１の導体層と、第２の導体層とを有している。キャビティは、第１のビルドアップ層およびコア基板を貫き、底面が第２のビルドアップ層の表面である。第１の導体層は、キャビティの前記底面に位置している。第２のビルドアップ層のコア基板側の表面は、底面を構成する第１領域と、コア基板と接する第２領域とを有している。第１領域は、第２領域よりも低い位置にある。底面を構成する第１の導体層は、第２のビルドアップ層に埋め込まれており、第１の導体層の表面は、第２のビルドアップ層のコア基板側の表面である第１領域と面一、または第１領域よりも３μｍまでの低い位置にある。第２の導体層は、第２のビルドアップ層内に位置するとともに、平面透視でキャビティの底面の周縁部の少なくとも一部に重なって位置する。

【0005】

本開示の印刷配線板の製造方法は、第１の面および第２の面を有し、第２の面にシード層が設けられたコア基板を用意する第１の工程と、コア基板に設けられたシード層にパターンメッキを行って第１の導体層を形成する第２の工程と、コア基板の第１の導体層を含むシード層の表面に、キャビティが形成される領域であるコア基板の中央部にシード層が残るようにシード層の一部を除く第３の工程と、コア基板の第１の面に、第１の絶縁樹脂層を有する第１のビルドアップ層を形成するとともに、コア基板の第２の面に、第２の導体層およびシード層を埋め込むように積層された第２の絶縁樹脂層を有する第２のビルドアップ層を形成する第４の工程と、第２のビルドアップ層の表面にパターンメッキを行い、平面透視で形成されるキャビティの底面の周縁部の少なくとも一部に重なる位置に第２の導体層を形成する第５の工程と、コア基板を第１のビルドアップ層側からレーザ加工によって第１のビルドアップ層およびコア基板を貫く際、シード層の基板側の面および第２の導体層をレーザ光の遮蔽部材として用い、底面が第２のビルドアップ層の表面となるキャビティを形成する第６の工程とを具備する。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】実施形態の印刷配線板の構成を説明する断面図である。

【図2】図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。

【図3】実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。

【図4】実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。

【図5】実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。

【図6】実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。

【図7】実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。

【図8】実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。

【図9】実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。

【図10】実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。

【図11】実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。

【図12】実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。

【図13】実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。

【図14】実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。

【図15】実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。

【図16】実施形態の印刷配線板に係る効果を説明する断面図である。

【図17】実施形態の印刷配線板に係る効果を説明する断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、図面を参照して実施の形態を説明する。図１は、開示した一つの実施の形態の印刷配線板の構成を示す図である。図１に示す印刷配線板は、一例である。

【0008】

実施形態として示した印刷配線板は、以下に示す多層基板５４を有する。多層基板５４は、コア基板５１、第１のビルドアップ層６１および第２のビルドアップ層６２を有する。コア基板５１は、第１の面５１ａおよび第２の面５１ｂを有する。コア基板５１には第１のビルドアップ層６１および第２のビルドアップ層６２が積層されている。第１のビルドアップ層６１は、絶縁樹脂層６１ａと、絶縁樹脂層６１ｂとを有している。第２のビルドアップ層６２は、絶縁樹脂層６２ａと、絶縁樹脂層６２ｂとを有している。

【0009】

第１のビルドアップ層６１は、コア基板５１の第１の面５１ａに面するように配置されている。第２のビルドアップ層６２は、コア基板５１の第２の面５１ｂに面するように配置されている。また、多層基板５４は、キャビティ２０と、第１の導体層１７と、第２の導体層１２ａとを有する。

【0010】

キャビティ２０は、多層基板５４に、第１のビルドアップ層６１側からコア基板５１まで開口している。キャビティ２０は、第２のビルドアップ層６２の表面６２ａａが底面７９となるように設けられている。

【0011】

第１の導体層１７は、キャビティ２０の底面７９に露出するように配置されている。第２の導体層１２ａは、絶縁樹脂層６２ａのコア基板５１とは反対の面６２ａｂに設けられている。

【0012】

第２の導体層１２ａは、第２のビルドアップ層６２内に位置する。また、多層基板５４を平面透視したときに、キャビティ２０の底面７９の周縁部７９ｔの少なくとも一部に重なって位置している。言い換えると、第２の導体層１２ａは、多層基板５４を平面透視したときに、キャビティ２０の底面７９の周縁部７９ｔに対応する位置に設けられている。このような構成によれば、印刷配線板に容積の大きいキャビティ２０が設けられても印刷配線板を曲がりにくくすることができる。

【0013】

多層基板５４に、容積が大きく底面側の厚みが薄くなるようなキャビティ２０が形成されると、底面７９側で曲がりやすい。その曲がりやすいキャビティ２０の底面７９の周縁部７９ｔの部分に金属部材を挿入することで機械的強度を高められる。これは金属部材の高い弾性率に因るものである。この場合、第２の導体層１２ａの位置は、キャビティ２０の底面７９に露出した第１の導体層１７、シード層１２とは絶縁樹脂層６２ａの厚み分ほど距離を隔てた下層の位置に配置されている。

【0014】

多層基板５４を平面視したときに、第１の導体層１７はキャビティ２０の底面７９の中央に位置し、第２の導体層１２ａがキャビティ２０の底面７９の周縁部７９ｔに位置している。また、第１の導体層１７と第２の導体層１２ａとは、多層基板５４の厚み（積層）方向において絶縁樹脂層を１層分ほど隔てるように配置されている。

【0015】

このことで、キャビティ２０の容積が大きく、キャビティ２０の下側の絶縁樹脂層（６２ａ、６２ｂ）の厚みが薄い場合にも、多層基板５４を曲がりにくくすることができる。仮に、第２の導体層１２ａをキャビティ２０の底面７９に露出するように配置させた場合には、多層基板５４が曲がりやすくなるとともに、キャビティ２０内において、元々配置されている第１の導体層１７との間で電気的な絶縁性を確保しにくくなることが懸念される。

【0016】

以下、多層基板５４を詳細に説明する。図１に示すように、この実施の形態の印刷配線板は、多層基板５４を有する。多層基板５４は、コア基板５１と、第１のビルドアップ層６１と、第２のビルドアップ層６２とを有している。

【0017】

コア基板５１は、例えば、基材１１の両面にシード層１２を有する基板である。基材１１はいわゆる絶縁樹脂製のシート状成形体である。コア基板５１の一方の面（上面）には、電気回路をなす導体層１６が形成されている。

【0018】

コア基板５１の他方の面（下面）には、電気回路をなす導体層１７が形成されている。コア基板５１は、導体層１６および導体層１７を接続するビア１５を有している。

【0019】

すなわち、多層基板５４は、導体層１６および導体層１７、ビア１５を有している。ビア１５は、絶縁樹脂層１１の厚み方向に貫通している。ビア１５は、導体層１６および導体層１７の間に配置されている。導体層１６は、基材１１の一方の面（上面）に形成されたシード層１２に、その一部が重なるように配置されている。また、導体層１７は、基材１１の他方の面（下面）に形成されたシード層１２に、その一部が重なるように配置されている。

【0020】

第１のビルドアップ層６１は、コア基板５１の上面に配設され、下記に示す絶縁樹脂層６１ａおよび導体層を有する。図１に示す例では、第１のビルドアップ層６１は、一方の面（下面）がコア基板５１と接する絶縁樹脂層６１ａと、一方の面（下面）が絶縁樹脂層６１ａの他方の面（上面）と接する絶縁樹脂層６１ｂとを有している。

【0021】

絶縁樹脂層６１ａの上面には、電気回路をなす導電層が形成されている。絶縁樹脂層６１ａは、その上面に形成された導体層とコア基板５１の上面に形成された導体層１６とを接続するビア１５を有している。ビア１５は、絶縁樹脂層６１ａを厚み方向に貫通するように形成されている。

【0022】

絶縁樹脂層６１ｂの他方の面（上面）には、導体層６３が形成されている。絶縁樹脂層６１ｂは、その上面に形成された導体層６３と絶縁樹脂層６１ａの上面に形成された導体層とを接続するビア１５を有している。ビア１５は、絶縁樹脂層６１ｂを厚み方向に貫通するように形成されている。

【0023】

すなわち、ビア１５は、コア基板１５の上面側に配置されている２層の第１のビルドアップ層６１にそれぞれ設けられている。

【0024】

第２のビルドアップ層６２は、コア基板５１の他方の面（下面）に配設され、下記に示す絶縁樹脂層６２ａおよび導体層を有する。図１に示す例では、第２のビルドアップ層６２は、一方の面（上面）がコア基板５１と接する絶縁樹脂層６２ａと、一方の面（上面）が絶縁樹脂層６２ａの他方の面（下面）と接する絶縁樹脂層６２ｂとを有している。以下、絶縁樹脂層６２ａを第１の絶縁樹脂層６２ａと表記する場合がある。同様に、絶縁樹脂層６２ｂを第２の絶縁樹脂層６２ｂと表記する場合がある。

【0025】

絶縁樹脂層６２ａの上面には、電気回路をなす第１の導体層１７が形成されている。絶縁樹脂層６２ａの他方の面（下面）には、電気回路をなす導電層が形成されている。絶縁樹脂層６２ａは、上面に形成された第１の導体層１７と下面に形成された導電層とを接続するビア１５を有している。ビア１５は、絶縁樹脂層６２ａを厚み方向に貫通するように形成されている。また、ビア１５は、絶縁樹脂層６２ａの中で第１の導体層１７に面の平行方向について重なるように形成されている。

【0026】

絶縁樹脂層６２ｂの他方の面（下面）には、導体層６４が形成されている。絶縁樹脂層６２ｂは、下面に形成された導体層６４と絶縁樹脂層６２ａの下面に形成された導電層とを接続するビア１５を有している。すなわち、多層基板５４の最下層に位置する絶縁樹脂層６２ｂは、ビア１５を有している。ビア１５は、絶縁樹脂層６２ｂを厚み方向に貫通するように形成されている。

【0027】

図１においては、絶縁樹脂層６２ａに設けられたビア１５と絶縁樹脂層６２ｂに設けられたビア１５とは重なった状態にある。図１に示す例では、第２のビルドアップ層６２に形成されたビア１５は、キャビティ形成領域６５の範囲内で、かつキャビティ２０直下に形成されている。絶縁樹脂層６２ａと絶縁樹脂層６２ｂとは、重なった状態にある。

【0028】

繰り返しになるが、多層基板５４は、キャビティ２０を有している。キャビティ２０は、多層基板５４の導体層６３側から第１のビルドアップ層６１およびコア基板５１を貫通している。すなわち、キャビティ２０は、第２のビルドアップ層６２の上面を底面とする空間を形成している。キャビティ２０は、多層基板５４の導体層６３の形成面における一部領域（キャビティ形成領域６５）を占めるように開口している。

【0029】

キャビティ２０は、断面が凹形状を有している。キャビティ２０には、第２のビルドアップ層６２の一部の領域の絶縁樹脂の面（底面７９）と、第２のビルドアップ層６２の上面に形成された第１の導体層１７とが、同等の高さの底面（平坦な状態で）として露出するように形成されている。すなわち、キャビティ２０内における第１の導体層１７は、キャビティ２０の底面となっている絶縁樹脂層６２ａの表面に露出するように配置されている。

【0030】

また、キャビティ２０内における第１の導体層１７は、絶縁樹脂層６２ａにその一部が埋設された状態となっている。そして、キャビティ２０の底面においては、絶縁樹脂層６２ａ上の面７９（底面７９）と第１の導体層１７とがほぼ面一に配置されているのがよい。なお「ほぼ」と記載しているのは、エッチング処理により第１の導体層１７を露出させるため、若干（２μｍ～３μｍ）の凹凸（段差）を生じる場合があるからである。キャビティ２０の底面に形成された第１の導体層１７は、その一部が電子部品との接続パッドとして機能する。

【0031】

多層基板５４は、キャビティ２０の周囲において、前述した導体層１６および第１の導体層１７、ビア１５に加えて、シード層１２ａ（以下、第２の導体層１２ａとする。）を有している。

【0032】

第２のビルドアップ層６２は、厚さ方向の略中央部でキャビティ形成領域６５に対応する位置に第２の導体層１２ａを有している。第２の導体層１２ａは、少なくともキャビティ２０の深さ方向に対する側壁面に対応する位置に形成されている。すなわち、第２の導体層１２ａは、キャビティ２０の側壁面（図１中符号２０ａ）を第１の絶縁樹脂層６２ａおよび第２の絶縁樹脂層６２ｂ側へ延長した部分に位置する。第２の導体層１２ａを多層基板５４について厚み方向に見たときの位置は、コア基板５１の下層側に配置された第２のビルドアップ層６２の中で、キャビティ２０の側壁面２０ａを第１絶縁樹脂層６２ａの方向へ垂下させた位置となる。

【0033】

第２の導体層１２ａの多層基板５４における平面方向の位置は、キャビティ２０の壁面２０ａの真下が中央となる位置になる。なお、キャビティ２０の壁面２０ａの位置、並びにキャビティ２０の壁面２０ａの位置から第１の絶縁樹脂層６２ａの方向へ垂下させた位置のことを、キャビティ２０の輪郭部ということもできる。第２の導体層１２ａは、キャビティ２０の輪郭部の真下に配置されているのがよい。

【0034】

第２の導体層１２ａは、例えば絶縁樹脂層６２ａおよび絶縁樹脂層６２ｂの層間（接合面上）に形成することができる。第２の導体層１２ａは、他の導体層および導電層と接続されていない状態であってもよい。つまり、第２の導体層１２ａは、他の導体層および導電層から電気的に孤立していてもよい。

【0035】

導体層６３および導体層６４は、キャビティ形成領域６５以外の領域において、第１のビルドアップ層６１、コア基板５１、第２のビルドアップ層６２を貫通するスルーホール１０を介して相互に接続されている。なお、スルーホール１０の上下に、必要に応じて後工程で導体層７３、７４（図１４参照）やソルダーレジスト７１、７２（図１３参照）が形成されてもよい。ソルダーレジスト７１、７２は、多層基板５４の最上層および／または最下層の表面に形成される。導体層７３、７４は、ソルダーレジスト７１、７２によりその周囲が絶縁被膜されて接続パッドとして機能する。

【0036】

導体層１６と導体層１７は、電気的には同じものではあるが、ビア１５と一体的に形成される導体層を導体層１６といい、後述するシード層１２に積層される導体層を第１の導体層１７という。

【0037】

このように、実施形態の印刷配線板は、絶縁樹脂層１１を有する基板としてのコア基板５１の上面（第１の面）に第１のビルドアップ層６１を積層し、コア基板５１の下面（第２の面）に第２のビルドアップ層６２を積層した多層基板５４のキャビティ形成領域６５に、第１のビルドアップ層６１の上からのザグリ加工でコア基板５１内を貫通して第２のビルドアップ層６２の絶縁樹脂層６２ａの面７９を底面として形成したキャビティ２０と、第２のビルドアップ層６２の絶縁樹脂層６２ａの面７９と同等の高さの面を有しその面がキャビティ２０の底面の一部を形成するように第２のビルドアップ層６２の絶縁樹脂層６２ａに埋め込まれた導体層１７とを備える。

【0038】

なお、図１に示す例では、コア基板５１の下面には予めキャビティ形成領域６５を含む範囲にシード層１２が形成されており、キャビティ形成時のザグリ加工によりコア基板５１の絶縁樹脂層１１が除去されて導体層１７のみが残った状態になっている。

【0039】

実施形態の印刷配線板は、キャビティ２０の下層側に配置された第２のビルドアップ層６２内に第２の導体層１２ａを有している。この印刷配線板（多層基板５４）では、キャビティ２０が第１のビルドアップ層６１からコア基板５１までを貫通し、多層基板５４の厚みの１／２を超える範囲、特には、３／５を超える範囲に至るように形成されている。キャビティ２０は、多層基板５４の厚み方向の深い位置まで形成されている。キャビティ２０が多層基板５４の厚み方向の深い位置まで形成されているので、多層基板５４は、キャビティ２０の辺りで曲がりやすくなる。すなわち、キャビティ２０が多層基板５４の厚み方向の１／２以下の位置まで形成されている印刷配線板と比較すると、曲がりやすくなる。

【0040】

実施形態の印刷配線板では、多層基板５４の厚み方向の中央部分に位置するコア基板５１の部分まで除かれた状態にある。すなわち、通常ガラスクロスを有しているコア基板５１の部材が、キャビティ２０の形成位置において存在しない状態となっている。このように、コア基板５１が部分的に除かれているために、この印刷配線板は機械的強度が弱くなるおそれがある。

【0041】

この印刷配線板を、例えば電気接続のコネクター部として用いる場合においては、キャビティ２０にソケットなどが挿入されることになる。通常では、コネクターをキャビティ２０に挿入したときに、印刷配線板が変形しやすくなってしまう。

【0042】

しかし、実施形態の印刷配線板では、第２の導体層１２ａがキャビティ２０の壁面２０ａの下側に設けられているため、印刷配線板はキャビティ２０の存在する位置においても曲がりにくくなる。この印刷配線板では、コア基板５１を貫通したキャビティ２０が形成されていても、キャビティ２０の底面側に位置する第２のビルドアップ層６２の機械的強度を高めることが可能になる。

【0043】

この場合、第２の導体層１２ａは、キャビティ２０の輪郭部から広がるように形成されていてもよい。第２の導体層１２ａは、キャビティ２０の壁面２０ａの垂下の位置を中央にしてキャビティ２０側とキャビティ２０の外側の位置を跨ぐように配置されているのがよい。

【0044】

第２の導体層１２ａは、その形状が帯状であってもよい。ここで、帯状とは、所定の幅で長尺状を成す形状のことである。第２の導体層１２ａの場合、所定の幅とは、キャビティ２０の壁面２０ａの位置を中央としたときに、その中央から両方向へ広がった領域のことである。広がった領域とは、隣接する他の導体（図１ではビア１５を含む導体層）との間に絶縁部が設けられる範囲である。具体的な所定の幅としては、５μｍ以上５００μｍ以下を目安とすることができる。

【0045】

また、第２の導体層１２ａは、図２に示すように、多層基板５４に設けられたキャビティ２０の底面７９と壁面２０ａとが交わる位置の真下付近を周回する配置でもよい。図２は、絶縁樹脂層６２ａと絶縁樹脂層６２ｂとの間の界面を平面視した様子を示す図であり、第２の導体層１２ａが帯状となってキャビティ２０の周縁部７９ｔを周回するように配置した状態が示されている。つまり、第２の導体層１２ａがリング状を成した状態で第２のビルドアップ層６２内に配置されると、さらに多層基板５４を曲がりにくくすることができる。

【0046】

キャビティ２０は、多層基板５４の所定の層の一部の領域（コア基板５１上に形成されたシード層１２の範囲及びシード層１２が形成されていないキャビティ部と非キャビティ部の境界部の遮蔽導体禁止エリアを含むキャビティ形成領域６５（図７参照））を所定の深さ（コア基板５１の内部の板厚中心以上を除去したシード層１２の近傍位置）までドリル加工および／またはレーザ加工でザグリ加工し、この加工で残った残部をレーザ加工で除去してシード層１２を露出させ、その後、シード層１２をフラッシュ・エッチングにより除去した断面凹形状部である。板厚中心以上とは、コア基板５１の板厚の１／２以上でかつシード層１２に到達しない深さまでをいう。

【0047】

すなわち、キャビティ２０は、キャビティ形成領域６５を電子部品が収容可能な面積でザグリ加工してコア基板５１の下面に形成したシード層１２を露出させた後、露出したシード層１２をフラッシュ・エッチングにより除去してその下の絶縁樹脂層６２ａおよび導体層１７をほぼ平坦に露出させたキャビティ底部（底面）を有する。また、上記したキャビティ形成領域６５のうち、シード層１２が形成されていないキャビティ部と非キャビティ部の境界部の直下には、キャビティ２０の底面より一層下層（絶縁樹脂層６２ａと、絶縁樹脂層６２ｂとの間）に、第２の導体層１２ａが形成されている。この第２の導体層１２ａは、キャビティ２０の底面の真下より周囲に広がっている。また、本実施形態では、第２の導体層１２ａは、キャビティ２０の底面のキャビティ輪郭部の真下の周囲と内側に、帯状に広がっている。第２の導体層１２ａは、例えば厚さが１２μｍ以上の銅等から構成され、ダミーパターン又はグラウンド層、電源層等からなる。

【0048】

キャビティ２０に収容される電子部品は、例えばベアチップ（パッケージ化されていない端子なしのＩＣ）などであり、底部に多層基板５４との接続用の電極を備える。電子部品底部の電極は、キャビティ底部に平坦に露出した導体層１７の面を部品実装ランドとして接続してもよく、導体層１７の上にめっきを施して形成した金属めっき層８０（図１４参照）を介して接続してもよい。この場合の金属めっき層８０は、ニッケルめっき、金めっきなどのめっき層を積層して形成するものとする。

【0049】

導体層６３、６４は、この多層基板５４（コア基板５１とその上下の第１および第２のビルドアップ層６１、６２）の表面に形成されるものであり、後のエッチングで回路配線の一部（導体層６３ａ）として形成される。導体層６３、６４は、銅ベタパターンであり、例えば銅箔（厚み９μｍ程度）に銅めっき（厚み１５μｍ程度）を施して形成したものである。

【0050】

導体層６３、６４の延伸先（面に沿う方向）にはビア１５が接続されている。ビア１５は、多層基板５４の任意の層に設けられる導体（導体層１６、１７、６３、６４など）を層間接続する。

【0051】

コア基板５１は、上下の面にシード層１２を形成した絶縁樹脂層１１（図３－７参照）を加工しビア１５を形成したものである。

【0052】

絶縁樹脂層１１を形成する絶縁樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミド－トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、フェノール樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ケイ素樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は２種以上を混合してもよい。

【0053】

ビア１５は、めっき処理によりビアホール下穴１４（図４参照）に金属めっきが充填されたものである。ビア１５は、多層基板５４（図８参照）の各層（内層、外層を含む）に設けられる導体（導体層６３、６４、１６、１７など）を層間接続するものである。図８では、上面の導体層６３はビア１５を通じて導体層１７に接続され、また下面の導体層６４はビア１５を通じて導体層１７に接続されていることがわかる。

【0054】

シード層１２は、例えば１μｍ～１０μｍ（１μｍ以上１０μｍ以下）の厚みの銅であり、一部が導体層１７の下に残った状態で配置されている。シード層１２としては、電気的に接続され、かつレーザを遮蔽できるならば特に制限されないが、例えば薄銅箔または無電解銅めっきなどを用いる。金属組成が緻密な薄銅箔の方が、より適している。

【0055】

コア基板５１は、絶縁樹脂層１１の上面および下面をモディファイド・セミアディティブ・プロセス（Ｍ－ＳＡＰ）またはセミアディティブプロセス（ＳＡＰ）などの手法で形成し、シード層１２の一部領域に設けた接続パッドや回路配線となる導体層１７（図５のコア基板５１下面の中央部分）を、エッチングレジストでフラッシュ・エッチングから保護しつつ露出させたものである。

【0056】

本開示の印刷配線板は、基本的に、上記した第１の工程から第６の工程を経ることによって得ることができる。以下、図３乃至図１５を参照して実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する。

【0057】

図３に示すように、コア基板用基材１１Ａは、絶縁樹脂製の基材１１の上面（第１の面１１ａ）および下面（第２の面１１ｂ）にシード層１２（例えば薄銅箔などの導電性金属箔）を積層して形成される。この場合、シード層１２の厚みは、例えば１μｍ～１０μｍ程度であるのがよい。また、コア基板用基材１１Ａとして、基材１１の上面、下面のうち少なくとも下面にシード層１２を有するものを用いてもよい。

【0058】

続いて、図４に示すように、コア基板用基材１１Ａにレーザ加工を行ってビアホール下穴１４を形成する。

【0059】

レーザ加工によってビアホール下穴１４を形成すると、ビアホール下穴１４の底部に薄い樹脂膜が残存する場合がある。この場合、デスミア処理が行われる。デスミア処理は、強アルカリによって樹脂を膨潤させ、次いで酸化剤（例えば、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液など）を用いて樹脂を分解除去する。

【0060】

この他、例えば研磨材によるウェットブラスト処理やプラズマ処理によって、樹脂膜を除去してもよい。さらに、めっき処理のためにビアホール下穴１４の内壁面を粗面化処理してもよい。粗面化処理としては、例えば、酸化剤（例えば、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液など）によるウェットプロセス、プラズマ処理やアッシング処理などのドライプロセスなどが挙げられる。

【0061】

（パターンめっき処理工程）
この工程は、図５に示すように、絶縁樹脂製の基材１１の上面、下面に設けたシード層１２の一部領域の上およびビアホール下穴１４にパターンめっきを施して導体層１６、第１の導体層１７およびビア１５を形成する工程である。具体的には、シード層１２上にドライフィルム１３（めっきレジスト）をラミネート加工で貼り付けた上で、露光および現像して、上面の導体層１６、ビア１５などの回路部および下面の導電回路である第１の導体層１７を形成したい箇所のドライフィルム１３を除去する。

【0062】

続いて、ドライフィルム１３の一部を除去した絶縁樹脂製の基材１１の回路部形成用のビアホール下穴１４とその周囲のシード層１２にパターンめっき処理を施して絶縁樹脂製の基材１１の上面の導体層１６と基材１１の内部のビア１５および基材１１の下面の導電層（シード層１２、第１の導体層１７を含む）を形成する。

【0063】

ここで、パターンめっきとしては、銅めっきのみ行う場合と、銅めっきにニッケルめっきを組み合わせる場合がある。銅めっきとニッケルめっきとの組合せを用いるのは、後工程でシード層１２を除去する際に、シード層１２以外のパターンめっき部分もややエッチングされてしまうことに懸念があるためである。ニッケルめっきはシード層１２の除去に対するバリアとして機能する。ニッケルめっきと銅めっきは連続して行う。この場合、ニッケルめっきの厚みは、２μｍ以上であるのがよい。

【0064】

このニッケルめっき処理のことを「バリアめっき」という場合がある。この工程において形成されるめっき膜が部品実装の表面処理用のめっき膜も兼ねる場合には、ニッケル、金、ニッケル、銅めっきの連続めっきを行うこともある。この場合もニッケルめっきの厚みは、１回目を２μｍ以上、２回目を３μｍ以上とし、金めっきは、部品の実装方法によるが、ワイヤボンディングの場合は０．３μｍ以上とするのがよい。

【0065】

回路幅の補正は、本技術だからといって、通常のＭ－ＳＡＰやセミアディティブ法と違うことはなく、設計値＋６μｍ程度太く補正して露光すればよい。

【0066】

（ドライフィルム剥離工程）
次に、パターンめっきを行った後、残ったドライフィルム１３を剥離してシード層１２を露出させる。

【0067】

（キャビティ形成領域の加工工程）
次に、図６に示すように、基材１１の下面（第２の面１１ｂ）のシード層１２および第１の導体層１７にドライフィルム１８（感光性エッチングレジスト）をラミネート加工で貼り付ける。この後、露光および現像し、キャビティ形成領域６５（キャビティ部と非キャビティ部の境界部の遮蔽導体禁止エリアを除く）にドライフィルム１８を残し、それ以外の箇所のドライフィルム１８を除去する。露出させたシード層１２のうちドライフィルム１８が覆われていない部分で導電回路として不要な箇所をフラッシュ・エッチングにより除去する。この後、ドライフィルム１８はシード層１２および第１の導体層１７の表面から除去される。

【0068】

つまり、この工程では、基材１１の面（この場合、第２の面１１ｂ）側のシード層１２が形成されたエリア内のうち、キャビティ形成領域６５にドライフィルム１８を貼り付けて状態とし、続いて、ドライフィルム１８外のシード層１２をフラッシュ・エッチングにより除去する。その後、シード層１２の上のドライフィルム１８を剥離する。この場合、基材１１の上面（第１の面１１ａ）側に形成されたシード層１２も除去される。

【0069】

このようにして、図７に示すようなコア基板５１が完成する。このコア基板５１の基材１１の上面（第１の面１１ａ）には、ビア１５に電気的に接続される回路の一部としての導体層１６が形成される。この他、コア基板５１の下面（第２の面１１ｂ）のキャビティ形成領域６５（キャビティ部と非キャビティ部の境界部の遮蔽導体禁止エリアを除く）には、シード層１２が残った状態となる。シード層１２のうちキャビティ形成領域６５の範囲の部分は、後述するレーザ加工の際のレーザの受け（遮蔽部材）となる。

【0070】

また、基材１１の下面には、導電回路としての第１の導体層１７が形成される。この例では、Ｍ‐ＳＡＰを例にして回路を形成したが、無電解銅めっきをシード層に用いるＳＡＰでも回路（この場合、第１の導体層１７）の形成は可能である。

【0071】

（ビルドアップ層形成工程）
この工程では、コア基板５１となるコア基板用基材１１Ａの上層（上面）および下層（下面）のうち少なくとも下層（下面）に、任意回数のビルドアップを行ない、積層基板５４Ａを作製する。つまり、この工程では、キャビティ形成領域６５にシード層１２を部分的に残したまま、コア基板５１となるコア基板用基材１１Ａに第１のビルドアップ層６１および第２のビルドアップ層６２を形成する。このことで、シード層１２の一部が内部のコア基板５１（絶縁樹脂基板）と第２のビルドアップ層６２（下部構造体）との間に埋め込まれた積層基板５４Ａが形成される。

【0072】

ここで、第１のビルドアップ層６１、第２のビルドアップ層６２を形成するビルドアップの工程としては、慣用的な方法を用いてもよい。例えば、まず、コア基板５１となるコア基板用基材１１Ａに絶縁樹脂層６１ａを貼り付けた後、レーザを用いてビアホールを形成する方法を挙げることができる。この後、絶縁樹脂層６１ａのビアホールを含む表面にめっき処理を行い、ビア１５、導体層１７を形成する。第１のビルドアップ層６１を図７に示すように多層化する場合は同様の工程を繰り返す。

【0073】

第１のビルドアップ層６１および第２のビルドアップ層６２の回路形成には、例えば回路として不要な導体をエッチングで除去するサブトラクティブ法のみならず、コア基板５１の場合と同様に、Ｍ－ＳＡＰ、ＳＡＰなどが適用できる。第１および第２のビルドアップ層６１、６２の積層には、多段プレスまたは樹脂ラミネートなどの技術が利用される。

【0074】

この例では、上層の第１のビルドアップ層６１には、絶縁樹脂層６１ａ、絶縁樹脂層６１ｂ、導体層１７（第１の導体層１７）が形成される。最も上の層（表層）の第１のビルドアップ層６１の上面には、ビア１５と接続された導体層６３が形成される。多層基板５４の最上層（絶縁樹脂層６１ｂ）の上面に導体層６３を形成する際に、キャビティ形成領域６５の範囲を除去しておく。これは後述のキャビティ形成工程でのザグリ加工をし易くするためである。

【0075】

第２のビルドアップ層６２は、絶縁樹脂層６２ａ、絶縁樹脂層６２ｂ、導体層１７を有する。コア基板５１となるコア基板用基材１１Ａの直下の絶縁樹脂層６２ａには、キャビティ形成領域６５の範囲内にビア１５が形成される。このビア１５は、上部ではコア基板５１の第１の導体層１７と接続され、下部では下層の絶縁樹脂層６２ｂのビア１５と接続される。絶縁樹脂層６２ａ、絶縁樹脂層６２ｂの左右の下面には、第１の導体層１７が形成される。この第１の導体層１７をスルーホール１０が貫通して形成されることで、他層の第１の導体層１７、最上層の導体層６３および最下層の導体層６４と層間接続される。

【0076】

さらに、キャビティ形成領域６５のうち、キャビティ部と非キャビティ部の境界部の直下（キャビティ形成領域６５およびその境界部に対応する位置）には、キャビティ２０の底面より一層下層（絶縁樹脂層６２ａと、絶縁樹脂層６２ｂとの間）に、前述した第２の導体層１２ａが形成される。この第２の導体層１２ａは、後述するレーザ加工の際のレーザの受け（遮蔽部材）となり、レーザの下層への貫通を防止する。この第２の導体層１２ａの形成方法は、どのような方法でもよく、サブトラクティブ法、Ｍ－ＳＡＰ、セミアディティブ法等でよい。

【0077】

（キャビティ形成工程）
この工程では、図９に示すように、積層基板５４Ａの第１のビルドアップ層６１の側からコア基板５１に残したシード層１２の方向にドリルを向けて加工する。言い換えると、積層基板５４Ａに予め設けたキャビティ形成領域６５をドリルで抉るように加工する。

【0078】

この場合、ドリルがキャビティ形成領域６５を積層方向（厚み方向）に刺さるようにして第１のビルドアップ層６１を貫通し、コア基板５１の内部のシード層１２上に基材１１の一部を残して絶縁樹脂層６１ａおよび絶縁樹脂層６１ｂを部分的に除去してキャビティ２０を形成する工程（ザグリ加工１）と、シード層１２及び一層下の層の第２の導体層１２ａをレーザ光の遮蔽部材にして、キャビティ２０に残した絶縁樹脂６８をレーザ加工により除去し、シード層１２をキャビティ２０の底部に露出させる工程（ザグリ加工２）の２つの工程を有する。

【0079】

（ザグリ加工１（ドリル加工））
この工程では、積層基板５４Ａの上方から、キャビティ形成領域６５の第１のビルドアップ層６１を貫通してコア基板用基材１１Ａ内の基材１１までザグリ加工（ドリル加工とレーザ加工を併用した切削加工も可）して、コア基板用基材１１Ａの下面のシード層１２上に基材１１の一部を残して大半の絶縁樹脂を除去してキャビティ２０を形成する。

【0080】

具体的には、図９に示すように、キャビティ形成領域６５の一端（例えば図に向かって左端）に、ビット先端にセンサーを有するドリル６６を配置し、コア基板用基材１１Ａの表面のシード層１２の手前の位置（キャビティ２０の底部に至る手前の位置）まで削り込み、ドリル６６をその位置から横方向Ａへ移動させてドリル６６による絶縁樹脂層１１の除去を実施する。

【0081】

なお、この例では、キャビティ２０の底部の上に基材１１の一部を残しているが、ドリル加工精度が高い場合は、シード層１２の面ぎりぎりまで削り込んでもよい。

【0082】

ザグリ加工を後述するレーザ加工のみではなく、ドリル加工を加えた２段階にしている理由は、後述するレーザ加工のレーザの受け導体（遮蔽部材）として、シード層１２等を使い、基材１１の残部である絶縁樹脂６８を除去するからである。

【0083】

（ザグリ加工２（レーザ加工））
この工程では、図１０に示すように、キャビティ２０の開口上方から矢印Ｂ方向にレーザ光を照射して、図８のドリル加工でキャビティ２０底部に残した絶縁樹脂６８を除去する。レーザ加工には、例えば炭酸ガスレーザ（ＣＯ_２レーザ）やＹＡＧレーザなどの加工用レーザが適用可能である。

【0084】

従来の技術では、レーザアブレーションの条件が適切でないような場合、キャビティ部と非キャビティ部の境界部の遮蔽導体禁止エリアにおいて、レーザが下層に貫通する箇所が発生し、基材を破損する可能性があるという課題がある。

【0085】

本開示の印刷配線板の製造方法では、シード層１２及び一層下層の第２の導体層１２ａをレーザ光の遮蔽部材にして、キャビティ２０の底部に残した上層部分の残部をレーザ加工により除去し、図１１に示すように、平坦な面のシード層１２をキャビティ２０の底部に露出させる。この時、第２の導体層１２ａをレーザ光の遮蔽部材として用いることにより、レーザ照射の条件が適切でないような場合においても、キャビティ部と非キャビティ部の境界部の遮蔽導体禁止エリアにおいて、レーザが下層に貫通して基材（この場合絶縁樹脂層６２ａ）が破損することを防止することができる。

【0086】

レーザ加工によってキャビティ２０の底部の絶縁樹脂６８を加工すると、その部分に薄い樹脂膜（微細樹脂クズ）が残存する場合がある。このように残った微細樹脂クズを除去するには、レーザによって炭化した部分をクリーニングする。このために、高圧水洗などの水洗処理またはプラズマ処理、過マンガン処理などによるデスミア処理を行う。これらの処理は２重３重に行っても構わない。

【0087】

デスミア処理は、強アルカリによって樹脂を膨潤させ、次いで酸化剤（例えば、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液など）を用いて樹脂を分解除去する処理である。また、研磨材によるウェットブラスト処理やプラズマ処理によって樹脂膜を除去してもよい。プラズマ処理をする際には、表面基材を保護するために、ドライフィルムでマスキングを実施してもよい。

【0088】

また、デスミア処理をする際には、最外層基材及び最外層回路を保護するために、工程を入れ替えて、キャビティ２０を形成してから最外層の回路形成を実施しても構わない。その場合は、キャビティ２０を保護するために、ドライフィルムなどで保護することが必要である。電着レジスト（ＥＤなど）も使用できる。

【0089】

なお、レーザ光の受け導体（レーザ光の遮蔽部材）として使用する第２の導体層１２ａは、キャビティ２０により上部構造体がないことで低下する多層基板５４の剛性を向上させることができる。この場合、第２の導体層１２ａは、レーザ光の遮蔽部材としては、キャビティ輪郭部にのみ設ければ十分であるが、キャビティ底面全面に配置すると更に剛性を強化することができる。さらに、配線のみではばらつきやすかったキャビティ部の板厚を安定させることができる。なお、キャビティ輪郭部のみに第２の導体層１２ａを配置する場合、レーザの照射径、層間位置ずれを考慮し、シード層１２の端部を基準に外側へ２００μｍ幅で第２の導体層１２ａを配置すれば、レーザを十分に遮蔽できる。

【0090】

また、基材１１にシード層１２が入り込んでいることで、第１の導体層１７からキャビティ外に複数の回路を延ばそうとすると、複数の回路同士がシード層１２でショートしてしまうことになるが、シード層１２をキャビティ２０よりやや狭く形成することによって、シード層１２が基材１１に入り込まなくなり、キャビティ外に複数の回路を延ばすことができる。

【0091】

キャビティ２０の底部のシード層１２の銅箔（バリア層）は、プロファイルフリー箔、またはロープロファイル箔、スタンダード箔等、色々使用できる。

【0092】

ここで、図１６および図１７を参照して、第２の導体層１２ａを形成する効果について説明する。図１６はキャビティ２０の概略を示す図、図１７は図１６中破線Ａにて示したキャビティ２０の輪郭部周辺を拡大した図である。第２の導体層１２ａは、絶縁樹脂層６２ａの下側の表面に配置されているが、上述のように、レーザ光Ｌの遮蔽部材としての機能を果たす。この場合、本実施形態では、絶縁樹脂層６２ａはその表面付近が局部的にレーザ光の影響を受けるように加工するようにしてもよい。

【0093】

キャビティ２０の輪郭部下の絶縁樹脂層６２ａに第２の導体層１２ａが設けられると、レーザ光によって輪郭部のところを加工したときに、第２の導体層１２ａの上側は、わずかに抉られる。これは、第２の導体層１２ａが設けられていない場合に比較してその体積は小さくなる。

【0094】

抉られた部分の形状は、キャビティ２０の壁面２０ａ側（図中６２ａＬ）は段差が付いた状態となるが、その反対側のキャビティ２０の内部側（符号６２ａＲ）は、絶縁樹脂層６２ａの表面（底面７９）に対して垂直な形状となる。

【0095】

キャビティ２０の底面７９側にソルダーレジストＲが形成されるときに、壁面２０ａを這い上がることを抑制することができると同時に、キャビティ２０の底面に均一な厚みでソルダーレジストを形成することができる。これは、キャビティ２０の壁面２０ａ側（６２ａＬ）は階段状になっているためにソルダーレジストが這い上がりやすいが、内部側（６２ａＲ）は垂直な面であるためにソルダーレジストが這い上がりにくいためである。

【0096】

抉れ部分の内部側６２ａＲと底面７９との交点Ｘにおいては、ソルダーレジストが底面７９の他の部分と同じ厚みにすることができる。すなわち、図１７において、抉れた箇所の角のところのソルダーレジストの厚みｔ_Ｃ１と、底面７９上のソルダーレジストの厚みｔ_７９は同じとすることができる。ここで、「同じ」とは、おおむね次式を満たす関係を意味する。
ｔ_Ｃ１－ｔ_７９≦１μｍ

【0097】

本実施形態では、最外層回路の形成を行った後、キャビティ２０を形成するという順序であるが、キャビティ２０をレーザ処理後に過マンガン酸処理等のデスミア処理をする場合には、表面の基材を保護、及び回路ピール強度劣化を防ぐために、最外層の回路を形成する前にキャビティ２０を形成してもよい。また、最外層の回路をＭ－ＳＡＰなどのパターンめっきで形成する場合、後述のシード層除去工程と兼ねることで、工程を削減できる。

【0098】

（シード層除去工程）
この工程は、図１２に示すように、キャビティ２０の底部に露出したシード層１２をフラッシュ・エッチングにより除去して、第２のビルドアップ層６２の絶縁樹脂層６２ａの面７９と絶縁樹脂に埋め込まれた導体層１７の面とを露出させる工程である。

【0099】

詳述すると、この工程では、キャビティ形成領域６５の底部をフラッシュ・エッチングすることにより、バリア層であるシード層１２（銅箔）を除去する。こうして多層基板５４が得られる。コア基板５１の下層の絶縁樹脂層６２ａの面（底面７９）と、この底面７９と同等な高さ（位置）に表面が露出して絶縁樹脂層６２ａに埋め込まれた第１の導体層１７がキャビティ２０の底面７９の一部を形成する。このようにキャビティ２０の底面に平坦に露出した第１の導体層１７が部品実装ランドとして機能し、この多層基板５４内の回路配線とキャビティ２０に収容される電子部品とを接続できるようになる。

【0100】

フラッシュ・エッチングによって、最外層の導体厚みを減らしたくない場合には、ソルダーレジスト後に実施する。またはソルダーレジスト後にドライフィルムによるマスキングを実施し、任意的にエッチング処理される箇所を選択してもよい。

【0101】

なお、前段で、シード層以外にパターンめっき部分もややエッチングされてしまうことが懸念されることについて説明したが、エッチング量は２μｍ程度で、フラッシュ・エッチング液は縦方向に均一にエッチングして行く性質があるため、導体厚に悪影響ができるようなことはない。

【0102】

バリアめっきとしてニッケルめっきした場合は、さらにニッケルをエッチングする。ニッケルのエッチングは、ニッケル除去剤ＮＨ－１８６０シリーズ（メック株式会社製）などが適している。

【0103】

ワイヤボンディング用途でバリアめっきのニッケルめっきの下に金めっきをしている場合、サブトラクティブ法の代表的なエッチング液である塩化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液は金を溶かさないので原理的には可能だが、界面への浸透力が強いために、金めっきと絶縁材料の界面に浸透し、金めっきの更に下のニッケルめっき、銅めっきを溶かすサイドエッチングが起きるため、不適である。

【0104】

（外層回路形成工程）
この工程では、図１２のように形成した多層基板５４の下部の第２のビルドアップ層６２の導体層６４に対して、エッチングを行い一部領域を除去することで、図１３に示すように、回路として導体層６４ａを形成する。また、基板上部の第１のビルドアップ層６１の導体層６３に対してエッチングを行うことで一部領域を除去して回路配線または配線パターンとしての導体層６３ａを形成する。なお、外層回路の形成は、凹みや貫通孔の壁面への追従性が優れた電着レジストをエッチングレジストに用いたサブトラクティブ法を適用してもよい。なお電着レジストは、電着塗装の性質を応用したエッチングレジストである。

【0105】

（ソルダーレジスト工程）
この工程では、図１３に示した第１および第２のビルドアップ層６１、６２に対して導体層６３ａ、６４ａの一部を含めて絶縁被膜し、図１４に示すように、ソルダーレジスト７１、７２を形成する。ソルダーレジストは、ドライフィルムタイプ、液状タイプが使用可能である。

【0106】

（電子部品装着場所形成工程）
この工程以降は、部品実装ランドに段差が必要な場合に行うものとする。この工程では、図１５に示すように、キャビティ２０の底部に露出した導体層１７の上にめっきを施して金属めっき層８０を形成し、底面から段差を持たせた部品実装ランドである接続パッドを形成する。

【0107】

多層基板５４の上部の第１のビルドアップ層６１の導体層６３ａの上にも同様にめっきを施して回路パターンを形成してもよい。この際、スルーホール１０が樹脂または金属で充填されていれば、ソルダーレジスト７１のないスルーホール１０の上下の部分にもめっきが施されるので、ここにも導体層７３、７４が形成される。

【0108】

必要に応じて電子部品を実装する工程を以下のように追加してもよい。この工程では、キャビティ２０に電子部品を収容し、電子部品の底部に設けた電極と金属めっき層８０（接続パッド）とを当接させて互いの回路を接続する。なお、ここでは電子部品を実装せず、他で実装する場合は電子部品実装工程以下の工程は不要である。

【0109】

このように、この実施形態の印刷配線板を形成するためのコア基板用基材１１Ａは、第１の面（上面）１１ａと、この第１の面（上面）１１ａと対向する第２の面（下面）１１ｂとを有する絶縁樹脂製の基材１１を有している。絶縁樹脂製の基材１１の第２の面（下面）１１ｂにはシード層１２が形成される。シード層１２の一部領域には、第１の導体層１７がパターンめっきにより形成される。コア基板５１は、絶縁樹脂製の基材１１、シード層１２、第１の導体層１７を有している。コア基板５１の少なくとも下面には、絶縁樹脂でビルドアップした第２のビルドアップ層６２が形成され、複数層の基板（積層基板５４Ａ）をなしている。積層基板５４に対して、第１のビルドアップ層６１の側からコア基板５１の一部領域（キャビティ形成領域６５）をザグリ加工して、コア基板５１の第２の面（下面）５１ｂのシード層１２が底部に露出するように加工することで、キャビティ２０が形成される。このキャビティ２０の底部に露出したシード層１２をフラッシュ・エッチングにより除去すると、コア基板５１の下に位置する第２のビルドアップ層６２の絶縁樹脂層６２ａの面（底面７９）が残る。底面７９には、上面がほぼ面一に並ぶように第１の導体層１７が埋め込まれる。このような構成により、キャビティ２０内に収容した電子部品と基板側との回路接続を電子部品の底部で行うことができるようになる。

【0110】

このようにキャビティ２０の底面７９とほぼ面一の第１の導体層１７を接続パッド（部品実装ランド）として形成して電子部品の底部の電極と接続することで、キャビティ２０の底部の配線パターンとしての部品実装ランドのピール強度を向上することができる。

【0111】

上記各実施形態における印刷配線板の製造手順の例は一例であり、各処理工程を入れ替え、また新たな処理工程を追加し、一部の処理工程を削除することで、処理工程をさまざまに変えることも可能である。

【0112】

本発明の実施の形態を説明したが、この実施の形態は、例として示したものであり、この他の様々な形態で実施が可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の省略、置き換え、変更を行うことができる。

【符号の説明】

【0113】

１０ スルーホール
１１ 絶縁樹脂製の基材
１２ シード層
１２ａ 第２の導体層
１３、１８ ドライフィルム
１４ ビアホール下穴
１５ ビア
１６、６３、６４ 導体層
１７ 第１の導体層
２０ キャビティ
５１ コア基板
５４ 多層基板
６１、６２ ビルドアップ層
６１ａ、６１ｂ、６２ａ、６２ｂ 絶縁樹脂層
６６ ドリル
６８ 絶縁樹脂
７１、７２ ソルダーレジスト
７９ 底面
８０ 金属めっき層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】